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KR20240064697A - 유기 전계 발광 디바이스용 붕소 복소환 화합물 - Google Patents

유기 전계 발광 디바이스용 붕소 복소환 화합물 Download PDF

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Publication number
KR20240064697A
KR20240064697A KR1020247012320A KR20247012320A KR20240064697A KR 20240064697 A KR20240064697 A KR 20240064697A KR 1020247012320 A KR1020247012320 A KR 1020247012320A KR 20247012320 A KR20247012320 A KR 20247012320A KR 20240064697 A KR20240064697 A KR 20240064697A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
formula
group
radicals
aromatic
same
Prior art date
Application number
KR1020247012320A
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English (en)
Inventor
필립 슈퇴쎌
Original Assignee
메르크 파텐트 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 메르크 파텐트 게엠베하 filed Critical 메르크 파텐트 게엠베하
Publication of KR20240064697A publication Critical patent/KR20240064697A/ko

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Abstract

본 발명은 전자 디바이스에서의 사용에 적합한 붕소 복소환 화합물, 및 상기 화합물을 함유하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다.

Description

유기 전계 발광 디바이스용 붕소 복소환 화합물
본 발명은 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에서 사용하기 위한 붕소 함유 복소환 화합물, 및 이러한 복소환 화합물을 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다.
유기 전계 발광 디바이스에서 사용된 방출 재료는 흔히 인광 유기금속성 착물 또는 형광 화합물이다. 일반적으로, 전계 발광 디바이스에 있어서 개선이 여전히 필요하다.
US 6,322,908 및 WO 03/001569 A2에는 유기 전계 발광 디바이스에 사용될 수 있는 다환 화합물이 개시되어 있다. 본 발명에 따른 화합물에 대한 개시는 없다.
일반적으로, 특히 디바이스의 수명 및 컬러 순도와 관련하여 뿐만 아니라 효율 및 작동 전압과 관련하여, 예를 들어 방출체로서, 특히 형광 방출체로서 사용하기 위한 이들 질소 함유 복소환 화합물에 있어서 개선이 여전히 필요하다.
따라서, 본 발명의 목적은 유기 전자 디바이스에서, 특히 유기 전계 발광 디바이스에서 사용하기에 적합하고 이 디바이스에서 사용될 때 양호한 디바이스 특성에 이르는 화합물을 제공하고, 대응하는 전자 디바이스를 제공하는 것이다.
더 구체적으로는, 본 발명에 의해 다루어지는 목적은 높은 수명, 양호한 효율 및 낮은 작동 전압에 이르는 화합물을 제공하는 것이다.
부가적으로, 그 화합물은 가공성이 우수해야 하며, 특히 그 화합물은 우수한 용해도를 나타내야 한다.
본 발명의 추가 목적은, 특히 방출체로서, 인광 또는 형광 전계 발광 디바이스에서 사용하기에 적합한 화합물을 제공하는 것으로 고려될 수 있다. 본 발명의 특정 목적은 적색, 녹색 또는 청색 전계 발광 디바이스에 적합한 방출체를 제공하는 것이다.
부가적으로, 화합물들은, 특히 이들이 유기 전계 발광 디바이스에서 방출체로서 사용될 때, 우수한 컬러 순도를 갖는 디바이스로 이어져야 한다.
본 발명의 추가 목적은, 특히 매트릭스 재료로서, 인광 또는 형광 전계 발광 디바이스에서의 사용에 적합한 화합물들을 제공하는 것으로 고려될 수 있다. 본 발명의 특정 목적은 적색, 황색 및 청색 인광 전계 발광 디바이스에 적합한 매트릭스 재료를 제공하는 것이다.
부가적으로, 화합물들은, 특히 이들이 유기 전계 발광 디바이스에서 매트릭스 재료로서 또는 전자 수송 재료로서 사용될 때, 우수한 컬러 순도를 갖는 디바이스로 이어져야 한다.
추가 목적은 우수한 성능을 갖는 전자 디바이스를 매우 저렴하게 그리고 일정한 품질로 제공하는 것으로 고려될 수 있다.
더욱이, 많은 목적들을 위해 전자 디바이스를 사용하거나 적응시킬 수 있어야 한다. 더 구체적으로는, 전자 디바이스들의 성능이 넓은 온도 범위에 걸쳐 유지되어야 한다.
놀랍게도, 이러한 목적은 바람직하게는 전계 발광 디바이스에 사용하기에 매우 양호하게 적합하고 특히 수명, 컬러 순도, 효율 및 작동 전압과 관련하여 매우 양호한 특성들을 나타내는 유기 전계 발광 디바이스로 이어지는 하기에 상세히 설명된 특정 화합물에 의해 달성된다는 것을 알아냈다. 따라서 본 발명은 이들 화합물, 및 이러한 화합물을 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스를 제공한다.
본 발명은 하기 식 (I) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는 화합물, 바람직하게는 하기 식 (I) 의 화합물을 제공한다:
Figure pct00001
식 중, 사용된 기호들은 다음과 같다:
Za, Zb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N, CR 이거나, Za, Zb 기는 고리 Ara 를 형성하며, 여기서, 고리 Ara 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 Ar 또는 Ra 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 여기서, 고리 Ara 는 CO 기 및 Wa, Wb 기와 함께 5원 고리를 형성한다;
Wa, Wb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 NR, NAr, NB(R)2 또는 NB(Ar)2 이며, 여기서, Wa, Wb 기 중 정확히 하나는 NB(R)2, NB(Ar)2 이고 Wa, Wb 기 중 정확히 하나는 NR, NAr 이거나, 또는 Wa, Wb 기는 하기 식의 고리를 형성한다:
Figure pct00002
식 중, Zc 는 R 또는 Ar 이고, 고리 Arb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 Ar 또는 Rb 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 여기서, 고리 Arb 는 R, Ar 또는 Zc 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있거나, 고리 Ara 및 Arb 는 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있고, 점선은 CO 기 또는 Zb 기에 대한 결합을 나타낸다;
Ar 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; Ar 기는 적어도 하나의 Ar, R, Ra, Rb 기 또는 추가 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
R, Ra, Rb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, OH, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar')2, N(R1)2, C(=O)N(Ar')2, C(=O)N(R1)2, C(Ar')3, C(R1)3, Si(Ar')3, Si(R1)3, B(Ar')2, B(R1)2, C(=O)Ar', C(=O)R1, P(=O)(Ar')2, P(=O)(R1)2, P(Ar')2, P(R1)2, S(=O)Ar', S(=O)R1, S(=O)2Ar', S(=O)2R1, OSO2Ar', OSO2R1, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 (여기서 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R1C=CR1, C≡C, Si(R1)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기; 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 헤테로아릴티오기, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 디아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 디헤테로아릴아미노기, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자 및 1 내지 10개의 탄소 원자 그리고 알킬 라디칼을 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아르알킬 또는 헤테로아릴알킬기이고; 동시에, 2개의 R, Ra, Rb 라디칼은 함께 또는 추가 기와 또한 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
Ar' 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 탄소 원자, 규소 원자, 질소 원자, 인 원자 또는 붕소 원자에 결합된 2 개의 Ar' 라디칼은 또한 단일 결합에 의한 브릿지 또는 B(R1), C(R1)2, Si(R1)2, C=O, C=NR1, C=C(R1)2, O, S, S=O, SO2, N(R1), P(R1) 및 P(=O)R1 로부터 선택된 브릿지를 통해 함께 연결되는 것이 가능하다;
R1 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar'')2, N(R2)2, C(=O)Ar'', C(=O)R2, P(=O)(Ar'')2, P(Ar'')2, B(Ar'')2, B(R2)2, C(Ar'')3, C(R2)3, Si(Ar'')3, Si(R2)3, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R2C=CR2-, -C≡C-, Si(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R2), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수도 있고 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬기, 또는 이들 시스템들의 조합이고; 동시에, 2 개 이상의 바람직하게는 인접한 R1 라디칼들은 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있고; 동시에, 하나 이상의 R1 라디칼은 화합물의 추가 부분과 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
Ar'' 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 탄소 원자, 규소 원자, 질소 원자, 인 원자 또는 붕소 원자에 결합된 2 개의 Ar'' 라디칼은 또한 단일 결합에 의한 브릿지 또는 B(R2), C(R2)2, Si(R2)2, C=O, C=NR2, C=C(R2)2, O, S, S=O, SO2, N(R2), P(R2) 및 P(=O)R2 로부터 선택된 브릿지를 통해 함께 연결되는 것이 가능하다;
R2 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, H, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족 히드로카르빌 라디칼, 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (여기서, 하나 이상의 수소 원자가 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 에 의해 대체될 수도 있고, 1 내지 4 개의 탄소 원자를 각각 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수도 있음) 로 이루어진 군으로부터 선택되고; 동시에, 2개 이상의, 바람직하게는 인접한 치환기 R2 는 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있다.
여기서는, Arb 기를 갖는 식 (I) 의 구조/화합물이 바람직하며, 여기서, Wa, Wb 기는 보다 바람직하게는 하기 식의 고리를 형성한다:
Figure pct00003
식 중, 기호 Arb 및 Zc 는 상기에서 주어진 정의를 가지며, 여기서, Zc 는 바람직하게는 Ar 이다.
고리 Arb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 5 내지 60개, 바람직하게는 5 내지 50개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 Ar 또는 Rb 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 여기서, 고리 Arb 는 R, Ar 또는 Zc 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있거나, 고리 Ara 및 Arb 는 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있고, 점선은 CO 기 또는 Zb 기에 대한 결합을 나타낸다. 여기서, 상기 식들에서 Arb 고리는 2개의 질소 원자 및 하나의 붕소 원자를 가짐을 기억해야 한다. 따라서, "5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템" 이라는 표현은 고리 Arb 의 상당 부분이 어떠한 헤테로원자도 가질 필요가 없음을 그리고 명시적으로 언급되지 않은 구성요소는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템을 구성할 수도 있음을 분명하게 한다. 이에 따라, 고리 Arb 가 하나의 Arb 기를 갖고, 또한 2개의 질소 원자 및 하나의 붕소 원자를 갖는 경우일 수도 있다. Arb 기는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 5 내지 50개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 Ar 또는 Rb 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 여기서, Arb 기는 R, Ar 또는 Zc 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있거나, 고리 Ara 및 Arb 는 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있다. 바람직하게는, 고리 Arb 는 Arb 기 및 2개의 질소 원자 및 붕소 원자에 의해 형성되고, 여기서, Arb 기 및 2개의 질소 원자 및 붕소 원자에 의해 형성된 이 고리는 바람직하게는 5 내지 8개, 보다 바람직하게는 5 또는 6개의 고리 원자를 포함한다. Arb 기는 바람직하게는, 방향족 또는 헤테로방향족 기의 부분인 2개의 인접한 탄소 원자를 통해 Arb 기 및 2개의 질소 원자 및 붕소 원자에 의해 형성된 고리의 추가 원자에 결합한다. Arb 기 및 2개의 질소 원자 및 붕소 원자에 의해 형성된 고리가 5개 초과의 고리 원자를 포함하면, 추가 라디칼이 오로지 아릴 또는 헤테로아릴 기만을 반드시 함유할 필요는 없는 Arb 기의 부분으로서 간주될 수도 있다.
본 발명의 맥락에서의 아릴 기는 6 내지 40 개의 탄소 원자들을 함유하고; 본 발명의 맥락에서의 헤테로아릴 기는 2 내지 40 개의 탄소 원자들 및 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하며, 단, 탄소 원자들 및 헤테로원자들의 총합은 적어도 5 이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 아릴기 또는 헤테로아릴기는 단순 방향족 환, 즉 벤젠, 또는 단순 헤테로방향족 환, 예를 들어 피리딘, 피리미딘, 티오펜 등, 또는 융합된 (고리 모양) 아릴 또는 헤테로아릴기, 예를 들어 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린 등을 의미하는 것으로 이해된다. 단일 결합에 의해 서로 연결된 방향족 화합물, 예를 들어 바이페닐은, 대조적으로, 아릴 또는 헤테로아릴기로서가 아니라 방향족 고리 시스템으로서 지칭된다.
본 발명의 맥락에서 전자-결핍 헤테로아릴 기는 적어도 하나의 질소 원자를 갖는 적어도 하나의 헤테로방향족 6원 고리를 갖는 헤테로아릴 기이다. 추가의 방향족 또는 헤테로방향족 5원 또는 6원 고리가 이 6원 고리 상에 융합될 수도 있다. 전자-결핍 헤테로아릴 기의 예는 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀린, 퀴나졸린 또는 퀴녹살린이다.
본 발명의 맥락에서 방향족 고리 시스템은 고리 시스템에 6 내지 60 개의 탄소 원자를 함유한다. 본 발명의 맥락에서 헤테로방향족 고리 시스템은 고리 시스템에서 2 내지 60 개의 탄소 원자와 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하며, 단, 탄소 원자와 헤테로원자의 총합은 적어도 5 이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 본 발명의 맥락에서 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은, 반드시 아릴 또는 헤테로아릴 기만을 함유하는 것이 아니라, 2개 이상의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 비방향족 단위, 예를 들어, 탄소, 질소 또는 산소 원자에 의해 연결되는 것도 가능한, 시스템을 의미하는 것으로 이해될 것이다. 예를 들어, 플루오렌, 9,9'-스피로바이플루오렌, 9,9-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르, 스틸벤 등과 같은 시스템은 또한 본 발명의 맥락에서 방향족 고리 시스템으로서 간주될 것이며, 2개 이상의 아릴기가 예를 들어 짧은 알킬기에 의해 연결되는 시스템도 마찬가지이다. 바람직하게는, 방향족 고리 시스템은 플루오렌, 9,9'-스피로바이플루오렌, 9,9-디아릴아민 또는 2 개 이상의 아릴 및/또는 헤테로아릴 기가 단일 결합에 의해 서로 연결되는 기로부터 선택된다.
본 발명의 맥락에서, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 함유할 수도 있으며 개개의 수소 원자 또는 CH2 기가 또한 전술한 기에 의해 치환될 수도 있는 지방족 히드로카르빌 라디칼 또는 알킬기 또는 알케닐 또는 알키닐기는 바람직하게는 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, 네오펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, 네오헥실, 시클로헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐, 헵티닐 또는 옥티닐 라디칼을 의미하는 것으로 이해된다. 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기는 바람직하게는 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시, n-펜톡시, s-펜톡시, 2-메틸부톡시, n-헥스옥시, 시클로헥실옥시, n-헵트옥시, 시클로헵틸옥시, n-옥틸옥시, 시클로옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 펜타플루오로에톡시 및 2,2,2-트리플루오로에톡시를 의미하는 것으로 이해된다. 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 티오알킬 기는 특히 메틸티오, 에틸티오, n-프로필티오, i-프로필티오, n-부틸티오, i-부틸티오, s-부틸티오, t-부틸티오, n-펜틸티오, s-펜틸티오, n-헥실티오, 시클로헥실티오, n-헵틸티오, 시클로헵틸티오, n-옥틸티오, 시클로옥틸티오, 2-에틸헥실티오, 트리플루오로메틸티오, 펜타플루오로에틸티오, 2,2,2-트리플루오로에틸티오, 에테닐티오, 프로페닐티오, 부테닐티오, 펜테닐티오, 시클로펜테닐티오, 헥세닐티오, 시클로헥세닐티오, 헵테닐티오, 시클로헵테닐티오, 옥테닐티오, 시클로옥테닐티오, 에티닐티오, 프로피닐티오, 부티닐티오, 펜티닐티오, 헥시닐티오, 헵티닐티오 또는 옥티닐티오를 의미하는 것으로 이해된다. 일반적으로, 본 발명에 따른 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기는 직쇄, 분지형 또는 환형일 수도 있으며, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 전술한 기들에 의해 대체될 수도 있고; 부가적으로, 또한 하나 이상의 수소 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2, 바람직하게는 F, Cl 또는 CN, 더욱 바람직하게는 F 또는 CN, 특히 바람직하게는 CN 에 의해 대체될 수 있다.
5 내지 60 개 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 또한 각 경우에 전술된 라디칼에 의해 치환될 수도 있고 임의의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족 시스템에 연결될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은, 특히 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 바이페닐, 바이페닐렌, 테르페닐, 트리페닐렌, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 시스- 또는 트랜스-인데노카르바졸, 시스- 또는 트랜스-인돌로카르바졸, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트르이미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 나프트옥사졸, 안트르옥사졸, 페난트르옥사졸, 이소옥사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 헥사아자트리페닐렌, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸로부터 유도된 기 또는 이들 시스템들의 조합으로부터 유도된 기를 의미하는 것으로 이해된다.
2 개 이상의 라디칼이 함께 고리를 형성할 수도 있다는 어구는, 본 상세한 설명의 맥락에서, 특히, 2 개의 라디칼이 2 개의 수소 원자의 형식적 제거와 함께 화학 결합에 의해 서로 연결됨을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 이것은 하기의 스킴에 의해 예시된다:
Figure pct00004
그러나, 부가적으로, 전술된 어구는 또한 2 개의 라디칼 중 하나가 수소인 경우에는 제 2 라디칼이 수소 원자가 결합되었던 위치에 결합되어, 고리를 형성한다는 것을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 이는 다음의 스킴에 의해 예시될 것이다:
Figure pct00005
바람직한 구성에서, 본 발명의 화합물은 식 (II-1) 내지 식 (II-18) 의 구조를 포함할 수도 있고; 보다 바람직하게는, 본 발명의 화합물은 식 (II-1) 내지 식 (II-18) 의 화합물로부터 선택될 수도 있다:
Figure pct00006
Figure pct00007
Figure pct00008
식 중, 기호 R, Ar, Ara 및 Arb 는, 특히 식 (I) 에 대해 상기에서 주어진 정의들을 가지며, X 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N 또는 CR, 바람직하게는 CR 이다. 식 (II-17) 및 식 (II-18) 에서, 고리 Arb 는 바람직하게는 Arb 기, 질소 원자, 붕소 원자 및 탄소 원자에 의해 형성되고, 여기서, 이 고리에 대한 추가의 바람직한 사항들은 상기에서 상술된 것들에 대응한다.
여기서, 식 (II-5) 내지 식 (II-16) 의 구조/화합물이 바람직하고, 식 (II-9) 내지 식 (II-16) 의 구조/화합물이 특히 바람직하고, 식 (II-13) 내지 식 (II-16) 의 구조/화합물이 특히 바람직하고, 식 (II-13) 및 식 (II-14) 의 구조/화합물이 매우 특히 바람직하다.
부가적으로, 식 (II-1), 식 (II-3), 식 (II-5), 식 (II-7), 식 (II-9), 식 (II-11), 식 (II-13) 및 식 (II-15) 의 구조/화합물은 식 (II-2), 식 (II-4), 식 (II-6), 식 (II-8), 식 (II-10), 식 (II-12), 식 (II-14) 및 식 (II-16) 의 필적하는 구조/화합물보다 바람직하다. 구조들 또는 화합물들은 특히, 치환기 및/또는 치환 패턴이 본질적으로 동일할 때 필적하며, "본질적으로 동일" 하다는 것은 "붕소 원자에 대한 카르보닐기의 위치로부터 떨어짐" 을 의미한다. 이러한 바람직한 사항은 또한, 달리 서술되지 않는 한, 하기에 나타낸 구조들 및/또는 화합물들에도 적용가능하다.
2개 이상의 질소 원자들이 화합물 내에 존재하는 경우, 이들 질소 원자들은, 식 (I) 에서의 또는 상기에 및 하기에 나타낸 그 구조/화합물의 바람직한 실시형태에서의 N-N 결합으로부터 이격된 N-N 결합이 없도록, 바람직하게는 인접하지 않다.
추가의 바람직한 실시형태에서, 본 발명의 화합물이 식 (III-1) 내지 식 (III-48) 의 구조를 포함하는 경우일 수도 있으며, 여기서, 본 발명의 화합물은 보다 바람직하게는 식 (III-1) 내지 식 (III-48) 의 화합물로부터 선택될 수도 있다:
Figure pct00009
Figure pct00010
Figure pct00011
Figure pct00012
Figure pct00013
Figure pct00014
Figure pct00015
Figure pct00016
Figure pct00017
식 중, 기호 Ar 및 R 은 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해 상술된 정의들을 가지며 추가 기호들은 다음과 같다:
X 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N 또는 CR, 바람직하게 CR 이며, 단, 하나의 환에서 X 기들 중 2개 이하는 N 이고, 여기서 R 은 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해 상술된 정의를 갖는다;
Xa 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N 또는 CRa, 바람직하게 CRa 이며, 단, 하나의 환에서 Xa 기들 중 2개 이하는 N 이고, 여기서, Ra 는 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해 상술된 정의를 갖는다;
Xb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N 또는 CRb, 바람직하게 CRb 이며, 단, 하나의 환에서 Xb 기들 중 2개 이하는 N 이고, 여기서, Rb 는 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해 상술된 정의를 갖는다.
Y1 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 결합, N(Ar), N(R), P(Ar), P(R), P(=O)Ar, P(=O)R, P(=S)Ar, P(=S)R, B(Ar), B(R), Al(Ar), Al(R), Ga(Ar), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, Ge(R)2, C=NR, C=NAr, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), O, S, Se, S=O 또는 SO2, 바람직하게는 결합, N(Ar), N(R), B(Ar), B(R), P(=O)R, P(=O)Ar, C=O, C(R)2, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), Si(R)2, O, S, Se, S=O 또는 SO2, 보다 바람직하게는 N(Ar), B(Ar), B(R), C(R)2, C=O, O 또는 S 이고, 여기서 R 은 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해 상술된 정의를 갖는다;
Y2 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 결합, N(Ar), N(R), P(Ar), P(R), P(=O)Ar, P(=O)R, P(=S)Ar, P(=S)R, B(Ar), B(R), Al(Ar), Al(R), Ga(Ar), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, Ge(R)2, C=NR, C=NAr, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), O, S, Se, S=O 또는 SO2, 바람직하게는 결합, N(Ar), N(R), B(Ar), B(R), P(=O)R, P(=O)Ar, C=O, C(R)2, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), Si(R)2, O, S, Se, S=O 또는 SO2, 보다 바람직하게는 N(Ar), C(R)2, O 또는 S 이고, 여기서 R 은 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해 상술된 정의를 갖는다;
Y3 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, N(Ar), N(R), P(Ar), P(R), P(=O)Ar, P(=O)R, P(=S)Ar, P(=S)R, B(Ar), B(R), Al(Ar), Al(R), Ga(Ar), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, Ge(R)2, C=NR, C=NAr, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), O, S, Se, S=O 또는 SO2, 바람직하게는 N(Ar), N(R), B(Ar), B(R), P(=O)R, P(=O)Ar, C=O, C(R)2, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), Si(R)2, O, S, Se, S=O 또는 SO2, 보다 바람직하게는 N(Ar), C(R)2, O 또는 S 이고, 여기서 R 은 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해 상술된 정의를 갖는다;
Y4 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, N(Ar), N(R), P(Ar), P(R), P(=O)Ar, P(=O)R, P(=S)Ar, P(=S)R, C(R)2, Si(R)2, O 또는 S, 바람직하게는 N(Ar), N(R) 또는 O, S, 보다 바람직하게는 N(Ar) 또는 O 이고, 여기서 R 은 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해 상술된 정의를 갖는다;
Y5 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, N(Ar), N(R), P(Ar), P(R), P(=O)Ar, P(=O)R, P(=S)Ar, P(=S)R, B(Ar), B(R), Al(Ar), Al(R), Ga(Ar), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, Ge(R)2, C=NR, C=NAr, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), O, S, Se, S=O 또는 SO2, 바람직하게는 N(Ar), N(R), B(Ar), B(R), P(=O)R, P(=O)Ar, C=O, C(R)2, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), Si(R)2, O, S, Se, S=O 또는 SO2, 보다 바람직하게는 N(Ar), C(R)2, O 또는 S 이고, 여기서 R 은 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해 상술된 정의를 갖는다;
Y6 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, N(Ar), N(R), P(Ar), P(R), P(=O)Ar, P(=O)R, P(=S)Ar, P(=S)R, B(Ar), B(R), Al(Ar), Al(R), Ga(Ar), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, Ge(R)2, C=NR, C=NAr, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), O, S, Se, S=O 또는 SO2, 바람직하게는 N(Ar), N(R), B(Ar), B(R), P(=O)R, P(=O)Ar, C=O, C(R)2, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), Si(R)2, O, S, Se, S=O 또는 SO2, 보다 바람직하게는 N(Ar), C(R)2, O 또는 S 이고, 여기서 R 은 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해 상술된 정의를 갖는다;
여기서, 식 (III-3) 내지 식 (III-14), 식 (III-17) 내지 식 (III-26), 식 (III-47) 및 식 (III-48) 의 구조/화합물이 바람직하고, 식 (III-3), 식 (III-5), 식 (III-7), 식 (III-9), 식 (III-11), 식 (III-13), 식 (III-17), 식 (III-19), 식 (III-21), 식 (III-23), 식 (III-25) 및 식 (III-47) 의 구조가 특히 바람직하다.
바람직하게는, 특히 식 (III-1) 내지 식 (III-48) 에서, 4개 이하 바람직하게는 2개 이하의 X, Xa 및 Xb 기는 N 이며; 보다 바람직하게는, 모든 X, Xa 및 Xb 기가 CR, CRa 또는 CRb 인 경우일 수도 있다.
추가의 바람직한 실시형태에서, 본 발명의 화합물이 식 (IV-1) 내지 식 (IV-48) 의 구조를 포함하는 경우일 수도 있으며, 여기서, 본 발명의 화합물은 보다 바람직하게는 식 (IV-1) 내지 식 (IV-48) 의 화합물로부터 선택될 수도 있다:
Figure pct00018
Figure pct00019
Figure pct00020
Figure pct00021
Figure pct00022
Figure pct00023
Figure pct00024
Figure pct00025
Figure pct00026
식 중, 기호 R, Ra 및 Rb 는 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 Y1, Y2, Y3, Y4, Y5 및 Y6 은 상기에서, 특히 식 (III-1) 내지 식 (III-48) 에 대해 주어진 정의를 가지며, 추가 기호는 다음과 같다:
l 은 0, 1, 2, 3, 4 또는 5, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
n 은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
j 는 0, 1 또는 2, 바람직하게는 0 또는 1 이다;
k 는 0 또는 1 이다.
여기서, 식 (IV-3) 내지 식 (IV-14), 식 (IV-17) 내지 식 (IV-26), 식 (IV-47) 및 식 (IV-48) 의 구조/화합물이 바람직하고, 식 (IV-3), 식 (IV-5), 식 (IV-7), 식 (IV-9), 식 (IV-11), 식 (IV-13), 식 (IV-17), 식 (IV-19), 식 (IV-21), 식 (IV-23), 식 (IV-25) 및 식 (IV-47) 의 구조가 특히 바람직하다.
특히 최대, 식 (IV-1) 내지 식 (IV-48) 의 구조/화합물에서 인덱스 k, j, m, n 및 l 의 총합은 바람직하게는 10 이하, 바람직하게는 8 이하, 특히 바람직하게는 6 이하 그리고 보다 바람직하게는 4 이하이다.
부가적으로, 식 (I), 식 (II-1) 내지 식 (II-18), 식 (III-1) 내지 식 (III-48), 식 (IV-1) 내지 식 (IV-48) 을 포함하는 식 및/또는 이하에 상술된 이들 식의 바람직한 실시형태들에서, 이는, 적어도 하나의 R, Ra, Rb 라디칼이 1 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기, 또는 2 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 (여기서 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R1C=CR1, C≡C, Si(R1)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있음) 이거나, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이거나, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기이거나, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 헤테로아릴티오 기이거나, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 디아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 디헤테로아릴아미노 기이거나, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자 및 1 내지 10개의 탄소 원자를 알킬 라디칼에 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴알킬 또는 헤테로아릴알킬기인 경우일 수도 있다.
바람직하게는, 식 (I), 식 (II-1) 내지 식 (II-18), 식 (III-1) 내지 식 (III-48), 식 (IV-1) 내지 식 (IV-48) 을 포함하는 식 및/또는 이하에 상술된 이들 식의 바람직한 실시형태에서, 이는, 적어도 하나의 R, Ra, Rb 라디칼이 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 가지며 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이거나, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기이거나, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 헤테로아릴티오 기이거나, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 디아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 디헤테로아릴아미노 기이거나, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자 및 1 내지 10개의 탄소 원자를 알킬 라디칼에 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴알킬 또는 헤테로아릴알킬기, 보다 바람직하게는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템인 경우일 수도 있다.
부가적으로, 이는, 바람직하게는, 식 (I), 식 (II-1) 내지 식 (II-18), 식 (III-1) 내지 식 (III-48), 식 (IV-1) 내지 식 (IV-48) 의 구조/화합물 및/또는 이하에 상술된 이들 식의 바람직한 실시형태가 자유 올레핀 이중 결합을 최대 하나 갖거나 바람직하게는 갖지 않는 경우일 수도 있으며, 여기서, 방향족 6원 고리는 바람직하게는 방향족 5원 고리에 융합된다. 자유 올레핀 이중 결합은 첫째로, 방향족 또는 헤테로방향족 시스템의 부분이 아니고 바람직하게는 수소 원자를 갖는 -C=C- 기이다. 부가적으로, 자유 올레핀성 이중 결합은, 예를 들어, 푸란 또는 이미다졸 라디칼에서 실현되는 바와 같이 헤테로방향족 5원 고리의 부분인 -C=C- 기이고, 여기서, 이들 기는 자유 형태여야 한다. 이는, 특히 C-C 이중 결합의 탄소 원자가 수소 원자에 결합되는 경우이다. 추가 방향족 또는 헤테로방향족 고리의 융합의 경우, 예를 들어, 디벤조푸라닐 또는 벤즈이미다졸 라디칼의 경우에서와 같이, -C=C- 기는 여기서 자유 형태가 아니기 때문에 올레핀 이중 결합이 없다. 더욱이, C-C 이중 결합의 2개의 탄소 원자가 바람직하게는 하기에 기술된 식 (RA-1) 내지 식 (RA-12), 식 (RA-1a) 내지 식 (RA-4f) 및/또는 식 (RB) 의 기에 의해 형성된 고리에 의해 연결되는 경우 올레핀 이중 결합은 없다.
더욱이, 이는, 바람직하게는, 식 (I), 식 (II-1) 내지 식 (II-18), 식 (III-1) 내지 식 (III-48), 식 (IV-1) 내지 식 (IV-48) 의 구조/화합물 및/또는 이하에 상술된 이들 식의 바람직한 실시형태가 여기서 브릿지형 구조, 특히 이환식 및 삼환식 시스템을 제외하고 7개의 고리 원자를 갖는 어떠한 구조도 갖지 않는 경우일 수도 있다.
본 발명의 바람직한 전개예에서, 이는 적어도 2개의 R, Ra, Rb 라디칼이 그 2개의 R, Ra, Rb 라디칼이 결합하는 추가 기와 함께 융합된 고리를 형성하는 경우일 수도 있으며, 여기서, 2개의 R, Ra, Rb 라디칼은 식 (RA-1) 내지 식 (RA-12) 의 적어도 하나의 구조를 형성한다:
Figure pct00027
Figure pct00028
식 중, R1 은 상기에서 상술된 정의를 갖고, 점선 결합은 2개의 R, Ra, Rb 라디칼이 추가 기에 결합하는 부착 부위를 나타내며, 추가 기호는 다음의 정의를 갖는다:
Y7 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 C(R1)2, (R1)2C-C(R1)2, (R1)C=C(R1), NR1, NAr', O 또는 S, 바람직하게는 C(R1)2, (R1)2C-C(R1)2, (R1)C=C(R1), O 또는 S 이다;
Rc 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, F, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (여기서 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기이고; 동시에, 또한 2 개의 Rc 라디칼이 함께 또는 하나의 Rc 라디칼이 R1 라디칼과 함께 또는 추가 기와 함께 고리 시스템을 형성하는 것이 가능하다;
s 는 0, 1, 2, 3, 4, 5 또는 6, 바람직하게는 0, 1, 2, 3 또는 4, 보다 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
t 는 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 또는 8, 바람직하게는 0, 1, 2, 3 또는 4, 보다 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
v 는 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 또는 9, 바람직하게는 0, 1, 2, 3 또는 4, 보다 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 적어도 2개의 R, Ra, Rb 라디칼은 그 2개의 R, Ra, Rb 라디칼이 결합하는 추가 기와 함께 융합된 고리를 형성하고, 여기서, 2개의 R, Ra, Rb 라디칼은 바람직하게는 식 (RA-1a) 내지 식 (RA-4f) 의 구조 중 적어도 하나를 형성한다:
Figure pct00029
Figure pct00030
식 중, 점선 결합은 2개의 R, Ra, Rb 라디칼이 추가 기에 결합하는 부착 부위를 나타내고, 인덱스 m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게 0, 1 또는 2 이고, 기호 R1, R2, Rc 및 인덱스 s 및 t 는 상기에서, 특히 식 (I) 및/또는 식 (RA-1) 내지 식 (RA-12) 에 대해 상술된 정의를 갖는다.
이는, 추가로, 적어도 2개의 R, Ra, Rb 라디칼이 식 (RA-1) 내지 식 (RA-12) 및/또는 식 (RA-1a) 내지 식 (RA-4f) 의 구조를 형성하고 융합된 고리를 형성하며, 인접한 X, Xa, Xb 기로부터 R, Ra, Rb 라디칼을 나타내거나, 또는 인접한 탄소 원자에 각각 결합하는 R, Ra, Rb 라디칼을 나타내는 경우일 수도 있으며, 여기서 이들 탄소 원자는 바람직하게는 결합을 통해 연결된다.
추가의 바람직한 구성에서, 적어도 2개의 R, Ra, Rb 라디칼은 그 2개의 R, Ra, Rb 라디칼이 결합하는 추가 기와 함께 융합된 고리를 형성하며, 여기서, 2개의 R, Ra, Rb 라디칼은 식 (RB) 의 구조를 형성한다:
Figure pct00031
식 중, R1 은 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해 제시된 정의를 갖고, 점선 결합은 2개의 R, Ra, Rb 라디칼이 추가 기에 결합하는 결합 부위를 나타내고, 인덱스 m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고, Y8 은 C(R1)2, NR1, NAr', BR1, BAr', O 또는 S, 바람직하게 C(R1)2, NAr' 또는 O 이다.
이는, 적어도 2개의 R, Ra, Rb 라디칼이 식 (RB) 의 구조를 형성하고 융합된 고리를 형성하며, 인접한 X, Xa, Xb 기로부터 R, Ra, Rb 라디칼을 나타내거나, 또는 인접한 탄소 원자에 각각 결합하는 R, Ra, Rb 라디칼을 나타내는 경우일 수도 있으며, 여기서 이들 탄소 원자는 바람직하게는 결합을 통해 서로 연결된다.
보다 바람직하게는, 화합물은 식 (V-1) 내지 식 (V-12) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고; 보다 바람직하게는, 화합물은 식 (V-1) 내지 식 (V-12) 의 화합물로부터 선택되며, 여기서, 화합물은 적어도 하나의 융합된 고리를 갖는다:
Figure pct00032
Figure pct00033
Figure pct00034
식 중, 기호 Ra, Rb, Y2 및 Y5 는 상기에서, 특히 식 (I) 및/또는 식 (III-1) 내지 식 (III-48) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 o 는 부착 부위를 나타내고, 추가 기호는 다음의 정의를 갖는다:
m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
n 은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
j 는 0, 1 또는 2, 바람직하게는 0 또는 1 이다.
보다 바람직하게는, 화합물은 식 (VI-1) 내지 식 (VI-12) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고; 보다 바람직하게는, 화합물은 식 (VI-1) 내지 식 (VI-12) 의 화합물로부터 선택되며, 여기서, 화합물은 적어도 하나의 융합된 고리를 갖는다:
Figure pct00035
Figure pct00036
식 중, 기호 R, Ra, Rb, Y2 및 Y5 는 상기에서, 특히 식 (I) 및/또는 식 (III-1) 내지 식 (III-48) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 o 는 융합된 고리의 부착 부위를 나타내고, 추가 기호는 다음의 정의를 갖는다:
m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
n 은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
j 는 0, 1 또는 2, 바람직하게는 0 또는 1 이다.
바람직하게는, 특히 식 (V-1) 내지 식 (V-12) 및/또는 식 (VI-1) 내지 식 (VI-12) 에서, 융합된 고리는 적어도 2개의 R, Ra, Rb 라디칼 및 그 2개의 R, Ra, Rb 라디칼이 결합하는 추가 기에 의해 형성되고, 여기서, 적어도 2개의 R, Ra, Rb 라디칼은 식 (RA-1) 내지 식 (RA-12) 및/또는 식 (RB) 의 구조, 바람직하게는 식 (RA-1) 내지 식 (RA-12) 의 구조를 형성한다.
이는, 바람직하게는, 화합물이 적어도 2개의 융합된 고리를 갖는 경우일 수도 있으며, 여기서, 적어도 하나의 융합된 고리는 식 (RA-1) 내지 식 (RA-12) 및/또는 식 (RA-1a) 내지 식 (RA-4f) 의 구조에 의해 형성되고 추가의 고리는 식 (RA-1) 내지 식 (RA-12), 식 (RA-1a) 내지 식 (RA-4f) 또는 식 (RB) 의 구조에 의해 형성된다.
보다 바람직하게는, 화합물은 식 (VII-1) 내지 식 (VII-12) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고; 보다 바람직하게는, 화합물은 식 (VII-1) 내지 식 (VII-12) 의 화합물로부터 선택되며, 여기서, 화합물은 적어도 2개의 융합된 고리를 갖는다:
Figure pct00037
Figure pct00038
식 중, 기호 Ra, Rb, Y2 및 Y5 는 상기에서, 특히 식 (I) 및/또는 식 (III-1) 내지 식 (III-48) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 o 는 부착 부위를 나타내고, 추가 기호는 다음의 정의를 갖는다:
m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
n 은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
j 는 0, 1 또는 2, 바람직하게는 0 또는 1 이다.
바람직하게는, 특히 식 (VII-1) 내지 식 (VII-12) 에서, 융합된 고리 중 적어도 하나, 보다 바람직하게는 융합된 고리의 양자 모두는 적어도 2개의 R, Ra, Rb 라디칼 및 그 2개의 R, Ra, Rb 라디칼이 결합하는 추가 기에 의해 형성되고, 여기서, 적어도 2개의 R, Ra, Rb 라디칼은 식 (RA-1) 내지 식 (RA-12) 및/또는 식 (RB) 의 구조, 바람직하게는 식 (RA-1) 내지 식 (RA-12) 의 구조를 형성한다.
특히 식 (V-1) 내지 식 (V-12), 식 (VI-1) 내지 식 (VI-12) 및/또는 식 (VII-1) 내지 식 (VII-12) 에서, 이는, 인덱스들 j, n 및 m 의 총합이 바람직하게는 0, 1, 2 또는 3, 보다 바람직하게는 1 또는 2 인 경우일 수도 있다.
이는, 부가적으로, 상기의 식들에 따른 치환기 R, Ra, Rb, Rc, R1 및 R2 가 치환기 R, Ra, Rb, Rc, R1 및 R2 가 결합하는 고리 시스템의 고리 원자와 융합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하지 않는 경우일 수도 있다. 이는, R, Ra, Rb, Rc 및 R1 라디칼에 결합될 수도 있는 가능한 치환기 R1 및 R2 와의 융합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템의 형성을 포함한다.
특히 R, Ra, Rb, Rc, R1 및/또는 R2 로부터 선택될 수도 있는 2개의 라디칼이 서로 고리 시스템을 형성하는 경우, 이 고리 시스템은 단환 또는 다환, 지방족, 헤테로지방족, 방향족 또는 헤테로방향족일 수도 있다. 이 경우, 함께 고리 시스템을 형성하는 라디칼들은 인접할 수도 있으며, 이는 이들 라디칼들이 동일한 탄소 원자에 또는 서로 직접 결합된 탄소 원자들에 결합되거나, 또는 이들이 추가로 서로로부터 제거될 수도 있음을 의미한다. 부가적으로, 치환기 R, Ra, Rb, Rc, R1 및/또는 R2 가 제공된 고리 시스템은 또한 결합을 통해 서로 연결될 수도 있어서, 이것이 고리 닫힘 (ring closure) 을 초래할 수 있게 한다. 이 경우, 대응하는 결합 부위의 각각에는 바람직하게는, 치환기 R, Ra, Rb, Rc, R1 및/또는 R2 가 제공되었다.
바람직한 구성에서, 본 발명의 화합물은 식 (I), 식 (II-1) 내지 식 (II-18), 식 (III-1) 내지 식 (III-48), 식 (IV-1) 내지 식 (IV-48), 식 (V-1) 내지 식 (V-12), 식 (VI-1) 내지 식 (VI-12) 및/또는 식 (VII-1) 내지 식 (VII-12) 의 구조 중 적어도 하나에 의해 표현될 수 있다. 바람직하게는, 식 (I), 식 (II-1) 내지 식 (II-18), 식 (III-1) 내지 식 (III-48), 식 (IV-1) 내지 식 (IV-48), 식 (V-1) 내지 식 (V-12), 식 (VI-1) 내지 식 (VI-12) 및/또는 식 (VII-1) 내지 식 (VII-12) 의 구조를 바람직하게 포함하는 본 발명의 화합물은 분자량이 5000　g/mol 이하, 바람직하게는 4000　g/mol 이하, 특히 바람직하게는 3000　g/mol 이하, 특히 바람직하게는 2000　g/mol 이하이고 가장 바람직하게는 1200　g/mol 이하이다.
부가적으로, 본 발명의 바람직한 화합물들의 특징은 이것들이 승화성이라는 것이다. 이들 화합물은 일반적으로 약 1200 g/mol 미만의 몰 질량을 갖는다.
이는, 바람직하게는, Ara 가 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 나프탈렌, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 카르바졸, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 페난트렌 및 트리페닐렌으로부터 선택되는 경우일 수도 있으며, 이들의 각각은 하나 이상의 Ar 또는 Ra 라디칼에 의해 치환될 수도 있다.
식 (I) 의 구조는, 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 Ar 또는 Rb 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템인 고리 Arb 를 포함할 수도 있고, 여기서, 고리 Arb 는 R, Ar 또는 Zc 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있거나, 고리 Ara 및 Arb 는 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있다. 이에 따라, 고리 Arb 는, 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 5 내지 50 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 Ar 또는 Rb 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템인 Arb 기를 포함할 수도 있다. 이 경우, 이 Arb 기는, 2개의 질소 원자 및 붕소 원자와 함께, 바람직하게는 5 내지 8개, 보다 바람직하게는 5 또는 6개의 고리 원자를 갖는 고리를 형성한다. 부가적으로, 이는, 바람직하게는, Arb 기가 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 나프탈렌, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 카르바졸, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 페난트렌 또는 트리페닐렌으로부터 선택되는 경우일 수도 있으며, 이들의 각각은 하나 이상의 Ar 또는 Rb 라디칼에 의해 치환될 수도 있다.
바람직한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 R, Ra, Rb, Rc, Ar' 및/또는 Ar 은 페닐, 바이페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 플루오렌, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 스피로바이플루오렌, 나프탈렌, 특히 1- 또는 2-결합된 나프탈렌, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 1, 2, 3, 4 또는 9 위치를 통해 연결될 수도 있는 카르바졸, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 디벤조푸란, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 페난트렌, 또는 트리페닐렌으로부터 선택되고, 이들의 각각은 하나 이상의 R1 또는 R 라디칼에 의해 치환될 수도 있다.
이는, 바람직하게는, 적어도 하나의 치환기 R, Ra, Rb 가 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기, 또는 다음의 식 Ar-1 내지 식 Ar-78 의 기로부터 선택되는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 바람직하게는, 치환기 R, Ra, Rb 가, 바람직하게는 식 (RA-1) 내지 식 (RA-12) 또는 식 (RB) 의 구조에 따른, 융합된 고리를 형성하거나, 또는 치환기 R, Ra, Rb 가 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, D 또는 다음의 식 Ar-1 내지 식 Ar-78 의 기로부터 선택되는 방향족 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어진 군으로부터 선택되거나, 및/또는 Ar' 기가 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 다음의 식 Ar-1 내지 식 Ar-78 의 기로부터 선택되는 경우일 수도 있다:
Figure pct00039
Figure pct00040
Figure pct00041
Figure pct00042
Figure pct00043
식 중, R1 은 상기에서 정의된 바와 같고, 점선 결합은 부착 부위를 나타내고, 부가적으로:
Ar1 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 2가 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고;
A 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, C(R1)2, NR1, O 또는 S 이고;
p 는 0 또는 1 이고, 여기서, p = 0 은 Ar1 기가 부재하는 것 그리고 대응하는 방향족 또는 헤테로방향족 기가 대응하는 라디칼에 직접 결합되는 것을 의미하고;
q 는 0 또는 1 이고, 여기서, q = 0 은, A 기가 이 위치에 결합되지 않고, 그 대신 R1 라디칼이 대응하는 탄소 원자에 결합됨을 의미한다.
식 (Ar-1), 식 (Ar-2), 식 (Ar-3), 식 (Ar-12), 식 (Ar-13), 식 (Ar-14), 식 (Ar-15), 식 (Ar-16), 식 (Ar-69), 식 (Ar-70), 식 (Ar-75) 의 구조가 바람직하고, 식 (Ar-1), 식 (Ar-2), 식 (Ar-3), 식 (Ar-12), 식 (Ar-13), 식 (Ar-14), 식 (Ar-15), 식 (Ar-16) 의 구조가 특히 바람직하다.
식 (Ar-1) 내지 식 (Ar-78) 의 구조에 대한 전술된 기들이 2 이상의 A 기들을 갖는 경우, 이들에 대한 가능한 옵션들은 A 의 정의로부터 모든 조합들을 포함한다. 그 경우에 있어서의 바람직한 실시형태들은 하나의 A 기가 NR1 이고 다른 하나의 A 기가 C(R1)2 이거나 또는 양자 모두의 A 기가 NR1 이거나 또는 양자 모두의 A 기가 O 인 것들이다.
A 가 NR1 인 경우, 질소 원자에 결합된 치환기 R1 은 바람직하게는, 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자들을 갖고 또한 하나 이상의 R2 라디칼들에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 특히 바람직한 실시형태에서, 이 R1 치환기는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 6 내지 24개의 방향족 고리 원자, 특히 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 이는 임의의 융합된 아릴기를 갖지 않고, 2개 이상의 방향족 또는 헤테로방향족 6원 고리 기들이 서로 직접 융합되는 임의의 융합된 헤테로아릴 기를 갖지 않으며, 또한, 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있다. Ar-1 내지 Ar-11 에 대해 상기에 열거된 바와 같은 결합 패턴을 갖는 페닐, 바이페닐, 테르페닐 및 쿼터페닐이 바람직하며, 여기서, 이들 구조들은, R1 에 의해서 보다는, 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는다. Ar-47 내지 Ar-50, Ar-57 및 Ar-58 에 대해 상기에 열거된 바와 같은 트리아진, 피리미딘 및 퀴나졸린이 또한 바람직하며, 여기서, 이들 구조들은, R1 에 의해서 보다는, 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있다.
바람직한 치환기 R, Ra, Rb 및 Rc 에 대한 설명이 뒤따른다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, R, Ra, Rb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, F, CN, NO2, Si(R1)3, B(OR1)2, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (여기서, 알킬 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명의 추가 바람직한 실시형태에서, 치환기 R, Ra, Rb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, F, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (여기서, 알킬 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
이는 추가로, 적어도 하나의 치환기 R, Ra, Rb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 및 N(Ar')2 기로 이루어진 군으로부터 선택되는 경우일 수도 있다. 본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, 치환기 R, Ra, Rb 는 식 (RA-1) 내지 식 (RA-12), 식 (RA-1a) 내지 식 (RA-4f) 또는 식 (RB) 의 구조들에 따른 고리를 형성하거나, 또는 치환기 R, Ra, Rb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 N(Ar')2 기로 이루어진 군으로부터 선택된다. 보다 바람직하게는, 치환기 R, Ra, Rb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 H, 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며, 바람직하게는 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 가지며, 더 바람직하게는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이들의 각각은 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있음) 으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
이는, 바람직하게는, 적어도 하나의 치환기 R, Ra, Rb 가 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 나프탈렌, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 카르바졸, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 페난트렌 또는 트리페닐렌으로부터 선택되는 경우일 수도 있고, 이들의 각각은 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있다. 여기서, "치환기" 라는 표현은 R, Ra, Rb 가 H 가 아니라는 것을 더욱 구체적으로 의미하는 것이다. 부가적으로, 치환기 R, Ra, Rb 는 언급된 방향족 또는 헤테로방향족 기로부터 선택된 2개 이상의 치환기가 존재하는 경우에 동일하거나 또는 상이할 수도 있다.
추가의 실시형태에서, 이는, 적어도 하나의 치환기 R, Ra, Rb 가 o-바이페닐, o,o'-테르페닐, o,o',p-쿼터페닐, 4,6-디페닐피리미딘-2-일, 4,6-디페닐트리아진-2-일, 나프탈렌, 페난트렌, 크리센, 스피로바이플루오렌, 트리페닐렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 플루오렌 및/또는 피렌으로부터 선택되는 경우일 수도 있고, 이들의 각각은 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있다. 여기서, 스피로바이플루오렌, o-바이페닐, o,o'-테르페닐, o,o',p-쿼터페닐, 4,6-디페닐피리미딘-2-일, 4,6-디페닐트리아진-2-일 라디칼이 바람직하다. 치환기 R, Ra, Rb 는 언급된 방향족 기로부터 선택된 2개 이상의 치환기가 존재하는 경우에 동일하거나 또는 상이할 수도 있다.
o-바이페닐, o,o'-테르페닐, o,o',p-쿼터페닐, 4,6-디페닐피리미딘-2-일, 4,6-디페닐트리아진-2-일, 나프탈렌, 페난트렌, 크리센, 스피로바이플루오렌, 트리페닐렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 플루오렌 및/또는 피렌으로부터 선택된 기를 갖는 구조/화합물은 전자 수송 재료로서 및/또는 매트릭스 재료로서 사용하기에 특히 적합하다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, Rc 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (여기서, 알킬 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, Rc 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (여기서, 알킬 기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 보다 바람직하게는, Rc 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 1 내지 5 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 5 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (여기서, 알킬 기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자, 보다 바람직하게는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, Rc 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 1 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 환형 알킬기 (여기서, 알킬기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 동시에, 2 개의 Rc 라디칼은 함께 고리 시스템을 또한 형성할 수도 있다. 보다 바람직하게는, Rc 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 1, 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기 (여기서, 알킬기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않음), 또는 6 내지 12 개의 방향족 고리 원자, 특히 6 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 바람직하게 비방향족 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있지만 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 고리 시스템으로 이루어진 군으로부터 선택되고; 동시에, 2 개의 Rc 라디칼은 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있다. 가장 바람직하게는, Rc 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 1, 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 또는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, Rc 는 메틸기이거나 또는 페닐기이고, 여기서, 2개의 페닐기는 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있으며, 페닐기보다 메틸기가 바람직하다.
치환기 R, Ra, Rb, Rc, 또는 Ar 또는 Ar' 에 의해 표현되는 바람직한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템들은 페닐, 바이페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 플루오렌, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 스피로바이플루오렌, 나프탈렌, 특히 1- 또는 2-결합된 나프탈렌, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 카르바졸, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 디벤조푸란, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 페난트렌, 또는 트리페닐렌으로부터 선택되고, 이들의 각각은 하나 이상의 R, R1 또는 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있다. 상기에서 열거된 구조 Ar-1 내지 구조 Ar-78 이 특히 바람직하며, 식 (Ar-1), 식 (Ar-2), 식 (Ar-3), 식 (Ar-12), 식 (Ar-13), 식 (Ar-14), 식 (Ar-15), 식 (Ar-16), 식 (Ar-69), 식 (Ar-70), 식 (Ar-75) 의 구조가 바람직하고, 식 (Ar-1), 식 (Ar-2), 식 (Ar-3), 식 (Ar-12), 식 (Ar-13), 식 (Ar-14), 식 (Ar-15), 식 (Ar-16) 의 구조가 특히 바람직하다. 구조 Ar-1 내지 구조 Ar-78 과 관련하여, 이들은 치환기 R1 을 갖는 것으로 표시되어 있다는 것이 언급되어야 한다. 고리 시스템 Ar 의 경우, 이들 치환기 R1 은 R 에 의해 대체되어야 하며, Rc 의 경우에, 이들 치환기 R1 은 R2 에 의해 대체되어야 한다.
추가의 적합한 R, Ra, Rb 기는 식 -Ar4-N(Ar2)(Ar3) 의 기들이고, 여기서, Ar2, Ar3 및 Ar4 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 여기서 Ar2, Ar3 및 Ar4 에서의 방향족 고리 원자들의 총 수는 60 개 이하 그리고 바람직하게는 40 개 이하이다.
여기서, C(R1)2, NR1, O 및 S 로부터 선택된 기에 의해, Ar4 및 Ar2 가 또한 서로 결합되고 및/또는 Ar2 및 Ar3 이 서로 결합될 수도 있다. 바람직하게는, 질소 원자에 대한 결합에 대한 개별 오르토 위치에서, Ar4 및 Ar2 가 서로 연결되고 Ar2 및 Ar3 이 서로 연결된다. 본 발명의 추가의 실시형태에서, Ar2, Ar3 및 Ar4 기들 중 어느 것도 서로 결합되지 않는다.
바람직하게는, Ar4 는, 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 12 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 보다 바람직하게는, Ar4 는 오르토-, 메타- 또는 파라-페닐렌 또는 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐로 이루어진 군으로부터 선택되고, 이들의 각각은 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는다. 가장 바람직하게는, Ar4 는 비치환된 페닐렌 기이다.
바람직하게는, Ar2 및 Ar3 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 특히 바람직한 Ar2 및 Ar3 기는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 벤젠, 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오레닐, 1- 또는 2-나프틸, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 1-, 2-, 3- 또는 4-카르바졸, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸란, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 2-, 3- 또는 4-피리딘, 2-, 4- 또는 5-피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 페난트렌 또는 트리페닐렌 (이들의 각각은 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있음) 으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, Ar2 및 Ar3 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, 벤젠, 바이페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 플루오렌, 특히 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오렌, 또는 스피로바이플루오렌, 특히 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오렌으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, CN, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (여기서, 알킬 기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, R1 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, 1 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는, 특히 1, 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기, 또는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (여기서, 알킬 기는 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수도 있으나, 바람직하게는 치환되지 않음), 또는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수도 있지만 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, R2 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, H, 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기 또는 6 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 아릴 기 (이는 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기에 의해 치환될 수도 있지만 바람직하게는 치환되지 않음) 이다.
동시에, 진공 증발에 의해 처리되는 본 발명의 화합물에서, 알킬 기는 바람직하게는 5 개 이하의 탄소 원자, 더욱 바람직하게는 4 개 이하의 탄소 원자, 가장 바람직하게는 1 개 이하의 탄소 원자를 갖는다. 용액으로부터 처리되는 화합물에 대해, 적합한 화합물은 또한 10 개까지의 탄소 원자를 갖는, 알킬 기, 특히, 분지형 알킬 기에 의해 치환된 것들 또는 올리고아릴렌 기, 예를 들어 오르토-, 메타-, 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐 또는 쿼터페닐 기에 의해 치환된 것들이다.
이는, 추가로, 화합물이 식 (I), 식 (II-1) 내지 식 (II-18), 식 (III-1) 내지 식 (III-48), 식 (IV-1) 내지 식 (IV-48), 식 (V-1) 내지 식 (V-12), 식 (VI-1) 내지 식 (VI-12) 및/또는 식 (VII-1) 내지 식 (VII-12) 중 정확히 2개 또는 정확히 3개의 구조를 포함하는 경우일 수도 있다.
바람직한 구성에서, 화합물은 식 (D-1) 및 식 (D-17) 의 화합물로부터 선택된다:
Figure pct00044
Figure pct00045
Figure pct00046
Figure pct00047
Figure pct00048
식 중, L1 기는 연결 기, 바람직하게는 결합 또는 5 내지 40 개, 바람직하게는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 사용된 추가의 기호들은 상기에서, 특히 식 (I) 및/또는 식 (II-1) 내지 식 (II-18) 에 대해 주어진 정의를 갖는다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, L1 은 결합이거나 또는 5 내지 14 개의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 바람직하게는 6 내지 12 개의 탄소 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 고리 시스템이며, 여기서 R1 은 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해, 주어진 정의를 가질 수도 있다. 보다 바람직하게는, L1 은 6 내지 10 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템 또는 6 내지 13 개의 헤테로방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템이며, 이들의 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않고, 여기서, R2 는 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해, 주어진 정의를 가질 수도 있다.
추가로 바람직하게는, 특히 식 (D17) 에서 나타낸 기호 L1 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 결합이거나 또는 5 내지 24 개의 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 13 개의 고리 원자, 보다 바람직하게는 6 내지 10 개의 고리 원자를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴 라디칼이어서, 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템의 방향족 또는 헤테로방향족 기는 추가의 기의 개별 원자에 직접, 즉, 방향족 또는 헤테로방향족 기의 원자를 통해 결합된다.
이는, 추가로, 식 (D17) 에 나타낸 L1 기가 4 개 이하의, 바람직하게는 3개 이하의, 보다 바람직하게는 2개 이하의, 융합된 방향족 및/또는 헤테로방향족 6원 고리를 갖는 방향족 고리 시스템을 포함하고, 바람직하게는, 임의의 융합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 포함하지 않는 경우일 수도 있다. 따라서, 나프틸 구조들이 안트라센 구조들보다 바람직하다. 부가적으로, 플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 디벤조푸라닐 및/또는 디벤조티에닐 구조들이 나프틸 구조들보다 바람직하다.
융합을 갖지 않는 구조들, 예를 들어 페닐, 바이페닐, 테르페닐 및/또는 쿼터페닐 구조들이 특히 바람직하다.
적합한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 L1 의 예들은 오르토-, 메타- 또는 파라-페닐렌, 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐렌, 테르페닐렌, 특히 분지형 테르페닐렌, 쿼터페닐렌, 특히 분지형 쿼터페닐렌, 플루오레닐렌, 스피로바이플루오레닐렌, 디벤조푸라닐렌, 디벤조티에닐렌 및 카르바졸릴렌 (이들의 각각은 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않음) 으로 이루어진 군으로부터 선택된다.
전술된 바람직한 실시형태들은 청구항 1 에서 정의된 제한들 내에서 원하는 바에 따라 서로 조합될 수도 있다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, 전술된 바람직한 것들은 동시에 발생한다.
상기에서 상술된 실시형태들에 따른 바람직한 화합물의 예는 다음의 표에 나타낸 화합물이다:
Figure pct00049
Figure pct00050
Figure pct00051
Figure pct00052
Figure pct00053
Figure pct00054
Figure pct00055
Figure pct00056
Figure pct00057
Figure pct00058
Figure pct00059
본 발명의 화합물의 바람직한 실시형태는 실시예들에서 상세하게 인용되며, 이들 화합물은 본 발명의 모든 목적을 위해 추가 화합물과 조합하여 또는 단독으로 사용될 수 있다.
청구항 1 에 명시된 조건이 충족되는 한, 전술된 바람직한 실시형태들이 원하는 바에 따라 서로 조합될 수 있다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에 있어서, 전술된 바람직한 실시형태는 동시에 적용된다.
본 발명의 화합물은 원칙적으로 다양한 방법들에 의해 제조할 수 있다. 그러나, 이하 설명되는 방법들이 특히 적합한 것으로 발견되었다.
따라서, 본 발명은 추가로 본 발명의 화합물의 제조 방법을 제공하며, 여기서, Wa 기 중 적어도 하나 또는 그 Wa 기 중 하나의 전구체를 갖는 베이스 골격이 합성되고, 그 다음, 방향족 또는 헤테로방향족 라디칼이 친핵성 방향족 치환 반응 또는 커플링 반응에 의해 도입된다.
Wa 기를 갖는 베이스 골격을 포함하는 적합한 화합물들은 많은 경우에 상업적으로 이용 가능하고, 실시예에서 상술된 출발 화합물은 공지된 방법에 의해 수득가능하므로, 그에 대한 참조가 이루어진다.
이들 화합물은 알려진 커플링 반응에 의해 추가 화합물과 반응될 수 있고, 이 목적을 위한 필요한 조건은 당업자에게 알려져 있으며, 실시예에서의 상세한 설명은 이들 반응을 수행함에 있어서 당업자에게 뒷받침을 제공한다.
모두 C-C 결합 형성 및/또는 C-N 결합 형성으로 이어지는 특히 적합하고 바람직한 커플링 반응은 BUCHWALD, SUZUKI, YAMAMOTO, STILLE, HECK, NEGISHI, SONOGASHIRA 및 HIYAMA 에 따른 반응이다. 이들 반응은 널리 알려져 있으며, 실시예들은 당업자에게 추가의 지침을 제공할 것이다.
본 발명의 화합물은 특히 스킴 (scheme) 1 및 스킴 2 에 따라 제조될 수도 있다. 이러한 맥락에서, 스킴 1 은 특히, 히드라진 유도체로부터 진행되는 본 발명의 화합물의 제조, 바람직한 화합물에 존재하는 바와 같은 고리 Arb 의 가능한 형성을 나타낸다. 스킴 2 는, 히드라진 기를 포함하지 않는 카르복실산 유도체를 통한 합성을 기술한다. 대신, 이 기는 니트로기의 아미노기와의 반응에 의해 형성된다.
스킴 1:
Figure pct00060
스킴 2:
Figure pct00061
스킴 1 및 스킴 2 에서 사용된 기호들의 정의는 본질적으로, 명료성의 이유로 모든 기호들의 넘버링 및 완전한 표현을 생략한 화학식 (I) 또는 이들 구조들의 바람직한 실시형태들에 대해 정의되었던 것에 대응한다. 부가적으로, 명확성의 이유로, 특히 식 (I), 식 (II-1) 내지 식 (II-18) 및/또는 식 (III-1) 내지 식 (III-48) 에서 기호 X, Xa 및 Xb 에 의해 나타낸 바와 같이, 헤테로방향족 고리에서 가능한 질소 원자의 표현을 위한 기호들의 사용이 많은 경우에 생략되었다. 따라서, 이러한 세부사항은 예시로서 이해되어야 하며; 당업자는 상기에서 그리고 이하에서, 특히 실시예에서 제시된 합성을 기호 X, Xa 및 Xb 중 하나 이상이 질소인 화합물에 적용할 수 있다.
상기에서 상술된 제조 방법의 원리는 원칙적으로 유사한 화합물에 대한 문헌으로부터 알려져 있으며, 당업자에 의해 본 발명의 화합물의 제조를 위해 용이하게 적응될 수 있다. 추가의 정보는 실시예에서 찾아볼 수 있다.
이러한 방법들에 이어서, 필요한 경우 정제, 예를 들어 재결정화 또는 승화에 의해, 본 발명의 화합물을 고순도로, 바람직하게는 99% 초과 (1H NMR 및/또는 HPLC 에 의해 결정됨) 로 수득할 수 있다.
본 발명의 화합물은 또한 폴리머와 혼합될 수도 있다. 마찬가지로, 이들 화합물을 공유결합으로 폴리머에 혼입시킬 수 있다. 이는 특히, 브롬, 요오드, 염소, 보론 산 또는 보로닉 에스테르와 같은 반응성 이탈 기에 의해 또는 올레핀 또는 옥세탄과 같은 반응성 중합성 기에 의해 치환된 화합물로 가능하다. 이들은 대응하는 올리고머, 덴드리머 또는 폴리머의 제조용 모노머로서의 용도를 찾을 수도 있다. 올리고머화 또는 중합은 바람직하게는, 할로겐 작용기 또는 보론산 작용기를 통해, 또는 중합성 기를 통해 이루어진다. 부가적으로, 이러한 종류의 기를 통해 폴리머들을 가교시킬 수 있다. 본 발명의 화합물 및 폴리머는 가교 또는 비가교된 층의 형태로 사용될 수도 있다.
따라서, 본 발명은 추가로, 식 (I) 및 이 식의 바람직한 실시형태의 상기에서 상술된 구조들 중 하나 이상 또는 본 발명의 화합물들을 함유하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를 제공하고, 여기서, 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머에 대한, 본 발명의 화합물의 또는 식 (I) 및 그 식의 바람직한 실시형태의 구조들의 하나 이상의 결합들이 존재한다. 따라서, 화합물의 또는 식 (I) 및 이 식의 바람직한 실시형태의 구조의 연결에 따라, 이들은 올리고머 또는 폴리머의 측쇄를 형성하거나 또는 주쇄 내에서 결합된다. 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머는 공액, 부분 공액 또는 비공액될 수도 있다. 올리고머 또는 폴리머는 선형, 분지형 또는 수지상 (dendritic) 일 수도 있다. 올리고머, 덴드리머 및 폴리머에서의 본 발명의 화합물의 반복 단위에 대해, 동일한 바람직한 사항이 상기에서 기술된 바와 같이 적용된다.
올리고머 또는 폴리머의 제조를 위해, 본 발명의 모노머는 추가의 모노머와 동종 중합 (homopolymerize) 또는 공중합 (copolymerize) 된다. 식 (I) 또는 상기에서 그리고 이하에서 인용되는 바람직한 실시형태들의 단위들은 0.01 내지 99.9 mol%, 바람직하게는 5 내지 90 mol%, 보다 바람직하게는 20 내지 80 mol% 의 정도로 존재하는 코폴리머가 바람직하다. 폴리머 베이스 골격을 형성하는 적합하고 바람직한 코모노머들은 플루오렌 (예를 들어, EP 842208 또는 WO 2000/022026 에 따름), 스피로바이플루오렌 (예를 들어, EP 707020, EP 894107 또는 WO 2006/061181 에 따름), 파라페닐렌 (예를 들어, WO 92/18552 에 따름), 카르바졸 (예를 들어, WO 2004/070772 또는 WO 2004/113468 에 따름), 티오펜 (예를 들어, EP 1028136 에 따름), 디히드로페난트렌 (예를 들어, WO 2005/014689 에 따름), 시스- 및 트랜스-인데노플루오렌 (예를 들어, WO 2004/041901 또는 WO 2004/113412 에 따름), 케톤 (예를 들어, WO 2005/040302 에 따름), 페난트렌 (예를 들어, WO 2005/104264 또는 WO 2007/017066 에 따름) 또는 그렇지 않으면 복수의 이들 단위로부터 선택된다. 폴리머, 올리고머 및 덴드리머는 여전히 추가 단위, 예를 들어, 정공 수송 단위, 특히 트리아릴아민에 기초한 것들 및/또는 전자 수송 단위를 함유할 수도 있다.
부가적으로, 높은 유리 전이 온도를 특징으로 하는 본 발명의 화합물이 특히 흥미롭다. 이와 관련하여, 유리 전이 온도가, DIN 51005 (2005-08 버전) 에 따라 결정되는, 적어도 70℃, 보다 바람직하게는 적어도 110℃, 더욱 더 바람직하게는 적어도 125℃ 이고 특히 바람직하게는 적어도 150℃ 인 상기에서 그리고 이하에서 인용되는, 식 (I) 또는 바람직한 실시형태들의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물이 특히 바람직하다.
예를 들어 스핀-코팅에 의해 또는 인쇄 방법에 의해 액상으로부터 본 발명의 화합물을 처리하기 위해, 본 발명의 화합물의 포뮬레이션이 요구된다. 이들 포뮬레이션은, 예를 들어, 용액, 분산액 또는 에멀젼일 수도 있다. 이러한 목적을 위해, 2 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수도 있다. 적합하고 바람직한 용매는, 예를 들어, 톨루엔, 아니솔, o-, m- 또는 p-자일렌, 메틸 벤조에이트, 메시틸렌, 테트랄린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산, 페녹시톨루엔, 특히 3-페녹시톨루엔, (-)-펜촌, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸벤조티아졸, 2-페녹시에탄올, 2-피롤리디논, 3-메틸아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 3,5-디메틸아니솔, 아세토페논, α-테르피네올, 벤조티아졸, 부틸 벤조에이트, 큐멘, 시클로헥산올, 시클로헥사논, 시클로헥실벤젠, 데칼린, 도데실벤젠, 에틸 벤조에이트, 인단, NMP, p-시멘, 페네톨, 1,4-디이소프로필벤젠, 디벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 2-이소프로필나프탈렌, 펜틸벤젠, 헥실벤젠, 헵틸벤젠, 옥틸벤젠, 1,1-비스(3,4-디메틸페닐)에탄, 2-메틸바이페닐, 3-메틸바이페닐, 1-메틸나프탈렌, 1-에틸나프탈렌, 에틸 옥타노에이트, 디에틸 세바케이트, 옥틸 옥타노에이트, 헵틸벤젠, 멘틸 이소발레레이트, 시클로헥실 헥사노에이트 또는 이들 용매의 혼합물이다.
따라서, 본 발명은 추가로, 적어도 하나의 본 발명의 화합물 및 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는 포뮬레이션 또는 조성물을 제공한다. 추가 화합물은, 예를 들어, 용매, 특히 전술된 용매 중 하나 또는 이들 용매의 혼합물일 수도 있다. 추가 화합물이 용매를 포함하면, 이 혼합물은 본원에서 포뮬레이션으로서 지칭된다. 추가 화합물은 대안적으로, 전자 디바이스에서 마찬가지로 사용되는 적어도 하나의 추가의 유기 또는 무기 화합물, 예를 들어, 방출체 및/또는 매트릭스 재료일 수도 있으며, 여기서, 이들 화합물은 본 발명의 화합물과는 상이하다. 적합한 방출체 및 매트릭스 재료는 유기 전계 발광 디바이스와 관련하여 뒤에 열거된다. 추가 화합물은 또한 폴리머성일 수도 있다.
따라서, 본 발명은 여전히 추가로, 본 발명의 화합물 및 적어도 하나의 추가 유기 기능성 재료를 포함하는 조성물을 제공한다. 기능성 재료는 일반적으로 애노드와 캐소드 사이에 도입되는 유기 또는 무기 재료이다. 바람직하게는, 유기 기능성 재료는 형광 방출체, 인광 방출체, TADF (thermally activated delayed fluorescence) 를 나타내는 방출체, 호스트 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 정공 전도체 재료, 정공 주입 재료, 전자 차단 재료, 정공 차단 재료, 와이드 밴드갭 재료, 및 n-도펀트로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명은 추가로, 전자 디바이스에서, 특히 유기 전계 발광 디바이스에서, 바람직하게 방출체로서, 보다 바람직하게는 녹색, 적색 또는 청색 방출체로서 본 발명의 화합물의 용도를 제공한다. 이 경우, 본 발명의 화합물은 바람직하게는 형광 특성을 나타내며 따라서 우선적으로 형광 방출체를 제공한다.
이는, 바람직하게는, 식 (II-2) 내지 식 (II-8), 식 (II-17) 내지 식 (II-23), 식 (III-2) 내지 식 (III-8), 식 (III-17) 내지 식 (III-23), 식 (IV-2) 내지 식 (IV-8), 식 (IV-17) 내지 식 (IV-23), 식 (V-1), 식 (V-2), 식 (V-5) 및/또는 식 (V-6) 의 구조/화합물이 방출체로서 사용되는 경우일 수도 있다.
부가적으로, 식 (I) 의 화합물 또는 식 (I) 의 구조를 포함하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머가 호스트 재료 및/또는 전자 수송 재료로서 사용될 수도 있다. 이는, 바람직하게는, 안트라센 기 (Ar-76) 내지 (Ar-78), 바람직하게는 (Ar-78) 을 갖는 구조/화합물, 및/또는 식 (II-9), (II-10), (II-24), (II-25), (III-9), (III-10), (III-24), (III-25), (IV-9), (IV-10), (IV-24) 및/또는 (IV-25) 의 화합물이 전자 수송 재료 및/또는 매트릭스 재료로서 사용되는 경우일 수도 있다.
본 발명은 여전히 추가로, 본 발명의 적어도 하나의 화합물을 포함하는 전자 디바이스를 제공한다. 본 발명의 맥락에서의 전자 디바이스는 적어도 하나의 유기 화합물을 포함하는 적어도 하나의 층을 포함하는 디바이스이다. 이 컴포넌트는 또한, 무기 재료 또는 그렇지 않으면 무기 재료로부터 전체적으로 형성된 층을 포함할 수도 있다.
전자 디바이스는 바람직하게는, 하기로 이루어진 군으로부터 선택되며, 보다 바람직하게는, 전자 디바이스는 유기 전계 발광 디바이스 (OLED, sOLED, PLED, LEC 등), 바람직하게는 유기 발광 다이오드 (OLED), 소분자 기반 유기 발광 다이오드 (sOLED), 폴리머 기반 유기 발광 다이오드(PLED), 발광 전기화학 셀 (LEC), 유기 레이저 다이오드 (O-레이저), 유기 플라즈몬 방출 디바이스 (D. M. Koller et al., Nature Photonics 2008, 1-4), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 전계 효과 트랜지스터(O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 태양 셀 (O-SC), 유기 광학 검출기, 유기 감광체, 유기 필드 켄치 디바이스 (O-FQD) 및 유기 전기 센서로 이루어진 군으로부터 선택되며, 바람직하게는 유기 전계 발광 디바이스 (OLED, sOLED, PLED, LEC 등), 보다 바람직하게는 유기 발광 다이오드 (OLED), 소분자 기반 유기 발광 다이오드 (sOLED), 폴리머 기반 유기 발광 다이오드 (PLED), 특히 인광 OLED 이다.
유기 전계 발광 디바이스는 캐소드, 애노드 및 적어도 하나의 방출층을 포함한다. 이들 층 외에도, 이것은 또한, 추가 층, 예를 들어, 각 경우에 하나 이상의 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 차단 층, 전자 수송층, 전자 주입층, 여기자 (exciton) 차단 층, 전자 차단 층 및/또는 전하 생성 층을 포함할 수도 있다. 마찬가지로, 여기자 차단 기능을 갖는 중간층이, 예를 들어, 2 개의 방출층 사이에 도입되는 것이 가능하다. 그러나, 이러한 층들 중 모든 것이 반드시 존재할 필요는 없다는 것이 적시되어야 한다. 이 경우, 유기 전계 발광 디바이스는 방출층을 함유할 수 있거나, 또는 복수의 방출층들을 함유할 수 있다. 복수의 방출층들이 존재하는 경우, 이들은 바람직하게는 380 ㎚ 와 750 ㎚ 사이에 전체적으로 여러 방출 최대치를 가져서, 전체 결과는 백색 방출이 되고; 즉, 형광 또는 인광을 나타낼 수도 있는 다양한 방출 화합물이 방출층에 사용된다. 3개의 방출 층을 갖는 시스템이 특히 바람직하며, 여기서 3개의 층은 청색, 녹색 및 오렌지색 또는 적색 방출을 나타낸다. 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 또한, 특히, 백색-방출 OLED 를 위한, 탠덤 전계 발광 디바이스일 수도 있다.
본 발명의 화합물은 정확한 구조에 따라, 상이한 층에서 사용될 수도 있다. 방출체, 바람직하게는 적색, 녹색 또는 청색 방출체로서의 방출층에 식 (I) 또는 상기에서 상술된 바람직한 실시형태의 구조/화합물을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스가 바람직하다. 형광 청색 방출체로서의 방출층에 식 (I) 또는 상기에서 상술된 바람직한 실시형태의 구조/화합물을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스가 매우 바람직하다. 여기서 특히, 식 (II-9) 내지 식 (II-16), 식 (III-3) 내지 식 (III-14), 식 (III-17) 내지 식 (III-26), 식 (III-47) 및 식 (III-48) 의 화합물 구조/화합물이 바람직하고, 식 (III-3), 식 (III-5), 식 (III-7), 식 (III-9), 식 (III-11), 식 (III-13), 식 (III-17), 식 (III-19), 식 (III-21), 식 (III-23), 식 (III-25) 및 식 (III-47) 의 구조/화합물이 특히 바람직하다.
본 발명의 화합물이 방출층에서 방출체로서 사용되는 경우, 그 자체로 알려진 적합한 매트릭스 재료 (호스트 재료로 또한 지칭됨) 를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 화합물 및 매트릭스 재료의 바람직한 혼합물은 방출체 및 매트릭스 재료의 전체 혼합물을 기준으로, 99 체적% 와 1 체적% 사이, 바람직하게는 98 체적% 와 10 체적% 사이, 더욱 바람직하게는 97 체적% 와 60 체적% 사이, 그리고 특히 95 체적% 와 80 체적% 사이로 매트릭스 재료를 함유한다. 대응하여, 혼합물은 방출체 및 매트릭스 재료의 총 혼합물을 기준으로, 1 체적% 와 99 체적% 사이, 바람직하게는 2 체적% 와 90 체적% 사이, 더욱 바람직하게는 3 체적% 와 40 체적% 사이, 그리고 특히 5 체적% 와 20 체적% 사이로 방출체를 함유한다.
본 발명의 화합물과 조합으로 사용될 수 있는 적합한 매트릭스 재료는, 예를 들어 WO 2004/013080, WO 2004/093207, WO 2006/005627 또는 WO 2010/006680 에 따른 방향족 케톤, 방향족 포스핀 옥사이드 또는 방향족 술폭시드 또는 술폰, 트리아릴아민, 카르바졸 유도체, 예컨대, CBP (N,N-비스카르바졸릴바이페닐) 또는 WO 2005/039246, US 2005/0069729, JP 2004/288381, EP 1205527, WO 2008/086851 또는 WO 2013/041176 에 개시된 카르바졸 유도체, 예를 들어 WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따른 인돌로카르바졸 유도체, 예를 들어 WO 2010/136109, WO 2011/000455, WO 2013/041176 또는 WO 2013/056776 에 따른 인데노카르바졸 유도체, 예를 들어 EP 1617710, EP 1617711, EP 1731584, JP 2005/347160 에 따른 아자카르바졸 유도체, 예를 들어 WO 2007/137725 에 따른 쌍극성 매트릭스 재료, 예를 들어 WO 2005/111172 에 따른 실란, 예를 들어 WO 2006/117052 에 따른 아자보롤 또는 보로닉 에스테르 (boronic ester), 예를 들어 WO 2007/063754, WO 2008/056746, WO 2010/015306, WO 2011/057706, WO 2011/060859 또는 WO 2011/060877 에 따른 트리아진 유도체, 예를 들어 EP 652273 또는 WO 2009/062578 에 따른 아연 착물, 예를 들어 WO 2010/054729 에 따른 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체, 예를 들어 WO 2010/054730 에 따른 디아자포스폴 유도체, 예를 들어 WO 2011/042107, WO 2011/060867, WO 2011/088877 및 WO 2012/143080 에 따른 브릿지형 카르바졸 유도체, 예를 들어, WO 2012/048781에 따른 트리페닐렌 유도체, 예를 들어 WO 2015/169412, WO 2016/015810, WO 2016/023608, WO 2017/148564 또는 WO 2017/148565 에 따른 디벤조푸란 유도체, 또는 예를 들어, JP 3139321 B2 에 따른 비스카르바졸이다.
부가적으로, 사용된 코-호스트는, 예를 들어 WO 2010/108579 에 기술된 바와 같이, 있다손 치더라도, 전하 수송에 현저한 정도로 관여하지 않는 화합물일 수도 있다. 큰 밴드갭을 갖고 방출층의 전하 수송에서, 있다손 치더라도, 그 자체가 적어도 현저한 정도로는 관여하지 않는 화합물이 코-매트릭스 재료로서 본 발명의 화합물과 조합하여 특히 적합하다. 이러한 재료는 바람직하게는 순수한 탄화수소이다. 이러한 재료의 예들은, 예를 들어 WO 2009/124627 에서 또는 WO 2010/006680 에서 찾아볼 수 있다.
바람직한 구성에서, 방출체로서 사용되는 식 (I) 또는 상기에서 상술된 바람직한 실시형태의 구조/화합물을 함유하는 화합물이 바람직하게는, 하나 이상의 인광 재료 (삼중항 방출체) 및/또는 TADF (thermally activated delayed fluorescence) 호스트 재료인 화합물과 조합하여 사용된다. 여기서, WO 2012/133188 에 기술된 바와 같은 초형광 (hyperfluorescence) 시스템 및/또는 US 2017271611 에서와 같은 초인광 (hyperphosphorescence) 시스템을 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 조합은 본 발명에 따른 바람직한 실시형태이다.
WO 2015/091716 A1 및 WO 2016/193243 A1 은 방출 층에 인광 화합물과 형광 방출체 양자 모두를 함유하는 OLED 를 개시하며, 여기서, 에너지는 인광 화합물로부터 형광 방출체로 전달된다 (초인광). 이러한 맥락에서, 인광 화합물은 이에 따라 호스트 재료로서 거동한다. 당업자가 알고 있는 바와 같이, 호스트 재료는, 호스트 재료로부터의 에너지가 또한 최대 효율로 방출체로 전달될 수 있도록 방출체에 비해 더 높은 단일항 및 삼중항 에너지를 갖는다. 종래 기술에 개시된 시스템은 정확히 이러한 에너지 관계를 갖는다.
본 발명의 맥락에서 인광은 더 높은 스핀 다중도를 갖는 여기된 상태, 즉, 스핀 상태 > 1 로부터의, 특히, 여기된 삼중항 상태로부터의 발광을 의미하는 것으로 이해된다. 본 출원의 맥락에서, 전이 금속 또는 란타나이드와의 모든 발광 착물, 특히 모든 이리듐, 백금 및 구리 착물은 인광 화합물로서 간주되어야 한다.
적합한 인광 화합물 (= 삼중항 방출체들) 은 특히, 적합하게 여기되었을 때, 바람직하게 가시 영역에서 발광하고, 또한 원자 번호가 20 초과, 바람직하게 38 초과 및 84 미만이고, 보다 바람직하게 56 초과 및 80 미만인 적어도 하나의 원자, 특히 이 원자 번호를 갖는 금속을 함유하는 화합물이다. 사용되는 바람직한 인광 방출체는 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물, 특히 이리듐 또는 백금을 함유하는 화합물이다.
상기에서 기술된 방출체들의 예들은 출원 WO 00/70655, WO 2001/41512, WO 2002/02714, WO 2002/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 05/033244, WO 05/019373, US 2005/0258742, WO 2009/146770, WO 2010/015307, WO 2010/031485, WO 2010/054731, WO 2010/054728, WO 2010/086089, WO 2010/099852, WO 2010/102709, WO 2011/032626, WO 2011/066898, WO 2011/157339, WO 2012/007086, WO 2014/008982, WO 2014/023377, WO 2014/094961, WO 2014/094960, WO 2015/036074, WO 2015/104045, WO 2015/117718, WO 2016/015815, WO 2016/124304, WO 2017/032439, WO 2018/011186, WO 2018/001990, WO 2018/019687, WO 2018/019688, WO 2018/041769, WO 2018/054798, WO 2018/069196, WO 2018/069197, WO 2018/069273, WO 2018/178001, WO 2018/177981, WO 2019/020538, WO 2019/115423, WO 2019/158453 및 WO 2019/179909 에서 찾아볼 수 있다. 일반적으로, 종래 기술에 따라 인광 전계 발광 디바이스에 사용된 바와 같은 그리고 유기 전계 발광의 분야의 당업자에게 알려진 바와 같은 모든 인광 착물들이 적합하고, 당업자는 발명적 스킬을 발휘하지 않고서 추가의 인광 착물을 사용 가능할 것이다.
본 발명의 화합물은 바람직하게는 전술한 바와 같이 TADF 호스트 재료 및/또는 TADF 방출체와 조합하여 사용될 수도 있다.
열 활성화 지연 형광 (TADF) 으로서 지칭되는 방법은, 예를 들어, B. H. Uoyama et al., Nature 2012, Vol. 492, 234 에 의해 기술되어 있다. 이 방법을 가능케 하기 위해, 예를 들어, 약 2000 cm-1 미만인 비교적 작은 단일항-삼중항 분리 ΔE(S1 - T1) 가 방출체에서 필요하다. 방출체 뿐 아니라, 원칙적으로 스핀-금지되는 T1 → S1 트랜지션을 열기 위해, 강한 스핀-궤도 커플링을 갖는 매트릭스에서 추가 화합물을 제공할 수 있어서, 따라서, 분자간 가능한 상호작용 및 공간적 인접성을 통해 시스템간 교차가 가능하거나, 방출체에 존재하는 금속 원자에 의해 스핀-궤도 커플링이 생성된다.
초형광 시스템과 관련된 추가의 가치있는 정보의 출처는 WO2012/133188 (Idemitsu), WO2015/022974 (Kyushu Univ.), WO2015/098975 (Idemitsu), WO2020/053150 (Merck) 및 DE202019005189 (Merck) 를 포함한다.
초인광 시스템과 관련된 추가의 가치있는 정보의 출처는 WO2015/091716 A1, WO2016/193243 A1 (BASF), WO01/08230 A1 (Princeton Univ.(Mark Thompson)), US2005/0214575A1 (Fuji), WO2012/079673 (Merck), WO2020/053314 (Merck) 및 WO2020/053315 (Merck) 를 포함한다.
본 발명의 추가 실시형태에서, 예를 들어, WO 2005/053051 에 기술된 바와 같이, 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 별개의 정공 주입층 및/또는 정공 수송층 및/또는 정공 차단 층 및/또는 전자 수송 층을 함유하지 않으며, 이는 방출층이 정공 주입층 또는 애노드에 바로 인접하거나 및/또는 방출층이 전자 수송층 또는 전자 주입층 또는 캐소드에 바로 인접함을 의미한다. 부가적으로, 예를 들어, WO 2009/030981 에 기술된 바와 같이, 방출 층에서의 금속 착물과 동일하거나 유사한 금속 착물을 방출 층에 바로 인접하는 정공 수송 또는 정공 주입 재료로서 사용할 수 있다.
또한, 전자 수송 재료로서 전자 전도 층에 식 (I) 또는 상기에서 상술된 바람직한 실시형태의 구조/화합물을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스가 바람직하다. 여기서는, 특히, 안트라센 기, 바람직하게는 식 (Ar-76) 내지 식 (Ar-78), 바람직하게는 식 (Ar-78) 의 기를 갖는 화합물이 있다.
본 발명의 유기 전계 발광 디바이스의 추가 층에서, 종래 기술에 따라 통상적으로 사용되는 바와 같은 임의의 재료를 사용할 수 있다. 따라서, 당업자는 발명적 스킬을 발휘하지 않고서도, 식 (I) 또는 상기에서 인용된 바람직한 실시형태들의 구조/화합물과 조합하여 유기 전계 발광 디바이스를 위해 알려진 임의의 재료를 사용하는 것이 가능할 것이다.
부가적으로, 하나 이상의 층들이 승화 방법에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스가 바람직하다. 이 경우, 재료는 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만의 초기 압력에서 진공 승화 시스템에서의 기상 증착에 의해 도포된다. 그러나, 초기 압력은 훨씬 더 낮은, 예를 들어 10-7 mbar 미만인 것이 또한 가능하다.
마찬가지로, 하나 이상의 층이 OVPD (organic vapor phase deposition) 방법에 의해 또는 캐리어 가스 승화의 도움으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스가 바람직하다. 이러한 경우, 재료들은 10-5 mbar 와 1 bar 사이의 압력에서 도포된다. 이 방법의 특수한 경우는, 재료들이 노즐에 의해 직접 도포되어 구조화되는 OVJP (organic vapor jet printing) 방법이다.
부가적으로, 하나 이상의 층이, 용액으로부터, 예를 들어 스핀 코팅에 의해, 또는 임의의 인쇄 방법, 예를 들어 스크린 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄, 오프셋 인쇄, LITI (light-induced thermal imaging, thermal transfer printing), 잉크젯 인쇄 또는 노즐 인쇄에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스가 바람직하다. 이 목적을 위해, 예를 들어 적합한 치환을 통해 수득되는 가용성 (soluble) 화합물이 필요하다.
식 (I) 또는 상기에서 상술된 그의 바람직한 실시형태의 화합물의 도포를 위한 포뮬레이션은 신규하다. 따라서, 본 발명은 적어도 하나의 용매 및 식 (I) 또는 상기에서 상술된 그의 바람직한 실시형태에 따른 화합물을 함유하는 포뮬레이션을 추가로 제공한다.
부가적으로, 예를 들어, 하나 이상의 층이 용액으로부터 도포되고 하나 이상의 추가 층이 증착에 의해 도포되는 하이브리드 방법이 가능하다.
당업자는 일반적으로 이들 방법을 알고 있으며, 본 발명의 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스에 발명적 스킬을 발휘하지 않고도 이들을 적용할 수 있다.
본 발명의 화합물 및 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 종래 기술에 비해 개선된 수명의 구체적 특징을 갖는다. 동시에, 효율 또는 작동 전압과 같은 전계 발광 디바이스의 추가 전자 특성이 적어도 동일하게 양호한 상태로 유지된다. 추가 변형예에서, 본 발명의 화합물 및 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 특히 종래 기술에 비해 개선된 효율 및/또는 작동 전압 및 더 높은 수명을 특징으로 한다.
본 발명의 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스는, 종래 기술에 비해 하기의 놀라운 이점들 중 하나 이상에 대하여 주목할 만하다:
1. 상기에서 그리고 이하에서 인용된 방출체로서 식 (I) 또는 바람직한 실시형태의 구조/화합물을 포함하는 전자 디바이스, 특히, 유기 전계 발광 디바이스는 매우 낮은 FWHM (Full Width Half Maximum) 값을 갖는 매우 좁은 방출 대역을 갖고, 낮은 CIE y 값에 의해 인식 가능한 특히 순수한 컬러 방출에 이른다. 여기서 특히 놀라운 것은 낮은 FWHM 값을 갖는 청색 방출체 및 컬러 스펙트럼의 녹색, 황색 또는 적색 영역에서 방출하는 낮은 FWHM 을 갖는 방출체 양자 모두가 제공된다는 것이다.
2. 식 (I) 또는 상기에서 그리고 이하에서 인용된 바람직한 실시형태의 본 발명의 구조/화합물은 매우 높은 안정성 및 수명을 나타낸다.
3. 식 (I) 또는 상기에서 그리고 이하에서 인용된 바람직한 실시형태의 구조/화합물로, 전자 디바이스, 특히, 유기 전계 발광 디바이스에서 광 손실 채널의 형성을 회피할 수 있다. 결과적으로, 이들 디바이스는 방출체의 높은 PL 효율 및 그에 따른 높은 EL 효율, 그리고 매트릭스의 도펀트로의 우수한 에너지 전송을 특징으로 한다.
여기자 에너지는, 통상적으로 소위 Dexter 전이 (Dexter transfer) 를 통해 또는 Frster 전이를 통해 방출층에 있는 매트릭스 또는 호스트로부터 방출체로 전송된다. 호스트 또는 매트릭스로부터 본 발명의 방출체로의 Frster 에너지 전이 (FRET) 가 여기에서 특히 바람직한데, 이것이 특히 효율적이고, 이는 특히 우수한 성능 데이터 (예를 들어, 효율, 전압 및 수명) 를 갖는 전자 디바이스로 이어지기 때문이다. 에너지는 바람직하게 호스트 또는 매트릭스로부터 Frster 전이를 통해 본 발명의 화합물로 전이되는 것으로 밝혀졌다.
이들 전술된 이점들은 추가 전자 특성들에서의 과도하게 높은 열화를 수반하지 않는다.
본 발명에서 기술된 실시형태의 변형예들은 본 발명의 범위에 의해 커버된다는 것이 주목되어야 한다. 본 발명에 개시된 임의의 특징은, 이것이 명시적으로 배제되지 않는 한, 동일한 목적 또는 동등하거나 유사한 목적을 서빙하는 대안적 특징들과 교환될 수도 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 임의의 특징은, 달리 언급되지 않는 한, 일반 계열 (generic series) 의 예로서, 또는 동등하거나 유사한 특징으로서 고려되야 한다.
본 발명의 모든 특징들은, 특정한 특징들 및/또는 단계들이 상호 배타적이지 않는 한, 임의의 방식으로 서로 조합될 수도 있다. 이것은 특히, 본 발명의 바람직한 특징에 적용된다. 동일하게, 비필수적 조합들의 특징들은 (조합하지 않고) 별도로 사용될 수도 있다.
본 발명의 특징들 중 다수, 및 특히 바람직한 실시형태들의 특징들은, 그것들 자체로 발명적인 것으로서 간주되어야 하며 단지 본 발명의 실시형태들의 일부로서만 간주되어서는 안된다는 것이 또한 주목되어야 한다. 이들 특징들에 대해, 임의의 현재 청구된 발명에 추가로, 또는 그에 대한 대안으로서 독립적인 보호가 추구될 수도 있다.
본 발명에 개시된 기술적 교시는 추출될 수도 있고 다른 예들과 조합될 수도 있다.
본 발명은, 뒤이어지는 실시예들에 의해 상세히 예시되며, 이에 의해 제한하려는 의도는 없다. 당업자는, 주어진 정보를 사용하여 본 발명을 개시된 전체 범위에 걸쳐 실시하고, 발명적 스킬을 발휘하지 않고도 본 발명의 추가 화합물들을 제조하고 이들을 전자 디바이스에서 사용하거나 본 발명의 방법을 채용할 수 있을 것이다.
실시예들:
뒤이어지는 합성들은, 달리 언급하지 않는 한, 건조된 용매들에서 보호 가스 분위기 하에 수행된다. 금속 착물은 광을 배제하거나 황색 광 아래에서 추가로 취급된다. 용매 및 시약은, 예를 들어, Sigma-ALDRICH 또는 ABCR 로부터 구입될 수 있다. 대괄호 안의 개별 숫자 또는 개별 화합물에 대해 인용된 번호는 문헌으로부터 알려진 화합물의 CAS 번호와 관련된다. 다수의 거울상 이성질체, 부분입체 이성질체 또는 호변이성 이성질체 형태를 가질 수 있는 화합물의 경우, 하나의 형태가 대표적인 방식으로 보여져 있다.
문헌으로부터 알려진 신톤:
Figure pct00065
신톤 S 의 합성:
실시예 B1:
Figure pct00066
스테이지 A):
Figure pct00067
V. Bodmer-Narkevitch et al., Bioorg. Med. Chem. Lett. 2010, (20) 7011 과 유사한 합성. 37.1 g (100 mmol) 의 3-아이오도페닐디페닐아민 [1287245-66-2], 14.8　g (110　mmol) 의 인다졸리논, LS1 [7364-25-2], 68.2　g (220　mmol) 의 삼칼륨 인산염, 952　mg (5　mmol) 의 요오드화 구리, 1.14　g (10　mmol) 의 rac-trans-1,2-디아미노시클로헥산 [1121-22-8], 100　g 의 유리 비드 (직경 3 mm) 및 500　ml 의 디옥산의 혼합물을 24 시간 동안 환류 가열한다. 혼합물을 디옥산 슬러리 형태의 셀라이트 베드를 통해 여전히 가열하면서 여과하고, 여과물을 감압 하에 농축시키고, 잔류물을 500 ml 의 디클로로메탄 (DCM) 에 용해시키고, 200 ml 의 5% 수성 EDTA 용액으로 3회 그리고 300 ml 의 포화 염화나트륨 용액으로 1회 세척하고, 황산 마그네슘 상에서 건조시킨다. 건조제를 DCM 슬러리 형태의 실리카 겔 베드에 의해 여과하고, 여과물을 감압 하에 서서히 농축시키면서, DCM 을 100 ml 의 메탄올로 증류시켜 연속적으로 치환한다. 결정화된 생성물을 흡인 여과하고, 매회 50　ml 의 메탄올로 2 회 세척하고, 감압 하에 건조시킨다. 정제는 플래시 크로마토그래피 (A.Semrau 로부터의 CombiFlash Torrent 자동화 컬럼 시스템, 실리카 겔, 시클로헥산/에틸 아세테이트 (EA)) 에 의해 실시된다. 수율: 20.5 g (54 mmol), 54%; 순도: 1H NMR 에 의해 약 98%.
스테이지 B): B1
300 ml 의 톨루엔 중 스테이지 A) 의 18.9 g (50 mmol) B1 의 -78℃ 로 냉각된, 잘 교반된 현탁액에 31.3 ml (50 mmol) 의 n-BuLi (n-헥산 중 1.6 M) 를 적가하고, 혼합물을 30분 동안 교반한 다음, 30분에 걸쳐 0℃ 까지 가온하게 하고, 다른 30분 동안 교반하고, 다시 -78℃ 로 냉각시킨다. 매우 잘 교반하면서, n-헵탄 중 50 ml (50 mmol) 의 삼염화 붕소 1 N 을 적가하고, 혼합물을 실온까지 가온하게 하고, 다른 1시간 동안 교반하고, 용매를 감압 하에 제거한다. 잔류물을 300 ml 의 o-디클로로벤젠에 용해시키고, 18.7 ml (110 mmol) 의 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 및 40.0 g (300 mmol) 의 무수 삼염화알루미늄을 첨가하고, 혼합물을 150℃ 에서 20시간 동안 교반한다. 냉각 후, 29.6　ml (300　mmol) 의 1,4-디아자바이시클로[2.2.2.]옥탄과 100　ml 의 o-디클로로벤젠의 혼합물을 첨가하고, 혼합물을 다른 1 시간 동안 교반하고, o-디클로로벤젠 슬러리 형태의 셀라이트 베드를 통해 여과하고, o-디클로로벤젠으로 세척하고, 여과물을 농축 건조시킨다. 추가의 정제는, 연속 고온 추출 (표준 유기 용매 또는 이들의 조합, 바람직하게는 아세토니트릴/DCM 3:1 내지 1:3) 에 의해 또는 플래시 크로마토그래피 (A.Semrau 로부터의 CombiFlash Torrent 자동화 컬럼 시스템, 실리카 겔, RP 실리카 겔, 산화알루미늄, 용리액: 톨루엔/n-헵탄/트리에틸아민, 아세토니트릴/THF 또는 DCM) 및 최종 분별 승화 또는 고진공 하 가열 처리 (통상적으로, T 약 200-400℃, p 약 10-5 내지 10-6 mbar) 에 의해 실시된다. 수율: 3.2 g (8.3 mmol), 16.6%; 순도: 1H NMR 에 의해 약 99.9%.
다음의 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
Figure pct00068
Figure pct00069
Figure pct00070
Figure pct00071
Figure pct00072
Figure pct00073
Figure pct00074
Figure pct00075
Figure pct00076
Figure pct00077
Figure pct00078
Figure pct00079
Figure pct00080
Figure pct00081
Figure pct00082
실시예 B100:
Figure pct00083
스테이지 A):
Figure pct00084
K. J. Wicht et al., J. Med. Chem. 2016, 59, 6512 와 유사한 제조. 50 ml 의 DCM 과 10 ml 의 피리딘의 혼합물 중 1.85 g (10 mmol) 의 3-페녹시아닐린 [3586-12-7] 의 0℃ 로 냉각된 잘 교반된 용액에, 50 ml 의 DCM 중 1.86 g (10 mmol) 의 2-니트로벤조일 클로라이드 [610-14-0] 의 용액을 적가한다. 반응 혼합물을 실온까지 가온하게 하고 전환이 완료될 때까지 (약 6시간) 교반한다. 반응 혼합물을 200　ml 의 빙수에 붓고, 유기 상을 분리하고, 매회 100　ml 의 물로 2 회 그리고 100　ml 의 포화 염화나트륨 용액으로 1 회 세척하고, 황산나트륨 상에서 건조시킨다. 건조제를 여과하고, 여과물을 감압 하에 농축시키고, 잔류물을 30　ml 의 메탄올로 교반함으로써 고온 추출한다. 수율: 3.0 g (9.0 mmol), 90%; 순도: 1H NMR 에 의해 약 97%.
스테이지 B): B100
Figure pct00085
Y. Bao et al., Org. Lett. 2020, 22, 6277 과 유사한 절차. 3.34　g (10　mmol) 의 2-니트로-N-(3-페녹시페닐)벤즈아미드 [1286040-75-2] 스테이지 A), 4.48　g (50　mmol) 의 테트라히드록시디보론 [13675-18-8] 및 150 ml 의 메탄올의 0℃ 로 냉각된 잘 교반된 혼합물에, 140 ml 의 메탄올과 10 ml 의 물의 혼합물 중 2.40 g (100 mmol) 의 NaOH 의 용액을 적가한다. 혼합물을 0℃ 에서 추가 30분 동안 교반한 다음, 실온까지 가온하게 하고, 40℃ 에서 추가 16시간 동안 교반한다. 그 다음, 200 ml 의 0.5 N 수성 아세트산을 적가하고, 혼합물을 감압 하에 약 100 ml 로 농축시킨다. 침전된 생성물을 여과하고, 매회 30 ml 의 물로 3회 세척하고, 매회 100 ml 의 톨루엔으로 2회 공비 건조하고, 톨루엔의 잔류물을 감압 하에 건조함으로써 제거한다. 수율: 2.54 g (8.4 mmol), 84%; 순도: 1H NMR 에 의해 약 98%.
c) B100
실시예 B1 스테이지 B) 와 유사한 절차. 출발 재료: 3.02 g (10 mmol) 의 스테이지 B). 수율: 440 mg (1.41 mmol), 14%; 순도: 1H NMR 에 의해 약 99.9%.
다음의 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
Figure pct00086
Figure pct00087
Figure pct00088
Figure pct00089
실시예: OLED 의 제조
1) 진공-처리된 디바이스:
본 발명의 OLED 및 종래 기술에 따른 OLED 는 WO 2004/058911 에 따른 일반적인 방법에 의해 제조되며, 이는 본원에 기술된 상황들에 적응된다 (층 두께의 변동, 사용된 재료).
뒤이어지는 실시예에서, 다양한 OLED 에 대한 결과가 제시된다. 두께 50 nm 의 구조화된 ITO (인듐 주석 옥사이드) 로 코팅된 세정된 유리 플레이트 (Miele 실험실 유리 세척제, Merck Extran 세제에서 세정) 를 25 분 동안 UV 오존으로 예비처리하고 (UVP 로부터의 PR-100 UV 오존 생성기), 그리고 30 분 이내에, 개선된 가공을 위해, 수용액으로부터 스핀 온된, Heraeus Precious Metals GmbH Deutschland 로부터의 CLEVIOS™ P VP AI 4083 으로서 구입된 20 nm 의 PEDOT:PSS (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)폴리(스티렌술포네이트) 로 코팅한 다음, 10 분 동안 180℃ 에서 베이킹한다. 이들 코팅된 유리 플레이트들은, OLED 가 적용되는 기판들을 형성한다.
1a) 청색 및 녹색 형광 OLED 컴포넌트 - BF 및 GF:
모든 재료는 진공 챔버에서 열 기상 증착에 의해 도포된다. 여기서 방출층 (EML) 은 항상, 동시 증발에 의해 특정한 체적 비율로, 매트릭스 재료(들)에 첨가되는 방출 도펀트 (도펀트, 방출체) B 및 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료) SMB (표 1 참조) 로 이루어진다. SMB:B (97:3%) 와 같은 그러한 형태로 주어진 상세들은, 여기서, 재료 SMB 가 97% 의 체적 비율로 그리고 도펀트 B 가 3% 의 비율로 층에 존재하는 것을 의미한다. 유사하게, 전자 수송층은 또한, 2 개 재료의 혼합물로 이루어질 수도 있다; 표 1 참조. OLED 의 제조에 사용된 재료는 표 5 에 나타나 있다.
OLED 는 표준 방식으로 특징지어진다. 이러한 목적을 위해, 전계 발광 스펙트럼, 람베르트 (Lambertian) 방출 특성을 가정한 전류-전압-휘도 특성 (IUL 특성) 으로부터 계산되는, 휘도의 함수로서의 전류 효율 (cd/A 로 측정), 전력 효율 (lm/W 로 측정) 및 외부 양자 효율 (EQE, % 로 측정), 그리고 또한 수명이 결정된다. 전계 발광 스펙트럼은 1000 cd/㎡ 의 휘도에서 결정되고, 이들은 컬러 및 FWHM (full width at half maximum) 을 결정하는데 사용된다.
OLED 는 다음의 층 구조를 갖는다:
기판
정공 주입 층 1 (HIL1), 5% NDP-9 (Novaled 로부터 상업적으로 입수가능) 로 도핑된 HTM1 로 구성됨, 20 nm
정공 수송 층 1 (HTL1), HTM1 로 구성됨, 140 nm
정공 수송 층 2 (HTL2), HTM2 로 구성됨, 10 nm
방출층 (EML), 표 1 참조
전자 수송 층 (ETL2), 표 1 참조
전자 수송 층 (ETL1), 표 1 참조
전자 주입 층 (EIL), ETM2 로 구성됨, 1 nm
캐소드, 알루미늄으로 구성됨, 100 nm
표 1: 청색 및 녹색 형광 OLED 컴포넌트의 구조
Figure pct00090
표 2: 청색 (420-499 nm) 및 녹색 (500-540 nm) 형광 OLED 컴포넌트에 대한 결과
1 b) 초인광 OLED 컴포넌트:
모든 재료는 진공 챔버에서 열 기상 증착에 의해 도포된다. 발광층(들) (EML) 은 항상, 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료) (TMM), (인광) 증감제 (PS) 및 형광 방출체 (B) 로 구성된다. 증감제 (PS) 및 형광 방출체 (B) 는 동시 증발에 의해 특정 체적 비율로 호스트 재료 (TMM) 에 첨가된다. TMM:PS(8%):B(1%) 와 같은 그러한 형태로 주어진 상세들은, 여기서, 재료 TMM 이 91% 의 체적 비율로, PS 가 8% 의 비율로, 그리고 형광 방출체 (B) 가 1% 의 비율로 층에 존재한다는 것을 의미한다.
청색 초인광 OLED 컴포넌트 BH:
OLED 는 기본적으로 다음의 층 구조를 갖는다:
기판
정공 주입 층 1 (HIL1), 5% NDP-9 (Novaled 로부터 상업적으로 입수가능) 로 도핑된 HTM2 로 구성됨, 20 nm
정공 수송 층 1 (HTL1), HTM2 로 구성됨, 30 nm
정공 수송 층 2 (HTL2), 표 3 참조
방출층 (EML), 표 3 참조
전자 수송 층 (ETL2), 표 3 참조
전자 수송 층 (ETL1), ETM1 (50%) 및 ETM2 (50%) 로 구성됨, 20　nm
전자 주입 층 (EIL), ETM2 로 구성됨, 1 nm
캐소드, 알루미늄으로 구성됨, 100 nm
표 3: 청색 초인광 OLED 컴포넌트의 구성
Figure pct00092
표 4: 결과
Figure pct00093
표 5: 사용된 재료의 구조 식
Figure pct00094
Figure pct00095
Figure pct00096
본 발명의 재료와 관련하여 표 1 및 표 3 에 나타낸 약어들, 예를 들어, B3, B5, B7, B8, B12, B14, B16, B21, B34, B23, B24, B26, B28, B33, B35, B45, B48, B51 및 B107 등은, 합성 실시예에서 상기 상세히 기재된 화합물에 관련된다.
본 발명의 화합물은 상대적으로 작은 EL-FWHM 값 (ELectroluminescence - Full Width Half Maximum - 피크 높이 절반의 eV 단위 EL 방출 스펙트럼의 폭) 으로 인식 가능한, 좁은 전계 발광 스펙트럼을 나타내었다. 좁은 전계 발광 스펙트럼은 컬러 순도에서 뚜렷한 개선에 이른다 (더 낮은 CIE y 값). 더욱이, 매우 양호한 EQE 값 (External Quantum Efficiencies) 이 낮은 작동 전압에서 달성되며, 이는 디바이스의 전력 효율에서의 뚜렷한 개선을 유도하고 따라서 더 낮은 전력 소비를 유도한다.

Claims (17)

  1. 하기 식 (I) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는, 화합물:
    Figure pct00097

    식 중, 사용된 추가 기호들은 다음과 같다:
    Za, Zb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N, CR 이거나, Za, Zb 기는 고리 Ara 를 형성하며, 여기서, 상기 고리 Ara 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 Ar 또는 Ra 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 상기 고리 Ara 는 CO 기 및 Wa, Wb 기와 함께 5원 고리를 형성한다;
    Wa, Wb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 NR, NAr, NB(R)2 또는 NB(Ar)2 이며, 여기서, Wa, Wb 기 중 정확히 하나는 NB(R)2, NB(Ar)2 이고 상기 Wa, Wb 기 중 정확히 하나는 NR, NAr 이거나, 또는 상기 Wa, Wb 기는 하기 식의 고리를 형성한다:
    Figure pct00098

    식 중, Zc 는 R 또는 Ar 이고, 고리 Arb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 Ar 또는 Rb 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 여기서, 상기 고리 Arb 는 R, Ar 또는 Zc 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있거나, 상기 고리 Ara 및 Arb 는 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있고, 점선은 CO 기 또는 Zb 기에 대한 결합을 나타낸다;
    Ar 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 여기서, Ar 기는 적어도 하나의 Ar, R, Ra, Rb 기 또는 추가 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
    R, Ra, Rb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, OH, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar')2, N(R1)2, C(=O)N(Ar')2, C(=O)N(R1)2, C(Ar')3, C(R1)3, Si(Ar')3, Si(R1)3, B(Ar')2, B(R1)2, C(=O)Ar', C(=O)R1, P(=O)(Ar')2, P(=O)(R1)2, P(Ar')2, P(R1)2, S(=O)Ar', S(=O)R1, S(=O)2Ar', S(=O)2R1, OSO2Ar', OSO2R1, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 (여기서, 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R1C=CR1, C≡C, Si(R1)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기; 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 헤테로아릴티오기, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 디아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 디헤테로아릴아미노기, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자 및 1 내지 10개의 탄소 원자를 알킬 라디칼에 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아르알킬 또는 헤테로아릴알킬기이고; 동시에, 2개의 R, Ra, Rb 라디칼은 함께 또는 추가 기와 또한 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
    Ar' 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 탄소 원자, 규소 원자, 질소 원자, 인 원자 또는 붕소 원자에 결합된 2 개의 Ar' 라디칼은 또한 단일 결합에 의한 브릿지 또는 B(R1), C(R1)2, Si(R1)2, C=O, C=NR1, C=C(R1)2, O, S, S=O, SO2, N(R1), P(R1) 및 P(=O)R1 로부터 선택된 브릿지를 통해 함께 연결되는 것이 가능하다;
    R1 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar'')2, N(R2)2, C(=O)Ar'', C(=O)R2, P(=O)(Ar'')2, P(Ar'')2, B(Ar'')2, B(R2)2, C(Ar'')3, C(R2)3, Si(Ar'')3, Si(R2)3, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R2C=CR2-, -C≡C-, Si(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R2), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수도 있고 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬기, 또는 이들 시스템들의 조합이고; 동시에, 2 개 이상의 R1 라디칼들은 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있고; 동시에, 하나 이상의 R1 라디칼은 화합물의 추가 부분과 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
    Ar'' 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 탄소 원자, 규소 원자, 질소 원자, 인 원자 또는 붕소 원자에 결합된 2 개의 Ar'' 라디칼은 또한 단일 결합에 의한 브릿지 또는 B(R2), C(R2)2, Si(R2)2, C=O, C=NR2, C=C(R2)2, O, S, S=O, SO2, N(R2), P(R2) 및 P(=O)R2 로부터 선택된 브릿지를 통해 함께 연결되는 것이 가능하다;
    R2 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, H, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족 히드로카르빌 라디칼, 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (여기서, 하나 이상의 수소 원자가 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 으로 대체될 수도 있고, 1 내지 4 개의 탄소 원자를 각각 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수도 있음) 로 이루어진 군으로부터 선택되고; 동시에, 2개 이상의 치환기 R2 는 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있다.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 Wa, Wb 기는 하기 식의 고리를 형성하는 것을 특징으로 하는, 화합물:
    Figure pct00099

    식 중, 기호 Arb 및 Zc 는 상기에서 주어진 정의를 갖는다.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    식 (II-1) 내지 식 (II-18) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는, 화합물:
    Figure pct00100

    Figure pct00101

    Figure pct00102

    식 중, 기호 R, Ar, Ara 및 Arb 는 제 1 항에서 주어진 정의들을 가지며, X 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N 또는 CR 이다.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    식 (III-1) 내지 식 (III-48) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는, 화합물:
    Figure pct00103

    Figure pct00104

    Figure pct00105

    Figure pct00106

    Figure pct00107

    Figure pct00108

    Figure pct00109

    Figure pct00110

    Figure pct00111

    식 중, 기호 Ar 및 R 은 제 1 항에서 주어진 정의를 가지며 추가 기호는 다음과 같다:
    X 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N 또는 CR 이며, 단, 하나의 환에서의 X 기들 중 2개 이하는 N 이고, 여기서, R 은 제 1 항에서 상술된 정의를 갖는다;
    Xa 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N 또는 CRa 이며, 단, 하나의 환에서의 Xa 기들 중 2개 이하는 N 이고, 여기서, Ra 는 제 1 항에서 상술된 정의를 갖는다;
    Xb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N 또는 CRb 이며, 단, 하나의 환에서의 Xb 기들 중 2개 이하는 N 이고, 여기서, Rb 는 제 1 항에서 상술된 정의를 갖는다;
    Y1 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 결합, N(Ar), N(R), P(Ar), P(R), P(=O)Ar, P(=O)R, P(=S)Ar, P(=S)R, B(Ar), B(R), Al(Ar), Al(R), Ga(Ar), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, Ge(R)2, C=NR, C=NAr, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), O, S, Se, S=O, 또는 SO2 이고, 여기서, R 은 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해 상술된 정의를 갖는다;
    Y2 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 결합, N(Ar), N(R), P(Ar), P(R), P(=O)Ar, P(=O)R, P(=S)Ar, P(=S)R, B(Ar), B(R), Al(Ar), Al(R), Ga(Ar), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, Ge(R)2, C=NR, C=NAr, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), O, S, Se, S=O, 또는 SO2 이고, 여기서, R 은 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해 상술된 정의를 갖는다;
    Y3 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, N(Ar), N(R), P(Ar), P(R), P(=O)Ar, P(=O)R, P(=S)Ar, P(=S)R, B(Ar), B(R), Al(Ar), Al(R), Ga(Ar), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, Ge(R)2, C=NR, C=NAr, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), O, S, Se, S=O, 또는 SO2 이고, 여기서, R 은 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해 상술된 정의를 갖는다;
    Y4 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, N(Ar), N(R), P(Ar), P(R), P(=O)Ar, P(=O)R, P(=S)Ar, P(=S)R, C(R)2, Si(R)2, O 또는 S 이고, 여기서, R 은 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해 상술된 정의를 갖는다;
    Y5 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, N(Ar), N(R), P(Ar), P(R), P(=O)Ar, P(=O)R, P(=S)Ar, P(=S)R, B(Ar), B(R), Al(Ar), Al(R), Ga(Ar), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, Ge(R)2, C=NR, C=NAr, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), O, S, Se, S=O, 또는 SO2 이고, 여기서, R 은 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해 상술된 정의를 갖는다;
    Y6 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, N(Ar), N(R), P(Ar), P(R), P(=O)Ar, P(=O)R, P(=S)Ar, P(=S)R, B(Ar), B(R), Al(Ar), Al(R), Ga(Ar), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, Ge(R)2, C=NR, C=NAr, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), O, S, Se, S=O, 또는 SO2 이고, 여기서, R 은 상기에서, 특히 식 (I) 에 대해 상술된 정의를 갖는다.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    식 (IV-1) 내지 식 (IV-48) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는, 화합물:
    Figure pct00112

    Figure pct00113

    Figure pct00114

    Figure pct00115

    Figure pct00116

    Figure pct00117

    Figure pct00118

    Figure pct00119

    Figure pct00120

    식 중, 기호 R, Ra 및 Rb 는 제 1 항에서 주어진 정의를 갖고, 기호 Y1, Y2, Y3, Y4, Y5 및 Y6 은 제 3 항에서 주어진 정의를 가지며, 추가 기호는 다음과 같다:
    m 은 0, 1, 2, 3 또는 4 이다;
    n 은 0, 1, 2 또는 3 이다;
    j 는 0, 1 또는 2 이다;
    k 는 0 또는 1 이다.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    식 (I), 식 (II-1) 내지 식 (II-18), 식 (III-1) 내지 식 (III-48) 및/또는 식 (IV-1) 내지 식 (IV-48) 의 구조/화합물이 하나 이하의 올레핀 이중 결합을 갖는 것을 특징으로 하는, 화합물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 2개의 R, Ra, Rb 라디칼은 상기 2개의 R, Ra, Rb 라디칼이 결합하는 추가 기와 함께 융합된 고리를 형성하고, 상기 2개의 R, Ra, Rb 라디칼은 식 (RA-1) 내지 식 (RA-12) 의 적어도 하나의 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는, 화합물:
    Figure pct00121

    Figure pct00122

    식 중, R1 은 상기에서 제시된 정의를 갖고, 점선 결합은 상기 2개의 R, Ra, Rb 라디칼이 결합하는 기의 원자에 대한 부착 부위를 나타내며, 추가 기호는 다음과 같이 정의된다:
    Y7 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 C(R1)2, (R1)2C-C(R1)2, (R1)C=C(R1), NR1, NAr', O 또는 S 이다;
    Rc 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, F, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (여기서, 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기이고; 동시에, 또한 2 개의 Rc 라디칼이 함께 또는 하나의 Rc 라디칼이 R1 라디칼과 함께 또는 추가 기와 함께 고리 시스템을 형성하는 것이 가능하다;
    s 는 0, 1, 2, 3, 4, 5 또는 6 이다;
    t 는 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 또는 8 이다;
    v 는 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 또는 9 이다.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 2개의 R, Ra, Rb 라디칼은 상기 2개의 R, Ra, Rb 라디칼이 결합하는 추가 기와 함께 융합된 고리를 형성하고, 상기 2개의 R, Ra, Rb 라디칼은 식 (RB) 의 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는, 화합물:
    Figure pct00123

    식 중, R1 은 제 1 항에서 상술된 정의를 갖고, 점선 결합은 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼이 상기 추가 기에 결합하는 부착 부위를 나타내고, 인덱스 m 은 0, 1, 2, 3 또는 4 이고, Y8 은 C(R1)2, NR1, NAr', BR1, BAr', O 또는 S 이다.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    식 (V-1) 내지 식 (V-12) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 상기 화합물들은 적어도 하나의 융합된 고리를 갖는, 화합물:
    Figure pct00124

    Figure pct00125

    식 중, 기호 Ra, Rb, Y1, Y2 및 Y5 는 제 1 항 또는 제 3 항에서 주어진 정의를 갖고, 기호 o 는 부착 부위를 나타내고, 추가 기호는 다음의 정의를 갖는다:
    m 은 0, 1, 2, 3 또는 4 이다;
    n 은 0, 1, 2 또는 3 이다;
    j 는 0, 1 또는 2 이다.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 하나의 치환기 R, Ra, Rb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, H, D, 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 다음의 식 Ar-1 내지 식 Ar-78 의 기로부터 선택되는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는, 화합물:
    Figure pct00126

    Figure pct00127

    Figure pct00128

    Figure pct00129

    Figure pct00130

    Figure pct00131

    식 중, R1 은 상기에서 주어진 정의를 갖고, 점선 결합은 대응하는 기에 대한 결합을 나타내고, 부가적으로:
    Ar1 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 2가 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
    A 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, C(R1)2, NR1, O 또는 S 이다;
    p 는 0 또는 1 이고, 여기서 p = 0 은 Ar1 기가 부재하는 것 그리고 대응하는 방향족 또는 헤테로방향족 기가 대응하는 라디칼에 직접 결합되는 것을 의미한다;
    q 는 0 또는 1 이고, 여기서 q = 0 은, A 기가 이 위치에 결합되지 않고, 그 대신 R1 라디칼이 대응하는 탄소 원자에 결합됨을 의미한다.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 화합물은 식 (I), 식 (II-1) 내지 식 (II-18), 식 (III-1) 내지 식 (III-48), 식 (IV-1) 내지 식 (IV-48) 및/또는 식 (V-1) 내지 식 (V-12) 의 정확히 2개 또는 정확히 3개의 구조들을 포함하는 것을 특징으로 하는, 화합물.
  12. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 하나 이상의 화합물들을 함유하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머로서, 수소 원자 또는 치환기 대신에, 상기 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머에 대한 상기 화합물들의 하나 이상의 결합들이 존재하는, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머.
  13. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 적어도 하나의 화합물 또는 제 12 항에 기재된 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머 및 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는 포뮬레이션으로서, 상기 추가 화합물은 바람직하게는 하나 이상의 용매들로부터 선택되는, 포뮬레이션.
  14. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 적어도 하나의 화합물 또는 제 12 항에 기재된 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머, 및 형광 방출체들, 인광 방출체들, TADF 를 나타내는 방출체들, 호스트 재료들, 전자 수송 재료들, 전자 주입 재료들, 정공 전도체 재료들, 정공 주입 재료들, 전자 차단 재료들 및 정공 차단 재료들로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는, 조성물.
  15. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물의 제조 방법으로서, Wa 기 중 적어도 하나 또는 상기 Wa 기 중 하나의 전구체를 갖는 베이스 골격이 합성되고, 방향족 또는 헤테로방향족 라디칼이 친핵성 방향족 치환 반응 또는 커플링 반응에 의해 도입되는 것을 특징으로 하는, 화합물의 제조 방법.
  16. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물 또는 제 12 항에 기재된 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머의 전자 디바이스에서의 용도.
  17. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 적어도 하나의 화합물 또는 제 12 항에 기재된 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를 포함하는, 전자 디바이스.
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