KR20230028315A - 유기 전계 발광 디바이스용 복소환 화합물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 전자 디바이스에 사용하기에 적합한 복소환 화합물, 및 상기 화합물을 함유하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다.
Description
본 발명은 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에서 사용하기 위한 복소환 화합물, 및 이들 복소환 화합물을 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다.
유기 전계 발광 디바이스에서 사용된 방출 재료는 흔히 인광 유기금속성 착물 또는 형광 화합물이다. 일반적으로, 전계 발광 디바이스에 있어서 개선이 여전히 필요하다.
WO 2010/104047 A1, WO 2015/102118 A1 및 WO 2019/132506 A1은 유기 전계 발광 디바이스에 사용될 수 있는 다환 화합물을 개시하고 있다. 본 발명에 따른 화합물에 대한 개시는 없다. 또한, 화합물의 반방향족성 특성은 Wang 등에 의해, Nature Communications | 8: 1948 에서 조사되었다. 그러나, Wang 등에 의한 유기 전계 발광 디바이스에서 이러한 화합물의 사용에 대한 설명은 없다.
일반적으로, 특히 디바이스의 수명 및 색 순도 뿐만 아니라 효율 및 작동 전압과 관련하여, 예를 들어 방출체, 특히 형광 방출체로서 사용하기 위한 이들 복소환 화합물에 있어서 개선이 여전히 필요하다.
따라서, 본 발명의 목적은 유기 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에서 사용하기에 적합하고 이 디바이스에서 사용될 때 양호한 디바이스 특성에 이르는 화합물을 제공하고, 대응하는 전자 디바이스를 제공하는 것이다.
보다 구체적으로는, 본 발명에 의해 다루어지는 과제는 높은 수명, 양호한 효율 및 낮은 작동 전압에 이르는 화합물을 제공하는 것이다.
또한, 그 화합물은 가공성이 우수해야 하며, 특히 그 화합물은 우수한 용해도를 나타내야 한다.
본 발명에 의해 다루어지는 추가 과제는, 특히 방출체로서, 인광 또는 형광 전계 발광 디바이스에서 사용하기에 적합한 화합물을 제공하는 것으로 고려될 수 있다. 보다 구체적으로는, 본 발명에 의해 다루어지는 과제는 적색, 녹색 또는 청색 전계 발광 디바이스에 적합한 방출체를 제공하는 것이다.
또한, 화합물들은, 특히 이들이 유기 전계 발광 디바이스에서 방출체로서 사용될 때, 우수한 색 순도를 갖는 디바이스로 이어져야 한다.
본 발명에 의해 다루어지는 추가 과제는, 특히 매트릭스 재료로서, 인광 또는 형광 전계 발광 디바이스에서 사용하기에 적합한 화합물을 제공하는 것으로 고려될 수 있다. 보다 구체적으로는, 본 발명에 의해 다루어지는 과제는 적색, 황색 및 청색 인광 전계 발광 디바이스에 적합한 매트릭스 재료를 제공하는 것이다.
또한, 화합물들은, 특히 이들이 유기 전계 발광 디바이스에서 매트릭스 재료로서, 정공 수송 재료로서 또는 전자 수송 재료로서 사용될 때, 우수한 색 순도를 갖는 디바이스로 이어져야 한다.
추가의 과제는 우수한 성능을 갖는 전자 디바이스들을 매우 저렴하고 일정한 품질로 제공하는 것으로 고려될 수 있다.
또한, 많은 목적을 위해 전자 디바이스들을 사용하거나 또는 적합화할 수 있어야 한다. 보다 특히, 전자 디바이스의 성능은 넓은 온도 범위에 걸쳐 유지되어야 한다.
놀랍게도, 이 목적은 전계 발광 디바이스에 사용하기에 매우 양호하게 적합하고 특히 수명, 색 순도, 효율 및 작동 전압과 관련하여 매우 양호한 특성을 나타내는 유기 전계 발광 디바이스로 이어지는 하기에 상세히 설명된 특정 화합물에 의해 달성된다는 것을 알아냈다. 따라서 본 발명은 이들 화합물, 및 이러한 화합물을 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스를 제공한다.
본 발명은 하기 식 (I) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는 화합물, 바람직하게는 하기 식 (I) 의 화합물을 제공한다:
식중 고리 Ara 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 Ar 또는 R 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
그리고 식중 사용되는 추가 기호 및 인덱스는 다음과 같다:
Z1, Z2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, N 또는 B 이다;
W1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 N, B, C=C(Ar), C=C(R) 또는 C=N 이며, 여기서 C=C(Ar) 또는 C=C(R) 기의 두 탄소 원자 모두 또는 C=N 기의 탄소 원자 및 질소 원자는 각각 고리 Ara 의 부분이고, 여기서 C=N 기의 탄소 원자는 V1 기에 결합한다;
V1, V2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 -N=, -B=, =C(Ar)- 또는 =C(R)- (여기서 V1, V2 기 중 하나 이하는 -N= 또는 -B= 이다) 이거나, 또는 V1, V2 기는 하기 식의 고리를 형성한다
식 중 고리 Arb 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 Ar 또는 R 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이며, 여기서 고리 Arb 는 X1 기와 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있거나 또는 고리 Ara 및 Arb 는 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있고, 여기서 W2 는 W1 에 결합하고 각각의 경우 동일하거나 상이하고 N, B, C=C(Ar), C=C(R) 또는 C=N 이며, 여기서 C=C(Ar) 또는 C=C(R) 기의 두 탄소 원자 모두 또는 C=N 기의 탄소 원자 및 질소 원자는 각각 Arb 고리의 부분이고, C=N 기의 탄소 원자는 W1 기에 결합하고 점선은 W1 또는 Z2 기에 대한 결합을 나타낸다;
Y 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 결합, N(Ar), N(R), P(Ar), P(R), P(=O)Ar, P(=O)R, P(=S)Ar, P(=S)R, B(Ar), B(R), Al(Ar), Al(R), Ga(Ar), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, Ge(R)2, C=NR, C=NAr, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), O, S, Se, S=O 또는 SO2, 바람직하게 결합, N(Ar), N(R), B(Ar), B(R), P(=O)R, P(=O)Ar, C=O, C(R)2, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), Si(R)2, O, S, Se, S=O or SO2, 보다 바람직하게 결합, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), C(R)2, O, S, SO2, N(Ar) 또는 B(Ar) 이다;
Ar 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 여기서 Ar 기는 적어도 하나의 Ar, X1, X3, R 기 또는 추가 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
X1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 고리 시스템이 고리 Arb 또는 추가 기에 대한 결합에 의해 형성되는 경우 N, CRa, 또는 C, 바람직하게는 CRa 또는 C 이며, 단, 하나의 환에서 X1, X2 기 중 2개 이하는 N 이다;
X2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, N 또는 CRb, 바람직하게는 CRb 이며, 단, 하나의 환에서 X1, X2 기 중 2개 이하는 N이다;
X3 은 각각의 경우 동일하거나 상이하며 고리 시스템이 Ar, R 기, 고리 Ara 또는 추가 기에 대한 결합에 의해 형성되는 경우 N, CRc, 또는 C, 바람직하게 CRc 또는 C 이며, 단, 하나의 환에서 X3 기 중 2개 이하는 N 이거나, 또는 2개의 인접한 X3 기는 함께 S 또는 O 이고, 여기서 적어도 하나의 X3 기, 바람직하게 적어도 2개의 X3 기는 CRc 또는 C 이다;
R, Ra, Rb, Rc 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, OH, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar')2, N(R1)2, C(=O)N(Ar')2, C(=O)N(R1)2, C(Ar')3, C(R1)3, Si(Ar')3, Si(R1)3, B(Ar')2, B(R1)2, C(=O)Ar', C(=O)R1, P(=O)(Ar')2, P(=O)(R1)2, P(Ar')2, P(R1)2, S(=O)Ar', S(=O)R1, S(=O)2Ar', S(=O)2R1, OSO2Ar', OSO2R1, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 (상기 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R1C=CR1, C≡C, Si(R1)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기이고; 동시에, 2 개의 R, Ra, Rb, Rc 라디칼은 또한 함께 또는 추가 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
Ar' 은 각각의 경우 동일하거나 상이하며 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 탄소 원자, 규소 원자, 질소 원자, 인 원자 또는 붕소 원자에 결합한 2 개의 Ar' 라디칼은 또한 단일 결합에 의한 브릿지 또는 B(R1), C(R1)2, Si(R1)2, C=O, C=NR1, C=C(R1)2, O, S, S=O, SO2, N(R1), P(R1) 및 P(=O)R1 로부터 선택된 브릿지를 통해 함께 연결되는 것이 가능하다;
R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar'')2, N(R2)2, C(=O)Ar'', C(=O)R2, C(=O)OAr'', C(=O)OR2, P(=O)(Ar'')2, P(Ar'')2, B(Ar'')2, B(R2)2, C(Ar'')3, C(R2)3, Si(Ar'')3, Si(R2)3, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R2C=CR2-, -C≡C-, Si(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R2), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수도 있고 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬기, 또는 이들 시스템들의 조합이고; 동시에, 둘 이상의, 바람직하게 인접한, R1 라디칼들은 함께 고리 시스템을 형성할 수 있고; 동시에, 하나 이상의 R1 라디칼은 화합물의 추가 부분과 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
Ar'' 은 각각의 경우 동일하거나 상이하며 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 탄소 원자, 규소 원자, 질소 원자, 인 원자 또는 붕소 원자에 결합한 2 개의 Ar'' 라디칼은 또한 단일 결합에 의한 브릿지 또는 B(R2), C(R2)2, Si(R2)2, C=O, C=NR2, C=C(R2)2, O, S, S=O, SO2, N(R2), P(R2) 및 P(=O)R2 로부터 선택된 브릿지를 통해 함께 연결되는 것이 가능하다;
R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족 히드로카르빌 라디칼, 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (여기서, 하나 이상의 수소 원자가 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 으로 대체될 수도 있고, 1 내지 4 개의 탄소 원자를 각각 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수도 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 동시에, 2개 이상의, 바람직하게는 인접한 치환기 R2 는 함께 고리 시스템을 형성할 수 있고;
여기서 적어도 하나의 V1, V2, W1, W2 기는 N 또는 B 이다.
본 발명에 따르면, W1 는 C=C(Ar), C=C(R) 또는 C=N 이며, 여기서 C=C(Ar) 또는 C=C(R) 기의 두 탄소 원자 모두 또는 C=N 기의 탄소 원자 및 질소 원자는 각각 고리 Ara 의 부분이고, 여기서 C=N 기의 탄소 원자는 V1 기에 결합한다. 이것은, W1 이 C=C(Ar) 또는 C=C(R) 인 경우, 식 (I) 의 화합물이 하기 식에 따르고:
W1 이 C=N 인 경우, 식 (I) 의 화합물이 하기 식에 따른다는 것을 의미한다:
또한, V1, W1, W2 기 중 정확히 하나는 N 또는 B를 나타내는 경우일 수도 있다.
바람직하게는 고리 Ara 및/또는 Arb 는 5원 또는 6원 고리를 형성하는 경우일 수도 있다.
바람직하게는, 식 (I) 에서, 적어도 하나의 Z1 또는 Z2 기는 N 인 경우일 수도 있다.
바람직하게는, 식 (I) 에서, Z1 는 N 이고 Z2 는 B 인 경우일 수도 있다.
또한, 식 (I) 에서, Z1 는 N 이고 Z2 는 N 인 경우일 수도 있다.
바람직하게는, 식 (I) 에서, 적어도 하나의 Z1 또는 Z2 기는 B 인 경우일 수도 있다.
바람직하게는, 식 (I) 에서, Z1 는 B 이고 Z2 는 N 인 경우일 수도 있다.
또한, 식 (I) 에서, Z1 는 B 이고 Z2 는 B 인 경우일 수도 있다.
기호 W1, W2 가 C=C(Ar), C=C(R) 또는 C=N 을 나타내는 경우, C=C(Ar), C=C(R) 또는 C=N 라디칼은 고리 Ara 또는 Arb 의 부분을 형성한다. W1 가 C=C(Ar) 또는 C=C(R) 이고 하나의 고리 Ara 가 6원 고리를 나타내는 경우, 고리 Ara 는, Z1 기 또는 W1 및 Z2 기에 결합하는 탄소 원자 및 C=C(Ar) 또는 C=C(R) 기로부터의 2개의 탄소 원자 뿐만 아니라, 2개의 추가 원자를 포함한다.
추가 설명을 위해, 대응점을 예시하기 위해 식 (II-2), (II-3) 및 (II-4) 를 참조하여 이것을 상세하게 설명한다. 식 (II-2) 에서, W2 기는 Z3 기에 결합된 탄소 원자 및 그 탄소 원자에 결합된 X5 라디칼을 나타낸다. 또한, 식 (II-1) 에서, Z3 기는 W1 라디칼에 대응하고, 여기서 식 (I) 에 나타낸 고리 Ara 는 식 (II-2) 에 나타낸 W5, W6 기를 포함한다.
식 (II-3) 에서, 식 (I) 에 나타낸 V1 기는 W3 라디칼로 표현된다. 대응하여, 식 (II-3) 에서의 W4 라디칼은 V2 기를 나타낸다. 또한, 식 (II-3) 에서, Z3 기는 식 (I) 에 나타낸 W1 라디칼에 대응하고 여기서 고리 Ara 가 W1 또는 Z3 기에 결합하고 식 (II-3) 에 나타낸 X5 기 및 X5 및 Z3 기에 결합된 탄소 원자를 포함한다.
식 (II-4) 에서, 식 (I) 에 상세히 나타낸 W1 기는 Z3 기에 결합된 탄소 원자 및 그 탄소 원자에 결합된 X5 라디칼을 나타낸다. 또한, 식 (II-4) 에서, V1, V4 기는 고리 Arb 를 형성하고 식 (II-4) 에서 Z3 기는 식 (I) 에서 W2 라디칼에 대응하고, 여기서 고리 Arb 는 X4, W5, W6 기를 포함한다.
바람직하게는 고리 Ara 및/또는 Arb 는 5원 또는 6원 고리를 형성하는 경우일 수도 있다. 바람직하게, 하나의 W1, V1 기는 C=C(Ar) 또는 C=C(R), 또는 =C(Ar)- 또는 =C(R)- 를 나타낸다. 바람직하게, 하나의 W1, W2 기는 C=C(Ar) 또는 C=C(R) 를 나타낸다.
N-N 결합은 바람직하게는 제외되어, V1, W1, W2 기 중 하나 이하가 N 이다. 보다 바람직하게는 V1, V2, W1, W2 기 중 하나 이하가 N이다.
B-B 결합은 바람직하게 제외되어, V1, W1, W2 기 중 하나 이하가 B 이다. 바람직하게는 V1, V2, W1, W2 기 중 하나 이하가 B 이다.
B-N 결합은 바람직하게 제외되어, V1, W1, W2 기 중 하나 이하가 N 또는 B 이다. 보다 바람직하게, V1, V2, W1, W2 기 중 하나 이하가 N 또는 B이다.
추가 구성에서, V1, W1, W2 기 중 바람직하게는 정확히 하나가 N 이고 V1, V2, W1, W2 기 중 어느 것도 B가 아니다. 또한, V1, W1, W2 기 중 정확히 하나가 B 이고 V1, V2, W1, W2 기 중 어느 것도 N이 아닌 경우일 수도 있다.
본 발명의 맥락에서 아릴 기는 6 내지 40 개의 탄소 원자를 함유하고; 본 발명의 맥락에서 헤테로아릴 기는 2 내지 40 개의 탄소 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하며, 단, 탄소 원자 및 헤테로원자의 총합은 적어도 5이다. 헤테로원자는 바람직하게 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 아릴 기 또는 헤테로아릴 기는 여기서 단순 방향족 환, 즉 벤젠, 또는 단순 헤테로방향족 환, 예를 들어 피리딘, 피리미딘, 티오펜, 등, 또는 융합된 (아닐레이트화 (annelated)) 아릴 또는 헤테로아릴 기, 예를 들어 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 등을 의미하는 것으로 이해된다. 단일 결합에 의해 서로 연결된 방향족은, 예를 들어 바이페닐은, 대조적으로, 아릴 또는 헤테로아릴 기가 아니라 방향족 고리 시스템으로 지칭된다.
본 발명의 맥락에서 전자-결핍 헤테로아릴 기는 적어도 하나의 질소 원자를 갖는 적어도 하나의 헤테로방향족 6원 고리를 갖는 헤테로아릴 기이다. 추가의 방향족 또는 헤테로방향족 5 원 또는 6 원 고리가 이 6 원 고리 상에 융합될 수도 있다. 전자-결핍 헤테로아릴 기의 예는 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀린, 퀴나졸린 또는 퀴녹살린이다.
본 발명의 맥락에서 방향족 고리 시스템은 고리 시스템에 6 내지 60 개의 탄소 원자를 함유한다. 본 발명의 맥락에서 헤테로방향족 고리 시스템은 고리 시스템에서 2 내지 60 개의 탄소 원자와 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하는데, 다만, 탄소 원자와 헤테로원자의 총합은 적어도 5 개이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 본 발명의 맥락에서 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은, 반드시 아릴 또는 헤테로아릴 기만을 함유하는 것이 아니라, 둘 이상의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 비방향족 단위, 예를 들어 탄소, 질소 또는 산소 원자에 의해 연결되는 것도 가능한 시스템을 의미하는 것으로 이해될 것이다. 예를 들어, 플루오렌, 9,9'-스피로바이플루오렌, 9,9-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르, 스틸벤 등과 같은 시스템은 또한 본 발명의 맥락에서 방향족 고리 시스템으로서 간주될 것이며, 둘 이상의 아릴기가 예를 들어 짧은 알킬기에 의해 연결되는 시스템도 마찬가지이다. 바람직하게는, 방향족 고리 시스템은 플루오렌, 9,9'-스피로바이플루오렌, 9,9-디아릴아민 또는 2 개 이상의 아릴 및/또는 헤테로아릴 기가 단일 결합에 의해 서로 연결되는 기로부터 선택된다.
본 발명의 맥락에서, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 함유할 수도 있으며 개개의 수소 원자 또는 CH2 기가 또한 전술한 기에 의해 치환될 수도 있는 지방족 히드로카르빌 라디칼 또는 알킬기 또는 알케닐 또는 알키닐기는 바람직하게는 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, 네오펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, 네오헥실, 시클로헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐, 헵티닐 또는 옥티닐 라디칼을 의미하는 것으로 이해된다. 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기는 바람직하게는 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시, n-펜톡시, s-펜톡시, 2-메틸부톡시, n-헥스옥시, 시클로헥실옥시, n-헵트옥시, 시클로헵틸옥시, n-옥틸옥시, 시클로옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 펜타플루오로에톡시 및 2,2,2-트리플루오로에톡시를 의미하는 것으로 이해된다. 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 티오알킬 기는 특히 메틸티오, 에틸티오, n-프로필티오, i-프로필티오, n-부틸티오, i-부틸티오, s-부틸티오, t-부틸티오, n-펜틸티오, s-펜틸티오, n-헥실티오, 시클로헥실티오, n-헵틸티오, 시클로헵틸티오, n-옥틸티오, 시클로옥틸티오, 2-에틸헥실티오, 트리플루오로메틸티오, 펜타플루오로에틸티오, 2,2,2-트리플루오로에틸티오, 에테닐티오, 프로페닐티오, 부테닐티오, 펜테닐티오, 시클로펜테닐티오, 헥세닐티오, 시클로헥세닐티오, 헵테닐티오, 시클로헵테닐티오, 옥테닐티오, 시클로옥테닐티오, 에티닐티오, 프로피닐티오, 부티닐티오, 펜티닐티오, 헥시닐티오, 헵티닐티오 또는 옥티닐티오를 의미하는 것으로 이해된다. 일반적으로, 본 발명에 따른 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기는 직쇄, 분지형 또는 환형일 수도 있으며, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 전술한 기들에 의해 대체될 수도 있고; 추가로, 또한 하나 이상의 수소 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2, 바람직하게는 F, Cl 또는 CN, 더욱 바람직하게는 F 또는 CN, 특히 바람직하게는 CN 에 의해 대체될 수 있다.
5 내지 60 개 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 또한 각 경우에 위에 언급된 라디칼로 치환될 수도 있고 임의의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족 시스템에 연결될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은, 특히 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 바이페닐, 바이페닐렌, 테르페닐, 트리페닐렌, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 시스- 또는 트랜스-인데노카르바졸, 시스- 또는 트랜스-인돌로카르바졸, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트르이미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 나프트옥사졸, 안트르옥사졸, 페난트르옥사졸, 이소옥사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 헥사아자트리페닐렌, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸로부터 유도된 기 또는 이들 시스템들의 조합으로부터 유도된 기를 의미하는 것으로 이해된다.
2 개 이상의 라디칼이 함께 고리를 형성할 수도 있다는 어구는, 본 상세한 설명의 맥락에서, 특히, 2 개의 라디칼이 2 개의 수소 원자의 형식적 제거와 함께 화학 결합에 의해 서로 연결됨을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 이것은 하기의 도식에 의해 예시된다:
그러나, 추가적으로, 위에 언급된 문구는 또한 2 개의 라디칼 중 하나가 수소인 경우에, 수소 원자가 결합되었던 위치에 제 2 라디칼이 결합되어 고리를 형성한다는 것을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 이것은 하기 도식에 의해 예시될 것이다:
바람직한 구성에서, 본 발명의 화합물은 식 (II-1), (II-2), (II-3) 및/또는 (II-4) 의 구조를 포함할 수도 있고; 보다 바람직하게는, 본 발명의 화합물은 식 (II-1), (II-2), (II-3) 및/또는 (II-4)의 화합물로부터 선택될 수도 있다:
식 중 Z1, Z2, Y, X1, X2 및 X3 는 위에, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 가지며 추가 기호는 다음과 같다:
Z3 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, N 또는 B 이다;
W3, W4, W5, W6 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, C(Ar) 또는 X6 이고, 여기서 Ar은 위에, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 갖는다;
X4 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 고리 시스템이 X1 기에 대한 결합에 의해 형성되는 경우 N, CRd, 또는 C, 바람직하게는 CRd 또는 C이며, 단, 하나의 환에서 X4, X6 기 중 2개 이하는 N 이다;
X5 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 고리 시스템이 Ar 기, X1 기 또는 X3 기에 대한 결합에 의해 형성되는 경우 N, CRe, 또는 C, 바람직하게는 CRe 또는 C 이고, 단, 하나의 환에서 X5 기 중 2개 이하는 N 이다;
X6 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, N 또는 CRf , 바람직하게는 CRf 이며, 단, 하나의 환에서 X4, X6 기 중 2개 이하는 N이다;
Rd, Re, Rf 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, OH, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar')2, N(R1)2, C(=O)N(Ar')2, C(=O)N(R1)2, C(Ar')3, C(R1)3, Si(Ar')3, Si(R1)3, B(Ar')2, B(R1)2, C(=O)Ar', C(=O)R1, P(=O)(Ar')2, P(=O)(R1)2, P(Ar')2, P(R1)2, S(=O)Ar', S(=O)R1, S(=O)2Ar', S(=O)2R1, OSO2Ar', OSO2R1, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 (상기 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R1C=CR1, C≡C, Si(R1)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기이고; 동시에, 2 개의 Rd, Re, Rf 라디칼은 또한 함께 또는 추가 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있고, 여기서 기호 Ar' 및 R1 는 위에, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 갖는다.
여기서 식 (II-2), (II-3) 및/또는 (II-4) 의 구조가 바람직하다.
추가의 바람직한 구성에서, 본 발명의 화합물이 식 (IIa-1), (IIa-2), (IIa-3), (IIa-4), (IIb-1), (IIb-2), (IIb-3), (IIb-4), (IIc-1), (IIc-2), (IIc-3), (IIc-4), (IId-1), (IId-2), (IId-3) 및/또는 (IId-4) 의 구조를 포함하는 경우일 수도 있고, 여기서 본 발명의 화합물은 보다 바람직하게는 식 (IIa-1), (IIa-2), (IIa-3), (IIa-4), (IIb-1), (IIb-2), (IIb-3), (IIb-4), (IIc-1), (IIc-2), (IIc-3), (IIc-4), (IId-1), (IId-2), (IId-3) 및/또는 (IId-4) 의 화합물로부터 선택될 수도 있다,
식 중 기호 Z1, Z2, X1, X2 및 X3 는 위에, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 가지며, 기호 W3, W4, W5, W6, Z3, X4 및 X5 는 위에, 특히 식 (II-1) 내지 (II-4) 에 대해 주어진 정의를 가지며, 추가 기호는 다음과 같다:
Z4 는 N, B 또는 Al, 바람직하게 N 또는 B이다;
X7 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 고리 시스템이 X1, X3 또는 R 기 또는 추가 기에 대한 결합에 의해 형성되는 경우 N, CRg, 또는 C, 바람직하게는 CRg 또는 C 이며, 단, 하나의 환에서 X7 기 중 2개 이하는 N 이다;
Ya 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, C=O, C(R)2, Si(R)2, C=NR, C=NAr, C=C(R)2, O, S, Se, S=O, 또는 SO2, 바람직하게 C=O, C(R)2, Si(R)2, O, S, Se, S=O, 또는 SO2, 보다 바람직하게 C(R)2, O, S 또는 SO2 이다;
Rg 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, OH, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar')2, N(R1)2, C(=O)N(Ar')2, C(=O)N(R1)2, C(Ar')3, C(R1)3, Si(Ar')3, Si(R1)3, B(Ar')2, B(R1)2, C(=O)Ar', C(=O)R1, P(=O)(Ar')2, P(=O)(R1)2, P(Ar')2, P(R1)2, S(=O)Ar', S(=O)R1, S(=O)2Ar', S(=O)2R1, OSO2Ar', OSO2R1, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 (상기 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R1C=CR1, C≡C, Si(R1)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기이고; 동시에, 2 개의 Rg 라디칼은 또한 함께 또는 추가 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있고, 여기서 기호 Ar' 및 R1 는 청구항 1에 주어진 정의를 갖는다.
여기서 식 (IIa-2), (IIa-3), (IIa-4), (IIb-2), (IIb-3), (IIb-4), (IId-2), (IId-3) 및 (IId-4) 의 구조가 바람직하다.
추가의 바람직한 실시형태에서, 본 발명의 화합물이 식 (III-1) 내지 (III-15) 의 구조를 포함하는 경우일 수도 있고, 여기서 본 발명의 화합물은 보다 바람직하게는 식 (III-1) 내지 (III-15) 의 화합물로부터 선택될 수도 있다
식 중 기호 Z1, Z2, Y, X1, X2 및 X3 는 위에, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 가지며, 기호 Z3, X4, X5 및 X6 는 위에, 특히 식 (II-1) 내지 (II-4) 에 대해 주어진 정의를 가지며, 추가 기호는 다음과 같이 정의된다:
p는 0 또는 1이며, 여기서 p = 0 은 Y1 기가 부재함을 의미한다;
Y1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 결합, N(Ar'), N(R), P(Ar'), P(R), P(=O)Ar', P(=O)R, P(=S)Ar', P(=S)R, B(Ar'), B(R), Al(Ar'), Al(R), Ga(Ar'), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, C=NR, C=NAr', C=C(R)2, O, S, Se, S=O, 또는 SO2, 바람직하게 결합, N(Ar'), N(R), B(Ar'), B(R), P(=O)R, P(=O)Ar', C=O, C(R)2, Si(R)2, O, S, Se, S=O, 또는 SO2, 보다 바람직하게 C(R)2, Si(R)2, O, S, N(Ar') 또는 B(Ar') 이고, 여기서 기호 R 및 Ar'은 위에, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 갖는다;
Y3 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, N(Ar'), N(R), P(Ar'), P(R), P(=O)Ar', P(=O)R, P(=S)Ar', P(=S)R, B(Ar'), B(R), Al(Ar'), Al(R), Ga(Ar'), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, C=NR, C=NAr', C=C(R)2, O, S, Se, S=O, 또는 SO2, 바람직하게, N(Ar'), N(R), B(Ar'), B(R), P(=O)R, P(=O)Ar', C=O, C(R)2, Si(R)2, O, S, Se, S=O, 또는 SO2, 보다 바람직하게 C(R)2, Si(R)2, O, S, N(Ar') 또는 B(Ar') 이고, 여기서 기호 R 및 Ar'은 위에, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 갖는다.
여기서 식 (III-2), (III-3), (III-4), (III-5), (III-9) 및 (III-10) 의 구조/화합물이 바람직하다.
추가의 바람직한 구성에서, 본 발명의 화합물이 식 (IIIa-1) 내지 (IIIa-15), (IIIb-1) 내지 (IIIb-15), (IIIc-1) 내지 (IIIc-15) 및/또는 (IIId-1) 내지 (IIId-15)의 구조를 포함하는 경우일 수도 있고, 여기서 본 발명의 화합물은 보다 바람직하게는 식 (IIIa-1) 내지 (IIIa-15), (IIIb-1) 내지 (IIIb-15), (IIIc-1) 내지 (IIIc-15) 및/또는 (IIId-1) 내지 (IIId-15)의 화합물로부터 선택될 수도 있다,
식 중 기호 Z1, Z2, Y, X1, X2 및 X3 는 위에, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 Z3, X4, X5 및 X6 은 위에, 특히 식 (II-1) 내지 (II-4) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 Z4, X7 및 Ya 는 위에, 특히 식 (IIa-1) 내지 (IId-4) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 p, Y1, Y3 는 위에, 특히 식 (III-1) 내지 (III-15)에 대해 주어진 정의를 가지며, 추가 기호는 다음과 같이 정의된다:
q 는 0 또는 1이며, 여기서 q = 0 은 Y2 기가 부재함을 의미한다;
Y2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 결합, N(Ar'), N(R), P(Ar'), P(R), P(=O)Ar', P(=O)R, P(=S)Ar', P(=S)R, B(Ar'), B(R), Al(Ar'), Al(R), Ga(Ar'), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, C=NR, C=NAr', C=C(R)2, O, S, Se, S=O, 또는 SO2, 바람직하게 결합, N(Ar'), N(R), B(Ar'), B(R), P(=O)R, P(=O)Ar', C=O, C(R)2, Si(R)2, O, S, Se, S=O, 또는 SO2, 보다 바람직하게 C(R)2, Si(R)2, O, S, N(Ar') 또는 B(Ar') 이고, 여기서 기호 R 및 Ar'은 위에, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 갖는다.
여기서 식 (IIIa-2), (IIIa-3), (IIIa-4), (IIIa-5), (IIIa-7), (IIIa-8), (IIIa-10), (IIIb-2), (IIIb-3), (IIIb-4), (IIIb-5), (IIIb-7), (IIIb-8), (IIIb-10), (IIId-2), (IIId-3), (IIId-4), (IIId-5), (IIId-7), (IIId-8) 및 (IIId-10)의 구조/화합물이 바람직하다.
바람직하게는, 식 (I), (II-1) 내지 (II-4), (IIa-1) 내지 (IId-4), (III-1) 내지 (III-15) 및/또는 (IIIa-1) 내지 (IIId-15) 에서, 4개 이하, 바람직하게는 2개 이하의, X1, X2, X3, X4, X5, X6 및 X7 은 N 이며; 보다 바람직하게는, 모든 X1, X2, X3, X4, X5, X6 및 X7 기는 CR, CRa, CRb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 이거나 또는, X1, X5 및 X6 기의 경우에, X1, X5 및 X6 기가 결합을 통해 고리 시스템을 형성하면 C 인 경우일 수도 있다.
실시예들에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 화합물을 제조하기 위한 일부 방법은 혼합물을 제공하며, 이는 일반적으로 넓어진 방출 스펙트럼에 이르므로 바람직하지 않다. 그러한 이유로, 이들 혼합물을 분리하는 것이 적절할 수도 있다. 좁은 방출 스펙트럼의 장점은 실시예에 나타낸 바처럼 적절한 치환에 의해 달성될 수 있다. 이 경우, 특히 위치 X4 또는 X5 에서의 치환이 적절하다. 또한, 이러한 장점은 이 위치에서의 X4 또는 X5 가 N 이라는 점에서 달성될 수 있다.
바람직하게, X4 기가 N 이거나 또는 X4 기가 Rd 이고 Rd 는 H 또는 D 를 나타내지 않으며, 바람직하게는 1 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (여기서 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R1C=CR1, C≡C, Si(R1)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기인 경우일 수도 있다. 바람직하게는 또한, X4 기는 N 인 경우일 수도 있다.
또한, 적어도 하나의 X5 기가 N 이거나 또는 적어도 하나의 X5 기가 Re 이고 Re 는 H 또는 D 를 나타내지 않으며, 바람직하게는 1 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (여기서 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R1C=CR1, C≡C, Si(R1)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기인 경우일 수도 있다. 바람직하게는, N 또는 CRe 이고 Re 가 H 또는 D 를 나타내지 않는 X5 기는 Z2 기에 대해 오르토 위치에 있다. 바람직하게는 또한, X5 기가 N 이며, 여기서 N 인 X5 기가 바람직하게 Z2 기에 대해 오트로 위치에 있는 경우일 수도 있다.
추가의 바람직한 실시형태에서, 본 발명의 화합물이 식 (IV-1) 내지 (IV-28) 의 구조를 포함하는 경우일 수도 있고, 여기서 본 발명의 화합물은 보다 바람직하게는 식 (IV-1) 내지 (IV-28) 의 화합물로부터 선택될 수도 있다:
식 중 기호 Z1, Z2, Y, Ra, Rb 및 Rc 는 위에, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 Z3, Rd, Re 및 Rf 은 위에, 특히 식 (II-1) 내지 (II-4) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 Rg 는 위에, 특히 식 (IIa-1) 내지 (IId-4) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 Y1 및 Y3 는 위에, 특히 식 (III-1) 내지 (III-15)에 대해 주어진 정의를 가지며, 추가 기호는 다음과 같이 정의된다:
m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
n 은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
j 는 0, 1 또는 2, 바람직하게는 0 또는 1 이다;
k 는 0 또는 1 이다.
여기서 식 (IV-6), (IV-9), (IV-11), (IV-13), (IV-17), (IV-18), (IV-21) 및 (IV-22) 의 구조/화합물이 바람직하다.
추가의 바람직한 구성에서, 본 발명의 화합물이 식 (IVa-1) 내지 (IVa-28), (IVb-1) 내지 (IVb-28), (IVc-1) 내지 (IVc-28), (IVd-1) 내지 (IVd-28), (IVe-1) 내지 (IVe-28) 및/또는 (IVf-1) 내지 (IVf-28)의 구조를 포함하는 경우일 수도 있고, 여기서 본 발명의 화합물은 보다 바람직하게는 식 (IVa-1) 내지 (IVa-28), (IVb-1) 내지 (IVb-28), (IVc-1) 내지 (IVc-28), (IVd-1) 내지 (IVd-28), (IVe-1) 내지 (IVe-28) 및/또는 (IVf-1) 내지 (IVf-28)의 화합물로부터 선택될 수도 있다,
식 중 기호 Z1, Z2, Y, Ra, Rb 및 Rc 는 위에, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 Z3, Rd, Re 및 Rf 은 위에, 특히 식 (II-1) 내지 (II-4) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 Z4, Ya 및 Rg 는 위에, 특히 식 (IIa-1) 내지 (IId-4) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 Y1 및 Y3 는 위에, 특히 식 (III-1) 내지 (III-15)에 대해 주어진 정의를 가지며, 기호 Y2 는 위에, 특히 식 (IIIa-1) 내지 (IIId-15) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 추가 기호는 다음과 같이 정의된다:
m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
n 은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
j 는 0, 1 또는 2, 바람직하게는 0 또는 1 이다;
k 는 0 또는 1 이다.
여기서 식 (Iva-6), (Iva-9), (Iva-11), (Iva-13), (Iva-17), (Iva-18), (Iva-21), (Iva-22), (Ivb-6), (Ivb-9), (Ivb-11), (Ivb-13), (Ivb-17), (Ivb-18), (Ivb-21), (Ivb-22), (Ivc-6), (Ivc-9), (Ivc-11), (Ivc-13), (Ivc-17), (Ivc-18), (Ivc-21), (Ivc-22), (Ivd-6), (Ivd-9), (Ivd-11), (Ivd-13), (Ivd-17), (Ivd-18), (Ivd-21), (Ivd-22), (Ive-6), (Ive-9), (Ive-11), (Ive-13), (Ive-17), (Ive-18), (Ive-21), (Ive-22), (Ivf-6), (Ivf-9), (Ivf-11), (Ivf-13), (Ivf-17), (Ivf-18), (Ivf-21), (Ivf-22) 의 구조/화합물이 바람직하다.
인덱스 k, j, m 및 n 의 총합은, 특히 식 (IV-1) 내지 (IV-28) 의 구조/화합물에서 및/또는 식 (IVa-1) 내지 (IVa-28), (IVb-1) 내지 (IVb-28), (IVc-1) 내지 (IVc-28), (IVd-1) 내지 (IVd-28), (IVe-1) 내지 (IVe-28) 및/또는 (IVf-1) 내지 (IVf-28) 의 구조/화합물에서, 바람직하게는 10 이하, 바람직하게는 8 이하, 특히 바람직하게는 6 이하 그리고 보다 바람직하게는 4 이하이다.
또한, 식 (II-1) 내지 (II-4), (IIa-1) 내지 (IId-4), (III-1) 내지 (III-15), (IIIa-1) 내지 (IIId-15), (IV-1) 내지 (IV-28), (IVa-1) 내지 (IVf-28) 및/또는 특히 아래에 상세화된 이들 식의 바람직한 실시형태에서, Z1 는 N 이고 Z2, Z3 기 중 적어도 하나, 바람직하게 2개는 B 인 경우일 수도 있다. Z1 이 N 이고 Z2, Z3 기 중 적어도 하나, 바람직하게 2개가 B 인 구성이 유리하게 방출체로서 사용될 수도 있다.
더욱이, 식 (II-1) 내지 (II-4), (IIa-1) 내지 (IId-4), (III-1) 내지 (III-15), (IIIa-1) 내지 (IIId-15), (IV-1) 내지 (IV-28), (IVa-1) 내지 (IVf-28) 및/또는 특히 아래에 상세히 나타낸 이들 식의 바람직한 실시형태에서, Z1 은 N 이고 Z2, Z3 기 중 적어도 하나, 바람직하게 2개는 N 인 경우일 수도 있다.
Z1, Z2, Z3, Z4 기 중 다수, 바람직하게는 전부가 N 인 실시형태는 특히 정공 도체 재료로서 유리하게 사용될 수도 있다.
추가의 구성에서, 식 (II-1) 내지 (II-4), (IIa-1) 내지 (IId-4), (III-1) 내지 (III-15), (IIIa-1) 내지 (IIId-15), (IV-1) 내지 (IV-28), (IVa-1) 내지 (IVf-28) 및/또는 특히 아래에 상세히 나타낸 이들 식의 바람직한 실시형태에서, Z1 은 B 이고 Z2, Z3 기 중 적어도 하나, 바람직하게 2개는 N 인 경우일 수도 있다. Z1 이 B 이고 Z2, Z3 기 중 적어도 하나, 바람직하게 2개가 N 인 구성이 유리하게 방출체로서 사용될 수도 있다.
추가의 구성에서, 식 (II-1) 내지 (II-4), (IIa-1) 내지 (IId-4), (III-1) 내지 (III-15), (IIIa-1) 내지 (IIId-15), (IV-1) 내지 (IV-28), (IVa-1) 내지 (IVf-28) 및/또는 특히 아래에 상세히 나타낸 이들 식의 바람직한 실시형태에서, Z1 은 B 이고 Z2, Z3 기 중 적어도 하나, 바람직하게 2개는 B 인 경우일 수도 있다.
Z1, Z2, Z3, Z4 기 중 다수, 바람직하게는 전부가 B 인 실시형태는 특히 전자 수송 재료로서 유리하게 사용될 수 있다.
추가의 구성에서, 식 (IIa-1) 내지 (IId-4), (IIIa-1) 내지 (IIId-15), (IVa-1) 내지 (IVf-28) 및/또는 특히 아래에 상세히 나타낸 이들 식의 바람직한 실시형태에서, Z1 은 N 이고 Z4 가 B 인 경우일 수도 있다.
더욱이, 식 (IIa-1) 내지 (IId-4), (IIIa-1) 내지 (IIId-15), (IVa-1) 내지 (IVf-28) 및/또는 특히 아래에 상세히 나타낸 이들 식의 바람직한 실시형태에서, Z1 은 N 이고 Z4 가 N 인 경우일 수도 있다.
또한, 식 (IIa-1) 내지 (IId-4), (IIIa-1) 내지 (IIId-15), (IVa-1) 내지 (IVf-28) 및/또는 특히 아래에 상세히 나타낸 이들 식의 바람직한 실시형태에서, Z1 은 B 이고 Z4 가 N 인 경우일 수도 있다.
추가의 구성에서, 식 (IIa-1) 내지 (IId-4), (IIIa-1) 내지 (IIId-15), (IVa-1) 내지 (IVf-28) 및/또는 특히 아래에 상세히 나타낸 이들 식의 바람직한 실시형태에서, Z1 은 B 이고 Z4 가 B 인 경우일 수도 있다.
추가의 실시 형태에서, 식 (IIa-1) 내지 (IId-4), (IIIa-1) 내지 (IIId-15), (IVa-1) 내지 (IVf-28) 및/또는 특히 아래에 상세히 나타낸 이들 식의 바람직한 실시형태에서, Z1 은 N 이고 Ya 가 C=O, S=O 또는 SO2 인 경우일 수도 있다.
추가의 실시 형태에서, 식 (IIa-1) 내지 (IId-4), (IIIa-1) 내지 (IIId-15), (IVa-1) 내지 (IVf-28) 및/또는 특히 아래에 상세히 나타낸 이들 식의 바람직한 실시형태에서, Z1 은 N 이고 Ya 가 O 또는 S 인 경우일 수도 있다.
추가의 구성에서, 식 (IIa-1) 내지 (IId-4), (IIIa-1) 내지 (IIId-15), (IVa-1) 내지 (IVf-28) 및/또는 특히 아래에 상세히 나타낸 이들 식의 바람직한 실시형태에서, Z1 은 B 이고 Ya 가 O 또는 S 인 경우일 수도 있다.
추가의 실시 형태에서, 식 (IIa-1) 내지 (IId-4), (IIIa-1) 내지 (IIId-15), (IVa-1) 내지 (IVf-28) 및/또는 특히 아래에 상세히 나타낸 이들 식의 바람직한 실시형태에서, Z1 은 B 이고 Ya 가 C=O, S=O 또는 SO2 인 경우일 수도 있다.
또한, 식 (III-1) 내지 (III-15), (IIIa-1) 내지 (IIId-15), (IV-1) 내지 (IV-28) 및/또는 특히 아래에 상세히 나타낸 이들 식의 바람직한 실시형태에서, p = 1 그리고 Y1 기가 결합인 경우일 수도 있다.
본 발명의 바람직한 발전예에서, 적어도 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼은 그 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼이 결합하는 추가 기와 함께 융합된 고리를 형성하고, 여기서 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼은 식 (RA-1) 내지 (RA-12)의 적어도 하나의 구조를 형성하는 경우일 수도 있다
식 중 R1 은 위에 제시된 정의를 갖고, 점선 결합은 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼이 결합하는 부착 부위를 나타내며, 추가 기호는 다음 정의를 갖는다:
Y4 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 C(R1)2, (R1)2C-C(R1)2, (R1)C=C(R1), NR1, NAr, O 또는 S, 바람직하게는 C(R1)2, (R1)2C-C(R1)2, (R1)C=C(R1), O 또는 S 이다;
Rh 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, F, 1 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (여기서 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기이고; 동시에, 또한 2 개의 Rh 라디칼이 함께 또는 하나의 Rh 라디칼이 R1 라디칼과 함께 또는 추가 기와 함께 고리 시스템을 형성하는 것이 가능하다;
s 는 0, 1, 2, 3, 4, 5 또는 6, 바람직하게는 0, 1, 2, 3 또는 4, 보다 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고;
t 는 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 또는 8, 바람직하게는 0, 1, 2, 3 또는 4, 보다 바람직하게는 0, 1 또는 2 이고;
v 는 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 또는 9, 바람직하게는 0, 1, 2, 3 또는 4, 보다 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 적어도 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼은 그 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼이 결합하는 추가 기와 함께 융합된 고리를 형성하고, 여기서 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼은 바람직하게 식 (RA-1a) 내지 (RA-4f) 의 구조 중 적어도 하나를 형성한다
식 중 점선 결합은 2 개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼이 결합하는 부착 부위를 나타내고, 인덱스 m은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, 기호 R1, R2, Rh 및 인덱스 s 및 t 는 위에, 특히 식 (I) 및/또는 식 (RA-1) 내지 (RA-12)에 대해 주어진 정의를 갖는다.
또한, 적어도 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼은 식 (RA-1) 내지 (RA-12) 및/또는 (RA-1a) 내지 (RA-4f) 의 구조를 형성하고 융합된 고리를 형성하고, 인접한 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7 기로부터 Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼을 나타내거나, 또는 인접한 탄소 원자에 각각 결합하는 R 라디칼을 나타내고, 여기서 이들 탄소 원자는 바람직하게는 결합을 통해 연결되는 경우일 수도 있다.
추가의 바람직한 구성에서, 적어도 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼은 그 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼이 결합하는 추가 기와 함께 융합된 고리를 형성하고, 여기서 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼은 식 (RB) 의 구조를 형성한다:
식 중 R1 은 위에, 특히 식 (I) 에 대해 제시된 정의를 갖고, 점선 결합은 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼이 결합하는 부착 부위를 나타내고, 인덱스 m은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, Y5 는 C(R1)2, NR1, NAr', BR1, BAr', O 또는 S, 바람직하게 C(R1)2, NAr' 또는 O 이다.
여기서, 적어도 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼은 식 (RB) 의 구조를 형성하고 융합된 고리를 형성하고, 인접한 X1, X2, X3, X4, X5, X6, X7 기로부터 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼을 나타내거나, 또는 인접한 탄소 원자에 각각 결합하는 R 라디칼을 나타내고, 여기서 이들 탄소 원자는 바람직하게는 결합을 통해 서로 연결되는 경우일 수도 있다.
보다 바람직하게는, 화합물은 식 (V-1) 내지 (V-16) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고; 보다 바람직하게는, 화합물은 식 (V-1) 내지 (V-16) 의 화합물로부터 선택되며, 여기서 화합물은 적어도 하나의 융합 고리를 갖는다:
식 중 기호 Z1, Z2, Y, Ra, Rb 및 Rc 는 위에, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 Z3, Rd, Re 및 Rf 은 위에, 특히 식 (II-1) 내지 (II-4) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 Y3 는 위에, 특히 식 (III-1) 내지 (III-15)에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 o 는 부착 부위를 나타내고, 추가 기호는 다음과 같이 정의된다:
m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
n 은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
j 는 0, 1 또는 2, 바람직하게는 0 또는 1 이다;
k 는 0 또는 1 이다.
여기서 식 (V-9), (V-11), (V-13), (V-14), (V-15) 및 (V-16) 의 구조/화합물이 바람직하다.
보다 바람직하게는, 화합물은 식 (VI-1) 내지 (VI-9) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고; 보다 바람직하게는, 화합물은 식 (VI-1) 내지 (VI-9) 의 화합물로부터 선택되며, 여기서 화합물은 적어도 하나의 융합 고리를 갖는다:
식 중 기호 Z1, Z2, Y, Ra, Rb 및 Rc 는 위에, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 Z3, Rd, Re 및 Rf 은 위에, 특히 식 (II-1) 내지 (II-4) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 Y3 는 위에, 특히 식 (III-1) 내지 (III-15) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 o 는 융합된 고리의 부착 부위를 나타내고, 추가 기호는 다음과 같이 정의된다:
m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
n 은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
j 는 0, 1 또는 2, 바람직하게는 0 또는 1 이다.
여기서 식 (VI-4), (VI-5) 및 (VI-8) 의 구조/화합물이 바람직하다.
보다 바람직하게는, 화합물은 식 (VII-1) 내지 (VII-14) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고; 보다 바람직하게는, 화합물은 식 (VII-1) 내지 (VII-14) 의 화합물로부터 선택되며, 여기서 화합물은 적어도 하나의 융합 고리를 갖는다:
식 중 기호 Z1, Z2, Y, Ra, Rb 및 Rc 는 위에, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 Z3, Rd, Re 및 Rf 은 위에, 특히 식 (II-1) 내지 (II-4) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 Y3 는 위에, 특히 식 (III-1) 내지 (III-15)에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 o 는 부착 부위를 나타내고, 추가 기호는 다음과 같이 정의된다:
m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
n 은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
j 는 0, 1 또는 2, 바람직하게는 0 또는 1 이다.
여기서 식 (VII-4), (VII-5) 및 (VII-8) 의 구조/화합물이 바람직하다.
바람직하게, 특히 식 (V-1) 내지 (V-16), (VI-1) 내지 (VI-9) 및/또는 (VII-1) 내지 (VII-14) 에서, 융합된 고리는 적어도 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼 및 그 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼이 결합하는 추가 기에 의해 형성되고, 여기서 적어도 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼은 식 (RA-1) 내지 (RA-12) 및/또는 식 (RB) 의 구조, 바람직하게는 식 (RA-1) 내지 (RA-12) 의 구조를 형성한다.
바람직하게 화합물은 적어도 2개의 융합된 고리를 갖고, 여기서 적어도 하나의 융합된 고리는 식 (RA-1) 내지 (RA-12) 및/또는 (RA-1a) 내지 (RA-4f) 의 구조에 의해 형성되고 추가의 고리는 식 (RA-1) 내지 (RA-12), (RA-1a) 내지 (RA-4f) 또는 (RB) 의 구조에 의해 형성되는 경우일 수도 있다.
특히 식 (V-1) 내지 (V-16), (VI-1) 내지 (VI-9) 및/또는 (VII-1) 내지 (VII-14) 에서, 인덱스 k, j, m 및 n 의 총합은 바람직하게는 0, 1, 2 또는 3이고, 보다 바람직하게는 1 또는 2이다.
또한, 위의 식에 따른 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, R1 및 R2 는 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, R1 및 R2 가 결합하는 고리 시스템의 고리 원자와 융합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하지 않는 경우일 수도 있다. 이것은 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh 및 R1 라디칼에 결합될 수도 있는 가능한 치환기 R1 및 R2 와의 융합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템의 형성을 포함한다.
특히 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, R1 및/또는 R2 로부터 선택될 수도 있는 2개의 라디칼이 서로 고리 시스템을 형성하는 경우, 이 고리 시스템은 단환 또는 다환, 지방족, 헤테로지방족, 방향족 또는 헤테로방향족일 수도 있다. 이 경우, 함께 고리 시스템을 형성하는 라디칼은 인접할 수 있으며, 이는 이들 라디칼이 동일한 탄소 원자에 또는 서로 직접 결합된 탄소 원자에 결합되거나, 또는 서로 더 멀리 떨어져 있을 수 있음을 의미한다. 또한, 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, R1 및/또는 R2 이 제공된 고리 시스템은 또한 결합을 통해 서로 연결될 수도 있으며, 그 결과 이것은 고리 닫힘 (ring closure) 을 초래할 수 있다. 이 경우, 대응하는 결합 부위 각각에는 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh, R1 및/또는 R2 가 제공되는 것이 바람직하다.
바람직한 구성에서, 본 발명의 화합물은 식 (I), (II-1) 내지 (II-4), (IIa-1) 내지 (IId-4), (III-1) 내지 (III-15), (IIIa-1) 내지 (IIId-15), (IV-1) 내지 (IV-28), (IVa-1) 내지 (IVd-28), (V-1) 내지 (V-16), (VI-1) 내지 (VI-9) 및/또는 (VII-1) 내지 (VII-14) 의 구조 중 적어도 하나에 의해 표현될 수 있다. 바람직하게는, 식 (I), (II-1) 내지 (II-4), (IIa-1) 내지 (IId-4), (III-1) 내지 (III-15), (IIIa-1) 내지 (IIId-15), (IV-1) 내지 (IV-28), (IVa-1) 내지 (IVd-28), (V-1) 내지 (V-16), (VI-1) 내지 (VI-9) 및/또는 (VII-1) 내지 (VII-14) 의 구조를 바람직하게 포함하는 본 발명의 화합물은 분자량이 5000 g/mol 이하, 바람직하게는 4000 g/mol 이하, 특히 바람직하게는 3000 g/mol 이하, 특히 바람직하게는 2000 g/mol 이하이고, 가장 바람직하게는 1200 g/mol 이하이다.
또한, 본 발명의 바람직한 화합물들의 특징은 이것들이 승화성이라는 것이다. 이들 화합물은 일반적으로 약 1200 g/mol 미만의 몰 질량을 갖는다.
바람직한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Ar' 및/또는 Ar 은 페닐, 바이페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라- 바이페닐, 테르페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 플루오렌, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 스피로바이플루오렌, 나프탈렌, 특히 1- 또는 2- 결합된 나프탈렌, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 1, 2, 3, 4 또는 9 위치를 통해 연결될 수도 있는 카르바졸, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 디벤조푸란, 또는 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 페난트렌, 또는 트리페닐렌으로부터 선택되고, 이들의 각각은 하나 이상의 R1 또는 R 라디칼에 의해 치환될 수도 있다.
바람직하게는, 적어도 하나의 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기, 또는 하기 식 Ar-1 내지 Ar-75 의 기로부터 선택되는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택되고, 바람직하게 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 는, 바람직하게 식 (RA-1) 내지 (RA-12) 또는 (RB) 의 구조의, 융합된 고리를 형성하거나, 또는 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D 또는 하기 식 Ar-1 내지 Ar-75 의 기로부터 선택되는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택되거나, 및/또는 Ar' 기는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 하기 식 Ar-1 내지 Ar-75 의 기로부터 선택되는 경우일 수도 있다:
식 중, R1 은 위에 정의된 바와 같고, 점선 결합은 부착 부위를 나타내고, 또한:
Ar1 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있는 2가 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고;
A 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, C(R1)2, NR1, O 또는 S 이고;
p 는 0 또는 1 이고, 여기서 p = 0 은 Ar1 기가 부재하는 것 그리고 대응하는 방향족 또는 헤테로방향족 기가 대응하는 라디칼에 직접 결합되는 것을 의미하고;
q 은 0 또는 1 이고, 여기서 q = 0 는, A 기가 이 위치에 결합되지 않고, 그 대신 R1 라디칼이 대응하는 탄소 원자에 결합됨을 의미한다.
Ar 에 대한 위에 언급된 기가 2개 이상의 A 기를 갖는 경우, 이들에 대한 가능한 선택은 A 의 정의로부터의 모든 조합들을 포함한다. 그 경우 바람직한 실시형태는 하나의 A 기가 NR1 이고 다른 하나의 A 기가 C(R1)2 이거나 또는 두 A 기 모두가 NR1 이거나 또는 두 A 기가 모두 O 인 것들이다.
A 가 NR1 인 경우, 질소 원자에 결합된 치환기 R1 은 바람직하게는, 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자들을 갖고 또한 하나 이상의 R2 라디칼들에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 특히 바람직한 실시형태에서, 이 R1 치환기는 각각의 경우 동일하거나 상이하며 6 내지 24개의 방향족 고리 원자, 특히 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 이는 융합된 아릴기를 갖지 않고, 2 개 이상의 방향족 또는 헤테로방향족 6원 고리 기들이 서로 직접 융합되는 융합된 헤테로아릴 기를 갖지 않으며, 또한, 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있다. Ar-1 내지 Ar-11에 대해 위에 열거된 바와 같은 결합 패턴을 갖는 페닐, 바이페닐, 테르페닐 및 쿼터페닐이 바람직하고, 여기서 이들 구조들은, R1 에 의해서 보다는, 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는다. Ar-47 내지 Ar-50, Ar-57 및 Ar-58 에 대해 위에 열거된 트리아진, 피리미딘 및 퀴나졸린이 또한 바람직하고, 여기서 이들 구조는, R1 에 의해서 보다는, 하나 이상의 R2 라디칼에 의해서 치환될 수도 있다.
바람직한 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 및 Rh 에 대한 설명이 뒤따른다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, CN, NO2, Si(R1)3, B(OR1)2, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (상기 알킬 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 본 발명의 추가 바람직한 실시형태에서, 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (상기 알킬 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
또한, 적어도 하나의 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 및 N(Ar')2 기로 이루어진 군으로부터 선택되는 경우일 수도 있다. 본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, 치환기 R 은 식들 (RA-1) 내지 (RA-12), (RA-1a) 내지 (RA-4f) 또는 (RB) 의 구조들에 따른 고리를 형성하거나, 또는 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 N(Ar')2 기로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 보다 바람직하게는, 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며 H, 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며, 바람직하게는 6 내지 18 개 방향족 고리 원자를 가지며, 더 바람직하게는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택되며, 이들 각각은 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, Rh 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (상기 알킬 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, Rh 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (상기 알킬 기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 보다 바람직하게, Rh 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 1 내지 5 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 5 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (상기 알킬 기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자, 보다 바람직하게는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, Rh 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 1 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 환형 알킬기 (상기 알킬기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있음), 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 동시에, 2 개의 Rh 라디칼은 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있다. 보다 바람직하게, Rh 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 1, 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기 (상기 알킬기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않음), 또는 6 내지 12 개의 방향족 고리 원자, 특히 6 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 바람직하게 비방향족 R2 라디칼로 치환될 수도 있지만 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 동시에, 2 개의 Rh 라디칼은 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있다. 가장 바람직하게, Rh 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며 1, 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 또는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬기로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, Rh 는 메틸기이거나 또는 페닐기이고, 여기서 2개의 페닐기는 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있으며, 페닐기보다 메틸기가 바람직하다.
R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg, Rh 또는 Ar 또는 Ar' 를 위한 바람직한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 치환기는 페닐, 바이페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라- 바이페닐, 테르페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 플루오렌, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 스피로바이플루오렌, 나프탈렌, 특히 1- 또는 2- 결합된 나프탈렌, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 카르바졸, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 디벤조푸란, 또는 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 페난트렌, 또는 트리페닐렌으로부터 선택되고, 이들의 각각은 하나 이상의 R, R1 또는 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있다. 위에 열거된 구조 Ar-1 내지 Ar-75 가 특히 바람직하며, 식 (Ar-1), (Ar-2), (Ar-3), (Ar-12), (Ar-13), (Ar-14), (Ar-15), (Ar-16), (Ar-69), (Ar-70), (Ar-75) 의 구조가 바람직하고, 식 (Ar-1), (Ar-2), (Ar-3), (Ar-12), (Ar-13), (Ar-14), (Ar-15), (Ar-16) 의 구조가 특히 바람직하다. 구조 Ar-1 내지 Ar-75와 관련하여, 이들은 치환기 R1 을 갖는 것으로 표시되어 있다는 것이 언급되어야 한다. 고리 시스템 Ar의 경우, 이들 치환기 R1 은 R로 대체되어야 하며, Rh 의 경우, 이들 치환기 R1 은 R2로 대체되어야 한다.
추가의 적합한 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 기는 식 -Ar4-N(Ar2)(Ar3) 의 기들이고 여기서 Ar2, Ar3 및 Ar4 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 여기서 Ar2, Ar3 및 Ar4 에서의 방향족 고리 원자들의 총수는 60 이하, 그리고 바람직하게는 40 이하이다.
이 경우, Ar4 및 Ar2 는 또한 서로 결합될 수도 있거나 및/또는 Ar2 및 Ar3 은 C(R1)2, NR1, O 및 S 로부터 선택된 기에 의해 서로 결합될 수도 있다. 바람직하게는, Ar4 및 Ar2 기가 서로 그리고 Ar2 및 Ar3 가 서로 질소 원자에의 결합에 대한 각각의 오르토 위치에서 연결된다. 본 발명의 추가의 실시형태에서, Ar2, Ar3 및 Ar4 기들 중 어느 것도 서로 결합되지 않는다.
바람직하게는, Ar4 는, 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 12 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 보다 바람직하게는, Ar4 는 오르토-, 메타- 또는 파라-페닐렌 또는 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐로 이루어진 군으로부터 선택되고, 이들의 각각은 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는다. 가장 바람직하게는, Ar4 는 비치환된 페닐렌 기이다.
바람직하게는, Ar2 및 Ar3 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 특히 바람직한 Ar2 및 Ar3 기는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 벤젠, 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오레닐, 1- 또는 2-나프틸, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 1-, 2-, 3- 또는 4-카르바졸, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸란, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 2-, 3- 또는 4-피리딘, 2-, 4- 또는 5-피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 페난트렌 또는 트리페닐렌 (이들의 각각은 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있음) 으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, Ar2 및 Ar3 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, 벤젠, 바이페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 플루오렌, 특히 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오렌, 또는 스피로바이플루오렌, 특히 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오렌으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, CN, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (여기서 알킬 기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, R1 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, 1 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는, 특히 1, 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기, 또는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (상기 알킬 기는 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수도 있으나, 바람직하게는 치환되지 않음), 또는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우 하나 이상의 R5 라디칼로 치환될 수도 있지만 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기 또는 6 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 아릴 기 (이는 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기로 치환될 수도 있지만 바람직하게는 치환되지 않음) 이다.
동시에, 진공 증발에 의해 처리되는 본 발명의 화합물에서, 알킬 기는 바람직하게는 5 개 이하의 탄소 원자, 더욱 바람직하게는 4 개 이하의 탄소 원자, 가장 바람직하게는 1 개 이하의 탄소 원자를 갖는다. 용액으로부터 처리되는 화합물에 대해, 적합한 화합물은 또한 10 개 이하의 탄소 원자를 갖는, 알킬 기, 특히, 분지형 알킬 기에 의해 치환된 것들 또는 올리고아릴렌 기, 예를 들어 오르토-, 메타-, 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐 또는 쿼터페닐 기에 의해 치환된 것들이다.
또한 Y 기가 N(Ar), N(R), B(Ar) 또는 B(R)을 나타내는 경우, 질소 또는 붕소 원자에 결합된 Ar 또는 R 라디칼은 X3 기에 결합된 질소 또는 붕소 원자를 갖는 헤테로방향족 5원 고리를 구성하지 않는다.
게다가, Y 기가 N(Ar), N(R), B(Ar) 또는 B(R)을 나타내는 경우, 질소 또는 붕소 원자에 결합된 Ar 또는 R 라디칼은 질소 또는 붕소 원자를 갖는 헤테로방향족 5원 고리를 구성하지 않는다.
또한, 화합물은 식 (I), (IIa) 내지 (IId), (III-1) 내지 (III-15), (IIIa-1) 내지 (IIId-15), (IV-1) 내지 (IV-28), (IVa-1) 내지 (IVf-28), (V-1) 내지 (V-16), (VI-1) 내지 (VI-9) 및/또는 (VII-1) 내지 (VII-14) 중 정확히 2개 또는 정확히 3개의 구조를 포함하는 경우일 수도 있다.
바람직한 구성에서, 화합물은 식 (D-1), (D-2) 및 (D-3) 의 화합물로부터 선택된다:
식 중, L1 기는 연결 기, 바람직하게는 결합 또는 5 내지 40 개, 바람직하게는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 사용된 추가의 기호들 및 인덱스들은 위에, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 갖는다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시 형태에서, L1 은 결합이거나 또는 5 내지 14 개의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 바람직하게는 6 내지 12개의 탄소 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 고리 시스템이며, 여기서 R1 은 위에, 특히 식 (I) 에 대해, 주어진 정의를 가질 수도 있다. 보다 바람직하게는, L1 은 6 내지 10 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템 또는 6 내지 13 개의 헤테로방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템이며, 이들의 각각은 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않고, 여기서 R2 는 특히 식 (I) 에 대해, 위에 주어진 정의를 가질 수도 있다.
추가로 바람직하게는, 특히 식 (D3) 에서 나타낸 기호 L1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 결합이거나 또는 5 내지 24 개의 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 13 개의 고리 원자, 보다 바람직하게는 6 내지 10 개의 고리 원자를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴 라디칼이며, 그 결과 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템의 방향족 또는 헤테로방향족 기는 추가 기의 각각의 원자에 직접, 즉 방향족 또는 헤테로방향족기의 원자를 통해 결합한다.
추가로, 식 (D3) 에 나타낸 L1 기는 2 개 이하의 융합된 방향족 및/또는 헤테로방향족 6 원 고리를 갖는 방향족 고리 시스템을 포함하고, 바람직하게는, 임의의 융합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 포함하지 않는 경우일 수도 있다. 따라서, 나프틸 구조가 안트라센 구조보다 바람직하다. 또한, 플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 디벤조푸라닐 및/또는 디벤조티에닐 구조가 나프틸 구조보다 바람직하다.
융합을 갖지 않는 구조, 예를 들어 페닐, 바이페닐, 테르페닐 및/또는 쿼터페닐 구조가 특히 바람직하다.
적합한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 L1 의 예들은 오르토-, 메타- 또는 파라-페닐렌, 오르토-, 메타- 또는 파라- 바이페닐렌, 테르페닐렌, 특히 분지형 테르페닐렌, 쿼터페닐렌, 특히 분지형 쿼터페닐렌, 플루오레닐렌, 스피로바이플루오레닐렌, 디벤조푸라닐렌, 디벤조티에닐렌 및 카르바졸릴렌 (이들의 각각은 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는다) 으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
위에 언급된 바람직한 실시형태들은 청구항 1에 정의된 제한들 내에서 원하는 대로 서로 조합될 수도 있다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, 위에 언급된 바람직한 것들은 동시에 발생한다.
위에 상세히 나타낸 실시형태에 따른 바람직한 화합물의 예는 아래 표에 나타낸 화합물이다:
본 발명의 화합물의 바람직한 실시형태는 실시예들에서 더 상세하게 언급되어 있으며, 이들 화합물은 본 발명의 모든 목적을 위해 추가 화합물과 조합하여 또는 단독으로 사용될 수 있다.
청구항 1 에 명시된 조건이 충족되는 한, 위에 언급된 바람직한 실시형태들이 원하는 바에 따라 서로 조합될 수 있다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에 있어서, 위에 언급된 바람직한 실시형태는 동시에 적용된다.
본 발명의 화합물은 원칙적으로 다양한 방법에 의해 조제할 수 있다. 그러나, 후술하는 방법이 특히 적합하다는 것을 알아냈다.
따라서, 본 발명은 또한 본 발명의 화합물의 제조 방법을 제공하며, 여기서 Z2 기 중 적어도 하나 또는 그 Z2 기 중 하나의 전구체를 갖는 베이스 골격이 합성되고, Z1 기는 금속화 반응, 친핵성 방향족 치환 반응 또는 커플링 반응에 의해 도입된다.
Z2 기를 갖는 베이스 골격을 포함하는 적합한 화합물들은 많은 경우에 상업적으로 이용 가능하고, 실시예에 상세히 나타낸 출발 화합물은 공지된 방법에 의해 수득가능하므로, 그에 대한 참조가 이루어진다.
이들 화합물은 알려진 커플링 반응에 의해 추가 화합물과 반응될 수 있고, 이 목적을 위한 필요한 조건은 당업자에게 알려져 있으며, 실시예에서의 상세한 설명은 이들 반응을 수행함에 있어서 당업자에게 뒷받침을 제공한다.
모두 C-C 결합 형성 및/또는 C-N 결합 형성으로 이어지는 특히 적합하고 바람직한 커플링 반응은 BUCHWALD, SUZUKI, YAMAMOTO, STILLE, HECK, NEGISHI, SONOGASHIRA 및 HIYAMA 에 따른 반응이다. 이들 반응은 널리 알려져 있으며, 실시예들은 당업자에게 추가 지침을 제공할 것이다.
위에 상술된 제조 방법의 원리는 원칙적으로 유사한 화합물에 대한 문헌으로부터 알려져 있으며, 당업자에 의해 본 발명의 화합물의 제조를 위해 용이하게 적합화될 수 있다. 추가의 정보는 실시예에서 찾아볼 수 있다.
이러한 방법에 이어서, 필요한 경우 정제, 예를 들어 재결정 또는 승화에 의해, 본 발명의 화합물을 고순도, 바람직하게는 99% 초과 (1H NMR 및/또는 HPLC 를 이용하여 결정됨) 로 수득할 수 있다.
본 발명의 화합물은 또한 폴리머와 혼합될 수도 있다. 마찬가지로, 이들 화합물을 공유결합에 의해 폴리머에 혼입시킬 수 있다. 이것은 특히 브롬, 요오드, 염소, 보론 산 또는 보로닉 에스테르와 같은 반응성 이탈 기에 의해 또는 올레핀 또는 옥세탄과 같은 반응성 중합성 기에 의해 치환된 화합물로 가능하다. 이들은 대응하는 올리고머, 덴드리머 또는 폴리머의 제조용 모노머로서 이용될 수도 있다. 올리고머화 또는 중합은 바람직하게는, 할로겐 작용기 또는 보론산 작용기를 통해, 또는 중합가능 기를 통해 이루어진다. 추가적으로, 이러한 종류의 기를 통해 폴리머를 가교시킬 수 있다. 본 발명의 화합물 및 폴리머는 가교 또는 비가교된 층의 형태로 사용될 수 있다.
따라서, 본 발명은 또한 식 (I) 및 이 식의 바람직한 실시형태의 위에서 상세히 나타낸 구조들 중 하나 이상 또는 본 발명의 화합물을 함유하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를 제공하고, 여기서 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머에 대한, 본 발명의 화합물의 또는 식 (I) 및 그 식의 바람직한 실시형태의 구조들의 하나 이상의 결합들이 존재한다. 따라서, 화합물의 또는 식 (I) 및 이 식의 바람직한 실시형태의 구조의 연결에 따라, 이들은 올리고머 또는 폴리머의 측쇄를 형성하거나 또는 주쇄 내에 결합된다. 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머는 공액, 부분 공액 또는 비공액될 수도 있다. 올리고머 또는 폴리머는 선형, 분지형 또는 수지형 (dendritic) 일 수 있다. 올리고머, 덴드리머 및 폴리머 중 본 발명의 화합물의 반복 단위에 대하여, 동일한 바람직한 사항이 위에 기재된 바와 같이 적용된다.
올리고머 또는 폴리머의 제조를 위해, 본 발명의 모노머는 추가 모노머와 동종 중합 (homopolymerize) 또는 공중합 (copolymerize) 된다. 식 (I) 또는 위와 아래에서 언급되는 바람직한 실시형태들의 단위들은 0.01 내지 99.9 mol%, 바람직하게는 5 내지 90 mol%, 보다 바람직하게는 20 내지 80 mol% 의 정도로 존재하는 코폴리머가 바람직하다. 폴리머 기본 골격을 형성하는 적합하고 바람직한 코모노머는 플루오렌 (예를 들어, EP 842208 또는 WO 2000/022026 에 따름), 스피로바이플루오렌 (예를 들어, EP 707020, EP 894107 또는 WO 2006/061181 에 따름), 파라페닐렌 (예를 들어, WO 92/18552 에 따름), 카르바졸 (예를 들어, WO 2004/070772 또는 WO 2004/113468 에 따름), 티오펜 (예를 들어, EP 1028136 에 따름), 디히드로페난트렌 (예를 들어, WO 2005/014689 에 따름), 시스- 및 트랜스-인데노플루오렌 (예를 들어 WO 2004/041901 또는 WO 2004/113412 에 따름), 케톤 (예를 들어, WO 2005/040302 에 따름), 페난트렌 (예를 들어, WO 2005/104264 또는 WO 2007/017066 에 따름) 또는 그렇지 않으면 복수의 이들 단위로부터 선택된다. 폴리머, 올리고머 및 덴드리머는 여전히 추가 단위, 예를 들어 정공 수송 단위, 특히 트리아릴아민에 기초한 것들 및/또는 전자 수송 단위를 함유할 수도 있다.
또한 높은 유리 전이 온도를 특징으로 하는 본 발명의 화합물이 특히 흥미롭다. 이와 관련하여, 유리 전이 온도가, DIN 51005 (2005-08 버전) 에 따라 결정되는, 적어도 70 ℃, 더욱 바람직하게는 적어도 110 ℃, 더욱 더 바람직하게는 적어도 125℃ 이고 특히 바람직하게는 적어도 150℃ 인 위에서 그리고 이하에서 언급되는, 식 (I) 또는 바람직한 실시형태들의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물이 특히 바람직하다.
예를 들어 스핀-코팅 또는 인쇄 방법에 의해 액체 상으로부터 본 발명의 화합물의 처리를 위해, 본 발명의 화합물의 포뮬레이션이 필요하다. 이들 포뮬레이션은 예를 들어, 용액, 분산액 또는 유화액일 수도 있다. 이러한 목적을 위해, 둘 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 적합하고 바람직한 용매는 예를 들어, 톨루엔, 아니솔, o-, m- 또는 p-자일렌, 메틸 벤조에이트, 메시틸렌, 테트랄린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산, 페녹시톨루엔, 특히 3-페녹시톨루엔, (-)-펜촌, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸벤조티아졸, 2-페녹시에탄올, 2-피롤리디논, 3-메틸아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 3,5-디메틸아니솔, 아세토페논, α-테르피네올, 벤조티아졸, 부틸 벤조에이트, 큐멘, 시클로헥산올, 시클로헥사논, 시클로헥실벤젠, 데칼린, 도데실벤젠, 에틸 벤조에이트, 인단, NMP, p-시멘, 페네톨, 1,4-디이소프로필벤젠, 디벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 2-이소프로필나프탈렌, 펜틸벤젠, 헥실벤젠, 헵틸벤젠, 옥틸벤젠, 1,1-비스(3,4-디메틸페닐)에탄, 2-메틸바이페닐, 3-메틸바이페닐, 1-메틸나프탈렌, 1-에틸나프탈렌, 에틸 옥타노에이트, 디에틸 세바케이트, 옥틸 옥타노에이트, 헵틸벤젠, 멘틸 이소발레레이트, 시클로헥실 헥사노에이트 또는 이들 용매의 혼합물이다.
따라서, 본 발명은 또한 적어도 하나의 본 발명의 화합물 및 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는 포뮬레이션 또는 조성물을 제공한다. 추가 화합물은 예를 들어, 용매, 특히 위에 언급된 용매 중 하나 또는 이들 용매의 혼합물일 수 있다. 추가 화합물이 용매를 포함하는 경우, 이 혼합물은 본원에서 포뮬레이션으로 지칭된다. 추가 화합물은 대안적으로, 마찬가지로 전자 디바이스에서 사용되는 적어도 하나의 추가의 유기 또는 무기 화합물, 예를 들어 방출체 및/또는 매트릭스 재료일 수도 있고, 여기서 이들 화합물은 본 발명의 화합물과 상이하다. 적합한 방출체 및 매트릭스 재료는 유기 전계 발광 디바이스와 관련하여 뒤에 열거된다. 추가 화합물은 또한 중합체성일 수도 있다.
따라서 본 발명은 여전히 또한, 본 발명의 화합물 및 적어도 하나의 추가 유기 기능성 재료를 포함하는 조성물을 제공한다. 기능성 재료는 일반적으로 애노드와 캐소드 사이에 도입되는 유기 또는 무기 재료이다. 바람직하게는, 유기 기능성 재료는 형광 방출체, 인광 방출체, TADF (thermally activated delayed fluorescence) 를 나타내는 방출체, 호스트 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 정공 도체 재료, 정공 주입 재료, 전자 차단 재료, 정공 차단 재료, 와이드 밴드갭 재료, 및 n-도펀트로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명은 또한, 전자 디바이스에서, 특히 유기 전계 발광 디바이스에서, 바람직하게 방출체로서, 보다 바람직하게는 녹색, 적색 또는 청색 방출체로서 본 발명의 화합물의 용도를 제공한다. 이 경우, 본 발명의 화합물은 바람직하게는 형광 특성을 나타내므로 우선적으로 형광 방출체를 제공한다. 또한, 본 발명의 화합물은 호스트 재료, 전자 수송 재료 및/또는 정공 도체 재료로서 사용될 수도 있다. 여기서 Z1, Z2, Z3 및 임의의 Z4 기 중 다수, 바람직하게는 전부가 N 인 본 발명의 화합물을 유리하게 정공 도체 재료로서 사용하는 것이 특히 가능하다. 또한, Z1, Z2, Z3 및 임의의 Z4 기 중 다수, 바람직하게는 전부가 B 인 본 발명의 화합물을 유리하게 전자 수송 재료로서 사용하는 것이 특히 가능하다.
본 발명은 여전히 또한 본 발명의 적어도 하나의 화합물을 포함하는 전자 디바이스를 제공한다. 전자 디바이스는 본 발명의 맥락에서 적어도 하나의 유기 화합물을 포함하는 적어도 하나의 층을 포함하는 디바이스이다. 이 컴포넌트는 또한 무기 재료 또는 그렇지 않으면 무기 재료로부터 전체적으로 형성된 층을 포함할 수도 있다.
전자 디바이스는 바람직하게는 하기로 이루어지는 군으로부터 선택되며, 보다 바람직하게 전자 디바이스는 유기 전계 발광 디바이스(OLED, sOLED, PLED, LEC 등), 바람직하게는 유기 발광 다이오드(OLED), 소분자 기반 유기 발광 다이오드(sOLED), 폴리머 기반 유기 발광 다이오드(PLED), 발광 전기화학 셀(LEC), 유기 레이저 다이오드(O-레이저), 유기 플라즈몬 방출 디바이스 (D. M. Koller et al., Nature Photonics 2008, 1-4); 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 전계 효과 트랜지스터(O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 태양 셀(O-SC), 유기 광학 검출기, 유기 광수용체, 유기 필드 켄치 디바이스(O-FQD) 및 유기 전기 센서로 이루어지는 군으로부터 선택되며, 바람직하게는 유기 전계 발광 디바이스(OLED, sOLED, PLED, LEC 등), 보다 바람직하게는 유기 발광 다이오드(OLED), 소분자 기반 유기 발광 다이오드(sOLED), 폴리머 기반 유기 발광 다이오드(PLED), 특히 인광 OLED이다.
유기 전계 발광 디바이스는 캐소드, 애노드 및 적어도 하나의 방출층을 포함한다. 이들 층 외에도, 이것은 또한, 추가 층, 예를 들어 각 경우에 하나 이상의 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 차단 층, 전자 수송층, 전자 주입층, 여기자 차단 층, 전자 차단 층 및/또는 전하 생성 층을 포함할 수도 있다. 마찬가지로 여기자 차단 기능을 갖는 중간층이, 예를 들어, 2 개의 방출 층 사이에 도입되는 것이 가능하다. 그러나, 이러한 층들 중 모든 것이 반드시 존재할 필요는 없다는 것이 언급되어야 한다. 이 경우에, 유기 전계 발광 디바이스는 하나의 방출층을 포함할 수 있거나, 또는 복수의 방출층을 포함할 수 있다. 복수의 방출 층들이 존재하는 경우, 이들은, 전체 결과가 백색 방출이 되도록 전체적으로 380 nm와 750 nm 사이의 여러 방출 최대치들을 갖는 것이 바람직하며; 환언하면, 형광 또는 인광을 나타낼 수도 있는 다양한 방출 화합물들이 방출 층들에 사용된다. 3개의 방출 층을 갖는 시스템이 특히 바람직하며, 여기서 3개의 층은 청색, 녹색 및 오렌지색 또는 적색 방출을 나타낸다. 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 또한, 특히 백색-방출 OLED 를 위한, 탠덤 전계 발광 디바이스일 수도 있다.
본 발명의 화합물은 정확한 구조에 따라, 상이한 층에서 사용될 수도 있다. 방출체, 바람직하게는 적색, 녹색 또는 청색 방출체로서의 방출층에 식 (I) 의 또는 위에 상세화된 바람직한 실시형태의 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스가 바람직하다.
본 발명의 화합물이 방출 층에서 방출체로서 사용되는 경우, 그 자체로 알려진 적합한 매트릭스 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 화합물 및 매트릭스 재료의 바람직한 혼합물은 방출체 및 매트릭스 재료의 전체 혼합물을 기준으로, 99 부피% 내지 1 부피%, 바람직하게는 98 부피% 내지 10 부피%, 더욱 바람직하게는 97 부피% 내지 60 부피%, 그리고 특히 95 부피% 내지 80 부피% 로 매트릭스 재료를 함유한다. 대응하여, 혼합물은 방출체 및 매트릭스 재료의 총 혼합물을 기준으로, 1 부피% 내지 99 부피%, 바람직하게는 2 부피% 내지 90 부피%, 더욱 바람직하게는 3 부피% 내지 40 부피%, 특히 5 부피% 내지 20 부피% 로 방출체를 함유한다.
본 발명의 화합물과 조합으로 사용될 수 있는 적합한 매트릭스 재료는, 예를 들어 WO 2004/013080, WO 2004/093207, WO 2006/005627 또는 WO 2010/006680 에 따른 방향족 케톤, 방향족 포스핀 옥사이드 또는 방향족 술폭시드 또는 술폰, 트리아릴아민, 카르바졸 유도체, 예를 들어 CBP (N,N-비스카르바졸릴바이페닐) 또는 WO 2005/039246, US 2005/0069729, JP 2004/288381, EP 1205527, WO 2008/086851 또는 WO 2013/041176 에 기재된 카르바졸 유도체, 예를 들어 WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따른 인돌로카르바졸 유도체, 예를 들어 WO 2010/136109, WO 2011/000455, WO 2013/041176 또는 WO 2013/056776 에 따른 인데노카르바졸 유도체, 예를 들어 EP 1617710, EP 1617711, EP 1731584, JP 2005/347160 에 따른 아자카르바졸 유도체, 예를 들어 WO 2007/137725 에 따른 쌍극성 매트릭스 재료, 예를 들어 WO 2005/111172 에 따른 실란, 예를 들어 WO 2006/117052 에 따른 아자보롤 또는 보로닉 에스테르 (boronic ester), 예를 들어 WO 2007/063754, WO 2008/056746, WO 2010/015306, WO 2011/057706, WO 2011/060859 또는 WO 2011/060877 에 따른 트리아진 유도체, 예를 들어 EP 652273 또는 WO 2009/062578 에 따른 아연 착물, 예를 들어 WO 2010/054729 에 따른 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체, 예를 들어 WO 2010/054730 에 따른 디아자포스폴 유도체, 예를 들어 WO 2011/042107, WO 2011/060867, WO 2011/088877 및 WO 2012/143080 에 따른 브릿징된 카르바졸 유도체, 예를 들어, WO 2012/048781에 따른 트리페닐렌 유도체, 예를 들어 WO 2015/169412, WO 2016/015810, WO 2016/023608, WO 2017/148564 또는 WO 2017/148565 에 따른 디벤조푸란 유도체, 또는 예를 들어, JP 3139321 B2 에 따른 비스카르바졸이다.
또한, 사용된 코-호스트는, 예를 들어 WO 2010/108579 에 기술된 바와 같이, 있다손 치더라도, 전하 운반에 현저한 정도로 관여하지 않는 화합물일 수도 있다. 큰 밴드 갭을 갖고 방출 층의 전하 수송에서, 있다손 치더라도, 그 자체가 적어도 현저한 정도로는 관여하지 않는 화합물이 코-매트릭스 재료로서 본 발명의 화합물과 조합하여 특히 적합하다. 이러한 재료는 바람직하게는 순수한 탄화수소이다. 이러한 재료의 예들은, 예를 들어, WO 2009/124627 또는 WO 2010/006680 에서 찾아볼 수 있다.
바람직한 구성에서, 방출체로서 사용되는 본 발명의 화합물은 바람직하게는 하나 이상의 인광 재료 (삼중항 방출체) 및/또는 TADF (thermally activated delayed fluorescence) 호스트 재료인 화합물과 조합하여 사용된다. 여기서 초형광(hyperfluorescence) 및/또는 초인광(hyperphosphorescence) 시스템을 형성하는 것이 바람직하다.
WO 2015/091716 A1 및 WO 2016/193243 A1 는 방출 층에 인광 화합물과 형광 방출체 양자 모두를 함유하는 OLED 를 개시하며, 여기서 에너지는 인광 화합물에서 형광 방출체로 전달된다 (초인광). 이러한 맥락에서, 인광 화합물은 이에 따라 호스트 재료로서 거동한다. 당업자가 알고 있는 바와 같이, 호스트 재료는 호스트 재료로부터의 에너지가 또한 최대 효율로 방출체로 전달될 수 있도록 방출체에 비해 더 높은 단일항 및 삼중항 에너지를 갖는다. 종래 기술에 개시된 시스템은 정확히 그러한 에너지 관계를 갖는다.
인광은 본 발명의 맥락에서 더 높은 스핀 다중도를 갖는 여기된 상태, 즉, 스핀 상태 > 1, 특히 여기된 삼중항 상태로부터의 루미네선스를 의미하는 것으로 이해된다. 본 출원의 맥락에서, 전이 금속 또는 란타나이드와의 모든 발광 착물, 특히 모든 이리듐, 백금 및 구리 착물은 인광 화합물로서 간주되어야 할 것이다.
적합한 인광 화합물들 (= 삼중항 방출체들) 은 특히, 적합하게 여기시, 바람직하게 가시 영역에서 발광하고, 그리고 또한 원자 번호가 20 초과이고, 바람직하게 38 초과 그리고 84 미만이고, 보다 바람직하게 56 초과 그리고 80 미만인 적어도 하나의 원자, 특히 이 원자 번호를 갖는 금속을 포함하는 화합물들이다. 사용되는 바람직한 인광 방출체들은 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물들, 특히 이리듐 또는 백금을 함유하는 화합물들이다.
위에 기재된 방출체들의 예들은 출원 WO 00/70655, WO 2001/41512, WO 2002/02714, WO 2002/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 05/033244, WO 05/019373, US 2005/0258742, WO 2009/146770, WO 2010/015307, WO 2010/031485, WO 2010/054731, WO 2010/054728, WO 2010/086089, WO 2010/099852, WO 2010/102709, WO 2011/032626, WO 2011/066898, WO 2011/157339, WO 2012/007086, WO 2014/008982, WO 2014/023377, WO 2014/094961, WO 2014/094960, WO 2015/036074, WO 2015/104045, WO 2015/117718, WO 2016/015815, WO 2016/124304, WO 2017/032439, WO 2018/011186, WO 2018/001990, WO 2018/019687, WO 2018/019688, WO 2018/041769, WO 2018/054798, WO 2018/069196, WO 2018/069197, WO 2018/069273, WO 2018/178001, WO 2018/177981, WO 2019/020538, WO 2019/115423, WO 2019/158453 및 WO 2019/179909 에서 찾아볼 수 있다. 일반적으로, 종래 기술에 따라 인광 전계 발광 디바이스에 사용된 바와 같은 그리고 유기 전계 발광의 분야의 당업자에게 알려진 바와 같은 모든 인광 착물들이 적합하고, 당업자는 진보적 능력을 발휘하지 않고서 추가의 인광 착물을 사용 가능할 것이다.
본 발명의 화합물은 바람직하게는 전술한 바와 같이 TADF 호스트 재료 및/또는 TADF 방출체와 조합하여 사용될 수도 있다.
열 활성화 지연 형광 (TADF) 으로서 지칭되는 방법은 예를 들어 [B. H. Uoyama et al., Nature 2012, Vol. 492, 234] 에 의해 기재되어있다. 이 방법을 가능하게 하기 위해, 예를 들어, 약 2000 cm-1 미만인 비교적 작은 단일항-삼중항 분리 ΔE(S1 - T1) 가 방출체에서 필요하다. 방출체 뿐 아니라, 원칙적으로 스핀-금지되는 T1 → S1 천이를 열기 위해서, 강한 스핀-궤도 커플링을 갖는 매트릭스에서 추가 화합물을 제공할 수 있어, 따라서 분자간 가능한 상호작용 및 공간적 인접성을 통해 시스템간 교차가 가능하거나, 방출체에 존재하는 금속 원자에 의해 스핀-궤도 커플링이 생성된다.
본 발명의 추가 실시형태에서, 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 별개의 정공 주입층 및/또는 정공 수송층 및/또는 정공 차단 층 및/또는 전자 수송 층을 함유하지 않으며, 이는 방출층이 정공 주입층 또는 애노드에 바로 인접하거나 및/또는 방출층이 전자 수송층 또는 전자 주입층 또는 캐소드에 바로 인접함을 의미한다 (예를 들어 WO 2005/053051 에 기재된 바와 같음). 추가적으로, 예를 들어 WO 2009/030981 에 기재된 바와 같이, 방출 층에 금속 착물과 동일하거나 유사한 금속 착물을 방출 층에 바로 인접하는 정공 수송 또는 정공 주입 재료로서 사용할 수 있다.
또한, 정공 도체 재료로서 정공 전도 층에서 식 (I), (Ia) 또는 위에 상세히 나타낸 바람직한 실시형태의 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스가 바람직하다. 여기서 특히 Z1 가 N 이고 Z2, Z3 및 임의의 Z4 기 중 적어도 하나, 바람직하게는 2개가 N인 화합물이 바람직하다.
또한, 전자 수송 재료로서 전자 전도 층에 식 (I) 또는 위에 상세히 나타낸 바람직한 실시형태의 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스가 바람직하다. 여기서 특히 Z1 가 B 이고 Z2, Z3 및 임의의 Z4 기 중 적어도 하나, 바람직하게는 2개가 B 인 화합물이 바람직하다.
본 발명의 유기 전계 발광 디바이스의 추가 층에서, 전형적으로 선행기술에 따라 사용된 임의의 재료를 사용할 수 있다. 따라서 당업자는 진보적 능력을 발휘하지 않고서도, 식 (I) 또는 위에 언급된 바람직한 실시형태들의 본 발명의 화합물과 조합하여 유기 전계 발광 디바이스를 위해 알려진 임의의 재료를 사용하는 것이 가능할 것이다.
하나 이상의 층이 승화 방법에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스가 또한 바람직하다. 이 경우, 재료는 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만의 초기 압력에서 진공 승화 시스템에서 증착에 의해 적용된다. 하지만, 또한, 초기 압력은 훨씬 더 낮은, 예를 들어 10-7 mbar 미만일 수 있다.
마찬가지로, 하나 이상의 층이 OVPD (organic vapor phase deposition) 방법에 의해 또는 캐리어 기체 승화의 도움으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스가 바람직하다. 이러한 경우, 재료들은 10-5 mbar 내지 1 bar 의 압력에서 적용된다. 이 방법의 특수한 경우는, 재료들이 노즐에 의해 직접 적용되어 구조화되는 OVJP (organic vapor jet printing) 방법이다.
추가적으로, 하나 이상의 층이, 용액으로부터, 예를 들어 스핀 코팅에 의해, 또는 임의의 인쇄 방법, 예를 들어 스크린 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄, 오프셋 인쇄, LITI (light-induced thermal imaging, thermal transfer printing), 잉크젯 인쇄 또는 노즐 인쇄에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스가 바람직하다. 이 목적을 위해, 예를 들어 적합한 치환을 통해 얻어지는 가용성 (soluble) 화합물이 필요하다.
식 (I) 또는 위에 상술된 그의 바람직한 실시형태의 화합물의 적용을 위한 포뮬레이션은 신규하다. 따라서, 본 발명은 적어도 하나의 용매 및 식 (I) 또는 위에 상술된 그의 바람직한 실시형태에 따른 화합물을 함유하는 포뮬레이션을 추가로 제공한다.
또한, 예를 들어 하나 이상의 층이 용액으로부터 적용되고 하나 이상의 추가 층이 증착에 의해 적용되는 혼성 방법이 가능하다.
당업자는 일반적으로 이들 방법을 알고 있으며, 본 발명의 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스에 진보적 능력을 발휘하지 않고도 이를 적용할 수 있다.
본 발명의 화합물 및 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 종래 기술에 비해 개선된 수명의 구체적 특징을 갖는다. 동시에, 효율 또는 작동 전압과 같은 전계 발광 디바이스의 추가 전자 특성은 적어도 동일하게 양호한 상태로 유지된다. 추가 변형예에서, 본 발명의 화합물 및 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 특히 종래 기술에 비해 개선된 효율 및/또는 작동 전압 및 더 높은 수명을 특징으로 한다.
본 발명의 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스는, 종래 기술에 비해 하기의 놀라운 이점 중 하나 이상에 대하여 주목할 만하다:
1. 위와 아래에 언급된 방출체로서 식 (I) 또는 바람직한 실시형태의 화합물을 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스는 낮은 FWHM (Full Width Half Maximum) 값을 갖는 매우 좁은 방출 대역을 갖고, 낮은 CIE y 값에 의해 인식 가능한 특히 순수한 색상 방출에 이른다. 여기서 특히 놀라운 것은 낮은 FWHM 값을 갖는 청색 방출체 및 색상 스펙트럼의 녹색, 황색 또는 적색 영역에서 방출하는 낮은 FWHM 값을 갖는 방출체 양자 모두가 제공된다는 것이다.
2. 식 (I) 또는 위와 아래에 언급된 바람직한 실시형태의 화합물을, 특히 방출체로서, 특히 정공 도체 재료로서 및/또는 전자 수송 재료로서 포함하는, 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스는, 매우 양호한 수명을 갖는다. 이러한 맥락에서, 이들 화합물은 낮은 롤-오프, 즉 높은 휘도에서 디바이스 전력 효율의 작은 저하를 가져온다.
3. 식 (I) 또는 위와 아래에 기재된 바람직한 실시형태의 화합물을 포함하는, 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스는 방출체로서, 특히 정공 도체 재료로서 및/또는 전자 수송 재료로서 우수한 효율을 갖는다. 이러한 맥락에서, 식 (I) 의 또는 위와 아래에 언급되는 바람직한 실시형태의 본 발명의 화합물은 전자 디바이스에 사용될 때 낮은 작동 전압을 가져온다.
4. 본 발명의 식 (I) 또는 위와 아래에 기재된 바람직한 실시형태의 화합물은 매우 높은 안정성 및 수명을 나타낸다.
5. 식 (I) 또는 위와 아래에 언급되는 바람직한 실시형태의 화합물로, 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에서 광 손실 채널의 형성을 피할 수 있다. 그 결과, 이들 디바이스는 방출체의 높은 PL 효율 및 그에 따른 높은 EL 효율, 및 매트릭스에서 도펀트로의 우수한 에너지 전달을 특징으로 한다.
6. 식 (I) 및/또는 (Ia) 또는 위와 아래에 언급되는 바람직한 실시형태들의 화합물은 탁월한 유리 필름 형성을 갖는다.
7. 식 (I) 또는 위와 아래에 언급되는 바람직한 실시형태들의 화합물은 용액으로부터 매우 양호한 필름을 형성하고 우수한 용해도를 나타낸다.
이러한 위에 언급된 이점은 추가 전자적 특성의 과도하게 높은 열화를 수반하지 않는다.
본 발명에 기재된 실시형태의 변형들은 본 발명의 범위에 의해 커버된다는 것에 주목해야 한다. 본 발명에 개시된 임의의 특징은, 이것이 명시적으로 배제되지 않는 한, 동일한 목적 또는 동등하거나 유사한 목적을 제공하는 대안적 특징과 교환될 수 있다. 따라서, 본 발명에서 개시된 임의의 특징은, 달리 언급되지 않으면, 일반 계열 (generic series) 의 일 예로서, 또는 동등하거나 또는 유사한 특징으로서 고려되어야 한다.
본 발명의 모든 특징은, 특정 특징 및/또는 단계가 상호 배타적이지 않는 한, 임의의 방식으로 서로 조합될 수도 있다. 이것은 특히 본 발명의 바람직한 특징에 해당된다. 동일하게, 비-필수적인 조합의 특징은 따로따로 (그리고 조합하지 않고서) 사용될 수 있다.
또한, 본 발명의 많은 특징들 그리고 특히 바람직한 실시형태들의 특징들은, 그것들 자체로 발명인 것으로 간주되어야 하며 단순히 본 발명의 실시형태들의 일부로서 간주되어서는 안된다는 것이 지적되야 한다. 이러한 특징에 대하여, 임의의 현재 청구된 발명에 추가로, 또는 대안으로서 독립적인 보호가 추구될 수 있다.
본 발명에 개시된 기술적 교시는 추출될 수도 있고 다른 예들과 조합될 수도 있다.
본 발명은 하기의 실시예들에 의해 상세히 예시되며, 이에 의해 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 당업자는 주어진 정보를 사용하여 본 발명을 개시된 전체 범위에 걸쳐 실시하고, 본 발명의 추가의 화합물을 진보적 능력을 발휘하지 않고서도 제조하고, 이들을 전자 디바이스에서 사용하거나 본 발명의 방법을 사용하는 것이 가능할 것이다.
실시예:
아래의 합성들은, 달리 언급하지 않는 한, 건조 용매 중에서 보호 가스 분위기 하에서 수행된다. 금속 착물은 광을 제외하거나 황색 광 아래에서 추가로 취급된다. 용매 및 시약은 예를 들어 Sigma-ALDRICH 또는 ABCR 로부터 구입할 수 있다. 대괄호 안의 각 숫자 또는 개별 화합물에 인용된 번호는 문헌에서 알려진 화합물의 CAS 번호에 관한 것이다. 다수의 거울상 이성질체, 부분입체 이성질체 또는 호변이성 이성질체 형태를 가질 수 있는 화합물의 경우, 하나의 형태가 대표적인 방식으로 보여져 있다.
신톤 S 의 합성:
예 S1:
인돌 [120-72-9] 및 2-요오도-4,6-디메틸아닐린 [4102-54-9] 을 사용한 W. Wu et al., Organic Chemistry Frontiers, 2019, 6(13), 2200에 따른 제조, 수율 : 64%; 순도: 1H NMR에 의한 약 95%.
하기 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
예 S10:
US2019/0252623, p. 62 호에 따른 제조. 화합물 A 대신 S1 의 사용, 단계 1 내지 3의 절차, 수율: 38%; 순도: 1H NMR 에 의한 약 95%.
하기 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
예 S100:
20.6 g (100 mmol) 의 10 H -인돌로[1,2- a ]벤즈이미다졸 [2345630-10-4], 31.7 g (100 mmol) 의 1-브로모-2-클로로-3-요오도벤젠 [57012-50-7], 48.9 g (150 mmol) 의 세슘 탄산염, 무수물 [534-17-8], 1.2 g (10 mmol) 의 S-프롤린 [147-85-3], 952 mg (5 mmol) 의 구리(I) 요오드화물 [7681-65-4], 50 g 의 유리 비드 (직경 3 mm) 및 250 ml 의 DMSO 의 혼합물을 14 시간 동안 100℃ 에서 교반한다 냉각 후, 반응 혼합물을 500 ml 의 에틸 아세테이트 및 500 ml 의 물과 혼합하고, 유기 상을 제거하고, 500 ml 의 물로 1 회, 그리고 매회 300 ml 의 포화 염화나트륨 용액으로 2 회 세척하고, 황산 마그네슘 상에서 건조시켰다. 혼합물을 에틸 아세테이트 슬러리 형태의 실리카겔 층을 통해 여과하고, 여과물을 농축 건조하고, 잔류물을 50 ml 의 에탄올로 비등시키고, 고체를 흡인 여과하고, 이들을 10 ml의 에탄올로 2회 세척하고 감압하에 건조하고 톨루엔으로부터 재결정화하거나 또는 플래시 크로마토그래피한다 (A. Semrau 로부터의 Torrent automated column system). 수율: 19.8 g (45 mmol) 45%; 순도: 1H NMR 에 의한 약 95%.
하기 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
예 S200:
39.6 g (100 mmol) 의 S100, 13.4 g (110 mmol) 의 페닐보론산 [98-80-6], 42.5 g (200 mmol) 의 인산 삼칼륨, 무수물 [7778-53-2], 1.83 g (6 mmol) 의 트리-o-톨릴포스핀 [6163-58-2], 225 mg (1 mmol) 의 팔라듐(II) 아세테이트 [3375-31-3], 300 ml 의 톨루엔, 100 ml 의 디옥산 및 300 ml 의 물의 혼합물을 16 시간 동안 환류 하에서 교반한다. 냉각 후, 반응 혼합물을 300 ml 의 에틸 아세테이트 및 300 ml 의 물과 혼합하고, 유기 상을 제거하고, 300 ml 의 물로 1 회, 그리고 매회 200 ml 의 포화 염화나트륨 용액으로 2 회 세척하고, 황산 마그네슘 상에서 건조시켰다. 혼합물을 에틸 아세테이트 슬러리 형태의 실리카겔 층을 통해 여과하고, 여과물을 농축 건조하고, 잔류물을 50 ml 의 에탄올로 비등시키고, 고체를 흡인 여과하고, 이들을 20 ml 의 에탄올로 2회 세척하고 감압하에 건조하고 아세토니트릴로부터 재결정화하거나 또는 플래시 크로마토그래피에 의해 정제한다 (A. Semrau 로부터의 Torrent automated column system). 수율: 26.3 g (67 mmol) 67%; 순도: 1H NMR 에 의한 약 95%.
하기 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
예 S300:
39.6 g (100 mmol) 의 S100, 18.6 g (110 mmol) 의 디페닐아민 [122-39-4], 14.4 g (150 mmol) 의 나트륨 tert-부톡사이드 [865-48-5], 809 mg (4 mmol) 의 tri-tert-부틸포스핀 [13716-12-6], 449 mg (2 mmol) 의 팔라듐(II) 아세테이트 [3375-31-3] 및 400 ml 의 톨루엔의 혼합물을 12 시간 동안 100℃ 에서 교반한다. 냉각 후, 300 ml 의 물을 반응 혼합물에 첨가하고, 유기 상을 제거하고, 300 ml 의 물로 1 회, 그리고 매회 200 ml 의 포화 염화나트륨 용액으로 2 회 세척하고, 황산 마그네슘 상에서 건조시켰다. 혼합물을 농축하고, 잔류물(residue)을 300 ml 의 에틸 아세테이트에 테이크업(take up)하고 에틸 아세테이트 슬러리 형태의 실리카겔 층을 통해 여과하고, 여과물을 농축 건조하고, 잔류물을 70 ml 의 에탄올로 비등시키고, 고체를 흡인 여과하고, 이들을 20 ml 의 에탄올로 2회 세척하고 감압하에 건조하고 아세토니트릴로부터 재결정화하거나 또는 플래시 크로마토그래피에 의해 정제한다 (A. Semrau 로부터의 Torrent automated column system). 수율: 33.5 g (69 mmol) 69%; 순도: 1H NMR 에 의한 약 95%.
하기 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
예: 위치이성질체 도펀트 D1A 및 D1B:
단계 1: S200 의 리튬화
자기 교반기 막대, 적하 깔때기, 물 분리기, 환류 응축기 및 아르곤 블랭킷이 있는 베이크 아웃된, 아르곤 불활성화 4구 플라스크에 19.7 g (50 mmol) 의 S200 및 200 ml 의 tert-부틸벤젠을 충전하고, -40℃ 로 냉각시킨다. n- 펜탄 중 1.7M, tert-부틸리튬 64.7ml (110mmol) 을 혼합물에 10분에 걸쳐 적가한다. 반응 혼합물을 실온으로 가온시키고 60℃에서 추가로 3시간 동안 교반하고, 그 과정 동안 n-펜탄을 물 분리기를 통해 증류한다.
단계 2: 트랜스메탈레이션(transmetalation) 및 고리화
반응 혼합물은 다시 -40℃ 로 냉각된다. 삼브롬화붕소 5.7 ml(60 mmol) 을 약 10분의 기간에 걸쳐 적가한다. 첨가 완료시, 반응 혼합물을 1 시간 동안 실온에서 교반한다. 이어서, 반응 혼합물을 0℃로 냉각시키고, 디-이소-프로필에틸아민 21.0 ml(120 mmol) 을 약 30분의 기간에 걸쳐 적가한다. 그런 다음 반응 혼합물을 5 시간 동안 130℃ 에서 교반한다. 냉각 후, 혼합물을 톨루엔 500ml로 희석하고 10중량% 아세트산칼륨 수용액 300ml를 첨가하여 가수분해하고, 유기상을 제거하고 감압하에 농축 건조시킨다. 유성 잔류물은 DCM으로 ISOLUTE ® 으로 흡수되고 n-펜탄-DCM 혼합물(10:1)이 있는 실리카겔 층을 통해 고온 여과된다. 여과물을 농축 건조한다. 잔류물에 플래시 크로마토그래피 (실리카 겔, n-헵탄 톨루엔/에틸 아세테이트, 구배, A. Semrau 으로부터의 Torrent 자동화 컬럼 시스템) 를 행한다. 분리된 위치 이성질체의 추가 정제는 DCM/아세토니트릴 혼합물을 사용한 반복된 고온 추출 결정화 및 최종 분별 승화 또는 감압 하에서의 열처리에 의해 이루어진다. 수율: D1A: 2.39 g (6.5 mmol) 13% / D1B: 3.30 (9 mmol) 18%; 순도: 1H NMR에 의한 약 99.9%.
하기 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
실시예 D103 내지 D107은 혼합물의 형성이 적절한 치환에 의해 방지될 수 있음을 보여주며, 여기서 X5 기는 특히 예로서, Z2 기에 대해 오르토 위치에 있는 알킬 기를 포함한다. 물론 임의의 다른 적절한 치환 기를 선택할 수 있다.
실시예 D112 및 D113은 혼합물의 형성이 적절한 치환에 의해 방지될 수 있음을 보여주며, 여기서 X4 기는 특히 예로서, 알킬 기 및/또는 페닐 기를 포함한다. 물론 임의의 다른 적절한 치환 기를 선택할 수 있다.
OLED 컴포넌트의 제조
1) 진공-처리된 컴포넌트:
본 발명의 OLED 및 선행 기술에 따른 OLED 는 WO 2004/058911 에 따른 일반적 방법에 의해 제조되며, 이는 본원에 기재된 상황에 맞게 조정된다 (층 두께의 변화, 사용한 재료).
이하의 실시예에서, 다양한 OLED 에 대한 결과가 제시된다. 두께 50 nm 의 구조화된 ITO (인듐 주석 옥사이드) 로 코팅된 세정된 유리 플레이트 (plate) (Miele 실험실 유리 세척제, Merck Extran 세제에서 세척) 를 25 분 동안 UV 오존에 의해 예비처리하고 (PR-100 UV 오존 생성기, UVP 제조), 그리고 30 분 이내에, 개선된 가공을 위해 20 nm 의 PEDOT:PSS (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)폴리(스티렌술포네이트), Heraeus Precious Metals GmbH Germany 의 CLEVIOS™ P VP AI 4083으로서 구입됨, 수용액으로부터 스핀 온됨) 로 코팅한 다음, 10 분 동안 180℃ 에서 베이킹한다. 이러한 코팅된 유리 플레이트는 OLED 가 적용되는 기판을 형성한다.
OLED 는 기본적으로 하기 층 구조를 갖는다: 기판 / 5% NDP-9 (Novaled에서 시판)로 도핑된 Ref-HTM1로 이루어지는 정공 주입층 1(HIL1), 20nm/ UV 및 청색 OLED를 위한 160 nm HTM1; 녹색 및 황색 OLED를 위한 50nm; 적색 OLED를 위한 110nm 로 구성된 정공 수송층 1(HTL1)/ 청색 OLED를 위한 10 nm; 녹색 및 황색 OLED를 위한 20 nm; 적색 OLED를 위한 10 nm 로 구성된 정공 수송층 2(HTL2)/ 방출 층(HTL2): 청색 OLED를 위한 25 nm; 녹색 및 황색 OLED를 위한 40 nm; 적색 OLED를 위한 35 nm / 정공 차단 층 (HBL) 10 nm / 전자 수송 층 (ETL) 30 nm / 1 nm ETM2 로 구성된 전자 주입 층 (EIL) / 및 마지막으로 캐소드. 캐소드는 두께 100 nm 의 알루미늄 층에 의해 형성된다.
먼저, 진공-처리된 OLED 가 설명된다. 이러한 목적으로, 모든 재료는 진공 챔버에서 열 증착에 의해 적용된다. 이러한 경우, 방출층은 동시-증발에 의해 특정한 부피 비율로 매트릭스 재료(들) 에 첨가되는 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료) 및 방출 도펀트 (방출체) 로 항상 이루어진다. SMB1:D1 (95:5%) 와 같은 이러한 형태로 주어진 상세들은 여기서 재료 SMB1 가 부피 비율로 95% 그리고 D1 이 5% 의 비율로 층에 존재하는 것을 의미한다. 유사하게, 전자 수송층은 또한 2 개 재료의 혼합물로 이루어질 수 있다. OLED 의 정확한 구조는 표 1 에서 찾을 수 있다. OLED 의 제조에 사용된 재료는 표 4 에 나타나 있다.
OLED 는 표준 방식으로 특성화된다. 이러한 목적을 위해, 전계 발광 스펙트럼, 전류 효율 (cd/A 로 측정됨), 전력 효율 (lm/W 로 측정됨) 및 외부 양자 효율 (EQE, % 로 측정됨) 이, 휘도의 함수로서, 람버트 (Lambertian) 방사 특성을 가정하여 전류-전압-휘도 특성선 (IUL 특성선) 으로부터 산출된다. 전계 발광 스펙트럼은 1000 cd/m² 의 휘도에서 결정된다.
OLED 에서 재료로서 본 발명의 화합물의 사용:
본 발명의 화합물의 한 가지 사용은 OLED 에서 수송 또는 차단 재료 (HBL) 로서 그리고 방출 층 내 도펀트로서일 수 있다. 표 4 에 따른 화합물 D-Ref.1 은 선행 기술에 따른 비교로서 사용된다. OLED 에 대한 결과는 표 2에 순서대로 모아져 있다.
표 2: 1000 cd/m
2
에서 진공 처리된 OLED 에 대한 결과
2)
용액-처리된 컴포넌트:
용액-기반 OLED 의 제조는 문헌에, 예를 들어 WO 2004/037887 및 WO 2010/097155 에 근본적으로 기재되어 있다. 하기 실시예는, 2 개의 제조 프로세스(기상 및 용액 처리로부터의 적용)를 조합하여, 방출 층까지 그리고 이를 포함하는 층들이 용액으로부터 처리되고, 후속 층 (정공 차단 층/전자 수송 층) 이 감압 하에서 증착(vapor deposition)에 의해 적용되었다. 이러한 목적을 위해, 앞서 설명한 일반적인 방법을 여기에 설명된 상황 (층 두께 변화, 재료) 에 매칭되고 다음과 같이 조합된다.
이로써 사용된 구조는 다음과 같다:
- 기판,
- ITO (50 nm),
- PEDOT (20 nm),
- 정공 수송 층 (HIL2) (20 nm),
- 방출 층 (92% 호스트 H1, 8% 도펀트) (60nm),
- 전자 수송 층 (ETM1 50% + ETM2 50%) (20 nm),
- 캐소드 (Al).
사용된 기판은 두께 50 nm의 구조화된 ITO (인듐 주석 옥사이드) 로 코팅된 유리 판이다. 더 나은 처리를 위해, 이들은 버퍼 (PEDOT) Clevios P VP AI 4083 (Heraeus Clevios GmbH, Leverkusen) 로 코팅되고; PEDOT 가 상단에 있다. 물로부터 공기 하에서 스핀 코팅이 수행된다. 이후, 층을 10 분 동안 180℃ 에서 소성한다. 정공 수송 층 및 방출 층을 이렇게 코팅된 유리판에 적용한다. 정공 수송 층은 WO 2010/097155 에 따라 합성된, 표 4에 나타낸 구조의 폴리머이다. 폴리머는, 여기의 경우처럼, 디바이스에 전형적인 20 nm의 층 두께가 스핀 코팅에 의해 달성되어야 하는 경우, 용액이 전형적으로 약 5 g/l 의 고형분 ?t량을 갖도록, 톨루엔에 용해된다. 층은 불활성 기체 분위기, 이 경우 아르곤에서 스핀 온되고, 180℃ 에서 60 분 동안 소성된다.
방출층은 항상 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료) 및 방출 도펀트 (방출체) 로 구성된다. H1 (92%):D (8%) 와 같은 형태로 주어진 세부 사항은 재료 H1이 방출 층에서 92 %의 중량비 그리고 도펀트 D 가 8 %의 중량비로 존재한다는 것을 의미한다. 방출층을 위한 혼합물은 톨루엔 또는 클로로벤젠에 용해된다. 그러한 용액의 전형적 고체 함량은, 여기에서와 같이 디바이스에 전형적인 60 nm 의 층 두께가 스핀-코팅에 의해 달성되는 경우에 약 18 g/l 이다. 층은 불활성 가스 분위기, 본 경우에는 아르곤에서 스핀온되고, 140 내지 160 ℃에서 10 분 동안 소성된다. 사용된 재료는 표 4 에 나타나 있다.
전자 수송 층 및 캐소드용 재료를 진공 챔버에서 열 증착에 의해 적용한다. 전자 수송 층은, 예를 들어, 하나보다 많은 재료로 이루어질 수도 있으며, 재료는 특정 부피 비율로 공증발시킴으로써 서로 첨가된다. ETM1:ETM2 (50%:50%) 와 같은 형태로 주어지는 세부 사항은 ETM1 및 ETM2 재료가 각각 50% 부피비로 층에 존재함을 의미한다. 본 경우에 사용된 재료는 표 4에 나타낸다.
표 3: 1000 cd/m
2
에서 용액 처리된 OLED 에 대한 결과
표 4: 사용된 재료의 구조식
본 발명의 화합물은, 참고예에 비해 감소된 작동 전압에서 더 높은 EQE 값(External Quantum Efficiencies)을 나타내고, 이는 디바이스의 전력 효율의 뚜렷한 개선으로 이어지고 따라서 더 낮은 전력 소비로 이어진다.
Claims (19)
- 하기 식 (I) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는 화합물.
식중 고리 Ara 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 Ar 또는 R 라디칼로 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
그리고 식중 사용되는 추가 기호 및 인덱스는 다음과 같다:
Z1, Z2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, N 또는 B 이다;
W1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 N, B, C=C(Ar), C=C(R) 또는 C=N 이며, 여기서 C=C(Ar) 또는 C=C(R) 기의 두 탄소 원자 모두 또는 C=N 기의 탄소 원자 및 질소 원자는 각각 고리 Ara 의 부분이고, 여기서 C=N 기의 탄소 원자는 V1 기에 결합한다;
V1, V2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 -N=, -B=, =C(Ar)- 또는 =C(R)- (여기서 V1, V2 기 중 하나 이하는 -N= 또는 -B= 이다) 이거나, 또는 V1, V2 기는 하기 식의 고리를 형성한다
식 중 고리 Arb 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 Ar 또는 R 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이며, 여기서 고리 Arb 는 X1 기와 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있거나 또는 고리 Ara 및 Arb 는 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있고, 여기서 W2 는 W1 에 결합하고 각각의 경우 동일하거나 상이하고 N, B, C=C(Ar), C=C(R) 또는 C=N 이며, 여기서 C=C(Ar) 또는 C=C(R) 기의 두 탄소 원자 모두 또는 C=N 기의 탄소 원자 및 질소 원자는 각각 Arb 고리의 부분이고, C=N 기의 탄소 원자는 W1 기에 결합하고 점선은 W1 또는 Z2 기에 대한 결합을 나타낸다;
Y 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 결합, N(Ar), N(R), P(Ar), P(R), P(=O)Ar, P(=O)R, P(=S)Ar, P(=S)R, B(Ar), B(R), Al(Ar), Al(R), Ga(Ar), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, Ge(R)2, C=NR, C=NAr, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), O, S, Se, S=O, 또는 SO2 이다;
Ar 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R 라디칼로 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 여기서 Ar 기는 적어도 하나의 Ar, X1, X3, R 기 또는 추가 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
X1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 고리 시스템이 고리 Arb 또는 추가 기에 대한 결합에 의해 형성되는 경우 N, CRa, 또는 C 이며, 단, 하나의 환에서 X1, X2 기 중 2개 이하는 N 이다;
X2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, N 또는 CRb 이며, 단, 하나의 환에서 X1, X2 기 중 2개 이하는 N이다;
X3 은 각각의 경우 동일하거나 상이하며 고리 시스템이 Ar, R 기, 고리 Ara 또는 추가 기에 대한 결합에 의해 형성되는 경우 N, CRc, 또는 C 이며, 단, 하나의 환에서 X3 기 중 2개 이하는 N 이거나, 또는 2개의 인접한 X3 기는 함께 S 또는 O 이고, 여기서 적어도 하나의 X3 기는 CRc 또는 C 이다;
R, Ra, Rb, Rc 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, OH, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar')2, N(R1)2, C(=O)N(Ar')2, C(=O)N(R1)2, C(Ar')3, C(R1)3, Si(Ar')3, Si(R1)3, B(Ar')2, B(R1)2, C(=O)Ar', C(=O)R1, P(=O)(Ar')2, P(=O)(R1)2, P(Ar')2, P(R1)2, S(=O)Ar', S(=O)R1, S(=O)2Ar', S(=O)2R1, OSO2Ar', OSO2R1, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 (상기 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R1C=CR1, C≡C, Si(R1)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기이고; 동시에, 2 개의 R, Ra, Rb, Rc 라디칼은 또한 함께 또는 추가 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
Ar' 은 각각의 경우 동일하거나 상이하며 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 탄소 원자, 규소 원자, 질소 원자, 인 원자 또는 붕소 원자에 결합한 2 개의 Ar' 라디칼은 또한 단일 결합에 의한 브릿지 또는 B(R1), C(R1)2, Si(R1)2, C=O, C=NR1, C=C(R1)2, O, S, S=O, SO2, N(R1), P(R1) 및 P(=O)R1 로부터 선택된 브릿지를 통해 함께 연결되는 것이 가능하다;
R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar'')2, N(R2)2, C(=O)Ar'', C(=O)R2, C(=O)OAr'', C(=O)OR2, P(=O)(Ar'')2, P(Ar'')2, B(Ar'')2, B(R2)2, C(Ar'')3, C(R2)3, Si(Ar'')3, Si(R2)3, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R2C=CR2-, -C≡C-, Si(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R2), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수도 있고 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬기, 또는 이들 시스템들의 조합이고; 동시에, 둘 이상의, 바람직하게 인접한, R1 라디칼들은 함께 고리 시스템을 형성할 수 있고; 동시에, 하나 이상의 R1 라디칼은 화합물의 추가 부분과 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
Ar'' 은 각각의 경우 동일하거나 상이하며 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 탄소 원자, 규소 원자, 질소 원자, 인 원자 또는 붕소 원자에 결합한 2 개의 Ar'' 라디칼은 또한 단일 결합에 의한 브릿지 또는 B(R2), C(R2)2, Si(R2)2, C=O, C=NR2, C=C(R2)2, O, S, S=O, SO2, N(R2), P(R2) 및 P(=O)R2 로부터 선택된 브릿지를 통해 함께 연결되는 것이 가능하다;
R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족 히드로카르빌 라디칼, 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (여기서, 하나 이상의 수소 원자가 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 으로 대체될 수도 있고, 1 내지 4 개의 탄소 원자를 각각 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수도 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 동시에, 2개 이상의 치환기 R2 는 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
여기서 적어도 하나의 V1, V2, W1, W2 기는 N 또는 B 이다. - 제 1 항에 있어서,
하기 식 (II-1), (II-2), (II-3) 및/또는 (II-4) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는, 화합물.
식 중 Z1, Z2, Y, X1, X2 및 X3 는 제 1 항에 주어진 정의를 가지며 추가 기호는 다음과 같다:
Z3 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, N 또는 B 이다;
W3, W4, W5, W6 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, C(Ar) 또는 X6 이다;
X4 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 고리 시스템이 X1 기에 대한 결합에 의해 형성되는 경우 N, CRd, 또는 C이며, 단, 하나의 환에서 X4, X6 기 중 2개 이하는 N 이다;
X5 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 고리 시스템이 Ar 기, X1 기 또는 X3 기에 대한 결합에 의해 형성되는 경우 N, CRe, 또는 C 이고, 단, 하나의 환에서 X5 기 중 2개 이하는 N 이다;
X6 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, N 또는 CRf C 이며, 단, 하나의 환에서 X4, X6 기 중 2개 이하는 N이다;
Rd, Re, Rf 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, OH, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar')2, N(R1)2, C(=O)N(Ar')2, C(=O)N(R1)2, C(Ar')3, C(R1)3, Si(Ar')3, Si(R1)3, B(Ar')2, B(R1)2, C(=O)Ar', C(=O)R1, P(=O)(Ar')2, P(=O)(R1)2, P(Ar')2, P(R1)2, S(=O)Ar', S(=O)R1, S(=O)2Ar', S(=O)2R1, OSO2Ar', OSO2R1, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 (상기 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R1C=CR1, C≡C, Si(R1)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기이고; 동시에, 2 개의 Rd, Re, Rf 라디칼은 또한 함께 또는 추가 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있고; 여기서 기호 Ar' 및 R1 는 제 1 항에 주어진 정의를 갖는다. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
식 (IIa-1), (IIa-2), (IIa-3), (IIa-4), (IIb-1), (IIb-2), (IIb-3), (IIb-4), (IIc-1), (IIc-2), (IIc-3), (IIc-4), (IId-1), (IId-2), (IId-3) 및/또는 (IId-4) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는, 화합물.
식 중 기호 Z1, Z2, X1 및 X2 및 X3 는 제 1 항에 주어진 정의를 가지며, 기호 W3, W4, W5, W6, Z3, X4 및 X5 는 제 2 항에 주어진 정의를 가지며, 추가 기호는 다음과 같이 정의된다:
Z4 는 N, B 또는 Al, 바람직하게 N 또는 B이다;
X7 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 고리 시스템이 X1, X3 또는 R 기 또는 추가 기에 대한 결합에 의해 형성되는 경우 N, CRg, 또는 C 이며, 단, 하나의 환에서 X7 기 중 2개 이하는 N 이다;
Ya 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 C=O, C(R)2, Si(R)2, C=NR, C=NAr, C=C(R)2, O, S, Se, S=O, 또는 SO2 이다;
Rg 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, OH, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar')2, N(R1)2, C(=O)N(Ar')2, C(=O)N(R1)2, C(Ar')3, C(R1)3, Si(Ar')3, Si(R1)3, B(Ar')2, B(R1)2, C(=O)Ar', C(=O)R1, P(=O)(Ar')2, P(=O)(R1)2, P(Ar')2, P(R1)2, S(=O)Ar', S(=O)R1, S(=O)2Ar', S(=O)2R1, OSO2Ar', OSO2R1, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 (상기 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R1C=CR1, C≡C, Si(R1)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기이고; 동시에, 2 개의 Rg 라디칼은 또한 함께 또는 추가 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있고, 여기서 기호 Ar' 및 R1 는 제 1 항에 주어진 정의를 갖는다. - 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
하기 식 (III-1) 내지 (III-15) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는, 화합물.
식 중 기호 Z1, Z2, Y, X1, X2 및 X3 는 제 1 항에 주어진 정의를 가지며, 기호 Z3, X4, X5 및 X6 는 제 2 항에 주어진 정의를 가지며, 추가 기호는 다음과 같이 정의된다:
p는 0 또는 1이며, 여기서 p = 0 은 Y1 기가 부재함을 의미한다;
Y1 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하고 결합, N(Ar'), N(R), P(Ar'), P(R), P(=O)Ar', P(=O)R, P(=S)Ar', P(=S)R, B(Ar'), B(R), Al(Ar'), Al(R), Ga(Ar'), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, C=NR, C=NAr', C=C(R)2, O, S, Se, S=O, 또는 SO2 이고, 여기서 기호 R 및 Ar'은 제 1 항에 제시된 정의를 갖는다;
Y3 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하고 N(Ar'), N(R), P(Ar'), P(R), P(=O)Ar', P(=O)R, P(=S)Ar', P(=S)R, B(Ar'), B(R), Al(Ar'), Al(R), Ga(Ar'), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, C=NR, C=NAr', C=C(R)2, O, S, Se, S=O, 또는 SO2 이고, 여기서 기호 R 및 Ar' 은 제 1 항에 제시된 정의를 갖는다. - 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
하기 식 (IIIa-1) 내지 (IIIa-15), (IIIb-1) 내지 (IIIb-15), (IIIc-1) 내지 (IIIc-15) 및/또는 (IIId-1) 내지 (IIId-15) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는, 화합물.
식 중 기호 Z1, Z2, Y, X1, X2 및 X3 는 제 1 항에 주어진 정의를 갖고, 기호 Z3, X4, X5 및 X6 은 제 2 항에 주어진 정의를 갖고, 기호 Z4, X7 및 Ya 는 제 3 항에 주어진 정의를 갖고, 기호 p, Y1, Y3 는 제 4 항에 주어진 정의를 가지며, 추가 기호는 다음과 같이 정의된다:
q 는 0 또는 1이며, 여기서 q = 0 은 Y2 기가 부재함을 의미한다;
Y2 은 각각의 경우, 동일하거나 상이하고, 결합, N(Ar'), N(R), P(Ar'), P(R), P(=O)Ar', P(=O)R, P(=S)Ar', P(=S)R, B(Ar'), B(R), Al(Ar'), Al(R), Ga(Ar'), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, C=NR, C=NAr', C=C(R)2, O, S, Se, S=O, 또는 SO2 이고, 여기서 기호 R 및 Ar' 은 제 1 항에 제시된 정의를 갖는다. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
하기 식 (IV-1) 내지 (IV-28) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는, 화합물.
식 중 기호 Z1, Z2, Y, Ra, Rb 및 Rc 는 제 1 항에 주어진 정의를 갖고, 기호 Z3, Rd, Re 및 Rf 는 제 2 항에 주어진 정의를 갖고, 기호 Rg 는 제 3 항에 주어진 정의를 갖고, 기호 Y1 및 Y3 는 제 4 항에 주어진 정의를 가지며, 추가 기호는 다음과 같이 정의된다:
m 은 0, 1, 2, 3 또는 4 이다;
n 은 0, 1, 2 또는 3 이다;
j 는 0, 1 또는 2 이다;
k 는 0 또는 1 이다. - 제 2 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
Z1 은 N 이고 Z2, Z3 기 중 적어도 하나는 B 인 것을 특징으로 하는 화합물. - 제 2 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
Z1 은 N 이고 Z2, Z3 기 중 적어도 하나는 N 인 것을 특징으로 하는 화합물. - 제 2 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
Z1 은 B 이고 Z2, Z3 기 중 적어도 하나는 N 인 것을 특징으로 하는 화합물. - 제 2 항 내지 제 6 항 및 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
Z1 은 B 이고 Z2, Z3 기 중 적어도 하나는 B 인, 화합물. - 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
적어도 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼은 상기 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼이 결합하는 추가 기와 함께 융합된 고리를 형성하고, 상기 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼은 하기 식 (RA-1) 내지 (RA-12)의 적어도 하나의 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 화합물.
식 중 R1 은 위에 제시된 정의를 갖고, 점선 결합은 상기 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼이 결합하는 기의 원자에 대한 부착 부위를 나타내며, 추가 기호는 다음 정의를 갖는다:
Y4 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 C(R1)2, (R1)2C-C(R1)2, (R1)C=C(R1), NR1, NAr, O 또는 S 이다;
Rh 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, F, 1 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (상기 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기이고; 동시에, 또한 2 개의 Rh 라디칼이 함께 또는 하나의 Rh 라디칼이 R1 라디칼과 함께 또는 추가 기와 함께 고리 시스템을 형성하는 것이 가능하다;
s 는 0, 1, 2, 3, 4, 5 또는 6 이다;
t 는 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 또는 8이다;
v 는 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 또는 9이다. - 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
적어도 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼은 상기 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼이 결합하는 추가 기와 함께 융합된 고리를 형성하고, 상기 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼은 하기 식 (RB) 의 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 화합물.
식 중 R1 은 제 1 항에 제시된 정의를 갖고, 점선 결합은 상기 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Rf, Rg 라디칼이 결합하는 기의 원자에 대한 부착 부위를 나타내고, 인덱스 m은 0, 1, 2, 3 또는 4이고, Y5 는 C(R1)2, NR1, NAr', BR1, BAr', O 또는 S 이다. - 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
하기 식 (VI-1) 내지 (VI-9) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 상기 화합물은 적어도 하나의 융합된 고리를 갖는, 화합물.
식 중 기호 Z1, Z2, Y, Ra, Rb 및 Rc 는 제 1 항에 주어진 정의를 갖고, 기호 Z3, Rd, Re 및 Rf 는 제 2 항에 주어진 정의를 갖고, 기호 Y3 는 제 4 항에 주어진 정의를 갖고, 기호 o 는 부착 부위를 나타내고 추가 기호는 다음과 같이 정의된다:
m 은 0, 1, 2, 3 또는 4 이다;
n 은 0, 1, 2 또는 3 이다;
j 는 0, 1 또는 2 이다. - 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물을 하나 이상 함유하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머로서, 수소 원자 또는 치환기 대신에, 상기 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머에 대한 상기 화합물의 하나 이상의 결합들이 존재하는, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머.
- 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 적어도 하나의 화합물, 제 14 항에 기재된 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머 및 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하고, 상기 추가 화합물은 바람직하게 하나 이상의 용매로부터 선택되는, 포뮬레이션.
- 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 적어도 하나의 화합물 또는 제 14 항에 기재된 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머, 및 형광 방출체, 인광 방출체, TADF를 나타내는 방출체, 호스트 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 정공 도체 재료, 정공 주입 재료, 전자 차단 재료 및 정공 차단 재료로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는, 조성물.
- 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물의 제조 방법으로서, Z2 기 중 적어도 하나 또는 상기 Z2 기 중 하나의 전구체를 갖는 베이스 골격이 합성되고, Z1 기는 금속화 반응, 친핵성 방향족 치환 반응 또는 커플링 반응에 의해 도입되는, 제조 방법.
- 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 화합물 또는 제 14 항에 기재된 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머의 전자 디바이스에서의 용도.
- 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 기재된 적어도 하나의 화합물, 또는 제 14 항에 기재된 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를 포함하는, 전자 디바이스.
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