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KR20240005791A - 유기 전계 발광 디바이스용 질소 함유 복소환 화합물 - Google Patents

유기 전계 발광 디바이스용 질소 함유 복소환 화합물 Download PDF

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KR20240005791A
KR20240005791A KR1020237040918A KR20237040918A KR20240005791A KR 20240005791 A KR20240005791 A KR 20240005791A KR 1020237040918 A KR1020237040918 A KR 1020237040918A KR 20237040918 A KR20237040918 A KR 20237040918A KR 20240005791 A KR20240005791 A KR 20240005791A
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KR
South Korea
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radicals
group
aromatic
substituted
same
Prior art date
Application number
KR1020237040918A
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English (en)
Inventor
필립 슈퇴쎌
아미르 호싸인 파르함
루펜 링게
Original Assignee
메르크 파텐트 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 메르크 파텐트 게엠베하 filed Critical 메르크 파텐트 게엠베하
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Abstract

본 발명은 전자 디바이스에서 사용하기에 적합한 질소 함유 복소환 화합물, 및 이러한 화합물을 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다.

Description

유기 전계 발광 디바이스용 질소 함유 복소환 화합물
본 발명은 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에서 사용하기 위한 질소 함유 복소환 화합물, 및 이러한 복소환 화합물을 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에 관한 것이다.
유기 전계 발광 디바이스에서 사용된 방출 재료는 흔히 인광 유기금속성 착물 또는 형광 화합물이다. 일반적으로, 전계 발광 디바이스에 있어서 개선이 여전히 필요하다.
US 6,322,908 및 WO 03/001569 A2에는 유기 전계 발광 디바이스에 사용될 수 있는 다환 화합물이 개시되어 있다. 본 발명에 따른 화합물에 대한 개시는 없다. 또한, 간행물 J. Org. Chem. 1995, 60, 2344-2352 에는 질소 함유 복소환 화합물을 포함한 화합물의 광화학적 특성이 기재되어 있다. 질소 함유 복소환 화합물의 합성은 Chin. J. Chem. 2011, 29, 2769에 자세히 나타나 있다. 그러나, 인용된 간행물에는 유기 전계 발광 디바이스에서의 이들 화합물의 사용에 대한 설명은 없다.
일반적으로, 특히 디바이스의 수명 및 색 순도 뿐만 아니라 효율 및 작동 전압과 관련하여, 예를 들어 방출체로서, 특히 형광 방출체로서 사용하기 위한 이들 질소 함유 복소환 화합물에 있어서 개선이 여전히 필요하다.
따라서, 본 발명의 목적은 유기 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에서 사용하기에 적합하고 이 디바이스에서 사용될 때 양호한 디바이스 특성에 이르는 화합물을 제공하고, 대응하는 전자 디바이스를 제공하는 것이다.
보다 구체적으로는, 본 발명에 의해 다루어지는 문제점은 높은 수명, 양호한 효율 및 낮은 작동 전압에 이르는 화합물을 제공하는 것이다.
또한, 그 화합물은 가공성이 우수해야 하며, 특히 그 화합물은 우수한 용해도를 나타내야 한다.
본 발명에 의해 다루어지는 추가 과제는, 특히 방출체로서, 인광 또는 형광 전계 발광 디바이스에서 사용하기에 적합한 화합물을 제공하는 것으로 고려될 수 있다. 보다 구체적으로는, 본 발명에 의해 다루어지는 과제는 적색, 녹색 또는 청색 전계 발광 디바이스에 적합한 방출체를 제공하는 것이다.
또한, 화합물들은, 특히 이들이 유기 전계 발광 디바이스에서 방출체로서 사용될 때, 우수한 색 순도를 갖는 디바이스로 이어져야 한다.
본 발명에 의해 다루어지는 추가 과제는, 특히 매트릭스 재료로서, 인광 또는 형광 전계 발광 디바이스에서 사용하기에 적합한 화합물을 제공하는 것으로 고려될 수 있다. 보다 구체적으로는, 본 발명에 의해 다루어지는 과제는 적색, 황색 및 청색 인광 전계 발광 디바이스에 적합한 매트릭스 재료를 제공하는 것이다.
또한, 화합물들은, 특히 이들이 유기 전계 발광 디바이스에서 매트릭스 재료로서 또는 전자 수송 재료로서 사용될 때, 우수한 컬러 순도를 갖는 디바이스로 이어져야 한다.
추가의 과제는 우수한 성능을 갖는 전자 디바이스들을 매우 저렴하고 일정한 품질로 제공하는 것으로 고려될 수 있다.
또한, 많은 목적을 위해 전자 디바이스들을 사용하거나 또는 적합화할 수 있어야 한다. 보다 구체적으로, 전자 디바이스들의 성능은 넓은 온도 범위에 걸쳐 유지되어야 한다.
놀랍게도, 이 목적은 전계 발광 디바이스에 사용하기에 매우 양호하게 적합하고 특히 수명, 색 순도, 효율 및 작동 전압과 관련하여 매우 양호한 특성을 나타내는 유기 전계 발광 디바이스로 이어지는 아래에 상세히 설명된 특정 화합물에 의해 달성된다는 것을 알아냈다. 따라서 본 발명은 이들 화합물, 및 이러한 화합물을 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스를 제공한다.
본 발명은 하기 식 (I) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는 화합물, 바람직하게는 하기 식 (I) 의 화합물을 제공한다,
Figure pct00001
식중 고리 Ara 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 Ar 또는 Ra 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 고리 Arb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 Ar 또는 Rb 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
그리고 식중 사용되는 추가 기호 및 인덱스는 다음과 같다:
Wa, Wb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, O 또는 S, 바람직하게 O 이다;
Ar 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 여기서 Ar 기는 적어도 하나의 Ar, R, Ra, Rb 기 또는 추가 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
R, Ra, Rb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, OH, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar')2, N(R1)2, C(=O)N(Ar')2, C(=O)N(R1)2, C(Ar')3, C(R1)3, Si(Ar')3, Si(R1)3, B(Ar')2, B(R1)2, C(=O)Ar', C(=O)R1, P(=O)(Ar')2, P(=O)(R1)2, P(Ar')2, P(R1)2, S(=O)Ar', S(=O)R1, S(=O)2Ar', S(=O)2R1, OSO2Ar', OSO2R1, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기이고, 여기서 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R1C=CR1, C≡C, Si(R1)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기; 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 헤테로아릴티오기, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 디아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 디헤테로아릴아미노기, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자 및 1 내지 10개의 탄소 원자를 알킬 라디칼에 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아르알킬 또는 헤테로아릴알킬기이고; 동시에, 2개의 R, Ra, Rb 라디칼은 함께 또는 추가 기와 또한 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
Ar' 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 탄소 원자, 규소 원자, 질소 원자, 인 원자 또는 붕소 원자에 결합한 2 개의 Ar' 라디칼은 또한 단일 결합에 의한 브릿지 또는 B(R1), C(R1)2, Si(R1)2, C=O, C=NR1, C=C(R1)2, O, S, S=O, SO2, N(R1), P(R1) 및 P(=O)R1 로부터 선택된 브릿지를 통해 함께 연결되는 것이 가능하다;
R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar'')2, N(R2)2, C(=O)Ar'', C(=O)R2, P(=O)(Ar'')2, P(Ar'')2, B(Ar'')2, B(R2)2, C(Ar'')3, C(R2)3, Si(Ar'')3, Si(R2)3, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R2C=CR2-, -C≡C-, Si(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R2), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수도 있고 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬기, 또는 이들 시스템들의 조합이고; 동시에, 2 개 이상의 바람직하게는 인접한 R1 라디칼들은 함께 고리 시스템을 형성할 수 있고; 동시에, 하나 이상의 R1 라디칼은 화합물의 추가 부분과 고리 시스템을 형성할 수 있다;
Ar'' 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 탄소 원자, 규소 원자, 질소 원자, 인 원자 또는 붕소 원자에 결합한 2 개의 Ar'' 라디칼은 또한 단일 결합에 의한 브릿지 또는 B(R2), C(R2)2, Si(R2)2, C=O, C=NR2, C=C(R2)2, O, S, S=O, SO2, N(R2), P(R2) 및 P(=O)R2 로부터 선택된 브릿지를 통해 함께 연결되는 것이 가능하다;
R2 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, H, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족 히드로카르빌 라디칼, 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (여기서, 하나 이상의 수소 원자가 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 으로 대체될 수도 있고, 1 내지 4 개의 탄소 원자를 각각 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수도 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 동시에, 2개 이상의, 바람직하게는 인접한 치환기 R2 는 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
여기서 식 (A), (B) 및 (C) 의 화합물들은 보호에서 제외한다.
Figure pct00002
Figure pct00003
식 (A), (B) 및 (C) 의 화합물들은 보호에서 제외된다. CAS No. 125213-40-3를 갖는 화합물(A), CAS No. 131847-09-1를 갖는 화합물(B), 및 CAS No. 166042-85-9를 갖는 화합물(C)은 선행 기술로부터 알려져 있지만, 전자 디바이스에서 그의 사용은 알려져 있지 않다.
본 발명의 맥락에서 아릴 기는 6 내지 40 개의 탄소 원자를 함유하고; 본 발명의 맥락에서 헤테로아릴 기는 2 내지 40 개의 탄소 원자 및 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하며, 단, 탄소 원자 및 헤테로원자의 총합은 적어도 5이다. 헤테로원자는 바람직하게 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 아릴 기 또는 헤테로아릴 기는 여기서 단순 방향족 환, 즉 벤젠, 또는 단순 헤테로방향족 환, 예를 들어 피리딘, 피리미딘, 티오펜, 등, 또는 융합된 (아닐레이트화 (annelated)) 아릴 또는 헤테로아릴 기, 예를 들어 나프탈렌, 안트라센, 페난트렌, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 등을 의미하는 것으로 이해된다. 단일 결합에 의해 서로 연결된 방향족 시스템, 예를 들어 바이페닐은, 대조적으로, 아릴 또는 헤테로아릴 기가 아니라 방향족 고리 시스템으로 지칭된다.
본 발명의 맥락에서 전자-결핍 헤테로아릴 기는 적어도 하나의 질소 원자를 갖는 적어도 하나의 헤테로방향족 6원 고리를 갖는 헤테로아릴 기이다. 추가의 방향족 또는 헤테로방향족 5 원 또는 6 원 고리가 이 6 원 고리 상에 융합될 수도 있다. 전자-결핍 헤테로아릴 기의 예는 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀린, 퀴나졸린 또는 퀴녹살린이다.
본 발명의 맥락에서 방향족 고리 시스템은 고리 시스템에 6 내지 60 개의 탄소 원자를 함유한다. 본 발명의 맥락에서 헤테로방향족 고리 시스템은 고리 시스템에서 2 내지 60 개의 탄소 원자와 적어도 하나의 헤테로원자를 함유하는데, 다만, 탄소 원자와 헤테로원자의 총합은 적어도 5 개이다. 헤테로원자는 바람직하게는 N, O 및/또는 S 로부터 선택된다. 본 발명의 맥락에서 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은, 반드시 아릴 또는 헤테로아릴 기만을 함유하는 것이 아니라, 둘 이상의 아릴 또는 헤테로아릴 기가 비방향족 단위, 예를 들어 탄소, 질소 또는 산소 원자에 의해 연결되는 것도 가능한 시스템을 의미하는 것으로 이해될 것이다. 예를 들어, 플루오렌, 9,9'-스피로바이플루오렌, 9,9-디아릴플루오렌, 트리아릴아민, 디아릴 에테르, 스틸벤 등과 같은 시스템은 또한 본 발명의 맥락에서 방향족 고리 시스템으로서 간주될 것이며, 둘 이상의 아릴기가 예를 들어 짧은 알킬기에 의해 연결되는 시스템도 마찬가지이다. 바람직하게는, 방향족 고리 시스템은 플루오렌, 9,9'-스피로바이플루오렌, 9,9-디아릴아민 또는 2 개 이상의 아릴 및/또는 헤테로아릴 기가 단일 결합에 의해 서로 연결되는 기로부터 선택된다.
본 발명의 맥락에서, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 함유할 수도 있으며 개개의 수소 원자 또는 CH2 기가 또한 전술한 기에 의해 치환될 수도 있는 지방족 히드로카르빌 라디칼 또는 알킬기 또는 알케닐 또는 알키닐기는 바람직하게는 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필, n-부틸, i-부틸, s-부틸, t-부틸, 2-메틸부틸, n-펜틸, s-펜틸, 네오펜틸, 시클로펜틸, n-헥실, 네오헥실, 시클로헥실, n-헵틸, 시클로헵틸, n-옥틸, 시클로옥틸, 2-에틸헥실, 트리플루오로메틸, 펜타플루오로에틸, 2,2,2-트리플루오로에틸, 에테닐, 프로페닐, 부테닐, 펜테닐, 시클로펜테닐, 헥세닐, 시클로헥세닐, 헵테닐, 시클로헵테닐, 옥테닐, 시클로옥테닐, 에티닐, 프로피닐, 부티닐, 펜티닐, 헥시닐, 헵티닐 또는 옥티닐 라디칼을 의미하는 것으로 이해된다. 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알콕시 기는 바람직하게는 메톡시, 트리플루오로메톡시, 에톡시, n-프로폭시, i-프로폭시, n-부톡시, i-부톡시, s-부톡시, t-부톡시, n-펜톡시, s-펜톡시, 2-메틸부톡시, n-헥스옥시, 시클로헥실옥시, n-헵트옥시, 시클로헵틸옥시, n-옥틸옥시, 시클로옥틸옥시, 2-에틸헥실옥시, 펜타플루오로에톡시 및 2,2,2-트리플루오로에톡시를 의미하는 것으로 이해된다. 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 티오알킬 기는 특히 메틸티오, 에틸티오, n-프로필티오, i-프로필티오, n-부틸티오, i-부틸티오, s-부틸티오, t-부틸티오, n-펜틸티오, s-펜틸티오, n-헥실티오, 시클로헥실티오, n-헵틸티오, 시클로헵틸티오, n-옥틸티오, 시클로옥틸티오, 2-에틸헥실티오, 트리플루오로메틸티오, 펜타플루오로에틸티오, 2,2,2-트리플루오로에틸티오, 에테닐티오, 프로페닐티오, 부테닐티오, 펜테닐티오, 시클로펜테닐티오, 헥세닐티오, 시클로헥세닐티오, 헵테닐티오, 시클로헵테닐티오, 옥테닐티오, 시클로옥테닐티오, 에티닐티오, 프로피닐티오, 부티닐티오, 펜티닐티오, 헥시닐티오, 헵티닐티오 또는 옥티닐티오를 의미하는 것으로 이해된다. 일반적으로, 본 발명에 따른 알킬, 알콕시 또는 티오알킬기는 직쇄, 분지형 또는 환형일 수도 있으며, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 전술한 기들에 의해 대체될 수도 있고; 추가로, 또한 하나 이상의 수소 원자가 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2, 바람직하게는 F, Cl 또는 CN, 더욱 바람직하게는 F 또는 CN, 특히 바람직하게는 CN 에 의해 대체될 수 있다.
5 내지 60 개 또는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 또한 각 경우에 위에 언급된 라디칼로 치환될 수도 있고 임의의 원하는 위치를 통해 방향족 또는 헤테로방향족 시스템에 연결될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은, 특히 벤젠, 나프탈렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 페난트렌, 피렌, 크리센, 페릴렌, 플루오란텐, 나프타센, 펜타센, 벤조피렌, 바이페닐, 바이페닐렌, 테르페닐, 트리페닐렌, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 디히드로페난트렌, 디히드로피렌, 테트라히드로피렌, 시스- 또는 트랜스-인데노플루오렌, 시스- 또는 트랜스-인데노카르바졸, 시스- 또는 트랜스-인돌로카르바졸, 트룩센, 이소트룩센, 스피로트룩센, 스피로이소트룩센, 푸란, 벤조푸란, 이소벤조푸란, 디벤조푸란, 티오펜, 벤조티오펜, 이소벤조티오펜, 디벤조티오펜, 피롤, 인돌, 이소인돌, 카르바졸, 피리딘, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 아크리딘, 페난트리딘, 벤조-5,6-퀴놀린, 벤조-6,7-퀴놀린, 벤조-7,8-퀴놀린, 페노티아진, 페녹사진, 피라졸, 인다졸, 이미다졸, 벤즈이미다졸, 나프트이미다졸, 페난트르이미다졸, 피리디미다졸, 피라진이미다졸, 퀴녹살린이미다졸, 옥사졸, 벤즈옥사졸, 나프트옥사졸, 안트르옥사졸, 페난트르옥사졸, 이소옥사졸, 1,2-티아졸, 1,3-티아졸, 벤조티아졸, 피리다진, 헥사아자트리페닐렌, 벤조피리다진, 피리미딘, 벤조피리미딘, 퀴녹살린, 1,5-디아자안트라센, 2,7-디아자피렌, 2,3-디아자피렌, 1,6-디아자피렌, 1,8-디아자피렌, 4,5-디아자피렌, 4,5,9,10-테트라아자페릴렌, 피라진, 페나진, 페녹사진, 페노티아진, 플루오루빈, 나프티리딘, 아자카르바졸, 벤조카르볼린, 페난트롤린, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸, 1,2,3-옥사디아졸, 1,2,4-옥사디아졸, 1,2,5-옥사디아졸, 1,3,4-옥사디아졸, 1,2,3-티아디아졸, 1,2,4-티아디아졸, 1,2,5-티아디아졸, 1,3,4-티아디아졸, 1,3,5-트리아진, 1,2,4-트리아진, 1,2,3-트리아진, 테트라졸, 1,2,4,5-테트라진, 1,2,3,4-테트라진, 1,2,3,5-테트라진, 퓨린, 프테리딘, 인돌리진 및 벤조티아디아졸로부터 유도된 기 또는 이들 시스템들의 조합으로부터 유도된 기를 의미하는 것으로 이해된다.
2 개 이상의 라디칼이 함께 고리를 형성할 수도 있다는 어구는, 본 상세한 설명의 맥락에서, 특히, 2 개의 라디칼이 2 개의 수소 원자의 형식적 제거와 함께 화학 결합에 의해 서로 연결됨을 의미하는 것으로 이해되어야 한다. 이는 다음의 도식에 의해 예시된다:
Figure pct00004
그러나, 추가적으로, 위에 언급된 문구는 또한 2 개의 라디칼 중 하나가 수소인 경우에는 제 2 라디칼이 수소 원자가 결합되었던 위치에 결합되어, 고리를 형성한다는 것을 의미함으로 이해되어야 한다. 이것은 다음 도식에 의해 예시될 것이다:
Figure pct00005
바람직한 구성에서, 본 발명의 화합물은 식 (II-1) 내지 (II-42) 의 구조를 포함할 수도 있고; 보다 바람직하게는, 본 발명의 화합물은 식 (II-1) 내지 (II-42) 의 화합물로부터 선택될 수도 있다:
Figure pct00006
Figure pct00007
Figure pct00008
Figure pct00009
Figure pct00010
Figure pct00011
Figure pct00012
Figure pct00013
Figure pct00014
Figure pct00015
Figure pct00016
Figure pct00017
Figure pct00018
Figure pct00019
식 중 기호 Wa 및 Wb 는 위에, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 가지며 추가 기호는 다음과 같다:
Ya 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N(Ar), N(Ra), P(Ar), P(Ra), P(=O)Ar, P(=O)Ra, P(=S)Ar, P(=S)Ra, B(Ar), B(Ra), Al(Ar), Al(Ra), Ga(Ar), Ga(Ra), C=O, C(Ra)2, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, C=NRa, C=NAr, C=C(Ra)2, C=C(Ra)(Ar), O, S, Se, S=O 또는 SO2, 바람직하게 N(Ar), N(Ra), B(Ar), B(Ra), P(=O)Ra, P(=O)Ar, C=O, C(Ra)2, C=C(Ra)2, C=C(Ra)(Ar), Si(Ra)2, O, S, Se, S=O 또는 SO2, 보다 바람직하게 N(Ar), C(Ra)2, O 또는 S 이고, 식 중 Ra 는 위에, 특히 식 (I) 에 대해 자세히 나타낸 정의를 갖는다;
Yb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N(Ar), N(Rb), P(Ar), P(Rb), P(=O)Ar, P(=O)Rb, P(=S)Ar, P(=S)Rb, B(Ar), B(Rb), Al(Ar), Al(Ra), Ga(Ar), Ga(Rb), C=O, C(Rb)2, Si(Rb)2, Ge(Rb)2, C=NRb, C=NAr, C=C(Rb)2, C=C(Rb)(Ar), O, S, Se, S=O 또는 SO2, 바람직하게 N(Ar), N(Rb), B(Ar), B(Rb), P(=O)Rb, P(=O)Ar, C=O, C(Rb)2, C=C(Rb)2, C=C(Rb)(Ar), Si(Rb)2, O, S, Se, S=O 또는 SO2, 보다 바람직하게 N(Ar), C(Rb)2, O 또는 S 이고, 식 중 Rb 는 위에, 특히 식 (I) 에 대해 자세히 나타낸 정의를 갖는다;
Y1, Y2 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, N(Ar), N(R), P(Ar), P(R), P(=O)Ar, P(=O)R, P(=S)Ar, P(=S)R, B(Ar), B(R), Al(Ar), Al(R), Ga(Ar), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, Ge(R)2, C=NR, C=NAr, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), O, S, Se, S=O 또는 SO2, 바람직하게 N(Ar), N(R), B(Ar), B(R), P(=O)R, P(=O)Ar, C=O, C(R)2, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), Si(R)2, O, S, Se, S=O 또는 SO2, 보다 바람직하게 N(Ar), C(R)2, O 또는 S 이고, 여기서 R은 위에, 특히 식 (I) 에 대해 자세히 나타낸 정의를 갖는다;
X 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N 또는 CR, 바람직하게 CR 이며, 단, 하나의 환에서 X 기들 중 2개 이하는 N이고, 여기서 R은 위에, 특히 식 (I) 에 대해 자세히 나타낸 정의를 갖는다;
Xa 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N 또는 CRa, 바람직하게 CRa 이며, 단, 하나의 환에서 Xa 기들 중 2개 이하는 N이고, 여기서 Ra은 위에, 특히 식 (I) 에 대해 자세히 나타낸 정의를 갖는다;
Xb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N 또는 CRb, 바람직하게 CRb 이며, 단, 하나의 환에서 Xb 기들 중 2개 이하는 N이고, 여기서 Rb 는 위에, 특히 식 (I) 에 대해 자세히 나타낸 정의를 갖는다.
여기서 식 (II-1) 내지 (II-31) 의 구조가 바람직하고, 식 (II-1) 내지 (II-4), (II-6), (II-8), (II-10), (II-12), (II-14), (II-16) 내지 (II-19), (II-21), (II-23), (II-25), (II-27), (II-29), (II-31) 의 구조가 특히 바람직하다.
특히 식 (I) 및 (II-1) 내지 (II-42) 의 구조를 포함하는 화합물에 추가로, Wa, Wb 기 중 적어도 하나는 O이다; 바람직하게, Wa, Wb 기는 둘 다 O이다.
2개 이상의 질소 원자가 화합물에 존재하는 경우, 이들 질소 원자는 바람직하게는 인접하지 않으므로, N-N 결합은 존재하지 않는다.
추가의 바람직한 실시형태에서, 본 발명의 화합물이 식 (III-1) 내지 (III-41) 의 구조를 포함하는 경우일 수도 있고, 여기서 본 발명의 화합물은 보다 바람직하게는 식 (III-1) 내지 (III-41) 의 화합물로부터 선택될 수도 있다:
Figure pct00020
Figure pct00021
Figure pct00022
Figure pct00023
Figure pct00024
Figure pct00025
Figure pct00026
Figure pct00027
Figure pct00028
Figure pct00029
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Figure pct00031
Figure pct00032
Figure pct00033
식중 기호 Y1, Y2, Ya, Yb, X, Xa 및 Xb 는 위에, 특히 식 (II-1) 내지 (II-42) 에 대해 주어진 정의를 갖는다.
여기서 식 (III-1) 내지 (III-31) 의 구조가 바람직하고, 식 (III-1) 내지 (III-4), (III-6), (III-8), (III-10), (III-12), (III-14), (III-16) 내지 (III-19), (III-21), (III-23), (III-25), (III-27), (III-29), (III-31) 의 구조가 특히 바람직하다.
바람직하게 식 (II-1) 내지 (II-42) 및/또는 (III-1) 내지 (III-41)에서, 4개 이하 그리고 바람직하게는 2개 이하의 X, Xa 및 Xb 기는 N이며; 보다 바람직하게, 모든 X, Xa 및 Xb 기가 CR, CRa 또는 CRb 인 경우일 수도 있다.
추가의 바람직한 실시형태에서, 본 발명의 화합물이 식 (IV-1) 내지 (IV-41) 의 구조를 포함하는 경우일 수도 있고, 여기서 본 발명의 화합물은 보다 바람직하게는 식 (IV-1) 내지 (IV-41) 의 화합물로부터 선택될 수도 있다:
Figure pct00034
Figure pct00035
Figure pct00036
Figure pct00037
Figure pct00038
Figure pct00039
Figure pct00040
Figure pct00041
Figure pct00042
Figure pct00043
Figure pct00044
Figure pct00045
Figure pct00046
Figure pct00047
식중 기호 R, Ra 및 Rb 는 위에, 특히 식 (I)에 대해 주어진 정의를 가지며, 기호 Y1, Y2, Ya 및 Yb 는 위에, 특히 식 (II-1) 내지 (II-42) 에 대해 주어진 정의를 갖고, 추가 기호는 다음 정의를 갖는다:
m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
j 는 0, 1 또는 2, 바람직하게는 0 또는 1 이다.
여기서 식 (IV-1) 내지 (IV-31) 의 구조/화합물이 바람직하고, 식 (IV-1) 내지 (IV-4), (IV-6), (IV-8), (IV-10), (IV-12), (IV-14), (IV-16) 내지 (IV-19), (IV-21), (IV-23), (IV-25), (IV-27), (IV-29), (IV-31) 의 구조/화합물이 특히 바람직하다.
또한, Ya 및 Yb 라디칼은 동일한 경우일 수도 있다. 또한, Ya 및 Yb 라디칼은 상이할 수도 있다.
추가 구성에서, Ya 및 Yb 라디칼 중 하나는 O 이고 Ya 및 Yb 라디칼 중 하나는 C(Ra)2 또는 C(Rb)2 인 경우일 수도 있다.
추가 실시형태에서, Ya 및 Yb 라디칼 중 하나는 NAr 이고 Ya 및 Yb 라디칼 중 하나는 C(Ra)2 또는 C(Rb)2 인 경우일 수도 있다.
또한, Y1 및 Y2 라디칼은 동일한 경우일 수도 있다. 또한, Y1 및 Y2 라디칼은 상이할 수도 있다.
추가 구성에서, Y1 및 Y2 라디칼 중 하나는 O 이고 Y1 및 Y2 라디칼 중 하나는 C(Ra)2 또는 C(Rb)2 인 경우일 수도 있다.
추가 실시형태에서, Y1 및 Y2 라디칼 중 하나는 NAr 이고 Y1 및 Y2 라디칼 중 하나는 C(Ra)2 또는 C(Rb)2 인 경우일 수도 있다.
추가의 바람직한 실시형태에서, 본 발명의 화합물이 식 (V-1) 내지 (V-8) 의 구조를 포함하는 경우일 수도 있고, 여기서 본 발명의 화합물은 보다 바람직하게는 식 (V-1) 내지 (V-8) 의 화합물로부터 선택될 수도 있다:
Figure pct00048
Figure pct00049
식 중 기호 Ra 및 Rb 는 위에, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 가지며 추가 기호는 다음의 정의를 갖는다:
Rc, Rd 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, N(Ar')2, N(R1)2, C(=O)N(Ar')2, C(=O)N(R1)2, C(Ar')3, C(R1)3, Si(Ar')3, Si(R1)3, B(Ar')2, B(R1)2, C(=O)Ar', C(=O)R1, P(=O)(Ar')2, P(=O)(R1)2, P(Ar')2, P(R1)2, S(=O)Ar', S(=O)R1, S(=O)2Ar', S(=O)2R1, OSO2Ar', OSO2R1, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기이고, 여기서 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R1C=CR1, C≡C, Si(R1)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기; 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 헤테로아릴티오기, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 디아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 디헤테로아릴아미노기, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자 및 1 내지 10개의 탄소 원자를 알킬 라디칼에 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴알킬 또는 헤테로아릴알킬기이고; 동시에, 하나의 Rc 라디칼은 R, Ra, Rb, Rd 라디칼 또는 추가 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있다; 동시에, Rd 라디칼은 R, Ra, Rb, Rc 라디칼 또는 추가 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
n 은 0, 1, 2 또는 3, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다.
또한, 특히 식 (V-1) 내지 (V-8)의 구조/화합물에 대해, Rc 및 Rd 라디칼들은 동일한 경우일 수도 있다. 또한, Rc 및 Rd 라디칼들은 상이할 수도 있다.
특히 식 (IV-1) 내지 (IV-41) 및/또는 (V-1) 내지 (V-8) 의 구조/화합물에서, 인덱스 j, m 및 n 의 총합은 바람직하게 최대 10 바람직하게 8 이하, 특히 바람직하게는 6 이하 그리고 보다 바람직하게는 4 이하이다.
또한, (I), (II-1) 내지 (II-42), (III-1) 내지 (III-42), (IV-1) 내지 (IV-41), (V-1) 내지 (V-8) 를 포함하는 식 및/또는 이하에 자세히 나타내는 이들 식의 바람직한 실시형태들에서, 적어도 하나의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼은 1 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기, 또는 2 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 (여기서 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R1C=CR1, C≡C, Si(R1)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있음) 이거나, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이거나, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴 또는 헤테로아릴옥시 기이거나, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 헤테로아릴티오 기이거나, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 디아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 디헤테로아릴아미노 기이거나, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자 및 1 내지 10개의 탄소 원자를 알킬 라디칼에 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴알킬 또는 헤테로아릴알킬기이다.
바람직하게, (I), (II-1) 내지 (II-42), (III-1) 내지 (III-42), (IV-1) 내지 (IV-41), (V-1) 내지 (V-8)을 포함하는 식 및/또는 이하에 상세히 나타내는 이들 식의 바람직한 실시형태에서, 적어도 하나의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼은 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 가지며 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이거나, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴 또는 헤테로아릴옥시 기이거나, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 헤테로아릴티오 기이거나, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 디아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 디헤테로아릴아미노 기이거나, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자 및 1 내지 10개의 탄소 원자를 알킬 라디칼에 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴알킬 또는 헤테로아릴알킬기, 보다 바람직하게는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다.
본 발명의 바람직한 발전예에서, 적어도 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼은 그 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼이 결합하는 추가 기와 함께 융합된 고리를 형성하고, 여기서 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼은 식 (RA-1) 내지 (RA-12)의 적어도 하나의 구조를 형성하는 경우일 수도 있다:
Figure pct00050
식 중 R1 은 위에 자세히 나타낸 정의를 갖고, 점선 결합은 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼이 추가 기에 결합하는 부착 부위를 나타내며, 추가 기호는 다음 정의를 갖는다:
Y3 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 C(R1)2, (R1)2C-C(R1)2, (R1)C=C(R1), NR1, NAr‘, O 또는 S, 바람직하게 C(R1)2, (R1)2C-C(R1)2, (R1)C=C(R1), O 또는 S 이다;
Re 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, F, 1 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (여기서 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 인접 CH2 기는 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기이고; 동시에, 또한 2 개의 Re 라디칼이 함께 또는 하나의 Re 라디칼이 R1 라디칼과 함께 또는 추가 기와 함께 고리 시스템을 형성하는 것이 가능하다;
s 는 0, 1, 2, 3, 4, 5 또는 6, 바람직하게는 0, 1, 2, 3 또는 4, 보다 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
t 는 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 또는 8, 바람직하게는 0, 1, 2, 3 또는 4, 보다 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
v 는 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 또는 9, 바람직하게는 0, 1, 2, 3 또는 4, 보다 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, 적어도 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼은 그 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼이 결합하는 추가 기와 함께 융합된 고리를 형성하고, 여기서 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼은 바람직하게 식 (RA-1a) 내지 (RA-4f) 의 구조 중 적어도 하나를 형성한다:
Figure pct00051
식 중 점선 결합은 2 개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼이 추가 기에 결합하는 부착 부위를 나타내고, 인덱스 m은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게 0, 1 또는 2 이고, 기호 R1, R2, Re 및 인덱스 s 및 t 는 위에, 특히 식 (I) 및/또는 식 (RA-1) 내지 (RA-12) 에 대해 자세히 나타낸 정의를 갖는다.
또한, 적어도 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼은 식 (RA-1) 내지 (RA-12) 및/또는 (RA-1a) 내지 (RA-4f) 의 구조를 형성하고 융합된 고리를 형성하며, 인접한 X, Xa, Xb 기로부터 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼을 나타내거나, 또는 인접한 탄소 원자에 각각 결합하는 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼을 나타내는 경우일 수도 있고, 여기서 이들 탄소 원자는 바람직하게는 결합을 통해 연결된다.
추가의 바람직한 실시형태에서, 적어도 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼은 그 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼이 결합하는 추가 기와 함께 융합된 고리를 형성하고, 여기서 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼은 식 (RB) 의 구조를 형성한다.
Figure pct00053
식 중 R1 은 위에, 특히 식 (I) 에 대해 제시된 정의를 갖고, 점선 결합은 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼이 추가 기에 결합하는 결합 부위를 나타내고, 인덱스 m은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2이고, Y4 는 C(R1)2, NR1, NAr', BR1, BAr', O 또는 S, 바람직하게 C(R1)2, NAr' 또는 O 이다.
적어도 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼은 식 (RB) 의 구조를 형성하고 융합된 고리를 형성하며, 인접한 X, Xa, Xb 기로부터 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼을 나타내거나, 또는 인접한 탄소 원자에 각각 결합하는 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼을 나타내는 경우일 수도 있고, 여기서 이들 탄소 원자는 바람직하게는 결합을 통해 서로 연결된다.
보다 바람직하게는, 화합물은 식 (VI-1) 내지 (VI-22) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고; 보다 바람직하게는, 화합물은 식 (VI-1) 내지 (VI-22) 의 화합물로부터 선택되며, 여기서 화합물은 적어도 하나의 융합 고리를 갖는다:
Figure pct00054
Figure pct00055
식중 기호 R, Ra, Rb, Y1 및 Y2 는 위에, 특히 식 (I) 및/또는 식 (II-1) 내지 (II-42)에 대해 주어진 정의를 갖고, 기호 o는 부착 부위를 나타내고, 추가 기호는 다음 정의를 갖는다:
m 은 0, 1, 2, 3 또는 4, 바람직하게는 0, 1 또는 2 이다;
j 는 0, 1 또는 2, 바람직하게는 0 또는 1 이다;
k 는 0 또는 1 이다.
여기서 식 (VI-1) 내지 (VI-4) 의 구조/화합물이 바람직하다.
보다 바람직하게는, 화합물은 식 (VII-1) 내지 (VII-4) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고; 보다 바람직하게는, 화합물은 식 (VII-1) 내지 (VII-4) 의 화합물로부터 선택되며, 여기서 화합물은 적어도 하나의 융합 고리를 갖는다:
Figure pct00056
식 중 기호 R, Ra 및 Rb 는 위에, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 가지며, 기호 o 는 융합된 고리의 부착 부위를 나타내고, 추가 기호는 다음의 정의를 갖는다:
j 는 0, 1 또는 2, 바람직하게는 0 또는 1 이다;
k 는 0 또는 1 이다.
바람직하게는, 특히 식 (VI-1) 내지 (VI-22) 및/또는 (VII-1) 내지 (VII-4) 에서, 융합된 고리는 적어도 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼 및 그 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼이 결합하는 추가 기에 의해 형성되고, 여기서 적어도 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼은 식 (RA-1) 내지 (RA-12) 및/또는 식 (RB) 의 구조, 바람직하게는 식 (RA-1) 내지 (RA-12) 의 구조를 형성한다.
바람직하게 화합물은 적어도 2개의 융합된 고리를 갖고, 여기서 적어도 하나의 융합된 고리는 식 (RA-1) 내지 (RA-12) 및/또는 (RA-1a) 내지 (RA-4f) 의 구조에 의해 형성되고 추가의 고리는 식 (RA-1) 내지 (RA-12), (RA-1a) 내지 (RA-4f) 또는 (RB) 의 구조에 의해 형성되는 경우일 수도 있다.
특히 식 (VI-1) 내지 (VI-22) 및/또는 (VII-1) 내지 (VII-4) 에서, 인덱스 k, j 및 m 의 총합은 바람직하게는 0, 1, 2 또는 3, 보다 바람직하게는 1 또는 2이다.
또한, 위의 식에 따른 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, R1 및 R2 는 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, R1 및 R2 가 결합하는 고리 시스템의 고리 원자와 융합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 형성하지 않는 경우일 수도 있다. 이것은 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re 및 R1 라디칼에 결합될 수도 있는 가능한 치환기 R1 및 R2 와의 융합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템의 형성을 포함한다.
특히 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, R1 및/또는 R2 로부터 선택될 수도 있는 2개의 라디칼이 서로 고리 시스템을 형성하는 경우, 이 고리 시스템은 단환 또는 다환, 지방족, 헤테로지방족, 방향족 또는 헤테로방향족일 수도 있다. 이 경우, 함께 고리 시스템을 형성하는 라디칼은 인접할 수도 있으며, 이는 이들 라디칼이 동일한 탄소 원자에 또는 서로 직접 결합된 탄소 원자에 결합되거나, 또는 서로 더 멀리 떨어져 있을 수 있음을 의미한다. 또한, 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, R1 및/또는 R2 이 제공된 고리 시스템은 또한 결합을 통해 서로 연결될 수도 있으며, 그 결과 이것은 고리 닫힘 (ring closure) 을 초래할 수 있다. 이 경우, 대응하는 결합 부위 각각에는 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, R1 및/또는 R2 이 제공되는 것이 바람직하다.
바람직한 구성에서, 본 발명의 화합물은 식 (I), (II-1) 내지 (II-42), (III-1) 내지 (III-42), (IV-1) 내지 (IV-41), (V-1) 내지 (V-8), (VI-1) 내지 (VI-22) 및/또는 (VII-1) 내지 (VII-4) 의 구조 중 적어도 하나에 의해 표현될 수 있다. 바람직하게, 식 (I), (II-1) 내지 (II-42), (III-1) 내지 (III-42), (IV-1) 내지 (IV-41), (V-1) 내지 (V-8), (VI-1) 내지 (VI-22) 및/또는 (VII-1) 내지 (VII-4) 의 구조를 바람직하게 포함하는, 본 발명의 화합물은 분자량이 5000　g/mol 이하, 바람직하게는 4000　g/mol 이하, 특히 바람직하게는 3000　g/mol 이하, 특히 바람직하게는 2000　g/mol 이하이고 가장 바람직하게는 1200　g/mol 이하이다.
또한, 본 발명의 바람직한 화합물들의 특징은 이것들이 승화성이라는 것이다. 이들 화합물은 일반적으로 약 1200 g/mol 미만의 몰 질량을 갖는다.
바람직한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re, Ar' 및/또는 Ar 은 페닐, 바이페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라- 바이페닐, 테르페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 플루오렌, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 스피로바이플루오렌, 나프탈렌, 특히 1- 또는 2- 결합된 나프탈렌, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 1, 2, 3, 4 또는 9 위치를 통해 연결될 수도 있는 카르바졸, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 디벤조푸란, 또는 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 페난트렌, 또는 트리페닐렌으로부터 선택되고, 이들의 각각은 하나 이상의 R1 또는 R 라디칼에 의해 치환될 수도 있다.
바람직하게는, 적어도 하나의 치환기 R, Ra, Rb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기, 또는 하기 식 Ar-1 내지 Ar-78 의 기로부터 선택되는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 바람직하게 치환기 R, Ra, Rb 는, 바람직하게 식 (RA-1) 내지 (RA-12) 또는 (RB) 의 구조에 따른, 융합된 고리를 형성하거나, 또는 치환기 R, Ra, Rb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, D 또는 하기 식 Ar-1 내지 Ar-78 의 기로부터 선택되는 방향족 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택되거나, 및/또는 Ar' 기는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 하기 식 Ar-1 내지 Ar-78 의 기로부터 선택되는 경우일 수도 있다:
Figure pct00057
Figure pct00058
Figure pct00059
Figure pct00060
Figure pct00061
Figure pct00062
식 중, R1 은 위에 정의된 바와 같고, 점선 결합은 부착 부위를 나타내고, 또한:
Ar1 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있는 2가 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
A 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, C(R1)2, NR1, O 또는 S 이다;
p 는 0 또는 1 이고, 여기서 p = 0 은 Ar1 기가 부재하는 것 그리고 대응하는 방향족 또는 헤테로방향족 기가 대응하는 라디칼에 직접 결합되는 것을 의미한다;
q 은 0 또는 1 이고, 여기서 q = 0 는, A 기가 이 위치에 결합되지 않고, 그 대신 R1 라디칼이 대응하는 탄소 원자에 결합됨을 의미한다.
여기서 식 (Ar-1), (Ar-2), (Ar-3), (Ar-12), (Ar-13), (Ar-14), (Ar-15), (Ar-16), (Ar-40), (Ar-41), (Ar-42), (Ar-43), (Ar-45), (Ar-47), (Ar-57), (Ar-69), (Ar-70), (Ar-75), (Ar-78) 의 구조가 바람직하고, 식 (Ar-1), (Ar-2), (Ar-3), (Ar-12), (Ar-13), (Ar-14), (Ar-15), (Ar-16) 의 구조가 특히 바람직하다.
식 (Ar-1) 내지 (Ar-78)의 구조에 대한 위에 언급된 기가 2개 이상의 A 기를 갖는 경우, 이들에 대한 가능한 선택은 A 의 정의로부터의 모든 조합들을 포함한다. 그 경우 바람직한 실시형태는 하나의 A 기가 NR1 이고 다른 하나의 A 기가 C(R1)2 이거나 또는 두 A 기 모두가 NR1 이거나 또는 두 A 기가 모두 O 인 것들이다.
A 가 NR1 인 경우, 질소 원자에 결합된 치환기 R1 은 바람직하게는, 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자들을 갖고 또한 하나 이상의 R2 라디칼들에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 특히 바람직한 실시형태에서, 이 R1 치환기는 각각의 경우 동일하거나 상이하며 6 내지 24개의 방향족 고리 원자, 특히 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 이는 융합된 아릴기를 갖지 않고, 2개 이상의 방향족 또는 헤테로방향족 6원 고리 기들이 서로 직접 융합되는 융합된 헤테로아릴 기를 갖지 않으며, 또한, 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있다. Ar-1 내지 Ar-11에 대해 위에 열거된 바와 같은 결합 패턴을 갖는 페닐, 바이페닐, 테르페닐 및 쿼터페닐이 바람직하고, 여기서 이들 구조들은, R1 에 의해서 보다는, 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는다. Ar-47 내지 Ar-50, Ar-57 및 Ar-58 에 대해 위에 열거된 트리아진, 피리미딘 및 퀴나졸린이 또한 바람직하고, 여기서 이들 구조는, R1 에 의해서 보다는, 하나 이상의 R2 라디칼에 의해서 치환될 수도 있다.
바람직한 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd 및 Re 에 대한 설명이 뒤따른다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, R, Ra, Rb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, F, CN, NO2, Si(R1)3, B(OR1)2, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (상기 알킬 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 추가 바람직한 실시형태에서, 치환기 R, Ra, Rb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, F, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (상기 알킬 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
또한, 적어도 하나의 치환기 R, Ra, Rb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 N(Ar')2 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 경우일 수도 있다. 본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd 는 식들 (RA-1) 내지 (RA-12), (RA-1a) 내지 (RA-4f) 또는 (RB) 의 구조들에 따른 고리를 형성하거나, 또는 R, Ra, Rb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 N(Ar')2 기로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 보다 바람직하게, 치환기 R, Ra, Rb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 H, 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며, 바람직하게는 6 내지 18 개 방향족 고리 원자를 가지며, 더 바람직하게는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이들 각각은 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있다) 으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
바람직하게, 적어도 하나의 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd 는 페닐, 바이페닐, 테르페닐, 쿼터페닐, 플루오렌, 스피로바이플루오렌, 나프탈렌, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 카르바졸, 디벤조푸란, 디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 페난트렌 및 트리페닐렌으로부터 선택되는 경우일 수도 있고, 이들의 각각은 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있다. 여기서 "치환기"라는 표현이 보다 구체적으로 의미하는 것은 R, Ra, Rb, Rc, Rd 는 H 가 아니라는 것이다. 또한, 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd 는 언급된 방향족 또는 헤테로방향족 기로부터 선택된 2개 이상의 치환기가 존재하는 경우에 동일하거나 또는 상이할 수도 있다.
추가 실시형태에서, 적어도 하나의 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd 는 o-바이페닐, o,o´-테르페닐, o,o´,p-쿼터페닐, 4,6-디페닐피리미딘-2-일, 4,6-디페닐트리아진-2-일, 나프탈렌, 페난트렌, 크리센, 스피로바이플루오렌, 트리페닐렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 플루오렌 및/또는 피렌으로부터 선택되고, 이들 각각은 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있다. 여기서 스피로바이플루오렌, o-바이페닐, o,o´-테르페닐, o,o´,p-쿼터페닐, 4,6-디페닐피리미딘-2-일, 4,6-디페닐트리아진-2-일 라디칼이 바람직하다. 치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd 는 언급된 방향족 기로부터 선택된 2개 이상의 치환기가 존재하는 경우에 동일하거나 또는 상이할 수도 있다. o-바이페닐, o,o´-테르페닐, o,o´,p-쿼터페닐, 4,6-디페닐피리미딘-2-일, 4,6-디페닐트리아진-2-일, 나프탈렌, 페난트렌, 크리센, 스피로바이플루오렌, 트리페닐렌, 안트라센, 벤즈안트라센, 플루오렌 및/또는 피렌으로부터 선택된 기를 갖는 구조/화합물은 전자 수송 재료로 및/또는 매트릭스 재료로 사용하기에 특히 적합하다.
치환기 Rc, Rd 에 관하여, 동일한 것이 전술한 제한을 갖는 치환기 R, Ra, Rb 와 관련하여 제시된 바람직한 것들을 위해 위에 언급된 바처럼 대응하여 적용 가능하다. 특히, 적어도 하나의 치환기 Rc, Rd 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 및 N(Ar')2 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 경우일 수도 있다. 또한, 치환기 Rc, Rd 는, 바람직하게는 식 (RA-1) 내지 (RA-12) 또는 (RB) 의 구조에 따른, 융합된 고리를 형성하거나, 또는 치환기 Rc, Rd 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 및 N(Ar')2 기로 이루어진 군으로부터 선택되는 경우일 수도 있다.
보다 바람직하게, 치환기 Rc, Rd 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 위에 나타낸 식 (Ar-1) 내지 (Ar-78) 의 기들로부터 선택되는 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내는 경우일 수도 있다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, Re 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (상기 알킬 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 5 내지 40 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, Re 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (상기 알킬 기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 보다 바람직하게, Re 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 1 내지 5 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 5 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (상기 알킬 기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자, 보다 바람직하게는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 바람직한 실시형태에서, Re 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 1 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 환형 알킬기 (상기 알킬기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있음), 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 동시에, 2 개의 Re 라디칼은 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있다. 보다 바람직하게, Re 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 1, 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기 또는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬기 (상기 알킬기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않음), 또는 6 내지 12 개의 방향족 고리 원자, 특히 6 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 바람직하게 비방향족 R2 라디칼로 치환될 수도 있지만 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 동시에, 2 개의 Re 라디칼은 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있다. 가장 바람직하게, Re 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며 1, 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬기, 또는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 알킬기로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, Re 는 메틸기이거나 또는 페닐기이고, 여기서 2개의 페닐기는 함께 고리 시스템을 형성할 수 있으며, 페닐기보다 메틸기가 바람직하다.
치환기 R, Ra, Rb, Rc, Rd, Re 또는 Ar 또는 Ar' 에 의해 표현되는 바람직한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템은 페닐, 바이페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라- 바이페닐, 테르페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 플루오렌, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 스피로바이플루오렌, 나프탈렌, 특히 1- 또는 2- 결합된 나프탈렌, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 카르바졸, 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 디벤조푸란, 또는 1, 2, 3 또는 4 위치를 통해 연결될 수도 있는 디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 피리딘, 피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 퀴놀린, 이소퀴놀린, 퀴나졸린, 퀴녹살린, 페난트렌, 또는 트리페닐렌으로부터 선택되고, 이들의 각각은 하나 이상의 R, R1 또는 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있다. 위에 열거된 구조 Ar-1 내지 Ar-78 가 특히 바람직하며, 식 (Ar-1), (Ar-2), (Ar-3), (Ar-12), (Ar-13), (Ar-14), (Ar-15), (Ar-16), (Ar-69), (Ar-70), (Ar-75) 의 구조가 바람직하고, 식 (Ar-1), (Ar-2), (Ar-3), (Ar-12), (Ar-13), (Ar-14), (Ar-15), (Ar-16) 의 구조가 특히 바람직하다. 구조 Ar-1 내지 Ar-78와 관련하여, 이들은 치환기 R1 을 갖는 것으로 표시되어 있다는 것이 언급되어야 한다. 고리 시스템 Ar의 경우, 이들 치환기 R1 은 R에 의해 대체되어야 하며, Re 의 경우에, 이들 치환기 R1 은 R2에 의해 대체되어야 한다.
추가의 적합한 R, Ra, Rb, Rc, Rd 기는 식 -Ar4-N(Ar2)(Ar3) 의 기들이고 여기서 Ar2, Ar3 및 Ar4 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고 5 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 여기서 Ar2, Ar3 및 Ar4 에서의 방향족 고리 원자들의 총수는 60 이하, 그리고 바람직하게는 40 이하이다.
이 경우, Ar4 및 Ar2 는 또한 서로 결합될 수도 있거나 및/또는 Ar2 및 Ar3 은 C(R1)2, NR1, O 및 S 로부터 선택된 기에 의해 서로 결합될 수도 있다. 바람직하게는, Ar4 및 Ar2 기가 서로 그리고 Ar2 및 Ar3 가 서로 질소 원자에의 결합에 대한 각각의 오르토 위치에서 연결된다. 본 발명의 추가의 실시형태에서, Ar2, Ar3 및 Ar4 기들 중 어느 것도 서로 결합되지 않는다.
바람직하게는, Ar4 는, 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 12 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 보다 바람직하게는, Ar4 는 오르토-, 메타- 또는 파라-페닐렌 또는 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐로 이루어진 군으로부터 선택되고, 이들의 각각은 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는다. 가장 바람직하게는, Ar4 는 비치환된 페닐렌 기이다.
바람직하게는, Ar2 및 Ar3 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다. 특히 바람직한 Ar2 및 Ar3 기는 각각의 경우 동일하거나 상이하고 벤젠, 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐, 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오레닐, 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오레닐, 1- 또는 2-나프틸, 인돌, 벤조푸란, 벤조티오펜, 1-, 2-, 3- 또는 4-카르바졸, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조푸란, 1-, 2-, 3- 또는 4-디벤조티오펜, 인데노카르바졸, 인돌로카르바졸, 2-, 3- 또는 4-피리딘, 2-, 4- 또는 5-피리미딘, 피라진, 피리다진, 트리아진, 페난트렌 또는 트리페닐렌 (이들의 각각은 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있음) 으로 이루어진 군으로부터 선택된다. 가장 바람직하게는, Ar2 및 Ar3 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, 벤젠, 바이페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-바이페닐, 테르페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐, 쿼터페닐, 특히 오르토-, 메타- 또는 파라-쿼터페닐 또는 분지형 쿼터페닐, 플루오렌, 특히 1-, 2-, 3- 또는 4-플루오렌, 또는 스피로바이플루오렌, 특히 1-, 2-, 3- 또는 4-스피로바이플루오렌으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, R1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, D, F, CN, 1 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기 또는 3 내지 10 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (여기서 알킬 기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 6 내지 24 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, R1 는 각각의 경우 동일하거나 상이하고, H, 1 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는, 특히 1, 2, 3 또는 4 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬 기, 또는 3 내지 6 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬 기 (상기 알킬 기는 하나 이상의 R5 라디칼에 의해 치환될 수도 있으나, 바람직하게는 치환되지 않음), 또는 6 내지 13 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우 하나 이상의 R5 라디칼로 치환될 수도 있지만 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시형태에서, R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, 1 내지 4 개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기 또는 6 내지 10개의 탄소 원자를 갖는 아릴 기 (이는 1 내지 4개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기로 치환될 수도 있지만 바람직하게는 치환되지 않음) 이다.
동시에, 진공 증발에 의해 처리되는 본 발명의 화합물에서, 알킬 기는 바람직하게는 5 개 이하의 탄소 원자, 더욱 바람직하게는 4 개 이하의 탄소 원자, 가장 바람직하게는 1 개 이하의 탄소 원자를 갖는다. 용액으로부터 처리되는 화합물에 대해, 적합한 화합물은 또한 10 개 이하의 탄소 원자를 갖는, 알킬 기, 특히, 분지형 알킬 기에 의해 치환된 것들 또는 올리고아릴렌 기, 예를 들어 오르토-, 메타-, 파라-테르페닐 또는 분지형 테르페닐 또는 쿼터페닐 기에 의해 치환된 것들이다.
또한, 화합물은 식 (I), (II-1) 내지 (II-42), (III-1) 내지 (III-41), (IV-1) 내지 (IV-41), (V-1) 내지 (V-8), (VI-1) 내지 (VI-22) 및/또는 (VII-1) 내지 (VII-4) 중 정확히 2개 또는 정확히 3개의 구조를 포함하는 경우일 수도 있다.
바람직한 구성에서, 화합물은 식 (D-1) 또는 (D-2) 의 화합물로부터 선택된다:
Figure pct00063
식 중, L1 기는 연결 기, 바람직하게는 결합 또는 5 내지 40 개, 바람직하게는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 사용된 추가의 기호들은 위에, 특히 식 (I) 에 대해 주어진 정의를 갖는다.
본 발명의 추가의 바람직한 실시 형태에서, L1 은 결합이거나 또는 5 내지 14 개의 방향족 또는 헤테로방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 바람직하게는 6 내지 12개의 탄소 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는 방향족 고리 시스템이며, 여기서 R1 은 위에, 특히 식 (I) 에 대해, 주어진 정의를 가질 수도 있다. 보다 바람직하게는, L1 은 6 내지 10 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 고리 시스템 또는 6 내지 13 개의 헤테로방향족 고리 원자를 갖는 헤테로방향족 고리 시스템이며, 이들의 각각은 하나 이상의 R2 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않고, 여기서 R2 는 특히 식 (I) 에 대해, 위에 주어진 정의를 가질 수도 있다.
추가로 바람직하게는, 특히 식 (D2) 에서 나타낸 기호 L1 은 각각의 경우 동일하거나 상이하고, 결합이거나 또는 5 내지 24 개의 고리 원자, 바람직하게는 6 내지 13 개의 고리 원자, 보다 바람직하게는 6 내지 10 개의 고리 원자를 갖는 아릴 또는 헤테로아릴 라디칼이며, 그 결과 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템의 방향족 또는 헤테로방향족 기는 추가 기의 각각의 원자에 직접, 즉 방향족 또는 헤테로방향족기의 원자를 통해 결합한다.
추가로, 식 (D2) 에 나타낸 L1 기는 4 개 이하의, 바람직하게는 3개 이하의, 보다 바람직하게는 2개 이하의, 융합된 방향족 및/또는 헤테로방향족 6 원 고리를 갖는 방향족 고리 시스템을 포함하고, 바람직하게는, 임의의 융합된 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 포함하지 않는 경우일 수도 있다. 따라서, 나프틸 구조가 안트라센 구조보다 바람직하다. 또한, 플루오레닐, 스피로바이플루오레닐, 디벤조푸라닐 및/또는 디벤조티에닐 구조가 나프틸 구조보다 바람직하다.
융합을 갖지 않는 구조, 예를 들어 페닐, 바이페닐, 테르페닐 및/또는 쿼터페닐 구조가 특히 바람직하다.
적합한 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 L1 의 예들은 오르토-, 메타- 또는 파라-페닐렌, 오르토-, 메타- 또는 파라- 바이페닐렌, 테르페닐렌, 특히 분지형 테르페닐렌, 쿼터페닐렌, 특히 분지형 쿼터페닐렌, 플루오레닐렌, 스피로바이플루오레닐렌, 디벤조푸라닐렌, 디벤조티에닐렌 및 카르바졸릴렌 (이들의 각각은 하나 이상의 R1 라디칼로 치환될 수도 있지만, 바람직하게는 치환되지 않는다) 으로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
위에 언급된 바람직한 실시형태들은 청구항 1에 정의된 제한들 내에서 원하는 대로 서로 조합될 수도 있다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에서, 위에 언급된 바람직한 것들은 동시에 나타난다.
위에 상세히 나타낸 실시형태에 따른 바람직한 화합물의 예는 아래 표에 나타낸 화합물이다:
Figure pct00064
Figure pct00065
Figure pct00066
Figure pct00067
Figure pct00068
Figure pct00069
Figure pct00070
Figure pct00071
Figure pct00072
Figure pct00073
Figure pct00074
Figure pct00075
Figure pct00076
Figure pct00077
Figure pct00078
Figure pct00079
Figure pct00080
Figure pct00081
본 발명의 화합물의 바람직한 실시형태는 실시예들에서 더 상세하게 언급되어 있으며, 이들 화합물은 본 발명의 모든 목적을 위해 추가 화합물과 조합하여 또는 단독으로 사용될 수 있다.
청구항 1 에 지정된 조건이 충족되는 한, 위에 언급된 바람직한 실시형태들이 원하는 바에 따라 서로 조합될 수 있다. 본 발명의 특히 바람직한 실시형태에 있어서, 위에 언급된 바람직한 실시형태는 동시에 적용된다.
본 발명의 화합물은 원칙적으로 다양한 방법에 의해 조제할 수 있다. 그러나, 후술하는 방법들이 특히 적합하다는 것을 알아냈다.
따라서, 본 발명은 또한 본 발명의 화합물의 제조 방법을 제공하며, 여기서 Wa 기 중 적어도 하나 또는 그 Wa 기 중 하나의 전구체를 갖는 베이스 골격이 합성되고, 다음으로 방향족 또는 헤테로방향족 라디칼이 친핵성 방향족 치환 반응 또는 커플링 반응에 의해 도입된다.
Wa 기를 갖는 베이스 골격을 포함하는 적합한 화합물들은 많은 경우에 상업적으로 이용 가능하고, 실시예에 상세히 나타낸 출발 화합물은 공지된 방법에 의해 수득가능하므로, 그에 대한 참조가 이루어진다.
이들 화합물은 알려진 커플링 반응에 의해 추가 화합물과 반응될 수 있고, 이 목적을 위한 필요한 조건은 당업자에게 알려져 있으며, 실시예에서의 상세한 설명은 이들 반응을 수행함에 있어서 당업자에게 뒷받침을 제공한다.
모두 C-C 결합 형성 및/또는 C-N 결합 형성으로 이어지는 특히 적합하고 바람직한 커플링 반응은 BUCHWALD, SUZUKI, YAMAMOTO, STILLE, HECK, NEGISHI, SONOGASHIRA 및 HIYAMA 에 따른 반응이다. 이들 반응은 널리 알려져 있으며, 실시예들은 당업자에게 추가 지침을 제공할 것이다.
위에 상술된 제조 방법의 원리는 원칙적으로 유사한 화합물에 대한 문헌으로부터 알려져 있으며, 당업자에 의해 본 발명의 화합물의 제조를 위해 용이하게 적합화될 수 있다. 추가의 정보는 실시예에서 찾아볼 수 있다.
이러한 방법에 이어서, 필요한 경우 정제, 예를 들어 재결정 또는 승화에 의해, 본 발명의 화합물을 고순도, 바람직하게는 99% 초과 (1H NMR 및/또는 HPLC 를 이용하여 결정됨) 로 수득할 수 있다.
본 발명의 화합물은 또한 폴리머와 혼합될 수도 있다. 마찬가지로, 이들 화합물을 공유결합에 의해 폴리머에 혼입시킬 수 있다. 이것은 특히 브롬, 요오드, 염소, 보론 산 또는 보로닉 에스테르와 같은 반응성 이탈 기에 의해 또는 올레핀 또는 옥세탄과 같은 반응성 중합성 기에 의해 치환된 화합물로 가능하다. 이들은 대응하는 올리고머, 덴드리머 또는 폴리머의 제조를 위해 모노머로서 사용될 수도 있다. 올리고머화 또는 중합은 바람직하게는, 할로겐 작용기 또는 보론산 작용기를 통해, 또는 중합성 기를 통해 이루어진다. 추가적으로, 이러한 종류의 기를 통해 폴리머를 가교시킬 수 있다. 본 발명의 화합물 및 폴리머는 가교 또는 비가교된 층의 형태로 사용될 수 있다.
따라서, 본 발명은 또한 식 (I) 및 이 식의 바람직한 실시형태의 위에서 상세히 나타낸 구조들 중 하나 이상 또는 본 발명의 화합물을 함유하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를 제공하고, 여기서 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머에 대한, 본 발명의 화합물의 또는 식 (I) 및 그 식의 바람직한 실시형태의 구조들의 하나 이상의 결합들이 존재한다. 따라서, 화합물의 또는 식 (I) 및 이 식의 바람직한 실시형태의 구조의 연결에 따라, 이들은 올리고머 또는 폴리머의 측쇄를 형성하거나 또는 주쇄 내에 결합된다. 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머는 공액, 부분 공액 또는 비공액될 수도 있다. 올리고머 또는 폴리머는 선형, 분지형 또는 수지형 (dendritic) 일 수 있다. 올리고머, 덴드리머 및 폴리머 중 본 발명의 화합물의 반복 단위에 대하여, 동일한 바람직한 사항이 위에 기재된 바와 같이 적용된다.
올리고머 또는 폴리머의 제조를 위해, 본 발명의 모노머는 추가 모노머와 동종 중합 (homopolymerize) 또는 공중합 (copolymerize) 된다. 식 (I) 또는 위와 아래에서 언급되는 바람직한 실시형태들의 단위들은 0.01 내지 99.9 mol%, 바람직하게는 5 내지 90 mol%, 보다 바람직하게는 20 내지 80 mol% 의 정도로 존재하는 코폴리머가 바람직하다. 폴리머 기본 골격 (polymer base skeleton) 을 형성하는 적합하고 바람직한 코모노머들은 플루오렌 (예를 들어, EP 842208 또는 WO 2000/022026 에 따름), 스피로바이플루오렌 (예를 들어, EP 707020, EP 894107 또는 WO 2006/061181 에 따름), 파라페닐렌 (예를 들어, WO 92/18552 에 따름), 카르바졸 (예를 들어, WO 2004/070772 또는 WO 2004/113468 에 따름), 티오펜 (예를 들어, EP 1028136 에 따름), 디히드로페난트렌 (예를 들어, WO 2005/014689 에 따름), 시스- 및 트랜스-인데노플루오렌 (예를 들어, WO 2004/041901 또는 WO 2004/113412 에 따름), 케톤 (예를 들어, WO 2005/040302 에 따름), 페난트렌 (예를 들어, WO 2005/104264 또는 WO 2007/017066 에 따름) 또는 그렇지 않으면 복수의 이들 단위로부터 선택된다. 폴리머, 올리고머 및 덴드리머는 여전히 추가 단위, 예를 들어 정공 수송 단위, 특히 트리아릴아민에 기초한 것들 및/또는 전자 수송 단위를 함유할 수도 있다.
또한 높은 유리 전이 온도를 특징으로 하는 본 발명의 화합물이 특히 흥미롭다. 이와 관련하여, 유리 전이 온도가, DIN 51005 (2005-08 버전) 에 따라 결정되는, 적어도 70 ℃, 더욱 바람직하게는 적어도 110 ℃, 더욱 더 바람직하게는 적어도 125℃ 이고 특히 바람직하게는 적어도 150℃ 인 위에서 그리고 이하에서 언급되는, 식 (I) 또는 바람직한 실시형태들의 구조를 포함하는 본 발명의 화합물이 특히 바람직하다.
예를 들어 스핀-코팅 또는 인쇄 방법에 의해 액체 상으로부터 본 발명의 화합물의 처리를 위해, 본 발명의 화합물의 포뮬레이션이 필요하다. 이들 포뮬레이션은 예를 들어, 용액, 분산액 또는 유화액일 수도 있다. 이러한 목적을 위해, 둘 이상의 용매의 혼합물을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 적합하고 바람직한 용매는 예를 들어, 톨루엔, 아니솔, o-, m- 또는 p-자일렌, 메틸 벤조에이트, 메시틸렌, 테트랄린, 베라트롤, THF, 메틸-THF, THP, 클로로벤젠, 디옥산, 페녹시톨루엔, 특히 3-페녹시톨루엔, (-)-펜촌, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 1-메틸나프탈렌, 2-메틸벤조티아졸, 2-페녹시에탄올, 2-피롤리디논, 3-메틸아니솔, 4-메틸아니솔, 3,4-디메틸아니솔, 3,5-디메틸아니솔, 아세토페논, α-테르피네올, 벤조티아졸, 부틸 벤조에이트, 큐멘, 시클로헥산올, 시클로헥사논, 시클로헥실벤젠, 데칼린, 도데실벤젠, 에틸 벤조에이트, 인단, NMP, p-시멘, 페네톨, 1,4-디이소프로필벤젠, 디벤질 에테르, 디에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 부틸 메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르, 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 테트라에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 2-이소프로필나프탈렌, 펜틸벤젠, 헥실벤젠, 헵틸벤젠, 옥틸벤젠, 1,1-비스(3,4-디메틸페닐)에탄, 2-메틸바이페닐, 3-메틸바이페닐, 1-메틸나프탈렌, 1-에틸나프탈렌, 에틸 옥타노에이트, 디에틸 세바케이트, 옥틸 옥타노에이트, 헵틸벤젠, 멘틸 이소발레레이트, 시클로헥실 헥사노에이트 또는 이들 용매의 혼합물이다.
따라서, 본 발명은 또한 적어도 하나의 본 발명의 화합물 및 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는 포뮬레이션 또는 조성물을 제공한다. 추가 화합물은 예를 들어, 용매, 특히 위에 언급된 용매 중 하나 또는 이들 용매의 혼합물일 수 있다. 추가 화합물이 용매를 포함하는 경우, 이 혼합물은 본원에서 포뮬레이션으로 지칭된다. 추가 화합물은 대안적으로, 마찬가지로 전자 디바이스에서 사용되는 적어도 하나의 추가의 유기 또는 무기 화합물, 예를 들어 방출체 및/또는 매트릭스 재료일 수도 있고, 여기서 이들 화합물은 본 발명의 화합물과 상이하다. 적합한 방출체 및 매트릭스 재료는 유기 전계 발광 디바이스와 관련하여 뒤에 열거된다. 추가 화합물은 또한 중합체성일 수도 있다.
따라서, 본 발명은 하기 식 (I) 의 적어도 하나의 화합물
Figure pct00082
(식 중 사용된 기호는 위에 주어진 정의를 갖는다), 바람직하게는 본 발명의 적어도 하나의 화합물 또는 식 (I) 의 구조를 포함하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머 및 적어도 하나의 추가 유기기능성 재료를 포함하는 조성물을 더욱 제공한다.
기능성 재료는 일반적으로 애노드와 캐소드 사이에 도입되는 유기 또는 무기 재료이다. 바람직하게는, 유기 기능성 재료는 형광 방출체, 인광 방출체, TADF (thermally activated delayed fluorescence) 를 나타내는 방출체, 호스트 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 정공 전도체 재료, 정공 주입 재료, 전자 차단 재료, 정공 차단 재료, 와이드 밴드갭 재료, 및 n-도펀트로 이루어지는 군으로부터 선택된다.
본 발명은 또한 전자 디바이스에서, 특히 유기 전계 발광 디바이스에서, 바람직하게는 방출체로서, 보다 바람직하게는 녹색, 적색 또는 청색 방출체로서 식 (I) 의 화합물
Figure pct00083
(식중 사용된 기호는 위에 주어진 정의를 가진다)
의 용도, 바람직하게는 본 발명의 화합물 또는 식 (I) 의 구조를 포함하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머의 용도를 제공한다.
이 경우, 본 발명의 화합물은 바람직하게는 형광 특성을 나타내므로 우선적으로 형광 방출체를 제공한다.
바람직하게 식 (II-2) 내지 (II-8), (II-17) 내지 (II-23), (III-2) 내지 (III-8), (III-17) 내지 (III-23), (IV-2) 내지 (IV-8), (IV-17) 내지 (IV-23), (V-1), (V-2), (V-5) 및/또는 (V-6) 의 구조/화합물이 방출체로서 사용되는 경우일 수도 있다.
또한, 식 (I) 의 화합물 또는 식 (I) 의 구조를 포함하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머가 호스트 재료 및/또는 전자 수송 재료로서 사용될 수도 있다. 바람직하게 안트라센 기 (Ar-76) 내지 (Ar-78), 바람직하게 (Ar-78) 를 갖는 구조/화합물, 및/또는 식 (II-9), (II-10), (II-24), (II-25), (III-9), (III-10), (III-24), (III-25), (IV-9), (IV-10), (IV-24) 및/또는 (IV-25) 의 화합물이 전자 수송 재료 및/또는 매트릭스 재료로서 사용되는 경우일 수도 있다.
따라서, 본 발명은 하기 식 (I) 의 적어도 하나의 화합물
Figure pct00084
(식 중 사용된 기호는 위에 주어진 정의를 갖는다), 바람직하게는 본 발명의 화합물 또는 식 (I) 의 구조를 포함하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를 포함하는 전자 디바이스를 더욱 제공한다.
본 발명의 맥락에서 전자 디바이스는 적어도 하나의 유기 화합물을 포함하는 적어도 하나의 층을 포함하는 디바이스이다. 이 컴포넌트는 또한 무기 재료, 또는 그렇지 않으면 무기 재료로부터 전체적으로 형성된 층을 포함할 수도 있다.
더욱 바람직하게, 전자 디바이스는 유기 전계 발광 디바이스(OLED, sOLED, PLED, LEC 등), 바람직하게는 유기 발광 다이오드(OLED), 소분자 기반 유기 발광 다이오드(sOLED), 폴리머 기반 유기 발광 다이오드(PLED), 발광 전기화학 셀(LEC), 유기 레이저 다이오드(O-레이저), 유기 플라즈몬 방출 디바이스 (D. M. Koller et al., Nature Photonics 2008, 1-4), 유기 집적 회로 (O-IC), 유기 전계 효과 트랜지스터(O-FET), 유기 박막 트랜지스터 (O-TFT), 유기 발광 트랜지스터 (O-LET), 유기 태양 셀(O-SC), 유기 광학 검출기, 유기 감광체, 유기 필드 켄치 디바이스(O-FQD) 및 유기 전기 센서로 이루어지는 군으로부터 선택되며, 바람직하게는 유기 전계 발광 디바이스(OLED, sOLED, PLED, LEC 등), 보다 바람직하게는 유기 발광 다이오드(OLED), 소분자 기반 유기 발광 다이오드(sOLED), 폴리머 기반 유기 발광 다이오드(PLED), 특히 인광 OLED이다.
유기 전계 발광 디바이스는 캐소드, 애노드 및 적어도 하나의 방출층을 포함한다. 이들 층 외에도, 이것은 또한, 추가 층, 예를 들어 각 경우에 하나 이상의 정공 주입층, 정공 수송층, 정공 차단 층, 전자 수송층, 전자 주입층, 여기자 차단 층, 전자 차단 층 및/또는 전하 생성 층을 포함할 수도 있다. 마찬가지로 여기자 차단 기능을 갖는 중간층이, 예를 들어, 2 개의 방출 층 사이에 도입되는 것이 가능하다. 그러나, 이러한 층들 중 모든 것이 반드시 존재할 필요는 없다는 것이 언급되어야 한다. 이 경우에, 유기 전계 발광 디바이스는 하나의 방출층을 포함할 수 있거나, 또는 복수의 방출층을 포함할 수 있다. 복수의 방출 층들이 존재하는 경우, 이들은, 전체 결과가 백색 방출이 되도록 전체적으로 380 nm와 750 nm 사이의 여러 방출 최대치들을 갖는 것이 바람직하며; 환언하면, 형광 또는 인광을 나타낼 수도 있는 다양한 방출 화합물들이 방출 층들에 사용된다. 3개의 방출 층을 갖는 시스템이 특히 바람직하며, 여기서 3개의 층은 청색, 녹색 및 오렌지색 또는 적색 방출을 나타낸다. 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 또한, 특히 백색-방출 OLED 를 위한, 탠덤 전계 발광 디바이스일 수도 있다.
본 발명의 화합물은 정확한 구조에 따라, 상이한 층에서 사용될 수도 있다. 방출체, 바람직하게는 적색, 녹색 또는 청색 방출체로서의 방출층에 식 (I) 또는 위에 상세히 나타낸 바람직한 실시형태의 구조/화합물을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스가 바람직하다. 또한, 형광 청색 방출체로서 방출층에 식 (I) 또는 위에 상세히 나타낸 바람직한 실시형태의 구조/화합물을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스가 매우 바람직하다. 여기서 특히 식 (II-2) 내지 (II-8), (II-17) 내지 (II-23), (III-2) 내지 (III-8), (III-17) 내지 (III-23), (IV-2) 내지 (IV-8), (IV-17) 내지 (IV-23), (V-1), (V-2), (V-5) 및/또는 (V-6)의 구조/화합물이 바람직하다.
본 발명의 화합물이 방출 층에서 방출체로서 사용되는 경우, 그 자체로 알려진 적합한 매트릭스 재료(호스트 재료라고도 함)를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 화합물 및 매트릭스 재료의 바람직한 혼합물은 방출체 및 매트릭스 재료의 전체 혼합물을 기준으로, 99 부피% 와 1 부피% 사이, 바람직하게는 98 부피% 와 10 부피% 사이, 더욱 바람직하게는 97 부피% 와 60 부피% 사이, 그리고 특히 95 부피% 와 80 부피% 사이로 매트릭스 재료를 함유한다. 대응하여, 혼합물은 방출체 및 매트릭스 재료의 총 혼합물을 기준으로, 1 부피% 와 99 부피% 사이, 바람직하게는 2 부피% 와 90 부피% 사이, 더욱 바람직하게는 3 부피% 와 40 부피% 사이, 그리고 특히 5 부피% 와 20 부피% 사이로 방출체를 함유한다.
본 발명의 화합물과 조합으로 사용될 수 있는 적합한 매트릭스 재료는, 예를 들어 WO 2004/013080, WO 2004/093207, WO 2006/005627 또는 WO 2010/006680 에 따른 방향족 케톤, 방향족 포스핀 옥사이드 또는 방향족 술폭시드 또는 술폰, 트리아릴아민, 카르바졸 유도체, 예를 들어 CBP (N,N-비스카르바졸릴바이페닐) 또는 WO 2005/039246, US 2005/0069729, JP 2004/288381, EP 1205527, WO 2008/086851 또는 WO 2013/041176 에 기재된 카르바졸 유도체, 예를 들어 WO 2007/063754 또는 WO 2008/056746 에 따른 인돌로카르바졸 유도체, 예를 들어 WO 2010/136109, WO 2011/000455, WO 2013/041176 또는 WO 2013/056776 에 따른 인데노카르바졸 유도체, 예를 들어 EP 1617710, EP 1617711, EP 1731584, JP 2005/347160 에 따른 아자카르바졸 유도체, 예를 들어 WO 2007/137725 에 따른 쌍극성 매트릭스 재료, 예를 들어 WO 2005/111172 에 따른 실란, 예를 들어 WO 2006/117052 에 따른 아자보롤 또는 보로닉 에스테르 (boronic ester), 예를 들어 WO 2007/063754, WO 2008/056746, WO 2010/015306, WO 2011/057706, WO 2011/060859 또는 WO 2011/060877 에 따른 트리아진 유도체, 예를 들어 EP 652273 또는 WO 2009/062578 에 따른 아연 착물, 예를 들어 WO 2010/054729 에 따른 디아자실롤 또는 테트라아자실롤 유도체, 예를 들어 WO 2010/054730 에 따른 디아자포스폴 유도체, 예를 들어 WO 2011/042107, WO 2011/060867, WO 2011/088877 및 WO 2012/143080 에 따른 브릿징된 카르바졸 유도체, 예를 들어, WO 2012/048781에 따른 트리페닐렌 유도체, 예를 들어 WO 2015/169412, WO 2016/015810, WO 2016/023608, WO 2017/148564 또는 WO 2017/148565 에 따른 디벤조푸란 유도체, 또는 예를 들어, JP 3139321 B2 에 따른 비스카르바졸이다.
또한, 사용된 코-호스트는, 예를 들어 WO 2010/108579 에 기술된 바와 같이, 있다손 치더라도, 전하 운반에 현저한 정도로 관여하지 않는 화합물일 수도 있다. 큰 밴드 갭을 갖고 방출 층의 전하 수송에서, 있다손 치더라도, 그 자체가 적어도 현저한 정도로는 관여하지 않는 화합물이 코-매트릭스 재료로서 본 발명의 화합물과 조합하여 특히 적합하다. 이러한 재료는 바람직하게는 순수한 탄화수소이다. 이러한 재료의 예들은, 예를 들어, WO 2009/124627 또는 WO 2010/006680 에서 찾아볼 수 있다.
바람직한 구성에서, 방출체로서 사용되는 식 (I) 또는 위에 자세히 나타낸 바람직한 실시형태의 구조/화합물을 함유하는 화합물이 바람직하게는 하나 이상의 인광 재료 (삼중항 방출체) 및/또는 TADF (thermally activated delayed fluorescence) 호스트 재료인 화합물과 조합하여 사용된다. 여기서는 WO 2012/133188에 기재된 초형광 시스템 및/또는 US 2017271611에 기재된 초인광 시스템을 형성하는 것이 바람직하다. 이 조합은 본 발명에 따른 바람직한 조성물이다.
WO 2015/091716 A1 및 WO 2016/193243 A1 에는 방출 층에 인광 화합물과 형광 방출체 양자 모두를 함유하는 OLED 가 개시되어 있으며, 여기서 에너지는 인광 화합물에서 형광 방출체로 전달된다 (초인광). 이러한 맥락에서, 인광 화합물은 이에 따라 호스트 재료로서 거동한다. 당업자가 알고 있는 바와 같이, 호스트 재료는 호스트 재료로부터의 에너지가 또한 최대 효율로 방출체로 전달될 수 있도록 방출체에 비해 더 높은 단일항 및 삼중항 에너지를 갖는다. 종래 기술에 개시된 시스템은 정확히 그러한 에너지 관계를 갖는다.
인광은 본 발명의 맥락에서 더 높은 스핀 다중도를 갖는 여기된 상태, 즉, 스핀 상태 > 1, 특히 여기된 삼중항 상태로부터의 루미네선스를 의미하는 것으로 이해된다. 본 출원의 맥락에서, 전이 금속 또는 란타나이드와의 모든 발광 착물, 특히 모든 이리듐, 백금 및 구리 착물은 인광 화합물로서 간주되어야 할 것이다.
적합한 인광 화합물들 (= 삼중항 방출체들) 은 특히, 적합하게 여기시, 바람직하게 가시 영역에서 발광하고, 그리고 또한 원자 번호가 20 초과이고, 바람직하게 38 초과 그리고 84 미만이고, 보다 바람직하게 56 초과 그리고 80 미만인 적어도 하나의 원자, 특히 이 원자 번호를 갖는 금속을 포함하는 화합물들이다. 사용되는 바람직한 인광 방출체들은 구리, 몰리브덴, 텅스텐, 레늄, 루테늄, 오스뮴, 로듐, 이리듐, 팔라듐, 백금, 은, 금 또는 유로퓸을 함유하는 화합물들, 특히 이리듐 또는 백금을 함유하는 화합물들이다.
위에 기재된 방출체들의 예들은 출원 WO 00/70655, WO 2001/41512, WO 2002/02714, WO 2002/15645, EP 1191613, EP 1191612, EP 1191614, WO 05/033244, WO 05/019373, US 2005/0258742, WO 2009/146770, WO 2010/015307, WO 2010/031485, WO 2010/054731, WO 2010/054728, WO 2010/086089, WO 2010/099852, WO 2010/102709, WO 2011/032626, WO 2011/066898, WO 2011/157339, WO 2012/007086, WO 2014/008982, WO 2014/023377, WO 2014/094961, WO 2014/094960, WO 2015/036074, WO 2015/104045, WO 2015/117718, WO 2016/015815, WO 2016/124304, WO 2017/032439, WO 2018/011186, WO 2018/001990, WO 2018/019687, WO 2018/019688, WO 2018/041769, WO 2018/054798, WO 2018/069196, WO 2018/069197, WO 2018/069273, WO 2018/178001, WO 2018/177981, WO 2019/020538, WO 2019/115423, WO 2019/158453 및 WO 2019/179909 에서 찾아볼 수 있다. 일반적으로, 종래 기술에 따라 인광 전계 발광 디바이스에 사용된 바와 같은 그리고 유기 전계 발광의 분야의 당업자에게 알려진 바와 같은 모든 인광 착물들이 적합하고, 당업자는 진보적 능력을 발휘하지 않고서 추가의 인광 착물을 사용 가능할 것이다.
본 발명의 화합물은 바람직하게는 전술한 바와 같이 TADF 호스트 재료 및/또는 TADF 방출체와 조합하여 사용될 수도 있다.
열 활성화 지연 형광 (TADF) 으로서 지칭되는 과정은 예를 들어 [B. H. Uoyama et al., Nature 2012, Vol. 492, 234] 에 의해 기재되어 있다. 이 과정을 가능하게 하기 위해, 예를 들어, 약 2000 cm-1 미만인 비교적 작은 단일항-삼중항 분리 ΔE(S1 - T1) 가 방출체에서 필요하다. 방출체 뿐 아니라, 원칙적으로 스핀-금지되는 T1 → S1 천이를 열기 위해서, 강한 스핀-궤도 커플링을 갖는 매트릭스에서 추가 화합물을 제공할 수 있어, 따라서 분자간 가능한 상호작용 및 공간적 인접성을 통해 시스템간 교차가 가능하거나, 방출체에 존재하는 금속 원자에 의해 스핀-궤도 커플링이 생성된다.
초형광 시스템과 관련된 추가의 가치 있는 정보의 출처에는 WO2012/133188 (Idemitsu), WO2015/022974 (Kyushu Univ.), WO2015/098975 (Idemitsu), WO2020/053150 (Merck) 및 DE202019005189 (Merck) 가 포함된다.
초인광 시스템과 관련된 추가의 가치 있는 정보의 출처에는 WO2015/091716 A1, WO2016/193243 A1 (BASF), WO01/08230 A1 (Princeton Univ. (Mark Thompson)), US2005/0214575A1 (Fuji), WO2012/079673 (Merck), WO2020/053314 (Merck) and WO2020/053315 (Merck) 가 포함된다.
본 발명의 추가 실시형태에서, 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 별개의 정공 주입층 및/또는 정공 수송층 및/또는 정공 차단 층 및/또는 전자 수송 층을 함유하지 않으며, 이는 방출층이 정공 주입층 또는 애노드에 바로 인접하거나 및/또는 방출층이 전자 수송층 또는 전자 주입층 또는 캐소드에 바로 인접함을 의미한다 (예를 들어 WO 2005/053051 에 기재된 바와 같음). 추가적으로, 예를 들어 WO 2009/030981 에 기재된 바와 같이, 방출 층에 금속 착물과 동일하거나 유사한 금속 착물을 방출 층에 바로 인접하는 정공 수송 또는 정공 주입 재료로서 사용할 수 있다.
또한, 전자 수송 재료로서 전자 전도 층에 식 (I) 또는 위에 자세히 나타낸 바람직한 실시형태의 구조/화합물을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스가 바람직하다. 여기서 특히 안트라센 기, 바람직하게는 식 (Ar-76) 내지 (Ar-78), 바람직하게 (Ar-78) 의 기, 및/또는 식 (II-9), (II-10), (II-24), (II-25), (III-9), (III-10), (III-24), (III-25), (IV-9), (IV-10), (IV-24) 및/또는 (IV-25) 의 구조/화합물을 갖는 화합물이 바람직하다.
본 발명의 유기 전계 발광 디바이스의 추가 층에서, 전형적으로 선행기술에 따라 사용된 임의의 재료를 사용할 수 있다. 따라서 당업자는 진보적 능력을 발휘하지 않고서도, 식 (I) 또는 위에 언급된 바람직한 실시형태들의 구조/화합물과 조합하여 유기 전계 발광 디바이스를 위해 알려진 임의의 재료를 사용하는 것이 가능할 것이다.
하나 이상의 층이 승화 방법에 의해 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스가 또한 바람직하다. 이 경우, 재료는 10-5 mbar 미만, 바람직하게는 10-6 mbar 미만의 초기 압력에서 진공 승화 시스템에서의 증착에 의해 도포된다. 하지만, 또한, 초기 압력은 훨씬 더 낮은, 예를 들어 10-7 mbar 미만일 수 있다.
마찬가지로, 하나 이상의 층이 OVPD (organic vapour phase deposition) 방법에 의해 또는 캐리어 기체 승화의 도움으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스가 바람직하다. 이러한 경우, 재료들은 10-5 mbar 와 1 bar 사이의 압력에서 적용된다. 이 방법의 특수한 경우는 OVJP (organic vapour jet printing) 법이고, 여기서 재료들이 직접 노즐에 의해 도포되고 이렇게 하여 구조화된다.
추가적으로, 하나 이상의 층이, 용액으로부터, 예를 들어 스핀 코팅에 의해, 또는 임의의 인쇄 방법, 예를 들어 스크린 인쇄, 플렉소그래픽 인쇄, 오프셋 인쇄, LITI (light-induced thermal imaging, thermal transfer printing), 잉크젯 인쇄 또는 노즐 인쇄에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 디바이스가 바람직하다. 이 목적을 위해, 예를 들어 적합한 치환을 통해 얻어지는 가용성 (soluble) 화합물이 필요하다.
식 (I) 또는 위에 상술된 그의 바람직한 실시형태의 화합물의 도포를 위한 포뮬레이션은 신규하다. 따라서, 본 발명은 적어도 하나의 용매 및 식 (I) 또는 위에 상술된 그의 바람직한 실시형태에 따른 화합물을 함유하는 포뮬레이션을 추가로 제공한다.
또한, 예를 들어 하나 이상의 층이 용액으로부터 도포되고 하나 이상의 추가 층이 증착에 의해 도포되는 혼성 방법이 가능하다.
당업자는 일반적으로 이들 방법을 알고 있으며, 본 발명의 화합물을 포함하는 유기 전계 발광 디바이스에 진보적 능력을 발휘하지 않고도 이를 적용할 수 있다.
본 발명의 화합물 및 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 종래 기술에 비해 개선된 수명의 구체적 특징을 갖는다. 동시에, 효율 또는 작동 전압과 같은 전계 발광 디바이스의 추가 전자 특성은 적어도 동일하게 양호한 상태로 유지된다. 추가 변형예에서, 본 발명의 화합물 및 본 발명의 유기 전계 발광 디바이스는 특히 종래 기술에 비해 개선된 효율 및/또는 작동 전압 및 더 높은 수명을 특징으로 한다.
본 발명의 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스는, 종래 기술에 비해 하기의 놀라운 이점 중 하나 이상에 대하여 주목할 만하다:
1. 위와 아래에 언급된 방출체로서 식 (I) 또는 바람직한 실시형태의 구조/화합물을 포함하는 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스는 매우 낮은 FWHM (Full Width Half Maximum) 값을 갖는 매우 좁은 방출 대역을 갖고, 낮은 CIE y 값에 의해 인식 가능한 특히 순수한 색상 방출에 이른다. 여기서 특히 놀라운 것은 낮은 FWHM 값을 갖는 청색 방출체 및 색상 스펙트럼의 녹색, 황색 또는 적색 영역에서 방출하는 낮은 FWHM 값을 갖는 방출체 양자 모두가 제공된다는 것이다.
2. 식 (I) 또는 위와 아래에 언급된 바람직한 실시형태의 구조/화합물을, 특히 방출체로서, 특히 정공 도체 재료로서 및/또는 전자 수송 재료로서 포함하는, 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스는, 매우 양호한 수명을 갖는다. 이러한 맥락에서, 이들 화합물은 낮은 롤-오프, 즉 높은 휘도에서 디바이스 전력 효율의 작은 저하를 가져온다.
3. 식 (I) 또는 위와 아래에 기재된 바람직한 실시형태의 구조/화합물을 포함하는, 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스는 방출체로서 및/또는 전자 수송 재료로서 우수한 효율을 갖는다. 이러한 맥락에서, 본 발명의 식 (I) 또는 위와 아래에 언급되는 바람직한 실시형태의 구조/화합물은 전자 디바이스에 사용될 때 낮은 작동 전압을 가져온다.
4. 본 발명의 식 (I) 또는 위와 아래에 기재된 바람직한 실시형태의 구조/화합물은 매우 높은 안정성 및 수명을 나타낸다.
5. 식 (I) 또는 위와 아래에 언급되는 바람직한 실시형태의 구조/화합물로, 전자 디바이스, 특히 유기 전계 발광 디바이스에서 광 손실 채널의 형성을 피할 수 있다. 그 결과, 이들 디바이스는 방출체의 높은 PL 효율 및 그에 따른 높은 EL 효율, 및 매트릭스에서 도펀트로의 우수한 에너지 전달을 특징으로 한다.
여기자 에너지는, 통상적으로 소위 Dexter 전이(Dexter transfer)를 통해 또는 Frster 전이를 통해 방출층에 있는 매트릭스 또는 호스트로부터 방출체로 전달된다. 호스트 또는 매트릭스로부터 본 발명의 방출체로의 Frster 에너지 전이(FRET)가 여기에서 특히 바람직한데, 이것이 특히 효율적이고, 이는 특히 우수한 성능 데이터(예를 들어, 효율, 전압 및 수명)를 갖는 전자 디바이스로 이어지기 때문이다. 에너지는 바람직하게 호스트 또는 매트릭스로부터 Frster 전이를 통해 본 발명의 화합물로 전이되는 것으로 밝혀졌다.
6. 식 (I) 또는 위와 아래에 언급되는 바람직한 실시형태의 구조/화합물은 우수한 유리 필름 형성을 갖는다.
7. 식 (I) 또는 위와 아래에 언급되는 바람직한 실시형태들의 구조/화합물은 용액으로부터 매우 양호한 필름을 형성하고 우수한 용해도를 나타낸다.
이러한 위에 언급된 이점은 추가 전자적 특성의 과도하게 높은 열화를 수반하지 않는다.
본 발명에 기재된 실시형태의 변형들은 본 발명의 범위에 의해 커버된다는 것에 주목해야 한다. 본 발명에 개시된 임의의 특징은, 이것이 명시적으로 배제되지 않는 한, 동일한 목적 또는 동등하거나 유사한 목적을 제공하는 대안적 특징과 교환될 수 있다. 따라서, 본 발명에서 개시된 임의의 특징은, 달리 언급되지 않으면, 일반 계열 (generic series) 의 일 예로서, 또는 동등하거나 또는 유사한 특징으로서 고려되어야 한다.
본 발명의 모든 특징은, 특정 특징 및/또는 단계가 상호 배타적이지 않는 한, 임의의 방식으로 서로 조합될 수도 있다. 이것은 특히 본 발명의 바람직한 특징에 해당된다. 동일하게, 비본질적인 조합의 특징은 (조합이 아니라) 별도로 사용될 수도 있다.
또한, 본 발명의 많은 특징들 그리고 특히 바람직한 실시형태들의 특징들은, 그것들 자체로 발명인 것으로 간주되어야 하며 단순히 본 발명의 실시형태들의 일부로서 간주되어서는 안된다는 것이 지적되야 한다. 이러한 특징에 대하여, 임의의 현재 청구된 발명에 추가로, 또는 대안으로서 독립적인 보호가 추구될 수 있다.
본 발명에 개시된 기술적 교시는 추출될 수도 있고 다른 예들과 조합될 수도 있다.
본 발명은 하기 실시예에 의해 보다 상세히 예시되지만, 이로써 본 발명을 제한하고자 하는 의도는 없다. 당업자는 주어진 정보를 사용하여 본 발명을 개시된 전체 범위에 걸쳐 실시하고, 본 발명의 추가의 화합물을 진보적 능력을 발휘하지 않고서도 제조하고, 이들을 전자 디바이스에서 사용하거나 본 발명의 방법을 사용하는 것이 가능할 것이다.
실시예:
달리 언급하지 않는 한, 건조 용매 중에서 보호 가스 분위기 하에 하기의 합성을 수행한다. 금속 착물은 광을 배제하거나 황색 광 아래에서 추가로 취급된다. 용매 및 시약은 예를 들어 Sigma-ALDRICH 또는 ABCR 로부터 구입할 수 있다. 대괄호 안의 각 숫자 또는 개별 화합물에 인용된 번호는 문헌에서 알려진 화합물의 CAS 번호에 관한 것이다. 다수의 거울상 이성질체, 부분입체 이성질체 또는 호변이성 이성질체 형태를 가질 수 있는 화합물의 경우, 하나의 형태가 대표적인 방식으로 보여져 있다.
문헌에서 알려진 신톤 LS:
Figure pct00088
신톤 S 의 합성:
문헌에서 알려진 반응물:
1) 1,2-디하이드로인다졸-3-온:
Figure pct00089
2) 산 염화물:
Figure pct00090
Figure pct00091
예 S1:
Figure pct00092
Z. Wang et al., Chin. J. Chem., 29, 2769, 2011에 따른 절차.
21.3g(100mmol)의 7-브로모-1,2-디히드로-3H-인다졸-3-온 [887578-57-6], 39.1g(130mmol) 의 2-클로로-6-요오도벤조일 클로라이드 [1261850-84-3], 97.8g(300mmol)의 무수탄산세슘, 3.6g(20mmol)의 1,10-페난트롤린, 1.9　g (10　mmol)의 요오드화구리, 200　g의 유리 비드(직경, 3 mm) 및 800 ml의 톨루엔 혼합물을 100℃에서 16시간 동안 교반한다(7-브로모-1,2-디히드로-3H-인다졸-3-온의 완전한 전환을 위한 TLC 모니터링). 혼합물은 80℃로 냉각되게 두고 뜨거운 톨루엔 슬러리 형태의 Celite 층을 사용하여 여과하고, 여과물 (filtrate) 은 감압 하에 농축 건조시킨다. 잔류물을 디클로로메탄(DCM) 500ml에 테이크업(take up)하고 실리카겔 약 400g에 적용하고, 실리카겔을 DCM 슬러리(800g) 형태로 실리카겔 컬럼에 패킹하고 DCM을 사용하여 항-디벤조비만(dibenzobimane) 위치이성질체를 용출한다. 이어서, 원하는 신-디벤조비만 위치이성질체(syn-dibenzobimane regioisomer)는 DCM:메틸 tert-부틸 에테르(MTBE) 8:2로 용출되고, 이것은 아세토니트릴로부터 한 번 재결정화된다. 수율: 9.5 g (27 mmol), 27%. 순도: 1H NMR 에 의한 97%.
하기 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
Figure pct00093
Figure pct00094
Figure pct00095
Figure pct00096
Figure pct00097
Figure pct00098
Figure pct00099
Figure pct00100
예 S50:
Figure pct00101
500ml 의 DCM 중 신-디벤조비만 [125213-40-3] LS1 의 잘 교반된 혼합물에, 암 상태 실온에서, 부분들로 나누어, 37.4　g (210　mmol)의 N-브로모숙신이미드를 첨가한 다음, 혼합물 추가로 12 시간 동안 교반한다. 반응 혼합물을 매회 300　ml 의 물로 3 회 그리고 300　ml 의 포화 염화나트륨 용액으로 1 회 세척하고, 황산 나트륨 상에서 건조시킨다. 건조제를 여과하고, 100ml의 메탄올을 첨가하고, 여과물을 회전 증발기에서 약 80ml의 부피로 농축하고, 결정화된 생성물을 흡인 여과하고 소량의 메탄올로 2회 세척한다. 수율: 26.7 g (68 mmol), 68%. 순도: 1H NMR 에 의한 97%.
하기 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
Figure pct00102
예 Int-D1:
a) Int-B1
Figure pct00103
26.0　g(33.7mmol) 의 Int-A1 [2171483-83-1]을 600ml 의 디클로로메탄에 용해시킨다. HBr (33%, 수성) 한 방울을 암 상태에서 첨가하고, N-브로모숙신이미드 7.2g(44.0mmol)을 부분들로 나누어 첨가하고, 혼합물을 실온에서 48시간 동안 교반하였다. 48시간 후, 200ml의 포화 아황산수소나트륨 수용액을 첨가하고 혼합물을 1시간 더 교반한다. 이어서, 2개의 상을 분리하고, 유기 상을 매회 200　ml의 물로 3회 세척한 다음 감압하에 농축한다. 잔류물을 300ml의 n-헵탄과 혼합하고 1시간 동안 환류하에 가열한다. 혼합물을 냉각한 후에, 무색 고체를 여과하고, 매회 50　ml의 n-헵탄으로 2 회 세척하고 감압 하에서 건조시켰다. 수율: 25.3　g (32　mmol), 97%. 순도 : HPLC 에 의한 약 98%.
b) Int-C1:
Figure pct00104
28.0g(35.5mmol)의 Int-B1, 33.6　g (35.5　mmol) 의 [2171483-74-0] 및 9.8　g (71　mmol) 의 탄산칼륨에 THF 1100ml 및 물 550ml 이 첨가된다. 이어서, 373　mg (1.4　mmol) 의 트리페닐포스핀 및 325　mg (0.4　mmol) 의 트리(디벤질리덴아세톤)디팔라듐을 첨가하고 혼합물을 16시간 동안 환류하에 가열한다. 이어서, 500　ml의 물과 500　ml의 톨루엔을 냉각된 반응 혼합물에 첨가하고; 상들을 분리한다. 수성상을 매회 200　ml의 톨루엔으로 2회 추출하고, 조합된 유기상을 500　ml의 물로 1회 세척한다. 유기 상을 알루미나를 통해 여과한 다음, 감압 하에 농축하였다. 생성물은 톨루엔/n-헵탄 1:10 으로부터 반복된 결정화에 의해 정제되고 고체 형태로 얻어진다. 수율: 41.0 g (28.8 mmol) 81%. 순도 : HPLC 에 의한 약 98%.
c) Int-D1:
Figure pct00105
25.3　g (18.7　mmol) 의 Int-C1, 8.6　g (33.7　mmol) 의 비스(피나콜라토)디보란, 5.5　g (56　mmol) 의 아세트산칼륨 및 830　mg (1.1　mmol) 의 트랜스-디클로로비스(트리시클로헥실포스핀)팔라듐(II)에 750ml의 디옥산을 첨가하고, 혼합물을 48시간 동안 환류하에 가열한다. 이어서, 1000　ml의 톨루엔과 1000　ml의 물을 반응 혼합물에 첨가하고 상들을 분리한다. 수성상을 매회 200　ml의 톨루엔으로 2회 추출하고, 조합된 유기상을 매회 500　ml의 물로 2회 세척하고, 알루미나를 통해 여과하고 농축 건조한다. 잔류물을 뜨거운 에탄올과 교반하여 추출한다. 수율: 16.0　g (11.1　mmol), 60%. 순도 : HPLC 에 의한 약 99%.
발명의 화합물 V 의 제조
예 V1
Figure pct00106
27.1　g (100　mmol) 의 S39, 39.6　g (110　mmol) 의 9,9´-스피로바이플루오렌-2-보론산 [236389-21-2], 21.2　g (100　mmol) 의 제삼인산칼륨(tripotassium phosphate), 1.64　g (4　mmol) 의 S-Phos, 499　mg (2　mmol) 의 팔라듐(II) 아세테이트, 300　ml 의 톨루엔, 100　ml 디옥산 및 300　ml 의 물의 혼합물을 70℃에서 12시간 동안 교반한다(대안적으로 AmPhosPdCl2 [887919-35-9]를 사용하는 것이 가능하다). 냉각 후, 유기 상을 제거하고, 매회 300　ml 의 물로 2 회 그리고 300　ml 의 포화 염화나트륨 용액으로 1 회 세척한다. 유기상을 농축 건조시키고, 잔류물을 디클로로메탄(DCM)에 테이크 업하고 DCM 슬러리 형태로 실리카 겔 베드를 통해 여과하고, 여과물을 회전 증발기에서 농축하고, 회전 증발에 의해 제거되는 DCM을 메탄올로 연속적으로 대체한다. 결정화된 생성물을 흡인 여과하고, 매회 50　ml 의 메탄올로 2 회 세척하고, 감압 하에 건조시킨다. 추가 정제는 고온 추출 결정화(용매 혼합물: DCM/아세토니트릴 1:3 ~ 3:1) 및 분별 승화에 의해 수행된다. 수율: 31.5　g (57　mmol), 57%. 순도 : HPLC 에 의한 약 99.9%.
하기 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
Figure pct00107
Figure pct00108
Figure pct00109
Figure pct00110
Figure pct00111
Figure pct00112
Figure pct00113
Figure pct00114
Figure pct00115
Figure pct00116
Figure pct00117
Figure pct00118
Figure pct00119
Figure pct00120
Figure pct00121
Figure pct00122
Figure pct00123
Figure pct00124
Figure pct00125
Figure pct00126
Figure pct00127
Figure pct00128
Figure pct00129
Figure pct00130
Figure pct00131
Figure pct00132
예 V200:
단계 1: 브로민 스즈키 커플링
Figure pct00133
35.0　g (100 mmol) 의 S1, g (110　mmol) 의 1-디벤조푸라닐보론산 [162607-19-4], 10.6　g (100　mmol) 의 탄산나트륨, 1.83　g (6　mmol) 의 트리-오-톨릴포스핀, 225　mg (1　mmol) 의 팔라듐(II) 아세테이트, 400　ml 의 톨루엔, 200　ml 의 디옥산 및 400　ml 의 물의 혼합물을 24 시간 동안 환류 하에서 가열한다. 냉각 후, 유기 상을 제거하고, 매회 300　ml 의 물로 2 회 그리고 300　ml 의 포화 염화나트륨 용액으로 1 회 세척한다. 유기상을 농축 건조시키고, 잔류물을 디클로로메탄(DCM)에 테이크 업하고 DCM 슬러리 형태로 실리카 겔 베드를 통해 여과하고, 여과물을 회전 증발기에서 농축하고, 회전 증발에 의해 제거되는 DCM을 메탄올로 연속적으로 대체한다. 결정화된 생성물을 흡인 여과하고, 매회 50　ml 의 메탄올로 2 회 세척하고, 감압 하에 건조시킨다. 조 생성물은 아세토니트릴로부터 재결정화된다. 수율: 30.3　g (69　mmol), 69%. 순도: 1H NMR 에 의한 약 98%.
단계 2: 염소 스즈키 커플링
Figure pct00134
예 V1과 유사한 절차, 3-(9H-카르바졸-9-일)페닐보론산 [864377-33-3]의 용도. 수율: 30.3　g (47　mmol), 47%. 순도 : HPLC 에 의한 약 99.9%.
하기 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
Figure pct00135
Figure pct00136
Figure pct00137
Figure pct00138
Figure pct00139
Figure pct00140
Figure pct00141
Figure pct00142
Figure pct00143
Figure pct00144
Figure pct00145
예 V300:
Figure pct00146
13.6　g (50　mmol) 의 S4, 31.2　g (110　mmol) 의5,7-디히드로-7,7-디메틸인데노[2,1-b]카르바졸 [1257220-47-5], 14.4　g (150　mmol) 의 나트륨 tert-부톡시드, 2.65　g (4　mmol) 의 rac-BINAP (대안적으로 S-Phos, X-Phos, tri-tert-부틸포스핀을 사용하는 것이 가능하다), 674　mg (3　mmol) 의 팔라듐(II) 아세테이트, 100　g 의 유리 비드 (직경 3　mm) 및 300　ml 의 톨루엔의 혼합물을 110℃에서 24시간 동안 교반한다. 혼합물이 여전히 뜨거운 동안, 이를 뜨거운 톨루엔 슬러리 형태의 Celite 층을 통해 흡인 여과하고, 여과물을 감압하에 농축 건조하고, 고체를 300　ml의 뜨거운 메탄올에서 교반하여 추출한다. 혼합물이 여전히 따뜻한 동안 고체를 흡인 여과하고, 50　ml 의 메탄올로 2회 세척하고, 감압하에서 건조시킨다. 추가 정제는 고온 추출 결정화(용매 혼합물: DCM/아세토니트릴 1:3 ~ 3:1) 및 분별 승화에 의해 수행된다. 수율: 20.1 g (25 mol), 50%. 순도 : HPLC 에 의한 약 99.9%.
하기 화합물들을 유사하게 제조할 수 있다:
Figure pct00147
Figure pct00148
Figure pct00149
Figure pct00150
예 L1:
Figure pct00151
8.27　g (21　mmol) 의 S50, 32.60　g (46　mmol) 의 OA1 및 4.5　g (42.4　mmol) 의 탄산 나트륨을 톨루엔/에탄올/물(2:1:1)의 혼합물 600ml에 현탁시키고 아르곤으로 탈기한다. 613mg (0.53mmol)의 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐(0)을 첨가한 후, 혼합물을 110℃에서 교반한다. 6시간 후, 반응 혼합물을 실온으로 냉각시키고 추가로 200ml의 톨루엔을 첨가한다. 유기상을 제거하고, 매회 300ml의 물로 2회 그리고 300　ml의 포화 염화나트륨 용액으로 1회 세척하고, 황산나트륨 상에서 건조시키고, 톨루엔 슬러리 형태로 셀라이트 층을 통해 여과하였다. 여과물을 농축 건조시키고, 잔류물을 300　ml 의 디클로로메탄에 용해시키고, 200　ml 의 메탄올을 첨가한 후, 회전 증발기에서 혼합물을 약 300ml로 농축시켰다. 침전된 고체를 흡인 여과하고, 매회 50　ml 의 메탄올로 3 회 세척한다. 수득된 고체를 컬럼 크로마토그래피 및 톨루엔/n-헵탄으로부터의 반복 재결정화를 통해 HPLC 순도 >　99.9%에 이르기까지 정제하고 최종적으로 10-6　mbar 및 250℃에서 열처리한다. 수율: 6.85 g (4.9 mmol), 24%.
다음의 화합물을 유사한 방식으로 합성할 수 있다:
Figure pct00152
광발광 스펙트럼(PL 스펙트럼)의 측정:
도 1은 실온(약 25℃)에서 약 10-5 몰의 탈기된 톨루엔 용액에서 Hitachi F-4500 PL 분광기로 측정한, 발명의 화합물 V53, V98 및 V99 의 PL 스펙트럼을 도시한다.
PL 스펙트럼은 낮은 FWHM 값(< 0.18 eV)의 매우 좁은 방출 대역을 가지며 특히 순수한 색상 방출로 이어진다.
OLED 컴포넌트의 제조
1) 진공-처리된 디바이스:
본 발명의 OLED 및 종래 기술에 따른 OLED 는 WO 2004/058911 에 따른 일반적 방법에 의해 제조되며, 이는 본원에 기재된 상황에 맞게 조정된다 (층 두께의 변화, 사용한 재료).
이하의 실시예에서, 다양한 OLED 에 대한 결과가 제시된다. 두께 50 nm 의 구조화된 ITO (인듐 주석 옥사이드) 로 코팅된 세정된 유리판 (plate) (Miele 실험실 유리 세척제, Merck Extran 세제에서 세척) 를 25 분 동안 UV 오존에 의해 전처리하고 (PR-100 UV 오존 생성기, UVP 제조), 그리고 30 분 이내에, 개선된 처리를 위해 20 nm 의 PEDOT:PSS (폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)폴리(스티렌술포네이트), Heraeus Precious Metals GmbH Deutschland 의 CLEVIOS™ P VP AI 4083으로서 구입됨, 수용액으로부터 스핀 온됨) 로 코팅한 다음, 10 분 동안 180℃ 에서 소성한다. 이러한 코팅된 유리판은 OLED 가 적용되는 기판을 형성한다.
1a) 청색 및 녹색 형광 OLED 성분 - BF 및 GF:
모든 재료들은 진공 챔버에서 열 증착에 의해 도포된다. 여기서 방출 층(EML)은 항상, 동시 증발에 의해 특정한 부피 비율로, 매트릭스 재료(들) 에 첨가되는 방출 도펀트 (도펀트, 방출체) V 및 적어도 하나의 매트릭스 재료 (호스트 재료) SMB (표 1 참조)로 이루어진다. SMB:V (97:3%) 와 같은 그러한 형태로 주어진 상세들은 여기서 재료 SMB 가 97% 의 부피 비율로 그리고 도펀트 V 가 3% 의 비율로 층에 존재하는 것을 의미한다. 유사하게, 발명의 화합물 V44, V45 및 V46은 녹색 형광 성분을 위한 호스트로서 사용될 수도 있다. 유사하게, 전자 수송층은 또한 2 개 재료의 혼합물로 이루어질 수도 있다; 표 1 참조. OLED 의 제조에 사용된 재료는 표 7 에 나타나 있다.
OLED 는 표준 방식으로 특성화된다. 이 목적을 위해, Lambertian 방출 특성을 가정한 전류-전압-루미넌스 특성 (IUL 특성) 으로부터 산출되는, 루미넌스의 함수로서, 전계발광 스펙트럼, 전류 효율 (cd/A 단위로 측정), 전력 효율 (lm/W 단위로 측정) 및 외부 양자 효율 (EQE, 퍼센트 단위로 측정), 그리고 또한 수명이 결정된다. 전계 발광 스펙트럼은 휘도 1000 cd/㎡ 에서 결정되고 이것들을 이용하여 CIE 1931 x 및 y 색 좌표 및 FWHM (full width at half maximum)를 계산한다.
OLED 는 하기 층 구조를 갖는다:
기판
5% NDP-9 (Novaled에서 시판)로 도핑된 HTM1로 구성되는 정공 주입층 1(HIL1), 20nm
HTM1 으로 구성되는 정공 수송 층 1(HTL1), 140　nm
HTM2 으로 구성되는 정공 수송 층 2(HTL2), 10　nm
방출 층(EML), 표 1 참조
전자 수송 층 (ETL2), 표 1 참조
전자 수송 층 (ETL1), 표 1 참조
ETM2 로 구성된 전자 주입 층 (EIL), 1 nm
알루미늄으로 구성된 캐소드, 100nm
표 1: 청색 BF 및 녹색 GF 형광 OLED 성분의 구조
Figure pct00153
Figure pct00154
표 2: 청색 형광 OLED 성분에 대한 결과
Figure pct00155
1b) 인광 OLED 성분- BP, GP, RP:
다른 용도 중에서, 본 발명의 화합물은 인광 OLED의 방출층 EML에서 전자 전도 호스트 재료 eTMM으로서, 그리고 HBL 및 ETL 에서 전자 수송 재료로서 사용될 수 있다.
이러한 목적으로, 모든 재료들은 진공 챔버에서 열 증착에 의해 적용된다. 여기서 방출 층은 항상, 동시 증발에 의해 특정한 부피 비율로, 매트릭스 재료(들) 에 첨가되는 인광 도펀트 Ir 및 적어도 하나 이상의 매트릭스 재료 M (호스트 재료) 로 이루어진다. M1:M2:Ir (55%:35%:10%) 와 같은 형태로 주어진 상세들은, 여기서 재료 M1 가 층에서 55% 의 부피 비율로 존재하고, M2 가 35% 의 부피 비율로 존재하고, Ir이 10% 의 부피 비율로 존재함을 의미한다. 유사하게, 전자 수송층은 또한 2 개 재료의 혼합물로 이루어질 수도 있다. OLED 의 정확한 구조는 표 3 에서 찾을 수 있다. OLED 의 제조에 사용한 재료를 표 7 에 나타낸다.
OLED 는 표준 방식으로 특성화된다. 이 목적을 위해, Lambertian 방출 특성을 가정한 전류-전압-루미넌스 특성 (IUL 특성) 으로부터 산출되는, 루미넌스의 함수로서, 전계발광 스펙트럼, 전류 효율 (cd/A 단위로 측정), 전력 효율 (lm/W 단위로 측정) 및 외부 양자 효율 (EQE, 퍼센트 단위로 측정), 그리고 또한 수명이 결정된다. 전계 발광 스펙트럼은 휘도 1000 cd/㎡ 에서 결정되고 이를 이용하여 CIE 1931 x 및 y 색 좌표가 계산된다.
OLED 는 하기 층 구조를 갖는다:
기판
5% NDP-9 (Novaled에서 시판)로 도핑된 HTM1로 구성되는 정공 주입층 1(HIL1), 20nm
HTM1로 구성되는 정공 수송층 1(HTL1), 청색의 경우 170 nm, 녹색/황색의 경우 40 nm 및 적색 성분의 경우 90 nm
정공 수송 층 2 (HTL2), 표 3 참조
방출 층(EML), 표 3 참조
전자 수송 층 (ETL2), 표 3 참조
전자 수송 층 (ETL1), 표 3 참조
ETM2 로 구성된 전자 주입 층 (EIL), 1 nm
알루미늄으로 구성된 캐소드, 100nm
표 3: 인광 OLED 성분의 구조
Figure pct00156
표 4: 인광 OLED 성분에 대한 결과
2) 용액 처리된 성분:
2a) 용액 처리된 인광 OLED 성분 - sol-GP 및 sol-RP:
본 발명의 이리듐 착물은 또한 용액으로부터 처리될 수 있고, 여기에서 진공-처리된 OLED 에 비해 공정 기술과 관련하여 훨씬 더 단순하지만 그럼에도 불구하고 양호한 특성을 갖는 OLED 로 이어진다. 그러한 성분들의 제조는, 이미 문헌 (예를 들면, WO 2004/037887) 에 다수회 설명된, PLED (polymeric light-emitting diode) 의 제조에 기초한다. 구조는 다음으로 구성된다:
이로써 사용된 구조는 다음과 같다:
- 기판,
- ITO (50 nm),
- 정공 주입 층 (60 nm),
- HTL-S1로 구성된, 중간층 (20 nm)
- 방출 층(60 nm), 표 5 참조
- ETM-1로 구성된 정공 차단층 (10 nm)
- ETM-1/ETM-2(50:50)로 구성된, 전자수송층(40nm)
- 캐소드 (Al) (100nm).
이러한 목적으로, Technoprint 로부터의 기판 (소다-석회 유리) 이 사용되고, 이 기판에 ITO 구조 (인듐 주석 산화물, 투명 전도성 애노드) 가 적용된다. 기판은 DI 수 및 세제 (Deconex 15 PF) 를 사용해 클린룸 (cleanroom) 에서 세정되고, 이후 UV/오존 플라즈마 처리에 의해 활성화된다. 이후, 클린룸에서와 마찬가지로, 20 nm 정공 주입층 (CleviosTM 로부터의 PEDOT:PSS ) 이 스핀-코팅에 의해 적용된다. 필요한 스핀 속도는 희석도 및 특정 스핀-코터 지오메트리 (spin-coater geometry) 에 의존한다. 층으로부터 잔류수(residual water)을 제거하기 위해, 기판을 10 분 동안 공기 중 180℃ 에서 핫플레이트 상에서 소성한다. 사용되는 중간층은 정공 수송을 위해 제공되며, 이 경우에는 Merck로부터의 HTL-S1이 사용된다(WO2013156130). 스핀 코팅에 의해 20 nm의 층 두께를 달성하기 위한 고체 함량은 약 5 g/l이다. 중간층은 비활성 가스 분위기, 본 경우엔 아르곤 중, 30 분간 핫플레이트 상에서 220℃로 소성된다. 중간층은 대안적으로는, 단지 용액으로부터 EML 성막의 후속 처리 단계에 의해 또 다시 침출되지 않는 조건을 충족하기만 하면 되는 하나 이상의 층으로 또한 대체될 수 있다. 방출 층의 제조를 위해, 삼중항 방출체 Ir 는 톨루엔 또는 클로로벤젠 중에서 매트릭스 재료와 함께 용해된다. 그러한 용액의 전형적 고형분 함량은 본원에서와 같이 디바이스에 전형적인 60 nm 의 층 두께가 스핀-코팅에 의해 달성되는 경우 16 내지 25 g/l 이다. 용액 처리된 디바이스는 Ma:Mb:Ir (w%:x%:z%)로 구성되는 방출 층을 함유한다; 표 5 참조. 방출 층은 비활성 기체 분위기, 본 경우 아르곤에서 스피닝 온되고 160 ℃ 에서 10 분 동안 소성된다. 후자 위에 증착된 것은 정공 차단층 및 전자 수송층 (Lesker 등으로부터 증착 시스템, 통상적 증착 압력 5 x 10-6 mbar) 이다. 마지막으로, 알루미늄의 캐소드 (Aldrich 사제의 고순도 금속) 가 증착에 의해 적용된다. 공기 및 공기 습기로부터 디바이스를 보호하기 위해, 디바이스는 마지막으로 밀봉되고, 이후 특성화된다. 언급된 OLED 예는 아직 최적화되지 않았다. 표 5 는 얻어진 데이터를 요약한다.
표 5: 용액으로부터 처리된 재료에 대한 결과
Figure pct00158
2b) 용액 처리된 형광 OLED 성분 - sol-GP
본 발명의 형광 방출체 L은 마찬가지로 용액으로부터 처리될 수 있고 우수한 특성을 나타낼 수 있다. 이러한 성분은 용액 처리된 인광 OLED 성분- GP, RP -과 유사하게 제조되며 제작 시 아래에 설명된 조정이 이루어진다:
- 기판,
- ITO (50 nm),
- 정공 주입 층 (20 nm),
- HTL-S1로 구성된, 중간층 (20 nm)
- 형광 방출체 L과 매트릭스 MS로 구성된 방출층(40 nm)
- ETM-1로 구성된 정공 차단층 (10 nm)
- ETM-1/ETM-2(50:50)로 구성된, 전자수송층(40nm)
- 캐소드 (Al) (100nm).
방출 층의 제조를 위해, 발명의 형광 방출체 L (5중량%)는 톨루엔 또는 클로로벤젠 중에서 매트릭스 재료 MS (95중량%)와 함께 용해된다. 여기에서와 같이 디바이스에 전형적인 40 nm의 층 두께가 스핀 코팅에 의해 달성되어야 하는 경우, 이러한 용액의 전형적인 고형분은 14　g/l 이다. 방출 층은 비활성 기체 분위기, 본 경우 아르곤에서 스피닝 온되고 160 ℃ 에서 10 분 동안 소성된다. 표 6 는 얻어진 데이터를 요약한다.
표 6: 용액으로부터 처리된 재료에 대한 결과
Figure pct00159
표 7: 사용된 재료의 구조식
Figure pct00160
Figure pct00161
Figure pct00162
Figure pct00163
본 발명의 재료와 관련하여 표 1, 3, 5 및 6에 표시된 약어, 예를 들어 L1, L2, L3, L4, V1, V4, V5, V6, V9, V12, V22, V24, V32, V35, V44, V45, V54, V57, V64, V65, V67, V83, V94, V200, V213 및 V307 등은 위에 합성 예에서 상세히 언급된 화합물에 관한 것이다.

Claims (18)

  1. 하기 식 (I) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는 화합물.
    Figure pct00164

    식중 고리 Ara 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 Ar 또는 Ra 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고, 고리 Arb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 Ar 또는 Rb 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
    그리고 식중 사용되는 추가 기호 및 인덱스는 다음과 같다:
    Wa, Wb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 O 또는 S 이다;
    Ar 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 여기서 Ar 기는 적어도 하나의 Ar, R, Ra, Rb 기 또는 추가 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
    R, Ra, Rb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, H, D, OH, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar')2, N(R1)2, C(=O)N(Ar')2, C(=O)N(R1)2, C(Ar')3, C(R1)3, Si(Ar')3, Si(R1)3, B(Ar')2, B(R1)2, C(=O)Ar', C(=O)R1, P(=O)(Ar')2, P(=O)(R1)2, P(Ar')2, P(R1)2, S(=O)Ar', S(=O)R1, S(=O)2Ar', S(=O)2R1, OSO2Ar', OSO2R1, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기이고, 여기서 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R1C=CR1, C≡C, Si(R1)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기; 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 헤테로아릴티오기, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 디아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 디헤테로아릴아미노기, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자 및 1 내지 10개의 탄소 원자를 알킬 라디칼에 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아르알킬 또는 헤테로아릴알킬기이고; 동시에, 2개의 R, Ra, Rb 라디칼은 함께 또는 추가 기와 또한 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
    Ar' 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 탄소 원자, 규소 원자, 질소 원자, 인 원자 또는 붕소 원자에 결합한 2 개의 Ar' 라디칼은 또한 단일 결합에 의한 브릿지 또는 B(R1), C(R1)2, Si(R1)2, C=O, C=NR1, C=C(R1)2, O, S, S=O, SO2, N(R1), P(R1) 및 P(=O)R1 로부터 선택된 브릿지를 통해 함께 연결되는 것이 가능하다;
    R1 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 H, D, F, Cl, Br, I, CN, NO2, N(Ar'')2, N(R2)2, C(=O)Ar'', C(=O)R2, P(=O)(Ar'')2, P(Ar'')2, B(Ar'')2, B(R2)2, C(Ar'')3, C(R2)3, Si(Ar'')3, Si(R2)3, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 3 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 기 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 여기서 하나 이상의 비인접 CH2 기는 -R2C=CR2-, -C≡C-, Si(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R2), -O-, -S-, SO 또는 SO2 로 대체될 수도 있고 하나 이상의 수소 원자는 D, F, Cl, Br, I, CN 또는 NO2 로 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (이들 각각은 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아르알킬 또는 헤테로아르알킬기, 또는 이들 시스템들의 조합이고; 동시에, 2 개 이상의 R1 라디칼들은 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있고; 동시에, 하나 이상의 R1 라디칼은 화합물의 추가 부분과 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
    Ar'' 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하며 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 가지며 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이고; 동시에, 동일한 탄소 원자, 규소 원자, 질소 원자, 인 원자 또는 붕소 원자에 결합한 2 개의 Ar'' 라디칼은 또한 단일 결합에 의한 브릿지 또는 B(R2), C(R2)2, Si(R2)2, C=O, C=NR2, C=C(R2)2, O, S, S=O, SO2, N(R2), P(R2) 및 P(=O)R2 로부터 선택된 브릿지를 통해 함께 연결되는 것이 가능하다;
    R2 는 각각의 경우 동일하거나 상이하며, H, D, F, CN, 1 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 지방족 히드로카르빌 라디칼, 또는 5 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템 (여기서, 하나 이상의 수소 원자가 D, F, Cl, Br, I 또는 CN 으로 대체될 수도 있고, 1 내지 4 개의 탄소 원자를 각각 갖는 하나 이상의 알킬 기에 의해 치환될 수도 있음) 로 이루어지는 군으로부터 선택되고; 동시에, 2개 이상의 치환기 R2 는 함께 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
    여기서 하기 식 (A), (B) 및 (C) 의 화합물들은 보호에서 제외한다.
    Figure pct00165
  2. 제 1 항에 있어서,
    하기 식 (II-1) 내지 (II-42) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는, 화합물.
    Figure pct00166

    Figure pct00167

    Figure pct00168

    Figure pct00169

    Figure pct00170

    Figure pct00171

    Figure pct00172

    Figure pct00173

    Figure pct00174

    Figure pct00175

    Figure pct00176

    Figure pct00177

    Figure pct00178

    Figure pct00179

    식 중 기호 Wa 및 Wb 는 제 1 항에 주어진 정의를 가지며 추가 기호는 다음과 같다:
    Ya 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N(Ar), N(Ra), P(Ar), P(Ra), P(=O)Ar, P(=O)Ra, P(=S)Ar, P(=S)Ra, B(Ar), B(Ra), Al(Ar), Al(Ra), Ga(Ar), Ga(Ra), C=O, C(Ra)2, Si(Ra)2, Ge(Ra)2, C=NRa, C=NAr, C=C(Ra)2, C=C(Ra)(Ar), O, S, Se, S=O 또는 SO2, 바람직하게 N(Ar), N(Ra), B(Ar), B(Ra), P(=O)Ra, P(=O)Ar, C=O, C(Ra)2, C=C(Ra)2, C=C(Ra)(Ar), Si(Ra)2, O, S, Se, S=O 또는 SO2, 보다 바람직하게 N(Ar), C(Ra)2, O 또는 S 이고, 식 중 Ra 는 제 1 항에 자세히 나타낸 정의를 갖는다;
    Yb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N(Ar), N(Rb), P(Ar), P(Rb), P(=O)Ar, P(=O)Rb, P(=S)Ar, P(=S)Rb, B(Ar), B(Rb), Al(Ar), Al(Ra), Ga(Ar), Ga(Rb), C=O, C(Rb)2, Si(Rb)2, Ge(Rb)2, C=NRb, C=NAr, C=C(Rb)2, C=C(Rb)(Ar), O, S, Se, S=O 또는 SO2, 바람직하게 N(Ar), N(Rb), B(Ar), B(Rb), P(=O)Rb, P(=O)Ar, C=O, C(Rb)2, C=C(Rb)2, C=C(Rb)(Ar), Si(Rb)2, O, S, Se, S=O 또는 SO2, 보다 바람직하게 N(Ar), C(Rb)2, O 또는 S 이고, 식 중 Rb 는 제 1 항에 자세히 나타낸 정의를 갖는다;
    Y1, Y2 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, N(Ar), N(R), P(Ar), P(R), P(=O)Ar, P(=O)R, P(=S)Ar, P(=S)R, B(Ar), B(R), Al(Ar), Al(R), Ga(Ar), Ga(R), C=O, C(R)2, Si(R)2, Ge(R)2, C=NR, C=NAr, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), O, S, Se, S=O 또는 SO2, 바람직하게 N(Ar), N(R), B(Ar), B(R), P(=O)R, P(=O)Ar, C=O, C(R)2, C=C(R)2, C=C(R)(Ar), Si(R)2, O, S, Se, S=O 또는 SO2, 보다 바람직하게 N(Ar), C(R)2, O 또는 S 이고, 여기서 R은 제 1 항에 자세히 나타낸 정의를 갖는다;
    X 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N 또는 CR 이며, 단, 하나의 환에서 X 기들 중 2개 이하는 N이고, 여기서 R은 제 1 항에 자세히 나타낸 정의를 갖는다;
    Xa 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N 또는 CRa 이며, 단, 하나의 환에서 Xa 기들 중 2개 이하는 N이고, 여기서 Ra 은 제 1 항에 자세히 나타낸 정의를 갖는다;
    Xb 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 N 또는 CRb 이며, 단, 하나의 환에서 Xb 기들 중 2개 이하는 N이고, 여기서 Rb 은 제 1 항에 자세히 나타낸 정의를 갖는다.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    하기 식 (III-1) 내지 (III-41) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는, 화합물.
    Figure pct00180

    Figure pct00181

    Figure pct00182

    Figure pct00183

    Figure pct00184

    Figure pct00185

    Figure pct00186

    Figure pct00187

    Figure pct00188

    Figure pct00189

    Figure pct00190

    Figure pct00191

    Figure pct00192

    Figure pct00193

    여기서 기호 Y1, Y2, Ya, Yb, X, Xa 및 Xb 는 제 2 항에 주어진 정의를 갖는다.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 하나 이상의 항에 있어서,
    하기 식 (IV-1) 내지 (IV-41) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는, 화합물.
    Figure pct00194

    Figure pct00195

    Figure pct00196

    Figure pct00197

    Figure pct00198

    Figure pct00199

    Figure pct00200

    Figure pct00201

    Figure pct00202

    Figure pct00203

    Figure pct00204

    Figure pct00205

    Figure pct00206

    Figure pct00207

    여기서 기호 R, Ra 및 Rb 는 제 1 항에 주어진 정의를 갖고, 기호 Y1, Y2, Ya 및 Yb 는 제 2 항에 주어진 정의를 갖고, 추가 기호는 다음 정의를 갖는다:
    m 은 0, 1, 2, 3 또는 4 이다;
    j 는 0, 1 또는 2 이다.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 하나 이상의 항에 있어서,
    하기 식 (V-1) 내지 (V-8) 의 적어도 하나의 구조를 포함하는, 화합물.
    Figure pct00208

    식 중 기호 Ra 및 Rb 는 제 1 항에 주어진 정의를 가지며 추가 기호는 다음의 정의를 갖는다:
    Rc, Rd 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, N(Ar')2, N(R1)2, C(=O)N(Ar')2, C(=O)N(R1)2, C(Ar')3, C(R1)3, Si(Ar')3, Si(R1)3, B(Ar')2, B(R1)2, C(=O)Ar', C(=O)R1, P(=O)(Ar')2, P(=O)(R1)2, P(Ar')2, P(R1)2, S(=O)Ar', S(=O)R1, S(=O)2Ar', S(=O)2R1, OSO2Ar', OSO2R1, 1 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 2 내지 40 개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐 기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기이고, 여기서 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R1C=CR1, C≡C, Si(R1)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시 기; 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 헤테로아릴티오기, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 디아릴아미노, 아릴헤테로아릴아미노, 디헤테로아릴아미노기, 또는 5 내지 60개의 방향족 고리 원자 및 1 내지 10개의 탄소 원자를 알킬 라디칼에 갖고 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴알킬 또는 헤테로아릴알킬기이고; 동시에, 하나의 Rc 라디칼은 R, Ra, Rb, Rd 라디칼 또는 추가 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있다; 동시에, Rd 라디칼은 R, Ra, Rb, Rc 라디칼 또는 추가 기와 고리 시스템을 형성할 수도 있다;
    m 은 0, 1, 2, 3 또는 4 이다;
    n 은 0, 1, 2 또는 3 이다.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 하나 이상의 항에 있어서,
    적어도 하나의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼은 1 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (여기서 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R1C=CR1, C≡C, Si(R1)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR1, -C(=O)O-, -C(=O)NR1-, NR1, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 대체될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템인 것을 특징으로 하는 화합물.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 하나 이상의 항에 있어서,
    적어도 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼은 상기 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼이 결합하는 추가 기와 함께 융합된 고리를 형성하고, 여기서 상기 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼은 식 (RA-1) 내지 (RA-12)의 적어도 하나의 구조를 형성하는, 화합물.
    Figure pct00209

    Figure pct00210

    식 중 R1 은 위에 자세히 나타낸 정의를 갖고, 점선 결합은 상기 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼이 추가 기에 결합하는 부착 부위를 나타내며, 추가 기호는 다음 정의를 갖는다:
    Y3 은 각각의 경우에 동일하거나 상이하고 C(R1)2, (R1)2C-C(R1)2, (R1)C=C(R1), NR1, NAr', O 또는 S 이다;
    Re 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, F, 1 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 직쇄 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 또는 2 내지 40개의 탄소 원자를 갖는 알케닐 또는 알키닐기 또는 3 내지 20 개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시기 (여기서 알킬, 알콕시, 티오알콕시, 알케닐 또는 알키닐 기는 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있고, 하나 이상의 비인접 CH2 기는 R2C=CR2, C≡C, Si(R2)2, C=O, C=S, C=Se, C=NR2, -C(=O)O-, -C(=O)NR2-, NR2, P(=O)(R1), -O-, -S-, SO 또는 SO2 에 의해 치환될 수도 있음), 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 각 경우에 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템, 또는 5 내지 60 개의 방향족 고리 원자를 갖고 하나 이상의 R2 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 아릴옥시 또는 헤테로아릴옥시기이고; 동시에, 2 개의 Re 라디칼이 함께 또는 하나의 Re 라디칼이 R1 라디칼과 함께 또는 추가 기와 함께 고리 시스템을 형성한다;
    s 는 0, 1, 2, 3, 4, 5 또는 6 이다;
    t 는 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7 또는 8이다;
    v 는 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8 또는 9이다.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 하나 이상의 항에 있어서,
    적어도 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼은 상기 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼이 결합하는 추가 기와 함께 융합된 고리를 형성하고, 여기서 상기 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼은 하기 식 (RB) 의 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 화합물.
    Figure pct00211

    식 중 R1 은 제 1 항에 자세히 나타낸 정의를 갖고, 점선 결합은 상기 2개의 R, Ra, Rb, Rc, Rd 라디칼이 추가 기에 결합하는 부착 부위를 나타내고, 인덱스 m은 0, 1, 2, 3 또는 4이고, Y4 는 C(R1)2, NR1, NAr', BR1, BAr', O 또는 S 이다.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 하나 이상의 항에 있어서,
    하기 식 (VI-1) 내지 (VI-22) 의 적어도 하나의 구조를 포함하고, 상기 화합물은 적어도 하나의 융합된 고리를 갖는, 화합물.
    Figure pct00212

    Figure pct00213

    Figure pct00214

    식중 기호 R, Ra, Rb, Y1 및 Y2 는 제 1 항 또는 제 2 항에 주어진 정의를 갖고, 기호 o는 부착 부위를 나타내고, 추가 기호는 다음 정의를 갖는다:
    m 은 0, 1, 2, 3 또는 4 이다;
    n 은 0, 1, 2 또는 3 이다;
    j 는 0, 1 또는 2 이다.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 하나 이상의 항에 있어서,
    적어도 하나의 치환기 R, Ra, Rb는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, H, D, 3 내지 20개의 탄소 원자를 갖는 분지형 또는 환형 알킬, 알콕시 또는 티오알콕시 기 또는 하기 식 Ar-1 내지 Ar-78의 기로부터 선택되는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 화합물.
    Figure pct00215

    Figure pct00216

    Figure pct00217

    Figure pct00218

    Figure pct00219

    Figure pct00220

    식 중, R1 은 위에 주어진 정의를 갖고, 점선 결합은 대응하는 기 상의 결합을 나타내고 또한:
    Ar1 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하며, 6 내지 18 개의 방향족 고리 원자를 가지며 각 경우에 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 2가 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템이다;
    A 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, C(R1)2, NR1, O 또는 S 이다;
    p 는 0 또는 1 이고, 여기서 p = 0 은 Ar1 기가 부재하는 것 그리고 대응하는 방향족 또는 헤테로방향족 기가 대응하는 라디칼에 직접 결합되는 것을 의미한다;
    q 은 0 또는 1 이고, 여기서 q = 0 는, A 기가 이 위치에 결합되지 않고, 그 대신 R1 라디칼이 대응하는 탄소 원자에 결합됨을 의미한다.
  11. 제 5 항 내지 제 10 항 중 적어도 하나의 항에 있어서,
    치환기 Rc, Rd 는 각각의 경우에 동일하거나 상이하고, 6 내지 30 개의 방향족 고리 원자를 갖고 제 10 항에 나타낸 식 (Ar-1) 내지 (Ar-78) 의 기들로부터 선택되는 하나 이상의 R1 라디칼에 의해 치환될 수도 있는 방향족 또는 헤테로방향족 고리 시스템을 나타내는 것을 특징으로 하는 화합물.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 적어도 하나의 항에 있어서,
    상기 화합물은 식 (I), (II-1) 내지 (II-42), (III-1) 내지 (III-41), (IV-1) 내지 (IV-41), (V-1) 내지 (V-8) 및/또는 (VI-1) 내지 (VI-22) 중 정확히 2개 또는 정확히 3개의 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물.
  13. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 하나 이상의 화합물을 함유하는 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머로서, 수소 원자 또는 치환기보다는, 상기 폴리머, 올리고머 또는 덴드리머에 대한 상기 화합물의 하나 이상의 결합이 있는, 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머.
  14. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 기재된 적어도 하나의 화합물 또는 제 13 항에 기재된 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머 및 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하고, 상기 추가 화합물은 바람직하게 하나 이상의 용매로부터 선택되는, 포뮬레이션.
  15. 하기 식 (I)의 적어도 하나의 화합물
    Figure pct00221

    (식중 사용된 기호는 제 1 항에 주어진 정의를 갖는다), 또는 제 13 항에 기재된 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머, 및 형광 방출체, 인광 방출체, TADF를 나타내는 방출체, 호스트 재료, 전자 수송 재료, 전자 주입 재료, 정공 도체 재료, 정공 주입 재료, 전자 차단 재료 및 정공 차단 재료로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 추가 화합물을 포함하는, 조성물.
  16. 제 1 항 내지 제 12 항 중 하나 이상의 항에 기재된 화합물의 제조 방법으로서, Wa 기 중 적어도 하나 또는 상기 Wa 기 중 하나의 전구체를 갖는 베이스 골격이 합성되고, 방향족 또는 헤테로방향족 라디칼이 친핵성 방향족 치환 반응 또는 커플링 반응에 의해 도입되는, 제조 방법.
  17. 하기 식 (I) 의 화합물
    Figure pct00222

    (사용된 기호는 제 1 항에 주어진 정의를 갖는다), 또는 제13항에 따른 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머의 전자 디바이스에서의 용도.
  18. 하기 식 (I) 의 적어도 하나의 화합물
    Figure pct00223

    (사용된 기호는 제 1 항에 주어진 정의를 갖는다), 또는 제13항에 따른 올리고머, 폴리머 또는 덴드리머를 포함하는 전자 디바이스.
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