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KR20120082863A - 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치 및 이온 빔 어시스트 스퍼터 방법 - Google Patents

이온 빔 어시스트 스퍼터 장치 및 이온 빔 어시스트 스퍼터 방법 Download PDF

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KR20120082863A
KR20120082863A KR1020127003593A KR20127003593A KR20120082863A KR 20120082863 A KR20120082863 A KR 20120082863A KR 1020127003593 A KR1020127003593 A KR 1020127003593A KR 20127003593 A KR20127003593 A KR 20127003593A KR 20120082863 A KR20120082863 A KR 20120082863A
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KR
South Korea
Prior art keywords
ion
ion beam
target
sputter
assist
Prior art date
Application number
KR1020127003593A
Other languages
English (en)
Inventor
사토루 하뉴우
야스히로 이이지마
Original Assignee
가부시키가이샤후지쿠라
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤후지쿠라 filed Critical 가부시키가이샤후지쿠라
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Abstract

본 발명은, 타겟(target); 이 타겟에 스퍼터 이온(sputter ion)을 조사(照射)하여, 상기 타겟의 구성 입자의 일부를 방출(knock out)하는 스퍼터 이온원(ion source); 상기 타겟으로부터 방출된 입자를 퇴적시키기 위한 기재(基材)를 설치하는 성막 영역； 이 성막 영역에 설치된 상기 기재의 성막면의 법선(法線) 방향에 대하여 경사 방향으로부터 어시스트(assisted) 이온 빔을 조사하는 어시스트 이온 빔 조사 장치를 포함하는 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치(ion beam assisted sputtering device)로서, 상기 스퍼터 이온원은, 스퍼터 이온 빔을 상기 타겟의 일측 단부(端部)로부터 타측 단부까지 조사 가능하도록 배열된 복수 개의 이온 건(ion gun)을 가지고, 상기 복수 개의 이온 건의 상기 스퍼터 이온 빔을 발생시키기 위한 전류값은, 각각 설정되는 것을 특징으로 하는 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치에 관한 것이다.

Description

이온 빔 어시스트 스퍼터 장치 및 이온 빔 어시스트 스퍼터 방법{ION BEAM ASSISTED SPUTTERING DEVICE AND ION BEAM ASSISTED SPUTTERING METHOD}
본 발명은, 산화물 초전도(超電導) 도체용(導體用) 기재(基材)의 제조에 사용하는 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치(ion beam assisted sputtering device) 및 이온 빔 어시스트 스퍼터 방법에 관한 것이다.
본원은, 2009년 10월 8일자 일본특허출원 2009?234352호에 기초하여 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
RE?123계 산화물 초전도 도체[REBa2Cu3O7 ?X: RE는 Y를 포함하는 희토류(希土類) 원소 중 어느 하나]는, 액체 질소 온도 이상에서 우수한 초전도성을 나타내므로, 실용상 극히 유망한 소재로 되어 있고, 이것을 선재(線材)로 가공하여 전력 공급용의 도체로서 사용하는 것이 강하게 요구되고 있다. 이와 같은 RE?123계 산화물 초전도 도체에 사용하는 도체로서, 도 7에 나타낸 바와 같이, 테이프형의 금속 기재(101) 상에, IBAD(Ion?Beam?Assisted Deposition)법에 따라 성막된 중간층(102)과, 그 위에 캡층(cap layer)(103)과, 산화물 초전도층(104)을 이 순서로 적층 형성한 구조가 알려져 있다(예를 들면, 하기 특허 문헌 1 참조).
이 산화물 초전도 도체에 있어서, 중간층(102) 및 캡층(103)은, 산화물 초전도층(104)의 결정(結晶) 배향성(配向性)을 제어하기 위해 설치되어 있다. 즉, 산화물 초전도체는, 그 결정축(結晶軸)의 a축 방향과 b축 방향으로는 전기가 흐르기 쉽지만, c축 방향으로는 전기가 흐르기 어렵다는 전기적 이방성(異方性)을 가지고 있다. 따라서, 이 산화물 초전도체를 사용하여 도체를 구성하는 경우, 산화물 초전도층(104)은, 전기가 흐르는 방향으로 a축 또는 b축이 배향되고, c축이 그 외의 방향으로 배향되어 있을 필요가 있다.
여기서, 이 종류의 산화물 초전도 도체에 사용되는 중간층(102)의 형성 기술로서, IBAD법이 널리 알려져 있다. 이 IBAD법에 의해 형성되는 중간층은, 열팽창율이나 격자(格子) 상수(常數) 등의 물리적인 특성값이 금속 기재(101)와 산화물 초전도층(104)과의 중간적인 값을 나타내는 재료, 예를 들면, MgO, YSZ[이트리아(yttria) 안정화 지르코늄], SrTiO3 등에 의해 구성되어 있다. 이와 같은 중간층(102)은, 금속 기재(101)와 산화물 초전도층(104)과의 물리적 특성의 차이를 완화하는 버퍼층으로서 기능한다. 또한, IBAD법에 따라 성막되는 것에 의해, 중간층(102)의 결정은, 높은 면내 배향도(配向度)를 가지고 있고, 캡층(103)의 배향성을 제어하는 배향 제어막으로서 기능한다. 이하, IBAD법에 의해 형성되는 중간층(102)의 배향 메카니즘에 대하여 설명한다.
도 8에 나타낸 바와 같이, IBAD법에 의한 중간층 형성 장치는, 금속 기재(101)가 그 길이 방향으로 주행하기 위한 주행계와, 그 표면이 금속 기재(1)의 표면에 대하여 경사지도록 향해 대치하는 타겟(target)(201)과, 타겟(201)에 이온을 조사(照射)하는 스퍼터 빔 조사 장치(202)와, 금속 기재(101)의 표면에 대하여 경사 방향으로부터 이온(희가스 이온과 산소 이온과의 혼합 이온)을 조사하는 이온원(ion source)(203)을 가지고 있다. 이들 각 부는, 진공 용기(도시하지 않음) 내에 배치되어 있다.
이 중간층 형성 장치에 의해 금속 기재(101) 상에 중간층(102)을 형성하기 위해서는, 진공 용기의 내부를 감압(減壓) 분위기로 하고, 스퍼터 빔 조사 장치(202) 및 이온원(203)을 작동시킨다. 이로써, 스퍼터 빔 조사 장치(202)로부터 타겟(201)에 이온이 조사되어, 타겟(201)의 구성 입자가 튀어 날아서 금속 기재(101) 상에 퇴적된다. 이와 동시에, 이온원(203)으로부터, 희가스 이온과 산소 이온과의 혼합 이온이 방사되어, 금속 기재(101)의 표면에 대하여 소정의 입사 각도(θ)로 입사(入射)한다.
이와 같이, 금속 기재(101)의 표면에, 타겟(201)의 구성 입자를 퇴적시키면서, 소정의 입사 각도로 이온 조사를 행함으로써, 형성되는 스퍼터막의 특정한 결정축이 이온의 입사 방향으로 고정된다. 이로써, c축이 금속 기재의 표면에 대하여 수직 방향으로 배향되고, 또한 a축 및 b축이 면내에 있어서 일정 방향으로 배향된다. 그러므로, IBAD법에 따라 형성된 중간층(102)은, 높은 면내 배향도를 가진다.
한편, 캡층(103)은, 이와 같이 면내 결정축이 배향된 중간층(102)의 표면에 성막되는 것에 의해 에피택셜(epitaxial) 성장(成長)하고, 그 후, 가로 방향으로 입 성장(grain growth)하여, 결정입자가 면 내측 방향으로 자체 배향될 수 있는 재료, 예를 들면, CeO2에 의해 구성된다. 캡층(103)은, 이와 같이 자체 배향되고 있는 것에 의해, 중간층(102)보다 보다 높은 면내 배향도를 얻을 수 있다. 따라서, 금속 기재(101) 상에, 이와 같은 중간층(102) 및 캡층(103)을 통하여 산화물 초전도층(104)을 성막하면, 면내 배향도가 높은 캡층(103)의 결정 배향에 정합(整合)하도록 산화물 초전도층(104)이 에피택셜 성장한다. 그러므로, 면내 배향성이 우수하고, 임계 전류 밀도가 큰 산화물 초전도층(104)을 얻을 수 있다.
도 9는 전술한 IBAD법을 실시하는 경우의 구체적 장치의 모식 구조예를 나타낸다. 이 예의 IBAD 장치(300)의 구성을 이하에 나타낸다. 장척(長尺)의 테이프형의 기재(301)는, 제1 롤(302)과 제2 롤(303)과의 사이에 복수회 왕복 권취된다. 제1 롤(302)과 제2 롤(303)과의 사이에 복수 열 노출되어 있는 기재(301)에 대향하도록, 직사각형상의 타겟(305)이 배치된다. 이 타겟(305)에 대하여 경사 방향으로 대향하도록, 스퍼터 이온원(306)이 배치된다. 제1 롤(302)과 제2 롤(303)과의 사이에 복수 열 노출되어 있는 기재(301)에 소정 각도[예를 들면, 기재(301)의 성막면의 법선(法線)에 대하여 45˚ 또는 55˚]를 가지는 경사 방향으로부터 대향하도록, 어시스트 이온원(307)이 배치된다.
그리고, 그 외의 이온 빔 스퍼터 장치로서, 하기 특허 문헌 2에 기재된 바와 같이, 복수 개의 타겟에 대응하도록 복수 개의 이온 건(ion gun)을 구비한 구성을 채용하고, 타겟을 구비한 회전 홀더의 대칭 위치에 이들 2조를 배치한 구성의 장치가 알려져 있다. 또한, 복수 개의 이온 건을 설치한 구성의 장치도 알려져 있다. 또, 하기 특허 문헌 3에 나타낸 바와 같이, 1개의 타겟에 대하여 복수 개의 이온 건을 설치한 이온 빔 스퍼터 장치가 알려져 있다. 또, 하기 특허 문헌 4에 나타낸 바와 같이, 타겟의 복수 개소에 이온 빔을 조사하기 위해 복수 개의 이온 건 드라이버를 구비하여, 이온 빔의 조사 위치마다 전류 밀도 분포를 제어하는 이온 빔 스퍼터 장치가 알려져 있다.
일본공개특허 2004?71359호 공보 일본공개특허 2004?027306호 공보 일본공개특허 1996?74052호 공보 일본공개특허 2004?285424호 공보
도 9에 나타낸 IBAD 장치(300)는, 제1 롤(302)과 제2 롤(303)과의 사이를 기재(301)가 복수회 왕복하므로, 두꺼운 막을 형성하고자 할 때 유리하여, 생산성을 향상시킬 수 있는 특징을 가지고 있다. 그러나, 도 9에 나타낸 IBAD 장치(300)는, 제1 롤(302)과 제2 롤(303)과의 사이에 걸쳐진 복수 열의 기재(301)에 균일하게 스퍼터 입자를 비래(飛來)하게 하기 위해, 스퍼터 타겟(305)을 대형의 직사각형상으로 하고 있다. 이에 대응하여, 스퍼터 이온원(306)도 직사각형상으로 하고 있다. 이와 같은 직사각형상의 대형의 이온원(306)은, 반도체 분야 등의 일반적인 성막 분야에 있어서 상용(常用)되는 것이 아니고, 특별 주문품으로 되므로, 극히 고가로 되지 않을 수 없다는 문제를 가지고 있었다.
또한, 도 9에 나타낸 바와 같은 대형의 IBAD 장치(300)는, 막 두께 및 막질(膜質)의 균일성을 유지하기 위해서, 어시스트 이온 빔과 스퍼터 빔과의 강도 밸런스를 취할 필요가 있다. 이 종류의 이온 빔 스퍼터 장치에는, 통상, 어시스트 이온 건과 스퍼터 이온 건이 1세트씩 존재하지만, 스퍼터 빔의 이온원이 1개인 경우, 대면적에 성막하면서, 또한 막 두께를 조정하는 것은 극히 곤란했었다.
본 발명은, 결정 배향성이 우수한 산화물 초전도층을 형성하기 위한 기초로 되는 중간층을 가지는 기재로 하여, 결정 배향성이 양호하고, 막 두께가 균일한 중간층을 가지는 산화물 초전도 도체용 기재를 제조하는 데 바람직한 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치 및 이온 빔 어시스트 스퍼터 방법의 제공을 목적으로 한다.
본 발명은, 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해, 이하의 구성을 채용한다.
본 발명의 일 태양(態樣)에 관한 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치는, 타겟； 이 타겟에 스퍼터 이온을 조사하여, 상기 타겟의 구성 입자의 일부를 방출(knock out)하는 스퍼터 이온원； 상기 타겟으로부터 방출된 입자를 퇴적시키기 위한 기재를 설치하는 성막 영역； 이 성막 영역에 설치된 상기 기재의 성막면의 법선 방향에 대하여 경사 방향으로부터 어시스트 이온 빔을 조사하는 어시스트 이온 빔 조사 장치를 포함하는 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치로서, 상기 스퍼터 이온원이, 스퍼터 이온 빔을 상기 타겟의 일측 단부(端部)로부터 타측 단부까지 조사 가능하도록 배열된 복수 개의 이온 건을 가지고, 상기 복수 개의 이온 건의 상기 스퍼터 이온 빔을 발생시키기 위한 전류값이, 각각 설정된다.
상기 복수 개의 이온 건 중 양단에 배치된 이온 건의 상기 전류값이, 이들 양단에 배치된 이온 건의 사이에 배치된 다른 이온 건의 상기 전류값보다 높게 설정되어도 된다.
상기 타겟이, 상기 성막 영역에 대응하도록 직사각형으로 형성되고, 상기 복수 개의 이온 건이, 상기 타겟의 길이 방향을 따라 배치되어도 된다.
상기 양단에 배치된 이온 건의 상기 전류값이, 이들 양단에 배치된 이온 건의 사이에 배치된 상기 다른 이온 건의 상기 전류값보다 4~100 % 높게 설정되어도 된다.
상기 복수 개의 이온 건의 상기 전류값이, 각각 조정되어도 된다.
본 발명의 다른 태양에 관한 이온 빔 어시스트 스퍼터 방법은, 타겟: 이 타겟의 구성 입자의 일부를 방출하는 스퍼터 이온 빔을 상기 타겟의 일측 단부로부터 타측 단부까지 조사 가능하도록 배열된 복수 개의 이온 건을 가지는 스퍼터 이온원: 상기 타겟으로부터 방출된 입자를 퇴적시키기 위한 기재를 설치하는 성막 영역； 이 성막 영역에 설치된 상기 기재의 성막면의 법선 방향에 대하여 경사 방향으로부터 어시스트 이온 빔을 조사하는 어시스트 이온 빔 조사 장치를 포함하는 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치를 사용하여, 상기 성막 영역에 설치한 상기 기재 상에, 상기 타겟의 구성 입자를 퇴적시켜 상기 기재 상에 성막하는 이온 빔 어시스트 성막 방법으로서, 상기 복수 개의 이온 건 중 양단에 배치된 이온 건의 상기 스퍼터 이온 빔을 발생시키기 위한 전류값을, 이들 양단에 배치된 이온 건의 사이에 배치된 다른 이온 건의 상기 스퍼터 이온 빔을 발생시키기 위한 전류값보다 높게 설정하여 이온 빔 어시스트 스퍼터를 행하는 공정을 포함한다.
상기 이온 빔 어시스트 스퍼터를 행하는 공정에서, 상기 양단에 배치된 이온 건의 상기 전류값이, 이들 양단에 배치된 이온 건의 사이에 배치된 상기 다른 이온 건의 상기 전류값보다 4~100 % 높게 설정되어도 된다.
상기 본 발명의 일 태양에 관한 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치 및 이온 빔 어시스트 스퍼터 방법에 의하면, 타겟에 대응하도록 배열된 이온 건 중, 상기 타겟의 일측 단부에 스퍼터 빔을 조사하는 이온 건과 타겟의 타측 단부에 스퍼터 빔을 조사하는 이온 건이, 이들 이온 건의 사이에 배치되는 다른 이온 건보다 이온 빔 발생용의 전류값을 높게 설정한다. 그러므로, 이온 빔 어시스트 스퍼터 방법에 의해 기재 상에 결정 배향성이 양호한 막을 형성하는 경우에, 타겟의 각 코너로부터 스퍼터 입자의 발생을 효율적으로 균일하게 행할 수 있다. 이 결과, 기재 상에 결정 배향성이 양호한 데 더하여 막 두께 불균일이 적은 중간층을 형성할 수 있다. 그러므로, 기재 상에 대면적의 산화물 초전도층을 성막한 경우라도, 결정 배향성이 우수하고, 막 두께 불균일이 적은 산화물 초전도층을 얻을 수 있다.
또한, 종래의 직사각형의 이온 건에서는 위치마다 전술한 바와 같은 조정이 가능하지 않은 것에 대하여, 본 발명의 일 태양에 관한 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치에서는 대면적의 스퍼터용 타겟을 이용한 대면적용의 성막 처리에 있어서도, 막 두께의 균일성을 확보하면서, 양호한 배향성의 막을 얻기 위한 장치를 저비용으로 제공할 수 있어, 산화물 초전도 도체의 제조 비용을 삭감할 수 있다.
또한, 타겟의 단부측에 대응하는 이온 건에 인가하는 전류값을 타겟의 중앙측에 대응하는 이온 건에 인가하는 전류값보다 4~100 % 높게 함으로써, 타겟으로부터 방출하는 스퍼터 입자의 균일성을 향상시켜 균일한 두께의 막을 형성할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 관한 산화물 초전도 도체용 기재 및 산화물 초전도 도체의 구조를 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 관한 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치를 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 3은 상기 실시형태에 관한 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치의 이온 건을 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 4는 종래의 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치의 이온 건을 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 5는 도 2에 나타낸 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치의 응용예를 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 관한 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치에 적용되는 이온 건의 구조를 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 7은 종래의 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치 및 종래의 이온 빔 어시스트 스퍼터 방법으로 제조되는 산화물 초전도 도체용 기재 및 산화물 초전도 도체의 구조의 일례를 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 8은 IBAD법으로 사용하는 중간층 형성 장치의 일례를 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 9는 테이프형 기재에 IBAD법에 의해 중간층을 형성하는 장치의 일례를 나타낸 개략적인 구성도이다.
본 발명의 일 실시형태를 이하에 설명한다.
＜산화물 초전도 도체용 기재 및 산화물 초전도 도체＞
먼저, 본 발명의 일 실시형태에 관한 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치 및 이온 빔 어시스트 스퍼터 방법에 의해 제조되는 산화물 초전도 도체용 기재 및 그것을 적용한 산화물 초전도 도체를 이하에 설명한다.
도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 관한 이온 빔 어시스트 스퍼터 방법에 의해 제조되는 산화물 초전도 도체용 기재 및 그것을 적용한 산화물 초전도 도체의 구조를 나타낸 세로 방향의 개략 단면도이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태에 관한 산화물 초전도 도체용 기재(1)는, 금속 기재(2) 상에 성막한 이온 빔 어시스트 스퍼터 방법에 의한 중간층(3)과, 그 위에 성막한 캡층(4)을 구비한 적층 구조를 가지고 있고, 산화물 초전도 도체(5)는, 전술한 산화물 초전도 도체용 기재(1)의 캡층(4) 상에, 산화물 초전도층(6)을 형성한 기본 구조를 가진다. 그리고, 금속 기재(2) 상에 확산 방지층이나 베이스층 등을 일단 형성한 데다가 중간층(3)을 형성한 구조에 대하여도, 본 발명을 지장없이 적용할 수 있다. 산화물 초전도층(6) 상에 안정화층을 적층한 구조라도, 본 발명을 지장없이 적용할 수 있다. 이하, 상기 각 층을 구성하는 재료에 대하여 상세하게 설명한다.
＜금속 기재＞
금속 기재(2)를 구성하는 재료로서는, 강도 및 내열성(耐熱性)이 우수한, Cu, Ni, Ti, Mo, Nb, Ta, W, Mn, Fe, Ag 등의 금속 또는 이들의 합금을 사용할 수 있다. 특히 바람직한 것은, 내식성(耐蝕性) 및 내열성이 우수한 스테인레스, 하스텔로이(hastelloy), 그 외의 니켈계 합금이다. 또는, 이들에 부가하여, 세라믹제의 기재, 비정질 합금의 기재 등을 사용해도 된다.
＜중간층＞
중간층(3)은, IBAD법에 따라 형성된 증착막이며, 금속 기재(2)와 산화물 초전도층(6)과의 물리적 특성(열팽창율이나 격자 상수 등)의 차이를 완화하는 버퍼층으로서 기능하고, 또한 이 중간층(3) 상에 형성되는 캡층(4)의 배향성을 제어하는 배향 제어막으로서 기능한다. 이 중간층(3)을 성막하는 경우에, 본 발명에 관한 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치를 사용하여 이온 빔 어시스트 스퍼터 방법을 실시하지만, 이들 설명에 대해서는 후술한다.
중간층(3)을 구성하는 재료로서는, 이들의 물리적 특성이 금속 기재(2)와 산화물 초전도 도체막(6)과의 중간적인 값을 나타내는 것이 사용된다. 이와 같은 중간층(3)의 재료로서는, 예를 들면, 이트리아 안정화 지르코늄(YSZ), MgO, SrTiO3, Gd2Zr2O7 등을 들 수 있다. 그 외에, 파이로클로어(pyrochlore) 구조, 희토류?C 구조, 페로브스카이트형(perovskite type) 구조 또는 형석형(螢石型) 구조 또는 암염(岩鹽) 구조를 가지는 적절한 화합물을 사용할 수 있다. 이들 중에서도, 중간층(3)의 재료로서는, YSZ, Gd2Zr2O7, 또는 MgO를 사용하는 것이 바람직하다. 특히, Gd2Zr2O7나 MgO는, IBAD법에서의 배향도를 나타내는 지표인 ΔΦ(FWHM: 반값 전체 폭)의 값을 작게 할 수 있으므로, 중간층의 재료로서 특히 적합하다.
중간층(3)의 막 두께는, 예를 들면, 5nm~2000nm의 범위가 바람직하고, 50nm~1000nm의 범위가 보다 바람직하지만, 이들의 범위에만 한정되지 않는다.
중간층(3)의 막 두께가 1000nm를 넘으면, 중간층(3)의 성막 방법으로서 사용하는 IBAD법의 성막 속도가 비교적 저속이므로, 중간층(3)의 성막 시간이 길어진다.
중간층(3)의 막 두께가 2000nm를 넘으면, 중간층(3)의 표면 거칠기가 커져, 산화물 초전도 도체(5)의 임계 전류 밀도가 낮아질 가능성이 있다.
한편, 중간층(3)의 막 두께가 5nm 미만이면, 중간층 자체의 결정 배향성을 제어하는 것이 어려워져, 이 중간층(3) 상에 형성되는 캡층(4)의 배향도 제어가 어려워지고, 또한 캡층(4) 상에 형성되는 산화물 초전도층(6)의 배향도 제어도 어려워진다. 그 결과, 산화물 초전도 도체(5)의 임계 전류가 불충분해질 가능성이 있다.
본 실시형태의 중간층(3)은, 1층 구조일 필요는 없고, 예를 들면, 도 1에 나타낸 예에서는, 기재(2) 측에 MgO의 제1 층(3A)과 그 위에 적층된 Gd2Zr2O7의 제2 층(3B)으로 이루어지는 2층 구조를 가지지만, 그 외의 복층 구조라도 지장을 주지 않는다.
＜캡층＞
캡층(4)은, 그 위에 설치되는 산화물 초전도층(6)의 배향성을 제어하는 기능을 가지는 동시에, 산화물 초전도층(6)을 구성하는 원소의 중간층(3)으로의 확산이나, 성막 시에 사용하는 가스와 중간층(3)과의 반응을 억제하는 기능 등을 가진다.
캡층(4)으로서는, 중간층(3)의 표면에 대하여 에피택셜 성장하고, 그 후, 가로 방향(면 방향)으로 입 성장[오버그로스(overgrowth)]하여, 결정입자가 면 내측 방향으로 선택 성장하는 과정을 거쳐 성막된 것이 바람직하다. 이와 같이 선택 성장하고 있는 캡층(4)은, 중간층(3)보다 높은 면내 배향도를 얻을 수 있다.
캡층(4)을 구성하는 재료로서는, 이와 같은 기능을 발현(發現)할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, CeO2, Y2O3 등을 사용하는 것이 바람직하다.
캡층(4)의 구성 재료로서 CeO2를 사용하는 경우, 캡층(4)은, 전체가 CeO2에 의해 구성되어 있을 필요는 없고, Ce의 일부가 다른 금속 원자 또는 금속 이온으로 치환된 Ce?M?O계 산화물을 포함해도 된다.
캡층(4)의 적정한 막 두께는, 그 구성 재료에 따라 상이하다. 예를 들면, CeO2에 의해 캡층(4)을 구성하는 경우에는, 캡층(4)의 막 두께는, 50nm~5000nm의 범위가 바람직하고, 100nm~5000nm가 보다 바람직하다. 캡층(4)의 막 두께가 이들의 범위로부터 벗어나면, 충분한 배향도를 얻을 수 없는 경우가 있다.
＜산화물 초전도층＞
산화물 초전도층(6)의 재료로서는, RE?123계 산화물 초전도체(REBa2Cu3O7 ?X: RE는 Y, La, Nd, Sm, Eu, Gd 등의 희토류 원소)를 사용할 수 있다. RE?123계 산화물로서 바람직한 것은, Y123(YBa2Cu3O7 ?X) 또는 Gd123(GdBa2Cu3O7 ?X) 등이다.
＜산화물 초전도 도체용 기재 및 산화물 초전도 도체의 제조 방법＞
다음에, 전술한 구조의 산화물 초전도 도체용 기재의 제조 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 전술한 재료로 이루어지는 테이프형 등의 장척의 금속 기재(2)를 준비하고, 이 금속 기재(2) 상에, IBAD법에 따라 전술한 재료로 이루어지는 중간층(3)을 형성한다. 또한, 이 중간층(3) 상에, 금속 타겟을 사용하는 반응성 DC 스퍼터법 등에 의해 캡층(4)을 형성한다.
본 실시형태의 설명에서는, 이하, 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치와 이것을 사용한 이온 빔 어시스트 스퍼터 방법에 의해 중간층(3)을 성막하는 경우에 대하여 설명한다.
＜이온 빔 어시스트 스퍼터 장치＞
도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 관한 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치를 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 2에 나타낸 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치(10)는, 테이프형의 기재 등이 배치되는 대략 직사각형상의 성막 영역(11)에 면하도록 직사각형상의 타겟(12)이 배치되고, 이 타겟(12)에 대하여 경사 방향으로 대향하도록 스퍼터 이온원(13)이 배치되고, 또한 성막 영역(11)의 법선에 대하여 소정 각도로(예를 들면, 45˚ 또는 55˚ 등) 경사 방향으로부터 대향하도록 어시스트 이온원(15)을 배치하여 구성되어 있다.
이 예의 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치(10)는, 진공 챔버에 수용되는 형태로 설치되는 성막 장치이다. 이 장치의 성막 영역(11)은, 구체적으로는 예를 들면, 도 5에 나타낸 바와 같이, 테이프형의 기재(17)가 대향 배치된 제1 롤(18)과 제2 롤(19)에 복수회 왕복 권취되어, 성막 영역(11)을 왕복 주행하는 구조 등을 예시할 수 있지만, 도 5의 장치 구조만에 한정되는 것은 아니다. 그리고, 도 5에서는 도 2의 구성에 대하여, 타겟(12)의 위치와 성막 영역(11) 상하 위치 관계가 역전하고 있지만, 이들의 상하 관계는 임의라도 된다. 타겟(12)과 성막 영역(11)과의 상하 위치 관계에 맞추어, 스퍼터 이온원(13)이 타겟(12)에 대향하고, 어시스트 이온원(15)이 성막 영역(11)에 대향하도록, 이들의 상하 위치 관계를 조정하여 장치 전체가 구성된다.
본 실시형태에서 사용하는 진공 챔버는, 외부와 성막 공간을 칸막이하는 용기이며, 기밀성을 가지는 동시에, 내부가 고진공 상태로 되므로, 내압성(耐壓性)을 가진다. 이 진공 챔버에는, 진공 챔버 내에 캐리어(carrier) 가스 및 반응 가스를 도입하는 가스 공급 수단과, 진공 챔버 내의 가스를 배기하는 배기 수단이 접속되어 있다. 도 2에서는, 이들 공급 수단과 배기 수단을 생략하고, 각각의 장치의 배치 관계만을 나타내고 있다.
여기서 사용하는 타겟(12)은, 전술한 재료의 중간층(3)을 형성하는 경우에 적절한 조성의 타겟으로 할 수 있다.
본 실시형태에서 사용하는 스퍼터 이온원(13)은, 종래 장치에서는 도 4에 나타낸 바와 같이, 직사각형상의 스퍼터 이온원(14)으로 되어 있었던 것에 대하여, 환형(環形)의 이온 건(16)을 4기(基) 가로로 일렬로 설치한 구조를 가진다.
이 이온 건(16)은, 예를 들면, 도 6에 나타낸 바와 같이 원통형 용기의 내부에, 이온화시키는 가스를 도입하고, 정면에 인출(引出) 전극을 구비하여 구성되어 있다. 그리고, 가스의 원자 또는 분자의 일부를 이온화하고, 그 이온화한 입자를 인출 전극에 의해 발생시킨 전계로 제어하여 이온 빔으로서 조사하는 장치이다. 가스를 이온화하는 방법에는, 고주파 여기(勵起) 방식, 필라멘트 방식 등 각종의 것이 있다. 필라멘트 식은, 텅스텐제의 필라멘트에 통전 가열하여 열전자(熱電子)를 발생시켜, 고진공 중에서 가스 분자와 충돌시켜 이온화하는 방법이다. 또한, 고주파 여기 방식은, 고진공 중의 가스 분자를 고주파 전계로 분극시켜 이온화하는 방법이다.
본 실시형태에 있어서, 예를 들면, 도 6에 나타낸 구조의 이온 건(16)을 사용할 수 있다. 이 예의 이온 건(16)은, 통형의 용기(27)의 내부에, 인출 전극(28)과 필라멘트(29)와 Ar 가스 등의 도입관(20)을 구비하여 구성되며, 용기(27)의 선단으로부터 이온을 빔형(beam type)으로 평행하게 또한 조사 영역을 원형으로 조사할 수 있는 것이다.
이들 4기의 이온 건(16)은, 4기가 일렬로 배열되었으므로 종래 구조의 직사각형상의 이온원(14)과 거의 동등한 폭 및 안쪽의 영역에 이온 빔을 조사할 수 있도록 한 크기로 형성되어 있다. 예를 들면, 4기의 배열에 의해 종래 구조의 직사각형상의 이온원과 대비하여 90% 정도 이상의 면적을 커버할 수 있도록 배치할 수 있다.
이들 4기의 이온 건(16) 중, 배열 방향 내측에 배치되어 있는 모든 이온 건은, 각각 개별적으로 출력을 조정할 수 있도록 구성되어 있다.
여기서 이온 건(16)의 출력은, 인출 전극(28)에 인가하는 가속 전압과, 이온 빔의 전류값과의 곱을 의미한다.
중앙의 2기의 이온 건(16)의 이온 빔을 발생시킬 때의 전류값보다 양단측의 2기의 이온 건(16)의 이온 빔을 발생시킬 때의 전류값을 4~100 % 향상시킨 범위로 하면, 바람직한 상태에서 타겟(12)으로부터 균일하게 스퍼터 입자를 방출할 수가 있다.
4기의 이온 건(16)에 균등한 전류값을 인가한 경우, 중앙측의 이온 건(16)이 타겟(12)에 조사하는 이온 빔의 확산의 상태에 의해, 중앙측의 이온 건(16)이 타겟(12)에 조사하는 이온 빔이 중첩되어 조사되므로, 타겟(12)으로부터의 스퍼터 입자 발생 효율은 높아진다. 한편, 양단측의 이온 건(16)이 타겟(12)의 단부측에 조사하는 이온 빔의 영역에서는, 이온 빔의 중첩이 생기지 않으므로, 스퍼터 효율이 저하된다. 이 결과, 성막 레이트가 저하되는 문제가 있어, 균등한 스퍼터 입자의 발생을 기대할 수 없다. 이에 대하여, 양단측의 2기의 이온 건(16)의 이온 빔을 발생시킬 때의 전류값을 전술한 바와 같이, 4~100 % 상승시킨 범위로 하면, 확산된 이온 빔의 중첩이 적어, 양단에서의 스퍼터 입자량의 저하를 방지할 수 있다. 그러므로, 양단측의 이온 건(16)이 이온을 조사하는 영역의 타겟(12)으로부터 효율적으로 균등하게 스퍼터 입자의 발생을 행할 수 있다. 이 결과, 타겟(12)의 단부측에 대응하는 위치의 성막 영역(11)에 대하여 목적으로 하는 양의 스퍼터 입자의 퇴적을 행할 수 있으므로, 직사각형상의 타겟(12)에 대응한 넓은 영역의 성막 영역(11)에 균일한 입자를 퇴적할 수 있다.
여기서, 도 2에 나타낸 구성의 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치(10)를 작동시켜 이온 빔 어시스트 스퍼터 방법에 의해 성막하는 경우를 설명한다. 도 1에 나타낸 기재(2)를 성막 영역(11)에 설치한다. 이 상태에서 4기의 이온 건(16)을 작동시켜, 중앙의 2기의 이온 건(16)의 이온 빔을 발생시킬 때의 전류값보다 양단측의 2기의 이온 건(16)의 이온 빔을 발생시킬 때의 전류값을 전술한 바와 같이 4~100 % 향상시킨 범위로 하여, 도 3에 나타낸 바와 같이, 스퍼터 빔을 타겟(12)에 조사하여 스퍼터 입자를 방출하는 스퍼터를 행한다. 이와 같이 하여, 성막 영역(11)에 대하여 스퍼터 입자를 비래하게 하여 성막 영역(11)에 설치한 기재(2)에 스퍼터 입자의 퇴적을 행하고, 또한 도 2에 나타낸 바와 같이 어시스트 이온원(15)으로부터 이온 빔을 성막 영역(11)의 기재(2)에 대하여 경사 방향으로 소정 각도로부터 조사하면서 앞서의 스퍼터 입자의 퇴적을 행한다.
이상의 조작에 의해, 타겟(12)으로부터 발생시킨 스퍼터 입자를 양호한 결정 배향성 또한 균등한 막 두께로, 기재(2) 상에 성막할 수 있다. 이 결과, 결정 배향성이 우수한 중간층(3)을 퇴적시킬 수 있다.
그리고, 이온 빔 어시스트법에서는, 기재(2) 상에서의 스퍼터 입자와 어시스트 이온 빔과의 도달 비율이 중요하며, 그에 따라 얻어지는 막의 배향성이 변경된다. 따라서, 대면적에서는 성막 시에, 모든 영역 면적에 있어서, 최적 비율에 근접시킬 필요가 있다.
상기에 나타낸 케이스는, 어시스트 이온 빔이 균일하게 조사되고 있는 경우이며, 스퍼터 입자도 성막 영역 전체에 균일하게 공급할 필요가 있는 케이스이다. 물론, 어시스트 이온 빔이 어떠한 원인으로 장소에 의한 분포가 생기고 있는 경우, 본 구조의 장치에 의하면, 어시스트 이온 빔의 강도 분포에 따라 스퍼터 이온 건의 출력의 비율을 적절히 컨트롤할 수 있다. 이로써, 성막 면적에서의 스퍼터 입자와 어시스트 이온 빔과의 도달 비율을 최적 비율에 근접시킬 수 있다. 따라서, 각각의 어시스트 이온 건의 전류값을 개별적으로 설정할 수 있는 것도 중요하다.
또한, 중앙의 2기의 이온 건(16)의 이온 빔을 발생시킬 때의 전류값보다 양단측의 2기의 이온 건(16)의 이온 빔을 발생시킬 때의 전류값을 전술한 바와 같이 4~100 % 향상시킨 범위로 하여 스퍼터를 행함으로써, 성막 영역(11)에 설치한 기재(2)의 표면 측에 균일한 두께의 막을 퇴적할 수 있다. 또한, 본 실시형태로 사용하는 환형의 4기의 이온 건(16)을 직사각형상의 대면적의 이온 건(14)과 대비하면, 타겟(12)의 직사각형상의 영역에 대응하도록 직사각형상의 대면적의 이온 건(14)을 사용하는 경우에는, 특별히 이온 건을 제조하지 않으면 안된다. 한편, 환형의 이온 건이면, 반도체 분야 등의 일반적인 성막 분야에 있어서 사용하는 범용의 이온 건을 사용할 수 있다. 그러므로, 적용하는 이온 건을 염가의 구조로 하는 것을 용이하게 할 수 있다. 따라서, 직사각형상의 이온 건을 특별히 제조하고 있던 종래 구조의 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치와 대비하여, 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치 전체의 비용 다운으로 이어지는 효과가 있다.
또한, 중앙의 2기의 이온 건(16)의 이온 빔을 발생시킬 때의 전류값보다 양단측의 2기의 이온 건(16)의 이온 빔을 발생시킬 때의 전류값을 전술한 바와 같이 4~100 % 향상시킨 범위로 함으로써, 생성할 수 있는 막의 배향성을 향상시킬 수 있다. 배향성의 향상은, 초전도 특성의 향상의 면에서 유리하게 된다.
그리고, 기재(1) 상에, MgO의 제1 층(3A)과 Gd2Zr2O7의 제2 층(3B)으로 이루어지는 2층 구조의 중간층(3)을 형성할 수 있다. 이 경우, 도 2에 나타낸 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치에 있어서 타겟(12)을 MgO의 것으로서 1회 성막하고, 도 2에 나타낸 구성과 동등한 구성의 다른 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치에 의해, 제1 층 상에 Gd2Zr2O7층을 성막할 수 있다. 또는, 도 2에 나타낸 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치에 있어서, MgO의 타겟을 Gd2Zr2O7층 생성용의 다른 타겟으로 교환한 후, 제2 층(3B)의 성막을 동일하게 행할 수 있다. 또한, 제2 층(3) 상에 캡층(4)을 IBAD법에 의해 성막하는 경우, 마찬가지로 4기의 이온 건을 사용한 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치에 의해, 캡층(4)을 구성할 수 있다.
이상의 설명으로부터, 예를 들면, 폭 1m 정도의 직사각형상의 대형의 이온 건(14) 대신에, 1/4 정도의 사이즈의 환형의 복수 개의 이온 건(16)의 조합을 동등 면적의 타겟의 조사에 사용할 수 있다. 이 경우, 장치의 비용을 감소시킬 수 있다. 또한, 직사각형상의 대형의 이온 건(14)에 대해 환형의 복수 개의 이온 건(16)의 조합으로 스퍼터함으로써, 보다 강력한 스퍼터링 레이트를 확보할 수 있어, 성막 시의 효율을 향상시킬 수 있다. 그리고, 환형의 이온 건이면, 그리드의 형상으로부터 이온 빔을 집속(集束)시킬 수 있어, 빔의 강도를 높일 수 있으므로 유리하게 된다.
[실시예]
이하에, 본 발명의 구체적 실시예에 대하여 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에만 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
먼저, 장척 테이프형의 하스텔로이 금속 기재 상에, 도 2에 나타낸 구성의 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치에 의해 두께 250nm의 Gd2Zr2O7막을 30분간에 걸쳐 형성하였다. 이 성막 시, 이온 건은 모두 조사 구경 16cm의 것을 4기, 가로로 일렬로 배열된 구성의 장치를 사용하고, 길이 방향(이온 건의 배열 방향)으로 4개소 샘플의 측정을 행하였다. 이들 이온 건의 인출 전극의 가속 전압을 1500V로 설정하였다. 4기의 이온 건 중, 중앙측 2기의 이온 건의 전류값을 200mA로 설정하고, 양단측 2기의 이온 건의 전류값을 300mA로 설정하였다.
이에 대하여, 앞서의 4기의 이온 건 대신에, 폭 16cm, 길이 1.1m의 직사각형상의 조사 직경을 가지는 이온 건을 사용하고, 가속 전압을 1500V, 전류값을 1000mA로 설정하고, 다른 조건은 동등하게 하여 중간층의 성막을 행하였다.
또한, 비교를 위해, 앞서의 4기의 이온 건에 있어서, 가속 전압을 1500V, 전류값을 모두 250mA로 설정하고, 다른 조건은 동등하게 하여 중간층의 성막을 행하였다. 얻어진 각 막에 대하여, 앞서의 예와 같은 위치에서의 막 두께 측정을 행하였다.
이상의 결과를, 이하의 표 1에 나타낸다.
「표 1」
이온 건 형상: 직사각형 이온 건(1기)
전류값: (균일) 1000mA
막 두께: 313nm?520nm?517nm?326nm
이온 건 형상: 원형 이온 건(4기)
전류값: (균등) 250mA×4
막 두께: 530nm?710nm?702nm?552nm
이온 건 형상: 원형 이온 건(4기)
전류값: 중앙측 2기: 250mA: 양단측 2기: 300mA
막 두께: 746nm?753nm?760nm?738nm
이온 건 형상: 원형 이온 건(4기)
전류값: 중앙측 2기: 250mA: 양단측 2기: 280mA
막 두께: 632nm?718nm?722nm?625nm
표 1에 나타낸 바와 같이, 직사각형 이온 건을 사용하여 성막한 경우, 막 두께의 불균일이 크다. 또한, 원형 이온 건을 4기 사용하여 성막한 경우에도, 전류값이 균등한 경우에는, 막 두께의 불균일이 크다. 이에 대하여, 원형 이온 건을 4기 사용하여 중앙측 2기: 250mA: 양단측 2기: 300mA 또는 280mA로 하여 양단측의 이온 건의 전류값을 20% 또는 12% 향상시켜 성막한 경우, 보다 균일성이 높은 막이 얻어지는 것이 밝혀졌다.
「표 2」
이온 건 형상: 원형 이온 건(4기)
전류값: 중앙측 2기: 250mA: 양단측 2기: 600mA(+140%)
배향도: (ΔΦ) 30.5˚?15.3˚?15.2˚?22.3˚
이온 건 형상: 원형 이온 건(4기)
전류값: 중앙측 2기: 250mA: 양단측 2기: 500mA(+100%)
배향도: (ΔΦ) 13.2˚?13.3˚?12.2˚?13.4˚
이온 건 형상: 원형 이온 건(4기)
전류값: 중앙측 2기: 250mA: 양단측 2기: 280mA(+12%)
배향도: (ΔΦ) 11.3˚?10.1˚?10.2˚?11.0˚
이온 건 형상: 원형 이온 건(4기)
전류값: 중앙측 2기: 250mA: 양단측 2기: 260mA(+4%)
배향도: (ΔΦ) 11.9˚?10.9˚?10.8˚?12.2˚
이온 건 형상: 원형 이온 건(4기)
전류값: 중앙측 2기: 250mA: 양단측 2기: 250mA
배향도: (ΔΦ) 13.5˚?11.3˚?11.2˚?14.2˚
이온 건 형상: 원형 이온 건(4기)
전류값: 중앙측 2기: 250mA: 양단측 2기: 300mA(+20%)
배향도: (ΔΦ) 13.3˚?10.9˚?11.8˚?12.2˚
이상의 결과로부터, 양단측의 이온 건의 수치를 올리는 것이, 막 두께 균일성 및 결정 배향성의 어느 지표에 있어서도 유리함을 알 수 있다. 또한, 배향도의 지표인 ΔΦ의 값으로부터, 4~100 %의 범위로 향상시키는 것이 바람직하고, 4~20%의 범위에서 향상시키는 것이 보다 바람직한 것도 판명되었다.
1: 산화물 초전도 도체용 기재
2: 기재
3: 중간층
3A: 제1 층
3B: 제2 층
4: 캡층
5: 산화물 초전도 도체
6: 산화물 초전도층
10: 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치
11: 성막 영역
12: 타겟
13: 이온원
15: 어시스트 이온 건
16: 이온 건
17: 기재
18: 제1 롤
19: 제2 롤

Claims (7)

  1. 타겟(target);
    상기 타겟에 스퍼터 이온(sputter ion)을 조사(照射)하여, 상기 타겟의 구성 입자의 일부를 방출(knock out)하는 스퍼터 이온원(ion source);
    상기 타겟으로부터 방출된 입자를 퇴적시키기 위한 기재(基材)를 설치하는 성막 영역；
    상기 성막 영역에 설치된 상기 기재의 성막면의 법선(法線) 방향에 대하여 경사 방향으로부터 어시스트 이온 빔을 조사하는 어시스트 이온 빔 조사 장치
    를 포함하는 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치(ion beam assisted sputtering device)로서,
    상기 스퍼터 이온원은, 스퍼터 이온 빔을 상기 타겟의 일측 단부(端部)로부터 타측 단부까지 조사 가능하도록 배열된 복수 개의 이온 건(ion gun)을 가지고,
    상기 복수 개의 이온 건의 상기 스퍼터 이온 빔을 발생시키기 위한 전류값이 각각 설정되는, 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수 개의 이온 건 중 양단에 배치된 이온 건의 상기 전류값은, 이들 양단에 배치된 이온 건의 사이에 배치된 다른 이온 건의 상기 전류값보다 높게 설정되는, 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 타겟은, 상기 성막 영역에 대응하도록 직사각형으로 형성되고,
    상기 복수 개의 이온 건은, 상기 타겟의 길이 방향을 따라 배치되는, 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 양단에 배치된 이온 건의 상기 전류값은, 이들 양단에 배치된 이온 건의 사이에 배치된 상기 다른 이온 건의 상기 전류값보다 4~100 % 높게 설정되는, 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수 개의 이온 건의 상기 전류값은, 각각 조정되는, 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치.
  6. 타겟;
    상기 타겟의 구성 입자의 일부를 방출하는 스퍼터 이온 빔을 상기 타겟의 일측 단부로부터 타측 단부까지 조사 가능하도록 배열된 복수 개의 이온 건을 가지는 스퍼터 이온원;
    상기 타겟으로부터 방출된 입자를 퇴적시키기 위한 기재를 설치하는 성막 영역；
    상기 성막 영역에 설치된 상기 기재의 성막면의 법선 방향에 대하여 경사 방향으로부터 어시스트 이온 빔을 조사하는 어시스트 이온 빔 조사 장치
    를 포함하는 이온 빔 어시스트 스퍼터 장치를 사용하여, 상기 성막 영역에 설치한 상기 기재 상에, 상기 타겟의 구성 입자를 퇴적시켜 상기 기재 상에 성막하는 이온 빔 어시스트 성막 방법으로서,
    상기 복수 개의 이온 건 중 양단에 배치된 이온 건의 상기 스퍼터 이온 빔을 발생시키기 위한 전류값을, 이들 양단에 배치된 이온 건의 사이에 배치된 다른 이온 건의 상기 스퍼터 이온 빔을 발생시키기 위한 전류값보다 높게 설정하여 이온 빔 어시스트 스퍼터를 행하는 공정을 포함하는, 이온 빔 어시스트 스퍼터 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 이온 빔 어시스트 스퍼터를 행하는 공정에 있어서, 상기 양단에 배치된 이온 건의 상기 전류값은, 이들 양단에 배치된 상기 이온 건의 사이에 배치된 상기 다른 이온 건의 상기 전류값보다 4~100 % 높게 설정되는, 이온 빔 어시스트 스퍼터 방법.
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