JPH0874052A - イオンビームスパッタ装置、イオンビームスパッタ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 成膜速度を高く、かつイオン源の故障時でも
成膜が続行できるようにする。 【構成】 真空チャンバ１の内部に基板３とターゲット
６を対向して配置し、複数のイオン源７ａ〜７ｄが１つ
のターゲット６を照射できるように配置する。１つのイ
オン源を予備とし、他のイオン源を用いて成膜処理中に
イオン源が故障すると、予備イオン源を立ち上がらせ、
成膜を続行する。 【効果】 複数イオン源を使用することで成膜速度が高
く、かつイオン源故障時でも高真空状態のまま予備イオ
ン源に切り替えられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はイオンビームスパッタ装
置及びイオンビームスパッタ方法に係り、とくに成膜速
度を高め、また均質な膜を形成するのに好適なイオンビ
ームスパッタ装置及びその方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】イオンビームスパッタ装置は、プラズマ
をプラズマ室で生成し、引出し電極に電圧を印加してプ
ラズマ中のイオンをイオンビームとして引出し、ターゲ
ットに照射させる。この照射により、ターゲットを構成
している物質がスパッタ作用により飛び出し、ターゲッ
トと対向して配置された基板に到達して膜を形成する。
ここでプラズマ室は、ここからイオンビームが引出され
るので、イオン源と呼ばれている。このイオンビームス
パッタ装置は、ターゲットと基板との間にプラズマの介
在するコンベンショナルスパッタ装置、あるいはマグネ
トロンスパッタ装置と比較して、成膜中の圧力を低く、
より高真空での成膜が可能であるため、膜中に不純物の
巻込みの少ない高品質の膜が形成できるという特徴を有
し、膜に光学特性、磁気特性を持たせた機能性薄膜等の
形成で利用されている。

【０００３】従来のイオンビームスパッタ装置として
は、例えば、特開平４−１７６２号に開示されているよ
うに、イオン源が１個でかつターゲットが１個で構成さ
れたもの、あるいは特公平５−８６４７６号の第７図、
あるいは日立評論 Vol.７２No.７ 頁８６（１９９０
年７月）に開示されているように、複数のイオン源とそ
の数と同数のターゲットを有するものがある。又特開平
２−１５９３７５号に開示されているように、１個のタ
ーゲットに対して複数個のイオン源を弧状に配置した構
成のものがある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】膜厚が数ｎｍあるいは
数＋ｎｍという薄膜を成膜するには、イオンビームスパ
ッタ装置は制御性が良いため非常に適した装置である。
しかし、さらに膜厚が１桁ないし２桁厚い膜を形成しよ
うとすると、従来のプラズマ中のスパッタ装置よりも成
膜速度が低いため、成膜時間が長くかかるという問題が
あった。この解決策として、特公平５−８６４７６号の
ように、イオン源とターゲットを複数個設け、かつ複数
のターゲットを同一材質としてスパッタすれば、成膜速
度は高くなるが、高純度の材質のため高価なターゲット
を複数個必要とする問題が生ずる。

【０００５】又、特開平２−１５９３７５号に開示され
ている技術でも、複数のイオン源を用いて１つのターゲ
ットのスパッタを行うから、成膜速度はやはり高くな
る。しかしこれらの複数イオン源を用いる方法では、あ
るイオン源によりスパッタされたスパッタ粒子が他のイ
オン源へ飛来して、そのイオン源内に付着し、特性を劣
化させるという問題がある。この問題については従来技
術では考慮されていなかった。

【０００６】さらに、イオン源のフィラメント、あるい
はイオンビーム中性化のためのニュートラライザ線が、
成膜の途中で切れたとすると、イオンビームの引き出し
ができなくなったり、ターゲット材質によってはチャー
ジアップが生じ、スパッタができなくなる。この場合
は、チャンバを真空状態から一度大気圧にまで戻して開
放し、フィラメントなどを取換えなければならない。そ
して再び成膜を行うには、大きな時間をかけて真空引き
を行わねばならないという問題があった。

【０００７】本発明の目的は、従来多用されているマグ
ネトロンスパッタ装置と比較し成膜速度が低いイオンビ
ームスパッタ装置において、その成膜速度を高くすると
同時にその信頼性を高めることを目的とする。すなわ
ち、イオンビームスパッタ装置でイオン源のフィラメン
トあるいはニュートラライザ線が切れても、大気開放す
ることなく成膜を継続できるようにすることを目的とす
る。又、複数のイオン源で単一のターゲットを照射した
場合、あるイオン源に他のイオン源によりスパッタされ
たスパッタ粒子が飛来しないような構成とすることを目
的とする。又、複数のイオン源を配置した場合、スパッ
タ粒子が効率よく基板に飛来するように、イオン源、タ
ーゲット、基板の位置関係を規定することも目的とす
る。さらに、基板サイズの大小に応じて、基板とターゲ
ットが最適な位置関係で成膜できるようにすること、あ
るいはスパッタ粒子が基板に出来るだけ直角に飛来する
ようにすることも本発明の目的である。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、その内部が高
真空に排気されるチャンバ装置と、該チャンバ装置に設
置された基板ホルダー及びターゲットホルダーと、該タ
ーゲットホルダーにとりつけられたターゲットをイオン
ビームで照射するための複数のイオン源と、該イオン源
の１つを予備イオン源として他のイオン源により上記タ
ーゲットを照射するように制御するとともに、照射中の
イオン源の１つに異常が発生したときに該異常発生イオ
ン源を停止させ代わって上記予備イオン源によってター
ゲット照射を行わせるように制御するための制御手段と
を備えたことを特徴とするイオンビームスパッタ装置を
提供する。本発明は、上前記基板ホルダーにとりつけら
れた基板を直接照射するためのアシスト用イオンを設け
たイオンビームスパッタ装置を提供する。本発明は、上
記イオン源の任意の１つとターゲットを結ぶ線上に他の
イオン源が存在しないように複数のイオン源を配置した
イオンビームスパッタ装置を提供する。本発明は、ター
ゲットの中心を垂直に横切る平面で上記チャンバ装置を
区切った時、その片方に基板が存在し、他方に上記複数
のイオン源が存在するように複数のイオン源を配置した
イオンビームスパッタ装置を提供する。本発明は、上記
基板ホルダを上記チャンバ装置内で可動とし、基板とタ
ーゲット間距離を可変できる構造としたイオンビームス
パッタ装置を提供する。本発明は、上記基板ホルダ面が
ターゲット面と平行ではなく、ターゲット面に対して傾
斜角を持たせることにより、スパッタ粒子が基板にでき
るだけ直角に入射できる構造としたイオンビームスパッ
タ装置を提供する。本発明は、１つのターゲットにイオ
ンビームを照射できる複数のイオン源を備え、上記ター
ゲットよりスパッタされたスパッタ粒子を基板に付着さ
せて成膜を行う成膜処理は、少なくとも上記イオン源の
１個を予備イオン源として待機状態にして他のイオン源
を駆動して行い、成膜途中で上記駆動状態にあるイオン
源の故障が発生したときは、その故障したイオン源を停
止させて上記待機状態のイオン源を立ち上げ、成膜処理
を続行するイオンビームスパッタ方法を提供する。本発
明は、基板を直接照射できるアシスト用のイオン源を設
け、該イオン源の照射により、基板表面のクリーニング
を行うイオンビームスパッタ方法を提供する。本発明
は、基板を直接照射できるアシスト用のイオン源を設
け、該イオン源の照射により、チャンバ内に別に導入し
たガス成分を含む膜を生成するイオンビームスパッタ方
法を提供する。本発明は、上記複数のイオン源は、その
任意の１つとターゲットを結ぶ線上に他のイオン源が存
在しないように配置して成膜処理を行うイオンビームス
パッタ方法を提供する。本発明は、ターゲットの中心を
垂直に横切る平面で空間を分けたときに、その片方に上
記複数のイオン源がすべて存在し、他方に基板が存在す
るように配置して成膜処理を行うイオンビームスパッタ
方法を提供する。本発明は、基板とターゲットの間隔
を、ターゲットからスパッタされたスパッタ粒子がより
多くかつより均一に基板に到達するように設定して成膜
を行うイオンビームスパッタ方法を提供する。本発明
は、ターゲットからスパッタされたスパッタ粒子が、基
板上の凹部にも達するような角度にターゲット面と基板
面とを向き合わせて成膜処理を行うイオンビームスパッ
タ方法を提供する。

【０００９】

【作用】１個のターゲットに複数のイオン源を配置し、
これらのイオン源を同時に動作させることで、成膜速度
は高くなる。複数のイオン源のうち１個を予備イオン源
とすることで、成膜の途中で駆動中のイオン源が１個故
障しても、制御盤により予備イオン源に切替え動作させ
ることができる。イオン源とターゲットを結ぶ線上にイ
オン源をそれぞれ１個配置することで、１個のイオン源
でスパッタしたスパッタ粒子が他のイオン源になるべく
飛来しないようにできる。ターゲットと基板を偏心させ
ることで、スパッタ粒子が効率よく基板に飛来する作用
がある。基板ホルダの位置が移動することで、基板サイ
ズによって、成膜速度が高くなる位置を選べる。基板ホ
ルダ面をターゲット面に対して傾斜を持たせることで、
スパッタ粒子を基板にほぼ直角に入射させることができ
る。

【００１０】

【実施例】以下、本発明を実施例を用いて詳細に説明す
る。図１は、本発明になるイオンビームスパッタ装置の
一実施例を示す断面図及びブロック図で、図２は図１の
実施例の概略的な上面図である。チャンバ１の内部には
基板ホルダ２、チャンバ１内を動くことのできるシャッ
タ４、およびターゲットホルダ５が設置されている。基
板ホルダ２は基板３を、ターゲットホルダ５はターゲッ
ト６をそれぞれ固定支持する。またチャンバ１には複数
のイオン源７ａ〜７ｅが配置されている（図１ではイオ
ン源７ｃ、７ｄは背後に位置しており、図示していな
い）。このうち、イオン源７ａ〜７ｄはターゲット６に
向けられたスパッタ用であり、イオン源７ｅは基板３を
直接照射するアシスト用である。スパッタ用の４個のイ
オン源７ａ〜７ｄは、図２に一例を示すように、９０゜
間隔で配置されている。図２の点線で示す３つの円は、
基板３、ターゲット６、シャッタ４であり、シャッタ４
は特に成膜中の、即ち基板３がターゲット６を見渡せる
状態に移動した位置を示している。

【００１１】ターゲットホルダ５には、図１の点線で示
すように、冷却水が入口１２から出口１３へと流れる構
造となっており、ターゲット６の温度がイオンビームに
照射されて高くならないようになっている。基板ホルダ
２は、基板内の膜厚分布を均一にするため、回転駆動機
構１４によって回転可能な構造となっている。真空排気
装置１５は、チャンバ１の内部を１０^-5〜１０^-6Ｐａま
で排気可能なものとする。

【００１２】次に、イオン源の動作を説明する。イオン
源７ａ〜７ｅの内部にはそれぞれフィラメント８ａ〜８
ｅが配置されており、また、それぞれのイオン源にはガ
ス流量コントローラ９ａ〜９ｅとガスボンベ１０ａ〜１
０ｅが接続されている。電源１１ａ〜１１ｅとイオン源
７ａ〜７ｄは、イオン源のフィラメント電流、アーク電
圧、引出し電圧、ニュートラライザ電流等の電源線から
成るケーブル２０ａ〜２０ｅでそれぞれ接続されてい
る。制御盤１６は、イオン源７ａ〜７ｅと接続されてい
て、供給電源の値を予め設定した値に制御すると同時
に、シャッタ４の駆動指令を出し、またフィラメント、
ニュートラライザ線の断線を電源からの信号として受け
取ることができる。

【００１３】本実施例の通常時の動作を次に説明する。
イオン源７ａを駆動する為には、その駆動の前に、まず
ガスボンベ１０ａからガス流量コントローラ９ａを経て
一定量のガス、例えばアルゴンガスを１分間に数cc供給
する。チャンバ１の内部は、プラズマの中のスパッタの
場合の真空度１０^-1程度と比較し、１０^-2Ｐａのオーダ
の高真空であるが、イオン源内部にプラズマの生成が可
能である。次に、フィラメント８ａに通電し、イオン源
７ａの壁部にアーク電圧を印加し、フィラメント８ａと
の間でアーク放電を生ぜしめ、イオン源７ａ内部にプラ
ズマを発生させる。イオン源７ａの外壁には磁極が交互
に異なるように複数個配置したバケット型イオン源を用
いることもできる。イオン源で発生したプラズマは、２
枚ないし３枚から構成される引出し電極１７ａに電圧を
印加することでイオンビーム１８ａとして引出され、タ
ーゲット６を照射する。他のイオン源７ｂ〜７ｄも同様
にして駆動される。

【００１４】ターゲット６は、イオン源７ａ〜７ｄから
のイオンビーム照射でスパッタされ、スパッタ粒子が矢
印４０で示すように飛び出して基板３の方向へ向かう。
このとき、シャッタ４を基板３の前面に移動しておけ
ば、スパッタ粒子が基板３に到達しないため、成膜は行
なわれない。この間ターゲット表面はスパッタ作用によ
り、不純物が飛ばされてクリーニングされる。一方、シ
ャッタ４を基板前面から離しておくと、基板３への成膜
が始まる。所定の膜厚が得られたところでシャッタ４を
基板３の前面に戻し、各イオン源７ａ〜７ｄの電源を制
御盤１６にて停止させることで成膜を終了する。

【００１５】この動作によると、１枚のターゲットに対
して、複数のイオン源からビームを出して照射するか
ら、イオン源の個数をｎとすると、成膜速度はイオン源
１個の場合と比較しｎ倍速くなるという効果がある。こ
の場合、イオン源が多数のためターゲットに入射するパ
ワーが大きくなり、ターゲットの温度上昇増大の要因と
なるが、ターゲットホルダ５に流す冷却水量を多くし
て、冷却効果を高めれば問題は解決される。又、イオン
源７ａの引出し電極１７ａの前面には、ニュートラライ
ザ線１９ａがあり、これに通電することで熱電子を放出
し、イオン源から引き出されたイオンビームを中性化す
る。ターゲットホルダ５は銅のように導電性材料で出来
ているため、ターゲット６の材質が金属のような導電性
材料の場合は、ニュートラライザ線１９ａを駆動しなく
ても、チャージアップが生ずることなく問題ないが、タ
ーゲット材料が絶縁物の場合、ニュートラライザを駆動
しないとチャージアップが生じて、イオンビームがター
ゲットに充分届かなくなる。そのためニュートラライザ
線１９ａが設けられている。

【００１６】次にイオン源７ｅの役割を説明する。イオ
ン源７ｅは、基板３を直接照射するように配置され、ア
シスト用のイオン源と呼ぶ。本イオン源の使用方法とし
て２種類ある。一つはスパッタ用のイオン源７ａ〜７ｄ
を動作させない時に、アシスト用イオン源７ｅを駆動
し、基板３にビーム１８ｅを照射することで基板表面の
クリーニングを行うものである。もう一つの用い方は、
スパッタ用イオン源７ａ〜７ｄを駆動させながら、アシ
スト用イオン源７ｅを駆動させて成膜を行う方法であ
る。本方法では、金属ターゲットをスパッタしながら、
ガスボンベ１０ｅに窒素ガスを用い窒素イオンを出すこ
とで、窒化物の膜を形成する等の利用ができる。

【００１７】さて、図１の実施例の、本発明の特徴とす
る運転方法として、複数のイオン源７ａ〜７ｄの内１個
を予備イオン源とし、電源を供給せず待機状態としてお
き、残りのイオン源を全て駆動してスパッタを行う方法
がある。イオン源にはフィラメント８ａ、ニュートララ
イザ線１９ａのように消耗部品があり、通常は寿命がく
る前に取り替えておく。しかし、成膜中にそれらが切れ
ることが無いとは言えない。このような時、通常は高真
空に保たれているチャンバ１の内部に乾燥窒素を供給す
る等で大気圧状態に戻し、チャンバ内部を大気開放して
切れた部品を交換する。例えばイオン源のフィラメント
線が断線の場合は、イオン源側の蓋を空けて交換を行
う。しかし、成膜途中でチャンバ内部を大気開放する
と、成膜中の最表面に酸化物の膜ができたりして、次の
成膜を続けると、連続膜の途中で異なる膜質の層が現わ
れたり、結晶成長が連続しなくなる等の問題が生ずる。
また一度大気開放して再び高真空にするのに時間がかか
るという問題もある。

【００１８】ここで説明する運転方法は、成膜に使用中
のイオン源の１つにフィラメントあるいは、ニュートラ
ライザ線の断線が生じた時に、制御盤１６がそれらに電
流が通電しなくなったという信号を検出し、シャッタ４
を基板３の前に戻す指令を与えると共に、予備として待
機中のイオン源７ａに立上げ指令を出すことで、その予
備イオン源を駆動し、そしてシャッタ４を基板３の前面
から離すことで、他の健全イオン源と共にスパッタを続
行できるようにするものである。この予備イオン源を設
定することで、イオン源の１つに故障が生じても、チャ
ンバ内部を大気開放することなく、品質の変わらない膜
を形成できるという効果がある。また、大気開放して真
空引きする必要がないので、その時間が節約できる効果
もある。そして断線したフィラメント、あるいはニュー
トラライザ線の交換は、成膜終了時の基板取付け取外し
時に、チャンバ内部を大気開放するので、そのとき行え
ばよい。

【００１９】図３は、本発明のイオンビームスパッタ装
置の別の実施例を示す概略的な上面図で、図１と同一部
材には同一符号が付されている。本実施例は、複数のイ
オン源７ａ〜７ｄが、図２とは異なり１つの対角線上に
無いような配置になっている。即ち１つのイオン源とタ
ーゲット中心を結ぶ線上には、他のイオン源が存在しな
いような配置としたものである。本実施例では、あるイ
オン源からのイオンビームによりスパッタされたスパッ
タ粒子が他のイオン源に到達しにくく、イオン源内壁に
スパッタ粒子が付着して性能が劣化することがないとい
う効果がある。

【００２０】図４は、本発明のイオンビームスパッタ装
置の別の実施例を示す断面図で、図５は図４の実施例の
上面図である。図１と同一部材には同一符号が付されて
いる。本実施例は、基板３とターゲット６とを偏心させ
て配置し、複数のイオン源７ａ、７ｂ、７ｃ（更に多く
てもよい）を、ターゲット中心を通る平面で切った時に
出来る片方の空間に配置し、他方の空間に基板３を配置
してある。本配置とすることにより、スパッタ粒子４０
が最もターゲットから飛び出しやすい方向に基板を配置
することができる。従って複数のイオン源を用いて成膜
速度を高める上で一層大きな効果がある。

【００２１】図６は、本発明のイオンビームスパッタ装
置の別の実施例を示す断面図で、図１と同一部材には同
一符号が付されている。本実施例は、基板ホルダ２のタ
ーゲット６に対する距離を変えられるようにしたもので
ある。基板サイズが小さい場合は、その距離を短かくし
て、基板３に多量のスパッタ粒子が届くように、即ち成
膜速度が高くなるようにし、基板サイズが大きい場合
は、その距離を長くして基板全面に亘って均一な膜が形
成できるというように、基板サイズに応じて適した位置
で膜を形成できる効果がある。

【００２２】図７は、本発明のイオンビームスパッタ装
置のさらに別の実施例を示す断面図で、図１と同一部材
には同一符号が付されている。本実施例は、図４、図５
に示した実施例において、基板ホルダ２とターゲット６
の面が互いに平行ではなく、傾斜角を持つように配置し
たものである。本構成とすることで、スパッタ粒子が基
板に対してできるだけ直角に入射するようにさせること
が出来る。基板成膜面に凹凸があり、半導体素子のコン
タクトホールに金属配線等を深く埋め込むような場合に
効果がある。

【００２３】

【発明の効果】本発明によれば、高価なターゲット数を
増やすことなく、成膜速度が速いイオンビームスパッタ
装置を提供できる効果があり、しかも複数のイオン源の
１つに故障が生じても、予備イオン源に切替えること
で、品質の良い膜を大気開放しないで効率よく形成でき
る。又、本発明の別の実施例によれば、複数のイオン源
がそれぞれ他のイオン源内壁にスパッタ粒子を付着させ
にくいという効果があり、又、複数のイオン源を用いて
成膜速度をさらに速めることができる効果があり、更に
複数のイオン源を用いたものにおいて、半導体素子のコ
ンタクトホールのような凹部に金属配線等を埋め込むよ
うな場合に効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のイオンビームスパッタ装置の一実施例
を示す断面図及びブロック図である。

【図２】図１の実施例の上面図である。

【図３】本発明のイオンビームスパッタ装置の別の実施
例を示す上面図である。

【図４】本発明のイオンビームスパッタ装置の別の実施
例を示す断面図である。

【図５】図４の実施例の上面図である。

【図６】本発明のイオンビームスパッタ装置の別の実施
例を示す上面図である。

【図７】本発明のイオンビームスパッタ装置の別の実施
例を示す上面図である。

【符号の説明】

１ チャンバ ２ 基板ホルダ ３ 基板 ４ シャッタ ５ ターゲットホルダ ６ ターゲット ７ａ イオン源 ７ｂ イオン源 ７ｃ イオン源 ７ｄ イオン源 ７ｅ イオン源 ８ａ フィラメント ８ｂ フィラメント ８ｅ フィラメント １５ 真空気排気装置 １６ 制御盤 １７ａ 引出し電極 １８ａ イオンビーム １９ａ ニュートラライザ線

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 その内部が高真空に排気されるチャンバ
   装置と、該チャンバ装置に設置された基板ホルダー及び
   ターゲットホルダーと、該ターゲットホルダーにとりつ
   けられたターゲットをイオンビームで照射するための複
   数のイオン源と、該イオン源の１つを予備イオン源とし
   て他のイオン源により上記ターゲットを照射するように
   制御するとともに、照射中のイオン源の１つに異常が発
   生したときに該異常発生イオン源を停止させ代わって上
   記予備イオン源によってターゲット照射を行わせるよう
   に制御するための制御手段とを備えたことを特徴とする
   イオンビームスパッタ装置。
2. 【請求項２】 前記基板ホルダーにとりつけられた基板
   を直接照射するためのアシスト用イオン源を設けたこと
   を特徴とする請求項１に記載のイオンビームスパッタ装
   置。
3. 【請求項３】 前記イオン源の任意の１つとターゲット
   を結ぶ線上に他のイオン源が存在しないように複数のイ
   オン源を配置したことを特徴とする請求項１または２に
   記載のイオンビームスパッタ装置。
4. 【請求項４】 ターゲットの中心を垂直に横切る平面で
   前記チャンバ装置を区切った時、その片方に基板が存在
   し、他方に前記複数のイオン源が存在するように複数の
   イオン源を配置したことを特徴とする請求項１または２
   に記載のイオンビームスパッタ装置。
5. 【請求項５】 前記基板ホルダを前記チャンバ装置内で
   可動とし、基板とターゲット間距離を可変できる構造と
   したことを特徴とする請求項１ないし４のうちの１つに
   記載のイオンビームスパッタ装置。
6. 【請求項６】 前記基板ホルダ面がターゲット面と平行
   ではなく、ターゲット面に対して傾斜角を持たせること
   により、スパッタ粒子が基板にできるだけ直角に入射で
   きる構造としたことを特徴とする請求項４に記載のイオ
   ンビームスパッタ装置。
7. 【請求項７】 １つのターゲットにイオンビームを照射
   できる複数のイオン源を備え、上記ターゲットよりスパ
   ッタされたスパッタ粒子を基板に付着させて成膜を行う
   成膜処理は、少なくとも上記イオン源の１個を予備イオ
   ン源として待機状態にして他のイオン源を駆動して行
   い、成膜途中で上記駆動状態にあるイオン源の故障が発
   生したときは、その故障したイオン源を停止させて上記
   待機状態のイオン源を立ち上げ、成膜処理を続行するこ
   とを特徴とするイオンビームスパッタ方法。
8. 【請求項８】 基板を直接照射できるアシスト用のイオ
   ン源を設け、該イオン源の照射により、基板表面のクリ
   ーニングを行うことを特徴とする請求項７に記載のイオ
   ンビームスパッタ方法。
9. 【請求項９】 基板を直接照射できるアシスト用のイオ
   ン源を設け、該イオン源の照射により、チャンバ内に別
   に導入したガス成分を含む膜を生成することを特徴とす
   るイオンビームスパッタ方法。
10. 【請求項１０】 前記複数のイオン源は、その任意の１
    つとターゲットを結ぶ線上に他のイオン源が存在しない
    ように配置して成膜処理を行うことを特徴とする請求項
    ７に記載のイオンビームスパッタ方法。
11. 【請求項１１】 ターゲットの中心を垂直に横切る平面
    で空間を分けたときに、その片方に前記複数のイオン源
    がすべて存在し、他方に基板が存在するように配置して
    成膜処理を行うことを特徴とする請求項７に記載のイオ
    ンビームスパッタ方法。
12. 【請求項１２】 基板とターゲットの間隔を、ターゲッ
    トからスパッタされたスパッタ粒子がより多くかつより
    均一に基板に到達するように設定して成膜を行うことを
    特徴とする請求項７ないし１１の内の１つに記載のイオ
    ンビームスパッタ方法。
13. 【請求項１３】 ターゲットからスパッタされたスパッ
    タ粒子が、基板上の凹部にも達するような角度にターゲ
    ット面と基板面とを向き合わせて成膜処理を行うことを
    特徴とする請求項７に記載のイオンビームスパッタ方
    法。