KR101441692B1 - 자외선 조사 방법 및 이것을 사용한 장치 - Google Patents

Abstract

보호 테이프의 표면에는 자외선 발생 장치에 의해 자외선을 조사한다. 그것과는 별도로, 자외선 발생 장치보다도 자외선 강도가 높은 자외선을 조사 총에 의해 스폿 직경 형상으로 하여 웨이퍼 에지에 조사한다. 이때, 웨이퍼 에지 부분의 단위 면적당의 자외선 조사량이 보호 테이프의 접착면과 균등해지도록 제어 장치에 의해 자외선 강도와 유지 테이블의 회전 속도를 제어한다.

보호 테이프, 자외선 발생 장치, 조사 총, 유지 테이블, 제어 장치

Description

자외선 조사 방법 및 이것을 사용한 장치 {ULTRAVIOLET IRRADIATION METHOD AND DEVICE USING THE SAME}

본 발명은 반도체 웨이퍼의 표면에 접착된 자외선 경화형의 보호 테이프를 박리 처리하기 전에, 자외선을 보호 테이프에 조사하여 그 접착력을 저감시키는 자외선 조사 방법 및 이것을 사용한 장치에 관한 것이다.

반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라고 함)를 박형 가공하는 수단으로서, 연삭이나 연마 등의 기계적 방법, 또는 에칭을 이용한 화학적 방법 등을 이용하여 웨이퍼의 이면을 가공하여 그 두께를 얇게 하고 있다. 또한, 이들 방법을 이용하여 웨이퍼를 가공할 때, 배선 패턴이 형성된 웨이퍼 표면을 보호하기 위해, 그 표면에 보호 테이프가 접착된다. 보호 테이프가 접착되어 연마 처리된 웨이퍼는 링 프레임의 중앙에도 배치되고, 링 프레임과 웨이퍼의 이면에 걸쳐서 지지용 점착 테이프가 접착된다. 그 후, 링 프레임에 유지된 웨이퍼의 표면으로부터 보호 테이프를 박리한다.

이 보호 테이프를 박리하는 방법으로서는, 보호 테이프의 표면에 접착력이 강한 박리 테이프를 접착하고, 그 박리 테이프를 박리함으로써 웨이퍼 표면으로부 터 보호 테이프와 일체로 하여 박리하는 것이 알려져 있다(일본 특허 공개 평5-63077호 공보를 참조).

상기한 보호 테이프 박리 방법에 있어서는, 보호 테이프를 자외선 경화형의 것을 이용한다. 즉, 보호 테이프의 전체에 자외선을 조사하여 보호 테이프의 접착력을 저감시킨 후에, 박리 테이프를 사용하여 박리 처리로 이행하고 있다. 그러나, 해당 방법에 있어서, 다음과 같은 문제가 발생하고 있다.

웨이퍼의 표면에 보호 테이프를 접착하는 과정에 있어서, 웨이퍼 직경보다도 폭이 넓은 보호 테이프를 웨이퍼 전체에 접착한 후, 웨이퍼 외주를 따라서 보호 테이프를 절단하고 있다. 이때, 보호 테이프의 점착제가 웨이퍼 에지까지 밀려나와 버리는 경우가 있다.

질소 등 불활성 가스를 퍼지하면서 자외선을 조사함으로써, 이와 같은 상태라도, 웨이퍼 에지로부터 밀려나온 점착제를 경화시켜 접착력을 저감시킬 수 있다. 그러나, 대량의 웨이퍼로의 자외선 처리를 행한 경우, 퍼지된 불활성 가스가 작업 공정 내의 대기 중에 방출되어 고농도가 된다.

또한, 점착제가 밀려나온 부분의 접착력을 저감되어 있지 않은 상태로 보호 테이프를 박리하면, 과도한 박리 응력이 웨이퍼 에지에 집중되어 파손시키거나, 웨이퍼 에지에 점착제가 잔사되어 버리는 등의 문제가 있다.

본 발명은 자외선 경화형의 보호 테이프의 점착제를 균일하게 경화시켜, 보호 테이프를 정밀도 좋게 박리할 수 있는 상태로 하는 것이 가능한 자외선 조사 방법 및 이것을 사용한 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은 웨이퍼로부터 밀려나온 점착제를 확실하게 경화시켜 접착력을 저감시키기 위해 예의 검토한 결과, 다음과 같은 지견을 얻을 수 있었다.

즉, 불활성 가스를 퍼지하지 않고 대기 개방 상태로 점착제를 경화시키기 위한 실험을 다양하게 반복하여 행하였다. 그 결과, 보호 테이프의 기재(基材)로 피복된 점착제에 조사하는 자외선의 강도보다도 높은 강도의 자외선을 밀려나온 점착제의 부분에 국소적으로 조사함으로써, 기재 피복 부분과 동등하게 경화를 촉진시켜 접착력을 저감시킬 수 있어, 균일한 접착 강도가 된다는 지견을 얻었다. 이 지견을 기초로, 본 발명자들은 자외선 처리 후의 보호 테이프에 박리 테이프를 접착하여 박리함으로써, 웨이퍼의 파손이나 웨이퍼 에지로의 점착제의 잔사 없이 보호 테이프를 박리할 수 있었다.

본 발명은 이와 같은 목적을 달성하기 위해, 다음과 같은 구성을 채용한다.

반도체 웨이퍼의 표면에 접착된 자외선 경화형의 보호 테이프를 박리 처리하기 전에, 보호 테이프에 자외선을 조사하여 그 접착력을 저감시키는 자외선 조사 방법이며, 상기 방법은 이하의 과정을 포함한다.

상기 보호 테이프 접착면과 반도체 웨이퍼의 주연부에 자외선을 조사하고, 당해 주연부로의 자외선의 조사 강도를 보호 테이프 접착면보다도 높게 한다.

본 발명의 자외선 조사 방법에 따르면, 반도체 웨이퍼의 에지로부터 점착제가 밀려나와 있어도, 테이프 전체면에 조사한 자외선보다도 강도가 높은 자외선이 조사되므로, 모든 점착제를 거의 동등하게 경화시켜 그 접착력을 저감시킬 수 있다. 따라서, 후공정에서의 보호 테이프 박리 처리 시에, 웨이퍼의 파손이나 웨이퍼 에지로의 점착제의 잔사를 없앨 수 있다.

또한, 상기 방법 발명에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 외주 부위로부터 웨이퍼 에지를 향해 자외선 빔을 국소적으로 조사하는 동시에, 자외선 빔과 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 둘레 방향으로 상대 이동시키는 것이 바람직하다.

본 방법에 따르면, 보호 테이프에 있어서의 주연부나, 웨이퍼로 밀려나온 점착제에 강도가 높은 자외선을 집중 조사할 수 있다. 즉, 상기 방법을 적절하게 실시할 수 있다.

또한, 상기 방법 발명에 있어서, 반도체 웨이퍼의 보호 테이프 접착면의 단위 면적당의 자외선 조사량과, 웨이퍼 에지의 단위 면적당의 자외선 조사량을 동일하게 하는 것이 바람직하다.

본 방법에 따르면, 보호 테이프 박리 시의 박리 응력이 균일해져, 반도체 웨이퍼의 파손을 회피할 수 있다.

또한, 상기 방법 발명에 있어서, 반도체 웨이퍼의 보호 테이프 접착면과 웨이퍼 에지로의 자외선의 조사를 동시에 행하는 것이 바람직하다.

본 방법에 따르면, 조사 부위마다 나누어 자외선을 조사하는 것에 비해 처리 시간을 단축할 수 있다.

또한, 상기 방법 발명에 있어서, 반도체 웨이퍼를 얼라인먼트 스테이지의 유지 테이블에 적재하고, 한창 위치 정렬의 회전 동작 중일 때에 웨이퍼 에지에 자외선을 조사하는 것이 바람직하다.

위치 정렬과 동시에 웨이퍼 에지로의 자외선의 조사를 동시에 행함으로써, 처리 효율의 향상을 도모할 수 있다.

또한, 본 발명은 이와 같은 목적을 달성하기 위해, 다음과 같은 구성을 채용한다.

반도체 웨이퍼의 표면에 접착된 자외선 경화형의 보호 테이프를 박리 처리하기 전에, 보호 테이프에 자외선을 조사하여 그 접착력을 저감시키는 자외선 조사 장치이며, 상기 장치는,

보호 테이프가 접착된 반도체 웨이퍼를 적재 유지하는 유지 수단과,

적재 유지된 반도체 웨이퍼의 상방으로부터 보호 테이프 표면으로 자외선을 조사하는 주자외선 조사 수단과,

보호 테이프의 주연부에, 테이프 표면에 조사한 자외선보다도 강도가 높은 자외선을 조사하는 보조 자외선 조사 수단을 포함한다.

본 구성에 따르면, 보호 테이프에 있어서의 주연부나, 기재로 피복된 보호 테이프의 표면에 조사되는 자외선 강도보다도 웨이퍼 에지로부터 밀려나온 점착제의 부분에 강도가 높은 자외선을 집중 조사할 수 있다. 즉, 상기 방법 발명을 적 절하게 실현할 수 있다.

또한, 상기 발명 장치에 있어서, 상기 보조 자외선 조사 수단을, 상기 반도체 웨이퍼의 외주 부위로부터 웨이퍼 에지를 향해 강도가 높은 자외선 빔을 국소적으로 조사하는 조사기로 구성하고, 조사기와 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 둘레 방향으로 상대 이동시키는 주사 수단을 구비하는 것이 바람직하다.

본 구성에 따르면, 웨이퍼 에지 전체 둘레를 향한 대규모의 보조 자외선 조사 수단을 필요로 하지 않아, 효율적으로 웨이퍼 에지를 향해 강도가 높은 자외선 빔을 조사할 수 있다. 따라서, 보조 자외선 조사 수단의 소형 간소화를 도모할 수 있다.

또한, 당해 장치에 있어서, 이하와 같이 구성할 수도 있다.

제1에, 상기 주자외선 조사 수단은 개구 직경이 반도체 웨이퍼보다 큰 차광 후드를 구비하고,

상기 차광 후드의 하단부에 보조 자외선 조사 수단을 구비하고,

반도체 웨이퍼의 상방의 후퇴 위치와, 반도체 웨이퍼의 표면 높이에 차광 후드의 하단부가 위치하는 작용 위치에 걸쳐서 주자외선 조사 수단과 차광 후드를 승강시키는 동시에, 작용 위치에서 보조 자외선 조사 수단으로부터 웨이퍼 에지로 자외선을 조사시키는 제어 장치를 구비한 구성으로 한다.

제2에, 상기 주자외선 조사 수단은 개구 직경이 반도체 웨이퍼보다 큰 차광 후드를 구비하고,

상기 주자외선 조사 수단과 차광 후드를 수납하면서 하단부에 보조 자외선 조사 수단을 구비하고, 반도체 웨이퍼의 상방의 후퇴 위치와 웨이퍼 에지에 자외선을 조사하는 작용 위치에 걸쳐서 승강 가능한 통형의 가동 차단벽을 하단부에 구비한 상자형의 차단벽과,

주자외선 조사 수단과 차광 후드 및 가동 차광벽을 후퇴 위치와 작용 위치에 걸쳐서 승강시키는 동시에, 작용 위치에서 보조 자외선 조사 수단으로부터 웨이퍼 에지로 자외선을 조사시키는 제어 장치를 구비한 구성으로 한다.

이들 제1 및 제2 구성에 있어서, 제어 장치는 주자외선 조사 수단에 의한 보호 테이프 표면으로의 자외선의 조사와, 보조 자외선 조사 수단에 의한 웨이퍼 에지로의 자외선의 조사를 동시에 행하도록 구성하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 조사기는 다음과 같이 구성할 수도 있다.

예를 들어, 조사기와 자외선 발생 장치를 광파이버로 접속하여 구성한다.

본 구성에 따르면, 자외선 발생 장치를 임의의 장소에 설치할 수 있는 동시에, 약한 자외선을 수렴하여 강도가 높은 것으로 하여 조사하는 것이 용이해진다.

또한, 조사기는 자외선 발광 다이오드로 구성한다.

본 구성에 따르면, 자외선 강도를 높이면서도 열의 발생을 억제할 수 있다.

발명을 설명하기 위해 현재 적절하다고 생각되는 몇 개의 형태가 도시되어 있으나, 발명이 개시된 바와 같은 구성 및 방책으로 한정되는 것이 아니라는 것을 이해해 주기 바란다.

본 발명에 따르면, 자외선 경화형의 보호 테이프의 점착제를 균일하게 경화 시켜, 보호 테이프를 정밀도 좋게 박리할 수 있는 상태로 하는 것이 가능한 자외선 조사 방법 및 이것을 사용한 장치를 제공할 수 있다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 자외선 조사 장치를 구비한 반도체 웨이퍼 마운트 장치의 실시예를 설명한다.

도1은 본 발명의 일 실시예에 관한 것으로, 반도체 웨이퍼 마운트 장치의 전체 구성을 도시한 파단 사시도이다.

이 반도체 웨이퍼 마운트 장치(1)는 백그라운드 처리를 실시한 반도체 웨이퍼(W)(이하, 단순히 「웨이퍼(W)」라고 함)를 다단으로 수납하는 카세트(C)가 장전되는 웨이퍼 공급부(2)와, 로봇 아암(4)과 압박 기구(5)를 구비한 웨이퍼 반송 기구(3)와, 웨이퍼(W)의 위치 정렬을 하는 얼라인먼트 스테이지(7)와, 얼라인먼트 스테이지(7)에 적재된 웨이퍼(W)를 향해 자외선을 조사하는 자외선 조사 장치(14)와, 웨이퍼(W)를 흡착 유지하는 척 테이블(15)과, 링 프레임(f)이 다단으로 수납된 링 프레임 공급부(16)와, 링 프레임(f)을 다이싱용 테이프인 점착 테이프(DT)로 이동 적재하는 링 프레임 반송 기구(17)와, 점착 테이프(DT)를 링 프레임(f)의 이면으로부터 접착하는 테이프 처리부(18)와, 점착 테이프(DT)가 접착된 링 프레임(f)을 승강 이동시키는 링 프레임 승강 기구(26)와, 점착 테이프(DT)가 접착된 링 프레임(f)에 웨이퍼(W)를 서로 접착하여 일체화한 마운트 프레임(MF)을 제작하는 마운트 프레임 제작부(27)와, 제작된 마운트 프레임(MF)을 반송하는 제1 마운트 프레임 반송 기구(29)와, 웨이퍼(W)의 표면에 접착된 보호 테이프(PT)를 박리하는 박리 기 구(30)와, 박리 기구(30)에 의해 보호 테이프(PT)가 박리된 마운트 프레임(MF)을 반송하는 제2 마운트 프레임 반송 기구(35)와, 마운트 프레임(MF)의 방향 전환 및 반송을 행하는 턴테이블(36)과, 마운트 프레임(MF)을 다단으로 수납하는 마운트 프레임 회수부(37)로 구성되어 있다.

웨이퍼 공급부(2)에는 도시되지 않은 카세트대가 구비되어 있다. 이 카세트대에 보호 테이프(PT)가 패턴면(이하, 적절하게 「표면」이라고 함)에 접착된 웨이퍼(W)를 다단으로 수납한 카세트(C)가 적재되도록 되어 있다. 이때, 웨이퍼(W)는 패턴면을 상방향으로 한 수평 자세를 유지하고 있다.

웨이퍼 반송 기구(3)는 도시하지 않은 구동 기구에 의해 선회 및 승강 이동하도록 구성되어 있다. 즉, 후술하는 로봇 아암(4)의 웨이퍼 유지부나, 압박 기구(5)에 구비된 압박 플레이트(6)의 위치 조정을 행하는 동시에, 웨이퍼(W)를 카세트(C)로부터 얼라인먼트 스테이지(7)로 반송하도록 되어 있다.

웨이퍼 반송 기구(3)의 로봇 아암(4)은 그 선단부에 도시하지 않은 말굽형을 한 웨이퍼 유지부를 구비하고 있다. 또한, 로봇 아암(4)은 카세트(C)에 다단으로 수납된 웨이퍼(W)끼리의 간극을 웨이퍼 유지부가 진퇴 가능하게 구성되어 있다. 또한, 로봇 아암 선단부의 웨이퍼 유지부에는 흡착 구멍이 형성되어 있고, 웨이퍼(W)를 이면으로부터 진공 흡착하여 유지하도록 되어 있다.

웨이퍼 반송 기구(3)의 압박 기구(5)는 그 선단부에 웨이퍼(W)와 거의 동일 형상을 한 원형의 압박 플레이트(6)를 구비하고 있고, 이 압박 플레이트(6)가 얼라인먼트 스테이지(7)에 적재된 웨이퍼(W)의 상방으로 이동하도록 아암 부분이 진퇴 가능하게 구성되어 있다.

압박 기구(5)는 후술하는 얼라인먼트 스테이지(7)의 유지 테이블(8)에 웨이퍼(W)가 적재되었을 때에, 흡착 불량이 발생한 경우에 작동하도록 되어 있다. 구체적으로는, 웨이퍼(W)에 휘어짐이 발생하여 웨이퍼(W)를 흡착 유지할 수 없을 때, 압박 플레이트(6)가 웨이퍼(W)의 표면을 압박하여, 휘어짐을 교정하여 평면 상태로 한다. 이 상태로 유지 테이블(8)이 웨이퍼(W)를 이면으로부터 진공 흡착하도록 되어 있다. 또한, 유지 테이블(8)은 본 발명의 주사 수단에 상당한다.

얼라인먼트 스테이지(7)는 적재된 웨이퍼(W)를 그 주연에 구비된 오리엔테이션 플랫이나 노치 등을 기초로 하여 위치 정렬을 행한다. 또한, 얼라인먼트 스테이지(7)는 웨이퍼(W)의 이면 전체를 덮어 진공 흡착하는 유지 테이블(8)이 회전 가능하게 구비되어 있다.

얼라인먼트 스테이지(7)는 웨이퍼(W)를 적재하여 위치 정렬을 행하는 초기 위치와, 후술하는 테이프 처리부(18)의 상방에 다단으로 배치된 척 테이블(15)과 링 프레임 승강 기구(26)의 중간 위치에 걸쳐서 웨이퍼(W)를 흡착 유지한 상태로 반송 이동할 수 있도록 구성되어 있다. 즉, 얼라인먼트 스테이지(7)는 웨이퍼(W)의 휘어짐을 교정하여 평면 상태로 유지한 채 다음의 공정까지 반송한다.

자외선 조사 장치(14)는 초기 위치에 있는 얼라인먼트 스테이지(7)의 상방에 위치하고 있다. 자외선 조사 장치(14)는 웨이퍼(W)의 표면에 접착된 자외선 경화형 점착 테이프인 보호 테이프(PT)를 향해 자외선을 조사한다. 즉, 자외선의 조사에 의해 보호 테이프(PT)의 점착제를 경화시켜, 그 접착력을 저감시키도록 되어 있 다. 그 구조가 도2 및 도3에 도시되어 있다.

즉, 자외선 조사 장치(14)에는 하방향으로 개방된 상자형의 차단벽(51)이 구비되어 있다. 이 차단벽(51)의 내부에 자외선 발생 장치(52)와 차광 후드(53)가 승강 가능하게 장비되어 있다. 또한, 조사 총(54)이 스테이(55)를 개재하여 얼라인먼트 스테이지(7)측에 고정 배치되어 있다. 또한, 자외선 발생 장치(52)는 본 발명의 주자외선 조사 수단에 상당하고, 조사 총(54)은 본 발명의 보조 자외선 조사 수단 및 조사기에 상당한다.

차단벽(51)의 하부에는 통형의 가동 차단벽(51a)이 상하 이동 가능하게 장비되어 있다. 즉, 도3에 도시한 바와 같이, 자외선 발생 장치(52)로부터의 자외선 조사를 행하는 과정에 있어서는, 가동 차단벽(51a)이 얼라인먼트 스테이지(7)의 상면에 접할 때까지 하강되어, 차단벽 내부의 기밀이 유지되도록 되어 있다.

차광 후드(53)는 하방이 넓은 재두 원추형으로 형성되는 동시에, 그 하단부의 직경이 웨이퍼(W)의 외경보다 약간 큰 치수로 설정되어 있다. 즉, 차광 후드(53)가 자외선 발생 장치(52)와 함께 하강됨으로써, 얼라인먼트 스테이지(7)의 유지 테이블(8)에 적재 유지된 웨이퍼(W)를 차광 후드(53)로 전체적으로 덮는다. 따라서, 자외선 발생 장치(52)로부터의 자외선을 외부로 누설하지 않고 웨이퍼 표면의 보호 테이프(PT)에 조사한다.

조사 총(54)은 얼라인먼트 스테이지(7)의 유지 테이블(8)에 적재 유지된 웨이퍼(W)의 외주 모서리(웨이퍼 에지)에 바로 옆으로부터 대향하도록 설치된다. 즉, 조사 총(54)으로부터 높은 자외선 빔이 웨이퍼 에지를 향해 국소적으로 조사되 도록 되어 있다. 이 조사 총(54)으로서는, 본 실시예의 경우, 자외선 발광 다이오드(이하, 적절하게 「자외선 LED」라고 함)나 자외선 발생 장치를 개별적으로 이격된 장소에 배치하고, 그 장치로부터 웨이퍼(W)의 주연에 자외선을 광파이버에 의해 유도하여 집광하면서 웨이퍼 에지를 향해 자외선을 국소적으로 조사하는 구성을 이용한다.

또한, 조사 총(54) 및 자외선 발생 장치(52)는 제어 장치(56)에 접속되어 있다. 제어 장치(56)는 자외선 조사 강도가 웨이퍼(W)의 표면에 비해 웨이퍼 에지의 부분이 높아지도록 제어하고 있다. 즉, 웨이퍼 에지 부분과 웨이퍼 표면의 접착력이 동일해지도록 각각의 자외선 강도 및 조사 시간이 제어된다. 예를 들어, 웨이퍼 표면에 대해서는, 자외선 강도와 조사 시간을 제어한다. 웨이퍼 에지 부분에 대해서는 자외선 강도를 조절하는 동시에, 유지 테이블(8)의 회전 속도를 제어하여 단위 면적당의 자외선 조사량도 조정한다.

도1로 돌아가, 척 테이블(15)은 웨이퍼(W)의 표면을 덮어 진공 흡착할 수 있도록 웨이퍼(W)와 거의 동일 형상의 원형을 이루고 있고, 테이프 처리부(18)의 상방의 대기 위치로부터 웨이퍼(W)를 링 프레임(f)에 서로 접착하는 위치에 걸쳐서 승강 이동하도록 되어 있다. 즉, 척 테이블(15)은 유지 테이블(8)에 의해 휘어짐이 교정되어 평면 상태로 유지된 웨이퍼(W)와 접촉하여, 흡착 유지하도록 되어 있다.

또한, 척 테이블(15)은 후술하는 점착 테이프(DT)가 이면으로부터 접착된 링 프레임(f)을 흡착 유지하는 링 프레임 승강 기구(26)의 개구부에 수납되어 웨이 퍼(W)가 링 프레임(f)의 중앙의 점착 테이프(DT)에 근접하는 위치까지 강하하도록 되어 있다. 이때, 척 테이블(15)과 링 프레임 승강 기구(26)는 도시하지 않은 유지 기구에 의해 유지되어 있다.

링 프레임 공급부(16)는 저부에 도르래가 설치된 웨건 형상의 것이며, 장치 본체 내에 장전되도록 되어 있다. 또한, 그 상부가 개방되어 내부에 다단으로 수납되어 있는 링 프레임(f)을 슬라이드 상승시켜 송출하도록 되어 있다.

링 프레임 반송 기구(17)는 링 프레임 공급부(16)에 수납되어 있는 링 프레임(f)을 상측으로부터 1매씩 차례로 진공 흡착하고, 도시하지 않은 얼라인먼트 스테이지와, 점착 테이프(DT)를 접착하는 위치에 링 프레임(f)을 차례로 반송하도록 되어 있다. 또한, 링 프레임 반송 기구(17)는 점착 테이프(DT)의 접착 시, 점착 테이프(DT)의 접착 위치에서 링 프레임(f)을 유지하는 유지 기구로서도 작용하고 있다.

테이프 처리부(18)는 점착 테이프(DT)를 공급하는 테이프 공급부(19), 점착 테이프(DT)에 텐션을 가하는 인장 기구(20), 점착 테이프(DT)를 링 프레임(f)에 접착하는 접착 유닛(21), 링 프레임(f)에 접착된 점착 테이프(DT)를 재단하는 커터 기구(24), 커터 기구(24)에 의해 재단된 후의 불필요한 테이프를 링 프레임(f)으로부터 박리하는 박리 유닛(23) 및 재단 후의 불필요한 잔존 테이프를 회수하는 테이프 회수부(25)를 구비하고 있다.

인장 기구(20)는 점착 테이프(DT)를 폭 방향의 양단부 사이에 끼워 넣고, 테이프 폭 방향으로 텐션을 가하도록 되어 있다. 즉, 부드러운 점착 테이프(DT)를 사용하면, 테이프 공급 방향으로 가해지는 텐션에 의해, 그 공급 방향을 따라서 점착 테이프(DT)의 표면에 세로 주름이 발생해 버린다. 이 세로 주름을 회피하여 링 프레임(f)에 점착 테이프(DT)를 균일하게 접착하기 위해, 테이프 폭 방향측으로부터 텐션을 가하고 있다.

접착 유닛(21)은 점착 테이프(DT)의 상방에 유지된 링 프레임(f)의 경사 하방(도1에서는 좌측 경사 하방)의 대기 위치에 배치되어 있다. 링 프레임 반송 기구(17)에 의해 유지된 링 프레임(f)이 점착 테이프(DT)의 접착 위치로 반송되어, 테이프 공급부(19)로부터의 점착 테이프(DT)의 공급이 개시되면, 이 접착 유닛(21)에 설치된 접착 롤러(22)가 테이프 공급 방향의 우측의 접착 개시 위치로 이동한다.

접착 개시 위치에 도달한 접착 롤러(22)는 상승하여 점착 테이프(DT)를 링 프레임(f)에 압박하여 접착하고, 접착 개시 위치로부터 대기 위치 방향으로 구름 이동하여 점착 테이프(DT)를 압박하면서 링 프레임(f)에 접착하도록 되어 있다.

박리 유닛(23)은 커터 기구(24)에 의해 재단된 점착 테이프(DT)의 불필요한 부분을 링 프레임(f)으로부터 박리하도록 되어 있다. 구체적으로는, 링 프레임(f)으로의 점착 테이프(DT)의 접착 및 재단이 종료되면, 인장 기구(20)에 의한 점착 테이프(DT)의 유지가 개방된다. 계속해서, 박리 유닛(23)이 링 프레임(f) 상을 테이프 공급부(19)측을 향해 이동하여, 재단 후의 불필요한 점착 테이프(DT)를 박리한다.

커터 기구(24)는 링 프레임(f)이 적재된 점착 테이프(DT)의 하방에 배치되어 있다. 점착 테이프(DT)가 접착 유닛(21)에 의해 링 프레임(f)에 접착되면, 인장 기구(20)에 의한 점착 테이프(DT)의 유지가 개방된다. 또한, 그 후에 커터 기구(24)가 상승한다. 상승한 커터 기구(24)는 링 프레임(f)을 따라서 점착 테이프(DT)를 재단한다.

링 프레임 승강 기구(26)는 링 프레임(f)에 점착 테이프(DT)를 접착하는 위치의 상방의 대기 위치에 있다. 이 링 프레임 승강 기구(26)는 링 프레임(f)에 점착 테이프(DT)의 접착 처리가 종료되면 강하하여 링 프레임(f)을 흡착 유지한다. 이때, 링 프레임(f)을 유지하고 있던 링 프레임 반송 기구(17)는 링 프레임 공급부(16)의 상방의 초기 위치로 복귀된다.

또한, 링 프레임 승강 기구(26)는 링 프레임(f)을 흡착 유지하면, 웨이퍼(W)와의 접착 위치로 상승한다. 이때, 웨이퍼(W)를 흡착 유지한 척 테이블(15)도 웨이퍼(W)의 접착 위치까지 강하한다.

마운트 프레임 제작부(27)는 주위면이 탄성 변형 가능한 접착 롤러(28)를 구비하고 있다. 접착 롤러(28)는 링 프레임(f)의 이면에 접착되어 있는 점착 테이프(DT)의 비접착면을 압박하면서 구름 이동하도록 되어 있다.

제1 마운트 프레임 반송 기구(29)는 링 프레임(f)과 웨이퍼(W)가 일체 형성된 마운트 프레임(MF)을 진공 흡착하여 박리 기구(30)의 도시하지 않은 박리 테이블로 이동 적재하도록 되어 있다.

박리 기구(30)는 웨이퍼(W)를 적재하여 이동시키는 도시되어 있지 않은 박리 테이블, 박리 테이프(Ts)를 공급하는 테이프 공급부(31), 박리 테이프(Ts)의 접착 과 박리를 행하는 박리 유닛(32), 박리된 박리 테이프(Ts)와 보호 테이프(PT)를 회수하는 테이프 회수부(34) 등으로 구성되어 있다.

도4에 도시한 바와 같이, 테이프 공급부(31)는 원반 롤러로부터 도출된 박리 테이프(Ts)를 박리 유닛(32)의 하단부로 안내 공급하도록 되어 있다. 또한, 테이프 회수부(34)는 박리 유닛(32)으로부터 송출된 박리 테이프(Ts)를 상방으로 유도하여 권취 회수하도록 되어 있다.

박리 유닛(32)에는 박리 테이프(Ts)의 접착 부재 및 박리 부재로서 선단부가 예리한 에지 부재(41)와, 에지 부재(41)의 선단부에서 되접힌 박리 테이프(Ts)를 테이프 회수부(34)를 향해 안내하는 송출 가이드 롤러(42)가 구비되어 있다.

도1로 돌아가, 제2 마운트 프레임 반송 기구(35)는 박리 기구(30)로부터 불출된 마운트 프레임(MF)을 진공 흡착하여 턴테이블(36)로 이동 적재하도록 되어 있다.

턴테이블(36)은 마운트 프레임(MF)의 위치 정렬 및 마운트 프레임 회수부(37)로의 수납을 행하도록 구성되어 있다. 즉, 제2 마운트 프레임 반송 기구(35)에 의해 턴테이블(36) 상에 마운트 프레임(MF)이 적재되면, 웨이퍼(W)의 오리엔테이션 플랫이나, 링 프레임(f)의 위치 결정 형상 등을 기초로 하여 위치 정렬을 행한다. 또한, 마운트 프레임 회수부(37)로의 마운트 프레임(MF)의 수납 방향을 변경하기 위해, 턴테이블(36)은 선회하도록 되어 있다. 또한, 턴테이블(36)은 수납 방향이 정해지면 마운트 프레임(MF)을 도시하지 않은 푸셔에 의해 압출하여 마운트 프레임 회수부(37)에 마운트 프레임(MF)을 수납하도록 되어 있다.

마운트 프레임 회수부(37)는 도시되어 있지 않은 승강 가능한 적재 테이블에 적재되어 있고, 이 적재 테이블이 승강 이동함으로써, 푸셔에 의해 압출된 마운트 프레임(MF)을 마운트 프레임 회수부(37)의 임의의 단에 수납할 수 있도록 되어 있다.

다음에, 상술한 실시예 장치에 대해 일순의 동작을 설명한다.

로봇 아암(4)의 웨이퍼 유지부가 카세트(C)의 간극에 삽입된다. 웨이퍼(W)는 하방으로부터 흡착 유지되어 1매씩 취출된다. 취출된 웨이퍼(W)는 얼라인먼트 스테이지(7)로 반송된다.

로봇 아암(4)에 의해 웨이퍼(W)가 유지 테이블(8)에 적재되고, 이면으로부터 흡착 유지된다. 이때, 도시하지 않은 압력계에 의해 웨이퍼(W)의 흡착 레벨이 검출되어, 정상 동작 시의 압력값에 관련하여 미리 정해진 기준값과 비교된다.

흡착 이상이 검지된 경우에는 압박 플레이트(6)에 의해 웨이퍼(W)가 표면으로부터 압박되어, 휘어짐이 교정된 평면 상태로 웨이퍼(W)가 흡착 유지된다. 또한, 웨이퍼(W)는 오리엔테이션 플랫이나 노치를 기초로 하여 위치 정렬이 행해진다.

이때, 웨이퍼(W)의 오리엔테이션 플랫이나 노치를 검출할 때의 유지 테이블(8)의 회전 동작 시에 조사 총(54)으로부터 웨이퍼 에지를 향해 스폿 직경의 자외선이 국소적으로 조사된다. 즉, 도2에 도시한 바와 같이, 가동 차단벽(51a)이 상승되어 얼라인먼트 스테이지(7)의 상방이 개방된 상태로, 조사 총(54)으로부터 자외선 빔이 유지 테이블(8)에 적재 유지된 웨이퍼(W)의 외주 모서리(웨이퍼 에지) 를 향해 스폿 조사된다. 동시에, 유지 테이블(8)이 그 중심의 축심(x) 주위로 소정의 속도로 회전되어, 웨이퍼(W)의 표면에 조사되는 자외선보다도 높은 강도의 자외선이, 웨이퍼(W)의 외주 모서리의 전체 둘레에 걸쳐서 국소적으로 조사된다. 이에 의해, 웨이퍼 에지에 면하는 보호 테이프(PT)의 점착제가 경화되어 그 접착력이 저감된다. 또한, 조사 총(54)으로부터 조사시키는 자외선의 스폿 직경 및 강도는 사용하는 자외선 경화형의 점착제의 종류 등에 따라서 적절하게 변경한다.

얼라인먼트 스테이지(7) 상에서 위치 정렬 및 웨이퍼 에지로의 자외선 조사가 종료되면, 자외선 조사 장치(14)에 의해 웨이퍼(W)의 표면으로의 자외선 조사가 이하와 같이 행해진다.

도3에 도시한 바와 같이, 가동 차단벽(51a)이 얼라인먼트 스테이지(7)의 상면에 접할 때까지 하강된다. 그 후, 자외선 발생 장치(52)와 차광 후드(53)가 하강되어 웨이퍼(W)가 덮인 상태로 자외선 발생 장치(52)로부터의 자외선이 웨이퍼 표면의 보호 테이프(PT)의 전체면에 조사된다. 이에 의해, 보호 테이프(PT)의 기재로 피복된 부분의 점착제가 경화되어 접착력이 저감된다.

자외선의 조사 처리가 실시되면, 웨이퍼(W)는 유지 테이블(8)에 흡착 유지된 상태로 얼라인먼트 스테이지(7) 자체가 다음의 마운트 프레임 제작부(27)로 반송된다. 즉, 얼라인먼트 스테이지(7)는 척 테이블(15)과 링 프레임 승강 기구(26)의 중간 위치로 이동한다.

얼라인먼트 스테이지(7)가 소정의 위치에서 대기하면, 상방에 위치하는 척 테이블(15)이 강하하여, 척 테이블(15)의 저면이 웨이퍼(W)에 접촉하여 진공 흡착 을 개시한다. 척 테이블(15)의 진공 흡착이 개시되면, 유지 테이블(8)측의 흡착 유지가 개방되고, 웨이퍼(W)는 척 테이블(15)에 휘어짐을 교정하여 평면 유지한 상태 그대로 수취된다. 웨이퍼(W)를 전달한 얼라인먼트 스테이지(7)는 초기 위치로 복귀된다.

다음에, 링 프레임 공급부(16)에 다단으로 수납된 링 프레임(f)이, 링 프레임 반송 기구(17)에 의해 상방으로부터 1매씩 진공 흡착되어 취출된다. 취출된 링 프레임(f)은 도시하지 않은 얼라인먼트 스테이지에서 위치 정렬이 행해진 후, 점착 테이프(DT)의 상방의 점착 테이프 접착 위치로 반송된다.

링 프레임(f)이 링 프레임 반송 기구(17)에 의해 유지되어 점착 테이프(DT)의 접착 위치에 있으면, 테이프 공급부(19)로부터 점착 테이프(DT)의 공급이 개시된다. 동시에 접착 롤러(22)가 접착 개시 위치로 이동한다.

접착 개시 위치에 접착 롤러(22)가 도달하면, 점착 테이프(DT)의 폭 방향의 양단부를 인장 기구(20)가 유지하여 테이프 폭 방향으로 텐션을 가한다.

계속해서, 접착 롤러(22)가 상승하여, 점착 테이프(DT)를 링 프레임(f)의 단부로 압박하여 접착한다. 링 프레임(f)의 단부에 점착 테이프(DT)를 접착하면, 접착 롤러(22)는 대기 위치인 테이프 공급부(19)측을 향해 구름 이동한다. 이때, 접착 롤러(22)는 점착 테이프(DT)를 비접착면으로부터 압박하면서 구름 이동하여, 링 프레임(f)에 점착 테이프(DT)를 접착해 간다. 접착 롤러(22)가 접착 위치의 종단부에 도달하면, 인장 기구(20)에 의한 점착 테이프(DT)의 유지가 개방된다.

동시에 커터 기구(24)가 상승하여, 링 프레임(f)을 따라서 점착 테이프(DT) 를 재단한다. 점착 테이프(DT)의 재단이 종료되면, 박리 유닛(23)이 테이프 공급부(19)측을 향해 이동하여 불필요한 점착 테이프(DT)를 박리한다.

계속해서 테이프 공급부(19)가 작동하여 점착 테이프(DT)를 조출하는 동시에, 재단된 불필요 부분의 테이프는 테이프 회수부(25)로 송출된다. 이때, 접착 롤러(22)는 다음의 링 프레임(f)에 점착 테이프(DT)를 접착하도록 접착 개시 위치로 이동한다.

점착 테이프(DT)가 접착된 링 프레임(f)은 링 프레임 승강 기구(26)에 의해 프레임부가 흡착 유지되어 상방으로 이동한다. 이때, 척 테이블(15)도 하강한다. 즉, 척 테이블(15)과 링 프레임 승강 기구(26)는 서로 웨이퍼(W)를 부착하는 위치까지 이동한다.

각 기구(15, 26)가 소정 위치에 도달하면, 각각이 도시하지 않은 유지 기구에 의해 유지된다. 계속해서, 접착 롤러(28)가 점착 테이프(DT)의 접착 개시 위치로 이동하고, 링 프레임(f) 저면에 접착되어 있는 점착 테이프(DT)의 비접착면을 압박하면서 구름 이동하고, 점착 테이프(DT)를 웨이퍼(W)에 접착해 간다. 그 결과, 링 프레임(f)과 웨이퍼(W)가 일체화된 마운트 프레임(MF)이 제작된다.

마운트 프레임(MF)이 제작되면, 척 테이블(15)과 링 프레임 승강 기구(26)는 상방으로 이동한다. 이때, 도시하지 않은 유지 테이블이 마운트 프레임(MF)의 하방으로 이동하고, 마운트 프레임(MF)이 이 유지 테이블에 적재된다. 적재된 마운트 프레임(MF)은 제1 마운트 프레임 반송 기구(29)에 의해 흡착 유지되고, 박리 테이블(38)로 이동 적재된다.

마운트 프레임(MF)이 적재된 박리 테이블은 박리 유닛(32)의 하방을 향해 전진 이동한다. 이 과정에 있어서, 광 센서에 의해 보호 테이프(PT)의 전단부 모서리가 검지되고, 이때의 박리 테이블의 위치가 펄스 모터의 미리 알고 있는 광 센서로부터 에지 부재(41)의 선단부 위치까지의 거리만큼 박리 테이블이 검지 위치로부터 전진 이동하도록 펄스 모터가 작동 제어된다. 여기서 박리 테이블의 전진 이동이 일단 정지된다. 즉, 보호 테이프(PT)의 전단부 모서리가 에지 부재(41)의 선단부의 바로 아래의 위치에 도달하면 전진 이동이 자동적으로 일단 정지된다.

박리 테이블이 일단 정지되면, 펄스 모터가 작동 제어되어 가동 블록이 하강되고, 에지 부재(41)가 테이프 공급부(31)로부터 공급되는 박리 테이프(Ts)를 감아 걸은 상태로 강하된다. 즉, 에지 부재(41)의 선단부에서 박리 테이프(Ts)가 보호 테이프(PT)의 전단부 상면에 소정의 압박력으로 압박되어 접착된다.

보호 테이프(PT)의 전단부로의 보호 테이프(PT)의 접착이 완료되면, 박리 테이블은 에지 부재(41)에 의해 박리 테이프(Ts)를 보호 테이프(PT)에 압박한 상태로 다시 전진 이동을 개시하는 동시에, 이 이동 속도와 동조한 속도로 박리 테이프(Ts)가 테이프 회수부(34)를 향해 권취되어 간다. 이에 의해, 에지 부재(41)가 웨이퍼(W) 표면의 보호 테이프(PT)에 박리 테이프(Ts)를 압박하면서 접착해 간다. 이것과 동시에, 접착된 박리 테이프(Ts)를 박리하면서 보호 테이프(PT)를 함께 웨이퍼(W)의 표면으로부터 박리해 간다.

에지 부재(41)가 하강 작동한 박리 테이프 접착 개시 위치로부터 웨이퍼 직경에 상당하는 거리만큼 전진하도록 펄스 모터가 작동 제어된 시점, 환언하면, 에 지 부재(41)가 보호 테이프(PT)의 후단부 모서리에 도달하여 보호 테이프(PT)가 완전히 웨이퍼의 표면으로부터 박리된 시점에서 에지 부재(41)가 상승 제어되어, 박리 유닛(32)은 초기 상태로 복귀된다.

보호 테이프(PT)의 박리 처리가 종료된 마운트 프레임(MF)은 박리 테이블에 의해 제2 마운트 프레임 반송 기구(35)의 대기 위치까지 이동한다.

그리고, 박리 기구(30)로부터 불출된 마운트 프레임(MF)은 제2 마운트 프레임 반송 기구(35)에 의해 턴테이블(36)로 이동 적재된다. 이동 적재된 마운트 프레임(MF)은 오리엔테이션 플랫이나 노치에 의해 위치 정렬이 행해지는 동시에, 수납 방향의 조절이 행해진다. 위치 정렬 및 수납 방향이 정해지면 마운트 프레임(MF)은 푸셔에 의해 압출되어 마운트 프레임 회수부(37)에 수납된다.

이상과 같이, 웨이퍼 에지로부터 밀려나와 외기에 접촉되어 있는 점착제가 있었다고 해도, 조사 총(54)에 의해 웨이퍼 에지 부분에 스폿 직경의 강도가 높은 자외선을 국소적으로 조사함으로써, 도7에 도시하는 밀려나온 점착제(n)의 부분의 경화를 촉진시킬 수 있다. 따라서, 자외선 조사 장치(52)에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 조사되는 자외선으로 기재 피복 부분의 점착제를 경화시키는 것과 동일한 레벨로 밀려나온 점착제를 경화시킬 수 있다.

즉, 웨이퍼 상에 존재하는 모든 점착제의 접착력을 동일한 레벨로 경화시켜 접착력을 저감시킨 상태를 유지한 채, 후공정에서 보호 테이프의 박리 처리를 행할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼 에지 부분에 미경화의 점착제가 존재하지 않으므로, 보호 테이프(PT)가 박리되기 어려워지는 경우가 없다. 즉, 과도한 박리 응력이 웨이 퍼 에지 부분에 작용하지 않으므로, 웨이퍼 파손을 회피할 수 있는 동시에, 웨이퍼 에지 부분에 점착제가 잔사되는 경우도 없다.

또한, 불활성 가스를 퍼지하면서 자외선을 조사할 필요가 없다.

본 발명은 상기 실시 형태로 한정되지 않고, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.

(1) 상기 실시예에서는, 조사 총(54)을 승강하는 차단벽(51)의 외측에 설치하고, 대기 중에 있는 웨이퍼(W)로의 자외선 조사를 행하도록 하고 있으나, 다음과 같이 구성해도 좋다.

즉, 도5에 도시한 바와 같이, 차단벽(51)의 하부에 조사 총(54)을 장착한다. 본 구성에 따르면, 차단벽(51)을 하강시킨 밀봉 상태로 웨이퍼 에지로의 자외선의 스폿 조사를 시킨다. 즉, 자외선 발생 장치(52)에 의한 웨이퍼(W)의 표면으로의 자외선의 조사와, 웨이퍼 에지로의 자외선의 조사를 동시에 행할 수 있다. 이 경우, 웨이퍼(W)의 표면의 단위 면적당의 자외선 조사량과, 웨이퍼 에지의 단위 면적당의 자외선 조사량이 동일해지도록 자외선 조사 장치(52)로부터 조사되는 자외선의 강도 및 시간과 조사 총(54)으로부터 조사되는 자외선의 강도 및 유지 테이블(8)의 회전 속도가 제어 장치(56)에 의해 제어된다.

(2) 또한, 도6에 도시한 바와 같이, 차광 후드(53)의 하부에 조사 총(54)을 장착함으로써도 웨이퍼 에지로의 자외선 스폿 조사를 행할 수도 있다.

(3) 상기 실시예에서는 자외선의 스폿 조사를 행하는 위치 고정의 조사 총(54)에 대해, 웨이퍼(W)를 회전시킴으로써, 웨이퍼 에지 전체 둘레로의 자외선 조사를 행하도록 하고 있다. 그러나, 반대로 웨이퍼(W)를 고정하여 조사 총(54)을 웨이퍼 외주를 따라서 회전 주사시키는 형태로 실시하는 것도 가능하다.

(4) 웨이퍼 에지를 향하는 다수의 자외선 발생 램프 혹은 자외선 LED를, 웨이퍼(W)를 둘러싸는 환 형상으로 배치하여 보조 자외선 조사 수단을 구성할 수도 있다.

(5) 보조 자외선 조사 수단인 조사 총(54)에 의한 자외선 조사는 웨이퍼 에지의 바로 옆으로부터 조사하는 것이 바람직하나, 경사 상방으로부터 웨이퍼 에지를 향해 조사하여, 웨이퍼 에지뿐만 아니라 웨이퍼 주연 근방의 소정 범위로도 강도가 높은 자외선을 조사하도록 해도 좋다.

(6) 상기 실시예에서는 가동 차광벽(51)에 의해 웨이퍼 외주를 차광하고 있었으나, 이 가동 차광벽(51a) 없이 자외선 발생 장치(52)로부터 보호 테이프(PT)의 표면에 자외선을 조사하는 구성이라도 좋다.

(7) 상기 실시예에서는 웨이퍼(W)의 외주 모서리에 먼저 자외선을 조사한 후에 보호 테이프(PT)의 전체면에 자외선을 조사하고 있었으나, 다음과 같이 구성해도 좋다. 웨이퍼(W)의 표면과 웨이퍼 에지의 양 부분으로의 자외선의 조사를 동시에 행해도 좋고, 먼저 보호 테이프(PT)의 전체면에 자외선을 조사한 후에, 웨이퍼(W)의 외주 모서리에 자외선을 조사해도 좋다.

본 발명은 그 사상 또는 본질로부터 일탈하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시할 수 있고, 따라서 발명의 범위를 나타내는 것으로서, 이상의 설명이 아닌, 부가된 클레임을 참조해야 한다.

도1은 반도체 웨이퍼 마운트 장치의 전체를 도시하는 사시도.

도2는 자외선 조사 장치의 조사 총이 작동하고 있는 상태를 도시하는 종단면도.

도3은 자외선 조사 장치의 자외선 발생 장치가 작동하고 있는 상태를 도시하는 종단면도.

도4는 박리 기구의 동작을 도시하는 사시도.

도5는 자외선 조사 장치의 다른 실시예를 나타내는 종단면도.

도6은 자외선 조사 장치의 다른 실시예를 나타내는 종단면도.

도7은 웨이퍼 에지를 확대한 단면도.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 웨이퍼 마운트 장치

2 : 웨이퍼 공급부

3 : 웨이퍼 반송 기구

4 : 로봇 아암

5 : 압박 기구

6 : 압박 플레이트

7 : 얼라인먼트 스테이지

15 : 척 테이블

16 : 링 프레임 공급부

17 : 링 프레임 반송 기구

20 : 인장 기구

C : 카세트

f : 링 프레임

W : 웨이퍼

Claims (13)

1. 반도체 웨이퍼의 표면에 접착된 자외선 경화형의 보호 테이프를 박리 처리하기 전에, 보호 테이프에 자외선을 조사하여 그 접착력을 저감시키는 자외선 조사 방법이며, 상기 방법은,

   주자외선 조사 수단에 의해 보호 테이프 접착면에 자외선을 조사하는 동시에,

   상기 반도체 웨이퍼의 웨이퍼 에지를 향해 보조 자외선 조사 수단에 의해 자외선 빔을 국소적으로 조사하고,

   상기 자외선 조사 과정에서 자외선 빔과 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 둘레 방향으로 상대 이동시키면서 보호 테이프 접착면보다도 웨이퍼 에지로의 자외선의 조사 강도를 높게 하는 자외선 조사 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 보호 테이프 접착면의 단위 면적당의 자외선 조사량과, 웨이퍼 에지의 단위 면적당의 자외선 조사량을 동일하게 하는 자외선 조사 방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼의 보호 테이프 접착면과 웨이퍼 에지로의 자외선의 조사를 동시에 행하는 자외선 조사 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼를 얼라인먼트 스테이지의 유지 테이블에 적재하고, 위치 정렬의 회전 동작 중일 때에 웨이퍼 에지에 자외선을 조사하는 자외선 조사 방법.
5. 반도체 웨이퍼의 표면에 접착된 자외선 경화형의 보호 테이프를 박리 처리하기 전에, 보호 테이프에 자외선을 조사하여 그 접착력을 저감시키는 자외선 조사 장치이며, 상기 장치는,

   보호 테이프가 접착된 반도체 웨이퍼를 적재 유지하는 유지 수단과,

   적재 유지된 반도체 웨이퍼의 상방으로부터 보호 테이프 표면에 자외선을 조사하는 주자외선 조사 수단과,

   보호 테이프의 주연부에, 테이프 표면에 조사한 자외선보다도 강도가 높은 자외선을 조사하는 보조 자외선 조사 수단을 포함하는 자외선 조사 장치.
6. 제5항에 있어서, 상기 보조 자외선 조사 수단을, 상기 반도체 웨이퍼의 외주 부위로부터 웨이퍼 에지를 향해 자외선 빔을 국소적으로 조사하는 조사기로 구성하고,

   조사기와 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 둘레 방향으로 상대 이동시키는 주사 수단을 구비하는 자외선 조사 장치.
7. 제6항에 있어서, 상기 주자외선 조사 수단은 개구 직경이 반도체 웨이퍼보다 큰 차광 후드를 구비하고,

   상기 차광 후드의 하단부에 보조 자외선 조사 수단을 구비하고,

   반도체 웨이퍼의 상방의 후퇴 위치와, 반도체 웨이퍼의 표면 높이에 차광 후드의 하단부가 위치하는 작용 위치에 걸쳐서 주자외선 조사 수단과 차광 후드를 승강시키는 동시에, 작용 위치에서 보조 자외선 조사 수단으로부터 웨이퍼 에지에 자외선을 조사시키는 제어 장치를 구비하는 자외선 조사 장치.
8. 제7항에 있어서, 상기 제어 장치는 주자외선 조사 수단에 의한 보호 테이프 표면으로의 자외선의 조사와, 보조 자외선 조사 수단에 의한 웨이퍼 에지로의 자외선의 조사를 동시에 행하도록 구성하는 자외선 조사 장치.
9. 제6항에 있어서, 상기 주자외선 조사 수단은 개구 직경이 반도체 웨이퍼보다 큰 차광 후드를 구비하고,

   상기 주자외선 조사 수단과 차광 후드를 수납하면서 하단부에 보조 자외선 조사 수단을 구비하고, 반도체 웨이퍼의 상방의 후퇴 위치와 웨이퍼 에지에 자외선을 조사하는 작용 위치에 걸쳐서 승강 가능한 통형의 가동 차단벽을 하단부에 구비한 상자형의 차단벽과,

   주자외선 조사 수단과 차광 후드 및 가동 차광벽을 후퇴 위치와 작용 위치에 걸쳐서 승강시키는 동시에, 작용 위치에서 보조 자외선 조사 수단으로부터 웨이퍼 에지로 자외선을 조사시키는 제어 장치를 구비하는 자외선 조사 장치.
10. 제9항에 있어서, 상기 제어 장치는 주자외선 조사 수단에 의한 보호 테이프 표면으로의 자외선의 조사와, 보조 자외선 조사 수단에 의한 웨이퍼 에지로의 자외선의 조사를 동시에 행하도록 구성하는 자외선 조사 장치.
11. 제6항에 있어서, 상기 조사기와 자외선 발생 장치를 광파이버에 의해 접속하여 구성하는 자외선 조사 장치.
12. 제6항에 있어서, 상기 조사기는 자외선 발광 다이오드로 구성하는 자외선 조사 장치.
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