CN114975174A - 加工装置 - Google Patents
加工装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114975174A CN114975174A CN202210157671.3A CN202210157671A CN114975174A CN 114975174 A CN114975174 A CN 114975174A CN 202210157671 A CN202210157671 A CN 202210157671A CN 114975174 A CN114975174 A CN 114975174A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- unit
- frame
- wafer
- tape
- annular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims abstract description 101
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 claims abstract description 50
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 31
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 320
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 56
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 54
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 38
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 25
- 125000002015 acyclic group Chemical group 0.000 claims description 23
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 13
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 6
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 64
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 11
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 5
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/08—Devices involving relative movement between laser beam and workpiece
- B23K26/083—Devices involving movement of the workpiece in at least one axial direction
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/16—Removal of by-products, e.g. particles or vapours produced during treatment of a workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/361—Removing material for deburring or mechanical trimming
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
- B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K37/00—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups
- B23K37/04—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work
- B23K37/0408—Auxiliary devices or processes, not specially adapted to a procedure covered by only one of the preceding main groups for holding or positioning work for planar work
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67775—Docking arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
- B23K2103/56—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26 semiconducting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54493—Peripheral marks on wafers, e.g. orientation flats, notches, lot number
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Robotics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
本发明提供加工装置,其容易进行将划片带粘贴于在与外周剩余区域对应的背面上呈凸状形成有环状的加强部的晶片的背面上而与环状框架成为一体的作业,并且容易将加强部切断而从晶片去除。加工装置包含:晶片搬出单元;晶片台,其对所搬出的晶片进行支承;框架搬出单元;框架台,其对所搬出的环状框架进行支承;带粘贴单元,其将带粘贴于环状框架;有带框架搬送单元;带压接单元,其将有带框架的带压接于晶片的背面;框架单元搬出单元;以及加强部去除单元,其从框架单元的晶片将环状的加强部切断并去除。
Description
技术领域
本发明涉及加工装置,其从在与外周剩余区域对应的背面上呈凸状形成有环状的加强部的晶片去除凸状的加强部。
背景技术
晶片在正面上具有由交叉的多条分割预定线划分而形成有IC、LSI等多个器件的器件区域和围绕器件区域的外周剩余区域,该晶片在背面被磨削而形成为期望的厚度之后,通过切割装置、激光加工装置分割成各个器件芯片,分割得到的各器件芯片被用于移动电话、个人计算机等电子设备。
本申请人提出了如下的技术:为了容易搬送磨削后的晶片,在与外周剩余区域对应的背面上残留环状的加强部而实施了规定的加工之后,在晶片的背面上粘贴划片带,并且利用环状框架对晶片进行支承,从晶片去除环状的加强部(例如参照专利文献1)。
专利文献1:日本特开2010-62375号公报
但是,存在如下的问题:难以进行将划片带粘贴于在与外周剩余区域对应的背面上呈凸状形成有环状的加强部的晶片的背面上而与环状框架成为一体的作业,并且难以将环状的加强部切断而从晶片去除,生产率较差。
发明内容
由此,本发明的目的在于提供加工装置,其容易进行将划片带粘贴于在与外周剩余区域对应的背面上呈凸状形成有环状的加强部的晶片的背面上而与环状框架成为一体的作业,并且容易将环状的加强部切断而从晶片去除。
根据本发明,提供加工装置,其从在与外周剩余区域对应的背面上呈凸状形成有环状的加强部的晶片去除凸状的加强部,其中,该加工装置具有:晶片盒台,其载置晶片盒,该晶片盒收纳有多个晶片;晶片搬出单元,其将晶片从载置于该晶片盒台的该晶片盒搬出;晶片台,其对通过该晶片搬出单元搬出的晶片的正面侧进行支承;框架收纳单元,其收纳多个环状框架,该环状框架形成有对晶片进行收纳的开口部;框架搬出单元,其将该环状框架从该框架收纳单元搬出;框架台,其对通过该框架搬出单元搬出的该环状框架进行支承;带粘贴单元,其配设于该框架台的上方,将带粘贴于该环状框架;有带框架搬送单元,其将粘贴有该带的该环状框架搬送至该晶片台并将该环状框架的开口部定位于该晶片台所支承的晶片的背面而将有带框架载置于该晶片台上;带压接单元,其将该有带框架的该带压接于晶片的背面;框架单元搬出单元,其将利用该带压接单元对该有带框架的该带与晶片的背面进行压接而得的该框架单元从该晶片台搬出;加强部去除单元,其从利用该框架单元搬出单元搬出的该框架单元的晶片将该环状加强部切断并去除;无环单元搬出单元,其将去除了该环状的加强部的无环单元从该加强部去除单元搬出;以及框架盒台,其载置框架盒,该框架盒对通过该无环单元搬出单元搬出的无环单元进行收纳,该加强部去除单元包含对是否去除了环状的加强部进行检测的去除检测单元。
优选该框架单元搬出单元包含:框架单元保持部,其具有对晶片进行保持的晶片保持部和对该框架进行保持的框架保持部;以及搬送部,其将该框架单元保持部搬送至暂放台。
优选该加强部去除单元包含:激光光线照射单元,其朝向形成于晶片的外周的环状的加强部的根基部照射激光光线而形成切断槽;第一升降台,其对暂放于该暂放台的框架单元进行保持并使该框架单元上升并且定位于该激光光线照射单元;以及分离部,其将环状的加强部从该切断槽分离,该分离部包含:紫外线照射部,其对与该切断槽对应的带照射紫外线而降低该带的粘接力;第二升降台,其使该环状的加强部在外周露出而对晶片的内侧进行吸引保持,并且对该环状框架进行支承;分离器,其作用于该环状的加强部的外周而将该环状的加强部分离;以及废弃部,其将所分离的该环状的加强部废弃,与该紫外线照射部相邻地配设该加强部去除单元,该加强部去除单元具有对该切断槽进行检测的切断槽检测单元,该第一升降台将形成有该切断槽的该框架单元暂放于该暂放台,该暂放台通过暂放台搬送部而定位于该分离部,该第二升降台对暂放于该暂放台的该框架单元进行支承。
根据本发明的加工装置,容易进行将划片带粘贴于在与外周剩余区域对应的背面上呈凸状形成有环状的加强部的晶片的背面上而与环状框架成为一体的作业,并且容易将环状的加强部切断而从晶片去除,生产率良好。
附图说明
图1是本发明实施方式的加工装置的立体图。
图2是通过图1所示的加工装置实施加工的晶片的立体图。
图3是图1所示的晶片盒台等的立体图。
图4是图1所示的手部的立体图。
图5是图1所示的框架收纳单元等的立体图。
图6的(a)是图1所示的框架台位于下降位置的状态下的带粘贴单元等的立体图,图6的(b)是图1所示的框架台位于上升位置的状态下的带粘贴单元等的立体图。
图7是图1所示的带压接单元的分解立体图。
图8是示出在带压接工序中开始进行按压辊对带的按压的状态的剖视图。
图9是示出在带压接工序中结束了按压辊对带的按压的状态的剖视图。
图10是图1所示的加强部去除单元的立体图。
图11是示出在加强部去除工序中向加强部的根基部照射激光光线的状态的示意性剖视图。
图12的(a)是图1所示的加强部去除单元的第一升降台的立体图,图12的(b)是从下方观察图12的(a)所示的保持部件的立体图,图12的(c)是示出对切断槽进行检测的状态的示意性剖视图。
图13是示出切断槽检测单元的受光部的受光量与晶片的旋转角度的关系的一例的曲线图。
图14的(a)是图1所示的加强部去除单元的分离部的立体图,图14的(b)是图14的(a)所示的去除检测单元的示意图。
图15是示出在加强部去除工序中从晶片分离加强部的状态的示意图。
图16是图1所示的加强部去除单元的废弃部的立体图。
图17是图1所示的无环单元搬出单元的翻转机构的立体图。
图18是图1所示的无环单元搬出单元的无环单元支承部和推入部的立体图。
图19是示出实施无环单元收纳工序的状态的立体图。
标号说明
2:加工装置;4:晶片;4a:晶片的正面;4b:晶片的背面;6:晶片盒;8:晶片盒台;10:晶片搬出单元;12:晶片台;20:外周剩余区域;24:加强部;64:环状框架;64a:开口部;64’:有带框架;66:框架收纳单元;68:框架搬出单元;70:框架台;96:带;98:带粘贴单元;100:有带框架搬送单元;102:带压接单元;192:框架单元搬出单元;194:加强部去除单元;196:无环单元搬出单元;198:框架盒;200:框架盒台;202:框架单元保持部;202a:晶片保持部;202b:框架保持部;204:暂放台;206:搬送部;232:暂放台搬送部;244:激光光线照射单元;246:第一升降台;248:分离部;256:切断槽;270:紫外线照射部;272:第二升降台;274:分离器;276:废弃部;404:切断槽检测单元;412:去除检测单元;U:框架单元;U’:无环单元。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明实施方式的加工装置进行说明。
参照图1进行说明,整体用标号2示出的加工装置具有:晶片盒台8,其载置晶片盒6,该晶片盒6收纳有多个晶片;晶片搬出单元10,其从载置于晶片盒台8的晶片盒6中搬出晶片;以及晶片台12,其对通过晶片搬出单元10搬出的晶片的正面侧进行支承。
在图2中示出通过加工装置2实施加工的晶片4。晶片4的正面4a形成有由格子状的分割预定线16划分IC、LSI等多个器件14的器件区域18以及围绕器件区域18的外周剩余区域20。在图2中,为了便于说明,用双点划线示出器件区域18与外周剩余区域20的边界22,但实际上示出边界22的线是不存在的。在晶片4的背面4b侧,在外周剩余区域20呈凸状形成有环状的加强部24,外周剩余区域20的厚度大于器件区域18的厚度。另外,在晶片4的周缘形成有示出晶体取向的切口26。
如图3所示,在晶片盒6中以正面4a朝上的状态沿上下方向隔开间隔而收纳有多张晶片4。本实施方式的晶片盒台8具有载置晶片盒6的顶板28和对顶板28进行支承的支承板30。另外,顶板28升降自如,可以设置使顶板28升降而定位于任意高度的升降单元。
参照图3继续进行说明,晶片搬出单元10具有在图3中箭头Y所示的Y轴方向上移动自如的Y轴可动部件32以及使Y轴可动部件32在Y轴方向上移动的Y轴进给机构34。Y轴进给机构34具有:滚珠丝杠36,其与Y轴可动部件32的下端连结,沿Y轴方向延伸;以及电动机38,其使滚珠丝杠36旋转。Y轴进给机构34通过滚珠丝杠36将电动机38的旋转运动转换成直线运动并传递至Y轴可动部件32,使Y轴可动部件32沿着沿Y轴方向延伸的一对导轨40在Y轴方向上移动。另外,图3中箭头X所示的X轴方向是与Y轴方向垂直的方向,图3中箭头Z所示的Z轴方向是与X轴方向和Y轴方向垂直的上下方向。X轴方向和Y轴方向所限定的XY平面实质上是水平的。
如图3所示,本实施方式的晶片搬出单元10具有:搬送臂42;以及手部44,其配置于搬送臂42的前端,对收纳于晶片盒6的晶片4的背面4b进行支承,使晶片4的正面背面翻转。搬送臂42设置于Y轴可动部件32的上表面,通过空气驱动源或电动驱动源等适当的驱动源(未图示)进行驱动。该驱动源使搬送臂42驱动而在X轴方向、Y轴方向和Z轴方向各个方向上将手部44定位于任意的位置,并且使手部44上下翻转。
参照图4进行说明,手部44优选是通过空气的喷出产生负压而以非接触的方式支承晶片4的伯努利垫。本实施方式的手部44整体为C形状,在手部44的一个面上形成有与压缩空气提供源(未图示)连接的多个空气喷出口46。在手部44的外周缘沿周向隔开间隔而附设有多个引导销48。各引导销48构成为在手部44的径向上移动自如。
如图3和图4所示,晶片搬出单元10在将手部44定位于载置在晶片盒台8的晶片盒6内的晶片4的背面4b侧(下侧)之后,从手部44的空气喷出口46喷出压缩空气,通过伯努利效应在手部44的一个面侧产生负压,通过手部44以非接触的方式从背面4b侧吸引保持晶片4。通过各引导销48限制手部44所吸引支承的晶片4的水平移动。并且,晶片搬出单元10使Y轴可动部件32和搬送臂42移动,由此将手部44所吸引支承的晶片4从晶片盒6搬出。
如图4所示,本实施方式的晶片搬出单元10具有对晶片4的切口26的位置进行检测的切口检测单元50。切口检测单元50例如可以构成为包含:发光元件52和受光元件54,它们相互在上下方向上隔开间隔而配置;以及驱动源(未图示),其使手部44的引导销48中的至少一个旋转。
发光元件52和受光元件54能够借助适当的托架(未图示)而附设于Y轴可动部件32或搬送路径上。另外,当通过上述驱动源使引导销48旋转时,由于引导销48的旋转,手部44所吸引支承的晶片4进行旋转。为了从引导销48向晶片4可靠地传递旋转,优选通过驱动源进行旋转的引导销48的外周面由适当的合成橡胶形成。
切口检测单元50在晶片4被手部44吸引支承并且晶片4的外周定位于发光元件52与受光元件54之间的状态下,利用驱动源借助引导销48而使晶片4旋转,由此能够对切口26的位置进行检测。由此,能够将晶片4的朝向调整成任意的朝向。
如图3所示,晶片台12与晶片搬出单元10相邻而配置。本实施方式的晶片台12具有:环状支承部56,其对晶片4的外周剩余区域20进行支承,与比外周剩余区域20靠内侧的部分不接触;以及框架支承部58,其配设于环状支承部56的外周,对后述的环状框架64(参照图5)进行支承。在环状支承部56的上表面上形成有沿周向隔开间隔而配置的多个吸引孔60,各吸引孔60与吸引单元(未图示)连接。晶片台12中的比环状支承部56靠径向内侧的部分成为向下方凹陷的圆形的凹部62。
当手部44翻转180°而使晶片4的正面和背面翻转从而以晶片4的正面4a朝下的状态将晶片4载置于晶片台12时,晶片4的外周剩余区域20被环状支承部56支承,晶片4的器件区域18位于凹部62。因此,即使以形成有器件14的正面4a朝下的状态将晶片4载置于晶片台12,器件14和晶片台12也不会接触,因此可防止器件14的损伤。另外,晶片台12在通过环状支承部56对外周剩余区域20进行支承之后,使吸引单元进行动作而在各吸引孔60产生吸引力,对外周剩余区域20进行吸引保持,由此防止晶片4的位置偏移。
按照图5进行说明,加工装置2还具有:框架收纳单元66,其收纳多个形成有对晶片4进行收纳的开口部64a的环状的环状框架64;框架搬出单元68,其从框架收纳单元66搬出环状框架64;以及框架台70,其对通过框架搬出单元68搬出的环状框架64进行支承。
如图5所示,本实施方式的框架收纳单元66具有:壳体72;升降自如地配置在壳体72内的升降板74;以及使升降板74升降的升降单元(未图示)。在图5中,在壳体72的X轴方向里侧的侧面上配置有沿Z轴方向延伸的Z轴引导部件78。升降板74升降自如地支承于Z轴引导部件78,使升降板74升降的升降单元配置在Z轴引导部件78的内部。升降单元例如可以构成为具有:滚珠丝杠,其与升降板74连结,沿Z轴方向延伸;以及电动机,其使该滚珠丝杠旋转。在图5中,在壳体72的X轴方向近前侧的侧面上设置有附设了把手76a的门76,在框架收纳单元66中,对把手76a进行把持而将门76打开,由此能够将环状框架64收纳于壳体72的内部。另外,在壳体72的上端设置有开口部80。
如图5所示,环状框架64在壳体72的内部层叠于升降板74的上表面而被收纳。通过框架搬出单元68将所层叠的多张环状框架64中的最上层的环状框架64从壳体72的开口部80搬出。另外,框架收纳单元66在从开口部80搬出环状框架64时,通过升降单元使升降板74适当地上升,将最上层的环状框架64定位于能够通过框架搬出单元68搬出的位置。
参照图5继续进行说明,框架搬出单元68包含:X轴引导部件82,其固定于适当的托架(未图示),沿X轴方向延伸;X轴可动部件84,其在X轴方向上移动自如地支承于X轴引导部件82;X轴进给机构(未图示),其使X轴可动部件84在X轴方向上移动;Z轴可动部件86,其在Z轴方向上移动自如地支承于X轴可动部件84;以及Z轴进给机构(未图示),其使Z轴可动部件86在Z轴方向上移动。框架搬出单元68的X轴进给机构可以构成为具有:滚珠丝杠,其与X轴可动部件84连结,沿X轴方向延伸;以及电动机,其使该滚珠丝杠旋转,Z轴进给机构可以构成为具有:滚珠丝杠,其与Z轴可动部件86连结,沿Z轴方向延伸;以及电动机,其使该滚珠丝杠旋转。
框架搬出单元68的Z轴可动部件86具有对环状框架64进行保持的保持部88。本实施方式的保持部88具有矩形状的基板90以及设置于基板90的下表面的多个吸引垫92,各吸引垫92与吸引单元(未图示)连接。
框架搬出单元68在利用保持部88的吸引垫92对收纳于框架收纳单元66的最上层的环状框架64进行吸引保持之后,使X轴可动部件84和Z轴可动部件86移动,由此将所吸引保持的最上层的环状框架64从框架收纳单元66搬出。
如图5所示,框架台70在实线所示的下降位置与双点划线所示的上升位置之间升降自如地支承于Z轴引导部件94。在Z轴引导部件94上附设有使框架台70在下降位置与上升位置之间升降的适当的驱动源(例如空气驱动源或电动驱动源)。在框架台70中,在下降位置接受通过框架搬出单元68搬出的环状框架64。
如图1和图5所示,加工装置2包含:带粘贴单元98(参照图1),其配设于框架台70的上方,将带96粘贴于环状框架64;有带框架搬送单元100(参照图5),其将粘贴有带96的环状框架64(以下有时称为有带环状框架64’)搬送至晶片台12,将环状框架64的开口部64a定位于晶片台12所支承的晶片4的背面4b而将有带环状框架64’载置于晶片台12;以及带压接单元102(参照图1),将有带环状框架64’的带96压接于晶片4的背面4b。
参照图6进行说明,本实施方式的带粘贴单元98具有:卷带支承部104,其对卷绕有使用前的带96的卷带96R进行支承;带卷绕部106,其对使用完的带96进行卷绕;带拉出部108,其从卷带96R拉出带96;压接部110,其将所拉出的带96压接于环状框架64;以及切断部112,其将向环状框架64的外周探出的带96沿着环状框架64切断。
如图6所示,卷带支承部104包含以沿X轴方向延伸的轴线为中心而旋转自如地支承于适当的托架(未图示)的支承辊114。在支承辊114上支承有卷带96R,该卷带96R是将用于对带96的粘接面进行保护的剥离纸116附设于带96的粘接面上而卷绕成圆筒状而得的。
带卷绕部106包含:卷绕辊118,其以沿X轴方向延伸的轴线为中心而旋转自如地支承于适当的托架(未图示);以及电动机(未图示),其使卷绕辊118旋转。如图6所示,带卷绕部106通过电动机使卷绕辊118旋转,由此对使用完的带96进行卷绕,在该使用完的带96上形成有相当于粘贴在环状框架64上的部分的圆形的开口部120。
参照图6继续进行说明,带拉出部108包含:拉出辊122,其配置于卷带支承部104的支承辊114的下方;电动机(未图示),其使拉出辊122旋转;以及从动辊124,其伴随拉出辊122的旋转而旋转。带拉出部108通过电动机使从动辊124与拉出辊122一起旋转,由此将利用拉出辊122和从动辊124夹持的带96从卷带96R拉出。
从通过了拉出辊122与从动辊124之间的带96将剥离纸116剥离,通过剥离纸卷绕部126卷绕所剥离的剥离纸116。本实施方式的剥离纸卷绕部126具有:剥离纸卷绕辊128,其配置于从动辊124的上方;以及电动机(未图示),其使剥离纸卷绕辊128旋转。另外,被剥离了剥离纸116的带96经过与拉出辊122在Y轴方向上隔开间隔而配置的引导辊130引导至卷绕辊118。
压接部110包含:按压辊132,其配置成在Y轴方向上移动自如;以及Y轴进给机构(未图示),其使按压辊132在Y轴方向上移动。压接部110的Y轴进给机构能够由适当的驱动源(例如空气驱动源或电动驱动源)构成。
如图6所示,切断部112包含:Z轴引导部件134,其固定于适当的托架(未图示),沿Z轴方向延伸;Z轴可动部件136,其在Z轴方向上移动自如地支承于Z轴引导部件134;以及Z轴进给机构(未图示),其使Z轴可动部件136在Z轴方向上移动。切断部112的Z轴进给机构可以构成为具有:滚珠丝杠,其与Z轴可动部件136连结,沿Z轴方向延伸;以及电动机,其使该滚珠丝杠旋转。
另外,切断部112包含:电动机138,其固定于Z轴可动部件136的前端下表面上;以及臂片140,其通过电动机138以沿Z轴方向延伸的轴线为中心而旋转。在臂片140的下表面上相互隔开间隔而附设有第一、第二下垂片142a、142b。在第一下垂片142a上按照以与Z轴方向垂直的轴线为中心而旋转自如的方式支承有圆形的切刀144,在第二下垂片142b上按照以与Z轴方向垂直的轴线为中心而旋转自如的方式支承有按压辊146。
在从框架搬出单元68接受了环状框架64的框架台70从下降位置(图6的(a)所示的位置)定位于上升位置(图6的(b)所示的位置)之前,带粘贴单元98通过拉出辊122和从动辊124将未使用的带96拉出。并且,以能够通过压接部110的按压辊132将带96按压于环状框架64上的程度将框架台70定位于上升位置,环状框架64隔着带96而与按压辊132接触。并且,一边利用按压辊132将带96的粘接面按压于环状框架64上一边使按压辊132在Y轴方向上转动。由此,能够将通过带拉出部108从卷带96R拉出的带96压接于环状框架64。
在将带96压接于环状框架64之后,带粘贴单元98通过Z轴进给机构使切断部112的Z轴可动部件136下降,将切刀144按压于环状框架64上的带96上,并且利用按压辊146从带96上按压环状框架64。接着,通过电动机138使臂片140旋转,使切刀144和按压辊146按照沿着环状框架64描绘圆的方式移动。由此,能够将向环状框架64的外周探出的带96沿着环状框架64切断。另外,利用按压辊146从带96的上方按压环状框架64,因此在将带96切断时可防止环状框架64或带96的位置偏移。并且,在使框架台70下降之后,通过带卷绕部106对形成有相当于粘贴在环状框架64上的部分的圆形的开口部120的使用完的带96进行卷绕。
如图5所示,有带框架搬送单元100包含:Y轴引导部件148,其固定于适当的托架(未图示),沿Y轴方向延伸;Y轴可动部件150,其在Y轴方向上移动自如地支承于Y轴引导部件148;Y轴进给机构(未图示),其使Y轴可动部件150在Y轴方向上移动;Z轴可动部件152,其在Z轴方向上移动自如地支承于Y轴可动部件150;以及Z轴进给机构(未图示),其使Z轴可动部件152在Z轴方向上移动。有带框架搬送单元100的Y轴进给机构可以构成为具有:滚珠丝杠,其与Y轴可动部件150连结,沿Y轴方向延伸;以及电动机,其使该滚珠丝杠旋转,Z轴进给机构可以构成为具有:滚珠丝杠,其与Z轴可动部件152连结,沿Z轴方向延伸;以及电动机,其使该滚珠丝杠旋转。
有带框架搬送单元100的Z轴可动部件152具有对有带环状框架64’进行保持的保持部154。本实施方式的保持部154具有矩形状的基板156以及设置于基板156的下表面的多个吸引垫158,各吸引垫158与吸引单元(未图示)连接。
有带框架搬送单元100利用保持部154的各吸引垫158对以带96的粘接面朝下的状态支承于框架台70的有带环状框架64’的上表面进行吸引保持,使Y轴可动部件150和Z轴可动部件152移动,由此将保持部154所吸引保持的有带环状框架64’从框架台70搬送至晶片台12,将环状框架64的开口部64a定位于晶片台12所支承的晶片4的背面4b,将有带环状框架64’载置于晶片台12。
参照图7至图9对带压接单元102进行说明。如图7所示,带压接单元102具有:上部腔室160,其配设于晶片台12的上方;下部腔室162,其对晶片台12进行收纳;升降机构164,其使上部腔室160升降而生成上部腔室160与下部腔室162接触的封闭状态和上部腔室160与下部腔室162分离的开放状态;真空部166,其在封闭状态下使上部腔室160和下部腔室162成为真空;以及大气开放部168,其使上部腔室160和下部腔室162向大气开放。
如图7所示,本实施方式的上部腔室160包含圆形的顶板170以及从顶板170的周缘垂下的圆筒状的侧壁172。在顶板170的上表面上安装有能够由气缸等适当的致动器构成的升降机构164。在通过顶板170的下表面和侧壁172的内周面限定的收纳空间中配设有:按压辊174,其用于将有带环状框架64’的带96按压于晶片台12所支承的晶片4的背面4b上;支承片176,其将按压辊174支承为旋转自如;以及Y轴进给机构178,其使支承片176在Y轴方向上移动。
Y轴进给机构178具有:滚珠丝杠180,其与支承片176连结,沿Y轴方向延伸;以及电动机182,其使滚珠丝杠180旋转。并且,Y轴进给机构178将电动机182的旋转运动通过滚珠丝杠180转换成直线运动并传递至支承片176,使支承片176沿着沿Y轴方向延伸的一对导轨184移动。
如图7所示,下部腔室162具有圆筒状的侧壁186,侧壁186的上部开放,侧壁186的下部封闭。在侧壁186上形成有连接开口188。在连接开口188上经由流路190而连接有能够由适当的真空泵构成的真空部166。在流路190上设置有大气开放部168,该大气开放部168可以由能够使流路190向大气开放的适当的阀构成。
带压接单元102在有带环状框架64’的带96定位于晶片台12所支承的晶片4的背面4b的状态下通过升降机构164使上部腔室160下降,使上部腔室160的侧壁172的下端与下部腔室162的侧壁186的上端接触,使上部腔室160和下部腔室162为封闭状态,并且使按压辊174与有带环状框架64’接触。
接着,带压接单元102在将构成大气开放部168的阀关闭的状态下使构成真空部166的真空泵进行动作,在使上部腔室160和下部腔室162的内部成为真空之后,如图8和图9所示,利用Y轴进给机构178使按压辊174在Y轴方向上滚动,由此将带96压接于晶片4的背面4b而生成框架单元U。
当通过按压辊174将带96压接于晶片4的背面4b时,在环状的加强部24的根基部,在晶片4与带96之间形成略微的间隙,但在使上部腔室160和下部腔室162的内部成为真空的状态下将晶片4和带96压接,因此晶片4与带96之间的略微的间隙的压力比大气压低,在将带96压接之后使大气开放部168开放时,通过大气压将带96按压于晶片4。由此,加强部24的根基部的晶片4与带96之间的间隙消失,带96沿着加强部24的根基部紧贴于晶片4的背面4b。
如图1和图10所示,加工装置2还包含:框架单元搬出单元192,其将通过带压接单元102对有带环状框架64’的带96和晶片4的背面4b压接而得的框架单元U从晶片台12搬出;加强部去除单元194,其从通过框架单元搬出单元192搬出的框架单元U的晶片4将环状的加强部24切断而去除;无环单元搬出单元196(参照图1),其将去除了环状的加强部24的无环单元从加强部去除单元194搬出;以及框架盒台200(参照图1),其载置对通过无环单元搬出单元196搬出的无环单元进行收纳的框架盒198。
如图10所示,本实施方式的框架单元搬出单元192具有:框架单元保持部202,其包含对晶片4进行保持的晶片保持部202a和对环状框架64进行保持的框架保持部202b;以及搬送部206,其将框架单元保持部202搬送至暂放台204。
框架单元保持部202的晶片保持部202a包含圆形状的基板208和安装于基板208的下表面的圆形状的吸附片210。在吸附片210的下表面上形成有多个吸引孔(未图示),各吸引孔与吸引单元(未图示)连接。框架保持部202b包含:多个(在本实施方式中为四个)突出片212,它们从晶片保持部202a的基板208的周缘沿周向隔开间隔而向径向外侧突出;以及吸引垫214,其附设于突出片212的下表面上,各吸引垫214与吸引单元(未图示)连接。
搬送部206包含:X轴引导部件216,其固定于适当的托架(未图示),沿X轴方向延伸;X轴可动部件218,其在X轴方向上移动自如地支承于X轴引导部件216;X轴进给机构(未图示),其使X轴可动部件218在X轴方向上移动;Z轴可动部件220,其在Z轴方向上移动自如地支承于X轴可动部件218;Z轴进给机构(未图示),其使Z轴可动部件220在Z轴方向上移动;Y轴可动部件222,其在Y轴方向上移动自如地支承于Z轴可动部件220;以及Y轴进给机构(未图示),其使Y轴可动部件222在Y轴方向上移动。在Y轴可动部件222的前端连结有晶片保持部202a的基板208。搬送部206的X轴进给机构、Y轴进给机构、Z轴进给机构分别可以构成为具有滚珠丝杠和使滚珠丝杠旋转的电动机。
框架单元搬出单元192优选具有:二维移动机构,其使框架单元保持部202在水平方向上二维地移动;以及拍摄部224,其对框架单元保持部202所保持的框架单元U的晶片4的外周进行拍摄,在本实施方式中,通过搬送部206的X轴进给机构和Y轴进给机构在XY平面上使框架单元保持部202在水平方向上二维地移动,通过搬送部206构成二维移动机构。另外,本实施方式的拍摄部224配置于晶片台12与暂放台204之间,从晶片4的下方拍摄框架单元保持部202所保持的框架单元U的晶片4的外周。
框架单元搬出单元192利用晶片保持部202a的吸附片210从背面4b侧(带96侧)吸引保持晶片4,并且在利用框架保持部202b的吸引垫214吸引保持环状框架64的状态下使搬送部206进行动作,由此将框架单元保持部202所保持的框架单元U从晶片台12搬出。
另外,本实施方式的框架单元搬出单元192使构成二维移动机构的搬送部206进行动作,利用拍摄部224拍摄框架单元保持部202所保持的框架单元U的晶片4的外周的至少三处,由此测量晶片4的外周的至少三点的坐标,根据所测量的三点的坐标,求出晶片4的中心坐标。并且,框架单元搬出单元192使晶片4的中心与暂放台204的中心一致,将框架单元U暂放于暂放台204上。
如图10所示,暂放台204与晶片台12在X轴方向上隔开间隔而配置。本实施方式的暂放台204具有:环状支承部226,其对框架单元U的晶片4的外周剩余区域20进行支承,与比外周剩余区域20靠内侧的部分不接触;以及框架支承部228,其配设于环状支承部226的外周,对环状框架64进行支承。
比环状支承部226靠径向内侧的部分成为向下方凹陷的圆形的凹部230。优选暂放台204的框架支承部228具有加热器(未图示),通过加热器对暂放于暂放台204的框架单元U的带96进行加热,由此使带96软化,通过大气压使带96进一步紧贴于环状的加强部24的根基部。
本实施方式的加工装置2包含将暂放台204在Y轴方向上搬送的暂放台搬送部232。暂放台搬送部232具有:Y轴引导部件234,其沿Y轴方向延伸;Y轴可动部件236,其在Y轴方向上移动自如地支承于Y轴引导部件234;以及Y轴进给机构238,其使Y轴可动部件236在Y轴方向上移动。在Y轴可动部件236的上部固定有暂放台204。Y轴进给机构238具有:滚珠丝杠240,其与Y轴可动部件236连结,沿Y轴方向延伸;以及电动机242,其使滚珠丝杠240旋转。并且,暂放台搬送部232将电动机242的旋转运动通过滚珠丝杠240转换成直线运动并传递至Y轴可动部件236,将暂放台204与Y轴可动部件236一起在Y轴方向上搬送。
如图1和图10所示,加强部去除单元194具有:激光光线照射单元244,其朝向形成于晶片4的外周的环状的加强部24的根基部照射激光光线而形成切断槽;第一升降台246(参照图1),其对暂放于暂放台204的框架单元U进行保持并使框架单元U上升,并且在X轴方向上移动而定位于激光光线照射单元244;以及分离部248,其将环状的加强部24从切断槽分离。
如图10所示,激光光线照射单元244包含:壳体250,其在X轴方向上与暂放台204相邻而配置;激光振荡器(未图示),其收纳于壳体250,射出激光光线;聚光器252,其使激光振荡器所射出的激光光线会聚而照射至形成于晶片4的外周的环状的加强部24的根基部;吸引喷嘴254,其对在将激光光线照射至晶片4时所产生的碎屑进行吸引;以及吸引单元(未图示),其与吸引喷嘴254连接。
聚光器252从壳体250的上表面朝向上方向吸引喷嘴254侧倾斜而延伸,由此抑制在照射激光光线时产生的碎屑落到聚光器252。另外,吸引喷嘴254从壳体250的上表面朝向上方向聚光器252侧倾斜而延伸。
如图11所示,激光光线照射单元244一边使第一升降台246所保持的框架单元U旋转一边朝向形成于晶片4的外周的环状的加强部24的根基部照射激光光线LB,通过烧蚀加工,沿着加强部24的根基部形成环状的切断槽256。另外,激光光线照射单元244通过吸引喷嘴254对由于烧蚀加工而产生的碎屑进行吸引。
如图1所示,第一升降台246配置成在暂放台204的上方沿X轴方向移动自如且沿Z轴方向移动自如。参照图12进行说明,第一升降台246包含:X轴引导部件258,其固定于适当的托架(未图示),沿X轴方向延伸;X轴可动部件260,其在X轴方向上移动自如地支承于X轴引导部件258;X轴进给机构(未图示),其使X轴可动部件260在X轴方向上移动;Z轴可动部件262,其在Z轴方向上移动自如地支承于X轴可动部件260;以及Z轴进给机构(未图示),其使Z轴可动部件262在Z轴方向上移动。第一升降台246的X轴、Z轴进给机构分别可以构成为具有滚珠丝杠和使滚珠丝杠旋转的电动机。
在Z轴可动部件262的前端下表面上旋转自如地支承有向下方延伸的支承轴264,在Z轴可动部件262的前端上表面上安装有使支承轴264以沿Z轴方向延伸的轴线为中心而旋转的电动机266。在支承轴264的下端固定有圆形状的保持片268。
如图12的(b)所示,在保持片268的下表面上安装有:圆形的晶片用吸附卡盘400;以及配置于晶片用吸附卡盘400的周围的多个框架用吸附卡盘402。晶片用吸附卡盘400的直径略小于晶片4的器件区域18(比环状的加强部24靠内侧的部分)的直径。多个框架用吸附卡盘402在与环状框架64的大小对应的圆周上沿周向隔开间隔而配置。另外,晶片用吸附卡盘400和框架用吸附卡盘402由多孔质材料形成,与吸引单元(未图示)连接。
第一升降台246在利用晶片用吸附卡盘400对通过暂放台204的框架支承部228的加热器对带96进行加热而使带96紧贴于环状的加强部24的根基部而得的框架单元U的晶片4进行吸引保持并且利用框架用吸附卡盘402对环状框架64进行吸引保持之后,使Z轴可动部件262和X轴可动部件260移动,使保持片268所吸引保持的框架单元U上升,并且在X轴方向上移动而定位于激光光线照射单元244。
另外,第一升降台246在通过激光光线照射单元244对晶片4照射激光光线LB时,使电动机266进行动作,而使保持片268所吸引保持的框架单元U旋转。另外,第一升降台246使在加强部24的根基部形成有切断槽256的框架单元U在X轴方向、Z轴方向上移动而暂放于暂放台204。
如图12所示,本实施方式的加强部去除单元194具有对朝向形成于晶片4的外周的环状的加强部24的根基部照射激光光线LB而形成的切断槽256进行检测的切断槽检测单元404。切断槽检测单元404包含:环状的照明部406,其配置于第一升降台246的保持片268的下表面上;以及受光部408,其与第一升降台246相邻而配置。
如图12的(c)所示,照明部406的直径与切断槽256的直径大致相同,在通过保持片268对框架单元U进行保持时,照明部406定位于切断槽256的上方。另外,受光部408借助托架410而支承于X轴引导部件258,在通过保持片268对框架单元U进行保持时,受光部408定位于切断槽256的下方。
并且,在切断槽检测单元404中,一边使第一升降台246所保持的框架单元U旋转,一边通过受光部408接受照明部406的光,由此对切断槽256进行检测。更具体而言,切断槽检测单元404对切断槽256是否从晶片4的正面4a到达背面4b即晶片4是否被完全切断进行检测。
若切断槽256从晶片4的正面4a到达背面4b即晶片4被完全切断,则照明部406的光通过切断槽256而到达受光部408,因此受光部408的受光量会比较大。另外,照明部406的光透过带96,因此受光部408的受光量不会受到带96的影响。另一方面,当切断槽256未从晶片4的正面4a到达背面4b即晶片4上存在未完全切断的不完全切断部分时,通过不完全切断部分遮蔽照明部406的光,因此,在不完全切断部分位于受光部408的上方时,受光部408的受光量会比较小。因此,切断槽检测单元404在受光部408的受光量遍及切断槽256的整个圆周为规定的阈值以上的情况下,判定为晶片4被完全切断,相反,在存在受光部408的受光量小于上述阈值的区域的情况下,判定为晶片4未被完全切断。
在图13所示的例子中,在晶片4的旋转角度为0°~θ1的区域和θ2~360°的区域中,受光部408的受光量为阈值T1以上,但在晶片4的旋转角度为θ1~θ2的区域中,受光部408的受光量小于阈值T1,因此判定为晶片4上存在不完全切断部分。
另外,切断槽检测单元404可以代替上述受光部408而包含相机,该相机在通过保持片268保持框架单元U时从下方拍摄切断槽256,根据相机所拍摄的切断槽256的图像,也能够检测切断槽256是否从晶片4的正面4a到达背面4b。
如图1所示,分离部248在暂放台204的Y轴方向的可动范围内与第一升降台246在Y轴方向上隔开间隔而配置。参照图14和图16进行说明,分离部248具有:紫外线照射部270(参照图14),其对与切断槽256对应的带96照射紫外线而使带96的粘接力降低;第二升降台272(参照图14),其使环状的加强部24在外周露出而对晶片4的内侧进行吸引保持,并且对环状框架64进行支承;分离器274(参照图14),其作用于环状的加强部24的外周而将环状的加强部24分离;以及废弃部276(参照图16),其将所分离的环状的加强部24废弃。
如图14所示,本实施方式的分离部248包含:Z轴引导部件278,其固定于适当的托架(未图示),沿Z轴方向延伸;Z轴可动部件280,其在Z轴方向上移动自如地支承于Z轴引导部件278;以及Z轴进给机构(未图示),其使Z轴可动部件280在Z轴方向上移动。Z轴进给机构可以构成为具有:滚珠丝杠,其与Z轴可动部件280连结,沿Z轴方向延伸;以及电动机,其使该滚珠丝杠旋转。
在Z轴可动部件280的前端下表面上支承有支承片282,并且旋转自如地支承有支承轴286,在该支承轴286上连结有上述第二升降台272。在Z轴可动部件280的前端上表面上安装有使第二升降台272与支承轴286一起旋转的电动机284。在本实施方式的支承片282上沿Y轴方向隔开间隔而附设有一对上述紫外线照射部270。
第二升降台272是圆形,第二升降台272的直径比晶片4的器件区域18(比环状的加强部24靠内侧的部分)的直径略小。在第二升降台272的下表面上形成有多个吸引孔(未图示),各吸引孔与吸引单元连接。
另外,在支承片282上安装有上述分离器274。分离器274包含:一对可动片288,它们在支承片282的下表面上隔开间隔而沿支承片282的长度方向移动自如地配置;以及一对进给单元290,它们使一对可动片288移动。一对进给单元290分别能够由空气气缸或电动气缸等适当的致动器构成。
分离器274包含:一对夹持辊292a、292b,它们在上下方向上隔开间隔而支承于各可动片288;以及Z轴进给机构294,其使上侧的夹持辊292a在Z轴方向上移动。Z轴进给机构294能够由空气气缸或电动气缸等适当的致动器构成。各夹持辊292a、292b以沿Y轴方向延伸的轴线为中心而旋转自如地支承于可动片288。在上侧的夹持辊292a上借助支承轴296而安装有按压辊298。
参照图16进行说明,废弃部276包含:带式输送机300,其对分离的环状的加强部24进行搬送;以及集尘箱302,其对通过带式输送机300搬送的环状的加强部24进行收纳。带式输送机300通过适当的致动器(未图示)定位于实质上水平地延伸的回收位置(图16中实线所示的位置)和实质上铅垂地延伸的待机位置(图16中双点划线所示的位置)。在图16中,在集尘箱302的X轴方向近前侧的侧面上设置有附设了把手304a的门304。在集尘箱302的内部安装有将所回收的环状的加强部24破碎的破碎器(未图示)。在集尘箱302中,对把手304a进行把持而将门304打开,由此能够将收纳于集尘箱302的环状的加强部24的碎屑取出。
当暂放有在加强部24的根基部形成有切断槽256的框架单元U的暂放台204通过暂放台搬送部232定位于分离部248的下方时,如图15所示,分离部248通过第二升降台272对框架单元U的晶片4的背面4b侧进行吸引保持,并且利用分离器274的夹持辊292a、292b夹持环状框架64,然后从一对紫外线照射部270照射紫外线而使粘贴于环状的加强部24的带96的粘接力降低,并且通过按压辊298将环状的加强部24向下方按压,同时通过电动机284使框架单元U与支承轴286和第二升降台272一起相对于分离器274旋转,由此从框架单元U分离环状的加强部24。所分离的加强部24通过带式输送机300搬送至集尘箱302而进行回收。另外,在将加强部24分离时,可以使分离器274相对于框架单元U旋转。
如图14和图15所示,本实施方式的加强部去除单元194具有对是否去除了环状的加强部24进行检测的去除检测单元412。去除检测单元412与紫外线照射部270相邻而配设。去除检测单元412具有:支承于支承片282的主体414;以及均安装于主体414的下表面的发光部416和受光部418。如图15所示,发光部416对第二升降台272所保持且去除了加强部24的框架单元U朝向存在加强部24的区域照射光L1。另外,受光部418接受发光部416的光L1在未去除而残留的加强部24上发生了反射的反射光L2。
并且,在去除检测单元412中,一边使第二升降台272所保持且去除了加强部24的框架单元U旋转,一边从发光部416朝向存在加强部24的区域照射光L1,根据受光部418的受光量是否小于规定的阈值,对加强部24是否被完全去除进行检测。
若加强部24已被去除,则发光部416的光L1照射至带96,因此几乎没有反射光L2,受光部418的受光量会比较小。另一方面,当加强部24的至少一部分未去除而残留时,在残留的加强部24反射发光部416的光L1,因此受光部418的受光量会比较大。因此,去除检测单元412在受光部418的受光量遍及晶片4的整个圆周小于规定的阈值的情况下,判定为加强部24被完全去除,相反,在存在受光部418的受光量为规定的阈值以上的区域的情况下,判定为加强部24的至少一部分未去除而残留。
如图1所示,无环单元搬出单元196与加强部去除单元194相邻而配置。参照图17和图18进行说明,本实施方式的无环单元搬出单元196具有:翻转机构308(参照图17),其具有与第二升降台272所支承的无环单元面对而对环状框架64进行保持的框架保持部306,朝向框架盒台200移动并且使框架保持部306翻转;无环单元支承部310(参照图18),其对通过翻转机构308而进行翻转从而晶片4的正面4a朝上的无环单元进行支承;以及推入部312(参照图18),其将无环单元支承部310所支承的无环单元推入至载置于框架盒台200上的框架盒198中而进行收纳。
如图17所示,翻转机构308包含:Y轴引导部件314,其沿Y轴方向延伸;Y轴可动部件316,其在Y轴方向上移动自如地支承于Y轴引导部件314;Y轴进给机构(未图示),其使Y轴可动部件316在Y轴方向上移动;臂318,其在Z轴方向上移动自如地支承于Y轴可动部件316;以及Z轴进给机构(未图示),其使臂318在Z轴方向上移动。翻转机构308的Y轴、Z轴进给机构分别可以构成为具有滚珠丝杠和使滚珠丝杠旋转的电动机。
在臂318上上下翻转自如地支承有上述框架保持部306,并且安装有使框架保持部306上下翻转的电动机320。本实施方式的框架保持部306包含:基板324,其借助一对旋转轴322而旋转自如地支承于臂318;以及多个吸引垫326,它们附设于基板324的一个面上,各吸引垫326与吸引单元(未图示)连接。另外,一方的旋转轴322与电动机320连结。
翻转机构308在使吸引垫326朝上的状态下利用吸引垫326对第二升降台272所支承的无环单元U’的环状框架64的下表面进行吸引保持,从第二升降台272接受无环单元U’。另外,翻转机构308在通过电动机320使框架保持部306翻转而使晶片4的正面4a朝上之后,使Y轴可动部件316移动,由此使框架保持部306所保持的无环单元U’朝向框架盒台200移动。
如图18所示,本实施方式的无环单元支承部310包含:一对支承板328,它们借助适当的托架(未图示)而支承为在X轴方向上移动自如;以及间隔调整单元(未图示),其对一对支承板328的X轴方向的间隔进行调整。间隔调整单元能够由空气气缸或电动气缸等适当的致动器构成。
在对无环单元U’进行支承的一对支承板328上安装有加热器(未图示)。在一对支承板328的间隔变窄的状态下,一对支承板328通过加热器对无环单元U’的带96进行加热,由此使由于去除加强部24而产生的带96的松弛、褶皱伸展。
参照图18继续进行说明,本实施方式的推入部312包含:Y轴引导部件330,其沿Y轴方向延伸;Y轴可动部件332,其沿Y轴方向移动自如地支承于Y轴引导部件330;以及Y轴进给机构(未图示),其使Y轴可动部件332在Y轴方向上移动。Y轴可动部件332具有:基部334,其支承于Y轴引导部件330;支柱336,其从基部334的上表面向上方延伸;以及推压片338,其附设于支柱336的上端。推入部312的Y轴进给机构可以构成为具有:滚珠丝杠,其与Y轴可动部件332连结,沿Y轴方向延伸;以及电动机,其使该滚珠丝杠旋转。
如图19所示,无环单元支承部310在接受无环单元U’之前通过间隔调整单元将一对支承板328之间的间隔扩展,然后接受吸引垫326所保持的无环单元U’。并且,推入部312在无环单元支承部310接受无环单元U’时通过Y轴进给机构使Y轴可动部件332在Y轴方向上移动,由此通过推压片338使无环单元支承部310所支承的无环单元U’进入至载置于框架盒台200上的框架盒198中而进行收纳。
在图1和图19所示的框架盒198中以晶片4的正面4a朝上的状态沿上下方向隔开间隔而收纳多张无环单元U’。如图18和图19所示,框架盒台200包含:载置部340,其载置框架盒198;以及升降部342,其使载置部340升降而定位于任意的高度。升降部342可以构成为具有:滚珠丝杠,其与载置部340连结,沿Z轴方向延伸;以及电动机,其使该滚珠丝杠旋转。
接着,对使用如上所述的加工装置2将划片带96粘贴于在与外周剩余区域20对应的背面4b上呈凸状形成有环状的加强部24的晶片4的背面4b而与环状框架64成为一体,并且将环状的加强部24切断而从晶片4去除的加工方法进行说明。
在本实施方式中,首先如图1和图3所示,实施将收纳有多个晶片4的晶片盒6载置于晶片盒台8的晶片盒载置工序。在晶片盒6中以正面4a朝上的状态沿上下方向隔开间隔而收纳有多张晶片4。
另外,如图1和图5所示,实施在框架收纳单元66中收纳多张形成有对晶片4进行收纳的开口部64a的环状的环状框架64的框架收纳工序。框架收纳工序可以在晶片盒载置工序之前实施,也可以在晶片盒载置工序之后实施。
在框架收纳工序中,在使框架收纳单元66的升降板74下降至任意的位置之后,对把手76a进行把持而将门76打开,在升降板74的上表面层叠多个环状框架64而进行收纳。另外,适当调整升降板74的高度,将最上层的环状框架64定位于能够通过框架搬出单元68搬出的位置。
在实施了晶片盒载置工序和框架收纳工序之后,实施从载置于晶片盒台8的晶片盒6搬出晶片4的晶片搬出工序。
参照图3进行说明,在晶片搬出工序中,首先使晶片搬出单元10的Y轴进给机构34进行动作,将Y轴可动部件32定位于晶片盒台8的附近。接着,使搬送臂42进行驱动,将空气喷出口46朝上的手部44定位于晶片盒6内的晶片4的背面4b侧(下侧)。在将手部44定位于晶片4的背面4b侧时,在晶片4的背面4b与手部44之间设置间隙,并且预先将各引导销48定位于径向外侧。
接着,从手部44的空气喷出口46喷出压缩空气,通过伯努利效应在手部44的一个面侧产生负压,通过手部44以非接触的方式从背面4b侧吸引支承晶片4。接着,使各引导销48向径向内侧移动,通过各引导销48限制手部44所吸引支承的晶片4的水平移动。并且,使晶片搬出单元10的Y轴可动部件32和搬送臂42移动,将手部44所吸引支承的晶片4从晶片盒6搬出。
在实施了晶片搬出工序之后,优选实施对晶片4的切口26的位置进行检测的切口检测工序。在切口检测工序中,如图4所示,将手部44所吸引支承的晶片4的外周定位于切口检测单元50的发光元件52与受光元件54之间。接着,利用驱动源借助引导销48而使晶片4旋转,由此对晶片4的切口26的位置进行检测。由此,能够将晶片4的朝向调整成任意的朝向。
在实施了切口检测工序之后,实施利用晶片台12对通过晶片搬出单元10搬出的晶片4的正面4a侧进行支承的晶片支承工序。
参照图3进行说明,在晶片支承工序中,首先使晶片搬出单元10的手部44上下翻转而使晶片4的正面4a朝下。接着,使晶片搬出单元10的Y轴可动部件32和搬送臂42移动,使手部44所吸引支承的晶片4的正面4a的外周剩余区域20与晶片台12的环状支承部56接触。此时,晶片4的正面4a的器件区域18位于晶片台12的凹部62,因此器件14和晶片台12不会接触,可防止器件14的损伤。
接着,使晶片台12的吸引单元进行动作,在各吸引孔60产生吸引力,由此对晶片4的正面4a的外周剩余区域20进行吸引保持。接着,解除手部44对晶片4的吸引支承,并且使手部44从晶片台12离开。这样,将晶片4从晶片搬出单元10交接至晶片台12。交接至晶片台12的晶片4被各吸引孔60吸引保持,因此晶片4的位置不会偏移。
另外,在实施了晶片盒载置工序和框架收纳工序之后,与晶片搬出工序或晶片支承工序并行地实施从框架收纳单元66搬出环状框架64的框架搬出工序。
参照图5进行说明,在框架搬出工序中,首先使框架搬出单元68的X轴可动部件84和Z轴可动部件86移动,使保持部88的吸引垫92与收纳于框架收纳单元66的最上层的环状框架64的上表面接触。接着,使框架搬出单元68的吸引单元进行动作,在吸引垫92产生吸引力,由此利用吸引垫92对最上层的环状框架64进行吸引保持。并且,使框架搬出单元68的X轴可动部件84和Z轴可动部件86移动,将保持部88的吸引垫92所吸引保持的最上层的环状框架64从框架收纳单元66搬出。
在实施了框架搬出工序之后,实施利用框架台70对通过框架搬出单元68搬出的环状框架64进行支承的框架支承工序。
参照图5继续进行说明,在框架支承工序中,首先使框架搬出单元68的X轴可动部件84和Z轴可动部件86移动,使吸引垫92所吸引保持的环状框架64与框架台70的上表面接触。此时,预先将框架台70定位于下降位置(图5中实线所示的位置)。接着,解除框架搬出单元68的吸引垫92的吸引力,将环状框架64载置于框架台70。并且,使框架搬出单元68的X轴可动部件84和Z轴可动部件86移动,使保持部88从框架台70的上方离开。
在实施了框架支承工序之后,实施将带96粘贴于环状框架64的带粘贴工序。
参照图6进行说明,在带粘贴工序中,首先在使框架台70从下降位置(图6的(a)所示的位置)移动至能够将带96粘贴于环状框架64的上升位置(图6的(b)所示的位置)之前,预先将带96从卷带96R拉出,并且将剥离了剥离纸116的带96定位于框架台70的上方。另外,定位于框架台70的上方的带96的粘接面朝下。
接着,以能够通过带粘贴单元98的压接部110的按压辊132从上方将带96按压于环状框架64的程度使框架台70上升。并且,一边利用按压辊132将带96的粘接面按压于环状框架64一边使按压辊132在Y轴方向上滚动。由此,能够将通过带拉出部108从卷带96R拉出的带96压接于环状框架64。
接着,使带粘贴单元98的切断部112的切刀144和按压辊146下降,将切刀144按压于环状框架64上的带96,并且利用按压辊146从带96的上方按压环状框架64。接着,通过电动机138使臂片140旋转,使切刀144和按压辊146按照沿着环状框架64描绘圆的方式移动。由此,能够将向环状框架64的外周探出的带96沿着环状框架64切断。另外,利用按压辊146从带96的上方按压环状框架64,因此在将带96切断时,可防止环状框架64或带96的位置偏移。另外,形成有圆形的开口部120的使用完的带96通过带卷绕部106进行卷绕。
在实施了带粘贴工序之后,实施有带框架搬送工序:将粘贴有带96的环状框架64搬送至晶片台12,将环状框架64的开口部64a定位于晶片台12所支承的晶片4的背面4b,将有带环状框架64’载置于晶片台12。
在有带框架搬送工序中,首先使框架台70从上升位置移动至下降位置。接着,使有带框架搬送单元100(参照图5)的Y轴可动部件150和Z轴可动部件152移动,在带96的粘接面朝下的状态下使有带框架搬送单元100的保持部154的各吸引垫158与框架台70所支承的有带环状框架64’(参照图7)的上表面接触。
接着,使有带框架搬送单元100的吸引单元进行动作,在吸引垫158产生吸引力,由此利用吸引垫158对有带环状框架64’的上表面进行吸引保持。接着,使有带框架搬送单元100的Y轴可动部件150和Z轴可动部件152移动,将吸引垫158所吸引保持的有带环状框架64’从框架台70搬出。
接着,将有带框架搬送单元100的吸引垫158所吸引保持的有带环状框架64’搬送至晶片台12,如图7所示,将环状框架64的开口部64a定位于晶片台12所支承的晶片4的背面4b,使有带环状框架64’与晶片台12的框架支承部58接触。此时,有带环状框架64’的带96的粘接面朝下,晶片4的背面4b朝上而与带96的粘接面面对。
接着,解除有带框架搬送单元100的吸引垫158的吸引力,将有带环状框架64’载置于晶片台12的框架支承部58。并且,使有带框架搬送单元100的Y轴可动部件150和Z轴可动部件152移动,使保持部154从晶片台12的上方离开。
在实施了有带框架搬送工序之后,实施将有带环状框架64’的带96压接于晶片4的背面4b的带压接工序。
参照图7至图9进行说明,在带压接工序中,首先通过带压接单元102的升降机构164使上部腔室160下降,使上部腔室160的侧壁172的下端与下部腔室162的侧壁186的上端接触。由此,使上部腔室160和下部腔室162成为封闭状态,并且使按压辊174与有带环状框架64’接触。于是,如图8所示,将晶片4的环状的加强部24的上端粘贴于有带环状框架64’的带96的粘接面。
接着,在将带压接单元102的大气开放部168关闭的状态下使真空部166进行动作,使上部腔室160和下部腔室162的内部成为真空。接着,如图8和图9所示,使带压接单元102的按压辊174在Y轴方向上滚动,由此将带96压接于晶片4的背面4b。由此,能够生成将晶片4的背面4b和带96压接而得的框架单元U。接着,将大气开放部168开放,通过大气压使带96沿着环状的加强部24的根基部紧贴于晶片4的背面4b。并且,通过升降机构164使上部腔室160上升。
另外,使上部腔室160和下部腔室162的内部为真空,由此晶片台12对晶片4的吸引力消失,但在使上部腔室160和下部腔室162为封闭状态时,将晶片4的环状的加强部24的上端粘贴于有带环状框架64’的带96的粘接面,因此在带压接工序中,晶片4的位置不会偏移。
在实施了带压接工序之后,实施从晶片台12搬出将有带环状框架64’的带96和晶片4的背面4b压接而得的框架单元U的框架单元搬出工序。
参照图5进行说明,在框架单元搬出工序中,首先使框架单元搬出单元192的搬送部206进行动作,使框架单元保持部202的晶片保持部202a的吸附片210的下表面与晶片4的背面4b侧的带96接触,并且使框架保持部202b的吸引垫214与环状框架64接触。
接着,在晶片保持部202a的吸附片210和框架保持部202b的吸引垫214产生吸引力,利用晶片保持部202a的吸附片210从背面4b侧(带96侧)吸引保持晶片4,并且利用框架保持部202b的吸引垫214吸引保持环状框架64。接着,解除晶片台12对晶片4的吸引保持。并且,使搬送部206进行动作,将框架单元保持部202所保持的框架单元U从晶片台12搬出。
在实施了框架单元搬出工序之后,实施使晶片4的中心与暂放台204的中心一致而将框架单元U暂放于暂放台204的暂放工序。
参照图10进行说明,在暂放工序中,首先将框架单元保持部202所保持的框架单元U定位于拍摄部224的上方。接着,使构成框架单元搬出单元192的二维移动机构的搬送部206进行动作,利用拍摄部224对框架单元保持部202所保持的框架单元U的晶片4的外周的至少三处进行拍摄。由此,测量晶片4的外周的至少三点的坐标。接着,根据所测量的三点的坐标,求出晶片4的中心坐标。
接着,使搬送部206进行动作,将晶片4的中心定位于暂放台204的环状支承部226的中心,使晶片4的正面4a的外周剩余区域20与暂放台204的环状支承部226的上表面接触,并且使环状框架64的下表面与暂放台204的框架支承部228的上表面接触。此时,晶片4的正面4a朝下,但器件区域18位于暂放台204的凹部230,因此器件14和暂放台204不会接触,可防止器件14的损伤。
接着,解除晶片保持部202a对晶片4的吸引保持,并且解除框架保持部202b对环状框架64的吸引保持,将框架单元U从框架单元搬出单元192交接至暂放台204。接着,使框架支承部228的加热器进行动作,通过加热器对暂放于暂放台204的框架单元U的带96进行加热。由此,使带96软化而使带96紧贴于晶片4的环状的加强部24的根基部。
在实施了暂放工序之后,实施从通过框架单元搬出单元192搬出的框架单元U的晶片4将环状的加强部24切断而去除的加强部去除工序。
参照图1、图10和图12进行说明,在加强部去除工序中,首先使加强部去除单元194的第一升降台246的X轴可动部件260和Z轴可动部件262移动,使晶片用吸附卡盘400的下表面与暂放于暂放台204的框架单元U的晶片4的背面4b侧(带96侧)接触,并且使框架用吸附卡盘402的下表面与环状框架64的上表面接触。接着,在晶片用吸附卡盘400和框架用吸附卡盘402上产生吸引力,通过晶片用吸附卡盘400对框架单元U的晶片4进行吸引保持,并且通过框架用吸附卡盘402对环状框架64进行吸引保持。
接着,使第一升降台246的X轴可动部件260和Z轴可动部件262进行动作,如图11所示,将保持片268所吸引保持的框架单元U定位于激光光线照射单元244的上方。接着,将激光光线LB的聚光点定位于框架单元U的晶片4的环状的加强部24的根基部。
接着,一边通过第一升降台246的电动机266使保持片268和框架单元U旋转一边对晶片4的环状的加强部24的根基部照射激光光线LB。由此,能够对晶片4的环状的加强部24的根基部实施烧蚀加工而形成环状的切断槽256。另外,在对晶片4照射激光光线LB时,使激光光线照射单元244的吸引单元进行动作而在吸引喷嘴254产生吸引力,通过吸引喷嘴254吸引由于烧蚀加工而产生的碎屑。
在晶片4的环状的加强部24的根基部形成了环状的切断槽256之后,通过切断槽检测单元404检测切断槽256是否从晶片4的正面4a到达背面4b。切断槽256的检测通过一边使第一升降台246所保持的框架单元U旋转一边测量受光部408的受光量来进行。
在存在受光部408的受光量小于规定的阈值的区域的情况下,判定为存在切断槽256未从晶片4的正面4a到达背面4b的部分即存在晶片4未被完全切断的不完全切断部分。在判定为存在不完全切断部分的情况下,再次通过激光光线照射单元244对晶片4的不完全切断部分照射激光光线LB而实施烧蚀加工。另一方面,在受光部408的受光量遍及切断槽256的整个圆周为规定的阈值以上的情况下,判定为切断槽256的整个圆周从晶片4的正面4a到达背面4b即晶片4被完全切断。
这样,在本实施方式中,在形成了切断槽256之后,对晶片4是否通过切断槽256而完全切断进行确认,若晶片4未被完全切断,则再次实施烧蚀加工,因此可防止在晶片4中存在不完全切断部分的状态下将框架单元U搬送至下一工序。
接着,使第一升降台246的X轴可动部件260和Z轴可动部件262移动,使保持片268所吸引保持的框架单元U的晶片4的正面4a的外周剩余区域20与暂放台204的环状支承部226的上表面接触,并且使环状框架64的下表面与暂放台204的框架支承部228的上表面接触。接着,解除第一升降台246的保持片268的吸引力,将框架单元U从第一升降台246交接至暂放台204。
接着,通过暂放台搬送部232将接受了框架单元U的暂放台204定位于加强部去除单元194的分离部248的下方(参照图10)。另外,此时预先将废弃部276的带式输送机300定位于待机位置。接着,使分离部248的第二升降台272下降,使第二升降台272的下表面与晶片4的背面4b部分的带96接触。接着,在第二升降台272的下表面上产生吸引力,利用第二升降台272对框架单元U的晶片4的背面4b侧进行吸引保持。
接着,使吸引保持着框架单元U的晶片4的第二升降台272上升,使框架单元U从暂放台204离开,并且使暂放台204移动至第一升降台246的下方。接着,如图15所示,使分离器274的一对进给单元290和Z轴进给机构294进行动作,利用上下的夹持辊292a、292b沿上下方向夹持环状框架64。另外,将废弃部276的带式输送机300从待机位置定位于回收位置。
接着,从一对紫外线照射部270照射紫外线而使粘贴于环状的加强部24的带96的粘接力降低,并且通过按压辊298将环状的加强部24向下方按压,同时通过电动机284使框架单元U与支承轴286和第二升降台272一起相对于分离器274旋转。由此,能够从框架单元U分离环状的加强部24。从框架单元U落下的加强部24通过带式输送机300搬送至集尘箱302而进行回收。另外,在将加强部24分离时,可以使分离器274相对于框架单元U旋转。
在从框架单元U分离了环状的加强部24之后,通过去除检测单元412检测加强部24是否被去除。加强部24的去除检测通过一边使第二升降台272所保持且去除了加强部24的晶片4旋转一边从发光部416朝向存在加强部24的区域照射光L1并测量受光部418的受光量来进行。
在存在受光部418的受光量为规定的阈值以上的区域的情况下,判定为加强部24的至少一部分未去除而残留。在该情况下,再次通过分离部248进行从框架单元U分离加强部24的作业。另一方面,在受光部418的受光量遍及晶片4的整个圆周小于规定的阈值的情况下,判定为加强部24被完全去除。
这样,在本实施方式中,在通过分离部248去除了加强部24之后,对加强部24是否被完全去除进行确认,若加强部24未被完全去除,则再次通过分离部248进行加强部24的去除作业,因此可防止在框架单元U中残留有加强部24的状态下将框架单元U搬送至下一工序。
在实施了加强部去除工序之后,实施将去除了环状的加强部24的无环单元U’从加强部去除单元194搬出的无环单元搬出工序。
在无环单元搬出工序中,首先将加强部去除单元194的废弃部276的带式输送机300从回收位置定位于待机位置。接着,将无环单元搬出单元196的翻转机构308(参照图17)的框架保持部306定位于第二升降台272所吸引保持的无环单元U’的下方。
接着,在使框架保持部306的吸引垫326朝上的状态下使臂318上升,使框架保持部306的吸引垫326与第二升降台272所支承的晶片4的正面4a朝下的状态的无环单元U’的环状框架64的下表面侧接触。
接着,在框架保持部306的吸引垫326产生吸引力,利用吸引垫326对无环单元U’的环状框架64进行吸引保持。接着,解除第二升降台272对无环单元U’的吸引保持。由此,将无环单元U’从加强部去除单元194的第二升降台272交接至无环单元搬出单元196的框架保持部306。
在实施了无环单元搬出工序之后,实施对通过无环单元搬出单元196搬出的无环单元U’进行收纳的无环单元收纳工序。
在无环单元收纳工序中,首先使无环单元搬出单元196的翻转机构308上下翻转,使框架保持部306所吸引保持的无环单元U’上下翻转。由此,无环单元U’位于框架保持部306的下方,晶片4的正面4a朝上。
接着,使翻转机构308的Y轴可动部件316和臂318移动,使无环单元U’与无环单元支承部310的一对支承板328的上表面接触。此时,通过间隔调整单元使一对支承板328的间隔变窄,一对支承板328相互紧贴。接着,解除框架保持部306对无环单元U’的吸引保持,将无环单元U’载置于一对支承板328。接着,使安装于各支承板328的加热器进行动作,对无环单元U’的带96进行加热,由此使由于去除加强部24而产生的带96的松弛、褶皱伸展。并且,再次利用框架保持部306对无环单元U’进行吸引保持并使无环单元U’上升。
接着,在通过间隔调整单元将一对支承板328的间隔扩展之后,将无环单元U’载置于支承板328的上表面上。并且,如图19所示,通过推入部312的推压片338推动无环单元支承部310所支承的无环单元U’,使无环单元U’进入至载置于框架盒台200上的框架盒198中而进行收纳。
如上所述,在本实施方式的加工装置2中,容易进行将划片带96粘贴于在与外周剩余区域20对应的背面4b上呈凸状形成有环状的加强部24的晶片4的背面4b上而与环状框架64成为一体的作业,并且容易将环状的加强部24切断而从晶片4去除,生产率良好。
Claims (3)
1.一种加工装置,其从在与外周剩余区域对应的背面上呈凸状形成有环状的加强部的晶片去除凸状的加强部,其中,
该加工装置具有:
晶片盒台,其载置晶片盒,该晶片盒收纳有多个晶片;
晶片搬出单元,其将晶片从载置于该晶片盒台的该晶片盒搬出;
晶片台,其对通过该晶片搬出单元搬出的晶片的正面侧进行支承;
框架收纳单元,其收纳多个环状框架,该环状框架形成有对晶片进行收纳的开口部;
框架搬出单元,其将该环状框架从该框架收纳单元搬出;
框架台,其对通过该框架搬出单元搬出的该环状框架进行支承;
带粘贴单元,其配设于该框架台的上方,将带粘贴于该环状框架;
有带框架搬送单元,其将粘贴有该带的该环状框架搬送至该晶片台并将该环状框架的开口部定位于该晶片台所支承的晶片的背面而将有带框架载置于该晶片台上;
带压接单元,其将该有带框架的该带压接于晶片的背面;
框架单元搬出单元,其将利用该带压接单元对该有带框架的该带与晶片的背面进行压接而得的该框架单元从该晶片台搬出;
加强部去除单元,其从利用该框架单元搬出单元搬出的该框架单元的晶片将该环状加强部切断并去除;
无环单元搬出单元,其将去除了该环状的加强部的无环单元从该加强部去除单元搬出;以及
框架盒台,其载置框架盒,该框架盒对通过该无环单元搬出单元搬出的无环单元进行收纳,
该加强部去除单元包含对是否去除了环状的加强部进行检测的去除检测单元。
2.根据权利要求1所述的加工装置,其中,
该框架单元搬出单元包含:
框架单元保持部,其具有对晶片进行保持的晶片保持部和对该环状框架进行保持的框架保持部;以及
搬送部,其将该框架单元保持部搬送至暂放台。
3.根据权利要求2所述的加工装置,其中,
该加强部去除单元包含:
激光光线照射单元,其朝向形成于晶片的外周的环状的加强部的根基部照射激光光线而形成切断槽;
第一升降台,其对暂放于该暂放台的框架单元进行保持并使该框架单元上升并且定位于该激光光线照射单元;以及
分离部,其将环状的加强部从该切断槽分离,
该分离部包含:
紫外线照射部,其对与该切断槽对应的带照射紫外线而降低该带的粘接力;
第二升降台,其使该环状的加强部在外周露出而对晶片的内侧进行吸引保持,并且对该环状框架进行支承;
分离器,其作用于该环状的加强部的外周而将该环状的加强部分离;以及
废弃部,其将所分离的该环状的加强部废弃,
与该紫外线照射部相邻地配设该加强部去除单元,
该加强部去除单元具有对该切断槽进行检测的切断槽检测单元,
该第一升降台将形成有该切断槽的该框架单元暂放于该暂放台,该暂放台通过暂放台搬送部而定位于该分离部,该第二升降台对暂放于该暂放台的该框架单元进行支承。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021026093A JP2022127872A (ja) | 2021-02-22 | 2021-02-22 | 加工装置 |
JP2021-026093 | 2021-02-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114975174A true CN114975174A (zh) | 2022-08-30 |
Family
ID=82702482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210157671.3A Pending CN114975174A (zh) | 2021-02-22 | 2022-02-21 | 加工装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220270910A1 (zh) |
JP (1) | JP2022127872A (zh) |
KR (1) | KR20220120460A (zh) |
CN (1) | CN114975174A (zh) |
DE (1) | DE102022201549A1 (zh) |
TW (1) | TW202234493A (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220048938A (ko) * | 2020-10-13 | 2022-04-20 | 가부시기가이샤 디스코 | 레이저 가공 장치 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010062375A (ja) | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
-
2021
- 2021-02-22 JP JP2021026093A patent/JP2022127872A/ja active Pending
-
2022
- 2022-01-26 KR KR1020220011276A patent/KR20220120460A/ko active Search and Examination
- 2022-02-15 US US17/651,104 patent/US20220270910A1/en active Pending
- 2022-02-15 DE DE102022201549.5A patent/DE102022201549A1/de active Granted
- 2022-02-17 TW TW111105892A patent/TW202234493A/zh unknown
- 2022-02-21 CN CN202210157671.3A patent/CN114975174A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220270910A1 (en) | 2022-08-25 |
JP2022127872A (ja) | 2022-09-01 |
KR20220120460A (ko) | 2022-08-30 |
DE102022201549A1 (de) | 2022-08-25 |
TW202234493A (zh) | 2022-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN113948419A (zh) | 加工装置 | |
JP7517936B2 (ja) | 加工装置 | |
CN114406488A (zh) | 激光加工装置 | |
CN114975174A (zh) | 加工装置 | |
CN114975173A (zh) | 加工装置 | |
CN115410952A (zh) | 加工装置 | |
TW202318546A (zh) | 加工裝置 | |
CN114628282A (zh) | 加工装置 | |
CN115430928A (zh) | 加工方法和加工装置 | |
JP7582856B2 (ja) | 加工装置 | |
JP7538001B2 (ja) | 加工装置 | |
JP2022141004A (ja) | 加工装置 | |
JP2023023887A (ja) | 加工装置 | |
CN115910843A (zh) | 加工装置 | |
JP2022114113A (ja) | 加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |