[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

KR101408610B1 - 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 - Google Patents

질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101408610B1
KR101408610B1 KR1020127015478A KR20127015478A KR101408610B1 KR 101408610 B1 KR101408610 B1 KR 101408610B1 KR 1020127015478 A KR1020127015478 A KR 1020127015478A KR 20127015478 A KR20127015478 A KR 20127015478A KR 101408610 B1 KR101408610 B1 KR 101408610B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
nitride semiconductor
algan
light emitting
semiconductor light
Prior art date
Application number
KR1020127015478A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20120081249A (ko
Inventor
하지메 나고
고이찌 다찌바나
도시유끼 오까
시게야 기무라
신야 누노우에
Original Assignee
가부시끼가이샤 도시바
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시끼가이샤 도시바 filed Critical 가부시끼가이샤 도시바
Publication of KR20120081249A publication Critical patent/KR20120081249A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101408610B1 publication Critical patent/KR101408610B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02387—Group 13/15 materials
    • H01L21/02389—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02455—Group 13/15 materials
    • H01L21/02458—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02538—Group 13/15 materials
    • H01L21/0254—Nitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/025—Physical imperfections, e.g. particular concentration or distribution of impurities
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

충분한 광출력이 얻어지는 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. n형 질화물 반도체를 갖는 제1 클래드층(13)과, 제1 클래드층(13) 위에 형성되고, In을 포함하는 질화물 반도체를 갖는 활성층(14)과, 활성층(14) 위에 형성된 GaN층(17)과, GaN층(17) 위에 형성되고, 제1 Al 조성비(x1)를 갖는 제1 AlGaN층(18)과, 제1 AlGaN층(18) 위에 형성되고, 제1 Al 조성비(x1)보다 높은 제2 Al 조성비(x2)를 갖고, 또한 GaN층(17) 및 제1 AlGaN층(18)보다 다량으로 Mg를 함유하는 p형 제2 AlGaN층(19)과, 제2 AlGaN층(19) 위에 형성되고, p형 질화물 반도체를 갖는 제2 클래드층(20)을 구비한다.

Description

질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법{NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}
본 발명은 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 질화물 반도체 발광 소자에는, In을 포함하는 질화물 반도체를 갖는 활성층 위에 활성층에 전자를 가두기 위한 전자 장벽층으로서, Mg를 도프한 p형 AlGaN층이 형성된 것이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 또는 특허문헌 2 참조).
특허문헌 1의 질화물 반도체 발광 소자에서는, p형 AlGaN층으로서, 활성층의 열화를 억제하도록 N2 가스를 사용한 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법에 의해 형성된 제1 p형 AlGaN층과, 장벽 전위를 형성하도록 H2 가스를 사용한 MOCVD법에 의해 형성된 제2 p형 AlGaN층을 구비하고 있다.
그러나, 이 질화물 반도체 발광 소자에서는, 제1 p형 AlGaN층은, 제2 p형 AlGaN층과 Al 조성비가 대략 동등하게 0.1 이상으로 설정되고, 또한 벌크 저항을 낮추기 위해서 다량의 Mg가 도프되어 있다.
그 결과, 제2 p형 AlGaN층을 형성할 때, Mg가 활성층에 과잉으로 확산되고, 활성층의 품질이 저하하는 문제가 있다.
특허문헌 2의 질화물 반도체 발광 소자에서는, Mg가 활성층에 과잉으로 확산되는 것을 억제하도록 활성층과 p형 AlGaN층 사이에, 언도프된 GaN, AlGaN 등으로 이루어진 중간층을 구비하고 있다.
그러나, 이 질화물 반도체 발광 소자에서는, 활성층 위에 중간층을 성장시키면서 기판의 온도를 상승시키고 있다. 그 결과, 승온 중에 활성층의 열 열화가 발생하여, 활성층의 품질이 저하하는 문제가 있다.
따라서, 어느 질화물 반도체 발광 소자에 있어서나, 발광 효율이 저하하고, 충분한 광출력이 얻어지지 않게 된다는 문제가 있다.
일본 특허 제3446660호 명세서 일본 특허 공개 제2006-261392호 공보
본 발명은, 충분한 광출력이 얻어지는 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 형태의 질화물 반도체 발광 소자는, n형 질화물 반도체를 갖는 제1 클래드층과, 상기 제1 클래드층 위에 형성되고, In을 포함하는 질화물 반도체를 갖는 활성층과, 상기 활성층 위에 형성된 GaN층과, 상기 GaN층 위에 형성되고, 제1 Al 조성비를 갖는 제1 AlGaN층과, 상기 제1 AlGaN층 위에 형성되고, 상기 제1 Al 조성비보다 높은 제2 Al 조성비를 갖고, 또한 상기 GaN층 및 상기 제1 AlGaN층보다 다량으로 Mg를 함유하는 p형 제2 AlGaN층과, 상기 제2 AlGaN층 위에 형성되고, p형 질화물 반도체를 갖는 제2 클래드층을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 일 형태의 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법은, n형 질화물 반도체를 갖는 제1 클래드층 위에 In을 포함하는 질화물 반도체를 갖는 활성층을 형성하는 공정과, 상기 활성층 위에 GaN층 및 제1 Al 조성비를 갖는 제1 AlGaN층을 순서대로 유기 금속 기상 성장법에 의해 제1 성장 온도, 질소 가스 분위기 및 Mg의 무첨가 하에서 형성하는 공정과, 상기 제1 AlGaN층 위에 상기 제1 Al 조성비보다 큰 제2 Al 조성비를 갖는 제2 AlGaN층을 유기 금속 기상 성장법에 의해 상기 제1 성장 온도보다 높은 제2 성장 온도, 수소 가스를 주성분으로 하는 분위기 및 Mg의 첨가 하에서 형성하는 공정과, 상기 제2 AlGaN층 위에 p형 질화물 반도체를 갖는 제2 클래드층을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 따르면, 충분한 광출력이 얻어지는 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법이 얻어진다.
도 1은 본 발명의 실시예에 관한 질화물 반도체 발광 소자를 도시하는 단면도.
도 2는 질화물 반도체 발광 소자에 있어서의 Mg의 깊이 프로파일을 도시하는 도면.
도 3은 질화물 반도체 발광 소자의 발광 효율을 제1 비교예와 대비해서 도시하는 도면.
도 4는 제1 비교예의 질화물 반도체 발광 소자를 도시하는 단면도.
도 5는 질화물 반도체 발광 소자의 발광 효율을 제2 비교예와 대비해서 도시하는 도면.
도 6은 제2 비교예의 질화물 반도체 발광 소자를 도시하는 단면도.
도 7은 질화물 반도체 발광 소자의 발광 효율을 제3 비교예와 대비해서 도시하는 도면.
도 8은 질화물 반도체 발광 소자의 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 9는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 10은 질화물 반도체 발광 소자의 제조 공정을 도시하는 단면도.
도 11은 질화물 반도체 발광 소자의 제조 공정을 도시하는 단면도.
이하, 본 발명의 실시예에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다.
실시예
본 발명의 실시예에 관한 질화물 반도체 발광 소자에 대해서 도 1을 사용해서 설명한다. 도 1은 질화물 반도체 발광 소자를 도시하는 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 본 실시예의 질화물 반도체 발광 소자(10)에서는, 발광 파장에 대하여 투명한 기판(11), 예를 들어 사파이어 기판 위에 버퍼층(도시하지 않음)을 거쳐 형성된 두께 3μm 정도의 질화 갈륨층[12: 이하, GaN층(12)]이 형성되어 있다.
GaN층(12) 위에는, 두께가 2μm 정도의 실리콘(Si)이 도프된 n형 질화 갈륨 클래드층[13: 이하, n형 GaN 클래드층 혹은 제1 클래드층(13)]이 형성되어 있다.
n형 GaN 클래드층(13) 위에는, In을 포함하는 질화물 반도체를 갖는 활성층(14)이 형성되어 있다. 활성층(14)은, 예를 들어 두께가 5nm인 질화갈륨 장벽층[15: 이하, GaN 장벽층(15)]과, 두께가 2.5nm인 인듐 갈륨 질화물 웰층[16: 이하, InGaN 웰층(16)]이 교대로 적층되고, 최상층이 InGaN 웰층(16)인 다중 양자 웰(MQW: Multi Quantum Well) 활성층이다. 이후, 활성층(14)을 MQW 활성층(14)이라고 기재한다.
InGaN 웰층[16: (InxGa1 - xN층, 0 <x <1)]의 In 조성비(x)는, 예를 들어 발광의 피크 파장이 ∼450nm가 되도록 0.1 정도로 설정되어 있다.
MQW 활성층(14) 위에는, 질화갈륨층[17: 이하, GaN층(17))이 형성되어 있다. GaN층(17) 위에는, Al 조성비(x1: 제1 Al 조성비)가 작은 제1 AlGaN층(18)이 형성되어 있다. 제1 AlGaN층의 조성은 Alx1Ga1 -x1N(0 <x1 <1)이라고 나타낼 수 있다.
GaN층(17) 및 제1 AlGaN층(18)은, 후술하는 바와 같이 언도프로 형성되고, 승온 공정에서의 MQW 활성층(14)의 열 열화를 억제하여, MQW 활성층(14)으로 Mg가 확산되는 것을 억제하기 위한 캡층으로서 기능한다.
이후, GaN층(17)을 GaN 캡층(17)이라고 기재하고, 제1 AlGaN층(18)을 AlGaN 캡층(18)이라고 기재한다.
따라서, AlGaN 캡층(18)은, 발광 효율에 지장을 초래하지 않도록 MQW 활성층(14)의 열 열화를 효과적으로 억제하고, 또한 동작 전압에 지장을 초래하지 않도록 낮은 벌크 저항이 얻어진다고 하는 양쪽의 요구를 충족시키는 Al 조성비(x1) 및 두께의 조합이 필요하다.
GaN 캡층(17)은, 확산되어 오는 Mg를 흡수하고, 또한 후술하는 MQW 활성층(14)에 전자를 가두기 위한 전자 장벽층이 되는 p형 AlGaN층의 기능에 지장을 초래하지 않는다는 양쪽 요구를 충족시키는 두께가 필요하다.
여기에서는, GaN 캡층(17)의 두께는, 예를 들어 5nm 정도로 설정되어 있다. AlGaN 캡층(18)의 Al 조성비(x1)는 0보다 크고 0.01 이하가 바람직하며, 예를 들어 0.003으로 설정되고, 두께는 예를 들어 1nm 정도로 설정되어 있다.
AlGaN 캡층(18)의 위에는, Mg가 고농도로 도프되고, MQW 활성층(14)에 전자를 가두기 위한 p형 AlGaN 전자 장벽층[19: 제2 AlGaN층(19)]이 형성되어 있다. 제2 AlGaN층의 조성은, Alx2Ga1 -x2N,(0 <x2 <1, x1 <x2)이라고 나타낼 수 있다.
p형 AlGaN 전자 장벽층(19)의 Al 조성비(x2: 제2 Al 조성비)는, Al 조성비(x1)보다 크고, 예를 들어 0.1 내지 0.2로 설정되어 있다.
p형 AlGaN 전자 장벽층(19)의 Mg 농도는, 예를 들어 1E19 내지 1E20cm-3 정도로 설정되어 있다. p형 AlGaN 전자 장벽층(19)의 두께는, 예를 들어 10nm 정도이다.
p형 AlGaN 전자 장벽층(19)의 위에는, 예를 들어 두께 100nm 정도의 Mg가 고농도로 도프된 p형의 질화갈륨 클래드층[13: 이하, p형 GaN 클래드층 혹은 제2 클래드층(20)]이 형성되어 있다. p형 GaN 클래드층(20)의 Mg 농도는, 예를 들어 1E19 내지 1E20cm-3 정도로 설정되어 있다.
p형 GaN 클래드층(20) 위에는, 예를 들어 두께가 10nm 정도이고, Mg가 p형 GaN 클래드층(20)보다 고농도로 도프된 p형 질화갈륨 콘택트층[21: 이하, p형 GaN 콘택트층(21)]이 형성되어 있다. p형 GaN 콘택트층(21)의 Mg 농도는, 예를 들어 1E20 내지 1E21cm-3 정도로 설정되어 있다.
p형 GaN 콘택트층(21) 위에는, Ni/Au로 이루어진 p측 전극(22)이 형성되어 있다. 또한, 1변 측이 p형 GaN 콘택트층(21)부터 n형 GaN 클래드층(13)의 일부까지 파내져 있으며, 노출된 n형 GaN 클래드층(13) 위에는, Ti/Pt/Au로 이루어진 n측 전극(23)이 형성되어 있다. n형 GaN 클래드층(13)은 n형 GaN 콘택트층을 겸하고 있다.
p측 전극(22)을 전원의 정극에 접속하고, n측 전극(23)을 전원의 부극에 접속하여 통전시킴으로써, MQW 활성층(14)으로부터 광이 방출된다.
여기서, n형 GaN 클래드층(13), MQW 활성층(14), p형 GaN 클래드층(20), p형 GaN 콘택트층(21)의 각 층의 기능에 대해서는 주지이며, 그 설명은 생략하였다.
상기 구조의 질화물 반도체 발광 소자에서는, 비교적 낮은 성장 온도에서도 결정성이 양호한 후막을 형성할 수 있는 GaN 캡층(17)과, 비교적 고융점에서 화학적으로 안정되므로 MQW 활성층(14)의 열 열화를 효과적으로 억제하는 AlGaN 캡층(18)의 2장 겹친 구조의 최적화를 도모함으로써, Mg가 고농도로 도프된 p형 AlGaN 전자 장벽층(19) 내지 p형 GaN 콘택트층(21)을 형성할 때, MQW 활성층(14)의 열 열화를 억제하고, 또한 MQW 활성층(14)으로의 Mg의 확산을 방지하는 효과가 증강되도록 구성되어 있다.
이것을 확인하기 위해서, 질화물 반도체 발광 소자(10)에 있어서의 Mg의 깊이 프로파일을 조사한 결과를, 도 2를 사용해서 설명한다.
또한, GaN 캡층(17), AlGaN 캡층(18), Al 조성비(x1)가 발광 효율에 미치는 영향을 조사한 결과를, 도 3 내지 도 7을 사용해서 설명한다.
도 2는 질화물 반도체 발광 소자(10)에 있어서의 Mg의 깊이 프로파일을 도시하는 도면이다. Mg의 깊이 프로파일은 2차 이온 질량 분석법(SIMS: Secondary Ion Mass Spectrometry)에 의해 구했다.
도 2에는 Mg의 깊이 프로파일 이외에, Mg와 결합해서 성막 중에 도입되는 것이므로 Mg와 같은 거동을 나타내는 수소(H)의 깊이 프로파일과, 각 층을 식별하기 위한 마커가 되는 Al, In의 2차 이온 강도를 합해서 나타내고 있다.
굵은 실선은 Mg의 깊이 프로파일을 나타내고, 가는 실선은 H의 깊이 프로파일을 나타내고 있다. 또한, 파선은 Al의 2차 이온 강도를 나타내고, 일점쇄선은 In의 2차 이온 강도를 나타내고 있다.
도 2에 도시한 바와 같이, Al 및 In의 2차 이온 강도의 깊이 프로파일로부터, MQW 활성층(14)과 언도프된 GaN 캡층(17)의 계면은, 표면으로부터의 깊이로 대략 100nm 근방에 있다(설계값은, 예를 들어 126nm).
Al 및 In의 2차 이온 강도의 상승 구배(∼7nm/decade)와, H 농도의 백그라운드 레벨(∼5E18cm-3) 이하에 있어서의 Mg 농도의 하강의 구배가 대략 동등하므로, Mg의 MQW 활성층(14)으로의 의미 있는 확산은 보이지 않는다. 이것은, MQW 활성층(14)의 Mg는 검출 한계 이하인 것을 나타내고 있다.
또한, 언도프 GaN 캡층(17) 및 AlGaN 캡층(18) 중의 Mg 농도는, 1E18cm-3 이하라고 추정되었다.
따라서, 언도프가 두꺼운 GaN 캡층(17)과, 언도프에서 Al 조성비(x1)가 작고 또한 얇은 AlGaN 캡층(18)의 2장 겹친 구조에 의해, MQW 활성층(14)으로의 Mg의 확산이 효과적으로 억제되고 있는 것이 확인되었다.
도 3은 질화물 반도체 발광 소자(10)의 발광 효율의 전류 의존성을 제1 비교예와 대비해서 도시하는 도면, 도 4는 제1 비교예를 도시하는 단면도이다.
질화물 반도체 발광 소자의 발광 효율의 전류 의존성은, 질화물 반도체 발광 소자에 통전하는 전류를 바꾸면서, 적분구를 사용해서 질화물 반도체 발광 소자로부터 방사된 광의 강도를 측정하여, 광의 강도를 통전 전류로 제산함으로써 구했다.
질화물 반도체 발광 소자의 발광 효율의 전류 의존성은, 일반적으로 상승의 저전류 영역을 제외하고, 전류가 증가할수록 저하하는 경향을 나타낸다. 이것은, 전류가 커지면 MQW 활성층에 주입된 캐리어가 오버플로우할 확률이 증가해서 캐리어 주입 효율이 저하하는 것, 발열에 의해 MQW 활성층의 내부 양자 효율이 저하하는 것 등에 기인하고 있다.
여기서, 제1 비교예란, 도 4에 도시한 바와 같이, 언도프된 두꺼운 GaN 캡층(17)을 갖지 않는 질화물 반도체 발광 소자(40)이다. 먼저, 제1 비교예에 대해서 설명한다. 　도 3에 도시한 바와 같이, 제1 비교예의 질화물 반도체 발광 소자(40)는, 전류가 5mA 이하에서는 본 실시예의 질화물 반도체 발광 소자(10)와 대략 동등한 발광 효율을 나타냈다. 그러나, 발광 효율은 전류가 증가할수록 급격하게 저하했다.
한편, 본 실시예의 질화물 반도체 발광 소자(10)에서는, 전류가 증가해도 발광 효율의 저하가 완만하며, 제1 비교예의 질화물 반도체 발광 소자(40)보다 높은 발광 효율이 얻어졌다.
발광 효율의 증가율은, 전류가 20mA일 때에 9%, 전류가 50mA일 때에 17% 정도이고, 전류가 클수록 증가율이 높아지는 경향을 나타냈다.
이것은, 주로 언도프된 두꺼운 GaN 캡층(17)이, MQW 활성층(14)으로의 Mg의 확산을 억제하고 있는 것을 나타내고 있다.
도 5는 질화물 반도체 발광 소자(10)의 발광 효율의 전류 의존성을 제2 비교예와 대비해서 도시하는 도면, 도 6은 제2 비교예를 도시하는 단면도이다.
여기서, 제2 비교예란, 도 6에 도시한 바와 같이, 언도프에서 Al 조성비(x1)가 작고 또한 얇은 AlGaN 캡층(18)을 갖지 않는 질화물 반도체 발광 소자(60)이다. 먼저, 제2 비교예에 대해서 설명한다.
도 5에 도시한 바와 같이, 제2 비교예의 질화물 반도체 발광 소자(60)는, 전류가 10mA 이하에서는 본 실시예의 질화물 반도체 발광 소자(10)와 대략 동등한 발광 효율을 나타냈다. 그러나, 발광 효율은 전류가 증가할수록 급격하게 저하하는 경향을 나타냈다.
한편, 본 실시예의 질화물 반도체 발광 소자(10)에서는, 전류가 증가해도 발광 효율의 저하가 완만하며, 제2 비교예의 질화물 반도체 발광 소자(60)보다 높은 발광 효율이 얻어졌다.
발광 효율의 증가율은, 전류가 20mA일 때에 3%, 전류가 50mA일 때에 6% 정도이고, 전류가 클수록 증가율이 높아지는 경향을 나타냈다.
이것은, Al 조성비(x1)가 낮고 또한 얇은 AlGaN 캡층(18)이라도, MQW 활성층(14)의 열 열화가 효과적으로 억제된 것을 나타내고 있다.
도 7은 질화물 반도체 발광 소자(10)의 발광 효율의 전류 의존성을, 제3 비교예와 대비해서 도시하는 도면이다. 여기서, 제3 비교예란, Al 조성비(x1)가 높은 AlGaN 캡층을 갖는 질화물 반도체 발광 소자이다.
도 7은, 본 실시예의 질화물 반도체 발광 소자(10)에 있어서의 AlGaN 캡층(18)의 Al 조성비(x1)가 0.003, 제3 비교예의 질화물 반도체 발광 소자에 있어서의 AlGaN 캡층의 Al 조성비(x1)가 0.05인 경우의 예이다.
도 7에 도시한 바와 같이, 본 실시예의 질화물 반도체 발광 소자(10) 및 제3 비교예인 질화물 반도체 발광 소자의 전류 의존성은 대략 마찬가지이다. 그러나, 전체 전류 영역에서 본 실시예의 질화물 반도체 발광 소자(10) 쪽이, 제3 비교예의 질화물 반도체 발광 소자보다 높은 발광 효율이 얻어진다.
발광 효율의 증가율은, 전류가 20mA일 때에 3%, 전류가 50mA일 때에 2.2% 정도이고, 전류에 대한 증가율은 대략 일정한 경향을 나타냈다.
이것은, Al 조성비가 낮을수록 AlGaN층의 결정성이 향상되기 때문에, AlGaN 캡층(18)에서는, Mg가 MQW 활성층(14)으로 확산되는 것을 억제하는 효과가 제3 비교예의 AlGaN 캡층보다 향상된 것을 나타내고 있다.
이에 의해, GaN 캡층(17)과 AlGaN 캡층(18)의 2장 겹친 구조의 최적화를 도모함으로써, MQW 활성층(14)의 열 열화를 억제하고, 또한 MQW 활성층(14)으로의 Mg의 확산을 방지하는 상승 효과가 인정되었다.
이어서, 질화물 반도체 발광 소자(10)의 제조 방법에 대해서 도 8 내지 도 11을 사용해서 설명한다. 도 8 내지 도 11은 질화물 반도체 발광 소자(10)의 제조 공정을 순서대로 도시하는 단면도이다.
먼저, 기판(11), 예를 들어 C면 사파이어 기판에 전처리로서, 예를 들어 유기 세정, 산 세정을 실시한 후, MOCVD 장치의 반응실 내에 수납한다. 이어서, 예를 들어 질소(N2) 가스와 수소(H2) 가스의 상압 혼합 가스 분위기 중에서, 고주파 가열에 의해, 기판(11)의 온도(Ts)를 T0, 예를 들어 1100℃까지 승온시킨다. 이에 의해, 기판(11)의 표면이 기상 에칭되어, 표면에 형성되어 있는 자연 산화막이 제거된다.
이어서, 도 8에 도시한 바와 같이, N2 가스와 H2 가스의 혼합 가스를 캐리어 가스로 해서 프로세스 가스로서, 예를 들어 암모니아(NH3) 가스와, 트리메틸갈륨(TMG: Tri-Methyl Gallium)을 공급하고, 언도프에서 두께 3μm의 GaN층(12)을 형성한다.
이어서, n형 도펀트로서, 예를 들어 실란(SiH4) 가스를 공급하고, 두께 2μm의 n형 GaN 클래드층(13)을 형성한다.
이어서, NH3 가스는 계속해서 공급하면서 TMG 및 SiH4 가스의 공급을 정지하고, 기판(11)의 온도(Ts)를 T0보다 낮은 T1, 예를 들어 800℃까지 강온시키고, 800℃에서 유지한다.
이어서, 도 9에 도시한 바와 같이, N2 가스를 캐리어 가스로 해서 프로세스 가스로서, 예를 들어 NH3 가스 및 TMg를 공급하고, 두께 5nm의 GaN 장벽층(15)을 형성하며, 이 중에 트리메틸 인듐(TMI: Tri-Methyl Indium)을 공급함으로써, 두께 2.5nm, In 조성비가 0.1인 InGaN 웰층(16)을 형성한다.
이어서, TMI의 공급을 단속함으로써, GaN 장벽층(15)과 InGaN 웰층(16)의 형성을, 예를 들어 7회 반복한다. 이에 의해, MQW 활성층(14)이 얻어진다.
이어서, 도 10에 도시한 바와 같이, TMG, NH3 가스는 계속해서 공급하면서 TMI의 공급을 정지하고, 언도프에서 두께 5nm의 GaN 캡층(17)을 형성한다.
이어서, TMG의 공급을 그대로 하고, 트리메틸 알루미늄(TMA: Tri-Methyl Aluminum)을 공급하며, 언도프에서 Al 조성비(x1)가 0.003, 두께 1nm인 AlGaN 캡층(18)을 형성한다.
이어서, NH3 가스는 계속해서 공급하면서 TMG, TMA의 공급을 정지하고, N2 가스 분위기 중에서, 기판(11)의 온도(Ts)를 T1보다 높은 T2, 예를 들어 1030℃까지 승온시켜서 1030℃에서 유지한다.
이어서, 도 11에 도시한 바와 같이, N2 가스와 H2 가스의 혼합 가스를 캐리어 가스로 하고 프로세스 가스로서 NH3 가스, TMG, TMA, p형 도펀트로서 비스시클로펜타디에닐 마그네슘(Cp2Mg)을 공급하고, Mg 농도 1E19 내지 20cm-3, 두께 10nm의 p형 AlGaN 전자 장벽층(19)을 형성한다.
이어서, TMG, Cp2Mg를 계속해서 공급하면서 TMA의 공급을 정지하고, Mg 농도가 1E20cm-3, 두께가 100nm 정도의 p형 GaN 클래드층(20)을 형성한다.
이어서, Cp2Mg의 공급을 증가시키고, Mg 농도가 1E21cm-3, 두께 10nm 정도의 p형 GaN 콘택트층(21)을 형성한다.
이어서, NH3 가스는 계속해서 공급하면서 TMG의 공급을 정지하고, 캐리어 가스만 계속해서 공급하여, 기판(11)을 자연 강온시켰다. NH3 가스의 공급은, 기판(11)의 온도(Ts)가 500도에 도달할 때까지 계속한다.
이어서, 기판(11)을 MOCVD 장치로부터 취출한 후, 일부를 n형 GaN 클래드층(13)에 도달할 때까지 RIE(Reactive Ion Etching)법으로 제거하고, 노출된 n형 GaN 클래드층(13) 위에 Ti/Pt/Au로 이루어진 n측 전극(23)을 형성한다.
또한, p형 GaN 콘택트층(21) 위에는, Ni/Au로 이루어진 p측 전극(22)을 형성한다. 이에 의해, 도 1에 도시한 질화물 반도체 발광 소자(10)가 얻어진다.
질화물 반도체 발광 소자(10)의 I-V 특성을 측정한 바, 전류가 20mA일 때의 동작 전압은 3.1 내지 3.5V이었다. 이때의 광출력으로서 대략 15mW가 얻어지고, 발광 피크 파장은 대략 450nm이었다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에서는, MQW 활성층(14)을 형성하는 온도(T1)와 같은 온도에서, 언도프에서 두꺼운 GaN 캡층(17) 및 언도프에서 Al 조성비(x1)가 낮고 또한 얇은 AlGaN 캡층(18)을 형성하고 있다.
그 결과, 온도(T1)부터 온도(T2)로의 승온 시에, MQW 활성층(14)의 열 열화가 방지된다. 또한, 온도(T2)에서 p형 AlGaN 전자 장벽층(19) 내지 p형 GaN 콘택트층(21)의 형성시에, MQW 활성층(14)으로의 Mg의 확산을 방지할 수 있다.
이에 의해, MQW 활성층(14)의 품질이 유지된다. 따라서, 충분한 광출력이 얻어지는 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법이 얻어진다.
본 실시예에 있어서의 GaN 캡층(17)의 막 두께, AlGaN 캡층(18)의 Al 조성비(x1) 및 막 두께는 일례이다. 상술한 취지를 일탈하지 않는 범위 내에서 질화물 반도체 발광 소자의 구조, 제조 조건 등에 따라, 각각의 최적화를 도모하는 것이 더욱 바람직하다.
여기에서는, 기판(11)으로서 C면 사파이어 기판을 사용한 경우에 대해서 설명했지만, 그 밖의 기판, 예를 들어 GaN, SiC, ZnO 등의 기판을 사용해도 상관없다.
또한, 기판(11)의 면 방위는 C면 뿐만 아니라, 그 밖의 면, 예를 들어 비극성 면을 사용하는 것도 가능하다.
질화물 반도체층의 형성 방법으로서 MOCVD법을 사용한 경우에 대해서 설명했지만, 그 밖의 형성 방법, 예를 들어 하이드라이드 기상 성장법(HVPE: Halide Vapor Phase Epitaxy), 분자선 기상 성장법(MBE: Molecular Beam Epitaxy) 등을 사용하는 것도 가능하다.
프로세스 가스로서, TMG, TMA, TMI, NH3를 사용한 경우에 대해서 설명했지만, 그 밖의 프로세스 가스, 예를 들어 트리 에틸 갈륨(TEG: Tri Ethyl Gallium)을 사용하는 것도 가능하다.
10, 40, 60: 질화물 반도체 발광 소자
11: 기판
12: GaN층
13: n형 GaN 클래드층
14: MQW 활성층
15: GaN 장벽층
16: InGaN 웰층
17: GaN 캡층
18: AlGaN 캡층
19: p형 AlGaN 전자 장벽층
20: p형 GaN 클래드층
21: p형 GaN 콘택트층
22: p측 전극
23: n측 전극

Claims (9)

  1. n형 질화물 반도체를 갖는 제1 클래드층과,
    상기 제1 클래드층 위에 형성되고, In을 포함하는 질화물 반도체를 갖는 활성층과,
    상기 활성층 위에 형성되고, Mg 농도가 1E18cm-3 이하인 GaN층과,
    상기 GaN층 위에 형성되고, 제1 Al 조성비가 0보다 크고 0.01 이하, Mg 농도가 1E18cm-3 이하, 두께가 상기 GaN층의 두께보다 얇은 제1 AlGaN층과,
    상기 제1 AlGaN층 위에 형성되고, 상기 제1 Al 조성비보다 높은 제2 Al 조성비를 갖고, 또한 상기 GaN층 및 상기 제1 AlGaN층보다 다량으로 Mg를 함유하는 p형 제2 AlGaN층과,
    상기 제2 AlGaN층 위에 형성되고, p형 질화물 반도체를 갖는 제2 클래드층을 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 활성층이 배리어층과 웰층을 적층한 양자 웰 구조를 갖고, 상기 GaN층에 접하는 층이 웰층인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자.
  6. n형 질화물 반도체를 갖는 제1 클래드층 위에, In을 포함하는 질화물 반도체를 갖는 활성층을 형성하는 공정과,
    상기 활성층 위에, Mg 농도가 1E18cm-3 이하인 GaN층 및 제1 Al 조성비가 0보다 크고 0.01 이하, Mg 농도가 1E18cm-3 이하, 두께가 상기 GaN층의 두께보다 얇은 제1 AlGaN층을 순서대로, 유기 금속 기상 성장법에 의해 상기 활성층을 형성하는 온도와 동일한 제1 성장 온도, 질소 가스 분위기 및 Mg의 무첨가 하에서 형성하는 공정과,
    상기 제1 AlGaN층 위에, 상기 제1 Al 조성비보다 큰 제2 Al 조성비를 갖는 제2 AlGaN층을, 유기 금속 기상 성장법에 의해 상기 제1 성장 온도보다 높은 제2 성장 온도, 수소 가스를 포함하는 분위기 및 Mg의 첨가 하에서 형성하는 공정과,
    상기 제2 AlGaN층 위에, p형 질화물 반도체를 갖는 제2 클래드층을 형성하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
KR1020127015478A 2009-12-21 2009-12-21 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 KR101408610B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2009/007049 WO2011077473A1 (ja) 2009-12-21 2009-12-21 窒化物半導体発光素子およびその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147005124A Division KR101422452B1 (ko) 2009-12-21 2009-12-21 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120081249A KR20120081249A (ko) 2012-07-18
KR101408610B1 true KR101408610B1 (ko) 2014-06-17

Family

ID=44195038

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127015478A KR101408610B1 (ko) 2009-12-21 2009-12-21 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
KR1020147005124A KR101422452B1 (ko) 2009-12-21 2009-12-21 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147005124A KR101422452B1 (ko) 2009-12-21 2009-12-21 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법

Country Status (6)

Country Link
US (2) US8455917B2 (ko)
EP (1) EP2518783B1 (ko)
JP (1) JP5060656B2 (ko)
KR (2) KR101408610B1 (ko)
CN (1) CN102668138B (ko)
WO (1) WO2011077473A1 (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101408610B1 (ko) * 2009-12-21 2014-06-17 가부시끼가이샤 도시바 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
JP5668647B2 (ja) * 2011-09-06 2015-02-12 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US9312432B2 (en) * 2012-03-13 2016-04-12 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Growing an improved P-GaN layer of an LED through pressure ramping
US20140203287A1 (en) * 2012-07-21 2014-07-24 Invenlux Limited Nitride light-emitting device with current-blocking mechanism and method for fabricating the same
KR20140074516A (ko) * 2012-12-10 2014-06-18 서울바이오시스 주식회사 질화갈륨계 반도체층 성장 방법 및 발광 소자 제조 방법
JP6001446B2 (ja) * 2012-12-28 2016-10-05 株式会社東芝 半導体発光素子及びその製造方法
JP2014192274A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Stanley Electric Co Ltd 高出力ＧａＮ系半導体発光素子
CN103515495B (zh) * 2013-09-13 2016-10-19 华灿光电股份有限公司 一种GaN基发光二极管芯片的生长方法
JP2015065245A (ja) 2013-09-24 2015-04-09 株式会社東芝 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
EP2881982B1 (en) * 2013-12-05 2019-09-04 IMEC vzw Method for fabricating cmos compatible contact layers in semiconductor devices
EP2988339B1 (en) 2014-08-20 2019-03-27 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device
CN104392916A (zh) * 2014-11-17 2015-03-04 中国科学院半导体研究所 制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法
JP6001756B2 (ja) * 2014-12-08 2016-10-05 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法およびｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
JP6084196B2 (ja) * 2014-12-08 2017-02-22 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法およびｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
WO2016092822A1 (ja) * 2014-12-08 2016-06-16 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法
TWI680587B (zh) * 2014-12-19 2019-12-21 日商斯坦雷電氣股份有限公司 發光元件
CN114640024A (zh) 2015-06-05 2022-06-17 奥斯坦多科技公司 具有到多个有源层中的选择性载流子注入的发光结构
US10396240B2 (en) 2015-10-08 2019-08-27 Ostendo Technologies, Inc. III-nitride semiconductor light emitting device having amber-to-red light emission (>600 nm) and a method for making same
CN205564813U (zh) * 2016-03-14 2016-09-07 京东方光科技有限公司 一种发光二极管装置及显示装置
WO2019094391A2 (en) * 2017-11-07 2019-05-16 Gallium Enterprises Pty Ltd Buried activated p-(al,in)gan layers
US11228160B2 (en) * 2018-11-15 2022-01-18 Sharp Kabushiki Kaisha AlGaInPAs-based semiconductor laser device and method for producing same
JP7488456B2 (ja) 2020-06-08 2024-05-22 日亜化学工業株式会社 発光素子
JP2024074338A (ja) * 2022-11-21 2024-05-31 スタンレー電気株式会社 垂直共振器型発光素子及びその製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005353690A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体発光素子
KR100902109B1 (ko) * 2001-04-12 2009-06-09 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2529996C (en) * 1997-01-09 2014-08-26 Nichia Corporation Nitride semiconductor device
US6677619B1 (en) * 1997-01-09 2004-01-13 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
JPH10294531A (ja) * 1997-02-21 1998-11-04 Toshiba Corp 窒化物化合物半導体発光素子
JP3446660B2 (ja) * 1999-06-04 2003-09-16 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
US6711191B1 (en) * 1999-03-04 2004-03-23 Nichia Corporation Nitride semiconductor laser device
JP4032636B2 (ja) * 1999-12-13 2008-01-16 日亜化学工業株式会社 発光素子
EP1335434A4 (en) * 2000-09-21 2008-10-15 Sharp Kk NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT MISSION ELEMENT AND OPTICAL EQUIPMENT THEREWITH
JP4969210B2 (ja) * 2000-12-28 2012-07-04 ソニー株式会社 半導体レーザおよびその製造方法
US6958497B2 (en) * 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
JP2004104089A (ja) * 2002-05-30 2004-04-02 Sharp Corp 高純度アンモニアを使用した窒化物半導体の製造方法
JP4628651B2 (ja) 2003-04-02 2011-02-09 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子の製造方法
JP4412918B2 (ja) 2003-05-28 2010-02-10 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
EP1670106A4 (en) * 2003-09-25 2007-12-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd SEMICONDUCTOR DEVICE IN NITRIDE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
JP2005268581A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US20050221515A1 (en) * 2004-03-30 2005-10-06 Katsunori Yanashima Method for producing semiconductor light emitting device, method for producing semiconductor device, method for producing device, method for growing nitride type III-V group compound semiconductor layer, method for growing semiconductor layer, and method for growing layer
US7161188B2 (en) * 2004-06-28 2007-01-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light emitting element, semiconductor light emitting device, and method for fabricating semiconductor light emitting element
JP2006108585A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
JP4653671B2 (ja) * 2005-03-14 2011-03-16 株式会社東芝 発光装置
JP4835010B2 (ja) 2005-03-17 2011-12-14 パナソニック株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオードおよび照明装置
JP4707712B2 (ja) * 2005-04-01 2011-06-22 シャープ株式会社 ｐ型窒化物半導体の製造方法及びその方法を用いて作製された半導体装置
JP2007207827A (ja) * 2006-01-31 2007-08-16 Toshiba Corp 半導体レーザ装置
EP1883141B1 (de) * 2006-07-27 2017-05-24 OSRAM Opto Semiconductors GmbH LD oder LED mit Übergitter-Mantelschicht
CN101154796A (zh) 2006-09-27 2008-04-02 三菱电机株式会社 半导体发光元件
KR101330898B1 (ko) * 2007-04-05 2013-11-18 엘지전자 주식회사 반도체 레이저 다이오드
JP2009016467A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Sony Corp 窒化ガリウム系半導体素子及びこれを用いた光学装置並びにこれを用いた画像表示装置
JP2009218235A (ja) * 2008-03-06 2009-09-24 Rohm Co Ltd 発光ダイオード
CN102460739A (zh) * 2009-06-05 2012-05-16 加利福尼亚大学董事会 长波长非极性及半极性(Al,Ga,In)N基激光二极管
KR101408610B1 (ko) * 2009-12-21 2014-06-17 가부시끼가이샤 도시바 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100902109B1 (ko) * 2001-04-12 2009-06-09 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화 갈륨계 화합물 반도체 소자
JP2005353690A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化物半導体発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
JP5060656B2 (ja) 2012-10-31
US20130122626A1 (en) 2013-05-16
EP2518783B1 (en) 2016-04-13
EP2518783A4 (en) 2014-03-19
WO2011077473A1 (ja) 2011-06-30
EP2518783A1 (en) 2012-10-31
US8455917B2 (en) 2013-06-04
CN102668138B (zh) 2015-06-10
KR20140047147A (ko) 2014-04-21
KR101422452B1 (ko) 2014-07-22
US8623683B2 (en) 2014-01-07
JPWO2011077473A1 (ja) 2013-05-02
US20120049157A1 (en) 2012-03-01
CN102668138A (zh) 2012-09-12
KR20120081249A (ko) 2012-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101408610B1 (ko) 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
JP5953447B1 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
TWI659547B (zh) Iii族氮化物半導體發光元件的製造方法
US20100133506A1 (en) Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor
TWI497766B (zh) 半導體裝置製造方法
US20080315243A1 (en) Group iii nitride semiconductor light-emitting device
US8716048B2 (en) Light emitting device and method for manufacturing the same
JPWO2004042832A1 (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
JP2014127708A (ja) 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
TW201011952A (en) Group iii nitride based semiconductor light emitting element and epitaxial wafer
JP2016171127A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP6654731B1 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP2007227832A (ja) 窒化物半導体素子
US8633469B2 (en) Group III nitride semiconductor light-emitting device
WO2016092804A1 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法およびｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
JP5607106B2 (ja) 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP2004214337A (ja) 窒化物半導体発光素子
JP2008227103A (ja) ＧａＮ系半導体発光素子
JP2011096893A (ja) 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
WO2016092822A1 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法
JPH11233823A (ja) 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
A107 Divisional application of patent
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170522

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180516

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190530

Year of fee payment: 6