[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JPWO2006112377A1 - 研磨材スラリーおよびこれを用いた研磨材 - Google Patents

研磨材スラリーおよびこれを用いた研磨材 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2006112377A1
JPWO2006112377A1 JP2007526848A JP2007526848A JPWO2006112377A1 JP WO2006112377 A1 JPWO2006112377 A1 JP WO2006112377A1 JP 2007526848 A JP2007526848 A JP 2007526848A JP 2007526848 A JP2007526848 A JP 2007526848A JP WO2006112377 A1 JPWO2006112377 A1 JP WO2006112377A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
abrasive
water
amide group
resin
abrasive slurry
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007526848A
Other languages
English (en)
Inventor
彰紀 江藤
彰紀 江藤
節子 大池
節子 大池
友和 石塚
友和 石塚
藤井 重治
重治 藤井
清孝 進藤
進藤  清孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Chemicals Inc filed Critical Mitsui Chemicals Inc
Publication of JPWO2006112377A1 publication Critical patent/JPWO2006112377A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/02Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1409Abrasive particles per se
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/32115Planarisation
    • H01L21/3212Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

良好な研磨速度を確保しつつ、下地の損傷を抑制する研磨材スラリーを提供する。研磨材スラリーがアミド基を含む樹脂(A)と有機樹脂(B)とを含む構成とする。

Description

本発明は、研磨材スラリーおよびこれを用いた研磨材に関し、特に、半導体装置製造の配線形成工程において、絶縁膜表面、あるいはタングステン、アルミニウム、銅などの金属配線を研磨する研磨材スラリーに関するものである。
研磨技術においては、良好な研磨速度を確保しつつ、下地の損傷を抑制することが求められている。
たとえば、近年、半導体装置製造の配線形成工程において、絶縁膜上に配線形成用の溝形成を行い、配線用の金属膜をめっき法などにより埋め込み、過剰な金属膜を、取り除き、金属配線を含んだ絶縁膜を平坦化する技術として、CMP(Chemical and Mechanical Polishing)が用いられている。これは、砥粒を分散させたスラリーにより化学的に変質させた研磨面を機械的に研磨する方法である。
CMP工程は、銅配線、タンタルバリヤメタルおよびタングステンプラグ等の金属材料だけでなく、酸化シリコン等の絶縁膜材料の加工において必須なプロセスであるが、今後、プロセスコスト低減のため、少ないスラリー供給量で高い研磨速度が得られ、下地の損傷が発生しにくいことが求められている。CMPにおける下地の損傷としては、スクラッチ、ディッシングおよびエロージョンが挙げられる。
このうち、スクラッチは、金属表面の研磨傷であり、砥粒の硬さや、砥粒の凝集体が存在することにより起こる部分的な過剰研磨が原因で生じる。
また、ディッシングやエロージョンは、配線抵抗の上昇やばらつき、さらには上層に形成される配線間のショートを引き起こし、配線体デバイスの信頼性を著しく低下させ、歩留まりを大幅に低下させる原因となる。
このうち、エロージョンは、配線パターンが密な部分の中央部で、下地層である絶縁膜も含めより研磨されることにより凹形状に形成されてしまう現象である。エロージョンは、硬い砥粒による過剰な研磨や、絶縁膜や金属の拡散を防ぐバリア層などの下地層との研磨選択性が低いことが原因で生じる。
また、ディッシングは、金属の腐食領域である酸性領域のスラリーや、スラリーに含まれる錯体形成剤、pH調整剤による金属の溶出(エッチング)が原因で生じやすい。また、砥粒による機械的な作用に比べて添加剤による化学作用が強いスラリーにおいては、ディッシングが発生しやすい。
CMP技術においては、従来より、セリア、アルミナなどの金属酸化物あるいはシリカなどの無機砥粒を含むスラリーが用いられている。しかし、これらの無機砥粒は硬度が高く、また廃液中の砥粒の凝集物や研磨屑が排出しにくいため、銅など硬度が低い金属膜を研磨する場合、上述したスクラッチやエロージョンが生じる場合があった。
すなわち、現在、半導体の性能向上のため、絶縁膜上の1/2配線幅(ハーフピッチ)は90nmから65nm、さらに45nmへと、より微細化が進んでおり、その研磨対象の絶縁膜表面は、より複雑な構造になっている。配線幅がより微細化されると、スクラッチによる金属表面の研磨傷は断線を引き起こし、また、エロージョンは配線抵抗の上昇やばらつき、さらには上層に形成される配線間のショートを引き起こし、半導体デバイスの信頼性を著しく低下させ、歩留まりを大幅に低下させる原因と成っている。
これらの問題を解決するために、無機砥粒の場合は砥粒をアルミナよりも柔らかいシリカにし、金属の溶出しない中性からアルカリ性側において金属の不動態膜を形成することで研磨する研磨液が開発されようとしている。たとえば、シリカを砥粒にした場合、アルミナよりもスクラッチが減少させる。ところが、こうした無機粒子を用いた場合、金属を機械的に研磨するため、砥粒の凝集物や金属の削り屑によってスクラッチやエロージョンが発生し、欠陥発生を根本的に抑制することはできない。
また、従来の研磨技術として、特許文献1〜10に記載のものがある。
特許文献1および2においては、供給スラリーを効率的に利用するために、研磨パッド溝パターンの最適化が検討されている。
また、特許文献3には、有機高分子化合物の粒子を研磨砥粒とする方法が開示されている。ここで用いられている有機高分子は、メタクリル樹脂、ポリスチレン樹脂等である。
ところが、これらの有機高分子は金属膜と反応しやすい官能基を持たない。同文献においては、このような成分を砥粒としているため、また、金属の表面を酸化させる酸化剤を含んでいないため、被研磨体である金属膜との化学作用が全く働かず、半導体装置製造の配線形成工程に必要な十分な研磨速度が得られていない。
また、有機高分子化合物の粒子に関する上記問題を解決するために、たとえば、特許文献4では、被研磨面を形成する金属と反応し得る官能基を有する有機粒子を含有する研磨用水系分散体が開示されている。しかしながら、同文献に記載の技術においても、ディッシングと呼ばれ、配線部分の金属膜が中心部でより研磨されることによって凹形状に形成される現象は解決されていない。
また、特許文献5には、キレート性樹脂と無機砥粒を含有する研磨材スラリーが開示されている。
また、特許文献6および7には、エッチングを抑制しディッシングを低減させることを目的としたポリアクリル酸を含むCMP用研磨液について記載されている。
また、特許文献8および9には、保護膜形成剤と水溶性ポリマーを含むCMP用研磨剤について記載されている。
また、特許文献10には、キノリンカルボン酸等の錯体形成剤によって、脆弱な不溶性金属錯体を形成し、エッチングの抑制と高い研磨速度を両立させる研磨材スラリーが開示されている。
ところが、これらの技術を用いてもなお、良好な研磨速度を確保しつつ、下地の損傷を抑制する点で改善の余地があった。
特開平11−216663号公報 特開平11−333699号公報 特開平7−86216号公報 特開2001−55559号公報 特開2002−261052号公報 特開平11−195628号公報 特表2004−532521号公報 国際公開第WO00/13217号パンフレット 国際公開第WO01/17006号パンフレット 特開2000−183003号公報
本発明によれば、
アミド基を含む水溶性樹脂(A)と、
有機粒子(B)と、
を含むことを特徴とする研磨材スラリーが提供される。
また、本発明によれば、上記研磨材スラリーと、酸化剤と、金属と錯体を形成し得る水溶性化合物と、防食剤とを含有することを特徴とする研磨材が提供される。
また、本発明によれば、上記磨材スラリーと、金属と錯体を形成し得る化合物と、水とを含有することを特徴とする研磨材が提供される。
本発明においては、研磨材スラリーが、アミド基を含む水溶性樹脂(A)と有機粒子(B)を含むため、無機砥粒を含まずとも同等の研磨速度が得られる。また、アミド基を含む水溶性樹脂(A)と有機粒子(B)とを含むため、被研磨面の損傷を効果的に抑制することができる。
このように、本発明によれば、良好な研磨速度を確保しつつ、下地の損傷を抑制することができる。
以下、本発明の研磨材スラリーを半導体製造技術に用いる場合を例に説明するが、本発明の研磨材スラリーの適用分野に特に制限はなく、たとえばガラス基板をはじめとする各種基板の研磨等に用いることもできる。
本発明の研磨材スラリーは、
アミド基を含む水溶性樹脂(A)および
有機粒子(B)
を含む。
なお、本発明において、水溶性樹脂とは水を主とする媒体中でその媒体に溶解した形態を形成する樹脂を意味し、有機粒子とは水を主とする媒体中で粒子状の形態を形成する樹脂を意味する。
本発明においては、有機粒子(B)を含むため、被研磨面の損傷を効果的に抑制できる。この効果は、研磨材中に無機粒子が含まれない場合に顕著に発揮される。たとえば、銅より柔らかい有機粒子(B)を含む研磨材スラリーを銅配線構造の形成に用いることにより、無機粒子を用いた場合に対して、過剰研磨した際のエロージョンが抑制される。また、銅より硬い粒子を含まないために傷(スクラッチ)が発生しないようにすることができる。
本発明の研磨材スラリーは、アミド基を含む水溶性樹脂(A)と有機粒子(B)がどのような形態で存在していてもよく、たとえば、
(i)アミド基を含む水溶性樹脂(A)と有機粒子(B)を別々に合成し、混合して得られた樹脂組成物の形態;
(ii)アミド基を含む水溶性樹脂(A)の存在下で有機粒子(B)を重合して得られる樹脂組成物の形態;および
(iii)有機粒子(B)の存在下でアミド基を含む水溶性樹脂(A)を重合して得られる樹脂組成物の形態;
とすることができる。
このうち、エマルションの保存安定性の観点から、アミド基を含む水溶性樹脂(A)または有機粒子(B)のいずれかの樹脂の存在下で一方の樹脂を合成して得られた樹脂組成物がより好ましい。
なお、本発明の研磨材スラリーにおいて、有機粒子(B)が1種以上のビニル単量体を乳化重合等により重合して得られる粒子であってもよい。以下、有機粒子(B)を乳化重合により重合する場合を例に説明する。
この場合にも、アミド基を含む水溶性樹脂(A)と1種以上のビニル単量体を乳化重合して得られる有機粒子(B)がどのような形態で存在していてもよいが、エマルションの保存安定性の観点から、アミド基を含む樹脂(A)または1種以上のビニル単量体を乳化重合して得られる樹脂(B)のいずれかの樹脂の存在下で一方の樹脂を合成して得られた樹脂組成物がより好ましい。
たとえば、アミド基を含む水溶性樹脂(A)が、1種以上のビニル単量体を重合して得られる有機粒子(B)の存在下で乳化重合して得られる樹脂であってもよい。
また、有機粒子(B)をアミド基を含む水溶性樹脂(A)の存在下で1種以上のビニル単量体を乳化重合して得ることにより、分散安定性をより一層向上させることができる。
以下、本発明をさらに具体的に説明する。
[アミド基を含む水溶性樹脂(A)]
本発明のアミド基を含む水溶性樹脂(A)は、少なくともアミド基を含む化合物を重合して得られる樹脂である。
アミド基を含む化合物としては、メタクリルアミドが特に好ましい。
本発明のアミド基を含む水溶性樹脂(A)は、アミド基を含む化合物以外に1種以上のビニル単量体を重合してもよい。
ここで、1種以上のビニル単量体とは、官能基を有するビニル単量体が好ましく、たとえば、アクリルアミド等のアミド基含有ビニル単量体;
(メタ)アクリル酸等のカルボキシル基含有ビニル単量体;
2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等の水酸基含有ビニル単量体;
グリシジル(メタ)アクリレート等のグリシジル基含有ビニル単量体;
(メタ)アクリロニトリル等のシアノ基含有ビニル単量体;
N、N-ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート等のアミノ基含有ビニル単量体;
アセトアセトキシエチル(メタ)アクリレート等のアセトアセトキシ基含有ビニル単量体;および
スチレンスルホン酸ナトリウム、メタリルスルホン酸ナトリウム等のスルホン酸含有単量体;
が挙げられる。また、スチレンや(メタ)アクリル酸エステル等の疎水性ビニル単量体を使用してもよい。
また、アミド基を含む水溶性樹脂(A)には、架橋性ビニル単量体を使用してもよく、該単量体としては、メチレンビス(メタ)アクリルアミド、ジビニルベンゼン、ポリエチレングリコール鎖含有ジ(メタ)アクリレートなどが例示できる。また、架橋性ビニル単量体が、2つ以上のビニル基を含有するものであっても構わない。
また、アミド基を含む水溶性樹脂(A)の分子量を調整する目的で、n-ドデシルメルカプタンや1−チオグリセロール等の連鎖移動剤や、その他の分子量調整剤を使用してもよい。
アミド基を含む水溶性樹脂(A)の分子量は、研磨速度を安定化する観点では、重量平均分子量Mwがたとえば5000以上であり、好ましくは10000以上である。また、アミド基を含む水溶性樹脂(A)の分子量は、研磨材スラリーの粘度が増加しすぎないようにする観点では、重量平均分子量Mwがたとえば500000以下であり、好ましくは200000以下である。
なお、アミド基を含む水溶性樹脂(A)は、たとえば製品名:PULLULAN(Shodex社製)をスタンダードとするGPC−MALLS法により測定される。
アミド基を含む水溶性樹脂(A)は、アミド基を含有する単量体が100〜10重量%、より好ましくは100〜50重量%、その他のビニル系単量体が0〜90重量%、より好ましくは0〜50重量%が重合した樹脂が好ましい。
また、本発明の研磨材スラリーは、アミド基を含む水溶性樹脂(A)以外の水溶性樹脂を含有していてもよく、その含有量は、アミド基を含む水溶性樹脂(A)100重量部に対して、100〜200重量部が好ましい。
[アミド基を含む水溶性樹脂(A)の製造方法]
アミド基を含む水溶性樹脂(A)の合成方法には特に制約はないが、水を主成分とした溶媒中で行う重合が好ましい。特に好ましい重合形態は、水溶液重合である。アミド基を含む水溶性樹脂(A)の合成時の重合開始剤には制約はないが、水溶性ラジカル開始剤が好ましく、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩や4,4’−アゾビス(4-シアノ吉草酸)等の水溶性アゾ系開始剤が特に好ましい。
アミド基を含む水溶性樹脂(A)合成時の重合温度には制約はないが、製造時間や単量体の共重合体への転化率(反応率)などを考慮に入れると、30〜95℃の範囲で合成することが好ましく、50〜85℃が特に好ましい。
また、重合時には製造安定性を向上する目的でpH調製剤や金属イオン封止剤であるEDTAもしくはその塩などを使用することも可能である。
[有機粒子(B)]
有機粒子(B)は、1種以上のビニル単量体を乳化重合して得られる(共)重合エマルションが好ましい態様である。
ビニル単量体としてはスチレン、(メタ)アクリル酸アルキルなどの疎水性ビニル単量体;
(メタ)アクリロニトリル等のシアノ基含有ビニル単量体;
(メタ)アクリルアミド等のアミド基含有ビニル単量体;
(メタ)アクリル酸等のカルボキシル基含有ビニル単量体;
2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等の水酸基含有ビニル単量体;
グリシジル(メタ)アクリレート等のグリシジル基含有ビニル単量体;
N、N-ジメチルアミノエチル(メタ)アクリレート等のアミノ基含有ビニル単量体;
アセトアセトキシエチル(メタ)アクリレート等のアセトアセトキシ基含有ビニル単量体;
スチレンスルホン酸ナトリウム等のスルホン酸含有ビニル単量体などの官能基含有ビニル単量体;
などが挙げられる。
必要に応じて、架橋性ビニル単量体を使用してもよく、該単量体としては、メチレンビス(メタ)アクリルアミド、ジビニルベンゼン、ポリエチレングリコール鎖含有ジ(メタ)アクリレートなどが例示できる。また、架橋性ビニル単量体として2つ以上のビニル基を含有するものを用いても構わない。
また、分子量を調整する目的で、n−ドデシルメルカプタンや1−チオグリセロールなどの連鎖移動剤や、その他の各種分子量調整剤を使用することもできる。
本発明において、1種以上のビニル単量体を乳化重合して得られる有機粒子(B)は、アミド基を含む水溶性樹脂(A)の存在下で、1種以上のビニル単量体を乳化重合して得られた(共)重合体エマルションであることが好ましい。この場合、アミド基を含む水溶性樹脂(A)としては少なくともメタクリルアミドを含むモノマーを重合した樹脂が好ましい。
[有機粒子(B)の製造方法]
有機粒子(B)の合成方法には特に制約はないが、水を主成分とした溶媒中で行う乳化重合が好ましい。有機粒子(B)の重合安定性、保存安定性を向上するなどの目的で、適宜、界面活性剤や水溶性高分子を用いることができる。
このうち、界面活性剤としては、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤などが挙げられる。半導体装置の製造プロセスにおいて、特に好ましい界面活性剤は、金属を含有しないものである。
金属を含有しないアニオン系界面活性剤としては、たとえば、ドデシルベンゼンスルホン酸、ラウリル硫酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、アルキルナフタレンスルホン酸、ジアルキルスルホコハク酸、ステアリン酸、オレイン酸、ジオクチルスルホサクシネート、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸、ジアルキルスルホコハク酸、ステアリン酸、オレイン酸、tert-オクチルフェノキシエトキシポリエトキシエチル硫酸等の塩が挙げられ、たとえばアンモニウム塩とすることができる。
また、金属を含有しないノニオン性界面活性剤としては、一般的に親水性基としてエチレングリコール鎖を有しており、金属を含有していないものが多い。たとえば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、オキシエチレン・オキシプロピレンブロックコポリマー、tert-オクチルフェノキシエチルポリエトキシエタノール、ノニルフェノキシエチルポリエトキシエタノール等が挙げられる。
さらに、金属を含有しないカチオン系界面活性剤としては、たとえば、ラウリルトリメチルアンモニウムクロライド、ステアリルトリメチルアンモニウムクロライド、セチルトリメチルアンモニウムクロライド、ジステアリルジメチルアンモニウムクロライド、アルキルベンジルジメチルアンモニウムクロライド、ラウリルベタイン、ステアリルベタイン、ラウリルジメチルアミンオキサイド、ラウリルカルボキシメチルヒドロキシエチルイミダゾリニウムベタイン、ココナットアミンアセテート、ステアリルアミンアセテート、アルキルアミングアニジンポリオキシエタノール、アルキルピコリニウムクロライド等が挙げられる。これらの分散剤は1種または2種以上を選択することができる。
また、有機粒子(B)の重合の際に、重合安定性、保存安定性を向上するなどの目的で使用する水溶性高分子は、上述したアミド基を含む水溶性樹脂(A)を含んでいても含んでいなくてもよい。
また、水溶性樹脂は、半導体装置の製造プロセスにおいては、金属を含有しないものが好ましい。金属を含有しない水溶性高分子としては、たとえば、ポリビニルアルコール、変成ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、(メタ)アクリル酸(共)重合体、ポリ(メタ)アクリルアミド(共)重合体、エチレングリコール等の水溶性ポリマーが挙げられる。
有機粒子(B)の合成時の重合開始剤には制約はないが、水溶性ラジカル開始剤が好ましく、過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩や4,4’-アゾビス(4-シアノ吉草酸)等の水溶性アゾ系開始剤が特に好ましい。半導体装置の製造プロセスにおいて、特に好ましい重合開始剤は金属を含有しないものである。
金属を含有しない重合開始剤としては、たとえば、過酸化水素、過硫酸アンモニウム、アゾビスシアノ吉草酸、2,2’−アゾビス(2-アミジノプロパン)二塩酸塩、2,2’−アゾビス〔2−(N-フェニルアミジノ)プロパン〕二塩酸塩、2,2’−アゾビス{2−〔N−(4-クロロフェニル)アミジノ〕プロパン}二塩酸塩、2,2’−アゾビス{2−〔N−(4-ヒドロキシフェニル)アミジノ〕プロパン}二塩酸塩、2,2’−アゾビス〔2−(N−ベンジルアミジノ)プロパン〕二塩酸塩、2,2’−アゾビス〔2-(N-アリルアミジノ)プロパン〕二塩酸塩、2,2’−アゾビス{2−〔N−(2-ヒドロキシエチル)アミジノ〕プロパン}二塩酸塩、アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス{2-メチル−N−〔1,1−ビス(ヒドロキシメチル)−2−ヒドロキシエチル〕プロピオンアミド}、2,2’−アゾビス{2-メチル−N−〔1,1−ビス(ヒドロキシメチル)エチル〕プロピオンアミド}、2,2’−アゾビス[2−メチル−N−〔2−ヒドロキシエチル〕プロピオンアミド]、2,2’−アゾビス(イソブチルアミド)二水和物等のアゾ化合物;クメンハイドロパーオキサイド、t−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t−ブチルパーオキシベンゾエート、ラウロイルパーオキサイド等の有機過酸化物が挙げられ、これらの1種、または2種以上を選択することができる。
開始剤は水溶性であることが好ましく、過硫酸アンモニウム、アゾビスシアノ吉草酸、2,2’−アゾビス(2-アミジノプロパン)二塩酸塩がより好ましいものである。一般的な開始剤の使用量は、(共)重合させるモノマーの全重量を基準として0.1〜5重量%である。
有機粒子(B)の合成時の重合温度には制約はないが、製造時間や単量体の共重合体への転化率(反応率)などを考慮に入れると30〜95℃の範囲で合成することが好ましく、50〜85℃が特に好ましい。
また、有機粒子(B)の重合時には、製造安定性を向上する目的でpH調製剤や金属イオン封止剤であるEDTAもしくはその塩などを使用することも可能である。共重合エマルション形成後、アンモニア(水)や水酸化ナトリウムなどの一般的な中和剤でpH調整を行ってもよく、金属塩を含まない中和剤がより好ましい。該中和剤としてはアンモニア(水)、各種アミン類などが挙げられる。
また、本発明において、有機樹脂(B)は、25℃以上のガラス転移点を有する共重合樹脂からなる粒子であることが研磨材としたときにディッシングの抑制効果に優れるので特に好ましい態様である。この構成において、アミド基を含む水溶性樹脂(A)が、アミド基を含有する水溶性共重合樹脂であってもよい。以下、この態様について具体的に説明する。なお、本発明において、ガラス転移点は計算値を意味する。
(25℃以上のガラス転移点を有する共重合樹脂)
本発明に係る25℃以上のガラス転移点を有する共重合樹脂は、高い研磨速度が得られ、研磨時のパッド上での組成変化を抑制する点で,ガラス転移点の計算値が25℃以上であることが好ましく、さらに好ましくは40℃以上200℃以下である。
また、25℃以上のガラス転移点を有する共重合樹脂は、金属イオンを捕捉し得る官能基を有してもよい。こうすることにより、研磨品位を向上させることができる。
また、具体的には、有機樹脂(B)が金属イオンを捕捉し得る官能基を有し、アミド基を有する水溶性樹脂(A)がアミド基を有するビニル単量体の水溶性共重合樹脂であって、これらが共存することが好ましい。金属イオンを捕捉し得る官能基を有し25℃以上のガラス転移点を有する共重合樹脂の外殻部(表層部)に、アミド基を有するビニル単量体の水溶性共重合樹脂が存在する構成とすることにより、高い研磨速度と高い段差解消性とをさらに効果的に得ることができる。
金属イオンを捕捉し得る官能基は、たとえばカルボキシル基、アミド基、スルホン酸基、リン酸基、シアノ基、カルボニル基、ヒドロキシル基からなる群から選ばれる少なくとも1種とすることができる。また、金属イオンを捕捉し得る官能基としては、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸等の陰イオンを形成し得る官能基、ヒドロキシル基、シアノ基、カルボニル基、アセトアセチル基等の電気陰性度の高い中性官能基が好ましい。
本発明に係る25℃以上のガラス転移点を有する共重合樹脂は、公知の水溶液重合、乳化重合、分散重合等により製造できるが、これらに限定されるものではない。
(有機粒子(B)を形成する共重合樹脂のガラス転移点(Tg)の計算方法)
複数の単量体を重合した共重合樹脂のガラス転移点(Tg)は、フォックス(Fox)の式により計算によって求めることができる。
ここで、フォックスの式とは、共重合体を形成する個々の単量体について、その単量体の単独重合体のTgに基づいて、共重合体のTgを算出するものであり、その詳細は、ブルテン・オブ・ザ・アメリカン・フィジカル・ソサイエティー、シリーズ2(Bulletin of the American Physical Society, Series 2)1巻、3号、123頁(1956年)に記載されている。
フォックスの式による共重合体のTgを評価するための各種不飽和単量体についてのTgは、たとえば、新高分子文庫、第7巻、塗料用合成樹脂入門(北岡著、高分子刊行会)168〜169頁に記載されている数値を採用することができる。また、計算科学ソフトウェア "Cheops ver. 4"(Million Zillion Software Inc.)を用いることにより、単量体の単独重合体のTgを計算することができる。
共重合樹脂からなる粒子を構成する単量体の組成としては、たとえば、全単量体の質量をベースとして、金属イオンを捕捉し得る官能基を有する単量体1〜80重量部、単独重合体のガラス転移点計算値が25℃以上のビニル単量体20〜99重量部を重合して得られる共重合体樹脂とする。こうすることにより、さらに高い研磨速度を維持し、ディッシングを低減することができる。
金属イオンを捕捉し得る官能基を有する単量体の含有量は、さらに好ましくは5〜60重量部である。
本発明で用いられる金属イオンを捕捉し得る官能基を有する単量体としては、アクリル酸などの不飽和一塩基酸、イタコン酸などの不飽和二塩基酸又はこれらのモノエステル類;
スチレンスルホン酸ナトリウムなどのスルホン酸含有単量体;
アクリロニトリルなどのシアノ基含有単量体;
アセトアセトキシエチルアクリレートなどのケトン基含有単量体;
等が挙げられ、これらは単独で使用してもよいし、2種以上を組み合わせて使用しても構わない。
これらのうち、特に、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコン酸、フマル酸、マレイン酸、アリルスルホン酸、メタリルスルホン酸、2-メタクロイロキシエチルアシッドフォスフェート、アセトアセトキシエチル(メタ)アクリレート、アセトアセトキシブチル(メタ)アクリレートが好ましい。
本発明で用いられる単独重合体のTgが25℃以上となるビニル単量体としては、スチレン、メチルメタクリレート、イソボルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、エチルメタクリレート、ブチルメタクリレート等の(メタ)アクリル酸アルキル等の疎水性ビニル単量体;
2−ヒドロキシエチルメタクリレート等の水酸基含有ビニル単量体;
メタクリル酸グリシジル等のグリシジル基含有ビニル単量体;
等が挙げられる。また、他に、アクリロニトリル、アクリルアミド、メタクリルアミド、アクリル酸、メタクリル酸、メタクリル酸ベンジル、酢酸ビニル等が挙げられる。
また、有機粒子(B)を形成する共重合樹脂の原料として、必要に応じて、架橋性ビニル単量体を使用してもよく、該単量体としては、メチレンビス(メタ)アクリルアミド、ジビニルベンゼン、ポリエチレングリコール鎖含有ジ(メタ)アクリレートなどが例示できる。
また、架橋性ビニル単量体が2つ以上のビニル基を含有するものであっても構わない。
(アミド基を含有する水溶性共重合樹脂)
本発明の研磨材スラリーは、有機樹脂(B)として前述した25℃以上のガラス転移点を有する共重合樹脂を含むとともに、アミド基を含む水溶性樹脂(A)としてアミド基を含む水溶性共重合樹脂とを含有することによって、さらに高い研磨速度を得ることができる。アミド基を含有する水溶性共重合樹脂は、たとえば、アミド基を含有するビニル単量体を重合して得られる共重合樹脂とする。
水溶性共重合樹脂とは、該共重合樹脂の含有量が10重量部である水溶液の光透過率(波長400nm、UV/VIS/NIRスペクトロメーター JASCO V-570使用)が、85%以上となる水溶解度の高い共重合樹脂である。アミド基を含む化合物としては、メタクリルアミドが特に好ましい。
この構成において、アミド基を含有する水溶性共重合が、全単量体の質量をベースとして、アミド基を含有するビニル系単量体50〜99重量部、それ以外のビニル単量体1〜50重量部を重合して得られる共重合樹脂であり、水溶性であってもよい。こうすることにより、さらに高い研磨速度を維持し、またディッシングを低減することができる。
アミド基を有する共重合樹脂の含有率は、金属とアミド基を有する水溶性共重合樹脂の化学反応をさらに確実に進行させて、目的とする研磨速度をより確実に達成する観点では、研磨材スラリー中1重量%以上とすることが好ましく、さらに好ましくは3重量%以上である。
また、アミド基を有する共重合樹脂の含有率は、スラリーの粘度の上昇による流動性の低下を抑制して、充分な研磨速度を達成する観点では、20重量%以下が好ましく、特に好ましくは10重量%以下である。
(共重合樹脂粒子とアミド基含有水溶性共重合樹脂の複合体形態)
アミド基を含む水溶性樹脂(A)がアミド基含有水溶性共重合樹脂であって、有機粒子(B)が共重合樹脂粒子である場合、共重合樹脂粒子の外殻部(表層部)に、アミド基含有水溶性共重合樹脂の一部が化学的あるいは物理的に吸着した複合形態をとることにより、研磨速度の圧力依存性を向上することができる。
ここで、アミド基含有水溶性共重合樹脂と共重合樹脂粒子が形成する複合粒子とは、動的光散乱法によって測定した粒子径(d1)が、水溶性樹脂を観察することができない透過型電子顕微鏡によって測定した粒子径(d2)より大きく、共重合樹脂粒子の周辺に、共重合樹脂粒子と親和性の高い層(層厚d1−d2)が存在していると間接的に分析できる樹脂粒子のことである。
また、このとき、金属イオンを捕獲し得る官能基を有する共重合樹脂からなる粒子の外殻部および/または表層部を、アミド基を含有するビニル単量体を重合して得られる共重合樹脂が被覆していてもよい。なお、外殻部とは、粒子内部の外殻の部分(コア)を指し、表層部とは、粒子の表面近傍の領域を指す。ここで、アミド基を含有するビニル単量体が、(メタ)アクリルアミドであってもよい。
アミド基含有水溶性共重合樹脂と共重合樹脂粒子が形成する複合樹脂粒子は、たとえば、アミド基含有水溶性共重合樹脂の存在下で共重合樹脂からなる粒子を重合するか、樹脂粒子の存在下でアミド基含有水溶性共重合樹脂を重合するか、あるいは両者を各々重合した後に混合することによって得ることができる。
また、共重合樹脂を得る場合に、必要に応じてt−ドデシルメルカプタン、n−ドデシルメルカプタン等のメルカプタン類、イソプロパノールなどのアルコール類を分子量調整剤として使用することも可能である。
半導体製造プロセスにおいては、共重合樹脂は、金属成分を含有しないことが被研磨物である金属配線の信頼性向上の点で好ましく、金属を含有しない共重合樹脂を得るためには、金属を含有しない単量体、重合開始剤、必要に応じて水溶性高分子や界面活性剤などの分散剤、その他添加剤を使用することで製造することができる。
金属を含有しない重合開始剤としては、たとえば、過酸化水素や過硫酸アンモニウム、クメンハイドロパーオキサイド、t−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド等の有機過酸化物、アゾビスシアノ吉草酸、2,2’−アゾビス(2‐アミノジプロパン)二塩基酸塩等のアゾ化合物等が挙げられ、これらの1種、または2種以上を選択して使用することができる。
開始剤は水溶性であることが好ましく、過硫酸アンモニウム、アゾビスシアノ吉草酸、2,2’−アゾビス(2‐アミノジプロパン)二塩基酸塩がより好ましい。
一般的な開始剤の使用量は、(共)重合させる単量体の全質量を基準として0.1〜5質量%である。
アミド基を含む水溶性樹脂(A)をアミド基含有水溶性共重合樹脂とし、有機樹脂(B)を共重合樹脂粒子とすることにより、研磨時の組成変化を抑制してエッチングを十分に低下し、より一層信頼性の高い埋め込みパターンを形成できる研磨材スラリーが提供される。また、研磨パッド上の組成変化を抑制することによって、高い研磨速度を示し、スクラッチやディッシング、エロージョンの発生を著しく抑制することができる。
また、不溶性錯体形成剤やポリアクリル酸などの金属のエッチング抑制剤を含有するスラリーに比べて、配線上の研磨残渣(削り残し)が少なく、スクラッチやエロージョンを著しく低減し、エッチング抑制効果が高く金属配線部の窪み(ディッシング)の発生を低減させることができる。
本発明の研磨材スラリーにおいて、全樹脂成分に対して、アミド基を含む水溶性樹脂(A)を10重量%以上90重量%以下、有機粒子(B)を90重量%以上10重量%以下含んでもよい。
全樹脂成分に対して、アミド基を含む水溶性樹脂(A)を10重量%〜90重量%含むことは、研磨品位の点で好ましい態様である。また、全樹脂固形分に対するアミド基を含む水溶性樹脂(A)の固形分含有量は、研磨速度を速くする観点では、10重量%以上であることが好ましく、より好ましくは30重量%以上である。また、全樹脂固形分に対するアミド基を含む水溶性樹脂(A)の固形分含有量は、エロージョンをさらに効果的に抑制する観点では、90重量%以下であることが好ましく、より好ましくは70重量%以下である。
また、全樹脂固形分に対する有機粒子(B)の固形分含有量は、研磨速度を向上させる観点では、10重量%以上であることが好ましく、30重量%以上であることがより好ましい。また、全樹脂固形分に対する有機粒子(B)の固形分含有量は、研磨速度を安定化する観点では、90重量%であることが好ましく、70重量%以下であることがより好ましい。
本発明の研磨材スラリーには各種添加剤を添加してもよい。該添加剤は、重合前、重合中、重合後に使用することができる。
添加剤としては、たとえば、pH調整剤、キレート剤、顔料、濡れ剤、帯電防止剤、酸化防止剤、防腐剤、紫外線吸収剤、光安定化剤、蛍光増白剤、着色剤、浸透剤、発泡剤、離型剤、消泡剤、制泡剤、流動性改良剤、増粘剤等が挙げられるが、これらに制約されるものでもない。
本発明の研磨材は、上述した研磨材スラリーを必須成分として含む。
また、本発明の研磨材には、各種化合物を添加することができる。該化合物としては、水溶性錯体形成化合物、各種酸化剤、ベンゾトリアゾール、キナルジン酸等の窒素含有複素環化合物、および、ポリアクリル酸、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、グルコース等の水溶性高分子、界面活性剤等の物質が挙げられ、これらは単独でまたは2種類以上組み合わせて添加してもよい。その添加量、種類については、本発明の目的を達成することができる限り、特に限定されない。
たとえば、本発明の研磨材は、上述した研磨材スラリーと、酸化剤と、金属と錯体を形成し得る化合物と、防食剤とを含有する。
また、本発明の研磨材が、上述した研磨材スラリーと、金属と錯体を形成し得る化合物と、水とを含有してもよい。こうすることにより、研磨速度をさらに安定的に制御することができる。
金属と錯体を形成し得る化合物における金属とは、具体的には被研磨金属である。
また、金属と錯体を形成し得る化合物とは、具体的には、金属と錯体を形成し得る水溶性化合物である。
また、研磨安定化の観点では、本発明の研磨材が、さらに酸化剤を含んでもよい。
また、本発明の研磨材が、金属と錯体を形成し得る水溶性化合物を含み、これらがカルボン酸類、アミン類、アミノ酸類およびアンモニアから選ばれる少なくとも1種であり、酸化剤を含み、これらが過酸化水素であってもよい。こうすることにより、高い研磨速度と低いディッシングをさらに確実に両立させることができる。
研磨材全体に対する全樹脂成分の含有量はたとえば、1重量%以上で15重量%以下である。こうすることにより、研磨速度をさらに向上させることができる。
(錯体形成化合物)
金属と錯体を形成し得る化合物(錯体形成化合物)としては水溶性化合物が好ましく、具体的には、研磨速度を向上させることを目的として、酢酸、シュウ酸、リンゴ酸、酒石酸、コハク酸、クエン酸等のカルボン酸類;
メチルアミン、ジメチルアミン、トリエチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン等のアミン類;
グリシン、アスパラギン酸、グルタミン酸、システイン等のアミノ酸類;
アセチルアセトン等のケトン類;
イミダゾール等のN(窒素)含有環状化合物;
アンモニア等が挙げられる。好ましくは、シュウ酸、リンゴ酸、エチルアミンが挙げられる。
また、本発明の研磨材スラリーが、有機樹脂(B)として前述した25℃以上のガラス転移点を有する共重合樹脂を含むとともに、アミド基を含む水溶性樹脂(A)としてアミド基を含む水溶性共重合樹脂を含む場合、好ましくは、カルボン酸類、アミン類、アミノ酸類、アンモニアが挙げられ、より好ましくはシュウ酸、マロン酸、酒石酸、グリシンが挙げられる。
被研磨金属と錯体を形成し得る化合物が、スラリー中に0.5〜5重量%含有していることは、エッチング抑制の点で好ましい態様である。
研磨材全体に対する被研磨金属と錯体を形成し得る化合物(錯体形成化合物)の含有量は、その効果を充分に発揮させて、目的とする研磨速度をさらに確実に達成させる観点では、好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上とする。
また、研磨材中の錯体形成化合物の含有量は、被研磨金属と錯体形成が過剰に進行することを抑制し、研磨対象外の被研磨金属が溶出するディッシングをさらに効果的に抑制する観点では、好ましくは10重量%以下、さらに好ましくは5重量%以下とする。
また、被研磨表面の保護を目的として、研磨材中にベンゾトリアゾール、キナルジン酸等の窒素含有複素環化合物を少量添加することが可能である。その研磨材中の含有量は、その効果を充分に発揮させて、目的とする保護効果を確実に得る観点では、好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.2重量%以上とする。また、被研磨金属と強固な保護機能を有する錯体の形成に伴う研磨速度の著しい低下を抑制する観点では、研磨剤中の窒素含有複素環化合物の含有量を好ましく1重量%以下、さらに好ましくは0.5重量%以下とする。
(酸化剤)
酸化剤としては、過酸化水素、過硫酸アンモニウムなどが使用できるが、好ましくは過酸化水素を使用する。酸化剤のスラリー中の含有率は、金属と樹脂の化学反応を進行させて目的とする研磨速度を確実に達成する観点では、好ましくは0.1重量%以上、さらに好ましくは0.5重量%以上とする。また、金属表面に生成する酸化膜の不動態化による研磨が進行の阻害を抑制する観点では、酸化剤の含有率を好ましくは15重量%以下、さらに好ましくは5重量%以下とする。
(pH)
本発明の研磨材において、pHが7以上11以下の範囲であることは、研磨品位の点で好ましい態様である。また、pHが7以上9以下であることは、エロージョン低減の点で好ましい態様である。
また、本発明の研磨材のpHは、金属の溶出をさらに確実に抑制してディッシングをより効果的に抑制する観点では、好ましくは5以上、さらに好ましくは7以上とする。また、研磨材のpHは、金属膜研磨の最終点となる半導体絶縁膜と金属配線が同一面上に存在する点において、絶縁膜を溶解させたり、部分的に分解させたりすることをさらに効果的に抑制する観点では、好ましくは11以下、さらに好ましくは9以下とする。
また、本発明の研磨材スラリーが、有機樹脂(B)として前述した25℃以上のガラス転移点を有する共重合樹脂を含むとともに、アミド基を含む水溶性樹脂(A)としてアミド基を含む水溶性共重合樹脂を含む場合、研磨材のpHは、好ましくは7以上である。こうすることにより、金属の腐食の進行および金属イオンの溶出がより一層確実に抑制されるため、ディッシングやファング等の欠陥形成をさらに充分に抑制することができる。ここで、ファングとは、銅層とバリヤメタル層の界面部分で腐食反応が促進して銅イオンが溶出して生じるスリット形状の窪みである。
また、この場合においても、研磨材のpHは、好ましくは11以下であり、さらに好ましくは9以下である。こうすることにより、金属膜研磨の最終点となる半導体絶縁膜と金属配線が同一面上に存在することによる絶縁膜の溶解や部分的な分解がより一層抑制される。
また、この構成において、アニオン性のアミド基を含む水溶性樹脂(A)と有機粒子(B)との複合体を安定的に形成する観点では、研磨材スラリーのpHを8以上10以下とすることが好ましい。
この研磨材のpH調整に使用する物質は、特には限定されないが、金属を含有しないアルカリ性物質としては、アンモニア、トリエチルアミン、ジエチルアミン、エチルアミン、トリメチルアミン、ジメチルアミン、メチルアミン、トリエタノールアミン、ジエタノールアミン、モノエタノールアミン等のアミン類;
NaOH、KOH等の無機類;
水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム等のアルキルアンモニウム塩等が挙げられる。
また、酸性物質としては、塩酸、硝酸等の無機類、酢酸、シュウ酸、クエン酸等の有機酸類が挙げられる。これらのpH調整剤は、上記に示した金属の配位子となりうる水溶性化合物を兼ねてもよく、上記に示した金属と錯体を形成し得る水溶性化合物であってもよい。また、これらの物質は、2種以上を組み合わせて使用してもよい。
(研磨材スラリーの製造方法)
本発明の研磨材スラリーの製造方法として、たとえば、アミド基を含む水溶性樹脂(A)と有機粒子(B)を別々に合成したのち混合する方法、アミド基を含む水溶性樹脂(A)の存在下で有機粒子(B)を重合する方法、有機粒子(B)の存在下で水溶性樹脂(A)を合成する方法が挙げられる。この中で、有機粒子(B)の分散性の点で、アミド基を含む水溶性樹脂(A)の存在下で有機粒子(B)を乳化重合する方法が好ましい。
(研磨材の製造方法)
研磨材スラリー、水、錯体形成化合物、pH調整剤等を徐々に加えて研磨材を製造することができる。この製造方法に特に限定はないが、pH調整した研磨材スラリーに、pH調整した錯体形成化合物の水溶液を加え、よく攪拌混合するのが好ましい。その後、徐々に、酸化剤を加えて、さらに攪拌混合する。
そして、最終的なpHと濃度を調整後、ろ紙濾過により、不溶解物と凝集体を取り除き、研磨材とする。この研磨材は、具体的にはCMP用研磨材である。
また、アミド基を含む水溶性樹脂(A)がアミド基含有水溶性共重合樹脂であって、有機樹脂(B)が共重合樹脂粒子である場合、金属イオンを捕獲し得る官能基とアミド基を有する水溶性共重合樹脂粒子、水、錯体形成化合物、pH調整剤などを徐々に加えて研磨材を製造することができる。
製造方法に特に限定はないが、それぞれpH調整した、錯体形成化合物の水溶液、共重合樹脂粒子を、少量ずつ攪拌混合することが好ましい。そして、最終的なpHと濃度を調整後、不溶解物と凝集体を取り除き、研磨材とする。
(その他、添加剤)
添加剤は共重合樹脂の重合前、重合中、重合後いずれにおいても使用することができる。
添加剤としては、たとえば、防食剤、濡れ剤、帯電防止剤、酸化防止剤、防腐剤、紫外線吸収剤、光安定化剤、蛍光増白剤、着色剤、浸透剤、発泡剤、離型剤、消泡剤、制泡剤、抑泡剤、流動性改良剤、増粘剤等が挙げられるが、半導体プロセスにおいては、金属を含有しないものを適宜選択することができる。
防食剤としては、ベンゾトリアゾール、キナルジン酸、キノリン酸などの窒素含有複素環化合物、フェニルアラニン等の芳香族アミノ酸を単独または2種類以上組み合わせて添加してもよい。
その他に、研磨促進剤として、塩素、フッ素、沃素を含むハロゲン化物を、単独、または、2種類以上組み合わせて添加してもよい。
各種添加剤の添加量、種類については、本発明の目的を達成することができる限り、特に限定されない。
本発明の研磨材スラリーによれば、良好な研磨速度を確保しつつ、下地の損傷を抑制することができるため、たとえば半導体装置製造の配線形成工程において、絶縁膜表面、あるいはタングステン、アルミニウム、銅などの金属配線を傷つけることなく研磨し、平坦化することができる。また、高い研磨速度を示し、スクラッチやエロージョンの発生を著しく抑制する研磨材スラリーを提供することができる。
本発明は、以下の態様も含む。
(1−1)アミド基を含む樹脂(A)と1種以上のビニル単量体を乳化重合して得られる樹脂(B)を含むことを特徴とする研磨材スラリー(研磨材用エマルション)。
(1−2)アミド基を含む樹脂(A)と1種以上のビニル単量体を乳化重合して得られる樹脂(B)を混合してなることを特徴とする(1−1)に記載の研磨材スラリー。
(1−3)樹脂(B)がアミド基を含む樹脂(A)の存在下で1種以上のビニル単量体を乳化重合して得られる樹脂であることを特徴とする(1−1)に記載の研磨材スラリー。
(1−4)アミド基を含む樹脂(A)が1種以上のビニル単量体を乳化重合して得られる樹脂(B)の存在下で重合して得られる樹脂であることを特徴とする(1−1)に記載の研磨材スラリー。
(1−5)全樹脂成分に対して、樹脂(A)を10重量%以上90重量%以下含むことを特徴とする(1−1)乃至(1−4)いずれかに記載の研磨材スラリー。
(1−6)(1−1)乃至(1−5)いずれかに記載の研磨材スラリー、被研磨金属と錯体を形成しうる化合物および水を含有することを特徴とする研磨材(研磨材スラリー)。
(1−7)全樹脂成分が、研磨材中に1重量%以上15重量%以下含有していることを特徴とする(1−6)に記載の研磨材。
(1−8)前記被研磨金属と錯体を形成しうる化合物が、研磨材中に0.5重量%以上5重量%以下含有していることを特徴とする(1−6)または(1−7)に記載の研磨材。
(1−9)前記研磨材のpHが7以上9以下であることを特徴とする(1−6)乃至(1−8)いずれかに記載の研磨材。
(1−10)さらに酸化剤を含有することを特徴とする(1−6)乃至(1−9)いずれかに記載の研磨材。
(2−1)アミド基を含有する水溶性共重合樹脂(A)およびガラス転移点が25℃以上である共重合樹脂からなる粒子(B)を含有することを特徴とする研磨材スラリー(金属研磨用スラリー)。
(2−2)(2−1)に記載の共重合樹脂からなる粒子(B)が、金属イオンを捕捉しうる官能基を有することを特徴とする(2−1)に記載の研磨材スラリー。
(2−3)(2−2)記載の金属イオンを捕捉し得る官能基が、カルボキシル基、アミド基、スルホン酸基、リン酸基、シアノ基、カルボニル基、ヒドロキシル基から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする(2−2)に記載の研磨材スラリー。
(2−4)共重合樹脂からなる粒子(B)が金属イオンを捕捉し得る官能基を有する共重合樹脂からなり、水溶性共重合樹脂(A)がアミド基を含有するビニル単量体を重合して得られる共重合樹脂であることを特徴とする(2−1)に記載の研磨材スラリー
(2−5)金属イオンを捕獲しうる官能基を有する共重合樹脂からなる粒子(B)に、外殻部および/または表層部にアミド基を含有するビニル単量体を重合して得られる水溶性共重合樹脂(A)が被覆していることを特徴とする(2−4)に記載の研磨材スラリー。
(2−6)(2−4)または(2−5)に記載のアミド基を含有するビニル単量体が、(メタ)アクリルアミドであることを特徴とする(2−4)または(2−5)に記載の研磨材スラリー。
(2−7)さらに、酸化剤、金属と錯体を形成しうる水溶性化合物、防食剤を含有することを特徴とする、(2−1)乃至(2−6)いずれか一項に記載の研磨材スラリー。
以下、実施例により、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれら諸例によって限定されるものではない。
なお、諸例中の部数および%は特に指定のない場合はすべて重量部および重量%を表す。
また、以下の実施例で得られたアミド基を含む水溶性樹脂(A)の分子量は、いずれも5000〜500000の範囲にあった。
研磨材スラリーを用いた研磨材の評価は下記の方法により行った。
1.研磨速度
研磨材:実施例および比較例における研磨材スラリーを含む
被研磨物:シリコンウェーハの基板上に、熱酸化膜5000オングストローム/スパッタ法により形成したTa膜300オングストローム/CVD法で形成しためっき用シード銅膜1500オングストローム/メッキ法で形成した銅膜15000オングストロームが積層された8インチシリコンウェーハ
研磨装置:Applied materials社製MIRRA3400
研磨パッド:NITTA HASS社製IC1400 XYグルーブ
研磨荷重:2.0psi
研磨時間:1min
研磨材供給量:200cc/min
定盤回転数:87rpm
基板側回転数:83rpm
1)研磨速度算出
被研磨物を、超純水洗浄および超音波洗浄した後、乾燥させ、4端子プローブを用いたシート抵抗測定により研磨前後での膜厚を測定した。膜厚の変化量と研磨時間から平均研磨速度を算出した。
2)表面欠陥
研磨後の被研磨物を、超純水により洗浄、乾燥させた後、微分干渉顕微鏡、倍率×2,500倍にて、表面を観察した。なお、0.1μm以上の長さを持つ表面上の傷を、スクラッチと判断した。
○:傷、スクラッチ5個以下
×:傷、スクラッチ5個を超える
2.エロージョン量測定
エロージョン量の測定は、以下の方法で行った。上記の研磨条件で研磨した後、パターン形成ウェーハ(SEMATECH#854)の配線幅100μm、配線幅10μmの溝の断面SEM(走査型電子顕微鏡)写真によりTa膜とSiO2膜の形状からエロージョンの発生の有無を確認した。
膜の一部またはすべてが欠落:エロージョン有り(×)
膜に欠落が無い:エロージョン無し(○)
3.保存安定性評価
大気圧、室温下にて、研磨材スラリーを6時間静置した。その後、研磨材スラリーの状態を目視により観察した。
○:上澄み、沈殿の生成なし
×:上澄み、沈殿の生成あり
(アミド基を含む水溶性樹脂(A)の製造例1)
攪拌機、還流冷却付きのセパラブルフラスコに蒸留水200重量部を仕込み、窒素ガスで置換した後、80℃に昇温した。次いで過硫酸アンモニウム2.0部を添加した後、以下の組成のビニル単量体と水の混合物を攪拌しながら2時間かけて連続的に添加した後、同温度で2時間熟成し、重合を完結させた。固形分が20.0%であるアミド基を含む水溶性樹脂(A−1)の水性液を得た。
メタクリルアミド65.0部
メタクリル酸10.0部
2-ヒドロキシエチルメタクリレート20.0部
メチルアクリレート5.0部
蒸留水200.0部
得られたアミド基を含む水溶性樹脂(A−1)の分子量を、製品名:PULLULAN(Shodex社製)をスタンダードとしたGPC−MALLS法により測定したところ、重量平均分子量Mwが39720となった。
(実施例1)
攪拌機、還流冷却付きのセパラブルフラスコに蒸留水360重量部を仕込み、窒素ガスで置換した後、80℃に昇温した。次いで過硫酸アンモニウム2.0部を添加した後、以下の組成のビニル単量体乳化物を3時間かけて連続的に添加し、さらに3時間保持して、重合を完結させた。固形分が20.0%である共重合樹脂つまり有機粒子(B−1)を得た。得られた有機粒子(B−1)の粒子径は、154nmであった。なお、本実施例および以下の実施例において、特に断りのない場合、有機粒子(B)の粒子径は、動的光散乱法により求め、数平均粒子径を粒子径とした。
これに先に得た共重合樹脂つまりアミド基を含む水溶性樹脂(A−1)を(A):(B)=1:9の割合で混合し、研磨材スラリー(1)を製造した。
(ビニル単量体乳化物)
n-ブチルアクリレート95.0部
メタクリル酸5.0部
ラウリル硫酸アンモニウム0.1部
蒸留水40.0部
(実施例2)
先に得られた樹脂(A−1)の水性液1167部に固形分調整用蒸留水360部を加え、再び窒素置換しながら、80℃に昇温した。次いで過硫酸アンモニウムを1.0部添加した後、以下の組成のビニル単量体乳化物を3時間かけて連続的に添加し、さらに3時間保持して、重合を完結させた。固形分が20.0%である研磨材スラリー(2)を得た。得られた有機粒子(B−1)の粒子径は、150nmであった。
(ビニル単量体乳化物)
スチレン55.0部
2-エチルヘキシルアクリレート40.0部
アクリル酸5.0部
ラウリル硫酸アンモニウム0.1部
蒸留水40.0部
(実施例3)
シュウ酸の水溶液を、アンモニアを使用し、pH8.3に調整した。この溶液と、アンモニアでpH8.3に調整した実施例1の研磨材スラリー(1)、純水、30%過酸化水素、ベンゾトリアゾールをよく混合し、研磨材用エマルション5.0wt%、過酸化水素2.0wt%、シュウ酸1.0wt%、ベンゾトリアゾール0.018wt%、pH8.3の研磨材を作製した。
前述した方法により研磨性能を評価した結果、一定の速度にて研磨が可能であり、研磨時間が長くなっても表面欠陥もないことから、この研磨材は研磨時の物理的な負荷に対して安定であり、被研磨物にスクラッチを生じさせないことを確認した。結果を表1に示す。
また、本実施例の研磨材中の粒子の粒子径を、動的光散乱法および透過型電子顕微鏡(TEM)観察により測定した。動的光散乱法で測定された粒子径d1は、154nmであり、TEM観察により求められた粒子径d2は、110nmであった。
この結果より、アミド基を含む水溶性樹脂(A)が樹脂粒子(B)の周辺に存在、被覆していることが間接的に推察される。
(実施例4)
実施例1の研磨材スラリー(1)を実施例2の研磨材スラリー(2)に置き換えた以外は、実施例3と同様の操作を行った。研磨結果を表1に示す。
(比較例1)
実施例1の研磨材スラリー(1)を市販のコロイダルシリカ(扶桑化学社製PL-1)に置き換えた以外は、実施例3と同様の操作、評価を行った。結果を表1に示す。
(比較例2)
実施例1の研磨材スラリー(1)を市販のアルミナ(日本アエロジル社製AEROXIDE AluC)に置き換えた以外は、実施例3と同様の操作、評価を行った。結果を表1に示す。
(実施例5)
本実施例は、有機粒子(B)の存在下でアミド基を含む水溶性樹脂(A)を重合して得られた研磨材スラリーに関する。
攪拌機、還流冷却付きのセパラブルフラスコに蒸留水360重量部を仕込み、窒素ガスで置換した後、80℃に昇温した。次いでアゾビスシアノ吉草酸2.0部を添加してから下記組成のビニル単量体乳化物を3時間かけて連続的に添加し、さらに3時間保持して、重合を完結させた。固形分が20.0%である共重合樹脂つまり有機粒子(B−2)を得た。得られた有機粒子(B−2)の粒子径は、191nmであった。
(ビニル単量体乳化物)
スチレン77.0部
アクリロニトリル20.0部
メタクリル酸3.0部
ラウリル硫酸アンモニウム0.1部
蒸留水40.0部
先に得られた有機粒子(B−2)の水性液500部を、再び窒素置換しながら、80℃に昇温した。次いで過硫酸アンモニウム2.0部を添加してから下記組成のビニル単量体と水の混合物を攪拌しながら2時間かけて連続的に添加した後、同温度で2時間熟成し、重合を完結させた。固形分が20.0%である研磨材スラリー(3)を得た。
メタクリルアミド89.5部
メタクリル酸5.0部
メチルメタクリレート5.0部
メチレンビスアクリルアミド0.5部
蒸留水400.0部
実施例1の研磨材スラリー(1)に代えて、得られた研磨材スラリー(3)を用い、実施例3と同様の操作を行った。研磨結果を表1に示す。
(実施例6)
本実施例は、実施例1におけるアミド基を含む水溶性樹脂(A)と有機粒子(B)の含有率を変化させた実施例である。
実施例1において、アミド基を含む水溶性樹脂(A)と有機粒子(B)を(A):(B)=4:6の割合で混合し研磨材スラリー(4)を製造し、実施例3と同様の操作を行った。結果を表1に示す。
(実施例7)
本実施例は、実施例3において、錯体を形成し得る化合物を変えた実施例である。
実施例3のシュウ酸をリンゴ酸に置き換えて、実施例3の研磨材スラリー(1)を実施例2の研磨材スラリー(2)に置き換えた以外は実施例3と同様の操作を行った。結果を表1に示す。
(実施例8)
本実施例は、実施例7の酸化剤を変えた例である。
実施例7の酸化剤を過酸化水素から過硫酸アンモニウムに置き換えた以外は実施例7と同様の操作を行った。結果を表1に示す。
(比較例3)
本比較例は、研磨材スラリーがアミド基を含む水溶性樹脂(A)だけを含有し有機粒子(B)を含まない例である。
実施例1において、アミド基を含む水溶性樹脂(A)と有機粒子(B)を(A):(B)=10:0の割合で混合し研磨材スラリー(5)を製造し、実施例3と同様の操作を行った。結果を表1に示す。
(比較例4)
本比較例は、研磨材スラリーが有機粒子(B)だけを含有しアミド基を含む水溶性樹脂(A)を含まない例である。
実施例1において、アミド基を含む水溶性樹脂(A)と有機粒子(B)を(A):(B)=0:10の割合で混合し研磨材スラリー(6)を製造し、実施例3と同様の操作を行った。結果を表1に示す。
Figure 2006112377
表1より、実施例3〜8の研磨材は、研磨速度を維持するとともに、エロージョンの抑制効果に優れていた。
さらに、以下の実施例および比較例では、以下の方法により研磨材スラリーの評価を行った。
1.研磨速度
研磨材:実施例および比較例における研磨材スラリーを含む
被研磨物:シリコンウェーハの基板上に熱酸化膜5000オングストローム/スパッタ法により形成したTa膜300オングストローム/CMP法で形成しためっき用シード銅膜1500オングストローム/めっき法で形成した銅膜15000オングストロームが積層した8インチシリコンウェーハ、配線パターン形成されたシリコンウェーハ(SEMATECH #854)
研磨装置: MAT社製 MAT-ARW-681M
研磨パッド:NITTA HASS社製 IC-1000/suba400
研磨荷重:3.0psi
研磨時間:1min
研磨材供給量:200cc/min
定盤回転数:90rpm
基板側回転数:90rpm
2.研磨速度算出
被研磨物を超純水洗浄および超音波洗浄した後、乾燥させ、4端子プローブを用いたシート抵抗測定により研磨前後での膜厚を測定した。
膜厚の変化量と研磨時間から平均研磨速度を算出した。
3.ディッシング測定
各実施例および比較例の研磨材を用い、上述した研磨条件で、配線パターン形成されたウェーハ(SEMATECH #854)を研磨した後、配線幅10μm領域における銅配線溝中心部の凹部の深さを触針式段差計により測定した。
研磨時間は、溝が形成されていない部分の銅研磨が完了するまでに要する時間の50%増とし、過研磨を実施した。
4.エッチング測定
過酸化水素2.0%、ベンゾトリアゾール0.04%、酢酸銅(II)0.08%を添加した研磨材70ccに、金属銅板(20×20×1mm)を浸漬し、1000rpmで研磨液を攪拌しながら、10分間保持する。浸漬前後の重量変化から、エッチング速度を算出した。
(アミド基を含む水溶性樹脂(A)の製造例2)
本実施例では、アミド基を含む水溶性樹脂(A)として、以下の方法でアミド基含有共重合樹脂(A−2)を製造した。
攪拌機、還流冷却付きのセパラブルフラスコに蒸留水200重量部を仕込み、窒素ガスで置換した後、75℃に昇温した。次いで過硫酸アンモニウム2.0部を添加してから、アクリルアミド99重量部、メタクリル酸1重量部と蒸留水200重量部の混合物を攪拌しながら2時間かけて連続的に添加した後、同温度で2時間熟成し、重合を完結させ、アミド基含有共重合樹脂(A−2)を得た。
(実施例9)
攪拌機、還流冷却付きのセパラブルフラスコに蒸留水260重量部と製造例2にて合成したアミド基含有共重合樹脂(A−2)100重量部を仕込み、窒素ガスで置換したあと、80℃に昇温した。次いで過硫酸アンモニウム2.0部を添加してから、表2に記載した組成のビニル単量体と蒸留水の乳化物を攪拌しながら4時間かけて連続的に前記フラスコ内に添加し、さらに4時間保持して、重合を完結させ、共重合樹脂(A−2)と、有機粒子(B)としてガラス転移点が25℃以上の共重合樹脂からなる粒子(B−3)を含有する研磨材スラリーを得た。
なお、得られた有機粒子(B−3)の粒子径は、188nmであった。
(実施例10〜16)
実施例9において、表2または表3に記載した組成(重量比)のビニル単量体を使用して、有機粒子(B)を製造した以外は、実施例9と同様に研磨材スラリーを得た。共重合樹脂のTg計算値は、計算科学ソフトウェアCheops ver.4(Million Zillion Software Inc.)を用いてビニル単量体の単独重合体のTgを算出し、さらにフォックス式を用いて表1記載の共重合樹脂のTg計算値を求めた。
本実施例および以降の実施例において、Tg計算の際には、各単量体のホモポリマーのTgとして以下の値を用いた。
メチルメタクリレート 377K
スチレン 376K
アクリロニトリル 422K
ブチルメタクリレート 287K
ブチルアクリレート 242K
メタクリル酸 417K
エチルアクリレート 262K
アセトアセトキシメタクリレート 324K
また、実施例10〜13において得られた有機粒子(B)の粒子径は、それぞれ以下の通りであった。
実施例10:160nm
実施例11:110nm
実施例12:159nm
実施例13:239nm
Figure 2006112377
Figure 2006112377
(実施例17、18)
攪拌機、還流冷却付きのセパラブルフラスコに蒸留水360重量部を仕込み、窒素ガスで置換したあと、80℃に昇温した。次いで過硫酸アンモニウム2.0部を添加してから、表4に記載した組成(重量比)のビニル単量体と蒸留水の乳化物を攪拌しながら4時間かけて連続的に前記フラスコ内に添加し、さらに4時間保持して、重合を完結させた。
各実施例において得られた有機粒子(B)の粒子径は、それぞれ以下の通りであった。
実施例17:167nm
実施例18:153nm
得られた共重合樹脂つまり有機樹脂(B)と実施例9にて合成したアミド基含有共重合樹脂(A−2)の重量比が1対1となるように、攪拌機にて混合した。
Figure 2006112377
(実施例19〜28、比較例5)
以下の方法で研磨材を作製した。
錯体を形成し得る化合物(錯体形成剤)をアンモニアにより中和し、実施例9〜18で製造した共重合樹脂AおよびBを合計10重量部(固形物換算)含有するスラリーに滴下混合して、研磨直前に過酸化水素(2%)と防食剤ベンゾトリアゾール(0.04%)を添加した。
また、比較例1においては、共重合樹脂AおよびBを含まない以外は実施例19〜28と同様にして、研磨材を作製した。
表5〜7に、各実施例および比較例における研磨材の成分、配合およびpHを示す。また、表8に、これらの研磨材の評価結果を示す。
Figure 2006112377
Figure 2006112377
Figure 2006112377
Figure 2006112377
表8より、実施例19〜28の研磨材は、研磨速度の維持およびエロージョンの抑制効果とディッシング抑制効果のバランスに優れていた。

Claims (17)

  1. アミド基を含む水溶性樹脂(A)と、
    有機粒子(B)と、
    を含むことを特徴とする研磨材スラリー。
  2. 請求項1に記載の研磨材スラリーにおいて、前記アミド基を含む水溶性樹脂(A)と前記有機粒子(B)とを混合して得られたものであることを特徴とする研磨材スラリー。
  3. 請求項1に記載の研磨材スラリーにおいて、前記有機粒子(B)が、前記アミド基を含む水溶性樹脂(A)の存在下で1種以上のビニル単量体を重合して得られる粒子であることを特徴とする研磨材スラリー。
  4. 請求項1に記載の研磨材スラリーにおいて、前記アミド基を含む水溶性樹脂(A)が、1種以上のビニル単量体を重合して得られる前記有機粒子(B)の存在下で重合して得られる樹脂であることを特徴とする研磨材スラリー。
  5. 請求項1乃至4いずれかに記載の研磨材スラリーにおいて、全樹脂成分に対して、前記アミド基を含む水溶性樹脂(A)を10重量%以上90重量%以下、前記有機粒子(B)を90重量%以上10重量%以下含むことを特徴とする研磨材スラリー。
  6. 請求項1に記載の研磨材スラリーにおいて、
    前記アミド基を含む水溶性樹脂(A)が、アミド基を含有する水溶性共重合樹脂であって、
    前記有機粒子(B)が、ガラス転移点が25℃以上である共重合樹脂からなる粒子である研磨材スラリー。
  7. 請求項6に記載の研磨材スラリーにおいて、ガラス転移点が25℃以上である前記共重合樹脂が、金属イオンを捕捉し得る官能基を有することを特徴とする研磨材スラリー。
  8. 請求項7に記載の研磨材スラリーにおいて、金属イオンを捕捉し得る前記官能基が、カルボキシル基、アミド基、スルホン酸基、リン酸基、シアノ基、カルボニル基、ヒドロキシル基からなる群から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする研磨材スラリー。
  9. 請求項7または8に記載の研磨材スラリーにおいて、アミド基を含有する前記水溶性共重合樹脂が、アミド基を含有するビニル単量体を重合して得られる共重合樹脂であることを特徴とする研磨材スラリー。
  10. 請求項9に記載の研磨材スラリーにおいて、金属イオンを捕獲し得る前記官能基を有する前記共重合樹脂からなる粒子の外殻部および/または表層部をアミド基を含有するビニル単量体を重合して得られる前記共重合樹脂が被覆していることを特徴とする研磨材スラリー。
  11. 請求項9または10に記載の研磨材スラリーにおいて、アミド基を含有する前記ビニル単量体が、(メタ)アクリルアミドであることを特徴とする研磨材スラリー。
  12. 請求項1乃至11いずれかに記載の研磨材スラリーと、酸化剤と、金属と錯体を形成し得る化合物と、防食剤とを含有することを特徴とする研磨材。
  13. 請求項1乃至11いずれかに記載の研磨材スラリーと、金属と錯体を形成し得る化合物と、水とを含有することを特徴とする研磨材。
  14. 請求項13に記載の研磨材において、さらに酸化剤を含有することを特徴とする研磨材。
  15. 請求項12乃至14いずれかに記載の研磨材において、当該研磨材全体に対する前記金属と錯体を形成し得る化合物の含有量が、0.5重量%以上5重量%以下であることを特徴とする研磨材。
  16. 請求項12乃至15いずれかに記載の研磨材において、当該研磨材全体に対する全樹脂成分の含有量が、1重量%以上15重量%以下であることを特徴とする研磨材。
  17. 請求項12乃至16いずれかに記載の研磨材において、当該研磨材のpHが7以上9以下であることを特徴とする研磨材。
JP2007526848A 2005-04-14 2006-04-14 研磨材スラリーおよびこれを用いた研磨材 Pending JPWO2006112377A1 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005116475 2005-04-14
JP2005116475 2005-04-14
JP2006057117 2006-03-03
JP2006057117 2006-03-03
PCT/JP2006/307907 WO2006112377A1 (ja) 2005-04-14 2006-04-14 研磨材スラリーおよびこれを用いた研磨材

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2006112377A1 true JPWO2006112377A1 (ja) 2008-12-11

Family

ID=37115096

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007526848A Pending JPWO2006112377A1 (ja) 2005-04-14 2006-04-14 研磨材スラリーおよびこれを用いた研磨材

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8460414B2 (ja)
JP (1) JPWO2006112377A1 (ja)
KR (1) KR100959439B1 (ja)
TW (1) TWI332982B (ja)
WO (1) WO2006112377A1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007220891A (ja) * 2006-02-16 2007-08-30 Toshiba Corp ポストcmp処理液、およびこれを用いた半導体装置の製造方法
JP5327050B2 (ja) * 2007-07-30 2013-10-30 日立化成株式会社 金属用研磨液及び研磨方法
KR20100049626A (ko) * 2007-09-03 2010-05-12 제이에스알 가부시끼가이샤 화학 기계 연마용 수계 분산체 및 그의 제조 방법, 화학 기계 연마용 수계 분산체를 제조하기 위한 키트, 및 반도체 장치의 화학 기계 연마 방법
KR100949250B1 (ko) * 2007-10-10 2010-03-25 제일모직주식회사 금속 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법
JP5202258B2 (ja) * 2008-03-25 2013-06-05 富士フイルム株式会社 金属研磨用組成物、及び化学的機械的研磨方法
KR101793288B1 (ko) * 2009-05-06 2017-11-02 바스프 에스이 측쇄 작용기를 함유하는 중합체 연마재를 포함한 수성 금속 연마제 및 cmp 공정에서 이의 용도
JP5721505B2 (ja) * 2011-04-01 2015-05-20 ニッタ・ハース株式会社 研磨用組成物
KR102267450B1 (ko) 2019-07-12 2021-06-23 주식회사 엠케어코리아 조향 장치를 갖는 급식 튜브
KR102267443B1 (ko) 2019-07-12 2021-06-23 주식회사 엠케어코리아 개선된 안전성을 갖는 급식 튜브

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001152135A (ja) * 1999-11-22 2001-06-05 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体の製造方法
JP2001267273A (ja) * 2000-01-11 2001-09-28 Sumitomo Chem Co Ltd 金属用研磨材、研磨組成物及び研磨方法
JP2004014813A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Showa Denko Kk 金属研磨組成物、それを用いた研磨方法及びそれを用いた基板の製造方法
JP2004123950A (ja) * 2002-10-04 2004-04-22 Mitsui Chemicals Inc 研磨剤
JP2004123931A (ja) * 2002-10-03 2004-04-22 Hitachi Chem Co Ltd 研磨液及び研磨方法
JP2004311967A (ja) * 2003-03-27 2004-11-04 Nippon Shokubai Co Ltd Cmp研磨剤用ポリマー及び組成物
JP2004335689A (ja) * 2003-05-07 2004-11-25 Mitsui Chemicals Inc 銅研磨用スラリー

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4443108A (en) * 1981-03-30 1984-04-17 Pacific Scientific Instruments Company Optical analyzing instrument with equal wavelength increment indexing
DE4202301A1 (de) * 1992-01-28 1993-10-21 Basf Ag Beschichtungsmittel
JP3172008B2 (ja) 1993-09-17 2001-06-04 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP3970439B2 (ja) 1997-10-31 2007-09-05 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JPH11216663A (ja) 1998-02-03 1999-08-10 Sony Corp 研磨パッド、研磨装置および研磨方法
JPH11333699A (ja) 1998-03-24 1999-12-07 Sony Corp 研磨パッド、研磨装置および研磨方法
EP1137056B1 (en) 1998-08-31 2013-07-31 Hitachi Chemical Company, Ltd. Abrasive liquid for metal and method for polishing
JP2000183003A (ja) 1998-10-07 2000-06-30 Toshiba Corp 銅系金属用研磨組成物および半導体装置の製造方法
KR100472882B1 (ko) * 1999-01-18 2005-03-07 가부시끼가이샤 도시바 수계 분산체, 이를 이용한 화학 기계 연마용 수계 분산체조성물, 웨이퍼 표면의 연마 방법 및 반도체 장치의 제조방법
TWI254070B (en) * 1999-08-18 2006-05-01 Jsr Corp Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing
JP4038943B2 (ja) 1999-08-18 2008-01-30 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体
WO2001017006A1 (fr) 1999-08-26 2001-03-08 Hitachi Chemical Company, Ltd. Compose de polissage chimiomecanique et procede de polissage
EP1104778B1 (en) * 1999-11-22 2004-11-03 JSR Corporation Method of production of composited particle for chemical mechanical polishing
US20030017785A1 (en) * 2001-03-02 2003-01-23 Kazumasa Ueda Metal polish composition and polishing method
JP2002261052A (ja) 2001-03-02 2002-09-13 Sumitomo Chem Co Ltd 研磨剤及び研磨方法
US20020173243A1 (en) 2001-04-05 2002-11-21 Costas Wesley D. Polishing composition having organic polymer particles
US6568997B2 (en) * 2001-04-05 2003-05-27 Rodel Holdings, Inc. CMP polishing composition for semiconductor devices containing organic polymer particles
JP2002322391A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Jsr Corp 水性被覆剤組成物および床用艶出し剤組成物
US6641630B1 (en) * 2002-06-06 2003-11-04 Cabot Microelectronics Corp. CMP compositions containing iodine and an iodine vapor-trapping agent
JP2004172606A (ja) * 2002-11-08 2004-06-17 Sumitomo Chem Co Ltd 金属研磨材組成物及び研磨方法
JP2004247605A (ja) * 2003-02-14 2004-09-02 Toshiba Corp Cmp用スラリーおよび半導体装置の製造方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001152135A (ja) * 1999-11-22 2001-06-05 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体の製造方法
JP2001267273A (ja) * 2000-01-11 2001-09-28 Sumitomo Chem Co Ltd 金属用研磨材、研磨組成物及び研磨方法
JP2004014813A (ja) * 2002-06-07 2004-01-15 Showa Denko Kk 金属研磨組成物、それを用いた研磨方法及びそれを用いた基板の製造方法
JP2004123931A (ja) * 2002-10-03 2004-04-22 Hitachi Chem Co Ltd 研磨液及び研磨方法
JP2004123950A (ja) * 2002-10-04 2004-04-22 Mitsui Chemicals Inc 研磨剤
JP2004311967A (ja) * 2003-03-27 2004-11-04 Nippon Shokubai Co Ltd Cmp研磨剤用ポリマー及び組成物
JP2004335689A (ja) * 2003-05-07 2004-11-25 Mitsui Chemicals Inc 銅研磨用スラリー

Also Published As

Publication number Publication date
US20090064597A1 (en) 2009-03-12
KR100959439B1 (ko) 2010-05-25
KR20080004598A (ko) 2008-01-09
US8460414B2 (en) 2013-06-11
TWI332982B (en) 2010-11-11
WO2006112377A1 (ja) 2006-10-26
TW200641104A (en) 2006-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4628423B2 (ja) 基板の研磨及び製造方法
JPWO2006112377A1 (ja) 研磨材スラリーおよびこれを用いた研磨材
EP2075824A1 (en) Polishing composition
US20070082456A1 (en) Polishing composition and polishing method
KR101067095B1 (ko) 연마용 조성물
EP2019419A1 (en) Method for producing polishing composition
JP2007235001A (ja) 研磨用スラリー
JP2005340755A (ja) 研磨組成物および研磨方法
JP2009070908A (ja) 研磨用スラリー
JP2009070904A (ja) 研磨用組成物
JPWO2005109480A1 (ja) 研磨用スラリー
JP4387908B2 (ja) 研磨用組成物
JP2004335689A (ja) 銅研磨用スラリー
CN100570827C (zh) 研磨材料浆及使用该浆料的研磨材料
JP2008098525A (ja) 研磨用組成物
JP2007235005A (ja) 半導体ウェハの研磨方法
KR20070075455A (ko) 다공성 알루미나를 포함하는 금속배선용 수성 연마 슬러리
JP2005167016A (ja) 研磨用スラリー
JP2008016677A (ja) 研磨用スラリー
JP2004319715A (ja) 研磨用スラリーおよびそれを用いる半導体ウェハの研磨方法
KR20070016682A (ko) 감마 알루미나가 표면-결합된 실리카를 포함하는 수성 연마슬러리 및 그 제조방법
JP4801326B2 (ja) 研磨用スラリー
JP2004123950A (ja) 研磨剤
JP2005019481A (ja) 研磨用スラリー

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100601

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100727

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110111

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110310

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110510