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JPH10268335A - コンタクト構造 - Google Patents

コンタクト構造

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Publication number
JPH10268335A
JPH10268335A JP9094606A JP9460697A JPH10268335A JP H10268335 A JPH10268335 A JP H10268335A JP 9094606 A JP9094606 A JP 9094606A JP 9460697 A JP9460697 A JP 9460697A JP H10268335 A JPH10268335 A JP H10268335A
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JP
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conductive film
conductive
film
opening
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JP9094606A
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Yoshiharu Hirakata
吉晴 平形
Shunpei Yamazaki
舜平 山崎
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Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 層間絶縁膜の膜厚がばらついても、基板ごと
の基板間隔のばらつきをなくし、かつ導電スペーサが原
因となる接触不良の発生を減少する 【解決手段】 第１の基板１０１には、第１の導電膜１
０３と、絶縁膜１０４と、絶縁膜１０４に形成された開
口部１１１と、残存された絶縁膜１０４ａと開口部１１
１とを覆う第２の導電膜１０５を有する。絶縁膜１０４
ａ上において、導電性スペーサ１０７により、第１の基
板上の第２の導電膜１０５と第２の基板１０２上の第３
の導電膜１０６とが電気的に接続される共に、基板間隔
Ｇが保持される。基板間隔Ｇは導電性スペーサ１０７の
大きさのみに依存することになる。従って、導電性スペ
ーサ１０７の大きさが同じであれば、絶縁膜１０４の厚
さｔが基板ごとに異なっても、基板間隔Ｇを基板ごとに
同じにすることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は対向する基板にそれ
ぞれ形成された配線を導電性スペーサを介して電気的に
接続するためのコンタクト構造に関する。特に、本発明
は、液晶表示装置等の電気光学装置のコモンコンタクト
に応用されるコンタクト構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、モバイルコンピュータや携帯電話
（ＰＨＳを含む）等の携帯情報端末機器（携帯機器）の
表示部に液晶表示装置が広く使用されいる。また液晶表
示装置として、薄膜トランジスタをスイッチング素子に
使用したアクティブマトリクス型の液晶表示装置が広く
知られている。
【０００３】液晶表示装置は２枚の基板に液晶を封入
し、２枚の基板にそれぞれ形成された電極により電界を
形成し、その電界強度を制御することにより表示を行っ
ている。アクティブマトリクス型液晶表示装置において
は、２枚の基板のうち、一方の基板は画素電極に電圧供
給を制御するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成
されるため、ＴＦＴ基板と呼ばれ、他方の基板は画素電
極に対向する対向電極が形成されるため、対向基板と呼
ばれている。
【０００４】アクティブマトリクス型表示装置において
は、ＴＦＴ基板上の画素電極と対向基板上の対向電極間
で電界を発生して、表示を実現している。ＴＦＴ基板上
の画素電極の電位は薄膜トランジスタにより制御せれて
変動するが、対向基板上の対向電極は一定のコモン電位
に固定される。対向電極をコモン電位に固定するため
に、対向電極は、ＴＦＴ基板上に形成されたコモンコン
タクトを介して取出し端子に接続され、この取出し端子
は基板外部の電源に接続される。このような接続構成に
より、対向電極の電位は電源によりコモン電位に固定さ
れる。
【０００５】以下に、図１２〜図１４を用いて、従来の
アクティブマトリクス型表示装置のコモンコンタクトの
構造を簡単に説明する。
【０００６】図１２はＴＦＴ基板１０の上面図であり、
基板１１上には、画素電極、画素電極に接続された薄膜
トランジスタがマトリクス状に配置された画素領域１２
と、薄膜トランジスタのＯＮ／ＯＦＦのタイミングを制
御するための走査線駆動回路１３と、画素電極に画像デ
ータを供給するための信号線駆動回路１４が設けられて
いる。更に、外部から電力や制御信号を供給するための
取出し端子１５が設けられ、対向電極との接続部となる
コモンコンタクト部１６ａ〜１６ｄが設けられている。
【０００７】図１３は画素領域１１及びコモンコンタク
ト部１５の断面構成図である。図１３に示すように、Ｔ
ＦＴ基板１０の画素領域１２には、基板１０上に薄膜ト
ランジスタ１７が形成され、薄膜トランジスタ１７上に
は層間絶縁膜１８が形成され、層間絶縁膜１８上には、
薄膜トランジスタ１７のドレイン電極に接続された画素
電極１９が形成されている。
【０００８】コモンコンタクト部１６において、内部配
線２１が薄膜トランジスタ１７のソース・ドレイン電極
の出発膜をパターニングして形成されている。層間絶縁
膜１８には矩形状の開口部が形成され、この開口部にお
いて内部配線２１に接続される導電性パッド２２が形成
されている。画素電極１９と導電性パッド２２は同じ出
発膜からパターニングされている。
【０００９】図１４は従来例のコモンコンタクト部１６
の上面図であり、導電性パッド２２の内側の点線の領域
が層間絶縁膜１８に形成された開口部に相当する。
【００１０】図１３に示すように、対向基板２３表面に
は透明導電膜でなる対向電極２４が形成せれ、対向電極
２４は画素領域１２において画素電極１９に対向し、コ
モンコンタクト部１６において導電性パッド２２と対向
する。
【００１１】そして、基板１１と２３の間隔を保持する
ため、画素領域１２には球状の絶縁性のスペーサ２５が
配置され、コモンコンタクト部１６には球状の導電性ス
ペーサ２６が配置される。導電性スペーサ２６により対
向電極２４はＴＦＴ基板の導電性パッド２２に電気的に
接続される。導電性パッド２２は内部配線２１に電気的
に接続され、内部配線２１は取出し端子１４に電気的に
接続されている。このような接続構成により、対向基板
２３側の対向電極２４は、ＴＦＴ基板１０側の取出し端
子１４に接続されている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従来の液晶表示装置に
おいては、図１３に示すように、コモンコンタクト部１
６には層間絶縁膜１８に開口部が形成されるため、（コ
モンコンタクト部のセルギャップＧc ）≒（画素領域の
セルギャップＧp ）＋（層間絶縁膜１８の膜厚ｔ）の関
係がある。
【００１３】画素領域１２のセルギャップＧpはスペー
サ２５により規定される。スペーサ２５には規格品が用
いられるため、スペーサ２５の径が同じであれば、画素
領域１２のセルギャップＧp は基板ごとにほぼ同じにな
る。しかしながら、コモンコンタクト部のセルギャップ
Ｇc が基板ごとにばらつくことを避けることは、困難で
ある。
【００１４】コモンコンタクト部のセルギャップＧc
は、上記の関係からセルギャップＧpが一定なため、層
間絶縁膜１８の膜厚ｔのみに依存する。よって、基板ご
とにセルギャップＧc を一定にするには層間絶縁膜１８
の膜厚ｔをばらつかないようにする必要があるが、この
層間絶縁膜１８の膜厚ｔは、基板ごとに同じ膜厚ｔにな
るように成膜しても、基板ごとにその膜厚ｔがばらつく
ことは避けられない。
【００１５】また、液晶表示装置のコモンコンタクト部
は通常２〜４形成されるが、同一基板でも層間絶縁膜１
８の膜厚ｔが場所ごとに異なる場合があり、このような
場合には、同一基板であってもコモンコンタクト部ごと
に膜厚ｔが異なるおそれもある。
【００１６】このような層間絶縁膜１８の膜厚ｔばらつ
きため、コモンコンタクト部のセルギャップＧc は基板
ごと、あるいはコモンコンタクト部ごとにばらついてし
まう。更に、このセルギャップＧc のばらつきにより、
画素領域のセルギャップＧpのばらつきを生じてしま
う。
【００１７】このコモンコンタクト部のセルギャップＧ
c のばらつきが画素領域のセルギャップＧp に与える影
響は、画素領域１２の面積がコモンコンタクト部の面積
より相対的に狭くなる程顕在化することになる。特に、
プロジェクターなどに用いる投射用ディスプレイは、１
〜２inch 程度の極めて高精細な小型ディスプレイであ
るため、上述の画素領域のセルギャップＧp のばらつき
の問題が顕在化してしまう。
【００１８】また、導電性スペーサ２６も規格品が用い
られるが、その径は画素領域１２のスペーサ２５の径と
設計時の層間絶縁膜１８の膜厚で決定される。しかしな
がら、層間絶縁膜１８の膜厚が設計値よりも非常に厚く
なった場合、コモンコンタクト部のセルギャップＧc が
非常に大きくなるため、導電性スペーサ２６により、対
向電極を導電性パッドに良好に接続することができなく
なってしまう。このような場合には、対向電極の電位を
コモン電位に固定できなくなり、表示が行えなくなる。
【００１９】本発明の目的は、上記の問題点を解消し、
層間絶縁膜の膜厚がばらついても、基板ごとの基板間隔
のばらつきをなくし、かつ導電スペーサが原因となる接
触不良の発生を減少することを可能にしたコンタクト構
造を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上述した問題点を解消す
るために、本発明のコンタクト構造の構成は、対向する
第１基板と第２の基板上にそれぞれ形成された導電膜を
接続するためのコンタクト構造であって、前記第１の基
板上に形成された第１の導電膜と、前記第１の導電膜を
覆う絶縁膜と、前記絶縁膜を選択的に残存して開口さ
れ、前記第１の導電膜を露出する開口部と、 残存され
た前記絶縁膜と前記開口部とを覆う第２の導電膜と、前
記第２の基板上に形成された第３の導電膜と、前記第１
の基板と前記第２の基板間に挟持され、前記第１の基板
と前記第２の基板との間隔を保持するための導電性スペ
ーサと、を有し、前記開口部において、前記第１の導電
膜と前記第２の導電膜とが接続され、残存された前記絶
縁膜上において、前記第２の導電膜、前記導電性スペー
サ、前記第３の導電膜が順次に接続されており、かつ前
記第２の導電膜と前記第３の導電膜とを接続している前
記導電性スペーサにより、前記第１の基板と前記第２の
基板との間隔が保持されていることを特徴とする。
【００２１】更に、本発明のコモンコンタクト部の他の
構成は、対向する第１基板と第２の基板上にそれぞれ形
成された導電膜を接続するためのコンタクト構造であっ
て、前記第１の基板上に形成された前記第１の導電膜
と、前記第１の導電膜を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜に開
口され、前記第１の導電膜を露出する開口部と、前記開
口部より露出された前記第１の導電膜表面に選択的に形
成された絶縁体と、前記開口部を覆う第２の導電膜と、
前記第２の基板上に形成された前記第３の導電膜と、前
記第１の基板と前記第２の基板間に挟持され、前記第１
の基板と前記第２の基板との間隔を保持するための導電
性スペーサと、を有し、前記開口部の前記絶縁体が形成
されていない領域において、前記第１の導電膜と前記第
２の導電膜とが接続され、前記開口部に形成された前記
絶縁体上において、前記第２の導電膜、前記導電性スペ
ーサ、前記第３の導電膜が順次に接続され、かつ前記第
２の導電膜と前記第３の導電膜とを接続している前記導
電性スペーサにより、前記第１の基板と前記第２の基板
との間隔が保持されていることを特徴とする。
【００２２】更に、本発明の他の構成は、対向する第１
及び第２の基板と、前記第１の基板に形成された画素電
極と、前記第２の基板に形成された対向電極とを有する
電気光学装置において、前記第２の基板に形成された前
記対向電極を前記第１の基板に形成された導電膜に接続
するためのコンタクト構造であって、前記第１の基板上
に形成され、前記画素電極よりも下層に位置する第１の
導電膜と、前記第１の導電膜を覆う層間絶縁膜と、前記
層間絶縁膜を選択的に残存して開口され、前記第１の導
電膜を表面を露出する開口部と、前記画素電極と同じ出
発膜で構成され、残存された前記層間絶縁膜と前記開口
部とを覆う第３の導電膜と、前記第１の基板と前記第２
の基板間に挟持され、前記第１の基板と前記第２の基板
の間隔を保持するための導電性スペーサと、を有し、前
記開口部において、前記第１の導電膜と前記第２の導電
膜とが接続され、残存された前記絶縁物上において、前
記第２の導電膜、前記導電性スペーサ、前記第３の導電
膜が順次に接続され、かつ前記第２の導電膜と前記第３
の導電膜とを接続している前記導電性スペーサにより、
前記第１の基板と前記第２の基板との間隔が保持されて
いることを特徴とする。
【００２３】更に、本発明の他の構成は、対向する第１
及び第２の基板と、前記第１の基板上に形成された画素
電極と、前記第２の基板上に形成された対向電極とを有
する電気光学装置において、前記第２の基板上に形成さ
れた前記対向電極を第１の基板上に形成された導電膜に
接続するためのコンタクト構造であって、前記第１の基
板上に形成され、前記画素電極よりも前記第１の基板側
に形成された前記第１の導電膜と、前記第１の導電膜を
覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜に開口され、前記第
１の導電膜を露出する開口部と、前記開口部により露出
された前記第１の導電膜表面に選択的に形成された絶縁
体と、前記画素電極と同じ出発膜から形成された前記開
口部を覆う前記第２の導電膜と、前記第１の基板と前記
第２の基板間に挟持され、前記第１の基板と前記第２の
基板との間隔を保持するための導電性スペーサと、を有
し、前記開口部の前記絶縁体が形成されていない領域に
おいて、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜が接続さ
れ、前記開口部に形成された前記絶縁体上において、前
記第２の導電膜、前記導電性スペーサ、前記第３の導電
膜が順次に接続され、かつ前記第２の導電膜と前記第３
の導電膜とを接続している前記導電性スペーサにより、
前記第１の基板と前記第２の基板との間隔が保持されて
いることを特徴とする。
【００２４】更に、本発明の他の構成は、対向する第１
基板と第２の基板上にそれぞれ形成された導電膜を接続
するためのコンタクト構造であって、前記第１の基板上
に形成された前記第１の導電膜と、前記第１の導電膜を
覆う絶縁膜と、前記絶縁膜に開口され、前記第１の導電
膜を露出する開口部と、前記開口部を覆う第２の導電膜
と、前記第２の基板上に形成された前記第３の導電膜
と、前記第２の基板と前記第３の導電膜の間に形成さ
れ、前記第３の導電膜に接する第４の導電膜と、前記第
１の基板と前記第２の基板間に挟持され、前記第１の基
板と前記第２の基板との間隔を保持するための導電性ス
ペーサと、を有し、前記開口部において、前記第１の導
電膜、前記第２の導電膜、前記導電性スペーサ、前記第
３の導電膜、前記第４の導電膜が順次に接続されている
ことを特徴とする。
【００２５】
【発明の実施の形態】図１、図２を用いて本発明の実施
の形態を説明する。
【００２６】［実施の形態１］ 図１は本実施の形態の
コモンコンタクト部の断面構成図であり、図２はＴＦＴ
基板側の上面図である。また、図２に示す領域１２０の
断面拡大図が図１に相当する。
【００２７】図１３に示すように、従来例では画素領域
２２のスペーサは画素電極１９を介して、層間絶縁膜１
８上に配置されるが、コモンコンタクト部１６の導電性
パッド２２の下層には層間絶縁膜１８が存在しない。層
間絶縁膜１８が存在しないことが、コモンコンタクト部
のセルギャプＧc が層間絶縁膜１８の膜厚に依存するこ
との原因である。
【００２８】そこで、本実施形態においては、コモンコ
ンタクト部にも導電性パッドの下層に絶縁体を存在さ
せ、絶縁体上に導電性スペーサを配置することにより、
コモンコンタクト部のセルギャプＧc が層間絶縁膜１８
の膜厚に依存しないするものであり、本実施形態では、
層間絶縁膜１０８を選択的に残存するように開口部を形
成することを特徴とする。
【００２９】本実施形態において、第１の基板１０１に
は第１の導電膜１０３と、第１の導電膜１０３を覆う絶
縁膜１０４と、絶縁膜１０４を選択的に残存して開口さ
れ第１の導電膜１０２を露出する開口部１１１と、残存
された前記絶縁膜１０４ａと開口部１１１とを覆う第２
の導電膜１０５がそれぞれぞれ形成される。
【００３０】第２の基板１０２上には第３の導電膜１０
６が形成され、第１の基板１０１と第２の基板１０２と
の間には、導電性スペーサ１０７が挟持されている。
【００３１】図２（Ａ）に示す従来の開口部１１０にお
いては、絶縁膜１０４はすべで除去されていたが、本実
施形態では、絶縁膜１０４ａを選択的に残存させるて開
口部１１１を形成する。この開口部１１１により第１の
導電膜１０３が露出され、ここで第１の導電膜１０３と
第２の導電膜１０５とが接続される。
【００３２】また、第１の基板１０１側において、残存
された絶縁膜１０４ａが最も第２の基板１０２に接近し
ているため、図１に示すように、この残存された絶縁膜
１０４ａ上において、導電性スペーサ１０７により、第
１の基板上の第２の導電膜１０５と第２の基板１０２上
の第３の導電膜１０６が電気的に接続される。
【００３３】更に、開口部１１０では残存された絶縁膜
１０４ａが最も第２の基板に接近しているため、第２の
導電膜１０５と第３の導電膜１０６を電気的に接続して
いる導電性スペーサ１０７により、基板間隔Ｇが保持さ
れる。よって、この基板間隔Ｇは導電性スペーサ１０７
の大きさのみに依存することになる。従って、導電性ス
ペーサ１０７の大きさが同じであれば、絶縁膜１０４の
厚さｔが基板ごとに異なっても、その基板間隔Ｇは基板
ごとに同じにすることができる。
【００３４】また、本実施形態において、開口部１１１
の面積は１つの導電性スペーサが占める面積よりも十分
に広く、導電性スペーサが自由に移動できるような余裕
を持たせることが好ましい。この理由は開口部１１１に
存在する導電性スペーサ１０７がギャップの保持には寄
与しないようにするためである。もし、この領域に導電
性スペーサが自由に移動できるような余裕がないと、こ
こで導電性スペーサ１０７が複数個積み重なってしま
い、基板間隔Ｇを基板全体で均一にすることができなく
なる。
【００３５】更に、本実施形態において、残存された絶
縁膜１０４ａ表面の面積は１つの導電性スペーサ１０７
が占めるよりも十分に広く、導電性スペーサ１０７が確
実に配置されるような空間であることが好ましい。これ
は、絶縁膜１０４ａ上に導電性スペーサ１０７が確実に
配置されないと、第１の基板と第２の基板間で電気的な
接続を取ることができず、更にギャップを保持すること
もできなくなるからである。
【００３６】また、本実施形態において、図２（Ａ）に
示すように開口部１１１を形成したが、図２（Ｂ）に示
すように、残存された絶縁膜１０４ａと開口部１１１の
関係を逆にすることもできる。なお、図２（Ｂ）で点線
で示す領域１２０の拡大断面図が図１に相当する。
【００３７】［実施形態２］ 図１、図２（Ａ）を用い
て本発明の実施の形態を説明する。図１は本実施の形態
のコモンコンタクト部の断面構成図であり、図２（Ａ）
はＴＦＴ基板側の上面図である。図２（Ａ）で点線で示
す領域１２０の拡大断面図が図１に相当する。
【００３８】本実形態も実施形態１と同様に、コモンコ
ンタクト部にも導電性パッドの下層に絶縁体を存在さ
せ、絶縁体上に導電性スペーサを配置することにより、
コモンコンタクト部のセルギャプＧc が層間絶縁膜１８
の膜厚に依存しないするものである。そこで、本実施形
態では、層間絶縁膜１０８を選択的に残存するように開
口部を形成することを特徴とする。
【００３９】即ち、本実施形態においては、導電性パッ
ド２２の下層に絶縁体を形成し、この絶縁体上に導電性
スペーサを配置することにより、コモンコンタクト部の
セルギャプＧc が層間絶縁膜１８の膜厚に依存しないよ
うにした。
【００４０】図１に示すように、第１の基板１０１に
は、第１の導電膜１０３と、第１の導電膜１０３を覆う
絶縁膜１０４と、絶縁膜１０４に形成された第１の導電
膜１０３を露出する開口部１１０と、開口部１１０より
露出された第１の導電膜１０２表面に選択的に形成され
た絶縁体１０４ａと、開口部１１０を覆う第２の導電膜
１０５が形成されている。
【００４１】第２の基板１０２上には第３の導電膜１０
６が形成され、第１の基板１０１と第２の基板１０２と
の間には導電性スペーサ１０７が配置されている。
【００４２】図２（Ａ）はＴＦＴ基板側の上面図であ
り、第２の導電膜１０５が形成されていない状態を示
す。図２（Ａ）において、点線で示す開口部１１０は従
来例の層間絶縁膜１８に形成されたコモンコンタクト用
の開口部に相当する。本実施形態では、この開口部１１
０に、第１の導電膜１０２が露出される部分を残すよう
に、選択的に絶縁体１０４ａを形成する。
【００４３】開口部１１０において、絶縁体１０４ａが
形成されない領域では、第１の導電膜１０３が露出さ
れ、その上に形成される第２の導電膜１０５と接続され
る。
【００４４】また、第１の基板１０１０側において、開
口部１１０では絶縁体１０４ａが最も第２の基板に接近
しているため、図１に示すように、この絶縁体１０４ａ
上において、導電性スペーサ１０７により、第１の基板
１０１上の第２の導電膜１０５と第２の基板１０２上の
第３の導電膜１０６が電気的に接続される。
【００４５】更に、開口部１１０では絶縁体１０４ａが
最も第２の基板１０２に接近しているため、第２の導電
膜１０５と第３の導電膜１０６を電気的に接続している
導電性スペーサ１０７により、基板間隔Ｇが保持され
る。よって、この基板間隔Ｇは導電性スペーサ１０７の
大きさのみに依存することになる。従って、導電性スペ
ーサ１０７の大きさが同じであれば、絶縁膜１０４の厚
さｔが基板ごとに異なっても、その基板間隔Ｇを基板ご
とに同じにすることができる。
【００４６】本実施形態において、絶縁体１０４ａが形
成されない領域の面積は１つの導電性スペーサ１０７が
占めるよりも十分に広く、導電性スペーサ１０７が自由
に移動できるような余裕を持たせることが好ましい。こ
の理由は絶縁体１０４ａが形成されない領域に存在する
導電性スペーサ１０７がギャップの保持には寄与しない
ようにするためである。もし、この領域に導電性スペー
サが自由に移動できるような余裕がないと、ここで導電
性スペーサ１０７が複数個積み重なってしまい、基板間
隔Ｇを基板全体で均一にすることができなくなってしま
う。
【００４７】更に、本実施形態において、絶縁体１０４
ａが表面の面積は１つの導電性スペーサ１０７が占める
よりも十分に広く、導電性スペーサ１０７が確実に配置
されるような空間であることが好ましい。これは、絶縁
体１０４ａ上に導電性スペーサ１０７が確実に配置され
ないと、第１と第２の基板間で電気的な接続を取ること
ができず、更にギャップを保持することができなくなる
からである。
【００４８】また、本実施形態において、図２（Ａ）に
示すように絶縁物１０４ａを形成したが、図２（Ｂ）に
示すように、絶縁物１０４ａを形成する領域と、第１の
導電膜１０３を露出させる領域の関係を逆にすることも
できる。
【００４９】
【実施例】
〔実施例１〕 本実施例では本発明を反射型液晶表示装
置のコモンコンタクト部に応用した例を示す。図３は本
実施例のＴＦＴ基板の上面図であり、図４は対向基板の
上面図である。
【００５０】図３に示すように、ＴＦＴ基板２００にお
いて、基板２０１上には、画素電極、画素電極に接続さ
れた薄膜トランジスタがマトリクス状に配置された画素
領域２０２と、薄膜トランジスタのＯＮ／ＯＦＦのタイ
ミングを制御するための走査線駆動回路２０３と、画素
電極に画像データを供給するための信号線駆動回路２０
４が設けられている。更に、外部から電力や制御信号を
供給するための取出し端子２０５が設けられ、対向電極
との接続部となるコモンコンタクト部２０６ａ〜２０６
ｄが設けられている。
【００５１】図４に示すように、対向基板２５０は、基
板上に透光性導電膜からなる対向電極２５２が形成され
ている構造を有する。中央部の矩形の領域２５３はＴＦ
Ｔ基板２００の画素領域２０２と対向する領域であり、
４隅の領域２５４ａ〜２５４ｄはＴＦＴ基板２００のコ
ンタクト部２０６ａ〜２０６ｄと電気的に接続される領
域である。
【００５２】そして、図３に示すように、ＴＦＴ基板２
００のコモンコンタクト部２０６ａ〜２０６ｄにはそれ
ぞれ導電性パッドが形成されている。これら導電性パッ
ドは内部配線２０７ａ〜２０７ｃによって電気接続され
ている。また、内部配線２０７ａ、２０７ｂは取出し端
子２０５に延在し、コモン端子２０５ａ、２０５ｂに電
気的に接続されている。
【００５３】以下、ＴＦＴ基板の画素領域２０２、及び
コモンコンタクト部２０６を作製する工程を図５を用い
て説明する。
【００５４】まず、絶縁表面を有する基板２０１を用意
する。本実施例ではガラス基板上に下地膜として酸化珪
素膜を形成した。基板２０１の上には結晶性珪素膜でな
る活性層３０２を形成する。なお、本実施例では１つの
薄膜トランジスタのみを図示しているが、実際には、画
素領域２０２には１００万個以上の薄膜トランジスタが
形成される。
【００５５】本実施例では非晶質珪素膜を熱結晶化させ
て結晶性珪素膜を得ている。そして、その結晶性珪素膜
を通常のフォトリソ工程でパターニングして活性層３０
２を得る。なお、本実施例では結晶化の際に結晶化を助
長する触媒元素（ニッケル）を添加している。この技術
については特開平7-130652号公報に詳細に記載されてい
る。
【００５６】次に、１５０ｎｍの厚さの酸化珪素膜３０
３を形成し、その上に0.2wt%のスカンジウムを含有させ
たアルミニウム膜（図示せず）を成膜し、レジストマス
ク３０４を用いてアルミニウム膜をパターニングし、ゲ
イト電極の原型となる島状パターン３０５を形成した
（図５（Ａ））。
【００５７】本実施例では、ここで特開平7-135318号公
報に記載された陽極酸化技術を利用する。なお、詳細は
同公報を参考にすると良い。
【００５８】まず、上記島状パターン３０５上にパター
ニングで使用したレジストマスク３０４を残したまま、
３％のシュウ酸水溶液中で陽極酸化を行う。この時、白
金電極を陰極として２〜３ｍＶの化成電流を流し、到達
電圧は８Ｖとする。この結果、上面にレジストマスク３
０４が存在しているため、多孔質状の陽極酸化膜３０６
が島状パターン３０５の側面に形成される（図５
（Ｂ））。
【００５９】その後、レジストマスク３０４を除去した
後に３％の酒石酸のエチレングリコール溶液をアンモニ
ア水で中和した溶液中で陽極酸化を行う。この時、化成
電流は５〜６ｍＶとし、到達電圧は１００Ｖとすれば良
い。こうして、緻密な陽極酸化膜３０７が形成される。
【００６０】そして、上記陽極酸化工程によって、島状
パターン３０５の陽極酸化されない部分がゲイト電極３
０８として画定する。なお、コモンコンタクト部２０６
ｃ、２０６ｄを接続する内部配線２０７ｃも、上記アル
ミニウム膜を出発膜として、ゲイト電極３０８の形成と
同時に形成されている。
【００６１】次に、ゲイト電極３０８及びその周囲の陽
極酸化膜３０６、３０７をマスクとして酸化珪素膜３０
３ををエッチングし、ゲイト絶縁膜３０９を形成する。
エッチングはＣＦ4 ガスを用いたドライエッチング法を
採用した（図５（Ｃ））。
【００６２】ゲイト絶縁膜３０９を形成した後、多孔質
状の陽極酸化膜３０７をアルミ混酸を用いたウェットエ
ッチングにより、除去した。
【００６３】次に、イオン注入法またはプラズマドーピ
ング法により一導電性を付与する不純物イオンを添加す
る。画素領域にＮ型薄膜トランジスタを配置するならば
Ｐ（リン）イオンを、Ｐ型薄膜トランジスタを配置する
ならばＢ（ボロン）イオンを添加すれば良い。
【００６４】本実施例では、上記不純物イオンの添加工
程をイオン注入法を用いて、２度に分けて行った。１度
目は８０ｋｅＶの高加速電圧で行い、ゲイト絶縁膜３０
９の端部（突出部）の下に不純物イオンのピークがくる
ように調節した。そして、２度目は５ｋｅＶの低加速電
圧で行い、ゲイト絶縁膜３０９の端部（突出部）の下に
不純物イオンが添加されないように、加速電圧を調節し
た。
【００６５】こうして薄膜トランジスタのソース領域３
１０、ドレイン領域３１１、低濃度不純物領域３１２、
３１３、チャネル形成領域３１４が形成される。なお、
ドレイン領域３１１側の低濃度不純物領域３１３はＬＤ
Ｄ領域とも呼ばれる（図５（Ｄ））。
【００６６】この時、ソース、ドレイン領域３１０、３
１１は 300〜500 Ω／□のシート抵抗が得られる程度に
不純物イオンを添加することが好ましい。また、低濃度
不純物領域３１２、３１３は薄膜トランジスタの性能に
合わせて最適化を行う必要がある。不純物イオンの添加
工程が終了したら熱処理を行い、不純物イオンの活性化
を行った。
【００６７】次に、第１の層間絶縁膜３１５として酸化
珪素膜を１μｍの厚さに形成した。層間絶縁膜３０３の
膜厚を１μｍと膜厚にしたのは第１の層間絶縁膜３１５
の表面をできるだけ平坦にするためであり、膜厚にする
ことで、ゲイト電極３０８による突出を緩和できる。
【００６８】第１の層間絶縁膜３１５として、酸化珪素
膜の他に窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜を形成しても良
い。或いは、これら絶縁膜の多層膜としても良い。
【００６９】そして、第１の層間絶縁膜３１５に、ソー
ス、ドレイン領域３１０、３１１に対するコンタクトホ
ールと、コモンコンタクト部２０６ｃ、２０６ｄに内部
配線２０７ｃに対するコンタクトホールをそれぞれ形成
した後、ソース、ドレイン電極３１６、３１７や内部配
線３１８の出発膜となる導電膜を形成する。
【００７０】ここでは、導電膜としてチタン（Ｔｉ）
膜、アルミニウム（Ａｌ）膜、チタン（Ｔｉ）膜の多層
膜を、スパッタリング法で形成した。なお、チタン（Ｔ
ｉ）膜の膜厚はそれぞれ１００ｎｍとし、アルミニウム
膜の膜厚は３００ｎｍとした。この多層膜をパターニン
グして、ソース電極３１６、ドレイン電極３１７及び内
部配線３１８をそれぞれ形成した（図５（Ｅ））。
【００７１】図５の内部配線３１８は図３の内部配線２
０７ａ、２０７ｂに対応する。内部配線２０７ａ、２０
７ｂはコモンコンタクト部２０６ｃ、２０６ｄにおい
て、ゲイト電極３０８と同一工程を経て形成された内部
配線２０７ｃに接続される。
【００７２】次に、第２の層間絶縁膜３１９として有機
性樹脂膜を１〜２μｍの厚さに形成する。有機性樹脂膜
としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミ
ド、アクリル等を用いることができる。有機樹脂膜を用
いるのは第２の層間絶縁膜３１９の表面を平坦にするた
めである。第２の層間絶縁膜３１９の表面を平坦にする
ことは、セルギャップの均一にするのに重要である。本
実施例では、第２の層間絶縁膜３１９としてポリイミド
を１μｍの膜厚に形成した。
【００７３】次に、第２の層間絶縁膜３１９にドレイン
電極３１７、内部配線３１８それぞれに対するコンタク
トホール３２０、３２１を開口した。内部配線３１８の
コンタクトホール３２１は、図２（Ａ）に示す開口部１
１１のように、１．１ｍｍ×１．１ｍｍの矩形状の領域
１１０内に、１００μｍ×１００μｍの矩形状の開口
を、１００μｍの間隔で５×５のマトリクス状に形成し
た。またコンタクトホール３２１の他に、取出し端子２
０５部において内部配線３１８（２０７ａ、２０７ｂ）
とコモン端子２０５ａ、２０５ｂとを接続するためのコ
ンタクトホールも形成される。
【００７４】後述するが、本実施例では、導電性スペー
サの直径を３．５μｍとするため、開口部を１００μｍ
×１００μｍとし、ここに配置される導電性スペーサが
移動できるような十分なゆとりを与え、開口部で導電性
スペーサが積み重ならないようにした。
【００７５】また、コモンコンタクト部において、層間
絶縁膜３１９の残存している領域の面積も導電性スペー
サが移動できるような十分な広い領域としているため、
この領域に導電性スペーサを確実に配置することができ
る。よって、この領域に配置された導電性スペーサによ
り、セルギャップの保持、電気的接続を確実に行うこと
ができる。
【００７６】そして、後に画素電極３２２、導電性パッ
ド３２３となる金属薄膜を１００ｎｍ〜４００ｎｍの厚
さに形成する。本実施例では金属薄膜として１ｗｔ％の
チタンを添加したアルミニウム膜を３００ｎｍの厚さ
に、スパッタ法で形成した。しかる後、金属薄膜をパタ
ーニグして、画素電極３２２、導電性パッド３２３をそ
れぞれ形成した。導電性パッド３２３は、コンタクトホ
ール３２１を覆うように１．１ｍｍ×１．１ｍｍの矩形
状に形成した。更に、取出し端子２０５もパターニング
される。以上によりＴＦＴ基板が完成する（図５
（Ｇ））。
【００７７】他方、図６に示すように対向基板２５０に
おいては、透光性基板２５１上にＩＴＯ膜でなる対向電
極２５２を形成した。基板２５１には、ガラスや石英基
板を用いることができる。
【００７８】次にＴＦＴ基板２００と対向基板２５０を
貼り合わる。この貼り合わせ工程は工程は公知の方セル
組み法に従って行えば良い。
【００７９】まず、ＴＦＴ基板２００、対向基板２５０
のいずれか一方の基板に、シール材を塗布する。本実施
例では対向基板２５０側にシール材を塗布した。シール
材には紫外線・熱硬化型の樹脂材料を用い、シールディ
スペンサー装置により、液晶注入口を残して、基板周囲
にシール材を線状に塗布した。また、図４に示す領域２
５４ａ〜２５４ｄには、球状の導電性スペーサ４０１を
３．０ｗｔ％混入したシール材を塗布した。導電性スペ
ーサが混入されたシール材は異方性導電膜として機能す
る。
【００８０】導電性スペーサ４０１は樹脂材料でなる球
体に導電膜が被覆されたものが一般的に使用されてお
り、本実施例では金（Ａｕ）で被覆された、導電性スペ
ーサ４０１を使用した。導電性スペーサ４０１の直径は
セルギャップよりも０．２μｍ〜１μｍ程大きくすれば
よい。本実施例では、セルギャップを３μｍとするた
め、直径３．５μｍの導電性スペーサ４０１を使用し
た。シール材を塗布した後、仮焼成する。
【００８１】次に、ＴＦＴ基板２００、対向基板２５０
のいずれか一方の基板に、セルギャップを維持するため
のスペーサ４０２を散布する。本実施例では、スペーサ
４０２を対向基板２５０側に散布した。また、セルギャ
ップを３μｍとするため、スペーサ４０２は直径３μｍ
のポリマ系材料でなる球状のスペーサを用いた。
【００８２】次に、ＴＦＴ基板２００と対向基板２５０
とを対向し、画素領域のセルギャップがスペーサ４０２
の直径となるまでプレスした。プレスした状態で十数秒
紫外線を照射してシール材を紫外硬化させ、セルギャッ
プを固定し、しかる後加圧しながら加熱してシール材の
接着強度を向上させる。
【００８３】そして、液晶を封入し、封入口を封止する
ことでセル組工程が完了する。図６に示すように、対向
基板２５０の対向電極２５２は導電性スペーサ４０１に
よりＴＦＴ基板２００の導電性パッド３２３に電気的に
接続され、ＴＦＴ基板側において、導電性パッド３２３
は内部配線３１８をコモン端子に接続されている。この
ような接続構造により、対向基板２５０側の対向電極２
５２をＴＦＴ基板側の配線によって、外部の電源と接続
することが可能になる。なお、図６のコモンコンタクト
部の拡大図が図１に対応する。
【００８４】本実施例では、セルギャップを３μｍとす
るために、画素領域に散布されるスペーサ４０２の直径
を３μｍとし、導電性スペーサ４０１の直径を３．５μ
ｍとした。導電性スペーサの直径をスペーサ４０２の直
径（セルギャップ）よりも大きくするのは、対向電極２
５２と導電性パッド３１８の接続を確実にするためであ
る。基板貼り合わせ工程のプレス工程において、導電性
スペーサ４０１はセルギャップよりも直径が大きいた
め、押しつぶされる。押しつぶされることにより、対向
電極２５２、導電性パッド３１８との接触面積が大きく
なり、電気的な接続が確実になるとともに、セルギャッ
プを画素領域と同じに維持することができる。
【００８５】また、本実施例では、内部配線３１８をソ
ース、ドレイン電極３１６、３１７の出発膜で構成した
が、内部配線３１８は画素電極３２２よりも下層の配線
であればよい。例えば、第２の層間絶縁膜３１５内にチ
タン等の導電膜でなるブラックマトリクスを形成した場
合、この導電膜で内部配線３１８を形成することができ
る。
【００８６】また、本実施例ではセルギャップを均一に
するため、その表面に画素電極３２２が形成される第２
の層間絶縁膜３１９の表面が平坦であることが重要であ
ると共に、内部配線３１８が形成される第１の層間絶縁
膜３１５の表面の平坦性も重要になる。
【００８７】表面が平坦な層間絶縁膜を得る方法とし
て、層間絶縁膜の厚膜化による方法、有機性樹脂膜を用
いたレベリングによる方法、機械的な研磨による方法、
エッチバック技術による方法などが挙げられる。本実施
例では、第１の層間絶縁膜３１５の平坦化に膜厚による
方法を採用し、第１の層間絶縁膜３１５の平坦化に有機
性樹脂膜を用いたレベリングによる方法を採用したが、
他の手法を用いて平坦化しても良い。
【００８８】本実施例の液晶表示装置において、液晶層
に二色性色素を分散させたり、ＴＦＴ基板、対向基板に
配向膜を設けたり、対向基板にカラーフィルターを設け
たりすることも可能である。その様な液晶層の種類、配
向膜、カラーフィルターの有無等は、駆動方法、液晶の
種類等により実施者が適宜決定すれば良い。
【００８９】例えば、対向基板２５０の側にカラーフィ
ルタを設けた場合、カラーフィルタはコモンコンタクト
部には形成されないので、対向基板において、画素領域
とコモンコンタクト部に段差が生ずる。この段差を補正
するため、導電性スペーサの直径をカラーフィルタの厚
さ程度大きくする必要がある。
【００９０】また、本実施例は反射型の液晶表示装置の
例を示したが、透過型の液晶表示装置とすることもで
き、この場合には、画素電極及び導電性パッドの出発膜
をを透光性を有するＩＴＯ膜等で形成すればよい。
【００９１】本実施例では代表的なトップゲイト型薄膜
トランジスタであるコプレナー型薄膜トランジスタを一
例として記載したが、ボトムゲイト型薄膜トランジスタ
であっても構わない。また、薄膜トランジスタ以外に
も、薄膜ダイオード、ＭＩＭ素子、バリスタ素子等を用
いることができる。
【００９２】〔実施例２〕 本実施例では、実施例１の
コモンコンタクト部の変形例である。図７は本実施例の
アクティブマトリクス型表示装置の断面構成図である。
図７において、ＴＦＴ基板の構成は図６と同じであり、
符号の記載を一部省略した。また図７において図６と同
一の符号は同一の部材を示す。また、図７に示すコモン
コンタクト部の拡大図を図９に示す。
【００９３】図６に示す実施例１において、対向電極２
５２は透明導電膜であるＩＴＯ膜で構成されているた
め、対向電極２５２と導電性スペーサ４０１間の電気抵
抗は、金属膜と比較して大きくなる。本実施例はこの電
気抵抗を低減することを目的とする。
【００９４】このため、対向基板２５０側に金属膜を形
成し、パターニングして、コモンコンタクト部２５４ａ
〜２５４ｄに導電膜でなる接続パッド５０１をそれぞれ
形成する。接続パッド５０１を形成することで、対向電
極２５２と導電性スペーサ４０１間の抵抗値を下げるこ
とができる。だだし、接続パッド５０１を構成する導電
膜は対向電極２５２に使用される導電膜よりも電気抵抗
が低いことが重要である。
【００９５】また、対向基板側のブラックマトリクスを
クロム等の導電膜で形成した場合には、接続パッド５０
１をこの導電膜で形成することができ、導電膜をパター
ニングしてブラックマトリクスを形成する際に、接続パ
ッド５０１を形成すればよい。
【００９６】〔実施例３〕 本実施例は実施例２の変形
例であり、図８は本実施例のアクティブマトリクス型表
示装置の断面構成図である。図８において、ＴＦＴ基板
の構成は図６と同じであり、符号の記載を一部省略し
た。なお、図８において図６と同一の符号は同一の部材
を示す。また、図８のコモンコンタクト部の拡大図が図
１０に対応する。
【００９７】実施例１においては、対向基板２５１、対
向電極２５２双方とも透光性を有するため、基板を貼り
合わせた状態で、対向基板２５０側からコモンコンタク
ト部に導電性スペーサ４０１の分布の様子を視認するこ
とができた。しかし、実施例２では金属膜でなる接続パ
ッド５０１を形成したため、導電性スペーサ４０１の分
布の様子を視認することができない。
【００９８】本実施例では、抵抗値を下げるための接続
パッドを設けた状態で、導電性スペーサ４０１の分布の
様子を視認することを可能することを目的とする。この
ため、接続パッド６０１に選択的に開口部を設け、この
開口部を介して導電性スペーサ４０１が見えるようにし
た。
【００９９】図１１は、本実施例のコンタクト部の上面
図であり、対向基板側から見た状態を示す。また、図１
０は、図１１の点線で囲まれた領域６００のコモンコン
タクト部の断面構成図に対応する。図１１に示すように
導電性パッド６０１には開口部６０２が形成される。開
口部６０２では対向基板２５１と対向電極２５２だけが
存在し、双方とも透光性を有するため、開口部６０２か
ら導電性スペーサ４０１の分布の様子を確認することが
可能になる。
【０１００】開口部６０２はセルギャップを維持するた
め、導電性スペーサ４０１が対向電極と接しない箇所で
ある、ＴＦＴ基板の第２の層間絶縁膜に開口されたコン
タクトホール３２１に対峙する箇所に形成するとよい。
更に、その面積を第２の層間絶縁膜に開口部よりも若
干、数％〜３０％程度大きく形成すると良い。なお、開
口部６０２の数や配置、形状等は図１１に限定されるも
のではなく、実施者が適宜に設定することができる。
【０１０１】接続パッド６０１の開口部６０２を第２の
層間絶縁膜の開口部よりも若干大きく形成するのは、電
気的な接続に寄与している、第２の層間絶縁膜３１８上
の導電性パッド６０２を視認できるようにするためであ
る。
【０１０２】実施例２、３においては、コモンコンタク
ト部のセルギャップを均一することと、導電性スペーサ
４０１と対向電極２５２の接続抵抗を下げることを同時
に実現するための構成を示したが、導電性スペーサ４０
１と対向電極２５２の抵抗値を下げることを主要な目的
とする場合であれば、ＴＦＴ基板側のコモンコンタクト
部の構造を図１３に示すような、従来のコモンコンタク
ト部の構成としてもよい。この場合、図１３のコモンコ
ンタクト部１６において、基板２３と対向電極２４の間
に、実施例２、３で示した接続パッド５０１、６０１を
形成すればよい。
【０１０３】上述した実施例１〜３においては、本発明
をアクティブマトリクス型液用表示装置に応用した例を
示したが、本発明のコンタクト構造は、対向する基板に
それぞれ形成された配線を導電性スペーサを介して電気
的に接続するようなコンタクト構造を有する装置に応用
可能であり、例えば、異なるシリコンウェハに形成され
たＩＣ等を接続することも可能である。
【０１０４】
【発明の効果】本発明のコモンコンタクト構造により、
層間絶縁膜の膜厚がばらついても、基板ごとの基板間隔
のばらつきをなくし、かつ導電スペーサが原因となる接
触不良の発生を減少することが可能になる。
【０１０５】即ち、本発明においては、基板間隔は導電
性スペーサの大きさのみに依存することになるため、導
電性スペーサの大きさが同じであれば、第１の導電膜と
第２の導電膜とを絶縁している絶縁膜の厚さが基板ごと
に異なっても、その対向する基板の間隔を基板ごとに同
じにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本実施形態のコモンコンタクト部の断面構
成図。
【図２】 本実施形態のコモンコンタクト部の上面図。
【図３】 実施例１の液晶表示装置のＴＦＴ基板の上面
図。
【図４】 実施例１の液晶表示装置の対向基板の上面
図。
【図５】 実施例１のＴＦＴ基板の作製工程を示す図。
【図６】 実施例１の画素領域、コモンコンタクト部の
断面構成図。
【図７】 実施例２の画素領域、コモンコンタクト部の
断面構成図。
【図８】 実施例３の画素領域、コモンコンタクト部の
断面構成図。
【図９】 実施例２のコモンコンタクト部の拡大構成
図。
【図１１】 実施例３のコンタクト部の上面図。
【図１０】 実施例３のコモンコンタクト部の断面構成
図である。
【図１２】 従来例のＴＦＴ基板の上面図。
【図１３】 従来例の画素領域、コモンコンタクト部の
断面構成図。
【図１４】 従来例のコモンコンタクト部の上面図。
【符号の説明】
１０１ 第１の基板 １０２ 第２の基板 １０３ 第１の導電膜 １０４ 絶縁膜 １０５ 第２の導電膜 １０６ 第３の導電膜 １０７ 導電性スペーサ ２００ ＴＦＴ基板 ２０５ 取出し端子 ２０６ コモンコンタクト部 ２０７ 内部配線 ２５０ 対向基板 ２５２ 対向電極 ３１５ 第１の層間絶縁膜 ３１８ 内部配線 ３１９ 第２の層間絶縁膜 ３２２ 画素電極 ３２３ 導電性パッド ４０１ 導電性スペーサ ４０２ スペーサ ５０１、６０１ 接続パッド

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】対向する第１基板と第２の基板上にそれぞ
    れ形成された導電膜を接続するためのコンタクト構造で
    あって、 前記第１の基板上に形成された第１の導電膜と、 前記第１の導電膜を覆う絶縁膜と、 前記絶縁膜を選択的に残存して開口され、前記第１の導
    電膜を露出する開口部と、 残存された前記絶縁膜と前記開口部とを覆う第２の導電
    膜と、 前記第２の基板上に形成された第３の導電膜と、 前記第１の基板と前記第２の基板間に挟持され、前記第
    １の基板と前記第２の基板との間隔を保持するための導
    電性スペーサと、 を有し、 前記開口部において、前記第１の導電膜と前記第２の導
    電膜とが接続され、 残存された前記絶縁膜上において、前記第２の導電膜、
    前記導電性スペーサ、前記第３の導電膜が順次に接続さ
    れており、かつ前記第２の導電膜と前記第３の導電膜と
    を接続している前記導電性スペーサにより、前記第１の
    基板と前記第２との間隔が保持されていることを特徴と
    するコンタクト構造。
  2. 【請求項２】 請求項１において、前記開口部の面積
    は、１つの前記導電スペーサが占める面積よりも広いこ
    とを特徴とするコンタクト構造。
  3. 【請求項３】 請求項１又は請求項２において、残存さ
    れた前記絶縁膜表面の面積は、１つの前記導電スペーサ
    が占める面積よりも広いことを特徴とするコンタクト構
    造。
  4. 【請求項４】 対向する第１基板と第２の基板上にそれ
    ぞれ形成された導電膜を接続するためのコンタクト構造
    であって、 前記第１の基板上に形成された前記第１の導電膜と、 前記第１の導電膜を覆う絶縁膜と、 前記絶縁膜に開口され、前記第１の導電膜を露出する開
    口部と、 前記開口部より露出された前記第１の導電膜表面に選択
    的に形成された絶縁体と、 前記開口部を覆う第２の導電膜と、 前記第２の基板上に形成された前記第３の導電膜と、 前記第１の基板と前記第２の基板間に挟持され、前記第
    １の基板と前記第２の基板との間隔を保持するための導
    電性スペーサと、 を有し、 前記開口部の前記絶縁体が形成されていない領域におい
    て、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とが接続さ
    れ、 前記開口部に形成された前記絶縁体上において、前記第
    ２の導電膜、前記導電性スペーサ、前記第３の導電膜が
    順次に接続され、かつ前記第２の導電膜と前記第３の導
    電膜とを接続している前記導電性スペーサにより、前記
    第１の基板と前記第２の基板との間隔が保持されている
    ことを特徴とするコンタクト構造。
  5. 【請求項５】 請求項４において、前記絶縁膜と前記絶
    縁体とは概略同じ厚さであることを特徴とするコンタク
    ト構造。
  6. 【請求項６】 請求項４または請求項５において、前記
    開口部の前記絶縁体が形成されていない領域は、１つの
    前記導電性スペーサが占める面積よりも広いことを特徴
    とするコンタクト構造。
  7. 【請求項７】 請求項４ないし請求項６において、前記
    前記絶縁体表面の面積は、１つの前記導電性スペーサが
    占める面積よりも広いことを特徴とするコンタクト構
    造。
  8. 【請求項８】 請求項１ないし請求項７において、前記
    第２の基板と前記第３の導電膜の間には、前記第３の導
    電膜に接する第４の導電膜を有することを特徴とするコ
    ンタクト構造。
  9. 【請求項９】 請求項８において、前記第２の基板及び
    前記第３の導電膜は透光性を有し、前記第４の導電膜に
    は少なくとも１つの開口部が形成されていることを特徴
    とするコンタクト構造。
  10. 【請求項１０】 対向する第１及び第２の基板と、前記
    第１の基板に形成された画素電極と、前記第２の基板に
    形成された対向電極とを有する電気光学装置において、
    前記第２の基板に形成された前記対向電極を前記第１の
    基板に形成された導電膜に接続するためのコンタクト構
    造であって、 前記第１の基板上に形成され、前記画素電極よりも下層
    に位置する第１の導電膜と、 前記第１の導電膜を覆う層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜を選択的に残存して開口され、前記第１
    の導電膜を表面を露出する開口部と、 前記画素電極と同じ出発膜で構成され、残存された前記
    層間絶縁膜と前記開口部とを覆う第３の導電膜と、 前記第１の基板と前記第２の基板間に挟持され、前記第
    １の基板と前記第２の基板の間隔を保持するための導電
    性スペーサと、 を有し、 前記開口部において、前記第１の導電膜と前記第２の導
    電膜とが接続され、 残存された前記絶縁膜上において、前記第２の導電膜、
    前記導電性スペーサ、前記第３の導電膜が順次に接続さ
    れ、かつ前記第２の導電膜と前記第３の導電膜とを接続
    している前記導電性スペーサにより、前記第１の基板と
    前記第２の基板との間隔が保持されていることを特徴と
    するコンタクト構造。
  11. 【請求項１１】 請求項１０において、前記開口部の面
    積は、１つの前記導電スペーサが占める面積よりも広い
    ことを特徴とするコンタクト構造。
  12. 【請求項１２】 請求項１０又は請求項１１において、
    残存された前記層間絶縁膜表面の面積は、１つの前記導
    電スペーサが占める面積よりも広いことを特徴とするコ
    ンタクト構造。
  13. 【請求項１３】 対向する第１及び第２の基板と、前記
    第１の基板上に形成され画素電極と、前記第２の基板上
    に形成された対向電極とを有する電気光学装置におい
    て、前記第２の基板上に形成された前記対向電極を第１
    の基板上に形成された導電膜に接続するためのコンタク
    ト構造であって、 前記第１の基板上に形成され、前記画素電極よりも前記
    第１の基板側に形成された前記第１の導電膜と、 前記第１の導電膜を覆う層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜に開口され、前記第１の導電膜を露出す
    る開口部と、 前記開口部により露出された前記第１の導電膜表面に選
    択的に形成された絶縁体と、 前記画素電極と同じ出発膜から形成された前記開口部を
    覆う前記第２の導電膜と、 前記第１の基板と前記第２の基板間に挟持され、前記第
    １の基板と前記第２の基板との間隔を保持するための導
    電性スペーサと、 を有し、 前記開口部の前記絶縁体が形成されていない領域におい
    て、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜が接続され、 前記開口部に形成された前記絶縁体上において、前記第
    ２の導電膜、前記導電性スペーサ、前記第３の導電膜が
    順次に接続され、かつ前記第２の導電膜と前記第３の導
    電膜とを接続している前記導電性スペーサにより、前記
    第１の基板と前記第２の基板との間隔が保持されている
    ことを特徴とするコンタクト構造。
  14. 【請求項１４】 請求項１３において、前記層間絶縁膜
    と前記絶縁体は概略同じ厚さでることを特徴とするコン
    タクト構造。
  15. 【請求項１５】 請求項１３又は請求項１４において、
    前記開口部の前記絶縁体が形成されていない領域は、１
    つの前記導電性スペーサが占める面積よりも広いことを
    特徴とするコンタクト構造。
  16. 【請求項１６】 請求項１３ないし請求項１５におい
    て、前記絶縁体が表面の面積は、１つの前記導電性スペ
    ーサが占める面積よりも広いことを特徴とするコンタク
    ト構造。
  17. 【請求項１７】 請求項１３ないし請求項１６におい
    て、前記第２の基板と前記第３の導電膜の間には、前記
    第３の導電膜に接する第４の導電膜を有することを特徴
    とするコンタクト構造。
  18. 【請求項１８】 請求項１７において、前記第４の導電
    膜は、前記第２の基板に形成されたブラックマトリクス
    と同一の出発膜でなることを特徴とするコンタクト構
    造。
  19. 【請求項１９】 請求項１７又は１８において、前記第
    ２の基板、前記第３の導電膜は透光性を有し、前記第４
    の導電膜には少なくとも１つの開口部が形成されている
    ことを特徴とするコンタクト構造。
  20. 【請求項２０】 対向する第１基板と第２の基板上にそ
    れぞれ形成された導電膜を接続するためのコンタクト構
    造であって、 前記第１の基板上に形成された前記第１の導電膜と、 前記第１の導電膜を覆う絶縁膜と、 前記絶縁膜に開口され、前記第１の導電膜を露出する開
    口部と、 前記開口部を覆う第２の導電膜と、 前記第２の基板上に形成された前記第３の導電膜と、 前記第２の基板と前記第３の導電膜の間に形成され、前
    記第３の導電膜に接する第４の導電膜と、 前記第１の基板と前記第２の基板間に挟持され、前記第
    １の基板と前記第２の基板との間隔を保持するための導
    電性スペーサと、 を有し、 前記開口部において、前記第１の導電膜、前記第２の導
    電膜、前記導電性スペーサ、前記第３の導電膜、前記第
    ４の導電膜が順次に接続されていることを特徴とするコ
    ンタクト構造。
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