JPH022179A - メタル・セミコンダクタ・ｆｅｔ - Google Patents
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、グー１〜電極と半導体層とをシ〕ツ［・キー
接触どした接合形ＦＥＴの一種であるｌ’ｖｌ Ｅ Ｓ
ＦＥＴのゲート電極構造に関する。
接触どした接合形ＦＥＴの一種であるｌ’ｖｌ Ｅ Ｓ
ＦＥＴのゲート電極構造に関する。
ＭＥＳ ＦＥＴは、ゲート７Ｆｉ極と半導体層とをシ
」ットキー接触とし、ドレイン電極と半導体層。
」ットキー接触とし、ドレイン電極と半導体層。
ソース七極と半導体層とを夫々オーム接触とした一種の
接合形ＦＥＴである。このものは、構造及び製造工程が
比較的筒中なためにゲート長の微細化に適し、１４に電
子移動度の大きいＧａＡＳを用いて高周波特性の浸れた
素子や高速動作の集積回路が開発されている。
接合形ＦＥＴである。このものは、構造及び製造工程が
比較的筒中なためにゲート長の微細化に適し、１４に電
子移動度の大きいＧａＡＳを用いて高周波特性の浸れた
素子や高速動作の集積回路が開発されている。
そこで、近年の無線、￥ｒｉ星通低通信発ｊヱに伴ない
、より高出力な素子が要求されてきており、このため、
マイクロ波帯の増幅素子として用いられているＭＥＳ
ＦＥＴの高出力化及び高耐圧化を図る必要がある。
、より高出力な素子が要求されてきており、このため、
マイクロ波帯の増幅素子として用いられているＭＥＳ
ＦＥＴの高出力化及び高耐圧化を図る必要がある。
〔従来の技術］
第５図は従来のＭＥＳ ＦＥＴの一例の構成図を示す
。同図において、基板１の土部に設けられた活性層２の
表面に、シーヨツトキー接触でゲート３、オーム接触で
ドレイン４．ソース５が夫々設けられている。このＭＥ
Ｓ ＦＥＴはチャネル領域を空乏層の広がりで制御す
るので、チャネル領域は極めて薄い層に形成されている
。
。同図において、基板１の土部に設けられた活性層２の
表面に、シーヨツトキー接触でゲート３、オーム接触で
ドレイン４．ソース５が夫々設けられている。このＭＥ
Ｓ ＦＥＴはチャネル領域を空乏層の広がりで制御す
るので、チャネル領域は極めて薄い層に形成されている
。
ここで、実際の使用に際し、ゲート３に印加する電圧を
制御することにより・、ゲート・ドレイン間の表面順位
による表面空乏ＰＶＪ６下に流れる電流♀及びゲート・
ソース間の表面順位による表面空乏層７下に流れる電流
量を制御する。１この場合、品出ツノ化には、素子が流
しＩ′？る最大の類１ノ向電流を増加させれば良く、こ
れにはグー１−３の電位を正り向に増加させる。
制御することにより・、ゲート・ドレイン間の表面順位
による表面空乏ＰＶＪ６下に流れる電流♀及びゲート・
ソース間の表面順位による表面空乏層７下に流れる電流
量を制御する。１この場合、品出ツノ化には、素子が流
しＩ′？る最大の類１ノ向電流を増加させれば良く、こ
れにはグー１−３の電位を正り向に増加させる。
このような高出力化を行なう場合、順方向最大電流の１
直を規定しているのはゲート３下の゛９乏層８で（ユな
く、ゲート・ドレイン間の空乏層６及びゲート・ソース
間の空乏層７である。つまり、ゲート３の電位を正方向
に増加させてゲート３下の空乏層８の領域を小さくして
も（第５図中、破線から実線になる）、ゲート・ドレイ
ン間空乏層６及びグー１へ・ソース間空乏層７のために
電流が制限を受けてしまい、十分な高出力を得ることが
できない問題点がある。
直を規定しているのはゲート３下の゛９乏層８で（ユな
く、ゲート・ドレイン間の空乏層６及びゲート・ソース
間の空乏層７である。つまり、ゲート３の電位を正方向
に増加させてゲート３下の空乏層８の領域を小さくして
も（第５図中、破線から実線になる）、ゲート・ドレイ
ン間空乏層６及びグー１へ・ソース間空乏層７のために
電流が制限を受けてしまい、十分な高出力を得ることが
できない問題点がある。
又、素子の動作簡には第６図に示す如く、ゲート３にｆ
１電位、ドレイン４にＬＦ電位が印加され、ゲート３・
ドレイン４間に大きな電位差を生じる（同図中、９は智
電位面）。従って、ゲート３端又はドレイン４端に電界
が集中し、破壊を起し易い問題点がある。
１電位、ドレイン４にＬＦ電位が印加され、ゲート３・
ドレイン４間に大きな電位差を生じる（同図中、９は智
電位面）。従って、ゲート３端又はドレイン４端に電界
が集中し、破壊を起し易い問題点がある。
そこで、従来、より高い最大出力を１９、一方、高耐圧
であるＭＥＳ ＦＥＴとして第７図に示すリセスゲー
ト構造をもつＭＥＳ ＦＥ−ｒがある。
であるＭＥＳ ＦＥＴとして第７図に示すリセスゲー
ト構造をもつＭＥＳ ＦＥ−ｒがある。
同図において、基板１０の上部に設けられた活性位１１
（深さは第６図に示す活性層２よりも深い）のグー］・
近傍部分にはウェットエツヂングで凹状部が設けられ、
ここにゲート電極１２が設りられている。ドレイン１３
及びソース１４は活着層１１の表面にそのまま設けられ
ている。
（深さは第６図に示す活性層２よりも深い）のグー］・
近傍部分にはウェットエツヂングで凹状部が設けられ、
ここにゲート電極１２が設りられている。ドレイン１３
及びソース１４は活着層１１の表面にそのまま設けられ
ている。
このものは、ドレイン１３及びソース１４の夫々の下面
がゲート１２の下面に対して相対的に上方にあるため、
順方向最大電流はゲート１２下の空乏層１５のみで決定
され、ゲート・トレイン問空乏層１６及びゲート・ソー
ス間空乏層１７に依存しない。従って、ゲート１２の電
位を正方向に増加させてゲート１２下の空乏層１５の領
域を小さくすることで、第５図に示すものよりも１〜分
な高出力化を１！７ることかできる。又、ゲート１２端
又はドレイン１３端に集中する電界も第５図に示すもの
に比して小さいことが確かめられており、高耐圧化とし
得る。
がゲート１２の下面に対して相対的に上方にあるため、
順方向最大電流はゲート１２下の空乏層１５のみで決定
され、ゲート・トレイン問空乏層１６及びゲート・ソー
ス間空乏層１７に依存しない。従って、ゲート１２の電
位を正方向に増加させてゲート１２下の空乏層１５の領
域を小さくすることで、第５図に示すものよりも１〜分
な高出力化を１！７ることかできる。又、ゲート１２端
又はドレイン１３端に集中する電界も第５図に示すもの
に比して小さいことが確かめられており、高耐圧化とし
得る。
（発明が解決しようとする課題〕
然るに、第７図に示すリセスゲート構ｊΔを乙つ従来の
ＭＥＳ ＦＥＴは、一般に制御性の悪いウェット上ツ
ヂングを用いて活性層１１に四部を設けるため、ゲート
１２下のチャネル領域の深さにばらつきを生じる。この
ため、飽和ドレイン・ソース間電流（ゲート・ソース間
電圧を君にした時のトレイン・ソース間電流）のばらつ
きを生じ、特に、ＲＦ倍信号飽和出力を用いる回路では
この飽和出力は飽和ドレイン・ソース間電流によって規
定されるため、設計値と測定値とが異なり、製品の信頼
性が低下するという問題点があった。
ＭＥＳ ＦＥＴは、一般に制御性の悪いウェット上ツ
ヂングを用いて活性層１１に四部を設けるため、ゲート
１２下のチャネル領域の深さにばらつきを生じる。この
ため、飽和ドレイン・ソース間電流（ゲート・ソース間
電圧を君にした時のトレイン・ソース間電流）のばらつ
きを生じ、特に、ＲＦ倍信号飽和出力を用いる回路では
この飽和出力は飽和ドレイン・ソース間電流によって規
定されるため、設計値と測定値とが異なり、製品の信頼
性が低下するという問題点があった。
本発明は、飽和ドレイン・ソース間電流にばらつきなく
、高出力化及び高耐圧化を図り（ｑるＭＥＳ ＦＥＴ
ｅ提供することを目的とする。
、高出力化及び高耐圧化を図り（ｑるＭＥＳ ＦＥＴ
ｅ提供することを目的とする。
第１図は本発明の原理図を示す。同図中、２０はｆｆ１
１ゲート、２１ａ、２１ｂは第２ゲートであり、本発明
はゲート？［Ｊｉとしてこの２種のグーｉ〜を有する。
１ゲート、２１ａ、２１ｂは第２ゲートであり、本発明
はゲート？［Ｊｉとしてこの２種のグーｉ〜を有する。
第２ゲート２１ａ、２１ｂは、第１ゲート２０とドレイ
ン２２との間の活性層表面及び第１ゲート２０とソース
２３との間の活性層表面を夫々覆うように第１ゲート２
０の両側に夫々設けられ、第１ゲート２０にはＦＥＴを
動作させるために必要な信号を印加する一方、第２ゲー
ト２１ａ。
ン２２との間の活性層表面及び第１ゲート２０とソース
２３との間の活性層表面を夫々覆うように第１ゲート２
０の両側に夫々設けられ、第１ゲート２０にはＦＥＴを
動作させるために必要な信号を印加する一方、第２ゲー
ト２１ａ。
２１ｂには上記活性層表面の表面電位による空乏化分を
１目殺するのに必要なりＣ電位を印加する。
１目殺するのに必要なりＣ電位を印加する。
〔作用）
ゲート・ドレイン間の表面電位及びゲート・ソース間ノ
表面゛１ｈ位（−０，４Ｖ 〜−０，６Ｖ）を相殺する
ような電位を第２ゲー１−２１ａ、２１ｂに印加する。
表面゛１ｈ位（−０，４Ｖ 〜−０，６Ｖ）を相殺する
ような電位を第２ゲー１−２１ａ、２１ｂに印加する。
これにより、表面空乏層は上方に縮退し、活性層の空乏
層としてはゲート２０下の空乏層のみとなる。従って、
ゲート２０の電位を正方向に増加させてゲート２０下の
空乏層の領域を小さくすることで順方向最大゛電流を１
分にとり１ｒ？、高出力化が図れる１、この場合、従来
のりセスグー１〜構造のようにウェブｌ−１ツチングで
活性層に四部を設けているわけではないので、従来例の
ようなチャネル領域の深さのばらつきによる飽和トレイ
ン・ソース間電流のばらつきを生じることはない。
層としてはゲート２０下の空乏層のみとなる。従って、
ゲート２０の電位を正方向に増加させてゲート２０下の
空乏層の領域を小さくすることで順方向最大゛電流を１
分にとり１ｒ？、高出力化が図れる１、この場合、従来
のりセスグー１〜構造のようにウェブｌ−１ツチングで
活性層に四部を設けているわけではないので、従来例の
ようなチャネル領域の深さのばらつきによる飽和トレイ
ン・ソース間電流のばらつきを生じることはない。
又、第２ゲート２１ａ、２１ｂにドレイン２２の電位に
比して低い正電位を印加しているのでグー１〜又はドレ
イン喘に電界が集中することはなく、高耐圧とし得る。
比して低い正電位を印加しているのでグー１〜又はドレ
イン喘に電界が集中することはなく、高耐圧とし得る。
〔実施例）
第２図は本発明になるＭＥＳ ＦＥＴの一実施例の平
面図、第３図はその一部の断面構成図を示し、両図中、
同一部分には同一番目を付す。両図中、２０１は第１ゲ
ート、２１ａ、２１ｂは第２ゲトである。第２グー１−
２１ａ、２１ｂは第１ゲ１への両側に、つまり、第１ゲ
ート２０とドレイン２２との間及び第１ゲート２０とソ
ース２３との間に人々設けられており、ゲート・トレイ
ン間活性層表面及びグー１へ・ソース間活性層表面を買
うようにそのゲート長は第１ゲート２０のグー１〜艮よ
りも長い。第１ゲート２０．第２グーｌ−２１ａ。
面図、第３図はその一部の断面構成図を示し、両図中、
同一部分には同一番目を付す。両図中、２０１は第１ゲ
ート、２１ａ、２１ｂは第２ゲトである。第２グー１−
２１ａ、２１ｂは第１ゲ１への両側に、つまり、第１ゲ
ート２０とドレイン２２との間及び第１ゲート２０とソ
ース２３との間に人々設けられており、ゲート・トレイ
ン間活性層表面及びグー１へ・ソース間活性層表面を買
うようにそのゲート長は第１ゲート２０のグー１〜艮よ
りも長い。第１ゲート２０．第２グーｌ−２１ａ。
２１ｂは活性層２４の同一表面上に設けられてＪ３す、
平面図上ではくし歯状に並列配首されている、。
平面図上ではくし歯状に並列配首されている、。
第１ゲート・２０．第２ゲート２１ａ、２１ｂとドレイ
ン２２．ソース２３との平面交叉部分はエアブリッジと
されている。なお、２５は基板である。
ン２２．ソース２３との平面交叉部分はエアブリッジと
されている。なお、２５は基板である。
ここで、ゲート・ドレイン間の表面電位及びグー１〜・
ソース間の表面電位は通常−０，４Ｖ〜０．６Ｖである
ので、これを１（１段するような電位＋０４ｖ〜＋０６
Ｖ（ドレイン２２の電位に比して低い）を第２ゲート・
２１ａ、２１ｂに印加する。
ソース間の表面電位は通常−０，４Ｖ〜０．６Ｖである
ので、これを１（１段するような電位＋０４ｖ〜＋０６
Ｖ（ドレイン２２の電位に比して低い）を第２ゲート・
２１ａ、２１ｂに印加する。
これにより、第３図に示す如く、グー！−・トレイン間
及びゲート・ソース間において木来生じるはずの表面空
乏層２６．２７（破線で示す）は上方に縮退して２６’
、２７’ で尽す如くとなり、活性層２４の空乏層と
してはゲート２ｏ下の空乏層２８のみとなる。従って、
ドレイン・ソース間を流れる電流はゲート２０下の空乏
層２８のみで決定され、ゲート２０の電位を正り向に増
加させて空乏層２８の領域を小さくすることで、順方向
最大゛心流を十分にとり１！？、高出力化が図れる。
及びゲート・ソース間において木来生じるはずの表面空
乏層２６．２７（破線で示す）は上方に縮退して２６’
、２７’ で尽す如くとなり、活性層２４の空乏層と
してはゲート２ｏ下の空乏層２８のみとなる。従って、
ドレイン・ソース間を流れる電流はゲート２０下の空乏
層２８のみで決定され、ゲート２０の電位を正り向に増
加させて空乏層２８の領域を小さくすることで、順方向
最大゛心流を十分にとり１！？、高出力化が図れる。
なお、このものは、第７図に示すリセスグー１へ構造の
従来例のように制御性の悪いウエットエツヂングで活ｔ
’Ｉ Ｆｔを凹状にしてそこにゲートを設ける構造では
ないので、従来例のようなチャネル領域の深さのばらつ
きによる飽和ドレイン・ソース間電流のばらつきを生じ
ることはなく、特に、ＲＦ倍信号飽和出力を用いる回路
において製品の信頼性を高め１７る。実際に使用する回
路としては、第４図に足す如く、第１ゲート２０にＲＦ
信号源３０のＲＦ倍信号びＤＣ電源３１のＤＣバイアス
電圧を印加する一方、第２ゲート２１８．２１ｂにＤＣ
電源３２のＤＣバイアス電圧のみを印加する。このもの
は、第２ゲート２１ａ、２１ｂは前述の表面空乏層を縮
退させる目的のみに用いられ、第１ゲート２０に供給さ
れるＲＦ倍信号増幅して例えばアンテナ等の負荷３３に
供給する１゜次に、本発明の高耐圧化について説明する
。本発明では第３図に示す如く、ゲート・ドレイン間及
びゲート・ソース間に第２ゲート２１ａ、２１ｂを設＆
ノ、この第２ゲート２１ａ、２１ｂにドレイン２２の電
位に比して低い正電位を印加している。
従来例のように制御性の悪いウエットエツヂングで活ｔ
’Ｉ Ｆｔを凹状にしてそこにゲートを設ける構造では
ないので、従来例のようなチャネル領域の深さのばらつ
きによる飽和ドレイン・ソース間電流のばらつきを生じ
ることはなく、特に、ＲＦ倍信号飽和出力を用いる回路
において製品の信頼性を高め１７る。実際に使用する回
路としては、第４図に足す如く、第１ゲート２０にＲＦ
信号源３０のＲＦ倍信号びＤＣ電源３１のＤＣバイアス
電圧を印加する一方、第２ゲート２１８．２１ｂにＤＣ
電源３２のＤＣバイアス電圧のみを印加する。このもの
は、第２ゲート２１ａ、２１ｂは前述の表面空乏層を縮
退させる目的のみに用いられ、第１ゲート２０に供給さ
れるＲＦ倍信号増幅して例えばアンテナ等の負荷３３に
供給する１゜次に、本発明の高耐圧化について説明する
。本発明では第３図に示す如く、ゲート・ドレイン間及
びゲート・ソース間に第２ゲート２１ａ、２１ｂを設＆
ノ、この第２ゲート２１ａ、２１ｂにドレイン２２の電
位に比して低い正電位を印加している。
従って、第６図で説明したようなグー１一端又はドレイ
ン端の電界の集中を緩和することができ、高耐圧とし得
る。
ン端の電界の集中を緩和することができ、高耐圧とし得
る。
以上説明した如く、本発明によれば、飽和ドレイン・ソ
ース間電流にばらつきを生じることはなく、製品の信頼
性を向上し得、又、高出力化および高耐圧化を達成でき
、特に製品の均一性が要求される高出力ＭＭＩＣ（マイ
クロ波モノリシックＩＣ）や単体ＭＥＳ ＦＥＴの性
能向上に？：ｉ’５するところ人である。
ース間電流にばらつきを生じることはなく、製品の信頼
性を向上し得、又、高出力化および高耐圧化を達成でき
、特に製品の均一性が要求される高出力ＭＭＩＣ（マイ
クロ波モノリシックＩＣ）や単体ＭＥＳ ＦＥＴの性
能向上に？：ｉ’５するところ人である。
第１図は本発明の原理図、
第２図は本発明の一実施例の平面図、
第３図は本発明の一実施［り１の断面構成図、第４図は
本発明を適用する回路の回路図、第５図は従来の一例の
構成図、 第６図はトランジスタに〔［１１）口される電界を示ず
図、 第７図は従来の他の例の構成図である。 図において、 ２０は第１ゲート、 ２１ａ、２１ｂは第２ゲート、 ２２はドレイン、 ２３はソース、 ２４は活性層、 ２５＋１ 基 板 、 ２６’ ２７’ は縮退した表面空乏層、２８はグ
ー１−下の空乏層 を小す。 １５訂出願人 富 士 通 株式会社 第１図 同
本発明を適用する回路の回路図、第５図は従来の一例の
構成図、 第６図はトランジスタに〔［１１）口される電界を示ず
図、 第７図は従来の他の例の構成図である。 図において、 ２０は第１ゲート、 ２１ａ、２１ｂは第２ゲート、 ２２はドレイン、 ２３はソース、 ２４は活性層、 ２５＋１ 基 板 、 ２６’ ２７’ は縮退した表面空乏層、２８はグ
ー１−下の空乏層 を小す。 １５訂出願人 富 士 通 株式会社 第１図 同
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ゲート電極として第１ゲート（２０）及び第２ゲート（
２１ａ）（２１ｂ）を有し、 該第２ゲート（２１ａ）（２１ｂ）は、該第１ゲート（
２０）とドレイン（２２）との間の活性層表面及び該第
１ゲート（２０）とソース（２３）との間の活性層表面
を夫々覆うように該第１ゲート（２０）の両側に夫々設
けられ、 上記第１ゲート（２０）にはＦＥＴを動作させるために
必要な信号を印加する一方、上記第２ゲート（２１ａ）
（２１ｂ）には上記活性層表面の表面電位による空乏化
分を相殺するのに必要なＤＣ電位を印加するよう構成し
てなることを特徴とするメタル・セミコンダクタ・ＦＥ
Ｔ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63145456A JPH022179A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | メタル・セミコンダクタ・ｆｅｔ |
| US07/362,224 US4972237A (en) | 1988-06-13 | 1989-06-07 | Metal-semiconductor field effect transistor device |
| EP89305827A EP0347111B1 (en) | 1988-06-13 | 1989-06-09 | Metal-semiconductor field effect transistor device |
| KR8908131A KR920003677B1 (en) | 1988-06-13 | 1989-06-13 | Metal-semiconductor mesfet device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63145456A JPH022179A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | メタル・セミコンダクタ・ｆｅｔ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH022179A true JPH022179A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15385650
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63145456A Pending JPH022179A (ja) | 1988-06-13 | 1988-06-13 | メタル・セミコンダクタ・ｆｅｔ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4972237A (ja) |
| EP (1) | EP0347111B1 (ja) |
| JP (1) | JPH022179A (ja) |
| KR (1) | KR920003677B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176761A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
| WO2010047016A1 (ja) * | 2008-10-21 | 2010-04-29 | パナソニック株式会社 | 双方向スイッチ |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5220194A (en) * | 1989-11-27 | 1993-06-15 | Motorola, Inc. | Tunable capacitor with RF-DC isolation |
| US5274255A (en) * | 1991-08-30 | 1993-12-28 | Houssaye Paul De | Structure for providing high resolution modulation of voltage potential in the vicinity of a surface |
| US5539228A (en) * | 1992-07-28 | 1996-07-23 | Hughes Aircraft Company | Field-effect transistor with high breakdown voltage provided by channel recess offset toward drain |
| US5453630A (en) * | 1992-11-12 | 1995-09-26 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Variable gain optical detector |
| WO1998056039A1 (en) * | 1997-06-03 | 1998-12-10 | University Of Utah Research Foundation | Utilizing inherent rectifying characteristics of a substrate in semiconductor devices |
| JP2001284367A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Nec Kansai Ltd | 高周波用電界効果トランジスタ |
| KR100859464B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2008-09-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디지털 엑스레이 검출기용 박막트랜지스터 어레이 패널 및 그 제조방법 |
| US7696598B2 (en) * | 2005-12-27 | 2010-04-13 | Qspeed Semiconductor Inc. | Ultrafast recovery diode |
| US7893754B1 (en) | 2009-10-02 | 2011-02-22 | Power Integrations, Inc. | Temperature independent reference circuit |
| US8634218B2 (en) * | 2009-10-06 | 2014-01-21 | Power Integrations, Inc. | Monolithic AC/DC converter for generating DC supply voltage |
| US8310845B2 (en) * | 2010-02-10 | 2012-11-13 | Power Integrations, Inc. | Power supply circuit with a control terminal for different functional modes of operation |
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| CN103582939B (zh) | 2011-06-24 | 2016-03-09 | 松下知识产权经营株式会社 | 氮化物半导体装置 |
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| US9629218B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Power Integrations, Inc. | Thermal protection for LED bleeder in fault condition |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1543363A (en) * | 1975-02-26 | 1979-04-04 | Nippon Electric Co | Dual-gate schottky barrier gate field effect transistors |
| JPS5726473A (en) * | 1980-07-24 | 1982-02-12 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
| JPS5850780A (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-25 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
| US4608583A (en) * | 1983-05-23 | 1986-08-26 | Rca Corporation | FET amplifier |
| JPS59107564A (ja) * | 1983-11-09 | 1984-06-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| EP0147482B1 (en) * | 1983-12-28 | 1987-08-19 | International Business Machines Corporation | Low temperature tunneling transistor |
| JPS61171171A (ja) * | 1985-01-25 | 1986-08-01 | Sony Corp | 半導体装置 |
| JPH0624251B2 (ja) * | 1986-01-08 | 1994-03-30 | 富士通株式会社 | 光半導体装置 |
-
1988
- 1988-06-13 JP JP63145456A patent/JPH022179A/ja active Pending
-
1989
- 1989-06-07 US US07/362,224 patent/US4972237A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-09 EP EP89305827A patent/EP0347111B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-13 KR KR8908131A patent/KR920003677B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07176761A (ja) * | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
| WO2010047016A1 (ja) * | 2008-10-21 | 2010-04-29 | パナソニック株式会社 | 双方向スイッチ |
| JP2010103158A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Panasonic Corp | 双方向スイッチ |
| US8344463B2 (en) | 2008-10-21 | 2013-01-01 | Panasonic Corporation | Bidirectional switch |
| US8569843B2 (en) | 2008-10-21 | 2013-10-29 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910002007A (ko) | 1991-01-31 |
| EP0347111A2 (en) | 1989-12-20 |
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| EP0347111B1 (en) | 1993-09-15 |
| EP0347111A3 (en) | 1990-03-28 |
| US4972237A (en) | 1990-11-20 |
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