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JPH07134412A - ネガ型放射線感応性レジスト組成物 - Google Patents

ネガ型放射線感応性レジスト組成物

Info

Publication number
JPH07134412A
JPH07134412A JP28282493A JP28282493A JPH07134412A JP H07134412 A JPH07134412 A JP H07134412A JP 28282493 A JP28282493 A JP 28282493A JP 28282493 A JP28282493 A JP 28282493A JP H07134412 A JPH07134412 A JP H07134412A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
triazine
ethenyl
trichloromethyl
bis
resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28282493A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaichi Kobayashi
政一 小林
Hiroyuki Yamazaki
浩幸 山崎
Yoichiro Harada
庸一郎 原田
Hatsuyuki Tanaka
初幸 田中
Toshimasa Nakayama
寿昌 中山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority to JP28282493A priority Critical patent/JPH07134412A/ja
Publication of JPH07134412A publication Critical patent/JPH07134412A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【構成】 (A)アルカリ可溶性樹脂とアルコキシメチ
ル化アミノ樹脂から成る樹脂成分に対し、(B)下記一
般式(I)で表わされるトリアジン化合物、又はこのも
のと下記一般式(II)で表わされるトリアジン化合物
とを組み合わせたものを配合して成るネガ型放射線感応
性レジスト組成物である。 【化1】 [R1、R2は炭素数1〜3のアルキル基、Zは4−アル
コキシフェニル基、4‐アルコキシナフチル基、2‐
(3,5‐ジアルコキシフェニル)エテニル基、2‐
(2‐フリル)エテニル基、2‐(5‐アルキル‐2‐
フリル)エテニル基、3,4‐メチレンジオキシフェニ
ル基又は2‐(3,4‐メチレンジオキシフェニル)エ
テニル基] 【効果】 高い解像性及び高い感度を有し、かつ良好な
プロファイル形状のレジストパターンを与えることがで
き、半導体デバイスの製造や液晶表示用の透明導電膜の
加工などに好適に用いられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なネガ型放射線感
応性レジスト組成物、さらに詳しくいえば、半導体デバ
イスの製造、液晶表示用の透明導電膜の加工など電子工
業分野における微細加工に適した高い解像性及び高い感
度を有し、しかも良好なプロファイル形状のレジストパ
ターンを与えうるネガ型放射線感応性レジスト組成物に
関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体デバイスにおける高密度
化、高集積度化の進歩は著しく、その微細加工技術にお
ける解像性は、サブミクロン領域まで要求されるように
なってきている。そして、半導体デバイスの製造分野に
おいて主流となっているリソグラフィー技術に関して
も、0.5μm以下の微細加工が必要とされ、これに応
えるために、短波長の紫外線であるDeep UV、i
線及びg線などの単波長を発光する光源や、エキシマレ
ーザー、KrFレーザー(波長248nm)が使用され
始めているほか、電子線やエックス線に感応するレジス
トの開発も進められている。
【0003】このような放射線に適合するネガ型レジス
ト組成物について、トリクロロメチル化トリアジン化合
物を光重合開始剤又は光酸発生剤として用いた種々の研
究が近年積極的になされており、例えばエチレン性不飽
和基をもつ単量体(特開昭54−74887号公報)、
エチレン性不飽和二重結合を少なくとも1個有する付加
重合可能な化合物(特開昭54−151024号公
報)、フリーラジカル又は酸により重合する単量体(特
開昭60−105667号公報)などの重合性モノマー
成分との組合せによるレジスト組成物、クレゾールノボ
ラック樹脂、アルコキシメチル化メラミン樹脂(特開平
2−146044号公報)、ポリヒドロキシスチレン
(特開平4−136858号公報)などの架橋可能な樹
脂成分との組合せによるレジスト組成物が提案されてい
る。
【0004】しかしながら、これらのレジスト組成物に
おいては、それから得られるレジストパターンの断面形
状がスソを引きプロファイル形状が悪くなりやすく、高
解像性が得られない上に、Deep UV、i線、g
線、エキシマレーザー、電子線、エックス線などの放射
線に対して実用的な感度を有していないという欠点があ
り、また比較的昇華性の高いトリアジン化合物が現像後
のポストベーク時に昇華し、処理室内壁に結晶状態で付
着して、これが被処理基板表面上に落下することによ
り、エッチング時にエッチング不良を起こしパターン形
成の異常の原因となっていた。
【0005】このように、特に0.5μm以下の微細加
工に対応できる前記した各種放射線を利用したリソグラ
フィー技術において用いられる感光剤としてのトリクロ
ロメチル化トリアジン化合物を含有するネガ型レジスト
組成物については、まだ実用的なものは得られていない
のが実情である。
【0006】このため、半導体デバイスや液晶表示素子
の製造分野においては、エッチング不良を起こさず、解
像性及びレジストパターンのプロファイル形状に優れ、
かつ各種放射線に対する感度の高いネガ型放射線感応性
レジスト組成物の開発が強く望まれている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
要望にこたえるため、各種放射線に対して感応し、高解
像性でレジストパターンのプロファイル形状に優れると
ともに、エッチング不良を起こすことなく、良好なパタ
ーン形成が実現できる感度の高いネガ型放射線感応性レ
ジスト組成物を提供することを目的としてなされたもの
である。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、微細加工
用として好適なネガ型放射線感応性レジスト組成物を開
発すべく鋭意研究を重ねた結果、アルカリ可溶性樹脂と
アルコキシメチル化アミノ樹脂とから成る樹脂成分に、
特定のトリアジン化合物を配合することにより、その目
的を達成しうることを見出し、この知見に基づいて本発
明をなすに至った。
【0009】すなわち、本発明は、(A)アルカリ可溶
性樹脂とアルコキシメチル化アミノ樹脂から成る樹脂成
分に対し、(B)(イ)一般式(I)
【化3】 (式中のR1及びR2はそれぞれ炭素数1〜3のアルキル
基であり、それらはたがいに同一でも異なっていてもよ
い)で表わされるトリアジン化合物、又は該(イ)成分
のトリアジン化合物と(ロ)一般式(II)
【化4】 [式中のZは4‐アルコキシフェニル基、4‐アルコキ
シナフチル基、2‐(3,5‐ジアルコキシフェニル)
エテニル基、2‐(2‐フリル)エテニル基、2‐(5
‐アルキル‐2‐フリル)エテニル基、3,4‐メチレ
ンジオキシフェニル基又は2‐(3,4‐メチレンジオ
キシフェニル)エテニル基である]で表わされるトリア
ジン化合物とを組み合わせたものを配合したことを特徴
とするネガ型放射線感応性レジスト組成物を提供するも
のである。
【0010】本発明組成物に用いるアルカリ可溶性樹脂
としては、例えばノボラック樹脂、アクリル樹脂、スチ
レンとアクリル酸との共重合体、ヒドロキシスチレンの
重合体及び共重合体、ポリα‐メチルビニルフェノール
などが挙げられ、中でもポリヒドロキシスチレン、ノボ
ラック樹脂が好ましく、さらには、アルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂が最も好ましい。このアルカリ可溶性ノボラ
ック樹脂については特に制限はなく、従来ポジ型ホトレ
ジスト組成物において被膜形成用物質として慣用されて
いるもの、例えばフェノール、クレゾール、キシレノー
ルなどの芳香族ヒドロキシ化合物とホルムアルデヒドな
どのアルデヒド類とを酸性触媒の存在下に縮合させたも
のなどが用いられる。このアルカリ可溶性ノボラック樹
脂としては、低分子領域をカットした重量平均分子量が
2000〜20000、好ましくは3000〜1500
0の範囲のものが好ましい。
【0011】本発明で好適に用いるアルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂は、例えばフェノール、m‐クレゾールとp
‐クレゾール、2,5‐キシレノール及び3,5‐キシ
レノールの中から選ばれた少なくとも1種とをそれぞれ
所定の割合で含有する混合フェノール性化合物とホルマ
リンとを、酸触媒の存在下で縮合反応させることにより
製造することができる。本発明においてレジストパター
ンのプロファイルの改良を考慮する場合には、m‐クレ
ゾール30重量%以上を用いたものが好適である。
【0012】一方、ポリヒドロキシスチレンについて
は、特に制限はなく、公知のものを用いることができる
が、重量平均分子量3000〜50000、好ましくは
5000〜30000の範囲のものが好適である。
【0013】本発明組成物において、(A)成分のもう
一方の樹脂成分であるアルコキシメチル化アミノ樹脂と
しては、特にアルコキシメチル化メラミン樹脂やアルコ
キシメチル化尿素樹脂、具体的にはメトキシメチル化メ
ラミン樹脂、エトキシメチル化メラミン樹脂、プロポキ
シメチル化メラミン樹脂、ブトキシメチル化メラミン樹
脂、メトキシメチル化尿素樹脂、エトキシメチル化尿素
樹脂、プロポキシメチル化尿素樹脂、ブトキシメチル化
尿素樹脂などが挙げられ、これらは単独で用いてもよい
し、2種以上を組み合わせて用いてもよい。これらのア
ルコキシメチル化アミノ樹脂は、例えば沸騰水溶液中で
メラミン又は尿素とホルマリンを酸触媒下に反応させて
縮合物を得たのち、これをメチルアルコール、エチルア
ルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコールなど
の低級アルコール類でエーテル化させ、次いで反応液を
冷却して析出する樹脂を取り出すことにより、製造する
ことができる。
【0014】前記アルコキシメチル化アミノ樹脂の中で
は、特にアルコキシメチル化メラミン樹脂が好ましく、
このアルコキシメチル化メラミン樹脂は、常法により得
られたメチロール化メラミンのメチロール基をエーテル
化することにより得られるもので、メチロール基を平均
2.5以上、好ましくは3.5以上エーテル化したもの
が好ましい。実用上は市販されているニカラックMx‐
750、ニカラックMx‐706、ニカラックMx‐1
01、ニカラックMx‐032、ニカラックMx‐70
8、ニカラックMx‐40、ニカラックMx‐31、ニ
カラックMs‐11、ニカラックMw‐22、ニカラッ
クMw‐30(以上、三和ケミカル社製)などを好まし
く使用することができる。これらは単独でも、また2種
以上を組み合わせて用いてもよい。
【0015】次に、本発明組成物においては、(B)成
分として、(イ)一般式(I)で表わされるトリアジン
化合物、又は該(イ)成分のトリアジン化合物と(ロ)
一般式(II)で表わされるトリアジン化合物とを組み
合わせたものが用いられる。
【0016】前記(イ)成分の一般式(I)で表わされ
るトリアジン化合物としては、例えば2‐[2‐(3,
4‐ジメトキシフェニル)エテニル]‐4,6‐ビス
(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐
[2‐(3‐メトキシ‐4‐エトキシフェニル)エテニ
ル]‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5
‐トリアジン、2‐[2‐(3‐メトキシ‐4‐プロポ
キシフェニル)エテニル]‐4,6‐ビス(トリクロロ
メチル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐[2‐(3‐
エトキシ‐4‐メトキシフェニル)エテニル]‐4,6
‐ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジ
ン、2‐[2‐(3,4‐ジエトキシフェニル)エテニ
ル]‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5
‐トリアジン、2‐[2‐(3‐エトキシ‐4‐プロポ
キシフェニル)エテニル]‐4,6‐ビス(トリクロロ
メチル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐[2‐(3‐
プロポキシ‐4‐メトキシフェニル)エテニル]‐4,
6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジ
ン、2‐[2‐(3‐プロポキシ‐4‐エトキシフェニ
ル)エテニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)‐
1,3,5‐トリアジン、2‐[2‐(3,4‐ジプロ
ポキシフェニル)エテニル]‐4,6‐ビス(トリクロ
ロメチル)‐1,3,5‐トリアジンなどを挙げること
ができる。これらのトリアジン化合物は単独で用いても
よいし、また2種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0017】一方、前記(イ)成分のトリアジン化合物
と、所望に応じて組み合わせて用いられる(ロ)成分の
前記一般式(II)で表わされるトリアジン化合物とし
ては、例えば2‐(4‐メトキシフェニル)‐4,6‐
ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン、
2‐(4‐エトキシフェニル)‐4,6‐ビス(トリク
ロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐(4‐プ
ロポキシフェニル)‐4,6‐ビス(トリクロロメチ
ル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐(4‐ブトキシフ
ェニル)‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,
3,5‐トリアジン、2‐(4‐メトキシナフチル)‐
4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリ
アジン、2‐(4‐エトキシナフチル)‐4,6‐ビス
(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐
(4‐プロポキシナフチル)‐4,6‐ビス(トリクロ
ロメチル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐(4‐ブト
キシナフチル)‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐
1,3,5‐トリアジン、2‐(4‐メトキシ‐6‐カ
ルボキシナフチル)‐4,6‐ビス(トリクロロメチ
ル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐(4‐メトキシ‐
6‐ヒドロキシナフチル)‐4,6‐ビス(トリクロロ
メチル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐[2‐(2‐
フリル)エテニル]‐4,6‐ビス(トリクロロメチ
ル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐[2‐(5‐メチ
ル‐2‐フリル)エテニル]‐4,6‐ビス(トリクロ
ロメチル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐[2‐(5
‐エチル‐2‐フリル)エテニル]‐4,6‐ビス(ト
リクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐[2
‐(5‐プロピル‐2‐フリル)エテニル]‐4,6‐
ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン、
2‐[2‐(3,5‐ジメトキシフェニル)エテニル)
‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5‐ト
リアジン、2‐[2‐(3‐メトキシ‐5‐エトキシフ
ェニル)エテニル]‐4,6‐ビス(トリクロロメチ
ル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐[2‐(3‐メト
キシ‐5‐プロポキシフェニル)エテニル]‐4,6‐
ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン、
2‐[2‐(3‐エトキシ‐5‐メトキシフェニル)エ
テニル]‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,
3,5‐トリアジン、2‐[2‐(3,5‐ジエトキシ
フェニル)エテニル]‐4,6‐ビス(トリクロロメチ
ル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐[2‐(3‐エト
キシ‐5‐プロポキシフェニル)エテニル]‐4,6‐
ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン、
2‐[2‐(3‐プロポキシ‐5‐メトキシフェニル)
エテニル]‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,
3,5‐トリアジン、2‐[2‐(3‐プロポキシ‐5
‐エトキシフェニル)エテニル]‐4,6‐ビス(トリ
クロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐[2‐
(3,5‐ジプロポキシフェニル)エテニル]‐4,6
‐ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジ
ン、2‐(3,4−メチレンジオキシフェニル)‐4,
6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジ
ン、2‐[2‐(3,4‐メチレンジオキシフェニル)
エテニル]‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,
3,5‐トリアジンなどが挙げられる。これらのトリア
ジン化合物は1種用いてもよいし、2種以上を組み合わ
せて用いてもよい。
【0018】前記(ロ)成分のトリクロロメチル化トリ
アジン化合物の中で特に好ましいのは、2‐(4‐メト
キシフェニル)‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐
1,3,5‐トリアジン、2‐[2‐(5‐メチル‐2
‐フリル)エテニル]‐4,6‐ビス(トリクロロメチ
ル)‐1,3,5‐トリアジン、2‐(3,4‐メチレ
ンジオキシフェニル)‐4,6‐ビス(トリクロロメチ
ル)‐1,3,5‐トリアジンであり、これらは(イ)
成分のトリアジン化合物と任意の割合で組合わされて用
いられる。
【0019】該(イ)成分と(ロ)成分との有利な組合
せとしては、(1)(イ)成分に対し、2‐(4‐アル
コキシフェニル)‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)
‐1,3,5‐トリアジンを組み合わせたもの、(2)
(イ)成分に対し、2‐(3,4‐メチレンジオキシフ
ェニル)‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,
3,5‐トリアジンを組み合わせたもの、(3)(イ)
成分に対し、2‐[2‐(5‐アルキル‐2‐フリル)
エテニル]‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,
3,5‐トリアジンを組み合わせたもの、(4)(イ)
成分に対し、2‐[2‐(5‐アルキル‐2‐フリル)
エテニル]‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,
3,5‐トリアジンと2‐(3,4‐メチレンジオキシ
フェニル)‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,
3,5‐トリアジンとを組み合わせた3成分から成るも
の、及び(5)(イ)成分に対し、2‐(3,4‐メチ
レンジオキシフェニル)‐4,6‐ビス(トリクロロメ
チル)‐1,3,5‐トリアジンと2‐(4‐アルコキ
シフェニル)‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐
1,3,5‐トリアジンとを組み合わせた3成分から成
るものを挙げることができるが、これらの組合せの中で
(4)及び(5)の3成分から成るもの、特に(4)の
3成分から成るものが好適である。また、(イ)成分の
配合割合は、トリアジン化合物全体量に対して重量基準
で50%以上含まれているのが好ましいが、(ロ)成分
に2‐(3,4‐メチレンジオキシフェニル)‐4,6
‐ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン
を用いた場合には、(イ)成分とこれの合計量がトリア
ジン化合物全重量に対し、50%以上であればよい。
【0020】本発明組成物における前記各成分の配合割
合については、(A)成分のアルカリ可溶性樹脂とアル
コキシメチル化アミノ樹脂とは、重量比が60:40な
いし99:1、好ましくは75:25ないし98:2に
なるような割合で用いるのが望ましい。これらの樹脂成
分の割合が前記範囲を逸脱すると、(B)成分を配合し
ても高性能のレジスト組成物が得られない。
【0021】また、(B)成分、すなわち、(イ)成分
のトリアジン化合物単独、又は(イ)成分と(ロ)成分
との組合せから成るトリアジン化合物は、前記の(A)
成分に対して0.5〜15重量%、好ましくは1〜10
重量%の範囲で配合される。この配合量が0.5重量%
未満では本発明の目的が十分に達成されないし、15重
量%を超えるとレジストのアルカリ水溶液に対する溶解
性が悪くなり、現像性が低下するため好ましくない。
【0022】本発明組成物には、本発明の目的を損なわ
ない範囲で、必要に応じて相容性のある添加物、例えば
レジスト膜の性能などを改良するための付加的樹脂、可
塑剤、安定剤、界面活性剤、現像した像をより一層可視
的にするための着色料、また、より増感効果を向上させ
るための増感剤やハレーション防止用染料などの慣用の
添加物を含有させることができる。
【0023】本発明組成物は、前記各成分を有機溶剤に
溶解して、溶液の形で用いるのが有利である。このよう
な有機溶剤としては、例えばアセトン、メチルエチルケ
トン、シクロヘキサノン、イソブチルメチルケトン、イ
ソアミルメチルケトン、1,1,1‐トリメチルアセト
ンなどのケトン類;エチレングリコール、プロピレング
リコール、ジエチレングリコール、エチレングリコール
モノアセテート又はジエチレングリコールモノアセテー
トのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプ
ロピルエーテル、モノイソプロピルエーテル、モノブチ
ルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコ
ール類及びその誘導体;ジオキサンのような環式エーテ
ル類;及び酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸
メチル、乳酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エ
チル、3‐エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル
類を挙げることができる。これらは単独でも、また2種
以上を混合して用いてもよい。
【0024】次に、このようにして調製されたネガ型放
射線感応性レジスト組成物の溶液を用いて、微細パター
ンを形成する方法について説明すると、まずシリコンウ
エハーのような基板上に、該レジスト組成物の溶液をス
ピンナーなどで塗布し、乾燥して放射線感応層を設けた
のち、g線、i線、Deep UV、エキシマレーザ
ー、エックス線をマスクを介して選択的に照射するか、
電子線を走査して照射したのち、加熱処理を施し、次い
で、例えば2〜10重量%のテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシドやコリンなどの有機アルカリ水溶液を用い
て現像することにより非照射部分が選択的に溶解除去さ
れ、プロファイル形状に優れたレジストパターンを形成
することができる。
【0025】
【発明の効果】本発明のネガ型放射線感応性レジスト組
成物は、解像性及びプロファイル形状に優れたレジスト
パターンを形成しうるとともに、ポストベーク時の昇華
したトリアジン化合物による処理室内壁の汚染の防止、
さらに該付着物の被処理基板表面上への落下によるエッ
チング不良やパターン不良の改善が実現され、かつ各種
放射線に対して高い感度を有するため、特に微細加工化
の進む半導体のデバイスの製造に好適に用いられる。
【0026】
【実施例】次に実施例により本発明をさらに詳細に説明
するが、本発明はこれらの例によってなんら限定される
ものではない。なお、各例中の昇華性度は次のようにし
て評価されたものである。
【0027】昇華性度;得られたウエハーを、160℃
で90秒間ベークし、処理室内壁にトリアジン化合物の
結晶が認められるか否かを観察し、以下の基準で示し
た。 ◎: 300枚ベーク後も結晶は認められない。 ○: 200〜299枚ベーク後に結晶が認められる。 △: 100〜199枚ベーク後に結晶が認められる。 ×: 50〜99枚ベーク後に結晶が認められる。
【0028】実施例1 m‐クレゾールとp‐クレゾールとを重量比で70:3
0の割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸
触媒を用いて常法により縮合して得たクレゾールノボラ
ック樹脂(重量平均分子量6000)25gとアルコキ
シメチル化メラミン樹脂であるニカラックMw‐30
(三和ケミカル社製)を樹脂成分に対して3重量%
(0.75g)とを乳酸エチル100gに溶解したの
ち、この溶液にクレゾールノボラック樹脂及びアルコキ
シメチル化メラミン樹脂の合計量に対して、2‐[2‐
(3,4‐ジメトキシフェニル)エテニル]‐4,6‐
ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジンを
3重量%の割合で加えて溶解したものを孔径0.2μm
のメンブランフィルターを用いて加圧ろ過することによ
りレジスト溶液を得た。
【0029】次に、得られたレジスト溶液をヘキサメチ
ルジシラザン雰囲気中に7分間放置することで表面処理
した5インチシリコンウエハー上に、4000rpmで
20秒間スピンコートし、ホットプレート上で90℃で
90秒間乾燥することにより、1.0μm厚レジスト層
を形成した。次いで、形成されたレジスト層にg線用縮
小投影露光装置1505G7E(ニコン社製)により、
g線を選択的に露光したのち、110℃で90秒間加熱
処理を行い、次いで、2.38重量%テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液に23℃で約1分間浸せき
することにより、g線の非照射部分を溶解除去した後、
このウエハーをホットプレート上において160℃で9
0秒間ベークしてレジストパターンを得た。このレジス
トパターンは、シリコンウエハー面から垂直に切り立っ
た良好なプロファイル形状を有する0.50μmのレジ
ストパターンであった。また同様の操作によりウエハー
300枚を処理したが、処理室内壁にトリアジン化合物
の結晶の析出はみられなかった。
【0030】実施例2〜9 アルコキシメチル化アミノ樹脂の混合割合を5重量%
(1.25g)に、またトリアジン化合物の種類及び配
合量を表1に示すように変えた以外は、実施例1と同様
な操作を行い、それぞれのレジストのポストベーク時に
おける昇華性度及び感度を求めた。その結果を表1に示
す。
【0031】
【表1】
【0032】比較例1〜5 アルコキシメチル化アミノ樹脂の混合割合を5重量%
(1.25g)に、またトリアジン化合物の種類及び配
合量を表2に示すように変えた以外は、実施例1と同様
な操作を行い、それぞれのレジストのポストベーク時に
おける昇華性度を求めた。その結果を表2に示す。
【0033】
【表2】
【0034】表1及び表2において、T1、T2、T3
びT4はそれぞれ次のとおりの意味を示す。 T1:2‐(4‐メトキシフェニル)‐4,6‐ビス
(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリアジン T2:2‐[2‐(5‐メチル‐2‐フリル)エテニ
ル]‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5
‐トリアジン T3:2‐(3,4‐メチレンジオキシフェニル)‐
4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,3,5‐トリ
アジン T4:2‐[2‐(3,4‐ジメトキシフェニル)エテ
ニル]‐4,6‐ビス(トリクロロメチル)‐1,3,
5‐トリアジン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 初幸 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内 (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 東 京応化工業株式会社内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)アルカリ可溶性樹脂とアルコキシ
    メチル化アミノ樹脂から成る樹脂成分に対し、(B)
    (イ)一般式 【化1】 (式中のR1及びR2はそれぞれ炭素数1〜3のアルキル
    基であり、それらはたがいに同一でも異なっていてもよ
    い)で表わされるトリアジン化合物、又は該(イ)成分
    のトリアジン化合物と(ロ)一般式 【化2】 [式中のZは4‐アルコキシフェニル基、4‐アルコキ
    シナフチル基、2‐(3,5‐ジアルコキシフェニル)
    エテニル基、2‐(2‐フリル)エテニル基、2‐(5
    ‐アルキル‐2‐フリル)エテニル基、3,4‐メチレ
    ンジオキシフェニル基又は2‐(3,4‐メチレンジオ
    キシフェニル)エテニル基である]で表わされるトリア
    ジン化合物とを組み合わせたものを配合したことを特徴
    とするネガ型放射線感応性レジスト組成物。
  2. 【請求項2】 (A)成分中のアルカリ可溶性樹脂とア
    ルコキシメチル化アミノ樹脂との配合割合が重量比で6
    0:40ないし99:1の範囲にある請求項1記載のネ
    ガ型放射線感応性レジスト組成物。
  3. 【請求項3】 (A)成分に対する(B)成分の配合量
    が0.5〜15重量%の範囲にある請求項1又は2記載
    のネガ型放射線感応性レジスト組成物。
JP28282493A 1993-11-11 1993-11-11 ネガ型放射線感応性レジスト組成物 Pending JPH07134412A (ja)

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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4895724A (en) * 1985-06-07 1990-01-23 Pfizer Inc. Chitosan compositions for controlled and prolonged release of macromolecules
JPH08339087A (ja) * 1995-06-12 1996-12-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法
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US7329478B2 (en) 2003-05-22 2008-02-12 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemical amplified positive photo resist composition and method for forming resist pattern
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US7816072B2 (en) 2005-05-02 2010-10-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and method for forming resist pattern
US7871756B2 (en) 2003-11-25 2011-01-18 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemically amplified positive photosensitive thermosetting resin composition, method of forming cured article, and method of producing functional device
US8715918B2 (en) 2007-09-25 2014-05-06 Az Electronic Materials Usa Corp. Thick film resists
US11385543B2 (en) 2016-08-09 2022-07-12 Merck Patent Gmbh Enviromentally stable, thick film, chemically amplified resist

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