JPH04212960A - 脂肪族および芳香族ジおよびトリ酸およびアルコールの脂肪族ジおよびトリエステルを含むフォトレジスト - Google Patents
脂肪族および芳香族ジおよびトリ酸およびアルコールの脂肪族ジおよびトリエステルを含むフォトレジストInfo
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/22—Exposing sequentially with the same light pattern different positions of the same surface
-
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- G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】本発明は、感光性フォトレジスト組成物、
特に水性アルカリに可溶な樹脂並びに増感剤を含む組成
物に関する。この技術では、米国特許第3,666,4
73、4,115,128および4,173,470号
に記載されている様な陽画フォトレジスト組成物の製造
は公知である。これらの組成物は、アルカリに可溶なフ
ェノール−ホルムアルデヒド ノボラック樹脂並びに
感光性材料、通常は置換したナフトキノンジアジド化合
物を含む。これらの樹脂および増感剤を有機溶剤または
溶剤の混合物に溶解し、望ましい特定の用途に適した基
材上に薄いフィルムまたは被覆として塗布する。これら
のフォトレジスト処方の樹脂成分はアルカリ水溶液に可
溶であるが、ナフトキノン増感剤は不溶である。被覆し
た基材を活性線照射により、画像を映す様に露光するこ
とにより、その増感剤が露光していない区域よりも溶解
性が高くなる。この溶解率の違いにより、この基材をア
ルカリ製現像剤溶液に浸漬した時にフォトレジスト被覆
の露光した区域は溶解するが、露光していない区域は除
去されないので、基材上に陽画が形成される。
特に水性アルカリに可溶な樹脂並びに増感剤を含む組成
物に関する。この技術では、米国特許第3,666,4
73、4,115,128および4,173,470号
に記載されている様な陽画フォトレジスト組成物の製造
は公知である。これらの組成物は、アルカリに可溶なフ
ェノール−ホルムアルデヒド ノボラック樹脂並びに
感光性材料、通常は置換したナフトキノンジアジド化合
物を含む。これらの樹脂および増感剤を有機溶剤または
溶剤の混合物に溶解し、望ましい特定の用途に適した基
材上に薄いフィルムまたは被覆として塗布する。これら
のフォトレジスト処方の樹脂成分はアルカリ水溶液に可
溶であるが、ナフトキノン増感剤は不溶である。被覆し
た基材を活性線照射により、画像を映す様に露光するこ
とにより、その増感剤が露光していない区域よりも溶解
性が高くなる。この溶解率の違いにより、この基材をア
ルカリ製現像剤溶液に浸漬した時にフォトレジスト被覆
の露光した区域は溶解するが、露光していない区域は除
去されないので、基材上に陽画が形成される。
【0002】集積回路の製造では、被覆し、露光し、現
像した基材をエッチング剤で処理する。フォトレジスト
被覆が基材の塗布区域をエッチング剤から保護するので
、基材の被覆していない区域、陽画フォトレジストの場
合は活性線照射で露光した区域だけに作用することがで
きる。この様にして、現像前に基材を選択的に露光する
ために使用した露光マスク上の図形に相当する図形を基
材上に形成することができる。この基材上に形成したフ
ォトレジストの図形は、小型の電子部品製造に有用であ
る。
像した基材をエッチング剤で処理する。フォトレジスト
被覆が基材の塗布区域をエッチング剤から保護するので
、基材の被覆していない区域、陽画フォトレジストの場
合は活性線照射で露光した区域だけに作用することがで
きる。この様にして、現像前に基材を選択的に露光する
ために使用した露光マスク上の図形に相当する図形を基
材上に形成することができる。この基材上に形成したフ
ォトレジストの図形は、小型の電子部品製造に有用であ
る。
【0003】フォトレジストは、一般的に陽画処理また
は陰画処理のどちらかに区別される。陰画処理レジスト
組成物では、画像を映す様に光を当てた区域が硬化し、
非露光区域を現像剤で除去した後、レジストの画像区域
を形成する。陽画処理レジストでは、露光した区域が無
画像区域であり、光の当たった部分がアルカリ水性現像
剤に可溶になる。プリント回路基板の工業的製造には陰
画レジストが最も広く使用されているが、陽画レジスト
の方が解像力および小さな画像を形成する能力がはるか
に高い。そのため、高密度の集積回路の製造には陽画レ
ジストが使われる。 陽画処理フォトレジストは、通
常はo−キノンジアジドである光増感剤、ノボラックの
様な水に不溶で水性アルカリに可溶な重合体結合剤樹脂
および溶剤からなる。陽画処理フォトレジストは、さら
に少量の、縞防止剤、染料、等の追加成分を含むことが
できる。その様な組成物における重合体結合剤に関連す
る一つの問題は、重合体が優れた熱安定性を有している
が、やや脆くなる傾向があることである。このために亀
裂およびフォトレジストを塗布する半導体ウエーハーの
微粒子汚染が生じることがある。可塑剤を含むことによ
り、半導体ウエーハー上の薄い重合体フィルムの亀裂を
遅らせることが期待できよう。しかし、多くの可塑剤は
、望ましい可塑性および亀裂防止の他に、好ましくない
副作用を及ぼすことがある。驚くべきことに、脂肪族お
よび芳香族ジおよびトリ酸およびアルコールの脂肪族ジ
およびトリエステルを含むことにより、陽画フォトレジ
ストの非照射区域における現像後のフィルム保持状態の
改良、および照射区域におけるマイクロ平版印刷特性の
改良を始めとする、幾つかの予期せぬ利点が得られるこ
とが分かった。フォトレジスト技術の専門家は、非照射
区域における現像後のフィルム保持性を「膜厚減少率」
と呼ぶことがあるが、この場合、可塑剤は特定の感度に
対して膜厚減少率を低下させると言えよう。本発明の一
実施形態では、フィルム保持性が可塑化していないレジ
ストに対する96%から可塑化したレジストの99%以
上に増加し、別の実施形態では、フィルム保持性が非可
塑化状態の94%から可塑化状態の98%以上に増加す
ることが観察されている。フィルム保持性の改良は、マ
イクロ平版印刷の処理自由度が著しく増加するので、重
要である。フィルム保持性の低い、すなわち膜厚減少率
の高いレジスト系は、工程技術者に極端に厳しい制限を
与えるので、他の平版印刷パラメータを調節しなければ
ならなくなる。
は陰画処理のどちらかに区別される。陰画処理レジスト
組成物では、画像を映す様に光を当てた区域が硬化し、
非露光区域を現像剤で除去した後、レジストの画像区域
を形成する。陽画処理レジストでは、露光した区域が無
画像区域であり、光の当たった部分がアルカリ水性現像
剤に可溶になる。プリント回路基板の工業的製造には陰
画レジストが最も広く使用されているが、陽画レジスト
の方が解像力および小さな画像を形成する能力がはるか
に高い。そのため、高密度の集積回路の製造には陽画レ
ジストが使われる。 陽画処理フォトレジストは、通
常はo−キノンジアジドである光増感剤、ノボラックの
様な水に不溶で水性アルカリに可溶な重合体結合剤樹脂
および溶剤からなる。陽画処理フォトレジストは、さら
に少量の、縞防止剤、染料、等の追加成分を含むことが
できる。その様な組成物における重合体結合剤に関連す
る一つの問題は、重合体が優れた熱安定性を有している
が、やや脆くなる傾向があることである。このために亀
裂およびフォトレジストを塗布する半導体ウエーハーの
微粒子汚染が生じることがある。可塑剤を含むことによ
り、半導体ウエーハー上の薄い重合体フィルムの亀裂を
遅らせることが期待できよう。しかし、多くの可塑剤は
、望ましい可塑性および亀裂防止の他に、好ましくない
副作用を及ぼすことがある。驚くべきことに、脂肪族お
よび芳香族ジおよびトリ酸およびアルコールの脂肪族ジ
およびトリエステルを含むことにより、陽画フォトレジ
ストの非照射区域における現像後のフィルム保持状態の
改良、および照射区域におけるマイクロ平版印刷特性の
改良を始めとする、幾つかの予期せぬ利点が得られるこ
とが分かった。フォトレジスト技術の専門家は、非照射
区域における現像後のフィルム保持性を「膜厚減少率」
と呼ぶことがあるが、この場合、可塑剤は特定の感度に
対して膜厚減少率を低下させると言えよう。本発明の一
実施形態では、フィルム保持性が可塑化していないレジ
ストに対する96%から可塑化したレジストの99%以
上に増加し、別の実施形態では、フィルム保持性が非可
塑化状態の94%から可塑化状態の98%以上に増加す
ることが観察されている。フィルム保持性の改良は、マ
イクロ平版印刷の処理自由度が著しく増加するので、重
要である。フィルム保持性の低い、すなわち膜厚減少率
の高いレジスト系は、工程技術者に極端に厳しい制限を
与えるので、他の平版印刷パラメータを調節しなければ
ならなくなる。
【0004】レジスト中に造った平版印刷図形は、続い
てエッチングにより半導体に転写するので、この図形は
できるだけ欠陥が少ないことが重要である。装置の幾何
学的構造が益々小さくなるにつれて、最も一般的な問題
の一つは、最も細かい幾何学的形状を十分鮮明に再現で
きないことである。本添加剤をレジスト組成物に加える
ことにより、鮮明度を著しく改良する。この効果の一部
は、レジストの可塑化により増感剤が希釈されるために
、深紫外領域における吸光度が低下するためであると説
明できる。光増感剤はレジスト中の唯一の強力な吸収性
物質であり、その濃度が乾燥した、可塑化したフィルム
中で低下するので、そのフィルムの吸収性が低くなる。 このために光の浸透性が増加し、それに比例してレジス
トと基材との界面近くの光化学的活性が大きくなる。特
定の、過剰露光しても鮮明にならないレジストに本添加
剤を加えると、通常の現像により容易に鮮明になること
が分かった。これらの結果から、鮮明度の向上には、上
記の光学密度の低下に加えて、他の機構が作用している
と考えられる。これらの平版印刷上の長所は、確認でき
る深刻な欠点を生じることなく達成できることが分かっ
た。この添加剤は他のレジスト成分に対して十分な相容
性を有すると思われる。フィルムのスピンコーティング
の均一性も、レジストの温度応答性も変化しない。可塑
化したレジストは、可塑化していないレジストと大体同
じ熱流動性を示すと思われる。
てエッチングにより半導体に転写するので、この図形は
できるだけ欠陥が少ないことが重要である。装置の幾何
学的構造が益々小さくなるにつれて、最も一般的な問題
の一つは、最も細かい幾何学的形状を十分鮮明に再現で
きないことである。本添加剤をレジスト組成物に加える
ことにより、鮮明度を著しく改良する。この効果の一部
は、レジストの可塑化により増感剤が希釈されるために
、深紫外領域における吸光度が低下するためであると説
明できる。光増感剤はレジスト中の唯一の強力な吸収性
物質であり、その濃度が乾燥した、可塑化したフィルム
中で低下するので、そのフィルムの吸収性が低くなる。 このために光の浸透性が増加し、それに比例してレジス
トと基材との界面近くの光化学的活性が大きくなる。特
定の、過剰露光しても鮮明にならないレジストに本添加
剤を加えると、通常の現像により容易に鮮明になること
が分かった。これらの結果から、鮮明度の向上には、上
記の光学密度の低下に加えて、他の機構が作用している
と考えられる。これらの平版印刷上の長所は、確認でき
る深刻な欠点を生じることなく達成できることが分かっ
た。この添加剤は他のレジスト成分に対して十分な相容
性を有すると思われる。フィルムのスピンコーティング
の均一性も、レジストの温度応答性も変化しない。可塑
化したレジストは、可塑化していないレジストと大体同
じ熱流動性を示すと思われる。
【0005】本発明は、少量の、脂肪族および芳香族ジ
およびトリ酸およびアルコールの脂肪族ジおよびトリエ
ステルを含むフォトレジスト組成物を提供する。最も好
ましい化合物は、アジピン酸ジ(2−エチルヘキシル)
(分子量371、液体)およびアジピン酸ジオクチルで
ある。
およびトリ酸およびアルコールの脂肪族ジおよびトリエ
ステルを含むフォトレジスト組成物を提供する。最も好
ましい化合物は、アジピン酸ジ(2−エチルヘキシル)
(分子量371、液体)およびアジピン酸ジオクチルで
ある。
【0006】本発明は、陽画処理フォトレジスト組成物
であって、混合物中に、基材上に塗布し、乾燥させた時
にその組成物成分の均質なフィルムを形成するのに十分
な量の、水に不溶で、水性アルカリに可溶、または露光
により水性アルカリに可溶となる結合剤樹脂、その組成
物を均質に光増感するのに十分な量の、o−キノンジア
ジド、オニウム塩、ジアゾ−1,3ジオン基を有する化
合物、および十分な活性化エネルギーで露光した時に酸
を発生することができる化合物と、酸により開裂し得る
少なくとも一つのC−O−C結合を含む化合物との組み
合わせからなるグループから選択した感光性成分、脂肪
族および芳香族ジおよびトリ酸およびアルコールの脂肪
族ジおよびトリエステルからなるグループから選択した
化合物であって、その組成物のフィルムを基材上に塗布
し、乾燥し、活性化エネルギーで露光し、現像した時に
、該化合物を含まない同じ組成物に比較して、そのフォ
トレジスト組成物の非照射区域におけるフィルム保持性
を増加し、照射区域におけるフィルム除去性を増加させ
るのに十分な量で存在する化合物、およびそれらの組成
物成分を溶解するのに十分な量の溶剤を含む陽画処理フ
ォトレジスト組成物を提供する。
であって、混合物中に、基材上に塗布し、乾燥させた時
にその組成物成分の均質なフィルムを形成するのに十分
な量の、水に不溶で、水性アルカリに可溶、または露光
により水性アルカリに可溶となる結合剤樹脂、その組成
物を均質に光増感するのに十分な量の、o−キノンジア
ジド、オニウム塩、ジアゾ−1,3ジオン基を有する化
合物、および十分な活性化エネルギーで露光した時に酸
を発生することができる化合物と、酸により開裂し得る
少なくとも一つのC−O−C結合を含む化合物との組み
合わせからなるグループから選択した感光性成分、脂肪
族および芳香族ジおよびトリ酸およびアルコールの脂肪
族ジおよびトリエステルからなるグループから選択した
化合物であって、その組成物のフィルムを基材上に塗布
し、乾燥し、活性化エネルギーで露光し、現像した時に
、該化合物を含まない同じ組成物に比較して、そのフォ
トレジスト組成物の非照射区域におけるフィルム保持性
を増加し、照射区域におけるフィルム除去性を増加させ
るのに十分な量で存在する化合物、およびそれらの組成
物成分を溶解するのに十分な量の溶剤を含む陽画処理フ
ォトレジスト組成物を提供する。
【0007】また、本発明は、上記の組成物を基材上で
乾燥させたフィルムからなる写真材料をも提供する。本
発明はさらに、上記の写真材料を画像を映す様に露光す
ること、およびアルカリ水溶液で現像することからなる
写真画像を形成する方法にも関する。
乾燥させたフィルムからなる写真材料をも提供する。本
発明はさらに、上記の写真材料を画像を映す様に露光す
ること、およびアルカリ水溶液で現像することからなる
写真画像を形成する方法にも関する。
【0008】本発明に係わる写真材料の製造では、上記
の陽画感光性組成物を好適な基材上に塗布し、乾燥させ
る。好ましい実施形態では、その組成物は、溶剤、水に
不溶で、水性アルカリに可溶、または露光により水性ア
ルカリに可溶になる結合剤樹脂、光増感剤および可塑剤
を含む。
の陽画感光性組成物を好適な基材上に塗布し、乾燥させ
る。好ましい実施形態では、その組成物は、溶剤、水に
不溶で、水性アルカリに可溶、または露光により水性ア
ルカリに可溶になる結合剤樹脂、光増感剤および可塑剤
を含む。
【0009】結合剤樹脂には、ノボラック、置換した、
または置換していないポリビニルフェノール、米国特許
出願第06/547,815、1983年11月11日
提出、06/832,116、1986年2月24日提
出および07/052,950、1987年5月22日
提出に記載されているマレイミドの単独重合体および共
重合体、t−ブチルスチレンマレイミド共重合体、およ
び米国特許第4,491,620号に記載されているポ
リ(p−tert−ブトキシカルボニルオキシスチレン
)があるが、これらの特許すべてをここに参考として含
める。
または置換していないポリビニルフェノール、米国特許
出願第06/547,815、1983年11月11日
提出、06/832,116、1986年2月24日提
出および07/052,950、1987年5月22日
提出に記載されているマレイミドの単独重合体および共
重合体、t−ブチルスチレンマレイミド共重合体、およ
び米国特許第4,491,620号に記載されているポ
リ(p−tert−ブトキシカルボニルオキシスチレン
)があるが、これらの特許すべてをここに参考として含
める。
【0010】感光性組成物の調製に使用できるノボラッ
ク樹脂の製造は、この技術では公知である。ノボラック
の製造方法は、ここに参考として含める、フェノール樹
脂の化学と応用、クノップA.およびシャイプ、W.、
スプリンガー出版、ニューヨーク、1979、第4章に
記載されている。ポリビニルフェノールは、ここに参考
として含める米国特許第3,869,292および4,
439,516に開示されている。有用な結合剤樹脂に
は、スチレン、t−ブチルスチレン、アルファ−メチル
スチレンまたは2,4−ジ(C1 −C5 アルキル)
スチレンおよびマレイミドの共重合体、所望により、米
国特許出願第06/547,815に記載されている様
な、それらのN−(C1 −C5 アルキル)マレイミ
ドとのターポリマーがある。また、有用な結合剤として
は、米国特許出願第06/832,116に開示されて
いるように、マレイミドのN−H基の一部がtert−
ブトキシカルボニル基の様な酸に不安定な基で置き換え
られている、上記の共重合体がある。さらに他の有用な
結合剤樹脂は、米国特許出願第07/052,950に
開示されている様な、メチロール基または置換したメチ
ロール基でブロックし、さらにアセタールまたはケター
ル部分を形成するようにブロックしたイミド基を含む重
合体である。好ましいのは、米国特許出願第06/83
2,116に開示されている様な重合体である。その様
な重合体の例としては、N−tert−ブチルオキシカ
ルボニルマレイミド/スチレン共重合体、N−tert
−ブチルオキシカルボニルマレイミド単独重合体、ビニ
ルエーテルが3個(メチルビニルエーテル)〜20個(
オクタデシルビニルエーテル)の炭素原子を有する脂肪
族であるN−tert−ブチルオキシカルボニルマレイ
ミド/ビニルエーテル共重合体、スチレンが2および4
位置で、独立して、C1〜C5アルキル基または水素で
置換されているN−tert−ブチルオキシカルボニル
マレイミド/2,4−二置換スチレン共重合体がある。 使用できる他の重合体には、ポリ(tert−ブチルオ
キシカルボニル−アルファ−アルキルスチレン)または
その共重合体、ポリ(tert−ブチルオキシカルボニ
ルオキシスチレン)またはその共重合体の様な、フェノ
ール含有重合体が酸に不安定な基でブロックされたヒド
ロキシル感応性を有する重合体、あるいはポリ(ジメチ
ル−N−tert−ブチルオキシカルボニルグルタルイ
ミド)の様な、酸に不安定な基でブロックされた他の酸
イミド感応性(−CO−NH−CO−)を含む重合体、
あるいはポリ(tert−ブチル p−ビニルベンゾ
エート)またはその共重合体、ポリ(tert−ブチル
メタクリレート)またはその共重合体の様な、酸に不安
定な基でブロックされたカルボン酸の感応性を含む重合
体、等である。本発明の方法に有用な材料を得るには、
重合体上に他のブロック基があってもよい。
ク樹脂の製造は、この技術では公知である。ノボラック
の製造方法は、ここに参考として含める、フェノール樹
脂の化学と応用、クノップA.およびシャイプ、W.、
スプリンガー出版、ニューヨーク、1979、第4章に
記載されている。ポリビニルフェノールは、ここに参考
として含める米国特許第3,869,292および4,
439,516に開示されている。有用な結合剤樹脂に
は、スチレン、t−ブチルスチレン、アルファ−メチル
スチレンまたは2,4−ジ(C1 −C5 アルキル)
スチレンおよびマレイミドの共重合体、所望により、米
国特許出願第06/547,815に記載されている様
な、それらのN−(C1 −C5 アルキル)マレイミ
ドとのターポリマーがある。また、有用な結合剤として
は、米国特許出願第06/832,116に開示されて
いるように、マレイミドのN−H基の一部がtert−
ブトキシカルボニル基の様な酸に不安定な基で置き換え
られている、上記の共重合体がある。さらに他の有用な
結合剤樹脂は、米国特許出願第07/052,950に
開示されている様な、メチロール基または置換したメチ
ロール基でブロックし、さらにアセタールまたはケター
ル部分を形成するようにブロックしたイミド基を含む重
合体である。好ましいのは、米国特許出願第06/83
2,116に開示されている様な重合体である。その様
な重合体の例としては、N−tert−ブチルオキシカ
ルボニルマレイミド/スチレン共重合体、N−tert
−ブチルオキシカルボニルマレイミド単独重合体、ビニ
ルエーテルが3個(メチルビニルエーテル)〜20個(
オクタデシルビニルエーテル)の炭素原子を有する脂肪
族であるN−tert−ブチルオキシカルボニルマレイ
ミド/ビニルエーテル共重合体、スチレンが2および4
位置で、独立して、C1〜C5アルキル基または水素で
置換されているN−tert−ブチルオキシカルボニル
マレイミド/2,4−二置換スチレン共重合体がある。 使用できる他の重合体には、ポリ(tert−ブチルオ
キシカルボニル−アルファ−アルキルスチレン)または
その共重合体、ポリ(tert−ブチルオキシカルボニ
ルオキシスチレン)またはその共重合体の様な、フェノ
ール含有重合体が酸に不安定な基でブロックされたヒド
ロキシル感応性を有する重合体、あるいはポリ(ジメチ
ル−N−tert−ブチルオキシカルボニルグルタルイ
ミド)の様な、酸に不安定な基でブロックされた他の酸
イミド感応性(−CO−NH−CO−)を含む重合体、
あるいはポリ(tert−ブチル p−ビニルベンゾ
エート)またはその共重合体、ポリ(tert−ブチル
メタクリレート)またはその共重合体の様な、酸に不安
定な基でブロックされたカルボン酸の感応性を含む重合
体、等である。本発明の方法に有用な材料を得るには、
重合体上に他のブロック基があってもよい。
【0011】o−キノンジアジドは、やはりここに参考
として含める感光性系、コサールJ.、ジョンウイリー
&サンズ、ニューヨーク、1965、7.4章に記載さ
れている様に、当業者には良く知られている。本発明の
レジスト組成物の一成分であるこれらの増感剤は、陽画
フォトレジスト処方におけるこの技術でよく使用される
置換したナフトキノンジアジド増感剤のグループから選
択するのが好ましい。その様な増感性化合物は、例えば
、ここに参考として含める米国特許第2,797,21
3、3,106,465、3,148,983、3,1
30,047、3,201,329、3,785,82
5、および3,802,885に記載されている。
として含める感光性系、コサールJ.、ジョンウイリー
&サンズ、ニューヨーク、1965、7.4章に記載さ
れている様に、当業者には良く知られている。本発明の
レジスト組成物の一成分であるこれらの増感剤は、陽画
フォトレジスト処方におけるこの技術でよく使用される
置換したナフトキノンジアジド増感剤のグループから選
択するのが好ましい。その様な増感性化合物は、例えば
、ここに参考として含める米国特許第2,797,21
3、3,106,465、3,148,983、3,1
30,047、3,201,329、3,785,82
5、および3,802,885に記載されている。
【0012】好ましい光増感剤は、フェノール誘導体の
1,2−キノンジアジド−4−または−5−スルホン酸
エステルである。今のところ、縮合環の数は本発明にと
って重要ではなく、スルホニル基の位置が重要であると
考えられる。すなわち、酸素が1位置にあり、ジアゾが
2位置にあり、スルホニル基が4または5位置にあれば
、ベンゾキノン、ナフトキノン、あるいはアントラキノ
ンを使用することができる。同様に、それが付いている
フェノール部分も重要であるとは思われない。例えば、
U.S.3,640,992に開示されている様なクミ
ルフェノール誘導体でもよいし、U.S.4,499,
171に示す様なモノ−、ジ−、またはトリ−ヒドロキ
シフェニルアルキルケトンまたはベンゾフェノンでもよ
い。
1,2−キノンジアジド−4−または−5−スルホン酸
エステルである。今のところ、縮合環の数は本発明にと
って重要ではなく、スルホニル基の位置が重要であると
考えられる。すなわち、酸素が1位置にあり、ジアゾが
2位置にあり、スルホニル基が4または5位置にあれば
、ベンゾキノン、ナフトキノン、あるいはアントラキノ
ンを使用することができる。同様に、それが付いている
フェノール部分も重要であるとは思われない。例えば、
U.S.3,640,992に開示されている様なクミ
ルフェノール誘導体でもよいし、U.S.4,499,
171に示す様なモノ−、ジ−、またはトリ−ヒドロキ
シフェニルアルキルケトンまたはベンゾフェノンでもよ
い。
【0013】感光性成分は、活性線照射で露光すること
により酸を発生することができる化合物、および酸によ
り開裂し得る少なくとも一つのC−O−C結合を含む化
合物の組合わせでもよい。その様な化合物の組合わせに
は、ここに参考として含めるU.S.4,101,32
3に開示されている組合わせがあるが、それに限定する
ものではない。オニウム塩には、スルホニウム、ジアゾ
ニウムおよびイオドニウム塩がある。スルホニウム塩は
U.S.4,537,854に開示されており、ジアゾ
ニウム塩はコサールに記載されている。イオドニウム塩
は米国特許第4,603,101号に記載されている。 ジアゾ−1,3−ジオン基を有する化合物は、ここに参
考として含めるU.S.4,522,911、4,33
9,522、4,284,706、4,622,283
、4,735,885および4,626,491記載さ
れている。
により酸を発生することができる化合物、および酸によ
り開裂し得る少なくとも一つのC−O−C結合を含む化
合物の組合わせでもよい。その様な化合物の組合わせに
は、ここに参考として含めるU.S.4,101,32
3に開示されている組合わせがあるが、それに限定する
ものではない。オニウム塩には、スルホニウム、ジアゾ
ニウムおよびイオドニウム塩がある。スルホニウム塩は
U.S.4,537,854に開示されており、ジアゾ
ニウム塩はコサールに記載されている。イオドニウム塩
は米国特許第4,603,101号に記載されている。 ジアゾ−1,3−ジオン基を有する化合物は、ここに参
考として含めるU.S.4,522,911、4,33
9,522、4,284,706、4,622,283
、4,735,885および4,626,491記載さ
れている。
【0014】本発明に有用な可塑剤は、脂肪族および芳
香族ジおよびトリ酸およびアルコールの脂肪族ジおよび
トリエステルである。最も好ましい化合物は、アジピン
酸ジ(2−エチルヘキシル)およびアジピン酸ジオクチ
ルである。
香族ジおよびトリ酸およびアルコールの脂肪族ジおよび
トリエステルである。最も好ましい化合物は、アジピン
酸ジ(2−エチルヘキシル)およびアジピン酸ジオクチ
ルである。
【0015】可塑剤は感光性組成物中に、その組成物の
非溶剤部分に対して約0.5〜約20重量%の量で存在
するのが好ましい。より好ましい範囲は、約2〜約18
重量%である。
非溶剤部分に対して約0.5〜約20重量%の量で存在
するのが好ましい。より好ましい範囲は、約2〜約18
重量%である。
【0016】陽画フォトレジスト組成物は、原料を好適
な溶剤組成物中に混合して調製する。好ましい実施形態
では、樹脂は全組成物中に、固形分、すなわちその組成
物の非溶剤部分に対して約75〜約98.5重量%の量
で存在するのが好ましい。より好ましい樹脂の範囲は、
組成物の固形部分の約80〜約90重量%、最も好まし
くは約82〜約85重量%である。感光性成分は、固形
分、すなわちその組成物の非溶剤部分に対して約1〜約
25重量%の量で存在するのが好ましい。より好ましい
感光性成分の範囲は、組成物の固形部分の約1〜約20
重量%、最も好ましくは約10〜約18重量%である。 組成物の製造では、樹脂、可塑剤および感光性成分を、
プロピレングリコールアルキルエーテルまたはその酢酸
エステル、酢酸ブチル、ジグライム、キシレン、エチレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、最も好ま
しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルおよび
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの
様な溶剤と混合する。
な溶剤組成物中に混合して調製する。好ましい実施形態
では、樹脂は全組成物中に、固形分、すなわちその組成
物の非溶剤部分に対して約75〜約98.5重量%の量
で存在するのが好ましい。より好ましい樹脂の範囲は、
組成物の固形部分の約80〜約90重量%、最も好まし
くは約82〜約85重量%である。感光性成分は、固形
分、すなわちその組成物の非溶剤部分に対して約1〜約
25重量%の量で存在するのが好ましい。より好ましい
感光性成分の範囲は、組成物の固形部分の約1〜約20
重量%、最も好ましくは約10〜約18重量%である。 組成物の製造では、樹脂、可塑剤および感光性成分を、
プロピレングリコールアルキルエーテルまたはその酢酸
エステル、酢酸ブチル、ジグライム、キシレン、エチレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、最も好ま
しくはプロピレングリコールモノメチルエーテルおよび
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートの
様な溶剤と混合する。
【0017】着色剤、染料、縞防止剤、レベリング剤、
密着促進剤、速度増加剤の様な添加剤、および非イオン
系界面活性剤の様な界面活性剤を、樹脂、増感剤および
溶剤からなる溶液に加えてから、その溶液を基材に塗布
する。
密着促進剤、速度増加剤の様な添加剤、および非イオン
系界面活性剤の様な界面活性剤を、樹脂、増感剤および
溶剤からなる溶液に加えてから、その溶液を基材に塗布
する。
【0018】本発明のフォトレジスト組成物と共に使用
できる染料の例としては、組成物の固形部分の総重量に
対して、約1.0〜約10.0%の量で使用する、メチ
ルバイオレット2B(C.I.No.42535)、ク
リスタルバイオレット(C.I.42555)、マラカ
イトグリーン(C.I.No.42000)、ビクトリ
アブルーB(C.I.No.44045)およびニュー
トラルレッド(C.I.No.50040)がある。染
料添加剤は、基材による光の散乱を防ぐことにより、解
像力を向上させるのに役立つ。
できる染料の例としては、組成物の固形部分の総重量に
対して、約1.0〜約10.0%の量で使用する、メチ
ルバイオレット2B(C.I.No.42535)、ク
リスタルバイオレット(C.I.42555)、マラカ
イトグリーン(C.I.No.42000)、ビクトリ
アブルーB(C.I.No.44045)およびニュー
トラルレッド(C.I.No.50040)がある。染
料添加剤は、基材による光の散乱を防ぐことにより、解
像力を向上させるのに役立つ。
【0019】縞防止剤は、固形分の総重量に対して、5
%まで使用できる。使用できる密着促進剤としては、例
えば、固形分の総重量に対して4%までの量で使用する
、ベータ−(3,4−エポキシ−シクロヘキシル)−エ
チルトリメトキシシラン、p−メチル−ジシラン−メチ
ルメタクリレート、ビニルトリクロロシラン、およびガ
ンマ−アミノ−プロピルトリエトキシシランがある。 速度増加剤としては、例えばピクリン酸、ニコチン酸ま
たはニトロケイ皮酸を樹脂および固形分の総重量に対し
て20%まで使用できる。これらの増加剤は、フォトレ
ジスト被覆の溶解性を露光および非露光区域の両方で増
加させる傾向があり、したがって、コントラストをある
程度犠牲にしても、現像速度が非常に重要な場合に使用
する、すなわち、現像剤がフォトレジスト被覆の露光区
域をより急速に溶解するが、速度増加剤により、フォト
レジスト被覆も非露光区域から大量に失われる。被覆溶
剤は、全組成物中に、その組成物中の固形分に対して9
5重量%までの量で存在することができる。溶剤含有量
は、全固形分が組成物全体の約5〜約50重量%になる
のが好ましい。非イオン系界面活性剤としては、例えば
、ノニルフェノキシポリ(エチレンオキシ)エタノール
、オクチルフェノキシ(エチレンオキシ)エタノール、
およびジノニルフェノキシポリ(エチレンオキシ)エタ
ノールを固形分の総重量に対して10%まで使用できる
。
%まで使用できる。使用できる密着促進剤としては、例
えば、固形分の総重量に対して4%までの量で使用する
、ベータ−(3,4−エポキシ−シクロヘキシル)−エ
チルトリメトキシシラン、p−メチル−ジシラン−メチ
ルメタクリレート、ビニルトリクロロシラン、およびガ
ンマ−アミノ−プロピルトリエトキシシランがある。 速度増加剤としては、例えばピクリン酸、ニコチン酸ま
たはニトロケイ皮酸を樹脂および固形分の総重量に対し
て20%まで使用できる。これらの増加剤は、フォトレ
ジスト被覆の溶解性を露光および非露光区域の両方で増
加させる傾向があり、したがって、コントラストをある
程度犠牲にしても、現像速度が非常に重要な場合に使用
する、すなわち、現像剤がフォトレジスト被覆の露光区
域をより急速に溶解するが、速度増加剤により、フォト
レジスト被覆も非露光区域から大量に失われる。被覆溶
剤は、全組成物中に、その組成物中の固形分に対して9
5重量%までの量で存在することができる。溶剤含有量
は、全固形分が組成物全体の約5〜約50重量%になる
のが好ましい。非イオン系界面活性剤としては、例えば
、ノニルフェノキシポリ(エチレンオキシ)エタノール
、オクチルフェノキシ(エチレンオキシ)エタノール、
およびジノニルフェノキシポリ(エチレンオキシ)エタ
ノールを固形分の総重量に対して10%まで使用できる
。
【0020】レジスト溶液は、浸漬、噴霧、回転、およ
びスピンコーティングを含む、フォトレジスト技術で通
常使用されている方法で、基材に塗布することができる
。例えば、スピンコーティングする場合、使用するスピ
ンコーティング装置およびスピンコーティング工程に使
用できる時間に応じて、望ましい厚さの被覆を得るため
に、レジスト溶液は、固体含有量の百分率を調整するこ
とができる。好適な基材としては、シリコン、アルミニ
ウムまたは重合体樹脂、二酸化ケイ素、ドーピングした
二酸化ケイ素、窒化ケイ素、タンタル、銅、ポリシリコ
ン、セラミックス、アルミニウム/銅混合物、ヒ化ガリ
ウムおよび他の、その様なIII/V 属化合物がある
。基材は、ヘキサ−アルキルジシラザンの様な好適な組
成の密着促進層を有することができる。
びスピンコーティングを含む、フォトレジスト技術で通
常使用されている方法で、基材に塗布することができる
。例えば、スピンコーティングする場合、使用するスピ
ンコーティング装置およびスピンコーティング工程に使
用できる時間に応じて、望ましい厚さの被覆を得るため
に、レジスト溶液は、固体含有量の百分率を調整するこ
とができる。好適な基材としては、シリコン、アルミニ
ウムまたは重合体樹脂、二酸化ケイ素、ドーピングした
二酸化ケイ素、窒化ケイ素、タンタル、銅、ポリシリコ
ン、セラミックス、アルミニウム/銅混合物、ヒ化ガリ
ウムおよび他の、その様なIII/V 属化合物がある
。基材は、ヘキサ−アルキルジシラザンの様な好適な組
成の密着促進層を有することができる。
【0021】上記の製法により調製されるフォトレジス
ト被覆は、マイクロプロセッサーおよび他の小型集積回
路部品に使用されている様な、熱成長ケイ素/二酸化ケ
イ素被覆したウエーハーに適用するのに特に適している
。アルミニウム/酸化アルミニウムウエーハーも同様に
使用できる。また、基材は各種の重合体樹脂、特にポリ
エステルの様な透明重合体でもよい。レジスト組成物溶
液を基材上に塗布した後、その基材は約20〜100℃
で熱処理する。この熱処理は、フォトレジスト中の残留
溶剤濃度を下げ、調整するが、光増感剤の著しい熱分解
を起こさないように選択する。一般には、溶剤の濃度を
最小にするのが望ましいので、この最初の熱処理は、本
質的にすべての溶剤が蒸発し、ミクロン単位の厚さの、
薄いフォトレジスト組成物の被覆が基材上に残るまで行
う。この処理は、通常、約20〜約100℃の温度範囲
で行う。好ましい実施形態では、熱処理は約50〜約9
0℃で行う。より好ましい範囲は約70〜約90℃であ
る。この熱処理は、溶剤除去の変化率が比較的小さくな
るまで行う。温度および時間の選択は、使用者が必要と
するレジストの特性、並びに使用する装置および商業的
に望ましい塗装時間により異なる。商業的に採用できる
処理時間は、ホットプレート処理の場合、約3分間まで
、より好ましくは約1分間までである。一実施例では、
90℃で30秒間の処理が効果的である。次いで、被覆
基材を、当業者には公知の方法で、好適なマスク、陰画
、ステンシル、型板、等を使用し、望ましい図形で、活
性線照射、特に紫外線照射することができる。露光は電
子線またはX線でもよいが、紫外線照射、特に深紫外線
照射、すなわち約220〜約260nmの波長で露光す
るのが最も好ましい。
ト被覆は、マイクロプロセッサーおよび他の小型集積回
路部品に使用されている様な、熱成長ケイ素/二酸化ケ
イ素被覆したウエーハーに適用するのに特に適している
。アルミニウム/酸化アルミニウムウエーハーも同様に
使用できる。また、基材は各種の重合体樹脂、特にポリ
エステルの様な透明重合体でもよい。レジスト組成物溶
液を基材上に塗布した後、その基材は約20〜100℃
で熱処理する。この熱処理は、フォトレジスト中の残留
溶剤濃度を下げ、調整するが、光増感剤の著しい熱分解
を起こさないように選択する。一般には、溶剤の濃度を
最小にするのが望ましいので、この最初の熱処理は、本
質的にすべての溶剤が蒸発し、ミクロン単位の厚さの、
薄いフォトレジスト組成物の被覆が基材上に残るまで行
う。この処理は、通常、約20〜約100℃の温度範囲
で行う。好ましい実施形態では、熱処理は約50〜約9
0℃で行う。より好ましい範囲は約70〜約90℃であ
る。この熱処理は、溶剤除去の変化率が比較的小さくな
るまで行う。温度および時間の選択は、使用者が必要と
するレジストの特性、並びに使用する装置および商業的
に望ましい塗装時間により異なる。商業的に採用できる
処理時間は、ホットプレート処理の場合、約3分間まで
、より好ましくは約1分間までである。一実施例では、
90℃で30秒間の処理が効果的である。次いで、被覆
基材を、当業者には公知の方法で、好適なマスク、陰画
、ステンシル、型板、等を使用し、望ましい図形で、活
性線照射、特に紫外線照射することができる。露光は電
子線またはX線でもよいが、紫外線照射、特に深紫外線
照射、すなわち約220〜約260nmの波長で露光す
るのが最も好ましい。
【0022】露光したレジスト被覆基材を次に好適な現
像溶液に浸漬する。この溶液は、例えば窒素噴射により
攪拌するのが好ましい。基材は、露光区域からすべての
、あるいは本質的にすべてのレジスト被覆が溶解するま
で、現像剤中に入れておく。好適な現像剤には、この技
術でよく知られているような、水酸化ナトリウム、およ
び水酸化テトラメチルアンモニウムを含む様なアルカリ
水溶液がある。0.1N〜0.3Nの溶液が効果的であ
る。溶解速度調節剤をより多く加えると、それだけ現像
剤濃度を高くする必要がある。現像剤から被覆ウエーハ
ーを取り出した後、所望により、現像後の熱処理または
焼き付けを行い、被覆の密着性およびエッチング溶液、
その他の物質に対する耐薬品性を高めることができる。 この現像後の熱処理では、被覆および基材を、被覆の軟
化点より低い温度で、オーブン加熱することができる。 工業用途、特にケイ素/二酸化ケイ素型基材上の微小回
路の製造では、現像した基材を緩衝液を加えた、フッ化
水素酸系のエッチング溶液で処理することがある。 本発明のレジスト組成物は、酸系エッチング溶液に対し
て耐性があり、基材の非露光レジスト被覆区域を効果的
に保護する。
像溶液に浸漬する。この溶液は、例えば窒素噴射により
攪拌するのが好ましい。基材は、露光区域からすべての
、あるいは本質的にすべてのレジスト被覆が溶解するま
で、現像剤中に入れておく。好適な現像剤には、この技
術でよく知られているような、水酸化ナトリウム、およ
び水酸化テトラメチルアンモニウムを含む様なアルカリ
水溶液がある。0.1N〜0.3Nの溶液が効果的であ
る。溶解速度調節剤をより多く加えると、それだけ現像
剤濃度を高くする必要がある。現像剤から被覆ウエーハ
ーを取り出した後、所望により、現像後の熱処理または
焼き付けを行い、被覆の密着性およびエッチング溶液、
その他の物質に対する耐薬品性を高めることができる。 この現像後の熱処理では、被覆および基材を、被覆の軟
化点より低い温度で、オーブン加熱することができる。 工業用途、特にケイ素/二酸化ケイ素型基材上の微小回
路の製造では、現像した基材を緩衝液を加えた、フッ化
水素酸系のエッチング溶液で処理することがある。 本発明のレジスト組成物は、酸系エッチング溶液に対し
て耐性があり、基材の非露光レジスト被覆区域を効果的
に保護する。
【0023】
【実施例】以下に示す実施例で本発明を説明するが、こ
れらの実施例に限定するものではない。
れらの実施例に限定するものではない。
【0024】実施例1
マレイミド−t−ブチルスチレン共重合体 250m
lの三つ口フラスコに12.11gのマレイミド、12
0mlの蒸留シクロヘキサノン(ウォーターホワイト)
、1.8mlのドデカン−チオール、22.7ml(2
0g)のp−t−ブチルスチレンおよび152mgのア
ゾビスイソブチロニトリルを入れる。この混合物にアル
ゴン気泡を通して約3時間脱酸素する。このフラスコを
アルゴン雰囲気中で閉じ、予め加熱した油浴中で62℃
に4.5時間加熱する。この混合物を900mlのペン
タン中に注ぎ込み、濾過し、ペンタンで洗浄し、72℃
オーブン中で一晩乾燥する。30.73gの生成物が得
られる(95.7%収量)。
lの三つ口フラスコに12.11gのマレイミド、12
0mlの蒸留シクロヘキサノン(ウォーターホワイト)
、1.8mlのドデカン−チオール、22.7ml(2
0g)のp−t−ブチルスチレンおよび152mgのア
ゾビスイソブチロニトリルを入れる。この混合物にアル
ゴン気泡を通して約3時間脱酸素する。このフラスコを
アルゴン雰囲気中で閉じ、予め加熱した油浴中で62℃
に4.5時間加熱する。この混合物を900mlのペン
タン中に注ぎ込み、濾過し、ペンタンで洗浄し、72℃
オーブン中で一晩乾燥する。30.73gの生成物が得
られる(95.7%収量)。
【0025】実施例2
実施例1の樹脂7部、2,4−ジヒドロキシベンゾフェ
ノンと2−ジアゾ−1−ナフトール−4−スルホニルク
ロリドとの縮合生成物である増感剤1部およびジグライ
ムを混合して得た、28%固形分溶液を0.2μm に
濾過して、12gのフォトレジストを調製する。このレ
ジストを清浄なガラスびん中、各2.0gのバッチに分
け、アジピン酸ジ(2−エチルヘキシル)(分子量37
1)を下記の量で加え、レジスト中に混合する。 試料 溶液中の可塑剤 溶液中の可塑
剤量 1μm フィルムを得る
%
ためのスピ
ン速度(rpm) 1. 0%
0g
43002. 3%
0.061g
47003. 5%
0.110g
50004. 7%
0.151g
53005. 10%
0.220g
5800レジストを、最初にヘキサメ
チルジシラザン密着促進剤で10分間処理したシリコン
ウエーハー上に塗布する。 これらのレジストを80℃で40分間焼き付け、オプト
ラインステップタブレット上で、260nm広帯域フィ
ルターを使用し、160 mJ/cm2 になる様に露
光する。次いで、0.13N水酸化カリウム溶液で現像
し、下記の結果を得た。 試料 1. 現像は45秒間で、フィルム保持率は96%で
ある。画像特徴は悪くはないが、縁部がひどい亀裂を有
する。30%Tに対して鮮明(48 mJ/cm2 )
。 2. 現像は50秒間で、フィルム保持率は94%で
ある。画像特徴は悪くない。縁部にやや裂があるが、試
料1よりは少ない。30%Tに対して鮮明。 3. 現像は60秒間で、画像区域におけるフィルム
保持率は99.0%である。画像特徴は悪くない。縁部
に亀裂はないが、磨耗が明らかである。ゴースト像が幾
らか有る。30%Tに対して鮮明。 4. 現像は50秒間で、フィルム保持率は99.3
%である。画像特徴は悪くなく、ゴースト像も無い。縁
部に沿ってほんの僅かの小さな亀裂と磨耗がある。30
%Tに対して鮮明。 5. 現像は45秒間で、フィルム保持率は98.7
%である。画像特徴は悪くない。縁部は傷の近くにわず
かな亀裂を有する。傷は大体円形で、レジストと異なっ
た組織を有する。すべての傷が亀裂を生じているのでは
ない。縁部ビードの内側に非常に小さなビードがある。 30%Tに対して鮮明。SEM写真から、レジストに可
塑剤を加えることにより画像の鮮明度が良くなることが
分かる。
ノンと2−ジアゾ−1−ナフトール−4−スルホニルク
ロリドとの縮合生成物である増感剤1部およびジグライ
ムを混合して得た、28%固形分溶液を0.2μm に
濾過して、12gのフォトレジストを調製する。このレ
ジストを清浄なガラスびん中、各2.0gのバッチに分
け、アジピン酸ジ(2−エチルヘキシル)(分子量37
1)を下記の量で加え、レジスト中に混合する。 試料 溶液中の可塑剤 溶液中の可塑
剤量 1μm フィルムを得る
%
ためのスピ
ン速度(rpm) 1. 0%
0g
43002. 3%
0.061g
47003. 5%
0.110g
50004. 7%
0.151g
53005. 10%
0.220g
5800レジストを、最初にヘキサメ
チルジシラザン密着促進剤で10分間処理したシリコン
ウエーハー上に塗布する。 これらのレジストを80℃で40分間焼き付け、オプト
ラインステップタブレット上で、260nm広帯域フィ
ルターを使用し、160 mJ/cm2 になる様に露
光する。次いで、0.13N水酸化カリウム溶液で現像
し、下記の結果を得た。 試料 1. 現像は45秒間で、フィルム保持率は96%で
ある。画像特徴は悪くはないが、縁部がひどい亀裂を有
する。30%Tに対して鮮明(48 mJ/cm2 )
。 2. 現像は50秒間で、フィルム保持率は94%で
ある。画像特徴は悪くない。縁部にやや裂があるが、試
料1よりは少ない。30%Tに対して鮮明。 3. 現像は60秒間で、画像区域におけるフィルム
保持率は99.0%である。画像特徴は悪くない。縁部
に亀裂はないが、磨耗が明らかである。ゴースト像が幾
らか有る。30%Tに対して鮮明。 4. 現像は50秒間で、フィルム保持率は99.3
%である。画像特徴は悪くなく、ゴースト像も無い。縁
部に沿ってほんの僅かの小さな亀裂と磨耗がある。30
%Tに対して鮮明。 5. 現像は45秒間で、フィルム保持率は98.7
%である。画像特徴は悪くない。縁部は傷の近くにわず
かな亀裂を有する。傷は大体円形で、レジストと異なっ
た組織を有する。すべての傷が亀裂を生じているのでは
ない。縁部ビードの内側に非常に小さなビードがある。 30%Tに対して鮮明。SEM写真から、レジストに可
塑剤を加えることにより画像の鮮明度が良くなることが
分かる。
【0026】実施例3
マレイミド−p−t−ブチルスチレン共重合体 25
0mlの三つ口フラスコに120mlの蒸留シクロヘキ
サノン(ウォーターホワイト)、12.11gのマレイ
ミド、0.9mlの1−ドデカン−チオールおよび22
.7ml(20g)のp−t−ブチルスチレンを入れる
。この混合物をアルゴン雰囲気中で混合し、次いで15
2mgのアゾビスイソブチロニトリルを加え、この混合
物を、予め加熱した油浴中で62℃に3時間35分加熱
する。この混合物をペンタン中に注ぎ込み、ペンタンで
洗浄し、空気中で乾燥する。次いで、オーブン中で70
℃で一晩乾燥する。31.4gの白色固体が得られる(
98%収量)。
0mlの三つ口フラスコに120mlの蒸留シクロヘキ
サノン(ウォーターホワイト)、12.11gのマレイ
ミド、0.9mlの1−ドデカン−チオールおよび22
.7ml(20g)のp−t−ブチルスチレンを入れる
。この混合物をアルゴン雰囲気中で混合し、次いで15
2mgのアゾビスイソブチロニトリルを加え、この混合
物を、予め加熱した油浴中で62℃に3時間35分加熱
する。この混合物をペンタン中に注ぎ込み、ペンタンで
洗浄し、空気中で乾燥する。次いで、オーブン中で70
℃で一晩乾燥する。31.4gの白色固体が得られる(
98%収量)。
【0027】実施例4
3.83gのジグライム、1.0gの実施例3の樹脂、
0.143gの実施例2の増感剤および0.374gの
アジピン酸ジ(2−エチルヘキシル)を混合してフォト
レジストを調製する。このレジストをヘキサメチルジシ
ラザン蒸気処理したウエーハー上に3200rpm で
スピンコーティングにより塗布し、80℃で40分間焼
き付ける。これをオプトラインタブレットを通して、2
60nm(広帯域)で160 mJ/cm2 で露光す
る。これを0.13N水酸化カリウム溶液に浸漬して1
分間現像する。 フィルム保持率は97.9%である。目に見える浮きか
すも、縁部の亀裂もない。30−35%Tに対して鮮明
(48−56 mJ/cm2 )。
0.143gの実施例2の増感剤および0.374gの
アジピン酸ジ(2−エチルヘキシル)を混合してフォト
レジストを調製する。このレジストをヘキサメチルジシ
ラザン蒸気処理したウエーハー上に3200rpm で
スピンコーティングにより塗布し、80℃で40分間焼
き付ける。これをオプトラインタブレットを通して、2
60nm(広帯域)で160 mJ/cm2 で露光す
る。これを0.13N水酸化カリウム溶液に浸漬して1
分間現像する。 フィルム保持率は97.9%である。目に見える浮きか
すも、縁部の亀裂もない。30−35%Tに対して鮮明
(48−56 mJ/cm2 )。
【0028】実施例5
現像を0.17N水酸化カリウム溶液中で30秒間行う
以外は実施例4を繰り返す。浮きかすはなく、僅かな亀
裂が確認される。比較用にアジピン酸ジ(2−エチルヘ
キシル)を含まない同じ組成物を現像した場合は浮きか
す量が増加する。実施例6現像を0.17N水酸化カリ
ウム溶液中で35秒間行う以外は実施例4を繰り返す。 98.5%フィルム保持が観察される。浮きかすはなく
、非常に僅かな亀裂が確認される。48 mJ/cm2
に対して鮮明。
以外は実施例4を繰り返す。浮きかすはなく、僅かな亀
裂が確認される。比較用にアジピン酸ジ(2−エチルヘ
キシル)を含まない同じ組成物を現像した場合は浮きか
す量が増加する。実施例6現像を0.17N水酸化カリ
ウム溶液中で35秒間行う以外は実施例4を繰り返す。 98.5%フィルム保持が観察される。浮きかすはなく
、非常に僅かな亀裂が確認される。48 mJ/cm2
に対して鮮明。
【0029】実施例7
現像を0.20N水酸化カリウム溶液中で17秒間行う
以外は実施例4を繰り返す。フィルム保持は97.8%
である。浮きかすも亀裂も無い。48 mJ/cm2
に対して鮮明。
以外は実施例4を繰り返す。フィルム保持は97.8%
である。浮きかすも亀裂も無い。48 mJ/cm2
に対して鮮明。
【0030】実施例8
実施例5を繰り返す。フィルム保持は98.3%フィル
ム保持が観察される。浮きかすも亀裂も無い。48 m
J/cm2 に対して鮮明。
ム保持が観察される。浮きかすも亀裂も無い。48 m
J/cm2 に対して鮮明。
【0031】実施例9
露光を60 mJ/cm2 で、BRL解像マスクで行
う以外は実施例5を繰り返す。現像は0.17N水酸化
カリウムで30秒間行う。98.0%フィルム保持が観
察される。
う以外は実施例5を繰り返す。現像は0.17N水酸化
カリウムで30秒間行う。98.0%フィルム保持が観
察される。
【0032】実施例10
現像を水酸化テトラメチルアンモニウムで行う以外は実
施例2を繰り返す。下記の結果が得られる。 試料 1. 現像は70秒間で、フィルム保持率は94.0
%である。画像特徴は悪くはないが、縁部に亀裂を有す
る。30%Tに対して鮮明(48 mJ/cm2 )。 2. 現像は70秒間で、フィルム保持率は89.9
%である。画像特徴は悪くないが、縁部が亀裂および磨
耗を示す。30%Tに対して鮮明。 3. 現像は70秒間で、フィルム保持率は93−9
8%である。画像特徴は悪くないが、非常に僅かな亀裂
を有する。30%Tに対して鮮明。ひどいゴースト像が
認められる。ウエーハーのほとんど全体が93%フィル
ム保持で、一部の区域だけが98%保持で、ゴースト像
が無い。 4. 現像は63秒間で、フィルム保持率は98.7
%である。画像特徴は悪くない。30%Tに対して鮮明
。 縁部の亀裂は非常に僅かだが、磨耗がある。5.現像は
70秒間で、フィルム保持率は98.5%である。画像
特徴は悪くない。僅かなゴースト像ガ認められる。縁部
はほとんど亀裂を示さない。30%Tに対して鮮明。
施例2を繰り返す。下記の結果が得られる。 試料 1. 現像は70秒間で、フィルム保持率は94.0
%である。画像特徴は悪くはないが、縁部に亀裂を有す
る。30%Tに対して鮮明(48 mJ/cm2 )。 2. 現像は70秒間で、フィルム保持率は89.9
%である。画像特徴は悪くないが、縁部が亀裂および磨
耗を示す。30%Tに対して鮮明。 3. 現像は70秒間で、フィルム保持率は93−9
8%である。画像特徴は悪くないが、非常に僅かな亀裂
を有する。30%Tに対して鮮明。ひどいゴースト像が
認められる。ウエーハーのほとんど全体が93%フィル
ム保持で、一部の区域だけが98%保持で、ゴースト像
が無い。 4. 現像は63秒間で、フィルム保持率は98.7
%である。画像特徴は悪くない。30%Tに対して鮮明
。 縁部の亀裂は非常に僅かだが、磨耗がある。5.現像は
70秒間で、フィルム保持率は98.5%である。画像
特徴は悪くない。僅かなゴースト像ガ認められる。縁部
はほとんど亀裂を示さない。30%Tに対して鮮明。
Claims (33)
- 【請求項1】陽画処理フォトレジスト組成物であって、
混合物中に、(イ)基材上に塗布し乾燥させた時にその
組成物成分の均質なフィルムを形成するのに十分な量の
、水性アルカリに可溶または露光により水性アルカリに
可溶となる水不溶性の結合剤樹脂、(ロ)前記組成物を
均質に光増感するのに十分な量の、o−キノンジアジド
、オニウム塩、ジアゾ−1,3ジオン基を有する化合物
、および十分な活性化エネルギーで露光した時に酸を発
生させることができる化合物と、酸により開裂し得る少
なくとも一つのC−O−C結合を含む化合物との組み合
わせからなるグループから選択した感光性成分、(ハ)
脂肪族および芳香族ジおよびトリ酸およびアルコールの
脂肪族ジおよびトリエステルからなるグループから選択
した可塑剤化合物であって、前記組成物のフィルムを基
材上に塗布し、乾燥し、活性化エネルギーで露光し、現
像した時に、該可塑剤化合物を含まない同じ組成物と比
較して、そのフォトレジスト組成物の非照射区域におけ
るフィルム保持性を増加し、照射区域におけるフィルム
除去性を増加させるのに十分な量で存在する可塑剤化合
物、および(ニ)前記組成物成分を溶解するのに十分な
量の溶剤、からなることを特徴とするを含む陽画処理フ
ォトレジスト組成物。 - 【請求項2】可塑剤がアジピン酸ジ(2−エチルヘキシ
ル)またはアジピン酸ジオクチルであることを特徴とす
る、請求項1に記載する組成物。 - 【請求項3】感光性成分がo−キノンジアジドであるこ
とを特徴とする、請求項1に記載する組成物。 - 【請求項4】前記感光性成分がトリヒドロキシベンゾフ
ェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4または5−
スルホン酸トリエステルであることを特徴とする、請求
項1に記載する組成物。 - 【請求項5】結合剤樹脂を、(イ)ノボラック、ポリビ
ニルフェノール、(ロ)スチレン、4−メチルスチレン
、4−エチルスチレン、t−ブチルスチレン、アルファ
−メチルスチレンまたは2,4−ジ(C1 −C5 ア
ルキル)スチレンおよびマレイミドの共重合体、および
それらのN−(C1−C5 アルキル)マレイミドとの
ターポリマー、マレイミドのN−H基の一部が酸に不安
定な基で置き換えられている、上記の共重合体、および
(ハ)メチロール基または置換したメチロール基でブロ
ックし、さらにアセタールまたはケタール部分を形成す
るようにブロックしたイミド基を含む重合体、からなる
グループから選択することを特徴とする、請求項1に記
載する組成物。 - 【請求項6】さらに、プロピレングリコールモノメチル
エーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルア
セテートまたはジグライムを含む溶剤を含むことを特徴
とする、請求項1に記載する組成物。 - 【請求項7】感光性組成物の非溶剤部分に対して、前記
結合剤樹脂が約75〜約98.5重量%の量で、感光性
成分が約1〜約20重量%の量で、および可塑剤が約0
.5〜約20重量%の量で存在することを特徴とする、
請求項1に記載する組成物。 - 【請求項8】前記組成物がさらに、着色剤、染料、縞防
止剤、レベリング剤、密着促進剤、速度増加剤および界
面活性剤からなるグループから選択した一つ以上の化合
物を含むことを特徴とする、請求項1に記載する組成物
。 - 【請求項9】基材および該基材上に本質的に均質に塗布
し、乾燥した感光性組成物からなる写真材料であって、
その感光性組成物が、混合物中に、(イ)基材上に塗布
し、乾燥させた時にその組成物成分の均質なフィルムを
形成するのに十分な量の、水に不溶で、水性アルカリに
可溶、または露光により水性アルカリに可溶となる結合
剤樹脂、(ロ)その組成物を均質に光増感するのに十分
な量の、o−キノンジアジド、オニウム塩、ジアゾ−1
,3ジオン基を有する化合物、および十分な活性化エネ
ルギーで露光した時に酸を発生することができる化合物
と、酸により開裂し得る少なくとも一つのC−O−C結
合を含む化合物との組み合わせからなるグループから選
択した感光性成分、(ハ)脂肪族および芳香族ジおよび
トリ酸およびアルコールの脂肪族ジおよびトリエステル
からなるグループから選択した可塑剤化合物であって、
その組成物のフィルムを基材上に塗布し、乾燥し、活性
化エネルギーで露光し、現像した時に、該可塑剤化合物
を含まない同じ組成物に比較して、そのフォトレジスト
組成物の非照射区域におけるフィルム保持性を増加し、
照射区域におけるフィルム除去性を増加させるのに十分
な量で存在する可塑剤化合物、および(ニ)それらの組
成物成分を溶解するのに十分な量の溶剤を含むことを特
徴とする、材料。 - 【請求項10】前記疎水性可塑剤がアジピン酸ジ(2−
エチルヘキシル)またはアジピン酸ジオクチルであるこ
とを特徴とする、請求項9に記載する材料。 - 【請求項11】感光性成分がo−キノンジアジドである
ことを特徴とする、請求項9に記載する材料。 - 【請求項12】前記感光性成分がトリヒドロキシベンゾ
フェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4または5
−スルホン酸トリエステルであることを特徴とする、請
求項9に記載する材料。 - 【請求項13】結合剤樹脂を、(イ)ノボラック、ポリ
ビニルフェノール、(ロ)スチレン、4−メチルスチレ
ン、4−エチルスチレン、t−ブチルスチレン、アルフ
ァ−メチルスチレンまたは2,4−ジ(C1 −C5
アルキル)スチレンおよびマレイミドの共重合体、およ
びそれらのN−(C1 −C5 アルキル)マレイミド
とのターポリマー、マレイミドのN−H基の一部が酸に
不安定な基で置き換えられている、上記の共重合体、お
よび(ハ)メチロール基または置換したメチロール基で
ブロックし、さらにアセタールまたはケタール部分を形
成するようにブロックしたイミド基を含む重合体、から
なるグループから選択することを特徴とする、請求項9
に記載する材料。 - 【請求項14】さらに、プロピレングリコールアルキル
エーテルアセテートまたはジグライムを含む溶剤を含む
ことを特徴とする、請求項9に記載する材料。 - 【請求項15】感光性組成物の非溶剤部分に対して、前
記結合剤樹脂が約75〜約98.5重量%の量で、感光
性成分が約1〜約20重量%の量で、および可塑剤が約
0.5〜約20重量%の量で存在することを特徴とする
、請求項9に記載する材料。 - 【請求項16】前記基材を、ケイ素、アルミニウムまた
は重合体樹脂、二酸化ケイ素、ドーピングした二酸化ケ
イ素、窒化ケイ素、タンタル、銅、ポリシリコン、セラ
ミックス、アルミニウム/銅混合物、ヒ化ガリウムおよ
び他の、その様なIII/V 属化合物からなるグルー
プから選択することを特徴とする、請求項9に記載する
材料。 - 【請求項17】基材と感光性組成物との間に、さらに密
着促進性組成物の層を含むことを特徴とする、請求項1
6に記載する材料。 - 【請求項18】密着促進性組成物がヘキサアルキルジシ
ラザンを含むことを特徴とする、請求項17に記載する
材料。 - 【請求項19】前記組成物がさらに、着色剤、染料、縞
防止剤、レベリング剤、密着促進剤、速度増加剤および
界面活性剤からなるグループから選択した一つ以上の化
合物を含むことを特徴とする、請求項9に記載する材料
。 - 【請求項20】写真画像を調製する方法であって、順に
、 a)混合物中に、基材上に塗布し、乾燥させた時にその
組成物成分の均質なフィルムを形成するのに十分な量の
、水に不溶で、水性アルカリに可溶、または露光により
水性アルカリに可溶となる結合剤樹脂、その組成物を均
質に光増感するのに十分な量の、o−キノンジアジド、
オニウム塩、ジアゾ−1,3ジオン基を有する化合物、
および十分な活性化エネルギーで露光した時に酸を発生
することができる化合物と、酸により開裂し得る少なく
とも一つのC−O−C結合を含む化合物との組み合わせ
からなるグループから選択した感光性成分、脂肪族およ
び芳香族ジおよびトリ酸およびアルコールの脂肪族ジお
よびトリエステルからなるグループから選択した可塑剤
化合物であって、その組成物のフィルムを基材上に塗布
し、乾燥し、活性化エネルギーで露光し、現像した時に
、該可塑剤化合物を含まない同じ組成物に比較して、そ
のフォトレジスト組成物の非照射区域におけるフィルム
保持性を増加し、照射区域におけるフィルム除去性を増
加させるのに十分な量で存在する可塑剤化合物、および
それらの組成物成分を溶解するのに十分な量の溶剤を含
む組成物を形成すること、 b)該組成物を基材上に塗布すること、c)該塗布基材
を、本質的にすべての溶剤が蒸発するまで、約20℃〜
約100℃の温度で加熱すること、d)該組成物を紫外
線、電子線、イオン線またはX線照射で、画像を映す様
に露光すること、およびe)該組成物の非画像区域をア
ルカリ現像剤水溶液で除去することを特徴とする、方法
。 - 【請求項21】前記露光工程を、約190〜約450n
mの範囲の紫外線で行うことを特徴とする、請求項20
に記載する方法。 - 【請求項22】前記露光工程を、約190〜約300n
mの範囲の紫外線で行うことを特徴とする、請求項20
に記載する方法。 - 【請求項23】前記現像剤が水酸化ナトリウムおよび/
または水酸化テトラメチルアンモニウムを含むことを特
徴とする、請求項20に記載する方法。 - 【請求項24】前記基材を、ケイ素、アルミニウムまた
は重合体樹脂、二酸化ケイ素、ドーピングした二酸化ケ
イ素、窒化ケイ素、タンタル、銅、ポリシリコン、セラ
ミックス、アルミニウム/銅混合物、ヒ化ガリウムおよ
び他の、その様なIII/V 属化合物からなるグルー
プから選択することを特徴とする、請求項20に記載す
る方法。 - 【請求項25】基材と感光性組成物との間に、さらに密
着促進性組成物の層を含むことを特徴とする、請求項2
0に記載する方法。 - 【請求項26】密着促進性組成物がヘキサアルキルジシ
ラザンを含むことを特徴とする、請求項20に記載する
方法。 - 【請求項27】感光性組成物の非溶剤部分に対して、前
記結合剤樹脂が約75〜約98.5重量%の量で、感光
性成分が約1〜約20重量%の量で、および可塑剤が約
0.5〜約20重量%の量で存在することを特徴とする
、請求項20に記載する方法。 - 【請求項28】結合剤樹脂を、(イ)ノボラック、ポリ
ビニルフェノール、(ロ)スチレン、4−メチルスチレ
ン、4−エチルスチレン、t−ブチルスチレン、アルフ
ァ−メチルスチレンまたは2,4−ジ(C1 −C5
アルキル)スチレンおよびマレイミドの共重合体、およ
びそれらのN−(C1 −C5 アルキル)マレイミド
とのターポリマー、マレイミドのN−H基の一部が酸に
不安定な基で置き換えられている、上記の共重合体、お
よび(ハ)メチロール基または置換したメチロール基で
ブロックし、さらにアセタールまたはケタール部分を形
成するようにブロックしたイミド基を含む重合体からな
るグループから選択することを特徴とする、請求項20
に記載する方法。 - 【請求項29】感光性成分がo−キノンジアジドである
ことを特徴とする、請求項20に記載する方法。 - 【請求項30】前記感光性成分がトリヒドロキシベンゾ
フェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4または5
−スルホン酸トリエステルであることを特徴とする、請
求項29に記載する方法。 - 【請求項31】さらに、プロピレングリコールモノアル
キルエーテルアセテートまたはプロピルグリコールモノ
アルキルエーテルまたはジグライムを含む溶剤を含むこ
とを特徴とする、請求項20に記載する方法。 - 【請求項32】前記疎水性可塑剤がアジピン酸ジ(2−
エチルヘキシル)またはアジピン酸ジオクチルであるこ
とを特徴とする、請求項20に記載する方法。 - 【請求項33】前記組成物がさらに、着色剤、染料、縞
防止剤、レベリング剤、密着促進剤、速度増加剤および
界面活性剤からなるグループから選択した一つ以上の化
合物を含むことを特徴とする、請求項20に記載する方
法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US47116390A | 1990-01-26 | 1990-01-26 | |
US471163 | 1990-01-26 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04212960A true JPH04212960A (ja) | 1992-08-04 |
Family
ID=23870499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3025342A Pending JPH04212960A (ja) | 1990-01-26 | 1991-01-25 | 脂肪族および芳香族ジおよびトリ酸およびアルコールの脂肪族ジおよびトリエステルを含むフォトレジスト |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0439371A3 (ja) |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06202332A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-07-22 | Morton Thiokol Inc | ポジティブフォトレジストのレリーフ構造の製造方法と放射線記録用材料 |
WO2009133843A1 (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-05 | 日本ゼオン株式会社 | 感放射線樹脂組成物、積層体及びその製造方法ならびに半導体デバイス |
JPWO2009133843A1 (ja) * | 2008-04-28 | 2011-09-01 | 日本ゼオン株式会社 | 感放射線樹脂組成物、積層体及びその製造方法ならびに半導体デバイス |
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