JP3502469B2 - ネガ型レジスト組成物 - Google Patents
ネガ型レジスト組成物Info
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- JP3502469B2 JP3502469B2 JP04792695A JP4792695A JP3502469B2 JP 3502469 B2 JP3502469 B2 JP 3502469B2 JP 04792695 A JP04792695 A JP 04792695A JP 4792695 A JP4792695 A JP 4792695A JP 3502469 B2 JP3502469 B2 JP 3502469B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ネガ型レジスト組成
物、さらに詳しくは、高解像性で、かつ高残膜率を有し
断面形状の良好なレジストパターンを形成しうるネガ型
レジスト組成物に関する。
物、さらに詳しくは、高解像性で、かつ高残膜率を有し
断面形状の良好なレジストパターンを形成しうるネガ型
レジスト組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスにおける高密度
化、高集積度化の進歩は著しく、その微細加工技術にお
ける解像性は、サブミクロン領域まで要求されるように
なってきている。そして、半導体デバイスの製造分野に
おいて主流となっているリソグラフィー技術に関しても
０．５μｍ以下の微細加工が必要とされ、これに応える
ために、短波長の紫外線であるｄｅｅｐーＵＶ、ｉ線及
びｇ線等の２００〜５００ｎｍの波長を発光する光源や
エキシマレーザー、例えばＫｒＦレーザー（波長２４
８）、電子線等が使用され始めている。そして、このよ
うな放射線又は電子線にも感応するネガ型レジスト組成
物についての研究も積極的になされており、例えばｄｅ
ｅｐーＵＶ、ｉ線及びｇ線に感応するレジストとしてフ
ェノールノボラック樹脂とビスアジド化合物からなる組
成物、エキシマレーザーや電子線に感応するレジストと
してクロロメチル化ポリスチレンやポリビニルフェノー
ルと芳香族ビスアジド化合物との混合物からなる組成物
（特公昭６２ー８７７７号公報）、エキシマレーザー、
ｄｅｅｐーＵＶ、エックス線に感応するレジストとして
熱硬化性樹脂とフォト酸発生剤として２１０〜２９９ｎ
ｍの波長範囲の化学線を吸収するハロゲン化有機化合物
とからなるレジスト組成物（特開昭６２ー１６４０５号
公報）が提案されている。
化、高集積度化の進歩は著しく、その微細加工技術にお
ける解像性は、サブミクロン領域まで要求されるように
なってきている。そして、半導体デバイスの製造分野に
おいて主流となっているリソグラフィー技術に関しても
０．５μｍ以下の微細加工が必要とされ、これに応える
ために、短波長の紫外線であるｄｅｅｐーＵＶ、ｉ線及
びｇ線等の２００〜５００ｎｍの波長を発光する光源や
エキシマレーザー、例えばＫｒＦレーザー（波長２４
８）、電子線等が使用され始めている。そして、このよ
うな放射線又は電子線にも感応するネガ型レジスト組成
物についての研究も積極的になされており、例えばｄｅ
ｅｐーＵＶ、ｉ線及びｇ線に感応するレジストとしてフ
ェノールノボラック樹脂とビスアジド化合物からなる組
成物、エキシマレーザーや電子線に感応するレジストと
してクロロメチル化ポリスチレンやポリビニルフェノー
ルと芳香族ビスアジド化合物との混合物からなる組成物
（特公昭６２ー８７７７号公報）、エキシマレーザー、
ｄｅｅｐーＵＶ、エックス線に感応するレジストとして
熱硬化性樹脂とフォト酸発生剤として２１０〜２９９ｎ
ｍの波長範囲の化学線を吸収するハロゲン化有機化合物
とからなるレジスト組成物（特開昭６２ー１６４０５号
公報）が提案されている。
【０００３】しかしながら、上記レジスト組成物は、そ
れを用いて形成されたレジストパターンの断面形状のト
ップが丸味を帯びた形となり、しかも残膜率が低く、高
い解像性が得られないという欠点を有している。そのた
め、半導体デバイスの製造分野においては、上記放射線
の波長領域や電子線でも高い解像性と残膜率を有し、か
つ断面形状にも優れたネガ型レジスト組成物の開発が強
く望まれている。
れを用いて形成されたレジストパターンの断面形状のト
ップが丸味を帯びた形となり、しかも残膜率が低く、高
い解像性が得られないという欠点を有している。そのた
め、半導体デバイスの製造分野においては、上記放射線
の波長領域や電子線でも高い解像性と残膜率を有し、か
つ断面形状にも優れたネガ型レジスト組成物の開発が強
く望まれている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状を踏まえ
て、本発明者等は、従来のネガ型レジスト組成物の有す
る欠点を解決すべく鋭意研究した結果、レジスト組成物
をポリヒドロキシスチレン、架橋剤及び（Ｃ）トリス
（２，３ージブロモプロピル）イソシアヌレートで構成
することにより従来のネガ型レジスト組成物より高解像
性で、残膜率が優れ、かつ断面形状の良好なレジストパ
ターンを形成しうるネガ型レジスト組成物が得られるこ
とを見出し、本発明を完成したものである。すなわち
て、本発明者等は、従来のネガ型レジスト組成物の有す
る欠点を解決すべく鋭意研究した結果、レジスト組成物
をポリヒドロキシスチレン、架橋剤及び（Ｃ）トリス
（２，３ージブロモプロピル）イソシアヌレートで構成
することにより従来のネガ型レジスト組成物より高解像
性で、残膜率が優れ、かつ断面形状の良好なレジストパ
ターンを形成しうるネガ型レジスト組成物が得られるこ
とを見出し、本発明を完成したものである。すなわち
【０００５】本発明は、ｇ線、ｉ線、ｄｅｅｐーＵＶ、
エキシマレーザー、エックス線等の放射線の波長領域に
おいて高解像度、高残膜率を有し、しかも断面形状が良
好なレジストパターンを形成しうるネガ型放射線感応レ
ジスト組成物を提供することを目的とする。
エキシマレーザー、エックス線等の放射線の波長領域に
おいて高解像度、高残膜率を有し、しかも断面形状が良
好なレジストパターンを形成しうるネガ型放射線感応レ
ジスト組成物を提供することを目的とする。
【０００６】また、本発明は、電子線に対して高解像度
を有し、しかも断面形状が良好なレジストパターンを形
成しうるネガ型電子線感応レジスト組成物を提供するこ
とを目的とする。
を有し、しかも断面形状が良好なレジストパターンを形
成しうるネガ型電子線感応レジスト組成物を提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、（Ａ）水酸基の１〜４５モル％がｔｅｒｔーブト
キシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシス
チレン、（Ｂ）架橋剤及び（Ｃ）トリス（２，３ージブ
ロモプロピル）イソシアヌレートを含有してなるネガ型
レジスト組成物に係る。
明は、（Ａ）水酸基の１〜４５モル％がｔｅｒｔーブト
キシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシス
チレン、（Ｂ）架橋剤及び（Ｃ）トリス（２，３ージブ
ロモプロピル）イソシアヌレートを含有してなるネガ型
レジスト組成物に係る。
【０００８】上記（Ａ）成分は、（イ）水酸基の１〜４
５モル％がｔｅｒｔーブトキシカルボニルオキシ基で置
換されたポリヒドロキシスチレン単独、及び（ロ）ポリ
ヒドロキシスチレンと前記（イ）のポリヒドロキシスチ
レンとの混合物からなる成分であって、その重量平均分
子量がゲルパーミエーションクロマトグラフ法で測定し
て５，０００〜３０，０００、好ましくは１０，０００
〜２５，０００の範囲の樹脂である。前記重量平均分子
量が５，０００未満では残膜率が低下するとともに、断
面形状も悪くなるため好ましくなく、３０，０００を超
えると解像性が低下するため好ましくない。
５モル％がｔｅｒｔーブトキシカルボニルオキシ基で置
換されたポリヒドロキシスチレン単独、及び（ロ）ポリ
ヒドロキシスチレンと前記（イ）のポリヒドロキシスチ
レンとの混合物からなる成分であって、その重量平均分
子量がゲルパーミエーションクロマトグラフ法で測定し
て５，０００〜３０，０００、好ましくは１０，０００
〜２５，０００の範囲の樹脂である。前記重量平均分子
量が５，０００未満では残膜率が低下するとともに、断
面形状も悪くなるため好ましくなく、３０，０００を超
えると解像性が低下するため好ましくない。
【０００９】上記（Ａ）成分として水酸基の１〜４５モ
ル％がｔｅｒｔーブトキシカルボニルオキシ基で置換さ
れたポリヒドロキシスチレンを単独で用いた場合は、高
解像度、高残膜率のレジストパターンを形成でき、かつ
感度も高いという特性を有するが、断面形状はレジスト
パターンの上部分が多少広いものとなる傾向を有する。
ル％がｔｅｒｔーブトキシカルボニルオキシ基で置換さ
れたポリヒドロキシスチレンを単独で用いた場合は、高
解像度、高残膜率のレジストパターンを形成でき、かつ
感度も高いという特性を有するが、断面形状はレジスト
パターンの上部分が多少広いものとなる傾向を有する。
【００１０】上記（Ａ）成分としてポリヒドロキシスチ
レンと水酸基の１〜４５モル％がｔｅｒｔーブトキシカ
ルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン
との混合物を用いる場合は、レジスト特性を考慮し混合
割合を適宜決定して使用することができ、特定されるも
のではないが、具体的にはポリヒドロキシスチレンと水
酸基の１〜４５モル％がｔｅｒｔーブトキシカルボニル
オキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレンとの比が
重量比で５〜４０：９５〜６０、好ましくは１０〜２
０：９０〜８０の範囲で混合することで、高解像度、高
残膜率で断面形状が矩形の良好なレジストパターンを形
成できるとともに、実用的感度を有するレジスト組成物
を得ることができる。
レンと水酸基の１〜４５モル％がｔｅｒｔーブトキシカ
ルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレン
との混合物を用いる場合は、レジスト特性を考慮し混合
割合を適宜決定して使用することができ、特定されるも
のではないが、具体的にはポリヒドロキシスチレンと水
酸基の１〜４５モル％がｔｅｒｔーブトキシカルボニル
オキシ基で置換されたポリヒドロキシスチレンとの比が
重量比で５〜４０：９５〜６０、好ましくは１０〜２
０：９０〜８０の範囲で混合することで、高解像度、高
残膜率で断面形状が矩形の良好なレジストパターンを形
成できるとともに、実用的感度を有するレジスト組成物
を得ることができる。
【００１１】また、（Ａ）成分のｔｅｒｔーブトキシカ
ルボニルオキシ基による置換率はポリヒドロキシスチレ
ンの水酸基の１〜４５モル％、好ましくは１０〜４０モ
ル％が好適で、置換率が１モル％未満では良好な形状の
レジストパターンを形成できず、４５モル％を超えると
現像性が悪くなるため実用的でない。
ルボニルオキシ基による置換率はポリヒドロキシスチレ
ンの水酸基の１〜４５モル％、好ましくは１０〜４０モ
ル％が好適で、置換率が１モル％未満では良好な形状の
レジストパターンを形成できず、４５モル％を超えると
現像性が悪くなるため実用的でない。
【００１２】さらに、上記（Ｂ）成分の架橋剤として
は、アルコキシメチル化メラミン樹脂及びアルコキシメ
チル化尿素樹脂の群から選ばれる少なくとも１種のアル
コキシメチル化アミノ樹脂が選ばれる。前記アルコキシ
メチル化アミノ樹脂は、例えば沸騰水溶液中でメラミン
又は尿素をホルマリンと反応させて縮合物を得たのち、
これをメチルアルコール、エチルアルコール、プロピル
アルコール、ブチルアルコール等の低級アルコール類で
エーテル化させ、次いで反応液を冷却して析出する樹脂
を取り出すことにより、調製することができる。このよ
うなアルコキシメチル化アミノ樹脂の具体例としては、
メトキシメチル化メラミン樹脂、エトキシメチル化メラ
ミン樹脂、プロポキシメチル化メラミン樹脂、ブトキシ
メチル化メラミン樹脂、メトキシメチル化尿素樹脂、エ
トキシメチル化尿素樹脂、プロポキシメチル化尿素樹
脂、ブトキシメチル化尿素樹脂などが挙げられる。これ
らは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用
いてもよい。これらのアルコキシメチル化アミノ樹脂と
しては市販されているニカラックＭＸー７５０、ニカラ
ックＭＸー７０６、ニカラックＭＸー１０１、ニカラッ
クＭＸー０３２、ニカラックＭＸー７０８、ニカラック
ＭＸー４０、ニカラックＭＸー３１、ニカラックＭＳー
１１、ニカラックＭＷー２２、ニカラックＭＷー３０
（以上、三和ケミカル社製）等を好適に使用できる。特
にアルコキシメチル化尿素樹脂が好ましく、このものを
用いることにより、より断面形状の優れたレジストパタ
ーンを形成することができる。
は、アルコキシメチル化メラミン樹脂及びアルコキシメ
チル化尿素樹脂の群から選ばれる少なくとも１種のアル
コキシメチル化アミノ樹脂が選ばれる。前記アルコキシ
メチル化アミノ樹脂は、例えば沸騰水溶液中でメラミン
又は尿素をホルマリンと反応させて縮合物を得たのち、
これをメチルアルコール、エチルアルコール、プロピル
アルコール、ブチルアルコール等の低級アルコール類で
エーテル化させ、次いで反応液を冷却して析出する樹脂
を取り出すことにより、調製することができる。このよ
うなアルコキシメチル化アミノ樹脂の具体例としては、
メトキシメチル化メラミン樹脂、エトキシメチル化メラ
ミン樹脂、プロポキシメチル化メラミン樹脂、ブトキシ
メチル化メラミン樹脂、メトキシメチル化尿素樹脂、エ
トキシメチル化尿素樹脂、プロポキシメチル化尿素樹
脂、ブトキシメチル化尿素樹脂などが挙げられる。これ
らは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用
いてもよい。これらのアルコキシメチル化アミノ樹脂と
しては市販されているニカラックＭＸー７５０、ニカラ
ックＭＸー７０６、ニカラックＭＸー１０１、ニカラッ
クＭＸー０３２、ニカラックＭＸー７０８、ニカラック
ＭＸー４０、ニカラックＭＸー３１、ニカラックＭＳー
１１、ニカラックＭＷー２２、ニカラックＭＷー３０
（以上、三和ケミカル社製）等を好適に使用できる。特
にアルコキシメチル化尿素樹脂が好ましく、このものを
用いることにより、より断面形状の優れたレジストパタ
ーンを形成することができる。
【００１３】本発明の組成物の構成成分である（Ｃ）成
分としては、トリス（２，３ージブロモプロピル）イソ
シアヌレートの酸発生剤が採用される。この酸発生剤を
用いることにより（Ａ）及び（Ｂ）成分の反応が好適に
進行し高解像性と高残膜率が達成でき、その上優れたレ
ジストパターンが形成できる。
分としては、トリス（２，３ージブロモプロピル）イソ
シアヌレートの酸発生剤が採用される。この酸発生剤を
用いることにより（Ａ）及び（Ｂ）成分の反応が好適に
進行し高解像性と高残膜率が達成でき、その上優れたレ
ジストパターンが形成できる。
【００１４】上記各成分の配合割合は、（Ａ）と（Ｂ）
との配合割合が、重量比で６０：４０乃至９５：５、好
ましくは７５：２５乃至９０：１０である。また、
（Ｃ）成分の配合割合は、前記（Ａ）成分と（Ｂ）成分
との合計量に対して、０．５〜１０重量％、好ましくは
１〜７重量％の割合である。（Ａ）と（Ｂ）との配合割
合が上記範囲を逸脱すると解像性に劣る。（Ｃ）成分の
配合量が０．５重量％未満では本発明の目的が十分に達
せられないし、１０重量％を超えると現像性が低下する
ため実用的でない。
との配合割合が、重量比で６０：４０乃至９５：５、好
ましくは７５：２５乃至９０：１０である。また、
（Ｃ）成分の配合割合は、前記（Ａ）成分と（Ｂ）成分
との合計量に対して、０．５〜１０重量％、好ましくは
１〜７重量％の割合である。（Ａ）と（Ｂ）との配合割
合が上記範囲を逸脱すると解像性に劣る。（Ｃ）成分の
配合量が０．５重量％未満では本発明の目的が十分に達
せられないし、１０重量％を超えると現像性が低下する
ため実用的でない。
【００１５】本発明のレジスト組成物には、本発明の目
的を損なわない範囲で、必要に応じて混和性のある添加
剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹
脂、可塑剤、安定剤、界面活性剤、現像した像をより一
層可視的にするための着色剤、また増感剤やハレーショ
ン防止用染料等の慣用の添加物を含有させることができ
る。
的を損なわない範囲で、必要に応じて混和性のある添加
剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹
脂、可塑剤、安定剤、界面活性剤、現像した像をより一
層可視的にするための着色剤、また増感剤やハレーショ
ン防止用染料等の慣用の添加物を含有させることができ
る。
【００１６】 上述した本発明のレジスト組成物は有機
溶剤に溶解して、溶液の形で用いるのが有利である。か
かる有機溶剤としては、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノン、イソブチルメチルケトン、イソ
アミルメチルケトン、等のケトン類；エチレングリコー
ル、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジ
プロピレングリコール、エチレングリコールモノアセテ
ート、プロピレングリコールモノアセテート、ジエチレ
ングリコールモノアセテート又はジプロピレングリコー
ルモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエ
ーテル、モノプロピルエーテル、モノイソプロピルエー
テル、モノブチルエーテル又は、モノフェニルエーテル
等の多価アルコール類及びその誘導体；ジオキサンのよ
うな環式エーテル類；及び酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、ピルビン酸メチ
ル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類を挙げるこ
とができる。これらは単独でも又２種以上を混合して用
いてもよい。
溶剤に溶解して、溶液の形で用いるのが有利である。か
かる有機溶剤としては、アセトン、メチルエチルケト
ン、シクロヘキサノン、イソブチルメチルケトン、イソ
アミルメチルケトン、等のケトン類；エチレングリコー
ル、プロピレングリコール、ジエチレングリコール、ジ
プロピレングリコール、エチレングリコールモノアセテ
ート、プロピレングリコールモノアセテート、ジエチレ
ングリコールモノアセテート又はジプロピレングリコー
ルモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエ
ーテル、モノプロピルエーテル、モノイソプロピルエー
テル、モノブチルエーテル又は、モノフェニルエーテル
等の多価アルコール類及びその誘導体；ジオキサンのよ
うな環式エーテル類；及び酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、ピルビン酸メチ
ル、ピルビン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、
エトキシプロピオン酸エチル等のエステル類を挙げるこ
とができる。これらは単独でも又２種以上を混合して用
いてもよい。
【００１７】本発明組成物を用いたパターン形成法とし
ては、例えば本発明の各成分を上記溶剤に溶解して溶液
の形とし、それをシリコンウエーハなどの基板上に、ス
ピンナーなどで塗布し、乾燥して放射線及び電子線感応
層を設けたのち、ｇ線、ｉ線、ｄｅｅｐーＵＶ、エキシ
マレーザー、エックス線をマスクを介して選択的に照射
するか、又は電子線を走査して照射したのち、加熱処理
を施し、次いで例えば１〜１０重量％テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像し、放射線又
は電子線の非照射部分を選択的に溶解除去する形成法が
採用される。
ては、例えば本発明の各成分を上記溶剤に溶解して溶液
の形とし、それをシリコンウエーハなどの基板上に、ス
ピンナーなどで塗布し、乾燥して放射線及び電子線感応
層を設けたのち、ｇ線、ｉ線、ｄｅｅｐーＵＶ、エキシ
マレーザー、エックス線をマスクを介して選択的に照射
するか、又は電子線を走査して照射したのち、加熱処理
を施し、次いで例えば１〜１０重量％テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド水溶液を用いて現像し、放射線又
は電子線の非照射部分を選択的に溶解除去する形成法が
採用される。
【００１８】以下、実施例により本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定さ
れるものではない。
説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定さ
れるものではない。
【００１９】
【実施例】実験例１
ポリヒドロキシスチレンとしてマルカリンカーＭ（丸善
石油化学社製、重量平均分子量１８，０００）を用い、
このマルカリンカーＭ１．７ｇとメトキシメチル化尿素
樹脂０．３ｇを乳酸エチル６．５ｇに溶解したのち、こ
れにトリス（２，３ージブロモプロピル）イソシアヌレ
ート０．０６ｇを溶解して得られた溶液をネガ型放射線
感応レジスト塗布液として調製した。
石油化学社製、重量平均分子量１８，０００）を用い、
このマルカリンカーＭ１．７ｇとメトキシメチル化尿素
樹脂０．３ｇを乳酸エチル６．５ｇに溶解したのち、こ
れにトリス（２，３ージブロモプロピル）イソシアヌレ
ート０．０６ｇを溶解して得られた溶液をネガ型放射線
感応レジスト塗布液として調製した。
【００２０】次いでヘキサメチルジシラザン雰囲気中に
７分間放置することで表面処理した５インチシリコンウ
エーハ上に、４，０００ｒｐｍで２０秒間前記塗布液を
スピンコートし、ホットプレート上で１２０℃で９０秒
間乾燥することにより、１．０μｍ厚さのレジスト層を
形成した。次いで縮小投影露光装置ＮＲＳー２００５Ｅ
Ｘ８Ａ（ニコン社製）により、エキシマレーザーを選択
的に露光したのち、１１０℃で９０秒間加熱処理を行
い、次いで２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド水溶液に６５秒間浸漬することにより、エキ
シマレーザーの非照射部分を溶解除去してレジストパタ
ーンを形成した。
７分間放置することで表面処理した５インチシリコンウ
エーハ上に、４，０００ｒｐｍで２０秒間前記塗布液を
スピンコートし、ホットプレート上で１２０℃で９０秒
間乾燥することにより、１．０μｍ厚さのレジスト層を
形成した。次いで縮小投影露光装置ＮＲＳー２００５Ｅ
Ｘ８Ａ（ニコン社製）により、エキシマレーザーを選択
的に露光したのち、１１０℃で９０秒間加熱処理を行
い、次いで２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド水溶液に６５秒間浸漬することにより、エキ
シマレーザーの非照射部分を溶解除去してレジストパタ
ーンを形成した。
【００２１】このようにして得られたレジストパターン
は、０．２１μｍのラインスペースパターンが解像さ
れ、シリコンウエーハ面から垂直に切り立った矩形の良
好なプロファイル形状を有するレジストパターンであ
り、残膜率は９５％であった。またパターンニングのた
めに要する最小露光量を測定したところ、１２０ｍＪ／
ｃｍ２であった。
は、０．２１μｍのラインスペースパターンが解像さ
れ、シリコンウエーハ面から垂直に切り立った矩形の良
好なプロファイル形状を有するレジストパターンであ
り、残膜率は９５％であった。またパターンニングのた
めに要する最小露光量を測定したところ、１２０ｍＪ／
ｃｍ２であった。
【００２２】実施例１ 実験例１
で使用したマルカリンカーＭの代わりに、マル
カリンカーＭ（丸善石油化学社製、重量平均分子量１
８，０００）の水酸基の３５モル％をｔｅｒｔーブトキ
シカルボニルオキシ基で置換したポリヒドロキシスチレ
ン１．７ｇを用いた以外は、実験例１と同様な操作によ
りレジストパターンを形成した。
カリンカーＭ（丸善石油化学社製、重量平均分子量１
８，０００）の水酸基の３５モル％をｔｅｒｔーブトキ
シカルボニルオキシ基で置換したポリヒドロキシスチレ
ン１．７ｇを用いた以外は、実験例１と同様な操作によ
りレジストパターンを形成した。
【００２３】このようにして得られたレジストパターン
は、０．２１μｍのラインスペースパターンが解像さ
れ、良好なプロファイル形状を有するレジストパターン
であり、残膜率は９５％であった。またパターンニング
のために要する最小露光量を測定したところ、４０ｍＪ
／ｃｍ２であった。
は、０．２１μｍのラインスペースパターンが解像さ
れ、良好なプロファイル形状を有するレジストパターン
であり、残膜率は９５％であった。またパターンニング
のために要する最小露光量を測定したところ、４０ｍＪ
／ｃｍ２であった。
【００２４】実施例２実験例１
で使用したマルカリンカーＭの代わりに、マル
カリンカーＭ（丸善石油化学社製、重量平均分子量１
８，０００）０．２５ｇとマルカリンカーＭ（丸善石油
化学社製、重量平均分子量１８，０００）の水酸基の１
５モル％をｔｅｒｔーブトキシカルボニルオキシ基で置
換したポリヒドロキシスチレン１．４５ｇとの混合物を
用いた以外は、実験例１と同様な操作によりレジストパ
ターンを形成した。
カリンカーＭ（丸善石油化学社製、重量平均分子量１
８，０００）０．２５ｇとマルカリンカーＭ（丸善石油
化学社製、重量平均分子量１８，０００）の水酸基の１
５モル％をｔｅｒｔーブトキシカルボニルオキシ基で置
換したポリヒドロキシスチレン１．４５ｇとの混合物を
用いた以外は、実験例１と同様な操作によりレジストパ
ターンを形成した。
【００２５】このようにして得られたレジストパターン
は、０．２１μｍのラインスペースパターンが解像さ
れ、シリコンウエーハ面から垂直に切り立った矩形の良
好なプロファイル形状を有するレジストパターンであ
り、残膜率は９５％であった。またパターンニングのた
めに要する最小露光量を測定したところ、４０ｍＪ／ｃ
ｍ２であった。
は、０．２１μｍのラインスペースパターンが解像さ
れ、シリコンウエーハ面から垂直に切り立った矩形の良
好なプロファイル形状を有するレジストパターンであ
り、残膜率は９５％であった。またパターンニングのた
めに要する最小露光量を測定したところ、４０ｍＪ／ｃ
ｍ２であった。
【００２６】実施例３ 実験例１
で使用した縮小投影露光装置ＮＳＲー２００５
ＥＸ８Ａに代えて、電子線照射装置ＨＬ−８０００（日
立製作所社製）を使用して、電子線を選択的に照射した
以外は、実験例１と同様な操作によりレジストパターン
を形成した。
ＥＸ８Ａに代えて、電子線照射装置ＨＬ−８０００（日
立製作所社製）を使用して、電子線を選択的に照射した
以外は、実験例１と同様な操作によりレジストパターン
を形成した。
【００２７】このようにして得られたレジストパターン
は、０．１８μｍのラインスペースパターンが解像さ
れ、シリコンウエーハから垂直に切り立った矩形の良好
なプロファイル形状を有するレジストパターンであり、
またパターンニングに要する最小露光量を測定したとこ
ろ、７μＣ／ｃｍであった。
は、０．１８μｍのラインスペースパターンが解像さ
れ、シリコンウエーハから垂直に切り立った矩形の良好
なプロファイル形状を有するレジストパターンであり、
またパターンニングに要する最小露光量を測定したとこ
ろ、７μＣ／ｃｍであった。
【００２８】実施例４ 実験例１
で使用したマルカリンカーＭの代わりに、マル
カリンカーＭ（丸善石油化学社製、重量平均分子量１
８，０００）の水酸基の１５モル％をｔｅｒｔーブトキ
シカルボニルオキシ基で置換したポリヒドロキシスチレ
ン１．７ｇを用い、縮小投影露光装置ＮＳＲー２００５
ＥＸ８Ａの代わりに、電子線照射装置ＨＬ−８０００
（日立製作所社製）を使用した以外は、実験例１と同様
な操作によりレジストパターンを形成した。
カリンカーＭ（丸善石油化学社製、重量平均分子量１
８，０００）の水酸基の１５モル％をｔｅｒｔーブトキ
シカルボニルオキシ基で置換したポリヒドロキシスチレ
ン１．７ｇを用い、縮小投影露光装置ＮＳＲー２００５
ＥＸ８Ａの代わりに、電子線照射装置ＨＬ−８０００
（日立製作所社製）を使用した以外は、実験例１と同様
な操作によりレジストパターンを形成した。
【００２９】このようにして得られたレジストパターン
は、０．１８μｍのラインスペースパターンが解像さ
れ、シリコンウエーハから垂直に切り立った矩形の良好
なプロファイル形状を有するレジストパターンであり、
またパターンニングのために要する最小露光量を測定し
たところ、７μＣ／ｃｍであった。
は、０．１８μｍのラインスペースパターンが解像さ
れ、シリコンウエーハから垂直に切り立った矩形の良好
なプロファイル形状を有するレジストパターンであり、
またパターンニングのために要する最小露光量を測定し
たところ、７μＣ／ｃｍであった。
【００３０】
【発明の効果】本発明のネガ型レジスト組成物は、高解
像性で、かつ残膜率が高く、断面形状が良好なレジスト
パターンを形成することができ、微細加工化の進む半導
体素子製造分野において好適に使用される。
像性で、かつ残膜率が高く、断面形状が良好なレジスト
パターンを形成することができ、微細加工化の進む半導
体素子製造分野において好適に使用される。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 佐藤 充
神奈川県川崎市中原区中丸子150番地
東京応化工業株式会社内
(72)発明者 中山 寿昌
神奈川県川崎市中原区中丸子150番地
東京応化工業株式会社内
(56)参考文献 特開 平５−45879（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−87748（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−34903（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−181277（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−83055（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−181265（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−313371（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−146556（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 7/004 - 7/18
Claims (3)
- 【請求項１】（Ａ）水酸基の１〜４５モル％がｔｅｒｔ
ーブトキシカルボニルオキシ基で置換されたポリヒドロ
キシスチレン、（Ｂ）架橋剤及び（Ｃ）トリス（２，３
ージブロモプロピル）イソシアヌレートを含有してなる
ネガ型レジスト組成物。 - 【請求項２】（Ａ）ポリヒドロキシスチレンと水酸基の
１〜４５モル％がｔｅｒｔーブトキシカルボニルオキシ
基で置換されたポリヒドロキシスチレンとの混合物、
（Ｂ）架橋剤及び（Ｃ）トリス（２，３ージブロモプロ
ピル）イソシアヌレートを含有してなるネガ型レジスト
組成物。 - 【請求項３】ポリヒドロキシスチレンの重量平均分子量
が５，０００〜３０，０００であることを特徴とする請
求項１又は２に記載のネガ型レジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04792695A JP3502469B2 (ja) | 1994-05-12 | 1995-02-14 | ネガ型レジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-122025 | 1994-05-12 | ||
| JP12202594 | 1994-05-12 | ||
| JP04792695A JP3502469B2 (ja) | 1994-05-12 | 1995-02-14 | ネガ型レジスト組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0829981A JPH0829981A (ja) | 1996-02-02 |
| JP3502469B2 true JP3502469B2 (ja) | 2004-03-02 |
Family
ID=26388135
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04792695A Expired - Fee Related JP3502469B2 (ja) | 1994-05-12 | 1995-02-14 | ネガ型レジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3502469B2 (ja) |
-
1995
- 1995-02-14 JP JP04792695A patent/JP3502469B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0829981A (ja) | 1996-02-02 |
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