JPH0566412A - ハーフトーン・グレイスケール液晶デイスプレイ - Google Patents
ハーフトーン・グレイスケール液晶デイスプレイInfo
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Abstract
(AMLCD)においてハーフトーン・グレイスケール
を実現することである。 【構成】 本発明のハーフトーン・グレイスケール液晶
ディスプレイは、高いピクセル・アパチャ比を有する複
数のピクセルから成り、各ピクセルは第1基板とN個の
サブピクセルとから成り、N−1個の各サブピクセル
は、第1基板上の第1電極と、第1電極上の絶縁層と、
絶縁層上の第2電極と、第2電極上の液晶層と、液晶層
上の第3電極とから成り、N番目のサブピクセルは、第
1基板上の第1電極と、第1電極上の絶縁層と、絶縁層
上の液晶層と、絶縁層上の第2電極と、液晶層上の第2
基板とから成り、N−1個のサブピクセルの第1電極は
相互接続している。
Description
CD)に関し、さらに詳しくは、ハーフトーン・グレイ
スケールと高いピクセル・アパチャ比を有するアクティ
ブ・マトリックスLCDに関する。
うに陰極線管(CRT)技術に取って代るものとして開
発されてきている。このLCD技術は、信頼性が高ま
り、消費電力や容積および重量が低減するなど多大な利
益がもたらされた。しかし、現在の開発の段階では、L
CD画像の描写能力はCRTよりも劣っている。
イスケール・モードで動作する際のLCDに関するビュ
ーイング・アングルおよび輝度の制約を含む主な技術的
障害の1つを解決することであり、アクティブ・マトリ
ックス液晶ディスプレイ(AMLCD)におけるハーフ
トーン・グレイスケールを実現することである。
ル・ディスプレイ技術では、4つのサブピクセルを含
み、各サブピクセル間にイナクテイブでピクセル・アパ
チャ比を減少するスペースが設けられている。一方、本
発明のグレイスケールすなわちハーフトーン・ピクセル
では、全ピクセルは本発明の制御キャパシタ・アレイ構
造により光学的にアクティブにされている。本発明は、
均一なセル間隔を有するサブピクセルを備えたハーフト
ーン・ピクセル、または異なる大きさの同心サブピクセ
ルを有するハーフトーン・ピクセルを含んでいる。
に関し説明する。本発明は、アクティブ・マトリックス
液晶ディスプレイのハーフトーン方法を含んでおり、こ
の方法は、液晶の電気光学レスポンスが、2レベル・モ
ード、すなわち完全なオンまたは完全なオフで作動され
る時、基本的にはビューイング・アングルに無関係であ
るということに基いている。一方、制御キャパシタ方法
はハーフトーン・グレイスケールを達成するため開発さ
れてきた。この方法は、ピクセルを多くのサブピクセル
に分割し、各サブピクセルに直列に制御キャパシタを配
置している。図1は、4つのサブピクセル14、16、
18、20を有するハーフトーン・ピクセル12の配置
図である。サブピクセル14、16、18、20の間の
斜線領域で示されたスペース22はイナクティブで、ピ
クセル・アーパチャ比を減少する。図2aは、図1のハ
ーフトーン・ピクセルの構造をより詳細に示した図であ
る。図2bは、図2aに示されたピクセルの電子等価回
路図である。制御キャパシタ27、29、31は、分圧
器として作用し、液晶サブピクセル14、16、18、
20における電圧を制御するよう動作し、それにより、
薄膜トランジスタ(TFT)32のソース電圧( VS )
が変えられて、ピクセル12の全グレイ・レベルを変更
する時にターン・オンするサブピクセルの数を制御す
る。1つまたはそれ以上のサブピクセルは、全てオンま
たはオフのいずれかである。制御キャパシタの値は、オ
フ−ノーマル・ビューイング・アングルにおけるグレイ
スケール誤差を最少にするため、多くてもたった1つの
サブピクセルの電圧が液晶の閾値電圧と飽和電圧の間に
あるように決定される。この方法は、AMLCDのビュ
ーイング・アングルの特性を改善する。
ティブ・マトリックス基板上か、または共通電極基板上
に形成される。各制御キャパシタ27、29、31のキ
ャパシタンスは、これらキャパシタの各電極の面積にし
たがって決まる。透過性で導電性のインジウムすず酸化
物(ITO)の第1層33は、制御キャパシタ27、2
9、31の面積を定める。制御された厚さを有する窒化
シリコンまたは二酸化シリコンのような絶縁膜は、制御
キャパシタ絶縁体として動作する。サブピクセル14の
制御キャパシタをなくすよう、絶縁体にはバイア(via)
34が形成されている。ITOの第2層はサブピクセル
14、16、18、20の電極となる。キャパシタ2
4、26、28、30はサブピクセル14、16、1
8、20の附随的な液晶ディスプレイ・キャパシタンス
を表している。制御キャパシタ27、29、31はそれ
ぞれディスプレイ・キャパシタンス26、28、30に
直列になっている。
アパチャ比(ピクセル輝度)を減少して、液晶ディスプ
レイにおいて実現し得る最大輝度およびコントラストを
減少してしまうことである。ピクセル・アパチャ比は、
アクティブ・サブピクセルの面積の合計を、サブピクセ
ルを含んでいる全ピクセル面積で割った値である。ピク
セル・アパチャ比の減少は、サブピクセル14、16、
18、20間の光学的にアクティブではないスペース3
6に起因している。アパチャ比を高めるためには、サブ
ピクセル14、16、18、20間のスペース36を減
少すればよい。しかし、生産歩留りを考えると、サブピ
クセル間のスペース36を最小にして、満足のいくレベ
ルを得るためアパチャ比の損失を減少することはできな
い。また光学的にイナクティブなスペース36の場合、
サブピクセル14、16、18、20間のダーク・マト
リックスか、または並列ポーラライザを有するAMLC
Dオペレーションのノーマル・ダーク・モードのいずれ
かを使用しなければならない。サブピクセル14、1
6、18、20間のダーク・マトリックスを使用した場
合、寸法の減少により、カラー・フィルタ・レイ回路を
製造する際の複雑性を増すことになる。一方、AMLC
Dパネル・オペレーションのノーマル・ホワイト・モー
ドがない場合、デザインのフレキシビリティが減少し、
かつ画像品質の改善ための最適化を行なうことができな
くなる。新しいハーフトーン・ピクセル設計を有する本
発明は、これら欠点や障害をなくしている。
44、45を有する本発明によるハーフトーン・ピクセ
ル・アレイを示している。図4aは、図3のハーフトー
ン・ピクセル40の詳細を示している。図4bは、図4
aのハーフトーン・ピクセル40の電子等価回路図であ
る。第1ITO層46は制御キャパシタ62、63、6
4、65の領域を規定する。層48は、キャパシタ絶縁
体を表している。第2ITO層50は、サブピクセル4
2、43、44、45の領域を規定する。第1ITO層
46は、制御キャパシタ領域を規定する他、サブピクセ
ル42、43、44、45の間のスペースであるサブピ
クセル41の領域を規定する。斜線領域48は、バイア
を表しかつサブピクセル41の直列制御キャパシタを除
去するよう働く。ITO層46、50は絶縁層48によ
り分離されているので、層46、50は図4aに示され
ているようにわずかに重なり合うことができる。したが
って、この設計では、従来技術の設計のような、フォト
リソグラフィック工程に起因する最小サブピクセル間隔
に関しての制約はない。図4の制御キャパシタ・アレイ
の製造順序は次の通りである。1)第1ITO層46を
被着し、パターン化し、エッチングし、2)制御キャパ
シタ絶縁体48を被着し、3)第2ITO層50を被着
し、パターン化し、エッチングし、4)絶縁体48にバ
イアをパターン化しかつエッチングして、サブピクセル
41を形成する。
より、ピクセルは100パーセント光学的にアクティブ
になる。その結果、最大ピクセル・アパチャ比、輝度、
コントラストを減少することなく制御キャパシタ方法を
用いたハーフトーン・グレイスケールを実現することが
できる。図4aおよび4bのハーフトーン・ピクセル4
0設計の特徴は、直列な制御キャパシタを有していない
サブピクセル41がサブピクセル領域間に位置するよう
に、層46、48、50を配置したことである。図3、
4a、4bは、5つのサブピクセルを有しているが、本
発明ではサブピクセルをいくつ使用してもよい。全ピク
セル40は光学的にアクティブであるので、サブピクセ
ルを様々に配置するためのフレキシビリティと、目標の
画像品質を実現するためのサブピクセル・ターン−オン
・シーケンスが得られる。図5a、5b、5cは、ハー
フトーン・ピクセル70の別のレイアウトを示してい
る。図5aのピクセル70は、6つのサブピクセル7
1、72、73、74、75、76から成る。層78
は、図5aおよび5bに示すようにサブピクセル71の
領域における小さいコンタクト・バイア80以外は、ピ
クセルにわたって連続している。この層78の連続性に
より、最大コントラストを得るため、小さいコンタクト
・バイア領域80以外の全液晶セルすなわちピクセル7
0をグーチ−タリー(Gooch-Tarry)最小セル間隔に保持
することができる。グーチおよびタリーは液晶セルの間
隔に関して最適値を引き出し、その結果、最適なオフ状
態と最大コントラストをもたらす。ITOの層81、8
2は図5aに示されている。サブピクセル71がサブピ
クセル間の領域に位置しかつその領域がITO層81に
より定められているように、層81、78、82はレイ
アウトされている。
クセル91、92、93を有するハーフトーン・ピクセ
ル90の配置を示している。図6cは、ピクセル90の
電気的等価回路図である。層96は、小さいコンタクト
・バイア領域100以外は、ピクセル90において連続
している。ITO層94、98は、制御キャパシタとサ
ブピクセルの領域をそれぞれ示している。図7a、7
b、7cは別のハーフトーン・サブピクセルの配置を示
している。図7aは、3つの同心サブピクセル101、
102、103を有するハーフトーン・ピクセル104
を示している。図7bは、ハーフトーン・ピクセル10
4の断面図である。図7cは、ピクセル104の電気的
等価回路図である。この回路は結合キャパシタCC 10
6を含んでいる。結合キャパシタ106の役割は、制御
キャパシタC2、C3 の製造において使用される絶縁材
料や厚さを選択する際のフレキシビリティを増すことで
ある。
シタ設計を用いているディスプレイの断面図である。制
御キャパシタ・アレイ84は同じ基板88上にTFTア
レイ86とともに製造されている。TFT86のドレイ
ン電極は、アレイ84の制御キャパシタ領域を定めてい
る第1ITO電極81に接続している。制御キャパシタ
・アレイ84を有するアクティブ・マトリックス基板8
8を製造した後、普通の液晶ディスプレイ組立技術を用
いて、アクティブ・マトリックス基板88と共通電極基
板114の間に液晶112を挟むことにより、ディスプ
レイ装置110が製造される。
本発明のハーフトーン・ピクセルにより、100パーセ
ントの光学的アクティブ・ピクセルを構成することがで
きる。また、本発明は、サブピクセルを持たないピクセ
ルと同様に最大ピクセル・アパチャ比、輝度またはコン
トラストを低減することがない。さらに、本発明の全ピ
クセルは光学的にアクティブであるので、サブピクセル
を様々に配置するためのフレキシビリティと、目標の画
像品質を実現するためのサブピクセル・ターン−オン・
シーケンスが得られる。
である。
び電気的等価回路図である。
電気的等価回路図である。
置である。
・ピクセルの配置である。
ピクセルの配置である。
Claims (2)
- 【請求項1】 高いピクセル・アパチャ比を有する複数
のピクセルから成るハーフトーン・グレイスケール液晶
ディスプレイにおいて、各ピクセルは、 第1基板と、 N個のサブピクセルと、から成り、 N−1個の各サブピクセルは、 上記第1基板上の第1電極と、 上記第1電極上の絶縁層と、 上記絶縁層上の第2電極と、 第2電極上の液晶層と、 上記液晶層上の第3電極と、 から成り、 N番目のサブピクセルは、 上記第1基板上の第1電極と、 上記第1電極上の絶縁層と、 上記絶縁層上の液晶層と、 上記絶縁層上の第2電極と、 上記液晶層上の第2基板と、 から成り、 N−1個のサブピクセルの上記第1電極は相互接続して
いることを特徴とするハーフトーン・グレイスケール液
晶ディスプレイ。 - 【請求項2】 高いピクセル・アパチャ比を有する複数
のピクセルから成るハーフトーン・グレイスケール液晶
ディスプレイにおいて、各ピクセルは、 第1、第2、第3、第4、第5サブピクセルと、 第1ガラス基板と、 上記ガラス基板上の第1電極と、 上記ガラス基板上の第2電極と、 上記ガラス基板上の第3電極と、 上記ガラス基板上の第4電極と、 上記ガラス基板上の上記第1、第2、第3、第4電極間
でかつ上記第5サブピクセルの隣りに位置する第5電極
と、 少なくとも上記第1、第2、第3、第4電極上の絶縁層
と、 上記絶縁層上で上記第1電極および上記第1サブピクセ
ルの隣りに位置する第6電極と、 上記絶縁層上で上記第2電極および上記第2サブピクセ
ルの隣りに位置する第7電極と、 上記絶縁層上で上記第3電極および上記第3サブピクセ
ルの隣りに位置する第8電極と、 上記絶縁層上で上記第4電極および上記第4サブピクセ
ルの隣りに位置する第9電極と、 上記第5、第6、第7、第8、第9電極上に位置する液
晶層と、 上記液晶上の第10電極と、 上記第10電極上の第2ガラス基板と、から成ることを
特徴とするハーフトーン・グレイスケール液晶ディスプ
レイ。
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