WO2009130826A1

WO2009130826A1 - 液晶表示装置、テレビジョン受像機

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Publication number: WO2009130826A1
Application number: PCT/JP2008/073761
Authority: WO
Inventors: 俊英津幡
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2008-04-25
Filing date: 2008-12-26
Publication date: 2009-10-29
Also published as: US20110025923A1; BRPI0822539A2; CN101978315A; RU2010142383A; JP5160639B2; CN101978315B; US8184223B2; JPWO2009130826A1; RU2453882C1

Abstract

　画素（１００）に、第１画素電極（１７ａ）と、第２画素電極（１７ｂ）と、第３画素電極（１７ｃ）と、第４画素電極（１７ｄ）とが設けられ、第１画素電極（１７ａ）が第１トランジスタ（１２ａ）を介してデータ信号線（１５ｘ）に接続され、第２画素電極（１７ｂ）が第２トランジスタ（１２ｂ）を介してデータ信号線（１５ｘ）に接続され、第１および第２トランジスタ（１２ａ・１２ｂ）が同一の走査信号線（１６ｘ）に接続され、第１画素電極（１７ａ）と第３画素電極（１７ｃ）とが容量を介して接続されるとともに、第２画素電極（１７ｂ）と第４画素電極（１７ｄ）とが容量を介して接続され、２本の保持容量配線（１８ｐ・１８ｑ）の一方が第１画素電極（１７ａ）と容量を形成するとともに、他方が第２画素電極（１７ｂ）と容量を形成し、これら２本の保持容量配線（１８ｐ・１８ｑ）それぞれに、異なる保持容量配線信号が供給される。上記構成によれば、画素分割方式（容量結合型）の液晶表示装置の視野角特性を高めることができる。

Description

液晶表示装置、テレビジョン受像機

　本発明は、１画素に複数の副画素を備える液晶表示装置（画素分割方式）に関する。

　液晶表示装置のγ特性の視野角依存性を向上させる（例えば、画面の白浮き等を抑制する）ため、１画素に設けた複数の副画素を異なる輝度に制御し、これら副画素の面積階調によって中間調を表示する液晶表示装置（画素分割方式、例えば特許文献１参照）が提案されている。

　特許文献１記載の液晶表示装置では、図３３に示すように、隣り合う２本のゲートバスライン１１２間が画素領域となっており、１つの画素領域に、３つの画素電極１２１ａ～１２１ｃが配され、画素電極１２１ａおよび画素電極１２１ｃが、トランジスタ１１６のソース電極１１６ｓから引き出されたソース引き出し配線１１９に接続され、ソース引き出し配線１１９に接続する制御電極１１８が絶縁層を介して画素電極１１２ｂと重なっており、画素電極１２１ｂは、画素電極１２１ａ・１２１ｃそれぞれに対して容量結合されている（容量結合型）。この液晶表示装置では、画素電極１２１ａ・１２１ｃに対応する副画素それぞれを明副画素、画素電極１２１ｂに対応する副画素を暗副画素とすることができ、これら明副画素（２個）・暗副画素（１個）の面積階調によって中間調を表示することができる。
日本国公開特許公報「特開２００６－３９２９０号公報（公開日：２００６年２月９日）」

　特許文献１記載の液晶表示装置では、中間調表示時に１画素内に形成される輝度が２種類（明副電極・暗副画素）であり、例えばＭＶＡ（マルチドメインバーティカルアライメント）モードの液晶表示装置に適用すると１画素に８個（４方向×２種類）のドメイン（配向領域）が形成されるが、視野角特性のさらなる向上のためには、１画素内に形成される輝度の種類を多くして１画素内のドメイン数を増やすことが望まれていた。

　本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、画素分割方式（容量結合型）の液晶表示装置の視野角特性を向上させる点にある。

　本発明の液晶表示装置は、複数の走査信号線、複数のデータ信号線および複数の保持容量配線を備え、１つの画素に、第１画素電極を含む第１副画素と、第２画素電極を含む第２副画素と、第３画素電極を含む第３副画素と、第４画素電極を含む第４副画素とが設けられた液晶表示装置であって、第１画素電極が第１トランジスタを介してデータ信号線に接続され、第２画素電極が第２トランジスタを介してデータ信号線に接続され、上記第１および第２トランジスタが同一の走査信号線に接続され、第１画素電極と第３画素電極とが容量を介して接続されるとともに、第２画素電極と第４画素電極とが容量を介して接続され、２本の保持容量配線の一方が第１画素電極と容量を形成するとともに、他方が第２画素電極と容量を形成し、これら２本の保持容量配線それぞれに、異なる保持容量配線信号（変調信号）が供給されることを特徴とする。

　本液晶表示装置によれば、１つの画素に設けた４つの副画素それぞれを、中間調表示時に互いに異なる輝度に制御することが可能となるため、例えばＭＶＡモードの液晶表示装置に適用すると１画素に１６個（４方向×４種類）のドメイン（配向領域）が形成される。これにより、視野角特性を向上させることができる。

　本液晶表示装置では、上記２本の保持容量配線の一方に供給される保持容量配線信号および他方に供給される保持容量配線信号はともに、第１および第２トランジスタがＯＦＦした後にレベルシフトし、これら２つの保持容量配線信号の一方と他方とではレベルシフト量が異なる構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、上記２つの保持容量配線信号の一方と他方とではレベルシフトの向きが同じである構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、第１および第２画素電極に供給される信号電位がプラス極性である場合には上記レベルシフトの向きがプラス方向であり、第１および第２画素電極に供給される信号電位がマイナス極性である場合には上記レベルシフトの向きはマイナス方向である構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、各画素はこれを横切る１本の走査信号線によって２つの部分に分けられ、その一方に第１および第３画素電極が配されるとともに、他方に第２および第４画素電極が配されている構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、平面的に視て、上記第１および第２画素電極それぞれが走査信号線に隣接して配されている構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、保持容量配線信号が供給される２つの保持容量配線の一方が、上記画素とその走査方向上流側の画素との間隙に対応して設けられることによって、これら２つの画素の一方に含まれる画素電極の１つおよび他方に含まれる画素電極の１つそれぞれと容量を形成し、保持容量配線信号が供給される２つの保持容量配線の他方が、上記画素とその走査方向下流側の画素との間隙に対応して設けられることによって、これら２つの画素の一方に含まれる画素電極の１つおよび他方に含まれる画素電極の１つそれぞれと容量を形成している構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、保持容量配線信号が供給される２つの保持容量配線が、各画素に対応して設けられている構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、第１画素電極と電気的に接続された第１保持容量電極と、第２画素電極と電気的に接続された第２保持容量電極とを備え、保持容量配線信号が供給される２つの保持容量配線の一方が第１保持容量電極と重なり、他方が第２保持容量電極と重なっている構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、保持容量配線信号が供給される２つの保持容量配線に加えて、定電位信号が供給される２つの保持容量配線を備え、定電位信号が供給される２つの保持容量配線の一方が第３画素電極と容量を形成するとともに、他方が第４画素電極と容量を形成する構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、第３画素電極と電気的に接続された第３保持容量電極と、第４画素電極と電気的に接続された第４保持容量電極とを備え、定電位信号が供給される２つの保持容量配線の一方が第３保持容量電極と重なり、他方が第４保持容量電極と重なっている構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、定電位信号が供給される２つの保持容量配線の一方が第３画素電極のエッジの一部と重なるとともに、該保持容量配線からは上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通って再び該保持容量配線に合流する保持容量配線延伸部が延伸し、定電位信号が供給される２つの保持容量配線の他方が第４画素電極のエッジの一部と重なるとともに、該保持容量配線からは上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通って再び該保持容量配線に合流する保持容量配線延伸部が延伸している構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、上記２本の保持容量配線の一方に供給される保持容量配線信号および他方に供給される保持容量配線信号の２つの保持容量配線信号はともに、第１および第２トランジスタがＯＦＦした後にレベルシフトし、これら２つの保持容量配線信号の一方および他方でレベルシフトの向きは同一であるとともに、一方のレベルシフト量がＶＴ、他方のレベルシフト量がＶｔであり、第１および第３画素電極間の結合容量の値並びに第２および第４画素電極間の結合容量の値それぞれがＣｋであり、第１～第４副画素の液晶容量がそれぞれＣｊであり、上記２つの保持容量配線の一方および第１画素電極間の容量並びに他方および第２画素電極間の容量それぞれがＣｈである場合には、Ｖｔ＜ＶＴ≦Ｖｔ×〔（Ｃｋ＋Ｃｊ）／Ｃｋ〕となっている構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、上記２本の保持容量配線の一方に供給される保持容量配線信号および他方に供給される保持容量配線信号の２つの保持容量配線信号はともに、第１および第２トランジスタがＯＦＦした後にレベルシフトし、これら２つの保持容量配線信号の一方および他方でレベルシフトの向きは同一であるとともに、一方のレベルシフト量がＶＴ、他方のレベルシフト量がＶｔであり、第１および第３画素電極間の結合容量の値並びに第２および第４画素電極間の結合容量の値それぞれがＣｋであり、第１～第４副画素の液晶容量がそれぞれＣｊであり、保持容量配線信号が供給される２つの保持容量配線の一方および第１画素電極間の容量並びに他方および第２画素電極間の容量それぞれがＣｈであり、定電位信号が供給される２つの保持容量配線の一方および第３画素電極間の容量並びに他方および第４画素電極間の容量それぞれがＣｈである場合には、Ｖｔ＜ＶＴ≦Ｖｔ×〔（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）／Ｃｋ〕となっている構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、第１画素電極と電気的に接続された第１結合容量電極と、第２画素電極と電気的に接続された第２結合容量電極を備え、第１結合容量電極は、各画素電極下に設けられる層間絶縁膜を介して第３画素電極と重なり、第２結合容量電極は、各画素電極下に設けられる層間絶縁膜を介して第４画素電極と重なっている構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、上記層間絶縁膜は、第３画素電極および第１結合容量電極と重畳する部分の少なくとも一部と、第４画素電極および第２結合容量電極と重畳する部分の少なくとも一部とが薄くなっている構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、上記層間絶縁膜は無機絶縁膜とこれよりも厚い有機絶縁膜とからなるが、第３画素電極および第１結合容量電極と重畳する部分の少なくとも一部と、第４画素電極および第２結合容量電極と重畳する部分の少なくとも一部とについては、有機絶縁膜が除去されている構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、第１画素電極がコンタクトホールを介して第１トランジスタの一導通端子からの引き出し配線に接続されるとともに、該引き出し配線と第１結合容量電極とが同層で繋がり、第２画素電極がコンタクトホールを介して第２トランジスタの一導通端子からの引き出し配線に接続されるとともに、該引き出し配線と第２結合容量電極とが同層で繋がっている構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、第１画素電極がコンタクトホールを介して第１トランジスタの一導通端子からの引き出し配線に接続されるとともに、コンタクトホールを介して第１画素電極に接続された中継配線と第１結合容量電極とが同層で繋がり、第２画素電極がコンタクトホールを介して第２トランジスタの一導通端子からの引き出し配線に接続されるとともに、コンタクトホールを介して第２画素電極に接続された中継配線と第２結合容量電極とが同層で繋がっている構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、第１画素電極および第３画素電極の間隙と、第２画素電極および第４画素電極の間隙とが、配向規制構造物として機能する構成とすることもできる。

　本液晶表示装置は、複数の走査信号線、複数のデータ信号線および複数の保持容量配線を備え、１つの画素に、第１画素電極を含む第１副画素と、第２画素電極を含む第２副画素と、第３画素電極を含む第３副画素と、第４画素電極を含む第４副画素とが設けられた液晶表示装置であって、第１画素電極が第１トランジスタを介してデータ信号線に接続され、第２画素電極が第２トランジスタを介してデータ信号線に接続され、上記第１および第２トランジスタが同一の走査信号線に接続され、第１画素電極と第３画素電極とが容量を介して接続されるとともに、第２画素電極と第４画素電極とが容量を介して接続され、２本の保持容量配線の一方が第１および３画素電極それぞれと容量を形成するとともに、他方が第２および第４画素電極それぞれと容量を形成し、これら２本の保持容量配線それぞれに、異なる保持容量配線信号が供給されることを特徴とする。

　本液晶表示装置では、上記２本の保持容量配線の一方に供給される保持容量配線信号および他方に供給される保持容量配線信号はともに第１および第２トランジスタがＯＦＦした後にレベルシフトし、これら２つの保持容量配線信号の一方と他方とではレベルシフト量が異なる構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、連続する２つのフレームの一方において、上記２つの保持容量配線信号の一方は、そのレベルシフトの向きがプラス方向でかつレベルシフト量がＶＴであり、他方は、そのレベルシフトの向きがプラス方向でかつレベルシフト量がＶｔであり、上記２つのフレームの他方において、上記２つの保持容量配線信号の一方は、そのレベルシフトの向きがマイナス方向でかつレベルシフト量がＶＴであり、他方は、そのレベルシフトの向きがマイナス方向でかつレベルシフト量がＶｔである構成とすることもできる。

　本液晶表示装置では、連続する第１～第４フレームの第１フレームにおいて、上記２つの保持容量配線信号の一方は、そのレベルシフトの向きがプラス方向でかつレベルシフト量がＶＴであり、他方は、そのレベルシフトの向きがプラス方向でかつレベルシフト量がＶｔであり、第２フレームにおいて、上記２つの保持容量配線信号の一方は、そのレベルシフトの向きがマイナス方向でかつレベルシフト量がＶｔであり、他方は、そのレベルシフトの向きがマイナス方向でかつレベルシフト量がＶＴであり、第３フレームにおいて、上記２つの保持容量配線信号の一方は、そのレベルシフトの向きがプラス方向でかつレベルシフト量がＶｔであり、他方は、そのレベルシフトの向きがプラス方向でかつレベルシフト量がＶＴであり、第４フレームにおいて、上記２つの保持容量配線信号の一方は、そのレベルシフトの向きがマイナス方向でかつレベルシフト量がＶＴであり、他方は、そのレベルシフトの向きがマイナス方向でかつレベルシフト量がＶｔである構成とすることもできる。

　また、本テレビジョン受像機は、上記液晶表示装置と、テレビジョン放送を受信するチューナー部とを備えることを特徴とする。

　以上のように、本液晶表示装置によれば、１つの画素に設けた４つの副画素それぞれを、中間調表示時に互いに異なる輝度に制御することが可能となるため、その視野角特性を向上させることができる。

本実施の形態１にかかる液晶パネルの構成を示す回路図である。図１の液晶パネルを備えた液晶表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。図２の駆動方法を用いた場合のフレーム毎の表示状態を示す模式図である。図１の液晶パネルを備えた液晶表示装置の他の駆動方法を示すタイミングチャートである。図４の駆動方法を用いた場合のフレーム毎の表示状態を示す模式図である。実施の形態１にかかる液晶パネルの一具体例を示す平面図である。図６のＸ－Ｙ矢視断面図である。実施の形態１にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。（ａ）（ｂ）は、図８のＸ－Ｙ矢視断面図である。本実施の形態２にかかる液晶パネルの構成を示す回路図である。図１０の液晶パネルを備えた液晶表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。図１１の駆動方法を用いた場合のフレーム毎の表示状態を示す模式図である。実施の形態２にかかる液晶パネルの一具体例を示す平面図である。実施の形態２にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。実施の形態２にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。実施の形態２にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。実施の形態２にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。実施の形態２にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。実施の形態２にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。本実施の形態３にかかる液晶パネルの構成を示す回路図である。図２０の液晶パネルを備えた液晶表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。図２１の駆動方法を用いた場合のフレーム毎の表示状態を示す模式図である。実施の形態３にかかる液晶パネルの一具体例を示す平面図である。実施の形態３にかかる液晶パネルの他の具体例を示す平面図である。本実施の形態４にかかる液晶パネルの構成を示す回路図である。図２５の液晶パネルを備えた液晶表示装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。実施の形態４にかかる液晶パネルの一具体例を示す平面図である。実施の形態４にかかる液晶パネルの一具体例を示す平面図である。本液晶表示装置の全体構成を説明するブロック図である。本液晶表示装置の機能を説明するブロック図である。本テレビジョン受像機の機能を説明するブロック図である。本テレビジョン受像機の構成を示す分解斜視図である。従来の液晶パネルの構成を示す平面図である。

符号の説明

　５ａ～５ｇ　液晶パネル
　１２ａ・１２ｂ・１２ｅ・１２ｆ　トランジスタ
　１２Ａ・１２Ｂ・１２Ｅ・１２Ｆ　トランジスタ
　１５ｘ　１５Ｘ　データ信号線
　１６ｘ・１６ｙ　走査信号線
　１７ａ～１７ｈ　画素電極
　１７Ａ～１７Ｈ　画素電極
　１８ｐ～１８ｒ　保持容量配線
　１１８ｐ・２１８ｑ・１１８ｑ・２１８ｒ　保持容量配線
　２２　無機ゲート絶縁膜
　２４　半導体層
　２５　無機層間絶縁膜
　２６　有機層間絶縁膜
　３７ａ・３７ｂ　結合容量電極
　８４　液晶表示ユニット
　１００～１０３　画素
　８００　液晶表示装置
　ＣＳＳｐ・ＣＳＳｑ・ＣＳＳｒ　ＣＳ信号（保持容量配線信号）
　ＣＳＳＰ・ＣＳＳＱ・ＣＳＳＲ　ＣＳ信号（保持容量配線信号）

　本発明にかかる実施の形態の例を、図１～３２を用いて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜のため、以下では走査信号線の延伸方向を行方向とする。ただし、本液晶表示装置（あるいはこれに用いられる液晶パネルやアクティブマトリクス基板）の利用（視聴）状態において、その走査信号線が横方向に延伸していても縦方向に延伸していてもよいことはいうまでもない。

　〔実施の形態１〕
　図１は実施の形態１にかかる液晶パネルの一部を示す等価回路図である。図１に示すように、本液晶パネルは、列方向（図中上下方向）に延伸するデータ信号線（１５ｘ・１５Ｘ）、行方向（図中左右方向）に延伸する走査信号線（１６ｘ・１６ｙ）、行および列方向に並べられた画素（１００～１０３）、保持容量配線（１８ｐ・１８ｑ・１８ｒ）、および共通電極（対向電極）ｃｏｍを備え、各画素の構造は同一である。なお、画素１００・１０１が含まれる画素列と、画素１０２・１０３が含まれる画素列とが隣接し、画素１００・１０２が含まれる画素行と、画素１０１・１０３が含まれる画素行とが隣接している。

　本液晶パネルでは、１つの画素に対応して１本のデータ信号線と１本の走査信号線とが設けられており、列方向に隣接する２つの画素行に対応して１本のＣＳ信号供給用の保持容量配線が設けられている。また、１つの画素に４つの画素電極が設けられており、画素１００に設けられた４つの画素電極１７ｃ・１７ａ・１７ｂ・１７ｄ、画素１０１に設けられた４つの画素電極１７ｇ・１７ｅ・１７ｆ・１７ｈが一列に配されるともに、画素１０２に設けられた４つの画素電極１７Ｃ・１７Ａ・１７Ｂ・１７Ｄ、画素１０３に設けられた４つの画素電極１７Ｇ・１７Ｅ・１７Ｆ・１７Ｈが一列に配され、画素電極１７ｃと１７Ｃ、画素電極１７ａと１７Ａ、画素電極１７ｂと１７Ｂ、画素電極１７ｄと１７Ｄ、画素電極１７ｇと１７Ｇ、画素電極１７ｅと１７Ｅ、画素電極１７ｆと１７Ｆ、画素電極１７ｈと１７Ｈがそれぞれ行方向に隣接している。

　画素１００では、画素電極１７ａおよび１７ｃが結合容量Ｃａｃを介して接続されるともに、画素電極１７ｂおよび１７ｄが結合容量Ｃｂｄを介して接続され、画素電極１７ａが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２ａを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｂが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２ｂを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ａと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈａが形成され、画素電極１７ｂと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量Ｃｈｂが形成されている。なお、保持容量配線１８ｐ・１８ｑはＣＳ信号供給用の保持容量配線である。また、画素電極１７ｃおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｃが形成され、画素電極１７ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌａが形成され、画素電極１７ｂおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｂが形成され、画素電極１７ｄおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｄが形成されている。

　一方、画素１００と列方向に隣接する画素１０１では、画素電極１７ｅおよび１７ｇが結合容量Ｃｅｇを介して接続されるともに、画素電極１７ｆおよび１７ｈが結合容量Ｃｆｈを介して接続され、画素電極１７ｅが、走査信号線１６ｙに接続されたトランジスタ１２ｅを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｆが、走査信号線１６ｙに接続されたトランジスタ１２ｆを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｅと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量Ｃｈｅが形成され、画素電極１７ｆと保持容量配線１８ｒとの間に保持容量Ｃｈｆが形成されている。なお、保持容量配線１８ｑ・１８ｒはＣＳ信号供給用の保持容量配線である。また、画素電極１７ｇおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｇが形成され、画素電極１７ｅおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｅが形成され、画素電極１７ｆおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｆが形成され、画素電極１７ｈおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｈが形成されている。

　また、画素１００と行方向に隣接する画素１０２では、画素電極１７Ａおよび１７Ｃが結合容量ＣＡＣを介して接続されるともに、画素電極１７Ｂおよび１７Ｄが結合容量ＣＢＤを介して接続され、画素電極１７Ａが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２Ａを介してデータ信号線１５Ｘに接続され、画素電極１７Ｂが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２Ｂを介してデータ信号線１５Ｘに接続され、画素電極１７Ａと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量ＣｈＡが形成され、画素電極１７Ｂと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量ＣｈＢが形成されている。なお、画素電極１７Ｃおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＣが形成され、画素電極１７Ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＡが形成され、画素電極１７Ｂおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＢが形成され、画素電極１７Ｄおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＤが形成されている。

　図２は図１の液晶パネルを備えた液晶表示装置（ノーマリブラックモード）の駆動方法を示すタイミングチャートである。なお、Ｓｖ・ＳＶはデータ信号線１５ｘ・１５Ｘそれぞれに供給される信号電位を示し、Ｇｘ・Ｇｙは走査信号線１６ｘ・１６ｙそれぞれに供給されるゲートオンパルス信号を示し、ＣＳＳｐ・ＣＳＳｑ・ＣＳＳｒは保持容量配線１８ｐ・１８ｑ・１８ｒそれぞれに供給されるＣＳ信号（保持容量配線信号）を示し、Ｖａ～Ｖｄは、画素１００に設けられる４つの画素電極１７ａ～１７ｄの電位を示している。

　図１・２に示すように、本液晶表示装置では、２本の保持容量配線１８ｐ・１８ｑの一方である保持容量配線１８ｐが、トランジスタ１２ａ（第１トランジスタ）を介してデータ信号線１５ｘに接続する画素電極１７ａ（第１画素電極）と保持容量を形成するとともに、他方である保持容量配線１８ｑが、トランジスタ１２ｂ（第２トランジスタ）を介してデータ信号線１５ｘに接続する画素電極１７ｂ（第２画素電極）と保持容量を形成しており、これら２本の保持容量配線１８ｐ・１８ｑそれぞれに異なるＣＳ信号が供給される。なお、各走査信号線は順次選択し、各データ信号線に供給する信号電位の極性を１垂直走査期間（１フレーム）ごとに反転させるとともに、同一水平走査期間においては隣接する２本のデータ信号線に同極性の信号電位を供給する。

　具体的には、保持容量配線１８ｐに供給されるＣＳ信号ＣＳＳｐおよび保持容量配線１８ｑに供給されるＣＳ信号ＣＳＳｑは、トランジスタ１２ａ・１２ｂがＯＮしている期間（Ｇｘのアクティブ期間）は実質的に同レベルを維持しつつ、トランジスタ１２ａ・１２ｂがＯＦＦした後に同じ向きにレベルシフトするが、両ＣＳ信号間（ＣＳＳｐ・ＣＳＳｑ）でレベルシフト量が異なっている。また、画素電極１７ａ・１７ｂに供給される信号電位がプラス極性であるフレームでは両ＣＳ信号（ＣＳＳｐ・ＣＳＳｑ）のレベルシフトの向きがプラス方向であり、画素電極１７ａ・１７ｂに供給される信号電位がマイナス極性であるフレームでは両ＣＳ信号間（ＣＳＳｐ・ＣＳＳｑ）のレベルシフトの向きはマイナス方向となっている。

　ここで、画素電極１７ａ・１７ｂに供給される信号電位をＶとし、図１においてＣｌａ＝Ｃｌｂ＝Ｃｌｃ＝Ｃｌｄ＝Ｃｊ、かつＣａｃ＝Ｃｂｄ＝Ｃｋ、かつＣｈａ＝Ｃｈｂ＝Ｃｈとし、トランジスタ１２ａ・１２ｂがＯＦＦしたときの画素電極１７ａ～１７ｄの電位をｖ１～ｖ４とし、このときのＣＳ信号ＣＳＳｐ・ＣＳＳｑのレベルをｖｐ・ｖｑとし、このときの画素電極１７ａ～１７ｄの電荷総量をｑ１～ｑ４とすれば、ｖ１＝ｖ２＝Ｖ、かつｖｐ＝ｖｑ＝０（Ｖｃｏｍ）であるため、画素電極１７ａ～１７ｄの電荷保存則から以下の式１～４が成り立つ。

　Ｃｊ×Ｖ＋Ｃｈ×Ｖ＋Ｃｋ×（Ｖ－ｖ３）＝ｑ１・・・式１
　Ｃｊ×Ｖ＋Ｃｈ×Ｖ＋Ｃｋ×（Ｖ－ｖ４）＝ｑ２・・・式２
　Ｃｊ×ｖ３－Ｃｋ×（Ｖ－ｖ３）＝ｑ３＝０・・・式３
　Ｃｊ×ｖ４－Ｃｋ×（Ｖ－ｖ４）＝ｑ４＝０・・・式４
　さらに、トランジスタ１２ａ・１２ｂがＯＦＦした後にＣＳ信号ＣＳＳｐ・ＣＳＳｑのレベルがＶｐ・Ｖｑにレベルシフトするため、このときの画素電極１７ａ～１７ｄの電位をＶ１～Ｖ４とすると、画素電極１７ａ～１７ｄの電荷保存則から以下の式５～９が成り立つ。

　Ｃｊ×Ｖ１＋Ｃｈ×（Ｖ１－Ｖｐ）＋Ｃｋ×（Ｖ１－Ｖ３）＝ｑ１・・・式５
　Ｃｊ×Ｖ２＋Ｃｈ×（Ｖ２－Ｖｑ）＋Ｃｋ×（Ｖ２－Ｖ４）＝ｑ２・・・式６
　Ｃｊ×Ｖ３－Ｃｋ×（Ｖ１－Ｖ３）＝ｑ３＝０・・・式７
　Ｃｊ×Ｖ４－Ｃｋ×（Ｖ２－Ｖ４）＝ｑ４＝０・・・式８
　よって、式３・４から、ｖ３＝ｖ４＝Ｖ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ）］となり、
　式１・３・５・７から、
　Ｖ１＝Ｖ＋Ｖｐ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ）]／α}
　Ｖ３＝Ｖ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ）］＋Ｖｐ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／α]　となる。

　但し、α＝Ｃｋ×Ｃｈ＋２×Ｃｋ×Ｃｊ＋Ｃｊ×Ｃｈ＋Ｃｊ^２である。

　また、式２・４・６・８から、
　Ｖ２＝Ｖ＋Ｖｑ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ）]／α}
　Ｖ４＝Ｖ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ）］＋Ｖｑ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／α]　となる。

　図２のフレーム１（Ｆ１）では、ＣＳ信号ＣＳＳｐのレベルシフト量がＶＴでレベルシフトの向きがプラス方向、ＣＳ信号ＣＳＳｑのレベルシフト量がＶＴよりも小さいＶｔでレベルシフトの向きがプラス方向であり、
　Ｖ＝＋Ｖｋ≧０、かつＶｐ＝＋ＶＴ＞Ｖｑ＝＋Ｖｔ＞０であるため、
　Ｖ１＝＋Ｖｋ＋ＶＴ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ）]／α}
　Ｖ３＝＋Ｖｋ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ）］＋ＶＴ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／α]　
　Ｖ２＝＋Ｖｋ＋Ｖｔ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ）]／α}
　Ｖ４＝＋Ｖｋ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ）］＋Ｖｔ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／α]　となり、
　Ｖ１≧Ｖ２≧Ｖ４、かつＶ１≧Ｖ３　が成り立つ。

　また、Ｖ２－Ｖ３＝Ｖｋ×〔Ｃｊ／（Ｃｋ＋Ｃｊ）〕＋（Ｃｈ／α）×〔Ｖｔ×（Ｃｋ＋Ｃｊ）－ＶＴ×Ｃｋ〕であるため、
　Ｖｔ×（Ｃｋ＋Ｃｊ）－ＶＴ×Ｃｋ≧０⇔ＶＴ≦Ｖｔ×〔（Ｃｋ＋Ｃｊ）／Ｃｋ〕としておけば、Ｖｋの大きさによらず、図２のようにＶ１≧Ｖ２≧Ｖ３≧Ｖ４とすることができる。これにより、中間調表示時には、画素電極１７ａ（プラス極性）を含む副画素を超高輝度副画素（Ｍと略記）、画素電極１７ｂ（プラス極性）を含む副画素を高輝度副画素（ｍと略記）、画素電極１７ｃ（プラス極性）を含む副画素を低輝度副画素（ｎと略記）、画素電極１７ｄ（プラス極性）を含む副画素を超低輝度副画素（Ｎと略記）とすることができ、画素１００～１０３に中間調を表示させたときは図３（ａ）のようになる。

　図２のフレーム２（Ｆ２）では、ＣＳ信号ＣＳＳｐのレベルシフト量がＶＴでレベルシフトの向きがマイナス方向、ＣＳ信号ＣＳＳｑのレベルシフト量がＶＴよりも小さいＶｔでレベルシフトの向きがマイナス方向であり、
　Ｖ＝－Ｖｋ≦０、かつＶｐ＝－ＶＴ＜Ｖｑ＝－Ｖｔ＜０であるため、
　Ｖ１＝－Ｖｋ－ＶＴ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ）]／α}
　Ｖ３＝－Ｖｋ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ）］－ＶＴ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／α]　
　Ｖ２＝－Ｖｋ－Ｖｔ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ）]／α}
　Ｖ４＝－Ｖｋ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ）］－Ｖｔ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／α]　となり、
　Ｖ１≦Ｖ２≦Ｖ４、かつＶ１≦Ｖ３　が成り立つ。

　また、Ｖ２－Ｖ３＝－Ｖｋ×〔Ｃｊ／（Ｃｋ＋Ｃｊ）〕－（Ｃｈ／α）×〔Ｖｔ×（Ｃｋ＋Ｃｊ）－ＶＴ×Ｃｋ〕であるため、
　上記のようにＶＴ≦Ｖｔ×〔（Ｃｊ＋Ｃｋ）／Ｃｋ〕としておけば、Ｖ２≦Ｖ３となり、Ｖｋによらず、図２のようにＶ１≦Ｖ２≦Ｖ３≦Ｖ４とすることができる。これにより、中間調表示時には、画素電極１７ａ（マイナス極性）を含む副画素を超高輝度副画素、画素電極１７ｂ（マイナス極性）を含む副画素を高輝度副画素、画素電極１７ｃ（マイナス極性）を含む副画素を低輝度副画素、画素電極１７ｄ（マイナス極性）を含む副画素を超低輝度副画素とすることができ、画素１００～１０３に中間調を表示させたときは図３（ｂ）のようになる。

　本液晶パネルの一具体例を図６に示す。図６の液晶パネル５ａでは、各画素はこれを横切る１本の走査信号線によって２つの部分（領域）に分けられ、一方の部分には、トランジスタに接続する画素電極とこれに容量を介して接続する画素電極とが、前者が走査信号線と隣接するように並べられ、他方の部分には、トランジスタに接続する画素電極とこれに容量を介して接続する画素電極とが、前者が走査信号線と隣接するように並べられる。また、隣り合う２つの画素行に対応して１本のＣＳ信号供給用の保持容量配線が設けられている。

　具体的には、画素１００および画素１０１に沿うようにデータ信号線１５ｘが設けられ、画素１０２および画素１０３に沿うようにデータ信号線１５Ｘが設けられ、走査信号線１６ｘが画素１００・１０２それぞれの中央を横切り、走査信号線１６ｙが画素１０１・１０３それぞれの中央を横切っている。また、画素１００・１０２を含む画素行およびこれの図中上側の画素行に重なるように保持容量配線１８ｐが設けられ、画素１００・１０２を含む画素行および画素１０１・１０３を含む画素行に重なるように保持容量配線１８ｑが設けられ、画素１０１・１０３を含む画素行およびこれの図中下側の画素行に重なるように保持容量配線１８ｒが設けられている。そして、例えば画素１００では、この中央を横切る走査信号線１６ｘの図中上側に、トランジスタ１２ａに接続する長方形形状の画素電極１７ａとこれに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｃとが、画素電極１７ａが走査信号線１６ｘに隣接し、画素電極１７ｃが画素１００の行方向に沿う２つのエッジの一方と隣接するように並べられる一方、走査信号線１６ｘの図中下側に、トランジスタ１２ｂに接続する長方形形状の画素電極１７ｂとこれに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｄとが、画素電極１７ｂが走査信号線１６ｘと隣接し、画素電極１７ｄが画素１００の行方向に沿う上記２つのエッジの他方と隣接するように並べられている。
走査信号線１６ｘ上には、トランジスタ１２ａのソース電極８ａおよびドレイン電極９ａ並びにトランジスタ１２ｂのソース電極８ｂおよびドレイン電極９ｂが形成されている。ソース電極８ａはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ａはドレイン引き出し配線２７ａに接続され、ドレイン引き出し配線２７ａは、同層に形成された結合容量電極３７ａに繋がるとともにコンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続され、結合容量電極３７ａは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｃと重なっており、これによって画素電極１７ａ・１７ｃ間の結合容量Ｃａｃ（図１参照）が形成される。また、ソース電極８ｂはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ｂはドレイン引き出し配線２７ｂに接続され、ドレイン引き出し配線２７ｂは、同層に形成された結合容量電極３７ｂに繋がるとともにコンタクトホール１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続され、結合容量電極３７ｂは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｄと重なっており、これによって画素電極１７ｂ・１７ｄ間の結合容量Ｃｂｄ（図１参照）が形成される。

　さらに、ドレイン引き出し配線２７ａが同層に形成された保持容量電極７７ａに繋がるとともに、保持容量電極７７ａが保持容量配線１８ｐと重なるように形成されており、保持容量電極７７ａと保持容量配線１８ｐとの重なり部分に保持容量Ｃｈａ（図１参照）の多くが形成される。また、ドレイン引き出し配線２７ｂが同層に形成された保持容量電極７７ｂに繋がるとともに、保持容量電極７７ｂが保持容量配線１８ｑと重なるように形成されており、保持容量電極７７ｂと保持容量配線１８ｑとの重なり部分に保持容量Ｃｈｂ（図１参照）の多くが形成される。

　また、画素１０１では、この中央を横切る走査信号線１６ｙの図中上側に、トランジスタ１２ｅに接続する長方形形状の画素電極１７ｅとこれに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｇとが、画素電極１７ｅが走査信号線１６ｙと隣接し、画素電極１７ｇが画素１０１の行方向に沿う２つのエッジの一方と隣接するように並べられる一方、走査信号線１６ｙの図中下側に、トランジスタ１２ｆに接続する長方形形状の画素電極１７ｆとこれに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｈとが、画素電極１７ｆが走査信号線１６ｙと隣接し、画素電極１７ｈが上記２つのエッジの他方と隣接するように並べられている。そして、走査信号線１６ｙ上に、トランジスタ１２ｅのソース電極８ｅおよびドレイン電極９ｅ並びにトランジスタ１２ｆのソース電極８ｆおよびドレイン電極９ｆが形成されている。ソース電極８ｅはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ｅはドレイン引き出し配線２７ｅに接続され、ドレイン引き出し配線２７ｅは、同層に形成された結合容量電極３７ｅに繋がるとともにコンタクトホール１１ｅを介して画素電極１７ｅに接続され、結合容量電極３７ｅは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｇと重なっており、これによって画素電極１７ｅ・１７ｇ間の結合容量Ｃｅｇ（図１参照）が形成される。また、ソース電極８ｆはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ｆはドレイン引き出し配線２７ｆに接続され、ドレイン引き出し配線２７ｆは、同層に形成された結合容量電極３７ｆに繋がるとともにコンタクトホール１１ｆを介して画素電極１７ｆに接続され、結合容量電極３７ｆは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｈと重なっており、これによって画素電極１７ｆ・１７ｈ間の結合容量Ｃｆｈ（図１参照）が形成される。

　さらに、ドレイン引き出し配線２７ｅが同層に形成された保持容量電極７７ｅに繋がるとともに、保持容量電極７７ｅが保持容量配線１８ｑと重なるように形成されており、保持容量電極７７ｅと保持容量配線１８ｑとの重なり部分に保持容量Ｃｈｅ（図１参照）の多くが形成される。また、ドレイン引き出し配線２７ｆが同層に形成された保持容量電極７７ｆに繋がるとともに、保持容量電極７７ｆが保持容量配線１８ｒと重なるように形成されており、保持容量電極７７ｆと保持容量配線１８ｒとの重なり部分に保持容量Ｃｈｆ（図１参照）の多くが形成される。

　図７は図６のＸ－Ｙ矢視断面図である。同図に示すように、液晶パネル５ａは、アクティブマトリクス基板３と、これに対向するカラーフィルタ基板３０と、両基板（３・３０）間に配される液晶層４０とを備える。

　アクティブマトリクス基板３では、ガラス基板３１上に走査信号線１６ｘおよび保持容量配線１８ｐが形成され、これらを覆うように無機ゲート絶縁膜２２が形成されている。無機ゲート絶縁膜２２の上層には、半導体層２４（ｉ層およびｎ＋層）と、ｎ＋層に接する、ソース電極８ａ・８ｂおよびドレイン電極９ａ・９ｂと、ドレイン引き出し配線２７ａ・２７ｂと、結合容量電極３７ａと、保持容量電極７７ａとが形成され、これらを覆うように無機層間絶縁膜２５が形成されている。無機層間絶縁膜２５上には画素電極１７ａ・１７ｂ・１７ｃが形成され、さらに、これら（画素電極１７ａ～１７ｃ）を覆うように配向膜（図示せず）が形成されている。ここで、コンタクトホール１１ｂでは、無機層間絶縁膜２５が刳り貫かれており、これによって、画素電極１７ｂとドレイン引き出し配線２７ｂとが接続される。また、ドレイン引き出し配線２７ａと同層で繋がる結合容量電極３７ａは、無機層間絶縁膜２５を介して画素電極１７ｃと重なっており、これによって、結合容量Ｃａｃ（図１参照）が形成される。また、ドレイン引き出し配線２７ａと同層で繋がる保持容量電極７７ａは、無機ゲート絶縁膜２２を介して保持容量配線１８ｐと重なっており、この重なり部分に保持容量Ｃｈａ（図１参照）の多くが形成される。

　一方、カラーフィルタ基板３０では、ガラス基板３２上にブラックマトリクス１３および着色層１４が形成され、その上層に共通電極（ｃｏｍ）２８が形成され、さらにこれを覆うように配向膜（図示せず）が形成されている。

　本液晶表示装置によれば、１つの画素に設けた４つの副画素それぞれを、中間調表示時に互いに異なる輝度に制御することが可能となるため、例えばＭＶＡモードの液晶表示装置に適用すると１画素に１６個（４方向×４種類）のドメイン（配向領域）が形成される。これにより、視野角特性を向上させることができる。また、本液晶表示装置では、異なる画素に属する明副画素（図１２のＭやｍ）同士が隣接しないため、異なる画素に属する明副画素同士が隣接するような液晶表示装置よりも自然な表示が可能となる。また、２つの画素行に対応して１本のＣＳ信号供給用の保持容量配線を設けている（すなわち、この１本の保持容量配線を列方向に隣り合う２つの画素で共有している）ため、ＣＳ信号供給用の保持容量配線の本数を削減することができる。これにより、ＣＳ信号の数を減らしてＣＳ制御回路の構成を容易にでき、画素開口率も高められる。

　図６の液晶パネル５ａにおいて、層間絶縁膜を、無機層間絶縁膜とこれよりも厚い有機層間絶縁膜との二層構造とすることもできる。こうすれば、各種寄生容量の低減、配線同士の短絡防止、および平坦化による画素電極の裂け等の低減といった効果が得られる。この場合、図８の斜線部分および図８のＸ－Ｙ断面図である図９（ａ）に示すように、有機層間絶縁膜２６については、結合容量電極（例えば、３７ａ）と重なる部分を刳り貫いておくことが好ましい。なお、完全に刳り貫かなくとも図９（ｂ）のように、結合容量電極と重なる部分を局所的に薄くしておくだけでも構わない。こうすれば、結合容量の容量値および保持容量の容量値を十分に確保しながら、上記の効果を得ることができる。

　図９（ａ）（ｂ）の無機層間絶縁膜２５、有機層間絶縁膜２６およびコンタクトホール１１ｂは例えば、以下のようにして形成することができる。すなわち、トランジスタ（ＴＦＴ）やデータ信号線を形成した後、ＳｉＨ_４ガスとＮＨ_３ガスとＮ_２ガスとの混合ガスを用い、基板全面を覆うように、厚さ約３０００ÅのＳｉＮｘからなる無機層間絶縁膜２５（パッシベーション膜）をＣＶＤにて形成する。その後、厚さ約３μｍのポジ型感光性アクリル樹脂からなる有機層間絶縁膜２６をスピンコートやダイコートにて形成する。続いて、フォトリソグラフィーを行って有機層間絶縁膜２６の刳り貫き部分および各種のコンタクト用パターンを形成し、さらに、パターニングされた有機層間絶縁膜２６をマスクとし、ＣＦ_４ガスとＯ_２ガスとの混合ガスを用いて、無機層間絶縁膜２５をドライエッチングする。具体的には、例えば、有機層間絶縁膜の刳り貫き部分についてはフォトリソグラフィー工程でハーフ露光とすることで現像完了時に有機層間絶縁膜が薄く残膜するようにしておく一方、コンタクトホール部分については上記フォトリソグラフィー工程でフル露光することで現像完了時に有機層間絶縁膜が残らないようにしておく。ここで、ＣＦ_４ガスとＯ_２ガスとの混合ガスでドライエッチングを行えば、有機層間絶縁膜の刳り貫き部分については（有機層間絶縁膜の）残膜の全部または一部が除去され、コンタクトホール部分については有機層間絶縁膜下の無機層間絶縁膜が除去されることになる。なお、有機層間絶縁膜２６は、例えば、ＳＯＧ（スピンオンガラス）材料からなる絶縁膜であってもよく、また、有機層間絶縁膜２６に、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ノボラック樹脂、およびシロキサン樹脂の少なくとも１つが含まれていてもよい。

　なお、図２の液晶表示装置の駆動方法では、奇数フレームではＶｐ＝＋ＶＴ、かつＶｑ＝＋Ｖｔとし、偶数フレームではＶｐ＝－ＶＴ、かつＶｑ＝－Ｖｔとしているがこれに限定されない。例えば、図４のように、４ｎ＋１フレーム（０以上の整数）ではＶｐ＝＋ＶＴ、かつＶｑ＝＋Ｖｔとし、４ｎ＋２フレームではＶｐ＝－Ｖｔ、かつＶｑ＝－ＶＴとし、４ｎ＋３フレーム（０以上の整数）ではＶｐ＝＋Ｖｔ、かつＶｑ＝＋ＶＴとし、４ｎ＋３フレーム（０以上の整数）ではＶｐ＝－ＶＴ、かつＶｑ＝－Ｖｔとすることも可能である。なお、保持容量配線１８ｒに供給するＣＳ信号（ＣＳＳｒ）の波形はＣＳＳｐと同じ波形とする。

　この場合、４ｎ＋１フレームでは、中間調表示時に、画素電極１７ａ（プラス極性）を含む副画素を超高輝度副画素（Ｍ）、画素電極１７ｂ（プラス極性）を含む副画素を高輝度副画素（ｍ）、画素電極１７ｃ（プラス極性）を含む副画素を低輝度副画素（ｎ）、画素電極１７ｄ（プラス極性）を含む副画素を超低輝度副画素（Ｎ）となり、画素１００～１０３に中間調を表示させたときは図５（ａ）のようになる。また、４ｎ＋２フレームでは、中間調表示時に、画素電極１７ａ（マイナス極性）を含む副画素を高輝度副画素（ｍ）、画素電極１７ｂ（マイナス極性）を含む副画素を超高輝度副画素（Ｍ）、画素電極１７ｃ（マイナス極性）を含む副画素を超低輝度副画素（Ｎ）、画素電極１７ｄ（マイナス極性）を含む副画素を低輝度副画素（ｎ）となり、画素１００～１０３に中間調を表示させたときは図５（ｂ）のようになる。また、４ｎ＋３フレームでは、中間調表示時に、画素電極１７ａ（プラス極性）を含む副画素を高輝度副画素（ｍ）、画素電極１７ｂ（プラス極性）を含む副画素を超高輝度副画素（Ｍ）、画素電極１７ｃ（プラス極性）を含む副画素を超低輝度副画素（Ｎ）、画素電極１７ｄ（プラス極性）を含む副画素を低輝度副画素（ｎ）となり、画素１００～１０３に中間調を表示させたときは図５（ｃ）のようになる。また、４ｎ＋４フレームでは、中間調表示時に、画素電極１７ａ（マイナス極性）を含む副画素を超高輝度副画素（Ｍ）、画素電極１７ｂ（マイナス極性）を含む副画素を高輝度副画素（ｍ）、画素電極１７ｃ（マイナス極性）を含む副画素を低輝度副画素（ｎ）、画素電極１７ｄ（マイナス極性）を含む副画素を超低輝度副画素（Ｎ）となり、画素１００～１０３に中間調を表示させたときは図５（ｄ）のようになる。このようにすれば、超高輝度副画素（Ｍ）と高輝度副画素（ｍ）の位置を入れ替えるとともに、超低輝度副画素（Ｎ）と低輝度副画素（ｎ）の位置を入れ替えることができるため、視野角特性を一層向上させることができる。

　〔実施の形態２〕
　図１０は実施の形態２にかかる液晶パネルの一部を示す等価回路図である。図１０に示すように、本液晶パネルでは、列方向に隣接する２つの画素に対応して１本の定電位（Ｖｃｏｍ）信号供給用の保持容量配線（例えば、保持容量配線１８ｐ）が設けられるとともに、１画素に対応して２本のＣＳ信号供給用の保持容量配線（例えば、保持容量配線１１８ｐ・２１８ｑ）が設けられている。データ信号線、走査信号線、各トランジスタおよび各画素電極の配置は図１と同様である。

　画素１００では、画素電極１７ａおよび１７ｃが結合容量Ｃａｃを介して接続されるともに、画素電極１７ｂおよび１７ｄが結合容量Ｃｂｄを介して接続され、画素電極１７ａが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２ａを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｂが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２ｂを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｃと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈｃが形成され、画素電極１７ａと保持容量配線１１８ｐとの間に保持容量Ｃｈａが形成され、画素電極１７ｂと保持容量配線２１８ｑとの間に保持容量Ｃｈｂが形成され、画素電極１７ｄと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量Ｃｈｄが形成されている。なお、保持容量配線１８ｐ・１８ｑは定電位（Ｖｃｏｍ）信号供給用の保持容量配線であり、保持容量配線１１８ｐ・２１８ｑはＣＳ信号供給用の保持容量配線である。また、画素電極１７ｃおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｃが形成され、画素電極１７ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌａが形成され、画素電極１７ｂおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｂが形成され、画素電極１７ｄおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｄが形成されている。

　一方、画素１００と列方向に隣接する画素１０１では、画素電極１７ｅおよび１７ｇが結合容量Ｃｅｇを介して接続されるともに、画素電極１７ｆおよび１７ｈが結合容量Ｃｆｈを介して接続され、画素電極１７ｅが、走査信号線１６ｙに接続されたトランジスタ１２ｅを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｆが、走査信号線１６ｙに接続されたトランジスタ１２ｆを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｇと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量Ｃｈｇが形成され、画素電極１７ｅと保持容量配線１１８ｑとの間に保持容量Ｃｈｅが形成され、画素電極１７ｆと保持容量配線２１８ｒとの間に保持容量Ｃｈｆが形成され、画素電極１７ｈと保持容量配線１８ｒとの間に保持容量Ｃｈｈが形成されている。なお、保持容量配線１８ｑ・１８ｒは定電位（Ｖｃｏｍ）信号供給用の保持容量配線であり、保持容量配線１１８ｑ・２１８ｒはＣＳ信号供給用の保持容量配線である。また、画素電極１７ｇおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｇが形成され、画素電極１７ｅおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｅが形成され、画素電極１７ｆおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｆが形成され、画素電極１７ｈおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｈが形成されている。

　また、画素１００と行方向に隣接する画素１０２では、画素電極１７Ａおよび１７Ｃが結合容量ＣＡＣを介して接続されるともに、画素電極１７Ｂおよび１７Ｄが結合容量ＣＢＤを介して接続され、画素電極１７Ａが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２Ａを介してデータ信号線１５Ｘに接続され、画素電極１７Ｂが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２Ｂを介してデータ信号線１５Ｘに接続され、画素電極１７Ｃと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量ＣｈＣが形成され、画素電極１７Ａと保持容量配線１１８ｐとの間に保持容量ＣｈＣが形成され、画素電極１７Ｂと保持容量配線２１８ｑとの間に保持容量ＣｈＢが形成され、画素電極１７Ｄと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量ＣｈＤが形成されている。なお、画素電極１７Ｃおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＣが形成され、画素電極１７Ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＡが形成され、画素電極１７Ｂおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＢが形成され、画素電極１７Ｄおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＤが形成されている。

　図１１は図１０の液晶パネルを備えた液晶表示装置（ノーマリブラックモード）の駆動方法を示すタイミングチャートである。なお、Ｓｖ・ＳＶはデータ信号線１５ｘ・１５Ｘそれぞれに供給される信号電位を示し、Ｇｘ・Ｇｙは走査信号線１６ｘ・１６ｙそれぞれに供給されるゲートオンパルス信号を示し、ＣＳＳｐ・ＣＳＳｑ・ＣＳＳＱ・ＣＳＳＲは保持容量配線１１８ｐ・２１８ｑ・１１８ｑ・２１８ｒそれぞれに供給されるＣＳ信号（保持容量配線信号）を示し、Ｖａ～Ｖｄは、画素１００に設けられる４つの画素電極１７ａ～１７ｄの電位を示している。

　図１０・１１に示すように、本液晶表示装置では、ＣＳ信号供給用の２本の保持容量配線１１８ｐ・２１８ｑの一方である保持容量配線１１８ｐが、トランジスタ１２ａ（第１トランジスタ）を介してデータ信号線１５ｘに接続する画素電極１７ａ（第１画素電極）と保持容量を形成するとともに、他方である保持容量配線２１８ｑが、トランジスタ１２ｂ（第２トランジスタ）を介してデータ信号線１５ｘに接続する画素電極１７ｂ（第２画素電極）と保持容量を形成しており、これら２本の保持容量配線１１８ｐ・２１８ｑそれぞれに異なるＣＳ信号が供給される。加えて、保持容量配線１８ｐ・１８ｑそれぞれに定電位（Ｖｃｏｍ）信号が供給される。なお、各走査信号線は順次選択し、各データ信号線に供給する信号電位の極性を１水平走査期間（１Ｈ）ごとに反転させるとともに、各フレームにおける同一番目の水平走査期間に供給される信号電位の極性を１フレーム単位で反転させ、かつ同一水平走査期間においては隣接する２本のデータ信号線に同極性の信号電位を供給する。

　具体的には、保持容量配線１１８ｐに供給されるＣＳ信号ＣＳＳｐおよび保持容量配線２１８ｑに供給されるＣＳ信号ＣＳＳｑは、トランジスタ１２ａ・１２ｂがＯＮしている期間（Ｇｘのアクティブ期間）は実質的に同レベルを維持しつつ、トランジスタ１２ａ・１２ｂがＯＦＦした後に同じ向きにレベルシフトするが、両ＣＳ信号間（ＣＳＳｐ・ＣＳＳｑ）でレベルシフト量が異なっている。また、画素電極１７ａ・１７ｂに供給される信号電位がプラス極性であるフレームでは両ＣＳ信号（ＣＳＳｐ・ＣＳＳｑ）のレベルシフトの向きがプラス方向であり、画素電極１７ａ・１７ｂに供給される信号電位がマイナス極性であるフレームでは両ＣＳ信号間（ＣＳＳｐ・ＣＳＳｑ）のレベルシフトの向きはマイナス方向となっている。

　ここで、画素電極１７ａ・１７ｂに供給される信号電位をＶとし、図１０においてＣｌａ＝Ｃｌｂ＝Ｃｌｃ＝Ｃｌｄ＝Ｃｊ、かつＣａｃ＝Ｃｂｄ＝Ｃｋ、かつＣｈａ＝Ｃｈｂ＝Ｃｈｃ＝Ｃｈｄ＝Ｃｈとし、トランジスタ１２ａ・１２ｂがＯＦＦしたときの画素電極１７ａ～１７ｄの電位をｖ１～ｖ４とし、このときのＣＳ信号ＣＳＳｐ・ＣＳＳｑのレベルをｖｐ・ｖｑとし、このときの画素電極１７ａ～１７ｄの電荷総量をｑ１～ｑ４とすれば、ｖ１＝ｖ２＝Ｖ、かつｖｐ＝ｖｑ＝０（Ｖｃｏｍ）であるため、画素電極１７ａ～１７ｄの電荷保存則から以下の式１～４が成り立つ。

　Ｃｊ×Ｖ＋Ｃｈ×Ｖ＋Ｃｋ×（Ｖ－ｖ３）＝ｑ１・・・式１
　Ｃｊ×Ｖ＋Ｃｈ×Ｖ＋Ｃｋ×（Ｖ－ｖ４）＝ｑ２・・・式２
　Ｃｊ×ｖ３＋Ｃｈ×ｖ３－Ｃｋ×（Ｖ－ｖ３）＝ｑ３＝０・・・式３
　Ｃｊ×ｖ４＋Ｃｈ×ｖ４－Ｃｋ×（Ｖ－ｖ４）＝ｑ４＝０・・・式４
　さらに、トランジスタ１２ａ・１２ｂがＯＦＦした後にＣＳ信号ＣＳＳｐ・ＣＳＳｑのレベルがＶｐ・Ｖｑにレベルシフトするため、このときの画素電極１７ａ～１７ｄの電位をＶ１～Ｖ４とすると、画素電極１７ａ～１７ｄの電荷保存則から以下の式５～９が成り立つ。

　Ｃｊ×Ｖ１＋Ｃｈ×（Ｖ１－Ｖｐ）＋Ｃｋ×（Ｖ１－Ｖ３）＝ｑ１・・・式５
　Ｃｊ×Ｖ２＋Ｃｈ×（Ｖ２－Ｖｑ）＋Ｃｋ×（Ｖ２－Ｖ４）＝ｑ２・・・式６
　Ｃｊ×Ｖ３＋Ｃｈ×Ｖ３－Ｃｋ×（Ｖ１－Ｖ３）＝ｑ３＝０・・・式７
　Ｃｊ×Ｖ４＋Ｃｈ×Ｖ４－Ｃｋ×（Ｖ２－Ｖ４）＝ｑ４＝０・・・式８
　よって、式３・４から、ｖ３＝ｖ４＝Ｖ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］となり、
　式１・３・５・７から、
　Ｖ１＝Ｖ＋Ｖｐ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）]／β}
　Ｖ３＝Ｖ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］＋Ｖｐ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／β]　となる。

　但し、β＝Ｃｊ^２＋２×Ｃｊ×Ｃｈ＋２×Ｃｊ×Ｃｋ＋２×Ｃｈ×Ｃｋ＋Ｃｈ^２である。

　また、式２・４・６・８から、
　Ｖ２＝Ｖ＋Ｖｑ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）]／β}
　Ｖ４＝Ｖ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］＋Ｖｑ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／β]　となる。

　図１１のフレーム１（Ｆ１）では、ＣＳ信号ＣＳＳｐのレベルシフト量がＶＴでレベルシフトの向きがプラス方向、ＣＳ信号ＣＳＳｑのレベルシフト量がＶＴよりも小さいＶｔでレベルシフトの向きがプラス方向であり、
　Ｖ＝＋Ｖｋ≧０、かつＶｐ＝＋ＶＴ＞Ｖｑ＝＋Ｖｔ＞０であるため、
　Ｖ１＝＋Ｖｋ＋ＶＴ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）]／β}
　Ｖ２＝＋Ｖｋ＋Ｖｔ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）]／β}
　Ｖ３＝＋Ｖｋ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］＋ＶＴ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／β]　
　Ｖ４＝＋Ｖｋ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］＋Ｖｔ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／β]となり、
　Ｖ１≧Ｖ２≧Ｖ４、かつＶ１≧Ｖ３　が成り立つ。

　また、Ｖ２－Ｖ３＝Ｖｋ×〔（Ｃｊ＋Ｃｈ）／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）〕＋（Ｃｈ／β）×〔Ｖｔ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）－ＶＴ×Ｃｋ〕であるため、
　Ｖｔ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）－ＶＴ×Ｃｋ≧０⇔ＶＴ≦Ｖｔ×〔（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）／Ｃｋ〕としておけば、Ｖｋの大きさによらず、図１１のようにＶ１≧Ｖ２≧Ｖ３≧Ｖ４とすることができる。これにより、中間調表示時には、画素電極１７ａ（プラス極性）を含む副画素を超高輝度副画素（Ｍ）、画素電極１７ｂ（プラス極性）を含む副画素を高輝度副画素（ｍ）、画素電極１７ｃ（プラス極性）を含む副画素を低輝度副画素（ｎ）、画素電極１７ｄ（プラス極性）を含む副画素を超低輝度副画素（Ｎ）とすることができる。

　また、図１１のフレーム１（Ｆ１）では、画素電極１７ｅ・１７ｆに供給される信号電位が－Ｖｋであり、ＣＳ信号ＣＳＳＱのレベルシフト量がＶＴでレベルシフトの向きがマイナス方向、ＣＳ信号ＣＳＳＲのレベルシフト量がＶＴよりも小さいＶｔでレベルシフトの向きがマイナス方向であるため、ＣＳ信号ＣＳＳＱ・ＣＳＳＲがレベルシフトした後の画素電極１７ｅ～１７ｈの電位をＶ５～Ｖ８（図示せず）とすると、
　Ｖ５＝－Ｖｋ－ＶＴ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）]／β}
　Ｖ６＝－Ｖｋ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］－ＶＴ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／β]　
　Ｖ７＝－Ｖｋ－Ｖｔ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）]／β}
　Ｖ８＝－Ｖｋ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］－Ｖｔ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／β]となり、
　Ｖ５≦Ｖ６≦Ｖ８、かつＶ５≦Ｖ７　が成り立つ。

　また、Ｖ６－Ｖ７＝－Ｖｋ×〔Ｃｊ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）〕－（Ｃｈ／β）×〔Ｖｔ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）－ＶＴ×Ｃｋ〕であるため、
　上記のようにＶＴ≦Ｖｔ×〔（Ｃｊ＋Ｃｋ＋Ｃｈ）／Ｃｋ〕としておけば、Ｖ６≦Ｖ７となり、Ｖｋによらず、Ｖ５≦Ｖ６≦Ｖ７≦Ｖ８とすることができる。これにより、中間調表示時には、画素電極１７ｅ（マイナス極性）を含む副画素を超高輝度副画素（Ｍ）、画素電極１７ｆ（マイナス極性）を含む副画素を高輝度副画素（ｍ）、画素電極１７ｇ（マイナス極性）を含む副画素を低輝度副画素（ｎ）、画素電極１７ｈ（マイナス極性）を含む副画素を超低輝度副画素（Ｎ）とすることができる。以上から、画素１００～１０３に中間調を表示させたときは図１２（ａ）のようになる。

　また、図１１のフレーム２（Ｆ２）では、ＣＳ信号ＣＳＳｐのレベルシフト量がＶＴでレベルシフトの向きがマイナス方向、ＣＳ信号ＣＳＳｑのレベルシフト量がＶＴよりも小さいＶｔでレベルシフトの向きがマイナス方向であり、
　Ｖ＝－Ｖｋ≦０、かつＶｐ＝－ＶＴ＜Ｖｑ＝－Ｖｔ＜０であるため、
　Ｖ１＝－Ｖｋ－ＶＴ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）]／β}
　Ｖ２＝－Ｖｋ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］－ＶＴ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／β]　
　Ｖ３＝－Ｖｋ－Ｖｔ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）]／β}
　Ｖ４＝－Ｖｋ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］－Ｖｔ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／β]となり、
　Ｖ１≦Ｖ２≦Ｖ４、かつＶ１≦Ｖ３　が成り立つ。

　また、Ｖ２－Ｖ３＝－Ｖｋ×〔Ｃｊ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）〕－（Ｃｈ／β）×〔Ｖｔ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）－ＶＴ×Ｃｋ〕であるため、
　上記のようにＶＴ≦Ｖｔ×〔（Ｃｊ＋Ｃｋ＋Ｃｈ）／Ｃｋ〕としておけば、Ｖ２≦Ｖ３となり、Ｖｋによらず、図１１のようにＶ１≦Ｖ２≦Ｖ３≦Ｖ４とすることができる。これにより、中間調表示時には、画素電極１７ｅ（マイナス極性）を含む副画素を超高輝度副画素（Ｍ）、画素電極１７ｆ（マイナス極性）を含む副画素を高輝度副画素（ｍ）、画素電極１７ｇ（マイナス極性）を含む副画素を低輝度副画素（ｎ）、画素電極１７ｈ（マイナス極性）を含む副画素を超低輝度副画素（Ｎ）とすることができ、画素１００～１０３に中間調を表示させたときは図１２（ｂ）のようになる。

　本液晶パネルの一具体例を図１３に示す。図１３の液晶パネル５ｂでは、各画素はこれを横切る１本の走査信号線によって２つの部分（領域）に分けられ、一方の部分には、トランジスタに接続する画素電極とこれに容量を介して接続する画素電極とが、前者が走査信号線と隣接するように並べられ、他方の部分には、トランジスタに接続する画素電極とこれに容量を介して接続する画素電極とが、前者が走査信号線と隣接するように並べられる。また、列方向に隣接する２つの画素に対応して１本の定電位（Ｖｃｏｍ）信号供給用の保持容量配線（例えば、保持容量配線１８ｐ）が設けられるとともに、１画素に対応して２本のＣＳ信号供給用の保持容量配線（例えば、保持容量配線１１８ｐ・２１８ｑ）が設けられている。

　具体的には、画素１００および画素１０１に沿うようにデータ信号線１５ｘが設けられ、画素１０２および画素１０３に沿うようにデータ信号線１５Ｘが設けられ、走査信号線１６ｘが画素１００・１０２それぞれの中央を横切り、走査信号線１６ｙが画素１０１・１０３それぞれの中央を横切っている。また、画素１００・１０２を含む画素行とこれの図中上側の画素行とに重なるように保持容量配線１８ｐが設けられ、画素１００・１０２を含む画素行と画素１０１・１０３を含む画素行とに重なるように保持容量配線１８ｑが設けられ、画素１０１・１０３を含む画素行とこれの図中下側の画素行とに重なるように保持容量配線１８ｒが設けられ、保持容量配線１８ｐと走査信号線１６ｘとの間に保持容量配線１１８ｐが設けられ、走査信号線１６ｘと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量配線２１８ｑが設けられ、保持容量配線１８ｑと走査信号線１６ｙとの間に保持容量配線１１８ｑが設けられ、走査信号線１６ｙと保持容量配線１８ｒとの間に保持容量配線２１８ｒが設けられている。そして、例えば画素１００では、この中央を横切る走査信号線１６ｘの図中上側に、トランジスタ１２ａに接続する長方形形状の画素電極１７ａとこれに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｃとが、画素電極１７ａが走査信号線１６ｘに隣接し、画素電極１７ｃが画素１００の行方向に沿う２つのエッジの一方と隣接するように並べられる一方、走査信号線１６ｘの図中下側に、トランジスタ１２ｂに接続する長方形形状の画素電極１７ｂとこれに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｄとが、画素電極１７ｂが走査信号線１６ｘと隣接し、画素電極１７ｄが画素１００の行方向に沿う上記２つのエッジの他方と隣接するように並べられている。

　走査信号線１６ｘ上には、トランジスタ１２ａのソース電極８ａおよびドレイン電極９ａ並びにトランジスタ１２ｂのソース電極８ｂおよびドレイン電極９ｂが形成されている。ソース電極８ａはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ａはドレイン引き出し配線２７ａに接続され、ドレイン引き出し配線２７ａは、同層に形成された結合容量電極３７ａに繋がるとともにコンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続され、結合容量電極３７ａは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｃと重なっており、これによって画素電極１７ａ・１７ｃ間の結合容量Ｃａｃ（図１参照）が形成される。また、ソース電極８ｂはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ｂはドレイン引き出し配線２７ｂに接続され、ドレイン引き出し配線２７ｂは、同層に形成された結合容量電極３７ｂに繋がるとともにコンタクトホール１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続され、結合容量電極３７ｂは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｄと重なっており、これによって画素電極１７ｂ・１７ｄ間の結合容量Ｃｂｄ（図１参照）が形成される。

　さらに、保持容量配線１８ｐが画素電極１７ｃに重なっており、この重なり部分Ｋｃに保持容量Ｃｈｃ（図１０参照）が形成されている。また、保持容量配線１１８ｐが画素電極１７ａに重なるように形成されており、この重なり部分Ｋａに保持容量Ｃｈａ（図１０参照）が形成されている。また、保持容量配線２１８ｑが画素電極１７ｂに重なるように形成されており、この重なり部分Ｋｂに保持容量Ｃｈｂ（図１０参照）が形成されている。また、保持容量配線１８ｑが画素電極１７ｄに重なっており、この重なり部分Ｋｄに保持容量Ｃｈｄ（図１０参照）が形成されている。

　さらに、保持容量配線１８ｑが画素電極１７ｇに重なっており、この重なり部分Ｋｇに保持容量Ｃｈｇ（図１０参照）が形成されている。また、保持容量配線１１８ｑが画素電極１７ｅに重なるように形成されており、この重なり部分Ｋｅに保持容量Ｃｈｅ（図１０参照）が形成されている。また、保持容量配線２１８ｒが画素電極１７ｆに重なるように形成されており、この重なり部分Ｋｆに保持容量Ｃｈｆ（図１０参照）が形成されている。また、保持容量配線１８ｒが画素電極１７ｈに重なっており、この重なり部分Ｋｈに保持容量Ｃｈｈ（図１０参照）が形成されている。

　本液晶表示装置によれば、１つの画素に設けた４つの副画素それぞれを、中間調表示時に互いに異なる輝度に制御することが可能となるため、例えばＭＶＡモードの液晶表示装置に適用すると１画素に１６個（４方向×４種類）のドメイン（配向領域）が形成される。これにより、視野角特性を向上させることができる。また、本液晶表示装置では、異なる画素に属する明副画素（図１２のＭやｍ）同士が隣接しないため、異なる画素に属する明副画素同士が隣接するような液晶表示装置よりも自然な表示が可能となる。また、２つの画素行に対応して１本の定電位信号供給用の保持容量配線を設けている（すなわち、この１本の保持容量配線を列方向に隣り合う２つの画素で共有している）ため、定電位信号供給用の保持容量配線の本数を削減することができる。これにより、画素開口率を高めることができる。また、図１１・１２に示すように各データ信号線に供給する信号電位の極性を一水平走査期間（１Ｈ）ごとに反転させることで、列方向に隣接する２つの画素間においてトランジスタＯＦＦ時の電位の引き込み方向が逆となり、チラツキ感を抑制することができる。

　図１３の液晶パネル５ｂの層間絶縁膜は無機層間絶縁膜のみとしているが、この層間絶縁膜を無機層間絶縁膜とこれよりも厚い有機層間絶縁膜との二層構造とすることもできる。ただこの場合、結合容量の容量値および保持容量の容量値を十分に確保するために、図１４のように構成することが望ましい。例えば、画素１００では、ドレイン引き出し配線２７ａと同層で繋がる保持容量電極９７ａを、保持容量配線１１８ｐ上に設け、ドレイン引き出し配線２７ａと同層にあってかつ画素電極１７ｃとコンタクトホールを介して接続された保持容量電極６７ｃを、保持容量配線１８ｐ上に設け、ドレイン引き出し配線２７ｂと同層で繋がる保持容量電極９７ｂを、保持容量配線２１８ｑ上に設け、ドレイン引き出し配線２７ｂと同層にあってかつ画素電極１７ｄとコンタクトホールを介して接続された保持容量電極６７ｄを、保持容量配線１８ｑ上に設け、さらに有機層間絶縁膜については、結合容量電極３７ａ・３７ｂと重なる部分を刳り貫いておく、あるいは局所的に薄くしておく。こうすれば、結合容量の容量値および保持容量の容量値を十分に確保しながら、各種寄生容量の低減、配線同士の短絡防止、および平坦化による画素電極の裂け等の低減といった効果を得ることができる。

　図１３の液晶パネル５ｂを図１５のように構成することもできる。図１５に示す液晶パネル５ｃでは、隣り合う２つの画素行に対応して設けられた１本の保持容量配線（Ｖｃｏｍ供給用の保持容量配線）が画素電極のエッジの一部と重なるとともに、該保持容量配線に、平面的に視て上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び該保持容量配線に合流する保持容量配線延伸部が繋がっている。

　例えば、保持容量配線１８ｐが画素電極１７ｃのエッジの一部と重なるとともに、保持容量配線１８ｐには、これから枝分かれして画素電極１７ｃの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び該保持容量配線１８ｐに合流する保持容量配線延伸部１８ｃが繋がっている。また、保持容量配線１８ｑが画素電極１７ｄのエッジの一部と重なるとともに、保持容量配線１８ｑには、これから枝分かれして画素電極１７ｄの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び該保持容量配線１８ｑに合流する保持容量配線延伸部１８ｄが繋がっている。また、保持容量配線１８ｑが画素電極１７ｇのエッジの一部と重なるとともに、保持容量配線１８ｑには、これから枝分かれして画素電極１７ｇの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び該保持容量配線１８ｑに合流する保持容量配線延伸部１８ｇが繋がっている。また、保持容量配線１８ｒが画素電極１７ｈのエッジの一部と重なるとともに、保持容量配線１８ｒには、これから枝分かれして画素電極１７ｈの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び該保持容量配線１８ｒに合流する保持容量配線延伸部１８ｈが繋がっている。こうすれば、保持容量配線および保持容量配線延伸部を、電気的にフローティングとなる画素電極（１７ｃ・１７ｄ・１７ｇ・１７ｈ）の電気的シールドパターンとして機能させることができる。これにより、これらの画素電極（１７ｃ・１７ｄ・１７ｇ・１７ｈ）への電荷の飛び込みを抑制し、各画素電極を含む副画素の焼き付きを可及的に回避することができる。さらに、保持容量配線延伸部によって保持容量配線の冗長効果も得ることができる。例えば、保持容量配線が、保持容量配線延伸部が枝分かれする部分と保持容量配線延伸部が合流する部分との間で断線しても、保持容量配線延伸部がバイパスルートとなって断線箇所以降の部分に定電位（Ｖｃｏｍ）信号を送ることができる。

　図１５の液晶パネル５ｃを図１６のように構成することもできる。すなわち、列方向に隣接する保持容量配線延伸部同士が互いに接続された構成とする。例えば、画素１００では、保持容量配線１８ｐに、保持容量配線１８ｐから枝分かれして画素電極１７ｃの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｐに合流する保持容量配線延伸部１８ｃと、保持容量配線１８ｐから枝分かれして画素電極１７Ｃの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｐに合流する保持容量配線延伸部１８Ｃとが繋がっており、これら保持容量配線延伸部１８ｃ・１８Ｃが、データ信号線１５Ｘ下において互いに接続されている。図１６の構成によって、液晶パネル５ｃにおける保持容量配線の冗長効果を高めることができる。例えば、保持容量配線が、データ信号線と交差する部分で断線しても、互いに接続された、列方向に隣接する２つの保持容量配線延伸部がバイパスルートとなって断線箇所以降の部分に定電位（Ｖｃｏｍ）信号を送ることができる。

　図１５の液晶パネル５ｃではドレイン引き出し配線が同層で結合容量電極に繋がり、ドレイン引き出し配線と画素電極とがコンタクトホールを介して接続されているが、この構成に限定されない。例えば図１７に示す液晶パネル５ｄのように、コンタクトホールを介してドレイン引き出し配線と画素電極とを接続しておき、該画素電極と、結合容量電極に同層で繋がる中継配線とをコンタクトホールを介して接続することもできる。

　例えば、液晶パネル５ｄの画素１００では、トランジスタ１２ａのドレイン電極９ａから引き出されたドレイン引き出し配線２７ａと画素電極１７ａとがコンタクトホール１１ａを介して接続されるとともに、結合容量電極３７ａに同層で繋がる中継配線５７ａと画素電極１７ａとがコンタクトホール５１ａを介して接続され、かつ結合容量電極３７ａは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｃと重なっており、これによって画素電極１７ａ・１７ｃ間の結合容量Ｃａｃ（図１０参照）が形成されている。同様に、トランジスタ１２ｂのドレイン電極９ｂから引き出されたドレイン引き出し配線２７ｂと画素電極１７ｂとがコンタクトホール１１ｂを介して接続されるとともに、結合容量電極３７ｂに同層で繋がる中継配線５７ｂと画素電極１７ｂとがコンタクトホール５１ｂを介して接続され、かつ結合容量電極３７ｂは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｄと重なっており、これによって画素電極１７ｂ・１７ｄ間の結合容量Ｃｂｄ（図１０参照）が形成されている。液晶パネル５ｄでは、液晶パネル５ｂよりもドレイン引き出し配線（遮光性）を短縮することができるため、開口率をさらに高めることができる。

　図１５の液晶パネル５ｃでは、１画素内の４つの画素電極それぞれが長方形形状であるがこれに限定されない。例えば図１８に示すように、走査信号線の一方に、直角三角形形状の画素電極および台形形状の画素電極を、前者が保持容量配線と重なり、後者が走査信号線と隣接するように配するとともに、保持容量配線延伸部を、三角形形状の画素電極を電気的にシールドするように延伸させる構成とすることもできる。

　図１８に示す液晶パネル５ｅの画素１００では、この中央を横切る走査信号線１６ｘの図中上側に、トランジスタ１２ａに接続する台形形状の画素電極１７ａとこれに容量を介して接続する直角三角形形状の画素電極１７ｃとが、画素電極１７ａが走査信号線１６ｘに隣接し、画素電極１７ｃが画素１００における行方向に沿う２つのエッジの一方と隣接するように並べられる。ここで、画素電極１７ｃのエッジは、データ信号線１５ｘに沿う部分と、保持容量配線１８ｐと重なる部分と、斜辺となる部分とからなり、画素電極１７ａのエッジは、データ信号線１５ｘに沿う部分と、走査信号線１６ｘに沿う部分と、データ信号線１５Ｘに沿う部分と、画素電極１７ｃのエッジの一部（斜辺となる部分）に沿う部分とからなる。一方、走査信号線１６ｘの図中下側に、トランジスタ１２ｂに接続する台形形状の画素電極１７ｂとこれに容量を介して接続する直角三角形形状の画素電極１７ｄとが、画素電極１７ｂが走査信号線１６ｘと隣接し、画素電極１７ｄが画素１００における行方向に沿う２つのエッジの他方と隣接するように並べられている。ここで、画素電極１７ｄのエッジは、データ信号線１５Ｘに沿う部分と、保持容量配線１８ｑと重なる部分と、斜辺となる部分とからなり、画素電極１７ｂのエッジは、走査信号線１６ｘに沿う部分と、データ信号線１５ｘに沿う部分と、データ信号線１５Ｘに沿う部分と、画素電極１７ｄのエッジの一部（斜辺となる部分）に沿う部分とからなる。なお、画素電極１７ａおよび画素電極１７ｂは走査信号線１６ｘを軸として線対称となるように配され、画素電極１７ｃおよび画素電極１７ｄは走査信号線１６ｘを軸として線対称となるように配される。

　そして、保持容量配線１８ｐが画素電極１７ｃのエッジの一部と重なることで、両者（保持容量配線１８ｐと画素電極１７ｃ）の重なり部分Ｋｃに保持容量Ｃｈｃ（図１０参照）が形成される。さらに、保持容量配線１８ｐには、平面的に視て、保持容量配線１８ｐから枝分かれして画素電極１７ｃの上記エッジの残部（データ信号線１５ｘに沿う部分および斜辺となる部分）と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｐに合流する保持容量配線延伸部１８ｃが繋がっており、これによって、電気的にフローティングである画素電極１７ｃが保持容量配線１８ｐおよび保持容量配線延伸部１８ｃによって電気的にシールドされる。また、保持容量配線１１８ｐが画素電極１７ａに重なるように形成されており、この重なり部分Ｋａに保持容量Ｃｈａ（図１０参照）が形成されている。同様に、保持容量配線１８ｑが画素電極１７ｄのエッジの一部と重なることで、両者（保持容量配線１８ｑと画素電極１７ｄ）の重なり部分Ｋｄに保持容量Ｃｈｄ（図１０参照）が形成される。さらに、保持容量配線１８ｑには、平面的に視て、保持容量配線１８ｑから枝分かれして画素電極１７ｄの上記エッジの残部（データ信号線１５ｘに沿う部分および斜辺となる部分）と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｑに合流する保持容量配線延伸部１８ｄが繋がっており、これによって、電気的にフローティングである画素電極１７ｄが保持容量配線１８ｑおよび保持容量配線延伸部１８ｄによって電気的にシールドされる。また、保持容量配線２１８ｑが画素電極１７ｂに重なるように形成されており、この重なり部分Ｋｂに保持容量Ｃｈｂ（図１０参照）が形成されている。

　液晶パネル５ｅでは、走査信号線の一方あるいは他方に設けられる２つの画素電極の間隙が斜めスリットとなるため、これを配向規制用構造物として機能させることができる。この場合、例えば図１９のように、カラーフィルタ基板にリブを、画素電極に各スリットを設けることでＭＶＡ（マルチドメインバーティカルアライメント）方式の液晶パネルを構成することができる。すなわち、画素１００では、画素電極１７ａ・１７ｃ間の間隙がスリットＳａｃとなっており、画素電極１７ａにスリットＳａｃと平行なスリットＳａが設けられ、画素電極１７ｃにスリットＳａｃと平行なスリットＳｃが設けられ、平面的に視てスリットＳａおよびスリットＳａｃの間となる位置に、スリットＳａと平行なリブＬａが設けられ、平面的に視てスリットＳｃおよびスリットＳａｃの間となる位置に、スリットＳｃと平行なリブＬｃが設けられる。同様に、画素電極１７ｂ・１７ｄ間の間隙がスリットＳｂｄとなっており、画素電極１７ｂにスリットＳｂｄと平行なスリットＳｂが設けられ、画素電極１７ｄにスリットＳｂｄと平行なスリットＳｄが設けられ、平面的に視てスリットＳｂおよびスリットＳｂｄの間となる位置に、スリットＳｂと平行なリブＬｂが設けられ、かつ平面的に視てスリットＳｄおよびスリットＳｂｄとの間となる位置に、スリットＳｄと平行なリブＬｄが設けられる。なお、ここではカラーフィルタ基板（対向基板）にリブを設けたが、これに限ることはなく、カラーフィルタ基板の共通電極にスリットを設け、これを配向規制構造物としてもよい。

　〔実施の形態３〕
　図２０は実施の形態３にかかる液晶パネルの一部を示す等価回路図である。図２０に示すように、本液晶パネルでは、列方向に隣接する２つの画素に対応して１本のＣＳ信号供給用の保持容量配線（例えば、保持容量配線１８ｐ）が設けられるとともに、１画素に対応して２本の定電位（Ｖｃｏｍ）信号供給用の保持容量配線（例えば、保持容量配線１１８ｐ・２１８ｑ）が設けられている。データ信号線、走査信号線、各トランジスタおよび各画素電極の配置は図１と同様である。

　画素１００では、画素電極１７ａおよび１７ｃが結合容量Ｃａｃを介して接続されるともに、画素電極１７ｂおよび１７ｄが結合容量Ｃｂｄを介して接続され、画素電極１７ｃが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２ａを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｄが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２ｂを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｃと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈｃが形成され、画素電極１７ａと保持容量配線１１８ｐとの間に保持容量Ｃｈａが形成され、画素電極１７ｂと保持容量配線２１８ｑとの間に保持容量Ｃｈｂが形成され、画素電極１７ｄと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量Ｃｈｄが形成されている。なお、保持容量配線１８ｐ・１８ｑはＣＳ信号供給用の保持容量配線であり、保持容量配線１１８ｐ・２１８ｑは定電位（Ｖｃｏｍ）信号供給用の保持容量配線である。また、画素電極１７ｃおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｃが形成され、画素電極１７ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌａが形成され、画素電極１７ｂおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｂが形成され、画素電極１７ｄおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｄが形成されている。

　一方、画素１００と列方向に隣接する画素１０１では、画素電極１７ｅおよび１７ｇが結合容量Ｃｅｇを介して接続されるともに、画素電極１７ｆおよび１７ｈが結合容量Ｃｆｈを介して接続され、画素電極１７ｇが、走査信号線１６ｙに接続されたトランジスタ１２ｅを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｈが、走査信号線１６ｙに接続されたトランジスタ１２ｆを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｇと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量Ｃｈｇが形成され、画素電極１７ｅと保持容量配線１１８ｑとの間に保持容量Ｃｈｅが形成され、画素電極１７ｆと保持容量配線２１８ｒとの間に保持容量Ｃｈｆが形成され、画素電極１７ｈと保持容量配線１８ｒとの間に保持容量Ｃｈｈが形成されている。なお、保持容量配線１８ｑ・１８ｒはＣＳ信号供給用の保持容量配線であり、保持容量配線１１８ｑ・２１８ｒは定電位（Ｖｃｏｍ）信号供給用の保持容量配線である。また、画素電極１７ｇおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｇが形成され、画素電極１７ｅおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｅが形成され、画素電極１７ｆおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｆが形成され、画素電極１７ｈおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｈが形成されている。

　また、画素１００と行方向に隣接する画素１０２では、画素電極１７Ａおよび１７Ｃが結合容量ＣＡＣを介して接続されるともに、画素電極１７Ｂおよび１７Ｄが結合容量ＣＢＤを介して接続され、画素電極１７Ｃが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２Ａを介してデータ信号線１５Ｘに接続され、画素電極１７Ｄが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２Ｂを介してデータ信号線１５Ｘに接続され、画素電極１７Ｃと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量ＣｈＣが形成され、画素電極１７Ａと保持容量配線１１８ｐとの間に保持容量ＣｈＣが形成され、画素電極１７Ｂと保持容量配線２１８ｑとの間に保持容量ＣｈＢが形成され、画素電極１７Ｄと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量ＣｈＤが形成されている。なお、画素電極１７Ｃおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＣが形成され、画素電極１７Ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＡが形成され、画素電極１７Ｂおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＢが形成され、画素電極１７Ｄおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＤが形成されている。

　図２１は図２０の液晶パネルを備えた液晶表示装置（ノーマリブラックモード）の駆動方法を示すタイミングチャートである。なお、Ｓｖ・ＳＶはデータ信号線１５ｘ・１５Ｘそれぞれに供給される信号電位を示し、Ｇｘ・Ｇｙは走査信号線１６ｘ・１６ｙそれぞれに供給されるゲートオンパルス信号を示し、ＣＳＳｐ・ＣＳＳｑ・ＣＳＳｒは保持容量配線１８ｐ・１８ｑ・１８ｒそれぞれに供給されるＣＳ信号（保持容量配線信号）を示し、Ｖａ～Ｖｄは、画素１００に設けられる４つの画素電極１７ａ～１７ｄの電位を示している。

　図２０・２１に示すように、本液晶表示装置では、２本の保持容量配線１８ｐ・１８ｑの一方である保持容量配線１８ｐが、トランジスタ１２ａ（第１トランジスタ）を介してデータ信号線１５ｘに接続する画素電極１７ｃ（第１画素電極）と保持容量を形成するとともに、他方である保持容量配線１８ｑが、トランジスタ１２ｂ（第２トランジスタ）を介してデータ信号線１５ｘに接続する画素電極１７ｄ（第２画素電極）と保持容量を形成しており、これら２本の保持容量配線１８ｐ・１８ｑそれぞれに異なるＣＳ信号が供給される。なお、各走査信号線は順次選択し、各データ信号線に供給する信号電位の極性を１垂直走査期間（１フレーム）ごとに反転させるとともに、同一水平走査期間においては隣接する２本のデータ信号線に同極性の信号電位を供給する。

　具体的には、保持容量配線１８ｐに供給されるＣＳ信号ＣＳＳｐおよび保持容量配線１８ｑに供給されるＣＳ信号ＣＳＳｑは、トランジスタ１２ａ・１２ｂがＯＮしている期間（Ｇｘのアクティブ期間）は実質的に同レベルを維持しつつ、トランジスタ１２ａ・１２ｂがＯＦＦした後に同じ向きにレベルシフトするが、両ＣＳ信号間（ＣＳＳｐ・ＣＳＳｑ）でレベルシフト量が異なっている。また、画素電極１７ｃ・１７ｄに供給される信号電位がプラス極性であるフレームでは両ＣＳ信号（ＣＳＳｐ・ＣＳＳｑ）のレベルシフトの向きがプラス方向であり、画素電極１７ｃ・１７ｄに供給される信号電位がマイナス極性であるフレームでは両ＣＳ信号間（ＣＳＳｐ・ＣＳＳｑ）のレベルシフトの向きはマイナス方向となっている。

　ここで、画素電極１７ｃ・１７ｄに供給される信号電位をＶとし、図２０においてＣｌａ＝Ｃｌｂ＝Ｃｌｃ＝Ｃｌｄ＝Ｃｊ、かつＣａｃ＝Ｃｂｄ＝Ｃｋ、かつＣｈａ＝Ｃｈｂ＝Ｃｈｃ＝Ｃｈｄ＝Ｃｈとし、トランジスタ１２ａ・１２ｂがＯＦＦした後にＣＳ信号ＣＳＳｐ・ＣＳＳｑのレベルがＶｐ・Ｖｑにレベルシフトした後の画素電極１７ａ～１７ｄの電位をＶ１～Ｖ４とすると、
　Ｖ１＝Ｖ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］＋Ｖｐ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／β]
　Ｖ３＝Ｖ＋Ｖｐ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）]／β}
　Ｖ２＝Ｖ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］＋Ｖｑ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／β]　
　Ｖ４＝Ｖ＋Ｖｑ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）]／β} となる。

　図２１のフレーム１（Ｆ１）では、ＣＳ信号ＣＳＳｐのレベルシフト量がＶＴでレベルシフトの向きがプラス方向、ＣＳ信号ＣＳＳｑのレベルシフト量がＶＴよりも小さいＶｔでレベルシフトの向きがプラス方向であり、
　Ｖ＝＋Ｖｋ≧０、かつＶｐ＝＋ＶＴ＞Ｖｑ＝＋Ｖｔ＞０であるため、
　Ｖ３＝＋Ｖｋ＋ＶＴ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）]／β}
　Ｖ１＝＋Ｖｋ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］＋ＶＴ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／β]　
　Ｖ４＝＋Ｖｋ＋Ｖｔ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）]／β}
　Ｖ２＝＋Ｖｋ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］＋Ｖｔ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／β]となり、
　Ｖ３≧Ｖ４≧Ｖ２、かつＶ３≧Ｖ１　が成り立つ。

　また、Ｖ４－Ｖ１＝Ｖｋ×〔（Ｃｊ＋Ｃｈ）／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）〕＋（Ｃｈ／β）×〔Ｖｔ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）－ＶＴ×Ｃｋ〕であるため、
　Ｖｔ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）－ＶＴ×Ｃｋ≧０⇔ＶＴ≦Ｖｔ×〔（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）／Ｃｋ〕としておけば、Ｖｋによらず、図２１のようにＶ３≧Ｖ４≧Ｖ１≧Ｖ２とすることができる。これにより、中間調表示時には、画素電極１７ｃ（プラス極性）を含む副画素を超高輝度副画素、画素電極１７ｄ（プラス極性）を含む副画素を高輝度副画素、画素電極１７ａ（プラス極性）を含む副画素を低輝度副画素、画素電極１７ｂ（プラス極性）を含む副画素を超低輝度副画素とすることができ、画素１００～１０３に中間調を表示させたときは図２２（ａ）のようになる。

　また、図２１のフレーム２（Ｆ２）では、ＣＳ信号ＣＳＳｐのレベルシフト量がＶＴでレベルシフトの向きがマイナス方向、ＣＳ信号ＣＳＳｑのレベルシフト量がＶＴよりも小さいＶｔでレベルシフトの向きがマイナス方向であり、
　Ｖ＝－Ｖｋ≦０、かつＶｐ＝－ＶＴ＜Ｖｑ＝－Ｖｔ＜０であるため、
　Ｖ１＝－Ｖｋ－Ｖｔ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）]／β}
　Ｖ２＝－Ｖｋ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］－Ｖｔ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／β]
　Ｖ３＝－Ｖｋ－ＶＴ×{[Ｃｈ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）]／β}
　Ｖ４＝－Ｖｋ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］－ＶＴ×[（Ｃｈ×Ｃｋ）／β]　となり、Ｖ３≦Ｖ４≦Ｖ２、かつＶ３≦Ｖ１　が成り立つ。

　また、Ｖ４－Ｖ１＝－Ｖｋ×〔Ｃｊ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）〕－（Ｃｈ／β）×〔Ｖｔ×（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）－ＶＴ×Ｃｋ〕であるため、
　上記のようにＶＴ≦Ｖｔ×〔（Ｃｊ＋Ｃｋ＋Ｃｈ）／Ｃｋ〕としておけば、Ｖ４≦Ｖ１となり、Ｖｋによらず、図２１のようにＶ３≦Ｖ４≦Ｖ１≦Ｖ２とすることができる。これにより、中間調表示時には、画素電極１７ｇ（マイナス極性）を含む副画素を超高輝度副画素、画素電極１７ｈ（マイナス極性）を含む副画素を高輝度副画素、画素電極１７ｅ（マイナス極性）を含む副画素を低輝度副画素、画素電極１７ｆ（マイナス極性）を含む副画素を超低輝度副画素とすることができ、画素１００～１０３に中間調を表示させたときは図２２（ｂ）のようになる。

　本液晶パネルの一具体例を図２３に示す。図２３の液晶パネル５ｆでは、各画素はこれを横切る１本の走査信号線によって２つの部分（領域）に分けられ、一方の部分には、トランジスタに接続する画素電極とこれに容量を介して接続する画素電極とが、前者が走査信号線と隣接するように並べられ、他方の部分には、トランジスタに接続する画素電極とこれに容量を介して接続する画素電極とが、前者が走査信号線と隣接するように並べられる。また、列方向に隣接する２つの画素に対応して１本のＣＳ信号供給用の保持容量配線（例えば、保持容量配線１８ｐ）が設けられるとともに、１画素に対応して２本の定電位（Ｖｃｏｍ）信号供給用の保持容量配線（例えば、保持容量配線１１８ｐ・２１８ｑ）が設けられている。

　走査信号線１６ｘ上には、トランジスタ１２ａのソース電極８ａおよびドレイン電極９ａ並びにトランジスタ１２ｂのソース電極８ｂおよびドレイン電極９ｂが形成されている。ソース電極８ａはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ａはドレイン引き出し配線２７ａに接続され、ドレイン引き出し配線２７ａは、同層に形成された結合容量電極３７ａに繋がるとともにコンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ｃに接続され、結合容量電極３７ａは層間絶縁膜を介して画素電極１７ａと重なっており、これによって画素電極１７ａ・１７ｃ間の結合容量Ｃａｃ（図２０参照）が形成される。また、ソース電極８ｂはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ｂはドレイン引き出し配線２７ｂに接続され、ドレイン引き出し配線２７ｂは、同層に形成された結合容量電極３７ｂに繋がるとともにコンタクトホール１１ｂを介して画素電極１７ｄに接続され、結合容量電極３７ｂは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｂと重なっており、これによって画素電極１７ｂ・１７ｄ間の結合容量Ｃｂｄ（図２０参照）が形成される。

　さらに、保持容量配線１８ｐが画素電極１７ｃに重なっており、この重なり部分Ｋｃに保持容量Ｃｈｃ（図２０参照）が形成されている。また、保持容量配線１１８ｐが画素電極１７ａのエッジの一部と重なるとともに、保持容量配線１１８ｐには、これから枝分かれして画素電極１７ａの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び該保持容量配線１１８ｐに合流する保持容量配線延伸部１１８ａが繋がっている。そして、画素電極１７ａと保持容量配線１１８ｐおよび保持容量配線延伸部１１８ａそれぞれとの重なり部分Ｋａに保持容量Ｃｈａ（図２０参照）が形成されている。また、保持容量配線１８ｑが画素電極１７ｄに重なっており、この重なり部分Ｋｄに保持容量Ｃｈｄ（図２０参照）が形成されている。また、保持容量配線２１８ｑが画素電極１７ｂのエッジの一部と重なるとともに、保持容量配線２１８ｑには、これから枝分かれして画素電極１７ｂの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び該保持容量配線２１８ｑに合流する保持容量配線延伸部２１８ｂが繋がっている。そして、画素電極１７ｂと保持容量配線２１８ｑおよび保持容量配線延伸部２１８ｂそれぞれとの重なり部分Ｋｂに保持容量Ｃｈｂ（図２０参照）が形成されている。

　また、画素１０１では、この中央を横切る走査信号線１６ｙの図中上側に、トランジスタ１２ｅに接続する長方形形状の画素電極１７ｅとこれに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｇとが、画素電極１７ｅが走査信号線１６ｙと隣接し、画素電極１７ｇが画素１０１の行方向に沿う２つのエッジの一方と隣接するように並べられる一方、走査信号線１６ｙの図中下側に、トランジスタ１２ｆに接続する長方形形状の画素電極１７ｆとこれに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｈとが、画素電極１７ｆが走査信号線１６ｙと隣接し、画素電極１７ｈが上記２つのエッジの他方と隣接するように並べられている。そして、走査信号線１６ｙ上に、トランジスタ１２ｅのソース電極８ｅおよびドレイン電極９ｅ並びにトランジスタ１２ｆのソース電極８ｆおよびドレイン電極９ｆが形成されている。ソース電極８ｅはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ｅはドレイン引き出し配線２７ｅに接続され、ドレイン引き出し配線２７ｅは、同層に形成された結合容量電極３７ｅに繋がるとともにコンタクトホール１１ｅを介して画素電極１７ｇに接続され、結合容量電極３７ｅは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｅと重なっており、これによって画素電極１７ｅ・１７ｇ間の結合容量Ｃｅｇ（図２０参照）が形成される。また、ソース電極８ｆはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ｆはドレイン引き出し配線２７ｆに接続され、ドレイン引き出し配線２７ｆは、同層に形成された結合容量電極３７ｆに繋がるとともにコンタクトホール１１ｆを介して画素電極１７ｈに接続され、結合容量電極３７ｆは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｆと重なっており、これによって画素電極１７ｆ・１７ｈ間の結合容量Ｃｆｈ（図２０参照）が形成される。

　さらに、保持容量配線１８ｑが画素電極１７ｇに重なっており、この重なり部分Ｋｇに保持容量Ｃｈｇ（図２０参照）が形成されている。また、保持容量配線１１８ｑが画素電極１７ｅのエッジの一部と重なるとともに、保持容量配線１１８ｑには、これから枝分かれして画素電極１７ｅの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び該保持容量配線１１８ｑに合流する保持容量配線延伸部１１８ｅが繋がっている。そして、画素電極１７ｅと保持容量配線１１８ｑおよび保持容量配線延伸部１１８ｅそれぞれとの重なり部分Ｋｅに保持容量Ｃｈｅ（図２０参照）が形成されている。また、保持容量配線１８ｒが画素電極１７ｈに重なっており、この重なり部分Ｋｈに保持容量Ｃｈｈ（図２０参照）が形成されている。また、保持容量配線２１８ｒが画素電極１７ｆのエッジの一部と重なるとともに、保持容量配線２１８ｒには、これから枝分かれして画素電極１７ｆの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び該保持容量配線２１８ｒに合流する保持容量配線延伸部２１８ｆが繋がっている。そして、画素電極１７ｆと保持容量配線２１８ｒおよび保持容量配線延伸部２１８ｆそれぞれとの重なり部分Ｋｆに保持容量Ｃｈｆ（図２０参照）が形成されている。

　本液晶表示装置によれば、１つの画素に設けた４つの副画素それぞれを、中間調表示時に互いに異なる輝度に制御することが可能となるため、例えばＭＶＡモードの液晶表示装置に適用すると１画素に１６個（４方向×４種類）のドメイン（配向領域）が形成される。これにより、視野角特性を向上させることができる。また、本液晶表示装置では、保持容量配線および保持容量配線延伸部を、電気的にフローティングとなる画素電極（１７ａ・１７ｂ・１７ｅ・１７ｆ）の電気的シールドパターンとして機能させることができる。これにより、これらの画素電極（１７ａ・１７ｂ・１７ｅ・１７ｆ）への電荷の飛び込みを抑制し、各画素電極を含む副画素の焼き付きを可及的に回避することができる。また、２つの画素行に対応して１本のＣＳ信号供給用の保持容量配線を設けている（すなわち、この１本の保持容量配線を列方向に隣り合う２つの画素で共有している）ため、ＣＳ信号供給用の保持容量配線の本数を削減することができる。これにより、ＣＳ信号の数を減らしてＣＳ制御回路の構成を容易にでき、画素開口率も高められる。さらに、保持容量配線延伸部によって保持容量配線の冗長効果も得ることができる。例えば、保持容量配線が、保持容量配線延伸部が枝分かれする部分と保持容量配線延伸部が合流する部分との間で断線しても、保持容量配線延伸部がバイパスルートとなって断線箇所以降の部分に定電位（Ｖｃｏｍ）信号を送ることができる。

　図２３の液晶パネル５ｆの層間絶縁膜は無機層間絶縁膜のみとしているが、この層間絶縁膜を無機層間絶縁膜とこれよりも厚い有機層間絶縁膜との二層構造とすることもできる。ただこの場合、結合容量の容量値および保持容量の容量値を十分に確保するために、図２４のように構成することが望ましい。例えば、画素１００では、ドレイン引き出し配線２７ａと同層にあってかつ画素電極１７ａとコンタクトホールを介して接続された保持容量電極９７ａを、保持容量配線１１８ｐ上に設け、ドレイン引き出し配線２７ａと同層にあってかつ画素電極１７ｃとコンタクトホールを介して接続された保持容量電極６７ｃを、保持容量配線１８ｐ上に設け、ドレイン引き出し配線２７ｂと同層にあってかつ画素電極１７ｂとコンタクトホールを介して接続された保持容量電極９７ｂを、保持容量配線２１８ｑ上に設け、ドレイン引き出し配線２７ｂと同層にあってかつ画素電極１７ｄとコンタクトホールを介して接続された保持容量電極６７ｄを、保持容量配線１８ｑ上に設け、さらに有機層間絶縁膜については、結合容量電極３７ａ・３７ｂと重なる部分を刳り貫いておく、あるいは局所的に薄くしておく。こうすれば、結合容量の容量値および保持容量の容量値を十分に確保しながら、各種寄生容量の低減、配線同士の短絡防止、および平坦化による画素電極の裂け等の低減といった効果を得ることができる。

　〔実施の形態４〕
　図２５は実施の形態４にかかる液晶パネルの一部を示す等価回路図である。図２５に示すように、本液晶パネルでは、列方向に隣接する２つの画素行に対応して１本のＣＳ信号供給用の保持容量配線が設けられている。データ信号線、走査信号線、各トランジスタおよび各画素電極の配置は図１と同様である。

　画素１００では、画素電極１７ａおよび１７ｃが結合容量Ｃａｃを介して接続されるともに、画素電極１７ｂおよび１７ｄが結合容量Ｃｂｄを介して接続され、画素電極１７ａが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２ａを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｂが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２ｂを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ａと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈａが形成され、画素電極１７ｃと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量Ｃｈｃが形成され、画素電極１７ｂと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量Ｃｈｂが形成され、画素電極１７ｄと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量Ｃｈｄが形成されている。なお、保持容量配線１８ｐ・１８ｑはＣＳ信号供給用の保持容量配線である。また、画素電極１７ｃおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｃが形成され、画素電極１７ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌａが形成され、画素電極１７ｂおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｂが形成され、画素電極１７ｄおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｄが形成されている。

　一方、画素１００と列方向に隣接する画素１０１では、画素電極１７ｅおよび１７ｇが結合容量Ｃｅｇを介して接続されるともに、画素電極１７ｆおよび１７ｈが結合容量Ｃｆｈを介して接続され、画素電極１７ｅが、走査信号線１６ｙに接続されたトランジスタ１２ｅを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｆが、走査信号線１６ｙに接続されたトランジスタ１２ｆを介してデータ信号線１５ｘに接続され、画素電極１７ｅと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量Ｃｈｅが形成され、画素電極１７ｇと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量Ｃｈｇが形成され、画素電極１７ｆと保持容量配線１８ｒとの間に保持容量Ｃｈｆが形成され、画素電極１７ｈと保持容量配線１８ｒとの間に保持容量Ｃｈｈが形成されている。なお、保持容量配線１８ｑ・１８ｒはＣＳ信号供給用の保持容量配線である。また、画素電極１７ｇおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｇが形成され、画素電極１７ｅおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｅが形成され、画素電極１７ｆおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｆが形成され、画素電極１７ｈおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量Ｃｌｈが形成されている。

　また、画素１００と行方向に隣接する画素１０２では、画素電極１７Ａおよび１７Ｃが結合容量ＣＡＣを介して接続されるともに、画素電極１７Ｂおよび１７Ｄが結合容量ＣＢＤを介して接続され、画素電極１７Ａが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２Ａを介してデータ信号線１５Ｘに接続され、画素電極１７Ｂが、走査信号線１６ｘに接続されたトランジスタ１２Ｂを介してデータ信号線１５Ｘに接続され、画素電極１７Ａと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量ＣｈＡが形成され、画素電極１７Ｃと保持容量配線１８ｐとの間に保持容量ＣｈＣが形成され、画素電極１７Ｂと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量ＣｈＢが形成され、画素電極１７Ｄと保持容量配線１８ｑとの間に保持容量ＣｈＤが形成されている。なお、画素電極１７Ｃおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＣが形成され、画素電極１７Ａおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＡが形成され、画素電極１７Ｂおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＢが形成され、画素電極１７Ｄおよび共通電極ｃｏｍ間に液晶容量ＣｌＤが形成されている。

　図２６は図２５の液晶パネルを備えた液晶表示装置（ノーマリブラックモード）の駆動方法を示すタイミングチャートである。なお、Ｓｖ・ＳＶはデータ信号線１５ｘ・１５Ｘそれぞれに供給される信号電位を示し、Ｇｘ・Ｇｙは走査信号線１６ｘ・１６ｙそれぞれに供給されるゲートオンパルス信号を示し、ＣＳＳＰ・ＣＳＳＱ・ＣＳＳＲは保持容量配線１８ｐ・１８ｑ・１８ｒそれぞれに供給されるＣＳ信号（保持容量配線信号）を示し、Ｖａ～Ｖｄは、画素１００に設けられる４つの画素電極１７ａ～１７ｄの電位を示している。

　図２５・２６に示すように、本液晶表示装置では、２本の保持容量配線１８ｐ・１８ｑの一方である保持容量配線１８ｐが、トランジスタ１２ａ（第１トランジスタ）を介してデータ信号線１５ｘに接続する画素電極１７ａ（第１画素電極）および画素電極１７ａに容量結合された画素電極１７ｃ（第３画素電極）それぞれと保持容量を形成するとともに、他方である保持容量配線１８ｑが、トランジスタ１２ｂ（第２トランジスタ）を介してデータ信号線１５ｘに接続する画素電極１７ｂ（第２画素電極）および画素電極１７ｂに容量結合された画素電極１７ｄ（第４画素電極）それぞれと保持容量を形成しており、これら２本の保持容量配線１８ｐ・１８ｑそれぞれに異なるＣＳ信号が供給される。なお、各走査信号線は順次選択し、各データ信号線に供給する信号電位の極性を１垂直走査期間（１フレーム）ごとに反転させるとともに、同一水平走査期間においては隣接する２本のデータ信号線に同極性の信号電位を供給する。

　ここで、画素電極１７ａ・１７ｂに供給される信号電位をＶとし、図２５においてＣｌａ＝Ｃｌｂ＝Ｃｌｃ＝Ｃｌｄ＝Ｃｊ、かつＣａｃ＝Ｃｂｄ＝Ｃｋ、かつＣｈａ＝Ｃｈｂ＝Ｃｈとし、トランジスタ１２ａ・１２ｂがＯＦＦしたときの画素電極１７ａ～１７ｄの電位をｖ１～ｖ４とし、このときのＣＳ信号ＣＳＳＰ・ＣＳＳＱのレベルをｖｐ・ｖｑとし、このときの画素電極１７ａ～１７ｄの電荷総量をｑ１～ｑ４とすれば、ｖ１＝ｖ２＝Ｖ、かつｖｐ＝ｖｑ＝０（Ｖｃｏｍ）であるため、画素電極１７ａ～１７ｄの電荷保存則から以下の式１～４が成り立つ。

　Ｃｊ×Ｖ１＋Ｃｈ×（Ｖ１－Ｖｐ）＋Ｃｋ×（Ｖ１－Ｖ３）＝ｑ１・・・式５
　Ｃｊ×Ｖ２＋Ｃｈ×（Ｖ２－Ｖｑ）＋Ｃｋ×（Ｖ２－Ｖ４）＝ｑ２・・・式６
　Ｃｊ×Ｖ３＋Ｃｈ×（Ｖ３－Ｖｐ）－Ｃｋ×（Ｖ１－Ｖ３）＝ｑ３＝０・・・式７
　Ｃｊ×Ｖ４＋Ｃｈ×（Ｖ４－Ｖｑ）－Ｃｋ×（Ｖ２－Ｖ４）＝ｑ４＝０・・・式８
　よって、式３・４から、ｖ３＝ｖ４＝Ｖ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］となり、
　式１・３・５・７から、
　Ｖ１＝Ｖ＋Ｖｐ×γ
　Ｖ３＝Ｖ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］＋Ｖｐ×γ となる。

　但し、γ＝[Ｃｈ×（２×Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）]／（Ｃｊ^２＋２×Ｃｊ×Ｃｈ＋２×Ｃｊ×Ｃｋ＋２×Ｃｈ×Ｃｋ＋Ｃｈ^２）である。

　また、式２・４・６・８から、
　Ｖ２＝Ｖ＋Ｖｑ×γ
　Ｖ４＝Ｖ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］＋Ｖｑ×γ となる。

　図２６のフレーム１（Ｆ１）では、ＣＳ信号ＣＳＳＰのレベルシフト量がＶＴでレベルシフトの向きがプラス方向、ＣＳ信号ＣＳＳＱのレベルシフト量がＶＴよりも小さいＶｔでレベルシフトの向きがプラス方向であり、
　Ｖ＝＋Ｖｋ≧０、かつＶｐ＝＋ＶＴ＞Ｖｑ＝＋Ｖｔ＞０であるため、
　Ｖ１＝＋Ｖｋ＋ＶＴ×γ
　Ｖ２＝＋Ｖｋ＋Ｖｔ×γ
　Ｖ３＝＋Ｖｋ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］＋ＶＴ×γ
　Ｖ４＝＋Ｖｋ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］＋Ｖｔ×γとなる。

　すなわち、Ｖｋの大きさによらず、図２６のようにＶ１≧Ｖ２≧Ｖ３≧Ｖ４となり、これによって、中間調表示時には、画素電極１７ａ（プラス極性）を含む副画素を超高輝度副画素、画素電極１７ｂ（プラス極性）を含む副画素を高輝度副画素、画素電極１７ｃ（プラス極性）を含む副画素を低輝度副画素、画素電極１７ｄ（プラス極性）を含む副画素を超低輝度副画素とすることができ、画素１００～１０３に中間調を表示させたときは図３（ａ）のようになる。

　また、図２６のフレーム２（Ｆ２）では、ＣＳ信号ＣＳＳＰのレベルシフト量がＶＴでレベルシフトの向きがマイナス方向、ＣＳ信号ＣＳＳＱのレベルシフト量がＶＴよりも小さいＶｔでレベルシフトの向きがマイナス方向であり、
　Ｖ＝－Ｖｋ≦０、かつＶｐ＝－ＶＴ＜Ｖｑ＝－Ｖｔ＜０であるため、
　Ｖ１＝－Ｖｋ－ＶＴ×γ
　Ｖ２＝－Ｖｋ－Ｖｔ×γ
　Ｖ３＝－Ｖｋ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］－ＶＴ×γ
　Ｖ４＝－Ｖｋ×［Ｃｋ／（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）］－Ｖｔ×γとなる。

　すなわち、Ｖｋの大きさによらず、ＶＴ＞Ｖｔでさえあれば図２６のようにＶ１≦Ｖ２≦Ｖ３≦Ｖ４となり、これによって、中間調表示時には、画素電極１７ｅ（マイナス極性）を含む副画素を超高輝度副画素、画素電極１７ｆ（マイナス極性）を含む副画素を高輝度副画素、画素電極１７ｇ（マイナス極性）を含む副画素を低輝度副画素、画素電極１７ｈ（マイナス極性）を含む副画素を超低輝度副画素とすることができ、画素１００～１０３に中間調を表示させたときは図３（ｂ）のようになる。

　本液晶パネルの一具体例を図２７に示す。図２７の液晶パネル５ｇでは、各画素はこれを横切る１本の走査信号線によって２つの部分（領域）に分けられ、一方の部分には、トランジスタに接続する画素電極とこれに容量を介して接続する画素電極とが、前者が走査信号線と隣接するように並べられ、他方の部分には、トランジスタに接続する画素電極とこれに容量を介して接続する画素電極とが、前者が走査信号線と隣接するように並べられる。また、隣り合う２つの画素行に対応して１本のＣＳ信号供給用の保持容量配線（例えば、保持容量配線１８ｐ）が設けられ、該保持容量配線は画素電極のエッジ（外周）の一部と重なるともに、該保持容量配線には、平面的に視て、上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び該保持容量配線に合流する保持容量配線延伸部が繋がっている。

　具体的には、画素１００および画素１０１に沿うようにデータ信号線１５ｘが設けられ、画素１０２および画素１０３に沿うようにデータ信号線１５Ｘが設けられ、走査信号線１６ｘが画素１００・１０２それぞれの中央を横切り、走査信号線１６ｙが画素１０１・１０３それぞれの中央を横切っている。また、画素１００・１０２を含む画素行およびこれの図中上側の画素行に重なるように保持容量配線１８ｐが設けられ、画素１００・１０２を含む画素行および画素１０１・１０３を含む画素行に重なるように保持容量配線１８ｑが設けられ、画素１０１・１０３を含む画素行およびこれの図中下側の画素行に重なるように保持容量配線１８ｒが設けられている。そして、例えば画素１００では、この中央を横切る走査信号線１６ｘの図中上側に、トランジスタ１２ａに接続する長方形形状の画素電極１７ａとこれに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｃとが、画素電極１７ａが走査信号線１６ｘに隣接し、画素電極１７ｃが画素１００の行方向に沿う２つのエッジの一方と隣接するように並べられる一方、走査信号線１６ｘの図中下側に、トランジスタ１２ｂに接続する長方形形状の画素電極１７ｂとこれに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｄとが、画素電極１７ｂが走査信号線１６ｘと隣接し、画素電極１７ｄが画素１００の行方向に沿う上記２つのエッジの他方と隣接するように並べられている。走査信号線１６ｘ上には、トランジスタ１２ａのソース電極８ａおよびドレイン電極９ａ並びにトランジスタ１２ｂのソース電極８ｂおよびドレイン電極９ｂが形成されている。ソース電極８ａはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ａはドレイン引き出し配線２７ａに接続され、ドレイン引き出し配線２７ａは、同層に形成された結合容量電極３７ａに繋がるとともにコンタクトホール１１ａを介して画素電極１７ａに接続され、結合容量電極３７ａは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｃと重なっており、これによって画素電極１７ａ・１７ｃ間の結合容量Ｃａｃ（図２５参照）が形成される。また、ソース電極８ｂはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ｂはドレイン引き出し配線２７ｂに接続され、ドレイン引き出し配線２７ｂは、同層に形成された結合容量電極３７ｂに繋がるとともにコンタクトホール１１ｂを介して画素電極１７ｂに接続され、結合容量電極３７ｂは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｄと重なっており、これによって画素電極１７ｂ・１７ｄ間の結合容量Ｃｂｄ（図２５参照）が形成される。

　さらに、保持容量配線１８ｐが画素電極１７ｃのエッジ（外周）の一部（行方向に沿う２つの部分のうち走査信号線１６ｘから遠い方）と重なることで、両者（保持容量配線１８ｐと画素電極１７ｃ）の重なり部分Ｋｃに保持容量Ｃｈｃ（図２５参照）の多くが形成される。さらに、保持容量配線１８ｐには、平面的に視て、保持容量配線１８ｐから枝分かれして画素電極１７ｃの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｐに合流する保持容量配線延伸部１８ｃが繋がっており、これによって、電気的にフローティングである画素電極１７ｃが保持容量配線１８ｐおよび保持容量配線延伸部１８ｃによって電気的にシールドされる。また、この保持容量配線延伸部１８ｃと画素電極１７ａとが重なることで、両者（保持容量配線延伸部１８ｃと画素電極１７ａ）の重なり部分Ｋａに保持容量Ｃｈａ（図２５参照）が形成される。同様に、保持容量配線１８ｑが画素電極１７ｄのエッジ（外周）の一部（行方向に沿う２つの部分のうち走査信号線１６ｘから遠い方）と重なることで、両者（保持容量配線１８ｑと画素電極１７ｄ）の重なり部分Ｋｄに保持容量Ｃｈｄ（図２５参照）の多くが形成される。さらに、保持容量配線１８ｑには、平面的に視て、保持容量配線１８ｐから枝分かれして画素電極１７ｄの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｑに合流する保持容量配線延伸部１８ｄが繋がっており、これによって、電気的にフローティングである画素電極１７ｄが保持容量配線１８ｑおよび保持容量配線延伸部１８ｄによって電気的にシールドされる。また、この保持容量配線延伸部１８ｄと画素電極１７ｂとが重なることで、両者（保持容量配線延伸部１８ｄと画素電極１７ｂ）の重なり部分Ｋｂに保持容量Ｃｈｂ（図２５参照）が形成される。なお、保持容量配線延伸部１８ｃと画素電極１７ｃとの重なり部分にも保持容量Ｃｈｃの一部が形成される。また、保持容量配線延伸部１８ｄと画素電極１７ｄとの重なり部分にも保持容量Ｃｈｄの一部が形成される。

　また、画素１０１では、この中央を横切る走査信号線１６ｙの図中上側に、トランジスタ１２ｅに接続する長方形形状の画素電極１７ｅとこれに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｇとが、画素電極１７ｅが走査信号線１６ｙと隣接し、画素電極１７ｇが画素１０１の行方向に沿う２つのエッジの一方と隣接するように並べられる一方、走査信号線１６ｙの図中下側に、トランジスタ１２ｆに接続する長方形形状の画素電極１７ｆとこれに容量を介して接続する長方形形状の画素電極１７ｈとが、画素電極１７ｆが走査信号線１６ｙと隣接し、画素電極１７ｈが上記２つのエッジの他方と隣接するように並べられている。そして、走査信号線１６ｙ上に、トランジスタ１２ｅのソース電極８ｅおよびドレイン電極９ｅ並びにトランジスタ１２ｆのソース電極８ｆおよびドレイン電極９ｆが形成されている。ソース電極８ｅはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ｅはドレイン引き出し配線２７ｅに接続され、ドレイン引き出し配線２７ｅは、同層に形成された結合容量電極３７ｅに繋がるとともにコンタクトホール１１ｅを介して画素電極１７ｅに接続され、結合容量電極３７ｅは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｇと重なっており、これによって画素電極１７ｅ・１７ｇ間の結合容量Ｃｅｇ（図２５参照）が形成される。また、ソース電極８ｆはデータ信号線１５ｘに接続される。ドレイン電極９ｆはドレイン引き出し配線２７ｆに接続され、ドレイン引き出し配線２７ｆは、同層に形成された結合容量電極３７ｆに繋がるとともにコンタクトホール１１ｆを介して画素電極１７ｆに接続され、結合容量電極３７ｆは層間絶縁膜を介して画素電極１７ｈと重なっており、これによって画素電極１７ｆ・１７ｈ間の結合容量Ｃｆｈ（図２５参照）が形成される。

　さらに、保持容量配線１８ｑが画素電極１７ｇのエッジ（外周）の一部と重なることで、両者（保持容量配線１８ｑと画素電極１７ｇ）の重なり部分Ｋｇに保持容量Ｃｈｇ（図２５参照）の多くが形成される。さらに、保持容量配線１８ｑには、平面的に視て、保持容量配線１８ｑから枝分かれして画素電極１７ｇの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｑに合流する保持容量配線延伸部１８ｇが繋がっており、これによって、電気的にフローティングである画素電極１７ｇが保持容量配線１８ｑおよび保持容量配線延伸部１８ｇによって電気的にシールドされる。また、この保持容量配線延伸部１８ｇと画素電極１７ｅとが重なることで、両者（保持容量配線延伸部１８ｇと画素電極１７ｅ）の重なり部分Ｋｅに保持容量Ｃｈｅ（図２５参照）が形成される。同様に、保持容量配線１８ｒが画素電極１７ｈのエッジ（外周）の一部と重なることで、両者（保持容量配線１８ｒと画素電極１７ｈ）の重なり部分Ｋｈに保持容量Ｃｈｈ（図２５参照）の多くが形成される。さらに、保持容量配線１８ｒには、平面的に視て、保持容量配線１８ｒから枝分かれして画素電極１７ｈの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｒに合流する保持容量配線延伸部１８ｈが繋がっており、これによって、電気的にフローティングである画素電極１７ｈが保持容量配線１８ｒおよび保持容量配線延伸部１８ｈによって電気的にシールドされる。また、この保持容量配線延伸部１８ｈと画素電極１７ｆとが重なることで、両者（保持容量配線延伸部１８ｈと画素電極１７ｆ）の重なり部分Ｋｆに保持容量Ｃｈｆ（図２５参照）が形成される。なお、保持容量配線延伸部１８ｇと画素電極１７ｇとの重なり部分にも保持容量Ｃｈｇの一部が形成される。また、保持容量配線延伸部１８ｈと画素電極１７ｈとの重なり部分にも保持容量Ｃｈｈの一部が形成される。

　本液晶表示装置によれば、１つの画素に設けた４つの副画素それぞれを、中間調表示時に互いに異なる輝度に制御することが可能となるため、例えばＭＶＡモードの液晶表示装置に適用すると１画素に１６個（４方向×４種類）のドメイン（配向領域）が形成される。これにより、視野角特性を向上させることができる。また、本液晶表示装置では、異なる画素に属する明副画素（図３のＭやｍ）同士が隣接しないため、異なる画素に属する明副画素同士が隣接するような液晶表示装置よりも自然な表示が可能となる。また、本液晶表示装置では、保持容量配線および保持容量配線延伸部を、電気的にフローティングとなる画素電極（１７ｃ・１７ｄ・１７ｇ・１７ｈ）の電気的シールドパターンとして機能させることができる。これにより、これらの画素電極（１７ｃ・１７ｄ・１７ｇ・１７ｈ）への電荷の飛び込みを抑制し、各画素電極を含む副画素の焼き付きを可及的に回避することができる。また、２つの画素行に対応して１本のＣＳ信号供給用の保持容量配線を設けている（すなわち、この１本の保持容量配線を列方向に隣り合う２つの画素で共有している）ため、ＣＳ信号供給用の保持容量配線の本数を削減することができる。これにより、ＣＳ信号の数を減らしてＣＳ制御回路の構成を容易にでき、画素開口率も高められる。さらに、保持容量配線延伸部によって保持容量配線の冗長効果も得ることができる。例えば、保持容量配線が、保持容量配線延伸部が枝分かれする部分と保持容量配線延伸部が合流する部分との間で断線しても、保持容量配線延伸部がバイパスルートとなって断線箇所以降の部分にＣＳ信号を送ることができる。

　図２７の液晶パネル５ｇを図２８のように構成することもできる。すなわち、列方向に隣接する保持容量配線延伸部同士が互いに接続された構成とする。例えば、画素１００では、保持容量配線１８ｐに、保持容量配線１８ｐから枝分かれして画素電極１７ｃの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｐに合流する保持容量配線延伸部１８ｃと、保持容量配線１８ｐから枝分かれして画素電極１７Ｃの上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通るように延伸して再び保持容量配線１８ｐに合流する保持容量配線延伸部１８Ｃとが繋がっており、これら保持容量配線延伸部１８ｃ・１８Ｃが、データ信号線１５Ｘ下において互いに接続されている。図２８の構成によって、液晶パネル５ｇにおける保持容量配線の冗長効果を高めることができる。例えば、保持容量配線が、データ信号線と交差する部分で断線しても、互いに接続された、列方向に隣接する２つの保持容量配線延伸部がバイパスルートとなって断線箇所以降の部分にＣＳ信号を送ることができる。

　図２９は、本液晶表示装置の構成を示すブロック図である。同図に示されるように、本液晶表示装置は、表示部（液晶パネル）と、ソースドライバ（ＳＤ）と、ゲートドライバ（ＧＤ）と、表示制御回路と、ＣＳ制御回路とを備えている。ソースドライバはデータ信号線を駆動し、ゲートドライバは走査信号線を駆動し、表示制御回路は、ソースドライバおよびゲートドライバを制御し、ＣＳ制御回路は各保持容量配線に各種信号（ＣＳ信号や定電位信号）を供給する。

　表示制御回路は、外部の信号源（例えばチューナー）から、表示すべき画像を表すデジタルビデオ信号Ｄｖと、当該デジタルビデオ信号Ｄｖに対応する水平同期信号ＨＳＹおよび垂直同期信号ＶＳＹと、表示動作を制御するための制御信号Ｄｃとを受け取る。また、表示制御回路は、受け取ったこれらの信号Ｄｖ，ＨＳＹ，ＶＳＹ，Ｄｃに基づき、そのデジタルビデオ信号Ｄｖの表す画像を表示部に表示させるための信号として、データスタートパルス信号ＳＳＰと、データクロック信号ＳＣＫと、表示すべき画像を表すデジタル画像信号ＤＡ（ビデオ信号Ｄｖに対応する信号）と、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰと、ゲートクロック信号ＧＣＫと、ゲートドライバ出力制御信号（走査信号出力制御信号）ＧＯＥとを生成し、これらを出力する。

　より詳しくは、ビデオ信号Ｄｖを内部メモリで必要に応じてタイミング調整等を行った後に、デジタル画像信号ＤＡとして表示制御回路から出力し、そのデジタル画像信号ＤＡの表す画像の各画素に対応するパルスからなる信号としてデータクロック信号ＳＣＫを生成し、水平同期信号ＨＳＹに基づき１水平走査期間毎に所定期間だけハイレベル（Ｈレベル）となる信号としてデータスタートパルス信号ＳＳＰを生成し、垂直同期信号ＶＳＹに基づき１フレーム期間（１垂直走査期間）毎に所定期間だけＨレベルとなる信号としてゲートスタートパルス信号ＧＳＰを生成し、水平同期信号ＨＳＹに基づきゲートクロック信号ＧＣＫを生成し、水平同期信号ＨＳＹおよび制御信号Ｄｃに基づきゲートドライバ出力制御信号ＧＯＥを生成する。

　上記のようにして表示制御回路において生成された信号のうち、デジタル画像信号ＤＡ、信号電位（データ信号電位）の極性を制御する極性反転信号ＰＯＬ、データスタートパルス信号ＳＳＰ、およびデータクロック信号ＳＣＫは、ソースドライバに入力され、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰとゲートクロック信号ＧＣＫとゲートドライバ出力制御信号ＧＯＥとは、ゲートドライバに入力される。また、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰとゲートクロック信号ＧＣＫとは、ＣＳ制御回路に入力される。

　そして、ソースドライバは、デジタル画像信号ＤＡ、データクロック信号ＳＣＫ、データスタートパルス信号ＳＳＰ、および極性反転信号ＰＯＬに基づき、デジタル画像信号ＤＡの表す画像の各走査信号線における画素値に相当するアナログ電位（信号電位）を１水平走査期間毎に順次生成し、これらのデータ信号をデータ信号線（例えば、１５ｘ・１５Ｘ）に出力する。また、ゲートドライバは、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰおよびゲートクロック信号ＧＣＫと、ゲートドライバ出力制御信号ＧＯＥとに基づき、ゲートオンパルス信号を生成し、これらを走査信号線に出力し、これによって走査信号線を選択的に駆動する。また、ＣＳ制御回路は、ゲートスタートパルス信号ＧＳＰおよびゲートクロック信号ＧＣＫに基づいてＣＳ信号を生成し、また、定電位信号を生成し、これらを各保持容量配線に供給する。

　上記のようにソースドライバおよびゲートドライバにより表示部（液晶パネル）のデータ信号線および走査信号線が駆動されることで、選択された走査信号線に接続されたトランジスタ（ＴＦＴ）を介して、データ信号線から画素電極に信号電位が書き込まれる。また、ＣＳ信号によって、画素電極に書き込まれた信号電位が調整（変調）される。これにより各副画素の液晶層に所望の電圧が印加され、これによってバックライトからの光の透過量が制御され、デジタルビデオ信号Ｄｖの示す画像が表示部に表示される。

　次に、本液晶表示装置をテレビジョン受信機に適用するときの一構成例について説明する。図３０は、テレビジョン受信機用の液晶表示装置８００の構成を示すブロック図である。液晶表示装置８００は、液晶表示ユニット８４と、Ｙ／Ｃ分離回路８０と、ビデオクロマ回路８１と、Ａ／Ｄコンバータ８２と、液晶コントローラ８３と、バックライト駆動回路８５と、バックライト８６と、マイコン（マイクロコンピュータ）８７と、階調回路８８とを備えている。なお、液晶表示ユニット８４は、液晶パネルと、これを駆動するためのソースドライバおよびゲートドライバとで構成される。

　上記構成の液晶表示装置８００では、まず、テレビジョン信号としての複合カラー映像信号Ｓｃｖが外部からＹ／Ｃ分離回路８０に入力され、そこで輝度信号と色信号に分離される。これらの輝度信号と色信号は、ビデオクロマ回路８１にて光の３原色に対応するアナログＲＧＢ信号に変換され、さらに、このアナログＲＧＢ信号はＡ／Ｄコンバータ８２により、デジタルＲＧＢ信号に変換される。このデジタルＲＧＢ信号は液晶コントローラ８３に入力される。また、Ｙ／Ｃ分離回路８０では、外部から入力された複合カラー映像信号Ｓｃｖから水平および垂直同期信号も取り出され、これらの同期信号もマイコン８７を介して液晶コントローラ８３に入力される。

　液晶表示ユニット８４には、液晶コントローラ８３からデジタルＲＧＢ信号が、上記同期信号に基づくタイミング信号と共に所定のタイミングで入力される。また、階調回路８８では、カラー表示の３原色Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれの階調電位が生成され、それらの階調電位も液晶表示ユニット８４に供給される。液晶表示ユニット８４では、これらのＲＧＢ信号、タイミング信号および階調電位に基づき内部のソースドライバやゲートドライバ等により駆動用信号（データ信号＝信号電位、走査信号等）が生成され、それらの駆動用信号に基づき、内部の液晶パネルにカラー画像が表示される。なお、この液晶表示ユニット８４によって画像を表示するには、液晶表示ユニット内の液晶パネルの後方から光を照射する必要があり、この液晶表示装置８００では、マイコン８７の制御の下にバックライト駆動回路８５がバックライト８６を駆動することにより、液晶パネルの裏面に光が照射される。上記の処理を含め、システム全体の制御はマイコン８７が行う。なお、外部から入力される映像信号（複合カラー映像信号）としては、テレビジョン放送に基づく映像信号のみならず、カメラにより撮像された映像信号や、インターネット回線を介して供給される映像信号なども使用可能であり、この液晶表示装置８００では、様々な映像信号に基づいた画像表示が可能である。

　液晶表示装置８００でテレビジョン放送に基づく画像を表示する場合には、図３１に示すように、液晶表示装置８００にチューナー部９０が接続され、これによって本テレビジョン受像機が構成される。このチューナー部９０は、アンテナ（不図示）で受信した受信波（高周波信号）の中から受信すべきチャンネルの信号を抜き出して中間周波信号に変換し、この中間周波数信号を検波することによってテレビジョン信号としての複合カラー映像信号Ｓｃｖを取り出す。この複合カラー映像信号Ｓｃｖは、既述のように液晶表示装置８００に入力され、この複合カラー映像信号Ｓｃｖに基づく画像が該液晶表示装置８００によって表示される。

　図３２は、本テレビジョン受像機の一構成例を示す分解斜視図である。同図に示すように、本テレビジョン受像機は、その構成要素として、液晶表示装置８００の他に第１筐体８０１および第２筐体８０６を有しており、液晶表示装置８００を第１筐体８０１と第２筐体８０６とで包み込むようにして挟持した構成となっている。第１筐体８０１には、液晶表示装置８００で表示される画像を透過させる開口部８０１ａが形成されている。また、第２筐体８０６は、液晶表示装置８００の背面側を覆うものであり、当該表示装置８００を操作するための操作用回路８０５が設けられると共に、下方に支持用部材８０８が取り付けられている。

　本発明は上記の実施の形態に限定されるものではなく、上記実施の形態を公知技術等に基づいて適宜変更したものやそれらを組み合わせて得られるものも本発明の実施の形態に含まれる。

　本発明の液晶表示装置は、例えば液晶テレビに好適である。

Claims

　複数の走査信号線、複数のデータ信号線および複数の保持容量配線を備え、１つの画素に、第１画素電極を含む第１副画素と、第２画素電極を含む第２副画素と、第３画素電極を含む第３副画素と、第４画素電極を含む第４副画素とが設けられた液晶表示装置であって、
　第１画素電極が第１トランジスタを介してデータ信号線に接続され、第２画素電極が第２トランジスタを介してデータ信号線に接続され、上記第１および第２トランジスタが同一の走査信号線に接続され、第１画素電極と第３画素電極とが容量を介して接続されるとともに、第２画素電極と第４画素電極とが容量を介して接続され、
　２本の保持容量配線の一方が第１画素電極と容量を形成するとともに、他方が第２画素電極と容量を形成し、これら２本の保持容量配線それぞれに、異なる保持容量配線信号が供給されることを特徴とする液晶表示装置。
　上記２本の保持容量配線の一方に供給される保持容量配線信号および他方に供給される保持容量配線信号はともに、第１および第２トランジスタがＯＦＦした後にレベルシフトし、これら２つの保持容量配線信号の一方と他方とではレベルシフト量が異なることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
　上記２つの保持容量配線信号の一方と他方とではレベルシフトの向きが同じであることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
　第１および第２画素電極に供給される信号電位がプラス極性である場合には上記レベルシフトの向きがプラス方向であり、第１および第２画素電極に供給される信号電位がマイナス極性である場合には上記レベルシフトの向きはマイナス方向であることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
　各画素はこれを横切る１本の走査信号線によって２つの部分に分けられ、その一方に第１および第３画素電極が配されるとともに、他方に第２および第４画素電極が配されていることを特徴とする請求項１～４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
　平面的に視て、上記第１および第２画素電極それぞれが走査信号線に隣接して配されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
　保持容量配線信号が供給される２つの保持容量配線の一方が、上記画素とその走査方向上流側の画素との間隙に対応して設けられることによって、これら２つの画素の一方に含まれる画素電極の１つおよび他方に含まれる画素電極の１つそれぞれと容量を形成し、保持容量配線信号が供給される２つの保持容量配線の他方が、上記画素とその走査方向下流側の画素との間隙に対応して設けられることによって、これら２つの画素の一方に含まれる画素電極の１つおよび他方に含まれる画素電極の１つそれぞれと容量を形成していることを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
　保持容量配線信号が供給される２つの保持容量配線が、各画素に対応して設けられていることを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
　第１画素電極と電気的に接続された第１保持容量電極と、第２画素電極と電気的に接続された第２保持容量電極とを備え、保持容量配線信号が供給される２つの保持容量配線の一方が第１保持容量電極と重なり、他方が第２保持容量電極と重なっていることを特徴とする請求項１～８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
　保持容量配線信号が供給される２つの保持容量配線に加えて、定電位信号が供給される２つの保持容量配線を備え、定電位信号が供給される２つの保持容量配線の一方が第３画素電極と容量を形成するとともに、他方が第４画素電極と容量を形成することを特徴とする請求項１～９のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
　第３画素電極と電気的に接続された第３保持容量電極と、第４画素電極と電気的に接続された第４保持容量電極とを備え、定電位信号が供給される２つの保持容量配線の一方が第３保持容量電極と重なり、他方が第４保持容量電極と重なっていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
　定電位信号が供給される２つの保持容量配線の一方が第３画素電極のエッジの一部と重なるとともに、該保持容量配線からは上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通って再び該保持容量配線に合流する保持容量配線延伸部が延伸し、
　定電位信号が供給される２つの保持容量配線の他方が第４画素電極のエッジの一部と重なるとともに、該保持容量配線からは上記エッジの残部と重なるかあるいはその外側を通って再び該保持容量配線に合流する保持容量配線延伸部が延伸していることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
　上記２本の保持容量配線の一方に供給される保持容量配線信号および他方に供給される保持容量配線信号の２つの保持容量配線信号はともに、第１および第２トランジスタがＯＦＦした後にレベルシフトし、これら２つの保持容量配線信号の一方および他方でレベルシフトの向きは同一であるとともに、一方のレベルシフト量がＶＴ、他方のレベルシフト量がＶｔであり、
　第１および第３画素電極間の結合容量の値並びに第２および第４画素電極間の結合容量の値それぞれがＣｋであり、第１～第４副画素の液晶容量がそれぞれＣｊであり、上記２つの保持容量配線の一方および第１画素電極間の容量並びに他方および第２画素電極間の容量それぞれがＣｈである場合には、
　Ｖｔ＜ＶＴ≦Ｖｔ×〔（Ｃｋ＋Ｃｊ）／Ｃｋ〕　となっていることを特徴とする請求項７または８に記載の液晶表示装置。
　上記２本の保持容量配線の一方に供給される保持容量配線信号および他方に供給される保持容量配線信号の２つの保持容量配線信号はともに、第１および第２トランジスタがＯＦＦした後にレベルシフトし、これら２つの保持容量配線信号の一方および他方でレベルシフトの向きは同一であるとともに、一方のレベルシフト量がＶＴ、他方のレベルシフト量がＶｔであり、
　第１および第３画素電極間の結合容量の値並びに第２および第４画素電極間の結合容量の値それぞれがＣｋであり、第１～第４副画素の液晶容量がそれぞれＣｊであり、保持容量配線信号が供給される２つの保持容量配線の一方および第１画素電極間の容量並びに他方および第２画素電極間の容量それぞれがＣｈであり、定電位信号が供給される２つの保持容量配線の一方および第３画素電極間の容量並びに他方および第４画素電極間の容量それぞれがＣｈである場合には、
　Ｖｔ＜ＶＴ≦Ｖｔ×〔（Ｃｋ＋Ｃｊ＋Ｃｈ）／Ｃｋ〕　となっていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
　第１画素電極と電気的に接続された第１結合容量電極と、第２画素電極と電気的に接続された第２結合容量電極を備え、
　第１結合容量電極は、各画素電極下に設けられる層間絶縁膜を介して第３画素電極と重なり、第２結合容量電極は、各画素電極下に設けられる層間絶縁膜を介して第４画素電極と重なっていることを特徴とする請求項１～１２のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
　上記層間絶縁膜は、第３画素電極および第１結合容量電極と重畳する部分の少なくとも一部と、第４画素電極および第２結合容量電極と重畳する部分の少なくとも一部とが薄くなっていることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
　上記層間絶縁膜は無機絶縁膜とこれよりも厚い有機絶縁膜とからなるが、第３画素電極および第１結合容量電極と重畳する部分の少なくとも一部と、第４画素電極および第２結合容量電極と重畳する部分の少なくとも一部とについては、有機絶縁膜が除去されていることを特徴とする請求項１６に記載の液晶表示装置。
　第１画素電極がコンタクトホールを介して第１トランジスタの一導通端子からの引き出し配線に接続されるとともに、該引き出し配線と第１結合容量電極とが同層で繋がり、
　第２画素電極がコンタクトホールを介して第２トランジスタの一導通端子からの引き出し配線に接続されるとともに、該引き出し配線と第２結合容量電極とが同層で繋がっていることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
　第１画素電極がコンタクトホールを介して第１トランジスタの一導通端子からの引き出し配線に接続されるとともに、コンタクトホールを介して第１画素電極に接続された中継配線と第１結合容量電極とが同層で繋がり、
　第２画素電極がコンタクトホールを介して第２トランジスタの一導通端子からの引き出し配線に接続されるとともに、コンタクトホールを介して第２画素電極に接続された中継配線と第２結合容量電極とが同層で繋がっていることを特徴とする請求項１５に記載の液晶表示装置。
　第１画素電極および第３画素電極の間隙と、第２画素電極および第４画素電極の間隙とが、配向規制構造物として機能することを特徴とする請求項１～１９のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
　複数の走査信号線、複数のデータ信号線および複数の保持容量配線を備え、１つの画素に、第１画素電極を含む第１副画素と、第２画素電極を含む第２副画素と、第３画素電極を含む第３副画素と、第４画素電極を含む第４副画素とが設けられた液晶表示装置であって、
　第１画素電極が第１トランジスタを介してデータ信号線に接続され、第２画素電極が第２トランジスタを介してデータ信号線に接続され、上記第１および第２トランジスタが同一の走査信号線に接続され、第１画素電極と第３画素電極とが容量を介して接続されるとともに、第２画素電極と第４画素電極とが容量を介して接続され、
　２本の保持容量配線の一方が第１および３画素電極それぞれと容量を形成するとともに、他方が第２および第４画素電極それぞれと容量を形成し、これら２本の保持容量配線それぞれに、異なる保持容量配線信号が供給されることを特徴とする液晶表示装置。
　上記２本の保持容量配線の一方に供給される保持容量配線信号および他方に供給される保持容量配線信号はともに第１および第２トランジスタがＯＦＦした後にレベルシフトし、これら２つの保持容量配線信号の一方と他方とではレベルシフト量が異なることを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置。
　上記２つの保持容量配線信号の一方と他方とではレベルシフトの向きが同じであることを特徴とする請求項２２に記載の液晶表示装置。
　第１および第２画素電極に供給される信号電位がプラス極性である場合には上記レベルシフトの向きがプラス方向であり、第１および第２画素電極に供給される信号電位がマイナス極性である場合には上記レベルシフトの向きはマイナス方向であることを特徴とする請求項２３に記載の液晶表示装置。
　保持容量配線信号が供給される２つの保持容量配線の一方が、上記画素とその走査方向上流側の画素との間隙に対応して設けられることによって、これら２つの画素の一方に含まれる画素電極の１つおよび他方に含まれる画素電極の１つそれぞれと容量を形成し、保持容量配線信号が供給される２つの保持容量配線の他方が、上記画素とその走査方向下流側の画素との間隙に対応して設けられることによって、これら２つの画素の一方に含まれる画素電極の１つおよび他方に含まれる画素電極の１つそれぞれと容量を形成していることを特徴とする請求項２１～２４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
　保持容量配線信号が供給される２つの保持容量配線が、各画素に対応して設けられていることを特徴とする請求項２１～２４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
　連続する２つのフレームの一方において、上記２つの保持容量配線信号の一方は、そのレベルシフトの向きがプラス方向でかつレベルシフト量がＶＴであり、他方は、そのレベルシフトの向きがプラス方向でかつレベルシフト量がＶｔであり、
　上記２つのフレームの他方において、上記２つの保持容量配線信号の一方は、そのレベルシフトの向きがマイナス方向でかつレベルシフト量がＶＴであり、他方は、そのレベルシフトの向きがマイナス方向でかつレベルシフト量がＶｔであることを特徴とする請求項４または２４に記載の液晶表示装置。
　連続する第１～第４フレームの第１フレームにおいて、上記２つの保持容量配線信号の一方は、そのレベルシフトの向きがプラス方向でかつレベルシフト量がＶＴであり、他方は、そのレベルシフトの向きがプラス方向でかつレベルシフト量がＶｔであり、
　第２フレームにおいて、上記２つの保持容量配線信号の一方は、そのレベルシフトの向きがマイナス方向でかつレベルシフト量がＶｔであり、他方は、そのレベルシフトの向きがマイナス方向でかつレベルシフト量がＶＴであり、
　第３フレームにおいて、上記２つの保持容量配線信号の一方は、そのレベルシフトの向きがプラス方向でかつレベルシフト量がＶｔであり、他方は、そのレベルシフトの向きがプラス方向でかつレベルシフト量がＶＴであり、
　第４フレームにおいて、上記２つの保持容量配線信号の一方は、そのレベルシフトの向きがマイナス方向でかつレベルシフト量がＶＴであり、他方は、そのレベルシフトの向きがマイナス方向でかつレベルシフト量がＶｔであることを特徴とする請求項４または２４に記載の液晶表示装置。
　請求項１～２８のいずれか１項に記載の液晶表示装置と、テレビジョン放送を受信するチューナー部とを備えることを特徴とするテレビジョン受像機。