JPH04353641A - 光磁気記録用単板光ディスク - Google Patents
光磁気記録用単板光ディスクInfo
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- JPH04353641A JPH04353641A JP3127658A JP12765891A JPH04353641A JP H04353641 A JPH04353641 A JP H04353641A JP 3127658 A JP3127658 A JP 3127658A JP 12765891 A JP12765891 A JP 12765891A JP H04353641 A JPH04353641 A JP H04353641A
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- Inorganic Chemistry (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学効果を利用し
てレーザー光により情報の書込・読出を行う単板光ディ
スクに関する。
てレーザー光により情報の書込・読出を行う単板光ディ
スクに関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光により情報の書込・読出を行
う光ディスクは、記録密度が高いことから大容量記憶装
置として優れた特徴を有している。特にいわゆる単板光
ディスクは２容量であるとともにコンパクト性がある。
う光ディスクは、記録密度が高いことから大容量記憶装
置として優れた特徴を有している。特にいわゆる単板光
ディスクは２容量であるとともにコンパクト性がある。
【０００３】一般に書換可能な光ディスクとしては、カ
ー効果を利用した光磁気形のものが用いられている。
ー効果を利用した光磁気形のものが用いられている。
【０００４】従来の光磁気記録用単板光ディスクを図６
に示す。
に示す。
【０００５】図６に示す光磁気記録用単板光ディスクは
、基板１の上に第１の透明干渉層２、その上に鉄族遷移
金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体か
らなる垂直磁化可能な光磁気層３、その上に第２の透明
干渉層４、その上に反射層５を順に設けたものである。
、基板１の上に第１の透明干渉層２、その上に鉄族遷移
金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体か
らなる垂直磁化可能な光磁気層３、その上に第２の透明
干渉層４、その上に反射層５を順に設けたものである。
【０００６】書込および読出用のレーザー光は基板１を
通して入射し、光磁気層３の近傍でおよそφ１．４μｍ
になるようにフォーカシング・サーボにより集光され
る。レーザー光源としては波長８３００オングストロー
ム前後の半導体レーザーが用いられる。
通して入射し、光磁気層３の近傍でおよそφ１．４μｍ
になるようにフォーカシング・サーボにより集光され
る。レーザー光源としては波長８３００オングストロー
ム前後の半導体レーザーが用いられる。
【０００７】情報の書込は、情報に対応させて高パワー
のレーザー光を照射することにより、光磁気層３にレー
ザー光のエネルギーを吸収させ、それを熱エネルギーに
変換させ、キュリー温度近傍に昇温させる。この昇温部
分を含む領域に記録バイアス磁界をかけておくことによ
り、この部分の磁化を他の部分とは逆の方行に配向せし
めることにより情報の書込を行う。
のレーザー光を照射することにより、光磁気層３にレー
ザー光のエネルギーを吸収させ、それを熱エネルギーに
変換させ、キュリー温度近傍に昇温させる。この昇温部
分を含む領域に記録バイアス磁界をかけておくことによ
り、この部分の磁化を他の部分とは逆の方行に配向せし
めることにより情報の書込を行う。
【０００８】情報の読出は、直接偏光した集束レーザー
光を光磁気層３に照射し、そこからの反射光を検光子を
介して光学的に検出することによる。光磁気膜はカー効
果により反射光の偏光面を回転させる効果があるので、
反射光の偏光面の回転角θｋ が光磁気層３の垂直磁化
の向きにより異なることを利用して、反射光が光検出器
に入る前に検光子を通し、磁化の向きに対応した情報を
光量変化として読出すことができる。
光を光磁気層３に照射し、そこからの反射光を検光子を
介して光学的に検出することによる。光磁気膜はカー効
果により反射光の偏光面を回転させる効果があるので、
反射光の偏光面の回転角θｋ が光磁気層３の垂直磁化
の向きにより異なることを利用して、反射光が光検出器
に入る前に検光子を通し、磁化の向きに対応した情報を
光量変化として読出すことができる。
【０００９】光磁気層３の材料としてはＴｂＦｅＣｏの
３元合金やＤｙＦｅＣｏの３元合金が提案されている（
例えば、特公平１−２３９２７公報）。このような光磁
気材料は非常に酸化されやすいので、第１の透明干渉層
２と第２の透明干渉層４とで挟みこむことにより光磁気
層３が酸化することを防いでいる。通常、第１の透明干
渉層２や第２の透明干渉層４としては窒化シリコン膜が
用いられている。
３元合金やＤｙＦｅＣｏの３元合金が提案されている（
例えば、特公平１−２３９２７公報）。このような光磁
気材料は非常に酸化されやすいので、第１の透明干渉層
２と第２の透明干渉層４とで挟みこむことにより光磁気
層３が酸化することを防いでいる。通常、第１の透明干
渉層２や第２の透明干渉層４としては窒化シリコン膜が
用いられている。
【００１０】光磁気材料のθｋ は小さいので、第１の
透明干渉層２と第２の透明干渉層４と反射層５とによる
多重干渉効果による読出信号の増幅が行われる。
透明干渉層２と第２の透明干渉層４と反射層５とによる
多重干渉効果による読出信号の増幅が行われる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
従来の光磁気記録用単板光ディスクでは、高温高湿環境
に長時間保存した場合、酸化がおこり、引いては情報が
破壊されてしまうという問題点がある。
従来の光磁気記録用単板光ディスクでは、高温高湿環境
に長時間保存した場合、酸化がおこり、引いては情報が
破壊されてしまうという問題点がある。
【００１２】本発明の目的は、高温高湿下においても酸
化が発生することのない単板光ディスクを提供すること
にある。
化が発生することのない単板光ディスクを提供すること
にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、ディスク基板
上に第１の透明干渉層と光磁気層と第２の透明干渉層と
反射層とをこの順に少なくとも設け、レーザー光を該デ
ィスク基板を通して該光磁気層に集束として照射するこ
とにより情報の書込を行い、レーザー光を該ディスク基
板を通して該光磁気層に集束して移動させながら照射す
ることにより情報の読出を行うようにした光磁気記録用
置単板光ディスクであって、前記反射層上にＺｎＳとＳ
ｉＯ２ とを必須成分とする保護層が設けられているこ
とを特徴としている。
上に第１の透明干渉層と光磁気層と第２の透明干渉層と
反射層とをこの順に少なくとも設け、レーザー光を該デ
ィスク基板を通して該光磁気層に集束として照射するこ
とにより情報の書込を行い、レーザー光を該ディスク基
板を通して該光磁気層に集束して移動させながら照射す
ることにより情報の読出を行うようにした光磁気記録用
置単板光ディスクであって、前記反射層上にＺｎＳとＳ
ｉＯ２ とを必須成分とする保護層が設けられているこ
とを特徴としている。
【００１４】
【実施例】次に、本発明の実施例について、図面を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
【００１５】図１は本発明の一実施例を示す概略断面図
である。
である。
【００１６】図１に示す光磁気記録用単板光ディスクは
、基板１の上に第１の透明干渉層２を設け、その上に光
鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ
磁性体からなる垂直磁化可能な光磁気層３を設け、その
上に第２の透明干渉層４を設け、その上にＡｌ合金の反
射層５を設け、その上にＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物
の保護層６を設けたものである。
、基板１の上に第１の透明干渉層２を設け、その上に光
鉄族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ
磁性体からなる垂直磁化可能な光磁気層３を設け、その
上に第２の透明干渉層４を設け、その上にＡｌ合金の反
射層５を設け、その上にＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物
の保護層６を設けたものである。
【００１７】書込および読出用のレーザー光は基板１を
通して入射し、光磁気層３の近傍でおよそφ１．４μｍ
になるようにフォーカシング・サーボにより集光する
。 レーザー光源としては波長６７００〜８３００オングス
トローム前後の半導体レーザーを用いる。
通して入射し、光磁気層３の近傍でおよそφ１．４μｍ
になるようにフォーカシング・サーボにより集光する
。 レーザー光源としては波長６７００〜８３００オングス
トローム前後の半導体レーザーを用いる。
【００１８】基板１としては、ポリカーボネイト樹脂板
や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポリマ
ーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１には、
トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成し
ておくことが望ましい。トラックピッチはおよそ１．２
〜１．６μｍ である。
や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォトポリマ
ーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１には、
トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを形成し
ておくことが望ましい。トラックピッチはおよそ１．２
〜１．６μｍ である。
【００１９】第１の透明干渉層２の材料としては、窒化
シリコンが最も望ましいが、ＺｎＳと金属酸化物との混
合物、ＺｎＳと金属窒化物との混合物、ＺｎＳと金属炭
化物との混合物、ＺｎＳと金属フッ化物との混合物、Ｚ
ｎＳと金属ホウ化物との混合物、ＺｎＳと他の金属硫化
物との混合物、高屈折率の多元金属酸化物、窒化アルミ
ニウム、窒化酸化シリコン、サイアロン（ＳｉＡｌＯＮ
）でもよい。また多層膜で形成してもよい。
シリコンが最も望ましいが、ＺｎＳと金属酸化物との混
合物、ＺｎＳと金属窒化物との混合物、ＺｎＳと金属炭
化物との混合物、ＺｎＳと金属フッ化物との混合物、Ｚ
ｎＳと金属ホウ化物との混合物、ＺｎＳと他の金属硫化
物との混合物、高屈折率の多元金属酸化物、窒化アルミ
ニウム、窒化酸化シリコン、サイアロン（ＳｉＡｌＯＮ
）でもよい。また多層膜で形成してもよい。
【００２０】第２の透明干渉層４の材料としては、窒化
シリコンが最も望ましいが、ＺｎＳと金属酸化物との混
合物、ＺｎＳと金属窒化物との混合物、ＺｎＳと金属炭
化物との混合物、ＺｎＳと金属フッ化物との混合物、Ｚ
ｎＳと金属ホウ化物との混合物、ＺｎＳと他の金属硫化
物との混合物、高屈折率の多元金属酸化物、窒化アルミ
ニウム、窒化酸化シリコン、サイアロンでもよい。また
多層膜で形成してもよい。
シリコンが最も望ましいが、ＺｎＳと金属酸化物との混
合物、ＺｎＳと金属窒化物との混合物、ＺｎＳと金属炭
化物との混合物、ＺｎＳと金属フッ化物との混合物、Ｚ
ｎＳと金属ホウ化物との混合物、ＺｎＳと他の金属硫化
物との混合物、高屈折率の多元金属酸化物、窒化アルミ
ニウム、窒化酸化シリコン、サイアロンでもよい。また
多層膜で形成してもよい。
【００２１】光磁気層３の材料としては、ＴｂＦｅＴｉ
、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、ＴｂＦｅＮｉＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦｅＰｔ、ＴｂＦｅＣ
ｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦ
ｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ
、ＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｉＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｎｂ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ、ＴｂＮｄＦｅＣｏＴｉ、
ＴｂＮｄＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＮｄＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＮ
ｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＮｄＦｅＣｏＴａ、ＴｂＮｄ
ＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＮｄＦｅＣｏＰｔ、ＴｂＧｄＦｅＣ
ｏＴｉ、ＴｂＧｄＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉ
、ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＧｄＦｅＣｏＴａ、
ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＧｄＦｅＣｏＰｔが望まし
く、とくにＴｂＦｅＣｏＴｉが望ましい。
、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、ＴｂＦｅＮｉＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦｅＰｔ、ＴｂＦｅＣ
ｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦ
ｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏＮｂ
、ＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、ＴｂＤｙ
ＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏＮｉＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ
Ｎｂ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ、ＴｂＮｄＦｅＣｏＴｉ、
ＴｂＮｄＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＮｄＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＮ
ｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＮｄＦｅＣｏＴａ、ＴｂＮｄ
ＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＮｄＦｅＣｏＰｔ、ＴｂＧｄＦｅＣ
ｏＴｉ、ＴｂＧｄＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉ
、ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＧｄＦｅＣｏＴａ、
ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＧｄＦｅＣｏＰｔが望まし
く、とくにＴｂＦｅＣｏＴｉが望ましい。
【００２２】本発明者らは保護層６の材料を数々試みた
結果、保護層６の材料をＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物
とすることにより、耐候性に優れる光磁気記録用単板光
ディスクが得られる。
結果、保護層６の材料をＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物
とすることにより、耐候性に優れる光磁気記録用単板光
ディスクが得られる。
【００２３】次に、本発明の他の実施例について、図２
に示す概略断面図を参照して説明する。
に示す概略断面図を参照して説明する。
【００２４】図２に示す光磁気記録用単板光ディスクは
、基板１の上に第１の透明干渉層２を設け、その上に鉄
族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁
性体からなる垂直磁化可能な光磁気層３を設け、その上
に第２の透明干渉層４を設け、その上にＡｌ合金の反射
層５を設け、その上にＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の
保護層６を設け、その上にＵＶ硬化樹脂のオーバーコー
ト層７を設けたものである。
、基板１の上に第１の透明干渉層２を設け、その上に鉄
族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁
性体からなる垂直磁化可能な光磁気層３を設け、その上
に第２の透明干渉層４を設け、その上にＡｌ合金の反射
層５を設け、その上にＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の
保護層６を設け、その上にＵＶ硬化樹脂のオーバーコー
ト層７を設けたものである。
【００２５】ＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の保護層６
の上にＵＶ硬化樹脂のオーバーコート層７を設けること
により、さらに耐候性に優れる光磁気記録用単板光ディ
スクが得られる。
の上にＵＶ硬化樹脂のオーバーコート層７を設けること
により、さらに耐候性に優れる光磁気記録用単板光ディ
スクが得られる。
【００２６】その具体例については図３を用いて説明す
る。
る。
【００２７】案内溝が形成されている直径８６ｍｍ、厚
さ１．２０ｍｍのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板
１をスパッタ装置内に載置し、５×１０−５Ｔｏｒｒ以
下に真空排気した後、ポリカーボネイト樹脂表面をおよ
そ６０オングストローム程度逆スパッタし、しかる後タ
ンタルターゲットをアルゴンと酸素との混合ガスにより
スパッタすることにより３００オングストローム厚の酸
化タンタルの付着層３１を設け、その上にシリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスによりスパッタす
ることにより６５０オングストローム厚の窒化シリコン
の第１の透明干渉層２を設けた。
さ１．２０ｍｍのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板
１をスパッタ装置内に載置し、５×１０−５Ｔｏｒｒ以
下に真空排気した後、ポリカーボネイト樹脂表面をおよ
そ６０オングストローム程度逆スパッタし、しかる後タ
ンタルターゲットをアルゴンと酸素との混合ガスにより
スパッタすることにより３００オングストローム厚の酸
化タンタルの付着層３１を設け、その上にシリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスによりスパッタす
ることにより６５０オングストローム厚の窒化シリコン
の第１の透明干渉層２を設けた。
【００２８】次に、窒化シリコンを１０オングストロー
ム程度逆スパッタし、しかる後ＴｂＦｅＣｏＴｉターゲ
ットをアルゴンガスによりスパッタすることにより２０
０オングストローム厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の光
磁気層３を形成した。シリコンターゲットをアルゴンと
窒素との混合ガスによりスパッタすることにより２５０
オングストローム厚の窒化シリコンの第２の透明干渉層
４を設けた。その上にＡｌＴｉ合金ターゲット（Ｔｉの
含有量は１重量％）をアルゴンガスによりスパッタする
ことにより３００オングストローム厚のＡｌＴｉの反射
層５を設け、その上にＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の
焼結ターゲット（ＳｉＯ２ の含有量はおよそ２０モル
％）をアルゴンガスによりスパッタすることにより３０
０オングストローム厚のＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物
の保護層６を設けた。この後、スパッタ装置から大気中
に取り出し、保護層６の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコー
トし、紫外線（ＵＶ）照射することによりＵＶ硬化樹脂
の１０μｍ 厚のオーバーコート層７を設け、図３に示
す構成の光磁気記録用単板光ディスクを作製した。
ム程度逆スパッタし、しかる後ＴｂＦｅＣｏＴｉターゲ
ットをアルゴンガスによりスパッタすることにより２０
０オングストローム厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の光
磁気層３を形成した。シリコンターゲットをアルゴンと
窒素との混合ガスによりスパッタすることにより２５０
オングストローム厚の窒化シリコンの第２の透明干渉層
４を設けた。その上にＡｌＴｉ合金ターゲット（Ｔｉの
含有量は１重量％）をアルゴンガスによりスパッタする
ことにより３００オングストローム厚のＡｌＴｉの反射
層５を設け、その上にＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の
焼結ターゲット（ＳｉＯ２ の含有量はおよそ２０モル
％）をアルゴンガスによりスパッタすることにより３０
０オングストローム厚のＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物
の保護層６を設けた。この後、スパッタ装置から大気中
に取り出し、保護層６の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコー
トし、紫外線（ＵＶ）照射することによりＵＶ硬化樹脂
の１０μｍ 厚のオーバーコート層７を設け、図３に示
す構成の光磁気記録用単板光ディスクを作製した。
【００２９】この光磁気記録用単板光ディスクを３６０
０ｒｐｍ で回転させ、波長７８００オングストローム
の半導体レーザー光を基板１を通して光磁気層３上でお
よそφ１．４μｍ に絞って照射した。半径３０ｍｍの
ところで記録周波数２．１２ＭＨｚ の信号をデューテ
ィ５０％、記録バイアス磁界３５０エルステッド、記録
パワー９ｍＷで書込を行ったところ、４６ｄＢの搬送波
対雑音比（Ｃ／Ｎ）が得られ、記録感度がよくかつ信号
品質もよい光磁気記録用単板光ディスクであることが確
認された。
０ｒｐｍ で回転させ、波長７８００オングストローム
の半導体レーザー光を基板１を通して光磁気層３上でお
よそφ１．４μｍ に絞って照射した。半径３０ｍｍの
ところで記録周波数２．１２ＭＨｚ の信号をデューテ
ィ５０％、記録バイアス磁界３５０エルステッド、記録
パワー９ｍＷで書込を行ったところ、４６ｄＢの搬送波
対雑音比（Ｃ／Ｎ）が得られ、記録感度がよくかつ信号
品質もよい光磁気記録用単板光ディスクであることが確
認された。
【００３０】この光磁気記録用単板光ディスクを８０℃
９０％の高温高湿環境に５００時間保存した後でも酸化
や剥離はなく、実用に供せる光磁気記録用単板光ディス
クであることが確認された。
９０％の高温高湿環境に５００時間保存した後でも酸化
や剥離はなく、実用に供せる光磁気記録用単板光ディス
クであることが確認された。
【００３１】次に、本発明のさらに他の実施例について
、図４に示す概略断面図を参照して説明する。
、図４に示す概略断面図を参照して説明する。
【００３２】図４に示す光磁気記録用単板光ディスクは
、基板１の上に第１の透明干渉層２を設け、その上に鉄
族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁
性体からなる垂直磁化可能な光磁気層３を設け、その上
に第２の透明干渉層４を設け、その上にＡｌ合金の反射
層５を設け、その上にＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の
保護層６を設け、その上にＵＶ硬化樹脂のオーバーコー
ト層７を設けるとともに、これらの層の反対側の基板１
の上にＳｉＯ２ のバックコート層８を設けたものであ
る。
、基板１の上に第１の透明干渉層２を設け、その上に鉄
族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁
性体からなる垂直磁化可能な光磁気層３を設け、その上
に第２の透明干渉層４を設け、その上にＡｌ合金の反射
層５を設け、その上にＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の
保護層６を設け、その上にＵＶ硬化樹脂のオーバーコー
ト層７を設けるとともに、これらの層の反対側の基板１
の上にＳｉＯ２ のバックコート層８を設けたものであ
る。
【００３３】反対側の基板面上にＳｉＯ２ のバックコ
ート層８を設けることにより、さらに耐候性に優れる光
磁気記録用単板光ディスクが得られる。これは、基板１
の中に水の分子を入りにくくすることにより、急激な湿
度変化に光磁気記録用単板光ディスクがさらされても、
反りがおこりにくくなるためである。
ート層８を設けることにより、さらに耐候性に優れる光
磁気記録用単板光ディスクが得られる。これは、基板１
の中に水の分子を入りにくくすることにより、急激な湿
度変化に光磁気記録用単板光ディスクがさらされても、
反りがおこりにくくなるためである。
【００３４】この具体例については図５を用いて説明す
る。
る。
【００３５】案内溝が形成されている直径８６ｍｍ、厚
さ１．２０ｍｍのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板
１をスッパタ装置内に載置し、５×１０−７Ｔｏｒｒ以
下に真空排気した後、ポリカーボネイト樹脂表面をおよ
そ６０オングストローム程度逆スパッタし、しかる後タ
ンタルターゲットをアルゴンと酸素との混合ガスにより
スパッタすることにより３００オングストローム厚の酸
化タンタルの付着層５１を設け、その上にシリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスによりスパッタす
ることにより６５０オングストローム厚の窒化シリコン
の第１の透明干渉層２を設けた。
さ１．２０ｍｍのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板
１をスッパタ装置内に載置し、５×１０−７Ｔｏｒｒ以
下に真空排気した後、ポリカーボネイト樹脂表面をおよ
そ６０オングストローム程度逆スパッタし、しかる後タ
ンタルターゲットをアルゴンと酸素との混合ガスにより
スパッタすることにより３００オングストローム厚の酸
化タンタルの付着層５１を設け、その上にシリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスによりスパッタす
ることにより６５０オングストローム厚の窒化シリコン
の第１の透明干渉層２を設けた。
【００３６】次に、ＴｂＦｅＣｏＴｉターゲットをアル
ゴンガスによりスパッタすることにより２００オングス
トローム厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の光磁気層３を
形成した。シリコンターゲットをアルゴンと窒素との混
合ガスによりスパッタすることにより２５０オングスト
ローム厚の窒化シリコンの第２の透明干渉層４を設けた
。その上にＡｌＴｉ合金ターゲット（Ｔｉの含有量は１
重量％）をアルゴンガスによりスパッタすることにより
３００オングストローム厚のＡｌＴｉの反射層５を設け
、その上にＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の焼結ターゲ
ット（ＳｉＯ２ の含有量はおよそ２０モル％）をアル
ゴンガスによりスパッタすることにより３００オングス
トローム厚のＺｎＳとＳｉＯ２との混合物の保護層６を
設け、この後、スパッタ装置から大気中に取り出し、保
護層６の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ照射
することによりＵＶ硬化樹脂の１０μｍ 厚のオーバー
コート層７を設けた。しかる後、スパッタ装置内に再び
載置し、９×１０−７Ｔｏｒｒ以下に真空排気した後、
ポリカーボネイト樹脂表面をおよそ２０オングストロー
ム程度逆スパッタし、しかる後ＳｉＯ２ ターゲットを
アルゴンガスによりスパッタすることにより５００オン
グストローム厚のＳｉＯ２ のバックコート層８を反対
側の基板面に設け、図５に示すような構成の光磁気記録
用単板光ディスクを作製した。
ゴンガスによりスパッタすることにより２００オングス
トローム厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質の光磁気層３を
形成した。シリコンターゲットをアルゴンと窒素との混
合ガスによりスパッタすることにより２５０オングスト
ローム厚の窒化シリコンの第２の透明干渉層４を設けた
。その上にＡｌＴｉ合金ターゲット（Ｔｉの含有量は１
重量％）をアルゴンガスによりスパッタすることにより
３００オングストローム厚のＡｌＴｉの反射層５を設け
、その上にＺｎＳとＳｉＯ２ との混合物の焼結ターゲ
ット（ＳｉＯ２ の含有量はおよそ２０モル％）をアル
ゴンガスによりスパッタすることにより３００オングス
トローム厚のＺｎＳとＳｉＯ２との混合物の保護層６を
設け、この後、スパッタ装置から大気中に取り出し、保
護層６の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ照射
することによりＵＶ硬化樹脂の１０μｍ 厚のオーバー
コート層７を設けた。しかる後、スパッタ装置内に再び
載置し、９×１０−７Ｔｏｒｒ以下に真空排気した後、
ポリカーボネイト樹脂表面をおよそ２０オングストロー
ム程度逆スパッタし、しかる後ＳｉＯ２ ターゲットを
アルゴンガスによりスパッタすることにより５００オン
グストローム厚のＳｉＯ２ のバックコート層８を反対
側の基板面に設け、図５に示すような構成の光磁気記録
用単板光ディスクを作製した。
【００３７】
【００３８】この光磁気記録用単板光ディスクを３６０
０ｒｐｍ で回転させ、波長７８００オングストローム
の半導体レーザー光を基板１を通して光磁気層３上でお
よそφ１．４μｍ に絞って照射した。半径３０ｍｍの
ところで記録周波数２．１２ＭＨｚ の信号をデューテ
ィ５０％、記録バイアス磁界３５０エルステッド、記録
パワー９ｍＷで書込を行ったところ、４６ｄＢのＣ／Ｎ
が得られ、記録感度がよくかつ信号品質もよい光磁気記
録用単板光ディスクであることが確認された。
０ｒｐｍ で回転させ、波長７８００オングストローム
の半導体レーザー光を基板１を通して光磁気層３上でお
よそφ１．４μｍ に絞って照射した。半径３０ｍｍの
ところで記録周波数２．１２ＭＨｚ の信号をデューテ
ィ５０％、記録バイアス磁界３５０エルステッド、記録
パワー９ｍＷで書込を行ったところ、４６ｄＢのＣ／Ｎ
が得られ、記録感度がよくかつ信号品質もよい光磁気記
録用単板光ディスクであることが確認された。
【００３９】この光磁気記録用単板光ディスクを８０℃
９０％の高温高湿環境に５００時間保存した後でも酸化
や剥離はなく、実用に供せる光磁気記録用単板光ディス
クであることが確認された。
９０％の高温高湿環境に５００時間保存した後でも酸化
や剥離はなく、実用に供せる光磁気記録用単板光ディス
クであることが確認された。
【００４０】なお、ここでの具体例ではＵＶ硬化樹脂の
オーバーコート層７を設けてからＳｉＯ２ のバックコ
ート層８を設けたが、ＳｉＯ２ のバックコート層８は
ＵＶ硬化樹脂のオーバーコート層７の前に設けてもよい
。
オーバーコート層７を設けてからＳｉＯ２ のバックコ
ート層８を設けたが、ＳｉＯ２ のバックコート層８は
ＵＶ硬化樹脂のオーバーコート層７の前に設けてもよい
。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように本発明の光磁気記録
用単板光ディスクでは、反射層上にＺｎＳ及びＳｉＯ２
を必須成分とする保護層を設けるようにしたから、書
込・読出特性と共に耐候性にも優れるものになるという
効果がある。
用単板光ディスクでは、反射層上にＺｎＳ及びＳｉＯ２
を必須成分とする保護層を設けるようにしたから、書
込・読出特性と共に耐候性にも優れるものになるという
効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の他の実施例を示す概略断面図である。
【図３】本発明の他の実施例を示す概略断面図である。
【図４】本発明のさらに他の実施例を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図５】本発明のさらに他の実施例を示す概略断面図で
ある。
ある。
【図６】従来例を示す概略断面図である。
１ 基板
２ 第１の透明干渉層
３ 光磁気層
４ 第２の透明干渉層
５ 反射層
６ 保護層
７ オーバーコート層
８ バックコート層
３１，５１ 付着層
Claims (5)
- 【請求項１】 ディスク基板上に少なくとも第１の透
明干渉層と光磁気層と第２の透明干渉層と反射層とをこ
の順に設け、レーザー光を該ディスク基板を通して該光
磁気層に集束して照射することにより情報の書込を行い
、レーザー光を該ディスク基板を通して該光磁気層に集
束して移動させながら照射することにより情報の読出を
行うようにした光磁気記録用単板光ディスクにおいて、
前記反射層の上にＺｎＳとＳｉＯ２ とを必須成分とす
る保護層を設けることを特徴とする光磁気記録用単板光
ディスク。 - 【請求項２】 前記保護層の上にさらにＵＶ硬化樹脂
のオーバーコート層を設けたことを特徴とする請求項１
に記載の光磁気記録用単板光ディスク。 - 【請求項３】 前記第１の透明干渉層と反対側のディ
スク基板表面上にＳｉＯ２ バックコート層を設けたこ
とを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光磁気記
録用単板光ディスク。 - 【請求項４】 前記第１の透明干渉層は窒化シリコン
であり、第２の透明干渉層は窒化シリコンであり、反射
層はＡｌ合金であることを特徴とする請求項１、請求項
２又は請求項３に記載の光磁気記録用単板光ディスク。 - 【請求項５】 前記光磁気層ＴｂＦｅＣｏＴｉが必須
成分であることを特徴とする請求項４に記載の光磁気記
録用単板光ディスク。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3127658A JPH04353641A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 光磁気記録用単板光ディスク |
| DE1992618292 DE69218292T2 (de) | 1991-05-30 | 1992-06-01 | Optischer Informationsaufzeichnungsträger in welchem eine Schutzschicht eine aus ZnS und SiO2 bestehende Mischungsschicht enthält |
| EP19920109178 EP0516178B1 (en) | 1991-05-30 | 1992-06-01 | Optical information recording medium in which a protective layer comprises a mixture layer containing ZnS and SiO2 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3127658A JPH04353641A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 光磁気記録用単板光ディスク |
Publications (1)
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|---|---|
| JPH04353641A true JPH04353641A (ja) | 1992-12-08 |
Family
ID=14965530
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP3127658A Pending JPH04353641A (ja) | 1991-05-30 | 1991-05-30 | 光磁気記録用単板光ディスク |
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|---|---|---|---|---|
| KR100765017B1 (ko) * | 1999-05-14 | 2007-10-09 | 오씨 외를리콘 발처스 악티엔게젤샤프트 | 하이브리드 디스크의 제조 방법 및 하이브리드 디스크 |
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- 1992-06-01 EP EP19920109178 patent/EP0516178B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100765017B1 (ko) * | 1999-05-14 | 2007-10-09 | 오씨 외를리콘 발처스 악티엔게젤샤프트 | 하이브리드 디스크의 제조 방법 및 하이브리드 디스크 |
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| A02 | Decision of refusal |
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