JP2817505B2 - 光磁気記録用単板光ディスクとその記録再生方法 - Google Patents
光磁気記録用単板光ディスクとその記録再生方法Info
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 56
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 106
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 21
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 16
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 8
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical class [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 7
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910017150 AlTi Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 4
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 3
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002902 ferrimagnetic material Substances 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- -1 iron group transition metal Chemical class 0.000 description 3
- 229910002546 FeCo Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001151 AlNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017141 AlTa Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015371 AuCu Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
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- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁界を変調することに
より情報の書込を行い、磁気光学効果を利用してレーザ
ー光により情報の読出しを行う単板光ディスクとその記
録再生方法に関する。
より情報の書込を行い、磁気光学効果を利用してレーザ
ー光により情報の読出しを行う単板光ディスクとその記
録再生方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光により情報の読出しを行う光
ディスクは、記録密度が高いことから大容量記憶装置と
して優れた特徴を有している。特に単板光ディスクはそ
のコンパクト性のため期待されている。一般に書換可能
な光ディスクとしては、カー効果を利用した光磁気形の
ものが用いられている。
ディスクは、記録密度が高いことから大容量記憶装置と
して優れた特徴を有している。特に単板光ディスクはそ
のコンパクト性のため期待されている。一般に書換可能
な光ディスクとしては、カー効果を利用した光磁気形の
ものが用いられている。
【０００３】代表的な従来の光磁気記録用単板光ディス
クを図７に示す。図７に示す光磁気記録用単板光ディス
クは、基板１０１の上に透明干渉層１０２、その上に鉄
族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁
性体からなる垂直磁化可能な光磁気層１０３、その上に
誘電体保護層１０４、その上にＡｌＴｉ合金等の金属反
射層１０５、その上に有機物の保護層１０６を順に設け
たものである。
クを図７に示す。図７に示す光磁気記録用単板光ディス
クは、基板１０１の上に透明干渉層１０２、その上に鉄
族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁
性体からなる垂直磁化可能な光磁気層１０３、その上に
誘電体保護層１０４、その上にＡｌＴｉ合金等の金属反
射層１０５、その上に有機物の保護層１０６を順に設け
たものである。
【０００４】書込および読出用のレーザー光は基板１０
１を通して入射し、光磁気層１０３の近傍でおよそφ
１．４μｍになるようにフォーカシング・サーボにより
集光される。レーザー光源としては波長８３０ｎｍ前後
の半導体レーザーが用いられる。
１を通して入射し、光磁気層１０３の近傍でおよそφ
１．４μｍになるようにフォーカシング・サーボにより
集光される。レーザー光源としては波長８３０ｎｍ前後
の半導体レーザーが用いられる。
【０００５】情報の書込は、情報に対応させて高パワー
のレーザー光を照射することにより、光磁気層１０３に
レーザー光のエネルギーを吸収させ、それを熱エネルギ
ーに変換させ、キュリー温度近傍に昇温させる。この部
分を含む領域に記録バイアス磁界をかけておくことによ
り、この部分の磁化を他の部分とは逆の方向に配向せし
めることにより情報の書込を行う。
のレーザー光を照射することにより、光磁気層１０３に
レーザー光のエネルギーを吸収させ、それを熱エネルギ
ーに変換させ、キュリー温度近傍に昇温させる。この部
分を含む領域に記録バイアス磁界をかけておくことによ
り、この部分の磁化を他の部分とは逆の方向に配向せし
めることにより情報の書込を行う。
【０００６】情報の読出しは、直線偏光した低いパワー
のレーザー光を光磁気層１０３に照射し、そこからの反
射光を検光子を介して光学的に検出することによる。光
磁気膜はカー効果により反射光の偏光面を回転させる効
果があるので、反射光の偏光面の回転角θｋが光磁気層
１０３の垂直磁化の向きにより異なることを利用して、
反射光が光検出器に入る前に検光子を通し、磁化の向き
に対応した情報を光量変化として読出すことができる。
のレーザー光を光磁気層１０３に照射し、そこからの反
射光を検光子を介して光学的に検出することによる。光
磁気膜はカー効果により反射光の偏光面を回転させる効
果があるので、反射光の偏光面の回転角θｋが光磁気層
１０３の垂直磁化の向きにより異なることを利用して、
反射光が光検出器に入る前に検光子を通し、磁化の向き
に対応した情報を光量変化として読出すことができる。
【０００７】光磁気層１０３の材料としては例えばＴｂ
ＦｅＣｏの３元合金やＤｙＦｅＣｏの３元合金が提案さ
れている（特公平１−２３９２７号公報）。このような
光磁気材料は非常に酸化されやすいので、透明干渉層１
０２と誘電体保護層１０４とで挟みこむことにより光磁
気層１０３が酸化することを防いでいる。光磁気材料の
θｋは通常小さいので、透明干渉層１０２と誘電体保護
層１０４と金属反射層１０５とによる多重干渉効果によ
る読出信号の増幅が行われる。
ＦｅＣｏの３元合金やＤｙＦｅＣｏの３元合金が提案さ
れている（特公平１−２３９２７号公報）。このような
光磁気材料は非常に酸化されやすいので、透明干渉層１
０２と誘電体保護層１０４とで挟みこむことにより光磁
気層１０３が酸化することを防いでいる。光磁気材料の
θｋは通常小さいので、透明干渉層１０２と誘電体保護
層１０４と金属反射層１０５とによる多重干渉効果によ
る読出信号の増幅が行われる。
【０００８】一方別の情報書込方法として、高いパワー
のレーザー光をディスク基板１０１を通して光磁気層１
０３に照射するとともに記録したい２値情報に対応させ
て極性の異なる磁界を印加することにより、情報に対応
させて磁化を配向せしめるという方法が提案されている
（特公昭６０−４８８０６号公報）。この方法は磁界変
調法とよばれ、オーバーライト書換が可能なことから注
目されている。
のレーザー光をディスク基板１０１を通して光磁気層１
０３に照射するとともに記録したい２値情報に対応させ
て極性の異なる磁界を印加することにより、情報に対応
させて磁化を配向せしめるという方法が提案されている
（特公昭６０−４８８０６号公報）。この方法は磁界変
調法とよばれ、オーバーライト書換が可能なことから注
目されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述した
従来の光磁気記録用単板光ディスクおよびその記録再生
方法で、真に良好な記録再生特性を有する実用的な光デ
ィスクおよびその記録再生方法はなかった。
従来の光磁気記録用単板光ディスクおよびその記録再生
方法で、真に良好な記録再生特性を有する実用的な光デ
ィスクおよびその記録再生方法はなかった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１の発明の光磁気記録
用単板光ディスクは、ディスク基板上に透明干渉層と第
１の光磁気層と第２の光磁気層と誘電体保護層と金属放
熱層とをこの順に少なくとも設け、高いパワーのレーザ
ー光を該ディスク基板を通して該第１の光磁気層に集束
して照射するとともにその照射領域に２値情報に対応さ
せて極性の異なる磁界を印加することにより情報の書込
を行い、低いパワーのレーザー光を該ディスク基板を通
して該第１の光磁気層に集束して移動させながら照射す
ることにより情報の読出しを行うようにした光磁気記録
用単板光ディスクであって、前記第１の光磁気層はＧｄ
ＦｅＣｏであり、前記第２の光磁気層はＴｂＦｅＴｉで
あるように構成する。
用単板光ディスクは、ディスク基板上に透明干渉層と第
１の光磁気層と第２の光磁気層と誘電体保護層と金属放
熱層とをこの順に少なくとも設け、高いパワーのレーザ
ー光を該ディスク基板を通して該第１の光磁気層に集束
して照射するとともにその照射領域に２値情報に対応さ
せて極性の異なる磁界を印加することにより情報の書込
を行い、低いパワーのレーザー光を該ディスク基板を通
して該第１の光磁気層に集束して移動させながら照射す
ることにより情報の読出しを行うようにした光磁気記録
用単板光ディスクであって、前記第１の光磁気層はＧｄ
ＦｅＣｏであり、前記第２の光磁気層はＴｂＦｅＴｉで
あるように構成する。
【００１１】第２の発明の光磁気記録用単板光ディスク
の記録再生方法は、基板上に少なくとも透明干渉層とＧ
ｄＦｅＣｏからなる第１の光磁気層とＴｂＦｅＴｉから
なる第２の光磁気層と誘電体保護層と金属放熱層とをこ
の順序に積層して構成した単板光ディスクに対して２値
情報を記録再生する方法であって、高いパワーのレーザ
ー光を該ディスク基板を通して該第１の光磁気層に集束
して照射するとともに記録したい２値情報に対応させて
極性の異なる磁界を印加することにより情報の書込を行
い、低いパワーのレーザー光を該ディスク基板を通して
該第１の光磁気層に集束して移動させながら照射するこ
とにより情報の読出を行うように構成する。
の記録再生方法は、基板上に少なくとも透明干渉層とＧ
ｄＦｅＣｏからなる第１の光磁気層とＴｂＦｅＴｉから
なる第２の光磁気層と誘電体保護層と金属放熱層とをこ
の順序に積層して構成した単板光ディスクに対して２値
情報を記録再生する方法であって、高いパワーのレーザ
ー光を該ディスク基板を通して該第１の光磁気層に集束
して照射するとともに記録したい２値情報に対応させて
極性の異なる磁界を印加することにより情報の書込を行
い、低いパワーのレーザー光を該ディスク基板を通して
該第１の光磁気層に集束して移動させながら照射するこ
とにより情報の読出を行うように構成する。
【００１２】
【実施例】次に、本発明の実施例について、図面を参照
して詳細に説明する。図１は本発明の一実施例を示す概
略断面図である。
して詳細に説明する。図１は本発明の一実施例を示す概
略断面図である。
【００１３】図１に示す光磁気記録用単板光ディスク
は、ディスク基板１の上に透明干渉層２を設け、その上
にＧｄＦｅＣｏの非晶質合金のフェリ磁性体で高キュリ
ー温度の第１の光磁気層３１、その上にＴｂＦｅＴｉの
非晶質合金のフェリ磁性体で低キュリー温度の垂直磁化
可能な第２の光磁気層３２、その上に誘電体保護層４を
順に設け、その上に金属膜の放熱層５を設けたものであ
る。
は、ディスク基板１の上に透明干渉層２を設け、その上
にＧｄＦｅＣｏの非晶質合金のフェリ磁性体で高キュリ
ー温度の第１の光磁気層３１、その上にＴｂＦｅＴｉの
非晶質合金のフェリ磁性体で低キュリー温度の垂直磁化
可能な第２の光磁気層３２、その上に誘電体保護層４を
順に設け、その上に金属膜の放熱層５を設けたものであ
る。
【００１４】光磁気ディスク媒体は図１のような構成の
ままで、レーザー光をディスク基板１を通して入射する
ことにより情報の書込・読出を行う場合もあるが、図２
のように金属放熱層５の上にＵＶ硬化樹脂の保護層６を
設ける場合もある。さらにまた、図３のように金属放熱
層５と有機物の保護層６との間にＮｉＣｒ合金の保護層
７を設ける場合もある。
ままで、レーザー光をディスク基板１を通して入射する
ことにより情報の書込・読出を行う場合もあるが、図２
のように金属放熱層５の上にＵＶ硬化樹脂の保護層６を
設ける場合もある。さらにまた、図３のように金属放熱
層５と有機物の保護層６との間にＮｉＣｒ合金の保護層
７を設ける場合もある。
【００１５】信頼性をさらに向上させた光磁気記録用単
板光ディスクとしては図４および図５および図６のよう
に透明干渉層２と反対側のディスク基板上にＳｉＯ2 の
バックコート層９を設ける場合もある。また別の信頼性
を向上させた光磁気記録用単板光ディスクとしては、有
機物の保護層６の表面形状を鏡面ではなく微細に荒す場
合もある。
板光ディスクとしては図４および図５および図６のよう
に透明干渉層２と反対側のディスク基板上にＳｉＯ2 の
バックコート層９を設ける場合もある。また別の信頼性
を向上させた光磁気記録用単板光ディスクとしては、有
機物の保護層６の表面形状を鏡面ではなく微細に荒す場
合もある。
【００１６】ディスク基板１としては、ポリカーボネイ
ト樹脂板や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォ
トポリマーのついたアクリル樹脂板を用いる。このディ
スク基板１には、トラッキング・サーボ用に案内溝や案
内ピットを形成しておくことが望ましい。トラックピッ
チはおよそ０．８〜１．６μｍである。
ト樹脂板や、フォトポリマーのついたガラス板や、フォ
トポリマーのついたアクリル樹脂板を用いる。このディ
スク基板１には、トラッキング・サーボ用に案内溝や案
内ピットを形成しておくことが望ましい。トラックピッ
チはおよそ０．８〜１．６μｍである。
【００１７】透明干渉層２の材料としては、窒化シリコ
ンまたは水素化炭化シリコンがとくに望ましい。
ンまたは水素化炭化シリコンがとくに望ましい。
【００１８】誘電体保護層４の材料としても、窒化シリ
コンまたは水素化炭化シリコンがとくに望ましい。
コンまたは水素化炭化シリコンがとくに望ましい。
【００１９】金属放熱層５の材料としては、Ａｌ合金，
Ａｕ合金が望ましいが、ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＮｉ
Ｃｒ，ＡｌＴａ，ＡｕＣｕがとくに望ましい。ＮｉＣｒ
保護層７の合金としては、Ｎｉ含有量が８０重量％のも
のがとくに望ましい。
Ａｕ合金が望ましいが、ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ，ＡｌＮｉ
Ｃｒ，ＡｌＴａ，ＡｕＣｕがとくに望ましい。ＮｉＣｒ
保護層７の合金としては、Ｎｉ含有量が８０重量％のも
のがとくに望ましい。
【００２０】書込および読出用のレーザー光はディスク
基板１を通して入射し、第１の光磁気層３１の近傍でお
よそφ１．３μｍになるようにフォーカシング・サーボ
により集光する。レーザー光源としては波長６７０〜８
３０ｎｍ前後の半導体レーザーを用いる。
基板１を通して入射し、第１の光磁気層３１の近傍でお
よそφ１．３μｍになるようにフォーカシング・サーボ
により集光する。レーザー光源としては波長６７０〜８
３０ｎｍ前後の半導体レーザーを用いる。
【００２１】第１の光磁気層３１の膜の保磁力は読出を
行う温度では比較的小さくし、第２の光磁気層３２の膜
の保磁力は読出を行う温度では比較的大きいようにし、
読出を行う温度では第１の光磁気層３１と第２の光磁気
層３２とは交換結合するようにし、書込を行う初期の温
度では第１の光磁気層３１と第２の光磁気層３２とはほ
とんど交換結合しないようにする。
行う温度では比較的小さくし、第２の光磁気層３２の膜
の保磁力は読出を行う温度では比較的大きいようにし、
読出を行う温度では第１の光磁気層３１と第２の光磁気
層３２とは交換結合するようにし、書込を行う初期の温
度では第１の光磁気層３１と第２の光磁気層３２とはほ
とんど交換結合しないようにする。
【００２２】情報の書込は、高いパワーのレーザー光を
ディスク基板１を通して第１の光磁気層３１に集束して
照射することにより、少なくとも第１の光磁気層３１に
レーザー光のエネルギーを吸収させ、それに熱エネルギ
ーに変換させ、その熱で第２の光磁気層３２をキュリー
温度近傍に昇温させる。この状態のときにこの部分を含
む領域に記録したい２値情報に対応させた極性の磁界を
印加することにより、第２の光磁気層３２の垂直磁化の
向きを２値情報に対応させることができる。高いパワー
のレーザー光の照射後の温度が下がった状態では、この
書込まれた第２の光磁気層３２の垂直磁化の向きは高キ
ュリー温度の第１の光磁気層３１に転写される。
ディスク基板１を通して第１の光磁気層３１に集束して
照射することにより、少なくとも第１の光磁気層３１に
レーザー光のエネルギーを吸収させ、それに熱エネルギ
ーに変換させ、その熱で第２の光磁気層３２をキュリー
温度近傍に昇温させる。この状態のときにこの部分を含
む領域に記録したい２値情報に対応させた極性の磁界を
印加することにより、第２の光磁気層３２の垂直磁化の
向きを２値情報に対応させることができる。高いパワー
のレーザー光の照射後の温度が下がった状態では、この
書込まれた第２の光磁気層３２の垂直磁化の向きは高キ
ュリー温度の第１の光磁気層３１に転写される。
【００２３】高いパワーのレーザー光の照射の仕方は、
一定のパワーではなく断続的に照射したり、あるいは記
録初期から最後になるにしたがってパワーを減少させる
ように照射すると高密度に情報を書込むことができるよ
うになる。
一定のパワーではなく断続的に照射したり、あるいは記
録初期から最後になるにしたがってパワーを減少させる
ように照射すると高密度に情報を書込むことができるよ
うになる。
【００２４】情報の読出は、直線偏光した低いパワーの
集束レーザー光を第１の光磁気層３１に照射し、そこか
らの反射光を検光子を介して光学的に検出することによ
る。光磁気膜はカー効果により反射光の偏光面を回転さ
せる効果があるので、反射光の偏光面の回転角θｋが光
磁気膜の垂直磁化の向きにより異なることを利用して、
反射光が光検出器に入る前に検光子を通し、磁化の向き
に対応した情報を光量変化として読出すことができる。
以下具体例について説明する。
集束レーザー光を第１の光磁気層３１に照射し、そこか
らの反射光を検光子を介して光学的に検出することによ
る。光磁気膜はカー効果により反射光の偏光面を回転さ
せる効果があるので、反射光の偏光面の回転角θｋが光
磁気膜の垂直磁化の向きにより異なることを利用して、
反射光が光検出器に入る前に検光子を通し、磁化の向き
に対応した情報を光量変化として読出すことができる。
以下具体例について説明する。
【００２５】第１の具体例として、案内溝が形成されて
いる直径８６ｍｍ，厚さ１．２０ｍｍのポリカーボネイ
ト樹脂製ディスク基板１をスパッタ装置内に載置し、５
×１０-7Ｔｏｒｒ以下に真空排気した後、ポリカーボネ
イト樹脂表面をおよそ２ｎｍ程度逆スパッタし、しかる
後シリコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスで
スパッタすることにより８０ｎｍ厚の窒化シリコンの透
明干渉層２を設けた。次に、ＧｄＦｅＣｏターゲット
（Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２０．５：６５．０：１４．５原
子％）をアルゴンガスでスパッタすることにより１６ｎ
ｍ厚のＧｄＦｅＣｏの非晶質の第１の光磁気膜３１を設
け、ひきつづきＴｂＦｅＴｉターゲット（Ｔｂ：Ｆｅ；
Ｔｉ＝１８．６：７９．４：２．０原子％）をアルゴン
ガスでスパッタすることにより６９ｎｍ厚のＴｂＦｅＴ
ｉの非晶質の第２の光磁気膜３２を設けた。その上に、
シリコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでス
パッタすることにより１６０ｎｍ厚の窒化シリコンの誘
電体保護層４を設けた。その上にＡｌＴｉ合金ターゲッ
ト（Ｔｉの含有量は１．０重量％）をアルゴンガスでス
パッタすることにより１０５ｎｍ厚の金属放熱層５を設
けた。この後、スパッタ装置から大気中に取り出し、金
属放熱層５の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ
照射することによりＵＶ硬化樹脂の１０μｍ厚の保護層
６を設け図２のような構成の光磁気記録用単板光ディス
クを作製した。
いる直径８６ｍｍ，厚さ１．２０ｍｍのポリカーボネイ
ト樹脂製ディスク基板１をスパッタ装置内に載置し、５
×１０-7Ｔｏｒｒ以下に真空排気した後、ポリカーボネ
イト樹脂表面をおよそ２ｎｍ程度逆スパッタし、しかる
後シリコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスで
スパッタすることにより８０ｎｍ厚の窒化シリコンの透
明干渉層２を設けた。次に、ＧｄＦｅＣｏターゲット
（Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２０．５：６５．０：１４．５原
子％）をアルゴンガスでスパッタすることにより１６ｎ
ｍ厚のＧｄＦｅＣｏの非晶質の第１の光磁気膜３１を設
け、ひきつづきＴｂＦｅＴｉターゲット（Ｔｂ：Ｆｅ；
Ｔｉ＝１８．６：７９．４：２．０原子％）をアルゴン
ガスでスパッタすることにより６９ｎｍ厚のＴｂＦｅＴ
ｉの非晶質の第２の光磁気膜３２を設けた。その上に、
シリコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでス
パッタすることにより１６０ｎｍ厚の窒化シリコンの誘
電体保護層４を設けた。その上にＡｌＴｉ合金ターゲッ
ト（Ｔｉの含有量は１．０重量％）をアルゴンガスでス
パッタすることにより１０５ｎｍ厚の金属放熱層５を設
けた。この後、スパッタ装置から大気中に取り出し、金
属放熱層５の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ
照射することによりＵＶ硬化樹脂の１０μｍ厚の保護層
６を設け図２のような構成の光磁気記録用単板光ディス
クを作製した。
【００２６】この光磁気記録用単板光ディスクを３６０
０ｒｐｍで回転させ、波長６７０ｎｍの半導体レーザー
光を基板１を通して第１の光磁気層３１上でおよそφ
１．３μｍに絞って照射しながら磁界を変調して印加し
た。半径３０ｍｍのところで４ｍＷのレーザーパワーを
照射しながらデューティ５０％で変調周波数１ＭＨｚで
±２５０エルステッドの磁界を印加してオーバーライト
書込を行い、０．５ｍＷのレーザーパワーを照射して読
出を行ったところ、４５ｄＢのＣ／Ｎが得られ、記録感
度がよくかつ信号品質もよい光磁気記録用単板光ディス
クおよびその記録再生方法であることが確認されたこの
光磁気記録用単板光ディスクを８０℃９０％の高温高湿
環境に５００時間保存した後でも情報の記録再生に問題
はなく、実用に供せる光磁気記録用単板光ディスクおよ
びその記録再生方法であることが確認された。
０ｒｐｍで回転させ、波長６７０ｎｍの半導体レーザー
光を基板１を通して第１の光磁気層３１上でおよそφ
１．３μｍに絞って照射しながら磁界を変調して印加し
た。半径３０ｍｍのところで４ｍＷのレーザーパワーを
照射しながらデューティ５０％で変調周波数１ＭＨｚで
±２５０エルステッドの磁界を印加してオーバーライト
書込を行い、０．５ｍＷのレーザーパワーを照射して読
出を行ったところ、４５ｄＢのＣ／Ｎが得られ、記録感
度がよくかつ信号品質もよい光磁気記録用単板光ディス
クおよびその記録再生方法であることが確認されたこの
光磁気記録用単板光ディスクを８０℃９０％の高温高湿
環境に５００時間保存した後でも情報の記録再生に問題
はなく、実用に供せる光磁気記録用単板光ディスクおよ
びその記録再生方法であることが確認された。
【００２７】第２の具体例として、案内溝が形成されて
いる直径８６ｍｍ，厚さ１．２０ｍｍのポリカーボネイ
ト樹脂製ディスク基板１をスパッタ装置内に載置し、５
×１０-7Ｔｏｒｒ以下に真空排気した後、ポリカーボネ
イト樹脂表面をおよそ２ｎｍ程度逆スパッタし、しかる
後シリコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスで
スパッタすることにより８０ｎｍ厚の窒化シリコンの透
明干渉層２を設けた。次に、ＧｄＦｅＣｏターゲット
（Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２０．５：６５．０：１４．５原
子％）をアルゴンガスでスパッタすることにより１６．
５ｎｍ厚のＧｄＦｅＣｏの非晶質の第１の光磁気膜３１
を設け、ひきつづきＴｂＦｅＴｉターゲット（Ｔｂ：Ｆ
ｅ：Ｔｉ＝１８．６：７９．４：２．０原子％）をアル
ゴンガスでスパッタすることにより６９ｎｍ厚のＴｂＦ
ｅＴｉの非晶質の第２の光磁気膜３２を設けた。その上
に、シリコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガス
でスパッタすることにより１６０ｎｍ厚の窒化シリコン
の誘電体保護層４を設けた。その上にＡｌＴｉ合金ター
ゲット（Ｔｉの含有量は１．０重量％）をアルゴンガス
でスパッタすることにより１０５ｎｍ厚の金属放熱層５
を設けた。その上にＮｉＣｒ合金ターゲット（Ｎｉの含
有量は８０重量％）をアルゴンガスでスパッタすること
により３０ｎｍ厚の保護層７を設けた。この後、スパッ
タ装置から大気中に取り出し、ＮｉＣｒの保護層７の上
にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ照射することに
よりＵＶ硬化樹脂の１０μｍ厚の保護層６を設け図３の
ような構成の光磁気記録用単板光ディスクを作製した。
いる直径８６ｍｍ，厚さ１．２０ｍｍのポリカーボネイ
ト樹脂製ディスク基板１をスパッタ装置内に載置し、５
×１０-7Ｔｏｒｒ以下に真空排気した後、ポリカーボネ
イト樹脂表面をおよそ２ｎｍ程度逆スパッタし、しかる
後シリコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスで
スパッタすることにより８０ｎｍ厚の窒化シリコンの透
明干渉層２を設けた。次に、ＧｄＦｅＣｏターゲット
（Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ＝２０．５：６５．０：１４．５原
子％）をアルゴンガスでスパッタすることにより１６．
５ｎｍ厚のＧｄＦｅＣｏの非晶質の第１の光磁気膜３１
を設け、ひきつづきＴｂＦｅＴｉターゲット（Ｔｂ：Ｆ
ｅ：Ｔｉ＝１８．６：７９．４：２．０原子％）をアル
ゴンガスでスパッタすることにより６９ｎｍ厚のＴｂＦ
ｅＴｉの非晶質の第２の光磁気膜３２を設けた。その上
に、シリコンターゲットをアルゴンと窒素との混合ガス
でスパッタすることにより１６０ｎｍ厚の窒化シリコン
の誘電体保護層４を設けた。その上にＡｌＴｉ合金ター
ゲット（Ｔｉの含有量は１．０重量％）をアルゴンガス
でスパッタすることにより１０５ｎｍ厚の金属放熱層５
を設けた。その上にＮｉＣｒ合金ターゲット（Ｎｉの含
有量は８０重量％）をアルゴンガスでスパッタすること
により３０ｎｍ厚の保護層７を設けた。この後、スパッ
タ装置から大気中に取り出し、ＮｉＣｒの保護層７の上
にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、ＵＶ照射することに
よりＵＶ硬化樹脂の１０μｍ厚の保護層６を設け図３の
ような構成の光磁気記録用単板光ディスクを作製した。
【００２８】この光磁気記録用単板光ディスクを３６０
０ｒｐｍで回転させ、波長７８０ｎｍの半導体レーザー
光を基板１を通して第１の光磁気層３１上でおよそφ
１．３μｍに絞って照射しながら磁界を変調して印加し
た。半径３０ｍｍのところで４．５ｍＷのレーザーパワ
ーを照射しながらデューティ５０％で変調周波数１ＭＨ
ｚで±２５０エルステッドの磁界を印加してオーバーラ
イト書込を行い、０．５ｍＷのレーザーパワーを照射し
て読出を行ったところ、４７ｄＢのＣ／Ｎが得られ、記
録感度がよくかつ信号品質もよい光磁気記録用単板光デ
ィスクおよびその記録再生方法であることが確認され
た。
０ｒｐｍで回転させ、波長７８０ｎｍの半導体レーザー
光を基板１を通して第１の光磁気層３１上でおよそφ
１．３μｍに絞って照射しながら磁界を変調して印加し
た。半径３０ｍｍのところで４．５ｍＷのレーザーパワ
ーを照射しながらデューティ５０％で変調周波数１ＭＨ
ｚで±２５０エルステッドの磁界を印加してオーバーラ
イト書込を行い、０．５ｍＷのレーザーパワーを照射し
て読出を行ったところ、４７ｄＢのＣ／Ｎが得られ、記
録感度がよくかつ信号品質もよい光磁気記録用単板光デ
ィスクおよびその記録再生方法であることが確認され
た。
【００２９】この光磁気記録用単板光ディスクを８０℃
９０％の高温高湿環境に５００時間保存した後でも情報
の記録再生に問題はなく、実用に供せる光磁気記録用単
板光ディスクおよびその記録再生方法であることが確認
された。
９０％の高温高湿環境に５００時間保存した後でも情報
の記録再生に問題はなく、実用に供せる光磁気記録用単
板光ディスクおよびその記録再生方法であることが確認
された。
【００３０】第３の具体例として、案内溝が形成されて
いる直径８６ｍｍ，厚さ１．２０ｍｍのポリカーボネイ
ト樹脂製ディスク基板１をスパッタ装置内に載置し、ま
ず案内溝と反対側のポリカーボネイト樹脂表面をおよそ
２ｎｍ程度逆スパッタし、しかる後シリコンターゲット
をアルゴンと酸素との混合ガスでスパッタすることによ
りおよそ５０ｎｍ厚のＳｉＯ2 のバックコート層９を設
けた。次に、案内溝と同じ側のポリカーボネイト樹脂表
面をおよそ２ｎｍ程度逆スパッタし、しかる後シリコン
ターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッタす
ることにより８０ｎｍ厚の窒化シリコンの透明干渉層２
を設けた。次に、ＧｄＦｅＣｏターゲット（Ｇｄ：Ｆ
ｅ：Ｃｏ＝２０．５：６５．０：１４．５原子％）をア
ルゴンガスでスパッタすることにより１６．５ｎｍ厚の
ＧｄＦｅＣｏの非晶質の第１の光磁気膜３１を設け、ひ
きつづきＴｂＦｅＴｉターゲット（Ｔｂ：Ｆｅ：Ｔｉ＝
１８．６：７９．４：２．０原子％）をアルゴンガスで
スパッタすることにより６９ｎｍ厚のＴｂＦｅＴｉの非
晶質の第２の光磁気膜３２を設けた。
いる直径８６ｍｍ，厚さ１．２０ｍｍのポリカーボネイ
ト樹脂製ディスク基板１をスパッタ装置内に載置し、ま
ず案内溝と反対側のポリカーボネイト樹脂表面をおよそ
２ｎｍ程度逆スパッタし、しかる後シリコンターゲット
をアルゴンと酸素との混合ガスでスパッタすることによ
りおよそ５０ｎｍ厚のＳｉＯ2 のバックコート層９を設
けた。次に、案内溝と同じ側のポリカーボネイト樹脂表
面をおよそ２ｎｍ程度逆スパッタし、しかる後シリコン
ターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスでスパッタす
ることにより８０ｎｍ厚の窒化シリコンの透明干渉層２
を設けた。次に、ＧｄＦｅＣｏターゲット（Ｇｄ：Ｆ
ｅ：Ｃｏ＝２０．５：６５．０：１４．５原子％）をア
ルゴンガスでスパッタすることにより１６．５ｎｍ厚の
ＧｄＦｅＣｏの非晶質の第１の光磁気膜３１を設け、ひ
きつづきＴｂＦｅＴｉターゲット（Ｔｂ：Ｆｅ：Ｔｉ＝
１８．６：７９．４：２．０原子％）をアルゴンガスで
スパッタすることにより６９ｎｍ厚のＴｂＦｅＴｉの非
晶質の第２の光磁気膜３２を設けた。
【００３１】その上に、シリコンターゲットをアルゴン
と窒素との混合ガスでスパッタすることにより１６０ｎ
ｍ厚の窒化シリコンの誘電体保護層４を設けた。その上
にＡｌＴｉ合金ターゲット（Ｔｉの含有量は１．０重量
％）をアルゴンガスでスパッタすることにより１０５ｎ
ｍ厚の金属放熱層５を設けた。その上にＮｉＣｒ合金タ
ーゲット（Ｎｉの含有量は８０重量％）をアルゴンガス
でスパッタすることにより３０ｎｍ厚の保護層７を設け
た。この後、スパッタ装置から大気中に取り出し、Ｎｉ
Ｃｒの保護層７の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、
ＵＶ照射することによりＵＶ硬化樹脂の１０μｍ厚の保
護層６を設け図６のような構成の光磁気記録用単板光デ
ィスクを作製した。
と窒素との混合ガスでスパッタすることにより１６０ｎ
ｍ厚の窒化シリコンの誘電体保護層４を設けた。その上
にＡｌＴｉ合金ターゲット（Ｔｉの含有量は１．０重量
％）をアルゴンガスでスパッタすることにより１０５ｎ
ｍ厚の金属放熱層５を設けた。その上にＮｉＣｒ合金タ
ーゲット（Ｎｉの含有量は８０重量％）をアルゴンガス
でスパッタすることにより３０ｎｍ厚の保護層７を設け
た。この後、スパッタ装置から大気中に取り出し、Ｎｉ
Ｃｒの保護層７の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコートし、
ＵＶ照射することによりＵＶ硬化樹脂の１０μｍ厚の保
護層６を設け図６のような構成の光磁気記録用単板光デ
ィスクを作製した。
【００３２】この光磁気記録用単板光ディスクを３６０
０ｒｐｍで回転させ、波長７８０ｎｍの半導体レーザー
光を基板１を通して第１の光磁気層３１上でおよそφ
１．３μｍに絞って照射しながら磁界を変調して印加し
た。半径３０ｍｍのところで４．５ｍＷのレーザーパワ
ーを照射しながらデューティ５０％で変調周波数１ＭＨ
ｚで±２５０エルステッドの磁界を印加してオーバーラ
イト書込を行い、０．５ｍＷのレーザーパワーを照射し
て読出を行ったところ、４７ｄＢのＣ／Ｎが得られ、記
録感度がよくかつ信号品質もよい光磁気記録用単板光デ
ィスクおよびその記録再生方法であることが確認され
た。
０ｒｐｍで回転させ、波長７８０ｎｍの半導体レーザー
光を基板１を通して第１の光磁気層３１上でおよそφ
１．３μｍに絞って照射しながら磁界を変調して印加し
た。半径３０ｍｍのところで４．５ｍＷのレーザーパワ
ーを照射しながらデューティ５０％で変調周波数１ＭＨ
ｚで±２５０エルステッドの磁界を印加してオーバーラ
イト書込を行い、０．５ｍＷのレーザーパワーを照射し
て読出を行ったところ、４７ｄＢのＣ／Ｎが得られ、記
録感度がよくかつ信号品質もよい光磁気記録用単板光デ
ィスクおよびその記録再生方法であることが確認され
た。
【００３３】この光磁気記録用単板光ディスクを８０℃
９０％の高温高湿環境に５００時間保存した後でも情報
の記録再生に問題はなく、実用に供せる光磁気記録用単
板光ディスクおよびその記録再生方法であることが確認
された。
９０％の高温高湿環境に５００時間保存した後でも情報
の記録再生に問題はなく、実用に供せる光磁気記録用単
板光ディスクおよびその記録再生方法であることが確認
された。
【００３４】第４の具体例として、第１の具体例と同様
の操作により、透明干渉層２と誘電体保護層４のみをそ
れぞれ７５ｎｍ厚と１５０ｎｍ厚の水素化炭化シリコン
に変更した光磁気記録用単板光ディスクを作製した。
の操作により、透明干渉層２と誘電体保護層４のみをそ
れぞれ７５ｎｍ厚と１５０ｎｍ厚の水素化炭化シリコン
に変更した光磁気記録用単板光ディスクを作製した。
【００３５】第１の具体例と同様に記録再生を行ったと
ころ、記録感度がよくかつ信号品質もよい光磁気記録用
単板光ディスクおよびその記録再生方法であることが確
認された。この光磁気記録用単板光ディスクを８０℃９
０％の高温高湿環境に２００時間保存した後でも情報の
記録再生に問題はなく、実用に供せる光磁気記録用単板
光ディスクおよびその記録再生方法であることが確認さ
れた。
ころ、記録感度がよくかつ信号品質もよい光磁気記録用
単板光ディスクおよびその記録再生方法であることが確
認された。この光磁気記録用単板光ディスクを８０℃９
０％の高温高湿環境に２００時間保存した後でも情報の
記録再生に問題はなく、実用に供せる光磁気記録用単板
光ディスクおよびその記録再生方法であることが確認さ
れた。
【００３６】
【発明の効果】本発明の光磁気記録用単板光ディスクお
よびその記録再生方法は、記録感度がよくかつ信号品質
もよいオーバーライト書換が可能となると共に耐候性に
も優れるものになるという効果がある。
よびその記録再生方法は、記録感度がよくかつ信号品質
もよいオーバーライト書換が可能となると共に耐候性に
も優れるものになるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例の光磁気記録用単板光ディス
クの基本構造の断面図。
クの基本構造の断面図。
【図２】本発明の一実施例の光磁気記録用単板光ディス
クの基本構造の断面図。
クの基本構造の断面図。
【図３】本発明の一実施例の光磁気記録用単板光ディス
クの基本構造の断面図。
クの基本構造の断面図。
【図４】本発明の一実施例の光磁気記録用単板光ディス
クの基本構造の断面図。
クの基本構造の断面図。
【図５】本発明の一実施例の光磁気記録用単板光ディス
クの基本構造の断面図。
クの基本構造の断面図。
【図６】本発明の一実施例の光磁気記録用単板光ディス
クの基本構造の断面図。
クの基本構造の断面図。
【図７】従来の光磁気記録用単板光ディスクの基本構造
の断面図。
の断面図。
１，１０１ 基板 ２，１０２ 透明干渉層 ３１ ＧｄＦｅＣｏの第１の光磁気層 ３２ ＴｂＦｅＴｉの第２の光磁気層 ４，１０４ 誘電体保護層 ５ 金属放熱層 ６，１０６ 有機物の保護層 ７ ＮｉＣｒの保護層 ９ ＳｉＯ2 のバックコート層 １０３ 光磁気層 １０５ 金属反射層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10 506 G11B 11/10 521 G11B 11/10 586
Claims (8)
- 【請求項１】 ディスク基板上に透明干渉層と第１の光
磁気層と第２の光磁気層と誘電体保護層と金属放熱層と
をこの順に少なくとも設け、高いパワーのレーザー光を
該ディスク基板を通して該第１の光磁気層に集束して照
射するとともにその照射領域に２値情報に対応させて極
性の異なる磁界を印加することにより情報の書込を行
い、低いパワーのレーザー光を該ディスク基板を通して
該第１の光磁気層に集束して移動させながら照射するこ
とにより情報の読出しを行うようにした光磁気記録用単
板光ディスクであって、前記第１の光磁気層はＧｄＦｅ
Ｃｏであり、前記第２の光磁気層はＴｂＦｅＴｉである
ことを特徴とする光磁気記録用単板光ディスク。 - 【請求項２】 金属放熱層の上に有機物の保護層を設け
た請求項１記載の光磁気記録用単板光ディスク。 - 【請求項３】 金属放熱層と有機物の保護層との間にＮ
ｉＣｒ合金の保護層を設けた請求項２記載の光磁気記録
用単板光ディスク。 - 【請求項４】 透明干渉層は窒化シリコンであり、誘電
体保護層は窒化シリコンである請求項１乃至請求項３記
載の光磁気記録用単板光ディスク。 - 【請求項５】 透明干渉層は水素化炭化シリコンであ
り、誘電体保護層は水素化炭化シリコンである請求項１
乃至請求項３記載の光磁気記録用単板光ディスク。 - 【請求項６】 透明干渉層と反対側のディスク基板上に
ＳｉＯ2 のバックコート層を設けた請求項１乃至請求項
５記載の光磁気記録用単板光ディスク。 - 【請求項７】 基板上に少なくとも透明干渉層とＧｄＦ
ｅＣｏからなる第１の光磁気層とＴｂＦｅＴｉからなる
第２の光磁気層と誘電体保護層と金属放熱層とをこと順
序に積層して構成した単板光ディスクに対して２値情報
を記録再生する方法であって、高いパワーのレーザー光
を該ディスク基板を通して該第１の光磁気層に集束して
照射するとともに記録したい２値情報に対応させて極性
の異なる磁界を印加することにより情報の書込を行い、
低いパワーのレーザー光を該ディスク基板を通して該第
１の光磁気層に集束して移動させながら照射することに
より情報の読出しを行うようにしたことを特徴とする光
磁気記録用単板光ディスクの記録再生方法。 - 【請求項８】 情報の書込を行うときのレーザー光のパ
ワーを変調させる請求項７記載の光磁気記録用単板光デ
ィスクの記録再生方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4071879A JP2817505B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 光磁気記録用単板光ディスクとその記録再生方法 |
| US08/039,795 US5362537A (en) | 1992-03-30 | 1993-03-30 | Optical information recording medium comprising two magneto-optical layers which are made of GDFECO and TBFETI, respectively |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4071879A JP2817505B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 光磁気記録用単板光ディスクとその記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05274730A JPH05274730A (ja) | 1993-10-22 |
| JP2817505B2 true JP2817505B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=13473250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4071879A Expired - Fee Related JP2817505B2 (ja) | 1992-03-30 | 1992-03-30 | 光磁気記録用単板光ディスクとその記録再生方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5362537A (ja) |
| JP (1) | JP2817505B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5496608A (en) * | 1993-09-22 | 1996-03-05 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Optical recording medium |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6048806A (ja) * | 1983-08-24 | 1985-03-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 回転式棚設備 |
| EP0258978B1 (en) * | 1986-07-08 | 1998-10-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetooptical recording medium allowing overwriting with two or more magnetic layers and recording method utilizing the same |
| JP2666357B2 (ja) * | 1988-04-29 | 1997-10-22 | ソニー株式会社 | 光磁気記録方法 |
| JP2841371B2 (ja) * | 1988-05-30 | 1998-12-24 | ソニー株式会社 | 光磁気記録装置 |
| JPH02156445A (ja) * | 1988-12-09 | 1990-06-15 | Tosoh Corp | 光磁気記録媒体およびその製法 |
| JPH02203439A (ja) * | 1989-02-01 | 1990-08-13 | Toyobo Co Ltd | 光記録媒体 |
| JPH02254647A (ja) * | 1989-03-28 | 1990-10-15 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
| US5075145A (en) * | 1989-04-07 | 1991-12-24 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical recording medium |
| CA2017284C (en) * | 1989-07-04 | 1995-10-03 | Kazutomi Suzuki | Optical recording medium |
| DE69015914T2 (de) * | 1989-07-28 | 1995-06-29 | Minnesota Mining & Mfg | Magneto-optisches Aufzeichnungsmedium mit dielektrischer Schicht aus hydriertem Siliziumkarbid. |
| JPH0474328A (ja) * | 1990-07-16 | 1992-03-09 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPH04335231A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-24 | Nec Corp | 光磁気記録用単板光ディスク |
-
1992
- 1992-03-30 JP JP4071879A patent/JP2817505B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-03-30 US US08/039,795 patent/US5362537A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5362537A (en) | 1994-11-08 |
| JPH05274730A (ja) | 1993-10-22 |
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