JPH04335231A - 光磁気記録用単板光ディスク - Google Patents
光磁気記録用単板光ディスクInfo
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- JPH04335231A JPH04335231A JP3105848A JP10584891A JPH04335231A JP H04335231 A JPH04335231 A JP H04335231A JP 3105848 A JP3105848 A JP 3105848A JP 10584891 A JP10584891 A JP 10584891A JP H04335231 A JPH04335231 A JP H04335231A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，磁気光学効果を利用し
てレーザー光によって情報の書込・読出を行う単板光デ
ィスクに関する。
てレーザー光によって情報の書込・読出を行う単板光デ
ィスクに関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザー光により情報の書込・読出しを
行う光ディスクは，記録密度が高いことから大容量記憶
装置として優れた特徴を有している。特に単板光ディス
クはそのコンパクト性のため期待されている。
行う光ディスクは，記録密度が高いことから大容量記憶
装置として優れた特徴を有している。特に単板光ディス
クはそのコンパクト性のため期待されている。
【０００３】一般に書換可能な光ディスクとしては，カ
ー効果を利用した光磁気形のものが用いられている。
ー効果を利用した光磁気形のものが用いられている。
【０００４】従来の代表的な光磁気記録用単板光ディス
クの一例を図６に示す。
クの一例を図６に示す。
【０００５】図６に示す光磁気記録用単板光ディスクは
，基板１の上に第１の透明干渉層２，その上に鉄族遷移
金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体か
らなる垂直磁化可能な光磁気層３，その上に第２の透明
干渉層４，更にその上に反射層５を順に設けたものであ
る。
，基板１の上に第１の透明干渉層２，その上に鉄族遷移
金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体か
らなる垂直磁化可能な光磁気層３，その上に第２の透明
干渉層４，更にその上に反射層５を順に設けたものであ
る。
【０００６】書込および読出用のレーザー光は基板１を
通して入射し，光磁気層の近傍でおよそφ１．４μｍ
になるようにフォーカシング・サーボにより集光される
。 レーザー光源としては，波長８３００オングストローム
前後の半導体レーザーが用いられる。
通して入射し，光磁気層の近傍でおよそφ１．４μｍ
になるようにフォーカシング・サーボにより集光される
。 レーザー光源としては，波長８３００オングストローム
前後の半導体レーザーが用いられる。
【０００７】まず，情報の書込は，情報に対応させて高
パワーのレーザー光を照射することにより，光磁気層３
にレーザー光のエネルギーを吸収させ，それを熱エネル
ギーに変換させ，キュリー温度近傍に昇温させる。この
部分を含む領域に記録バイアス磁界をかけておくことに
より，この部分の磁化を他の部分とは逆の方向に配向せ
しめることにより情報の書込を行う。
パワーのレーザー光を照射することにより，光磁気層３
にレーザー光のエネルギーを吸収させ，それを熱エネル
ギーに変換させ，キュリー温度近傍に昇温させる。この
部分を含む領域に記録バイアス磁界をかけておくことに
より，この部分の磁化を他の部分とは逆の方向に配向せ
しめることにより情報の書込を行う。
【０００８】次に，情報の読出は，直線偏光した集束レ
ーザー光を光磁気層３に照射し，そこからの反射光を検
光子を介して光学的に検出することによる。光磁気膜は
カー効果により反射光の偏光面を回転させる効果がある
ので，反射光の偏光面の回転角θｋ が光磁気層３の垂
直磁化の向きにより異なることを利用して，反射光が光
検出器に入る前に検出子を通し，磁化の向きに対応した
情報を光量変化として読出すことができる。
ーザー光を光磁気層３に照射し，そこからの反射光を検
光子を介して光学的に検出することによる。光磁気膜は
カー効果により反射光の偏光面を回転させる効果がある
ので，反射光の偏光面の回転角θｋ が光磁気層３の垂
直磁化の向きにより異なることを利用して，反射光が光
検出器に入る前に検出子を通し，磁化の向きに対応した
情報を光量変化として読出すことができる。
【０００９】一方，光磁気層３の材料としてはＴｂＦｅ
Ｃｏの３元合金やＤｙＦｅＣｏの３元合金が提案されて
いる（特公平１−２３９２７号公報参照）。このような
光磁気材料は非常に酸化されやすいので，第１の透明干
渉層２と第２の透明干渉層４とで挾みこむことにより光
磁気層３が酸化することを防いでいる。通常，第１の透
明干渉層２や第２の透明干渉層４としては窒化シリコン
膜が用いられている。
Ｃｏの３元合金やＤｙＦｅＣｏの３元合金が提案されて
いる（特公平１−２３９２７号公報参照）。このような
光磁気材料は非常に酸化されやすいので，第１の透明干
渉層２と第２の透明干渉層４とで挾みこむことにより光
磁気層３が酸化することを防いでいる。通常，第１の透
明干渉層２や第２の透明干渉層４としては窒化シリコン
膜が用いられている。
【００１０】ここで，光磁気材料のθｋ は小さいので
，第１の透明干渉層２と第２の透明干渉層４と反射層５
とによる多重干渉効果による読出信号の増幅が行われる
。
，第１の透明干渉層２と第２の透明干渉層４と反射層５
とによる多重干渉効果による読出信号の増幅が行われる
。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，上述し
た従来の光磁気記録用単板光ディスクでは，高温高湿環
境に長い時間保存しておくと，酸化が発生するという問
題があった。
た従来の光磁気記録用単板光ディスクでは，高温高湿環
境に長い時間保存しておくと，酸化が発生するという問
題があった。
【００１２】そこで，本発明の技術的課題は，書込・読
出特性と共に耐候性にも優れた光磁気記録用単板光ディ
スクを提供することにある。
出特性と共に耐候性にも優れた光磁気記録用単板光ディ
スクを提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは保護層の材
料を種々試みた結果，本発明を為すに至ったものである
。
料を種々試みた結果，本発明を為すに至ったものである
。
【００１４】本発明の光磁気記録用単板光ディスクは，
ディスク基板上に第１の透明干渉層，光磁気層，第２の
透明干渉層，及び反射層とを備えた光磁気記録用単板光
ディスクにおいて，前記反射層の上に前記光磁気層の酸
化防止する保護層を設けたことを特徴とする。
ディスク基板上に第１の透明干渉層，光磁気層，第２の
透明干渉層，及び反射層とを備えた光磁気記録用単板光
ディスクにおいて，前記反射層の上に前記光磁気層の酸
化防止する保護層を設けたことを特徴とする。
【００１５】本発明の光磁気記録用単板光ディスクは，
前記保護層は，ＮｉＣｒを必須成分とする材料からなる
ことを特徴とする。
前記保護層は，ＮｉＣｒを必須成分とする材料からなる
ことを特徴とする。
【００１６】また，本発明の光磁気記録用単板光ディス
クは，前記保護層の上にさらに紫外線硬化樹脂からなる
オーバーコート層を設けたことを特徴とする。
クは，前記保護層の上にさらに紫外線硬化樹脂からなる
オーバーコート層を設けたことを特徴とする。
【００１７】更に，本発明の光磁気記録用単板光ディス
クは，前記第１の透明干渉層と反対側のディスク基板上
にＳｉＯ２ からなるバックコート層を設けたことを特
徴とする。
クは，前記第１の透明干渉層と反対側のディスク基板上
にＳｉＯ２ からなるバックコート層を設けたことを特
徴とする。
【００１８】更にまた，本発明の光磁気記録用単板光デ
ィスクは，前記光磁気層はＴｂＦｅＣｏＴｉが必須成分
であることを特徴とする。
ィスクは，前記光磁気層はＴｂＦｅＣｏＴｉが必須成分
であることを特徴とする。
【００１９】本発明の光磁気記録用単板光ディスクの保
護層の材料として，ＮｉＣｒとすることにより，耐候性
に優れる光磁気記録用単板光ディスクが得られる。この
ＮｉＣｒの組成としては，Ｃｒがおよそ２０重量％のも
のが望ましい。
護層の材料として，ＮｉＣｒとすることにより，耐候性
に優れる光磁気記録用単板光ディスクが得られる。この
ＮｉＣｒの組成としては，Ｃｒがおよそ２０重量％のも
のが望ましい。
【００２０】
【実施例】次に，本発明の実施例について，図面を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
【００２１】図１は本発明の一実施例を示す概略断面図
である。
である。
【００２２】図１に示す光磁気記録用単板光ディスクは
，基板１の上に第１の透明干渉層２を設け，その上に鉄
族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁
性体からなる垂直磁化可能な光磁気層３を設け，その上
に第２の透明干渉層４を設け，その上にＡ１合金の反射
層５を設け，更にその上にＮｉＣｒの保護層６を設けた
ものである。
，基板１の上に第１の透明干渉層２を設け，その上に鉄
族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁
性体からなる垂直磁化可能な光磁気層３を設け，その上
に第２の透明干渉層４を設け，その上にＡ１合金の反射
層５を設け，更にその上にＮｉＣｒの保護層６を設けた
ものである。
【００２３】このような光磁気記録用単板ディスクは，
書込および読出用のレーザー光は基板１を通して入射し
，光磁気層３の近傍で略直径１．４μｍ になるように
フォーカシング・サーボにより集光する。レーザー光源
としては波長６７００〜８３００オングストローム前後
の半導体レーザーを用いる。
書込および読出用のレーザー光は基板１を通して入射し
，光磁気層３の近傍で略直径１．４μｍ になるように
フォーカシング・サーボにより集光する。レーザー光源
としては波長６７００〜８３００オングストローム前後
の半導体レーザーを用いる。
【００２４】また，基板１としては，ポリカーボネイト
樹脂板や，フォトポリマーのついたガラス板や，フォト
ポリマーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１
には，トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを
形成しておくことが望ましい。 更に，第１の透明干
渉層２の材料としては，窒化シリコンが最も望ましいが
，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金属窒
化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合物，硫
化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金属ホウ
化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との混合物
，高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウム，窒化
酸化シリコン，サイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）でもよい。 また多層膜で形成してもかまわない。
樹脂板や，フォトポリマーのついたガラス板や，フォト
ポリマーのついたアクリル樹脂板を用いる。この基板１
には，トラッキング・サーボ用に案内溝や案内ピットを
形成しておくことが望ましい。 更に，第１の透明干
渉層２の材料としては，窒化シリコンが最も望ましいが
，硫化亜鉛と金属酸化物との混合物，硫化亜鉛と金属窒
化物との混合物，硫化亜鉛と金属炭化物との混合物，硫
化亜鉛と金属フッ化物との混合物，硫化亜鉛と金属ホウ
化物との混合物，硫化亜鉛と他の金属硫化物との混合物
，高屈折率の多元金属酸化物，窒化アルミニウム，窒化
酸化シリコン，サイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）でもよい。 また多層膜で形成してもかまわない。
【００２５】第２の透明干渉層４の材料としては，窒化
シリコンが最も望ましいが，硫化亜鉛と金属酸化物との
混合物，硫化亜鉛と金属窒化物との混合物，硫化亜鉛と
金属炭化物との混合物，硫化亜鉛と金属フッ化物との混
合物，硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物，硫化亜鉛と
他の金属硫化物との混合物，高屈折率の多元金属酸化物
，窒化アルミニウム，窒化酸化シリコン，サイアロンで
もよく，また，これらの多層膜で形成してもかまわない
。
シリコンが最も望ましいが，硫化亜鉛と金属酸化物との
混合物，硫化亜鉛と金属窒化物との混合物，硫化亜鉛と
金属炭化物との混合物，硫化亜鉛と金属フッ化物との混
合物，硫化亜鉛と金属ホウ化物との混合物，硫化亜鉛と
他の金属硫化物との混合物，高屈折率の多元金属酸化物
，窒化アルミニウム，窒化酸化シリコン，サイアロンで
もよく，また，これらの多層膜で形成してもかまわない
。
【００２６】光磁気層３の材料としては，ＴｂＦｅ，Ｔ
ｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅＣｒ，Ｔｂ−ＦｅＮｉ，ＴｂＦｅ
ＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＴａ，ＴｂＦｅＮｂ，ＴｂＦｅＰｔ
，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ
，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＦｅ
ＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣｏ−Ｐｔ，Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙＦｅ
ＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｂ
，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＮｄＦｅＣｏ，ＴｂＮｄ
−ＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＮｄＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＮｄＦｅ
ＣｏＮｉ，ＴｂＮｄＦｅ−ＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＮｄＦｅ
ＣｏＴａ，ＴｂＮｄＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＮｄＦｅ−Ｃｏ
Ｐｔ，が望ましく，とくにＴｂＦｅＣｏＴｉが望ましい
。
ｂＦｅＴｉ，ＴｂＦｅＣｒ，Ｔｂ−ＦｅＮｉ，ＴｂＦｅ
ＮｉＣｒ，ＴｂＦｅＴａ，ＴｂＦｅＮｂ，ＴｂＦｅＰｔ
，ＴｂＦｅＣｏ，ＴｂＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ
，ＴｂＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＦｅＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＦｅ
ＣｏＴａ，ＴｂＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＦｅＣｏ−Ｐｔ，Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＤｙＦｅ
ＣｏＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮ
ｉＣｒ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ，ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｂ
，ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ，ＴｂＮｄＦｅＣｏ，ＴｂＮｄ
−ＦｅＣｏＴｉ，ＴｂＮｄＦｅＣｏＣｒ，ＴｂＮｄＦｅ
ＣｏＮｉ，ＴｂＮｄＦｅ−ＣｏＮｉＣｒ，ＴｂＮｄＦｅ
ＣｏＴａ，ＴｂＮｄＦｅＣｏＮｂ，ＴｂＮｄＦｅ−Ｃｏ
Ｐｔ，が望ましく，とくにＴｂＦｅＣｏＴｉが望ましい
。
【００２７】次に，本発明のもう１つの実施例について
，図２に示す概略断面図を参照して説明する。
，図２に示す概略断面図を参照して説明する。
【００２８】図２に示す光磁気記録用単板光ディスクは
，基板１の上に第１の透明干渉層２を設け，その上に鉄
族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁
性体からなる垂直磁化可能な光磁気層３を設け，その上
に第２の透明干渉層４を設け，その上にＡｌ合金の反射
層５を設け，その上にＮｉＣｒの保護層６を設け，その
上にＵＶ硬化樹脂のオーバーコート層７を設けたもので
ある。
，基板１の上に第１の透明干渉層２を設け，その上に鉄
族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁
性体からなる垂直磁化可能な光磁気層３を設け，その上
に第２の透明干渉層４を設け，その上にＡｌ合金の反射
層５を設け，その上にＮｉＣｒの保護層６を設け，その
上にＵＶ硬化樹脂のオーバーコート層７を設けたもので
ある。
【００２９】ＮｉＣｒ保護層６の上に紫外線硬化樹脂（
ＵＶ硬化樹脂）のオーバーコート層７を設けることによ
り，さらに耐候性に優れる光磁気記録用単板光ディスク
が得られる。
ＵＶ硬化樹脂）のオーバーコート層７を設けることによ
り，さらに耐候性に優れる光磁気記録用単板光ディスク
が得られる。
【００３０】更に，これらの具体的製法及び特性につい
ては図３を用いて以下に説明する。
ては図３を用いて以下に説明する。
【００３１】案内溝が形成されている直径８６ｍｍ，厚
さ１．２０ｍｍのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板
１をスパッタ装置内に載置し，５×１０−７Ｔｏｒｒ以
下に真空排気した後，ポリカーボネイト樹脂表面をおよ
そ６０オングストローム程度逆スパッタし，しかる後タ
ンタルターゲットをアルゴンと酸素との混合ガスにより
スパッタすることにより３００オングストローム厚の酸
化タンタルの付着層３１を設け，その上にシリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスによりスパッタす
ることにより６５０オングストローム厚の窒化シリコン
の第１の透明干渉層２を設けた。次に，窒化シリコンを
１０オングストローム程度逆スパッタし，しかる後Ｔｂ
ＦｅＣｏＴｉターゲットをアルゴンガスによりスパッタ
することにより２００オングストローム厚のＴｂＦｅＣ
ｏＴｉの非晶質の光磁気層３を形成した。次にシリコン
ターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスによりスパッ
タすることにより２５０オングストローム厚の窒化シリ
コンの第２の透明干渉層４を設けた。その上にＡｌＴｉ
合金ターゲット（Ｔｉの含有量は１重量％）をアルゴン
ガスによりスパッタすることにより３００オングストロ
ーム厚のＡｌＴｉの反射層５を設け，その上にＮｉＣｒ
合金ターゲット（Ｃｒの含有量は２０重量％）をアルゴ
ンガスによりスパッタすることにより３００オングスト
ローム厚のＮｉＣｒの保護層６を設けた。この後，スパ
ッタ装置から大気中に取り出し，保護層６の上にＵＶ硬
化樹脂をスピンコートし，ＵＶ照射することによりＵＶ
硬化樹脂の１０μｍ 厚のオーバーコート層７を設け，
図３のような構成の光磁気記録用単板光ディスクを作製
した。次に，この光磁気記録用単板光ディスクを３６０
０ｒｐｍ で回転させ，波長７８００オングストローム
の半導体レーザー光を基板１を通して光磁気層３上でお
よそ直径１．４μｍ に絞って照射した。半径３０ｍｍ
のところで記録周波数２．１２ＭＨｚ の信号をデュー
ティ５０％，記録バイアス磁界３５０エルステッド，記
録パワー９ｍＷで書込を行ったところ，４６ｄＢのＣ／
Ｎが得られ，記録感度がよくかつ信号品質もよい光磁気
記録用単板光ディスクであることが確認された。
さ１．２０ｍｍのポリカーボネイト樹脂製ディスク基板
１をスパッタ装置内に載置し，５×１０−７Ｔｏｒｒ以
下に真空排気した後，ポリカーボネイト樹脂表面をおよ
そ６０オングストローム程度逆スパッタし，しかる後タ
ンタルターゲットをアルゴンと酸素との混合ガスにより
スパッタすることにより３００オングストローム厚の酸
化タンタルの付着層３１を設け，その上にシリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスによりスパッタす
ることにより６５０オングストローム厚の窒化シリコン
の第１の透明干渉層２を設けた。次に，窒化シリコンを
１０オングストローム程度逆スパッタし，しかる後Ｔｂ
ＦｅＣｏＴｉターゲットをアルゴンガスによりスパッタ
することにより２００オングストローム厚のＴｂＦｅＣ
ｏＴｉの非晶質の光磁気層３を形成した。次にシリコン
ターゲットをアルゴンと窒素との混合ガスによりスパッ
タすることにより２５０オングストローム厚の窒化シリ
コンの第２の透明干渉層４を設けた。その上にＡｌＴｉ
合金ターゲット（Ｔｉの含有量は１重量％）をアルゴン
ガスによりスパッタすることにより３００オングストロ
ーム厚のＡｌＴｉの反射層５を設け，その上にＮｉＣｒ
合金ターゲット（Ｃｒの含有量は２０重量％）をアルゴ
ンガスによりスパッタすることにより３００オングスト
ローム厚のＮｉＣｒの保護層６を設けた。この後，スパ
ッタ装置から大気中に取り出し，保護層６の上にＵＶ硬
化樹脂をスピンコートし，ＵＶ照射することによりＵＶ
硬化樹脂の１０μｍ 厚のオーバーコート層７を設け，
図３のような構成の光磁気記録用単板光ディスクを作製
した。次に，この光磁気記録用単板光ディスクを３６０
０ｒｐｍ で回転させ，波長７８００オングストローム
の半導体レーザー光を基板１を通して光磁気層３上でお
よそ直径１．４μｍ に絞って照射した。半径３０ｍｍ
のところで記録周波数２．１２ＭＨｚ の信号をデュー
ティ５０％，記録バイアス磁界３５０エルステッド，記
録パワー９ｍＷで書込を行ったところ，４６ｄＢのＣ／
Ｎが得られ，記録感度がよくかつ信号品質もよい光磁気
記録用単板光ディスクであることが確認された。
【００３２】この光磁気記録用単板光ディスクを８０℃
９０％の高温高湿環境に５００時間保存した後でも酸化
や剥離はなく，実用に供せる光磁気記録用単板光ディス
クであることが確認された。
９０％の高温高湿環境に５００時間保存した後でも酸化
や剥離はなく，実用に供せる光磁気記録用単板光ディス
クであることが確認された。
【００３３】次に本発明の更にもう一つの実施例につい
て，図４に示す概略断面図を参照して説明する。
て，図４に示す概略断面図を参照して説明する。
【００３４】図４に示す光磁気記録用単板光ディスクは
，基板１の上に第１の透明干渉層２を設け，その上に鉄
族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁
性体からなる垂直磁化可能な光磁気層３を設け，その上
に第２の透明干渉層４を設け，その上にＡｌ合金の反射
層５を設け，その上にＮｉＣｒの保護層６を設け，その
上にＵＶ硬化樹脂のオーバーコート層７を設けるととも
に，これらの層の反対側の基板１の上にＳｉＯ２ のバ
ックコート層８を設けたものである。
，基板１の上に第１の透明干渉層２を設け，その上に鉄
族遷移金属と希土類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁
性体からなる垂直磁化可能な光磁気層３を設け，その上
に第２の透明干渉層４を設け，その上にＡｌ合金の反射
層５を設け，その上にＮｉＣｒの保護層６を設け，その
上にＵＶ硬化樹脂のオーバーコート層７を設けるととも
に，これらの層の反対側の基板１の上にＳｉＯ２ のバ
ックコート層８を設けたものである。
【００３５】反対側の基板面上にＳｉＯ２ のバックコ
ート層８を設けることにより，さらに耐候性に優れる光
磁気記録用単板光ディスクが得られる。これは，基板１
の中に水の分子を入りにくくすることにより，急激な湿
度変化に光磁気記録用単板光ディスクがさらされても，
反りがおこりにくくなるためである。
ート層８を設けることにより，さらに耐候性に優れる光
磁気記録用単板光ディスクが得られる。これは，基板１
の中に水の分子を入りにくくすることにより，急激な湿
度変化に光磁気記録用単板光ディスクがさらされても，
反りがおこりにくくなるためである。
【００３６】更に，この光磁気記録用単板光ディスクの
具体的製法及び特性について図５を用いて以下に説明す
る。
具体的製法及び特性について図５を用いて以下に説明す
る。
【００３７】案内溝が形成されている直径８６ｍｍ，厚
さ１．２０ｍｍのポリカーボネート樹脂製ディスク基板
１をスパッタ装置内に載置し，５×１０−７Ｔｏｒｒ以
下に真空排気した後，ポリカーボネート樹脂表面をおよ
そ６０オングストローム程度逆スパッタし，しかる後タ
ンタルターゲットをアルゴンと酸素との混合ガスにより
スパッタすることにより３００オングストローム厚の酸
化タンタルの付着層５１を設け，その上にシリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスによりスパッタす
ることにより６５０オングストローム厚の窒化シリコン
の第１の透明干渉層２を設けた。次に，ＴｂＦｅＣｏＴ
ｉターゲットをアルゴンガスによりスパッタすることに
より２００オングストローム厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの非
晶質の光磁気層３を形成した。次に，シリコンターゲッ
トをアルゴンと窒素との混合ガスによりスパッタするこ
とにより２５０オングストローム厚の窒化シリコンの第
２の透明干渉層４を設けた。その上にＡｌＴｉ合金ター
ゲット（Ｔｉの含有量は１重量％）をアルゴンガスによ
りスパッタすることにより３００オングストローム厚の
Ａｌ−Ｔｉの反射層５を設け，その上にＮｉＣｒ合金タ
ーゲット（Ｃｒの含有量は２０重量％）をアルゴンガス
によりスパッタすることにより３００オングストローム
厚のＮｉＣｒの保護層６を設け，この後，スパッタ装置
から大気中に取り出し，保護層６の上にＵＶ硬化樹脂を
スピンコートし，ＵＶ照射することによりＵＶ硬化樹脂
の１０μｍ 厚のオーバーコート層７を設けた。しかる
後，スパッタ装置内に再び載置し，９×１０−７Ｔｏｒ
ｒ以下に真空排気した後，ポリカーボネート樹脂表面を
およそ２０オングストローム程度逆スパッタし，しかる
後ＳｉＯ２ ターゲットをアルゴンガスによりスパッタ
することにより５００オングストローム厚のＳｉＯ２
のバックコート層８を反対側の基板面に設け，図５のよ
うな構成の光磁気記録用単板光ディスクを作製した。
さ１．２０ｍｍのポリカーボネート樹脂製ディスク基板
１をスパッタ装置内に載置し，５×１０−７Ｔｏｒｒ以
下に真空排気した後，ポリカーボネート樹脂表面をおよ
そ６０オングストローム程度逆スパッタし，しかる後タ
ンタルターゲットをアルゴンと酸素との混合ガスにより
スパッタすることにより３００オングストローム厚の酸
化タンタルの付着層５１を設け，その上にシリコンター
ゲットをアルゴンと窒素との混合ガスによりスパッタす
ることにより６５０オングストローム厚の窒化シリコン
の第１の透明干渉層２を設けた。次に，ＴｂＦｅＣｏＴ
ｉターゲットをアルゴンガスによりスパッタすることに
より２００オングストローム厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの非
晶質の光磁気層３を形成した。次に，シリコンターゲッ
トをアルゴンと窒素との混合ガスによりスパッタするこ
とにより２５０オングストローム厚の窒化シリコンの第
２の透明干渉層４を設けた。その上にＡｌＴｉ合金ター
ゲット（Ｔｉの含有量は１重量％）をアルゴンガスによ
りスパッタすることにより３００オングストローム厚の
Ａｌ−Ｔｉの反射層５を設け，その上にＮｉＣｒ合金タ
ーゲット（Ｃｒの含有量は２０重量％）をアルゴンガス
によりスパッタすることにより３００オングストローム
厚のＮｉＣｒの保護層６を設け，この後，スパッタ装置
から大気中に取り出し，保護層６の上にＵＶ硬化樹脂を
スピンコートし，ＵＶ照射することによりＵＶ硬化樹脂
の１０μｍ 厚のオーバーコート層７を設けた。しかる
後，スパッタ装置内に再び載置し，９×１０−７Ｔｏｒ
ｒ以下に真空排気した後，ポリカーボネート樹脂表面を
およそ２０オングストローム程度逆スパッタし，しかる
後ＳｉＯ２ ターゲットをアルゴンガスによりスパッタ
することにより５００オングストローム厚のＳｉＯ２
のバックコート層８を反対側の基板面に設け，図５のよ
うな構成の光磁気記録用単板光ディスクを作製した。
【００３８】次に得られた光磁気記録用単板光ディスク
を３６００ｒｍｐ で回転させ，波長７８００オングス
トロームの半導体レーザー光を基板１を通して光磁気層
３上でおよそφ１．４μｍ に絞って照射した。半径３
０ｍｍのところで記録周波数２．１２ＭＨｚ の信号を
デューティ５０％，記録バイアス磁界３５０エルステッ
ド，記録パワー９ｍＷで書込を行ったところ，４６ｄＢ
のＣ／Ｎが得られ，記録感度がよくかつ信号品質もよい
光磁気記録用単板光ディスクであることが確認された。
を３６００ｒｍｐ で回転させ，波長７８００オングス
トロームの半導体レーザー光を基板１を通して光磁気層
３上でおよそφ１．４μｍ に絞って照射した。半径３
０ｍｍのところで記録周波数２．１２ＭＨｚ の信号を
デューティ５０％，記録バイアス磁界３５０エルステッ
ド，記録パワー９ｍＷで書込を行ったところ，４６ｄＢ
のＣ／Ｎが得られ，記録感度がよくかつ信号品質もよい
光磁気記録用単板光ディスクであることが確認された。
【００３９】この光磁気記録用単板光ディスクを８０℃
で９０％の高温高湿環境に５００時間保存した後でも酸
化や剥離はなく，実用に供せる光磁気記録用単板光ディ
スクであることが確認された。
で９０％の高温高湿環境に５００時間保存した後でも酸
化や剥離はなく，実用に供せる光磁気記録用単板光ディ
スクであることが確認された。
【００４０】なお，ここでの具体例ではＵＶ硬化樹脂の
オーバーコート層７を設けてからＳｉＯ２ のバックコ
ート層８を設けたが，ＳｉＯ２ のバックコート層８は
ＵＶ硬化樹脂のオーバーコート層７の前に設けてもよい
。
オーバーコート層７を設けてからＳｉＯ２ のバックコ
ート層８を設けたが，ＳｉＯ２ のバックコート層８は
ＵＶ硬化樹脂のオーバーコート層７の前に設けてもよい
。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように，本発明の光磁気記
録用単板光ディスクは，書込・読出特性と共に耐候性に
も優れるものになるという効果がある。
録用単板光ディスクは，書込・読出特性と共に耐候性に
も優れるものになるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の一実施例を示す概略断面図である。
【図３】本発明の一実施例を示す概略断面図である。
【図４】本発明の一実施例を示す概略断面図である。
【図５】本発明の一実施例を示す概略断面図である。
【図６】従来の一例を示す概略断面図である。
１ 基板
２ 第１の透明干渉層
３ 光磁気層
４ 第２の透明干渉層
５ 反射層
６ ＮｉＣｒ保護層
７ ＵＶ硬化樹脂のオーバーコート層８
ＳｉＯ２ のバックコート層３１ 付着層 ５１ 付着層
ＳｉＯ２ のバックコート層３１ 付着層 ５１ 付着層
Claims (5)
- 【請求項１】 ディスク基板上に第１の透明干渉層，
光磁気層，第２の透明干渉層，及び反射層とを備えた光
磁気記録用単板光ディスクにおいて，前記反射層の上に
前記光磁気層の酸化防止する保護層を設けたことを特徴
とする光磁気記録用単板光ディスク。 - 【請求項２】 請求項１の光磁気記録用単板光ディス
クにおいて，前記保護層は，ＮｉＣｒを必須成分とする
材料からなることを特徴とする光磁気記録用単板光ディ
スク。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２の光磁気記録用
単板光ディスクにおいて，前記保護層の上にさらに紫外
線硬化樹脂からなるオーバーコート層を設けたことを特
徴とする光磁気記録用単板光ディスク。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかの光磁気記
録用単板光ディスクにおいて，前記第１の透明干渉層と
反対側のディスク基板上にＳｉＯ２ からなるバックコ
ート層を設けたことを特徴とする光磁気記録用単板光デ
ィスク。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかの光磁気記
録用単板光ディスクにおいて，前記光磁気層はＴｂＦｅ
ＣｏＴｉが必須成分であることを特徴とする光磁気記録
用単板光ディスク。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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