JPH04356742A - 光記録ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光により情報
の書込・読出を行う光記録ディスクに関し、特に追記形
光記録ディスクや光磁気記録単板ディスクの層構造に関
する。

【０００２】

【従来の技術】光記録ディスクは、記録密度が極めて高
いことから大容量記憶媒体として優れた特徴を有してい
る。この種の光ディスクとして追記形光記録ディスクや
、書き換え自在の光磁気記録用単板ディスクがある。 特に後者はカー効果を利用したもので、そのコンパクト
性から極めて実用性が高い。

【０００３】追記形光記録ディスクには、当初、Ｔａと
Ｐｂとが用いられており｛サイエンス（Ｓｃｉｅｎｃｅ
）１５４、１５５０、（１９６６）｝、その後、数々の
材料および層構造のものが開発されてきた。

【０００４】図７は従来の代表的な追記形光記録ディス
クの層構造を示す概略断面図である。この図を参照する
と、従来の追記形光記録ディスクは、例えば、基板１に
、第一の透明干渉層２、活性記録層３、第二の透明干渉
層４、反射層５７　を順次積み重ねた層構造を有する。 他の付着層等を介在させる場合もあるが、少なくとも図
７に示した順に積層される。

【０００５】基板１にはポリカーボネート樹脂板やフォ
トポリマーのついたガラス板、あるいはフォトポリマー
のついたアクリル樹脂板が用いられ、トラッキング・サ
ーボ用に案内溝や案内ピットが形成されている。

【０００６】また、第一および第二の透明干渉層２、４
には少なくともＺｎＳとＳｉＯ２　とを含む混合物が用
いられ、活性記録層３は少なくともＧｅ２Ｓｂ２　Ｔｅ
５　化合物を含み、反射層５７　にはＡｌＴｉ合金が用
いられる。

【０００７】追記形光記録ディスクは、この図７の層構
造のままでレーザー光を基板１を通して入射することに
より情報の書込・読出を行う場合もあるが、反射層５７
　の上にホットメルト剤を塗布して図７の層構造の追記
形光記録ディスクを二組設け、各基板１が外側になるよ
うに貼合わせて情報の書込・読出を行う場合もある。こ
のとき、反射層５７　にＵＶ硬化樹脂のオーバーコート
層を形成してから貼合わせることもある。また、二組の
追記形光記録ディスクを設け、各々基板１を外側に配し
、内側の反射層５７　同士を空気間隙を介して対向させ
たエアサンドイッチ構造にして情報の書込・読出を行う
場合もある。

【０００８】書込・読出用のレーザー光は基板１を通し
て入射し、活性記録層３の近傍でおよそφ１．４［μｍ
］になるようにフォーカシング・サーボにより集光され
る。レーザー光源としては波長８３００オングストロー
ム前後の半導体レーザーが用いられる。

【０００９】情報を書き込むときには、該情報に対応さ
せて高パワーのレーザー光を照射することにより、活性
記録層３にレーザー光のエネルギーを吸収させ、それを
熱エネルギーに変換させ昇温させる。このとき活性記録
層３の状態が変化したりその上下の層が変形したりする
ことで記録マークが形成される。

【００１０】情報の読出は、低パワーのレーザー光を移
動させながら記録マークに照射することにより、記録マ
ークのあるところからの反射光と記録マークのないとこ
ろからの反射光との差を検出することによる。

【００１１】図８は従来の代表的な光磁気記録単板ディ
スクの層構造を示す概略断面図である。この図を参照す
ると、従来の光磁気記録単板ディスクは、例えば、基板
１に、第三の透明干渉層６、垂直磁化可能な光磁気層７
、第四の透明干渉層８、反射層９８　を順次積み重ねた
層構造を有する。他の付着層等を介在させる場合もある
が、少なくとも図８に示した順に積層される。

【００１２】基板１には、追記形光記録ディスクと同様
に、ポリカーボネート樹脂板やフォトポリマーのついた
ガラス板、あるいはフォトポリマーのついたアクリル樹
脂板が用いられ、トラッキング・サーボ用に案内溝や案
内ピットが形成されている。

【００１３】また、光磁気層７は、鉄族遷移金属と希土
類遷移金属との非晶質合金のフェリ磁性体から成る膜で
あり、例えばＴｂＦｅＣｏの３元合金やＤｙＦｅＣｏの
３元合金が提案されている（特公平第１−２３９２７号
公報参照）。このようなフェリ磁性体は非常に酸化され
やすいので、これを防止するために、第三の透明干渉層
６と第四の透明干渉層８とで挟みこんでいる。第三およ
び第四の透明干渉層６，８には、通常、窒化シリコン膜
が用いられる。

【００１４】また、反射層９８　には、通常、ＡｌＴｉ
合金から成る膜が用いられる。

【００１５】書込・読出用のレーザー光は、追記形光記
録ディスクの場合と同様に、基板１を通して入射され、
光磁気層７の近傍でおよそφ１．４［μｍ］になるよう
にフォーカシング・サーボにより集光される。レーザー
光源としては波長８３００オングストローム前後の半導
体レーザーが用いられる。

【００１６】光磁気記録単板ディスクへの情報の書込は
、情報に対応させて高パワーのレーザー光を照射するこ
とにより、光磁気層７にレーザー光のエネルギーを吸収
させ、それを熱エネルギーに変換させ、キュリー温度近
傍にまで昇温させる。この昇温部分を含む領域に記録バ
イアス磁界をかけておき、昇温部分の磁化を他の部分と
は逆の方向に配向せしめることで情報の書込状態を形成
する。

【００１７】情報の読出は、直線偏光した集束レーザー
光を光磁気層７に照射し、そこからの反射光を検光子を
介して光学的に検出することによる。即ち、光磁気層７
は、カー効果により反射光の偏光面を回転させる効果が
あるので、反射光の偏光回転角θｋ　が光磁気層７の垂
直磁化の向きにより異なる利用して、反射光が光検出手
段に入射する前に検光子を通し、磁化の向きに対応した
情報を光量変化として読み出す。光磁気層７の材料自体
の偏光回転角θｋ　は小さいので、第三および第四の透
明干渉層６，８と反射層９８　とによる多重干渉効果に
よる読出信号の増幅が行われる。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来、追記
形光記録ディスクや光磁気記録単板ディスク等の光記録
ディスクでは、耐候性についての配慮がなされていない
。そのため、高温多湿の環境で使用したり、温度変化が
変化する場所で使用すると、ディスクの反射層５７　，
９８　が酸化して局部的に腐食するとともに、使用時に
おける書込・読出特性が悪化する問題があった。通常環
境の下であっても経年変化により同様の問題を生じさせ
ていた。

【００１９】本発明はかかる問題点を解決するためにな
されたものであり、その目的とするところは、耐候性に
優れた光記録ディスクを提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の構成は、基板上に第一の透明干渉層と活性記
録層と第二の透明干渉層と反射層とを少なくともこの順
に形成して成り、レーザー光を基板を通して活性記録層
に集束して照射することで情報の書込が行われ、一方、
レーザー光を基板を通して活性記録層に集束して移動さ
せながら照射することで情報の読出が行われる光記録デ
ィスクであって、前記第一および第二の透明干渉層はＺ
ｎＯとＳｉＯ２　とを少なくとも含む膜であり、前記活
性記録層はＧｅ２　Ｓｂ２　Ｔｅ５　化合物を少なくと
も含む膜であり、前記反射層はＡｌＮｉ合金の膜である
ことを特徴とする。

【００２１】また、上記目的を達成するための本発明の
構成は、基板上に第三の透明干渉層と垂直磁化可能な光
磁気層と第四の透明干渉層と反射層とを少なくともこの
順に形成して成り、レーザー光を基板を通して光磁気層
に集束して照射することで情報の書込が行われ、一方、
レーザー光を基板を通して光磁気層に集束して移動させ
ながら照射することで情報の読出が行われる光記録ディ
スクであって、前記第三および第四の透明干渉層は窒化
シリコンの膜であり、前記光磁気層はＴｂＦｅＣｏＴｉ
を必須成分とするフェリ磁性体の膜であり、前記反射層
はＡｌＮｉ合金の膜であることを特徴とする。

【００２２】なお、このような光記録ディスクにおいて
、前記反射層の露出部にＵＶ硬化樹脂から成るオーバー
コート層を形成し、更に、前記基板の露出部にＳｉＯ２
　から成るバックコート層を形成した。

【００２３】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。なお、本発明は従来の追記形光記録媒体を改良し
たものなので、従来のものと同一材料および層構造につ
いては同一符号を付してその説明を省略する。 （第一実施例）図１は本発明の第一実施例に係る追記形
光記録ディスクの層構造を示す概略断面図である。

【００２４】本実施例の追記形光記録ディスクは、図１
のように、基板１、第一の透明干渉層２、活性記録層３
、第二の透明干渉層４を順次積層し、更に、第二の透明
干渉層４の上にＡｌＮｉ合金の膜から成る反射層５１　
を形成したものである。この反射層５１　の材料となる
ＡｌＮｉ合金のＮｉ含有量は、Ｎｉが少なくとも１０重
量％を超えるものが望ましい。

【００２５】このようにすることで、耐候性に優れる追
記形光記録ディスクが得られることが本発明者らによる
数々の試みの結果、明らかになった。

【００２６】以下、具体的に説明する。

【００２７】まず、フォトポリマーによって案内溝が形
成された直径３０５．５［ｍｍ］、厚さ１．１８［ｍｍ
］のガラスディスクの基板１を図示を省略したスパッタ
装置内に載置し、１×１０−６［Ｔｏｒｒ］以下に真空
排気した後、フォトポリマー層をおよそ２オングストロ
ーム程度逆スパッタし、その後、ＺｎＳとＳｉＯ２　と
の混合物（ＳｉＯ２　の含有量は１７モル％）の焼結タ
ーゲットをアルゴンガスによりスパッタすることで、６
００オングストローム厚のＺｎＳとＳｉＯ２　との混合
物の第一の透明干渉層２を形成した。

【００２８】次に、第一の透明干渉層２の上に、Ｇｅ２
　Ｓｂ２　Ｔｅ５　ターゲットをアルゴンガスによりス
パッタすることで、８０オングストローム厚のＧｅ２　
Ｓｂ２　Ｔｅ５の活性記録層３を形成した。

【００２９】次に、活性記録層３の上にＺｎＳとＳｉＯ
２　との混合物（ＳｉＯ２　の含有量は１７モル％）の
焼結ターゲットをアルゴンガスによりスパッタすること
で、１０００オングストローム厚のＺｎＳとＳｉＯ２　
との混合物の第二の透明干渉層４を形成した。

【００３０】そして、この第二の透明干渉層４の上にＡ
ｌＮｉ合金ターゲット（Ｎｉの含有量は１９．　４７重
量％）をアルゴンガスによりスパッタすることで、４０
０オングストローム厚のＡｌＮｉの反射層５１　を形成
して図１に示す層構造とした。

【００３１】その後、スパッタ装置から大気に取り出し
、この反射層５１　の上にＵＶ硬化樹脂をスピンコート
し、ＵＶ照射することにより、ＵＶ硬化樹脂の１０［μ
ｍ］厚の貼合保護膜を形成するとともに、このようにし
て形成したディスクを二枚準備し、基板１を外側、各膜
を内側になるようにエアサンドイッチ構造で貼合わせた
。これを線速度５．６５［ｍ／ｓ］一定で楕円形状のレ
ーザー光を照射し、情報を書き込むべき領域の活性記録
層３を結晶状態に揃えることで初期化を行い、追記形光
記録ディスクを作製した。

【００３２】このようにして作製した追記形光記録ディ
スクを線速度８．０１［ｍ／ｓ］で回転させ、波長８３
００オングストロームの半導体レーザー光を基板１を通
して活性記録層３上でおよそφ１．４［μｍ］に絞って
照射した。トラッキング・サーボおよびフォーカシング
・サーボにも用いる読出パワーは１．５［ｍＷ］とした
。記録周波数６．２８［ＭＨＺ　］の信号をパルス幅５
０［ｎｓ］、記録パワー１０［ｍＷ］で書込を行ったと
ころ、書込後の反射率が増大するというモードで、５４
［ｄＢ］のＣ／Ｎが得られ、記録感度が良く、且つ、信
号品質も良い追記形光記録ディスクであることが確認さ
れた。

【００３３】また、この追記形光記録ディスクを８０［
℃］９０［％］の高温多湿環境に５００時間保存して耐
候性の試験を行ったところ、酸化や剥離がなく、実用に
供せるものであることが確認された。

【００３４】次に、スパッタ装置で各膜の厚さを次のよ
うに積層し、上記と同様の方法、環境で書込・読出特性
と耐候性の評価を行った。各膜厚の単位はオングストロ
ームとする。

【００３５】 第一の透明干渉層２　　　　活性記録層３　　　　第二
の透明干渉層４　　　　反射層５　　　　６５０　　　
　→　　　　　　　　８０　　　　→　　　　　　１１
００　　　　　　　　→　　４００　　　　７００　　
　　→　　　　　　　　６０　　　　→　　　　　　１
１００　　　　　　　　→　　４００　　　　６００　
　　　→　　　　　　　　６０　　　　→　　　　　　
１０００　　　　　　　　→　　４００　　　　６００
　　　　→　　　　　　　　４０　　　　→　　　　　
　１０００　　　　　　　　→　　４００　　　　６５
０　　　　→　　　　　　１００　　　　→　　　　　
　　　９００　　　　　　　　→　　４００これらの条
件例では、いずれも書込・読出特性が良く、しかも酸化
、剥離が生じない追記形光記録ディスクであることが確
認された。

【００３６】なお、比較例として、反射層５１　がＡｌ
Ｔｉ合金からなる追記形光記録ディスク（これは図７の
ものと同じ）を作製し、８０［℃］９０［％］の高温多
湿環境に５００時間保存した後に外観検査を行ったとこ
ろ、反射層５１　が部分的に酸化している箇所が観察さ
れた。これは、２５［℃］５０［％］の通常環境に温度
、湿度をおろす際に反射層５１　に部分的に結露が生じ
、局部腐食が発生したものと思われる。

【００３７】このように、従来の追記形光記録ディスク
は温度、湿度の影響を受けて反射層５１　の変質を生じ
易いのに対し、本実施例では、この反射層５１　をＡｌ
Ｎｉ合金で形成したことで、反射層５１　の局部腐食が
抑止されるようになった。したがって、反射層５１　の
酸化、剥離が防止されるとともに、ＡｌＮｉ合金はレー
ザー光に悪影響を及ぼさないので、書込・読出特性を劣
下させることもなくなった。

【００３８】更に、反射層５１　の上にＵＶ硬化樹脂を
オーバーコートすることで、使用環境の変化による反射
層５１　の変質をより効果的に防止することができる。 （第二実施例）図２〜図６は本発明の第二実施例に係る
光磁気記録単板ディスクの層構造の概略断面図である。

【００３９】本実施例の光磁気記録単板ディスクは、ま
ず、図２に示すように、基板１、第三の透明干渉層６、
光磁気層７、第四の透明干渉層８を順次積層し、更に、
第四の透明干渉層８の上にＡｌＮｉ合金の膜から成る反
射層９２　を形成したものである。この反射層９２　の
材料となるＡｌＮｉ合金のＮｉ含有量は、Ｎｉが少なく
とも１０重量％を超えるものが望ましい。

【００４０】なお、第三および第四の透明干渉層は従来
のものと同様、窒化シリコンが最も望ましいが、ＺｎＳ
と金属酸化物、ＺｎＳと金属窒化物、ＺｎＳと金属炭化
物、ＺｎＳと金属フッ化物、ＺｎＳと金属ホウ化物、Ｚ
ｎＳと他の金属硫化物との各混合物、あるいは、高屈折
率の多元金属硫化物、窒化アルミニウム、窒化酸化シリ
コン、サイアロン（ＳｉＡｌＯＮ）であっても良い。ま
た多層膜で形成しても構わない。

【００４１】また、光磁気層７の材料は、ＴｂＦｅＴｉ
、ＴｂＦｅＣｒ、ＴｂＦｅＮｉ、ＴｂＦｅＮｉＣｒ、Ｔ
ｂＦｅＴａ、ＴｂＦｅＮｂ、ＴｂＦｅＰｔ、ＴｂＦｅＣ
ｏＴｉ、ＴｂＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＦ
ｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＦｅＴｉＣｏＴａ、ＴｂＦｅＣｏ
Ｎｂ、ＴｂＦｅＣｏＰｔ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴｉ、Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＮｉ、ＴｂＤｙＦ
ｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＴａ、ＴｂＤｙＦｅ
ＣｏＮｂ、ＴｂＤｙＦｅＣｏＰｔ、ＴｂＮｄＦｅＣｏＴ
ｉ、ＴｂＮｄＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＮｄＦｅＣｏＮｉ、Ｔ
ｂＮｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＮｄＦｅＣｏＴａ、Ｔｂ
ＮｄＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＮｄＦｅＣｏＰｔ、ＴｂＧｄＦ
ｅＣｏＮｉ、ＴｂＧｄＦｅＣｏＣｒ、ＴｂＧｄＦｅＣｏ
Ｎｉ、ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｉＣｒ、ＴｂＧｄＦｅＣｏＴ
ａ、ＴｂＧｄＦｅＣｏＮｂ、ＴｂＧｄＦｅＣｏＰｔが望
ましく、特にＴｂＦｅＣｏＴｉが望ましい。

【００４２】このようにすることで、耐候性に優れる光
磁気記録単板ディスクが得られることが本発明者らによ
る数々の試みの結果、明らかになった。

【００４３】更に、図３に示すように、反射層９２　の
上にＵＶ硬化樹脂のオーバーコート層１０を形成するこ
とで、より耐候性に優れる光磁気記録単板ディスクが得
られることが明らかになった。以下、具体的に説明する
。

【００４４】案内溝が形成された直径８６［ｍｍ］、厚
さ１．２０［ｍｍ］のポリカーボネイト樹脂製の基板１
を図示を省略したスパッタ装置内に載置し、５×１０−
７［Ｔｏｒｒ］以下に真空排気した後、ポリカーボネイ
ト樹脂表面をおよそ６０オングストローム程度逆スパッ
タし、その後、タンタルターゲットをアルゴンと酸素と
の混合ガスによりスパッタすることにより、図４に示し
たような３００オングストローム厚の酸化タンタルの付
着層６４　を形成し、その上にシリコンターゲットをア
ルゴンと窒素との混合ガスでスパッタすることで６５０
オングストローム厚の窒化シリコンから成る第三の透明
干渉層６を形成した。

【００４５】次に、この第三の透明干渉層６を１０オン
グストローム程度逆スパッタし、その後、ＴｂＦｅＣｏ
Ｔｉターゲットをアルゴンガスでスパッタすることで、
２００オングストローム厚のＴｂＦｅＣｏＴｉの非晶質
の光磁気層７を形成した。

【００４６】次に、シリコンターゲットをアルゴンと窒
素との混合ガスでスパッタすることで、２５０オングス
トローム厚の窒化シリコンの第四の透明干渉層８を形成
した。

【００４７】そして、この第四の透明干渉層８の上にＡ
ｌＮｉ合金ターゲット（Ｎｉの含有量は１９．　４７重
量％）をアルゴンガスによりスパッタすることで、３０
０オングストローム厚のＡｌＮｉの反射層９２　を形成
した。

【００４８】その後、このディスクをスパッタ装置から
大気に取り出し、この反射層９２　の上にＵＶ硬化樹脂
をスピンコートし、ＵＶ照射することにより、ＵＶ硬化
樹脂の１０［μｍ］厚のオーバーコート層１０を形成し
、図４のような層構造の光磁気記録単板ディスクを作成
した。

【００４９】このようにして作製した光磁気記録単板デ
ィスクを線速度３６００［ｒｐｍ］で回転させ、波長７
８００オングストロームの半導体レーザー光を基板１を
通して光磁気層７でおよそφ１．４［μｍ］に絞って照
射した。

【００５０】半径３０［ｍｍ］のところで記録周波数２
．１２［ＭＨＺ　］の信号をデューティ５０［％］、記
録バイアス磁界３５０エルステッド、記録パワー９［ｍ
Ｗ］で書込を行ったところ、４６［ｄＢ］のＣ／Ｎが得
られ、記録感度が良く、且つ、信号品質も良い光磁気記
録単板ディスクであることが確認された。

【００５１】また、この光磁気記録単板ディスクを８０
［℃］９０［％］の高温多湿環境に５００時間保存して
耐候性の試験を行ったところ、酸化や剥離がなく、実用
に供せるものであることが確認された。 （第三実施例）図５および図６は本発明の第三実施例に
係る光磁気記録単板ディスクの層構造を示す概略断面図
である。

【００５２】本実施例に係る光磁気記録単板ディスクは
、図５及び図６に示すように、基板１の露出部にＳｉＯ
２　から成るバックコート層１１を形成したものである
。これにより、さらに耐候性に優れた光磁気記録単板デ
ィスクが得られることが本発明者らの実験により確認さ
れた。これは、バックコート層１１により基板１の中に
水の分子が入りにくくなるので、急激な温度あるいは湿
度変化にさらされても基板の反りが起こりにくくなるた
めである。

【００５３】具体的に説明すると、前記第二実施例での
光磁気記録単板ディスクの製造過程において、反射層９
２　およびＵＶ硬化樹脂のオーバーコート層１０を形成
した後、これをスパッタ装置内に再び載置し、９×１０
−７［Ｔｏｒｒ］以下に真空排気し、その後、ＳｉＯ２
　ターゲットをアルゴンガスによりスパッタすることで
、５００オングストローム厚のバックコート層１１を基
板１の露出面、すなわち、第三の透明干渉層６あるいは
酸化タンタル６４　の反対側の基板１の表面に形成して
図５あるいは図６のような層構造の光磁気記録単板ディ
スクを作製した。これを第二の実施例に係る光磁気記録
単板ディスクと同様の耐候性試験を行ったところ、記録
感度および信号品質に影響を与えず、実用に適するもの
であることが確認された。

【００５４】なお、バックコート層１１は、オーバーコ
ート層１０の形成前に形成しても良い。また、第一実施
例の追記形光記録ディスクにこのバックコート層を形成
することもできる。

【００５５】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明では、
光記録ディスクの反射層をＡｌＮｉ合金で形成したので
、レーザー光による書込・読出特性に悪影響を及ぼさず
、しかも、反射層の酸化、剥離が防止されるという優れ
た効果を奏する光記録ディスクを実現することができる
。

【００５６】更に、反射層の上にＵＶ硬化樹脂から成る
オーバーコート層を形成し、基板の露出面にＳｉＯ２　
から成るバックコート層を形成したので、より耐候性に
優れた光記録ディスクを実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第一実施例に係る追記形光記録ディス
クの層構造を示す概略断面図である。

【図２】本発明の第二実施例に係る光磁気記録単板ディ
スクの層構造を示す概略断面図である。

【図３】本発明の第二実施例に係る光磁気記録単板ディ
スクの他の層構造を示す概略断面図である。

【図４】本発明の第二実施例に係る光磁気記録単板ディ
スクの他の層構造を示す概略断面図である。

【図５】本発明の第三実施例に係る光磁気記録単板ディ
スクの層構造を示す概略断面図である。

【図６】本発明の第三実施例に係る光磁気記録単板ディ
スクの他の層構造を示す概略断面図である。

【図７】従来の代表的な追記形光記録ディスクの層構造
を示す概略断面図である。

【図８】従来の代表的な光磁気記録単板ディスクの層構
造を示す概略断面図である。

【符号の説明】

１　　基板 ２　　第一の透明干渉層 ３　　活性記録層 ４　　第二の透明干渉層 ５７　，５１　，９８　，９２　　　反射層６　　第三
の透明干渉層 ６４　　　酸化タンタル付着層 ７　　光磁気層 ８　　第四の透明干渉層 １０　　オーバーコート層 １１　　バックコート層

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　基板上に第一の透明干渉層と活性記録
   層と第二の透明干渉層と反射層とを少なくともこの順に
   形成して成り、レーザー光を基板を通して活性記録層に
   集束して照射することで情報の書込が行われ、一方、レ
   ーザー光を基板を通して活性記録層に集束して移動させ
   ながら照射することで情報の読出が行われる光記録ディ
   スクであって、前記第一および第二の透明干渉層はＺｎ
   ＯとＳｉＯ２　とを少なくとも含む膜であり、前記活性
   記録層はＧｅ２　Ｓｂ２　Ｔｅ５　化合物を少なくとも
   含む膜であり、前記反射層はＡｌＮｉ合金の膜であるこ
   とを特徴とする光記録ディスク。
2. 【請求項２】　　基板上に第三の透明干渉層と垂直磁化
   可能な光磁気層と第四の透明干渉層と反射層とを少なく
   ともこの順に形成して成り、レーザー光を基板を通して
   光磁気層に集束して照射することで情報の書込が行われ
   、一方、レーザー光を基板を通して光磁気層に集束して
   移動させながら照射することで情報の読出が行われる光
   記録ディスクであって、前記第三および第四の透明干渉
   層は窒化シリコンの膜であり、前記光磁気層はＴｂＦｅ
   ＣｏＴｉを必須成分とするフェリ磁性体の膜であり、前
   記反射層はＡｌＮｉ合金の膜であることを特徴とする光
   記録ディスク。
3. 【請求項３】　　前記反射層の露出部にＵＶ硬化樹脂か
   ら成るオーバーコート層を形成したことを特徴とする請
   求項１および請求項２記載の光記録ディスク。
4. 【請求項４】　　前記基板の露出部にＳｉＯ２　から成
   るバックコート層を形成したことを特徴とする請求項１
   ないし請求項３記載の光記録ディスク。