[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2954440B2 - 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 - Google Patents

光磁気記録媒体および光磁気記録方法

Info

Publication number
JP2954440B2
JP2954440B2 JP5009440A JP944093A JP2954440B2 JP 2954440 B2 JP2954440 B2 JP 2954440B2 JP 5009440 A JP5009440 A JP 5009440A JP 944093 A JP944093 A JP 944093A JP 2954440 B2 JP2954440 B2 JP 2954440B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
recording
temperature
magnetization
magneto
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP5009440A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH06223420A (ja
Inventor
純一郎 中山
博之 片山
明 高橋
賢司 太田
善照 村上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Original Assignee
Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC filed Critical Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC
Priority to JP5009440A priority Critical patent/JP2954440B2/ja
Priority to DE69421299T priority patent/DE69421299T2/de
Priority to EP94300430A priority patent/EP0608134B1/en
Priority to KR1019940001159A priority patent/KR0132392B1/ko
Publication of JPH06223420A publication Critical patent/JPH06223420A/ja
Priority to US08/387,294 priority patent/US5662988A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2954440B2 publication Critical patent/JP2954440B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
    • G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
    • G11B11/10504—Recording
    • G11B11/10506—Recording by modulating only the light beam of the transducer
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
    • G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
    • G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
    • G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
    • G11B11/10515—Reproducing

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録装置に適用
される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気カード等
の光磁気記録媒体とそれに対する記録方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】最近、光磁気ディスク等の光磁気記録媒
体の記録密度を向上させるために、光ビームの記録媒体
上での大きさ（以下、スポット径と称する）よりも小さ
い記録ビットを記録・再生する方法が提案されている。
【０００３】通常、光記録において、光ビームは、集光
レンズにより回折限界まで絞り込まれているため、その
光強度分布がガウス分布になり、記録媒体上の温度分布
もほぼガウス分布になる。このため、或る温度以上の温
度を有する部位は、光ビームのスポット径よりも小さく
なっている。そこで、或る温度以上の部位のみを記録・
再生に関与させることができれば、記録密度は著しく向
上することになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光磁気記録媒体の記録密度は、記録・再生に使用される
光ビームのスポット径に依存する。即ち、従来の光磁気
記録媒体では、記録ビットが光ビームのスポット径より
も小さくなると、上記のスポット内に複数の記録ビット
が入ることになるため、これら記録ビットからの信号を
個々に分離することができなくなってしまう。従って、
記録ビットがスポット径よりも小さくなると、雑音の原
因である隣接の記録ビットからの信号の混入（いわゆる
クロストーク）が大きくなってしまい、これが記録ビッ
トを小さくして記録密度を向上させる際の制限事項とな
っている。
【０００５】本発明の目的は、記録ビットを小さくして
記録密度を向上させることができる光磁気記媒体および
光磁気記録方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
光磁気記録媒体は、上記の課題を解決するために、室温
で面内磁化を示す一方、光ビームの照射により照射部位
が所定温度以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に
移行する読み出し層と、情報を光磁気記録する記録層
と、室温で面内磁化を示す一方、温度上昇に伴い面内磁
化から垂直磁化に移行する緩衝層と、上記記録層よりも
高いキュリー温度を有し、かつ、室温での保磁力が記録
層よりも低い補助層とを備えたことを特徴としている。
【０００７】また、本発明の請求項２記載の光磁気記録
媒体は、上記の課題を解決するために、室温で面内磁化
を示す一方、光ビームの照射により照射部位が所定温度
以上に上昇すると、面内磁化から垂直磁化に移行する読
み出し層と、情報を光磁気記録する記録層と、上記記録
層よりも高いキュリー温度を有し、かつ、室温での保磁
力が記録層よりも低い補助層と、上記記録層よりも低い
キュリー温度を有し、隣接する２層間を、上記キュリー
温度よりも低い温度では磁気的に導通し、上記キュリー
温度以上では磁気的に遮断する遮断層と、上記補助層よ
りも高いキュリー温度を有し、かつ、室温での保磁力が
記録層よりも低く、補助層よりも高い初期化層とを備え
たことを特徴としている。
【０００８】さらにまた、本発明の請求項３記載の光磁
気記録方法は、上記の課題を解決す るために、上記請求
項２記載の光磁気記録媒体を用い、室温では補助層の磁
化の向きは遮断層を介して隣合う初期化層の磁化の向き
に従っており、この状態で、初期化層の保磁力よりも充
分低く、かつ逆の記録磁界を印加しながら、高レベルの
光ビームを照射することで、スポット中心部付近の部分
で、記録層および補助層の温度を共にキュリー温度付近
またはそれ以上の温度まで上昇させ、かつ遮断層によっ
て補助層と初期化層とを磁気的に遮断して、補助層の磁
化を記録磁界により反転し、冷却過程によって記録層お
よび補助層の磁化の向きを一致させ、または、低レベル
の光ビームを照射することで、上記スポット中心部付近
の部分で、記録層の温度をキュリー温度付近またはそれ
以上の温度まで上昇させ、補助層の温度をキュリー温度
より低くし、かつ遮断層によって補助層と初期化層とを
磁気的に遮断して、補助層の磁化を反転させず、冷却過
程によって記録層および補助層の磁化の向きを一致させ
ることで、光変調オーバーライトによる記録を行うこと
を特徴としている。
【０００９】
【作用】本発明の請求項１の構成の光磁気記録媒体に対
して、例えば光変調オーバーライトによる記録を行う際
には、先ず、予め補助層に初期化磁界を印加し、磁化の
向きを一方向に揃えて初期化する。このとき、記録層
は、その保磁力が初期化磁界よりも高いので、磁化の反
転は生じない。次に、初期化磁界よりも充分小さい記録
磁界を印加しながら、高・低２レベルに強度変調された
光ビームを照射することによって、記録層の所望の部位
に対する情報の記録を行うことができる。
【００１０】即ち、高レベルに強度変調された光ビーム
が照射されると、記録層および補助層における光ビーム
のスポット中心部付近の部分の温度が共にキュリー温度
付近またはそれ以上の温度まで上昇する。この温度上昇
に伴って、補助層の磁化は記録磁界により反転し、ま
た、記録層の磁化の向きは、その冷却過程において、補
助層および記録層の２層間に作用する交換結合力によ
り、補助層の磁化の向きと一致する。一方、低レベルに
強度変調された光ビームが照射されると、上記スポット
中心部付近の部分における記録層の温度がキュリー温度
付近またはそれ以上の温度まで上昇するが、補助層の温
度はキュリー温度付近まで達しない。従って、補助層の
磁化は記録磁界により反転しないが、記録層の磁化の向
きは、その冷却過程において、補助層および記録層の２
層間に作用する交換結合力により、補助層の磁化の向き
と一致する。
【００１１】これにより、情報を記録層の所望の部位に
記録できる。一方、記録層における光ビームのスポット
中心部以外の部分の読み出し層の磁化は、面内磁化の状
態のままで保持される。この結果、該スポット中心部以
外の部分は光ビームに対しては磁気光学効果を示さず、
記録には関与しない。従って、光ビームの記録媒体上で
のスポット径よりも小さい上記スポット中心部付近の部
分だけを記録ビットとすることができ、記録密度を高密
度化することが可能となる。
【００１２】また、本発明の請求項２の構成の光磁気記
録媒体に対して、例えば請求項３のように、光変調オー
バーライトによる記録を行う際には、記録磁界を印加し
ながら、高・低２レベルに強度変調された光ビームを照
射することによって、記録層の所望の部位に対する情報
の記録を行うことができる。
【００１３】即ち、室温では、遮断層に磁化が存在し、
初期化層の磁化の向きが遮断層を通じて補助層に転写さ
れる。高レベルに強度変調された光ビームが照射される
と、上記光ビームのスポット中心部付近の部分における
遮断層の温度がキュリー温度付近またはそれ以上の温度
まで上昇するので、磁化が殆ど０になり、初期化層の磁
化の向きは補助層に転写されなくなる。そして、上記光
ビームが照射され続けると、上記スポット中心部付近の
部分における記録層および補助層の温度が共にキュリー
温度付近またはそれ以上の温度まで上昇する。この温度
上昇に伴って、補助層の磁化は記録磁界により反転し、
また、記録層の磁化の向きは、その冷却過程において、
補助層および記録層の２層間に作用する交換結合力によ
り、補助層の磁化の向きと一致する。一方、低レベルに
強度変調された光ビームが照射されると、上記スポット
中心部付近の部分における記録層の温度がキュリー温度
付近またはそれ以上の温度まで上昇するが、補助層の温
度はキュリー温度付近まで達しない。従って、上記スポ
ット中心部付近の部分における補助層の磁化は記録磁界
により反転しないが、記録層の磁化の向きは、その冷却
過程において、補助層および記録層の２層間に作用する
交換結合力により、補助層の磁化の向きと一致する。
尚、初期化層の保磁力は記録磁界よりも高いので、初期
化層の磁化は記録磁界により反転することはない。
【００１４】これにより、初期化磁界を印加することな
しに、情報を記録層の所望の部位に記録できる。一方、
上記スポット中心部以外の部分における記録層の磁化、
および読み出し層の磁化は、面内磁化の状態が保持され
る。この結果、光ビームに対しては磁気光学効果を示さ
ず、記録には関与しない。従って、光ビームの記録媒体
上でのスポット径よりも小さい上記スポット中心部付近
の部分だけを記録ビットとすることができ、記録密度を
高密度化することが可能となる。
【００１５】また、本発明の請求項１および請求項２の
光磁気記録媒体に対して、再生時には、読み出し層に光
ビームが照射され、この光ビームの光強度分布はガウス
分布となっているので、照射された部位の温度分布もほ
ぼガウス分布になる。このため、或る温度以上の温度を
有する上記スポット中心部付近の部分は、光ビームのビ
ーム径よりも小さくなっている。即ち、ビーム径よりも
小さい部位のみが温度上昇する。この温度上昇に伴っ
て、上記スポット中心部付近の部分は、面内磁化から垂
直磁化に移行する。つまり、読み出し層および記録層の
２層間に作用する交換結合力により、記録層の磁化の向
きに従い、記録層の磁化の向きが読み出し層に転写され
る。
【００１６】上記スポット中心部付近の部分が面内磁化
から垂直磁化に移行すると、該部分のみが磁気光学効果
を示すようになり、該部分からの反射光に基づいて記録
層に記録された情報が再生される。そして、光ビームが
移動して次の記録ビットを再生するときには、先の再生
部位の温度は低下し、垂直磁化から面内磁化に移行す
る。これに伴って、この温度の低下した部位は磁気光学
効果を示さなくなり、記録層に記録された磁化は読み出
し層の面内磁化にマスクされて読み出されることがなく
なる。これにより、雑音の原因である隣接の記録ビット
からの信号の混入（いわゆるクロストーク）がなくな
る。
【００１７】以上のように、所定温度以上の温度となる
スポット中心部付近の部分のみを再生に関与させるの
で、ビーム径よりも小さい記録ビットの再生が行え、記
録密度は著しく向上することになる。
【００１８】
【実施例】本発明の基礎となる構成について図１ないし
図２４に基づいて説明すれば、以下の通りである。尚、
以下の説明においては、光磁気記録媒体としての光磁気
ディスクを例に挙げることとする。
【００１９】本構成にかかる光磁気ディスクは、図１に
示すように、基板１、透明誘電体層２、読み出し層３、
記録層４、磁壁緩衝層としての中間層７、補助層８、保
護層５、オーバーコート層６がこの順に積層された構成
を有している。
【００２０】上記の読み出し層３として使用される希土
類遷移金属合金の磁気状態図は、図２に示すようにな
り、光磁気ディスクが垂直磁化を示す組成範囲（図中、
Ａで示す）が非常に狭い。これは、希土類金属と遷移金
属の磁気モーメントが釣り合う補償組成（図中、Ｐで示
す）の近辺でしか垂直磁化が現れないからである。
【００２１】ところで、希土類金属と遷移金属の磁気モ
ーメントは、それぞれ温度特性が異なり、高温では遷移
金属の磁気モーメントが希土類金属に比べて大きくな
る。このため、室温の補償組成よりも希土類金属の含有
量を多くしておき、室温では垂直磁化を示さずに面内磁
化を示すようにしておく。すると、光ビームが照射され
ることにより、照射部位の温度が上昇すると、遷移金属
の磁気モーメントが相対的に大きくなって、希土類金属
の磁気モーメントと釣り合うようになり、全体として垂
直磁化を示すようになる。
【００２２】次に、図３ないし図６に、読み出し層３の
膜面に垂直方向に印加された外部印加磁界Ｈex（図中、
横軸）と、膜面に垂直方向から光ビームを入射させたと
きの磁気カー回転角θK （図中、縦軸）との関係、即ち
ヒステリシス特性を示す。図３は、図２における補償組
成Ｐでの、室温から温度Ｔ1 までのヒステリシス特性を
示しており、図４ないし図６は、この順に、温度Ｔ1 か
ら温度Ｔ2 までのヒステリシス特性、温度Ｔ2 から温度
Ｔ3 までのヒステリシス特性、および温度Ｔ3からキュ
リー温度Ｔｃまでのヒステリシス特性を示している。
【００２３】図３ないし図６から明らかなように、温度
Ｔ1 から温度Ｔ3 までの範囲では、外部印加磁界Ｈexに
対して磁気カー回転角θK の立ち上がりが急峻なヒステ
リシス特性を示すが、一方、室温から温度Ｔ1 までの範
囲、および、温度Ｔ3 からキュリー温度Ｔｃまでの範囲
では、磁気カー回転角θK は殆ど０となっていることが
わかる。
【００２４】以上のような特性を備えた希土類遷移金属
合金の薄膜を読み出し層３に使用することで、本構成の
光磁気ディスクは記録密度を高くしている。尚、本構成
では、読み出し層３として、例えばＧｄ0.26 (Ｆｅ0.82
Ｃｏ0.18)0.74 を使用しており、膜厚は50nmである。ま
た、そのキュリー温度Ｔｃは約 300℃である。そして、
上記した理由で希土類金属の含有量を室温での補償組成
よりも多くしており、読み出し層３の磁化が、温度Ｔ1
で面内磁化から垂直磁化に移行するような補償組成とし
ている。
【００２５】上記の記録層４として、例えばＤｙ0.23
(Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22)0.77 を使用しており、膜厚は50nm
である。また、そのキュリー温度Ｔｃは約 200℃であ
る。これら読み出し層３および記録層４を組み合わせる
ことにより、読み出し層３の磁化は、室温では面内磁化
となり、 100℃〜 125℃程度の温度で面内磁化から垂直
磁化に移行するようになっている。尚、ＤｙＦｅＣｏ
は、その垂直磁気異方性が小さく、そのため、記録時に
用いる外部印加磁界Ｈexを低くすることができる。
【００２６】上記の中間層７として、例えばＧｄ0.30
(Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22)0.70 を使用しており、膜厚は20nm
である。また、そのキュリー温度Ｔｃは約 200℃であ
る。
【００２７】上記の補助層８として、例えば (Ｇｄ0.5
Ｄｙ0.5)0.25 (Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22)0.75 を使用してお
り、膜厚は50nmである。また、そのキュリー温度Ｔｃは
約 300℃である。
【００２８】上記の基板１として、例えば直径86mm、内
径15mm、厚さ 1.2mmの円盤状のガラスを使用しており、
透明誘電体層２の側の表面には、例えば反応性イオンエ
ッチング法により、光ビーム案内用のガイドトラックが
ピッチ 1.6μm （グルーブ幅0.8μm 、ランド幅 0.8μm
）で形成されている。
【００２９】上記の透明誘電体層２として、屈折率 2.0
の透明なＡｌＮを使用しており、膜厚は80nmである。こ
のＡｌＮは、窒化膜の一種であり、非常に耐湿性に優れ
ている。また、保護層５として、屈折率 2.0のＡｌＮを
使用しており、膜厚は20nmである。尚、透明誘電体層
２、読み出し層３、記録層４、中間層７、補助層８、お
よび保護層５は、例えばスパッタリングにより形成され
ている。即ち、透明誘電体層２および保護層５は、Ａｌ
ターゲットをＮ2 ガス雰囲気、もしくはＡｒガスとＮ2
ガスの混合ガス雰囲気でスパッタする、いわゆる反応性
ＤＣスパッタリングを行うことにより形成されている。
読み出し層３、記録層４、中間層７、および補助層８
は、ＦｅＣｏ合金ターゲット上にＧｄあるいはＤｙのチ
ップを並べた、いわゆる複合ターゲット、もしくは、Ｇ
ｄＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏおよびＧｄＤｙＦｅＣｏの合
金ターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気でスパッタする
ことにより形成されている。
【００３０】上記のオーバーコート層６として、ポリウ
レタンアクリレート系の紫外線硬化型樹脂を使用してお
り、膜厚は 5μm である。この紫外線硬化型樹脂は、例
えばスピンコーターにより保護層５上に塗布された後、
紫外線照射装置により紫外線が照射されて硬化されてい
る。
【００３１】尚、上記の読み出し層３の膜厚は、勿論、
50nmに限定されるものではなく、20nm〜 100nm、好まし
くは50nm以上であればよい。読み出し層３の膜厚が20nm
よりも薄いと、読み出し層３の面内磁化による記録層４
のマスク効果が小さくなるために好ましくなく、また、
100nmよりも厚いと、記録層４の情報が転写され難くな
るために好ましくない。また、上記の記録層４の膜厚
は、勿論、50nmに限定されるものではなく、20nm〜 100
nmであればよい。さらに、透明誘電体層２の屈折率は、
例えばスパッタ時における雰囲気ガスの圧力、あるいは
ＡｒガスとＮ2 ガスの混合比率等を変えることにより変
化させることが可能であり、 1.8〜 2.1が好適である。
【００３２】次に、上記構成の光磁気ディスクを使用し
て、情報の記録・再生を行った具体例を示す。先ず、上
記構成の光磁気ディスクの磁気特性について説明する。
読み出し層３のヒステリシス特性を、温度を変えて測定
した測定結果を図７および図８に示す。室温（25℃）で
のヒステリシス特性を示す図７から、室温においては、
外部印加磁界Ｈexが０のときに、磁気カー回転角θK が
殆ど０であることがわかる。これは、読み出し層３の磁
化が、面内磁化となっていることを示している。また、
120℃でのヒステリシス特性を示す図８から、 120℃に
おいては、外部印加磁界Ｈexが０のときに、磁気カー回
転角θK が約0.5degであることがわかる。これは、読み
出し層３の磁化が、垂直磁化に移行していることを示し
ている。
【００３３】次に、光ビームの波長 780nm、光磁気ディ
スクの所定位置に光ビームを集光する対物レンズの開口
数(N.A.)0.55である光ヘッドを用いて再生信号の振幅を
測定した測定結果について説明する。先ず、光磁気ディ
スクの中心から26.5mmのところに形成されているランド
に、回転数 1800rpm（線速5m/s）で、長さ 0.765μmの
単一周波数記録ビットを予め記録した。この記録は、記
録層４の磁化の向きを一方向に揃えて消去状態とし、そ
の後、記録用外部磁界の方向をこれとは逆方向に固定し
て、長さ 0.765μm に相当する記録周波数（約3.3MHz）
で光ビームを変調することにより行った。また、記録光
ビーム強度は、約 8mWであった。この記録ビット列を再
生光ビーム強度を変えて再生し、再生信号の振幅を測定
した測定結果を図９に示す。尚、図中、再生光ビーム強
度を横軸、再生信号の振幅を縦軸とし、 0.5mW〜 3mWの
範囲で測定して、 0.5mWのときの振幅で規格化した。同
図において、曲線Ａが本構成の光磁気ディスクの測定結
果である。また、曲線Ｂは以下に示す比較光磁気ディス
クの測定結果である。
【００３４】上記の比較光磁気ディスクは、基板１に、
ＡｌＮ層80nm、ＤｙＦｅＣｏからなる磁性層20nm、Ａｌ
Ｎ層25nm、ＡｌＮｉ層30nm、オーバーコート層６をこの
順に積層した構成となっている。即ち、希土類遷移金属
合金であるＤｙＦｅＣｏの薄膜の両側に誘電体層である
ＡｌＮ層を形成し、反射層であるＡｌＮｉ層を設けた構
成（いわゆる反射膜構造）となっている。また、磁性層
は、室温から高温までの間で垂直磁化を有している。
【００３５】また、直線Ｃは、原点および 0.5mWでの振
幅規格値を通り、再生光ビーム強度と再生信号の振幅と
の比例関係を表しており、次式で示される。即ち、再生
信号の振幅∝媒体反射光量×磁気カー回転角θK（但
し、媒体反射光量は再生光ビーム強度に比例して増加す
る値である。）光磁気ディスクの再生信号の振幅は、再
生光ビーム強度の増加に伴い増大し、2mW〜2.25mWで最
大となる。また、曲線Ａが直線Ｃよりも上側に存在する
ことから、再生光ビーム強度の増加量以上に再生信号の
振幅が増加していることがわかる。このことは、読み出
し層３が、温度の低いときには磁気カー回転角θK が殆
ど０であり、温度の上昇に伴い急激に面内磁化から垂直
磁化に移行することを示している。一方、比較光磁気デ
ィスクの再生信号の振幅（曲線Ｂ）が直線Ｃよりも下側
に存在するのは、以下の理由による。即ち、再生光ビー
ム強度を増加させると、媒体反射光量は増加するが、反
面、磁性層の温度も上昇する。磁性層の磁化は、一般に
温度の上昇に伴い減少し、キュリー温度Ｔｃで０になる
性質を有している。従って、比較光磁気ディスクにおい
ては、温度の上昇に伴い磁気カー回転角θK が小さくな
り、直線Ｃよりも常に下側の値となる。
【００３６】続いて、記録ビットをより小さくしたとき
の再生信号の品質の変化を測定した測定結果について説
明する。先ず、先程と同一の条件・装置で、記録周波数
を変更して記録を行い、記録ビット長さに対する再生信
号の信号品質 C/Nを測定した測定結果を図１０に示す。
同図において、曲線Ａが再生光ビーム強度を2.25mWとし
た本構成の光磁気ディスクの測定結果である。また、曲
線Ｂは再生光ビーム強度を 1mWとした比較光磁気ディス
クの測定結果である。長さが 0.6μm 以上の記録ビット
においては、両者に殆ど差が見られないものの、長さが
0.6μm 未満の記録ビットにおいては、曲線Ａが曲線Ｂ
よりも上側に存在しており、本構成の光磁気ディスクの
再生信号の品質が良好であることがわかる。特に、光学
的分解能（後述する）の限界である 0.355μm よりも短
い記録ビットにおいても、凡そ30dBの信号品質 C/Nが得
られた。
【００３７】一方、比較光磁気ディスクは、長さが 0.6
μm 未満の記録ビットにおいて急激に信号品質 C/Nが低
下している。これは、記録ビット長さが小さくなるに伴
い、再生光ビームのスポットの中に存在する記録ビット
の数（あるいは面積）が増加し、個々の記録ビットを識
別できなくなるためである。一般に、光ヘッドの光学的
分解能を表す指標として、カットオフ空間周波数があ
り、この値は、光ビームの波長と対物レンズの開口数N.
A.により定まる。例えば、上記の測定に用いた光ヘッド
のそれぞれの値（波長 780nm、開口数(N.A.)0.55）を用
いてカットオフ空間周波数を算出し、記録ビット長さに
換算すると、 780nm／(2×0.55) ／2 ＝ 0.355μm となる。即ち、上記の測定に用いた光ヘッドの光学的分
解能の限界は、記録ビット長さが 0.355μm である。従
って、比較光磁気ディスクでは、記録ビット長さ 0.355
μm において、信号品質 C/Nが略０となっている。
【００３８】以上のことから、本構成の光磁気ディスク
は、光学的回折限界よりも小さな記録ビットの再生が可
能となり、記録密度を向上させることが可能となる。
【００３９】続いて、再生光ビーム強度とクロストーク
量との関係を測定した測定結果について説明する。測定
結果を図１１に示す。同図において、曲線Ａが本構成の
光磁気ディスクの測定結果であり、曲線Ｂが比較光磁気
ディスクの測定結果である。一般に、光磁気ディスクに
おいては、例えばランド仕様であれば、ランドの幅を広
くし、グルーブの幅を狭くしたガイドトラックを形成し
て、ランドのみを記録・再生に用いる。そして、クロス
トークは、ランド仕様であれば、任意のランドの情報を
再生しているときに、その両隣のランドの情報が再生さ
れて混入することにより発生する。例えばIS 10089規格
では、ピッチ 1.6μm のガイドトラックにおいて、長さ
が 0.765μm の記録ビットに対するクロストーク量が−
26dB以下であることが定められている。そこで、上記の
IS 10089規格に定められたクロストーク測定法に基づ
き、長さが 0.765μm の記録ビットに対するクロストー
ク量を、グルーブ幅 0.8μm 、ランド幅 0.8μm の基板
１を用いて測定した。本構成の光磁気ディスクでは、略
−30dBで上記のIS 10089規格をクリアする値が得られた
のに対し、比較光磁気ディスクでは、略−15dBとなり、
IS 10089規格をクリアする値が得られなかった。この理
由を以下に説明する。
【００４０】光磁気ディスクには、図１２に示すよう
に、ランド７１…およびグルーブ７２…にそれぞれ記録
ビット７３…が形成されている。ここで、或るランド７
１にサーボを掛けると、再生光ビームのスポット７４内
には、７個の記録ビット７３…が入ることになる（但
し、スポット７４の直径を1.73μm （エアリーディスク
径：1.22× 780nm／0.55）、また、説明の便宜上、記録
ビット７３…の直径を 0.355μm とする）。本構成の光
磁気ディスクでは、スポット７４中心部付近の、周囲よ
りも温度の高い部分７４ａに存在する記録ビット７３ａ
の磁化のみが垂直磁化に移行し、スポット７４における
それ以外の部分７４ｂに存在する記録ビット７３…の磁
化は面内磁化のまま保持される。従って、このようにス
ポット７４内に複数の記録ビット７３…が入っていて
も、再生されるのは記録ビット７３ａだけとなる。即
ち、スポット７４よりも記録ビット７３が小さくてもク
ロストーク量を小さくすることが可能となる。
【００４１】一方、比較光磁気ディスクでは、スポット
７４が照射されている全ての記録ビット７３…の磁化が
垂直磁化に移行し、磁気カー効果を示すようになるた
め、これら記録ビット７３…からの信号を個々に分離す
ることができなくなる。即ち、スポット７４よりも記録
ビット７３…が小さいと、クロストーク量が大きくなっ
てしまう。
【００４２】以上の種々の測定結果から、本構成の光磁
気ディスクは、比較光磁気ディスクよりも、クロストー
ク量の値等から明らかなように、少なくとも 2倍以上に
記録密度を高密度化することが可能であることがわか
る。
【００４３】尚、上記種々の測定においては、光ヘッド
の対物レンズの開口数(N.A.)0.55、光ビームの波長 780
nmとしたが、開口数N.A.や波長は、これらの値に限定さ
れるものではない。開口数N.A.を 0.6〜0.95としたり、
あるいは波長 670nm〜 680nmの半導体レーザ光や、波長
480nmのＡｒレーザ光、第二高調波発生素子（ＳＨＧ素
子）を用いた波長 335nm〜 600nmのレーザ光を使用する
ことにより、光ビームのスポット径を小さくすれば、光
磁気ディスクの記録密度は更に向上する。
【００４４】また、読み出し層３は、上記のＧｄ0.26
(Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18)0.74 に限定されるものではない。
読み出し層３としては、室温以上に補償温度を有し、該
補償温度付近で垂直磁化を示すものが良く、上記したよ
うに、希土類遷移金属合金が好適である。所定の組成範
囲の希土類遷移金属アモルファス合金は、希土類の磁化
と遷移金属の磁化が釣り合う補償温度を有する。
【００４５】ここで、Ｇｄx ( Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18)1-xに
おいて、キュリー温度Ｔｃと補償温度Ｔcompの組成依存
性について図１３を参照しながら以下に説明する。但
し、補償温度Ｔcompは、保磁力（Ｈｃ）が無限大となる
温度であり、キュリー温度Ｔｃは、保磁力Ｈｃが０とな
り磁化が消失する温度である。
【００４６】図１３から明らかなように、補償温度Ｔ
compが室温（25℃）以上となる組成範囲は、ｘ≧0.18で
あり、好ましくは、0.19＜ｘ＜0.29である。この範囲で
あれば、読み出し層３の磁化が面内磁化から垂直磁化に
移行する温度が室温〜 200℃となる。尚、この温度が高
くなると、再生光ビーム強度を記録光ビーム強度と同程
度の強度にしなければならず、記録層４への記録がなさ
れる虞れが生じるために好ましくない。
【００４７】次に、Ｇｄx ( Ｆｅ1-y Ｃｏy )1-xにおい
て、キュリー温度Ｔｃの組成依存性と、補償温度Ｔcomp
の組成依存性とについて図１４および図１５を参照しな
がら以下に説明する。先ず、Ｃｏの組成比ｙが０の場
合、即ち、Ｇｄx Ｆｅ1-x の場合は、図１４に示すよう
なキュリー温度Ｔｃの組成依存性と、補償温度Ｔcompの
組成依存性とを示し、同図より明らかなように、Ｇｄの
組成比ｘが0.24＜ｘ＜0.35で補償温度Ｔcompが室温以上
となり、例えばＧｄの組成比ｘが 0.3のときには、キュ
リー温度Ｔｃは約 200℃、補償温度Ｔcompは約 120℃で
ある。また、Ｆｅの組成比(1-y) が０の場合、即ち、Ｇ
ｄx Ｃｏ1-x の場合は、図１５に示すようなキュリー温
度Ｔｃの組成依存性と、補償温度Ｔcompの組成依存性と
を示し、同図より明らかなように、Ｇｄの組成比ｘが0.
20＜ｘ＜0.35で補償温度Ｔcompが室温以上となり、例え
ばＧｄの組成比ｘが 0.3のときには、キュリー温度Ｔｃ
は約400℃、補償温度Ｔcompは約 220℃である。
【００４８】以上のことから、Ｇｄの組成比ｘを同一と
しても、Ｃｏの組成比ｙが大きくなると、キュリー温度
Ｔｃおよび補償温度Ｔcompが上昇することがわかる。そ
して、再生時の磁気カー回転角θK が大きいほど、高い
信号品質 C/Nが得られることから、読み出し層３のキュ
リー温度Ｔｃは高いほうが有利となるが、反面、Ｃｏの
組成比ｙを大きくすると面内磁化から垂直磁化に移行す
る温度が高くなる。このため、Ｇｄx ( Ｆｅ1-y Ｃ
ｏy )1-xにおけるＣｏの組成比ｙは、 0.1＜y ＜0.5 が
好ましい。但し、読み出し層３の特性は、読み出し層３
および記録層４間に働く磁気的な交換結合力により、記
録層４の材料や組成、膜厚等の影響を受ける。従って、
読み出し層３は、記録層４に応じた最適の組成や膜厚等
となるようにすればよい。
【００４９】同様に、Ｔｂx ( Ｆｅy Ｃｏ1-y )1-xは、
Ｔｂの組成比ｘが0.20＜ｘ＜0.30（このとき、Ｆｅの組
成比ｙは任意）で補償温度Ｔcompが室温以上となる。ま
た、Ｄｙx ( Ｆｅy Ｃｏ1-y )1-xは、Ｄｙの組成比ｘが
0.24＜ｘ＜0.33（このとき、Ｆｅの組成比ｙは任意）で
補償温度Ｔcompが室温以上となる。さらに、Ｈｏx (Ｆ
ｅy Ｃｏ1-y )1-xは、Ｈｏの組成比ｘが0.25＜ｘ＜0.45
（このとき、Ｆｅの組成比ｙは任意）で補償温度Ｔcomp
が室温以上となる。
【００５０】また、希土類遷移金属合金の磁気カー回転
角θK は、波長依存性を有しており、一般に、光ビーム
の波長が短くなると磁気カー回転角θK は減少するが、
上述の各種希土類遷移金属合金に、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｐｔお
よびＰｄのうちの少なくとも一種類の元素を微量に添加
することにより、希土類遷移金属合金の特性を損なうこ
となく、光ビームの波長が短い場合においても、磁気カ
ー回転角θK の大きさを維持することが可能となる。さ
らに、上述の各種希土類遷移金属合金に、Ｃｒ、Ｖ、Ｎ
ｂ、Ｍｎ、ＢｅおよびＮｉのうちの少なくとも一種類の
元素を微量に添加することにより、水分や酸素の侵入に
よる希土類遷移金属合金の酸化を低減することが可能と
なり、希土類遷移金属合金の耐環境性が向上する。
【００５１】また、記録層４は、上記のＤｙＦｅＣｏに
限定されるものではない。記録層４としては、そのキュ
リー温度Ｔｃが補助層８のキュリー温度Ｔｃよりも低
く、かつ、室温での保磁力Ｈｃが補助層８の保磁力Ｈｃ
よりも高く、高温では補助層８の磁化の向きに従う材料
であればよい。例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、
ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、およびＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ等の希土類遷移金属合金が好適である。また、
上述の各種希土類遷移金属合金に、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍ
ｎ、ＢｅおよびＮｉのうちの少なくとも一種類の元素を
微量に添加することにより、希土類遷移金属合金の耐環
境性が向上する。
【００５２】また、中間層７は、上記のＧｄＦｅＣｏに
限定されるものではない。中間層７としては、そのキュ
リー温度Ｔｃが記録層４のキュリー温度Ｔｃよりも高
く、かつ、室温からキュリー温度Ｔｃまで面内磁化が優
位な材料であればよい。例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴ
ｂＦｅ、ＧｄＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ、およびＧｄＴｂＦｅＣｏ等の希土類遷移金属合金が
好適である。また、上述の各種希土類遷移金属合金に、
Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｎ、ＢｅおよびＮｉのうちの少なく
とも一種類の元素を微量に添加することにより、希土類
遷移金属合金の耐環境性が向上する。
【００５３】また、補助層８は、上記のＧｄＤｙＦｅＣ
ｏに限定されるものではない。補助層８としては、その
キュリー温度Ｔｃが記録層４のキュリー温度Ｔｃよりも
高く、かつ、その保磁力Ｈｃが室温での記録層４の保磁
力Ｈｃおよび初期化磁界（Ｈini ）よりも低い材料であ
ればよい。例えば、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、Ｎｄ
ＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、およびＧｄＴｂＦｅＣｏ
等の希土類遷移金属合金が好適である。また、上述の各
種希土類遷移金属合金に、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｂｅ
およびＮｉのうちの少なくとも一種類の元素を微量に添
加することにより、希土類遷移金属合金の耐環境性が向
上する。
【００５４】次に、上記の透明誘電体層２の膜厚は、勿
論、80nmに限定されるものではなく、その屈折率や、再
生光ビームの波長等により適宜設定すればよい。透明誘
電体層２の膜厚は、読み出し層３の磁気カー回転角θK
を光ビームの干渉効果を用いて増大させる、いわゆるカ
ー効果エンハンスメントを考慮して決定すればよく、ま
た、再生時の信号品質 C/Nを大きくするには、磁気カー
回転角θK を大きくすればよい。例えば、波長 780nmの
再生光ビームに対しては、透明誘電体層２の膜厚は30nm
〜 120nm、好ましくは70nm〜 100nmとすればよい。ま
た、例えば、波長400nmの再生光ビームに対しては、透
明誘電体層２の膜厚を上記の略半分とすればよい。さら
に、透明誘電体層２の材質、あるいは屈折率が異なる場
合には、屈折率に膜厚を乗じた値である光路長（例え
ば、屈折率 2.0、膜厚80nmのときには160nmとなる）が
等しくなるように、上記の膜厚を設定すればよい。そし
て、屈折率が大きければ膜厚を薄くすることができ、ま
た、カー効果エンハンスメントを大きくすることができ
る。
【００５５】また、上記の保護層５の膜厚は、勿論、20
nmに限定されるものではなく、 1nm〜 200nmとすればよ
い。但し、保護層５および透明誘電体層２の熱伝導率お
よび熱容量（比熱）が記録層４の記録感度に影響を与え
るので、例えば記録感度を上げるためには保護層５の膜
厚を薄くすればよい。
【００５６】尚、透明誘電体層２および保護層５は、上
記のＡｌＮに限定されるものではなく、ＡｌＮ以外に、
例えば、ＳｉＮ、ＡｌＳｉＮ、ＡｌＴａＮ、ＳｉＡｌＯ
Ｎ、ＴｉＮ、ＴｉＯＮ、ＢＮ、ＺｎＳ、ＴｉＯ2 、Ｂａ
ＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 等が好適である。透明誘電体層
２および保護層５を同一の材料で形成することにより、
光磁気ディスクの生産性を向上させることができる。
【００５７】さらに、基板１は、上記のガラスに限定さ
れるものではなく、例えば、化学強化されたガラス、ガ
ラス表面に紫外線硬化型樹脂層を形成した、いわゆる2P
層付きガラス、ポリカーボネート(PC)、ポリメチルメタ
クリレート(PMMA)、アモルファスポリオレフィン(APO)
、ポリスチレン(PS)、ポリ塩化ビニル(PVC) 、エポキ
シ樹脂等を用いることができる。そして、化学強化され
たガラスを基板１として使用した場合には、硬度が大
きいので傷が付き難く割れ難いこと、化学的に安定で
各種溶剤に不溶であること、帯電し難いので埃・塵が
付着し難いこと、面振れ、偏心、反り、傾き等の機械
的特性、耐湿性、耐酸化性、耐熱性に優れていることか
ら、光磁気ディスクの信頼性が向上すると共に、光学
特性に優れていることから、高い信号品質 C/Nを得るこ
とが可能となる。尚、化学強化されたガラスにガイドト
ラックおよびプリピットを形成するには、例えば反応性
ドライエッチング法を行えばよい。また、2P層付きガラ
スにガイドトラック等を形成するには、例えばスタンパ
を紫外線硬化型樹脂層に押圧した後、紫外線を照射して
樹脂層を硬化させればよい。また、上記の各種プラスチ
ックを基板１として使用した場合には、これらプラスチ
ックは射出成型可能なため大量生産することができ、生
産性が向上する。
【００５８】尚、基板１に用いられる材料は、以下に示
す各種光学特性および機械的特性を満足すれば、上記の
材料に限定されない。即ち、屈折率：1.44〜1.62、
複屈折（平行光で測定された往復複屈折）： 100nm以
下、透過率：90％以上、厚さ変動：± 0.1mm、チ
ルト：10mrad以下（好ましくは 5mrad以下）、面振れ
加速度：10m/s2以下、径方向加速度： 3m/s2以下。
【００５９】次に、上記構成の光磁気ディスクに情報を
記録・再生する光ヘッドにおいて、対物レンズにより集
光された光ビームを光磁気ディスクの所定位置に導く方
法としては、スパイラル状もしくは同心円状のガイドト
ラックを用いた連続サーボ方式、あるいは、スパイラル
状もしくは同心円状のピット列を用いたサンプルサーボ
方式が一般的である。
【００６０】通常、連続サーボ方式が行われる光磁気デ
ィスクは、図１６に示すように、基板１上に、例えば、
幅 0.2μm 〜 0.6μm 、深さλ／(8n)のグルーブ８２…
と、記録ビット７３…を有するランド８１…とからなる
ピッチｄ 1.2μm 〜 1.6μmのガイドトラックが形成さ
れている（但し、λは光ビームの波長、ｎは基板１の屈
折率である）。しかしながら、本構成の光磁気ディスク
は、スポット７４内における隣接の記録ビット７３…に
よるクロストーク量が小さいため、グルーブ８２…の幅
を 0.1μm 〜 0.4μm 、ガイドトラックのピッチｄを
0.5μm 〜 1.2μm としても、良好な記録・再生を行う
ことができ、記録密度を高密度化することが可能となっ
ている。また、図１７に示すように、基板１上に、例え
ば、同一の幅を有するグルーブ８４…とランド８３…と
からなるピッチｄ 0.8μm 〜 1.6μm のガイドトラック
が形成され、グルーブ８４…およびランド８３…にそれ
ぞれ記録ビット７３…が設けられている場合において
も、本構成の光磁気ディスクは、良好な記録・再生を行
うことができる。さらに、図１８に示すように、グルー
ブ８８…をウォブリングさせることによりディスクの位
置情報を得る場合においても、本構成の光磁気ディスク
は、ランド８７を挟んでウォブリング状態が逆位相とな
った隣接のグルーブ８８の記録ビットからのクロストー
クが発生しないので、良好な記録・再生を行うことがで
きる。
【００６１】また、通常、サンプルサーボ方式が行われ
る光磁気ディスクは、図１９に示すように、基板１上
に、例えば、ピッチ 1.2μm 〜 1.6μm 、深さλ／(4n)
のウォブルピット８５…が形成されており、光ビームが
図中の一点鎖線上を常に走査するようになっている。し
かしながら、本構成の光磁気ディスクは、スポット７４
内における隣接の記録ビット７３…によるクロストーク
量が小さいため、ウォブルピット８５…のピッチを 0.5
μm 〜 1.2μm としても、良好な記録・再生を行うこと
ができ、記録密度を高密度化することが可能となってい
る。また、図２０に示すように、基板１上に、例えば、
ピッチ 0.8μm 〜 1.6μm のウォブルピット８５…が形
成され、ウォブルピット８５…が逆極性で存在する位置
に記録ビット７３…が設けられている場合においても、
本構成の光磁気ディスクは、良好な記録・再生を行うこ
とができる。
【００６２】また、本構成の光磁気ディスクは、例えば
複数の光ビームを用いたいわゆるマルチビーム方式の光
ピックアップを使用して記録・再生することもできる。
図２１に示すように、上記の光ピックアップは、直線上
に並んだ複数の光ビームのうち、両端の光ビーム７４ｄ
・７４ｄがグルーブ９２・９２を走査することによって
位置決めし、上記の光ビーム７４ｄ・７４ｄ間に位置す
る光ビーム７４ｅ…がランド９１に設けられた記録ビッ
ト７３…の記録・再生を行うようになっている。この場
合においても、本構成の光磁気ディスクは、隣接の記録
ビット７３…によるクロストーク量が小さいため、光ビ
ーム７４ｅ…同士の間隔、あるいはランド９１の幅を狭
くしても、良好な記録・再生を行うことができ、記録密
度を高密度化することが可能となっている。
【００６３】ここで、本構成にかかる光磁気ディスクの
記録方法について説明すると、以下の通りである。上述
のように本構成の光磁気ディスクは、記録・再生・消去
を行うことができ、図２２に示すように、光変調オーバ
ーライトによる記録方法が可能となっている。先ず、本
構成の光磁気ディスクに対して、初期化磁界Ｈini を印
加することにより、補助層８の磁化の向きを一方向（例
えば図２２中、上向き）に揃えて初期化する。このと
き、記録層４は、その室温における保磁力Ｈｃが初期化
磁界Ｈini よりも大きいので、磁化の反転は生じない。
次に、初期化磁界Ｈini よりも充分小さい記録磁界Ｈw
を印加しながら、対物レンズ５５により集光され、高・
低２レベルに強度変調された光ビームを照射することに
よって、記録層４の所望の部位に対する情報の記録が行
われる。
【００６４】即ち、高レベルに強度変調された光ビーム
（以下、簡単のために、高レベルの光ビームと称する）
が照射されると、記録層４および補助層８における前記
スポット７４中心部付近の部分７４ａの温度が共にキュ
リー温度Ｔｃ付近またはそれ以上の温度まで上昇する
（その部分７４ａにおける読み出し層３は、面内磁化か
ら垂直磁化に移行する温度以上昇温する）。この温度上
昇に伴って、前記部分７４ａにおける補助層８の磁化は
記録磁界Ｈw により反転し（即ち、下向き）、また、記
録層４の磁化の向きは、その冷却過程において、中間層
７を介して補助層８および記録層４の２層間に作用する
交換結合力により、補助層８の磁化の向きと一致（下向
き）する。
【００６５】一方、低レベルに強度変調された光ビーム
（以下、簡単のために、低レベルの光ビームと称する）
が照射されると、前記部分７４ａにおける記録層４の温
度がキュリー温度Ｔｃ付近またはそれ以上の温度まで上
昇するが、補助層８の温度はキュリー温度Ｔｃ付近まで
達しない。従って、補助層８の磁化は記録磁界Ｈw によ
り反転しない（上向きの状態を保持する）が、記録層４
の磁化の向きは、その冷却過程において、中間層７を介
して補助層８および記録層４の２層間に作用する交換結
合力により、補助層８の磁化の向きと一致（上向き）す
る。
【００６６】これにより、情報を記録層４の所望の部位
に記録できる。一方、記録層４における前記スポット７
４中心部以外の部分７４ｂでの読み出し層３の磁化は、
面内磁化の状態が保持される。この結果、高レベルおよ
び低レベルの光ビームに対しては磁気光学効果を示さ
ず、記録には関与しない。従って、光ビームのスポット
径よりも小さい部分７４ａの記録ビットを記録すること
ができ、記録密度を高密度化することが可能となる。
【００６７】尚、光変調オーバーライトによる記録方法
は、上記の如く記録層４および補助層８の２層で行われ
るが、これら記録層４および補助層８の磁化は、両層と
も垂直磁気異方性を示すので、磁化状態によっては何れ
か一方の層に磁壁が生じることとなるが、本構成の光磁
気ディスクでは、記録層４および補助層８間に、室温か
らキュリー温度まで面内磁化が優位な中間層７を設けて
いるので、この中間層７が磁壁となる。このため、光変
調オーバーライトによる記録が支障なく行えるようにな
っている。
【００６８】上記のようにして記録された情報は、以下
のようにして再生される。即ち、再生動作時の再生光ビ
ームが照射されると、前記スポット７４中心部付近の部
分７４ａで読み出し層３の温度は上昇し、読み出し層３
が面内磁化から垂直磁化に移行する温度となる。このた
め、記録層４および読み出し層３の両層とも垂直磁気異
方性を示すようになる。このとき、記録磁界ＨW は印加
されないか、あるいは印加されても記録層４の保磁力Ｈ
ｃよりも充分低いので、再生動作時には読み出し層３の
磁化の向きは界面に作用する交換結合力によって記録層
４の対応する部位の磁化の向きと一致するようになる。
そして、読み出し層３からの反射光の偏光面の回転を検
出することによって、情報の再生動作が完了する。
【００６９】以上のように、本構成の光磁気ディスク
は、読み出し層３にキュリー温度Ｔｃの高い材料を使用
しているので磁気カー回転角θK が大きくとれ、読み出
される信号レベルが大きくなるので、信頼性が著しく向
上する。さらに、再生動作時の読み出し層３は再生光ビ
ーム中心部付近に対応する部位の温度のみが上昇するの
で、読み出し層３の面内磁化から垂直磁化に移行する温
度となる部位は、光ビームのスポット径よりも小さくな
り、従って光ビームのスポット径よりも小さい記録ビッ
トの再生が行え、記録密度が著しく向上する。尚、読み
出し層３において、前記スポット７４中心部以外の部分
７４ｂは、前記垂直磁化に移行するまでの温度上昇が生
じず、従って面内磁化の状態が保持されることになる。
この結果、垂直入射光に対して磁気光学効果を示さなく
なる。
【００７０】このようにして、前記中心部付近の部分７
４ａが面内磁化から垂直磁化に移行すると、該部分７４
ａのみが磁気光学効果を示すようになり、該部分７４ａ
からの反射光に基づいて記録層４に記録された情報が再
生される。そして、再生光ビームが移動して次の記録ビ
ットを再生するときには、先の再生部分７４ａの温度が
低下し、垂直磁化から面内磁化に移行する。これに伴っ
て、この温度の低下した部位は磁気光学効果を示さなく
なり、雑音の原因である隣接の記録ビットからの信号が
混入することがなくなる。
【００７１】さらに、上記種々の記録方法は、以下に示
す各層を設けた光磁気ディスクに対しても適用できる。
つまり、これらの光磁気ディスクは、オーバーコート
層６表面にハードコート層がさらに積層された構成、
基板１裏面およびオーバーコート層６表面にハードコー
ト層がさらに積層された構成、上記の、で形成さ
れたハードコート層表面に帯電防止層がさらに積層され
た構成、基板１裏面に透湿防止層、オーバーコート層
がこの順でさらに積層された構成である。
【００７２】上記の構成の光磁気ディスクにおけるハ
ードコート層は、例えば膜厚 3μmのアクリレート系の
紫外線硬化型樹脂からなり、高硬度で、耐摩耗性に優れ
ている。このハードコート層を設けることにより、傷が
一層付き難くなる。尚、ハードコート層を設ける代わり
に、オーバーコート層６にハードコート機能を付与させ
て１層としてもよい。そして、上記の構成の光磁気デ
ィスクは、上記の光磁気ディスクの基板１裏面にもハ
ードコート層が設けられるので、傷がより一層付き難く
なる。
【００７３】上記の構成の光磁気ディスクにおける帯
電防止層は、例えば膜厚 2μm 〜 3μm の、導電性フィ
ラーを混入したアクリル系のハードコート樹脂からな
り、表面抵抗率を低下させる。この帯電防止層を設ける
ことにより、埃・塵等が一層付着し難くなる。尚、帯電
防止層を設ける代わりに、ハードコート層に帯電防止機
能を付与させて１層としてもよい。
【００７４】上記の構成の光磁気ディスクにおける透
湿防止層は、透明誘電体層２と同一の材料からなり、例
えば膜厚 5nmである。また、オーバーコート層は、オー
バーコート層６と同一の材料からなる。透湿防止層を設
けることにより、基板１の吸湿がなくなり、湿度の変化
に対する光磁気ディスクの反り量を低減させることがで
きる。尚、オーバーコート層にハードコート機能や帯電
防止機能を付与させてもよい。
【００７５】尚、上記の構成では、図２３に示すよう
に、基板１、記録媒体層３０（即ち、透明誘電体層２、
読み出し層３、記録層４、中間層７、補助層８および保
護層５を示す）、オーバーコート層６がこの順に積層さ
れて構成された、いわゆる片面型の光磁気ディスクにつ
いて説明したが、図２４に示すように、基板１、記録媒
体層３０、接着層３１、記録媒体層３０、基板１がこの
順で積層されて構成された、いわゆる両面型の光磁気デ
ィスクに対しても適用できる。
【００７６】上記の接着層３１は、例えばポリウレタン
アクリレート系の接着剤からなり、耐湿性を有する。光
磁気ディスクを両面型とすることにより、より一層高密
度に情報の記録・再生が行える。
【００７７】本発明の第一の実施例について図１に基づ
いて説明すれば、以下の通りである。本実施例にかかる
光磁気ディスクは、基板１、透明誘電体層２、読み出し
層３、記録層４、緩衝層としての中間層１７、補助層
８、保護層５、オーバーコート層６がこの順に積層され
た構成を有している。
【００７８】上記の中間層１７として、例えばＧｄ0.26
(Ｆｅ0.90Ｃｏ0.10)0.74 を使用しており、膜厚は40nm
である。また、そのキュリー温度Ｔｃは約 250℃であ
る。中間層１７としては、そのキュリー温度Ｔｃが記録
層４のキュリー温度Ｔｃよりも高く、かつ、室温で面内
磁化を示す一方、温度上昇に伴い面内磁化から垂直磁化
に移行する材料であればよい。例えば、上記のＧｄＦｅ
Ｃｏ以外に、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＣｏ、
ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、およびＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ等の希土類遷移金属合金が好適である。また、
上述の各種希土類遷移金属合金に、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍ
ｎ、ＢｅおよびＮｉのうちの少なくとも一種類の元素を
微量に添加することにより、希土類遷移金属合金の耐環
境性が向上する。
【００７９】尚、基板１、透明誘電体層２、読み出し層
３、記録層４、補助層８、保護層５、およびオーバーコ
ート層６のそれぞれの構成、膜厚、および諸特性は、上
記基礎構成で説明した光磁気ディスクの各層と同じであ
るので、ここでは詳細な説明を省略する。また、光変調
オーバーライトによる記録方法、あるいは再生動作等に
ついても、上記基礎構成で説明した光磁気ディスクと同
じであるので、ここでは詳細な説明を省略する。
【００８０】上記構成の光磁気ディスクに光変調オーバ
ーライトによる記録を行うと、この記録は記録層４およ
び補助層８の２層で行われるが、これら記録層４および
補助層８の磁化は、両層とも垂直磁気異方性を示すの
で、磁化状態によっては何れか一方の層に磁壁が生じる
こととなるが、本実施例の光磁気ディスクでは、記録層
４および補助層８間に、室温で面内磁化を示す一方、温
度上昇に伴い面内磁化から垂直磁化に移行する中間層１
７を設けているので、室温では、この中間層１７が磁壁
となる。このため、より低い初期化磁界Ｈini で補助層
８の初期化が行えるようになる。また、高温では、中間
層１７の磁化が垂直磁化に移行するので、その冷却過程
において、補助層８および記録層４の２層間に作用する
交換結合力が大きくなり、記録層４に保護層８の磁化の
向きが転写され易くなる。従って、光変調オーバーライ
トによる記録が支障なく行えるようになっている。
【００８１】上記構成の光磁気ディスクは、光ビームを
照射した前記スポット７４中心部付近の部分７４ａで
は、情報を記録層４に記録できる。一方、前記スポット
７４中心部以外の部分７４ｂでの読み出し層３の磁化
は、面内磁化の状態が保持される。この結果、高レベル
および低レベルの光ビームに対しては磁気光学効果を示
さず、記録には関与しない。従って、光ビームのスポッ
ト径よりも小さい記録ビットを記録することができ、記
録密度を高密度化することが可能となる。また、再生時
には、読み出し層３にキュリー温度Ｔｃの高い材料を使
用しているので磁気カー回転角θK が大きくとれ、読み
出される信号レベルが大きくなるので、信頼性が著しく
向上する。さらに、再生動作時の読み出し層３は前記ス
ポット７４中心部付近の部分７４ａの温度のみが上昇す
るので、読み出し層３の面内磁化から垂直磁化に移行す
る温度となる該部分７４ａは、光ビームのスポット径よ
りも小さくなる。従って光ビームのスポット径よりも小
さい記録ビットの再生が行え、記録密度が著しく向上す
ると共に、雑音の原因である隣接の記録ビットからの信
号が混入することがなくなる。
【００８２】本発明の第二の実施例について図２５ない
し図２７に基づいて説明すれば、以下の通りである。図
２５に示すように、本実施例にかかる光磁気ディスク
は、基板１、透明誘電体層２、読み出し層３、記録層
４、補助層８、遮断層１９、初期化層２０、保護層５、
オーバーコート層６がこの順に積層された構成を有して
いる。
【００８３】上記の遮断層１９として、例えばＤｙ0.22
Ｆｅ0.78を使用しており、膜厚は20nmである。また、そ
のキュリー温度Ｔｃは約 120℃である。遮断層１９とし
ては、そのキュリー温度Ｔｃが記録層４のキュリー温度
Ｔｃよりも低い材料であればよい。例えば、上記のＤｙ
Ｆｅ以外に、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣ
ｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、およびＧｄＤｙ
ＦｅＣｏ等の希土類遷移金属合金が好適である。また、
上述の各種希土類遷移金属合金に、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍ
ｎ、ＢｅおよびＮｉのうちの少なくとも一種類の元素を
微量に添加することにより、希土類遷移金属合金の耐環
境性が向上する。
【００８４】上記の初期化層２０として、例えば (Ｇｄ
0.5 Ｄｙ0.5)0.25 (Ｆｅ0.5 Ｃｏ0.5)0.75を使用してお
り、膜厚は50nmである。また、そのキュリー温度Ｔｃは
約 300℃である。初期化層２０としては、そのキュリー
温度Ｔｃが補助層８のキュリー温度Ｔｃよりも高く、か
つ、その保磁力Ｈｃが室温での記録層４の保磁力Ｈｃよ
りも低く、補助層８の保磁力Ｈｃよりも高い材料であれ
ばよい。例えば、上記のＧｄＤｙＦｅＣｏ以外に、Ｔｂ
Ｃｏ、ＤｙＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、Ｄ
ｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、およびＧｄＤｙＦｅＣ
ｏ等の希土類遷移金属合金が好適である。また、上述の
各種希土類遷移金属合金に、Ｃｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｎ、Ｂ
ｅおよびＮｉのうちの少なくとも一種類の元素を微量に
添加することにより、希土類遷移金属合金の耐環境性が
向上する。
【００８５】尚、基板１、透明誘電体層２、読み出し層
３、記録層４、補助層８、保護層５、およびオーバーコ
ート層６のそれぞれの構成、膜厚、および諸特性は、補
助層８の膜厚を 100nmとした以外は、上記基礎構成で説
明した光磁気ディスクの各層と同じであるので、ここで
は詳細な説明を省略する。但し、補助層８としては、そ
のキュリー温度Ｔｃが記録層４のキュリー温度Ｔｃより
も高く、かつ、その保磁力Ｈｃが室温での記録層４の保
磁力Ｈｃよりも低い材料であればよい。また、光変調オ
ーバーライトによる記録方法、あるいは再生動作等につ
いても、上記基礎構成で説明した光磁気ディスクと同じ
であるので、ここでは詳細な説明を省略する。
【００８６】次に、本実施例にかかる光磁気ディスクの
記録方法について説明すると、以下の通りである。本実
施例の光磁気ディスクは、記録・再生・消去を行うこと
ができ、図２６および図２７に示すように、光変調オー
バーライトによる記録方法が可能となっている。先ず、
室温での補助層８の磁化の向きは、遮断層１９を介して
隣合う初期化層２０の磁化の向きに従っている（例え
ば、上向き）。この状態に、初期化層２０の保磁力Ｈｃ
よりも充分低い記録磁界Ｈw を印加しながら（例えば、
下向き）、対物レンズ５５により集光された高レベルお
よび低レベルの光ビームを照射することによって、記録
層４の前記スポット７４中心部付近の部分７４ａに対す
る情報の記録が行われる。
【００８７】即ち、図２６に示すように、高レベルの光
ビームＩが照射されると、前記部分７４ａで記録層４お
よび補助層８の温度が共にキュリー温度Ｔｃ付近または
それ以上の温度まで上昇する。同時に、遮断層１９の温
度もキュリー温度Ｔｃ以上の温度まで上昇し、この温度
上昇に伴って、補助層８と初期化層２０は、遮断層１９
によって磁気的に遮断される。従って、補助層８の磁化
は記録磁界Ｈw により反転し（即ち、下向き）、また、
記録層４の磁化の向きは、その冷却過程において、補助
層８および記録層４の２層間に作用する交換結合力によ
り、補助層８の磁化の向きと一致（下向き）する。
【００８８】一方、図２７に示すように、低レベルの光
ビームIIが照射されると、前記部分７４ａで記録層４の
温度がキュリー温度Ｔｃ付近またはそれ以上の温度まで
上昇するが、補助層８の温度はキュリー温度Ｔｃ付近ま
で達しない。従って、補助層８の磁化は、その温度での
保磁力Ｈｃが記録磁界Ｈw よりも高いので、記録磁界Ｈ
w により反転しない（上向きの状態を保持する）が、記
録層４の磁化の向きは、その冷却過程において、補助層
８および記録層４の２層間に作用する交換結合力によ
り、補助層８の磁化の向きと一致（上向き）する。尚、
遮断層１９の温度はキュリー温度Ｔｃ以上の温度まで上
昇しており、補助層８と初期化層２０は、遮断層１９に
よって磁気的に遮断されるが、室温において補助層８の
磁化の向きが初期化層２０の磁化の向きに従っているの
で、上向きとなっている。
【００８９】これにより、情報を記録層４の所望とする
前記部分７４ａに記録できる。一方、記録層４における
前記スポット７４中心部以外の部分７４ｂの読み出し層
３の磁化は、面内磁化の状態が保持される。この結果、
高レベルの光ビームＩおよび低レベルの光ビームIIに対
しては磁気光学効果を示さず、記録には関与しない。従
って、光ビームのスポット径よりも小さい記録ビットを
記録することができ、記録密度を高密度化することが可
能となる。
【００９０】また、本実施例の光磁気ディスクは、再生
時には、読み出し層３にキュリー温度Ｔｃの高い材料を
使用しているので磁気カー回転角θK が大きくとれ、読
み出される信号レベルが大きくなるので、信頼性が著し
く向上する。さらに、再生動作時の読み出し層３は前記
スポット７４中心部付近の部分７４ａの温度のみが上昇
するので、読み出し層３の面内磁化から垂直磁化に移行
する温度となる該部分７４ａは、光ビームのスポット径
よりも小さくなる。従って光ビームのスポット径よりも
小さい記録ビットの再生が行え、記録密度が著しく向上
すると共に、雑音の原因である隣接の記録ビットからの
信号が混入することがなくなる。
【００９１】尚、上記の第一および第二の実施例では、
光磁気記録媒体として光磁気ディスクについて説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、光磁気テ
ープ、光磁気カード等にも適用できる。また、発明の詳
細な説明の項においてなした具体的な実施態様、または
実施例は、あくまでも本発明の技術内容を明らかにする
ものであって、そのような具体例にのみ限定して狭義に
解釈されるべきものではなく、本発明の精神と前記特許
請求事項の範囲内で、いろいろと変更して実施すること
ができるものである。
【００９２】
【発明の効果】本発明の請求項１の光磁気記録媒体は、
以上のように、室温で面内磁化を示す一方、光ビームの
照射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内
磁化から垂直磁化に移行する読み出し層と、情報を光磁
気記録する記録層と、室温で面内磁化を示す一方、温度
上昇に伴い面内磁化から垂直磁化に移行する緩衝層と、
上記記録層よりも高いキュリー温度を有し、かつ、室温
での保磁力が記録層よりも低い補助層とを備えた構成で
ある。
【００９３】それゆえ、初期化磁界よりも充分小さい記
録磁界を印加しながら、高・低２レベルに強度変調され
た光ビームを照射することによって、記録層の所望の部
位に対する情報の記録を行うことができる。即ち、高レ
ベルに強度変調された光ビームが照射されると、記録層
および補助層における光ビームのスポット中心部付近の
部分の温度が共にキュリー温度付近またはそれ以上の温
度まで上昇し、この温度上昇に伴って、補助層の磁化は
記録磁界により反転する。また、記録層の磁化の向き
は、その冷却過程において、交換結合力により補助層の
磁化の向きと一致する。一方、低レベルに強度変調され
た光ビームが照射されると、上記スポット中心部付近の
部分における記録層の温度がキュリー温度付近またはそ
れ以上の温度まで上昇するが、補助層の温度はキュリー
温度付近まで達しないので、補助層の磁化は記録磁界に
より反転しない。そして、記録層の磁化の向きは、その
冷却過程において、交換結合力により補助層の磁化の向
きと一致する。
【００９４】これにより、情報を記録層の所望の部位に
記録できる。一方、記録層における光ビームのスポット
中心部以外の部分の読み出し層の磁化は、面内磁化の状
態のままで保持される。この結果、該スポット中心部以
外の部分は光ビームに対しては磁気光学効果を示さず、
記録には関与しない。従って、光ビームの記録媒体上で
のスポット径よりも小さい上記スポット中心部付近の部
分だけを記録ビットとすることができ、記録密度を高密
度化することが可能となるという効果を奏する。
【００９５】また、本発明の請求項２の光磁気記録媒体
は、以上のように、室温で面内磁化を示す一方、光ビー
ムの照射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、
面内磁化から垂直磁化に移行する読み出し層と、情報を
光磁気記録する記録層と、上記記録層よりも高いキュリ
ー温度を有し、かつ、室温での保磁力が記録層よりも低
い補助層と、上記記録層よりも低いキュリー温度を有
し、隣接する２層間を、上記キュリー温度よりも低い温
度では磁気的に導通し、上記キュリー温度以上では磁気
的に遮断する遮断層と、上記補助層よりも高いキュリー
温度を有し、かつ、室温での保磁力が記録層よりも低
く、補助層よりも高い初期化層とを備えた構成である。
【００９６】それゆえ、例えば請求項３のようにして、
記録磁界を印加しながら、高・低２レベルに強度変調さ
れた光ビームを照射することによって、記録層の所望の
部位に対する情報の記録を行うことができる。即ち、室
温では、遮断層に磁化が存在し、初期化層の磁化の向き
が遮断層を通じて補助層に転写される。高レベルに強度
変調された光ビームが照射されると、上記光ビームのス
ポット中心部付近の部分における遮断層の温度がキュリ
ー温度付近またはそれ以上の温度まで上昇するので、磁
化が殆ど０になり、初期化層の磁化の向きは補助層に転
写されなくなる。そして、上記光ビームが照射され続け
ると、上記スポット中心部付近の部分における記録層お
よび補助層の温度が共にキュリー温度付近またはそれ以
上の温度まで上昇し、この温度上昇に伴って、補助層の
磁化は記録磁界により反転する。また、記録層の磁化の
向きは、その冷却過程において、交換結合力により補助
層の磁化の向きと一致する。一方、低レベルに強度変調
された光ビームが照射されると、上記スポット中心部付
近の部分における記録層の温度がキュリー温度付近また
はそれ以上の温度まで上昇するが、補助層の温度はキュ
リー温度付近まで達しないので、上記スポット中心部付
近の部分における補助層の磁化は記録磁界により反転し
ない。そして、記録層の磁化の向きは、その冷却過程に
おいて、交換結合力により補助層の磁化の向きと一致す
る。尚、初期化層の保磁力は記録磁界よりも高いので、
初期化層の磁化は記録磁界により反転することはない。
【００９７】これにより、初期化磁界を印加することな
しに、情報を記録層の所望の部位に記録できる。一方、
上記スポット中心部以外の部分における記録層の磁化
は、面内磁化の状態が保持される。この結果、光ビーム
に対しては磁気光学効果を示さず、記録には関与しな
い。従って、光ビームの記録媒体上でのスポット径より
も小さい上記スポット中心部付近の部分だけを記録ビッ
トとすることができ、記録密度を高密度化することが可
能となるという効果を奏する。
【００９８】また、本発明の請求項１および請求項２の
光磁気記録媒体に対して、再生時には、読み出し層に光
ビームが照射され、この光ビームの光強度分布はガウス
分布となっているので、照射された部位の温度分布もほ
ぼガウス分布になる。このため、或る温度以上の温度を
有する上記スポット中心部付近の部分は、光ビームのビ
ーム径よりも小さくなっている。即ち、ビーム径よりも
小さい部位のみが温度上昇する。この温度上昇に伴っ
て、上記スポット中心部付近の部分は、面内磁化から垂
直磁化に移行する。つまり、読み出し層および記録層の
２層間に作用する交換結合力により、記録層の磁化の向
きが読み出し層に転写される。
【００９９】上記スポット中心部付近の部分が面内磁化
から垂直磁化に移行すると、該部分のみが磁気光学効果
を示すようになり、該部分からの反射光に基づいて記録
層に記録された情報が再生される。そして、光ビームが
移動して次の記録ビットを再生するときには、先の再生
部位の温度は低下し、垂直磁化から面内磁化に移行す
る。これに伴って、この温度の低下した部位は磁気光学
効果を示さなくなり、記録層に記録された磁化は読み出
し層の面内磁化にマスクされて読み出されることがなく
なる。これにより、雑音の原因である隣接の記録ビット
からの信号の混入（いわゆるクロストーク）がなくな
る。
【０１００】以上のように、所定温度以上の温度となる
スポット中心部付近の部分のみを再生に関与させるの
で、ビーム径よりも小さい記録ビットの再生が行え、記
録密度が著しく向上するという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の基礎となる構成の光磁気記録媒体とし
ての光磁気ディスクの構成を示す説明図である。
【図２】上記の光磁気ディスクの読み出し層の磁気状態
図である。
【図３】室温から温度Ｔ1 において、上記の読み出し層
に印加される外部印加磁界と磁気カー回転角との関係を
示す説明図である。
【図４】温度Ｔ1 から温度Ｔ2 において、上記の読み出
し層に印加される外部印加磁界と磁気カー回転角との関
係を示す説明図である。
【図５】温度Ｔ2 から温度Ｔ3 において、上記の読み出
し層に印加される外部印加磁界と磁気カー回転角との関
係を示す説明図である。
【図６】温度Ｔ3 からキュリー温度Ｔｃにおいて、上記
の読み出し層に印加される外部印加磁界と磁気カー回転
角との関係を示す説明図である。
【図７】室温において、図２の読み出し層に印加される
外部印加磁界と磁気カー回転角との関係を測定したグラ
フである。
【図８】120℃において、図２の読み出し層に印加され
る外部印加磁界と磁気カー回転角との関係を測定したグ
ラフである。
【図９】図２の読み出し層において、再生光ビーム強度
と再生信号の振幅との関係を測定したグラフである。
【図１０】図２の読み出し層において、記録ビット長さ
と再生信号の信号品質との関係を測定したグラフであ
る。
【図１１】図２の読み出し層において、再生光ビーム強
度とクロストーク量との関係を測定したグラフである。
【図１２】図１の光磁気ディスクに光ビームが照射され
た状態を示す説明図である。
【図１３】Ｇｄx ( Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18)1-xのキュリー温
度Ｔｃの組成依存性と、補償温度Ｔcompの組成依存性と
を示す説明図である。
【図１４】Ｇｄx Ｆｅ1-x のキュリー温度Ｔｃの組成依
存性と、補償温度Ｔcompの組成依存性とを示す説明図で
ある。
【図１５】Ｇｄx Ｃｏ1-x のキュリー温度Ｔｃの組成依
存性と、補償温度Ｔcompの組成依存性とを示す説明図で
ある。
【図１６】光磁気ディスクの基板上に形成されたランド
およびグルーブの形状の一例を示す説明図である。
【図１７】光磁気ディスクの基板上に形成されたランド
およびグルーブの形状の他の例を示す説明図である。
【図１８】光磁気ディスクの基板上に形成されたランド
およびグルーブの形状のさらに他の例を示す説明図であ
る。
【図１９】光磁気ディスクの基板上に形成されたウォブ
ルピットの配置の一例を示す説明図である。
【図２０】光磁気ディスクの基板上に形成されたウォブ
ルピットの配置の他の例を示す説明図である。
【図２１】光磁気ディスクの基板上に形成されたランド
およびグルーブの形状のさらに他の例を示す説明図であ
る。
【図２２】図１の光磁気ディスクに対して、記録動作を
行っていることを示す説明図である。
【図２３】片面型の光磁気ディスクの構成を示す説明図
である。
【図２４】両面型の光磁気ディスクの構成を示す説明図
である。
【図２５】本発明の第二の実施例における光磁気記録媒
体としての光磁気ディスクの構成を示す説明図である。
【図２６】図２５の光磁気ディスクに対して、高レベル
の光ビームを照射して記録動作を行っていることを示す
説明図である。
【図２７】図２５の光磁気ディスクに対して、低レベル
の光ビームを照射して記録動作を行っていることを示す
説明図である。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 透明誘電体層 ３ 読み出し層 ４ 記録層 ５ 保護層 ６ オーバーコート層 ７ 中間層 ８ 補助層 １７ 中間層（緩衝層） １９ 遮断層 ２０ 初期化層 ７３ 記録ビット ７４ スポット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 賢司 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 村上 善照 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 平５−12732（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−93056（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−188449（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−316343（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−139639（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10 506

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照
    射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内磁
    化から垂直磁化に移行する読み出し層と、 情報を光磁気記録する記録層と、 室温で面内磁化を示す一方、温度上昇に伴い面内磁化か
    ら垂直磁化に移行する緩衝層と、 上記記録層よりも高いキュリー温度を有し、かつ、室温
    での保磁力が記録層よりも低い補助層とを備えたことを
    特徴とする光磁気記録媒体。
  2. 【請求項２】室温で面内磁化を示す一方、光ビームの照
    射により照射部位が所定温度以上に上昇すると、面内磁
    化から垂直磁化に移行する読み出し層と、 情報を光磁気記録する記録層と、 上記記録層よりも高いキュリー温度を有し、かつ、室温
    での保磁力が記録層よりも低い補助層と、 上記記録層よりも低いキュリー温度を有し、隣接する２
    層間を、上記キュリー温度よりも低い温度では磁気的に
    導通し、上記キュリー温度以上では磁気的に遮断する遮
    断層と、 上記補助層よりも高いキュリー温度を有し、かつ、室温
    での保磁力が記録層よりも低く、補助層よりも高い初期
    化層とを備えたことを特徴とする光磁気記録媒体。
  3. 【請求項３】上記請求項２記載の光磁気記録媒体を用
    い、室温では補助層の磁化の向きは遮断層を介して隣合
    う初期化層の磁化の向きに従っており、この状態で、初
    期化層の保磁力よりも充分低く、かつ逆の記録磁界を印
    加しながら、 高レベルの光ビームを照射することで、スポット中心部
    付近の部分で、記録層および補助層の温度を共にキュリ
    ー温度付近またはそれ以上の温度まで上昇させ 、かつ遮
    断層によって補助層と初期化層とを磁気的に遮断して、
    補助層の磁化を記録磁界により反転し、冷却過程によっ
    て記録層および補助層の磁化の向きを一致させ、 または、低レベルの光ビームを照射することで、上記ス
    ポット中心部付近の部分で、記録層の温度をキュリー温
    度付近またはそれ以上の温度まで上昇させ、補助層の温
    度をキュリー温度より低くし、かつ遮断層によって補助
    層と初期化層とを磁気的に遮断して、補助層の磁化を反
    転させず、冷却過程によって記録層および補助層の磁化
    の向きを一致させることで、光変調オーバーライトによ
    る記録を行うことを特徴とする光磁気記録方法。
JP5009440A 1993-01-22 1993-01-22 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 Expired - Fee Related JP2954440B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5009440A JP2954440B2 (ja) 1993-01-22 1993-01-22 光磁気記録媒体および光磁気記録方法
DE69421299T DE69421299T2 (de) 1993-01-22 1994-01-20 Magneto-optisches Aufzeichnungsmedium
EP94300430A EP0608134B1 (en) 1993-01-22 1994-01-20 Magneto-optical recording medium
KR1019940001159A KR0132392B1 (ko) 1993-01-22 1994-01-22 광 자기 기록 매체
US08/387,294 US5662988A (en) 1993-01-22 1995-02-10 Magneto-optical recording medium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5009440A JP2954440B2 (ja) 1993-01-22 1993-01-22 光磁気記録媒体および光磁気記録方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH06223420A JPH06223420A (ja) 1994-08-12
JP2954440B2 true JP2954440B2 (ja) 1999-09-27

Family

ID=11720371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5009440A Expired - Fee Related JP2954440B2 (ja) 1993-01-22 1993-01-22 光磁気記録媒体および光磁気記録方法

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0608134B1 (ja)
JP (1) JP2954440B2 (ja)
KR (1) KR0132392B1 (ja)
DE (1) DE69421299T2 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06302031A (ja) * 1993-02-22 1994-10-28 Sharp Corp 光磁気記録媒体および光磁気記録装置
JPH08203142A (ja) * 1994-09-08 1996-08-09 Canon Inc 光記録媒体、光情報記録再生方法及び光情報記録再生装置
US5818811A (en) * 1994-09-08 1998-10-06 Canon Kabushiki Kaisha Information recording and reproducing method for recording information on and reproducing information from an optical recording medium including a land portion divided into a plurality of information tracks
DE19536796B4 (de) * 1994-10-19 2005-11-24 Sharp K.K. Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium
US5771211A (en) * 1995-04-26 1998-06-23 Sanyo Electric Co., Ltd. Magneto-optical recording media having a reading layer with a specified range of temperature coefficients of a kerr rotation angle
JP3249713B2 (ja) * 1995-06-09 2002-01-21 シャープ株式会社 光磁気記録媒体およびその記録方法
JP3660072B2 (ja) * 1996-09-26 2005-06-15 シャープ株式会社 光磁気記録媒体及びその記録方法並びに光磁気記録装置
JP5441891B2 (ja) * 2007-05-18 2014-03-12 エシロール アテルナジオナール カンパニー ジェネラーレ デ オプティック 帯電防止性・耐摩耗性コートされた物品を提供する硬化性コーティング組成物

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1326547C (en) * 1988-07-13 1994-01-25 Masahiko Kaneko Thermomagnetic recording method
CA2060547C (en) * 1991-02-08 2002-04-23 Masumi Ohta System and method of reproducing signals recorded on a magneto-optic recording medium
JP3114204B2 (ja) * 1991-02-15 2000-12-04 ソニー株式会社 光記録媒体の記録再生方法
JP2839783B2 (ja) * 1991-04-17 1998-12-16 シャープ株式会社 光磁気記録媒体、再生装置及び再生方法
CA2067945C (en) * 1991-05-16 2001-09-04 Shintaro Tanaka Magneto-optical recording medium
JP2812817B2 (ja) * 1991-07-08 1998-10-22 シャープ株式会社 光磁気記録媒体

Also Published As

Publication number Publication date
KR0132392B1 (ko) 1998-04-15
JPH06223420A (ja) 1994-08-12
DE69421299T2 (de) 2000-03-23
DE69421299D1 (de) 1999-12-02
EP0608134A2 (en) 1994-07-27
EP0608134A3 (en) 1995-03-08
KR940018826A (ko) 1994-08-19
EP0608134B1 (en) 1999-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100211472B1 (ko) 광 자기 기록 매체 및 광 자기 기록 매체에 대한 기록 재생 방법
US5414652A (en) Magneto-optical memory element
JP2857002B2 (ja) 光磁気記憶装置
JP2957367B2 (ja) 光磁気記録媒体およびその記録方法と記録再生方法
US6667088B2 (en) Optical recording medium
JP2954440B2 (ja) 光磁気記録媒体および光磁気記録方法
US5662988A (en) Magneto-optical recording medium
JPH06150418A (ja) 光磁気記録媒体および記録再生方法
JP2981063B2 (ja) 光磁気ディスク及び光磁気再生装置
US6665235B2 (en) Magneto-optical recording medium and recording and reproducing method and optical head designed for the magneto-optical recording medium
JP2914544B2 (ja) 光磁気記憶素子
JP3599789B2 (ja) 光磁気記憶素子
KR100199079B1 (ko) 광자기 기록 매체 및 그 재생 방법
JP3071591B2 (ja) 光磁気記録媒体の再生方法および光磁気再生装置
JP2981073B2 (ja) 磁気光学メモリー素子
KR100216613B1 (ko) 광 자기 기록 매체의 기록 방법 및 광 헤드
JPH08147779A (ja) 情報記録媒体及びその再生方法
JP3084274B2 (ja) 光磁気記録媒体および光磁気記録媒体の再生方法
JPH0765423A (ja) 光磁気記憶素子
JP2636694B2 (ja) 光磁気記録媒体の記録再生方法および記録再生装置
JP2000195115A (ja) 光磁気記録媒体および光磁気記録媒体の記録再生方法
JPH07302446A (ja) 光記録媒体
JPH08161781A (ja) 光磁気記録媒体
JPH08161782A (ja) 光磁気記録媒体

Legal Events

Date Code Title Description
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070716

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080716

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080716

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090716

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100716

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110716

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110716

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120716

Year of fee payment: 13

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees