JP7440746B2 - Plasma source and plasma processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、真空容器内にプラズマを発生させるためのプラズマ源、及び、このプラズマ源を備えたプラズマ処理装置に関するものである。 The present invention relates to a plasma source for generating plasma in a vacuum container, and a plasma processing apparatus equipped with this plasma source.
アンテナに高周波電流を流し、それによって生じる誘導電界によって誘導結合型のプラズマ（略称ＩＣＰ）を発生させ、この誘導結合型のプラズマを用いて基板等の被処理物に処理を施すプラズマ処理装置が従来から提案されている。このようなプラズマ処理装置として、特許文献１には、アンテナを真空容器の外部に配置し、真空容器の側壁の開口を塞ぐように設けた誘電体窓を通じてアンテナから生じた高周波磁場を真空容器内に透過させることで、処理室内にプラズマを発生させるものが開示されている。 Conventional plasma processing equipment uses a high-frequency current to flow through an antenna, generates inductively coupled plasma (abbreviated as ICP) using the induced electric field, and uses this inductively coupled plasma to process objects to be processed, such as substrates. It has been proposed by As such a plasma processing apparatus, Patent Document 1 discloses that an antenna is placed outside a vacuum container, and a high-frequency magnetic field generated from the antenna is transmitted inside the vacuum container through a dielectric window provided to close an opening in the side wall of the vacuum container. Disclosed is a device that generates plasma in a processing chamber by transmitting the light into the processing chamber.
ところが、上述のプラズマ処理装置では、誘電体窓を真空容器の側壁の一部として用いるため、誘電体窓は真空容器内を真空排気した際に容器の内外の差圧に耐えられるよう十分な強度を有する必要がある。特に誘電体窓を構成する誘電体材料は靭性が低いセラミックスやガラスであるので、上述した差圧に耐えられる十分な強度を備えるためには誘電体窓の厚みを十分に大きくする必要がある。それ故、アンテナから真空容器内の処理室までの距離が遠くなってしまい、処理室における誘導電界の強度が弱くなり、プラズマの生成効率が低下するという問題がある。 However, in the above-mentioned plasma processing equipment, the dielectric window is used as part of the side wall of the vacuum container, so the dielectric window must have sufficient strength to withstand the differential pressure between the inside and outside of the container when the inside of the vacuum container is evacuated. It is necessary to have In particular, since the dielectric material constituting the dielectric window is ceramic or glass with low toughness, the thickness of the dielectric window must be sufficiently large in order to have sufficient strength to withstand the above-mentioned differential pressure. Therefore, there is a problem that the distance from the antenna to the processing chamber inside the vacuum container becomes long, the intensity of the induced electric field in the processing chamber becomes weak, and the efficiency of plasma generation decreases.
そこで、本願発明者は、本願発明の開発にあたって、図８に示すように、真空容器の開口を塞ぐスリット板と、スリット板に形成されたスリットを真空容器の外側から塞ぐ誘電体板とを備えたプラズマ源を中間的に考えた。
このような構成であれば、スリット板と、このスリット板に重ね合わせた誘電体板とに磁場透過窓としての機能を担わせているので、誘電体板のみに磁場透過窓としての機能を担わせる場合に比べて磁場透過窓の厚みを小さくすることができる。これにより、アンテナから真空容器内までの距離を短くすることができ、アンテナから生じた高周波磁場を効率良く真空容器内に供給することができる。
Therefore, in developing the present invention, the inventor of the present application provided a slit plate for closing the opening of the vacuum vessel and a dielectric plate for closing the slit formed in the slit plate from the outside of the vacuum vessel, as shown in FIG. An intermediate plasma source was considered.
With this configuration, the slit plate and the dielectric plate overlaid on the slit plate function as a magnetic field transmission window, so only the dielectric plate functions as a magnetic field transmission window. The thickness of the magnetic field transmission window can be made smaller than that in the case where the magnetic field is transmitted through the magnetic field. Thereby, the distance from the antenna to the inside of the vacuum container can be shortened, and the high frequency magnetic field generated from the antenna can be efficiently supplied into the vacuum container.
しかしながら、上述したプラズマ処理装置は、スリット板と誘電体板との間にＯリングを設けてこれらの間のシール性を確保しているところ、誘電体板におけるＯリングとの接触箇所に応力が集中してしまい、誘電体が割れてしまうという問題が生じる。また、この割れを防ごうとすれば、誘電体板を厚くすることとなり、結局のところアンテナから真空容器内までの距離を短くすることができない。 However, in the plasma processing apparatus described above, an O-ring is provided between the slit plate and the dielectric plate to ensure sealing between them, but stress is generated at the contact point of the dielectric plate with the O-ring. This causes a problem in that the dielectric material becomes concentrated and the dielectric material is cracked. Moreover, if an attempt is made to prevent this cracking, the dielectric plate must be made thicker, which ultimately makes it impossible to shorten the distance from the antenna to the inside of the vacuum container.
そこで、本願発明は、かかる問題を一挙に解決するべくなされたものであり、真空容器の外部にアンテナを配置する構成において、誘電体板への応力集中を低減させて誘電体板の割れを防ぐことで誘電体板を薄くすることができ、これによりアンテナから真空容器内までの距離を短くすることで、アンテナから生じた高周波磁場を効率良く真空容器内に供給できるようにすることをその主たる課題とするものである。 Therefore, the present invention was made to solve these problems at once, and in a configuration in which the antenna is disposed outside the vacuum container, stress concentration on the dielectric plate is reduced and cracking of the dielectric plate is prevented. The main purpose of this is to make the dielectric plate thinner, thereby shortening the distance from the antenna to the inside of the vacuum vessel, thereby making it possible to efficiently supply the high-frequency magnetic field generated from the antenna into the vacuum vessel. This is a subject to be addressed.
すなわち本発明に係るプラズマ源は、真空容器の外部に設けられたアンテナに高周波電流を流して前記真空容器内にプラズマを発生させるものであって、前記真空容器の前記アンテナに臨む位置に形成された開口を塞ぐスリット板と、前記スリット板に形成されたスリットを前記真空容器の外側から塞ぐ誘電体板と、前記スリット板と前記誘電体板との少なくとも一方に塗布されて、前記スリット板及び前記誘電体板の間において前記スリットを取り囲む粘着材料とを備えていることを特徴とするものである。 That is, the plasma source according to the present invention generates plasma in the vacuum container by passing a high-frequency current through an antenna provided outside the vacuum container, and the plasma source is formed at a position facing the antenna of the vacuum container. a slit plate that closes an opening formed in the slit plate; a dielectric plate that closes a slit formed in the slit plate from the outside of the vacuum container; and an adhesive material surrounding the slit between the dielectric plates.
このように構成されたプラズマ源によれば、粘着材料が、スリット板及び誘電体板の間においてスリットを取り囲むように設けられているので、スリット板及び誘電体板の間にＯリングを設けることなく、これらの間をシールすることができる。
これにより、誘電体板への応力集中が低減するので、誘電体板の割れを防ぐことができ、誘電体板を薄くすることが可能となる。その結果、アンテナから真空容器内までの距離を短くすることができ、アンテナから生じた高周波磁場を効率良く真空容器内に供給することができる。
According to the plasma source configured in this way, since the adhesive material is provided between the slit plate and the dielectric plate so as to surround the slit, the adhesive material can be attached between the slit plate and the dielectric plate without providing an O-ring between the slit plate and the dielectric plate. It is possible to seal the gap.
This reduces stress concentration on the dielectric plate, thereby preventing the dielectric plate from cracking and making it possible to make the dielectric plate thinner. As a result, the distance from the antenna to the inside of the vacuum container can be shortened, and the high frequency magnetic field generated from the antenna can be efficiently supplied into the vacuum container.
前記粘着材料の具体的な実施態様としては、真空グリスを挙げることができる。 A specific embodiment of the adhesive material includes vacuum grease.
前記スリット板と前記誘電体板との少なくとも一方が、他方に対向する面を凹ませた凹溝を有することが好ましい。
このような構成であれば、スリット板と誘電体板とを重ね合わせる際に、真空グリス等の粘着材料の一部が凹溝に流れ込むので、スリット板と誘電体板との間から粘着材料が不測に流れ出ることを防ぐことができる。
It is preferable that at least one of the slit plate and the dielectric plate has a groove formed by recessing a surface facing the other.
With this configuration, when the slit plate and the dielectric plate are overlapped, some of the adhesive material such as vacuum grease flows into the groove, so the adhesive material is removed from between the slit plate and the dielectric plate. It can prevent unexpected leakage.
より具体的な実施態様としては、前記スリット板には複数のスリットが形成されており、前記凹溝が、前記各スリットそれぞれを取り囲むように設けられていることが好ましい。
このような構成であれば、粘着材料がスリット板の外縁部から流れ出ることや、粘着材料がスリットの内側に流れ出ることを抑制することができる。
As a more specific embodiment, it is preferable that a plurality of slits are formed in the slit plate, and that the groove is provided so as to surround each of the slits.
With such a configuration, it is possible to prevent the adhesive material from flowing out from the outer edge of the slit plate and from flowing into the inside of the slit.
また、真空容器と、上述したプラズマ源とを備えるプラズマ処理装置も本発明の１つであり、かかるプラズマ処理装置であれば、上述したプラズマ源と同様の作用効果を奏し得る。 Further, a plasma processing apparatus including a vacuum container and the above-mentioned plasma source is also one of the aspects of the present invention, and such a plasma processing apparatus can achieve the same effects as the above-mentioned plasma source.
このように構成した本発明によれば、誘電体板への応力集中を低減させることで、誘電体板の割れを防ぐことができ、誘電体板を薄くすることが可能となり、その結果、アンテナから真空容器内までの距離を短くすることができ、アンテナから生じた高周波磁場を効率良く真空容器内に供給することができる。 According to the present invention configured in this way, by reducing stress concentration on the dielectric plate, cracking of the dielectric plate can be prevented and the dielectric plate can be made thinner, and as a result, the antenna The distance from the antenna to the inside of the vacuum vessel can be shortened, and the high frequency magnetic field generated from the antenna can be efficiently supplied into the vacuum vessel.
以下に、本発明に係るプラズマ源及びプラズマ処理装置の一実施形態について、図面を参照して説明する。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a plasma source and a plasma processing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
＜装置構成＞
本実施形態のプラズマ処理装置１００は、誘導結合型のプラズマＰを用いて基板Ｗに処理を施すものである。ここで、基板Ｗは、例えば、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用の基板、フレキシブルディスプレイ用のフレキシブル基板等である。また、基板Ｗに施す処理は、例えば、プラズマＣＶＤ法による膜形成、エッチング、アッシング、スパッタリング等である。
<Device configuration>
The plasma processing apparatus 100 of this embodiment processes a substrate W using inductively coupled plasma P. Here, the substrate W is, for example, a substrate for a flat panel display (FPD) such as a liquid crystal display or an organic EL display, a flexible substrate for a flexible display, or the like. Furthermore, the processing performed on the substrate W includes, for example, film formation by plasma CVD, etching, ashing, sputtering, and the like.
なお、このプラズマ処理装置１００は、プラズマＣＶＤ法によって膜形成を行う場合はプラズマＣＶＤ装置、エッチングを行う場合はプラズマエッチング装置、アッシングを行う場合はプラズマアッシング装置、スパッタリングを行う場合はスパッタリング装置とも呼ばれる。 The plasma processing apparatus 100 is also called a plasma CVD apparatus when forming a film by a plasma CVD method, a plasma etching apparatus when performing etching, a plasma ashing apparatus when performing ashing, and a sputtering apparatus when performing sputtering. .
具体的にプラズマ処理装置１００は、図１及び図２に示すように、真空排気され且つガスＧが導入される真空容器１と、真空容器１の内部にプラズマを発生させるプラズマ源２００とを具備してなり、プラズマ源２００は、真空容器１の外部に設けられたアンテナ２と、アンテナ２に高周波を印加する高周波電源３とを備えたものである。かかる構成において、アンテナ２に高周波電源３から高周波を印加することによりアンテナ２には高周波電流ＩＲが流れて、真空容器１内に誘導電界が発生して誘導結合型のプラズマＰが生成される。 Specifically, as shown in FIGS. 1 and 2, the plasma processing apparatus 100 includes a vacuum chamber 1 that is evacuated and into which gas G is introduced, and a plasma source 200 that generates plasma inside the vacuum chamber 1. The plasma source 200 includes an antenna 2 provided outside the vacuum container 1 and a high-frequency power source 3 that applies high-frequency waves to the antenna 2. In this configuration, by applying a high frequency to the antenna 2 from the high frequency power source 3, a high frequency current IR flows through the antenna 2, an induced electric field is generated in the vacuum vessel 1, and an inductively coupled plasma P is generated.
真空容器１は、例えば金属製の容器であり、その壁（ここでは上壁１ａ）には、厚さ方向に貫通する開口１ｘが形成されている。この真空容器１は、ここでは電気的に接地されており、その内部は真空排気装置４によって真空排気される。 The vacuum container 1 is, for example, a metal container, and an opening 1x penetrating in the thickness direction is formed in its wall (here, the upper wall 1a). This vacuum container 1 is electrically grounded here, and the inside thereof is evacuated by a vacuum evacuation device 4.
また、真空容器１内には、例えば流量調整器（図示省略）や真空容器１に設けられた１又は複数のガス導入口１１を経由して、ガスＧが導入される。ガスＧは、基板Ｗに施す処理内容に応じたものにすれば良い。例えば、プラズマＣＶＤ法によって基板に膜形成を行う場合には、ガスＧは、原料ガス又はそれを希釈ガス（例えばＨ２）で希釈したガスである。より具体例を挙げると、原料ガスがＳｉＨ４の場合はＳｉ膜を、ＳｉＨ４＋ＮＨ３の場合はＳｉＮ膜を、ＳｉＨ４＋Ｏ２の場合はＳｉＯ２膜を、ＳｉＦ４＋Ｎ２の場合はＳｉＮ：Ｆ膜（フッ素化シリコン窒化膜）を、それぞれ基板上に形成することができる。 Further, gas G is introduced into the vacuum container 1 via, for example, a flow rate regulator (not shown) or one or more gas introduction ports 11 provided in the vacuum container 1 . The gas G may be selected according to the processing content to be applied to the substrate W. For example, when forming a film on a substrate by plasma CVD, the gas G is a raw material gas or a gas obtained by diluting it with a diluent gas (for example, H 2 ). To give a more specific example, if the raw material gas is SiH4 , use a Si film, if the raw material gas is SiH4 + NH3 , use a SiN film, if SiH4 + O2 , use an SiO2 film, and if the raw material gas is SiF4 + N2 , use a SiN film. :F film (fluorinated silicon nitride film) can be formed on each substrate.
この真空容器１の内部には、基板Ｗを保持する基板ホルダ５が設けられている。この例のように、基板ホルダ５にバイアス電源６からバイアス電圧を印加するようにしても良い。バイアス電圧は、例えば負の直流電圧、負のバイアス電圧等であるが、これに限られるものではない。このようなバイアス電圧によって、例えば、プラズマＰ中の正イオンが基板Ｗに入射する時のエネルギーを制御して、基板Ｗの表面に形成される膜の結晶化度の制御等を行うことができる。基板ホルダ５内に、基板Ｗを加熱するヒータ５１を設けておいても良い。 A substrate holder 5 for holding a substrate W is provided inside the vacuum container 1 . As in this example, a bias voltage may be applied to the substrate holder 5 from the bias power supply 6. The bias voltage is, for example, a negative DC voltage, a negative bias voltage, etc., but is not limited thereto. By using such a bias voltage, for example, it is possible to control the energy when positive ions in the plasma P enter the substrate W, thereby controlling the degree of crystallinity of a film formed on the surface of the substrate W. . A heater 51 for heating the substrate W may be provided in the substrate holder 5.
アンテナ２は、図１及び図２に示すように、真空容器１に形成された開口１ｘに臨むように配置されている。なお、アンテナ２の本数は１本に限らず、複数本のアンテナ２を設けても良い。 The antenna 2 is arranged so as to face an opening 1x formed in the vacuum container 1, as shown in FIGS. 1 and 2. Note that the number of antennas 2 is not limited to one, and a plurality of antennas 2 may be provided.
アンテナ２は、図２に示すように、その一端部である給電端部２ａが、整合回路３１を介して高周波電源３が接続されており、他端部である終端部２ｂが、直接接地されている。なお、終端部２ｂは、コンデンサ又はコイル等を介して接地されてもよい。 As shown in FIG. 2, the antenna 2 has one end, a feeding end 2a, connected to the high frequency power source 3 via a matching circuit 31, and the other end, a termination end 2b, directly grounded. ing. Note that the terminal end portion 2b may be grounded via a capacitor, a coil, or the like.
高周波電源３は、整合回路３１を介してアンテナ２に高周波電流ＩＲを流すことができる。高周波の周波数は例えば一般的な１３．５６ＭＨｚであるが、これに限られるものではなく適宜変更してもよい。 The high frequency power supply 3 can flow a high frequency current IR to the antenna 2 via the matching circuit 31. The frequency of the high frequency is, for example, a common 13.56 MHz, but is not limited to this and may be changed as appropriate.
ここで、本実施形態のプラズマ源２００は、真空容器１の壁（上壁１ａ）に形成された開口１ｘを真空容器１の外側から塞ぐスリット板７と、スリット板７に形成されたスリット７ｘを真空容器１の外側から塞ぐ誘電体板８とをさらに備えている。 Here, the plasma source 200 of the present embodiment includes a slit plate 7 that closes an opening 1x formed in the wall (upper wall 1a) of the vacuum vessel 1 from the outside of the vacuum vessel 1, and a slit 7x formed in the slit plate 7. It further includes a dielectric plate 8 that closes off the vacuum container 1 from the outside.
スリット板７は、その厚み方向に貫通してなるスリット７ｘが形成されたものであり、アンテナ２から生じた高周波磁場を真空容器１内に透過させるとともに、真空容器１の外部から真空容器１の内部への電界の入り込みを防ぐものである。 The slit plate 7 has a slit 7x formed through it in its thickness direction, and transmits the high frequency magnetic field generated from the antenna 2 into the vacuum vessel 1, and also allows the high frequency magnetic field generated from the antenna 2 to pass through the vacuum vessel 1 from the outside of the vacuum vessel 1. This prevents electric fields from entering inside.
具体的にこのスリット板７は、図３に示すように、具体的には互いに平行な複数のスリット７ｘが形成された平板状のものであり、後述する誘電体板よりも機械強度が高いことが好ましく、誘電体板よりも厚み寸法が大きいことが好ましい。 Specifically, as shown in FIG. 3, this slit plate 7 is a flat plate in which a plurality of mutually parallel slits 7x are formed, and has higher mechanical strength than a dielectric plate described later. is preferable, and it is preferable that the thickness dimension is larger than that of the dielectric plate.
より具体的に説明すると、スリット板７は、例えばＣｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｃ、Ｍｏ、Ｗ又はＣｏを含む群から選択される１種の金属又はそれらの合金（例えばステンレス合金、アルミニウム合金等）等の金属材料を圧延加工（例えば冷間圧延や熱間圧延）などにより製造したものであり、例えば厚みが約５ｍｍのものである。ただし、製造方法や厚みはこれに限らず仕様に応じて適宜変更して構わない。 More specifically, the slit plate 7 is made of one type selected from the group including, for example, Cu, Al, Zn, Ni, Sn, Si, Ti, Fe, Cr, Nb, C, Mo, W, or Co. It is manufactured by rolling (for example, cold rolling or hot rolling) a metal material such as metal or an alloy thereof (for example, stainless steel alloy, aluminum alloy, etc.), and has a thickness of about 5 mm, for example. However, the manufacturing method and thickness are not limited to these and may be changed as appropriate depending on the specifications.
このスリット板７は、図３に示すように、平面視において真空容器の開口１ｘよりも大きいものであり、上壁１ａに支持された状態で開口１ｘを塞いでいる。スリット板７と上壁１ａとの間には、Ｏリングやガスケット等のシール部材Ｓが介在しており、これらの間は真空シールされている。 As shown in FIG. 3, this slit plate 7 is larger than the opening 1x of the vacuum container in plan view, and closes the opening 1x while being supported by the upper wall 1a. A sealing member S such as an O-ring or a gasket is interposed between the slit plate 7 and the upper wall 1a, and the space between them is vacuum-sealed.
誘電体板８は、スリット板７の外向き面（真空容器１の内部を向く内向き面の裏面）に設けられて、スリット板のスリットを塞ぐものである。 The dielectric plate 8 is provided on the outward facing surface of the slit plate 7 (the back side of the inward facing surface facing inside the vacuum vessel 1), and closes the slit of the slit plate.
誘電体板８は、全体が誘電体物質で構成された平板状をなすものであり、例えばアルミナ、炭化ケイ素、窒化ケイ素等のセラミックス、石英ガラス、無アルカリガラス等の無機材料、フッ素樹脂（例えばテフロン）等の樹脂材料等からなる。なお、誘電損を低減する観点から、誘電体板８を構成する材料は、誘電正接が０．０１以下のものが好ましく、０．００５以下のものがより好ましい。 The dielectric plate 8 is a flat plate made entirely of dielectric material, such as ceramics such as alumina, silicon carbide, and silicon nitride, inorganic materials such as quartz glass and alkali-free glass, and fluororesin (e.g. Made of resin material such as Teflon). From the viewpoint of reducing dielectric loss, the material constituting the dielectric plate 8 preferably has a dielectric loss tangent of 0.01 or less, more preferably 0.005 or less.
ここでは誘電体板８の板厚をスリット板７の板厚よりも小さくしているが、これに限定されず、例えば真空容器１を真空排気した状態において、スリット７ｘから受ける真空容器１の内外の差圧に耐え得る強度を備えれば良く、スリット７ｘの数や長さ等の仕様に応じて適宜設定されてよい。ただし、アンテナ２と真空容器１との間の距離を短くする観点からは薄い方が好ましい。 Although the thickness of the dielectric plate 8 is made smaller than the thickness of the slit plate 7 here, the thickness of the dielectric plate 8 is not limited to this. For example, when the vacuum vessel 1 is evacuated, the inside and outside of the vacuum vessel 1 are received from the slit 7x. It is sufficient that the slits 7x have a strength that can withstand the differential pressure of , and may be set as appropriate depending on the specifications such as the number and length of the slits 7x. However, from the viewpoint of shortening the distance between the antenna 2 and the vacuum container 1, a thinner one is preferable.
かかる構成により、スリット板７及び誘電体板８は、磁場を透過させる磁場透過窓９として機能を担う。すなわち、高周波電源３からアンテナ２に高周波を印加すると、アンテナ２から発生した高周波磁場が、スリット板７及び誘電体板８からなる磁場透過窓９を透過して真空容器１内に形成（供給）される。これにより、真空容器１内の空間に誘導電界が発生し、誘導結合型のプラズマＰが生成される。 With this configuration, the slit plate 7 and the dielectric plate 8 function as a magnetic field transmission window 9 that transmits a magnetic field. That is, when a high frequency is applied to the antenna 2 from the high frequency power supply 3, the high frequency magnetic field generated from the antenna 2 passes through the magnetic field transmission window 9 made of the slit plate 7 and the dielectric plate 8 and is formed (supplied) inside the vacuum container 1. be done. As a result, an induced electric field is generated in the space inside the vacuum container 1, and an inductively coupled plasma P is generated.
然して、本実施形態のプラズマ源２００は、図３及び図４に示すように、スリット板７と誘電体板８との少なくとも一方に塗布されて、スリット板７及び誘電体板８の間においてスリット７ｘを取り囲むように設けられた粘着材料Ｚをさらに備えてなる。 As shown in FIGS. 3 and 4, the plasma source 200 of this embodiment is coated on at least one of the slit plate 7 and the dielectric plate 8 to form a slit between the slit plate 7 and the dielectric plate 8. It further includes an adhesive material Z provided so as to surround 7x.
粘着材料Ｚは、蒸気圧の低い高粘性の潤滑油であり、例えばスリット板７に塗られる具体的には真空グリスＺである。 The adhesive material Z is a highly viscous lubricating oil with a low vapor pressure, and is specifically vacuum grease Z applied to the slit plate 7, for example.
この真空グリスＺは、スリット板７と誘電体板８との間を封止するものであり、複数のスリット７ｘの全て、言い換えれば複数のスリット７ｘからなるスリット群の全体を取り囲むように設けられており、ここでは互いに隣り合うスリット７ｘの間にも設けられている。 This vacuum grease Z seals between the slit plate 7 and the dielectric plate 8, and is provided so as to surround all of the plurality of slits 7x, in other words, the entire slit group consisting of the plurality of slits 7x. Here, the slits 7x are also provided between adjacent slits 7x.
＜本実施形態の効果＞
このように構成した本実施形態のプラズマ処理装置１００及びプラズマ源２００によれば、粘着材料Ｚたる真空グリスが、スリット板７及び誘電体板８の間においてスリット７ｘを取り囲むように設けられているので、スリット板７及び誘電体板８の間にＯリングを設けることなく、これらの間をシールすることができる。
<Effects of this embodiment>
According to the plasma processing apparatus 100 and plasma source 200 of this embodiment configured in this way, the vacuum grease as the adhesive material Z is provided between the slit plate 7 and the dielectric plate 8 so as to surround the slit 7x. Therefore, it is possible to seal the gap between the slit plate 7 and the dielectric plate 8 without providing an O-ring between them.
このようにＯリングを用いることなくシールすることで、誘電体板８への応力集中を低減させることができ、誘電体板８の割れを防ぐことができ、誘電体板８を薄くすることが可能となる。その結果、アンテナ２から真空容器１内までの距離を短くすることができ、アンテナ２から生じた高周波磁場を効率良く真空容器１内に供給することができる。 By sealing without using an O-ring in this way, stress concentration on the dielectric plate 8 can be reduced, cracking of the dielectric plate 8 can be prevented, and the dielectric plate 8 can be made thinner. It becomes possible. As a result, the distance from the antenna 2 to the inside of the vacuum vessel 1 can be shortened, and the high frequency magnetic field generated from the antenna 2 can be efficiently supplied into the vacuum vessel 1.
＜その他の変形実施形態＞
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
<Other modified embodiments>
Note that the present invention is not limited to the above embodiments.
例えば、図５及び図６に示すように、スリット板７と誘電体板８との少なくとも一方が、他方に対向する面を凹ませた凹溝ｇｒを有しており、この凹溝ｇｒに粘着材料が流れ込むように構成されていても良い。 For example, as shown in FIGS. 5 and 6, at least one of the slit plate 7 and the dielectric plate 8 has a groove gr that is recessed on the surface facing the other, and the adhesive is attached to the groove gr. It may be configured such that the material flows into it.
この凹溝ｇｒとしては、スリット板７の誘電体板８に対向する面に形成されており、複数のスリット７ｘの全て、言い換えれば複数のスリット７ｘからなるスリット群の全体を取り囲むように設けられている。ここでの凹溝ｇｒは、は互いに隣り合うスリット７ｘの間にも設けられている。ただし、凹溝ｇｒとしては、必ずしも複数のスリット７ｘの全てを取り囲む必要はなく、例えばスリットの周囲に間欠的に設けられていても良い。 This groove gr is formed on the surface of the slit plate 7 facing the dielectric plate 8, and is provided so as to surround all of the plurality of slits 7x, in other words, the entire slit group consisting of the plurality of slits 7x. ing. The groove gr here is also provided between the slits 7x that are adjacent to each other. However, the groove gr does not necessarily need to surround all of the plurality of slits 7x, and may be provided intermittently around the slit, for example.
このような構成であれば、例えば余剰な粘着材料Ｚが凹溝ｇｒに流れ込むので、粘着材料Ｚがスリット板７の外縁部から流れ出ることやスリット７ｘの内側に流れ出ることを防ぐことができる。 With such a configuration, for example, excess adhesive material Z flows into the groove gr, so that it is possible to prevent the adhesive material Z from flowing out from the outer edge of the slit plate 7 or into the inside of the slit 7x.
また、粘着材料Ｚは、図７に示すように、互いに隣り合うスリット７ｘの間には設けられることなく、複数のスリット７ｘの全体を取り囲むように設けられていても良い。 Furthermore, as shown in FIG. 7, the adhesive material Z may not be provided between adjacent slits 7x, but may be provided so as to entirely surround the plurality of slits 7x.
その他、本発明は前記実施形態に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能であるのは言うまでもない。 In addition, it goes without saying that the present invention is not limited to the embodiments described above, and that various modifications can be made without departing from the spirit thereof.
１００・・・プラズマ処理装置
Ｗ ・・・基板
Ｐ ・・・誘導結合プラズマ
２ ・・・真空容器
３ ・・・アンテナ
７ ・・・スリット板
７ｘ ・・・スリット
８ ・・・誘電体板
Ｚ ・・・粘着材料
ｇｒ ・・・凹溝
100... Plasma processing apparatus W... Substrate P... Inductively coupled plasma 2... Vacuum vessel 3... Antenna 7... Slit plate 7x... Slit 8... Dielectric plate Z.・Adhesive material gr ・Concave groove
Claims (5)
前記真空容器の前記アンテナに臨む位置に形成された開口を塞ぐとともに、複数のスリットが形成されているスリット板と、
前記スリット板に形成された複数の前記スリットを前記真空容器の外側から塞ぐ誘電体板と、
前記スリット板と前記誘電体板との少なくとも一方に塗布されて、前記スリット板及び前記誘電体板の間において複数の前記スリットを取り囲むように塗布され、前記真空容器の内部と外部との間を封止する粘着材料とを備えており、
前記スリット板と前記誘電体板との間が、シール部材を介することなく前記粘着材料により封止されているプラズマ源。 A plasma source that generates plasma in the vacuum container by flowing a high frequency current through an antenna provided outside the vacuum container,
a slit plate that closes an opening formed in a position facing the antenna of the vacuum container and has a plurality of slits formed therein ;
a dielectric plate that closes the plurality of slits formed in the slit plate from the outside of the vacuum container;
It is applied to at least one of the slit plate and the dielectric plate so as to surround the plurality of slits between the slit plate and the dielectric plate , and seals between the inside and outside of the vacuum container. It is equipped with an adhesive material that
A plasma source in which a space between the slit plate and the dielectric plate is sealed by the adhesive material without using a sealing member.
前記凹溝が、前記各スリットそれぞれを取り囲むように設けられている、請求項３記載のプラズマ源。 A plurality of slits are formed in the slit plate,
The plasma source according to claim 3, wherein the groove is provided so as to surround each of the slits.
請求項１乃至４のうち何れか一項に記載のプラズマ源とを具備する、プラズマ処理装置。 a vacuum container,
A plasma processing apparatus comprising the plasma source according to any one of claims 1 to 4.
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