JP6072851B2 - 半導体ウェーハをプラズマ・ダイシングする方法及び装置 - Google Patents

Description

本願は、本願の権利者が所有する２０１１年３月１４日出願の「Ａｐｐａｒａｔｕｓ ｆｏｒ Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｃｉｎｇ ａ Ｓｅｍｉ−ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｗａｆｅｒ」という名称の米国仮特許出願第６１／４５２，４５０号に関し、その優先権を主張する。同特許仮出願は、参照により本明細書に組み込まれている。

本発明は、半導体ウェーハから個々のデバイス・チップを形成する装置の使用に関し、より詳細には、プラズマ・エッチングを使用してウェーハを個々のダイに分離する装置に関する。

半導体デバイスは、薄いウェーハの形の基板上に製作される。一般にはケイ素が基板材料として使用されるが、ＩＩＩ−Ｖ族化合物（たとえばＧａＡｓ及びＩｎＰ）などの他の材料も使用される。場合によっては（たとえばＬＥＤの製造）、基板はサファイア又は炭化ケイ素のウェーハであり、その上に薄い半導電性材料層が堆積される。そのような基板の寸法は、直径５．０８ｃｍ（２インチ）及び７．６２ｃｍ（３インチ）から２００ｍｍ、３００ｍｍ、及び４５０ｍｍまでの範囲であり、そのような基板寸法を記述するために多くの標準（たとえばＳＥＭＩ）が存在する。

プラズマ・エッチング機器は、これらの基板を処理して半導体デバイスを作製する際に広範囲にわたって使用されている。そのような機器は通常、費用効果の高い製造に必要な速いエッチング速度を確保するために使用される誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）などの高密度プラズマ源を備えた真空チャンバを含む。処理中に生成される熱を取り除くために、基板は通常、冷却された支持部に固定される。基板と支持部との間では冷却ガス（通常はヘリウム）が維持されて、熱を取り除くための熱伝導経路を提供する。基板の上側に下方への力を加える機械的クランプ機構が使用されることがあるが、クランプと基板との間の接触のため、汚染を引き起こすことがある。クランプ力を提供するには、静電チャック（ＥＳＣ）がより頻繁に使用される。

エッチングすべき材料に適当な多数のガス状の化学物質が開発されてきた。これらの化学物質では、ハロゲン（フッ素、塩素、臭素、若しくはヨウ素）又はハロゲン含有ガスを、エッチングの品質（たとえば、エッチング異方性、マスク選択性、及びエッチング均一性）を改善するために添加される追加のガスとともに用いることが多い。ケイ素を高速でエッチングするには、ＳＦ_６、Ｆ_２、又はＮＦ_３などのフッ素含有ガスが使用される。具体的には、ケイ素内へ深い形体（feature）をエッチングするには、高速ケイ素エッチング・ステップと、エッチング側壁を制御するための不活性化ステップとを交互に行う処理（ボッシュ又はＴＤＭ）が一般に使用される。ＩＩＩ−Ｖ族材料をエッチングするには、塩素及び臭素含有ガスが一般に使用される。

プラズマ・エッチングは、半導電性の基板及びデバイスに限定されるものではない。この技法は、基板をエッチングするのに適したガス状の化学物質を利用できる任意の基板タイプに適用することができる。他の基板タイプは、炭素含有基板（高分子基板を含む）、セラミック基板（たとえば、ＡｌＴｉＣ及びサファイア）、金属基板、並びにガラス基板を含むことができる。

一貫した結果を確保するために、製造処理では通常、破損率が低く、動作が容易な、ロボットによるウェーハの取扱いが使用される。取扱い装置は、起こりうる汚染を最小にし、粒子の生成を低減させるために、最小の接触でウェーハを支持するように設計される。通常は、縁部接点が単独で用いられるか、いくつかの位置のみでのウェーハ縁部に近い位置への下面接点（通常、ウェーハ縁部から３〜６ｍｍ内）が用いられる。ウェーハ・カセット、ロボット・アームを含み、処理チャンバ用具内にウェーハ支持部及びＥＳＣを含む取扱い方式は、前述の標準的なウェーハ寸法を取り扱うように設計されている。

基板上に製作後、パッケージング、又は他の電子回路内で用いられる前に、個々のデバイス（ダイ又はチップ）は互いに分離される。長年にわたって、ダイを互いから分離するには機械的手段が使用されてきた。そのような機械的手段は、基板結晶軸に位置合わせされたけがき線に沿ってウェーハを破断すること、又は高速ダイヤモンド・ソーを使用してダイ間の領域（ストリート）内で基板の内部まで又は貫通して切ることを含む。より最近では、スクライビング処理を容易にするために、レーザが使用されている。

そのような機械的なウェーハ・ダイシング技法には、この手法の費用効果に影響を与える制限がある。ダイ縁部に沿って生じる欠け及び破損は、良好なダイの作製数を低減させる可能性があり、ウェーハの厚さが減少するにつれてより大きな問題になる。ソーの歯（ひき目）によって消費される面積は１００ミクロンより大きくなることがあり、これは、ダイの作製に使用することはできない貴重な面積である。小さいダイを含む（たとえば、個々の半導体デバイスのダイ寸法が５００ミクロン×５００ミクロン）ウェーハの場合、これは２０％より大きい損失になる可能性がある。さらに、多くの小さいダイを有し、したがって多数のストリートを有するウェーハの場合、各ストリートが個々に切断されるため、ダイシング時間が増大し、生産性が減少する。機械的手段はまた、直線に沿って行われる分離及び正方形又は長方形の形状のチップの作製に制限される。これでは、下にあるデバイスのトポロジ（たとえば、高出力ダイオードは円形である）にならないことがあり、したがって、ダイの形式が直線である場合、使用可能な基板面積の著しい損失をもたらす。またレーザ・ダイシングには、ダイの表面上に残留材料を残すこと、又はダイ内へ応力を誘発することによる制限がある。

ソーイング技法とレーザ・ダイシング技法はどちらも本質的に連続的な動作であることに留意することが重要である。したがって、デバイス寸法が減少するにつれて、ウェーハをダイシングする時間は、ウェーハ上の全体的なダイシング・ストリートの長さに比べ比例して増大する。

最近では、ダイを分離し、これらの制限のいくつかを克服する手段として、プラズマ・エッチング技法が提案されている。デバイス製作後、基板は、ダイ間の開いた領域を残して、適したマスク材料でマスキングされる。次いで、マスキングされた基板は、ダイ間に露出された基板材料をエッチングする反応ガス・プラズマを使用して処理される。基板のプラズマ・エッチングは、基板の一部又は全体で行うことができる。部分的プラズマ・エッチングの場合、ダイは後の劈開ステップによって分離され、個々のダイが分離される。この技法は、機械的ダイシングに勝る複数の利益を提供する。
１）破損及び欠けが低減される。
２）２０ミクロンを十分に下回るまで、ひき目寸法を低減させることができる。
３）ダイの数が増大しても、処理時間はあまり増大しない。
４）ウェーハが薄ければ薄いほど、処理時間が低減される。
５）ダイのトポロジは直線の形式に制限されない。

デバイス製作後でダイの分離前に、基板は、機械的研磨又は類似の処理によって、数百ミクロン又はさらに百ミクロン未満の厚さまで薄膜化することができる。

ダイシング処理前、基板は通常、ダイシング用具上に取り付けられる。この用具は通常、接着剤膜を支持する剛性フレームから構成される。ダイシングすべき基板は、膜に接着される。この用具は、続く後段の作業のために分離されたダイを保持する。ウェーハのダイシングに使用される大部分の工具（ソー又はレーザ・ベースの工具）は、この構成で基板を取り扱うように設計されており、複数の標準的な用具が確立されたが、そのような用具は、用具が支持する基板とは大きく異なる。そのような用具は、現在のウェーハ・ダイシング機器で使用するために最適化されているが、標準的な基板を処理するように設計された機器内では処理することができない。したがって、現在の自動化されたプラズマ・エッチング機器は、ダイシングのために固定された基板を処理するのに適しておらず、ダイの分離に関してプラズマ・エッチング技法が有するはずの利益を実現するのが困難である。

いくつかのグループが、プラズマを使用してウェーハ基板からダイを個片化することを企図している。米国特許第６，６４２，１２７号は、第１に接着材料を介して基板ウェーハをキャリア・ウェーハに取り付けてから、シリコン・ウェーハを処理するように設計された機器内でプラズマ処理を行う、プラズマ・ダイシング技法について記載している。この技法は、ダイシングすべき基板の形状因子を標準的なウェーハ処理機器に適合するように適応させることを提案している。この技法では、標準的なプラズマ機器でウェーハをダイシングすることができるが、提案された技法は、ダイシング動作の後段に位置する標準的な機器に適合していない。後段の機器を適応させ、又は標準的な後段の機器に合わせて基板の形状因子を戻すには、追加のステップを必要とするであろう。

米国特許出願第２０１０／００４８００１号は、薄い膜に接着されてフレーム内に支持されたウェーハの使用を考慮している。しかし、第２０１０／００４８００１号の応用例では、マスキング処理は、プラズマ処理の前に、ウェーハの裏側にマスク材料を接着させ、レーザを使用してエッチング・ストリートを画定することによって実現される。基板を前側から個片化する標準的なダイシング技法とは対照的に、この技法は付加的な複雑且つ高価なステップを導入しており、プラズマ・ダイシングの利点のいくつかを無効にすることがある。この技法はまた、裏側のマスクと前側のデバイス・パターンを位置合わせするという付加的な要求を必要とする。

したがって、半導体基板を個々のダイへダイシングするために使用でき、テープ上に取り付けられてフレーム内に支持された基板を取り扱うための確立されたウェーハ・ダイシング技法に適合しており、標準的な前側マスキング技法とも両立する、プラズマ・エッチング装置が必要とされている。

従来技術の内容では、本発明に伴う利益を何も提供しない。

米国特許第６，６４２，１２７号 米国特許出願第２０１０／００４８００１号 米国特許第６，９８２，１７５号 米国特許第７，１０１，８０５号 米国特許第７，１５０，７９６号

したがって、本発明の目的は、従来技術デバイスの欠点を克服し、プラズマ・エッチング装置を使用して半導体基板のダイシングの進歩に著しく寄与する改善を提供することである。

本発明の別の目的は、基板をプラズマ・ダイシングする方法を提供することであり、この方法は、壁を有する処理チャンバを供給するステップと、処理チャンバの壁に隣接してプラズマ源を供給するステップと、処理チャンバ内に加工物支持部を供給するステップと、基板をキャリア支持部上に配置して加工物を形成するステップと、加工物を加工物支持部上へロードするステップと、加工物の上に配置されたカバー・リングを供給するステップと、プラズマ源によってプラズマを生成するステップと、生成されたプラズマによって加工物をエッチングするステップとを含む。

本発明のさらに別の目的は、基板をプラズマ・ダイシングする方法を提供することであり、この方法は、壁を有する処理チャンバを供給するステップと、処理チャンバの壁に隣接してプラズマ源を供給するステップと、処理チャンバ内に、静電チャックを有する加工物支持部を供給するステップと、基板をキャリア支持部上に配置して加工物を形成するステップと、加工物を加工物支持部上へロードするステップと、静電チャックによって加工物を加工物支持部に固定するステップと、加工物の上に配置されたカバー・リングを供給するステップと、プラズマ源によってプラズマを生成するステップと、生成されたプラズマによって加工物をエッチングするステップと、エッチング・ステップ中にカバー・リングの温度を制御するステップとを含む。

本発明のさらに別の目的は、基板をプラズマ・ダイシングする方法を提供することであり、この方法は、基板をキャリア支持部上に配置して加工物を形成するステップと、加工物をプラズマ処理チャンバ内へロードするステップと、第１のエッチング剤ガスを使用して第１のプラズマ・エッチング処理にプラズマ処理チャンバ内の加工物を露出させるステップと、個片化後に第１のプラズマ・エッチング処理を終了するステップと、第２のエッチング剤ガスを使用して第２のプラズマ・エッチング処理にプラズマ処理チャンバ内の加工物を露出させるステップとを含む。

本発明の別の目的は、基板をプラズマ・ダイシングする装置を提供することであり、この装置は、壁を有する処理チャンバと、処理チャンバの壁に隣接するプラズマ源と、静電チャックを有する処理チャンバ内の加工物支持部と、キャリア支持部上に基板を有し、加工物支持部上へ配置される加工物と、加工物の上に配置され、処理チャンバの壁に熱結合されるカバー・リングとを備える。

上記では、本発明の関連する目的のいくつかについて略述した。これらの目的は、意図する本発明のより顕著な特徴及び応用例のいくつかの例示にすぎないと解釈されるべきである。開示の本発明を異なる形で適用することによって、又は本開示の範囲内で本発明を修正することによって、多くの他の有益な結果も達成することができる。したがって、本発明の他の目的及びより完全な理解は、添付の図面と併せて、特許請求の範囲によって定義する本発明の範囲に加えて、本発明の概要及び好ましい実施例の詳細な説明を参照することによって得ることができる。

本発明は、半導体基板のプラズマ・ダイシングを可能にするプラズマ処理装置について記載する。デバイスの製作及びウェーハの薄膜化後、従来のマスキング技法を使用して基板の前側（回路側）がマスキングされ、それによって回路構成要素を保護し、ダイ間に保護されていない領域を残す。基板は、剛性フレーム内に支持された薄いテープ上に取り付けられる。基板／テープ／フレーム・アセンブリは、真空の処理チャンバ内へ移動され、反応ガス・プラズマに露出されて、ダイ間の保護されていない領域がエッチング除去される。この処理中、フレーム及びテープは、反応ガス・プラズマによる損傷から保護される。この処理により、ダイは完全に分離される。エッチング後、基板／テープ／フレーム・アセンブリはプラズマにさらに露出され、それによって潜在的に損傷を与えうる残留物を基板表面から取り除く。基板／テープ／フレーム・アセンブリを処理チャンバから移動させた後、ダイはよく知られている技法を使用してテープから取り外され、次いで必要に応じてさらに処理（たとえばパッケージング）される。

本発明の別の特徴は、基板をプラズマ・ダイシングする方法を提供することである。基板は、ケイ素などの半導電層を有することができ、且つ／又は基板は、ＧａＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族層を有することができる。基板は、基板の回路側にパターン形成されたフォトレジスト層などの保護層を有することができる。壁を有する処理チャンバが供給され、処理チャンバの壁にプラズマ源が隣接している。プラズマ源は、高密度プラズマ源とすることができる。処理チャンバと流体的に連通している真空ポンプと、処理チャンバと流体的に連通しているガス入口とを供給することができる。処理チャンバ内の加工物支持部が供給される。基板をキャリア支持部上に配置することによって、加工物が形成される。加工物は、基板を支持フィルムに接着させ、次いで基板を支持フィルムとともにフレームに取り付けることによって形成することができる。支持フィルムは、高分子層及び／又は導電層を有することができる。支持フィルムは、標準的なダイシング・テープとすることができる。フレームは、導電層及び／又は金属層を有することができる。次いで、加工物は、プラズマ処理のために加工物支持部上へロードされる。加工物支持部にＲＦ電源を結合して、加工物の周りにプラズマを生じさせることができる。加工物支持部から加工物へヘリウムなどの加圧ガスを供給することによって、加工物と加工物支持部との間に熱的連通を提供することができる。加工物支持部内へ静電チャックを組み込むことができ、それによって、静電チャックは支持フィルムを静電チャックへ固定することができる。静電チャックは、単極又は多極のクランプ電極を有することができ、クーロン効果又はジョンセン・ラーベック効果によってクランプ力を提供することができる。静電チャックは、基板の直径より大きい直径を有することができる。静電チャックは、フレームの内径より小さい直径を有することができる。静電チャックは、平坦な上面を有することができる。静電チャックは、個片化されたダイ寸法より小さい特徴を有することができる。加工物支持部内へリフト機構を組み込むことができ、それによりリフト機構上へ加工物がロードされる。リフト機構は、加工物のフレームのみに接触するように設計することができる。充填リングを設けることができ、充填リングは、静電チャックの外径からリフト機構まで延びる。充填リングは、誘電体材料から作ることができる。高密度源と加工物との間に、機械的な区画を設けることができる。その区画はスクリーンとすることができ、スクリーンは、アルミニウムから作ることができる導電性のものとすることができる。加工物の上にカバー・リングが配置される。カバー・リングの内径は、基板の外径より小さくすることができる。処理チャンバ内の圧力は、真空ポンプによって減少させることができ、ガス入口を通って処理チャンバ内へ処理ガスを導入することができる。プラズマ源によってプラズマが生成され、それによって加工物は、生成されたプラズマによってエッチングされる。カバー・リングの温度は、プラズマ・エッチング・ステップ中に制御することができる。プラズマ・エッチング・ステップ中、カバー・リングは８０℃より低い温度まで冷却することができる。カバー・リングは、処理チャンバの壁及び／又はヒート・シンクを使用することによって冷却することができる。カバー・リングは、温度制御された流体に接触することによって温度制御することができる。カバー・リングは、複数の孔、耐プラズマ性の層、金属層、及び／又はセラミック層を有することができる。処理チャンバと連通する真空に適合した移動モジュールを設けることができる。加工物は、真空に適合した移動モジュール内の移動アーム上へロードすることができ、それによって、真空に適合した移動モジュールから処理チャンバへの加工物の移動中、処理チャンバは真空下で維持される。移動アームは、移動中、平坦にし、フレームに割り出しされ、フレームのみに接触し、且つ／又は基板に対して実質上共平面のままにすることができる。加工物は、処理チャンバ内へ移動させる前に、機械的位置合わせ及び／又は光学的位置合わせによって位置合わせすることができる。フレーム及び／又は基板は、処理チャンバ内へ移動させる前に、位置合わせすることができる。

本発明のさらに別の特徴は、基板をプラズマ・ダイシングする方法を提供することである。基板は、ケイ素などの半導電層を有することができ、且つ／又は基板は、ＧａＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族層を有することができる。基板は、基板の回路側にパターン形成されたフォトレジスト層などの保護層を有することができる。壁を有する処理チャンバが供給され、処理チャンバの壁にプラズマ源が隣接している。プラズマ源は、高密度プラズマ源とすることができる。処理チャンバと流体的に連通している真空ポンプと、処理チャンバと流体的に連通しているガス入口とを供給することができる。処理チャンバ内の加工物支持部が供給される。基板をキャリア支持部上に配置することによって、加工物が形成される。加工物は、基板を支持フィルムに接着させ、次いで基板を支持フィルムとともにフレームに取り付けることによって形成することができる。支持フィルムは、高分子層及び／又は導電層を有することができる。支持フィルムは、標準的なダイシング・テープとすることができる。フレームは、導電層及び／又は金属層を有することができる。次いで、加工物は、プラズマ処理のために加工物支持部上へロードされる。加工物支持部にＲＦ電源を結合して、加工物の周りにプラズマを生じさせることができる。加工物支持部から加工物へヘリウムなどの加圧ガスを供給することによって、加工物と加工物支持部との間に熱的連通を提供することができる。加工物支持部内へ静電チャックが組み込まれ、それによって、静電チャックは加工物を静電チャックへ固定する。静電チャックは、単極又は多極とすることができる。静電チャックは、クーロン効果又はジョンセン・ラーベック効果を使用して基板を固定することができる。静電チャックは、基板の直径より大きい直径を有することができる。静電チャックは、フレームの内径より小さい直径を有することができる。静電チャックは、平坦な上面を有することができる。静電チャックは、個片化されたダイ寸法より小さい特徴を有することができる。加工物支持部内へリフト機構を組み込むことができ、それによりリフト機構上へ加工物がロードされる。リフト機構は、加工物のフレームのみに接触するように設計することができる。充填リングを設けることができ、充填リングは、静電チャックの外径からリフト機構まで延びる。充填リングは、誘電体材料から作ることができる。高密度源と加工物との間に、機械的な区画を設けることができる。その区画はスクリーンとすることができ、スクリーンは、アルミニウムから作ることができる導電性のものとすることができる。加工物の上にカバー・リングが配置される。カバー・リングの内径は、基板の外径より小さくすることができる。処理チャンバ内の圧力は、真空ポンプによって減少させることができ、ガス入口を通って処理チャンバ内へ処理ガスを導入することができる。プラズマ源によってプラズマが生成され、それによって加工物は、生成されたプラズマによってエッチングされる。カバー・リングの温度は、プラズマ・エッチング・ステップ中に制御される。プラズマ・エッチング・ステップ中、カバー・リングは８０℃より低い温度まで冷却することができる。カバー・リングは、処理チャンバの壁及び／又はヒート・シンクを使用することによって冷却することができる。カバー・リングは、複数の孔、耐プラズマ性の層、金属層、及び／又はセラミック層を有することができる。処理チャンバと連通する真空に適合した移動モジュールを設けることができる。加工物は、真空に適合した移動モジュール内の移動アーム上へロードすることができ、それによって、真空に適合した移動モジュールから処理チャンバへの加工物の移動中、処理チャンバは真空下で維持される。移動アームは、移動中、平坦にされ、フレームに割り出しされ、フレームのみに接触し、且つ／又は基板に対して共平面のままにすることができる。加工物は、処理チャンバ内へ移動させる前に、機械的位置合わせ及び／又は光学的位置合わせによって位置合わせすることができる。フレーム及び／又は基板は、処理チャンバ内へ移動させる前に、位置合わせすることができる。

本発明のさらに別の特徴は、基板をプラズマ・ダイシングする方法を提供することである。基板をキャリア支持部上に配置することによって、加工物が形成される。加工物は、基板を支持フィルムに接着させ、次いで基板を支持フィルムとともにフレームに取り付けることによって形成することができる。支持フィルムは、高分子層及び／又は導電層を有することができる。支持フィルムは、標準的なダイシング・テープとすることができる。フレームは、導電層及び／又は金属層を有することができる。加工物は、プラズマ処理チャンバ内へロードされる。加工物の上方にカバー・リングを配置することができる。加工物は、プラズマ処理チャンバ内で第１のエッチング剤ガスを使用して第１のプラズマ・エッチング処理に露出される。第１のエッチング剤ガスは、フッ素含有ガス又は塩素含有ガスなどのハロゲン含有ガスとすることができる。第１のエッチング処理は、時分割多重式のエッチング処理とすることができる。第１のプラズマ・エッチング処理は、ダイが個片化された後に終了される。第１のプラズマ・エッチング処理の終了は、基板と支持フィルムとの間の境界面で行うことができ、この境界面は、標準的な終点技法を使用して決定することができる。次いで、加工物は、プラズマ処理チャンバ内で第２のエッチング剤ガスを使用する第２のプラズマ・エッチング処理に露出させることができる。第２のプラズマ・エッチング処理は、アンダーカットを低減させるように設計されたエッチング速度のより遅い処理とすることができる。第２のエッチング剤ガスは、フッ素含有ガス又は塩素含有ガスなどの第２のハロゲン含有ガスとすることができる。第２のエッチング処理は、第２の時分割多重式のエッチング処理とすることができる。次いで、加工物は、プラズマ処理チャンバ内で第３のエッチング剤ガスを使用する第３のプラズマ・エッチング処理に露出させることができる。第３のプラズマ・エッチング処理は、第１のプラズマ・エッチング処理及び／又は第２のプラズマ・エッチング処理への露出後にデバイス上に存在する望ましくない残留物を取り除くことができる。第３のエッチング剤ガスは、水素含有ガスとすることができる。

本発明の別の特徴は、基板をプラズマ・ダイシングする装置を提供することであり、この装置は壁を有する処理チャンバを備え、処理チャンバの壁にプラズマ源が隣接している。プラズマ源は、高密度プラズマ源とすることができる。処理チャンバは、処理チャンバと流体的に連通している真空ポンプと、処理チャンバと流体的に連通しているガス入口とを有することができる。処理チャンバ内の加工物支持部は、静電チャックを有する。キャリア支持部上に取り付けられた基板を有する加工物が、加工物支持部上へ配置される。加工物は、支持フィルム上に基板を有することができ、次いでこの基板がフレーム上に取り付けられる。支持フィルムは、高分子層及び／又は導電層を有することができる。支持フィルムは、標準的なダイシング・テープとすることができる。フレームは、導電層及び／又は金属層を有することができる。加工物の上方にカバー・リングが配置され、カバー・リングは、処理チャンバの壁及び／又はヒート・シンクに熱結合される。カバー・リングは、複数の孔を有することができる。高密度源と加工物との間に、機械的な区画を配置することができる。加工物支持部内にリフト機構を配置することができる。静電チャックの外径からリフト機構まで延びる充填リングを含むことができる。

上記では、以下の本発明の詳細な説明をよりよく理解でき、したがって当技術分野に対する本発明の寄与をより完全に理解できるように、本発明のより関連する重要な特徴についてかなり大まかに概略した。本発明の追加の特徴については以下に説明する。この説明は、本発明の特許請求の範囲の主題を形成する。開示する概念及び特有の実施例は、本発明の同じ目的を実施するために他の構造を修正又は設計する基礎として容易に利用できることが、当業者には理解されるはずである。また、そのような等価の構造は、添付の特許請求の範囲に述べる本発明の趣旨及び範囲から逸脱しないことが、当業者には理解されるはずである。

ストリートによって分離された個々のデバイスを示す半導体基板の上面図である。 ストリートによって分離された個々のデバイスを示す半導体基板の横断面図である。 テープ及びフレームに取り付けられた半導体基板の横断面図である。 テープ及びフレームに取り付けられた半導体基板がプラズマ処理によってエッチングされている横断面図である。 テープ及びフレームに取り付けられた半導体デバイスが分離された横断面図である。 真空処理チャンバの横断面図である。 処理位置にあるウェーハ／フレームの横断面図である。 真空処理チャンバ内のフレーム及びカバー・リングの拡大横断面図である。 カバー・リングがチャンバ壁に取り付けられている、チャンバの内側の一部分の横断面図である。 カバー・リングが内部のヒート・シンクに取り付けられている、チャンバの内側の一部分の横断面図である。 テープ及びフレームに取り付けられた半導体基板が移動アームによって支持されている上面図である。 テープ及びフレームに取り付けられた半導体基板が移動アームによって支持されている横断面図である。 移動位置にあるウェーハ／フレームの横断面図である。 スクリーンの上面図である。 静電チャックの横断面図である。 移動位置にあるチャンバの概略図である。

いくつかの図面全体にわたって、類似の参照文字は同様の部分を指す。

デバイス製作後の典型的な半導体基板を図１に示す。基板（１）は、その表面上に、ストリート領域（３）によって分離されたデバイス構造（２）を含む複数の領域を有し、ストリート領域（３）には構造がなく、それによってデバイス構造を個々のダイに分離することができる。一般には基板材料としてケイ素が使用されるが、特定の特性のために選択された他の材料が用いられることも多い。そのような基板材料には、ガリウム砒素及び他のＩＩＩ−Ｖ族材料、又は半導電層を上に堆積させた半導体でない基板が含まれる。

本発明では、図２の横断面図に示すように、デバイス構造（２）は次いで保護材料（４）で覆われるが、ストリート領域（３）は保護されないままである。この保護材料（４）はフォトレジストとすることができ、よく知られている技法によって塗布され且つパターン形成されることができる。いくつかのデバイスは、最終処理ステップとして、基板全体にわたって塗布される二酸化ケイ素又はＰＳＧなどの保護誘電体層で被覆される。この保護誘電体層は、当業界ではよく知られているように、フォトレジストでパターン形成し、誘電体材料をエッチングすることによって、ストリート領域（３）から選択的に取り除くことができる。これにより、デバイス構造（２）は誘電体材料によって保護されるが、ストリート領域（３）では基板（１）は実質上保護されない。場合によっては、ウェーハ品質を確認するための試験用形体をストリート領域（３）内に配置できることに留意されたい。特有のウェーハ製作処理の流れに応じて、これらの試験用形体は、ウェーハ・ダイシング処理中に保護してもしなくてもよい。図示のデバイス・パターンは長方形のダイを示すが、これは必須ではなく、個々のデバイス構造（２）は、基板（１）を最適に利用するのに最もよく適した六角形などの任意の他の形状をとることができる。前の例では、保護フィルムとして誘電体材料について考慮したが、本発明は、半導電性及び導電性の保護フィルムを含む広い範囲の保護フィルムで実施できることに留意することが重要である。さらに、保護層は複数の材料から構成することもできる。また、保護フィルムの一部分は、最終のデバイス構造（たとえば、不活性化誘電体、金属接合パッドなど）の一体部分とすることもできることに留意することが重要である。

基板（１）は、通常は研磨処理によって薄膜化することができ、それにより、基板の厚さを数百ミクロンから約３０ミクロン以下の薄さにまで低減させる。図３に示すように、薄膜化された基板（１）は、次いでテープ（５）に接着され、テープ（５）は剛性フレーム（６）内に取り付けられて、加工物（１Ａ）を形成する。テープ（５）は通常、炭素含有高分子材料から作られており、その表面には薄い導電層をさらに塗布することができる。テープ（５）は、破損なく取り扱うには普通なら脆弱すぎる薄膜化された基板（１）に対して支持を行う。パターン形成、薄膜化、次いで取付けの順序は重要ではなく、これらのステップは、特定のデバイス及び基板並びに使用される処理機器に最もよく適合するように調整できることに留意されたい。前の例では、基板（１）を接着テープ（５）上に取り付けてから接着テープ（５）をフレーム（６）に取り付けることから構成される加工物（１Ａ）を考えたが、本発明は、このウェーハ及びキャリアの構成によって限定されないことに留意することが重要である。ウェーハ・キャリアは、様々な材料から構成することができる。キャリアは、プラズマ・ダイシング処理中に基板を支持する。さらに、ウェーハは、接着剤を使用してキャリアに取り付ける必要はなく、ウェーハをキャリアに保持し、基板からカソードへの熱的連通の手段を可能にする任意の方法で十分である（たとえば、静電気で固定されるキャリア、機械的クランプ機構を有するキャリアなど）。

基板（１）をテープ（５）でダイシング・フレーム（６）内に取り付けた後、加工物（１Ａ）は真空処理チャンバ内へ移動される。理想的には、移動モジュールも真空下にあり、それによって移動中に処理チャンバを真空で維持することができ、処理時間を低減させ、大気への処理チャンバの露出及び起こりうる汚染を防止する。図６に示すように、真空処理チャンバ（１０）は、ガス入口（１１）と、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）などの高密度プラズマを生成するための高密度プラズマ源（１２）と、加工物（１Ａ）を支持するための加工物支持部（１３）と、加工物支持部（１３）を通して加工物（１Ａ）にＲＦ電力を結合するためのＲＦ電源（１４）と、処理チャンバ（１０）からガスを排気するための真空ポンプ（１５）とを備える。処理中、基板（１）の保護されていない領域は、図４に示す反応プラズマ・エッチング処理（７）を使用してエッチング除去される。これにより、図５に示すように、デバイス（２）は個々のダイ（８）に分離される。本発明の別の実施例では、基板（１）の保護されていない領域は、反応プラズマ・エッチング処理（７）を使用して部分的にエッチング除去される。この場合、機械的な破断動作などの後段の動作を使用して、ダイの分離を完了することができる。これらの後段の方法は、当技術分野ではよく知られている。

前の例では、本発明について、高密度プラズマとともに真空チャンバを使用すると説明したが、広い範囲のプラズマ処理を使用して基板の保護されていない領域をエッチングすることも可能である。たとえば、真空チャンバ内で低密度プラズマ源を使用し、又はさらに大気圧若しくはその付近でプラズマを使用する本発明の変形形態を、当業者であれば想到することができる。

基板／テープ／フレーム・アセンブリ（１Ａ）がプラズマ処理位置にあるとき、フレーム（６）はプラズマ（７）への露出から保護されていることが重要である。プラズマ（７）への露出は、フレーム（６）の加熱を引き起こし、フレーム（６）の加熱は取付けテープ（５）の局部的な加熱を引き起こす。約１００℃を上回る温度では、テープ（５）の物性及びその接着能力が劣化することがあり、もはやフレーム（６）に接着しなくなる。さらに、反応プラズマ・ガスへのフレーム（６）の露出は、フレーム（６）の劣化を引き起こすことがある。フレーム（６）は通常、ウェーハ・ダイシング後に再利用されるため、これはフレーム（６）の有効寿命を制限することがある。プラズマ（７）へのフレーム（６）の露出はまた、エッチング処理に悪影響を与えることがあり、たとえばフレームの材料が処理ガスと反応し、それによってプラズマ内の処理ガスの濃度を実質的に低減させ、基板材料のエッチング速度を低減させ、したがって処理時間を増大させることがある。フレーム（６）を保護するために、図６、図７、及び図８に示すように、保護カバー・リング（２０）がフレーム（６）の上に位置決めされる。フレーム（６）との接触（処理チャンバ（１０）内への移動中に起こりうる）は望ましくない粒子を生成する可能性があるため、カバー・リング（２０）はフレーム（６）に接触しない。

図８では、寸法（Ａ）はカバー・リング（２０）とフレーム（６）との間の距離を表す。この寸法は、約０．５ｍｍ未満から約５ｍｍより大きい範囲とすることができ、最適の値は１．５ｍｍである。距離（Ａ）が大きすぎる場合、プラズマ（７）がフレーム（６）に接触し、カバー・リング（２０）の利益が失われる。

カバー・リング（２０）は温度制御されることが重要であり、そうでない場合、カバー・リング（２０）の温度はプラズマ（７）への露出のために増大し、それが放射加熱によってテープ（５）及びフレーム（６）を加熱し、上記のように劣化を引き起こす。カバー・リング（２０）が冷却される場合、カバー・リング（２０）の冷却は、図９に示す処理チャンバ壁（１０Ｗ）又は図１０に示す処理チャンバ（１０）内に位置するヒート・シンク（３０）などの冷却された物体に、カバー・リング（２０）を直接接触させることによって実現される。カバー・リング（２０）からヒート・シンク（３０）へ熱が十分に取り除かれることを確実にするために、カバー・リング（２０）は良好な熱伝導性を有する材料から作られるべきである。そのような材料には、多くの金属、たとえばアルミニウムが含まれるが、窒化アルミニウム及び他のセラミックなどの他の熱伝導性の材料を使用することもできる。カバー・リング材料は、使用されるプラズマ処理ガスに適合するように選択される。フッ素ベースの処理の場合、アルミニウムで十分であるが、塩素ベースの処理が使用されるときは、窒化アルミニウムなどの代替材料、又は酸化アルミニウムなどの保護被覆の追加が必要になることもある。プラズマ処理中のカバー・リング（２０）の動作温度は通常８０℃より低く、それによってテープ（５）及びフレーム（６）への熱放射を最小にし、テープ（５）がその機械的な完全性を維持することを確実にする。別の法方として、カバー・リング（２０）は、カバー・リング（２０）を温度制御された流体に接触させることによって温度制御することもできる。この流体は、液体又は気体とすることができる。カバー・リング（２０）の温度が流体によって制御される場合、カバー・リング（２０）は、熱伝達を容易にするために複数の流体チャネルを含むことができる。これらの流体チャネルは、カバー・リング（２０）の内部に位置することができ、外部に取り付けることができ、又はこれら２つを組み合わせることができる。

一例では、カバー・リング（２０）は、基板の直径からチャンバの内径まで連続して延びることができる。処理チャンバ（１０）内の圧力制御に悪影響を与える可能性のあるポンピング導通性の損失を回避するために、カバー・リング（２０）に複数の孔（２１）を加えることができ、それによって、処理ガスの十分な導通性を可能にしながら、それでもなお、カバー・リング（２０）から熱を取り除く経路を提供する。図９及び図１０では、特有の幾何形状で構成された複数の孔（２１）を示すが、孔（２１）の密度、寸法、パターン、及び対称性は、処理チャンバ（１０）の寸法及び必要なポンピング導通性に応じて変動することができる。

基板／テープ／フレーム・アセンブリ（１Ａ）は、図１１及び図１２に示すように共平面で維持されるように、フレーム（６）及び基板（１）を支持する移動アーム（４０）によって処理チャンバ（１０）の内外へ移動される。移動アーム（４０）は、テープ（５）とフレーム（６）の両方又はフレーム（６）のみを支持することができるが、薄膜化された基板（１）の脆弱な性質のため、アセンブリ（１Ａ）は基板（１）の領域の下だけでは支持されないことが重要である。移動アーム（４０）には位置合わせ用具（４１）が取り付けられており、位置合わせ用具（４１）は、処理チャンバ（１０）内へ移動させる前にフレーム（６）を繰返し可能な位置に位置合わせする。フレーム（６）はまた、半導体処理でよく知られている他の技法（たとえば、光学的位置合わせ）によって位置合わせすることもできる。位置合わせはまた、そのようなよく知られている技法によって、基板（１）上で実行することもできる。基板／テープ／フレーム・アセンブリ（１Ａ）は、後述するような処理の誤りを回避するために、処理チャンバ（１０）内に配置する前に位置合わせされることが重要である。

図８では、寸法（Ｄ）は、基板（１）の外径とフレーム（６）の内径との間の距離を表す。これは２０ｍｍ〜３０ｍｍとすることができる（たとえば、Ｄｉｓｃｏ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎのダイシング・フレームは２００ｍｍの基板に対して２５０ｍｍであり、したがって寸法（Ｄ）は公称で２５ｍｍである）。フレーム（６）内のテープ（５）上にウェーハ（１）を取り付ける間、ウェーハ（１）の配置のずれは多くても２ｍｍとすることができ、したがって、基板（１）の外径とカバー・リング（２０）の内径との間の距離である寸法（Ｅ）もまた、アセンブリごとに最大２ｍｍまで変動することがある。ある点で（Ｅ）が０より小さい場合、カバー・リング（２０）は基板（１）の縁部に重なる。この点は陰になってエッチングされず、これはダイ分離を妨げ、後の処理ステップで問題を引き起こす可能性がある。そのような問題を防止するには、移動前の基板／テープ／フレーム・アセンブリ（１Ａ）の位置合わせが必要である。さらに、寸法（Ｅ）がゼロ以上であることをさらに確実にするために、カバー・リングの内径は、基板（１）の直径より大きくするべきであり、好ましい直径は基板より５ｍｍ大きい（たとえば、２００ｍｍの基板の場合、カバー・リングの内径は２０５ｍｍである）。図８の寸法（Ｆ）は、カバー・リング（２０）の内径からフレーム（６）の内径までの距離を表す。処理チャンバ（１０）内へ移動させる前にフレーム（６）を位置合わせすることで、基板（１）の円周全体にわたって（Ｆ）を一定のままにし、テープ（５）のうち、静電チャック（ＥＳＣ）（１６）が接触しないあらゆる部分がプラズマ（７）からの陰になるようにする。

基板／テープ／フレーム・アセンブリ（１Ａ）は、処理チャンバ（１０）内へ移動されるとき、リフト機構（１７）上へ配置されて、移動アーム（４０）から取り外される。基板／テープ／フレーム・アセンブリ（１Ａ）を処理チャンバ（１０）から移動させる際には、逆の処理が行われる。リフト機構（１７）はフレーム（６）の領域に接触し、基板（１）に対する点接触を提供しない。基板（１）に対する点接触は、特にダイの分離及び基板／テープ／フレーム・アセンブリ（１Ａ）のアンロード後は、テープ（５）の可撓性によりダイが互いに接触して損傷が生じるため、基板（１）の損傷を引き起こす可能性がある。図１３は、リフト機構（１７）が下側からフレーム（６）に接触することを示すが、フレーム（６）はまた、クランプ・デバイスを使用して上面又は外径に接触することによって、移動アーム（４０）から取り外すこともできる。基板（１）を処理するために、フレーム（６）、加工物支持部（１３）、及びカバー・リング（２０）は互いに対して動く。これは、カバー・リング（２０）、加工物支持部（１３）、若しくはリフト機構（１７）、又はこれら３つの任意の組合せを動かすことによって実現することができる。

プラズマ処理中、基板（１）、テープ（５）、及びフレーム（６）を含めて、プラズマ（７）が接触するすべての表面へ熱が伝達される。カバー・リング（２０）は、テープ（５）及びフレーム（６）の領域への熱伝達を最小にするが、基板（１）は、処理のためにプラズマ（７）に露出されたままにしなければならない。図６に示すように、基板（１）とプラズマ（７）との間には、導電スクリーン（２５）（たとえば、アルミニウムから作られ、又は適当な耐プラズマ性の被覆でアルミニウム被覆される）を配置することができる。これにより、基板（１）上のイオン衝撃を低減させ、したがって基板（１）の加熱を低減させる。図１４は、スクリーン（２５）が複数の孔（２６）を備え、それでもなおプラズマ（７）からの中性種が基板（１）に到達でき、したがってエッチング速度はわずかにしか低減されないことを示す。孔（２７）により、スクリーン（２５）を処理チャンバ（１０）へ取り付けることができる。

静電チャック（ＥＳＣ）（１６）の使用によって、基板（１）の追加の冷却が提供される。そのようなＥＳＣ（１６）は、基板（１）に下方への力を加えるために半導体処理で一般に使用されるが、基板（１）と電極との間にはヘリウムなどの加圧ガスが維持される。これにより、基板（１）と冷却された電極との間で熱伝達を行うことを確実にすることができる。通常、ＥＳＣ（１６）の寿命を減少させる可能性のある潜在的に腐食性のプラズマ・ガスに対するＥＳＣ（１６）の表面の望ましくない露出を防止するために、ＥＳＣ（１６）は基板（１）と同じ直径であり、又は基板（１）より小さい。基板／テープ／フレーム・アセンブリ（１Ａ）では、基板（１）の直径の外側の領域がテープ（５）である。典型的なＥＳＣ（１６）を使用することで、カバー・リング（２０）が基板（１）の直径より大きいため、ＥＳＣ（１６）によって固定及び冷却されておらず、又はカバー・リング（２０）によってプラズマ（７）から遮蔽されていないため、プラズマ処理に露出されるテープ（５）の領域があるはずである。テープ（５）のそのような領域は高温に到達し、場合によっては機能しなくなるはずである。したがって、図８は、領域（Ｅ）でプラズマに露出されたいかなるテープ（５）も固定及び冷却されるように、基板の直径より故意に大きくしたＥＳＣ（１６）を使用することを示す。この直径は、フレーム（６）の外径まで外側へ延ばすことができるが、フレーム（６）の内径より２ｍｍ小さいことが好ましい。

図８は、充填リング（１８）がＥＳＣ（１６）の外径からリフト機構（１７）まで延びることを示す。この充填リング（１８）は、露出されたいかなるテープ（５）の裏面にもプラズマ（７）が接触するのを防止するために使用される。別個の充填リング（１８）を示すが、ＥＳＣ（１６）を延ばすことでも、テープ（５）の裏側に対するプラズマ（７）の露出を防止するであろう。充填リング（１８）は通常、低い熱伝導性及び低い電導性の両方のために選択されるセラミック（たとえば、酸化アルミニウム）などの誘電体材料、又はプラスチック材料（たとえば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ、Ｔｅｆｌｏｎ））から作られる。半導体処理で使用される典型的なＥＳＣ（１６）は、ヘリウムの分配を容易にするため、又は基板（１）の裏側との接触を最小にして粒子の形成を低減させるため、表面上に製作された浅い形体のパターンを有する。そのようなＥＳＣ（１６）は、基板（１）を複数のダイに分離するとき、プラズマ・ダイシングに使用することができ、ダイ寸法より小さいＥＳＣ表面上の形体寸法を提供することができる。ダイ寸法がＥＳＣの形体寸法に接近し、ＥＳＣの形体寸法より小さくなったとき、テープは形体に合わせて曲がり、場合によってはダイを互いに接触させ、損傷を引き起こす可能性がある。実質上共平面のＥＳＣ表面を使用することでこの問題は解消される。前の例では、プラズマ・エッチング処理を容易にするためにより高い温度を必要とするいくつかの材料（たとえば、インジウム含有基板の場合は約１８０℃）の場合、ＥＳＣが基板を冷却することについて説明したが、ＥＳＣ（１６）の温度がより高温で制御されることが望ましいこともあることに留意されたい。

典型的なＥＳＣ（１６）（図１５のクーロン設計）は、高い電圧（１９）が印加される１つ又は複数の電極（３３）から構成されており、電極（３３）は、厚い絶縁層（３２）によって加工物支持部（１３）から分離され、薄い誘電体材料層（３４）によって固定すべき材料から分離される。静電力によって生成されるクランプ力は、この誘電体層（３４）の厚さが減少するにつれて増大し、印加される電圧が増大するにつれて増大する。この例では、基板（１）が絶縁テープ（５）上に取り付けられるとき、テープ（５）の厚さにより、電極（３３）と基板（１）との間に介在する全体的な誘電体の厚さが増加する。テープの厚さは変動する可能性が高く、その結果、クランプ性能も変動しうるため、この全体的な厚さはテープの厚さによって主に決定されるべきではない。むしろ、テープの厚さに左右されずにクランプ性能を維持するには、ＥＳＣ誘電体（３４）を比較的厚くするべきである（数百ミクロン程度）。高いクランプ力は、高いクランプ電圧（最高約１０ｋＶ）で動作させることによって実現することができる。

プラズマ処理中、基板（１）上のイオン衝撃を制御し、エッチング特性を制御するように、基板（１）にはＲＦ電力（１４）が結合される。このＲＦの周波数は、数百ＭＨｚから数百ｋＨｚまで変動することがある。基板材料を絶縁層（この例では取付けテープ）までエッチングするとき、絶縁層の帯電に関連するエッチングの問題はよく知られている。そのような問題は、基板／絶縁体の境界面における局部的な重大なアンダーカットを含み、これは個片化されたダイの性能に影響を与えるため、ダイの分離中には望ましくない。当技術分野ではよく知られているように、そのような帯電の問題は、低いＲＦ周波数で動作し、さらにこのＲＦ電力を低周波数でパルス化又は変調することによって軽減させることができる。そのような低周波数のＲＦ結合は厚い誘電体材料（３２）では効率的ではないため、基板（１）に対するＲＦ結合は、ＲＦ電力のかかった加工物支持部（１３）ではなく、１つ又は複数のＥＳＣ電極を介して、たとえば結合キャパシタ（３５）を介して行われることが好ましい。基板（１）に対する均一のＲＦ結合を維持するために、１つ又は複数のＥＳＣ電極は基板（１）の裏側に均一に配置されるべきである。これは、複数の電極が使用される場合実現するのが困難である。それは電極間の必要な間隙が、エッチングの品質に悪影響を与えるＲＦ結合の局部的な変動をもたらし、特に基板／テープの境界面のアンダーカットをもたらすためである。したがって、ＥＳＣ設計の好ましい実施例は、クランプ力を提供するために単一の電極が使用されるいわゆる単極設計を具体化する。さらに、この電極を通じて起こりうる侵入（たとえば、ピン・リフトに関する）は、同じくＲＦ結合を妨げ、エッチング性能を劣化させるため、できるだけ少なくするべきである。

基板は、半導体業界でよく知られている技法を使用して処理することができる。シリコン基板は通常、ＳＦ_６などのフッ素ベースの化学物質を使用して処理される。ケイ素をエッチングするには、ＳＦ_６／Ｏ_２の化学物質が、高速且つ異方性のプロファイルのために一般に使用されている。この化学物質の欠点は、マスキング材料、たとえばフォトレジストに対する選択性が１５〜２０：１と比較的低いことである。別法として、高異方性の深いプロファイルを作製するために、堆積とエッチングを交互に行う時分割多重化（ＴＤＭ）処理を使用することができる。たとえば、ケイ素をエッチングする交互の処理では、Ｃ_４Ｆ_８ステップを使用して、シリコン基板のすべての露出表面（すなわち、マスク表面、エッチング側壁、及びエッチング床面）上に高分子を堆積させ、次いでＳＦ_６ステップを使用して、エッチング床面から高分子を選択的に取り除き、次いでわずかな量のケイ素を等方的にエッチング除去する。これらのステップは、終了されるまで繰り返される。そのようなＴＤＭ処理では、２００：１より大きいマスキング層に対する選択性で、ケイ素まで深く入り込む異方性の形体を作製することができる。このため、ＴＤＭ処理は、シリコン基板のプラズマ分離にとって所望の手法である。本発明は、フッ素含有化学物質又は時分割多重化（ＴＤＭ）処理の使用に限定されるものではないことに留意されたい。たとえば、シリコン基板は、当技術分野では知られているように、Ｃｌ、ＨＢｒ、又はＩを含有する化学物質でエッチングすることもできる。

ＧａＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族の基板の場合、塩素ベースの化学物質が半導体業界で広範囲にわたって使用されている。ＲＦ無線デバイスの製作の際、薄膜化されたＧａＡｓ基板は、デバイス側を下に向けてキャリア上へ取り付けられ、次いで基板は薄膜化され、フォトレジストでパターン形成される。ＧａＡｓはエッチング除去され、前側の回路に対する電気接点を露出させる。このよく知られている処理はまた、前述の本発明に記載の前側の処理によってデバイスを分離するために使用することもできる。前述の本発明では、他の半導体基板及び適当なプラズマ処理をダイの分離に使用することもできる。

基板／テープの境界面における帯電に関連する問題をさらに軽減させるために、この処理は、第２の処理に境界面が露出される点で変更することができ、第２の処理は、アンダーカットを生じさせる傾向がより小さく、通常はエッチング速度のより遅い処理である。変更が行われる時点は基板の厚さに依存しており、これは変動する可能性が高い。この変動性を補償するために、基板／テープの境界面に到達する時間は、終点技法を使用して検出される。プラズマ発光を監視する光学的技法は、終点を検出するために一般的に使用されており、米国特許第６，９８２，１７５号及び第７，１０１，８０５号は、ＴＤＭ処理に適当なそのような終点技法について記載している。

半導体基板の個片化後、デバイス上に望ましくない残留物が存在する可能性がある。半導体デバイスに対する電気接点としてはアルミニウムが一般的に使用されており、フッ素ベースのプラズマに露出されたときは、その表面上にＡｌＦ_３層が形成される。ＡｌＦ_３は正常なプラズマ処理条件下では不揮発性であり、基板から離れてシステムの外へ排気されることはなく、処理後も表面上に残る。アルミニウム上のＡｌＦ_３は、電気接点に対するワイアの接合強度が大きく低減されるため、デバイスに対する障害の一般的な原因である。したがって、プラズマ処理後に電気接点の表面からＡｌＦ_３を取り除くことが重要である。湿式方法を使用することができるが、分離されたダイの性質が脆弱であり、テープに起こりうる損傷がダイの解放を引き起こすため、この方法は困難になる。したがって、基板を真空チャンバ内に残したまま、この処理を第３の処理に、すなわち形成されたあらゆるＡｌＦ_３を取り除くように設計された処理に変更することができる。米国特許第７，１５０，７９６号は、水素ベースのプラズマを使用してＡｌＦ_３をその場で取り除く方法について記載している。同様に、他のハロゲン含有ガスを使用して基板をエッチングするとき、その場の処理を使用して、他のハロゲン含有残留物を取り除くことができる。

本開示は、添付の特許請求の範囲内に含有される内容、並びに上記の説明の内容を含む。本発明について、本発明の好ましい形態においてある程度の詳細さで説明したが、好ましい形態の本開示は例示のみを目的とし、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく、構造並びに部分の組合せ及び構成の詳細に多数の変更を用いることができることが理解される。

以上で、本発明について説明した。

Claims (5)

1. 基板をプラズマ・ダイシングする方法であって、
   壁を有する処理チャンバを供給するステップと、
   前記処理チャンバの前記壁に隣接してプラズマ源を供給するステップと、
   前記処理チャンバ内に加工物支持部を供給するステップであって、前記加工物支持部がリフト機構と静電チャックを備え、該静電チャックは外径を有しているステップと、
   上面と底面を有する前記基板を供給するステップであって、前記上面は複数のデバイス構造とストリート領域を有しているステップと、
   上面と下面を有するフレームを供給するステップと、
   加工物を形成するために、前記基板の前記底面を、支持フィルム上に配置して前記フレームの前記上面に配置するステップと、
   前記加工物を前記加工物支持部の前記リフト機構上へ配置するステップであって、前記リフト機構は前記加工物の前記フレームの前記下面に接触しているステップと、
   前記プラズマ源によってプラズマを生成するステップと、
   前記生成されたプラズマによって前記加工物の前記基板の前記上面の保護されていない前記ストリート領域をエッチングするステップと
   を含む方法。
2. 前記支持フィルムが誘電体フィルムであり、前記静電チャックは１００ミクロンよりも大きい厚さを有する誘電体をさらに含む、請求項１に記載の方法。
3. 基板をプラズマ・ダイシングする方法であって、
   壁を有する処理チャンバを供給するステップと、
   前記処理チャンバの前記壁に隣接してプラズマ源を供給するステップと、
   上面と底面を有する前記基板を供給するステップであって、前記上面は複数のデバイス構造とストリート領域を有しているステップと、
   外径と上面と下面を有するフレームを供給するステップと、
   加工物を形成するために、前記基板の前記底面を、支持フィルム上に配置して前記フレームの前記上面に配置するステップと、
   前記処理チャンバ内に加工物支持部を供給するステップであって、前記加工物支持部がリフト機構と静電チャックを備え、該静電チャックは静電チャックの外径を有し、該静電チャックの外径は前記加工物の前記フレームの前記外径まで外側に延びているステップと、
   前記加工物を前記加工物支持部の前記リフト機構上へ配置するステップであって、前記リフト機構は前記加工物の前記フレームの前記下面に接触しているステップと、
   前記プラズマ源によってプラズマを生成するステップと、
   前記生成されたプラズマによって前記加工物の前記基板の前記上面の保護されていない前記ストリート領域をエッチングするステップと
   を含む方法。
4. 前記支持フィルムが誘電体フィルムであり、前記静電チャックは１００ミクロンよりも大きい厚さを有する誘電体をさらに含む、請求項３に記載の方法。
5. 前記静電チャックが実質上共平面の表面をさらに有する、請求項３に記載の方法。