[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP5866577B2 - 光学フィルタおよびそれを用いた偏光撮像装置 - Google Patents

光学フィルタおよびそれを用いた偏光撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5866577B2
JP5866577B2 JP2015514686A JP2015514686A JP5866577B2 JP 5866577 B2 JP5866577 B2 JP 5866577B2 JP 2015514686 A JP2015514686 A JP 2015514686A JP 2015514686 A JP2015514686 A JP 2015514686A JP 5866577 B2 JP5866577 B2 JP 5866577B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polarization
optical filter
wire grid
metal layer
imaging device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2015514686A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2015015722A1 (ja
Inventor
克洋 金森
克洋 金森
年伸 松野
年伸 松野
照弘 塩野
照弘 塩野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority to JP2015514686A priority Critical patent/JP5866577B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5866577B2 publication Critical patent/JP5866577B2/ja
Publication of JPWO2015015722A1 publication Critical patent/JPWO2015015722A1/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462Coatings
    • H01L27/14621Colour filter arrangements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/001Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/30Polarising elements
    • G02B5/3025Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3058Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Stereoscopic And Panoramic Photography (AREA)
  • Blocking Light For Cameras (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

本開示は、カラー画像と偏光画像の両方を同時に取得する光学フィルタおよびそれを用いた偏光撮像装置に関する。
近年、カラー画像と偏光画像とを同時に取得する撮像素子(偏光撮像装置)が、検査用内視鏡、立体撮像カメラ、および車載用カメラなどの分野で求められるようになっている。カラーの画像情報に加えて偏光情報を取得すれば、反射光からハレーションを除去することができる。また、偏光情報があれば被写体の表面法線方向を推定することができるため、被写体の表面凹凸やキズの検出、路面の水濡れや障害物の検出をすることも可能になる。さらに、偏光撮像装置を偏光照明と組み合わせて使用することにより、被写体が半透明の粘膜である場合に粘膜表層構造の情報を取得することが可能になる。これらを実現するために偏光子を搭載した撮像素子が必要になる。偏光子としては広い可視光域で偏光動作をするワイヤグリッド偏光子を使うことが有効である。
特許文献1、特許文献2は、カラー画像と偏光画像とを同時に取得するため、従来のカラー固体撮像素子の上層または下層に方向の異なるワイヤグリッド偏光子を組み合わせたモザイクアレイを形成することを開示している。
特開2010−263158号公報 特開2012−80065号公報 特表2009−545150号公報 米国特許出願公開第2012/0327248号明細書 特開2013−74400号公報 米国特許第6665119号明細書 国際公開第2008/078264号 特許第5341285号公報
Yeo-Taek Yoon and sang-Shin Lee," Transmission type color filterincorporating a silver film based etalon",1 March 2010 / Vol. 18, No. 5/ OPTICS EXPRESS、PP5344−5349 Laurent Frey, Pascale Parrein,Jacques Raby, Catherine Pelle, Didier Herault, Michel Marty, and Jean Michailos," Color filters including infrared cut-off integrated on CMOS image sensor", 4 July 2011 / Vol. 19, No. 14 / OPTICS EXPRESS,PP13073−13089
従来の偏光撮像装置では、各々が画素サイズを有する多数のワイヤグリッド偏光子のモザイク配列を形成する必要がある。すなわち、画素ごとに金属ワイヤの方向が異なるワイヤグリッド偏光子をパターン化して2次元的に配列する必要がある。1個の画素が例えば2μm×2μmの矩形領域である場合、個々の画素を覆うワイヤグリッド偏光子のワイヤ長さは2μm程度である。ワイヤ長さがこのような短さのとき、金属ワイヤのピッチ(ライン・スペース)を100nm以下に微細化してもワイヤグリッド偏光子としての消光比は10:1以下に低下する。このことは、たとえば特許文献2に記載されている。
通常、基礎的な偏光撮像の実験に用いる光学素子としての偏光板はサイズが大きい。そのため、偏光撮像装置が実験に使用される場合、上記のような課題は発生せず、ワイヤグリッド偏光子の消光比は3000:1程度に達する。このようにワイヤグリッド偏光子では、ワイヤ長さが短くなると性能が劣化してしまうため、基礎実験では実現できていたことが、実用的な偏光撮像装置を用いると不可能になってしまう。
前述したように、ハレーション除去は偏光撮像の応用の典型例である。ハレーション除去には少なくとも100:1以上の消光比が必要である。発明者らの実験により、消光比が10:1程度ではハレーション十分に除去することはないことが判明している。すなわち、従来のワイヤグリッド偏光子モザイクを搭載した偏光撮像装置では、実際にはハレーション除去ができない。
本発明による光学フィルタは、
1枚の第1の金属層、1枚の第2の金属層、および誘電体層を含む積層構造を具備するファブリペロー共振器、および
板状の1枚のワイヤグリッド偏光子を具備し、
前記第2の金属層は、前記第1の金属層に平行であり、
前記誘電体層は、前記第1の金属層および前記第2の金属層の間に挟まれており、
前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子は、前記誘電体層の内部に埋め込まれており、
前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子は、3本以上の金属ワイヤ層を具備し、
前記金属ワイヤ層は、互いに平行であり、
前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子は、前記第1の金属層と平行である。
本発明による偏光撮像素子は、
撮像面を有する光電変換素子と、
前記撮像面に対向するように配置された第1光学フィルタとを具備し、
前記第1光学フィルタは、上記光学フィルタである。
本発明による偏光撮像装置は、
複数の偏光撮像素子を具備し、
前記各複数の偏光撮像素子は、上記の偏光撮像素子である。
本発明の趣旨は、上記の偏光撮像装置、および前記偏光撮像装置に組み合わせられたマイクロレンズアレイを備える立体偏光撮像装置を含む。
本開示の実施形態によれば、平行な2つの金属層とその間の誘電体がファブリペロー型干渉カラーフィルタを形成する。2つの金属層の間で光が多重反射し、金属層間隔に依存する共鳴波長を有する光のみが透過する現象を利用することにより、カラーフィルタの機能が実現する。本開示の実施形態では、2つの金属層間にワイヤグリッド偏光子を設けているため、その消光比が低い場合であっても、2つの金属層間を光が多重に反射するとき、光がワイヤグリッド偏光子を何度も透過するため、結果的にワイヤグリッド偏光子の実効的な消光比が増大する。
本開示における偏光撮像装置の構成例を模式的に示す斜視図である。 (a)は、本開示の実施形態1の光学フィルタ200における2次元的なカ ラーモザイク配列の基本周期単位の例を示す平面図であり、(b)は、(a)の基本 周期単位の領域内に含まれるワイヤグリッド偏光子の2次元的な配列構成を示す平面図である。 本実施形態の偏光撮像装置の図2(b)における切断面P−P’を矢印の向きに見た実施形態1の断面図である。 本実施形態の偏光撮像装置の図2(b)における切断面Q−Q’を矢印の向きに見た実施形態1の断面図である。 (a)は実施形態1の偏光撮像装置の光学フィルタにP偏光が入射した際の光の透過と反射状態を示す断面図であり、(b)は光学フィルタを透過するP偏光の光の波長分布を示す図である。 (a)は実施形態1の偏光撮像装置の光学フィルタにS偏光が入射した際の光の透過と反射状態を示す断面図であり、(b)は光学フィルタを透過するS偏光の光の波長分布を示す図である。 (a)は、実施形態2における偏光撮像装置図2(b)における切断面P−P’を矢印向きに見た断面図であり、(b)は、切断面Q−Q’を矢印向きに見た断面図である。 (a)は、実施形態2の変形例1における偏光撮像装置図2(b)におけ 切断面P−P’を矢印向きに見た断面図であり、(b)は、切断面Q−Q’を矢印向きに見た断面図である。 (a)および(b)は、実施形態3における偏光撮像装置の光学フィルタのカラーモザイク配列とワイヤグリッド偏光子のモザイク配列との関係を示す平面図であり、(c)は、(b)におけるP−P’線断面図である。 (a)および(b)、ならびに(c)および(d)は、それぞれ、実施形態4における光学フィルタのカラーモザイク配列とワイヤグリッド偏光子のモザイク配列との関係を示す平面図である。 (a)および(b)は、実施形態5における光学フィルタのカラーモザイク配列とワイヤグリッド偏光子のモザイク配列との関係の一例を示す平面図である。 (a)および(b)は、実施形態5における光学フィルタのカラーモザイク配列とワイヤグリッド偏光子のモザイク配列との関係の他の例を示す平面図である。 (a)および(b)は、実施形態5における光学フィルタのカラーモザイク配列とワイヤグリッド偏光子のモザイク配列との関係の更に他の例を示す平面図である。 (a)は、実施形態6の光学フィルタにおけるワイヤグリッド偏光子のモザイク配列の例を示す平面図であり、(b)は、(a)のP−P’線断面である。 (a)〜(d)は、実施形態2の偏光撮像装置の製造方法の例の一部を示す工程断面図である。 (a)〜(c)は、実施形態2の偏光撮像装置の製造方法の例の一部を示す工程断面図である。 (a)〜(d)は、実施形態2の偏光撮像装置の製造方法の例の一部を示す工程断面図である。 (a)および(b)は、本開示の偏光撮像装置と対物レンズ、マイクロレンズアレイを組みあわせた第1の応用例を示す図である。 (a)〜(c)は、本開示の偏光撮像装置と対物レンズ、マイクロレンズアレイを組みあわせた第2の応用例を示す図である。 本開示の第2の応用例における画像処理を示す図である。 (a)および(b)は、本開示の偏光撮像装置と対物レンズ、マイクロレンズアレイを組みあわせた第2の応用例を示す図である。 本開示の第2の応用例における画像処理を示す図である。 本発明の第7の実施形態に関する光学フィルタを示す図である。 本発明の第7の実施形態に関する光学フィルタの別の構成を示す図である。 本発明の第7の実施形態に関する光学フィルタの応用例を示す図である。 本発明におけるRCWA(厳密結合波解析)法によるシミュレーションにおいて設定された構造の断面図である。 RCWA(厳密結合波解析)法によるシミュレーションにおいて、L=122nm、H=120nm、D=0nmとして場合に得られたグラフである。 RCWA(厳密結合波解析)法によるシミュレーションにおいて、L=92nm、H=90nm、D=0nmとして場合に得られたグラフである。 RCWA(厳密結合波解析)法によるシミュレーションにおいて、L=67nm、H=59nm、D=0nmとして場合に得られたグラフである。
以下、図面を参照しながら本開示の実施形態を説明する。
(実施形態1)
図1は、本開示の第1の実施形態における偏光撮像装置の構成例を模式的示す斜視図である。図示されている偏光撮像装置は、撮像面10を規定する光電変換素子アレイ100と、撮像面10に対向するように配置された第1偏光撮像素子101〜第4偏光撮像素子104を備えている。
本実施形態における光電変換素子アレイ100、複数の光電変換素子20が行および列状に配列された構成を有している。光電変換素子20の典型例は半導体基板中に形成されたフォトダイオードである。個々の光電変換素子20は、受光量に応じた電気信号を生成する。通常、1個の光電変換素子20が1個の画素に割り当てられる。簡単のため、図1では、3×3=9個の光電変換素子20が記載されているが、実際には、より多くの光電変換素子20が配列されている。各光電変換素子20を区別する場合、第1光電変換素子20a、第2光電変換素子20b、第3光電変換素子20c、第4光電変換素子20d・・・と言う。第1偏光撮像素子101〜第4偏光撮像素子104は、それぞれ、第1光電変換素子20a〜第4光電変換素子20dに対応する。
図3Aに示されるように、第2偏光撮像素子102は、第1光学フィルタ200aおよび第2光学フィルタ200bを含む。第1光学フィルタ200aは、撮像面10に平行に配置された1枚の第1の金属層105と、第1の金属層105に対して平行に配置された1枚の第2の金属層106と、第1の金属層105と第2の金属層106との間において各金属層105、106から離間する位置に設けられたワイヤグリッド偏光子107とを有している。第2光学フィルタ200bは、第1光学フィルタ200aと同様である。第2光学フィルタ200bは、第1光学フィルタ200に隣接している。なお、第1の金属層105と第2の金属層106との間には誘電体層が配置されているが、簡単のため、図1では誘電体を記載していない。
このように、光学フィルタ200は、1枚の第1の金属層105、1枚の第2の金属層10、および誘電体層(図1では不図示)を含む積層構造から構成されるファブリペロー共振器を具備する。さらに、光学フィルタ200は、板状の1枚のワイヤグリッド偏光子107を具備する。
図3Aに示されるように、ファブリペロー共振器を構成する積層構造の積層方向に沿った断面において、第2の金属層10は、第1の金属層105に平行である。当該断面において、誘電体層108は、第1の金属層105および第2の金属層10の間に挟まれている。当該断面において、板状の1枚のワイヤグリッド偏光子107は、誘電体層108の内部に埋め込まれている。誘電体層108の内部に埋め込まれているワイヤグリッド偏光子107は、1つであることが望ましい。
板状の1枚のワイヤグリッド偏光子107は、3本以上の金属ワイヤ層117を具備している。図3Aでは、板状の1枚のワイヤグリッド偏光子107は、6本の金属ワイヤ層117を具備している。これらの金属ワイヤ層117は、互いに平行である。板状の1枚のワイヤグリッド偏光子107は、第1の金属層105に平行である。このように、各金属ワイヤ層117は第1の金属層105に平行である。
望ましくは、板状の1枚のワイヤグリッド偏光子107は、第1の金属層105と第2の金属層107との間の略中間に位置している。
金属ワイヤ層117に直交する第1の偏光面を有する光は板状のワイヤグリッド偏光子107を透過する。しかし、金属ワイヤ117に平行な第2の偏光面を有する光は板状のワイヤグリッド偏光子107によってブロックされる。望ましくは、隣接する2本の金属ワイヤ層117の間に形成される空間には、誘電体が充填されている。
図2に示されるように、偏光撮像装置の平面視において、第1光学フィルタ200aに含まれる金属ワイヤ層の長手方向Xは、第2光学フィルタ200bに含まれる金属ワイヤ層の長手方向Yとは異なっていてもよい。望ましくは、長手方向Yは長手方向Xと直交する。
図10に示されるように、偏光撮像素子は、第3光学フィルタ200cをさらに具備してもよい。第3光学フィルタ200cは、第1光学フィルタ200aと同一である。図10に示されるように、偏光撮像装置の平面視において、第3光学フィルタ200cは第1光学フィルタ200aまたは第2光学フィルタ200bに隣接している。平面視において、第3光学フィルタ200cに含まれる金属ワイヤ層の長手方向は、第1光学フィルタ200aに含まれる金属ワイヤ層の長手方向Xとも第2光学フィルタ200bに含まれる金属ワイヤ層の長手方向Yとも異なっている。
図1の例において、第2の金属層106は撮像面10から一様な距離だけ離れているが、第1の金属層105は、画素単位で、撮像面10からの距離が異なっている。このため、第1の金属層105と第2の金属層106との距離Lは、画素単位で異なり得る。第2の金属層106も、第1の金属層105のように、撮像面10からの距離が画素単位で異なっていてもよい。その場合、第1の金属層105の撮像面10からの距離は、画素に依存せず一様であってもよい。
光学フィルタ200に入射した光300は、第1の金属層105と第2の金属層106との間において多重反射を行う。その結果、光300のうち、特定の波長帯域の光成分が光学フィルタ200を透過することができる。また、本開示の実施形態では、光学フィルタ200の内部にワイヤグリッド偏光子107が設けられているため、ワイヤグリッド偏光子107の働きにより、特定の偏光光が光学フィルタ200を透過することができる。ワイヤグリッド偏光子107は、画素単位または複数の画素を含むより大きな単位で偏光特性が異なる複数の偏光子が配列された構成を有している。図1の例では、簡単のため、ワイヤグリッド偏光子107は、撮像面10からの距離が一様であるが、本開示におけるワイヤグリッド偏光子は、このような例に限定されない。ワイヤグリッド偏光子107の撮像面10からの距離は、画素単位または画素よりも大きな単位で複数の異なる値をとり得る。なお、ワイヤグリッド偏光子107は、典型的には金属の薄膜をフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によってパターニングすることにより形成され得る。
光学フィルタ200を透過する偏光光の波長帯域および偏光面の向きは、光学フィルタ200の位置に応じて画素単位で調整することができる。なお、図1の例では、光学フィルタ200のうち、全ての画素に対向する領域に、第1の金属層105、第2の金属層106、およびワイヤグリッド偏光子107が存在しているように記載されているが、特定の画素に対応する領域では、第1の金属層105、第2の金属層106、およびワイヤグリッド偏光子107の一部が設けられていなくてもよい。
なお、撮像面10における光電変換素子20の配列は、図1に示される例に限定されず、例えば行ごとに光電変換素子の中心位置が画素ピッチの半分だけシフトしていてもよい。
次に、図2(a)および図2(b)を参照する。図2(a)は、光学フィルタ200における2次元的なカラーモザイク配列の基本周期単位の例を示している。一方、図2(b)は、図2(a)の基本周期単位の領域内に含まれるワイヤグリッド偏光子の2次元的な配列構成を示している。現実の偏光撮像装置では、図2(a)および図2(b)に示される基本周期単位が撮像面に平行な面に沿って行および列方向に周期的に配列されている。
図2(a)に示されるカラーモザイク配列は、ベイヤー配列の構成を有しているが、本実施形態におけるカラーモザイク配列は他の構成を有していても良い。図示されているカラーモザイク配列の基本周期単位は、2行2列に配列された4個の色領域、すなわち、G領域101、R領域102、B領域103、およびG領域104から構成されている。G領域101はグリーンの波長帯域、R領域102はレッドの波長帯域、B領域10はブルーの波長帯域の光を選択的に透過する領域として規定される。
図2(b)には、ワイヤグリッド偏光子107のうち、4×4=16個のワイヤグリッド偏光子が示されている。16個のワイヤグリッド偏光子は、偏光透過面の方向に応じて2つの種類に分かれる。カラーモザイク配列の個々の色領域内に、2×2=4個のワイヤグリッド偏光子が設けられている。より詳細には、ワイヤの方向が横(X軸に対して0°の角度方向)のワイヤグリッド偏光子とワイヤの方向が縦(X軸に対して90°の角度方向)のワイヤグリッド偏光子が各色領域内において2行2列に配列されている。
図3Aは、本実施形態の偏光撮像装置の図2(b)における切断面P−P’を矢印の向きに見た断面図であり、図3Bは、本実施形態の偏光撮像装置の図2(b)における切断面Q−Q’を矢印の向きに見た断面図である。図3Aには、光学フィルタ200のG領域101およびR領域102の断面構成が示され、図3Bには、光学フィルタ200のB領域103およびG領域104の断面構成が示されている。
図示されている光学フィルタ200は、第1の金属層105、第2の金属層106、誘電体108、およびワイヤグリッド偏光アレイ107を備えている。第1の金属層105および第2の金属層106は、可視光を透過し得る厚さを有する金属薄膜から形成されている。一方、ワイヤグリッド偏光アレイ107は、導電性材料のパターニングされた薄膜から形成されており、画素単位または画素よりも広い単位で異なる方向に延びる複数の金属ワイヤから構成されている。
ワイヤグリッド偏光子107に含まれる個々のワイヤグリッド偏光子は、各々の導電性ワイヤの方向が図2(b)に示されるように直交するように交互に配列されているため、図3Aでは、2種の断面形状を有するように記載されている。誘電体108は、R,G,Bの各領域で同一の材料が用いられているが、その厚さが色領域単位で異なっている。すなわち、第1の金属層105と第2の金属層106との間の距離は、R,G,Bの各領域で異なる複数の値LR、LG、LBを有している。
誘電体108を介して対向する2枚の金属層105、10は、R,G,Bの各領域単位でファブリペロー干渉計型のカラーフィルタを形成し、対応するR,G,Bの波長帯域の光のみを選択的に透過する。また、後述するように、ワイヤグリッド偏光アレイ107の影響により、ワイヤ方向に対して垂直方向に振動する電場の光(TM波)のみが選択的に透過する。
第2の金属層106の下方には、固定撮像素子構造1100が設けられている。固定撮像素子構造1100は、配線層109およびフォトダイオード110を備えている。前述したように、各フォトダイオード110は、撮像面に平行な面内において行および列方向に規則正しく配列されている。各フォトダイオード110が1個の画素を形成し、入射光量に応じた電気信号を出力する。なお、距離LR、LG、LBは数10〜数100nmであり、固体撮像素子構造1100の厚さ(数百μm)に比べて十分に小さい。第1の金属層105および第2の金属層106は、光が透過できる厚さ、例えばAgを用いた場合、10〜40nmの厚さを有している。
本実施形態では、ワイヤグリッド偏光アレイ107に含まれる個々のワイヤグリッド偏光子に対して1個のフォトダイオード110が割り当てられている。言い換えると、図2(b)に示される4×4=16個のワイヤグリッド偏光子の各々に、1つのフォトダイオード110が割り当てられている。
図4(a)は、本開示の実施形態における偏光撮像装置において、P波、(TM波)すなわち図面の紙面に平行な電場振動を有する白色光Wが入射した場合の動作を示す図である。ここでは、図3AのR領域102の左部分の1画素の動作を示す。白色光Wの入射波は、上方から第1の金属層105を透過し、ワイヤグリッド偏光アレイ107に到達する。図4(a)に示されているワイヤグリッド偏光子のワイヤ方向は断面(紙面)に平行である。このため入射光であるP波の大部分がワイヤグリッド偏光アレイ107を透過し、第2の金属層106に到達して反射する。この反射光も同じくP波(TM波)であるからワイヤグリッド偏光アレイ107を大部分が透過して再び第1の金属層105に到達する。このような反射を繰り返すことにより、ファブリペロー干渉計の原理により、光路差が波長の整数倍となる共鳴波長λRのP偏光(TM波)の光のみが最終的に第2の金属層106を透過して下方に出力される。
以上の動作はP偏光の白色光をP偏光のままR(Red)光として透過するカラー偏光フィルタの動作と考えることができる。ファブリペロー干渉計の理論によれば、上記の共鳴波長λRは入射角をゼロとした単純な場合、誘電体の屈折率n、長さLR、次数mを用いて以下の式で表現できる。
Figure 0005866577

たとえば、誘電体がSiO2から形成され、屈折率n=1.45、長さLR=220nmであるとすると、m=1の1次共鳴波長は、638nmとなりRed光を透過するカラーフィルタとして機能する。この場合、m=2の2次共鳴波長は319nmとなり、紫外領域となるため、カラーフィルタとして使う場合には無視できる。図4(b)は、図4(a)の構成を有するカラーフィルタを透過する光の波長分布を模試的に示す図である。
なお、式1は金属層での吸収を無視した近似式である。実際には、金属層105、106をAg薄膜から形成し、誘電体108をSiO2から形成した用いた光学フィルタ200は、LR=160nmで実現され得る。
図5(a)は、本開示の実施形態における偏光撮像装置の断面図において、S波(TE波)すなわち紙面に垂直な電場振動を有する白色光Wが入射した場合の動作を示す図である。図4(a)と同様に図3AのR領域102の左部分の1画素の動作を示す。入射波は、上方から第1の金属層105を透過し、ワイヤグリッド偏光アレイ107に到達するが、図5(a)に示されているワイヤグリッド偏光子のワイヤ方向が断面(紙面)に垂直であるため、入射光であるS波は大部分がワイヤグリッド偏光子で反射され、第1の金属層105に到達して再度反射する。この反射光も同じくS波(TE波)であるから第1の金属層105とワイヤグリッド偏光子107との間で多重反射する。実際にはワイヤグリッド偏光アレイ107を透過する成分も存在するが、この透過光もS偏光(TE波)であるから、多重反射はワイヤグリッド偏光アレイ107と第2の金属層106の長さLR/2の距離の間でも発生する。その結果、本来のLRの約半分となる共鳴波長λ≒λR/2のS偏光の光のみが最終的に第2の金属層106を透過して下方に出力される。しかし、この波長は、図5(b)に示すように、次数m=2の場合(図3(b))と同様に紫外領域にあるため無視できる。そこで、S偏光(TE波)の白色光を入射した場合、可視光領域でS偏光を遮断するカラー偏光フィルタとして動作すると考えることができる。
次に、多重反射によってワイヤグリッド偏光子107を何度も光が透過すると、低い消光比を向上できる作用について簡単な例で説明する。
図4のP波入射の場合のワイヤグリッドの透過率をPt=0.95、反射率をPr=0.05とする。また図5のS波入射の場合のワイグリッドの透過率をSt=0.095、反射率をSr=0.905とする。この場合、消光比は以下のように10:1となり、高性能な偏光板と比較した場合かなり低いといわざるをえない。
Figure 0005866577

しかし、ファブリペロー干渉計型のカラーフィルタ内で光が多重反射すると、透過波長λRに該当する距離LRで多重反射する光量は、透過率をtとすると、
Figure 0005866577

と表現できる。その結果、最終的な透過光においてP光とS光の比率をとって消光比を調べると
Figure 0005866577

となる。このため、消光比は、10:1から101:1程度に向上し得る。
以上に説明した動作により、本実施形態の偏光撮像装置の構成では、任意の白色無偏光の光が入射した場合、カラー選択動作と同時に偏光選択動作が一体化して実現されるばかりでなく、偏光の消光比を向上できる。
(実施形態2)
次に、本開示の偏光撮像装置の第2の実施形態を説明する。
図6(a)および図6(b)は、本実施形態における偏光撮像装置の一部断面図である。図6(a)および図6(b)に示されるように、本実施形態が第1の実施形態と異なる点は、ワイヤグリッド偏光子401が異なる複数の色領域で同一レベルに存在する点にある。すわなち、ワイヤグリッド偏光子401と第2の金属層106との距離が等しい。ワイヤグリッド偏光子401が同一レベルにあるため、後述するように、製造プロセスが簡単になる。
図示されている例では、ワイヤグリッド偏光子401の高さをR画素のフィルタ長さの略1/2の位置であるLR/2に設定している。この長さに対応する波長は約400nm以下の紫外領域となるため、G領域101、104とB領域103において不均一に分割された長さL1G、L1Bはいずれも以下の式5に示す条件を満たす。このため、G領域101,104、B領域103においても不要な共鳴波長は全て紫外域に存在する。その結果、RGBカラーフィルタとしての機能が果たされ、色分解を正常に実現できる。また、ワイヤグリッド偏光子401の消光比の向上の効果についても第1の実施形態と同様に得られる。
Figure 0005866577

(実施形態2の変形例1)
図7(a)および図7(b)は、第2の実施形態の変形例1における偏光撮像装置の断面図である。この変形例においても、第1の実施形態と同じくカラー画像と偏光画像を同時に取得可能である。図7(a)および図7(b)に示されるように、この変形例が第2の実施形態と異なる点は、ワイヤグリッド偏光子501が誘電体108中の間隙層502に形成されている点にある。間隙層502には空気が充満している場合、ワイヤグリッド偏光子501の導電性ワイヤと空気とが接触することにより、ワイヤグリッド偏光子501の消光比性能がさらに向上し得る。
(実施形態3)
次に、本開示の偏光撮像装置の第3の実施形態を説明する。
図8(a)および図8(b)は、本実施形態における偏光撮像装置の一部平面図であり、図8(c)は図8(b)のP−P’線断面図である。図8(a)は、光学フィルタ200における2次元的なカラーモザイク配列の基本周期単位の例を示している。一方、図8(b)は、図8(a)の基本周期単位の領域内に含まれるワイヤグリッド偏光子の2次元的な配列構成を示している。現実の偏光撮像装置では、図8(a)および図8(b)に示される基本周期単位が撮像面に平行な面に沿って行および列方向に周期的に配列されている。本実施形態では、カラー画像とG領域101、104における偏光画像とを同時に取得可能である。本実施形態の構成は、偏光画像を特定の波長領域だけから取得する場合に有効である。
図8(a)に示されるように、本実施形態でも、カラーモザイク配列の基本周期単位はG領域101とR領域102、およびB領域103とG領域104から構成されている。しかし、図8(b)に示すように、領域101、102、103、104のうち、ワイヤグリッド偏光子はG領域101、104のみに設けられており、他の色領域、すなわちR領域102およびB領域103には、ワイヤグリッド偏光子は設けられていない。より詳細には、G領域101、104の各々には、ワイヤ方向が横(0°)のワイヤグリッド偏光子とワイヤ方向が縦(90°)のワイヤグリッド偏光子が2行2列に交互に配列されている。
図8(c)には、光学フィルタ200のG領域101とR領域102が記載されている。この図から明らかなように、R領域102にはワイヤグリッド偏光子は存在しない。R領域は、ワイヤグリッド偏光子を具備していない第4偏光光学素子に対応する。このような構成を採用することにより、カラー画像の明るさを維持しつつ偏光情報を取得することが可能となる。なお、この実施形態では、G領域のみにワイヤグリッド偏光子を配置し、R,B領域には配置していないが、いずれの色領域にワイヤグリッド偏光子を配置するかは任意である。たとえば、R領域のみにワイヤグリッド偏光子を配置し、G,B領域には配置しなくてもよいし、あるいは、B,G領域のみにワイヤグリッド偏光子を配置し、R領域には配置しないでもよい。第2偏光光学素子および第3偏光光学素子が設けられない場合、形式上、第4偏光光学素子は、第2偏光光学素子という場合がある。
(実施形態4)
図9(a)から(d)は、本実施形態の偏光撮像装置における光学フィルタの平面構成の2つの例を示す図である。本実施形態では、ベイヤーカラーモザイク構成とワイヤグリッド偏光子モザイク構成との対応が、前述の実施形態におけるものと異なる。前述の実施形態では、複数のワイヤグリッド偏光子のモザイク、具体的には2種から形成された2×2構成のモザイクがカラーモザイクの同一色領域に対応していた。しかし、図9(a)および図9(b)の例では、1種のワイヤグリッド偏光子のモザイク画素が1種のカラーモザイクのカラー画素に対応する。言い換えると、各ワイヤグリッド偏光子は、複数のカラーフィルタ領域のうちの1つのカラーフィルタ領域に対応するように配置されている。また、図9(c)および図9(d)の例では、複数のカラーモザイク領域、具体的には2×2画素から形成された3色のカラー領域が、1種のワイヤグリッド偏光子のモザイク画素に対応する。言い換えると、各ワイヤグリッド偏光子は、複数のカラーフィルタ領域に対応するように配置されている。これらはいずれもカラー解像度を高めることを目的としており、撮像画像が非偏光シーンの場合には高解像度のカラー撮像ができるという利点を有する。
(実施形態5)
図10(a)および図10(b)、図11(a)および図11(b)、ならびに図12(a)および図12(b)は、本実施形態の偏光撮像装置における光学フィルタの平面構成の他の例を示す図である。前述の実施形態では、いずれも、ワイヤグリッド偏光子の配列方向はX軸に対して0°方向とX軸に対して90°方向の2種類のみであった。これは、撮像シーンの偏光の偏りが0°または90°であることを前提としている。これは、偏光撮影を実施する内視鏡のように撮影時にかならず、0°または90°の偏光透過面を有する偏光照明が使われる場合や車載カメラのように雨の路面から反射光がほぼ水平の0°に固定されるようなケースで使われることを想定しているためである。
これに対して本実施形態では、ワイヤグリッド偏光子の方向がX軸に対して0°、45°、90°、135°の4種類である。図10(a)および図10(b)の例では、種類のワイヤグリッド偏光子から形成された2×2画素構成のモザイクが、カラーモザイクの1個の色領域に対応している。図11(a)および図11(b)の例では、1個のワイヤグリッド偏光子がカラーモザイクの1個の色領域に対応している。図12(a)および図12(b)の例では、2×2画素から形成された3色の色領域が、各ワイヤグリッド偏光子に対応している。
本実施形態では、ワイヤグリッド偏光子のワイヤ方向を異なる4個に設定することにより、非偏光(ランダム偏光)光源の下で撮像されたシーンにおいても、偏光の主軸方向と偏光度を正確に推定することができるという利点を有する。
(実施形態6)
図13(a)は、本実施形態における偏光撮像装置の上面図であり、図13(b)は、その断面図である。本実施形態では、広帯域な分光透過率を有するモノクロ画像と、X軸に対する0°の方向と90°の方向の偏光画像を同時に取得可能な撮像素子を提供する。このため、これまでの実施形態とは異なり、各々がファブリペロー干渉計型カラーフィルタとして機能する3層の光学フィルタ200a、200b、200cを積層した構成を有しており、カラーモザイク構造を備えていない。光学フィルタ200a、200b、200cの各々は、前述した光学フィルタ200の基本構成を備えている。ただし、光学フィルタ200aにおける第1の金属層105aは、光学フィルタ200bにおける第2の金属層106bを兼ねている。また、光学フィルタ200bにおける第1の金属層105bは、光学フィルタ200cの第2の金属層106cを兼ねている。光学フィルタ200a、200b、200cは、それぞれ、ワイヤグリッド偏光子107a、107b、107cを内部に含んでいる。ワイヤグリッド偏光子107a、107b、107cの各偏光子におけるワイヤ方向は、積層された縦方向で共通している。
各光学フィルタ200a、200b、200cにおけるファブリペロー干渉計型カラーフィルタの透過波長帯域は、それぞれの第1の金属層と第2の金属層との距離によって異なり得る。縦方向に積層された光学フィルタ200a、200b、200cの各々の透過波長帯域は、異なっていても良いし、同一であっても良い。
本実施形態では、モノクロ画像取得のまま、ワイヤグリッド偏光子の消光比を向上できる。
なお、本開示の上記実施形態では、第1の金属層と第2の金属層との間の略中間に位置している偏光子としてワイヤグリッド偏光子のアレイを用いている。前述のようにワイヤグリッド偏光子の場合、微細化によって消光比が低下する課題を解決できるが、この偏光子を、ワイヤグリッド以外の原理による偏光子に置き換えても、本開示は同様に成立する。従って、本開示の偏光子アレイは、たとえば、ポリマー(高分子)系の偏光制御素子、複屈折を用いた偏光素子、波長板を用いた偏光素子、フォトニック結晶を用いた偏光素子などから構成されていても良い。また、これらの偏光制御素子とワイヤグリッド偏光子とが、第1の金属層と第2の金属層との間の略中間に共存して位置しても構わない。
(カラー偏光撮像装置の製造方法)
以下、図14〜図16を参照しながら、本実施形態における偏光撮像装置の製造方法の一例を説明する。ここでは、実施形態2における偏光撮像装置を製造するが、他の実施形態についても同様の方法で製造し得る。
まず、図14(a)に示される固体撮像素子構造1100を用意する。この固体撮像素子構造1100は、Siから形成された基板1000と、基板1000中に設けられたフォトダイオード1001と、基板1000上に層間膜を介して形成された配線層1002と、配線層1002を覆う光透過性の平坦化層1003とを含んでいる。なお、固体撮像素子構造1100の具体的構成は、この例に限定されず、任意である。
次に、図14(b)に示すように、平坦化層1003上に例えばAl(アルミニウム)又はAg(銀)から形成されたメタル層1004が形成される。メタル層1004は、例えばスパッタ法のような薄膜堆積技術により形成され、メタル層1004の厚さは、例えば10〜40nmの範囲に設定され得る。メタル層1004は、第2の金属層として機能する。
次に、図14(c)に示すように、メタル層1004上に第1誘電体層1005が形成される。第1誘電体層1005は、プラズマCVD法のような薄膜堆積技術により形成され、典型的にはTiO2、ITO、SiN、AlN、HfO2、またはSiO2から形成され得るが、ここでは、TiO2またはSiO2を用いるものとして説明する。
次に、図14(d)に示すように、誘電体1005の上にAlから形成されたメタル層1006が形成される。メタル層1006は、例えばスパッタ法のような薄膜堆積技術により形成され、メタル層1006の厚さは、例えばAg薄膜を用いた場合、10〜150nmの範囲に設定され得る。メタル層1006は、最終的にはワイヤグリッド偏光子として機能する。
次に、図15(a)に示すように、メタル層1006の上にフォトリソグラフィによりワイヤグリッド偏光子の逆位相形状のレジストパターン1007が形成される。レジストパターン1007をマスクとしてドライエッチングを行うことにより、図15(b)に示すように、ワイヤグリッド偏光子1008が形成される。なお、図15(a)〜(b)の工程では、フォトレジストをマスクとしてエッチングする代わりに、エッチングマスクとして誘電体膜などのハードマスクを用いてもよい。この後、図15(c)に示すように、ワイヤグリッド偏光子の間隙部にTi02層またはSi02層1009が形成される。
次に、図16(a)に示すように、メタル層1006上に第2誘電体層1010が形成される。第2誘電体層1010は、プラズマCVD法のような薄膜堆積技術により形成され、典型的にはTi02またはSiO2から形成され得る。第2誘電体層1010の厚さは、SiO2の場合、例えば10〜200nmの範囲に設定され得る。その後、最上面がCMP(Chemical Mechanical Polishing)法により平坦化される。
こうして形成された第1誘電体層1005、メタル層1006、第2誘電体層1010の合計厚さは、レッドの色領域における第1の金属層と第2の金属層との距離LRを規定する。レッドの色領域以外の色領域では、第1の金属層と第2の金属層との距離は、LRよりも小さな値(LG、LB)に設定される。このため、本実施形態では、レッドの色領域以外の色領域で第2誘電体層1010をエッチングする工程を行う。具体的には、図16(b)に示すように、平坦化されたTi02層またはSiO2層1010上にフォトリソグラフィによりレジストパターン1011が形成される。レジストパターン1011は、例えばレッドの色領域を覆う平面レイアウトを有している。この後、図16(c)に示すように、レジストパターン1011をマスクとしてドライエッチングを行うことにより、レジストパターン1011で覆われていない領域の第2誘電体層1010の厚さを低減する。この後、図示されていない他のレジストパターンを形成して同様のエッチングを行うことにより、第2誘電体層1010の厚さを3段階に調整することが可能になる。次に、図16(d)に示すように、階段型になった第2誘電体層1010の上にメタル層1013を堆積する。メタル層1013は、例えばAg(銀)であり、スパッタ法のような薄膜堆積技術により形成され、メタル層1013の厚さは、例えば10〜40nmの範囲に設定され得る。メタル層1013は、第1の金属層として機能する。
以上の工程により、図6に示される構造を有するカラー偏光撮像装置が形成される。
なお、本実施形態における光学フィルタでは、最上表面に第1の金属層105が形成されているため、第1の金属層105で入射光が反射されると、撮像素子表面からの反射光がレンズ等との間で多重反射を発生しフレア光となるという可能性がある。これを防止するため、最上表面にさらに誘電体による反射防止膜を形成してもよい。これは金属と水分を含んだ空気との接触による腐食などの化学反応を防止する点においても有効である。
(応用例1)
図17(a)は、本開示の偏光撮像装置に対物レンズおよびマイクロレンズアレイを組みあわせた立体偏光撮像装置の第1の応用例を示す図である。
この立体撮像装置は、対物レンズ1101、マイクロレンズアレイ1102、および本開示の偏光撮像装置1103を備える。特許文献2に開示されている立体偏光撮像装置では、偏光撮像装置を用いて対物レンズの左右に設置した異なる偏光フィルタを透過する光を分割するため、被写体自身の偏光情報が取得できなくなってしまう。しかし、本開示の実施形態による立体撮像装置は、マイクロレンズを用いた立体視の機能と偏光撮像の機能とを両立して実現できる。
この応用例によれば、図17(b)に示すように、対物レンズ1101内の4つの領域Z1〜Z4を透過する光線は、本来、撮像面上で混合してしまうが、マイクロレンズアレイ1102の個々のマイクロレンズの作用によって分離して結像することができる。図18(a)は、個々のマイクロレンズで分離された4本の光線が、本開示の実施形態における偏光撮像装置の撮像面上におけるどの位置に結像するかを模式的に示している。対物レンズ1101の異なる領域Z1〜Z4を通過した4本の光線は、マイクロレンズによって、分離され、それぞれ、撮像面内の領域Z1’〜Z4’に到達する。
図18(b)および図18(c)は、2次元平面内でこの領域の光学フィルタ構造を説明している。まず、図18(b)は実施形態1におけるカラーモザイクとワイヤグリッド偏光子モザイクの対応関係を使う場合を示し、個々の光線は、4×4画素から形成された構造に対応する。他方、図18(c)は、実施形態4について説明したカラーモザイクとワイヤグリッド偏光子モザイクの対応関係を使う場合を示している。いずれも各フォトダイオードの出力が、カラー画像情報および偏光情報の1単位に相当するため、対物レンズ1101上の領域Z1〜Z4に応じた異なる視差位置についてカラー偏光情報を取得できる。
図19は、上記の応用例1で取得された画像から、立体表示に使う視差画像を抽出する処理を説明する図である。偏光撮像装置1103上には巨視的に見た場合、被写体の像が1個生成されるので、図18を参照しながら説明した画素情報の分割・再構成を実施することにより、対物レンズ1101の領域Z1〜Z4に対応する4個の偏光カラー画像が分離して抽出される。この分離抽出された画像は、図19ではカラーモザイク画像として表現されているが、実際は、図18(b)および図18(c)に示されるカラーおよび偏光の複合モザイク画像である。すなわち、偏光情報を含むカラー偏光画像が取得できる。こうして、本応用例によれば、カラーおよび偏光の情報を有する画像を複数視点から得られるため、カラー偏光画像の立体画像を取得ができる。
この立体偏光撮像装置は、応用例1と同様に、マイクロレンズアレイ1102を用いた立体視の機能と偏光撮像の機能とを実現できる。応用例1との違いは、マイクロレンズアレイ1102に含まれる多数のマイクロレンズ1401が複眼として機能する点にある。すなわち、応用例2によれば、マイクロレンズ1401に対応する各個眼領域1402に視差情報を含んだ被写体の複数像がマイクロレンズの個数分だけ結像される。被写体の複数像はそれ自体でカラーと偏光情報を含んでいるため、カラーと偏光情報を有する立体画像を生成することができる。
図20(a)の例では、マイクロレンズアレイ1102のみを用いた複眼視が実現され、図20(b)の例では、特許文献5に開示されているように、対物レンズ1403を用いて一旦被写体像が焦点位置1404にて像を生成し、それが再度マイクロレンズアレイ1401によって結像される。
図21は、応用例2で取得された画像から、立体表示に使う視差画像を抽出する処理を説明する図である。偏光撮像装置1103上には巨視的に見た場合、被写体の像がマイクロレンズアレイのレンズ数個分だけ生成される(ここでは6個の像Z1〜Z6)。画像の分割を実施することにより、Z1〜Z6に対応する複数の偏光カラー画像が分離して抽出される。この分離抽出された画像は、図21ではカラーモザイク画像として表現されているが、実際は、図18(b)および図18(c)に示されるカラーおよび偏光の複合モザイク画像である。すなわち、偏光情報を含むカラー偏光画像が所得できる。こうして、本応用例によれば、カラーおよび偏光の情報を有する画像を複数視点から得られるため、カラー偏光画像の立体画像を取得できる。
図22は、本開示の実施形態7における光学フィルタの上面図(a)(b)および断面図(c)(d)である。これらは構造的には図1の偏光撮像装置において撮像素子部分を除去したものと同等で、任意波長の光と偏光とを同時に制御可能な光学フィルタを提供するものである。図22(a)は光学フィルタのモザイク構成を、図22(b)は対応するワイヤグリッドのモザイク構成を示す。個々の波長透過領域は、波長λ2を透過する領域2201と波長λ3を透過する領域2202、および波長λ1を透過する領域2203と波長λ2を透過する領域2204からなる。λ1、λ2、λ3は、互いに重なりのない任意の波長帯域を示しこれらはたとえば、B,G,Rであってもよく、もっと狭帯域の波長帯域であってもよい。また波長範囲として可視域外の紫外領域、赤外領域であってもよい。これらの各波長透過領域は、2x2画素からなり、図22(b)に示すように、各波長フィルタには横(0°)と縦(90°)に配列された2種類の2×2のワイヤグリッド構造が対応する。断面図(c)は、図22(b)の切断面P−P‘を矢印向きに見たものであり、波長フィルタのλ2透過領域2201とλ3透過領域2202が描かれている。断面構造は、各カラー波長領域とも、上面金属薄膜105および下面金属薄膜106およびその間に設置される誘電体層108および方向性を有する金属ワイヤグリッド107とからなる。ワイヤグリッドは、図22(b)で0°と90°方向に交互に配列されるため、図22(c)では、2種の断面形状として描かれている。誘電体層108は、各波長領域で同一の材料が用いられるが、金属薄膜の間距離L1、L2、L3が異なるため、各々の金属薄膜間の領域がファブリペロー干渉計型のカラーフィルタを形成し、対応するλ1,λ2,λ3の波長の光のみを選択的に透過する。後述するように同時に、ワイヤグリッド107の影響で、各波長毎に、ワイヤグリッドの垂直方向に振動する電場の光(TM波)のみが選択的に透過する。光学フィルタの高さL1、L2、L3は非常に薄く、数10〜数100nmとなっている。
この光学フィルタに、P波、(TM波)すなわち紙面に平行な電場振動を有する白色光Wが入射した場合の動作、S波(TE波)すなわち紙面に平行な電場振動を有する白色光Wが入射した場合の動作については既に実施形態1で説明したとおりであり、λ1、λ2、λ3という波長選択と0°と90°の2種類の偏光を組み合せた光学フィルタとして動作し、具体的には、入射側を白色の非偏光とした場合、波長λ1およびλ3では横(0°)、波長λ2では縦(90°)という透過光が得られる。
図23は、実施形態7における光学フィルタの別の平面構成として2301から2303で示す3種を示している。本来はより大規模なモザイク構造を有するが、この図23では便宜上4x4のモザイク領域のみを示している。2301では、図23(a)で示される波長透過モザイク構成が、波長種類としてλ1〜λ6の6種類となる。また図23(b)で示される0°と90°の2種類のワイヤグリッドモザイク構成は、図23(a)におけるλ2、λ4、λ6の3種の波長帯域に対して同じ0°が、λ1、λ3、λ5の3種の波長帯域に対して同じ90°が対応する。この構成で、たとえば、λ1とλ2が隣接するB領域の波長、λ3とλ4が隣接するG領域の波長、λ5とλ6が隣接するR領域の波長とする。すると、λ1、λ3、λ5で構成される白色1とλ2、λ4、λ6で構成される白色2とをそれぞれこの光学フィルタに入射した場合、白色1が入射すると0°の直線偏光が、白色2では90°の直線偏光が出射するという特有な機能を発現する。
図24は、この機能を内視鏡などのライトガイドを用いる照明に応用する例を描いており、光源2401、カラーホイール2402、ライトガイド2403、本発明の光学フィルタ2404から構成される。
図24(a)では、上記説明のとおり白色1(W1)が回転するカラーホイールから射出されてライトガイドに入射して伝播する。そして先端部の光学フィルタにて0°の直線偏光が照射される。図24(b)ではカラーホイールが回転して今度は白色2(W2)がカラーホールからら射出されてライトガイドに入射して伝播する。そして先端部の光学フィルタにて90°の直線偏光が照射される。上記の状況はカラーホイールの回転により順次行われるので、ライトガイドの先端からは白色の直線偏光の軸が交互に0°、90°に回転しながら照射される。
2302では、図23(c)で示される波長透過モザイク構成が、波長種類としてλ1、λ2、λ3の3種類となる。また図23(d)で示されるワイヤグリッドモザイク構成は、0°と90°の他に、図8で示す第3の実施形態と同様なワイヤグリッドを有しない領域にて構成されている。そして、波長帯域λ1においては90°、波長帯域λ2においては0°の偏光を透過するが、波長帯域λ3においては偏光動作を何もせず光を透過する、という特有な機能を発現する。この動作は特許文献8で開示されている偏光観察装置における波長選択型偏光素子の動作であり、本発明の光学フィルタがここに応用できる。
2303では、図23(e)で示される波長透過モザイク構成が、波長種類としてλ1〜λ5の5種類となる。また図23(f)で示されるワイヤグリッドモザイク構成は、0°、45°、90°、135°の4方向の偏光透過軸の他に、図8で示す第3の実施形態と同様なワイヤグリッドを有しない領域にて構成されている。
図23(e)におけるλ1、λ2、λ3、λ4の4種の波長帯域に対してぞれぞれ0°、45°、90°、135°の4方向の偏光透過軸に対応するので、本光学フィルタに波長帯域λ1、λ2、λ3、λ4が順次入射した場合、それぞれの波長帯域にて直線偏光が45°づつ回転して出射し、波長帯域λ5の光が入射した場合には、偏光動作を何もせず透過するという特異な機能を発揮する。
(数値シミュレーション)
本発明の基本的な形状として、図25で示す構造をとりあげ、RCWA(厳密結合波解析)法によるシミュレーションを実施した例を示す。図25では、上下の反射板に相当する金属(メタル)層、中間のワイヤグリッド層とも材質はAg(銀)を用い、その間の誘電体層はSiO2を用いている。構造パラメータは、固定値としてAgの反射板の厚さ=25nm、ワイヤグリッドの周期構造のライン&スペースを、それぞれ50nm、50nmとした。その上で、金属板の間隔L、ワイヤグリッドの厚さH、ワイヤグリッド中心の金属板間隔中心からのずれ量Dを可変とした。また上記フィルタ構造はSiO基板上形成されているものとして、光は下方より入射する。
本シミュレーションにおける数値は、本発明の単純な理論説明における数値とはかなり異なっているが、これは金属反射板の間にさらに金属を挿入したための複雑な相互作用によるものである。
図26は、L=122nm、H=120nm、D=0nmとして場合に得られた結果であり、図において2601がTM透過率、2602がTM反射率率、2603がTE透過率、2604がTE反射率率、をそれぞれ示す。図から明らかなように、透過中心波長=670nm(Red領域)で、TM透過率=約30%を示し、この波長において消光比=約2981:1を得た。
図27はL=92nm、H=90nm、D=0nmとして場合に得られた結果であり、図において2701がTM透過率、2702がTM反射率、2703がTE透過率、2704がTE反射率、をそれぞれ示す。図から明らかなように透過中心波長=570nm(Green領域)で、TM透過率=約30%を示し、この波長において消光比=約385:1を得た。
図28はL=67nm、H=59nm、D=0nmとして場合に得られた結果であり、図において2801がTM透過率、2802がTM反射率、2803がTE透過率、2804がTE反射率、をそれぞれ示す。図から明らかなように透過中心波長=465nm(Blue領域)で、TM透過率=約28%を示し、この波長において消光比=約25:1を得た。
なお、透過中心波長=570nmのGreen領域における本発明者らの実験によれば、Agを用いたファブリペロー型カラーフィルタ層とAgを用いたワイヤグリッド層を従来の光学フィルタと同様に単純に重ねて使用した場合、カラーフィルタとワイヤグリッド層の重ね順序に無関係に、消光比が12:1程度に低下した。これは本発明の金属ワイヤグリッド層を2の金属板の間に挟む構造の有効性が確認されたものと判断できる。


またシミュレーションでは可視光帯域のR,G,Bの透過波長を同時に使用するためAgを用いたが、金属としてAu(金)、Cu(銅)、Al(アルミニウム)、W(タングステン)、Ti(チタン)なども使用可能であり、これらの材質は主として使用する波長帯に応じて使い分ければよい。
本開示の偏光撮像装置の実施形態によれば、高い性能を実現する小型のカラー偏光撮像装置や偏光照明装置を実現できる。このため、医療検査用の軟性内視鏡、手術用の硬性内視鏡、肌観察用カメラ、工業用内視鏡、魚や畜産関連の食品、生物センシング用カメラ、バイオメトリクスや指紋撮像装置、さらに車載用カメラにおける雨天時の路面表面検査、障害物検察、車両認識、監視用カメラなどの画像処理分野に広く適用可能である。特に、従来消光比が低いため不可能であった粘膜、ガラス、路面など滑らかな表面からの直接反射光(ハレーション)を除去したカラー画像の生成向けに広く利用可能である。また、マイクロレンズ光学系と組み合わせることにより、視差画像をも生成でき、カラー偏光情報の取得と独立に立体視を実現できる。このため従来のように被写体の偏光情報を犠牲にして立体視を実現するような問題が無くなる。
なお本開示の光学フィルタは、波長選択的に偏光状態を変化させることができるため、上記の産業分野において、偏光照明用のフィルタとしても利用でき、従来偏光フィルタと波長フィルタを別々に作成して張り合わせ工程が不要となるのみならず精度も向上できる。
10 撮像面
20 光電変換素子
100 光電変換素子アレイ
101 G領域
102 R領域
103 B領域
104 G領域
105 第1の金属層
106 第2の金属層
107 ワイヤグリッド偏光子
108 誘電体
109 配線層
110 フォトダイオード
200 光学フィルタ
300 光

Claims (16)

  1. 光学フィルタであって、
    1枚の第1の金属層、1枚の第2の金属層、および誘電体層を含む積層構造を具備するファブリペロー共振器、および
    板状の1枚のワイヤグリッド偏光子を具備し、
    前記第2の金属層は、前記第1の金属層に平行であり、
    前記誘電体層は、前記第1の金属層および前記第2の金属層の間に挟まれており、
    前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子は、前記誘電体層の内部に埋め込まれており、
    前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子は、3本以上の金属ワイヤ層を具備し、
    前記金属ワイヤ層は、互いに平行であり、
    前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子は、前記第1の金属層と平行である。
  2. 前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子は、前記第1の金属層と前記第2の金属層との間の略中間に位置している、請求項1に記載の光学フィルタ。
  3. 前記金属ワイヤ層に直交する第1の偏光面を有する光は前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子を透過するが、前記金属ワイヤ層に平行な第2の偏光面を有する光は前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子によってブロックされる、請求項1に記載の光学フィルタ。
  4. 隣接する2本の金属ワイヤ層の間に形成される空間には前記誘電体層が充填されている、請求項1に記載の光学フィルタ。
  5. 前記各金属ワイヤ層は前記第1の金属層に平行である、請求項1に記載の光学フィルタ。
  6. 撮像面を有する光電変換素子と、
    前記撮像面に対向するように配置された第1光学フィルタとを具備し、
    前記第1光学フィルタは、請求項1に記載の光学フィルタである、偏光撮像素子。
  7. 前記撮像面に対向するように配置された第2光学フィルタを具備し、
    前記第2光学フィルタは、請求項1に記載の光学フィルタであり、
    前記第1光学フィルタは前記第2光学フィルタに隣接している、請求項6に記載の偏光撮像素子。
  8. 平面視において、前記第1光学フィルタに含まれる金属ワイヤ層の長手方向は、前記第2光学フィルタに含まれる金属ワイヤ層の長手方向とは異なる、請求項7に記載の偏光撮像素子。
  9. 前記撮像面に対向するように配置された第3光学フィルタをさらに具備し、
    前記第3光学フィルタは、請求項1に記載の光学フィルタであり、
    記第3光学フィルタは前記第1光学フィルタまたは前記第2光学フィルタに隣接しており、
    前記平面視において、前記第3光学フィルタに含まれる金属ワイヤ層の長手方向は、前記第1光学フィルタに含まれる金属ワイヤ層の長手方向とは異なり、
    前記平面視において、前記第3光学フィルタに含まれる金属ワイヤ層の長手方向は、前記第2光学フィルタに含まれる金属ワイヤ層の長手方向とは異なる、請求項7に記載の偏光撮像素子。
  10. 偏光撮像装置であって、
    複数の偏光撮像素子
    を具備し、
    前記各複数の偏光撮像素子は、請求項6に記載の偏光撮像素子である、偏光撮像装置。
  11. 複数の偏光撮像素子は、第1偏光撮像素子、第2偏光撮像素子、および第3偏光撮像素子を含み、
    前記第1偏光撮像素子、前記第2偏光撮像素子、および前記第3偏光撮像素子を、それぞれ、赤色、緑色、および青色の光の情報を取得するように、前記第1、第2、および第3偏光撮像素子に含まれる誘電体層は異なる厚みを有しており、
    前記第1偏光撮像素子、前記第2偏光撮像素子、および前記第3偏光撮像素子は、それぞれ、R画素、G画素、およびB画素を規定している、請求項10に記載の偏光撮像装置。
  12. 前記第1偏光撮像素子に含まれる前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子および前記第1偏光撮像素子に含まれる第2の金属層の間隔は、前記第2偏光撮像素子に含まれる前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子および前記第2偏光撮像素子に含まれる第2の金属層の間隔とは異なり、
    前記第2偏光撮像素子に含まれる前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子および前記第2偏光撮像素子に含まれる第2の金属層の間隔は、前記第3偏光撮像素子に含まれる前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子および前記第3偏光撮像素子に含まれる第2の金属層の間隔とは異なり、
    前記第3偏光撮像素子に含まれる前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子および前記第3偏光撮像素子に含まれる第2の金属層の間隔は、前記第1偏光撮像素子に含まれる前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子および前記第1偏光撮像素子に含まれる第2の金属層の間隔とは異なる、請求項11に記載の偏光撮像装置。
  13. 前記第1偏光撮像素子に含まれる前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子および前記第1の光学フィルタに含まれる第2の金属層の間隔は、前記第2偏光撮像素子に含まれる前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子および前記第2の光学フィルタに含まれる第2の金属層の間隔と同一であり、
    前記第2偏光撮像素子に含まれる前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子および前記第2の光学フィルタに含まれる第2の金属層の間隔は、前記第3偏光撮像素子に含まれる前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子および前記第3偏光撮像素子に含まれる第2の金属層の間隔と同一である、請求項11に記載の偏光撮像装置。
  14. 前記撮像面に対向するように配置された第4偏光光学素子をさらに具備し、
    前記第4偏光光学素子は、1枚の第1の金属層、1枚の第2の金属層、および誘電体層を含む積層構造から構成されるファブリペロー共振器を具備し、
    前記第4偏光光学素子は、ワイヤグリッド偏光子を具備していない、請求項10に記載の偏光撮像装置。
  15. 前記誘電体層は間隙層を有しており、
    前記間隙層には空気が充満しており、
    前記板状の1枚のワイヤグリッド偏光子は、前記空気と接触している、請求項1に記載の光学フィルタ。
  16. 請求項10に記載の偏光撮像装置、および
    前記偏光撮像装置に組み合わせられたマイクロレンズアレイ、
    を備える立体偏光撮像装置。
JP2015514686A 2013-07-29 2014-07-14 光学フィルタおよびそれを用いた偏光撮像装置 Expired - Fee Related JP5866577B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015514686A JP5866577B2 (ja) 2013-07-29 2014-07-14 光学フィルタおよびそれを用いた偏光撮像装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013156981 2013-07-29
JP2013156981 2013-07-29
PCT/JP2014/003707 WO2015015722A1 (ja) 2013-07-29 2014-07-14 光学フィルタおよびそれを用いた偏光撮像装置
JP2015514686A JP5866577B2 (ja) 2013-07-29 2014-07-14 光学フィルタおよびそれを用いた偏光撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5866577B2 true JP5866577B2 (ja) 2016-02-17
JPWO2015015722A1 JPWO2015015722A1 (ja) 2017-03-02

Family

ID=52431285

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015514686A Expired - Fee Related JP5866577B2 (ja) 2013-07-29 2014-07-14 光学フィルタおよびそれを用いた偏光撮像装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9601532B2 (ja)
JP (1) JP5866577B2 (ja)
WO (1) WO2015015722A1 (ja)

Families Citing this family (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015094872A (ja) * 2013-11-13 2015-05-18 キヤノン株式会社 偏光素子、光学装置、光源装置、および、撮像装置
FR3014243B1 (fr) * 2013-12-04 2017-05-26 St Microelectronics Sa Procede de realisation d'un dispositif imageur integre a illumination face avant comportant au moins un filtre optique metallique, et dispositif correspondant
JP2015144194A (ja) * 2014-01-31 2015-08-06 ソニー株式会社 固体撮像素子および電子機器
JP6391316B2 (ja) * 2014-06-25 2018-09-19 キヤノン株式会社 撮像装置
US11490037B2 (en) 2014-10-29 2022-11-01 Palo Alto Research Center Incorporated Liquid crystal fourier transform imaging spectrometer
US10760967B2 (en) 2014-10-29 2020-09-01 Palo Alto Research Center Incorporated Liquid crystal fourier transform imaging spectrometer
US10469771B2 (en) * 2014-10-29 2019-11-05 Palo Alto Research Center Incorporated Liquid crystal fourier transform imaging spectrometer
US9513162B2 (en) * 2015-03-16 2016-12-06 Raytheon Company Tunable multi-band spectro-polarimeter
FR3036849B1 (fr) * 2015-05-28 2018-07-13 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de realisation d'un filtre infrarouge associe a un capteur d'image
JP2017005111A (ja) * 2015-06-10 2017-01-05 ソニー株式会社 固体撮像装置及び電子機器
JP6488203B2 (ja) * 2015-07-01 2019-03-20 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント 画像処理装置、画像処理システム、多視点カメラ、および画像処理方法
JP6566749B2 (ja) 2015-07-01 2019-08-28 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント 撮像素子、イメージセンサ、および情報処理装置
US10694169B1 (en) * 2015-08-14 2020-06-23 Apple Inc. Depth mapping with polarization and focus pixels
JP6754157B2 (ja) 2015-10-26 2020-09-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
JP6764880B2 (ja) 2015-12-11 2020-10-07 株式会社ニコン 偏光特性画像計測装置、偏光特性画像計測方法
JP6697681B2 (ja) * 2016-08-17 2020-05-27 ソニー株式会社 検査装置、検査方法、およびプログラム
KR101841131B1 (ko) * 2016-08-22 2018-03-22 삼성전자주식회사 광학필터 및 이를 이용한 광학 디바이스
US10768497B2 (en) 2016-10-03 2020-09-08 Xerox Corporation Hyperspectral imaging system
JP6789792B2 (ja) * 2016-12-13 2020-11-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、電子機器
JP7154736B2 (ja) * 2016-12-13 2022-10-18 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、電子機器
JP6910704B2 (ja) 2016-12-13 2021-07-28 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子、撮像素子の製造方法、プラズモンフィルタ、及び、電子機器
JP6843682B2 (ja) * 2017-04-07 2021-03-17 キヤノン株式会社 撮像素子および撮像装置
JPWO2018221516A1 (ja) * 2017-05-31 2020-04-02 株式会社ニコン 撮像素子および撮像装置
EP3640987A4 (en) * 2017-06-15 2021-04-28 Nikon Corporation IMAGING ELEMENT, IMAGING DEVICE, AND IMAGING PROCESS
DE102018124442A1 (de) * 2017-11-15 2019-05-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Polarisatoren für Bildsensorvorrichtungen
US10564504B2 (en) * 2017-11-30 2020-02-18 Palo Alto Research Center Incorporated Liquid-crystal variable retarder using liquid crystal cells of differing thicknesses
JP2019113604A (ja) 2017-12-21 2019-07-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 電磁波処理装置
US10663346B2 (en) 2017-12-29 2020-05-26 Palo Alto Research Center Incorporated Method and apparatus for transforming uniformly or non-uniformly sampled interferograms to produce spectral data
US10983338B2 (en) 2017-12-29 2021-04-20 Palo Alto Research Center Incorporated Exit-pupil expander used distribute light over a liquid-crystal variable retarder
US10379043B2 (en) 2017-12-29 2019-08-13 Palo Alto Research Center Incorporated Measuring path delay through a liquid-crystal variable retarder at non-uniform retardance intervals
US10175116B1 (en) 2017-12-29 2019-01-08 Palo Alto Research Center Incorporated Color filter used with liquid-crystal polarization interferometer
US10393581B2 (en) * 2018-01-29 2019-08-27 JVC Kenwood Corporation Spectroscope
JP2019159080A (ja) * 2018-03-13 2019-09-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置
US11810934B2 (en) 2018-04-03 2023-11-07 Visera Technologies Company Limited Image sensors including insulating layers in different pixel regions having different thicknesses and methods for forming the same
JP2019200383A (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 共振器構造体、撮像素子、および電子機器
CN109632099B (zh) * 2019-01-29 2023-12-15 苏州大学 一种法布里-珀罗干涉型成像光谱仪
JP2020136429A (ja) * 2019-02-18 2020-08-31 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および撮像装置
US10784300B1 (en) * 2019-04-16 2020-09-22 Visera Technologies Company Limited Solid-state imaging devices
US11404468B2 (en) * 2019-06-21 2022-08-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wavelength tunable narrow band filter
JP7293020B2 (ja) * 2019-07-19 2023-06-19 キヤノン株式会社 撮像素子、およびこれを備える撮像装置
KR102646521B1 (ko) 2019-09-17 2024-03-21 인트린식 이노베이션 엘엘씨 편광 큐를 이용한 표면 모델링 시스템 및 방법
US11525906B2 (en) 2019-10-07 2022-12-13 Intrinsic Innovation Llc Systems and methods for augmentation of sensor systems and imaging systems with polarization
WO2021108002A1 (en) * 2019-11-30 2021-06-03 Boston Polarimetrics, Inc. Systems and methods for transparent object segmentation using polarization cues
US11515437B2 (en) 2019-12-04 2022-11-29 Omnivision Technologies, Inc. Light sensing system and light sensor with polarizer
CN112729538A (zh) * 2020-03-30 2021-04-30 义明科技股份有限公司 显示装置及其环境光传感器
JP2020141146A (ja) * 2020-05-26 2020-09-03 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置
KR102551763B1 (ko) * 2021-04-01 2023-07-04 포항공과대학교 산학협력단 IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide)를 포함하는 컬러필터 및 이의 제조방법
US11546508B1 (en) * 2021-07-21 2023-01-03 Black Sesame Technologies Inc. Polarization imaging system with super resolution fusion

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5726805A (en) * 1996-06-25 1998-03-10 Sandia Corporation Optical filter including a sub-wavelength periodic structure and method of making
US20050276303A1 (en) * 2004-06-10 2005-12-15 Rong Huang External Cavity Laser
JP2009237147A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Epson Toyocom Corp 波長フィルタ
WO2013031100A1 (ja) * 2011-09-02 2013-03-07 パナソニック株式会社 偏光撮像素子および内視鏡

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4427837B2 (ja) 1999-09-03 2010-03-10 住友化学株式会社 ワイヤーグリッド型偏光光学素子
US6532111B2 (en) 2001-03-05 2003-03-11 Eastman Kodak Company Wire grid polarizer
US6665119B1 (en) 2002-10-15 2003-12-16 Eastman Kodak Company Wire grid polarizer
US7961393B2 (en) * 2004-12-06 2011-06-14 Moxtek, Inc. Selectively absorptive wire-grid polarizer
FR2904432B1 (fr) 2006-07-25 2008-10-24 Commissariat Energie Atomique Structure matricielle de filtrage optique et capteur d'images associe
EP2122329A1 (en) 2006-12-21 2009-11-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wiregrid waveguide
KR101340900B1 (ko) * 2007-04-10 2013-12-13 삼성디스플레이 주식회사 이중층 구조의 와이어 그리드 편광자 및 그 제조 방법
JP4770928B2 (ja) 2009-01-13 2011-09-14 ソニー株式会社 光学素子および固体撮像素子
JP5428509B2 (ja) 2009-05-11 2014-02-26 ソニー株式会社 2次元固体撮像装置、及び、2次元固体撮像装置における偏光光データ処理方法
EP4137790A1 (en) 2009-11-30 2023-02-22 Imec VZW Integrated circuit for spectral imaging system
JP5682437B2 (ja) 2010-09-07 2015-03-11 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像装置、撮像機器、及び、偏光素子の製造方法
US9327483B2 (en) * 2011-06-06 2016-05-03 Primal Fernando Polarizer devices and processes of manufacture
JP2013074400A (ja) 2011-09-27 2013-04-22 Toshiba Corp 固体撮像装置
EP2676596A4 (en) 2011-11-29 2015-09-23 Olympus Medical Systems Corp POLARIZED OBSERVATION DEVICE

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5726805A (en) * 1996-06-25 1998-03-10 Sandia Corporation Optical filter including a sub-wavelength periodic structure and method of making
US20050276303A1 (en) * 2004-06-10 2005-12-15 Rong Huang External Cavity Laser
JP2009237147A (ja) * 2008-03-26 2009-10-15 Epson Toyocom Corp 波長フィルタ
WO2013031100A1 (ja) * 2011-09-02 2013-03-07 パナソニック株式会社 偏光撮像素子および内視鏡

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2015015722A1 (ja) 2017-03-02
US9601532B2 (en) 2017-03-21
WO2015015722A1 (ja) 2015-02-05
US20150206912A1 (en) 2015-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5866577B2 (ja) 光学フィルタおよびそれを用いた偏光撮像装置
US11733100B2 (en) Polarization imaging system
JP5682437B2 (ja) 固体撮像素子、固体撮像装置、撮像機器、及び、偏光素子の製造方法
KR101455545B1 (ko) 특히 다채널 스펙트럼-선택 측정을 위한, 광 대역통과 필터 시스템
JP5022221B2 (ja) 波長分割画像計測装置
JP4836625B2 (ja) 固体撮像素子
JP5428509B2 (ja) 2次元固体撮像装置、及び、2次元固体撮像装置における偏光光データ処理方法
US9297939B2 (en) Spectral filtering device in the visible and infrared ranges
JP7396898B2 (ja) 赤外マルチスペクトル撮像用の装置及び方法
WO2019075335A1 (en) LENS-FREE COMPOSITE EYE CAMERAS BASED ON ANGLE-SENSITIVE METASURFACES
US20160054173A1 (en) Image sensor having improved light utilization efficiency and method of manufacturing the same
US10393576B2 (en) Image sensor including color filter isolation layer and method of manufacturing the same
WO2011148851A1 (ja) 撮像装置及び撮像方法
CN107192349B (zh) 光检测装置
WO2018168482A1 (ja) 固体撮像装置及び電子装置
TW201807386A (zh) 多光譜攝像裝置
KR20220061175A (ko) 분광소자 어레이, 촬상소자 및 촬상장치
JP2008060323A (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法およびカメラ
WO2021234924A1 (ja) 撮像素子及び撮像装置
JP6684899B2 (ja) 撮像装置
US9316839B2 (en) Image sensor having improved light utilization efficiency
JP7231869B2 (ja) 撮像素子および撮像装置
WO2013061489A1 (ja) カラー撮像装置
JP2014077972A (ja) 光学フィルタ及び該光学フィルタを備える撮像装置、並びに光学フィルタの製造方法
KR102318758B1 (ko) 이미지 센서 및 이를 구비하는 전자장치

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151104

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151117

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5866577

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

SZ03 Written request for cancellation of trust registration

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313Z03

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees