JP5318670B2 - 基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体 - Google Patents

Description

本発明は、基板の薬液処理を行った後にリンス処理を行うような基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体に関し、とりわけ、処理部から排出される排液を回収して再利用するにあたりより多くの量の排液を回収することができ、このため純水の使用量を低減することができるのでコストを低減することができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体に関する。

従来から、半導体ウエハ等の基板（以下、単にウエハともいう）の薬液処理を行った後にリンス処理を行うような基板処理装置として、様々な種類のものが知られている。基板処理装置の一例としては、例えば特許文献１等に開示されるものが知られている。

一般的に、基板処理装置においては、まず、処理槽内に薬液を貯留し、この薬液に複数枚（例えば５０枚）のウエハを一度に浸漬する。このようにして、ウエハの薬液処理が行われる。その後、処理槽内の薬液を純水に置換し、この純水にウエハを浸漬する。このようにして、ウエハのリンス処理が行われる。

特許文献１に示すような基板処理装置においては、処理槽に接続された排液ラインに、処理槽から排出された排液の濃度（具体的には、例えばＴＯＣ（総有機炭素、ｔｏｔａｌ ｏｒｇａｎｉｃ ｃａｒｂｏｎ）等）を検出するための濃度計が設けられている。そして、ウエハのリンス処理を行う際に、処理槽から排出された排液の濃度が濃度計により検出されるようになっている。一般的に、ウエハのリンス処理が行われる際には、処理槽から排出される排液は徐々に清浄なものとなり、排液の濃度は徐々に低下していく。特許文献１に示すような基板処理装置においては、濃度計により検出される排液の濃度が所定の濃度よりも小さくなったときに、この排液を回収して再利用するようになっている。

特許第３３３６９５２号公報

しかしながら、特許文献１等に示すような従来の基板処理装置においては、十分な量の排液を回収することができず、効率的ではないという問題がある。より具体的に説明すると、従来の基板処理装置では、回収される排液は概して純水に近いような非常に清浄なものとなっている。このため、このような清浄な排液を回収するにあたり、ウエハのリンス処理が開始されてからしばらく時間が経過しなければ処理槽から排出される排液の濃度が所定の濃度よりも小さくならないため、回収することができる排液の量は比較的少なくなってしまう。このことにより、ウエハの薬液処理やリンス処理で用いられる純水の量が多くなってしまい、このような純水を精製するのにランニングコスト等のコストが高くなってしまうという問題がある。

本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、基板の薬液処理で用いられる薬液の種類に応じてこの薬液処理の後に行われる基板のリンス処理で処理部から排出される排液を別々に回収して再利用することにより、処理部から排出される排液を回収して再利用するにあたりより多くの量の排液を回収することができ、このため純水の使用量を低減することができるのでコストを低減することができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体を提供することを目的とする。

本発明の基板処理装置は、基板の処理を行う処理部と、前記処理部に処理液を供給する処理液供給部と、前記処理部に第１の薬液を供給する第１薬液供給部と、前記処理部に第２の薬液を供給する第２薬液供給部と、前記処理部から排液を排出する排出部と、前記排出部の下流側に分岐してそれぞれ接続され、当該排出部から排液が選択的に送られる第１の排液ラインおよび第２の排液ラインであって、当該第１の排液ラインおよび第２の排液ラインからそれぞれ前記処理液供給部に排液が回収液として互いに独立して送られる第１の排液ラインおよび第２の排液ラインと、前記排出部から前記第１の排液ラインおよび前記第２の排液ラインへの分岐箇所に設けられ、前記排出部から前記第１の排液ラインまたは前記第２の排液ラインへの排液の流れの切り替えを行う切り替え部と、備え、前記処理液供給部は、前記第１の排液ラインから送られた回収液および前記第２の排液ラインから送られた回収液を選択的に前記処理部に供給することを特徴とする。

本発明の基板処理装置においては、前記処理液供給部は、前記第１の排液ラインから送られた回収液の前記処理部への供給の切り替えを行う第１のバルブと、前記第２の排液ラインから送られた回収液の前記処理部への供給の切り替えを行う第２のバルブとを有するようになっていてもよい。

本発明の基板処理装置においては、前記第１薬液供給部が前記処理部に第１の薬液を供給して基板の薬液処理を行う際に、前記処理液供給部は前記第１の排液ラインから送られた回収液を前記処理部に供給し、前記第２薬液供給部が前記処理部に第２の薬液を供給して基板の薬液処理を行う際に、前記処理液供給部は前記第２の排液ラインから送られた回収液を前記処理部に供給するようになっていてもよい。

本発明の基板処理装置においては、前記処理部において前記第１の薬液により基板の薬液処理を行った後に基板のリンス処理を行う際に、前記切り替え部は前記排出部から前記第１の排液ラインに排液が流れるよう切り替えを行うとともに前記処理液供給部は前記第１の排液ラインから送られた回収液を前記処理部に供給し、前記処理部において前記第２の薬液により基板の薬液処理を行った後に基板のリンス処理を行う際に、前記切り替え部は前記排出部から前記第２の排液ラインに排液が流れるよう切り替えを行うとともに前記処理液供給部は前記第２の排液ラインから送られた回収液を前記処理部に供給するようになっていてもよい。

この際に、前記処理液供給部は、前記第１の排液ラインから送られた回収液および前記第２の排液ラインから送られた回収液に加えて、純水を選択的に前記処理部に供給するようになっていてもよい。

この場合、前記処理液供給部は、純水の前記処理部への供給の切り替えを行う純水用バルブを有していてもよい。

また、この際に、前記処理部において前記第１の薬液により基板の薬液処理を行った後に基板のリンス処理を行う際に、まず、前記処理液供給部は前記第１の排液ラインから送られた回収液を前記処理部に供給し、その後、前記処理液供給部は純水を前記処理部に供給し、前記処理部において前記第２の薬液により基板の薬液処理を行った後に基板のリンス処理を行う際に、まず、前記処理液供給部は前記第２の排液ラインから送られた回収液を前記処理部に供給し、その後、前記処理液供給部は純水を前記処理部に供給するようになっていてもよい。

また、この際に、前記処理部において前記第１の薬液により基板の薬液処理を行った後に基板のリンス処理を行う際に、前記処理液供給部は、前記第１の排液ラインから送られた回収液と純水とを混合して前記処理部に供給し、前記処理部において前記第２の薬液により基板の薬液処理を行った後に基板のリンス処理を行う際に、前記処理液供給部は、前記第２の排液ラインから送られた回収液と純水とを混合して前記処理部に供給するようになっていてもよい。

本発明の基板処理装置においては、前記第１の薬液および前記第２の薬液のうち一方の薬液は酸性であり他方の薬液はアルカリ性であってもよい。

本発明の基板処理装置においては、前記排出部の下流側に分岐して接続され、当該排出部から排液が選択的に送られる第３の排液ラインであって、当該第３の排液ラインから前記処理液供給部に排液が回収液として送られるようになっているような第３の排液ラインを更に備え、前記第３の排液ラインには、前記処理部から排出される排液のうち、前記第１の排液ラインや前記第２の排液ラインに送られる排液よりも比抵抗率が大きい排液が送られるようになっており、前記切り替え部は、前記排出部から前記第３の排液ラインへの排液の流れの切り替えも行うようになっており、前記処理液供給部は、前記第３の排液ラインから送られた回収液も選択的に前記処理部に供給するようになっていてもよい。

この際に、前記処理液供給部は、前記第３の排液ラインから送られた回収液の前記処理部への供給の切り替えを行う第３のバルブを有していてもよい。

本発明の基板処理装置においては、前記第１の回収部または前記第２の回収部により排液が回収された後、所定時間が経過すると回収された排液は廃棄されるようになっていてもよい。

本発明の基板処理方法は、前記処理部において第１の薬液により基板の薬液処理を行う工程と、前記第１の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行い、このリンス処理が行われている間に前記処理部から排出される排液を第１の回収液として回収する工程と、前記処理部において基板のリンス処理を行った後に、前記処理部において第２の薬液により基板の薬液処理を行う工程と、前記第２の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行い、このリンス処理が行われている間に前記処理部から排出される排液を第２の回収液として回収する工程と、を備え、前記第１の回収液、および前記第２の回収液をそれぞれ前記処理部に選択的に供給することを特徴とする。

本発明の基板処理方法においては、前記処理部において前記第１の薬液により基板の薬液処理を行う工程において、前記第１の薬液と前記第１の回収液とを混合して前記処理部に送り、前記処理部において前記第２の薬液により基板の薬液処理を行う工程において、前記第２の薬液と前記第２の回収液とを混合して前記処理部に送るようになっていてもよい。

本発明の基板処理方法においては、前記第１の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程において、前記第１の回収液を前記処理部に送り、前記第２の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程において、前記第２の回収液を前記処理部に送るようになっていてもよい。

この際に、前記第１の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程において、まず、前記第１の回収液を前記処理部に送り、その後、純水を前記処理部に送り、前記第２の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程において、まず、前記第２の回収液を前記処理部に送り、その後、純水を前記処理部に送るようになっていてもよい。

また、この際に、前記第１の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程において、純水と前記第１の回収液とを混合して前記処理部に送り、前記第２の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程において、純水と前記第２の回収液とを混合して前記処理部に送るようになっていてもよい。

本発明の基板処理方法においては、前記第１の回収液や前記第２の回収液は、回収されてから所定時間が経過すると廃棄されるようになっていてもよい。

本発明のプログラムは、基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムであって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、前記基板処理方法が、前記処理部において第１の薬液により基板の薬液処理を行う工程と、前記第１の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行い、このリンス処理が行われている間に前記処理部から排出される排液を第１の回収液として回収する工程と、前記処理部において基板のリンス処理を行った後に、前記処理部において第２の薬液により基板の薬液処理を行う工程と、前記第２の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行い、このリンス処理が行われている間に前記処理部から排出される排液を第２の回収液として回収する工程と、を備え、前記第１の回収液、および前記第２の回収液をそれぞれ前記処理部に選択的に供給することを特徴とする。

本発明の記憶媒体は、基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記憶された記憶媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、前記基板処理方法が、前記処理部において第１の薬液により基板の薬液処理を行う工程と、前記第１の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行い、このリンス処理が行われている間に前記処理部から排出される排液を第１の回収液として回収する工程と、前記処理部において基板のリンス処理を行った後に、前記処理部において第２の薬液により基板の薬液処理を行う工程と、前記第２の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行い、このリンス処理が行われている間に前記処理部から排出される排液を第２の回収液として回収する工程と、を備え、前記第１の回収液、および前記第２の回収液をそれぞれ前記処理部に選択的に供給することを特徴とする。

本発明の基板処理装置、基板処理方法、プログラムおよび記憶媒体によれば、処理部から排出される排液を回収して再利用するにあたりより多くの量の排液を回収することができ、このため純水の使用量を低減することができるのでコストを低減することができる。

本発明の一の実施の形態における基板処理装置の全体的な構成を示す概略構成図である。 （ａ）〜（ｆ）は、図１に示す基板処理装置におけるウエハの処理の一連の動作を順に示す説明図である。 図１に示す基板処理装置におけるウエハの処理の一連の動作を示すフローチャートである。 （ａ）は、処理部から排出される排液について、ウエハのリンス処理を開始してからの時間（横軸）と排液の比抵抗値（縦軸）との関係を示すグラフであり、（ｂ）は、ウエハのリンス処理を開始してからの時間（横軸）と排液のＦイオン濃度（縦軸）の関係を示すグラフである。

以下、図面を参照して本発明の一の実施の形態について説明する。図１乃至図４は、本実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法を示す図である。より具体的には、図１は、本実施の形態における基板処理装置の全体的な構成を示す概略構成図である。また、図２（ａ）〜（ｆ）は、図１に示す基板処理装置における半導体ウエハ等の基板（以下、単にウエハともいう）の処理の一連の動作を順に示す説明図であり、図３は、図１に示す基板処理装置におけるウエハの処理の一連の動作を示すフローチャートである。また、図４（ａ）は、処理部から排出される排液について、ウエハのリンス処理を開始してからの時間（横軸）と排液の比抵抗値（縦軸）との関係を示すグラフであり、（ｂ）は、ウエハのリンス処理を開始してからの時間（横軸）と排液のＦイオン濃度（縦軸）の関係を示すグラフである。

図１に示すように、本実施の形態に係る基板処理装置１は、ウエハＷの薬液処理およびリンス処理を行う処理部１０を備えている。処理部１０は、複数枚（例えば５０枚）のウエハＷを収容し、この収容されたウエハＷの薬液処理やリンス処理を行う処理槽１２と、処理槽１２の周囲に設けられ、この処理槽１２からあふれた液体が流入するオーバーフロー槽１４とを有している。また、処理槽１２内の下部領域には、当該処理槽１２内に薬液や純水等の処理液を供給するための供給ノズル１６が設けられており、この供給ノズル１６には、当該供給ノズル１６に処理液を送る供給管２０が接続されている。処理部１０において、供給管２０により供給ノズル１６に薬液や純水等の処理液が送られ、この処理液が供給ノズル１６から処理槽１２内に供給されることにより処理槽１２内に処理液が貯留され、処理槽１２内に貯留された処理液に複数枚のウエハＷが一度に浸漬されることにより、ウエハＷの薬液処理やリンス処理が行われるようになっている。

図１に示すように、供給管２０には処理液供給部３０が接続されている。処理液供給部３０は、純水供給源２２と、純水供給源２２および供給管２０を接続する配管に設けられたバルブ（純水用バルブ）２２ａとを有しており、バルブ２２ａの開閉を行うことにより純水供給源２２から供給管２０への純水の供給を調整するようになっている。また、処理液供給部３０は、第１の回収液供給部分２４と、第１の回収液供給部分２４および供給管２０を接続する配管に設けられたバルブ（第１のバルブ）２４ａとを有しており、バルブ２４ａの開閉を行うことにより第１の回収液供給部分２４から供給管２０への第１の回収液の供給を調整するようになっている。第１の回収液供給部分２４は、処理部１０のオーバーフロー槽１４から排出された排液のうち後述する第１の回収部４２により回収された回収液を供給するようになっている。

また、処理液供給部３０は、第２の回収液供給部分２６と、第２の回収液供給部分２６および供給管２０を接続する配管に設けられたバルブ（第２のバルブ）２６ａとを有しており、バルブ２６ａの開閉を行うことにより第２の回収液供給部分２６から供給管２０への第２の回収液の供給を調整するようになっている。第２の回収液供給部分２６は、処理部１０のオーバーフロー槽１４から排出された排液のうち後述する第２の回収部４４により回収された回収液を供給するようになっている。また、処理液供給部３０は、第３の回収液供給部分２８と、第３の回収液供給部分２８および供給管２０を接続する配管に設けられたバルブ（第３のバルブ）２８ａとを有しており、バルブ２８ａの開閉を行うことにより第３の回収液供給部分２８から供給管２０への第３の回収液の供給を調整するようになっている。第３の回収液供給部分２８は、処理部１０のオーバーフロー槽１４から排出された排液のうち後述する第３の回収部４６により回収された回収液を供給するようになっている。

図１に示すように、供給管２０にはアンモニア・過酸化水素水溶液（ＳＣ１、アンモニア加水ともいう）供給源３２がバルブ３２ａを介して接続されており、このアンモニア・過酸化水素水溶液供給源３２からアルカリ性のアンモニア・過酸化水素水溶液（ＳＣ１）が供給管２０に供給されるようになっている。また、供給管２０にはフッ酸（ＨＦ）供給源３４がバルブ３４ａを介して接続されており、このフッ酸供給源３４から酸性のフッ酸（ＨＦ）が供給管２０に供給されるようになっている。図１に示すように、アンモニア・過酸化水素水溶液供給源３２およびフッ酸供給源３４は並列に設けられている。

処理部１０のオーバーフロー槽１４には排液管（排出部）４０が接続されており、このオーバーフロー槽１４から排液管４０に処理液が排出されるようになっている。図１に示すように、排液管４０には比抵抗計５０が介設されており、この比抵抗計５０により処理部１０から排出された排液の比抵抗値（導電率）が検出されるようになっている。また、排液管４０は、比抵抗計５０よりも下流側部分において第１の排液ライン４２ｂ、第２の排液ライン４４ｂ、第３の排液ライン４６ｂおよびドレンライン４８ｂの４つのラインに分岐しており、第１の排液ライン４２ｂ、第２の排液ライン４４ｂ、第３の排液ライン４６ｂおよびドレンライン４８ｂにはそれぞれバルブ４２ａ、４４ａ、４６ａ、４８ａが設けられている。そして、各バルブ４２ａ、４４ａ、４６ａ、４８ａの開閉を行うことにより、排液管４０から第１の排液ライン４２ｂ、第２の排液ライン４４ｂ、第３の排液ライン４６ｂまたはドレンライン４８ｂへの排液の流れが調整されるようになっている。すなわち、各バルブ４２ａ、４４ａ、４６ａ、４８ａは、排液管４０から第１の排液ライン４２ｂ、第２の排液ライン４４ｂ、第３の排液ライン４６ｂまたはドレンライン４８ｂへの排液の流れを調整するための切り替え部４１を構成している。

また、第１の排液ライン４２ｂ、第２の排液ライン４４ｂ、第３の排液ライン４６ｂおよびドレンライン４８ｂの下流側端部には、それぞれ、第１の回収部４２、第２の回収部４４、第３の回収部４６およびドレン部４８が接続されている。そして、比抵抗計５０による排液の比抵抗値に基づいて、後述する制御部７０により切り替え部４１の各バルブ４２ａ、４４ａ、４６ａ、４８ａの開閉が制御され、排液管４０から排液が第１の排液ライン４２ｂ、第２の排液ライン４４ｂ、第３の排液ライン４６ｂおよびドレンライン４８ｂのうちいずれか一つまたは複数のものに選択的に送られ、最終的に排液は第１の回収部４２、第２の回収部４４、第３の回収部４６およびドレン部４８のうちいずれか一つまたは複数のものに選択的に送られるようになっている。

処理部１０から排出される排液について、一般的に、その比抵抗値が大きければ大きいほど排液は清浄である。すなわち、処理部１０から排出される排液の比抵抗値が小さい場合は、その排液は清浄ではなく、回収して再利用するのに適さないといえる。ここで、図４（ａ）は、処理部１０から排出される排液について、ウエハＷのリンス処理を開始してからの時間（横軸）と排液の比抵抗値（縦軸）との関係を示すグラフであり、（ｂ）は、ウエハＷのリンス処理を開始してからの時間（横軸）と排液のＦイオン濃度（縦軸）の関係を示すグラフである。図４（ａ）に示すように、ウエハＷのリンス処理を開始してからある程度の時間が経過するまでは排液の比抵抗値は０であり、排液は清浄ではない。そして、ウエハＷのリンス処理を開始してからある程度の時間が経過すると、排液の比抵抗値が徐々に大きくなり、所定の上限値（具体的には例えば１５ＭΩｃｍ）に収束する。また、図４（ｂ）に示すように、ウエハＷのリンス処理を開始してから時間が経過するにつれて排液のＦイオン濃度が低下し、排液は徐々に清浄なものとなる。そして、ウエハＷのリンス処理を開始してからある程度の時間が経過すると排液のＦイオン濃度は０に収束する。

図４（ａ）（ｂ）に示すように、ウエハＷのリンス処理を開始した後、比抵抗計５０により検出される排液の比抵抗値が０から所定の値（例えば、２ＭΩｃｍ）となったときの時刻ｔにおいて、この排液のＦイオン濃度は非常に小さい値となる。このため、比抵抗計５０により検出される排液の比抵抗値が０から増加したときに排液を回収した場合において、この排液の比抵抗値が上限値（１５ＭΩｃｍ）に達していなくとも、この回収された排液は十分に清浄なものであると考えられる。とりわけ、後述するように、本実施の形態においては、回収液として回収される排液はそれほど清浄なものではなくともよいので、比抵抗値が必ずしも上限値（１５ＭΩｃｍ）に達していなくとも、比抵抗値が０からある程度の値に増加した排液を回収液として回収してもよい。

第１の回収部４２は、処理部１０においてアンモニア・過酸化水素水溶液によりウエハＷの薬液処理が行われた後にウエハＷのリンス処理が行われる際に処理部１０から排出される排液の一部を第１の回収液として回収するようになっている。この第１の回収部４２により回収された第１の回収液は、処理液供給部３０の第１の回収液供給部分２４に送られ、この第１の回収液供給部分２４から供給管２０に供給されるようになっている。

第２の回収部４４は、処理部１０においてフッ酸によりウエハＷの薬液処理が行われた後にウエハＷのリンス処理が行われる際に処理部１０から排出される排液の一部を第２の回収液として回収するようになっている。この第２の回収部４４により回収された第２の回収液は、処理液供給部３０の第２の回収液供給部分２６に送られ、この第２の回収液供給部分２６から供給管２０に供給されるようになっている。

第３の回収部４６は、処理部１０から排出される排液のうち、第１の回収液や第２の回収液よりも比抵抗値が大きい排液を第３の回収液として回収するようになっている。この第３の回収部４６により回収された第３の回収液は、処理液供給部３０の第３の回収液供給部分２８に送られ、この第３の回収液供給部分２８から供給管２０に供給されるようになっている。

ドレン部４８には、比抵抗値が比較的小さい、すなわち清浄ではない排液が送られるようになっている。このドレン部４８に送られた排液は廃棄される。

また、基板処理装置１には、当該基板処理装置１における様々な構成要素を制御する、制御コンピュータからなる制御部７０が設けられている。この制御部７０は基板処理装置１の各構成要素に接続され、当該制御部７０により、処理部１０におけるウエハＷの薬液処理やリンス処理が制御されるようになっている。より具体的には、制御部７０は、処理液供給部３０の各バルブ２２ａ、２４ａ、２６ａ、２８ａの開閉を制御することにより、純水供給源２２や各回収液供給部分２４、２６、２８から供給管２０への純水や回収液の供給を制御するようになっている。また、制御部７０は、バルブ３２ａ、３４ａの開閉を制御することにより、各供給源３２、３４から供給管２０への薬液等の供給を制御するようになっている。また、制御部７０は、切り替え部４１の各バルブ４２ａ、４４ａ、４６ａ、４８ａの開閉を制御することにより、排液がどの排液ライン４２ｂ、４４ｂ、４６ｂまたはドレンライン４８ｂに送られるかの調整を行うようになっている。また、制御部７０には、比抵抗計５０による排液の比抵抗値の検出結果に係る情報が比抵抗計５０から送られるようになっている。このような、制御部７０による基板処理装置１の各構成要素の制御内容については後述する。

本実施の形態において、制御部７０には、基板処理装置１で実行される各種処理を制御部７０による制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて基板処理装置１の各構成要素に処理を実行させるためのプログラム（すなわち、レシピ）が記憶された記憶媒体７２が接続されている。記憶媒体７２は、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリー、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭなどのディスク状記憶媒体、その他の公知な記憶媒体から構成され得る。そして、必要に応じて、任意のレシピを記憶媒体７２から呼び出して制御部７０に実行させることで、制御部７０の制御下で、基板処理装置１での所望の処理が行われる。

次に、上述のような基板処理装置１を用いたウエハＷの処理方法について図２および図３を用いて説明する。なお、以下に示すような一連の薬液処理およびリンス処理は、記憶媒体７２に記憶されたプログラム（レシピ）に従って、制御部７０が基板処理装置１の各構成要素を制御することにより行われる。

最初に、処理液供給部３０の純水供給源２２から純水（ＤＩＷ）を処理部１０の処理槽１２内に供給し、この処理槽１２に純水を貯留させる。次に、図２（ａ）に示すように、純水（ＤＩＷ）が貯留された処理槽１２内にウエハＷを収容し、処理槽１２内に貯留された純水にウエハＷを浸漬する（図３のＳＴＥＰ１参照）。

その後、図２（ｂ）に示すように、ウエハＷが処理槽１２内に収容された状態で、処理槽１２内の純水（ＤＩＷ）をアンモニア・過酸化水素水溶液（ＳＣ１）に置換する。より具体的に説明すると、処理液供給部３０の純水供給源２２から純水を供給管２０に送るとともにアンモニア・過酸化水素水溶液供給源３２からアンモニア・過酸化水素水溶液を供給管２０に送ることにより、供給管２０内で純水とアンモニア・過酸化水素水溶液とを混合し、この混合液を処理槽１２内に送る。この際に、処理槽１２からあふれた処理液はオーバーフロー槽１４に送られ、この処理液はオーバーフロー槽１４から排液管４０に排出される。排液管４０に排出された排液はドレン部４８に送られ、最終的に廃棄される。

ここで、処理槽１２内の純水（ＤＩＷ）をアンモニア・過酸化水素水溶液（ＳＣ１）に置換する際に、純水供給源２２から純水を供給管２０に送る代わりに、処理液供給部３０の第１の回収液供給部分２４から第１の回収液を供給管２０に送るようにしてもよい。この場合、供給管２０内で第１の回収液とアンモニア・過酸化水素水溶液とが混合され、この混合液が処理槽１２内に送られることとなる。

上述のように、ウエハＷが処理槽１２内に収容された状態で、処理槽１２内の純水（ＤＩＷ）がアンモニア・過酸化水素水溶液（ＳＣ１）に置換されることにより、アンモニア・過酸化水素水溶液によるウエハＷの薬液処理が行われる（図３のＳＴＥＰ２参照）。

次に、図２（ｃ）に示すように、ウエハＷが処理槽１２内に収容された状態で、処理槽１２内のアンモニア・過酸化水素水溶液（ＳＣ１）を純水（ＤＩＷ）に置換する。より具体的に説明すると、処理液供給部３０の純水供給源２２から純水を処理部１０の処理槽１２内に供給する。この際に、処理槽１２からあふれた処理液はオーバーフロー槽１４に送られ、この処理液はオーバーフロー槽１４から排液管４０に排出される。排液管４０に排出された排液は比抵抗計５０によりその比抵抗値が検出される。ここで、排液の比抵抗値が所定の値以上である場合には、この排液は清浄であると判断され、切り替え部４１の各バルブ４２ａ、４４ａ、４６ａ、４８ａの開閉が制御されることにより、当該排液は第１の回収部４２に送られ、第１の回収部４２で回収される。第１の回収部４２で回収された排液は回収液として処理液供給部３０の第１の回収液供給部分２４に送られ、この回収液は再利用されることとなる。一方、排液の比抵抗値が所定の値よりも小さい場合には、この排液は清浄ではないと判断され、当該排液はドレン部４８に送られ、最終的に廃棄される。

ここで、処理槽１２内のアンモニア・過酸化水素水溶液（ＳＣ１）を純水（ＤＩＷ）に置換する際に、処理液供給部３０の純水供給源２２から純水を供給管２０に送る代わりに、第１の回収液供給部分２４から第１の回収液を処理部１０の処理槽１２内に送るようにしてもよい。この場合、処理槽１２内のアンモニア・過酸化水素水溶液（ＳＣ１）が第１の回収液に置換されることとなる。

また、処理槽１２内のアンモニア・過酸化水素水溶液（ＳＣ１）を純水（ＤＩＷ）に置換する際に、最初に処理液供給部３０の第１の回収液供給部分２４から第１の回収液を処理槽１２内に送り、その後、純水供給源２２から純水を処理槽１２内に送るようにしてもよい。この際に、最初に処理液供給部３０の第１の回収液供給部分２４から処理槽１２内に第１の回収液のみを送り、その後、処理槽１２内に送られる第１の回収液の量を徐々に減らすとともに純水供給源２２から処理槽１２内に送られる純水の量を徐々に増やし、最終的に純水供給源２２から処理槽１２内に純水のみを送るようにしてもよい。

上述のように、ウエハＷが処理槽１２内に収容された状態で、処理槽１２内のアンモニア・過酸化水素水溶液（ＳＣ１）が純水（ＤＩＷ）や回収液（以下、これらをまとめて純水等という）に置換されることにより、ウエハＷのリンス処理が行われる。また、ウエハＷのリンス処理を行う際に処理槽１２から排出される排液の一部は第１の回収液として回収される（図３のＳＴＥＰ３参照）。ここで、第１の回収部４２により回収される第１の回収液は、ウエハＷの薬液処理の際にアンモニア・過酸化水素水溶液（ＳＣ１）と混合されて処理槽１２に送られたり、このアンモニア・過酸化水素水溶液によるウエハＷの薬液処理の後に行われるリンス処理の際に処理槽１２に送られたりするようになっているので、この第１の回収液はそれほど清浄でなくともアンモニア・過酸化水素水溶液によるウエハＷの薬液処理やその後のリンス処理に支障をきたすことはない。言い換えると、第１の回収部４２により回収される第１の回収液の使用用途は、アンモニア・過酸化水素水溶液によるウエハＷの薬液処理やその後のリンス処理に限定されるため、第１の回収液にアンモニア・過酸化水素水溶液の成分が多少残っていたとしても問題はない。

また、第１の回収部４２により第１の回収液が回収された後、所定時間が経過すると第１の回収液は廃棄されるようになっている。

次に、図２（ｄ）に示すように、ウエハＷが処理槽１２内に収容されるとともに処理槽１２内に純水等が貯留され、ウエハＷが純水等に浸漬された状態で、図２（ｅ）に示すように、処理槽１２内の純水等をフッ酸（ＨＦ）に置換する。より具体的に説明すると、処理液供給部３０の純水供給源２２から純水を供給管２０に送るとともにフッ酸供給源３４からフッ酸を供給管２０に送ることにより、供給管２０内で純水とフッ酸とを混合し、この混合液を処理槽１２内に送る。この際に、処理槽１２からあふれた処理液はオーバーフロー槽１４に送られ、この処理液はオーバーフロー槽１４から排液管４０に排出される。排液管４０により排出された排液はドレン部４８に送られ、最終的に廃棄される。

ここで、処理槽１２内の純水等をフッ酸（ＨＦ）に置換する際に、処理液供給部３０の純水供給源２２から純水を供給管２０に送る代わりに、第２の回収液供給部分２６から第２の回収液を供給管２０に送るようにしてもよい。この場合、供給管２０内で第２の回収液とフッ酸とが混合され、この混合液が処理槽１２内に送られることとなる。

上述のように、ウエハＷが処理槽１２内に収容された状態で、処理槽１２内の純水等がフッ酸（ＨＦ）に置換されることにより、フッ酸によるウエハＷの薬液処理が行われる（図３のＳＴＥＰ４参照）。

次に、図２（ｆ）に示すように、ウエハＷが処理槽１２内に収容された状態で、処理槽１２内のフッ酸を純水（ＤＩＷ）に置換する。より具体的に説明すると、処理液供給部３０の純水供給源２２から純水を処理部１０の処理槽１２内に供給する。この際に、処理槽１２からあふれた処理液はオーバーフロー槽１４に送られ、この処理液はオーバーフロー槽１４から排液管４０に排出される。排液管４０に排出排液は比抵抗計５０によりその比抵抗値が検出される。ここで、排液の比抵抗値が所定の値以上である場合には、この排液は清浄であると判断され、切り替え部４１の各バルブ４２ａ、４４ａ、４６ａ、４８ａの開閉が制御されることにより、当該排液は第２の回収部４４に送られ、第２の回収部４４で回収される。第２の回収部４４で回収された排液は回収液として処理液供給部３０の第２の回収液供給部分２６に送られ、この回収液は再利用されることとなる。一方、排液の比抵抗値が所定の値よりも小さい場合には、この排液は清浄ではないと判断され、当該排液はドレン部４８に送られ、最終的に廃棄される。

ここで、処理槽１２内のフッ酸（ＨＦ）を純水（ＤＩＷ）に置換する際に、処理液供給部３０の純水供給源２２から純水を供給管２０に送る代わりに、第２の回収液供給部分２６から第２の回収液を処理部１０の処理槽１２内に送るようにしてもよい。この場合、処理槽１２内のフッ酸が第２の回収液に置換されることとなる。

また、処理槽１２内のフッ酸（ＨＦ）を純水（ＤＩＷ）に置換する際に、最初に処理液供給部３０の第２の回収液供給部分２６から第２の回収液を処理槽１２内に送り、その後、純水供給源２２から純水を処理槽１２内に送るようにしてもよい。この際に、最初に処理液供給部３０の第２の回収液供給部分２６から処理槽１２内に第２の回収液のみを送り、その後、処理槽１２内に送られる第２の回収液の量を徐々に減らすとともに純水供給源２２から処理槽１２内に送られる純水の量を徐々に増やし、最終的に純水供給源２２から処理槽１２内に純水のみを送るようにしてもよい。

上述のように、ウエハＷが処理槽１２内に収容された状態で、処理槽１２内のフッ酸（ＨＦ）が純水（ＤＩＷ）や回収液に置換されることにより、ウエハＷのリンス処理が行われる。また、ウエハＷのリンス処理を行う際に処理槽１２から排出される排液の一部は第２の回収液として回収される（図３のＳＴＥＰ５参照）。ここで、第２の回収部４４により回収される第２の回収液は、ウエハＷの薬液処理の際にフッ酸（ＨＦ）と混合されて処理槽１２に送られたり、このフッ酸によるウエハＷの薬液処理の後に行われるリンス処理の際に処理槽１２に送られたりするようになっているので、この第１の回収液はそれほど清浄でなくともフッ酸によるウエハＷの薬液処理やその後のリンス処理に支障をきたすことはない。言い換えると、第２の回収部４４により回収される第２の回収液の使用用途は、フッ酸によるウエハＷの薬液処理やその後のリンス処理に限定されるため、第２の回収液にフッ酸の成分が多少残っていたとしても問題はない。

また、第２の回収部４４により第２の回収液が回収された後、所定時間が経過すると第２の回収液は廃棄されるようになっている。

また、ウエハＷのリンス処理が行われる際に、処理部１０から排出される排液のうち、第１の回収液や第２の回収液よりも比抵抗値が大きい排液が第３の回収液として第３の回収部４６により回収されるようになっていてもよい。この場合、アンモニア・過酸化水素水溶液やフッ酸によるウエハＷの薬液処理やその後のリンス処理を行う際に、処理液供給部３０の第１の回収液供給部分２４や第２の回収液供給部分２６から第１の回収液や第２の回収液が供給管２０に送られる代わりに、処理液供給部３０の第３の回収液供給部分２８から第３の回収液が供給管２０に送られてもよい。

以上のように本実施の形態の基板処理装置１および基板処理方法によれば、排液管４０の下流側には第１の排液ライン４２ｂおよび第２の排液ライン４４ｂが分岐して接続され、排液管４０から排液が第１の排液ライン４２ｂまたは第２の排液ライン４４ｂに選択的に送られるようになっており、第１の排液ライン４２ｂおよび第２の排液ライン４４ｂからそれぞれ処理液供給部３０に排液が回収液として互いに独立して送られるようになっており、排出部から第１の排液ライン４２ｂおよび第２の排液ライン４４ｂへの分岐箇所には切り替え部４１が設けられ、この切り替え部４１は排液管４０から第１の排液ライン４２ｂまたは第２の排液ライン４４ｂへの排液の流れの切り替えを行うようになっている。そして、処理液供給部３０は、第１の排液ライン４２ｂから送られた回収液および第２の排液ライン４４ｂから送られた回収液を選択的に処理部１０に供給するようになっている。

このように、ウエハＷの薬液処理で用いられる薬液の種類に応じて、この薬液処理の後に行われるウエハＷのリンス処理で処理部１０の処理槽１２から排出される排液を別々に回収して再利用するようになっているので、第１の回収液を、この第１の回収液に関連するアンモニア・過酸化水素水溶液によるウエハＷの薬液処理やこの薬液処理の後に行われるウエハＷのリンス処理で用いることができ、また、第２の回収液を、この第２の回収液に関連するフッ酸によるウエハＷの薬液処理やこの薬液処理の後に行われるウエハＷのリンス処理で用いることができる。このため、第１の回収液はそれほど清浄でなくともアンモニア・過酸化水素水溶液によるウエハＷの薬液処理やその後のリンス処理に支障をきたすことはない。同様に、第２の回収液はそれほど清浄でなくともフッ酸によるウエハＷの薬液処理やその後のリンス処理に支障をきたすことはない。言い換えると、第１の回収液および第２の回収液の各々の使用用途は、それぞれ、当該回収液に関連する薬液によるウエハＷの薬液処理やその後のリンス処理に限定されるため、これらの回収液に、関連する薬液の成分が多少残っていたとしても問題はない。このため、ウエハＷのリンス処理を開始してからそれほど時間が経過しなくとも、リンス処理において処理部１０の処理槽１２から排出される排液を回収液として回収することができ、処理部１０から排出される排液を回収して再利用するにあたりより多くの量の排液を回収することができる。このため、純水の使用量を低減することができるのでランニングコスト等のコストを低減することができる。

本実施の形態の基板処理装置１および基板処理方法においては、処理部１０においてアンモニア・過酸化水素水溶液によりウエハＷの薬液処理が行われる際に、処理液供給部３０は第１の排液ライン４２ｂから送られた回収液（第１の回収液）を処理部１０に供給するようになっている。また、処理部１０においてフッ酸によりウエハＷの薬液処理が行われる際に、処理液供給部３０は第２の排液ライン４４ｂから送られた回収液（第２の回収液）を処理部１０に供給するようになっている。

また、本実施の形態の基板処理装置１および基板処理方法においては、処理部１０においてアンモニア・過酸化水素水溶液によりウエハＷの薬液処理を行った後にウエハＷのリンス処理を行う際に、切り替え部４１は排液管４０から第１の排液ライン４２ｂに排液が流れるよう切り替えを行うとともに処理液供給部３０は第１の排液ライン４２ｂから送られた回収液を処理部１０に供給するようになっている。この際に、まず、処理液供給部３０の第１の回収液供給部分２４から回収液が処理部１０に送られ、その後、純水供給源２２から純水が処理部１０に送られるようになっていてもよい。また、処理部１０においてフッ酸によりウエハＷの薬液処理を行った後にウエハＷのリンス処理を行う際に、切り替え部４１は排液管４０から第２の排液ライン４４ｂに排液が流れるよう切り替えを行うとともに処理液供給部３０は第２の排液ライン４４ｂから送られた回収液を処理部１０に供給するようになっている。この際に、まず、処理液供給部３０の第２の回収液供給部分２６から回収液が処理部１０に送られ、その後、純水供給源２２から純水が処理部１０に送られるようになっていてもよい。

また、処理部１０においてアンモニア・過酸化水素水溶液によりウエハＷの薬液処理を行った後にウエハＷのリンス処理を行う際に、純水供給源２２から供給される純水と、第１の回収液供給部分２４から供給される回収液とが混合されて処理部１０に送られるようになっていてもよい。また、処理部１０においてフッ酸によりウエハＷの薬液処理を行った後にウエハＷのリンス処理を行う際に、純水供給源２２から供給される純水と、第２の回収液供給部分２６から供給される回収液とが混合されて処理部１０に送られるようになっていてもよい。

前述のように、処理部１０に送られる複数（本実施の形態では２つ）の種類の薬液のうち、一方の薬液は酸性（フッ酸）であり、他方の薬液はアルカリ性（アンモニア・過酸化水素水溶液）となっている。

また、本実施の形態の基板処理装置１および基板処理方法においては、第１の回収部４２または第２の回収部４４により排液が回収された後、所定時間が経過すると回収された排液は廃棄されるようになっている。このことにより、質が悪化した回収液を再利用してしまうことを防止することができる。

なお、本発明による基板処理装置１および基板処理方法は、上記の態様に限定されるものではなく、様々の変更を加えることができる。例えば、ウエハＷの処理を行う処理部１０としては、図１に示すような、処理槽１２に薬液や純水等の処理液を貯留してこの貯留された処理液に複数枚（例えば、５０枚）のウエハＷを一度に浸漬させるようなバッチ式のものに限定されることはない。ウエハＷの処理を行う処理部として、ウエハＷを１枚ずつ処理するような枚葉式のものを用いてもよい。枚葉式の処理部においては、ウエハチャック上に１枚のウエハＷを略水平状態で載置し、ウエハチャック上に載置された状態でウエハＷを回転させながらそのウエハＷの表面に薬液や純水等の処理液を供給することにより、ウエハＷの薬液処理やリンス処理を行うようになっている。

また、排液管４０に抵抗比計５０を設置する代わりに、排液管４０にイオン濃度計やＴＯＣ計を設けてもよい。排液管４０にイオン濃度計を設け、処理部１０のオーバーフロー槽１４から排液管４０に排出される排液のイオン濃度をイオン濃度計で検出するようにした場合は、ウエハＷのリンス処理を行う際に、このイオン濃度計により検出されたイオン濃度が所定の値以下である排液のみを第１の回収部４２や第２の回収部４４等で回収し、イオン濃度計により検出されたイオン濃度が所定の値より大きい排液はドレン部４８に送り廃棄する。また、排液管４０にＴＯＣ計を設け、処理部１０のオーバーフロー槽１４から排液管４０に排出される排液のＴＯＣをＴＯＣ計で検出するようにした場合は、ウエハＷのリンス処理を行う際に、このＴＯＣ計により検出されたＴＯＣが所定の値以下である排液のみを第１の回収部４２や第２の回収部４４等で回収し、ＴＯＣ計により検出されたＴＯＣが所定の値より大きい排液はドレン部４８に送り廃棄する。

また、排液管４０に抵抗比計５０を設置することを省略し、代わりに、ウエハＷのリンス処理を開始してからの時間に基づいて処理部１０から排出された排液を選択的に回収するようにしてもよい。この場合、ウエハＷのリンス処理を開始してから所定の時間が経過するまでは処理部１０のオーバーフロー槽１４から排液管４０に排出された排液はドレン部４８に送り廃棄し、ウエハＷのリンス処理を開始してから所定の時間が経過した後は処理部１０のオーバーフロー槽１４から排液管４０に排出された排液を第１の回収部４２や第２の回収部４４で回収するようにする。

また、上述した基板処理装置１や基板処理方法では、２種類の薬液を用いてそれぞれの薬液で薬液処理を行っているが、３種類以上の薬液を用いてそれぞれの薬液で薬液処理を行うようになっていてもよい。

１ 基板処理装置
１０ 処理部
１２ 処理槽
１４ オーバーフロー槽
１６ 供給ノズル
２０ 供給管
２２ 純水供給源
２２ａ バルブ
２４ 第１の回収液供給部分
２４ａ バルブ
２６ 第２の回収液供給部分
２６ａ バルブ
２８ 第３の回収液供給部分
２８ａ バルブ
３０ 処理液供給部
３２ アンモニア・過酸化水素水溶液（ＳＣ１）供給源
３２ａ バルブ
３４ フッ酸（ＨＦ）供給源
３４ａ バルブ
４０ 排液管
４１ 切り替え部
４２ 第１の回収部
４２ａ バルブ
４２ｂ 第１の排液ライン
４４ 第２の回収部
４４ａ バルブ
４４ｂ 第２の排液ライン
４６ 第３の回収部
４６ａ バルブ
４６ｂ 第３の排液ライン
４８ ドレン部
４８ａ バルブ
４８ｂ ドレンライン
５０ 比抵抗計
７０ 制御部
７２ 記憶媒体

Claims (20)

1. 基板の処理を行う処理部と、
   前記処理部に処理液を供給する処理液供給部と、
   前記処理部に第１の薬液を供給する第１薬液供給部と、
   前記処理部に第２の薬液を供給する第２薬液供給部と、
   前記処理部から排液を排出する排出部と、
   前記排出部に接続された第１の排液ライン及び第２の排液ラインと、
   前記処理部において前記第１の薬液により基板の薬液処理を行った後に前記処理部において基板のリンス処理を行っているときに、前記処理部から排出される排液のうちの基準より高い清浄度を有するものだけを第１の回収液として前記第１の排液ラインに流し、かつ、前記処理部において前記第２の薬液により基板の薬液処理を行った後に前記処理部において基板のリンス処理を行っているときに、前記処理部から排出される排液のうちの基準より高い清浄度を有するものだけを第２の回収液として前記第２の排液ラインに流すように排液の流れを切り替える切り替え部と、
   を備え、
   前記処理液供給部は、前記処理液としての純水を前記処理部に供給する純水供給部分と、前記第１の排液ラインから送られてきた第１の回収液を前記処理液として前記処理部に供給する第１回収液供給部分と、前記第２の排液ラインから送られてきた第２の回収液を前記処理液として前記処理部に供給する第２回収液供給部分と、を有しており、これによって、前記処理部において前記第１の薬液による薬液処理を行うときあるいはこの薬液処理の後のリンス処理を行うときに、純水および前記第１の回収液のうちの少なくとも一方を前記処理部に送ることができ、かつ、前記処理部において前記第２の薬液による薬液処理を行うときあるいはこの薬液処理の後のリンス処理を行うときに、純水および前記第２の回収液のうちの少なくとも一方を前記処理部に送ることができるように構成されていることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記処理液供給部は、前記第１の排液ラインから送られた前記第１の回収液の前記処理部への供給の切り替えを行う第１のバルブと、前記第２の排液ラインから送られた前記第２の回収液の前記処理部への供給の切り替えを行う第２のバルブとを有することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記第１薬液供給部が前記処理部に第１の薬液を供給して基板の薬液処理を行う際に、前記処理液供給部は前記第１の排液ラインから送られた前記第１の回収液を前記処理部に供給し、
   前記第２薬液供給部が前記処理部に第２の薬液を供給して基板の薬液処理を行う際に、前記処理液供給部は前記第２の排液ラインから送られた前記第２の回収液を前記処理部に供給することを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記処理部において前記第１の薬液により基板の薬液処理を行った後に基板のリンス処理を行う際に、前記切り替え部は前記排出部から前記第１の排液ラインに排液が流れるよう切り替えを行うとともに前記処理液供給部は前記第１の排液ラインから送られた前記第１の回収液を前記処理部に供給し、
   前記処理部において前記第２の薬液により基板の薬液処理を行った後に基板のリンス処理を行う際に、前記切り替え部は前記排出部から前記第２の排液ラインに排液が流れるよう切り替えを行うとともに前記処理液供給部は前記第２の排液ラインから送られた前記第２の回収液を前記処理部に供給することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記処理液供給部は、前記第１の排液ラインから送られた前記第１の回収液および前記第２の排液ラインから送られた前記第２の回収液に加えて、純水を選択的に前記処理部に供給するようになっていることを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
6. 前記処理液供給部は、純水の前記処理部への供給の切り替えを行う純水用バルブを有することを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
7. 前記処理部において前記第１の薬液により基板の薬液処理を行った後に基板のリンス処理を行う際に、まず、前記処理液供給部は前記第１の排液ラインから送られた前記第１の回収液を前記処理部に供給し、その後、前記処理液供給部は純水を前記処理部に供給し、
   前記処理部において前記第２の薬液により基板の薬液処理を行った後に基板のリンス処理を行う際に、まず、前記処理液供給部は前記第２の排液ラインから送られた前記第２の回収液を前記処理部に供給し、その後、前記処理液供給部は純水を前記処理部に供給することを特徴とする請求項５または６記載の基板処理装置。
8. 前記処理部において前記第１の薬液により基板の薬液処理を行った後に基板のリンス処理を行う際に、前記処理液供給部は、前記第１の排液ラインから送られた前記第１の回収液と純水とを混合して前記処理部に供給し、
   前記処理部において前記第２の薬液により基板の薬液処理を行った後に基板のリンス処理を行う際に、前記処理液供給部は、前記第２の排液ラインから送られた前記第２の回収液と純水とを混合して前記処理部に供給することを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
9. 前記第１の薬液および前記第２の薬液のうち一方の薬液は酸性であり他方の薬液はアルカリ性であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
10. 前記排出部に接続された第３の排液ラインを更に備え、
    前記切り替え部は、前記処理部から排出される排液のうち、前記第１の排液ラインおよび前記第２の排液ラインに送られる排液よりも比抵抗率が大きい排液が前記第３の排液ラインに流れるように排液の流れを切り替え、
    前記処理液供給部は、前記第３の排液ラインから送られた第３の回収液も前記処理部に供給することができるように構成されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
11. 前記処理液供給部は、前記第３の排液ラインから送られた前記第３の回収液の前記処理部への供給の切り替えを行う第３のバルブを有することを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。
12. 前記第１の排液ラインまたは前記第２の排液ラインから排液が前記第１または第２の回収液として回収された後、所定時間が経過すると回収された排液は廃棄されるようになっていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
13. 処理部において第１の薬液により基板の薬液処理を行う工程と、
    前記第１の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行い、このリンス処理が行われている間に前記処理部から排出される排液のうちの基準より高い清浄度を有するものだけを第１の回収液として回収する工程と、
    前記処理部において基板のリンス処理を行った後に、前記処理部において第２の薬液により基板の薬液処理を行う工程と、
    前記第２の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行い、このリンス処理が行われている間に前記処理部から排出される排液のうちの基準より高い清浄度を有するものだけを第２の回収液として回収する工程と、
    を備え、
    前記第１の回収液を、前記第１の薬液による薬液処理時に前記第１の薬液に混合される液として、若しくは前記第１の薬液による薬液処理の後のリンス処理のためのリンス液の少なくとも一部として用い、かつ、前記第２の回収液を、前記第２の薬液による薬液処理時に前記第２の薬液に混合される液として、若しくは前記第２の薬液による薬液処理の後のリンス処理のためのリンス液の少なくとも一部として用いることを特徴とする基板処理方法。
14. 前記処理部において前記第１の薬液により基板の薬液処理を行う工程において、前記第１の薬液と前記第１の回収液とを混合して前記処理部に送り、
    前記処理部において前記第２の薬液により基板の薬液処理を行う工程において、前記第２の薬液と前記第２の回収液とを混合して前記処理部に送ることを特徴とする請求項１３記載の基板処理方法。
15. 前記第１の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程において、前記第１の回収液を前記処理部に送り、
    前記第２の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程において、前記第２の回収液を前記処理部に送ることを特徴とする請求項１３または１４記載の基板処理方法。
16. 前記第１の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程において、まず、前記第１の回収液を前記処理部に送り、その後、純水を前記処理部に送り、
    前記第２の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程において、まず、前記第２の回収液を前記処理部に送り、その後、純水を前記処理部に送ることを特徴とする請求項１５記載の基板処理方法。
17. 前記第１の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程において、純水と前記第１の回収液とを混合して前記処理部に送り、
    前記第２の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行う工程において、純水と前記第２の回収液とを混合して前記処理部に送ることを特徴とする請求項１５または１６記載の基板処理方法。
18. 前記第１の回収液および前記第２の回収液は、回収されてから所定時間が経過すると廃棄されることを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
19. 基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムであって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、
    前記基板処理方法が、
    前記処理部において第１の薬液により基板の薬液処理を行う工程と、
    前記第１の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行い、このリンス処理が行われている間に前記処理部から排出される排液のうちの基準より高い清浄度を有するものだけを第１の回収液として回収する工程と、
    前記処理部において基板のリンス処理を行った後に、前記処理部において第２の薬液により基板の薬液処理を行う工程と、
    前記第２の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行い、このリンス処理が行われている間に前記処理部から排出される排液のうちの基準より高い清浄度を有するものだけを第２の回収液として回収する工程と、
    を備え、
    前記第１の回収液を、前記第１の薬液による薬液処理時に前記第１の薬液に混合される液として、若しくは前記第１の薬液による薬液処理の後のリンス処理のためのリンス液の少なくとも一部として用い、かつ、前記第２の回収液を、前記第２の薬液による薬液処理時に前記第２の薬液に混合される液として、若しくは前記第２の薬液による薬液処理の後のリンス処理のためのリンス液の少なくとも一部として用いることを特徴とするプログラム。
20. 基板処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記憶された記憶媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板処理装置を制御して基板処理方法を実行させるものにおいて、
    前記基板処理方法が、
    前記基板処理方法が、
    前記処理部において第１の薬液により基板の薬液処理を行う工程と、
    前記第１の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行い、このリンス処理が行われている間に前記処理部から排出される前記第１の薬液を含有する排液のうちの基準より高い清浄度を有するものだけを第１の回収液として回収する工程と、
    前記処理部において基板のリンス処理を行った後に、前記処理部において第２の薬液により基板の薬液処理を行う工程と、
    前記第２の薬液により基板の薬液処理を行った後に、前記処理部において基板のリンス処理を行い、このリンス処理が行われている間に前記処理部から排出される前記第２の薬液を含有する排液のうちの基準より高い清浄度を有するものだけを第２の回収液として回収する工程と、
    を備え、
    前記第１の回収液を、前記第１の薬液による薬液処理時に前記第１の薬液に混合される液として、若しくは前記第１の薬液による薬液処理の後のリンス処理のためのリンス液の少なくとも一部として用い、かつ、前記第２の回収液を、前記第２の薬液による薬液処理時に前記第２の薬液に混合される液として、若しくは前記第２の薬液による薬液処理の後のリンス処理のためのリンス液の少なくとも一部として用いることを特徴とする記憶媒体。

Images