[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP4731629B2 - 有機elデバイスの製造方法 - Google Patents

有機elデバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP4731629B2
JP4731629B2 JP2010028943A JP2010028943A JP4731629B2 JP 4731629 B2 JP4731629 B2 JP 4731629B2 JP 2010028943 A JP2010028943 A JP 2010028943A JP 2010028943 A JP2010028943 A JP 2010028943A JP 4731629 B2 JP4731629 B2 JP 4731629B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
composition
solvent
organic
light emitting
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2010028943A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010157751A (ja
Inventor
貞男 神戸
関  俊一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cambridge Display Technology Ltd
Original Assignee
Cambridge Display Technology Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cambridge Display Technology Ltd filed Critical Cambridge Display Technology Ltd
Priority to JP2010028943A priority Critical patent/JP4731629B2/ja
Publication of JP2010157751A publication Critical patent/JP2010157751A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4731629B2 publication Critical patent/JP4731629B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/15Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/115Polyfluorene; Derivatives thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/151Copolymers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/621Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/14Macromolecular compounds
    • C09K2211/1441Heterocyclic
    • C09K2211/1466Heterocyclic containing nitrogen as the only heteroatom

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)

Description

本発明は、吐出装置を用いる機能性材料のパターン膜形成に用いられ、安定して吐出できる組成物(吐出組成物)、及び該組成物を用いて均一な膜(機能膜)を形成する膜の製造方法、並びに前記組成物を用いて形成された発光材料層を具備する機能素子、特に発光ディスプレイ用途に有用な有機EL素子等の機能素子(表示素子)及びその製造方法に関する。
従来、機能材料のパターン化はフォトリソグラフィー法により行われていた。この方法はコスト的に高い、工程が複雑という欠点があるため、最近、簡便で低コスト化が可能となる吐出装置による機能材料のパターンニングが検討されている。特にインクジェットプリンティング装置を用いた方法が検討されている。
例えば、インクジェットプリンティング装置を用いた微細パターニングの例として液晶表示体用のカラーフィルター製造の例があげられる。これは赤、緑、青の三色のインクを打ち出すノズルを有するプリンティング装置により、赤、緑、青の染料又は顔料インク等を適宜打ち分け、カラーフィルターとするものである。この製造方法に用いられるインクは、通常水溶性の極性インクである。このような水溶性のインクは、乾燥によるノズルのつまりを防ぐためにグリセリン等の溶媒を添加している例が多い。
また、例えば、有機蛍光材料等の発光材料をインク化し、インクジェット法により当該インク(組成物)を基材上に吐出により供給し、発光材料のパターニングを行う方法を採用して、陽極及び陰極間に該発光材料の層が挟持された構造のカラー表示装置、特に発光材料として有機発光材料を用いた有機EL(エレクトロルミネセンス)表示装置の開発が行われている。
このカラー表示装置(有機EL表示装置)の作製は、例えば以下の通りである。
まず、蛍光材料を適当な溶媒に溶解しインク化する。このインク(組成物)を有機EL表示装置の陽極としての透明電極付き基材上の該透明電極を覆うように吐出する。ここで、電極は一面に形成されたもの、あるいは短冊状、モザイク状のパターン形状等を有するもので、電源に接続され駆動され得る構造である。続いて、インクに対する溶剤を乾燥除去して発光材料層を形成した後、この発光材料層上に、仕事関数の小さな金属、例えば銀、リチウム、カルシウム、アルミニウム等の金属を適宜、蒸着やスパッタ等の方法に堆積させ、陰極を形成する。こうして、陽極及び陰極間に該発光材料の層が挟持された構造の表示装置が得られる。
従来のこのようなインクジェットプリンティング法によるパターンの形成法は、無製版、省資源、省力化等の非常に優れた特徴がある反面、組成物(吐出組成物)に用いる材料に制限を受ける欠点があった。
インクジェット法では、吐出組成物の溶媒成分として、例えば、エタノール、水等の溶媒を使用するが、非極性、あるいは極性の弱い機能材料、あるいは高分子の機能材料(発光材料等)にはこれら溶媒に溶解しないものがある。さらに水や、アルコール類と反応したり、アルコール類により分解する機能材料は使用できない等の欠点がある。
また、機能材料を溶かす溶媒として、ベンゼン、トルエン、キシレン等の、非極性の材料を良く溶かす溶媒を使用した場合、沸点が低い(蒸気圧が高い)ため、乾燥し易く、ノズルの目詰まりを起こし易い欠点がある。また、吐出時あるいは吐出後、膜の形成において、溶媒の揮発により吐出組成物から気化熱を奪い、吐出組成物の温度を下げ機能材料の析出を促進することがある。その上、機能材料が多成分系の場合、相分離を起こし、不均一となり機能膜の本来の役目を果たさなくなる欠点があった。
更に、このような簡単には使用できない、溶解度の小さな材料を無理して用い、吐出組成物の濃度を濃くした場合、析出、目詰まり等をおこす。目詰まりを阻止しようとして、濃度を薄くした場合、機能材料の特性を出すためには多数回吐出する必要があり、工程数を増やす必要がある等の欠点があった。
本発明の目的は、従来の機能材料のパターン化の方法であるフォトリソグラフィー法に代わるインクジェットプリンティング法に採用でき、機能材料として、非極性、あるいは極性の弱い材料や、水と反応し易い反応性の材料を使用できる組成物を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、吐出時の目詰まりを防ぎ、安定な吐出を達成し、吐出中の内容物の析出、さらに吐出後の膜の形成において相分離を防ぐ組成物を提供することにある。更に、本発明の他の目的は、均一な膜(機能膜)の製造方法、有機EL素子等の機能素子(表示素子)及びその製造方法を提供することにある。
本発明は、1以上の置換基を有し、該置換基の炭素の総数が3以上のベンゼン誘導体の少なくとも1種を含む溶媒と、機能材料とからなることを特徴とする組成物を提供することにより、上記目的を達成したものである。
また、本発明は、前記組成物を用いて形成されたことを特徴とする膜の製造方法を提供するものである。また、本発明は、第一及び第二の電極間に、前記組成物を用いて形成された発光材料層を具備する機能素子及びその製造方法を提供するものである。
第1図は、本発明の組成物を用いた機能性薄膜及び機能素子としての有機EL素子の製造工程を模式的に示す斜視図である。 第2図は、本発明の組成物を用いた機能素子としての有機EL素子の製造工程の一部(基板形成工程〜正孔注入/輸送層形成工程)を模式的に示す概略断面図である。 第3図は、本発明の組成物を用いた機能素子としての有機EL素子の製造工程の一部(発光層形成工程〜封止工程)を模式的に示す概略断面図である。
以下、本発明の組成物、膜の製造方法、並びに機能素子及びその製造方法について、詳細に説明する。
本発明の組成物は、1以上の置換基を有し、該置換基の炭素の総数が3以上のベンゼン誘導体の少なくとも1種を含む溶媒と、機能材料とからなることを特徴とする。
尚、ここでいう「該置換基の炭素の総数が3以上」とは、ベンゼン誘導体に置換している置換基全ての炭素の総数(和)が3以上であることをいう。従って、例えば、一つの置換基の炭素数が1又は2であるメチル基やエチル基を有するものでも、他の置換基と合わせることで炭素数が3以上となるものであれば、本発明に係る前記ベンゼン誘導体に包含される。
本発明の組成物に用いられる前記ベンゼン誘導体は、前述の通り1以上の置換基を有するものである。この一置換基としては、全置換基の炭素の総数が3以上となるようなものであれば、特に制限はなく、例えば、直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基等が挙げられ、更にこれらの炭化水素基中に酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を含有するものであってもよい。また、各置換基同士は、互いに結合して、シクロアルカン環等の環構造を形成してもよい。
また、前記ベンゼン誘導体は、その炭素の総数が、前記の通り3以上であるが、非極性、あるいは極性の弱い機能材料の溶解性をより向上できる点で、好ましくは3〜12であり、更に好ましくは3〜6である。
前記ベンゼン誘導体は、これを少なくとも含む溶媒として本発明の組成物に用いられる。そのような溶媒としては、前記に例示したベンゼン誘導体の1種からなる単一溶媒又は該ベンゼン誘導体の二種以上からなる混合溶媒でもよく、また、前記ベンゼン誘導体と、前記ベンゼン誘導体以外の溶媒との混合物でもよい。
ここで、前記ベンゼン誘導体以外の溶媒としては、キシレン、トルエン等の、1以上の置換基を有し、該置換基の炭素の総数が2以下(3未満)のベンゼン誘導体や、無置換のベンゼン化合物の他、炭素原子を含まない置換基で置換されたベンゼン誘導体等が挙げられる。
本発明の組成物に用いられる機能材料としては、特に制限されるものではなく、非極性、あるいは極性の弱い材料や、水と反応し易い反応性の材料であっても使用することができる。このような機能材料としては、本発明の組成物の用途に応じた材料が用いられ、例えば、有機EL材料等の発光材料、シリカガラスの前駆体、カラーフィルター用材料、有機金属化合物等の導電性材料、誘電体あるいは半導体材料等が挙げられ、特に、有機EL材料、シリカガラスの前駆体、カラーフィルター用材料が好適である。
本発明の組成物は、種々の用途に用いられるものであるが、特に、インクジェット法に好適に使用される。
本発明の上記ベンゼン誘導体を必須とする組成物を使用すれば、特に、可溶となる材料の選択性が広くなり、少なくとも吐出中での乾燥が防止され、安定な吐出が可能となり、均一、均質で、微細な膜(機能膜)が得られる。この優れた膜を作製するには、前述した本発明の組成物を基材上に吐出供給打ち分けた後、該基材を熱処理(加熱)すること等により行われる。具体的には、吐出装置により基板上に、本発明の組成物を吐出打ち分けた後、基板を吐出時温度より高温に処理する方法等が挙げられる。一般的には吐出温度は室温であり、吐出後基板を加熱する。このような処理をすることにより、吐出後溶媒の揮発による温度の低下により析出した内容物が再溶解され、相分離がなく、均一、均質な膜を得ることが出来る。
加熱処理の温度は、室温付近であまり効果がみられず、40℃以上で効果が現れる。200℃を超えると加熱した途端溶剤が蒸発し効果がなくなる。以上より加熱処理温度としては40℃〜200℃が好適である。更に好ましくは50〜200℃で加熱することにより、より均一、均質な機能膜を得ることができる。かかる加熱処理温度の設定により下記の効果が得られる。特に、インクジェット法により組成物(インク)を吐出する場合、一般に、溶媒が気化し、インク滴の温度が下がり、内容物の析出が考えられる。インクの内容物が2種以上の成分よりなる場合、均一混合系から不均一混合系に変化する場合がある。この場合、発光材料内で相分離が起こり、均一系で得られる色度、発光効率などが得られなくなる。そこで、上記温度範囲で加熱により熱処理することにより、吐出された組成物の内容物が再溶解され、より均一化するといった効果がある。
また、膜の製造に際しては、熱処理(加熱)だけでなく、必要に応じて減圧、加圧若しくはこれらと加熱との組合せにより行うこともできる。
例えば、減圧と加熱との組合わせとして、加熱処理後に、そのまま直ちに減圧にし、溶媒を除去することが好ましい。減圧にする際の圧力は、より均一、均質な機能膜を得ることが出来る点で、好ましくは20×10-3mmHg(Torr)以下である。この様にすることにより組成物の濃縮時の内容物の相分離を防ぐことが出来る。即ち、一度再溶解した内容物が濃縮される際に一気に溶媒を除き、不均一化する前に内容物を均一に固定することにより、内容物の不均一化(相分離)は防げ、形成される発光材料の層で、所望の当初の目的とする発光強度、色度が得られる。
また、加熱処理開始から減圧を開始する時点までの時間については、吐出量や材料の特性に応じて設定する。
本発明の組成物をインクジェット法に適用して上記の膜(機能膜)を作製する際に使用される吐出装置としては、インクジェットプリンティング装置、ディスペンサー等が挙げられ、好ましくはインクジェットプリンティング装置である。
また、本発明の組成物を使用すれば、特に発光ディスプレイ用途に有用な有機EL素子等の優れた機能素子が得られる。具体的には、第一及び第二の電極間に、前述した本発明の組成物を用いて形成した発光材料層を具備する表示装置(好ましくは、前記第一の電極と前記発光材料層との間に、更に、正孔注入/輸送層を設けてなるもの)が得られる。
ここで、正孔注入/輸送層とは、正孔等のホールを内部に注入する機能を有するとともに、正孔等のホールを内部において輸送する機能をも有する層をいう。このような正孔注入/輸送層を設けることにより、特に有機EL素子の発光効率、寿命等の素子特性が向上するため好ましい。
尚、機能素子としては、有機発光材料を用いた薄い、軽い、低消費電力、高視野角というマルチカラーの表示素子、例えば、上記有機EL素子のほか、複数の画素を有し、各画素に薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が設けられたディスプレイ等が挙げられる。
この優れた機能素子としての表示装置を製造するには、第一の電極を有する基材上に、前述した本発明の組成物を選択的に供給し、好ましくは加熱、又は減圧、加圧若しくはこれらと加熱との組合せによる処理を施して発光材料層パターンを形成し、続いて該発光材料層パターン上に第二の電極を形成すること(好ましくは、第一の電極を有する前記基材上に、極性溶媒を含む溶液を用いてインクジェット法により正孔注入/輸送層を形成した後、該正孔注入/輸送層上に、特に好ましくは非極性溶媒を用いた溶液を用いて前記発光材料層パターンを形成すること)等により行われる。このようにして、優れた有機EL素子等を得ることができる。
上記機能素子における本発明の組成物を用いた機能膜としての発光材料層は、前記の膜(機能膜)の製造方法に準じて形成することが好ましい。
また、正孔注入/輸送層の形成する場合に用いられる、極性溶媒を含む溶液(組成物)としては、例えば、ポリエチレンジオキシチオフェン等のポリチオフェン誘導体や、ポリスチレンスルホン酸等の成分を、α−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン及びその誘導体、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート等のグリコールエーテル類等の極性溶媒に配合したもの等が挙げられる。このような極性溶媒を用いることにより、ノズル詰まりなく安定吐出ができ、成膜性に優れるため好ましい。
以下、本発明の組成物を、その好ましい実施形態に基づいて詳述する。
〔第1実施形態〕
本発明の組成物の第1実施形態は、吐出装置を用いる機能材料のパターン膜形成に用いられる組成物であって、1以上の置換基を有し、該置換基の炭素数の総数が3以上のベンゼン誘導体を少なくとも含む溶媒と機能材料よりなる組成物である。
本実施形態によれば、非極性又は極性の弱い機能材料を良好に溶解でき、機能材料の選択性を広げるとともに、特に蒸気圧が相対的に低い溶媒を使用する場合には、遅乾性の観点から、溶媒吐出時の目詰まりを防ぎ、安定した吐出を可能とし、特に後の加熱、又は加圧や加熱直後の減圧等の処理を加熱と組合せることにより、吐出後成膜時における内容物の析出、相分離の防止を達成することができるという効果を奏する。
第1実施形態に適合する、1以上の置換基を有し、該置換基の炭素数の和が3以上のベンゼン誘導体を少なくとも含む溶媒としては、クメン、シメン、シクロヘキシルベンゼン、ドデシルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ジペンチルベンゼン、ブチルベンゼン、テトラリン、テトラメチルベンゼン等の単一溶媒、あるいはこれらの溶媒の混合溶媒が考えられる。あるいはこれら単一溶媒、または混合溶媒に適宜、キシレン、トルエン、ベンゼン等を加えても良い。ここに例示したような単一溶媒、あるいは混合溶媒を用いることにより非極性、あるいは極性の弱い機能材料を溶解した組成物が可能となる。つまり、材料の選択性が広まる。また、このような単一溶媒、あるいは混合溶媒を用いることにより、目詰まりを防ぐことが出来る。
第1実施形態の組成物に用いられるベンゼン誘導体の沸点は、200℃以上であることが好ましい。このような溶媒には、ドデシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン、ジペンチルベンゼン、ペンチルベンゼン等がある。これらの溶媒を用いることにより、溶媒の揮発を一層防ぐことができ、尚好適である。
第1実施形態の組成物に用いられるベンゼン誘導体としては、ドデシルベンゼンであることが好ましい。ドデシルベンゼンとしてはn−ドデシルベンゼン単一でも良く、また異性体の混合物でも良い。
この溶媒は、沸点300℃以上、粘度6mPa・s以上(20℃)の特性を有し、この溶媒単一でももちろん良いが、他の溶媒に加えることにより、組成物の乾燥を防げ、好適である。また上記溶媒のうちドデシルベンゼン以外は粘度が比較的小さいため、この溶媒を加えることによる粘度調整もできるため非常に好適である。
第1実施形態に適合する機能材料としては、有機EL材料を考えることができる。特に、極性が無いか、極性の弱い材料よりなる有機EL材料であることが好ましい。例えば(ポリ)パラフェニレンビニレン系、ポリフェニレン系、ポリフルオレン系、ポリビニルカルバゾール系の誘導体よりなるEL材料、その他ベンゼン誘導体に可溶な低分子有機EL材料、高分子有機EL材料等も考えることができる。例えばルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン、ポリチオフェン誘導体等も使用可能である。また、有機EL表示体の周辺材料である電子輸送性、ホール輸送性材料に対しても使用可能である。
また、第1実施形態に適合する機能材料としては、前記有機EL材料の他に、半導体等に多用される層間絶縁膜のシリコンガラスの前駆物質であるポリシラザン(例えば東燃製)、有機SOG材料等も考えられる。
更に、第1実施形態の組成物を形成する機能材料としては、カラーフィルター用材料であることも好ましい。該カラーフィルター用材料としては、例えば、スミカレッドB(商品名、住友化学製染料)、カヤロンフアストイエローGL(商品名、日本化薬製染料)、ダイアセリンフアストブリリアンブルーB(商品名、三菱化成製染料)等の昇華染料を各種選択できる。
更にまた、機能材料として有機金属化合物を用いても良い。あるいは前記溶媒に溶解するものであれば、どのような機能材料でも組成物としては使用可能である。
第1実施形態の組成物を使用することにより、吐出装置を用いる機能材料のパターン膜等の機能膜を作製することができる。かかる機能膜の作製法は、前記の膜の製造方法に従って行うことができる。即ち、第1実施形態の組成物を基材上に吐出供給打ち分けた後、該基材を好ましくは40℃〜200℃で加熱処理することにより機能膜を得ることができる。特に、第1実施形態においては、この加熱処理温度を50〜200℃とすることにより、より均一、均質な機能膜を得ることが出来るため更に好ましい。また、第1実施形態においては、高温処理の時に、加圧しながら加熱することが好ましい。この様にすることにより、加熱時の溶媒の揮発を遅らすことが出来、内容物の再溶解が更に完璧になる。その結果、より均一、均質な機能膜を得ることが出来る。加圧する際の圧力は、更に均一、均質な機能膜を得ることが出来る点で、好ましくは1520〜76000mmHg(2〜100気圧)である。
また、第1実施形態の組成物の加熱処理においては、組成物が完全に乾燥する前に、前述のように減圧等により溶媒を除去することが好ましい。
第1実施形態の組成物を適用できる吐出装置としては、インクジェットプリンティング装置、ディスペンサーなどを用いることが出来るが、インクジェットプリング装置がその微細さ、正確さにより好ましく、該インクジェットプリンティング装置を用いることにより微細な機能膜が簡便、かつ低コストで製造できる。
第1実施形態の組成物を使用することにより、前述した機能素子として有用な有機EL素子等の表示装置(好ましくは前記第一の電極と前記発光材料層との間に、正孔注入/輸送層を設けてなる表示装置)を好適に得ることができる。
〔第2実施形態〕
本発明の組成物の第2実施形態は、ドデシルベンゼンを少なくとも含む溶媒と、下記化合物1乃至5の少なくとも1種のフルオレン系高分子誘導体とを含有する組成物である。即ち、第2実施形態は、本発明の組成物において、第2実施形態に適合する、1以上の置換基を有し、該置換基の炭素数の和が3以上のベンゼン誘導体を少なくとも含む溶媒として、ドデシルベンゼンを少なくとも含む溶媒を用い、第2実施形態に適合する機能材料として、化合物1乃至5の少なくとも1種のフルオレン系高分子誘導体を用いたものである。
本実施形態は、前述した第1実施形態のより好ましい形態であり、ドデシルベンゼンといった蒸気圧の低い溶媒を使用しており、遅乾性の観点から、溶媒吐出時の目詰まりを防ぎ、安定した吐出を可能とし、特に好ましくは後述する加熱及び加圧又は加熱直後の減圧により相分離なく均一な膜を得ることができるという効果を奏する。
本実施形態は上記のように第1実施形態のより好ましい形態であるため、本形態の項で特に詳述しない点に関しては、前記第1実施形態について詳述したことが適宜適用される。
Figure 0004731629
第2実施形態について詳述する。当該実施形態の組成物は、その溶媒としてドデシルベンゼンを使用することにより、当該組成物をインクジェット法によりパターン形成する際のインク組成物として用いる場合、当該ドデシルベンゼンの遅乾性効果が発現されるため、インクジェットヘッドからの吐出時の過度の乾燥が防止され、特にインクジェットヘッドにおける目詰まりを防ぐことができる。また、吐出後も被吐出材上に吐出物が液状で残存し、加熱等の後処理が可能になる。更に、上記特定の構造のフルオレン系高分子誘導体(化合物1〜5)は、発光材料として配合され、発光強度が強く、また極性が弱いためドデシルベンゼンに対して溶解性が良好であり、この発光材料と溶媒との組み合わせによれば、特に有機EL表示装置の構成部材として良好にパターニング可能である。
第2実施形態の組成物においては、溶媒として、ドデシルベンゼンに、発光材料を溶解し得る種々の第二溶媒を混合して用いることができる。好ましくは、沸点140℃以上の溶媒を混合して用いる。かかる沸点140℃以上の第二溶媒としては、シメン、テトラリン、クメン、デカリン、ジュレン、シクロヘキシルベンゼン、ジヘキシルベンゼン、テトラメチルベンゼン、ジブチルベンゼン等を用いることができる。特に、ベンゼン環に炭素数3以上の置換基を有する化合物を有する溶媒を用いることが好ましい。また、テトラリン、1,2,3,4−テトラメチルベンゼン、1,2,3,5−テトラメチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、デカリン、ジブチルベンゼン等の沸点180℃以上の溶媒を用いることが好ましい。これらの溶媒を加えることによりインクとしての組成物の濃度、乾き速度等調節することができる。また、ドデシルベンゼンの高粘性を下げる効果もある。更に、上記180℃以上の沸点を有する溶媒としてテトラリンを用いた組成物は、その濃度を濃くできる利点がある。その他、溶媒として、トルエン、キシレン、クロロホルム、四塩化炭素等を用いることができる。
第2実施形態に適合する機能材料としての発光材料としては、上記特定のフルオレン系高分子誘導体に加えて、(ポリ)パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、非極性または極性の弱い材料等が好適であるが、その他ベンゼン誘導体に可溶な低分子有機EL材料、高分子有機EL材料等も使用できる。例えばルブレン、ペリレン、9,10−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン6、キナクリドン等も使用可能である。また、有機EL表示装置を構成するホール輸送材料や電子輸送材料等も適使用することが可能である。
また、前記発光材料として、下記構造を有する化合物(6)を加えてもよい。
Figure 0004731629
第2実施形態の組成物を使用することにより、前記の第1実施形態と同様に、前述した機能素子として有用な有機EL素子等の表示装置(好ましくは前記第一の電極と前記発光材料層との間に、正孔注入/輸送層を設けてなる表示装置)を好適に得ることができる。
第2実施形態の組成物を使用して前記発光材料層を作製するに際しては、例えば、前述のように、該組成物を吐出装置により基板上に吐出打ち分けた後、基板を吐出時温度より高温(好ましくは40℃〜200℃)に加熱処理する。加熱処理工程は、高温で行うほどよいが、低沸点溶媒を用いた場合、吐出直後に乾燥が終了してしまいこの工程の利点が充分に得られない恐れがある。本実施形態によれば、高沸点溶媒であるドデシルベンゼンを用いているため、熱処理することにより、吐出された組成物の内容物が再溶解され、より均一化するという前述の効果が絶大となる。
上記の組成物の加熱処理は、前記の第1実施形態の場合と同様の温度で行うことが好ましい。また、上記の組成物の加熱処理は、前記の第1実施形態と同様に、加圧下で行うことが好ましく、更に、上記の組成物の熱処理において、組成物が完全に乾燥する前に減圧等により溶媒を除去することが好ましい。
〔第3実施形態〕
本発明の組成物の第3実施形態は、1以上の置換基を有し、該置換基の炭素の総数が3以上であり且つ蒸気圧(室温、以下同じ)が0.10〜10mmHgのベンゼン誘導体の少なくとも1種を含む溶媒と、機能材料とからなる組成物である。即ち、第3実施形態は、本発明の組成物において、第3実施形態に適合する、1以上の置換基を有し、該置換基の炭素数の和が3以上のベンゼン誘導体を少なくとも含む溶媒として、蒸気圧が0.10〜10mmHgのベンゼン誘導体を少なくとも含む溶媒を用いたものである。
本実施形態によれば、非極性又は極性の弱い機能材料を良好に溶解できるとともに、溶媒吐出時の目詰まりを防ぎ、安定した吐出を可能とし、かつ、吐出中の内容物の析出、吐出後成膜時における相分離の防止を達成することができるという効果を奏する。特に、上記範囲の蒸気圧の溶媒を使用すれば、ある程度乾きにくく、材料が相分離を起こさない程度に早く乾燥するといったバランスのある特性が得られ、室温での自然乾燥で相分離なく成膜がなされる。
第3実施形態の組成物に用いられる前記の蒸気圧が0.10〜10mmHgのベンゼン誘導体の少なくとも1種を含む溶媒としては、1,2,3,4−テトラメチルベンゼン、1,2,3,5−テトラメチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、ペンチルベンゼン、メシチレン、クメン、シメン、ジエチルベンゼン、テトラリン、デカリン等が挙げられ、これらのうち、特に、1,2,3,4−テトラメチルベンゼンが好ましい。
また、前記ベンゼン誘導体としては、蒸気圧0.10〜0.50mmHgのベンゼン誘導体の少なくとも1種と、蒸気圧0.50〜10mmHgのベンゼン誘導体の少なくとも1種との混合物であることも好ましい。
ここで、前記の蒸気圧0.10〜0.50mmHgのベンゼン誘導体としては、テトラメチルベンゼン又はシクロヘキシルベンゼンであることが好ましい。
また、前記の蒸気圧0.50〜10mmHgのベンゼン誘導体としては、ジエチルベンゼン及び/又はメシチレンであることが好ましい。
第3実施形態の組成物に適合する機能材料としては、特に制限されるものではなく、例えば、前記の有機EL材料、シリコンガラスの前駆物質等を本実施形態に適用することができるが、特に、フルオレン系高分子誘導体の少なくとも1種、とりわけ、前述した第2実施形態の組成物に用いられる前記化合物1〜5が好適である。従って、本実施形態に用いられる機能材料としては、前述した第2実施形態において説明した機能材料としての発光材料が適宜適用される。
また、第3実施形態の組成物は、成膜後、加熱、又は加熱と減圧との組合せにより残留溶媒を除去することにより、特定の優れた素子を得ることができる。このとき、加熱温度は、40℃〜200℃、特に50〜100℃が好ましい。また、減圧時の圧力は、20×10-3mmHg以下が好ましい。また、吐出後(基板全面に吐出後)、液滴が残っていても、加熱、又は加熱と減圧との組合せの下で成膜してもよい。
第3実施形態の組成物を使用することにより、前記の第1及び第2実施形態と同様に、前述した機能素子として有用な有機EL素子等の表示装置(好ましくは前記第一の電極と前記発光材料層との間に、正孔注入/輸送層を設けてなる表示装置)を好適に得ることができる。
以下、実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例により何等制限されるものではない。
〔第1実施形態の実施例〕
(実施例1−1)
ITO(インジウムチンオキサイド)透明電極付きガラス基板の電極がある面側に、ポリビニルカルバゾールのテトラヒドロフラン溶液を塗布し、スピンコート法により0.1マイクロメータのポリビニルカルバゾール膜を形成した。該膜上に、インクジェットプリンティング装置を用い、ポリヘキシルオキシフェニレンビニレンのキシレン/テトラリンの0.1重量パーセント混合溶液(キシレン/テトラリン=1/4、体積比)を所定の形状に吐出した。更にこの上にアルミニウムを蒸着した。
ITOとアルミニウムよりリード線を引き出し、ITOを陽極、アルミニウムを陰極として10ボルトの電圧を印加したところ、所定の形状で橙色に発光した。従来のキシレンのみを溶媒としたインキを吐出する場合、乾燥が速く、目詰まりをおこし、すぐに使えなくなってしまったのに対し、本方法によれば目詰まりをおこすことはなくなった。
(実施例1−2)
シメンとテトラリンの混合溶液(シメン/テトラリン=1/1)にポリシラザンの20重量パーセントキシレン溶液(東燃製)を混合溶媒に対して20体積パーセントになるように調合した。このようにして得られたポリシラザン溶液をインクジェットプリンティング装置により、プラスチック製液晶パネル面に全面濡れるように吐出し、乾燥した。反対側も同じ処理をし、両面ポリシラザン膜とした。このパネルを85℃、90パーセントの恒温恒室槽にいれ20分間放置し、シリカガラス膜とした。このパネルを取り出し乾燥したのち、2枚の偏光板が直交するように両側から張り合わせた。
この方法によりポリシラザンの使用量がスピンコート法に比べ激減し、ほぼロスなしでシリカガラス膜が形成できた。また、液晶パネルのガス透過率が改善され液晶パネルの寿命も改善された。
(実施例1−3)
シメンとテトラリンの混合溶液(シメン/テトラリン=1/1)にポリシラザンの20重量パーセントキシレン溶液(東燃製)を混合溶媒に対して20体積パーセントになるように調合した。このようにして得られたポリシラザン溶液をインクジェットプリンティング装置により、半導体素子形成及びアルミ配線を施したシリコン基板上に吐出し、全面塗布した。塗布後、150℃で、20分乾燥し、しかる後、水蒸気雰囲気中350℃で2時間焼成した。
その結果、スピンコート法による場合と、略同じ特性のシリカガラスによる平坦化膜が得られた。しかし使用量は2桁程少なくなった。
(実施例1−4)
更に本発明の実施の形態について詳細に説明する。図1に示すように、モザイク状に区切られたITO(インジウムチンオキサイド)透明電極、および透明電極を囲む土手付きガラス基板の電極上に、赤、緑、青に発色する有機EL材料を溶解した下記に示す吐出組成物を各色モザイク状に配列する様インクジェットプリンティング装置により打ち分けた。固形物の溶媒に対する割合はいずれも0.4%(重量/体積)である。図1において、1はノズル、2はガラス基板、3はITO透明電極、4は土手(仕切り)、5は組成物(インク滴)をそれぞれ示す。
<吐出組成物>
溶媒 ドデシルベンゼン/テトラリン(1/1、体積比)
赤 ポリフルオレン/ペリレン染料(98/2、重量比)
緑 ポリフルオレン/クマリン染料(98.5/1.5、重量比)
青 ポリフルオレン
吐出により得られた基板を100℃で加熱し、溶媒を除去してからこの基板上に適当な金属マスクをしアルミニウムを2000オングストローム蒸着した。
ITOとアルミニウムよりリード線を引き出し、ITOを陽極、アルミニウムを陰極として15ボルトの電圧を印加したところ、所定の形状で赤、緑、青色に発光した。従来のキシレンのみを溶媒としたインキを吐出する場合、乾燥が速く、目詰まりをおこし、すぐに使えなくなってしまったのに対し、本方法によれば目詰まりをおこすことはなくなった。また吐出後基板を加熱し内容物を再溶解したため、内容物の分離が防げ、発光スペクトル等に何ら問題はない。キシレン等の低沸点溶媒を用いた場合、吐出直後から乾燥が始まり、気化熱の除去等により内容物の析出、相分離が起こり発光スペクトルの変化が起こり、望ましくなかった。
上記各ITO電極がTFT素子につながっておれば、現在流通している液晶ディスプレイと同様なディスプレイが有機ELにより作製できることになる。
(実施例1−5)
実施例1−4と同様にして吐出した基板を100℃で1分乾燥した後、直ちに減圧(2mmHg)で溶媒を除去した。このようにして得られた基板を用い、実施例1−4と同様な方法によりパネルを作成し点灯したところ実施例1−4と同じような結果が得られた。
(実施例1−6)
実施例1−4と同様にして吐出した基板をベルジャー内に設置し、チッソガスを封入し内圧を2気圧とし、100℃で乾燥、溶媒を除去した。このようにして得られた基板を用い、実施例1−4と同様な方法によりパネルを作成し点灯したところ実施例1−4と同じような結果が得られた。
〔第2実施形態の実施例〕
(実施例2−1)
本実施例では、カラー表示装置を作製する。
本実施例におけるプロセスについても、前述した第1実施形態の実施例と同様に、図1により説明することができる。即ち、図1に示す構造では、ITO透明電極3は、ドット状パターンで形成されており、個々独立してTFT素子(不図示)に直結されて画素を形成し駆動可能である。各画素(ITO透明電極3のドット)の境界部で各画素を区画するように土手4が形成されており、ノズルから打ち出された組成物(インク組成物)5が土手4により仕切られたITO透明電極上に供給され付着する。組成物として、三色の発光材料を用いることでマルチカラーの発光ディスプレイを作製することができる。
まず組成物(インク組成物)として下記表1に示す処方で発光材料を溶媒に対して配合して三種の組成物を調製した。発光材料としては前述した本発明で特徴的な化合物1乃至5から選択し、更に必要に応じて化合物6を用いている。
次にインクジェット装置を用いポリイミドからなる土手4を有し、画素毎にTFTが設けられた基板(TFT基板)上に該組成物を吐出した。吐出される領域(土手4で区画された領域)の大きさは30μm×30μm、ピッチ70μmであり、組成物(インク組成物)の吐出のピッチは70μmとした。インクジェットのヘッドにおける目詰まり等を生じることなく良好に吐出がなされ、モザイク状に三種のインクが配列した基板を得ることができた。
Figure 0004731629
この基板を窒素雰囲気中、100℃のホットプレート上で熱処理して発光層を得た。得られた発光層の膜厚は0.08〜0.1μmであった。更に発光層上に弗化リチウム(100nm)、カルシウム(100nm)、アルミニウム(150nm)の順に蒸着し、得られた積層構造をエポキシ樹脂で封じ有機EL表示装置を得た。
各ITO透明電極(ドット)に設けられたTFT素子を10ボルトで駆動したところ、画素に所望の色(当該画素に設けられた発光層に相当する色)を表示することができた。また動画の表示も可能であった。特に、Gインクを吐出した画素において、発光波長スペクトルの440nmと530nmのピーク比を測定したところ(440nm/530nm)、1.0であり、視覚的に良好に緑色が表示されていた。
(実施例2−2)
下記表2に示す組成で発光材料を溶媒に対して配合して三種の組成物(インク組成物)を調製し、実施例2−1と同様にして、インクジェット装置を用い図1に示すようにポリイミドからなる土手4を有する基板(TFT基板)上に吐出した。吐出される領域(土手4で区画された領域)の大きさは30μm×30μm、ピッチ70μmであり、吐出のピッチは70μmとした。インクジェットのヘッドにおける目詰まり等を生じることなく良好に吐出がなされ、モザイク状に三種のインクが配列した基板を得ることができた。
Figure 0004731629
この基板を窒素雰囲気中、100℃のホットプレート上で熱処理し発光層を形成した。得られた発光層の膜厚は0.08〜0.1μmであった。更に発光層上に弗化リチウム(100nm)、カルシウム(100nm)、アルミニウム(150nm)の順に蒸着し、得られた積層構造をエポキシ樹脂で封じ有機EL表示装置を作成した。
各ITO透明電極(ドット)に設けられたTFT素子を10ボルトで駆動したところ、画素に所望の色(当該画素に設けられた発光層に相当する色)を表示するすることができた。また動画の表示も可能であった。特に、Gインクを吐出した画素において、発光波長スペクトルの440nmと530nmのピーク比を測定したところ(440nm/530nm)、1.0であり、視覚的には良好に緑色が表示されていた。
(実施例2−3)
実施例2−1と同様にして、まず上記表1に示す組成の三種の組成物(インク組成物)を調製し、インクジェット装置を用い図1で示すようにポリイミドからなる土手4を有するTFT基板上に当該インクを吐出した。インクジェットヘッドにおいて良好に目詰まりを生じることなく、良好な吐出がなされた。
この基板を窒素雰囲気中、100℃のホットプレート上で1分間熱処理し、すぐに減圧(水銀柱1mmHg)にし、溶媒を除去して発光層を得た。得られた発光層の膜厚は0.08〜0.1μmであった。更にこの上に弗化リチウム(100nm)、カルシウム(100nm)、アルミニウム(150nm)の順に蒸着した。得られた積層構造をエポキシ樹脂で封じ有機EL表示装置を得た。
各ITO透明電極(ドット)に設けられたTFT素子を10ボルトで駆動したところ、画素に所望の色(当該画素に設けられた発光層に相当する色)を表示することができた。また動画の表示も可能であった。特に、Gインクを吐出した画素において、発光波長スペクトルの440nmと530nmのピーク比を測定したところ(440nm/530nm)、1.8であり、より良好な緑色が表示されていた。
(実施例2−4)
実施例1と同様にして、まず上記表1に示す組成の三種の組成物(インク組成物)を調製し、インクジェット装置を用い図1で示すようにポリイミドからなる土手4を有するTFT基板上に当該インクを吐出した。インクジェットヘッドにおいて良好に目詰まりを生じることなく、良好な吐出がなされた。
この基板を2気圧の窒素雰囲気中、150℃のホットプレート上で1分間熱処理し、すぐに減圧(水銀柱1mmHg)にして溶媒を除去した。得られた発光層の膜厚は0.08〜0.1μmであった。更にこの上に弗化リチウム(100nm)、カルシウム(100nm)、アルミニウム(150nm)の順に蒸着した。得られた積層構造をエポキシ樹脂で封じ有機EL表示装置を得た。
各ITO透明電極(ドット)に設けられたTFT素子を10ボルトで駆動したところ、画素に所望の色(当該画素に設けられた発光材料層に相当する色)を表示することができた。また動画の表示も可能であった。特に、Gインクを吐出した画素において、発光波長スペクトルの440nmと530nmのピーク比を測定したところ(440nm/530nm)、2.0であり、より良好な緑色が表示されていた。
(実施例2−5)
上記表2−2に示す組成において、テトラリンに替えてシクロヘキシルベンゼン100mlを配合しその他は同様に発光材料を溶媒に対して配合して3種の組成物(インク組成物)を調製し、実施例2−1と同様にして、インクジェット装置を用い図1に示すようにポリイミドからなる土手4を有するTFT基板)上に吐出した。吐出の間隔は70μmであり、モザイク状に三種のインクが配列した基板を得た。
この基板を窒素雰囲気中、130℃のホットプレート上で熱処理した。得られた発光材料層の膜厚は0.08〜0.1μmであった。更に発光材料層の上に弗化リチウム(100nm)、カルシウム(100nm)、アルミニウム(150nm)の順に蒸着した。
各ITO透明電極(ドット)に設けられたTFT素子を10ボルトで駆動したところ、画素に所望の色(当該画素に設けられた発光層に相当する色)を表示することができた。また動画の表示も可能であった。
(実施例2−6)
実施例2−5と同様の組成で三種の組成物(インク組成物)を調製し、同実施例と同様にインクジェット装置を用い図1で示すようにポリイミドからなる土手4を有するTFT基板上に当該インクを吐出した。
この基板を2気圧の窒素雰囲気中、180℃のホットプレート上で1分間熱処理した後直ちに減圧(1mmHg)にし溶媒を除去し発光材料層を得た。得られた発光層の膜厚は0.08〜0.1μmであった。更にこの上に弗化リチウム(100nm)、カルシウム(100nm)、アルミニウム(150nm)の順に蒸着した。得られた積層構造の周囲をエポキシ樹脂で封じ有機EL表示装置を得た。
各ITO透明電極(ドット)に設けられたTFT素子を10ボルトで駆動したところ、画素に所望の色(当該画素に設けられた発光材料層に相当する色)を表示することができた。また動画の表示も可能であった。
(比較例2−1)
下記表3に示す組成で発光材料を溶媒に対して配合しの組成物(R(赤)用インク組成物)を調製し、実施例2−1と同様にして、インクジェット装置を用い図1に示すようにポリイミドからなる土手4を有する基板(TFT基板)上に吐出を試みた。しかし、インクジェットヘッドにおいて目詰まりが生じ、基板上に発光層の形成を行うことができなかった。
Figure 0004731629
尚、本例で使用した発光材料である化合物7及び8は下記の構造を有する化合物である。
Figure 0004731629
〔第3実施形態の実施例〕
(実施例3−1)
まず組成物として、下記表4〜9に示す処方で、機能材料(発光材料)としての高分子化合物を溶媒に配合して組成物1〜6〔各組成物につき、R(赤)、G(緑)、B(青)の三種〕を調製した。高分子化合物としては、第3実施形態に特に適合した機能材料である化合物1〜化合物5から選択して用いた。
Figure 0004731629
Figure 0004731629
Figure 0004731629
Figure 0004731629
Figure 0004731629
Figure 0004731629
尚、組成物1〜6に用いた溶媒の蒸気圧(室温)は次の通りである。
キシレン ;13.80
メシチレン ;1.73
1,2,3,4−テトラメチルベンゼン ;0.23
ジエチルベンゼン ;0.70
シクロヘキシルベンゼン;0.193
ドデシルベンゼン ;0.0000125
上記組成物について、溶液安定性、吐出性及び相分離の評価を下記評価基準に従ってそれぞれ行った。それらの評価結果を表10に示す。
溶液安定性;調製時から2日以上室温で放置したときに析出が見られるか否か(濁度変化があるか否か)により評価した。尚、G、Bの組成物については650nmにおける濁度変化、Rの組成物については700nmにおける濁度変化を見た。
○:濁度変化なし(透明溶液)
×:濁度変化あり(析出あり)
吐出性:ピエゾ駆動のインクジェットヘッド(エプソン社製MJ−930C)からの組成物(インク)液滴の飛行を観察した。
◎:極めて良い。
○:良い(多少の飛行曲がりはあるが、パターンニングはできる)。
×:飛行曲がりやノズル詰まりが起こる。
相分離:R、G、Bの各色パターニング後、自然乾燥した膜のPL或いはEL発光スペクトルで評価した。
○:化合物1由来の短波長スペクトルが観察されない。
×:化合物1由来の短波長スペクトルが観察される。
Figure 0004731629
但し、組成物6については、実施例2−1〜2−6の条件と同様に、吐出後、加熱処理又は加圧下での加熱処理により、相分離は、「○」となった。
(実施例3−2)
基板形成
以下のようにして、図2(A)に示す画素を有する基板を形成した。TFT付きの基板11上に、ITO12、SiO213及びポリイミド14をフォトリソグラフィー法によりパターン形成した。このSiO2及びポリイミドはバンク(土手)となる部分である。このとき、SiO2には28μmφの円形の開口部を設け、更にその上のポリイミドには32μmφの円形の開口部を設けることにより、これら両開口部からなる円形画素15を形成した。この画素ピッチaは、70.5μmである。SiO2及びポリイミドで仕切られた上記円形画素は、後述の有機EL材料を含有する吐出組成物をインクジェット方式によりパターンニング塗布する部分となる。
基板のプラズマ処理
次に、円形画素が形成された上記基板に、図2(B)の矢印の方向にて、O2及びCF4の連続大気圧プラズマ処理を行った。このプラズマ処理の条件は、次の通りである。即ち、大気圧下で、パワーを300W、電極−基板間距離を1mmとした。また、O2プラズマについては、O2ガス流量を80ccm、ヘリウムガス流量を10 l/min、テーブル搬送速度を10mm/sとし、CF4プラズマについては、CF4ガス流量を100ccm、ヘリウムガス流量を10 l/min、テーブル搬送速度を5mm/sとした。
インクジェット方式による正孔注入/輸送層の形成
表11に示す組成からなる組成物を、正孔注入/輸送層用のインク組成物として調製した。
Figure 0004731629
図2(C)に示すように、インクジェットヘッド(エプソン社製MJ−930Cヘッド)16から、上記の正孔注入/輸送層用のインク組成物17を20plで吐出し、各画素電極上にパターニング塗布を行った。塗布後、真空(1torr)中、室温、20分という条件で溶媒を除去し、その後、大気中、200℃(ホットプレート上)、10分の熱処理により、正孔注入/輸送層18を形成した(図2(D)参照)。得られた正孔注入/輸送層18の膜厚は、40nmであった。
インクジェット方式による発光層の形成
図3(E)及び(F)に示すように、インクジェットヘッド(エプソン社製MJ−930Cヘッド)16から、発光層用組成物19として、前記の実施例3−1で用いた表5の組成物2を20plで吐出し、B、R、Gの順で各素電極上にパターニング塗布を行うことにより、各色の発光層20を形成した(図3(G)参照)。発光層20を形成後、1Torr以下の減圧下、30分、60℃でホストベークを行った。
電極・封止工程
発光層を形成した後、弗化リチウム(厚み:2nm)、カルシウム(厚み:20nm)、及びアルミニウム(厚み:20nm)を蒸着で形成し、電極(陰極)21とした。最後に、エポキシ樹脂22で上記電極を封じ、カラー有機ELパネル10を作製した(図3(H)参照)。
(実施例3−3)
前記の実施例3−1で用いた表6の組成物3を用いて各色の発光層を形成した以外は、前記の実施例3−2と同様の工程によりカラー有機ELパネルを作製した。
(実施例3−4)
前記の実施例3−1で用いた表7の組成物4を用いて各色の発光層を形成した以外は、前記の実施例3−2と同様の工程によりカラー有機ELパネルを作製した。
(実施例3−5)
前記の実施例3−1で用いた表8の組成物5を用いて各色の発光層を形成した以外は、前記の実施例3−2と同様の工程によりカラー有機ELパネルを作製した。
以上のように、本発明の組成物は、従来の機能材料のパターン化の方法であるフォトリソグラフィー法に代わるインクジェットプリンティング法に採用でき、機能材料として、非極性、あるいは極性の弱い材料や、水との反応性のある材料を使用でき、吐出時の目詰まりを防ぎ、安定な吐出を達成し、吐出中の内容物の析出、吐出後成膜時の相分離を防ぐことができるものである。
また、本発明の機能膜は、前記組成物を用いて形成された、均一、均質で、微細なものである。また、本発明の表示装置は、前記組成物を用いて形成された発光材料層を設けてなる、特に発光ディスプレイ用途に有用な優れた有機EL素子等の表示装置である。
また、本発明の表示装置の製造方法によれば、異なる機能を有する膜の配列を簡単に得ることが出来る。また必要部分に必要な量の材料を使うため、スピンコート法等による方法よりも材料を少なく出来る。

Claims (7)

  1. 複数の画素電極を形成する工程と、
    インクジェット法を用いて各画素電極上に極性溶媒を含む第1組成物を供給して、複数の正孔注入層を形成する工程と、
    インクジェット法を用いて各正孔注入層上に、前記極性溶媒よりも極性の低い非極性溶媒を含む第2組成物を供給して、発光層を形成する工程と、
    を有し、
    前記非極性溶媒は、1以上の置換基を有し、該置換基の炭素の総数が3以上の少なくとも1つのベンゼン誘導体を含む、
    有機ELデバイスの製造方法。
  2. 少なくとも1つの前記ベンゼン誘導体は、メシチレン、クメン、シメン、シクロヘキシルベンゼン、ドデシルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ジペンチルベンゼン、ブチルベンゼン、テトラリン、及びテトラメチルベンゼンからなる群より選択される、
    請求項記載の有機ELデバイスの製造方法。
  3. 少なくとも1つの前記ベンゼン誘導体は、ドデシルベンゼンである、
    請求項記載の有機ELデバイスの製造方法。
  4. 前記非極性溶媒は、さらに、シメン、テトラリン、クメン、デカリン、ジュレン、シクロヘキシルベンゼン、ジヘキシルベンエン、テトラメチルベンゼン、及びジブチルベンゼンからなる群より選択される少なくとも1つの溶媒をさらに含む、
    請求項記載の有機ELデバイスの製造方法。
  5. 前記極性溶媒は、α−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン及びその誘導体、並びにグリコールエーテルからなる群より選択される少なくとも1つの溶媒を含む、
    請求項1記載の有機ELデバイスの製造方法。
  6. 前記画素電極を形成する工程の後、前記正孔注入層を形成する工程の前に、前記画素電極間の境界部に、前記画素電極を区画する土手を形成する工程をさらに有する、
    請求項1記載の有機ELデバイスの製造方法。
  7. 前記発光層を形成する工程の後に、電極を形成する工程をさらに有する、
    請求項1記載の有機ELデバイスの製造方法。
JP2010028943A 1999-03-29 2010-02-12 有機elデバイスの製造方法 Expired - Lifetime JP4731629B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010028943A JP4731629B2 (ja) 1999-03-29 2010-02-12 有機elデバイスの製造方法

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1999086944 1999-03-29
JP8694499 1999-03-29
JP25048699 1999-09-03
JP1999250486 1999-09-03
JP2010028943A JP4731629B2 (ja) 1999-03-29 2010-02-12 有機elデバイスの製造方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000608851A Division JP4486261B2 (ja) 1999-03-29 2000-03-29 組成物、膜の製造方法、並びに機能素子及びその製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010213030A Division JP5286339B2 (ja) 1999-03-29 2010-09-24 機能デバイスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010157751A JP2010157751A (ja) 2010-07-15
JP4731629B2 true JP4731629B2 (ja) 2011-07-27

Family

ID=26428022

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000608851A Expired - Lifetime JP4486261B2 (ja) 1999-03-29 2000-03-29 組成物、膜の製造方法、並びに機能素子及びその製造方法
JP2010028943A Expired - Lifetime JP4731629B2 (ja) 1999-03-29 2010-02-12 有機elデバイスの製造方法
JP2010213030A Expired - Lifetime JP5286339B2 (ja) 1999-03-29 2010-09-24 機能デバイスの製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000608851A Expired - Lifetime JP4486261B2 (ja) 1999-03-29 2000-03-29 組成物、膜の製造方法、並びに機能素子及びその製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010213030A Expired - Lifetime JP5286339B2 (ja) 1999-03-29 2010-09-24 機能デバイスの製造方法

Country Status (9)

Country Link
US (5) US6878312B1 (ja)
EP (1) EP1083775B1 (ja)
JP (3) JP4486261B2 (ja)
KR (1) KR100495740B1 (ja)
CN (1) CN1310930A (ja)
DE (1) DE60045092D1 (ja)
HK (1) HK1128714A1 (ja)
TW (1) TW508975B (ja)
WO (1) WO2000059267A1 (ja)

Families Citing this family (127)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2723831B1 (fr) * 1994-08-25 1996-10-25 Plazanet Maurice Disque d'entrainement pour l'outil d'une machine pour la mise en etat et/ou l'entretien des sols
GB9920543D0 (en) 1999-08-31 1999-11-03 Cambridge Display Tech Ltd A formulation for depositing a light-emitting polymer layer
US6582504B1 (en) * 1999-11-24 2003-06-24 Sharp Kabushiki Kaisha Coating liquid for forming organic EL element
WO2002015264A2 (de) 2000-08-18 2002-02-21 Siemens Aktiengesellschaft Verkapseltes organisch-elektronisches bauteil, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung
US7023012B2 (en) 2000-08-30 2006-04-04 Cambridge Display Technology Limited Formulation for depositing a conjugated polymer layer
JP2004105948A (ja) * 2000-11-21 2004-04-08 Seiko Epson Corp 材料の吐出方法、及び吐出装置、カラーフィルタの製造方法及び製造装置、液晶装置の製造方法及び製造装置、el装置の製造方法及び製造装置、並びに電子機器
JP3628997B2 (ja) * 2000-11-27 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
CN100502030C (zh) * 2000-11-27 2009-06-17 精工爱普生株式会社 有机电致发光装置及其电子装置
JP4021177B2 (ja) * 2000-11-28 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置並びに電子機器
TW518909B (en) * 2001-01-17 2003-01-21 Semiconductor Energy Lab Luminescent device and method of manufacturing same
WO2002069119A1 (en) * 2001-02-27 2002-09-06 Cambridge Display Tech Ltd Formulation for depositing a material on a substrate using ink jet printing
US20060082627A9 (en) * 2001-02-27 2006-04-20 Bright Christopher J Formulation and method for depositing a material on a substrate
TW527432B (en) * 2001-02-28 2003-04-11 Cambridge Display Tech Ltd A method and composition for depositing a polymer layer in the production of a light-emissive device, a method of forming a polymer layer on a substrate, and the use of a composition in an ink-jet method of depositing a polymer layer
US8232116B2 (en) 2001-02-28 2012-07-31 Cambridge Display Technology Limited Method for fabricating a polymer L.E.D.
CN100357370C (zh) * 2001-03-10 2007-12-26 默克专利有限公司 有机半导体的溶液与分散液
US6787063B2 (en) * 2001-03-12 2004-09-07 Seiko Epson Corporation Compositions, methods for producing films, functional elements, methods for producing functional elements, methods for producing electro-optical devices and methods for producing electronic apparatus
JP3969698B2 (ja) 2001-05-21 2007-09-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US20020197393A1 (en) * 2001-06-08 2002-12-26 Hideaki Kuwabara Process of manufacturing luminescent device
DE10135640A1 (de) 2001-07-21 2003-02-06 Covion Organic Semiconductors Lösungen organischer Halbleiter
US20030166311A1 (en) * 2001-09-12 2003-09-04 Seiko Epson Corporation Method for patterning, method for forming film, patterning apparatus, film formation apparatus, electro-optic apparatus and method for manufacturing the same, electronic equipment, and electronic apparatus and method for manufacturing the same
DE10153445A1 (de) * 2001-10-30 2003-05-22 Covion Organic Semiconductors Trocknungsverfahren
JP2003163084A (ja) * 2001-11-26 2003-06-06 Seiko Epson Corp 有機el装置とその製造方法並びに電子機器
GB0129005D0 (en) * 2001-12-04 2002-01-23 Imp College Innovations Ltd Electroluminescent device
JP2005532416A (ja) 2001-12-20 2005-10-27 アド−ビジョン・インコーポレイテッド スクリーン印刷可能なエレクトロルミネッセントポリマーインク
KR100817128B1 (ko) * 2001-12-31 2008-03-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 발광층 성막용 용매제
US6541300B1 (en) * 2002-01-28 2003-04-01 Motorola, Inc. Semiconductor film and process for its preparation
GB0202997D0 (en) * 2002-02-08 2002-03-27 Elam T Ltd Method for forming electroluminescent devices
KR20020025918A (ko) * 2002-02-15 2002-04-04 박병주 습식 공정으로 제작된 유기 반도체 디바이스 및 유기전계발광 소자
DE10226370B4 (de) 2002-06-13 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Substrat für ein elektronisches Bauteil, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET)
EP1525630A2 (de) 2002-07-29 2005-04-27 Siemens Aktiengesellschaft Elektronisches bauteil mit vorwiegend organischen funktionsmaterialien und herstellungsverfahren dazu
JP4852224B2 (ja) * 2002-07-30 2012-01-11 セイコーエプソン株式会社 有機el装置の製造装置
JP3690380B2 (ja) * 2002-08-02 2005-08-31 セイコーエプソン株式会社 材料の配置方法、電子装置の製造方法、電気光学装置の製造方法
JP4239560B2 (ja) * 2002-08-02 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 組成物とこれを用いた有機導電性膜の製造方法
US7531377B2 (en) * 2002-09-03 2009-05-12 Cambridge Display Technology Limited Optical device
US7368145B2 (en) * 2002-09-19 2008-05-06 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method and apparatus for manufacturing organic EL display and color filter by ink jet method
JP2004179144A (ja) * 2002-09-30 2004-06-24 Seiko Epson Corp 塗布液組成物および薄膜形成方法
JP2011029666A (ja) * 2002-09-30 2011-02-10 Seiko Epson Corp 塗布液組成物および薄膜形成方法
JP4459521B2 (ja) 2002-10-17 2010-04-28 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置
EP1589788B1 (en) 2002-11-07 2014-07-09 Nissan Chemical Industries, Ltd. Charge-transporting varnish
GB0227778D0 (en) 2002-11-28 2003-01-08 Cambridge Display Tech Ltd Droplet-deposition related methods and apparatus
JP4378950B2 (ja) * 2002-12-24 2009-12-09 セイコーエプソン株式会社 液滴吐出装置および電気光学装置の製造方法
JP4131838B2 (ja) * 2003-05-16 2008-08-13 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN1791656A (zh) 2003-05-21 2006-06-21 陶氏环球技术公司 粘度调节剂和发光化合物的共混物
DE10340643B4 (de) 2003-09-03 2009-04-16 Polyic Gmbh & Co. Kg Druckverfahren zur Herstellung einer Doppelschicht für Polymerelektronik-Schaltungen, sowie dadurch hergestelltes elektronisches Bauelement mit Doppelschicht
US20050151129A1 (en) * 2004-01-14 2005-07-14 Rahul Gupta Deposition of conducting polymers
US20070152199A1 (en) * 2004-03-09 2007-07-05 Arno Seeboth Composition for the preparation of a thermoset having thermochromic properties
JP2005259523A (ja) * 2004-03-11 2005-09-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法及び有機溶液
KR101163113B1 (ko) * 2004-03-16 2012-07-09 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 유황 원자를 함유하는 반사 방지막
EP1773102B1 (en) * 2004-04-30 2019-06-19 Nissan Chemical Corporation Varnish containing good solvent and poor solvent
KR20070015586A (ko) 2004-05-18 2007-02-05 메르크 파텐트 게엠베하 반도전성 중합체를 포함하는 잉크-젯 프린팅용 제제
WO2005123856A1 (ja) * 2004-06-17 2005-12-29 Sharp Kabushiki Kaisha 塗液、膜の製造方法、機能素子の製造方法、及び、機能素子
DE102004040831A1 (de) 2004-08-23 2006-03-09 Polyic Gmbh & Co. Kg Funketikettfähige Umverpackung
JP4148933B2 (ja) * 2004-08-31 2008-09-10 シャープ株式会社 機能膜の製造方法、機能膜形成用塗液、機能素子、電子デバイス及び表示装置
KR101294902B1 (ko) * 2004-10-15 2013-08-08 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 용액 조성물 및 고분자 발광 소자
DE102004059464A1 (de) 2004-12-10 2006-06-29 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbauteil mit Modulator
DE102004059465A1 (de) 2004-12-10 2006-06-14 Polyic Gmbh & Co. Kg Erkennungssystem
DE102004063435A1 (de) 2004-12-23 2006-07-27 Polyic Gmbh & Co. Kg Organischer Gleichrichter
KR101237264B1 (ko) * 2005-02-15 2013-02-27 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 막형성용 조성물 및 유기 전계 발광 소자
DE102005009819A1 (de) 2005-03-01 2006-09-07 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronikbaugruppe
DE102005017655B4 (de) 2005-04-15 2008-12-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger Verbundkörper mit elektronischer Funktion
GB0510382D0 (en) 2005-05-20 2005-06-29 Cambridge Display Tech Ltd Ink jet printing compositions in opto-electrical devices
EP1894976B1 (en) 2005-05-20 2015-09-30 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymer composition and polymer light-emitting device using same
JP2012230904A (ja) * 2005-05-20 2012-11-22 Sumitomo Chemical Co Ltd 高沸点組成物及びそれを用いた高分子発光素子
JP4682701B2 (ja) * 2005-05-27 2011-05-11 凸版印刷株式会社 有機el素子用インキおよび有機el素子の製造方法
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
DE102005035589A1 (de) 2005-07-29 2007-02-01 Polyic Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements
DE102005039528A1 (de) * 2005-08-18 2007-02-22 Merck Patent Gmbh Lösungen organischer Halbleiter
GB0517195D0 (en) * 2005-08-23 2005-09-28 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device structures and fabrication methods
WO2007023272A1 (en) 2005-08-23 2007-03-01 Cambridge Display Technology Limited Organic electronic device structures and fabrication methods
DE102005044306A1 (de) 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
JP4396607B2 (ja) * 2005-09-28 2010-01-13 セイコーエプソン株式会社 膜形成方法、有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネセンス装置及び電子機器
EP1950816A4 (en) * 2005-10-28 2012-02-22 Nissan Chemical Ind Ltd CHARGE TRANSPORT VARNISH FOR A SPRAYING OR INKJET PROCESS
JP4251329B2 (ja) * 2005-12-20 2009-04-08 カシオ計算機株式会社 表示装置及びその製造方法
GB2437113B (en) 2006-04-12 2008-11-26 Cambridge Display Tech Ltd Light-emissive display and method of manufacturing the same
GB0618698D0 (en) * 2006-09-22 2006-11-01 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device fabrication methods and structures
DE102006047388A1 (de) 2006-10-06 2008-04-17 Polyic Gmbh & Co. Kg Feldeffekttransistor sowie elektrische Schaltung
EP2216380A1 (en) * 2007-11-16 2010-08-11 Sumitomo Chemical Company, Limited Coating liquid used in coating method for discharging coating liquid through slit-shaped discharge outlet
GB0803950D0 (en) 2008-03-03 2008-04-09 Cambridge Display Technology O Solvent for printing composition
GB2462410B (en) 2008-07-21 2011-04-27 Cambridge Display Tech Ltd Compositions and methods for manufacturing light-emissive devices
GB0814971D0 (en) 2008-08-15 2008-09-24 Cambridge Display Tech Ltd Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same
GB2462688B (en) 2008-08-22 2012-03-07 Cambridge Display Tech Ltd Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same
GB2463493B (en) 2008-09-15 2012-11-14 Cambridge Display Tech Ltd An improved method for ink jet printing organic electronic devices
JPWO2010032453A1 (ja) * 2008-09-19 2012-02-09 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス材料組成物
JPWO2010032447A1 (ja) * 2008-09-19 2012-02-09 出光興産株式会社 有機エレクトロルミネッセンス材料組成物、薄膜形成方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
GB2466842B (en) * 2009-01-12 2011-10-26 Cambridge Display Tech Ltd Interlayer formulation for flat films
US8174000B2 (en) 2009-02-11 2012-05-08 Universal Display Corporation Liquid compositions for inkjet printing of organic layers or other uses
JP2011023668A (ja) * 2009-07-17 2011-02-03 Sumitomo Chemical Co Ltd 液柱塗布用インクおよび有機el素子の製造方法、並びに該有機el素子を有する有機el表示装置
CN102696128A (zh) * 2010-01-13 2012-09-26 住友化学株式会社 有机电致发光元件和高分子发光体组合物
WO2011128035A1 (en) * 2010-04-12 2011-10-20 Merck Patent Gmbh Composition and method for preparation of organic electronic devices
US10744759B2 (en) 2010-06-29 2020-08-18 CARDINAL HEALTH SWITZERLAND 515 GmbH First drop dissimilarity in drop-on-demand inkjet devices and methods for its correction
GB201013820D0 (en) * 2010-08-18 2010-09-29 Cambridge Display Tech Ltd Low contact resistance organic thin film transistors
JP5527104B2 (ja) * 2010-08-24 2014-06-18 セイコーエプソン株式会社 成膜用インク、成膜方法および発光素子の製造方法
US8956740B2 (en) 2010-08-24 2015-02-17 Seiko Epson Corporation Film-forming ink, film-forming method, liquid droplet discharging device, method for preparing light-emitting element, light-emitting element, light-emitting device and electronic apparatus
JP5527105B2 (ja) * 2010-08-24 2014-06-18 セイコーエプソン株式会社 成膜用インク、成膜方法および発光素子の製造方法
CN102504803B (zh) * 2011-09-29 2013-11-27 中国科学院长春应用化学研究所 一种利用对流改善喷墨打印薄膜均匀性的有机发光材料溶液及其制备方法
KR101827975B1 (ko) 2011-10-10 2018-03-29 엘지이노텍 주식회사 발광소자
KR101389451B1 (ko) * 2012-03-19 2014-04-29 연세대학교 산학협력단 산화물 박막용 조성물, 이를 이용한 액상 공정 산화물 박막의 제조 방법, 이를 이용한 전자 소자 및 박막 트랜지스터
JP6015073B2 (ja) * 2012-04-02 2016-10-26 セイコーエプソン株式会社 機能層形成用インク、発光素子の製造方法
US20130314327A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 J Touch Corporation Frameless touch panel
GB201210858D0 (en) * 2012-06-19 2012-08-01 Cambridge Display Tech Ltd Method
DE102012018583B4 (de) 2012-09-20 2018-10-31 Heidelberger Druckmaschinen Ag Verfahren zum Drucken einer funktionalen Schicht für elektronische Bauteile
JP6079118B2 (ja) * 2012-10-10 2017-02-15 コニカミノルタ株式会社 発光層形成用インク組成物、発光素子の作製方法及びエレクトロルミネッセンスデバイス
JP6214938B2 (ja) * 2013-06-18 2017-10-18 日本化薬株式会社 有機半導体及びその用途、並びに半導体層形成用インク
KR102007072B1 (ko) 2013-08-12 2019-08-02 카티바, 인크. 인쇄 가능한 유기 발광 다이오드 잉크 배합물을 위한 에스테르계 용매 시스템
KR102145424B1 (ko) * 2013-11-11 2020-08-18 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 제조용 잉크 및 이를 이용한 표시장치의 제조방법
EP3106485B1 (en) 2014-02-14 2020-02-05 Hitachi Chemical Co., Ltd. Polymer or oligomer, hole transport material composition, and organic electronic element using same
WO2015194429A1 (ja) * 2014-06-17 2015-12-23 株式会社ダイセル 有機el素子製造用溶剤
US10020185B2 (en) 2014-10-07 2018-07-10 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for forming silica layer, silica layer, and electronic device
JP6638186B2 (ja) 2014-12-02 2020-01-29 セイコーエプソン株式会社 成膜用インクおよび成膜方法
JP6638187B2 (ja) 2014-12-02 2020-01-29 セイコーエプソン株式会社 成膜用インクおよび成膜方法
KR101837971B1 (ko) 2014-12-19 2018-03-13 삼성에스디아이 주식회사 실리카계 막 형성용 조성물, 실리카계 막, 및 전자 디바이스
KR101833800B1 (ko) 2014-12-19 2018-03-02 삼성에스디아이 주식회사 실리카계 막 형성용 조성물, 실리카계 막의 제조방법 및 상기 실리카계 막을 포함하는 전자 소자
CN107210380B (zh) * 2015-01-26 2019-06-28 住友化学株式会社 组合物和使用该组合物的发光元件
JP6798482B2 (ja) * 2015-03-05 2020-12-09 住友化学株式会社 組成物およびそれを用いた発光素子
KR102386848B1 (ko) 2015-04-13 2022-04-15 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
WO2016186012A1 (ja) * 2015-05-19 2016-11-24 住友化学株式会社 組成物及びそれを用いた発光素子
CN104908423B (zh) * 2015-06-26 2016-08-24 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜制作方法及系统
KR20170014946A (ko) * 2015-07-31 2017-02-08 삼성에스디아이 주식회사 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막
WO2017080307A1 (zh) * 2015-11-12 2017-05-18 广州华睿光电材料有限公司 用于印刷电子器件的组合物及其在电子器件中的应用
KR102723604B1 (ko) * 2015-12-16 2024-10-29 메르크 파텐트 게엠베하 고체 용매를 함유하는 제형
JP6661365B2 (ja) * 2015-12-17 2020-03-11 東芝テック株式会社 インクジェットインク並びに有機薄膜太陽電池の製造方法及び製造装置
JP6833388B2 (ja) * 2016-08-01 2021-02-24 株式会社Joled 有機el用インク
US11248138B2 (en) 2016-11-23 2022-02-15 Guangzhou Chinaray Optoelectronic Materials Ltd. Printing ink formulations, preparation methods and uses thereof
TWI763772B (zh) * 2017-01-30 2022-05-11 德商麥克專利有限公司 電子裝置之有機元件的形成方法
TWI846749B (zh) * 2018-11-06 2024-07-01 德商麥克專利有限公司 用於形成電子裝置的有機元件之方法以及墨水套組
CN111876020B (zh) * 2020-08-06 2021-11-05 中国科学院长春应用化学研究所 一种有机发光材料墨水及其制备方法和喷墨打印方法
WO2024024508A1 (ja) * 2022-07-25 2024-02-01 富士フイルム株式会社 組成物、ならびに、膜、光学フィルタ、固体撮像素子、画像表示装置、赤外線センサおよびカメラモジュールの製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1154270A (ja) * 1997-07-30 1999-02-26 Seiko Epson Corp 有機el素子用組成物および有機el素子の製造方法
WO1999048337A1 (en) * 1998-03-13 1999-09-23 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
JP2000077187A (ja) * 1998-06-17 2000-03-14 Honda Motor Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000136379A (ja) * 1998-06-10 2000-05-16 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000208254A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Seiko Epson Corp 有機el素子の製造方法および有機el表示装置
JP2001076880A (ja) * 1999-08-31 2001-03-23 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003508890A (ja) * 1999-09-01 2003-03-04 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 電界ルミネセンスデバイスおよびその製造法

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE927152C (de) 1952-02-23 1955-05-02 Huels Chemische Werke Ag Druckpasten
US4378302A (en) * 1980-12-16 1983-03-29 General Electric Company Red perylene dichroic dye containing liquid crystal formulations
JPS5964678A (ja) * 1982-10-04 1984-04-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> インクジエツト記録用インク
JPS5971372A (ja) * 1982-10-15 1984-04-23 Oki Electric Ind Co Ltd インキジエツト用インキ
US4713198A (en) 1984-04-27 1987-12-15 Sangamo Weston, Inc. High temperature plastic scintillators
JPS62243285A (ja) 1986-04-14 1987-10-23 松下電器産業株式会社 エレクトロルミネツセンスパネル及びその形成方法
JPS62292871A (ja) * 1986-06-13 1987-12-19 Fuji Xerox Co Ltd 記録用組成物
JPS63264684A (ja) * 1986-12-05 1988-11-01 Dainippon Ink & Chem Inc インク組成物
JPS6416880A (en) * 1987-07-10 1989-01-20 Fuji Photo Film Co Ltd Recording liquid
US5091004A (en) * 1987-09-22 1992-02-25 Dainippon Ink And Chemicals, Inc. Ink composition
JPH01161350A (ja) * 1987-12-18 1989-06-26 Konica Corp 平版印刷版を用いた印刷方法
US5006370A (en) * 1988-10-11 1991-04-09 Ethyl Corporation Compositions for production of electronic coatings
US5068131A (en) * 1988-10-11 1991-11-26 Ethyl Corporation Method for production of electronic coatings
US4855120A (en) * 1988-10-24 1989-08-08 Ethyl Corporation Production of silane and useful coproducts
DE3934329A1 (de) * 1989-10-13 1991-04-18 Basf Ag Polymerisierbare perylen-3,4,9,10-tetracarbonsaeurebisimide sowie deren polymerisate
JPH04153280A (ja) * 1990-10-16 1992-05-26 Seiko Epson Corp インクジェット記録用インク
US5443922A (en) * 1991-11-07 1995-08-22 Konica Corporation Organic thin film electroluminescence element
JPH05224008A (ja) * 1992-02-13 1993-09-03 Toray Ind Inc カラ−フィルタ
AU661382B2 (en) * 1992-04-02 1995-07-20 Nippon Paper Industries Co. Ltd. Novel bis-dithiobenzilnickel complexes and benzoin derivatives
JPH069910A (ja) * 1992-06-26 1994-01-18 Seiko Epson Corp インク組成物
JP3644458B2 (ja) * 1995-02-13 2005-04-27 ソニー株式会社 記録方法及び記録液
JP3036436B2 (ja) 1996-06-19 2000-04-24 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリックス型有機el表示体の製造方法
US6207301B1 (en) * 1996-08-21 2001-03-27 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymer fluorescent substance and organic electroluminescence device
JP3899566B2 (ja) 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機el表示装置の製造方法
EP0866644B1 (en) 1997-03-19 2005-10-26 Fuji Photo Film Co., Ltd. Electroluminescence device
JPH10321369A (ja) 1997-03-19 1998-12-04 Fuji Photo Film Co Ltd エレクトロルミネツセンスデバイス
JP3415741B2 (ja) * 1997-03-31 2003-06-09 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 電気絶縁性薄膜形成用組成物および電気絶縁性薄膜の形成方法
US6309763B1 (en) * 1997-05-21 2001-10-30 The Dow Chemical Company Fluorene-containing polymers and electroluminescent devices therefrom
US5998045A (en) * 1997-07-03 1999-12-07 International Business Machines Corporation Polymeric light-emitting device
US6843937B1 (en) 1997-07-16 2005-01-18 Seiko Epson Corporation Composition for an organic EL element and method of manufacturing the organic EL element
JPH1154272A (ja) * 1997-07-31 1999-02-26 Seiko Epson Corp 発光ディスプレイの製造方法
WO1999012395A1 (fr) 1997-09-02 1999-03-11 Seiko Epson Corporation Procede de fabrication d'un element electroluminescent organique et element electroluminescent organique correspondant
US6403236B1 (en) * 1997-09-04 2002-06-11 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymer light emitting device
US6497969B2 (en) * 1997-09-05 2002-12-24 Nessdisplay Co., Ltd. Electroluminescent device having an organic layer including polyimide
JP3442363B2 (ja) 1997-09-05 2003-09-02 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド 有機発光デバイスのための自己組織化移送層
CA2306384A1 (en) 1997-10-14 1999-04-22 Patterning Technologies Limited Method of forming an electronic device
US5777070A (en) * 1997-10-23 1998-07-07 The Dow Chemical Company Process for preparing conjugated polymers
JP3104223B2 (ja) * 1997-11-06 2000-10-30 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
US6403237B1 (en) 1998-06-10 2002-06-11 Sumitomo Chemical Co., Ltd. Polymeric fluorescent substance and organic electroluminescence device
US6228228B1 (en) * 1999-02-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Method of making a light-emitting fiber
GB9917356D0 (en) 1999-07-24 1999-09-22 Univ Cambridge Tech Aromatic monomers and polymers for optoelectronic devices
GB9920543D0 (en) 1999-08-31 1999-11-03 Cambridge Display Tech Ltd A formulation for depositing a light-emitting polymer layer
GB2360489A (en) * 2000-03-23 2001-09-26 Seiko Epson Corp Deposition of soluble materials
WO2002069119A1 (en) * 2001-02-27 2002-09-06 Cambridge Display Tech Ltd Formulation for depositing a material on a substrate using ink jet printing
US20060082627A9 (en) * 2001-02-27 2006-04-20 Bright Christopher J Formulation and method for depositing a material on a substrate
JP4153280B2 (ja) 2002-09-27 2008-09-24 シャープ株式会社 光ピックアップ装置
DE102004007777A1 (de) * 2004-02-18 2005-09-08 Covion Organic Semiconductors Gmbh Lösungen organischer Halbleiter
DE102004023276A1 (de) * 2004-05-11 2005-12-01 Covion Organic Semiconductors Gmbh Lösungen organischer Halbleiter
JP5228341B2 (ja) * 2007-03-14 2013-07-03 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機トランジスタの製造方法
JP5543440B2 (ja) * 2010-07-01 2014-07-09 パナソニック株式会社 有機発光素子用インク、有機発光素子の製造方法、有機表示パネル、有機表示装置、有機発光装置、インク、機能層の形成方法、および有機発光素子
JP2012028180A (ja) * 2010-07-23 2012-02-09 Panasonic Corp 表示装置の製造方法および表示装置の製造装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1154270A (ja) * 1997-07-30 1999-02-26 Seiko Epson Corp 有機el素子用組成物および有機el素子の製造方法
WO1999048337A1 (en) * 1998-03-13 1999-09-23 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
JP2000136379A (ja) * 1998-06-10 2000-05-16 Sumitomo Chem Co Ltd 高分子蛍光体および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000077187A (ja) * 1998-06-17 2000-03-14 Honda Motor Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2000208254A (ja) * 1999-01-11 2000-07-28 Seiko Epson Corp 有機el素子の製造方法および有機el表示装置
JP2001076880A (ja) * 1999-08-31 2001-03-23 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003508890A (ja) * 1999-09-01 2003-03-04 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 電界ルミネセンスデバイスおよびその製造法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4486261B2 (ja) 2010-06-23
EP1083775B1 (en) 2010-10-13
DE60045092D1 (de) 2010-11-25
JP2011042794A (ja) 2011-03-03
US8231932B2 (en) 2012-07-31
EP1083775A1 (en) 2001-03-14
US8187669B2 (en) 2012-05-29
KR100495740B1 (ko) 2005-06-17
US20050156148A1 (en) 2005-07-21
CN1310930A (zh) 2001-08-29
HK1128714A1 (en) 2009-11-06
JP2010157751A (ja) 2010-07-15
WO2000059267A1 (fr) 2000-10-05
US9620719B2 (en) 2017-04-11
US6878312B1 (en) 2005-04-12
US20120263867A1 (en) 2012-10-18
EP1083775A4 (en) 2005-12-07
US20080305245A1 (en) 2008-12-11
JP5286339B2 (ja) 2013-09-11
US20090186161A1 (en) 2009-07-23
TW508975B (en) 2002-11-01
KR20010043918A (ko) 2001-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4731629B2 (ja) 有機elデバイスの製造方法
JP4148933B2 (ja) 機能膜の製造方法、機能膜形成用塗液、機能素子、電子デバイス及び表示装置
US7300686B2 (en) Organic electro-luminescent device, manufacturing method for the same, and electronic equipment
JP2000323276A (ja) 有機el素子の製造方法、有機el素子およびインク組成物
EP1051738A2 (en) Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
JP2004335180A (ja) 電気光学装置、電気光学装置用基板、及び電気光学装置の製造方法
JP2008108570A (ja) 表示装置用基板の製造方法、表示装置の製造方法、及び、吐出装置
JP2009064642A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法、および製造装置
JP2002371196A (ja) 組成物、膜の製造方法、機能素子、機能素子の製造方法、電気光学装置の製造方法、及び電子機器の製造方法
CN101353472B (zh) 组合物及膜的制造方法以及功能元件及其制造方法
JP2001288416A (ja) 塗布液組成物、薄膜形成方法および薄膜
JP2001279134A (ja) 吐出組成物及び機能膜作製法
JP2004140004A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置並びに電子機器
CN102845133A (zh) 发光装置的制造方法
JP4957318B2 (ja) 有機el装置の製造方法
JP4830941B2 (ja) 有機el装置の製造方法
JP2007194113A (ja) 電子装置の製造方法
JP2006156258A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置
JP2006049174A (ja) 電子装置の製造方法及びこれに用いるインク組成物
JP2005276572A (ja) 発光素子の製造方法および成膜用組成物セット、並びに表示装置の製造方法
JP2013037911A (ja) 塗布装置、塗布方法及び有機機能性素子の製造方法
JP2009087601A (ja) 有機el素子の製造方法、有機el素子、有機el装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100623

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100924

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110331

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110419

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140428

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4731629

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term