JP4731629B2 - 有機elデバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の組成物の第1実施形態は、吐出装置を用いる機能材料のパターン膜形成に用いられる組成物であって、1以上の置換基を有し、該置換基の炭素数の総数が3以上のベンゼン誘導体を少なくとも含む溶媒と機能材料よりなる組成物である。
本発明の組成物の第2実施形態は、ドデシルベンゼンを少なくとも含む溶媒と、下記化合物1乃至5の少なくとも1種のフルオレン系高分子誘導体とを含有する組成物である。即ち、第2実施形態は、本発明の組成物において、第2実施形態に適合する、1以上の置換基を有し、該置換基の炭素数の和が3以上のベンゼン誘導体を少なくとも含む溶媒として、ドデシルベンゼンを少なくとも含む溶媒を用い、第2実施形態に適合する機能材料として、化合物1乃至5の少なくとも1種のフルオレン系高分子誘導体を用いたものである。
本発明の組成物の第3実施形態は、1以上の置換基を有し、該置換基の炭素の総数が3以上であり且つ蒸気圧(室温、以下同じ)が0.10〜10mmHgのベンゼン誘導体の少なくとも1種を含む溶媒と、機能材料とからなる組成物である。即ち、第3実施形態は、本発明の組成物において、第3実施形態に適合する、1以上の置換基を有し、該置換基の炭素数の和が3以上のベンゼン誘導体を少なくとも含む溶媒として、蒸気圧が0.10〜10mmHgのベンゼン誘導体を少なくとも含む溶媒を用いたものである。
(実施例1−1)
ITO(インジウムチンオキサイド)透明電極付きガラス基板の電極がある面側に、ポリビニルカルバゾールのテトラヒドロフラン溶液を塗布し、スピンコート法により0.1マイクロメータのポリビニルカルバゾール膜を形成した。該膜上に、インクジェットプリンティング装置を用い、ポリヘキシルオキシフェニレンビニレンのキシレン/テトラリンの0.1重量パーセント混合溶液(キシレン/テトラリン=1/4、体積比)を所定の形状に吐出した。更にこの上にアルミニウムを蒸着した。
シメンとテトラリンの混合溶液(シメン/テトラリン=1/1)にポリシラザンの20重量パーセントキシレン溶液(東燃製)を混合溶媒に対して20体積パーセントになるように調合した。このようにして得られたポリシラザン溶液をインクジェットプリンティング装置により、プラスチック製液晶パネル面に全面濡れるように吐出し、乾燥した。反対側も同じ処理をし、両面ポリシラザン膜とした。このパネルを85℃、90パーセントの恒温恒室槽にいれ20分間放置し、シリカガラス膜とした。このパネルを取り出し乾燥したのち、2枚の偏光板が直交するように両側から張り合わせた。
シメンとテトラリンの混合溶液(シメン/テトラリン=1/1)にポリシラザンの20重量パーセントキシレン溶液(東燃製)を混合溶媒に対して20体積パーセントになるように調合した。このようにして得られたポリシラザン溶液をインクジェットプリンティング装置により、半導体素子形成及びアルミ配線を施したシリコン基板上に吐出し、全面塗布した。塗布後、150℃で、20分乾燥し、しかる後、水蒸気雰囲気中350℃で2時間焼成した。
更に本発明の実施の形態について詳細に説明する。図1に示すように、モザイク状に区切られたITO(インジウムチンオキサイド)透明電極、および透明電極を囲む土手付きガラス基板の電極上に、赤、緑、青に発色する有機EL材料を溶解した下記に示す吐出組成物を各色モザイク状に配列する様インクジェットプリンティング装置により打ち分けた。固形物の溶媒に対する割合はいずれも0.4%(重量/体積)である。図1において、1はノズル、2はガラス基板、3はITO透明電極、4は土手(仕切り)、5は組成物(インク滴)をそれぞれ示す。
<吐出組成物>
溶媒 ドデシルベンゼン/テトラリン(1/1、体積比)
赤 ポリフルオレン/ペリレン染料(98/2、重量比)
緑 ポリフルオレン/クマリン染料(98.5/1.5、重量比)
青 ポリフルオレン
実施例1−4と同様にして吐出した基板を100℃で1分乾燥した後、直ちに減圧(2mmHg)で溶媒を除去した。このようにして得られた基板を用い、実施例1−4と同様な方法によりパネルを作成し点灯したところ実施例1−4と同じような結果が得られた。
実施例1−4と同様にして吐出した基板をベルジャー内に設置し、チッソガスを封入し内圧を2気圧とし、100℃で乾燥、溶媒を除去した。このようにして得られた基板を用い、実施例1−4と同様な方法によりパネルを作成し点灯したところ実施例1−4と同じような結果が得られた。
(実施例2−1)
本実施例では、カラー表示装置を作製する。
本実施例におけるプロセスについても、前述した第1実施形態の実施例と同様に、図1により説明することができる。即ち、図1に示す構造では、ITO透明電極3は、ドット状パターンで形成されており、個々独立してTFT素子(不図示)に直結されて画素を形成し駆動可能である。各画素(ITO透明電極3のドット)の境界部で各画素を区画するように土手4が形成されており、ノズルから打ち出された組成物(インク組成物)5が土手4により仕切られたITO透明電極上に供給され付着する。組成物として、三色の発光材料を用いることでマルチカラーの発光ディスプレイを作製することができる。
下記表2に示す組成で発光材料を溶媒に対して配合して三種の組成物(インク組成物)を調製し、実施例2−1と同様にして、インクジェット装置を用い図1に示すようにポリイミドからなる土手4を有する基板(TFT基板)上に吐出した。吐出される領域(土手4で区画された領域)の大きさは30μm×30μm、ピッチ70μmであり、吐出のピッチは70μmとした。インクジェットのヘッドにおける目詰まり等を生じることなく良好に吐出がなされ、モザイク状に三種のインクが配列した基板を得ることができた。
実施例2−1と同様にして、まず上記表1に示す組成の三種の組成物(インク組成物)を調製し、インクジェット装置を用い図1で示すようにポリイミドからなる土手4を有するTFT基板上に当該インクを吐出した。インクジェットヘッドにおいて良好に目詰まりを生じることなく、良好な吐出がなされた。
実施例1と同様にして、まず上記表1に示す組成の三種の組成物(インク組成物)を調製し、インクジェット装置を用い図1で示すようにポリイミドからなる土手4を有するTFT基板上に当該インクを吐出した。インクジェットヘッドにおいて良好に目詰まりを生じることなく、良好な吐出がなされた。
上記表2−2に示す組成において、テトラリンに替えてシクロヘキシルベンゼン100mlを配合しその他は同様に発光材料を溶媒に対して配合して3種の組成物(インク組成物)を調製し、実施例2−1と同様にして、インクジェット装置を用い図1に示すようにポリイミドからなる土手4を有するTFT基板)上に吐出した。吐出の間隔は70μmであり、モザイク状に三種のインクが配列した基板を得た。
各ITO透明電極(ドット)に設けられたTFT素子を10ボルトで駆動したところ、画素に所望の色(当該画素に設けられた発光層に相当する色)を表示することができた。また動画の表示も可能であった。
実施例2−5と同様の組成で三種の組成物(インク組成物)を調製し、同実施例と同様にインクジェット装置を用い図1で示すようにポリイミドからなる土手4を有するTFT基板上に当該インクを吐出した。
下記表3に示す組成で発光材料を溶媒に対して配合しの組成物(R(赤)用インク組成物)を調製し、実施例2−1と同様にして、インクジェット装置を用い図1に示すようにポリイミドからなる土手4を有する基板(TFT基板)上に吐出を試みた。しかし、インクジェットヘッドにおいて目詰まりが生じ、基板上に発光層の形成を行うことができなかった。
(実施例3−1)
まず組成物として、下記表4〜9に示す処方で、機能材料(発光材料)としての高分子化合物を溶媒に配合して組成物1〜6〔各組成物につき、R(赤)、G(緑)、B(青)の三種〕を調製した。高分子化合物としては、第3実施形態に特に適合した機能材料である化合物1〜化合物5から選択して用いた。
キシレン ;13.80
メシチレン ;1.73
1,2,3,4−テトラメチルベンゼン ;0.23
ジエチルベンゼン ;0.70
シクロヘキシルベンゼン;0.193
ドデシルベンゼン ;0.0000125
○:濁度変化なし(透明溶液)
×:濁度変化あり(析出あり)
◎:極めて良い。
○:良い(多少の飛行曲がりはあるが、パターンニングはできる)。
×:飛行曲がりやノズル詰まりが起こる。
基板形成
以下のようにして、図2(A)に示す画素を有する基板を形成した。TFT付きの基板11上に、ITO12、SiO213及びポリイミド14をフォトリソグラフィー法によりパターン形成した。このSiO2及びポリイミドはバンク(土手)となる部分である。このとき、SiO2には28μmφの円形の開口部を設け、更にその上のポリイミドには32μmφの円形の開口部を設けることにより、これら両開口部からなる円形画素15を形成した。この画素ピッチaは、70.5μmである。SiO2及びポリイミドで仕切られた上記円形画素は、後述の有機EL材料を含有する吐出組成物をインクジェット方式によりパターンニング塗布する部分となる。
次に、円形画素が形成された上記基板に、図2(B)の矢印の方向にて、O2及びCF4の連続大気圧プラズマ処理を行った。このプラズマ処理の条件は、次の通りである。即ち、大気圧下で、パワーを300W、電極−基板間距離を1mmとした。また、O2プラズマについては、O2ガス流量を80ccm、ヘリウムガス流量を10 l/min、テーブル搬送速度を10mm/sとし、CF4プラズマについては、CF4ガス流量を100ccm、ヘリウムガス流量を10 l/min、テーブル搬送速度を5mm/sとした。
図3(E)及び(F)に示すように、インクジェットヘッド(エプソン社製MJ−930Cヘッド)16から、発光層用組成物19として、前記の実施例3−1で用いた表5の組成物2を20plで吐出し、B、R、Gの順で各素電極上にパターニング塗布を行うことにより、各色の発光層20を形成した(図3(G)参照)。発光層20を形成後、1Torr以下の減圧下、30分、60℃でホストベークを行った。
発光層を形成した後、弗化リチウム(厚み:2nm)、カルシウム(厚み:20nm)、及びアルミニウム(厚み:20nm)を蒸着で形成し、電極(陰極)21とした。最後に、エポキシ樹脂22で上記電極を封じ、カラー有機ELパネル10を作製した(図3(H)参照)。
前記の実施例3−1で用いた表6の組成物3を用いて各色の発光層を形成した以外は、前記の実施例3−2と同様の工程によりカラー有機ELパネルを作製した。
前記の実施例3−1で用いた表7の組成物4を用いて各色の発光層を形成した以外は、前記の実施例3−2と同様の工程によりカラー有機ELパネルを作製した。
前記の実施例3−1で用いた表8の組成物5を用いて各色の発光層を形成した以外は、前記の実施例3−2と同様の工程によりカラー有機ELパネルを作製した。
Claims (7)
- 複数の画素電極を形成する工程と、
インクジェット法を用いて各画素電極上に極性溶媒を含む第1組成物を供給して、複数の正孔注入層を形成する工程と、
インクジェット法を用いて各正孔注入層上に、前記極性溶媒よりも極性の低い非極性溶媒を含む第2組成物を供給して、発光層を形成する工程と、
を有し、
前記非極性溶媒は、1以上の置換基を有し、該置換基の炭素の総数が3以上の少なくとも1つのベンゼン誘導体を含む、
有機ELデバイスの製造方法。 - 少なくとも1つの前記ベンゼン誘導体は、メシチレン、クメン、シメン、シクロヘキシルベンゼン、ドデシルベンゼン、ジエチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ジペンチルベンゼン、ブチルベンゼン、テトラリン、及びテトラメチルベンゼンからなる群より選択される、
請求項1記載の有機ELデバイスの製造方法。 - 少なくとも1つの前記ベンゼン誘導体は、ドデシルベンゼンである、
請求項1記載の有機ELデバイスの製造方法。 - 前記非極性溶媒は、さらに、シメン、テトラリン、クメン、デカリン、ジュレン、シクロヘキシルベンゼン、ジヘキシルベンエン、テトラメチルベンゼン、及びジブチルベンゼンからなる群より選択される少なくとも1つの溶媒をさらに含む、
請求項3記載の有機ELデバイスの製造方法。 - 前記極性溶媒は、α−ブチロラクトン、N−メチルピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン及びその誘導体、並びにグリコールエーテルからなる群より選択される少なくとも1つの溶媒を含む、
請求項1記載の有機ELデバイスの製造方法。 - 前記画素電極を形成する工程の後、前記正孔注入層を形成する工程の前に、前記画素電極間の境界部に、前記画素電極を区画する土手を形成する工程をさらに有する、
請求項1記載の有機ELデバイスの製造方法。 - 前記発光層を形成する工程の後に、電極を形成する工程をさらに有する、
請求項1記載の有機ELデバイスの製造方法。
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