JP4645016B2 - シリコーン化合物の製造方法 - Google Patents
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Description
「(1)下記一般式(z)または(z’)
下記一般式(a)または(a’)
(Aはトリス(トリメチルシロキシ)シリル基、ビス(トリメチルシロキシ)メチルシリル基、トリメチルシロキシジメチルシリル基、ポリジメチルシロキサン基、ポリメチルシロキサン基またはポリ−コ−メチルシロキサン−ジメチルシロキサン基、Xは炭素数1〜20の2価の基を表す。R1〜R3はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜20の置換基または−X−Aを表す。R4、R5はそれぞれ独立に少なくとも1つの重合性基を有する炭素数1〜20の置換基を表す。LはH−Lの水中でのpKaが20以下の基を表す。)
(2)前記基Lが炭素数1〜20のアルコキシ基、水酸基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素および下記一般式(g1)〜(g3)
(g1)〜(g3)
ガスクロマトグラフ(GC)測定は本体に島津製作所社製GC−18A(FID検出器)、キャピラリーカラムにJ&W社DB−5(0.25mm×30m×1μm)を用いた。キャリアガスはヘリウム(138kPa)、注入口温度280℃、検出器温度280℃、昇温プログラムは60℃(5分)→10℃/分→325℃(19分)で測定した。サンプルは測定試料100μLをイソプロピルアルコール1mLに溶解して調製し、1μL注入した。
300mLのナスフラスコに下式(c1)
メタクリル酸無水物を加えない以外は比較例1と同様の方法で実験を行い、
200mLナスフラスコに上記実施例2で得たシリコーン化合物(c)または(c’)30g(71mmol)、トリエチルアミン8.62g(85mmol)、酢酸エチル30mLを加え、氷浴中で10分間攪拌した後、滴下ロートからメタクリル酸塩化物8.90g(85mmol)を滴下した。室温まで戻しながら6時間攪拌した後、0.5N水酸化ナトリウム水溶液50mLで3回、2.6%食塩水35mLで3回洗浄し、有機層に硫酸ナトリウムを加えて乾燥し、ろ過してエバポレータで溶媒を留去した。得られた液体のGC純度を測定したところ、表1のような結果が得られた。
上記合成例1で得られたシリコーン化合物(c)または(c’)30g(71mmol)に、メタクリル酸無水物16.41g(106mmol)を加えて100℃に加熱し、16時間攪拌した。反応液にヘキサン50mLを加え、0.5N水酸化ナトリウム水溶液50mLで5回、2.6%食塩水35mLで3回洗浄し、有機層に硫酸ナトリウムを加えて乾燥し、ろ過してエバポレータで溶媒を留去して架橋性シリコーン化合物(d)を得た。GC純度は表1の通りであった。
上記合成例1で得られた化合物(c)または(c’)30g(71mmol)に、メタクリル酸メチル71.05g(710mmol)、チタン(IV)イソプロポキシド6g(21mmol)を加え、室温で8時間攪拌して架橋性シリコーン化合物(d)を得た。GC純度は表1の通りであった。
100mL3つ口フラスコに還流冷却管、メカニカルスターラ、塩化カルシウムを充填した乾燥管をつけ、上記合成例1で得られた化合物(c)または(c’)30g(71mmol)にN−ニトロソフェニルヒドロキシルアミンアルミニウム0.3g(1重量%)を加え、150℃、20時間加熱して、架橋性シリコーン化合物(d)を得た。GC純度は表1の通りであった。
(c1)で表されるエポキシシラン30g(89mmol)にギ酸8.20g(178mmol)、水酸化ナトリウム0.53g(13mmol)を加え、100℃で5時間攪拌した後、0.5N水酸化ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄した。硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去した。得られた液体に1当量の炭酸カリウムとメタノールを溶媒として加え、室温で一時間放置した後、飽和食塩水で洗浄した。硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去して下式(c2)で表されるジオールを得た。
エポキシシランのかわりにアリルグリシジルエーテルを用いる以外は比較例1と同様の方法で合成を行って下記式(c3)で表される化合物を得た。
2Lナスフラスコに(c3)214g(1mol)、2,6−ジ−tert−ブチル−4−メチルフェノール220mg(1mmol)、トルエン500mL、塩化白金(IV)酸六水和物518mg(1mmol)を加え、トリクロロシラン135.5g(1mol)を滴下した。室温で8時間攪拌した後、減圧蒸留により精製して下記式(c4)で表される化合物を得た。
1Lナスフラスコ中の水160mL−メタノール80mL−ヘキサン80mL混合溶媒に、(c4)152g(0.43mol)とメトキシトリメチルシラン272g(2.6mol)の混合液を滴下した。室温で8時間攪拌した後、攪拌を止め、水層を捨てて、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で3回、飽和食塩水で3回洗浄した。硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去して下記式(c5)で表される架橋性シリコーン化合物を得た。GC純度は表1の通りであった。
トリクロロシランのかわりにトリス(トリメチルシロキシ)シランを用いる以外は比較例7と同様にして合成を行い、(c5)で表される架橋性シリコーン化合物を得た。
メタクリル酸塩化物のかわりに2−ブロモイソブチリルブロミドを用いて合成を行い下記式(c6)で表される化合物を得た。
還流冷却管と滴下漏斗をつけた500mLの三ツ口フラスコに(c6)72.5g(0.10mol)、ジエチルエーテル200mLを加えて還流しながら攪拌し、滴下漏斗からトリエチルアミン24.3g(0.24mol)のジエチルエーテル(30mL)溶液を滴下した。還流しながら24時間攪拌した後、沈殿をろ過し、溶媒を留去して(c5)で表される架橋性シリコーン化合物を得た。GC純度は表1の通りであった。
3−アリロキシプロピルトリス(トリメチルシロキシ)シラン39.4g(0.1mol)の300mLベンゼン溶液にメタクリル酸銀38.6g(0.2mol)、ヨウ素25.4g(0.1mol)を加え、16時間還流した。反応終了後、沈殿をろ過して除き、ろ液を飽和炭酸ナトリウム水溶液で5回、飽和食塩水で3回洗浄した。硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去して(c5)で表される架橋性シリコーン化合物を得た。GC純度は表1の通りであった。
Claims (2)
- 下記一般式(z)または(z’)
下記一般式(a)または(a’)
(Aはトリス(トリメチルシロキシ)シリル基、ビス(トリメチルシロキシ)メチルシリル基、トリメチルシロキシジメチルシリル基、ポリジメチルシロキサン基、ポリメチルシロキサン基またはポリ−コ−メチルシロキサン−ジメチルシロキサン基、Xは炭素数1〜20の2価の基を表す。R1〜R3はそれぞれ独立に水素、炭素数1〜20の置換基または−X−Aを表す。R4、R5はそれぞれ独立に少なくとも1つの重合性基を有する炭素数1〜20の置換基を表す。LはH−Lの水中でのpKaが20以下の基を表す。)
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