JP3755449B2

JP3755449B2 - 垂直磁気記録媒体

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Publication number: JP3755449B2
Application number: JP2001310628A
Authority: JP
Inventors: 俊司竹野入; 泰志酒井
Original assignee: Fuji Electric Device Technology Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 2001-10-05
Filing date: 2001-10-05
Publication date: 2006-03-15
Anticipated expiration: 2021-10-05
Also published as: JP2003123239A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、各種磁気記録装置に搭載される垂直磁気記録媒体に関し、より詳細には、磁気記録層の配向分散低減、磁気記録層における初期成長層低減、磁気記録層の結晶粒径低減を実現した垂直磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気記録の高密度化を実現する技術として、従来の長手磁気記録方式に代えて垂直磁気記録方式が注目されつつある。この垂直磁気記録媒体は、主に硬質磁性材料の磁気記録層と、磁気記録層を目的の方向に配向させるための下地層と、磁気記録層の表面を保護する保護膜と、そしてこの記録層への記録に用いられる磁気ヘッドが発生する磁束を集中させる役割を担う軟磁性材料の裏打ち層とから構成されている。
【０００３】
軟磁性裏打ち層は、ある方が媒体の性能は高くなるが、無くても記録は可能ため、除いた構成となる場合もある。このような軟磁性裏打ち層が無いものを単層媒体、あるものを二層媒体と呼んでいる。
【０００４】
このような垂直記録媒体において問題となる性能低下要因の一つとして、磁気記録層の配向分散（配向のバラツキ）の悪化がある。垂直記録媒体では磁気記録層の磁化容易軸を媒体面と垂直に配向させる必要があるが、その磁化容易軸の配向分散が大きくなると、垂直方向の磁束の低下から信号出力が低下し、また遷移がシャープでなくなってノイズが増加する。そのため、垂直磁気記録媒体の高出力化・低ノイズ化のためには、磁気記録層の配向分散を出来る限り小さくする必要がある。
【０００５】
垂直記録媒体の性能向上のために磁気記録層に要求されることとして、配向分散を小さくすることに加え、初期成長層の低減がある。従来の垂直媒体における磁気記録層には、面内方向にも磁化成分を有する数ｎｍ程度の厚さの初期成長層があり、これがノイズの原因となっていた。また、記録の観点からは、磁気記録層の膜厚は薄い方が望ましいが、初期成長層が存在する場合には、膜厚を下げると相対的に初期層の占める割合が大きくなり、Ｓ／Ｎが低下することから磁気記録層薄膜化の障害となっていた。
【０００６】
磁気記録媒体の低ノイズ化のためには、上述した事項に加え、磁気記録層の結晶粒径低減が必要である。磁気記録層の結晶粒径が大きくなると、ｂｉｔの遷移領域がギザギザになり、遷移ノイズが増加する。そのため、遷移ノイズを低下させるためには、結晶粒径を低減し、ｂｉｔの遷移領域を直線的にすることが必要となる。
【０００７】
以上のことから、垂直磁気記録媒体の性能向上を実現するためには、磁気記録層の配向分散低減、磁気記録層における初期成長層低減、磁気記録層の結晶粒径低減が必要となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
そのため磁気記録層の配向分散を低減し、初期成長層厚を可能な限りゼロに近づけるためには、下地層あるいは中間層の役割が重要となる。それは、１）配向性が良好な下地層あるいは中間層を選ぶことで磁気記録層の配向が改善され、２）下地層あるいは中間層と磁気記録層との格子定数のマッチングを良くすることで下地層−磁気記録層界面の接合が良好になり磁気記録層の初期層が低減されるからである。
【０００９】
また、磁気記録層が下地層あるいは中間層にエピタキシャルに成長した場合、磁気記録層の結晶粒径が下地層あるいは中間層の結晶粒径に従うことはよく知られている。そのため、磁気記録層の結晶粒径を低減するには、下地層あるいは中間層の結晶粒径を低減することが重要となる。
【００１０】
従来、この下地層としては、ＴｉやＴｉＣｒなどのＴｉ系合金が用いられてきた。それは、Ｔｉ系合金が、磁気記録層としてしばしば用いられるＣｏ系合金と同じ結晶構造であるｈｃｐ（六方最密充填）構造をとり、格子定数のマッチングも比較的良いという理由からである。しかし、Ｔｉ系合金は基板表面に吸着したＯ_２やＨ_２Ｏと反応して酸化物を作り易いため、膜成長の初期にアモルファス層を生じて配向が悪化し、その影響で磁気記録層の配向が悪化するという問題点があった。また磁気記録層と相互拡散しやすく、磁気記録層に配向の悪い初期成長層を生じるという問題点もあった。
【００１１】
上述した問題点を解決する手段として、本発明者らはこれまでに非磁性ＮｉＦｅＣｒまたは軟磁性パーマロイ系材料を下地層として用いることで、磁気記録層の配向性の改善や磁気記録層における初期成長層の低減を達成できることを報告してきた。
【００１２】
本発明者らは、上述した発明を元に更に検討を繰り返し、非磁性ＮｉＦｅＣｒまたは軟磁性パーマロイ系材料を下地層として用い、非磁性中間層として、Ｃ，Ｃｕ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｒｅ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｖからなる群から選択される材料をＲｕ中に１種類以上添加したＲｕ基合金を用いることで、磁気記録層における配向性および初期成長層の磁気特性の更なる改善と同時に、磁気記録層の結晶粒径低減が達成されることを見出した。
【００１３】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、磁気記録層の配向性を改善し、磁気記録層における初期成長を低減し、磁気記録層の結晶粒径を低減することにより、高出力化および低ノイズ化といった媒体性能の向上を実現するようにした垂直磁気記録媒体を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、非磁性基体上に下地層と中間層と磁気記録層と保護膜及び液体潤滑層とを順次形成された垂直磁気記録媒体であって、前記下地層が非磁性ＮｉＦｅＣｒを含み、前記中間層がＲｕ基合金を含むことを特徴とする。
【００１５】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記中間層として、Ｃ，Ｃｕ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｒｅ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｖからなる群から選択される材料を１種類以上Ｒｕ中に添加した合金を用いることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記Ｒｕと添加物の配合比として、Ｃ，Ｃｕ，Ｒｅでは特に限定せず、Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｖでは薄膜形成時にｈｃｐ−Ｒｕ相以外の相が形成されない範囲として、Ｗでは３２ａｔ％以下、Ｍｏでは３６ａｔ％以下、Ｃｒでは４０ａｔ％以下、Ｉｒでは４４ａｔ％以下、Ｐｔでは２０ａｔ％以下、Ｒｈでは６０ａｔ％以下、Ｔａでは２０ａｔ％以下、Ｖでは１６ａｔ％以下とすることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記非磁性基体と前記下地層の間に軟磁性裏打ち層を設けたことを特徴とする。
【００１８】
また、請求項５に記載の発明は、非磁性基体上に軟磁性裏打ち層と下地層と中間層と磁気記録層と保護膜及び液体潤滑層とを順次形成した垂直磁気記録媒体であって、前記下地層が軟磁性を有するＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｒ，ＮｉＦｅＮｂ，ＮｉＦｅＭｏ，ＮｉＦｅＮｂＭｏからなるパーマロイ系材料を含み、前記中間層が請求項２または請求項３に記載のＲｕ基合金を含むことを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明に係る垂直単層媒体、すなわち第１の実施態様に基づく垂直磁気記録媒体の断面模式図である。この垂直単層媒体は、非磁性基体１と、非磁性基体１の上に設けられた非磁性ＮｉＦｅＣｒ下地層２と、下地層２の上に設けられたＲｕ基合金中間層３と、中間層３の上に設けられた磁気記録層４と、磁気記録層４の上に設けられた保護膜５と、保護膜５の上に設けられた液体潤滑層６とから構成されている。
【００２０】
非磁性基体１としては表面が平滑である様々な基体であってよく、例えば、磁気記録媒体用に用いられる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金や強化ガラス、結晶化ガラス等を用いることができる。下地層２は、非磁性のＮｉ基合金であるＮｉＦｅＣｒを用いて形成される。本発明で使用される非磁性ＮｉＦｅＣｒとは、非磁性かつ結晶構造がｆｃｃとなるように選択されたＮｉ，Ｆｅ，Ｃｒの配合比を有するものであり、例えば、Ｎｉ１５Ｆｅ２５Ｃｒ，Ｎｉ１８Ｆｅ２５Ｃｒ，Ｎｉ１５Ｆｅ３０Ｃｒなどが挙げられる。
【００２１】
また中間層３は、Ｒｕ中にＣ，Ｃｕ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｒｅ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｖからなる群から選択される材料を１種類以上添加したＲｕ基合金を用いて形成される。このとき、Ｒｕと添加物の配合比としては、Ｃ，Ｃｕ，Ｒｅでは特に限定されないが、Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｖでは薄膜形成時にｈｃｐ−Ｒｕ相以外の相が形成されない範囲で配合される。すなわち、Ｗでは３２ａｔ％、Ｍｏでは３６ａｔ％以下、Ｃｒでは４０ａｔ％以下、Ｉｒでは４４ａｔ％以下、Ｐｔでは２０ａｔ％以下、Ｒｈでは６０ａｔ％以下、Ｔａでは２０ａｔ％以下、Ｖでは１６ａｔ％以下の範囲に限定される。
【００２２】
これらの材料を１種類またはそれ以上含むＲｕ基合金は、ＮｉＦｅＣｒ下地層２上に形成された時に配向性に優れ、結晶粒径が微細となる。また上述したＲｕ基合金は、磁気記録層との接合性に優れ、磁気記録層の初期層を低減する作用がある。
【００２３】
磁気記録層４は、少なくともＣｏとＣｒを含む合金の強磁性材料が好適に用いられ、その六方細密充填構造のｃ軸が膜面に垂直方向に配向していることが垂直磁気記録媒体として用いるために必要である。磁気記録層４としては、ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰｔＢ，ＣｏＣｒＰｔＮｂ，ＣｏＣｒＰｔＴａなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２４】
下地層２と非磁性基体１の間には、基板表面に吸着したＯ_２やＨ_２Ｏを取り除くゲッタとなり、かつ基板表面の凹凸を低減することを目的としてＴｉやＴａ等のシード層を用いることもできる。この時、シード層は基板表面に吸着したＯ_２やＨ_２Ｏと反応してアモルファスになることが、下地層の配向および基板表面の凹凸を低減する観点から好ましいので、膜厚をおおむね１０ｎｍ以下とするとよい。
【００２５】
保護膜５は、例えば、カーボンを主体とする薄膜が用いられる。その他、磁気記録媒体の保護膜として一般的に用いられる様々な薄膜材料を使用しても良い。液体潤滑材層６は、例えば、パーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を用いることができる。その他、磁気記録媒体の液体潤滑層材料として一般的に用いられる様々な潤滑材料を使用しても良い。
【００２６】
非磁性基体の上に積層される各層は、磁気記録媒体の分野で通常用いられる様々な成膜技術によって形成することが可能である。液体潤滑層を除く各層の形成には、例えば、ＤＣマグネトロンスパッタリング法，ＲＦマグネトロンスパッタリング法，真空蒸着法を用いることが出来る。また、液体潤滑層の形成には、例えば、ディップ法やスピンコート法を用いることができる。しかし、これらに限定されるものではない。
【００２７】
図２は、本発明に係る垂直二層媒体、すなわち第２の実施態様に基づく垂直磁気記録媒体の断面模式図である。この垂直磁気記録媒体は、非磁性基体１上と、非磁性基体１の上に順次設けられる軟磁性裏打ち層７と、下地層２２と、中間層３と、磁気記録層４と、保護膜５と、液体潤滑層６とから構成されている。
【００２８】
なお、下地層２２は、軟磁性を有するパーマロイ系材料である、ＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｒ，ＮｉＦｅＭｏ，ＮｉＦｅＮｂ，ＮｉＦｅＮｂＭｏ，および第１の実施態様で示した非磁性ＮｉＦｅＣｒからなる群から選択される材料を含むことを特徴としている。非磁性基体１と、中間層３と、磁気記録層４と、保護膜５と、液体潤滑層６とを形成する各々の材料および成膜方法は、述したとおりである。
【００２９】
軟磁性裏打ち層７としては、結晶のＦｅＴａＣ，センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金等、また非晶質のＣｏ合金であるＣｏＺｒＮｂ，ＣｏＴａＺｒなどを用いることができる。軟磁性裏打ち層７の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造や特性によって最適値が変化するが、おおむね１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下程度であることが、生産性との兼ね合いから望ましい。
【００３０】
以下に本発明の垂直磁気記録媒体について、具体的な実施例について説明するが、本発明はそれらに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【００３１】
［実施例１］
本実施例１は、非磁性基体と、その上に順次形成された非磁性ＮｉＦｅＣｒ下地層２と、Ｒｕ基合金であるＲｕＷ中間層３と、磁気記録層４と、保護膜５と、液体潤滑層６とを有する単層垂直磁気記録媒体に関する。
【００３２】
非磁性基体１として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、非磁性のＮｉ基合金であるＮｉ１５Ｆｅ２５Ｃｒターゲットを用いてＮｉＦｅＣｒ下地層を５ｎｍ成膜した。引き続いてランプヒータを用いて基板表面温度が３００℃になるように加熱を行なった後、ＲｕにＷを２０ａｔ％固溶させた合金であるＲｕ２０Ｗターゲットを用いて、Ａｒガス圧４．０Ｐａ下でＲｕＷ中間層を５ｎｍ成膜した。
【００３３】
引き続いて、Ｃｏ２０Ｃｒ１０Ｐｔターゲットを用いてＣｏＣｒＰｔ磁気記録層を３０ｎｍ成膜した。最後に、カーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜１０ｎｍを成膜後、真空装置から取り出した。ヒータ加熱およびＲｕＷ中間層の成膜を除くこれらの成膜は、すべてＡｒガス圧０．６７Ｐａ下で行い、ヒータ加熱を除く全ての成膜は、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なった。
【００３４】
その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑材層２ｎｍをディップ法により形成し、単層の垂直磁気記録媒体とした。また、磁気特性および配向性を比較するために、ＣｏＣｒＰｔ磁気記録層の膜厚を１０ｎｍ，１５ｎｍ，２０ｎｍとすることを除き、上述と同様にして磁気記録層の膜厚が異なる様々な媒体を製作した。
【００３５】
次いで、完成した垂直磁気記録媒体の磁気特性をＶＳＭ（振動試料磁力計）により評価した。下地層にＴｉＣｒを用い、中間層を設けない場合（比較例１）と、下地層に非磁性ＮｉＦｅＣｒを用い、中間層に純Ｒｕを用いた場合（比較例２）と比較して、本実施例１における媒体の保磁力Ｈｃの磁気記録層膜厚依存を、図３に示し、角型比Ｓの磁気記録層膜厚依存を図４に示している。
【００３６】
なお、比較例１では下地層と中間層を除く全ての層が、本実施例１と同様の材料とプロセスで形成されており、比較例２では中間層を除く全ての層が、本実施例１と同様の材料とプロセスで形成されている。図３及び図４から明らかなように、本実施例１の単層媒体では磁気記録層が改善されたことにより、比較例１及び比較例２と比べて、磁気記録層膜厚が薄い時にも高いＨｃおよびＳが得られている。
【００３７】
次に、本実施例と比較例１と比較例２の媒体における磁化容易軸の配向分散を測定した。測定は、Ｘ線回折装置を用いてロッキングカーブ法により実施した。測定の結果を図５に示す。磁気記録層膜厚１０ｎｍの時の配向分散（ロッキングカーブ半値幅）を比較すると、比較例１の媒体では１４°、比較例２の媒体では８．２°であるのに対し、本実施例１の媒体では約７．２°となっており、磁気記録層の初期成長層の配向が改善されていることがわかる。
【００３８】
また、磁気記録層の初期成長層の配向が改善されたことにより、磁気記録層膜厚が更に厚いところでも、比較例１及び比較例２の媒体と比較して、本実施例１の媒体の配向分散が小さくなっていることがわかる。
【００３９】
また、磁気記録層の初期成長層についてＴＥＭ（透過電子顕微鏡）により評価したところ、比較例１の媒体では磁気記録層と下地層の界面に、格子像の見えないアモルファス層の存在が確認されたが、本実施例１の媒体では下地層と磁気記録層の界面においても格子像が観察され、アモルファス層が存在しないことが明らかとなった。
【００４０】
以上のように、単層垂直磁気記録媒体において、下地層を非磁性ＮｉＦｅＣｒとして中間層をＲｕとすることで、ＴｉＣｒ下地と比較して磁気特性や配向性、磁気記録層の初期成長層が大きく改善されるが、下地層を同じＮｉＦｅＣｒとして中間層をＲｕＷとすることで、磁気記録層の初期成長層が更に改善され、磁気特性や配向性が更に良好になる。
【００４１】
［実施例２］
本実施例２は、非磁性基体１と非磁性ＮｉＦｅＣｒ下地層２との間にシード層を設け、中間層３をＲｕＣとしたことを除き、実施例１と同様に構成される単層垂直磁気記録媒体に関する。
【００４２】
非磁性基体１として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−１０ガラス基板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｔａターゲットを用いてＴａシード層を５ｎｍ成膜した。その後、非磁性のＮｉ基合金であるＮｉ１５Ｆｅ２５Ｃｒターゲットを用いてＮｉＦｅＣｒ下地層を用いて５ｎｍ成膜した。
【００４３】
引き続いて、ＲｕにＣを３０ａｔ％固溶させた合金であるＲｕ３０Ｃターゲットを用いて、Ａｒガス圧１．３Ｐａ下でＲｕＷ中間層を５ｎｍ成膜した。引き続いて、ランプヒータを用いて基板表面温度が２２０℃になるように加熱を行なった後、Ｃｏ２０Ｃｒ１０Ｐｔ４Ｂターゲットを用いてＣｏＣｒＰｔＢ磁気記録層を２０ｎｍ成膜した。
【００４４】
最後に、カーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜１０ｎｍを成膜後、真空装置から取り出した。ヒータ加熱およびＲｕＣ中間層の成膜を除くこれらの成膜は、すべてＡｒガス圧０．６７Ｐａ下で行い、ヒータ加熱を除く全ての成膜は、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なった。その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑材層２ｎｍをディップ法により形成し、単層の垂直磁気記録媒体とした。
【００４５】
完成した垂直磁気記録媒体の磁気特性をＶＳＭで評価し、また配向分散（Δθ_５０）を、Ｘ線回折装置を用いてロッキングカーブ法で評価し、さらに一軸異方性定数Ｋｕを磁気トルクメータで、結晶粒径をＴＥＭで評価した。下地層にＴｉＣｒを用い、中間層を設けない場合（比較例３）と、下地層に非磁性ＮｉＦｅＣｒを用い、中間層に純Ｒｕを用いた場合（比較例４）とともに、本実施例２の媒体の諸特性を表１に示す。なお、比較例３では下地層と中間層を除く全ての層が、本実施例２と同様の材料とプロセスで形成されており、比較例４では中間層を除く全ての層が、本実施例２と同様での材料とプロセスで形成されている。
【００４６】
【表１】

【００４７】
本実施例２では、比較例３及び比較例４と比べて保磁力と角型比と配向分散および一軸異方性の点で優れていることがわかる。また、これまで、ＴｉＣｒ下地層（比較例３）からＮｉＦｅＣｒ下地層およびＲｕ中間層（比較例４）にすることで、磁気特性と配向性と磁気記録層の初期成長層を大きく改善できていたが、結晶粒径がＴｉＣｒ下地と比較して大きくなってしまい（表１参照）、ノイズが十分に下がらないという問題点があった。この問題点に対し、本実施例２では、磁気特性と配向性を更に改善するとともに、結晶粒径をＴｉＣｒ下地層の時（比較例３）とほぼ同等にまで微細化できた。
【００４８】
［実施例３］
本実施例３は、パーマロイ系下地層２２を有し、中間層３としてＲｕ基合金であるＲｕＭｏを有する二層垂直磁気記録媒体に関する。本実施例３に基づく二層垂直磁気記録媒体は、非磁性基体１と、その上に順次形成された軟磁性裏打ち層７と、下地層２２と、中間層３と、磁気記録層４と、保護膜５及び液体潤滑層６とから構成されている。
【００４９】
二層媒体は、以下のようにして作製した。
非磁性基体１として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−５ガラス基板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｃｏ８Ｚｒ５Ｎｂターゲットを用いてＣｏＺｒＮｂ非晶質軟磁性裏打ち層を２００ｎｍ成膜した。次に、下地層として、パーマロイ系の軟磁性材料であるＮｉ１７Ｆｅ３Ｃｒターゲットを用いてＮｉＦｅＣｒ下地層を５ｎｍ成膜した。
【００５０】
引き続いて、ランプヒータを用いて基板表面温度が３００℃になるように加熱を行なった後、ＲｕにＭｏを２２ａｔ％固溶させた合金であるＲｕ２２Ｍｏターゲットを用いて、Ａｒガス圧４．０Ｐａ下でＲｕＭｏ中間層を５ｎｍ成膜した。引き続いて、Ｃｏ２０Ｃｒ１０Ｐｔターゲットを用いてＣｏＣｒＰｔ磁気記録層２０ｎｍを成膜した。
【００５１】
最後に、カーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜１０ｎｍを成膜後、真空装置から取り出した。なお、ヒータ加熱およびＲｕＭｏ中間層の成膜を除くこれらの成膜は、すべてＡｒガス圧０．６７Ｐａ下でＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なっていることは、実施例１と同様である。その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑材層２ｎｍをディップ法により形成し、軟磁性裏打ち層を有する二層垂直磁気記録媒体とした。
【００５２】
上述のようにして得られた二層媒体について、磁気カー効果により保磁力Ｈｃおよび角型比Ｓを、ＴＥＭにより結晶粒径を測定した。またリード・ライトテスタを用いて、記録密度を変化させ、その時のノイズスペクトルを測定した。比較対照として、中間層をＲｕとした以外は本実施例と全く同様にして作製したサンプル（比較例５）についても同様に測定した。磁気特性および結晶粒径の測定結果を表２に、ノイズスペクトルの測定結果を図６に示す。
【００５３】
【表２】

【００５４】
表２からわかるように、中間層をＲｕＭｏとすることで、保磁力Ｈｃおよび角型比Ｓが僅かではあるが、改善されていることが分かる。これに対して、結晶粒径は大きく改善しており、１３．５ｎｍから７．７ｎｍに微細化されている。また図６から、ノイズ特性が改善されていることが分かる。これは、結晶粒径が微細化した影響によるものと考えられる。
【００５５】
［実施例４］
本実施例４は、パーマロイ系下地層２２を有し、中間層３としてＲｕ基合金であるＲｕＣｒＣを有する二層垂直磁気記録媒体に関する。本実施例４に基づく二層垂直磁気記録媒体は、非磁性基体１と、その上に順次形成された軟磁性裏打ち層７と、下地層２２と、中間層３と、磁気記録層４と、保護膜５及び液体潤滑層６とから構成されている。媒体は、中間層をＲｕＣｒＣとすること以外は実施例３と同様に構成される。すなわち、以下のようにして作製した。
【００５６】
非磁性基体１として表面が平滑な化学強化ガラス基板（例えばＨＯＹＡ社製Ｎ−５ガラス基板）を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ｃｏ３Ｔａ５Ｚｒターゲットを用いてＣｏＴａＺｒ非晶質軟磁性裏打ち層を２００ｎｍ成膜した。次に、下地層として、パーマロイ系の軟磁性材料であるＮｉ２２Ｆｅ３Ｍｏターゲットを用いてＮｉＦｅＭｏ下地層を５ｎｍ成膜した。
【００５７】
引き続いて、ＲｕにＣｒを５ａｔ％、Ｃを１０ａｔ％固溶させた合金であるＲｕ５Ｃｒ１０Ｃターゲットを用いて、Ａｒガス圧１．３Ｐａ下でＲｕＣｒＣ中間層を５ｎｍ成膜した。引き続いて、ランプヒータを用いて基板表面温度が２２０℃になるように加熱を行なった後、Ｃｏ２０Ｃｒ１０Ｐｔ４Ｂターゲットを用いてＣｏＣｒＰｔＢ磁気記録層を２０ｎｍ成膜した。
【００５８】
最後に、カーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜１０ｎｍを成膜後、真空装置から取り出した。ヒータ加熱およびＲｕＣｒＣ中間層の成膜を除くこれらの成膜は、すべてＡｒガス圧０．６７Ｐａ下で行い、ヒータ加熱を除く全ての成膜は、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により行なった。その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑材層２ｎｍをディップ法により形成し、軟磁性裏打ち層を有する二層垂直磁気記録媒体とした。
【００５９】
上述のようにして得られた二層媒体について、磁気カー効果により保磁力Ｈｃおよび角型比Ｓを、ＴＥＭにより結晶粒径を、Ｘ線回折装置を用いたロッキングカーブ法により配向分散（Δθ_５０）を測定した。また、リード・ライトテスタを用いてノイズスペクトルおよびＳ／Ｎ（信号出力−ノイズ比）を測定した。比較対照として、下地層をＴｉＣｒとして中間層を設けないこと以外は、本実施例４と全く同様にして作製したサンプル（比較例６）および中間層をＲｕとした以外は、本実施例４と全く同様にして作製したサンプル（比較例７）についても同様に測定した。測定結果を表３に示す。なお、規格化ノイズおよびＳ／Ｎは線記録密度４００ｋＦＣｌ時の値を表３中に示す。
【００６０】
【表３】

【００６１】
表３から明らかなように、本実施例４における媒体では、磁気特性と配向分散の改善および結晶粒径の微細化が両立されたことにより、比較対照の二層媒体と比較して媒体ノイズを低減することができた。また、媒体ノイズの低減に加え、磁気特性の向上に伴い信号出力も増加したため、媒体のＳ／Ｎが比較例６よりも約２ｄＢ、比較例７よりも約１．５ｄＢ増加した。以上のように、本実施例４により媒体の性能が向上した。
【００６２】
【発明の効果】
以上述べたように本発明によれば、配向性および接合性に優れたＮｉＦｅＣｒまたは軟磁性パーマロイ系材料を下地層として用い、配向性および結晶粒径微細化に優れたＲｕ基合金材料を中間層として用いるため、磁気記録層に存在する配向および磁気特性の悪い初期成長層が低減され、磁気記録層の磁化容易軸の配向分散が低減される。また、磁気記録層の結晶粒径が低減される。その結果、垂直磁気記録媒体のノイズを低減することができる。また、磁気記録層の初期成長層および容易軸の配向分散低減により、結晶磁気異方性が向上する。その結果、磁気記録層の熱安定性が向上し、媒体の信頼性向上につながる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る垂直単層媒体の断面模式図である。
【図２】本発明に係る垂直二層媒体の断面模式図である。
【図３】実施例１に係る保磁力Ｈｃの磁気記録層膜厚依存を示す図である。
【図４】実施例１に係る角型比Ｓの磁気記録層膜厚依存を示す図である。
【図５】実施例１に係る配向分散Δθ_５０の磁気記録層膜厚依存を示す図である。
【図６】実施例３に係る垂直記録媒体のノイズスペクトルの比較を示す図である。
【符号の説明】
１非磁性基体
２非磁性ＮｉＦｅＣｒ下地層
３Ｒｕ基合金中間層
４磁気記録層
５保護膜
６液体潤滑材層
７軟磁性裏打ち層
２２軟磁性パーマロイ系材料または非磁性ＮｉＦｅＣｒからなる下地層

Claims

非磁性基体上に下地層と中間層と磁気記録層と保護膜及び液体潤滑層とを順次形成された垂直磁気記録媒体であって、前記下地層が非磁性ＮｉＦｅＣｒを含み、前記中間層がＲｕ基合金を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
前記中間層として、Ｃ，Ｃｕ，Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｒｅ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｖからなる群から選択される材料を１種類以上Ｒｕ中に添加した合金を用いることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
前記Ｒｕと添加物の配合比として、Ｃ，Ｃｕ，Ｒｅでは特に限定せず、Ｗ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｔａ，Ｖでは薄膜形成時にｈｃｐ−Ｒｕ相以外の相が形成されない範囲として、Ｗでは３２ａｔ％以下、Ｍｏでは３６ａｔ％以下、Ｃｒでは４０ａｔ％以下、Ｉｒでは４４ａｔ％以下、Ｐｔでは２０ａｔ％以下、Ｒｈでは６０ａｔ％以下、Ｔａでは２０ａｔ％以下、Ｖでは１６ａｔ％以下とすることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
前記非磁性基体と前記下地層の間に軟磁性裏打ち層を設けたことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
非磁性基体上に軟磁性裏打ち層と下地層と中間層と磁気記録層と保護膜及び液体潤滑層とを順次形成した垂直磁気記録媒体であって、前記下地層が軟磁性を有するＮｉＦｅ，ＮｉＦｅＣｒ，ＮｉＦｅＮｂ，ＮｉＦｅＭｏ，ＮｉＦｅＮｂＭｏからなるパーマロイ系材料を含み、前記中間層が請求項２または請求項３に記載のＲｕ基合金を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体。