JP3435607B2 - 非還元性誘電体磁器組成物 - Google Patents
非還元性誘電体磁器組成物Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は非還元性誘電体磁器組
成物に関し、特にたとえば積層セラミックコンデンサな
どに用いられる非還元性誘電体磁器組成物に関する。 【０００２】 【従来の技術】積層セラミックコンデンサの製造をする
には、まず、その表面に内部電極となる電極材料を塗布
したシート状の誘電体材料が準備される。この誘電体材
料としては、たとえばＢａＴｉＯ3 を主成分とする材料
などが用いられる。この電極材料を塗布したシート状の
誘電体材料を積層して熱圧着し、一体化したものを自然
雰囲気中において１２５０〜１３５０℃で焼成すること
で、内部電極を有する誘電体磁器が得られる。そして、
この誘電体磁器の端面に、内部電極と導通する外部電極
を焼き付けることによって、積層セラミックコンデンサ
が製造される。 【０００３】したがって、内部電極の材料としては、次
のような条件を満たす必要がある。 【０００４】（ａ）誘電体磁器と内部電極とが同時に焼
成されるので、誘電体磁器が焼成される温度以上の融点
を有すること。 【０００５】（ｂ）酸化性の高温雰囲気中においても酸
化されず、しかも誘電体と反応しないこと。 【０００６】このような条件を満足する電極材料として
は、白金，金，パラジウムあるいはこれらの合金などの
ような貴金属が用いられていた。 【０００７】しかしながら、これらの電極材料は優れた
特性を有する反面、高価であった。そのため、積層セラ
ミックコンデンサに占める電極材料費の割合は３０〜７
０％にも達し、製造コストを上昇させる最大の要因とな
っていた。 【０００８】貴金属以外に高融点をもつものとしてＮ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｍｏなどの卑金属があるが、これ
らの卑金属は高温の酸化性雰囲気中では容易に酸化され
てしまい、電極としての役目を果たさなくなってしま
う。そのため、これらの卑金属を積層セラミックコンデ
ンサの内部電極として使用するためには、誘電体磁器と
ともに中性または還元性雰囲気中で焼成される必要があ
る。しかしながら、従来の誘電体磁器材料では、このよ
うな還元性雰囲気中で焼成すると著しく還元されてしま
い、半導体化してしまうという欠点があった。 【０００９】このような欠点を克服するために、たとえ
ば特公昭５７−４２５８８号公報に示されるように、チ
タン酸バリウム固溶体において、バリウムサイト／チタ
ンサイトの比を化学量論比より過剰にした誘電体材料が
考え出された。このような誘電体材料を使用することに
よって、還元性雰囲気中で焼成しても半導体化しない誘
電体磁器を得ることができ、内部電極としてニッケルな
どの卑金属を使用した積層セラミックコンデンサの製造
が可能となった。 【００１０】 【発明が解決しようとする課題】近年のエレクトロニク
スの発展に伴い電子部品の小型化が急速に進行し、積層
セラミックコンデンサも小型化の傾向が顕著になってき
た。積層セラミックコンデンサを小型化する方法として
は、一般的に大きな誘電率を有する材料を用いるか、誘
電体層を薄膜化することが知られている。しかし、大き
な誘電率を有する材料は結晶粒が大きく、１０μｍ以下
のような薄膜になると、１つの層中に存在する結晶粒の
数が減少し、信頼性が低下してしまう。 【００１１】それゆえに、この発明の主たる目的は、還
元性雰囲気中で焼成しても半導体化せず、しかも結晶粒
径が小さいにもかかわらず、大きな誘電率が得られ、こ
れを用いることによって積層セラミックコンデンサを小
型化することができる、非還元性誘電体磁器組成物を提
供することである。 【００１２】 【課題を解決するための手段】この発明は、その主成分
がＢａ，Ｃａ，Ｔｉ，ＺｒおよびＮｂの各酸化物からな
り、次の一般式、｛（Ｂａ1-x Ｃａx ）Ｏ｝m −（Ｔｉ
1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ）Ｏ2+p/2 で表され、ｘ，ｏ，ｐお
よびｍが、０＜ｘ≦０．２０、０＜ｏ≦０．２５、０．
０００５≦ｐ≦０．０１５、１．００２≦ｍ≦１．０３
の関係を満足し、前記主成分１００モルに対して、Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉの各酸化物をＭｎＯ2 ，Ｆ
ｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯと表したとき、
各酸化物の少なくとも一種類が合計量で０．０２〜２．
０モル添加され、ＳｉＯ2 ，ＺｎＯの少なくとも一種類
を合計量で０．１〜２．０モル含む、非還元性誘電体磁
器組成物である。 【００１３】 【発明の効果】この発明によれば、還元性雰囲気中で焼
成しても還元されず、半導体化しない非還元性誘電体磁
器組成物を得ることができる。したがって、この非還元
性誘電体磁器組成物を用いて磁器積層コンデンサを製造
すれば、電極材料として卑金属を用いることができ、１
２５０℃以下と比較的低温で焼成可能であるため、積層
セラミックコンデンサのコストダウンを図ることができ
る。 【００１４】また、この非還元性誘電体磁器組成物を用
いた磁器では、誘電率が９０００以上あり、しかもこの
ように高誘電率であるにもかかわらず、結晶粒が３μｍ
以下と小さい。したがって、積層セラミックコンデンサ
を製造するときに、誘電体層を薄膜化しても、従来の積
層セラミックコンデンサのように層中に存在する結晶粒
の量が少なくならない。このため、信頼性が高く、しか
も小型で大容量の積層セラミックコンデンサを得ること
ができる。 【００１５】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。 【００１６】 【実施例】まず、原料として、純度９９．８％以上のＢ
ａＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2 ，Ｎｂ2 Ｏ
5 ，ＭｎＯ2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，Ｎｉ
Ｏ，ＳｉＯ2 ，ＺｎＯを準備した。これらの原料を｛
(Ｂａ1-x Ｃａx ）Ｏ｝m −( Ｔｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp )
Ｏ2+p/2 の組成式で表され、ｘ，ｏ，ｐ，ｍが表１に
示す割合となるように配合して、配合原料を得た。この
配合原料をボールミルで湿式混合し、粉砕したのち乾燥
し、空気中において１１００℃で２時間仮焼して仮焼物
を得た。この仮焼物を乾式粉砕機によって粉砕し、粒径
が１μｍ以下の粉砕物を得た。この粉砕物に純水と酢酸
ビニルバインダを加えて、ボールミルで１６時間混合し
て混合物を得た。 【００１７】 【表１】 【００１８】この混合物を乾燥造粒した後、２０００ｋ
ｇ／ｃｍ2 の圧力で成形し、直径１０ｍｍ，厚さ０．５
ｍｍの円板を得た。得られた円板を空気中において５０
０℃まで加熱して有機バインダを燃焼させたのち、酸素
分圧が３×１０-8〜３×１０-10 ａｔｍのＨ2 −Ｎ2 −
空気ガスからなる還元雰囲気炉中において表２に示す温
度で２時間焼成し、円板状の磁器を得た。得られた磁器
の表面を、走査型電子顕微鏡で倍率１５００倍で観察
し、グレインサイズを測定した。 【００１９】 【表２】【００２０】そして、得られた磁器の主表面に銀電極を
焼き付けて測定試料（コンデンサ）とした。得られた試
料について、室温での誘電率（ε），誘電損失（ｔａｎ
δ）および温度変化に対する静電容量（Ｃ）の変化率を
測定した。なお、誘電率および誘電損失は、温度２５
℃，１ｋＨｚ，１Ｖrms の条件で測定した。また、温度
変化に対する静電容量の変化率については、２０℃での
静電容量を基準とした−２５℃と８５℃での変化率（Δ
Ｃ／Ｃ20）および−２５℃から８５℃の範囲内で絶対値
としてその変化率が最大である値（｜ΔＣ／Ｃ
20｜max ）を示した。 【００２１】さらに、また、絶縁抵抗計によって、５０
０Ｖの直流電流を２分間印加したのちの絶縁抵抗値を測
定した。絶縁抵抗は、２５℃および８５℃の値を測定
し、それぞれの体積抵抗率の対数（ｌｏｇρ）を算出し
た。これらの測定結果を表２に示す。 【００２２】次に、各組成の限定理由について説明す
る。 【００２３】｛ (Ｂａ1-x Ｃａx ）Ｏ｝m −( Ｔｉ
1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 において、試料番号１の
ように、カルシウム量ｘが０の場合、磁器の焼結性が悪
く、誘電損失が２．０％を超え、絶縁抵抗の低下が生じ
好ましくない。一方、試料番号１５のように、カルシウ
ム量ｘが０．２０を超えると、再び磁器の焼結性が悪く
なり、誘電率が低下し好ましくない。 【００２４】試料番号２のように、ジルコニウム量ｏが
０の場合、誘電率が９０００未満になり、静電容量の温
度変化率が大きくなり好ましくない。また、試料番号１
６のように、ジルコニウム量ｏが０．２５を超えると、
磁器の焼結性が低下し、誘電率が９０００未満になり好
ましくない。 【００２５】試料番号３のように、ニオブ量ｐが０．０
００５未満であれば、誘電率が９０００未満であり、結
晶粒径が３μｍより大きくなり、積層セラミックコンデ
ンサにした場合、誘電体層を薄膜化できず好ましくな
い。一方、試料番号１７のように、ニオブ量ｐが０．０
１５を超えると、還元性雰囲気で焼成したとき磁器が還
元され、半導体化して絶縁抵抗が大幅に低下し好ましく
ない。 【００２６】試料番号４のように、｛ (Ｂａ1-x Ｃ
ａx ）Ｏ｝m −( Ｔｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 の
モル比ｍが１．００２ｍ未満であれば、還元性雰囲気で
焼成したとき磁器が還元され、半導体化して絶縁抵抗が
低下し好ましくない。一方、試料番号１８のように、モ
ル比ｍが１．０３を超えると、焼結性が極端に低下し好
ましくない。 【００２７】試料番号５のように、添加物（Ａ）として
のＭｎＯ2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯおよびＮ
ｉＯの添加量が０．０２モル未満の場合、８５℃以上で
の絶縁抵抗が小さくなり、高温中における長時間使用の
信頼性が低下し好ましくない。一方、試料番号１９のよ
うに、これらの添加物の量が２．０モルを超えると、誘
電損失が２．０％を超えて大きくなり、同時に絶縁抵抗
も劣化し好ましくない。 【００２８】また、試料番号６のように、添加物（Ｂ）
としてのＳｉＯ2 およびＺｎＯの添加量が０．１モル未
満の場合、焼結性が悪くなり、誘電損失が２．０％を超
えて好ましくない。一方、試料番号２０のように、これ
らの添加物の量が２．０モルを超えると、誘電率が９０
００未満に低下するとともに、結晶粒径が３μｍより大
きくなり、同時に絶縁抵抗も劣化し好ましくない。 【００２９】それに対して、この発明の非還元性誘電体
磁器組成物を用いれば、誘電率が９０００以上と高く、
誘電損失が２．０％以下で、温度に対する静電容量の変
化率が、−２５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定す
るＥ特性規格あるいはＦ特性規格を満足する誘電体磁器
を得ることができる。さらに、この誘電体磁器では、２
５℃，８５℃における絶縁抵抗は、体積抵抗率の対数で
表したときに１２以上と高い値を示す。また、この発明
の非還元性誘電体磁器組成物は、焼成温度も１２５０℃
以下と比較的低温で焼結可能であり、粒径についても３
μｍ以下と小さい。 【００３０】なお、前記実施例では、出発原料としてＢ
ａＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，Ｎｂ2 Ｏ
5 などの酸化物粉末を用いたが、これらの酸化物粉末に
限定されるものではなく、アルコキシド法，共沈法また
は水熱合成法によって作成された粉末を用いてもよい。
これらの粉末を用いることにより、前記実施例で示した
特性より向上させることも可能である。
成物に関し、特にたとえば積層セラミックコンデンサな
どに用いられる非還元性誘電体磁器組成物に関する。 【０００２】 【従来の技術】積層セラミックコンデンサの製造をする
には、まず、その表面に内部電極となる電極材料を塗布
したシート状の誘電体材料が準備される。この誘電体材
料としては、たとえばＢａＴｉＯ3 を主成分とする材料
などが用いられる。この電極材料を塗布したシート状の
誘電体材料を積層して熱圧着し、一体化したものを自然
雰囲気中において１２５０〜１３５０℃で焼成すること
で、内部電極を有する誘電体磁器が得られる。そして、
この誘電体磁器の端面に、内部電極と導通する外部電極
を焼き付けることによって、積層セラミックコンデンサ
が製造される。 【０００３】したがって、内部電極の材料としては、次
のような条件を満たす必要がある。 【０００４】（ａ）誘電体磁器と内部電極とが同時に焼
成されるので、誘電体磁器が焼成される温度以上の融点
を有すること。 【０００５】（ｂ）酸化性の高温雰囲気中においても酸
化されず、しかも誘電体と反応しないこと。 【０００６】このような条件を満足する電極材料として
は、白金，金，パラジウムあるいはこれらの合金などの
ような貴金属が用いられていた。 【０００７】しかしながら、これらの電極材料は優れた
特性を有する反面、高価であった。そのため、積層セラ
ミックコンデンサに占める電極材料費の割合は３０〜７
０％にも達し、製造コストを上昇させる最大の要因とな
っていた。 【０００８】貴金属以外に高融点をもつものとしてＮ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｍｏなどの卑金属があるが、これ
らの卑金属は高温の酸化性雰囲気中では容易に酸化され
てしまい、電極としての役目を果たさなくなってしま
う。そのため、これらの卑金属を積層セラミックコンデ
ンサの内部電極として使用するためには、誘電体磁器と
ともに中性または還元性雰囲気中で焼成される必要があ
る。しかしながら、従来の誘電体磁器材料では、このよ
うな還元性雰囲気中で焼成すると著しく還元されてしま
い、半導体化してしまうという欠点があった。 【０００９】このような欠点を克服するために、たとえ
ば特公昭５７−４２５８８号公報に示されるように、チ
タン酸バリウム固溶体において、バリウムサイト／チタ
ンサイトの比を化学量論比より過剰にした誘電体材料が
考え出された。このような誘電体材料を使用することに
よって、還元性雰囲気中で焼成しても半導体化しない誘
電体磁器を得ることができ、内部電極としてニッケルな
どの卑金属を使用した積層セラミックコンデンサの製造
が可能となった。 【００１０】 【発明が解決しようとする課題】近年のエレクトロニク
スの発展に伴い電子部品の小型化が急速に進行し、積層
セラミックコンデンサも小型化の傾向が顕著になってき
た。積層セラミックコンデンサを小型化する方法として
は、一般的に大きな誘電率を有する材料を用いるか、誘
電体層を薄膜化することが知られている。しかし、大き
な誘電率を有する材料は結晶粒が大きく、１０μｍ以下
のような薄膜になると、１つの層中に存在する結晶粒の
数が減少し、信頼性が低下してしまう。 【００１１】それゆえに、この発明の主たる目的は、還
元性雰囲気中で焼成しても半導体化せず、しかも結晶粒
径が小さいにもかかわらず、大きな誘電率が得られ、こ
れを用いることによって積層セラミックコンデンサを小
型化することができる、非還元性誘電体磁器組成物を提
供することである。 【００１２】 【課題を解決するための手段】この発明は、その主成分
がＢａ，Ｃａ，Ｔｉ，ＺｒおよびＮｂの各酸化物からな
り、次の一般式、｛（Ｂａ1-x Ｃａx ）Ｏ｝m −（Ｔｉ
1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ）Ｏ2+p/2 で表され、ｘ，ｏ，ｐお
よびｍが、０＜ｘ≦０．２０、０＜ｏ≦０．２５、０．
０００５≦ｐ≦０．０１５、１．００２≦ｍ≦１．０３
の関係を満足し、前記主成分１００モルに対して、Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉの各酸化物をＭｎＯ2 ，Ｆ
ｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯと表したとき、
各酸化物の少なくとも一種類が合計量で０．０２〜２．
０モル添加され、ＳｉＯ2 ，ＺｎＯの少なくとも一種類
を合計量で０．１〜２．０モル含む、非還元性誘電体磁
器組成物である。 【００１３】 【発明の効果】この発明によれば、還元性雰囲気中で焼
成しても還元されず、半導体化しない非還元性誘電体磁
器組成物を得ることができる。したがって、この非還元
性誘電体磁器組成物を用いて磁器積層コンデンサを製造
すれば、電極材料として卑金属を用いることができ、１
２５０℃以下と比較的低温で焼成可能であるため、積層
セラミックコンデンサのコストダウンを図ることができ
る。 【００１４】また、この非還元性誘電体磁器組成物を用
いた磁器では、誘電率が９０００以上あり、しかもこの
ように高誘電率であるにもかかわらず、結晶粒が３μｍ
以下と小さい。したがって、積層セラミックコンデンサ
を製造するときに、誘電体層を薄膜化しても、従来の積
層セラミックコンデンサのように層中に存在する結晶粒
の量が少なくならない。このため、信頼性が高く、しか
も小型で大容量の積層セラミックコンデンサを得ること
ができる。 【００１５】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。 【００１６】 【実施例】まず、原料として、純度９９．８％以上のＢ
ａＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＴｉＯ2，ＺｒＯ2 ，Ｎｂ2 Ｏ
5 ，ＭｎＯ2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，Ｎｉ
Ｏ，ＳｉＯ2 ，ＺｎＯを準備した。これらの原料を｛
(Ｂａ1-x Ｃａx ）Ｏ｝m −( Ｔｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp )
Ｏ2+p/2 の組成式で表され、ｘ，ｏ，ｐ，ｍが表１に
示す割合となるように配合して、配合原料を得た。この
配合原料をボールミルで湿式混合し、粉砕したのち乾燥
し、空気中において１１００℃で２時間仮焼して仮焼物
を得た。この仮焼物を乾式粉砕機によって粉砕し、粒径
が１μｍ以下の粉砕物を得た。この粉砕物に純水と酢酸
ビニルバインダを加えて、ボールミルで１６時間混合し
て混合物を得た。 【００１７】 【表１】 【００１８】この混合物を乾燥造粒した後、２０００ｋ
ｇ／ｃｍ2 の圧力で成形し、直径１０ｍｍ，厚さ０．５
ｍｍの円板を得た。得られた円板を空気中において５０
０℃まで加熱して有機バインダを燃焼させたのち、酸素
分圧が３×１０-8〜３×１０-10 ａｔｍのＨ2 −Ｎ2 −
空気ガスからなる還元雰囲気炉中において表２に示す温
度で２時間焼成し、円板状の磁器を得た。得られた磁器
の表面を、走査型電子顕微鏡で倍率１５００倍で観察
し、グレインサイズを測定した。 【００１９】 【表２】【００２０】そして、得られた磁器の主表面に銀電極を
焼き付けて測定試料（コンデンサ）とした。得られた試
料について、室温での誘電率（ε），誘電損失（ｔａｎ
δ）および温度変化に対する静電容量（Ｃ）の変化率を
測定した。なお、誘電率および誘電損失は、温度２５
℃，１ｋＨｚ，１Ｖrms の条件で測定した。また、温度
変化に対する静電容量の変化率については、２０℃での
静電容量を基準とした−２５℃と８５℃での変化率（Δ
Ｃ／Ｃ20）および−２５℃から８５℃の範囲内で絶対値
としてその変化率が最大である値（｜ΔＣ／Ｃ
20｜max ）を示した。 【００２１】さらに、また、絶縁抵抗計によって、５０
０Ｖの直流電流を２分間印加したのちの絶縁抵抗値を測
定した。絶縁抵抗は、２５℃および８５℃の値を測定
し、それぞれの体積抵抗率の対数（ｌｏｇρ）を算出し
た。これらの測定結果を表２に示す。 【００２２】次に、各組成の限定理由について説明す
る。 【００２３】｛ (Ｂａ1-x Ｃａx ）Ｏ｝m −( Ｔｉ
1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 において、試料番号１の
ように、カルシウム量ｘが０の場合、磁器の焼結性が悪
く、誘電損失が２．０％を超え、絶縁抵抗の低下が生じ
好ましくない。一方、試料番号１５のように、カルシウ
ム量ｘが０．２０を超えると、再び磁器の焼結性が悪く
なり、誘電率が低下し好ましくない。 【００２４】試料番号２のように、ジルコニウム量ｏが
０の場合、誘電率が９０００未満になり、静電容量の温
度変化率が大きくなり好ましくない。また、試料番号１
６のように、ジルコニウム量ｏが０．２５を超えると、
磁器の焼結性が低下し、誘電率が９０００未満になり好
ましくない。 【００２５】試料番号３のように、ニオブ量ｐが０．０
００５未満であれば、誘電率が９０００未満であり、結
晶粒径が３μｍより大きくなり、積層セラミックコンデ
ンサにした場合、誘電体層を薄膜化できず好ましくな
い。一方、試料番号１７のように、ニオブ量ｐが０．０
１５を超えると、還元性雰囲気で焼成したとき磁器が還
元され、半導体化して絶縁抵抗が大幅に低下し好ましく
ない。 【００２６】試料番号４のように、｛ (Ｂａ1-x Ｃ
ａx ）Ｏ｝m −( Ｔｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ) Ｏ2+p/2 の
モル比ｍが１．００２ｍ未満であれば、還元性雰囲気で
焼成したとき磁器が還元され、半導体化して絶縁抵抗が
低下し好ましくない。一方、試料番号１８のように、モ
ル比ｍが１．０３を超えると、焼結性が極端に低下し好
ましくない。 【００２７】試料番号５のように、添加物（Ａ）として
のＭｎＯ2 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯおよびＮ
ｉＯの添加量が０．０２モル未満の場合、８５℃以上で
の絶縁抵抗が小さくなり、高温中における長時間使用の
信頼性が低下し好ましくない。一方、試料番号１９のよ
うに、これらの添加物の量が２．０モルを超えると、誘
電損失が２．０％を超えて大きくなり、同時に絶縁抵抗
も劣化し好ましくない。 【００２８】また、試料番号６のように、添加物（Ｂ）
としてのＳｉＯ2 およびＺｎＯの添加量が０．１モル未
満の場合、焼結性が悪くなり、誘電損失が２．０％を超
えて好ましくない。一方、試料番号２０のように、これ
らの添加物の量が２．０モルを超えると、誘電率が９０
００未満に低下するとともに、結晶粒径が３μｍより大
きくなり、同時に絶縁抵抗も劣化し好ましくない。 【００２９】それに対して、この発明の非還元性誘電体
磁器組成物を用いれば、誘電率が９０００以上と高く、
誘電損失が２．０％以下で、温度に対する静電容量の変
化率が、−２５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定す
るＥ特性規格あるいはＦ特性規格を満足する誘電体磁器
を得ることができる。さらに、この誘電体磁器では、２
５℃，８５℃における絶縁抵抗は、体積抵抗率の対数で
表したときに１２以上と高い値を示す。また、この発明
の非還元性誘電体磁器組成物は、焼成温度も１２５０℃
以下と比較的低温で焼結可能であり、粒径についても３
μｍ以下と小さい。 【００３０】なお、前記実施例では、出発原料としてＢ
ａＣＯ3 ，ＣａＣＯ3 ，ＴｉＯ2 ，ＺｒＯ2 ，Ｎｂ2 Ｏ
5 などの酸化物粉末を用いたが、これらの酸化物粉末に
限定されるものではなく、アルコキシド法，共沈法また
は水熱合成法によって作成された粉末を用いてもよい。
これらの粉末を用いることにより、前記実施例で示した
特性より向上させることも可能である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平５−205523（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−217425（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−250916（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01B 3/12 335
H01B 3/12 313
C04B 35/49
H01G 4/12 358
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 その主成分がＢａ，Ｃａ，Ｔｉ，Ｚｒお
よびＮｂの各酸化物からなり、次の一般式 ｛（Ｂａ1-x Ｃａx ）Ｏ｝m −（Ｔｉ1-o-p Ｚｒo Ｎｂp ）Ｏ2+p/2 で表され、ｘ，ｏ，ｐおよびｍが、 ０＜ｘ≦０．２０ ０＜ｏ≦０．２５ ０．０００５≦ｐ≦０．０１５ １．００２≦ｍ≦１．０３ の関係を満足し、前記主成分１００モルに対して、Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉの各酸化物をＭｎＯ2 ，Ｆ
ｅ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，ＣｏＯ，ＮｉＯと表したとき、
各酸化物の少なくとも一種類が合計量で０．０２〜２．
０モル添加され、ＳｉＯ2 ，ＺｎＯの少なくとも一種類
を合計量で０．１〜２．０モル含む、非還元性誘電体磁
器組成物。
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