JPH0644405B2 - マイクロ波用誘電体磁器組成物 - Google Patents
マイクロ波用誘電体磁器組成物Info
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- JPH0644405B2 JPH0644405B2 JP60248054A JP24805485A JPH0644405B2 JP H0644405 B2 JPH0644405 B2 JP H0644405B2 JP 60248054 A JP60248054 A JP 60248054A JP 24805485 A JP24805485 A JP 24805485A JP H0644405 B2 JPH0644405 B2 JP H0644405B2
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、通信および放送機器に使用されるマイクロ波
用誘電体磁器組成物に関するものである。
用誘電体磁器組成物に関するものである。
[従来の技術] 近年、マイクロ波帯において誘電率が大きくて、誘電損
失が小さく、また共振周波数の温度係数(以下τfとい
う)が小さな誘電体が共振器に用いられ、衛星放送受信
機や自動車電話などの通信および放送機器に応用され始
めている。従来このような用途には、BaO−TiO2
系のものや、MgO−CaO−TiO2系のものが知ら
れている。
失が小さく、また共振周波数の温度係数(以下τfとい
う)が小さな誘電体が共振器に用いられ、衛星放送受信
機や自動車電話などの通信および放送機器に応用され始
めている。従来このような用途には、BaO−TiO2
系のものや、MgO−CaO−TiO2系のものが知ら
れている。
[発明が解決しようとする問題点] 上記、従来知られているBaO−TiO2系やMgO−
CaO−TiO2系のものの誘電率は20〜40であって、
1GHz付近の比較的周波数の低い領域で共振器として用い
る際には、誘電率が小さいために寸法が大きくなってし
まう欠点がある。自動車電話に代表されるように、1GHz
付近で使用される誘電体共振器の需要は高まりつつあ
り、このためには寸法の小型化を図るために、より大き
な比誘電率をもち、さらに低損失でτf(共振周波数の
温度係数)が小さい誘電体磁器が必要となる。また、自
動車電話用として使用される同軸型共振器の場合、誘電
体の誘電率の大きさが共振器の損失に大きな影響を与え
るため、つまり誘電率が大きくなると共振周波数を得る
のに必要な共振機器の高さが小さくなるので、小型化が
可能となる。高調波の影響を少くするためには共振器の
径を高さより小さくすることが望ましいが、共振器の径
を小さくすると共振器の損失は大になる。よって誘電体
磁器の損失やτfが小さいことはもちろんであるが、共
振器に使用される誘電体は、設計上の必要なQ値を保持
しながら可能な限り高い誘電率をもつことが必要であ
る。このような要求には、任意の誘電率で、低損失かつ
小さなτfを得ることのできる材料系が対応できる。
CaO−TiO2系のものの誘電率は20〜40であって、
1GHz付近の比較的周波数の低い領域で共振器として用い
る際には、誘電率が小さいために寸法が大きくなってし
まう欠点がある。自動車電話に代表されるように、1GHz
付近で使用される誘電体共振器の需要は高まりつつあ
り、このためには寸法の小型化を図るために、より大き
な比誘電率をもち、さらに低損失でτf(共振周波数の
温度係数)が小さい誘電体磁器が必要となる。また、自
動車電話用として使用される同軸型共振器の場合、誘電
体の誘電率の大きさが共振器の損失に大きな影響を与え
るため、つまり誘電率が大きくなると共振周波数を得る
のに必要な共振機器の高さが小さくなるので、小型化が
可能となる。高調波の影響を少くするためには共振器の
径を高さより小さくすることが望ましいが、共振器の径
を小さくすると共振器の損失は大になる。よって誘電体
磁器の損失やτfが小さいことはもちろんであるが、共
振器に使用される誘電体は、設計上の必要なQ値を保持
しながら可能な限り高い誘電率をもつことが必要であ
る。このような要求には、任意の誘電率で、低損失かつ
小さなτfを得ることのできる材料系が対応できる。
従来、誘電率の大きな材料系としては、BaO−TiO
2−R2O3系(R2O3:ランタニド酸化物)が知ら
れているが、τfが充分に小さなものは、誘電損失tan
δの逆数Q=1/tanδで表わした場合、Q=2000〜300
0(at 3GHz)と小さく損失が大きかった。
2−R2O3系(R2O3:ランタニド酸化物)が知ら
れているが、τfが充分に小さなものは、誘電損失tan
δの逆数Q=1/tanδで表わした場合、Q=2000〜300
0(at 3GHz)と小さく損失が大きかった。
例えば、代表的な材料系であるBaO−TiO2−Sm
2O3系(特公昭59−37526号)の特性は、τfが充分
に小さいものでは、誘電率が75〜92、Qは2.2〜2.3GH
zで2300〜2790であり(A.C.S.87th、Annual Me
eting“Dielectric Properties at Microwave Freq
uencies of the Ceramics InBaO−Sm2O3
−TiO2 System、S.Kawashima他)、3GHz測定で
のQは、3000以下の特性になってしまい、実用化には不
充分でQ値の向上が要求されていた。
2O3系(特公昭59−37526号)の特性は、τfが充分
に小さいものでは、誘電率が75〜92、Qは2.2〜2.3GH
zで2300〜2790であり(A.C.S.87th、Annual Me
eting“Dielectric Properties at Microwave Freq
uencies of the Ceramics InBaO−Sm2O3
−TiO2 System、S.Kawashima他)、3GHz測定で
のQは、3000以下の特性になってしまい、実用化には不
充分でQ値の向上が要求されていた。
[問題点を解決するための手段] 本発明は、上記欠点を改善し、広い範囲の任意の誘電率
で、大きなQを持ち、τfが小さく誘電体磁器を提供す
るためになされたもので、その第(1)発明は、 下記一般式: ただし、 10≦x≦22 58≦y≦80 8≦z≦22 0<n≦25 x+y+z=100 M:Sr、Ca、Mgのうち少なくとも1種以上 R:Nd、Sm、Laのうち少なくとも1種以上 で表わされるマイクロ波用誘電体磁器組成物である。
で、大きなQを持ち、τfが小さく誘電体磁器を提供す
るためになされたもので、その第(1)発明は、 下記一般式: ただし、 10≦x≦22 58≦y≦80 8≦z≦22 0<n≦25 x+y+z=100 M:Sr、Ca、Mgのうち少なくとも1種以上 R:Nd、Sm、Laのうち少なくとも1種以上 で表わされるマイクロ波用誘電体磁器組成物である。
上記においてxが22モル%を越えると、τfが大きくな
り過ぎ、誘電率が小さくなる。またxが10モル%より小
さいとτfが大きくなり過ぎる。
り過ぎ、誘電率が小さくなる。またxが10モル%より小
さいとτfが大きくなり過ぎる。
yの割合が80モル%を越えると、τfが大きくなり過
ぎ、また、yが58モル%より小さいと焼結が困難とな
り、またτfも大きくなり過ぎ、Qも低下する。
ぎ、また、yが58モル%より小さいと焼結が困難とな
り、またτfも大きくなり過ぎ、Qも低下する。
zが22モル%を越えると、Qが低下し、τfも大きくな
り、zが8モル%より小さいとτfが大きくなり過ぎ
る。なお、x,y,zの最も望ましい範囲は、12≦x≦
20,65≦y≦75,10≦z≦20である。
り、zが8モル%より小さいとτfが大きくなり過ぎ
る。なお、x,y,zの最も望ましい範囲は、12≦x≦
20,65≦y≦75,10≦z≦20である。
SrO、CaOのBaOに対する置換量は、Qを低下さ
せることなく、τfを変えることができ、また誘電率も
変化する。よって広い範囲の任意の誘電率で、τfが小
さく、Qの高い材料を得ることが可能になる。
せることなく、τfを変えることができ、また誘電率も
変化する。よって広い範囲の任意の誘電率で、τfが小
さく、Qの高い材料を得ることが可能になる。
MgOのBaOに対する置換は、その量が少なければ、
Qの向上に効果がある。BaOに対するSrO、Ca
O、MgOの置換割合nを25モル%以下に限定した理由
は、25モル%を越えるとτfが大きくなり過ぎるもの
や、またQが大きく低下したりするためである。
Qの向上に効果がある。BaOに対するSrO、Ca
O、MgOの置換割合nを25モル%以下に限定した理由
は、25モル%を越えるとτfが大きくなり過ぎるもの
や、またQが大きく低下したりするためである。
また、第(2)発明は、上記第(1)発明の組成に、A:Cr
2O3、Fe2O3、WO3、SnO2、ZrO2で示
される酸化物を少なくとも一種以上、A/x+y+zで
示した場合、0<A≦5含むものである。
2O3、Fe2O3、WO3、SnO2、ZrO2で示
される酸化物を少なくとも一種以上、A/x+y+zで
示した場合、0<A≦5含むものである。
Cr2O3、Fe2O3、WO3、SnO2、ZrO2
を添加する理由は、これらを添加することにより、焼結
性が向上し、微量添加であればQが向上する。また、添
加の割合を多くしてもQがあまり低下せず、誘電率やτ
fが変化するため、広い範囲の任意の誘電率で、τfが
小さく、Qの高い材料を得るのに役立つ。
を添加する理由は、これらを添加することにより、焼結
性が向上し、微量添加であればQが向上する。また、添
加の割合を多くしてもQがあまり低下せず、誘電率やτ
fが変化するため、広い範囲の任意の誘電率で、τfが
小さく、Qの高い材料を得るのに役立つ。
以下、実施例に基づき本発明を詳細に説明する。
[実施例] 実施例1 出発原料に高純度のBaCO3、SrCO3、CaCO
3、MgO、TiO2、La2O3、Nd2O3、Sm
2O3を用いて、所定の組成比になるように秤量した
後、ポリエチレンポット、アルミナボール、純水と共に
湿式混合した。得られたスラリーを吸引濾過し乾燥し
た。これを空気中において、850〜1000℃で1〜6時間
仮焼した。得られた仮焼物を再びポリエチレンポット、
アルミナボール、純水とともに湿式混合し、吸引濾過
後、乾燥した。これにバインダーを添加後、70メッシュ
のふるいを通して造粒した。面圧1000kg/cm2で加圧成
形した後、ジルコニヤまたは白金セッター上で1〜6時
間、1300〜1550℃で空気中で焼成した。
3、MgO、TiO2、La2O3、Nd2O3、Sm
2O3を用いて、所定の組成比になるように秤量した
後、ポリエチレンポット、アルミナボール、純水と共に
湿式混合した。得られたスラリーを吸引濾過し乾燥し
た。これを空気中において、850〜1000℃で1〜6時間
仮焼した。得られた仮焼物を再びポリエチレンポット、
アルミナボール、純水とともに湿式混合し、吸引濾過
後、乾燥した。これにバインダーを添加後、70メッシュ
のふるいを通して造粒した。面圧1000kg/cm2で加圧成
形した後、ジルコニヤまたは白金セッター上で1〜6時
間、1300〜1550℃で空気中で焼成した。
得られた誘電体磁器について、周波数3GHzにおける誘電
率、誘電損失tanδの逆数Q=1/tanδ、および−25℃
〜+75℃の共振周波数の温度係数τfを求めた。
率、誘電損失tanδの逆数Q=1/tanδ、および−25℃
〜+75℃の共振周波数の温度係数τfを求めた。
なお、出発原料は、酸化物に限定する必要はなく、化学
的に安定なものであれば、BaCO3、SrCO3のよ
うな炭酸塩や、Mg(OH)2のよな水酸化物でも良
く、最終的に酸化物になるものなら使用できる。
的に安定なものであれば、BaCO3、SrCO3のよ
うな炭酸塩や、Mg(OH)2のよな水酸化物でも良
く、最終的に酸化物になるものなら使用できる。
表1に上記の製法により組成を変えて作成した誘電体磁
器の組成並びに特性を示す。
器の組成並びに特性を示す。
表1からわかるように、BaOに対してSrO、Mg
O、CaOを置換することによりQを低下することな
く、τfと誘電率が変化することがわかる。図にSrO
の置換割合とτfとの関係を示した。図のグラフに付し
た番号1,2,3,4は表1の試験番号を示す。この結
果、誘電率が高く、τfが小さく、高いQをもつ誘電体
磁器をもつことがわかる。表1に示した特性値のQは3
GHzでの測定値であり、実施例は3000以上のQを有し
ていることを示している。このQの値は1GHzでの測
定では約10,000以上に相当し、共振器として使用する場
合に充分な値となっている。
O、CaOを置換することによりQを低下することな
く、τfと誘電率が変化することがわかる。図にSrO
の置換割合とτfとの関係を示した。図のグラフに付し
た番号1,2,3,4は表1の試験番号を示す。この結
果、誘電率が高く、τfが小さく、高いQをもつ誘電体
磁器をもつことがわかる。表1に示した特性値のQは3
GHzでの測定値であり、実施例は3000以上のQを有し
ていることを示している。このQの値は1GHzでの測
定では約10,000以上に相当し、共振器として使用する場
合に充分な値となっている。
表1中の比較例1はSrOの置換量が多いもので、Qが
小さ過ぎ、又比較例2はBaO、TiO2、Sm2O3
の3成分からなるτf=0の誘電体磁器の特性を示して
おり、得られるQは3GHzで3000であった。
小さ過ぎ、又比較例2はBaO、TiO2、Sm2O3
の3成分からなるτf=0の誘電体磁器の特性を示して
おり、得られるQは3GHzで3000であった。
実施例2 出発原料に高純度のBaCO3、SrCO3、CaCO
3、Sm2O3、Nd2O3、C2O3、Fe2O3、
WO3、SnO2、ZrO2を用いて、実施例1と同様
の製法で、表2に示す組成のものを作成した。それらの
特性も表2に併記した。Cr2O3、Fe2O3、WO
3、SnO2、ZrO2を添加することにより、誘電率
が変化し、またτfも少し変化することがわかる。得ら
れた磁器は高い誘電率をもち、τfが小さく、高いQを
もつことがわかる。なお、表2に示した添加物の割合は
BaO、MO、TiO2、R2O3の合計モル量に対す
る添加モル%である。
3、Sm2O3、Nd2O3、C2O3、Fe2O3、
WO3、SnO2、ZrO2を用いて、実施例1と同様
の製法で、表2に示す組成のものを作成した。それらの
特性も表2に併記した。Cr2O3、Fe2O3、WO
3、SnO2、ZrO2を添加することにより、誘電率
が変化し、またτfも少し変化することがわかる。得ら
れた磁器は高い誘電率をもち、τfが小さく、高いQを
もつことがわかる。なお、表2に示した添加物の割合は
BaO、MO、TiO2、R2O3の合計モル量に対す
る添加モル%である。
発明の効果 以上述べたとおり、本発明の誘電体磁器組成物は、各成
分の割合を変えることにより広い範囲の任意の誘電率
で、大きなQつまり充分な低損失が得られ、かつ共振周
波数の温度係数が充分に小さい特性をもっている。その
ため衛星放送受信機や自動車電話などの通信信および放
送機器等のマイクロ波用誘電体磁器として利用される。
また、本発明の誘電体磁器組成物は、低周波領域でも充
分な電気特性をもっており、温度補償用コンデンサとし
ても有用である。
分の割合を変えることにより広い範囲の任意の誘電率
で、大きなQつまり充分な低損失が得られ、かつ共振周
波数の温度係数が充分に小さい特性をもっている。その
ため衛星放送受信機や自動車電話などの通信信および放
送機器等のマイクロ波用誘電体磁器として利用される。
また、本発明の誘電体磁器組成物は、低周波領域でも充
分な電気特性をもっており、温度補償用コンデンサとし
ても有用である。
図は本発明の実施例におけるSrOの置換割合とτfと
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 不破 徹 愛知県小牧市大字小牧2131 (72)発明者 村野 寛治 東京都品川区北品川6丁目7番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】下記一般式: ただし、 10≦x≦22 58≦y≦80 8≦z≦22 0<n≦25 x+y+z=100 M:Sr、Ca、Mgのうち少なくとも1種以上 R:Nd、Sm、Laのうち少なくとも1種以上 で表わされるマイクロ波用誘電体磁器組成物。
- 【請求項2】下記一般式: ただし、 10≦x≦22 58≦y≦80 8≦z≦22 0<n≦25 x+y+z=100 M:Sr、Ca、Mgのうち少なくとも1種以上 R:Nd、Sm、Laのうち少なくとも1種以上 で表わされる組成にA:Cr2O3、 Fe2O3、WO3、SnO2、ZrO2で示される酸
化物を少なくとも一種以上、A/x+y+zで示した場
合、0<A≦5含むマイクロ波用誘電体磁器組成物。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60248054A JPH0644405B2 (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
US06/924,649 US4753906A (en) | 1985-11-07 | 1986-10-29 | Dielectric ceramic composition for microwave application |
EP86115268A EP0222303B1 (en) | 1985-11-07 | 1986-11-04 | Dielectric ceramic compositions for microwave application |
DE8686115268T DE3664699D1 (en) | 1985-11-07 | 1986-11-04 | Dielectric ceramic compositions for microwave application |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60248054A JPH0644405B2 (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62216107A JPS62216107A (ja) | 1987-09-22 |
JPH0644405B2 true JPH0644405B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=17172513
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60248054A Expired - Lifetime JPH0644405B2 (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4753906A (ja) |
EP (1) | EP0222303B1 (ja) |
JP (1) | JPH0644405B2 (ja) |
DE (1) | DE3664699D1 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2660219B2 (ja) * | 1987-10-20 | 1997-10-08 | ティーディーケイ株式会社 | 磁器誘導体組成物 |
FR2629464B1 (fr) * | 1988-03-30 | 1991-10-04 | Rhone Poulenc Chimie | Composition de matiere a base de titanate de baryum utilisable comme absorbeur d'ondes electromagnetiques |
JPH01275466A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-06 | Mitsubishi Mining & Cement Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
EP0344046B1 (en) * | 1988-05-24 | 1993-03-31 | Sumitomo Metal Ceramics Inc. | Dielectric ceramic composition |
JPH0692268B2 (ja) * | 1988-06-03 | 1994-11-16 | 日本油脂株式会社 | 還元再酸化型半導体セラミックコンデンサ素子 |
EP0412440B1 (en) * | 1989-08-09 | 1993-11-03 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Dielectric ceramic for microwave applications |
JP2790714B2 (ja) * | 1990-07-13 | 1998-08-27 | 三菱電機株式会社 | マイクロ波用誘電体磁器材料 |
JPH04104947A (ja) * | 1990-08-20 | 1992-04-07 | Ngk Insulators Ltd | 誘電体磁器組成物 |
US5116790A (en) * | 1990-11-16 | 1992-05-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | COG dielectric with high K |
US5256639A (en) * | 1991-01-21 | 1993-10-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition |
US5188993A (en) * | 1991-01-23 | 1993-02-23 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Microwave dielectric ceramic composition |
DE69209417T2 (de) * | 1991-09-25 | 1996-11-28 | Murata Manufacturing Co | Nichtreduzierbare dielektrische keramische Zusammensetzung |
US5264403A (en) * | 1991-09-27 | 1993-11-23 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass |
US5479140A (en) * | 1991-09-27 | 1995-12-26 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition containing ZnO-B2 O3 -SiO2 glass, method of preparing the same, and resonator and filter using the dielectric ceramic composition |
JP2613722B2 (ja) * | 1991-09-27 | 1997-05-28 | 日本碍子株式会社 | 低温焼成用誘電体磁器組成物の製造法 |
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