JP3093340B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10593—Details for improving read-out properties, e.g. polarisation of light
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- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気ディスク装置な
どに用いられ、磁気カー効果あるいはファラデー効果な
どの磁気光学効果によって記録された情報を読み出すこ
との出来る光磁気記録媒体に関する。
どに用いられ、磁気カー効果あるいはファラデー効果な
どの磁気光学効果によって記録された情報を読み出すこ
との出来る光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光磁気記録媒体において、キュリ
ー温度が低くて記録が容易でしかも保磁力が高くて保存
安定性が高く、さらに磁気光学カー回転角が大きくて、
読み出し特性のよい単一の磁性材料を見いだすことは困
難で、そのために必要な機能を分離して、２つの異なる
磁性材料を積層した光磁気記録媒体が提案されている
（特開昭５７−７８６５２号公報）。
ー温度が低くて記録が容易でしかも保磁力が高くて保存
安定性が高く、さらに磁気光学カー回転角が大きくて、
読み出し特性のよい単一の磁性材料を見いだすことは困
難で、そのために必要な機能を分離して、２つの異なる
磁性材料を積層した光磁気記録媒体が提案されている
（特開昭５７−７８６５２号公報）。
【０００３】図２は、従来の交換結合膜を利用した光磁
気記録媒体の模式断面図である。図中、１１は、ガラス
あるいはプラスチックからなる光学的透明基板を示す。
この基板１１上には干渉効果と腐食防止効果を得るため
の、ＳｉＮX等の無機誘電体から成る下引き層１２が設
けられている。さらに、この下引き層１２の上に、再生
層となる磁性層１３と、この磁性層１３よりも大きい保
磁力と低いキュリー温度とを有する記録層１４が形成さ
れている。この記録層の上には、磁性層の腐食を防止す
るためと干渉効果を生み出すためにＳｉＮX等から成る
誘電体層１５が設けられている。これらの膜は、真空を
破らずに連続して形成される。
気記録媒体の模式断面図である。図中、１１は、ガラス
あるいはプラスチックからなる光学的透明基板を示す。
この基板１１上には干渉効果と腐食防止効果を得るため
の、ＳｉＮX等の無機誘電体から成る下引き層１２が設
けられている。さらに、この下引き層１２の上に、再生
層となる磁性層１３と、この磁性層１３よりも大きい保
磁力と低いキュリー温度とを有する記録層１４が形成さ
れている。この記録層の上には、磁性層の腐食を防止す
るためと干渉効果を生み出すためにＳｉＮX等から成る
誘電体層１５が設けられている。これらの膜は、真空を
破らずに連続して形成される。
【０００４】さらに、この高保磁力層として鉄族副格子
磁化優勢な希土類−鉄族非晶質合金を用い、低保磁力層
としてもやはり鉄族副格子磁化優勢な希土類−鉄族非晶
質合金を用いて、両者の飽和磁化の向きを平行にした光
磁気記録媒体が特開昭６１−１１７７４７号公報におい
て提案されている。また、情報安定性に優れた媒体とし
て、高保磁力層として室温とキュリー温度との間に補償
温度を有する希土類−鉄族非晶質合金を用いた媒体が提
案されている。
磁化優勢な希土類−鉄族非晶質合金を用い、低保磁力層
としてもやはり鉄族副格子磁化優勢な希土類−鉄族非晶
質合金を用いて、両者の飽和磁化の向きを平行にした光
磁気記録媒体が特開昭６１−１１７７４７号公報におい
て提案されている。また、情報安定性に優れた媒体とし
て、高保磁力層として室温とキュリー温度との間に補償
温度を有する希土類−鉄族非晶質合金を用いた媒体が提
案されている。
【０００５】ところで、近年、大容量である光磁気ディ
スクにおいて使用されている記録方式は、ＣＡＶ（一定
回転数）で記録マーク長がディスクの内周と外周で異な
る方式である。今後、さらに大容量化が望まれている
が、それに対応する記録方式としてＭ−ＣＡＶ（Ｍｏｄ
ｉｆｅｉｄ ＣＡＶ）がある。これは、一定のマーク長
で記録する方式である。すなわち、ディスクの内外周で
記録周波数を変える方式である。また、“０”、“１”
の情報を記録されたピットの端部に対応させるピットエ
ッジ記録方式も提案されている。
スクにおいて使用されている記録方式は、ＣＡＶ（一定
回転数）で記録マーク長がディスクの内周と外周で異な
る方式である。今後、さらに大容量化が望まれている
が、それに対応する記録方式としてＭ−ＣＡＶ（Ｍｏｄ
ｉｆｅｉｄ ＣＡＶ）がある。これは、一定のマーク長
で記録する方式である。すなわち、ディスクの内外周で
記録周波数を変える方式である。また、“０”、“１”
の情報を記録されたピットの端部に対応させるピットエ
ッジ記録方式も提案されている。
【０００６】さらに、データの転送速度を向上させるた
めにオーバーライト機能が要求されているが、その方式
として磁界変調オーバーライト方式が有望視されてい
る。
めにオーバーライト機能が要求されているが、その方式
として磁界変調オーバーライト方式が有望視されてい
る。
【０００７】この磁界変調オーバーライト方式において
は、Ａ１等の熱伝導率のよい金属層を設けた媒体構造の
ほうがＣ／Ｎ比等の特性がよいと報告されている（応用
磁気学会、１９８８年、２ＰＢ−７）。
は、Ａ１等の熱伝導率のよい金属層を設けた媒体構造の
ほうがＣ／Ｎ比等の特性がよいと報告されている（応用
磁気学会、１９８８年、２ＰＢ−７）。
【０００８】
【発明が解決しようとしている問題点】従来、検討され
てきた交換結合２層膜を用いた光磁気記録媒体は、磁性
層の膜厚が８００Å−１０００Åと厚いため熱容量が大
きくＭ−ＣＡＶ記録時に線速の速い領域では記録時に必
要なレーザーパワーが大きくなるため実用的でないとい
う問題があった。
てきた交換結合２層膜を用いた光磁気記録媒体は、磁性
層の膜厚が８００Å−１０００Åと厚いため熱容量が大
きくＭ−ＣＡＶ記録時に線速の速い領域では記録時に必
要なレーザーパワーが大きくなるため実用的でないとい
う問題があった。
【０００９】記録時に必要なレーザーパワーを小さくす
るには、磁性層の膜厚を薄くすれば良い。ところが、磁
性層を薄くすると、光磁気信号が低下するという新たな
問題が生じた。そこで、特開昭６０−２５０３６号公報
においては、磁性層として交換結合２層膜を用い、更に
カー回転角を大きくするために反射膜を設けた光磁気記
録媒体が提案されている。
るには、磁性層の膜厚を薄くすれば良い。ところが、磁
性層を薄くすると、光磁気信号が低下するという新たな
問題が生じた。そこで、特開昭６０−２５０３６号公報
においては、磁性層として交換結合２層膜を用い、更に
カー回転角を大きくするために反射膜を設けた光磁気記
録媒体が提案されている。
【００１０】本発明の目的は、上記反射膜及び２層の磁
性層を備えた媒体において、更に記録された情報を高い
Ｃ／Ｎ比で読み出すことの出来る光磁気記録媒体を提供
することにある。
性層を備えた媒体において、更に記録された情報を高い
Ｃ／Ｎ比で読み出すことの出来る光磁気記録媒体を提供
することにある。
【００１１】
【問題点を解決するための手段】本発明の上記目的は、
キュリー温度が低く、保磁力が大きく且つ膜面に垂直な
磁化容易軸を有する磁性薄膜の記録層と、該記録層に隣
接して配置され磁気カー回転角が大きく且つ膜面に垂直
な磁化容易軸を有する磁性薄膜の再生層と、光の入射側
に配置される透明基板と該透明基板側から入射し、前記
記録層及び前記再生層を透過した光を反射するための金
属反射層を設けた磁界変調オーバーライト方式用の光磁
気記録媒体において、前記記録層と再生層の膜厚の合計
が400Å以下であると共に、前記再生層が鉄族副格子磁
化優勢で、その飽和磁化σ1が50≦σ1≦300emu/ccの範
囲にあるGd-Fe-Co非晶質合金から成り、且つ前記記録層
が鉄族副格子磁化優勢でその飽和磁化σ2が、0<σ2≦20
0emu/ccの範囲にあるR-Fe-Co非晶質合金（ＲはTb及びDy
の少なくとも1種の元素）からなることにより達成され
る。
キュリー温度が低く、保磁力が大きく且つ膜面に垂直な
磁化容易軸を有する磁性薄膜の記録層と、該記録層に隣
接して配置され磁気カー回転角が大きく且つ膜面に垂直
な磁化容易軸を有する磁性薄膜の再生層と、光の入射側
に配置される透明基板と該透明基板側から入射し、前記
記録層及び前記再生層を透過した光を反射するための金
属反射層を設けた磁界変調オーバーライト方式用の光磁
気記録媒体において、前記記録層と再生層の膜厚の合計
が400Å以下であると共に、前記再生層が鉄族副格子磁
化優勢で、その飽和磁化σ1が50≦σ1≦300emu/ccの範
囲にあるGd-Fe-Co非晶質合金から成り、且つ前記記録層
が鉄族副格子磁化優勢でその飽和磁化σ2が、0<σ2≦20
0emu/ccの範囲にあるR-Fe-Co非晶質合金（ＲはTb及びDy
の少なくとも1種の元素）からなることにより達成され
る。
【００１２】
【実施例】以下、図を用いて本発明の実施例を詳細に説
明する。図１は、本発明の光磁気記録媒体の一実施態様
の構成を示す模式図である。図中、１は、ガラスあるい
はプラスチックからなる光学的透明基板を示す。この基
板１上には干渉効果と腐食防止効果を得るための、Ｓｉ
ＮX等の無機誘電体から成る下引き層２が設けられてい
る。さらに、この下引き層２の上に、磁性膜からなる再
生層３と、この再生層３よりも室温における大きい保磁
力と低いキュリー温度とを有する記録層４が形成されて
いる。この記録層４の上には、磁性層の腐食を防止する
ためと干渉効果を生み出すためにＳｉＮX等から成る誘
電体層５と金属の反射層６が設けられている。これらの
膜は、真空を破らずに連続に成膜される。そして、磁性
層３と記録層４とは交換結合されている。
明する。図１は、本発明の光磁気記録媒体の一実施態様
の構成を示す模式図である。図中、１は、ガラスあるい
はプラスチックからなる光学的透明基板を示す。この基
板１上には干渉効果と腐食防止効果を得るための、Ｓｉ
ＮX等の無機誘電体から成る下引き層２が設けられてい
る。さらに、この下引き層２の上に、磁性膜からなる再
生層３と、この再生層３よりも室温における大きい保磁
力と低いキュリー温度とを有する記録層４が形成されて
いる。この記録層４の上には、磁性層の腐食を防止する
ためと干渉効果を生み出すためにＳｉＮX等から成る誘
電体層５と金属の反射層６が設けられている。これらの
膜は、真空を破らずに連続に成膜される。そして、磁性
層３と記録層４とは交換結合されている。
【００１３】記録容量を大きくするためには、ピット長
を短くすることが有効である。円板基板を用いた光磁気
記録媒体においては、最内周における最短ピット長によ
り容量が決まる。従って、このピット長でディスクの全
領域を記録すれば、最もデータが多くなる。この方法
が、Ｍ−ＣＡＶ方式である。Ｍ−ＣＡＶにおいて、ディ
スク回転数は、一定であるからピット長をディスク内外
周全領域において一定にするためには、線速の速い外周
において記録レーザーの変調周波数を高くしなければな
らない。記録周波数を高くすると、当然のことながらレ
ーザー光の照射される時間が短くなる。ピットを形成す
るためには、この状態において磁性膜の温度をＴｃ以上
に上昇させて磁化反転する必要がある。従って、磁性膜
の膜厚が厚いとそれだけ熱容量が大きいことになる。こ
の場合、磁性膜の温度をＴｃ以上にするためには、照射
時間が短くなったらその分だけより大きいレーザーパワ
ーにしなければならない。しかし、現実には、半導体レ
ーザーのパワーには限界がある。従って、磁性膜が厚い
とＭ−ＣＡＶ記録に対応できなくなる。そこで、磁性膜
の膜厚を薄くして熱容量を小さくして、必要なレーザー
パワーを少なくしたのが、本発明の媒体である。しか
し、磁性膜の厚さを薄くすると、カー回転角が小さくな
りかつ光の吸収能力が低下する。そこで、磁性膜の光の
入射側と反対側に反射層を設けてカー回転角を大きくし
た。更に、磁性膜と反射層の間での多重干渉を利用して
カー回転角を増大させるために、磁性膜と反射層との間
に誘電体層を設けても良い。この誘電体層は、磁性層に
吸収された熱が反射層の金属層に逃げて記録感度を低下
させるのを防止する働きも有する。
を短くすることが有効である。円板基板を用いた光磁気
記録媒体においては、最内周における最短ピット長によ
り容量が決まる。従って、このピット長でディスクの全
領域を記録すれば、最もデータが多くなる。この方法
が、Ｍ−ＣＡＶ方式である。Ｍ−ＣＡＶにおいて、ディ
スク回転数は、一定であるからピット長をディスク内外
周全領域において一定にするためには、線速の速い外周
において記録レーザーの変調周波数を高くしなければな
らない。記録周波数を高くすると、当然のことながらレ
ーザー光の照射される時間が短くなる。ピットを形成す
るためには、この状態において磁性膜の温度をＴｃ以上
に上昇させて磁化反転する必要がある。従って、磁性膜
の膜厚が厚いとそれだけ熱容量が大きいことになる。こ
の場合、磁性膜の温度をＴｃ以上にするためには、照射
時間が短くなったらその分だけより大きいレーザーパワ
ーにしなければならない。しかし、現実には、半導体レ
ーザーのパワーには限界がある。従って、磁性膜が厚い
とＭ−ＣＡＶ記録に対応できなくなる。そこで、磁性膜
の膜厚を薄くして熱容量を小さくして、必要なレーザー
パワーを少なくしたのが、本発明の媒体である。しか
し、磁性膜の厚さを薄くすると、カー回転角が小さくな
りかつ光の吸収能力が低下する。そこで、磁性膜の光の
入射側と反対側に反射層を設けてカー回転角を大きくし
た。更に、磁性膜と反射層の間での多重干渉を利用して
カー回転角を増大させるために、磁性膜と反射層との間
に誘電体層を設けても良い。この誘電体層は、磁性層に
吸収された熱が反射層の金属層に逃げて記録感度を低下
させるのを防止する働きも有する。
【００１４】次に、磁性層を薄くした場合の交換結合２
層膜の磁気特性について説明する。磁性層を薄くすれ
ば、熱容量が小さくなり、感度がよくなるが、カー回転
角が低下する。そのため、磁性層を薄くするのには限界
がある。交換結合２層膜を形成している磁性膜の内、高
キュリー温度、低保磁力を有する再生層について説明す
る。この層の膜厚が１００Åより薄くなると連続膜でな
くなり、θｋが極端に小さくなり充分な再生Ｃ／Ｎ比が
得られない。従って、この再生層の膜厚は、１００Å以
上必要である。一方、低キュリー温度、高保磁力を有す
る記録層の膜厚もやはり、１００Åより薄くなると磁区
が安定に形成されなくなるため、ピットの安定性、Ｃ／
Ｎ比がわるくなる。従って、連続膜となる１００Å以上
必要である。従って、磁性層合計の膜厚は２００Å以上
必要である。
層膜の磁気特性について説明する。磁性層を薄くすれ
ば、熱容量が小さくなり、感度がよくなるが、カー回転
角が低下する。そのため、磁性層を薄くするのには限界
がある。交換結合２層膜を形成している磁性膜の内、高
キュリー温度、低保磁力を有する再生層について説明す
る。この層の膜厚が１００Åより薄くなると連続膜でな
くなり、θｋが極端に小さくなり充分な再生Ｃ／Ｎ比が
得られない。従って、この再生層の膜厚は、１００Å以
上必要である。一方、低キュリー温度、高保磁力を有す
る記録層の膜厚もやはり、１００Åより薄くなると磁区
が安定に形成されなくなるため、ピットの安定性、Ｃ／
Ｎ比がわるくなる。従って、連続膜となる１００Å以上
必要である。従って、磁性層合計の膜厚は２００Å以上
必要である。
【００１５】次に、最大膜厚について説明する。磁性層
の合計膜厚が４００Å以上になると、記録感度が低下
し、且つ、光が磁性層を透過しなくなる。したがって、
磁性層の合計膜厚としては、４００Å以下がよい。
の合計膜厚が４００Å以上になると、記録感度が低下
し、且つ、光が磁性層を透過しなくなる。したがって、
磁性層の合計膜厚としては、４００Å以下がよい。
【００１６】次に、各磁性層の組成範囲について説明す
る。
る。
【００１７】低保磁力、高キュリー温度を有する再生層
を形成する磁性層の希土類元素としては、保磁力を小さ
くするためにＧｄ等のＳ状態（スピン角運動量のみもつ
場合）の元素を用いる。Ｇｄ−Ｆｅのキュリー温度は約
２２０℃であり、さらにＣｏを添加することによって、
キュリー温度が上昇し磁気光学カー回転角が増加し、読
みだし特性がよくなる。但し、Ｇｄ−（Ｆｅ100-Z Ｃ
ｏZ）において、Ｚ＞３０でＺが大きくなるにつれて鉄
族磁気モーメントが減少し、また、垂直磁気異方性が低
下するので、Ｚ＜５０が望ましい。
を形成する磁性層の希土類元素としては、保磁力を小さ
くするためにＧｄ等のＳ状態（スピン角運動量のみもつ
場合）の元素を用いる。Ｇｄ−Ｆｅのキュリー温度は約
２２０℃であり、さらにＣｏを添加することによって、
キュリー温度が上昇し磁気光学カー回転角が増加し、読
みだし特性がよくなる。但し、Ｇｄ−（Ｆｅ100-Z Ｃ
ｏZ）において、Ｚ＞３０でＺが大きくなるにつれて鉄
族磁気モーメントが減少し、また、垂直磁気異方性が低
下するので、Ｚ＜５０が望ましい。
【００１８】この低保磁力層が、希土類副格子磁化優勢
であると、記録がなされる保磁力大の記録層のキュリー
温度付近において低保磁力層の保磁力が増加するため記
録が困難となり、記録媒体として適当でない。従って、
低保磁力層の組成範囲としては、鉄族副格子磁化優勢の
範囲とする必要がある。高保磁力を有する記録層の希土
類元素としては、保磁力を大きくするためにＴｂ、Ｄｙ
等の非Ｓ状態（角運動量にはスピン角運動量と軌道角運
動量の両方があるが、その両方を持つ場合）の元素を用
いる。Ｔｂ−Ｆｅ，Ｄｙ−Ｆｅのキュリー温度はそれぞ
れ約１３０℃、約７０℃である。更に、Ｃｏを添加する
ことによってキュリー温度を自由に制御できる。キュリ
ー温度は、記録情報の安定性に関係している。キュリー
温度が高いほど、記録情報の安定性は増すが、記録感度
が悪くなる。望ましいキュリー温度は、１００℃以上、
より望ましくは１５０℃以上である。但し、１９０℃以
上では、感度の点から好ましくない。記録層の組成によ
って、交換結合２層膜は、次の２つに分類される。 記録層が鉄族副格子磁化優勢の場合−両層の自発磁化
の向きが平行となる（Ｐタイプ＝Ｐａｒａｌｌｅｌ）。 記録層が希土類副格子磁化優勢の場合−両層の自発磁
化の向きが互いに反平行となる（Ａタイプ＝Ａｎｔｉｐ
ａｒａｌｌｅｌ）。
であると、記録がなされる保磁力大の記録層のキュリー
温度付近において低保磁力層の保磁力が増加するため記
録が困難となり、記録媒体として適当でない。従って、
低保磁力層の組成範囲としては、鉄族副格子磁化優勢の
範囲とする必要がある。高保磁力を有する記録層の希土
類元素としては、保磁力を大きくするためにＴｂ、Ｄｙ
等の非Ｓ状態（角運動量にはスピン角運動量と軌道角運
動量の両方があるが、その両方を持つ場合）の元素を用
いる。Ｔｂ−Ｆｅ，Ｄｙ−Ｆｅのキュリー温度はそれぞ
れ約１３０℃、約７０℃である。更に、Ｃｏを添加する
ことによってキュリー温度を自由に制御できる。キュリ
ー温度は、記録情報の安定性に関係している。キュリー
温度が高いほど、記録情報の安定性は増すが、記録感度
が悪くなる。望ましいキュリー温度は、１００℃以上、
より望ましくは１５０℃以上である。但し、１９０℃以
上では、感度の点から好ましくない。記録層の組成によ
って、交換結合２層膜は、次の２つに分類される。 記録層が鉄族副格子磁化優勢の場合−両層の自発磁化
の向きが平行となる（Ｐタイプ＝Ｐａｒａｌｌｅｌ）。 記録層が希土類副格子磁化優勢の場合−両層の自発磁
化の向きが互いに反平行となる（Ａタイプ＝Ａｎｔｉｐ
ａｒａｌｌｅｌ）。
【００１９】これら２つのタイプの内、本発明は記録層
を鉄族副格子磁化優勢の組成とすることによって、高い
磁界感度と、読み出し時の高いＣ／Ｎ比とを有する光磁
気記録媒体を実現したものである。
を鉄族副格子磁化優勢の組成とすることによって、高い
磁界感度と、読み出し時の高いＣ／Ｎ比とを有する光磁
気記録媒体を実現したものである。
【００２０】以下に、更に具体的な実施例を示す。
【００２１】（実施例１）φ１３０ｍｍのプリグルーブ
のついているポリカーボネート基板上に、酸化防止と干
渉効果を得るために、Ｓｉ3Ｎ4から成る厚さ１５００Å
の下引き層、厚さ１００ÅのＧｄＦｅＣｏ非晶質磁性合
金膜から成る再生層、厚さ１００ÅのＴｂＦｅＣｏ非晶
質磁性合金膜から成る記録層、酸化防止と干渉効果を高
めるための厚さ４００ÅのＳｉ3Ｎ4膜から成る誘電体層
及びＡｌ膜から成る反射層を順次真空を破ることなく連
続してマグネトロンスパッタ装置を用いて成膜し、本発
明の光磁気記録媒体を作成した。
のついているポリカーボネート基板上に、酸化防止と干
渉効果を得るために、Ｓｉ3Ｎ4から成る厚さ１５００Å
の下引き層、厚さ１００ÅのＧｄＦｅＣｏ非晶質磁性合
金膜から成る再生層、厚さ１００ÅのＴｂＦｅＣｏ非晶
質磁性合金膜から成る記録層、酸化防止と干渉効果を高
めるための厚さ４００ÅのＳｉ3Ｎ4膜から成る誘電体層
及びＡｌ膜から成る反射層を順次真空を破ることなく連
続してマグネトロンスパッタ装置を用いて成膜し、本発
明の光磁気記録媒体を作成した。
【００２２】磁性層のターゲットにはＧｄ50Ｃｏ50、Ｔ
ｂ、Ｆｅ88Ｃｏ12を用い、Ｇｄ50Ｃｏ50ターゲットとＦ
ｅ88Ｃｏ12ターゲットを使ってＧｄＦｅＣｏ膜を作成
し、ＴｂターゲットとＦｅ88Ｃｏ12ターゲットを使って
ＴｂＦｅＣｏ膜を作成した。希土類と鉄族の組成比は、
Ｇｄ50Ｃｏ50、Ｆｅ88Ｃｏ12、あるいはＴｂ、Ｆｅ88Ｃ
ｏ12のターゲットに加える電力を変えることによって制
御し、本発明の条件を満たすように形成した。実施例１
の媒体は、記録層の飽和磁化Ｍｓが−２００ｅｍｕ／ｃ
ｃ、再生層の飽和磁化Ｍｓが−５０ｅｍｕ／ｃｃであっ
た。
ｂ、Ｆｅ88Ｃｏ12を用い、Ｇｄ50Ｃｏ50ターゲットとＦ
ｅ88Ｃｏ12ターゲットを使ってＧｄＦｅＣｏ膜を作成
し、ＴｂターゲットとＦｅ88Ｃｏ12ターゲットを使って
ＴｂＦｅＣｏ膜を作成した。希土類と鉄族の組成比は、
Ｇｄ50Ｃｏ50、Ｆｅ88Ｃｏ12、あるいはＴｂ、Ｆｅ88Ｃ
ｏ12のターゲットに加える電力を変えることによって制
御し、本発明の条件を満たすように形成した。実施例１
の媒体は、記録層の飽和磁化Ｍｓが−２００ｅｍｕ／ｃ
ｃ、再生層の飽和磁化Ｍｓが−５０ｅｍｕ／ｃｃであっ
た。
【００２３】上記のように作成した実施例１のディスク
を、１５００ｒｐｍの回転数で回転させ、半径３０ｍｍ
の位置に光ビームを照射して、記録再生特性を測定し
た。その結果、実施例１の媒体は、記録感度が約５ｍ
ｗ，磁界感度が２５０Ｏｅ，再生Ｃ／Ｎ比が４６ｄＢで
あった。
を、１５００ｒｐｍの回転数で回転させ、半径３０ｍｍ
の位置に光ビームを照射して、記録再生特性を測定し
た。その結果、実施例１の媒体は、記録感度が約５ｍ
ｗ，磁界感度が２５０Ｏｅ，再生Ｃ／Ｎ比が４６ｄＢで
あった。
【００２４】次に、ターゲットに加える電力を変化させ
て、実施例１と同一の構成を有し、記録層と再生層の飽
和磁化Ｍｓが様々な値を示す光磁気記録媒体を作成し
た。これらの媒体の再生Ｃ／Ｎ比と、磁界感度を、実施
例１と同様の方法で測定した。その結果をそれぞれ表１
及び表２に示す。
て、実施例１と同一の構成を有し、記録層と再生層の飽
和磁化Ｍｓが様々な値を示す光磁気記録媒体を作成し
た。これらの媒体の再生Ｃ／Ｎ比と、磁界感度を、実施
例１と同様の方法で測定した。その結果をそれぞれ表１
及び表２に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１及び表２からわかるように、再生層が
鉄族副格子磁化優勢で、その飽和磁化が５０〜３００ｅ
ｍｕ／ｃｃの範囲にあり、記録層が鉄族副格子磁化優勢
で、その飽和磁化が０〜２００ｅｍｕ／ｃｃの範囲にあ
れば、再生Ｃ／Ｎ比が４６ｄＢ以上で、磁界感度が２５
０Ｏｅ以下の優れた記録再生特性を有する光磁気記録媒
体となる。一方、飽和磁化が上記範囲を逸脱すると、再
生Ｃ／Ｎ比および磁界感度が低下した。
鉄族副格子磁化優勢で、その飽和磁化が５０〜３００ｅ
ｍｕ／ｃｃの範囲にあり、記録層が鉄族副格子磁化優勢
で、その飽和磁化が０〜２００ｅｍｕ／ｃｃの範囲にあ
れば、再生Ｃ／Ｎ比が４６ｄＢ以上で、磁界感度が２５
０Ｏｅ以下の優れた記録再生特性を有する光磁気記録媒
体となる。一方、飽和磁化が上記範囲を逸脱すると、再
生Ｃ／Ｎ比および磁界感度が低下した。
【００２７】（実施例２）φ１３０ｍｍのプリグループ
のついてるポリカーボネート基板上に、酸化防止と干渉
効果を得るために、Ｓｉ3Ｎ4から成る厚さ１５００Åの
下引き層、厚さ１００ÅのＧｄＦｅＣｏ非晶質磁性合金
膜から成る再生層、厚さ１００ÅのＤｙＦｅＣｏ非晶質
磁性合金膜から成る記録層、酸化防止と干渉効果を高め
るための厚さ４００ÅのＳｉ3Ｎ4膜から成る誘電体層及
びＡｌ膜から成る反射層を順次真空を破ることなく連続
してマグネトロンスパッタ装置を用いて成膜し、本発明
の光磁気記録媒体を作成した。
のついてるポリカーボネート基板上に、酸化防止と干渉
効果を得るために、Ｓｉ3Ｎ4から成る厚さ１５００Åの
下引き層、厚さ１００ÅのＧｄＦｅＣｏ非晶質磁性合金
膜から成る再生層、厚さ１００ÅのＤｙＦｅＣｏ非晶質
磁性合金膜から成る記録層、酸化防止と干渉効果を高め
るための厚さ４００ÅのＳｉ3Ｎ4膜から成る誘電体層及
びＡｌ膜から成る反射層を順次真空を破ることなく連続
してマグネトロンスパッタ装置を用いて成膜し、本発明
の光磁気記録媒体を作成した。
【００２８】磁性層のターゲットにはＧｄ50Ｃｏ50、Ｄ
ｙ、Ｆｅ76Ｃｏ24を用い、Ｇｄ50Ｃｏ50ターゲットとＦ
ｅ76Ｃｏ24ターゲットを使ってＧｄＦｅＣｏ膜を作成
し、ＤｙターゲットとＦｅ76Ｃｏ24ターゲットを使って
ＤｙＦｅＣｏ膜を作成した。希土類と鉄族の組成比は、
Ｇｄ50Ｃｏ50、Ｆｅ76Ｃｏ24、あるいはＤｙ、Ｆｅ76Ｃ
ｏ24のターゲットに加える電力を変えることによって制
御し、本発明の条件を満たすように形成した。実施例２
の媒体は、記録層の飽和磁化Ｍｓが−２００ｅｍｕ／ｃ
ｃ、再生層の飽和磁化Ｍｓが−５０ｅｍｕ／ｃｃであっ
た。
ｙ、Ｆｅ76Ｃｏ24を用い、Ｇｄ50Ｃｏ50ターゲットとＦ
ｅ76Ｃｏ24ターゲットを使ってＧｄＦｅＣｏ膜を作成
し、ＤｙターゲットとＦｅ76Ｃｏ24ターゲットを使って
ＤｙＦｅＣｏ膜を作成した。希土類と鉄族の組成比は、
Ｇｄ50Ｃｏ50、Ｆｅ76Ｃｏ24、あるいはＤｙ、Ｆｅ76Ｃ
ｏ24のターゲットに加える電力を変えることによって制
御し、本発明の条件を満たすように形成した。実施例２
の媒体は、記録層の飽和磁化Ｍｓが−２００ｅｍｕ／ｃ
ｃ、再生層の飽和磁化Ｍｓが−５０ｅｍｕ／ｃｃであっ
た。
【００２９】上記のように作成した実施例２のディスク
を、１５００ｒｐｍの回転数で回転させ、半径３０ｍｍ
の位置に光ビームを照射して、記録再生特性を測定し
た。その結果、実施例２の媒体は、記録感度が約５．５
ｍｗ、磁界感度が２００Ｏｅ，再生Ｃ／Ｎ比が４６ｄＢ
であった。
を、１５００ｒｐｍの回転数で回転させ、半径３０ｍｍ
の位置に光ビームを照射して、記録再生特性を測定し
た。その結果、実施例２の媒体は、記録感度が約５．５
ｍｗ、磁界感度が２００Ｏｅ，再生Ｃ／Ｎ比が４６ｄＢ
であった。
【００３０】（実施例３）実施例１において、再生層、
記録層の磁性層の膜厚をそれぞれ１００Å、２００Åと
し、下地層、干渉層のＳｉ3Ｎ4膜の膜厚をそれぞれ１１
００Å、３００Åとした以外は、実施例と同じ材料構成
の光磁気記録媒体を作成した。
記録層の磁性層の膜厚をそれぞれ１００Å、２００Åと
し、下地層、干渉層のＳｉ3Ｎ4膜の膜厚をそれぞれ１１
００Å、３００Åとした以外は、実施例と同じ材料構成
の光磁気記録媒体を作成した。
【００３１】この実施例３のディスクの記録再生特性
を、実施例１と同様の方法で測定した。その結果、実施
例３の媒体は、記録感度が５ｍＷ、磁界感度が２００Ｏ
ｅ，再生Ｃ／Ｎ比が４６ｄＢであった。
を、実施例１と同様の方法で測定した。その結果、実施
例３の媒体は、記録感度が５ｍＷ、磁界感度が２００Ｏ
ｅ，再生Ｃ／Ｎ比が４６ｄＢであった。
【００３２】（比較例１） 記録層のＴｂＦｅＣｏ膜を希土類副格子磁化優勢とした
以外は、実施例１と同一の条件で比較例１の光磁気記録
媒体を作成した。この媒体の再生層の飽和磁化は０emu/
cc、記録層の飽和磁化は１００emu/ccであった。
以外は、実施例１と同一の条件で比較例１の光磁気記録
媒体を作成した。この媒体の再生層の飽和磁化は０emu/
cc、記録層の飽和磁化は１００emu/ccであった。
【００３３】上記比較例１の媒体の記録再生特性を、実
施例１と同様の方法で測定した。その結果、比較例１の
媒体は、磁界感度が４００Ｏｅ，再生Ｃ／Ｎ比が３６ｄ
Ｂであった。
施例１と同様の方法で測定した。その結果、比較例１の
媒体は、磁界感度が４００Ｏｅ，再生Ｃ／Ｎ比が３６ｄ
Ｂであった。
【００３４】次に、ターゲットに加える電力を変化させ
て、比較例１と同様に希土類副格子磁化優勢の記録層を
有し、記録層と再生層の飽和磁化Ｍｓが様々な値を示す
光磁気記録媒体を作成した。これらの媒体の再生Ｃ／Ｎ
比と、磁界感度を、実施例１と同様の方法で測定した。
その結果をそれぞれ表３及び表４に示す。
て、比較例１と同様に希土類副格子磁化優勢の記録層を
有し、記録層と再生層の飽和磁化Ｍｓが様々な値を示す
光磁気記録媒体を作成した。これらの媒体の再生Ｃ／Ｎ
比と、磁界感度を、実施例１と同様の方法で測定した。
その結果をそれぞれ表３及び表４に示す。
【００３５】
【表２】
【００３６】表３及び表４からわかるように、記録層が
希土類副格子磁化優勢の媒体では、十分な記録再生特性
が得られなかった。例えば、記録層の飽和磁化が１００
ｅｍｕ／ｃｃで、再生層の飽和磁化が１５０〜３５０ｅ
ｍｕ／ｃｃの範囲にある場合、再生Ｃ／Ｎ比は４６ｄＢ
となるが、磁界感度は３００Ｏｅ以上となってしまう。
希土類副格子磁化優勢の媒体では、十分な記録再生特性
が得られなかった。例えば、記録層の飽和磁化が１００
ｅｍｕ／ｃｃで、再生層の飽和磁化が１５０〜３５０ｅ
ｍｕ／ｃｃの範囲にある場合、再生Ｃ／Ｎ比は４６ｄＢ
となるが、磁界感度は３００Ｏｅ以上となってしまう。
【００３７】（比較例２）再生層のＧｄＦｅＣｏ膜を希
土類副格子磁化優勢とした以外は、実施例１と同一の条
件で比較例２の光磁気記録媒体を作成した。この媒体の
再生層の飽和磁化は１００ｅｍｕ／ｃｃ、記録層の飽和
磁化は、１００ｅｍｕ／ｃｃであった。
土類副格子磁化優勢とした以外は、実施例１と同一の条
件で比較例２の光磁気記録媒体を作成した。この媒体の
再生層の飽和磁化は１００ｅｍｕ／ｃｃ、記録層の飽和
磁化は、１００ｅｍｕ／ｃｃであった。
【００３８】上記比較例２の媒体の再生Ｃ／Ｎ比を、実
施例１と同様の方法で測定した。その結果、比較例２の
媒体の再生Ｃ／Ｎ比は１０ｄＢであった。
施例１と同様の方法で測定した。その結果、比較例２の
媒体の再生Ｃ／Ｎ比は１０ｄＢであった。
【００３９】（比較例３）再生層のＧｄＦｅＣｏ膜およ
び記録層のＴｂＦｅＣｏ膜を希土類副格子磁化優勢とし
た以外は、実施例１と同一の条件で比較例２の光磁気記
録媒体を作成した。この媒体の再生層の飽和磁化は１０
０ｅｍｕ／ｃｃ、記録層の飽和磁化は、１００ｅｍｕ／
ｃｃであった。
び記録層のＴｂＦｅＣｏ膜を希土類副格子磁化優勢とし
た以外は、実施例１と同一の条件で比較例２の光磁気記
録媒体を作成した。この媒体の再生層の飽和磁化は１０
０ｅｍｕ／ｃｃ、記録層の飽和磁化は、１００ｅｍｕ／
ｃｃであった。
【００４０】上記比較例３の媒体の再生Ｃ／Ｎを、実施
例１と同様の方法で測定した。その結果、比較例３の媒
体の再生Ｃ／Ｎ比は１０ｄＢであった。
例１と同様の方法で測定した。その結果、比較例３の媒
体の再生Ｃ／Ｎ比は１０ｄＢであった。
【００４１】実施例１〜３及び比較例１〜３の記録再生
特性の測定結果を表５にまとめて示す。
特性の測定結果を表５にまとめて示す。
【００４２】
【表５】
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように本発明の光磁気記録
媒体は、記録層と再生層の膜厚の合計が400Å以下であ
ると共に、前記再生層が鉄族副格子磁化優勢で、その飽
和磁化σ1が50≦σ1≦300emu/ccの範囲にあるGd-Fe-Co
非晶質合金から成り、且つ前記記録層が鉄族副格子磁化
優勢でその飽和磁化σ2が、0<σ2≦200emu/ccの範囲に
あるR-Fe-Co非晶質合金（ＲはTb及びDyの少なくとも1種
の元素）から成ることにより、記録感度が高く、記録さ
れた情報を高いＣ／Ｎ比で読み出すことができるという
効果を奏する。
媒体は、記録層と再生層の膜厚の合計が400Å以下であ
ると共に、前記再生層が鉄族副格子磁化優勢で、その飽
和磁化σ1が50≦σ1≦300emu/ccの範囲にあるGd-Fe-Co
非晶質合金から成り、且つ前記記録層が鉄族副格子磁化
優勢でその飽和磁化σ2が、0<σ2≦200emu/ccの範囲に
あるR-Fe-Co非晶質合金（ＲはTb及びDyの少なくとも1種
の元素）から成ることにより、記録感度が高く、記録さ
れた情報を高いＣ／Ｎ比で読み出すことができるという
効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光磁気記録媒体の一実施例を示す略断
面図である。
面図である。
【図２】従来の光磁気記録媒体の構成例を示す略断面図
である。
である。
１ 基板 ２ 下引き層 ３ 再生層 ４ 記録層 ５ 誘電体層 ６ 反射層
Claims (1)
- 【請求項１】 キュリー温度が低く、保磁力が大きく且
つ膜面に垂直な磁化容易軸を有する磁性薄膜の記録層
と、該記録層に隣接して配置され磁気カー回転角が大き
く且つ膜面に垂直な磁化容易軸を有する磁性薄膜の再生
層と、光の入射側に配置される透明基板と該透明基板側
から入射し、前記記録層及び前記再生層を透過した光を
反射するための金属反射層を設けた磁界変調オーバーラ
イト方式用の光磁気記録媒体において、前記記録層と再
生層の膜厚の合計が400Å以下であると共に、前記再生
層が鉄族副格子磁化優勢で、その飽和磁化σ1が50≦σ1
≦300emu/ccの範囲にあるGd-Fe-Co非晶質合金から成
り、且つ前記記録層が鉄族副格子磁化優勢でその飽和磁
化σ2が、0<σ2≦200emu/ccの範囲にあるR-Fe-Co非晶質
合金（ＲはTb及びDyの少なくとも1種の元素）からなる
ことを特徴とする光磁気記録媒体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03182507A JP3093340B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 光磁気記録媒体 |
| US07/914,589 US5547773A (en) | 1991-07-23 | 1992-07-20 | Magnetooptic recording medium |
| EP19920306653 EP0524799A3 (en) | 1991-07-23 | 1992-07-21 | Magnetooptic recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03182507A JP3093340B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528555A JPH0528555A (ja) | 1993-02-05 |
| JP3093340B2 true JP3093340B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=16119511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03182507A Expired - Fee Related JP3093340B2 (ja) | 1991-07-23 | 1991-07-23 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5547773A (ja) |
| EP (1) | EP0524799A3 (ja) |
| JP (1) | JP3093340B2 (ja) |
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| JP2003263806A (ja) * | 2002-03-12 | 2003-09-19 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| KR100699822B1 (ko) * | 2002-09-19 | 2007-03-27 | 삼성전자주식회사 | 수직자기기록 매체 |
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|---|---|---|---|---|
| JPS5778652A (en) * | 1980-11-01 | 1982-05-17 | Daido Steel Co Ltd | Thermal magnetic recording carrier and thermal magnetic recording system |
| JPS6025036A (ja) * | 1983-07-20 | 1985-02-07 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 光磁気記録媒体 |
| JPS61117747A (ja) * | 1984-11-12 | 1986-06-05 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | ２層膜光磁気記録媒体 |
| JPS61196551A (ja) * | 1985-02-26 | 1986-08-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体集積回路 |
| ATE216528T1 (de) * | 1986-07-08 | 2002-05-15 | Canon Kk | Gerät und system zur aufzeichnung auf einem magnetooptischen aufzeichnungsmedium |
| JP2570270B2 (ja) * | 1986-10-08 | 1997-01-08 | 株式会社ニコン | ツービームによる光磁気記録方法及び装置 |
| JPH0782674B2 (ja) * | 1986-11-06 | 1995-09-06 | キヤノン株式会社 | 光磁気メモリ用媒体 |
| DE3876175T2 (de) * | 1987-08-25 | 1993-06-17 | Canon Kk | Optomagnetischer aufzeichnungstraeger mit einer mehrzahl von austauschgekoppelten magnetischen schichten. |
| US6200673B1 (en) * | 1989-11-13 | 2001-03-13 | Hitachi, Ltd. | Magneto-optical recording medium |
-
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- 1991-07-23 JP JP03182507A patent/JP3093340B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-07-20 US US07/914,589 patent/US5547773A/en not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-21 EP EP19920306653 patent/EP0524799A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0524799A3 (en) | 1993-04-14 |
| JPH0528555A (ja) | 1993-02-05 |
| EP0524799A2 (en) | 1993-01-27 |
| US5547773A (en) | 1996-08-20 |
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