JPH07169123A - オーバーライト可能な光磁気記録媒体 - Google Patents
オーバーライト可能な光磁気記録媒体Info
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- JPH07169123A JPH07169123A JP5316272A JP31627293A JPH07169123A JP H07169123 A JPH07169123 A JP H07169123A JP 5316272 A JP5316272 A JP 5316272A JP 31627293 A JP31627293 A JP 31627293A JP H07169123 A JPH07169123 A JP H07169123A
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
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- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10515—Reproducing
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高密度記録再生可能なオーバーライト媒体及
び高密度再生方法を提供する。 【構成】 基板と少なくとも３層の磁性層からなる光磁
気記録媒体で、第１磁性層が室温で面内に磁化容易軸を
持ち、室温以上かつ第２磁性層のキュリー点以下で垂直
磁気異方性を有し、かつ第２磁性層が室温からキュリー
点まで垂直磁気異方性を有し、かつ第３磁性層が室温か
らキュリー点付近まで垂直磁気異方性を有し、各層が、
Ｔc1＞Ｔc2、Ｔc2＜Ｔc3を満足し、かつ室温で、Ｈc2＞
σW ／２Ｍs2ｔ2 を満足する光磁気記録媒体。
び高密度再生方法を提供する。 【構成】 基板と少なくとも３層の磁性層からなる光磁
気記録媒体で、第１磁性層が室温で面内に磁化容易軸を
持ち、室温以上かつ第２磁性層のキュリー点以下で垂直
磁気異方性を有し、かつ第２磁性層が室温からキュリー
点まで垂直磁気異方性を有し、かつ第３磁性層が室温か
らキュリー点付近まで垂直磁気異方性を有し、各層が、
Ｔc1＞Ｔc2、Ｔc2＜Ｔc3を満足し、かつ室温で、Ｈc2＞
σW ／２Ｍs2ｔ2 を満足する光磁気記録媒体。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、オーバーライト可能な
光磁気記録媒体及びその再生方法に関する。オーバーラ
イト(over write)とは、前の情報を消去せずに新たな情
報を記録する行為を言う。この場合、再生したとき、前
の情報は再生されてはならない。本明細書で言う「オー
バーライト」とは、特に、記録磁界Ｈb の向き及び強度
を変調せずに、単にレーザービームを記録すべき情報に
従いパルス変調しながら照射する(irradiate) ことによ
り、重ね書きすることを言う。
光磁気記録媒体及びその再生方法に関する。オーバーラ
イト(over write)とは、前の情報を消去せずに新たな情
報を記録する行為を言う。この場合、再生したとき、前
の情報は再生されてはならない。本明細書で言う「オー
バーライト」とは、特に、記録磁界Ｈb の向き及び強度
を変調せずに、単にレーザービームを記録すべき情報に
従いパルス変調しながら照射する(irradiate) ことによ
り、重ね書きすることを言う。
【０００２】
【従来の技術】最近、高密度、大容量、高いアクセス速
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力がな
されている。広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁
気記録再生方法は、情報を記録した後、消去することが
でき、再び新たな情報を記録することが繰り返し何度も
可能であるというユニークな利点のために、最も大きな
魅力に満ちている。
度、並びに高い記録及び再生速度を含めた種々の要求を
満足する光学的記録再生方法、それに使用される記録装
置、再生装置及び記録媒体を開発しようとする努力がな
されている。広範囲な光学的記録再生方法の中で、光磁
気記録再生方法は、情報を記録した後、消去することが
でき、再び新たな情報を記録することが繰り返し何度も
可能であるというユニークな利点のために、最も大きな
魅力に満ちている。
【０００３】この光磁気記録再生方法で使用される記録
媒体は、記録を蓄える層として１層又は多層からなる垂
直磁気異方性を有する（ perpendicular magnetic laye
r orlayers：以下、垂直磁気異方性膜という）から成
る。この垂直磁気異方性膜は例えばアモルファスのGdF
e、GdCo、GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCo等からなる。垂
直磁気異方性膜は、一般に同心円状又はらせん状のトラ
ックを有しており、このトラックの上に情報が記録され
る。トラックは明示的な場合と黙示的な場合の２通りあ
る。 〔明示的なトラック〕光磁気記録媒体はディスク形状を
している。明示的なトラックを有するディスクは、ディ
スク平面に対し垂直方向から見た場合、情報を記録する
トラックが渦巻状又は同心円状に形成されている。そし
て、隣接する２つのトラック間にトラッキングのため及
び分離のための溝（グルーブ groove ）が存在する。溝
と溝の間はランド(land)と呼ぶ。実際には、ディスクの
裏表でランドと溝の関係が逆になる。そこで、ビームが
入射するのと同じ方向からディスクを見て、手前を溝、
奥をランドと呼ぶ。垂直磁気異方性膜は、溝の上にもラ
ンドの上にも一面に形成するので、溝の部分をトラック
にしてもよいし、ランドの部分をトラックにしてもよ
い。溝の幅とランドの幅との間に特に大小関係はない。
媒体は、記録を蓄える層として１層又は多層からなる垂
直磁気異方性を有する（ perpendicular magnetic laye
r orlayers：以下、垂直磁気異方性膜という）から成
る。この垂直磁気異方性膜は例えばアモルファスのGdF
e、GdCo、GdFeCo、TbFe、TbCo、TbFeCo等からなる。垂
直磁気異方性膜は、一般に同心円状又はらせん状のトラ
ックを有しており、このトラックの上に情報が記録され
る。トラックは明示的な場合と黙示的な場合の２通りあ
る。 〔明示的なトラック〕光磁気記録媒体はディスク形状を
している。明示的なトラックを有するディスクは、ディ
スク平面に対し垂直方向から見た場合、情報を記録する
トラックが渦巻状又は同心円状に形成されている。そし
て、隣接する２つのトラック間にトラッキングのため及
び分離のための溝（グルーブ groove ）が存在する。溝
と溝の間はランド(land)と呼ぶ。実際には、ディスクの
裏表でランドと溝の関係が逆になる。そこで、ビームが
入射するのと同じ方向からディスクを見て、手前を溝、
奥をランドと呼ぶ。垂直磁気異方性膜は、溝の上にもラ
ンドの上にも一面に形成するので、溝の部分をトラック
にしてもよいし、ランドの部分をトラックにしてもよ
い。溝の幅とランドの幅との間に特に大小関係はない。
【０００４】このように、一般に、基板には、表面に渦
巻状又は同心円状に形成されたランドと、２つの隣合う
ランド間に挟まれた溝が存在する。このような基板上に
薄く垂直磁気異方性膜が形成される。これにより垂直磁
気異方性膜はランドと溝を持つ。 〔マーク〕本明細書では、膜面に対し「上向き（upwar
d) 」又は「下向き(downward)」の何れか一方を、「Ａ
向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。
巻状又は同心円状に形成されたランドと、２つの隣合う
ランド間に挟まれた溝が存在する。このような基板上に
薄く垂直磁気異方性膜が形成される。これにより垂直磁
気異方性膜はランドと溝を持つ。 〔マーク〕本明細書では、膜面に対し「上向き（upwar
d) 」又は「下向き(downward)」の何れか一方を、「Ａ
向き」、他方を「逆Ａ向き」と定義する。
【０００５】記録すべき情報は、予め２値化されてお
り、この情報が「Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ1)
と、「逆Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ0)の２つの
信号で記録される。これらのマークＢ1 ，Ｂ0 は、デジ
タル信号の１，０の何れか一方と他方にそれぞれ相当す
る。しかし、一般には記録されるトラックの磁化は、記
録前に強力な外部磁場を印加することによって「逆Ａ向
き」に揃えられる。この磁化の向きを揃える行為は、古
い意味で「初期化* （initialize* ）」と呼ばれる。そ
の上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ
1)を形成する。情報は、このマーク（Ｂ1)の有無、位
置、マークの前端位置、後端位置、マーク長等によって
表現される。特にマークのエッジ位置が情報を表す方法
はマーク長記録と呼ばれる。尚、マークは過去にピット
又はビットと呼ばれたことがあるが、最近はマークと呼
ぶ。
り、この情報が「Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ1)
と、「逆Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ0)の２つの
信号で記録される。これらのマークＢ1 ，Ｂ0 は、デジ
タル信号の１，０の何れか一方と他方にそれぞれ相当す
る。しかし、一般には記録されるトラックの磁化は、記
録前に強力な外部磁場を印加することによって「逆Ａ向
き」に揃えられる。この磁化の向きを揃える行為は、古
い意味で「初期化* （initialize* ）」と呼ばれる。そ
の上でトラックに「Ａ向き」の磁化を有するマーク（Ｂ
1)を形成する。情報は、このマーク（Ｂ1)の有無、位
置、マークの前端位置、後端位置、マーク長等によって
表現される。特にマークのエッジ位置が情報を表す方法
はマーク長記録と呼ばれる。尚、マークは過去にピット
又はビットと呼ばれたことがあるが、最近はマークと呼
ぶ。
【０００６】ところで、記録ずみの媒体を再使用するに
は、 (１) 媒体を再び初期化* 装置で初期化* するか、
又は (２) 記録装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを
併設するか、又は (３) 予め、前段処理として記録装置
又は消去装置を用いて記録ずみ情報を消去する必要があ
る。従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ
情報の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録でき
るオーバーライトは、不可能とされていた。
は、 (１) 媒体を再び初期化* 装置で初期化* するか、
又は (２) 記録装置に記録ヘッドと同様な消去ヘッドを
併設するか、又は (３) 予め、前段処理として記録装置
又は消去装置を用いて記録ずみ情報を消去する必要があ
る。従って、光磁気記録方式では、これまで、記録ずみ
情報の有無にかかわらず新たな情報をその場で記録でき
るオーバーライトは、不可能とされていた。
【０００７】もっとも、もし記録磁界Ｈb の向きを必要
に応じて「Ａ向き」と「逆Ａ向き」との間で自由に変調
することができれば、オーバーライトが可能になる。し
かしながら、記録磁界Ｈb の向きを高速度で変調するこ
とは不可能である。例えば、記録磁界Ｈb が永久磁石で
ある場合、磁石の向きを機械的に反転させる必要があ
る。しかし、磁石の向きを高速で反転させることは、無
理である。記録磁界Ｈbが電磁石である場合にも、大容
量の電流の向きをそのように高速で変調することは不可
能である。
に応じて「Ａ向き」と「逆Ａ向き」との間で自由に変調
することができれば、オーバーライトが可能になる。し
かしながら、記録磁界Ｈb の向きを高速度で変調するこ
とは不可能である。例えば、記録磁界Ｈb が永久磁石で
ある場合、磁石の向きを機械的に反転させる必要があ
る。しかし、磁石の向きを高速で反転させることは、無
理である。記録磁界Ｈbが電磁石である場合にも、大容
量の電流の向きをそのように高速で変調することは不可
能である。
【０００８】しかしながら、技術の進歩は著しく、記録
磁界Ｈb の強度を変調せずに（ON、OFF を含む) 又は記
録磁界Ｈb の向きを変調せずに、照射する光ビームの強
度を記録すべき２値化情報に従い変調するだけで、オー
バーライトが可能な光磁気記録方法と、それに使用され
るオーバーライト可能な光磁気記録媒体と、同じくそれ
に使用されるオーバーライト可能な記録装置が発明さ
れ、特許出願された（特開昭62−175948号＝DE3,619,61
8A1 ＝米国特許出願中 Ser.No453,255) 。以下、この発
明を「基本発明」と引用する。 〔基本発明の説明〕基本発明では、「基本的に垂直磁化
可能な磁性薄膜からなる記録再生層recording layer
（本明細書では、この記録再生層をメモリー層 Memory
layer又はＭ層と言う）と、垂直磁化可能な磁性薄膜か
らなる記録補助層 referencelayer （本明細書では、こ
の記録補助層を記録層 Writing layer 又はＷ層と言
う）とを含み、両層は交換結合（exchange-coupled) し
ており、かつ、室温でＭ層の磁化の向きは変えないでＷ
層の磁化のみを所定の向きに向けておくことができるオ
ーバーライト可能な多層光磁気記録媒体」を使用する。
磁界Ｈb の強度を変調せずに（ON、OFF を含む) 又は記
録磁界Ｈb の向きを変調せずに、照射する光ビームの強
度を記録すべき２値化情報に従い変調するだけで、オー
バーライトが可能な光磁気記録方法と、それに使用され
るオーバーライト可能な光磁気記録媒体と、同じくそれ
に使用されるオーバーライト可能な記録装置が発明さ
れ、特許出願された（特開昭62−175948号＝DE3,619,61
8A1 ＝米国特許出願中 Ser.No453,255) 。以下、この発
明を「基本発明」と引用する。 〔基本発明の説明〕基本発明では、「基本的に垂直磁化
可能な磁性薄膜からなる記録再生層recording layer
（本明細書では、この記録再生層をメモリー層 Memory
layer又はＭ層と言う）と、垂直磁化可能な磁性薄膜か
らなる記録補助層 referencelayer （本明細書では、こ
の記録補助層を記録層 Writing layer 又はＷ層と言
う）とを含み、両層は交換結合（exchange-coupled) し
ており、かつ、室温でＭ層の磁化の向きは変えないでＷ
層の磁化のみを所定の向きに向けておくことができるオ
ーバーライト可能な多層光磁気記録媒体」を使用する。
【０００９】そして、情報をＭ層（場合によりＷ層に
も）における「Ａ向き」磁化を有するマークと「逆Ａ向
き」磁化を有するマークで表現し、記録するのである。
この媒体は、Ｗ層が外部手段（例えば初期補助磁界Hin
i. ）によって、その磁化の向きを「Ａ向き」に揃える
ことができる。しかも、そのとき、Ｍ層は、磁化の向き
は反転せず、更に、一旦「Ａ向き」に揃えられたＷ層の
磁化の向きは、Ｍ層からの交換結合力を受けても反転せ
ず、逆にＭ層の磁化の向きは、「Ａ向き」に揃えられた
Ｗ層からの交換結合力を受けても反転しない。そして、
Ｗ層は、Ｍ層に比べて低い保磁力Ｈc と高いキュリー点
Ｔc を持つ。
も）における「Ａ向き」磁化を有するマークと「逆Ａ向
き」磁化を有するマークで表現し、記録するのである。
この媒体は、Ｗ層が外部手段（例えば初期補助磁界Hin
i. ）によって、その磁化の向きを「Ａ向き」に揃える
ことができる。しかも、そのとき、Ｍ層は、磁化の向き
は反転せず、更に、一旦「Ａ向き」に揃えられたＷ層の
磁化の向きは、Ｍ層からの交換結合力を受けても反転せ
ず、逆にＭ層の磁化の向きは、「Ａ向き」に揃えられた
Ｗ層からの交換結合力を受けても反転しない。そして、
Ｗ層は、Ｍ層に比べて低い保磁力Ｈc と高いキュリー点
Ｔc を持つ。
【００１０】基本発明の記録方法によれば、記録媒体
は、記録前までに、外部手段によりＷ層の磁化の向きだ
けが「Ａ向き」に揃えられる。この行為を本明細書では
特別に“初期化(initialize)”と呼ぶ。この“初期化”
はオーバーライト可能な媒体に特有なことである。その
上で、２値化情報に従いパルス変調されたレーザービー
ムが媒体に照射される。レーザービームの強度は、高レ
ベルＰH と低レベルＰL があり、これはパルスの高レベ
ルと低レベルに相当する。この低レベルは、再生時に媒
体を照射する再生レベルＰR よりも高い。既に知られて
いるように、記録をしない時にも、例えば媒体における
所定の記録場所をアクセスするためにレーザービームを
＜非常な低レベル＞で点灯することがある。この＜非常
な低レベル＞も、再生レベルＰR と同一又は近似のレベ
ルである。
は、記録前までに、外部手段によりＷ層の磁化の向きだ
けが「Ａ向き」に揃えられる。この行為を本明細書では
特別に“初期化(initialize)”と呼ぶ。この“初期化”
はオーバーライト可能な媒体に特有なことである。その
上で、２値化情報に従いパルス変調されたレーザービー
ムが媒体に照射される。レーザービームの強度は、高レ
ベルＰH と低レベルＰL があり、これはパルスの高レベ
ルと低レベルに相当する。この低レベルは、再生時に媒
体を照射する再生レベルＰR よりも高い。既に知られて
いるように、記録をしない時にも、例えば媒体における
所定の記録場所をアクセスするためにレーザービームを
＜非常な低レベル＞で点灯することがある。この＜非常
な低レベル＞も、再生レベルＰR と同一又は近似のレベ
ルである。
【００１１】例えば、「Ａ向き」に“初期化(initializ
e)”された媒体は、低レベルＰL のレーザービームの照
射を受けると、媒体の温度が向上してＭ層の保磁力Ｈc1
が非常に小さくなるか極端にはゼロになる。ゼロになる
のは、媒体の温度がＭ層のキュリー点以上であるときで
ある。このとき、Ｗ層の保磁力Ｈc2は十分に大きく、
「逆Ａ向き」の記録磁界Ｈb で反転されることはない。
そして、Ｗ層の力が交換結合力を介してＭ層に及ぶ。Ｍ
層、Ｗ層は、一般に重希土類金属（heavy rareearth me
tal ：以下、ＲＥと略す）‐遷移金属（transition met
al：以下、ＴＭと略す）合金で構成される。交換結合力
は、両層のＲＥ磁気モーメント同士を揃える力と両層の
ＴＭ磁気モーメント同士を揃える力からなる。尚、合金
中ではＲＥの副格子磁化とＴＭの副格子磁化とは、向き
が逆であり、大きい方の副格子磁化の向きが、合金の磁
化の向きを決める。両副格子磁化が等しいとき、その組
成を補償組成（compensation composition) と言い、そ
の温度を補償温度（compensation temperature) と言
う。補償温度より上ではＴＭ副格子磁化の方が強く、補
償温度より下ではＲＥ副格子磁化の方が強い。
e)”された媒体は、低レベルＰL のレーザービームの照
射を受けると、媒体の温度が向上してＭ層の保磁力Ｈc1
が非常に小さくなるか極端にはゼロになる。ゼロになる
のは、媒体の温度がＭ層のキュリー点以上であるときで
ある。このとき、Ｗ層の保磁力Ｈc2は十分に大きく、
「逆Ａ向き」の記録磁界Ｈb で反転されることはない。
そして、Ｗ層の力が交換結合力を介してＭ層に及ぶ。Ｍ
層、Ｗ層は、一般に重希土類金属（heavy rareearth me
tal ：以下、ＲＥと略す）‐遷移金属（transition met
al：以下、ＴＭと略す）合金で構成される。交換結合力
は、両層のＲＥ磁気モーメント同士を揃える力と両層の
ＴＭ磁気モーメント同士を揃える力からなる。尚、合金
中ではＲＥの副格子磁化とＴＭの副格子磁化とは、向き
が逆であり、大きい方の副格子磁化の向きが、合金の磁
化の向きを決める。両副格子磁化が等しいとき、その組
成を補償組成（compensation composition) と言い、そ
の温度を補償温度（compensation temperature) と言
う。補償温度より上ではＴＭ副格子磁化の方が強く、補
償温度より下ではＲＥ副格子磁化の方が強い。
【００１２】レーザービームを照射する前のマークの状
態は、Ｍ層とＷ層との間に界面磁壁が存在する状態
と、存在しない状態との２種がある。存在する状態
のマークは、低レベルＰL のレーザービームで形成しよ
うとするマークと一致しない。存在しない状態のマー
クは、低レベルＰL のレーザービームで形成しようとす
るマークと一致する。前者の場合、ＰL のビームが照
射されると、Ｍ層の温度が上昇する。そのためＭ層の保
磁力Ｈc1は非常に小さくなる。このとき、Ｗ層の力が交
換結合力を介してＭ層に及ぶ結果、非常に小さくなった
保磁力Ｈc1を持つＭ層の磁化は、Ｗ層によって支配され
た所定の向き（例えば、「Ａ向き」）を向かされる。そ
の結果、Ｍ層とＷ層との間に界面磁壁が存在しないマー
ク（目的とするマーク）が形成される。
態は、Ｍ層とＷ層との間に界面磁壁が存在する状態
と、存在しない状態との２種がある。存在する状態
のマークは、低レベルＰL のレーザービームで形成しよ
うとするマークと一致しない。存在しない状態のマー
クは、低レベルＰL のレーザービームで形成しようとす
るマークと一致する。前者の場合、ＰL のビームが照
射されると、Ｍ層の温度が上昇する。そのためＭ層の保
磁力Ｈc1は非常に小さくなる。このとき、Ｗ層の力が交
換結合力を介してＭ層に及ぶ結果、非常に小さくなった
保磁力Ｈc1を持つＭ層の磁化は、Ｗ層によって支配され
た所定の向き（例えば、「Ａ向き」）を向かされる。そ
の結果、Ｍ層とＷ層との間に界面磁壁が存在しないマー
ク（目的とするマーク）が形成される。
【００１３】仮にＭ層の温度がもう少し高く上昇し、そ
のためＭ層の磁化がゼロになった場合（Ｔc1以上）で
も、レーザービームの照射がなくなると、媒体の温度が
自然に低下してキュリー点Ｔc1よりやや下がる。すると
Ｍ層に磁化が現れる。このとき同様にＷ層の力が交換結
合力を介してＭ層に及ぶ。そのため、Ｍ層に現れる磁化
は、Ｗ層によって支配された所定の向き（例えば、「Ａ
向き」）を向く。この状態から室温に戻るが、所定の向
きが保たれる。ただし、室温へ戻る途中にＭ層またはＷ
層に補償温度があると、それぞれそこを越えたとき、そ
の層の磁化の向きは逆転する。このプロセスは後者の
場合にも同じマークを与え、低温プロセス又は低温サイ
クルと呼ばれる。
のためＭ層の磁化がゼロになった場合（Ｔc1以上）で
も、レーザービームの照射がなくなると、媒体の温度が
自然に低下してキュリー点Ｔc1よりやや下がる。すると
Ｍ層に磁化が現れる。このとき同様にＷ層の力が交換結
合力を介してＭ層に及ぶ。そのため、Ｍ層に現れる磁化
は、Ｗ層によって支配された所定の向き（例えば、「Ａ
向き」）を向く。この状態から室温に戻るが、所定の向
きが保たれる。ただし、室温へ戻る途中にＭ層またはＷ
層に補償温度があると、それぞれそこを越えたとき、そ
の層の磁化の向きは逆転する。このプロセスは後者の
場合にも同じマークを与え、低温プロセス又は低温サイ
クルと呼ばれる。
【００１４】他方、例えば、「Ａ向き」に“初期化(ini
tialize)”された媒体は、高レベルＰH のレーザービー
ムの照射を受けると、媒体の温度が上昇してＭ層の保磁
力Ｈc1はゼロになり、Ｗ層の保磁力Ｈc2は非常に小さく
なるか、極端にはゼロになる。そのため、非常に小さい
保磁力Ｈc2を持つＷ層の磁化は、記録磁界Ｈb に負けて
所定の向き（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。仮にＷ層
の温度がもう少し上昇すると、Ｗ層の磁化がゼロになる
その場合でもレーザービームの照射がなくなり、媒体の
温度が自然に低下して キュリー点Ｔc2よりやや下がる
と、Ｗ層に磁化が現れる。このとき、同様に記録磁界Ｈ
b に負けて、Ｗ層の磁化は所定の向き（例えば、「逆Ａ
向き」）を向く。更に媒体の温度が冷えてキュリー点Ｔ
c1よりやや下がると、Ｍ層に磁化が現れる。このとき、
Ｗ層の力が交換結合力を介してＭ層に及ぶ。そのため、
Ｍ層に現れる磁化は、Ｗ層によって支配された所定の向
き（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。この状態から室温
に戻るが、所定の向きが保たれる。但し、室温へ戻る途
中にＭ層またはＷ層に補償温度があると、それぞれそこ
を越えたとき、その磁化の向きは逆転する。このプロセ
スは高温プロセス又は高温サイクルと呼ばれる。
tialize)”された媒体は、高レベルＰH のレーザービー
ムの照射を受けると、媒体の温度が上昇してＭ層の保磁
力Ｈc1はゼロになり、Ｗ層の保磁力Ｈc2は非常に小さく
なるか、極端にはゼロになる。そのため、非常に小さい
保磁力Ｈc2を持つＷ層の磁化は、記録磁界Ｈb に負けて
所定の向き（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。仮にＷ層
の温度がもう少し上昇すると、Ｗ層の磁化がゼロになる
その場合でもレーザービームの照射がなくなり、媒体の
温度が自然に低下して キュリー点Ｔc2よりやや下がる
と、Ｗ層に磁化が現れる。このとき、同様に記録磁界Ｈ
b に負けて、Ｗ層の磁化は所定の向き（例えば、「逆Ａ
向き」）を向く。更に媒体の温度が冷えてキュリー点Ｔ
c1よりやや下がると、Ｍ層に磁化が現れる。このとき、
Ｗ層の力が交換結合力を介してＭ層に及ぶ。そのため、
Ｍ層に現れる磁化は、Ｗ層によって支配された所定の向
き（例えば、「逆Ａ向き」）を向く。この状態から室温
に戻るが、所定の向きが保たれる。但し、室温へ戻る途
中にＭ層またはＷ層に補償温度があると、それぞれそこ
を越えたとき、その磁化の向きは逆転する。このプロセ
スは高温プロセス又は高温サイクルと呼ばれる。
【００１５】以上の低温プロセス、高温プロセスは、Ｍ
層、Ｗ層の磁化の向きに無関係に、起こる。ともかく、
レーザービームの照射前にＷ層が“初期化(initializ
e)”されていれば良い。そのため、オーバーライトが可
能となる。基本発明では、レーザービームは、記録すべ
き情報に従いパルス状に変調される。しかし、このこと
自身は、従来の光磁気記録でも行われており、記録すべ
き２値化情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手
段は既知の手段である。例えば、THE BELL SYSTEM T
ECHNICAL JOURNAL, Vol.62(1983),1923 −1936に詳し
く説明されている。従って、ビーム強度の必要な高レベ
ルと低レベルが与えられれば、従来の変調手段を一部修
正するだけで容易に入手できる。当業者にとって、その
ような修正は、ビーム強度の高レベルと低レベルが与え
られれば、容易であろう。
層、Ｗ層の磁化の向きに無関係に、起こる。ともかく、
レーザービームの照射前にＷ層が“初期化(initializ
e)”されていれば良い。そのため、オーバーライトが可
能となる。基本発明では、レーザービームは、記録すべ
き情報に従いパルス状に変調される。しかし、このこと
自身は、従来の光磁気記録でも行われており、記録すべ
き２値化情報に従いビーム強度をパルス状に変調する手
段は既知の手段である。例えば、THE BELL SYSTEM T
ECHNICAL JOURNAL, Vol.62(1983),1923 −1936に詳し
く説明されている。従って、ビーム強度の必要な高レベ
ルと低レベルが与えられれば、従来の変調手段を一部修
正するだけで容易に入手できる。当業者にとって、その
ような修正は、ビーム強度の高レベルと低レベルが与え
られれば、容易であろう。
【００１６】基本発明に於いて特徴的なことの１つは、
ビーム強度の高レベルと低レベルである。即ち、ビーム
強度が高レベルの時に、記録磁界Ｈb その他の外部手段
によりＷ層の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（re
verse)させ、このＷ層の「逆Ａ向き」磁化によってＭ層
に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するマ
ークを形成する。ビーム強度が低レベルの時は、Ｗ層の
磁化の向きは、“初期化”状態と変わらず、そして、Ｗ
層の作用（この作用は交換結合力を通じてＭ層に伝わ
る）によってＭ層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き」
磁化〕を有するマークを形成する。
ビーム強度の高レベルと低レベルである。即ち、ビーム
強度が高レベルの時に、記録磁界Ｈb その他の外部手段
によりＷ層の「Ａ向き」磁化を「逆Ａ向き」に反転（re
verse)させ、このＷ層の「逆Ａ向き」磁化によってＭ層
に「逆Ａ向き」磁化〔又は「Ａ向き」磁化〕を有するマ
ークを形成する。ビーム強度が低レベルの時は、Ｗ層の
磁化の向きは、“初期化”状態と変わらず、そして、Ｗ
層の作用（この作用は交換結合力を通じてＭ層に伝わ
る）によってＭ層に「Ａ向き」磁化〔又は「逆Ａ向き」
磁化〕を有するマークを形成する。
【００１７】基本発明で使用される記録媒体は、Ｍ層と
Ｗ層を含む多層構造を有する。Ｍ層は、室温で保磁力が
高く磁化反転温度が低い磁性層である。Ｗ層はＭ層に比
べ相対的に室温で保磁力が低く磁化反転温度が高い磁性
層である。なお、Ｍ層とＷ層ともに、それ自体多層膜か
ら構成されていてもよい。場合によりＭ層とＷ層との間
に中間層（例えば、交換結合力σW 調整層：以下、この
層をＩ層と略す）が存在していてもよい。Ｉ層について
は、特開昭64−50257 号や特開平１−273248号を参照さ
れたい。
Ｗ層を含む多層構造を有する。Ｍ層は、室温で保磁力が
高く磁化反転温度が低い磁性層である。Ｗ層はＭ層に比
べ相対的に室温で保磁力が低く磁化反転温度が高い磁性
層である。なお、Ｍ層とＷ層ともに、それ自体多層膜か
ら構成されていてもよい。場合によりＭ層とＷ層との間
に中間層（例えば、交換結合力σW 調整層：以下、この
層をＩ層と略す）が存在していてもよい。Ｉ層について
は、特開昭64−50257 号や特開平１−273248号を参照さ
れたい。
【００１８】また、オーバーライト可能な光磁気記録に
ついては、その他、特開平４−123339号や特開平４−13
4741号など多くの資料が出されているので、ここでは、
これ以上の説明を省く。なお、特開平４−123339号に開
示された４層構造のディスクは、Ｍ層、Ｗ層の外に、
“初期化”層 (Initializing layer：以下、Ｉni層と略
す）と、Ｉni層とＷ層との間に両層の間の交換結合をオ
ン・オフするスイッチング層（Swithing layer：以下、
Ｓ層と略す）を持つ。
ついては、その他、特開平４−123339号や特開平４−13
4741号など多くの資料が出されているので、ここでは、
これ以上の説明を省く。なお、特開平４−123339号に開
示された４層構造のディスクは、Ｍ層、Ｗ層の外に、
“初期化”層 (Initializing layer：以下、Ｉni層と略
す）と、Ｉni層とＷ層との間に両層の間の交換結合をオ
ン・オフするスイッチング層（Swithing layer：以下、
Ｓ層と略す）を持つ。
【００１９】Ｃ／Ｎ値を高めるために、Ｍ層の上に（つ
まり、レーザービームの入射側に）Ｍ層よりキュリー点
が高くカー効果の高い読出層（Readout layer ：以下、
Ｒ層と略す）を積層したものも提案されている。例え
ば、特開昭63−64651 号公報、特開昭63−48637 号公報
を参照されたい。提案されたＲ層もＲＥ−ＴＭ系合金で
構成される。
まり、レーザービームの入射側に）Ｍ層よりキュリー点
が高くカー効果の高い読出層（Readout layer ：以下、
Ｒ層と略す）を積層したものも提案されている。例え
ば、特開昭63−64651 号公報、特開昭63−48637 号公報
を参照されたい。提案されたＲ層もＲＥ−ＴＭ系合金で
構成される。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光磁気記録
媒体への記録は、主にレーザービームの熱エネルギーが
利用されるので、そのビームスポットの中央部を利用す
ることでかなり小さいマークが形成できる。ところが、
再生は絞ったレーザービームにより光学的に読み出すこ
とで行うので、原理的に回折限界を下回るような小さな
ビームスポットで再生することはできない。現在のとこ
ろ、実用可能な半導体レーザーの波長ではおよそ１μｍ
以下にビーム径を絞り込むことはできないことから、マ
ークの大きさは１μｍに比べてはるかに小さくすること
は無理であった。この理由から、トラック上のマーク間
の距離とトラック間の距離（トラックピッチ）が制約さ
れていた。
媒体への記録は、主にレーザービームの熱エネルギーが
利用されるので、そのビームスポットの中央部を利用す
ることでかなり小さいマークが形成できる。ところが、
再生は絞ったレーザービームにより光学的に読み出すこ
とで行うので、原理的に回折限界を下回るような小さな
ビームスポットで再生することはできない。現在のとこ
ろ、実用可能な半導体レーザーの波長ではおよそ１μｍ
以下にビーム径を絞り込むことはできないことから、マ
ークの大きさは１μｍに比べてはるかに小さくすること
は無理であった。この理由から、トラック上のマーク間
の距離とトラック間の距離（トラックピッチ）が制約さ
れていた。
【００２１】従って、高密度記録を目的に、この制約を
越えてトラック上のマーク間の距離を小さくすると、数
個のマークを同時に再生してしまい、また、同様にこの
制約を越えてトラック間の距離（トラックピッチ）を小
さくすると、隣接トラックのマークを同時に再生してし
まう「クロストーク」が大きくなり、どちらの場合にお
いても再生信号の品質が確保されなくなり（Ｃ／Ｎ値が
小さくなり）、結果として情報の再生がうまく行われな
いという問題が発生する。
越えてトラック上のマーク間の距離を小さくすると、数
個のマークを同時に再生してしまい、また、同様にこの
制約を越えてトラック間の距離（トラックピッチ）を小
さくすると、隣接トラックのマークを同時に再生してし
まう「クロストーク」が大きくなり、どちらの場合にお
いても再生信号の品質が確保されなくなり（Ｃ／Ｎ値が
小さくなり）、結果として情報の再生がうまく行われな
いという問題が発生する。
【００２２】特に、オーバーライト可能な光磁気記録媒
体の場合は、上記の問題に加えて更にオーバーライトを
可能にする条件も満たさなくてはならないため、高密度
記録を実現することは、より一層困難であった。本発明
の目的は、この問題の解決にある。
体の場合は、上記の問題に加えて更にオーバーライトを
可能にする条件も満たさなくてはならないため、高密度
記録を実現することは、より一層困難であった。本発明
の目的は、この問題の解決にある。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明者は、この問題を
解決するために鋭意研究の結果、特殊な磁気的な条件を
満たした３層の磁性層を有する光磁気記録媒体とするこ
とで、再生ビーム径よりもかなり小さいマークを再生で
き、しかも、オーバーライト記録もできることを見い出
し、本発明を成すに至った。
解決するために鋭意研究の結果、特殊な磁気的な条件を
満たした３層の磁性層を有する光磁気記録媒体とするこ
とで、再生ビーム径よりもかなり小さいマークを再生で
き、しかも、オーバーライト記録もできることを見い出
し、本発明を成すに至った。
【００２４】よって、本発明は、「少なくとも基板上に
積層された３層以上の磁性層からなるオーバーライト可
能な光磁気記録媒体において、第１磁性層は室温では基
板面内方向に磁化容易軸を持ち、室温以上かつ第２磁性
層のキュリー点以下では基板面垂直方向に磁化容易軸を
持ち、前記第２磁性層は室温からそのキュリー点までは
基板面垂直方向に磁化容易軸を持ち、第３磁性層は室温
からそのキュリー点までは基板面垂直方向に磁化容易軸
を持ち、かつ、次の関係が成り立つオーバーライト可能
な光磁気記録媒体（請求項１）」を提供する。
積層された３層以上の磁性層からなるオーバーライト可
能な光磁気記録媒体において、第１磁性層は室温では基
板面内方向に磁化容易軸を持ち、室温以上かつ第２磁性
層のキュリー点以下では基板面垂直方向に磁化容易軸を
持ち、前記第２磁性層は室温からそのキュリー点までは
基板面垂直方向に磁化容易軸を持ち、第３磁性層は室温
からそのキュリー点までは基板面垂直方向に磁化容易軸
を持ち、かつ、次の関係が成り立つオーバーライト可能
な光磁気記録媒体（請求項１）」を提供する。
【００２５】Ｔc1＞Ｔc2 Ｔc2＜Ｔc3 かつ、室温で、
【００２６】
【数４】
【００２７】但し、Ｔc1、Ｔc2及びＴc3は各々第１、第
２及び第３磁性層のキュリー点、Ｈc2は第２磁性層の保
磁力、Ｍs2は第２磁性層の飽和磁気モーメント、ｔ2 は
第２磁性層の膜厚、σW23 は第２磁性層と第３磁性層の
間の磁壁エネルギーを表す。この媒体（請求項１）は、
更に、各磁性層間に、室温で次の関係が成り立つことが
好ましい（請求項２）。
２及び第３磁性層のキュリー点、Ｈc2は第２磁性層の保
磁力、Ｍs2は第２磁性層の飽和磁気モーメント、ｔ2 は
第２磁性層の膜厚、σW23 は第２磁性層と第３磁性層の
間の磁壁エネルギーを表す。この媒体（請求項１）は、
更に、各磁性層間に、室温で次の関係が成り立つことが
好ましい（請求項２）。
【００２８】
【数５】
【００２９】但し、Ｈc2及びＨc3は各々第２及び第３磁
性層の保磁力、Ｍs2及びＭs3は各々第２及び第３磁性層
の飽和磁気モーメント、ｔ2 及びｔ3 は各々第２及び第
３磁性層の膜厚、σW23 は第２磁性層と第３磁性層の間
の磁壁エネルギーを表す。請求項２の媒体は、更に、各
磁性層間に、室温で次の関係が成り立つことが好ましい
（請求項３）。
性層の保磁力、Ｍs2及びＭs3は各々第２及び第３磁性層
の飽和磁気モーメント、ｔ2 及びｔ3 は各々第２及び第
３磁性層の膜厚、σW23 は第２磁性層と第３磁性層の間
の磁壁エネルギーを表す。請求項２の媒体は、更に、各
磁性層間に、室温で次の関係が成り立つことが好ましい
（請求項３）。
【００３０】
【数６】
【００３１】但し、Ｈc3は第３磁性層の保磁力、Ｍs3は
第３磁性層の飽和磁気モーメント、ｔ3 は第３磁性層の
膜厚、σW23 は、第２磁性層と第３磁性層の間の磁壁エ
ネルギーを表す。第２磁性層と第３磁性層の間に別の磁
性層を有していてもよい（請求項４）。更に、本発明
は、「請求項１に記載の媒体を回転させ、そこにレーザ
ービームを照射し、前記媒体で反射された反射光を電気
信号に変換して情報を再生する光磁気再生方法におい
て、レーザービームを照射して、前記第１磁性層の温度
を室温以上かつ前記第２磁性層のキュリー点Ｔc2以下ま
で上昇させることで、前記第１磁性層の飽和磁化Ｍs1を
減少させてその磁化が第２磁性層の副格子磁化に倣って
垂直磁化する状態を出現させ、この状態で前記媒体で反
射された反射光を電気信号に変換して情報を再生するこ
とを特徴とする光磁気再生方法」も提供する。
第３磁性層の飽和磁気モーメント、ｔ3 は第３磁性層の
膜厚、σW23 は、第２磁性層と第３磁性層の間の磁壁エ
ネルギーを表す。第２磁性層と第３磁性層の間に別の磁
性層を有していてもよい（請求項４）。更に、本発明
は、「請求項１に記載の媒体を回転させ、そこにレーザ
ービームを照射し、前記媒体で反射された反射光を電気
信号に変換して情報を再生する光磁気再生方法におい
て、レーザービームを照射して、前記第１磁性層の温度
を室温以上かつ前記第２磁性層のキュリー点Ｔc2以下ま
で上昇させることで、前記第１磁性層の飽和磁化Ｍs1を
減少させてその磁化が第２磁性層の副格子磁化に倣って
垂直磁化する状態を出現させ、この状態で前記媒体で反
射された反射光を電気信号に変換して情報を再生するこ
とを特徴とする光磁気再生方法」も提供する。
【００３２】
【作用】図１に本発明の光磁気記録媒体の磁性層部分の
垂直断面概念図を示す。この構成の媒体がどのように機
能するかを図２に沿って説明する。なお、これらの図中
で矢印はＴＭ副格子磁化の向きを表す。再生の原理の根
本をなすカー効果はＴＭ副格子磁化に依存する。
垂直断面概念図を示す。この構成の媒体がどのように機
能するかを図２に沿って説明する。なお、これらの図中
で矢印はＴＭ副格子磁化の向きを表す。再生の原理の根
本をなすカー効果はＴＭ副格子磁化に依存する。
【００３３】本発明の光磁気記録媒体は、記録直後は図
２の(1) または(2) に示す様な磁化状態である。この状
態から初期化手段を用いて第３磁性層（Ｗ層）の初期化
を行う。初期化手段は、第３磁性層の磁化を一方向に向
けるためのもので、光磁気記録媒体の外部に設けた初期
補助磁界でもよく、また光磁気記録媒体自体にＩni層
（初期化層）を設けてもよい。第３磁性層が初期化され
た状態は(2) または(3)である（状態(2) の第３磁性層
の磁化方向には変化がない）。この時、第２磁性層（Ｍ
層）の磁化は変化しないことが必要であるので、このた
めの条件は、室温で、
２の(1) または(2) に示す様な磁化状態である。この状
態から初期化手段を用いて第３磁性層（Ｗ層）の初期化
を行う。初期化手段は、第３磁性層の磁化を一方向に向
けるためのもので、光磁気記録媒体の外部に設けた初期
補助磁界でもよく、また光磁気記録媒体自体にＩni層
（初期化層）を設けてもよい。第３磁性層が初期化され
た状態は(2) または(3)である（状態(2) の第３磁性層
の磁化方向には変化がない）。この時、第２磁性層（Ｍ
層）の磁化は変化しないことが必要であるので、このた
めの条件は、室温で、
【００３４】
【数７】
【００３５】である。外部の初期補助磁界により第３磁
性層の初期化を行う場合には、初期補助磁界により第３
磁性層の磁化のみを反転させる必要があり、このための
条件は、室温で、
性層の初期化を行う場合には、初期補助磁界により第３
磁性層の磁化のみを反転させる必要があり、このための
条件は、室温で、
【００３６】
【数８】
【００３７】である。ただし、光磁気記録媒体自体のＩ
ni層による場合には本式は必要ではない。初期化された
第３磁性層が、その状態を維持するためには、
ni層による場合には本式は必要ではない。初期化された
第３磁性層が、その状態を維持するためには、
【００３８】
【数９】
【００３９】の関係式を満足すればよい。ただし、外部
磁界等の別手段で第３層の初期化状態を維持する方法は
既に提案されており（特開昭63-285740参照）、その場
合には本式は必要ではない。次に記録過程について説明
する。状態(2) または(3) の磁化状態の光磁気記録媒体
に、照射光学系により絞り込まれたレーザービームを、
予め２値化された情報に従い、高レベルと低レベルに変
調しながら照射し、オーバーライト記録を行う。
磁界等の別手段で第３層の初期化状態を維持する方法は
既に提案されており（特開昭63-285740参照）、その場
合には本式は必要ではない。次に記録過程について説明
する。状態(2) または(3) の磁化状態の光磁気記録媒体
に、照射光学系により絞り込まれたレーザービームを、
予め２値化された情報に従い、高レベルと低レベルに変
調しながら照射し、オーバーライト記録を行う。
【００４０】低レベルのレーザービームを照射すると、
これにより磁性層全体の温度が上昇し、状態(2) は第２
磁性層と第３磁性層の磁化状態はそのままに、また、状
態(3) は第２磁性層と第３磁性層の間の磁壁エネルギー
を解放するように第２磁性層の磁化が反転して、共に状
態(4) になる。このときいずれの場合においても、第１
磁性層（Ｒ層）は磁気異方性が温度上昇によって基板面
内方向から基板面垂直方向となる。そして、この状態か
ら冷却されると状態(2) となる。
これにより磁性層全体の温度が上昇し、状態(2) は第２
磁性層と第３磁性層の磁化状態はそのままに、また、状
態(3) は第２磁性層と第３磁性層の間の磁壁エネルギー
を解放するように第２磁性層の磁化が反転して、共に状
態(4) になる。このときいずれの場合においても、第１
磁性層（Ｒ層）は磁気異方性が温度上昇によって基板面
内方向から基板面垂直方向となる。そして、この状態か
ら冷却されると状態(2) となる。
【００４１】高レベルのレーザービームを照射すると、
これにより磁性層全体は低レベルのレーザービーム照射
の場合より高い温度まで上昇する。第１磁性層、第２磁
性層及び第３磁性層の間には、次の関係 Ｔc1＞Ｔc2 Ｔc2＜Ｔc3 が成り立っているので、そのため、状態(4) から第２磁
性層のキュリー点Ｔc2を超えて状態(5) を経て状態(6)
に遷移する。第３磁性層の磁化が反転するのは、記録磁
界Ｈb が第３磁性層の磁化を反転させる方向に働くため
である。このとき第１磁性層は記録磁界Ｈb に倣うが、
その磁化の向きは、ＴＭ副格子磁化の方がＲＥ副格子磁
化よりも大きい（以下、ＴＭリッチという）場合と、そ
の逆の場合（以下、ＲＥリッチという）で磁化方向は異
なる。この状態(6) から冷却されると、第２磁性層のキ
ュリー点Ｔc2以下で第２磁性層に磁化が戻って状態(7)
となり、更に冷却されて状態(1) となる。この状態から
初期化手段により第３磁性層が初期化されると状態(3)
となる。
これにより磁性層全体は低レベルのレーザービーム照射
の場合より高い温度まで上昇する。第１磁性層、第２磁
性層及び第３磁性層の間には、次の関係 Ｔc1＞Ｔc2 Ｔc2＜Ｔc3 が成り立っているので、そのため、状態(4) から第２磁
性層のキュリー点Ｔc2を超えて状態(5) を経て状態(6)
に遷移する。第３磁性層の磁化が反転するのは、記録磁
界Ｈb が第３磁性層の磁化を反転させる方向に働くため
である。このとき第１磁性層は記録磁界Ｈb に倣うが、
その磁化の向きは、ＴＭ副格子磁化の方がＲＥ副格子磁
化よりも大きい（以下、ＴＭリッチという）場合と、そ
の逆の場合（以下、ＲＥリッチという）で磁化方向は異
なる。この状態(6) から冷却されると、第２磁性層のキ
ュリー点Ｔc2以下で第２磁性層に磁化が戻って状態(7)
となり、更に冷却されて状態(1) となる。この状態から
初期化手段により第３磁性層が初期化されると状態(3)
となる。
【００４２】次に、再生過程について説明する。光磁気
記録媒体を移動させながら再生レベルのレーザービーム
を照射することによって、第１磁性層の温度を室温以上
でかつ第２磁性層のキュリー点Ｔc2以下に上昇させる。
これによって第１磁性層の飽和磁化Ｍs1は減少し、その
磁化は第２磁性層の副格子磁化に倣って基板面垂直方向
に磁化するため状態(2) からは状態(8) に、また、状態
(3) からは状態(9) となる。レーザービームの照射が解
除されれば、再び状態(8) から状態(2) に、また、状態
(9) からは状態(3) に戻る。
記録媒体を移動させながら再生レベルのレーザービーム
を照射することによって、第１磁性層の温度を室温以上
でかつ第２磁性層のキュリー点Ｔc2以下に上昇させる。
これによって第１磁性層の飽和磁化Ｍs1は減少し、その
磁化は第２磁性層の副格子磁化に倣って基板面垂直方向
に磁化するため状態(2) からは状態(8) に、また、状態
(3) からは状態(9) となる。レーザービームの照射が解
除されれば、再び状態(8) から状態(2) に、また、状態
(9) からは状態(3) に戻る。
【００４３】最小記録マークサイズは、媒体上でのレー
ザービーム径の１／３程度の高密度記録であるため、ビ
ームスポット内に最小記録マークが略３個分含まれるこ
とになる。図３において、上向きの磁化に対応する２値
化情報単位を仮に「１」とすると、この３個分のマーク
は２値化情報１０１に相当する。従来の光磁気記録媒体
の再生では、この１０１という情報を１１０及び０１１
から区別することはできなかった。その理由は、この３
者の、ビームスポットからの反射光量または偏光成分に
は殆ど違いが無いので、そのために区別がつかないこと
による。また、トラックに対して直角方向では、ビーム
スポット内には同時に両隣の２つのトラックを含めた３
トラック分の情報が入ってしまうため、中央のトラック
の情報が両隣の２つのトラックの情報と混ざることによ
り、正しく再生できなかった（即ち、クロストークによ
り信号強度が小さくなってしまう）。
ザービーム径の１／３程度の高密度記録であるため、ビ
ームスポット内に最小記録マークが略３個分含まれるこ
とになる。図３において、上向きの磁化に対応する２値
化情報単位を仮に「１」とすると、この３個分のマーク
は２値化情報１０１に相当する。従来の光磁気記録媒体
の再生では、この１０１という情報を１１０及び０１１
から区別することはできなかった。その理由は、この３
者の、ビームスポットからの反射光量または偏光成分に
は殆ど違いが無いので、そのために区別がつかないこと
による。また、トラックに対して直角方向では、ビーム
スポット内には同時に両隣の２つのトラックを含めた３
トラック分の情報が入ってしまうため、中央のトラック
の情報が両隣の２つのトラックの情報と混ざることによ
り、正しく再生できなかった（即ち、クロストークによ
り信号強度が小さくなってしまう）。
【００４４】そのため、従来の光磁気記録では、マーク
の大きさをビームスポット径に比べてはるかに小さくす
ることは不可能であった。このビームスポット径はレー
ザービームを光学系により絞ることによって得られるの
で、回折限界を超えて小さくすることは無理である。具
体的には、ビームスポット径はレーザーの波長より小さ
くすることはできず、現在の半導体レーザーでは、約１
μｍのスポット径が限度である。従って、従来の光磁気
記録は記録密度に限界があった。
の大きさをビームスポット径に比べてはるかに小さくす
ることは不可能であった。このビームスポット径はレー
ザービームを光学系により絞ることによって得られるの
で、回折限界を超えて小さくすることは無理である。具
体的には、ビームスポット径はレーザーの波長より小さ
くすることはできず、現在の半導体レーザーでは、約１
μｍのスポット径が限度である。従って、従来の光磁気
記録は記録密度に限界があった。
【００４５】しかしながら、レーザービームの強度分布
は中心ほど高いので、ビームスポット内の温度分布は中
心ほど高い。また、光磁気記録媒体は移動しているの
で、ビームスポット内の後方の部分に相当する磁性層の
温度は、熱蓄積効果により、他の部分より温度が高くな
る。従って、図３の斜線で示す領域はその周辺に比べて
温度が高い。そこで、第１磁性層のこの領域が、室温以
上かつ第２磁性層のキュリー点以下で、その飽和磁化が
減少することで、その磁化が第２磁性層の副格子磁化に
倣って基板面垂直方向に磁化するように組成を設計して
おき、再生レベルを、その照射により第１磁性層のこの
領域の温度が上記の現象が起きる温度ＴRとなるように
設定すれば、図３の斜線で示した領域のみの第１磁性層
の磁化の向きが、第２磁性層の副格子磁化方向に倣って
基板面垂直方向に磁化することになる。
は中心ほど高いので、ビームスポット内の温度分布は中
心ほど高い。また、光磁気記録媒体は移動しているの
で、ビームスポット内の後方の部分に相当する磁性層の
温度は、熱蓄積効果により、他の部分より温度が高くな
る。従って、図３の斜線で示す領域はその周辺に比べて
温度が高い。そこで、第１磁性層のこの領域が、室温以
上かつ第２磁性層のキュリー点以下で、その飽和磁化が
減少することで、その磁化が第２磁性層の副格子磁化に
倣って基板面垂直方向に磁化するように組成を設計して
おき、再生レベルを、その照射により第１磁性層のこの
領域の温度が上記の現象が起きる温度ＴRとなるように
設定すれば、図３の斜線で示した領域のみの第１磁性層
の磁化の向きが、第２磁性層の副格子磁化方向に倣って
基板面垂直方向に磁化することになる。
【００４６】それに対して、斜線部以外では温度がＴR
まで上昇しないので、第１磁性層の磁化の向きは第２磁
性層に倣って基板面垂直方向に磁化することはない。基
板面垂直方向に磁化していない部分では、直線偏光であ
るビームの偏光状態に対しては殆ど影響を与えず、基板
面垂直方向に磁化した小さな部分だけが直線偏光軸の回
転を起こすため、磁性層からの反射光を検光子を通過さ
せると、減少または増加した光量が検知される。そこ
で、光を光電変換手段で電気信号に変換すれば、基板面
垂直方向に磁化した小さな部分、即ち、再生したいマー
クの部分のみの情報だけを再生できる。以上が本発明に
よる再生の原理である。
まで上昇しないので、第１磁性層の磁化の向きは第２磁
性層に倣って基板面垂直方向に磁化することはない。基
板面垂直方向に磁化していない部分では、直線偏光であ
るビームの偏光状態に対しては殆ど影響を与えず、基板
面垂直方向に磁化した小さな部分だけが直線偏光軸の回
転を起こすため、磁性層からの反射光を検光子を通過さ
せると、減少または増加した光量が検知される。そこ
で、光を光電変換手段で電気信号に変換すれば、基板面
垂直方向に磁化した小さな部分、即ち、再生したいマー
クの部分のみの情報だけを再生できる。以上が本発明に
よる再生の原理である。
【００４７】本発明の第２磁性層と第３磁性層は共に、
ＲＥ−ＴＭ系合金で構成される。なお、第２磁性層と第
３磁性層の間に、交換結合力を制御する目的で第４磁性
層が存在してもよい。第４磁性層は、ＲＥ−ＴＭ系合金
であっても、また、ＲＥまたはＴＭのうちどちらかであ
ってもよく、その磁化容易軸は室温で基板面内方向であ
っても、基板面垂直方向であってもよい。
ＲＥ−ＴＭ系合金で構成される。なお、第２磁性層と第
３磁性層の間に、交換結合力を制御する目的で第４磁性
層が存在してもよい。第４磁性層は、ＲＥ−ＴＭ系合金
であっても、また、ＲＥまたはＴＭのうちどちらかであ
ってもよく、その磁化容易軸は室温で基板面内方向であ
っても、基板面垂直方向であってもよい。
【００４８】また、第３磁性層を初期化するための第５
磁性層が設けらていてもよい。第４磁性層は、ＲＥ−Ｔ
Ｍ系合金であっても、また、ＲＥまたはＴＭのうちどち
らかであってもよい。以下、実施例により本発明をより
具体的に説明するが、本発明はこれに限られるものでは
ない。
磁性層が設けらていてもよい。第４磁性層は、ＲＥ−Ｔ
Ｍ系合金であっても、また、ＲＥまたはＴＭのうちどち
らかであってもよい。以下、実施例により本発明をより
具体的に説明するが、本発明はこれに限られるものでは
ない。
【００４９】
【実施例１】本実施例は請求項３の光磁気記録媒体のそ
れである。先ず初めにスパッタリング装置とピッチ1.2
μｍ、深さ 700Åのトラッキング用案内溝がスパイラル
状に刻まれた直径は130mm の樹脂基板を用意した。基板
とスパッタリング用ターゲットをスパッタリング装置の
スパッタリング槽内にセットした後、スパッタリング槽
内を一旦 9.3×10-5Pa以下の真空状態にした。
れである。先ず初めにスパッタリング装置とピッチ1.2
μｍ、深さ 700Åのトラッキング用案内溝がスパイラル
状に刻まれた直径は130mm の樹脂基板を用意した。基板
とスパッタリング用ターゲットをスパッタリング装置の
スパッタリング槽内にセットした後、スパッタリング槽
内を一旦 9.3×10-5Pa以下の真空状態にした。
【００５０】次いで、スパッタリング槽内にArガスを導
入し 0.2Paにした後、更にＮ2 ガスを導入しながら第１
のターゲットSiにより、反応性スパッタリングを行い、
樹脂層の上に第１の保護層である窒化シリコン（以下、
SiN と略す）を厚さ 70nm に形成した。次に、第２のタ
ーゲットGdFeCoにより、Ar圧 0.2Paの条件で第１の保護
層の上にGd26Fe55Co19の第１磁性層を厚さ 30nm に形成
した。この第１磁性層は室温において基板面内方向に磁
化容易軸を持ち、キュリー点は 350℃以上である。
入し 0.2Paにした後、更にＮ2 ガスを導入しながら第１
のターゲットSiにより、反応性スパッタリングを行い、
樹脂層の上に第１の保護層である窒化シリコン（以下、
SiN と略す）を厚さ 70nm に形成した。次に、第２のタ
ーゲットGdFeCoにより、Ar圧 0.2Paの条件で第１の保護
層の上にGd26Fe55Co19の第１磁性層を厚さ 30nm に形成
した。この第１磁性層は室温において基板面内方向に磁
化容易軸を持ち、キュリー点は 350℃以上である。
【００５１】次に、第３のターゲットTbFeCoにより、Ar
圧 0.2Paの条件で第１磁性層の上にTb22Fe74Co4 の第２
磁性層を厚さ 25nm に形成した。この第２磁性層は室温
付近に補償点を持ち、室温で保磁力が 15 ｋＯe 以上、
キュリー点は 180℃である。次に、第４のターゲットDy
FeCoにより、Ar圧 0.2Paの条件で第２磁性層の上にDy30
Fe35Co35の第３磁性層を厚さ 60nm に形成した。この第
３磁性層はＲＥリッチで基板面垂直方向に磁化容易軸を
持ち、室温で保磁力が 1.8ｋＯe 、キュリー点は 300℃
である。
圧 0.2Paの条件で第１磁性層の上にTb22Fe74Co4 の第２
磁性層を厚さ 25nm に形成した。この第２磁性層は室温
付近に補償点を持ち、室温で保磁力が 15 ｋＯe 以上、
キュリー点は 180℃である。次に、第４のターゲットDy
FeCoにより、Ar圧 0.2Paの条件で第２磁性層の上にDy30
Fe35Co35の第３磁性層を厚さ 60nm に形成した。この第
３磁性層はＲＥリッチで基板面垂直方向に磁化容易軸を
持ち、室温で保磁力が 1.8ｋＯe 、キュリー点は 300℃
である。
【００５２】最後に、再び第１のターゲットSiにより、
第１の保護層の形成条件と同条件で第３磁性層の上に窒
化シリコンの第２の保護層を厚さ 700Åに形成した。こ
うして製作された光磁気ディスクは、 Ｔc1＞Ｔc2 Ｔc2＜Ｔc3 を満たしており、かつ、室温で、
第１の保護層の形成条件と同条件で第３磁性層の上に窒
化シリコンの第２の保護層を厚さ 700Åに形成した。こ
うして製作された光磁気ディスクは、 Ｔc1＞Ｔc2 Ｔc2＜Ｔc3 を満たしており、かつ、室温で、
【００５３】
【数１０】
【００５４】
【数１１】
【００５５】
【数１２】
【００５６】を満たす。
【００５７】
【実施例２】本実施例は請求項２の光磁気記録媒体のそ
れである。実施例１と同じスパッタリング装置と基板を
用意した。基板とスパッタリング用ターゲットをスパッ
タリング装置のスパッタリング槽内にセットした後、ス
パッタリング槽内を一旦 9.3×10-5Pa以下の真空状態に
した。
れである。実施例１と同じスパッタリング装置と基板を
用意した。基板とスパッタリング用ターゲットをスパッ
タリング装置のスパッタリング槽内にセットした後、ス
パッタリング槽内を一旦 9.3×10-5Pa以下の真空状態に
した。
【００５８】次いで、スパッタリング槽内にArガスを導
入し 0.2Paにした後、更にＮ2 ガスを導入しながら第１
のターゲットSiにより、反応性スパッタリングを行い、
樹脂層の上に第１の保護層である窒化シリコン（以下、
SiN と略す）を厚さ 70nm に形成した。次に、第２のタ
ーゲットGdFeCoにより、Ar圧 0.2Paの条件で第１の保護
層の上にGd26Fe55Co19の第１磁性層を厚さ 40nm に形成
した。この第１磁性層は室温において基板面内方向に磁
化容易軸を持ち、キュリー点は 350℃以上である。
入し 0.2Paにした後、更にＮ2 ガスを導入しながら第１
のターゲットSiにより、反応性スパッタリングを行い、
樹脂層の上に第１の保護層である窒化シリコン（以下、
SiN と略す）を厚さ 70nm に形成した。次に、第２のタ
ーゲットGdFeCoにより、Ar圧 0.2Paの条件で第１の保護
層の上にGd26Fe55Co19の第１磁性層を厚さ 40nm に形成
した。この第１磁性層は室温において基板面内方向に磁
化容易軸を持ち、キュリー点は 350℃以上である。
【００５９】次に、第３のターゲットTbFeCoにより、Ar
圧 0.2Paの条件で第１磁性層の上にTb22Fe74Co4 の第２
磁性層を厚さ 25nm に形成した。この第２磁性層は室温
付近に補償点を持ち、室温で保磁力が 15 ｋＯe 以上、
キュリー点は 180℃である。次に、第４のターゲットDy
FeCoにより、Ar圧 0.2Paの条件で第２磁性層の上にDy31
Fe35Co34の第３磁性層を厚さ 30nm に形成した。この第
３磁性層はＲＥリッチで基板面垂直方向に磁化容易軸を
持ち、室温で保磁力が 1.3ｋＯe 、キュリー点は 300℃
である。
圧 0.2Paの条件で第１磁性層の上にTb22Fe74Co4 の第２
磁性層を厚さ 25nm に形成した。この第２磁性層は室温
付近に補償点を持ち、室温で保磁力が 15 ｋＯe 以上、
キュリー点は 180℃である。次に、第４のターゲットDy
FeCoにより、Ar圧 0.2Paの条件で第２磁性層の上にDy31
Fe35Co34の第３磁性層を厚さ 30nm に形成した。この第
３磁性層はＲＥリッチで基板面垂直方向に磁化容易軸を
持ち、室温で保磁力が 1.3ｋＯe 、キュリー点は 300℃
である。
【００６０】最後に、再び第１のターゲットSiにより、
第１の保護層の形成条件と同条件で第３磁性層の上に窒
化シリコンの第２の保護層を厚さ 700Åに形成した。こ
うして製作された光磁気ディスクは、 Ｔc1＞Ｔc2 Ｔc2＜Ｔc3 を満たしており、かつ、室温で、
第１の保護層の形成条件と同条件で第３磁性層の上に窒
化シリコンの第２の保護層を厚さ 700Åに形成した。こ
うして製作された光磁気ディスクは、 Ｔc1＞Ｔc2 Ｔc2＜Ｔc3 を満たしており、かつ、室温で、
【００６１】
【数１３】
【００６２】
【数１４】
【００６３】を満たす。
【００６４】
【実施例３】本実施例は請求項１の光磁気記録媒体のそ
れである。実施例１と同じスパッタリング装置と基板を
用意した。基板とスパッタリング用ターゲットをスパッ
タリング装置のスパッタリング槽内にセットした後、ス
パッタリング槽内を一旦 9.3×10-5Pa以下の真空状態に
した。
れである。実施例１と同じスパッタリング装置と基板を
用意した。基板とスパッタリング用ターゲットをスパッ
タリング装置のスパッタリング槽内にセットした後、ス
パッタリング槽内を一旦 9.3×10-5Pa以下の真空状態に
した。
【００６５】次いで、スパッタリング槽内にArガスを導
入し 0.2Paにした後、更にＮ2 ガスを導入しながら第１
のターゲットSiにより、反応性スパッタリングを行い、
樹脂層の上に第１の保護層である窒化シリコン（以下、
SiN と略す）を厚さ 70nm に形成した。次に、第２のタ
ーゲットGdFeCoにより、Ar圧 0.2Paの条件で第１の保護
層の上にGd26Fe55Co19の第１磁性層を厚さ 30nm に形成
した。この第１磁性層は室温において基板面内方向に磁
化容易軸を持ち、キュリー点は 350℃以上である。
入し 0.2Paにした後、更にＮ2 ガスを導入しながら第１
のターゲットSiにより、反応性スパッタリングを行い、
樹脂層の上に第１の保護層である窒化シリコン（以下、
SiN と略す）を厚さ 70nm に形成した。次に、第２のタ
ーゲットGdFeCoにより、Ar圧 0.2Paの条件で第１の保護
層の上にGd26Fe55Co19の第１磁性層を厚さ 30nm に形成
した。この第１磁性層は室温において基板面内方向に磁
化容易軸を持ち、キュリー点は 350℃以上である。
【００６６】次に、第３のターゲットTbFeCoにより、Ar
圧 0.2Paの条件で第１磁性層の上にTb24Fe72Co4 の第２
磁性層を厚さ 25nm に形成した。この第２磁性層は約 7
0 ℃に補償点を持ち、室温で保磁力が 10 ｋＯe 以上、
キュリー点は 180℃である。次に、第４のターゲットDy
FeCoにより、Ar圧 0.2Paの条件で第２磁性層の上にDy30
Fe35Co35の第３磁性層を厚さ 40nm に形成した。この第
３磁性層はＲＥリッチで基板面垂直方向に磁化容易軸を
持ち、室温で保磁力が 1.8ｋＯe 、キュリー点は 300℃
である。
圧 0.2Paの条件で第１磁性層の上にTb24Fe72Co4 の第２
磁性層を厚さ 25nm に形成した。この第２磁性層は約 7
0 ℃に補償点を持ち、室温で保磁力が 10 ｋＯe 以上、
キュリー点は 180℃である。次に、第４のターゲットDy
FeCoにより、Ar圧 0.2Paの条件で第２磁性層の上にDy30
Fe35Co35の第３磁性層を厚さ 40nm に形成した。この第
３磁性層はＲＥリッチで基板面垂直方向に磁化容易軸を
持ち、室温で保磁力が 1.8ｋＯe 、キュリー点は 300℃
である。
【００６７】次に、第５のターゲットTbFeCoにより、Ar
圧 0.2Paの条件で第３磁性層の上にTb26Fe72Co2 の第４
磁性層を厚さ 20nm に形成した。この第４磁性層はＲＥ
リッチで基板面垂直方向に磁化容易軸を持ち、室温で保
磁力が 3ｋＯe 以上、キュリー点は 150℃である。次
に、第６のターゲットTbFeCoにより、Ar圧 0.2Paの条件
で第４磁性層の上にTb26Fe35Co39の第５磁性層を厚さ 6
0nm に形成した。この第５磁性層はＲＥリッチで基板面
垂直方向に磁化容易軸を持ち、室温で保磁力が 4ｋＯe
以上、キュリー点は 350℃以上である。
圧 0.2Paの条件で第３磁性層の上にTb26Fe72Co2 の第４
磁性層を厚さ 20nm に形成した。この第４磁性層はＲＥ
リッチで基板面垂直方向に磁化容易軸を持ち、室温で保
磁力が 3ｋＯe 以上、キュリー点は 150℃である。次
に、第６のターゲットTbFeCoにより、Ar圧 0.2Paの条件
で第４磁性層の上にTb26Fe35Co39の第５磁性層を厚さ 6
0nm に形成した。この第５磁性層はＲＥリッチで基板面
垂直方向に磁化容易軸を持ち、室温で保磁力が 4ｋＯe
以上、キュリー点は 350℃以上である。
【００６８】最後に、再び第１のターゲットSiにより、
第１の保護層の形成条件と同条件で第３磁性層の上に窒
化シリコンの第２の保護層を厚さ 700Åに形成した。こ
うして製作された光磁気ディスクは、 Ｔc1＞Ｔc2 Ｔc2＜Ｔc3 を満たしており、かつ、室温で、
第１の保護層の形成条件と同条件で第３磁性層の上に窒
化シリコンの第２の保護層を厚さ 700Åに形成した。こ
うして製作された光磁気ディスクは、 Ｔc1＞Ｔc2 Ｔc2＜Ｔc3 を満たしており、かつ、室温で、
【００６９】
【数１５】
【００７０】を満たす。
【００７１】
【実施例４】次に説明する記録装置と再生装置を用意し
た。 〔記録装置〕この装置は、本発明の光磁気再生方法の確
認をする際、記録を行うために用いる光変調方式のオー
バーライト記録装置である。この装置は図５に示すよう
に、主として、光磁気ディスク Dを回転させるためのモ
ーター 1、レーザービーム光源 2、ビームを光磁気ディ
スクに導く照射光学系 3、変調手段 4、２値化情報入力
部 5、初期補助磁界 6、及び照射光学系と対峙する記録
磁界 7によって構成される。初期補助磁界 6は媒体面で
「Ａ向き」↑方向に 6ｋＯe の磁界を発生する永久磁石
であり、記録磁界 7は媒体面で「Ａ向き」↑方向に 350
Ｏe の磁界を発生する永久磁石である。また、レーザー
ビーム光源は波長λ＝780nm の半導体レーザー、照射光
学系の開口数(N.A.)は 0.55 である。
た。 〔記録装置〕この装置は、本発明の光磁気再生方法の確
認をする際、記録を行うために用いる光変調方式のオー
バーライト記録装置である。この装置は図５に示すよう
に、主として、光磁気ディスク Dを回転させるためのモ
ーター 1、レーザービーム光源 2、ビームを光磁気ディ
スクに導く照射光学系 3、変調手段 4、２値化情報入力
部 5、初期補助磁界 6、及び照射光学系と対峙する記録
磁界 7によって構成される。初期補助磁界 6は媒体面で
「Ａ向き」↑方向に 6ｋＯe の磁界を発生する永久磁石
であり、記録磁界 7は媒体面で「Ａ向き」↑方向に 350
Ｏe の磁界を発生する永久磁石である。また、レーザー
ビーム光源は波長λ＝780nm の半導体レーザー、照射光
学系の開口数(N.A.)は 0.55 である。
【００７２】この記録装置は次のように機能する。光磁
気ディスク Dは、モーター 1により回転され、先ず初期
補助磁界 6を通過する。その後、変調手段 4により記録
すべき２値化情報に従ってレーザービーム光源 2を変調
することにより、変調されたビームが出射され、照射光
学系 3を通じて光磁気ディスク Dに照射されることによ
り記録が行われる。 〔再生装置〕この装置は、本発明の光磁気再生方法の確
認をするために用いる装置であり、この装置は図６に示
すように、主として、光磁気ディスク Dを回転させるた
めのモーター11、レーザービーム光源12ビームを光磁気
ディスク及びディテクターに導く照射・再生光学系ユニ
ット13、ディテクター19、復調手段20、及び２値化情報
出力部21によって構成される。レーザービーム光源は波
長λ＝780nmの半導体レーザー、照射・再生光学系の開
口数(N.A.)は 0.55 である。
気ディスク Dは、モーター 1により回転され、先ず初期
補助磁界 6を通過する。その後、変調手段 4により記録
すべき２値化情報に従ってレーザービーム光源 2を変調
することにより、変調されたビームが出射され、照射光
学系 3を通じて光磁気ディスク Dに照射されることによ
り記録が行われる。 〔再生装置〕この装置は、本発明の光磁気再生方法の確
認をするために用いる装置であり、この装置は図６に示
すように、主として、光磁気ディスク Dを回転させるた
めのモーター11、レーザービーム光源12ビームを光磁気
ディスク及びディテクターに導く照射・再生光学系ユニ
ット13、ディテクター19、復調手段20、及び２値化情報
出力部21によって構成される。レーザービーム光源は波
長λ＝780nmの半導体レーザー、照射・再生光学系の開
口数(N.A.)は 0.55 である。
【００７３】この再生装置は次のように機能する。光磁
気ディスク Dは、モーター11により回転される。レーザ
ービーム光源12から出射されたビームは、照射・再生光
学系13内のビームスプリッターを透過（又は反射）して
ディスク Dに入射する。媒体からの反射光はビームスプ
リッターで反射（又は透過）され、アナライザーを経て
ディテクター19に入射する。アナライザーの代わりに偏
光ビームスプリッターを用いてもよく、その場合には、
情報を含む光は２つに分割して出射する。ディテクター
19で電気信号に変換され、更に復調手段20により２値化
情報に復調された情報は、２値化情報出力部21から出力
されることにより再生信号が得られる。
気ディスク Dは、モーター11により回転される。レーザ
ービーム光源12から出射されたビームは、照射・再生光
学系13内のビームスプリッターを透過（又は反射）して
ディスク Dに入射する。媒体からの反射光はビームスプ
リッターで反射（又は透過）され、アナライザーを経て
ディテクター19に入射する。アナライザーの代わりに偏
光ビームスプリッターを用いてもよく、その場合には、
情報を含む光は２つに分割して出射する。ディテクター
19で電気信号に変換され、更に復調手段20により２値化
情報に復調された情報は、２値化情報出力部21から出力
されることにより再生信号が得られる。
【００７４】
【実施例５】 〔記録実験１〕実施例１で製作した光磁気ディスクを実
施例４で用意した装置にセットし、ディスクを 3600rpm
で回転させながら、約１μｍに集光させたレーザービー
ムを、第１条件として、周波数 21MHz、デューティー比
50 ％で高レベルＰH =13.0mW と低レベルＰL = 5.5mW
の間で変調しながら、ディスク上の半径30mmの位置に照
射して記録を行った。この時のマーク長さは 0.4μm で
ある。
施例４で用意した装置にセットし、ディスクを 3600rpm
で回転させながら、約１μｍに集光させたレーザービー
ムを、第１条件として、周波数 21MHz、デューティー比
50 ％で高レベルＰH =13.0mW と低レベルＰL = 5.5mW
の間で変調しながら、ディスク上の半径30mmの位置に照
射して記録を行った。この時のマーク長さは 0.4μm で
ある。
【００７５】この過程を、少し詳しく説明する。ディス
クが初期補助磁界Ｈini.内を通ったとき、第３磁性層の
磁化はこの磁界によって「Ａ向き」↑に揃えられる。こ
の際、第１磁性層は初期補助磁界Ｈini.により「Ａ向
き」↑に倣ってもよいし、倣わなくてもよい。また、第
２磁性層の磁化は保磁力が大きいため磁化状態は変化し
ない。
クが初期補助磁界Ｈini.内を通ったとき、第３磁性層の
磁化はこの磁界によって「Ａ向き」↑に揃えられる。こ
の際、第１磁性層は初期補助磁界Ｈini.により「Ａ向
き」↑に倣ってもよいし、倣わなくてもよい。また、第
２磁性層の磁化は保磁力が大きいため磁化状態は変化し
ない。
【００７６】こうして初期化されたディスクは、その後
レーザービームの照射位置に来て、変調されたレーザー
ビームを照射されることにより記録が行われる。
レーザービームの照射位置に来て、変調されたレーザー
ビームを照射されることにより記録が行われる。
【００７７】
【実施例６】 〔記録実験２〕次に、実施例４で用意した装置の初期補
助磁界Ｈini.を照射光学系に接近させて配置した後、実
施例２で製作した光磁気ディスクをセットし、ディスク
を3600 rpmで回転させながら、約１μｍに集光させたレ
ーザービームを、第２条件として、周波数 21MHz、デュ
ーティー比 50 ％で高レベルＰH =12.0mWと低レベルＰ
L = 5.0mW の間で変調しながら、ディスク上の半径30mm
の位置に照射して記録を行った。この時のマーク長さも
0.4μm である。
助磁界Ｈini.を照射光学系に接近させて配置した後、実
施例２で製作した光磁気ディスクをセットし、ディスク
を3600 rpmで回転させながら、約１μｍに集光させたレ
ーザービームを、第２条件として、周波数 21MHz、デュ
ーティー比 50 ％で高レベルＰH =12.0mWと低レベルＰ
L = 5.0mW の間で変調しながら、ディスク上の半径30mm
の位置に照射して記録を行った。この時のマーク長さも
0.4μm である。
【００７８】この過程を、少し詳しく説明する。ディス
クが初期補助磁界Ｈini.内を通ったとき、第３磁性層の
磁化はこの磁界によって「Ａ向き」↑に揃えられる。こ
の際、第１磁性層は初期補助磁界Ｈini.により「Ａ向
き」↑に倣ってもよいし、倣わなくてもよい。また、第
２磁性層の磁化は保磁力が大きいため磁化状態は変化し
ない。
クが初期補助磁界Ｈini.内を通ったとき、第３磁性層の
磁化はこの磁界によって「Ａ向き」↑に揃えられる。こ
の際、第１磁性層は初期補助磁界Ｈini.により「Ａ向
き」↑に倣ってもよいし、倣わなくてもよい。また、第
２磁性層の磁化は保磁力が大きいため磁化状態は変化し
ない。
【００７９】こうして初期化されたディスクは、その後
レーザービームの照射位置に来て、変調されたレーザー
ビームを照射されるが、上記のように初期補助磁界Ｈin
i.は照射光学系に接近して配置されているので、初期化
された磁性層は「Ａ向き」↑の磁化を、レーザービーム
を照射される位置まで保持し続ける。この状態で記録が
なされる。
レーザービームの照射位置に来て、変調されたレーザー
ビームを照射されるが、上記のように初期補助磁界Ｈin
i.は照射光学系に接近して配置されているので、初期化
された磁性層は「Ａ向き」↑の磁化を、レーザービーム
を照射される位置まで保持し続ける。この状態で記録が
なされる。
【００８０】
【実施例７】 〔記録実験３〕次に、実施例４で用意した装置の初期補
助磁界Ｈini.を元の状態（記録実験１の状態）に戻した
後、実施例３で製作した光磁気ディスクをセットし、デ
ィスクを3600 rpmで回転させながら、約１μｍに集光さ
せたレーザービームを、第３条件として、周波数 21MH
z、デューティー比 50 ％で高レベルＰH =14.5mW と低
レベルＰL = 6.4mW の間で変調しながら、ディスク上の
半径30mmの位置に照射して記録を行った。この時のマー
ク長さも 0.4μm である。
助磁界Ｈini.を元の状態（記録実験１の状態）に戻した
後、実施例３で製作した光磁気ディスクをセットし、デ
ィスクを3600 rpmで回転させながら、約１μｍに集光さ
せたレーザービームを、第３条件として、周波数 21MH
z、デューティー比 50 ％で高レベルＰH =14.5mW と低
レベルＰL = 6.4mW の間で変調しながら、ディスク上の
半径30mmの位置に照射して記録を行った。この時のマー
ク長さも 0.4μm である。
【００８１】この過程を、少し詳しく説明する。このデ
ィスクには第３磁性層を初期化するための第５磁性層を
設けてあるのでまず初期補助磁界Ｈini.によって第５磁
性層の磁化が「Ａ向き」↑に揃い、第３磁性層の磁化も
同様に「Ａ向き」↑に揃う。この時第１磁性層の磁化は
初期補助磁界Ｈini.により「Ａ向き」↑に倣ってもよい
し、倣わなくてもよい。また第２磁性層の磁化は保磁力
が大きいため磁化状態は変化しない。
ィスクには第３磁性層を初期化するための第５磁性層を
設けてあるのでまず初期補助磁界Ｈini.によって第５磁
性層の磁化が「Ａ向き」↑に揃い、第３磁性層の磁化も
同様に「Ａ向き」↑に揃う。この時第１磁性層の磁化は
初期補助磁界Ｈini.により「Ａ向き」↑に倣ってもよい
し、倣わなくてもよい。また第２磁性層の磁化は保磁力
が大きいため磁化状態は変化しない。
【００８２】こうして初期化されたディスクは、その後
レーザービームの照射位置に来て、変調されたレーザー
ビームを照射されることにより記録が行われる。
レーザービームの照射位置に来て、変調されたレーザー
ビームを照射されることにより記録が行われる。
【００８３】
【実施例８】 〔再生実験〕実施例５〜７の記録された光磁気ディスク
を実施例４で用意した再生装置にセットし、ディスクを
3600rpmで回転させながら、約１μｍに集光させたレー
ザービームを再生レベルＰR を変化させながら照射して
再生を行った。
を実施例４で用意した再生装置にセットし、ディスクを
3600rpmで回転させながら、約１μｍに集光させたレー
ザービームを再生レベルＰR を変化させながら照射して
再生を行った。
【００８４】この過程を、少し詳しく説明する。照射位
置では、第１磁性層側からビームが照射される。ディス
クの温度は急激に上昇し、ビームスポット内のうち後方
の領域では、第１磁性層の磁化が第２磁性層の副格子磁
化に倣って基板面垂直方向に磁化する温度ＴR まで上昇
し、これにより第１磁性層の磁化の向きは、第２磁性層
の副格子磁化に倣って基板面垂直方向に磁化する。
置では、第１磁性層側からビームが照射される。ディス
クの温度は急激に上昇し、ビームスポット内のうち後方
の領域では、第１磁性層の磁化が第２磁性層の副格子磁
化に倣って基板面垂直方向に磁化する温度ＴR まで上昇
し、これにより第１磁性層の磁化の向きは、第２磁性層
の副格子磁化に倣って基板面垂直方向に磁化する。
【００８５】第１磁性層から反射されたレーザービーム
を再生し、Ｃ／Ｎ値を測定した。その結果を図４に示
す。図４より、ＰR が1.0 mW以上を超えるとＣ／Ｎ値は
急激に上昇し、実施例１及び実施例２のディスクではＰ
R が3.0 mW以上、実施例３のディスクではＰR が3.6 mW
以上になるとＣ／Ｎ値は急激に下降することがわかっ
た。
を再生し、Ｃ／Ｎ値を測定した。その結果を図４に示
す。図４より、ＰR が1.0 mW以上を超えるとＣ／Ｎ値は
急激に上昇し、実施例１及び実施例２のディスクではＰ
R が3.0 mW以上、実施例３のディスクではＰR が3.6 mW
以上になるとＣ／Ｎ値は急激に下降することがわかっ
た。
【００８６】このことから以下のように推定できる。即
ち、ＰR が1.0 mW以上3.0 mW未満では、第１磁性層がビ
ームスポット内の後方の領域のみで基板面垂直方向に磁
化し１個のマークのみが再生できるが、1.0 mW以上3.0
mW未満では、第１磁性層がビームスポット内の内の後方
の領域でも基板面垂直方向に磁化しないので、記録した
信号が再生できないこと、ＰR が3.0 乃至3.6mW 以上に
なるとビームスポット内の磁性層の大部分が温度ＴR に
達してしまい、そのため、ビームスポット内の殆ど全域
で磁化反転が起きるために複数マークを一度に再生して
しまう。
ち、ＰR が1.0 mW以上3.0 mW未満では、第１磁性層がビ
ームスポット内の後方の領域のみで基板面垂直方向に磁
化し１個のマークのみが再生できるが、1.0 mW以上3.0
mW未満では、第１磁性層がビームスポット内の内の後方
の領域でも基板面垂直方向に磁化しないので、記録した
信号が再生できないこと、ＰR が3.0 乃至3.6mW 以上に
なるとビームスポット内の磁性層の大部分が温度ＴR に
達してしまい、そのため、ビームスポット内の殆ど全域
で磁化反転が起きるために複数マークを一度に再生して
しまう。
【００８７】また、ＰR が4.0mW以上では低温プロセス
が起こってしまい、第２磁性層の記録マークが消去され
てしまうことが確認できた。
が起こってしまい、第２磁性層の記録マークが消去され
てしまうことが確認できた。
【００８８】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、ビ
ームスポット径より小さなマークの再生が可能になるた
め、トラック上のマーク間距離やトラック間距離を小さ
くすることができ、高密度のオーバーライト可能な光磁
気記録媒体が提供できる。
ームスポット径より小さなマークの再生が可能になるた
め、トラック上のマーク間距離やトラック間距離を小さ
くすることができ、高密度のオーバーライト可能な光磁
気記録媒体が提供できる。
【図１】 本発明の実施例１で製造した媒体の垂直断面
図である。
図である。
【図２】 本発明の実施例１で製造した媒体を用いたオ
ーバーライト記録原理を説明する概念図である。
ーバーライト記録原理を説明する概念図である。
【図３】 本発明の再生原理を説明する概念図である。
【図４】 本発明の実施例８で測定したＣ／Ｎ値を示す
グラフである。
グラフである。
【図５】 本発明の実施例４に係る記録装置の概念図で
ある。
ある。
【図６】 本発明の実施例４に係る再生装置の概念図で
ある。
ある。
１・・・記録装置のモーター ２・・・記録装置のレーザービーム光源 ３・・・記録装置の照射光学系 ４・・・変調手段 ５・・・２値化情報入力部 ６・・・初期補助磁界 ７・・・記録磁界 １１・・・再生装置のモーター １２・・・再生装置のレーザービーム光源 １３・・・記録装置の照射・再生光学系ユニット １９・・・ディテクター ２０・・・復調手段 ２１・・・２値化情報出力部 以 上
Claims (5)
- 【請求項１】 少なくとも基板上に積層された３層以上
の磁性層からなるオーバーライト可能な光磁気記録媒体
において、 第１磁性層は室温では基板面内方向に磁化容易軸を持
ち、室温以上かつ第２磁性層のキュリー点以下では基板
面垂直方向に磁化容易軸を持ち、前記第２磁性層は室温
からそのキュリー点までは基板面垂直方向に磁化容易軸
を持ち、第３磁性層は室温からそのキュリー点までは基
板面垂直方向に磁化容易軸を持ち、かつ、次の関係が成
り立つオーバーライト可能な光磁気記録媒体。 Ｔc1＞Ｔc2 Ｔc2＜Ｔc3 かつ、室温で、 【数１】 （Ｔc1、Ｔc2及びＴc3は各々第１、第２及び第３磁性層
のキュリー点、Ｈc2は第２磁性層の保磁力、Ｍs2は第２
磁性層の飽和磁気モーメント、ｔ2 は第２磁性層の膜
厚、σW23 は第２磁性層と第３磁性層の間の磁壁エネル
ギーを表す。） - 【請求項２】 前記各磁性層間に、室温で次の関係が成
り立つことを特徴とする請求項１に記載のオーバーライ
ト可能な光磁気記録媒体。 【数２】 （Ｈc2及びＨc3は各々第２及び第３磁性層の保磁力、Ｍ
s2及びＭs3は各々第２及び第３磁性層の飽和磁気モーメ
ント、ｔ2 及びｔ3 は各々第２及び第３磁性層の膜厚、
σW23 は第２磁性層と第３磁性層の間の磁壁エネルギー
を表す。） - 【請求項３】 前記各磁性層間に、室温で次の関係が成
り立つことを特徴とする請求項２に記載のオーバーライ
ト可能な光磁気記録媒体。 【数３】 （Ｈc3は第３磁性層の保磁力、Ｍs3は第３磁性層の飽和
磁気モーメント、ｔ3 は第３磁性層の膜厚、σW23 は、
第２磁性層と第３磁性層の間の磁壁エネルギーを表
す。） - 【請求項４】 前記第２磁性層と前記第３磁性層の間に
別の磁性層を有することを特徴とする請求項１に記載の
オーバーライト可能な光磁気記録媒体。 - 【請求項５】 請求項１に記載の媒体を回転させ、そこ
にレーザービームを照射し、前記媒体で反射された反射
光を電気信号に変換して情報を再生する光磁気再生方法
において、 レーザービームを照射して、前記第１磁性層の温度を室
温以上かつ前記第２磁性層のキュリー点Ｔc2以下まで上
昇させることで、前記第１磁性層の飽和磁化Ｍs1を減少
させてその磁化が第２磁性層の副格子磁化に倣って垂直
磁化する状態を出現させ、この状態で前記媒体で反射さ
れた反射光を電気信号に変換して情報を再生することを
特徴とする光磁気再生方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5316272A JPH07169123A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | オーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
| US08/352,220 US5493545A (en) | 1993-12-16 | 1994-12-02 | Magnetooptical recording medium with overwrite capabilities and method for using the same |
| KR1019940034431A KR950020508A (ko) | 1993-12-16 | 1994-12-15 | 중복기록 기능을 가진 광자기 기록 매체 및 그 사용 방법 |
| EP94309415A EP0658890A3 (en) | 1993-12-16 | 1994-12-16 | Magneto-optical recording medium with overwriting capabilities and methods therefor. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5316272A JPH07169123A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | オーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169123A true JPH07169123A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18075259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5316272A Pending JPH07169123A (ja) | 1993-12-16 | 1993-12-16 | オーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5493545A (ja) |
| EP (1) | EP0658890A3 (ja) |
| JP (1) | JPH07169123A (ja) |
| KR (1) | KR950020508A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000006434A (ko) * | 1998-06-27 | 2000-01-25 | 요트.게.아. 롤페즈 | 이중마스크를갖는광자기저장매체 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3333613B2 (ja) * | 1993-12-07 | 2002-10-15 | 株式会社日立製作所 | 光情報記録媒体並びに光情報記録再生方法及び光情報記録再生装置 |
| JPH07230637A (ja) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Canon Inc | 光磁気記録媒体および該媒体を用いた情報記録再生方法 |
| JP3164975B2 (ja) * | 1994-08-24 | 2001-05-14 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録媒体及び該媒体を用いた情報再生方法 |
| JP3492800B2 (ja) * | 1995-02-17 | 2004-02-03 | 富士通株式会社 | 光記録装置及び再生レーザパワー設定方法 |
| JP3208275B2 (ja) * | 1995-02-21 | 2001-09-10 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP3249713B2 (ja) * | 1995-06-09 | 2002-01-21 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体およびその記録方法 |
| JP3215311B2 (ja) * | 1995-12-19 | 2001-10-02 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体および光磁気記録方法 |
| JP3545133B2 (ja) | 1996-07-23 | 2004-07-21 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体の再生方法及び光磁気記録媒体 |
| JP4350312B2 (ja) * | 2001-01-12 | 2009-10-21 | キヤノン株式会社 | 磁壁移動型光磁気記録媒体および情報再生方法 |
| US6879556B2 (en) * | 2002-02-12 | 2005-04-12 | Iomega Corporation | Method and apparatus for optical data storage |
| JP4391360B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2009-12-24 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体及びその磁気記録方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5367507A (en) * | 1985-06-11 | 1994-11-22 | Nikon Corporation | Over write capable magnetooptical recording method, and magnetooptical recording apparatus and medium used therefor |
| US5239524A (en) * | 1985-06-11 | 1993-08-24 | Nikon Corporation | Over write capable magnetooptical recording method, and magnetooptical recording apparatus and medium used therefor |
| ATE216528T1 (de) * | 1986-07-08 | 2002-05-15 | Canon Kk | Gerät und system zur aufzeichnung auf einem magnetooptischen aufzeichnungsmedium |
| JPH02223041A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-05 | Nikon Corp | 磁性層間の交換結合力が制御されたオーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
| JP2812817B2 (ja) * | 1991-07-08 | 1998-10-22 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JPH05101472A (ja) * | 1991-10-09 | 1993-04-23 | Sony Corp | 光磁気記録再生方式 |
| JPH06103622A (ja) * | 1992-09-18 | 1994-04-15 | Nikon Corp | Ｒ層を有するオーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
-
1993
- 1993-12-16 JP JP5316272A patent/JPH07169123A/ja active Pending
-
1994
- 1994-12-02 US US08/352,220 patent/US5493545A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-15 KR KR1019940034431A patent/KR950020508A/ko not_active Application Discontinuation
- 1994-12-16 EP EP94309415A patent/EP0658890A3/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000006434A (ko) * | 1998-06-27 | 2000-01-25 | 요트.게.아. 롤페즈 | 이중마스크를갖는광자기저장매체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0658890A3 (en) | 1995-09-20 |
| KR950020508A (ko) | 1995-07-24 |
| EP0658890A2 (en) | 1995-06-21 |
| US5493545A (en) | 1996-02-20 |
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