JP3355759B2

JP3355759B2 - 光磁気記録媒体及びその再生方法

Info

Publication number: JP3355759B2
Application number: JP02558694A
Authority: JP
Inventors: 敏史川野
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 1994-02-23
Filing date: 1994-02-23
Publication date: 2002-12-09
Anticipated expiration: 2017-12-09
Also published as: JPH07235088A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は光磁気記録媒体及びその
再生方法に関する。

【０００２】

【従来の技術とその課題】光磁気記録媒体は、高密度、
低コストの書換え可能な情報記録媒体として実用化され
ている。特に希土類元素と遷移金属のアモルファス合金
の記録層を用いた媒体は非常に優れた特性を示してい
る。光磁気ディスクは非常に大容量の記録媒体である
が、社会の情報量の増大に伴いさらなる大容量化が望ま
れている。

【０００３】この光ディスクの記録密度は通常の場合、
その再生光のスポット径の大きさで決定づけられる。ス
ポット径の大きさはレーザーの波長が短いほど小さくす
ることができるため、レーザーの短波長化の検討が進め
られているが、非常に困難を伴っている。一方、レーザ
ーの波長によって決定される以上の分解能を色々な工夫
によって得ようとする、いわゆる超解像技術の試みが近
年行われている。

【０００４】その一つに、光磁気ディスクを用い、多層
膜間の交換結合力を用いた超解像(Magnetically induce
d super resolution、ＭＳＲ）が報告されている。この
方式の一つの形態は、保磁力の小さな再生層、キュリー
温度の低い切断層、キュリー温度および保磁力が高い記
録層の互いに交換結合した３層からなる媒体を用いる。

【０００５】再生磁界を印加しながら再生光により加熱
したとき、媒体の高温部で、交換結合が切れる。再生層
は単独での保磁力が小さいので高温部では磁化が一様に
再生磁界の方向を向き記録ビットが消去される。この結
果、低温部のみが再生され、結果的に再生範囲が狭くな
るため、再生光を絞った場合と同じ効果が得られ、高密
度の記録ビットの再生を行うことができる。

【０００６】消去された記録ビットは、媒体温度が低く
なり交換結合が回復したときに、記録層から転写される
ことにより復活する。この方式は、信号を再生光スポッ
トの前部で検出するため、Front aperture detection、
ＦＡＤと呼ばれる。また別の形態として、高温で保磁力
が小さくなる再生層と、高い保磁力を持つ記録層を重ね
合わせて、初期化磁界により最初に再生層を初期化し、
再生光による高温部で再生層に記録層の磁区を転写す
る、Rear aperture detection、ＲＡＤと呼ばれる方式
も提案されている。

【０００７】この方式は原理的にクロストークを生じ
ず、トラックピッチを小さくすることが可能である。し
かしＦＡＤ、ＲＡＤ方式の欠点として、再生時に再生磁
界（Hr）が必要な点が挙げられる。再生磁界は、通常２
４０００Ａ／ｍ以上の磁界が必要であり、再生磁界を印
加しつつ再生することによって、記録層に記録されたビ
ットが不安定になるという欠点があった。

【０００８】また、記録に必要な磁界より大きな磁界が
再生に必要となる可能性もあり、磁気ヘッドを小型化
し、装置を簡略化しようとする際に大きな問題となる。
特に、磁界変調記録では記録磁界が１００００Ａ／ｍ以
下であることも多く、再生磁界の印加が磁気ヘッドには
大きな負担となる。また、ＦＡＤではクロストークの低
減効果が得られないため、トラックピッチを縮めること
による高密度化は期待できない。

【０００９】さらに、ＲＡＤの方式ではドライブに大き
な初期化磁石を要するという点でコストや小型化という
面に問題がある。また、ＦＡＤ、ＲＡＤ共に交換結合力
を利用するため、層間の酸化等によって特性が大きく変
化するといった生産上の問題もあった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、初期化磁界
や再生磁界が不要でかつクロストークの低減も可能であ
り、さらに交換結合力を制御する必要が全くない超解像
再生方法を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、２層膜により
互いのカー回転を打ち消すか、または増強させて超解像
を起こすもので、従来の磁区が一方向を向いたマスクを
用いた超解像とは全く異なるものである。また交換結合
ではなく、静磁結合を用いるという点でも従来の技術と
は異なる。

【００１２】本発明の要旨は、磁区の方向によって情報
が蓄えられ磁気光学効果によって情報が再生される光磁
気記録媒体において、少なくとも静磁的に結合された記
録層とマスク層の２層を有し、前記記録層は情報に応じ
た磁区が記録されており、マスク層には記録層が発生す
る磁界によって記録層の記録磁区に対応した磁化方向と
なる室温以上の温度範囲が存在し、その温度範囲内に、
マスク層が記録層の示すカー回転方向にかかわらず常に
記録層と反対のカー回転方向も持つ温度範囲１と常に記
録層と同一のカー回転方向を持つ温度範囲２を有するこ
とを特徴とする光磁気記録媒体に存する。

【００１３】具体的には、前記記録層とマスク層はいず
れも希土類金属と遷移金属の合金からなり、記録層とマ
スク層のどちらか一方が室温以上でかつ両層のキュリー
温度以下に補償温度Ｔcompを有し、前記温度範囲１と２
のいずれかがＴcompを含んで存在する光磁気記録媒体を
用いることによって達成できる。本発明の光磁気記録媒
体に記録を行う場合は、通常の光磁気記録媒体と同様
に、光変調記録、あるいは磁界変調記録を用いることが
できる。

【００１４】記録、消去時は記録層のキュリー温度以上
に媒体を加熱すればよい。マスク層には以下に述べる様
に、記録層の磁化方向が転写される。本発明では静磁結
合した記録層とマスク層を用いる。ここで言う静磁結合
とは、磁性膜間に働く力が、磁性膜が膜の外部に発生す
る磁界の作用によるものが主であり、磁性層間の交換結
合力がそれに比べて無視しうる程小さい場合を指す。

【００１５】今、このようなマスク層が室温以上、キュ
リー温度以下に補償温度Ｔcompを有しており室温におい
て記録層が遷移金属優勢、マスク層が希土類金属優勢で
ある場合を図を用いて説明する。図１、図２に示す様
に、記録層３には情報に応じた磁区が記録され、マスク
層１との間は切断層２によって交換結合が切断されてい
る。

【００１６】マスク層の磁化は、静磁結合により記録層
の磁化方向と同じ方向を向いているようにすれば、マス
ク層１のカー回転方向１０と記録層３のカー回転方向１
１は互いに打ち消し合い、入射光の偏光方向８と反射光
の偏光方向９がほとんど一致する。すなわち、この場合
再生信号がほとんど得られない状態となる。別の表現を
すれば、入射光をＳ偏波としたとき、マスク層と記録層
でカー効果により各々生じるＰ偏波の干渉により、反射
光のＳ偏波とＰ偏波の位相差がπ／２に近くなる。この
ため、反射光のカー回転角は非常に小さくなる。

【００１７】この状態を実現するためには、再生光の波
長が７８０ｎｍである場合、記録層３とマスク層１のう
ち、光の入射側にある層（第１磁性層）が３ｎｍ以上、
２０ｎｍ以下の膜厚であることが好ましい。さらに好ま
しくは５ｎｍ以上、１５ｎｍ以下である。膜厚が厚すぎ
る場合、光は下の層まで届かずカー回転角の打ち消しの
効果が無くなる。

【００１８】第１磁性層と積層された今一つの磁性層
（第２磁性層）は、光を充分反射できるような膜厚を持
つか、あるいはＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔの単体あるいは
それらを主体とした合金よりなる反射層を第２磁性層に
直接あるいはＳｉＮ、ＡｌＮ等の誘電体層を介して積層
して光を反射するようにする。反射層が無い場合、第２
磁性層の膜厚は３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下が好まし
く、反射層が有る場合は１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好
ましい。

【００１９】再生光が７８０ｎｍ以外の波長である場
合、上記の好ましい膜厚範囲は波長に比例して変化す
る。反射層の膜厚は波長によらず２０ｎｍ以上８０ｎｍ
以下が好ましい。こういった媒体において、再生光によ
り一部をＴcomp以上に加熱すれば、マスク層１の内部で
希土類金属の副格子磁化４と遷移金属の副格子磁化５の
大小関係が逆転し、その合成の磁化６の方向が反対とな
るため、静磁結合によりマスク層１の磁化方向が逆転し
て記録層の磁化方向７と向きを揃える。

【００２０】この結果、マスク層のカー回転角１０が反
転するため、この部分では逆に記録層のカー回転角１１
と強め合うこととなり、記録に応じた偏光方向９を発生
する。このようにすると、図３に示すように低温部１５
ではカー回転角を打ち消し、高温部１３ではカー回転角
を強め合うことにより、高温部１３からのみ再生信号が
得られ、このため、再生スポット１２が小さくなったの
と実質的に等しく、超解像の効果が得られる。

【００２１】このように、従来磁区を均一にそろえる事
によって生じていた「マスク領域」を、本発明において
はマスク層と記録層のカー回転が打ち消しあって信号を
発生させないようにすることにより得るものである。ま
た、従来のように交換結合を用いている場合は、各層の
カー回転角が常に一致してしまいカー回転角の打ち消し
は起こらない。

【００２２】本発明の原理は静磁結合を用いてはじめて
達成されるものである。この場合低温部では再生信号が
ほとんど発生しないため、クロストークが非常に小さく
なる。ＲＡＤのような初期化磁界さらには再生磁界も不
要であり、交換結合を用いていないため媒体作成も容易
である。原理的には、第１磁性層に記録層を設けること
も可能であるが、第１磁性層の膜厚は前記の理由で薄く
する必要があるので、充分な静磁界を得られない可能性
があり、入射側にはマスク層を設けるのが好ましい。

【００２３】ただし、充分な静磁界が得られる場合は入
射側に記録層を設けることももちろん可能な構成であ
る。室温において記録層、マスク層共に希土類金属優勢
であることも可能な構成である。この場合は低温におい
てカー回転角が強め合っているため、低温部から再生信
号が発生し、高温部からは信号が発生せず超解像再生が
可能である。

【００２４】しかしこの場合クロストーク低減の効果は
得られないので、前記のように低温においてカー回転角
が打ち消されるようにするのがより好ましい構成であ
る。このような現象を得るにはＴcompを有しているのが
マスク層である必要はなく、記録層であっても同様の効
果がある。しかし、記録層は保磁力が大きいため、補償
温度近傍でかなり広い範囲磁化が小さくなり、マスク層
の反転に充分な静磁界が得られにくい。したがって、マ
スク層の磁化がＴcompを有している方が好ましい。

【００２５】いずれの層がＴcompを有している場合で
も、両層がカー回転角を持っていなくてはならないの
で、Ｔcompはいずれの層のキュリー温度よりも小さい値
である必要がある。マスク層は室温において必ずしも完
全に垂直磁化である必要は無く、温度が上がりＴcomp近
くになったとき初めて垂直磁化となって記録層の磁化を
転写しても良い。ただし、少なくともＴcompを含んでマ
スク層の磁化が記録層の磁化方向に応じた方向に転写さ
れる温度範囲を持つ必要がある。

【００２６】マスク層と記録層のカー回転角が打ち消し
あう「温度範囲１」と強め合う「温度範囲２」はマスク
層の保磁力のため、昇温時と降温時で多少のシフトをす
る場合がある。この場合、昇温時はＴcompが温度範囲１
と２の低温側にあり、降温時はＴcompは温度範囲１と２
の高温側にある。記録層とマスク層の間には交換結合を
切断するために切断層を有していてもよい。

【００２７】切断層は、３０ｎｍ以下の透明な誘電体が
好ましい。切断層が厚すぎる場合は、磁性層間の静磁結
合が弱まり、再生時の信号レベルを低下させる。また、
交換結合を完全に切断するためには切断層は０．５ｎｍ
以上であることがさらに好ましい。例えばＳｉＮ、Ａｌ
Ｎ、ＳｉＣ、ＳｉＯ、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂０₅、Ａｌ₂Ｏ₃等
が挙げられる。不透明なもの、例えば非磁性金属でもか
まわないが、この場合は再生光が効率良く通過するため
に切断層は充分薄くなくてはならない。

【００２８】Ｔｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ等の金属では０．５
ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。また切断層を用いな
くても、第１磁性層の成膜後の表面を充分に酸化あるい
は窒化することにより交換結合の切断を行うことができ
る。酸化、あるいは窒化には酸素あるいは窒素を導入し
て放置するか、あるいは放電によって反応を促進するこ
とも可能である。

【００２９】マスク層に用いられる物質としては、Ｇｄ
ＦｅＣｏ、ＧｄＣｏ、ＧｄＦｅ、ＧｄＤｙＦｅ、ＧｄＤ
ｙＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＣ
ｏ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＣｏ、Ｔｂ
Ｃｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＣｏ
等の希土類金属と遷移金属のアモルファス合金が用いら
れる。

【００３０】中でも、Ｇｄを含有する合金を用いるのが
キュリー温度や保磁力の点から好ましい。特にＧｄＦｅ
Ｃｏを用いるのが好ましい。キュリー温度としては、２
５０℃以上であることが好ましい。マスク層の保磁力は
静磁界により反転するように小さい必要があるが、あま
り小さい場合は磁化が完全に垂直にならなかったり、内
部の反磁界による反転を生じてしまうため、室温でのマ
スク層の保磁力Ｈｃは１０（Ｏｅ）以上３００（Ｏｅ）
以下が好ましい。

【００３１】さらに好ましくは２０（Ｏｅ）以上２００
（Ｏｅ）以下である。マスク層の体積磁化率Ｍｓは６０
emu/cc以上４００emu/cc以下であることが好ましい。マ
スク層が室温以上、キュリー温度以下に補償温度を持つ
場合、補償温度は６０℃以上２００℃以下が好ましい。
さらに好ましくは８０℃以上１６０℃以下である。補償
温度は記録層のキュリー温度以下である必要がある。

【００３２】記録層に用いられる物質としては、ＴｂＦ
ｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦ
ｅＣｏ、ＴｂＣｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、
ＧｄＤｙＦｅ等の希土類金属と遷移金属のアモルファス
合金が用いられる。中でもＴｂを含んだ合金が、充分な
保磁力を確保できるという点で優れている。記録層の保
磁力は記録を保つためにある程度大きい必要がある。

【００３３】好ましい記録層の保磁力は１ｋ（Ｏｅ）以
上である。記録層はマスク層の反転を行うための静磁界
を発生するために、ある程度の磁化を有する事が好まし
いが、磁化が大きすぎると記録時に磁区の乱れを生じ、
ノイズを発生する。室温での好ましい体積磁化率Ｍｓは
８０emu/cc以上３５０emu/cc以下である。記録層のキュ
リー温度は、高すぎると記録に必要なレーザーパワーが
大きくなり、低すぎると、再生パワーに対して記録が不
安定となるので１８０℃以上３００℃以下が好ましい。
さらに好ましくは２００℃以上２６０℃以下である。

【００３４】記録層が補償温度Ｔcompを持っている場
合、６０℃以上２００℃以下が好ましく、さらに好まし
くは８０℃以上１６０℃以下である。マスク層が補償温
度を持っている場合、記録層に補償温度が存在する必要
は無い。以上の磁性層は、希土類金属と遷移金属の合金
を用いているため、非常に酸化しやすい。そこで磁性層
の両側あるいは片側に保護層を着けた態様をとることが
好ましい。

【００３５】保護層としては、酸化Ｓｉ、酸化Ａｌ、酸
化Ｔａ、酸化Ｔｉ、窒化Ｓｉ、窒化Ａｌ、炭化Ｓｉなど
の単体あるいはそれらの混合物が好ましく用いられる。
保護層の膜厚は５０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度が好ましい。
基板側の保護層を作製後、表面をプラズマエッチングす
ることで磁性層の磁気異方性を向上させることができ
る。反射層を持つ場合は、反射層が保護層を兼ねる事が
可能である。

【００３６】本発明の媒体は基板として、溝を設けたガ
ラス、紫外線硬化樹脂付きガラス、ポリカーボネート、
ＰＭＭＡ等のプラスチック基板が用いられる。基板側の
保護膜は光の干渉を起こして反射率を低下させる干渉層
としての役割もはたすので屈折率は１．８以上２．６以
下が好ましい。また、マスク層と記録層のカー回転方向
が等しいとき、全ての層を含めた系が光学的にカー楕円
率が低下するように設計されていることが好ましい。

【００３７】成膜にはスパッタリングが好ましく用いら
れるが、ＣＶＤや電子線蒸着も利用可能である。従来の
ＦＡＤ方式では磁性層が３種類必要であったが、本発明
では２種類の磁性層で済むため、スパッタリングの場
合、高価な希土類金属あるいは希土類と遷移金属の合金
ターゲットの使用を減らす事ができ、コスト的にも有利
である。

【００３８】さらに、従来の交換結合を利用するタイプ
では磁性層間のわずかな酸化によっても交換結合力が変
化し、安定に生産する上で困難があったが、本発明は交
換結合を使用していないため、そのような困難は生じな
い。本発明による媒体のさらなる特徴として、従来の超
解像媒体と比べて、磁性層の膜厚を小さくできるため、
高記録感度にできることがある。

【００３９】また、磁性層の膜厚を小さくして、さらに
反射膜を設ける事によって、従来用いられてきた反射膜
の効果と同様に、ファラデー効果による信号レベルの増
強や、反射膜の熱拡散効果による、記録パルス間熱干渉
の低減もできる。

【００４０】

【実施例】以下に実施例をもって本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の
実施例に限定されるものではない。実施例１スパッタリング装置に１．４μｍのトラックピッチの案
内溝を持ったポリカーボネートディスク基板とガラス基
板を導入し、５×１０^-5 Ｐａ以下の真空度まで排気を
行った。この後、干渉層として基板上に反応性スパッタ
リングを用い８０ｎｍの酸化Ｔａを形成した。

【００４１】次に酸化Ｔａ上に、Ｇｄ₂₇（Ｆｅ₈₀Ｃ
ｏ₂₀）₇₃（原子％以下同じ）よりなるマスク層を設け
た。次にＳｉ₃Ｎ₄よりなる３ｎｍの切断層、Ｔｂ₁₈（Ｆ
ｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₈₂よりなる６０ｎｍの記録層を設けた。最
後にＳｉ₃Ｎ₄よりなる８０ｎｍの保護層を設けた。マス
ク層の膜厚は０から２５ｎｍまで変化させた。マスク
層、記録層のキュリー温度を測定したところ、各々３０
０℃以上、２４０℃であった。

【００４２】また、マスク層は室温においては希土類金
属の磁化が優勢であり保磁力は８０（Ｏｅ）、体積磁化
率は２８０emu/ccであり、補償温度は１３０℃であっ
た。記録層は室温において遷移金属の磁化が優勢であ
り、保磁力は６ｋ（Ｏｅ）、体積磁化率は２２０emu/cc
であった。ガラス基板を用いて記録層を一方向に磁化し
た後、５０℃と１８０℃でのカー回転角を測定したとこ
ろ、各々０．０２度と０．３７度であった。

【００４３】このようにして作製したディスクを波長７
８０ｎｍ、開口数０．５５の評価機を用いてＣＮＲ（狭
帯域の信号雑音比）の評価を行った。記録条件は線速７
ｍ／ｓ、周波数７ＭＨｚ、記録パワー７ｍＷ、記録磁界
５００Ｏｅ、記録duty３０％である。再生は２．４ｍＷ
で行い、再生磁界は印可していない。

【００４４】この結果を第１表に示すように、マスク層
の膜厚が３ｎｍ以上、２０ｎｍ以下において、高いＣＮ
Ｒを得ることができた。マスク層が１０ｎｍのディスク
について、再生パワーＰｒを変化させながら測定してい
ったところ、Ｐｒが１．６ｍＷ未満ではほとんどＣＮＲ
が得られなかったが、Ｐｒが１．６ｍＷ以上でＣＮＲが
立ち上がり、２．２ｍＷで４８．０ｄＢが得られた。

【００４５】さらに、隣接トラックに２ＭＨｚで記録を
行いクロストークを測定したところ、−４３ｄＢであっ
た。

【００４６】

【表１】

【００４７】実施例２マスク層の膜厚を１０ｎｍ、記録層の膜厚を３０ｎｍと
し、切断層の厚さを０から５０ｎｍまで変化させた。そ
れ以外は実施例１と同様に作成した。実施例１と同様な
ＣＮＲの測定を行った結果を第２表に示す。この結果、
切断層が０．５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下で高いＣＮＲを
得る事ができた。

【００４８】

【表２】

【００４９】実施例３マスク層の膜厚を１０ｎｍ、記録層の膜厚を３０ｎｍと
し、記録層までを実施例１と同様に作成した後、Ｓｉ₃
Ｎ₄よりなる断熱層を２０ｎｍ、Ａｌよりなる反射層を
５０ｎｍ設けた。実施例１と同様の条件でＣＮＲの測定
を行ったところ、４８．５ｄＢが得られた。

【００５０】実施例４実施例１と同じ基板に８０ｎｍのＴａ₂Ｏ₅干渉層を設け
た後、Ｔｂ₁₈（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）の記録層を１５ｎｍ設け
た。続いて、切断層として３ｎｍのＳｉ₃Ｎ₄、マスク層
として２０ｎｍのＧｄ₂₇（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₇₃、反射層と
して３０ｎｍのＡｌ₉₇Ｔａ₃を設けた。実施例１と同様
の条件でＣＮＲの測定を行ったところ、４６ｄＢが得ら
れた。２ＭＨｚで記録した場合のクロストークは−４２
ｄＢであった。

【００５１】実施例５実施例１と同じ基板に８０ｎｍのＴａ₂Ｏ₅干渉層を設け
た後、Ｇｄ₁₈（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）のマスク層を１０ｎｍ設
けた。続いて、切断層として３ｎｍのＳｉ₃Ｎ₄、記録層
として６０ｎｍのＴｂ₂₇（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）、保護層とし
て８０ｎｍのＳｉ₃Ｎ₄を設けた。マスク層、記録層のキ
ュリー温度は各々３００℃以上、２４０℃であった。ま
た、マスク層は室温では遷移金属磁化が優勢であり、保
磁力は６０（Ｏｅ）、体積磁化率は２８０emu/ccであっ
た。記録層は室温では希土類金属の磁化が優勢であり保
磁力は６．５ｋ（Ｏｅ）、体積磁化率は２２０emu/ccで
あった。実施例１と同様の条件でＣＮＲの測定を行った
ところ、４４ｄＢが得られた。２ＭＨｚで記録した場合
のクロストークは−４０ｄＢであった。

【００５２】実施例６マスク層までを実施例３と同様に作成した後、酸素ガス
を０．５Ｐａ導入して１０秒放置した後、切断層を設け
ずに記録層以降を実施例３と同様に作成した。実施例１
と同様の条件でＣＮＲの測定を行ったところ、４７．５
ｄＢが得られた。２ＭＨｚで記録した場合のクロストー
クは−４１ｄＢであった。

【００５３】比較例１実施例１と同一の基板を用い、干渉層として８０ｎｍの
Ｔａ₂Ｏ₅を設け、続いて、再生層としてを３０ｎｍのＧ
ｄ₂₅（Ｆｅ₈₀Ｃｏ₂₀）₇₉、切断層として１０ｎｍのＴｂ
Ｆｅ、記録層として４０ｎｍのＴｂ（ＦｅＣｏ）、保護
層として、８０ｎｍのＳｉ₃Ｎ₄を設け、従来のＦＡＤ媒
体を作成した。実施例１と同条件で再生磁界を印可せず
ＣＮＲを測定したところ３５ｄＢであった。再生磁界を
消去方向に４００（Ｏｅ）印可したところ、４８ｄＢが
得られた。再生磁界を印可しながら２ＭＨｚでクロスト
ークの測定を行ったところ−２６ｄＢであった。

【００５４】比較例２同一の基板を用い、保護層としてＴａ₂Ｏ₅を９０ｎｍ、
記録層としてＴｂ₂₁（Ｆｅ₉₃Ｃｏ₇）₇₉ を２８ｎｍ、中
間層としてＳｉ₃Ｎ₄を３０ｎｍ、反射層としてＡｌを４
０ｎｍ設けたディスクを作製した。

【００５５】その後、実施例１と同条件で再生磁界を印
可せずＣＮ比を測定したところ３２ｄＢであった。さら
に実施例１と同様にしてクロストークの測定を行ったと
ころ−２７ｄＢであった。

【００５６】

【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体及びその再生方
法を用いることによって、再生磁界や、初期化磁界を必
要とせずに非常に短いビットで高いＣＮＲが得られ、さ
らにクロストークも低減されるため、簡単なドライブで
高密度記録が達成できる。さらに、交換結合を用いてい
ないため、従来の超解像媒体に比べて生産性に優れる。
また、磁性層の数が少なく膜厚が薄くできるのでコス
ト、感度の点からも優れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明光磁気記録媒体の原理の説明図例

【図２】本発明光磁気記録媒体の原理の説明図例

【図３】本発明光磁気再生方式の再生状態の説明図

【符号の説明】

１マスク層２切断層３記録層４マスク層の磁化５マスク層の希土類金属の副格子磁化６マスク層の遷移金属の副格子磁化７記録層の磁化８入射光の偏光方向９反射光の偏光方向１０マスク層によるカー回転方向１１記録層によるカー回転方向１２再生スポット１３記録ビット１４高温部（再生領域）１５低温部（マスク領域）

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】磁区の方向によって情報が蓄えられ磁気光
学効果によって情報が再生される光磁気記録媒体におい
て、少なくとも静磁的に結合された記録層とマスク層の
２層を有し、前記記録層は情報に応じた磁区が記録さ
れ、マスク層には記録層が発生する磁界によって記録層
の記録磁区に対応した磁化方向となる室温以上の温度範
囲が存在し、該記録層とマスク層は希土類金属と遷移金
属の合金からなり、室温において記録層が遷移金属優
勢、マスク層が希土類金属優勢であり、マスク層が室温
以上でかつ前記記録層とマスク層のキュリー温度以下に
補償温度Ｔｃｏｍｐを有することを特徴とする光磁気記
録媒体
【請求項２】マスク層の室温での保磁力Ｈｃが１０（Ｏ
ｅ）以上、３００（Ｏｅ）以下である請求項１に記載の
光磁気記録媒体。
【請求項３】マスク層の室温での体積磁化率Ｍｓが６０
ｅｍｕ／ｃｃ以上、４００ｅｍｕ／ｃｃ以下である請求
項１又は２に記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】マスク層の補償温度が６０℃以上、２００
℃以下である請求項１乃至３のいずれかに記載の光磁気
記録媒体。
【請求項５】記録層の室温での体積磁化率Ｍｓが８０ｅ
ｍｕ／ｃｃ以上、３５０ｅｍｕ／ｃｃ以下である請求項
１乃至４のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
【請求項６】記録層のキュリー温度が１８０℃以上、３
００℃以下である請求項１乃至５のいずれかに記載の光
磁気記録媒体。
【請求項７】記録層とマスク層との間に交換結合を切断
する切断層を有してなり、該切断層が透明誘電体又は非
磁性金属よりなる請求項１乃至６のいずれかに記載の光
磁気記録媒体。
【請求項８】切断層が誘電体であり、該切断層の膜厚が
０．５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下である請求項７に記載の
光磁気記録媒体。
【請求項９】切断層が非磁性金属であり、該切断層の膜
厚が０．５ｎｍ以上、５ｎｍ以下である請求項７に記載
の光磁気記録媒体。
【請求項１０】記録層とマスク層のうち、光の入射側に
ある層の膜厚が３ｎｍ以上、２０ｎｍ以下である請求項
１乃至９のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
【請求項１１】記録層とマスク層のうち、光の入射側に
ない層に直接又は誘電体層を介して反射層が設けられて
なり、記録層とマスク層のうち、光の入射側にない層の
膜厚が１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下である請求項１乃至
１０のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
【請求項１２】請求項１に記載の光磁気記録媒体を用い
て情報の再生を行う場合において、再生光の加熱により
再生スポット内にマスク層の補償温度より低い温度範囲
と高い温度範囲が両方存在するようになしたことを特徴
とする光磁気記録媒体の再生方法。
【請求項１３】磁区の方向によって情報が蓄えられた磁
気光学効果によって情報が再生される光磁気記録媒体に
おいて、少なくとも静磁的に結合された記録層とマスク
層の２層を有し、前記記録層は情報に応じた磁区が記録
され、マスク層には記録層が発生する磁界によって記録
層の記録磁区に対応した磁化方向となる室温以上の温度
範囲が存在し、その記温度範囲内に、マスク層が記録層
の示すカー回転方向にかかわらず常に記録層と反対のカ
ー回転方向を持つ温度範囲１と常に記録層と同一のカー
回転方向を持つ温度範囲２を有し、前記記録層とマスク
層はいずれも希土類金属と遷移金属の合金からなり、記
録層とマスク層のどちらか一方が室温以上でかつ両層の
キュリー温度以下に補償温度Ｔｃｏｍｐを有することを
特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項１４】マスク層が室温以上、キュリー温度以下
に補償温度Ｔｃｏｍｐを有しており室温において記録層
が遷移金属優勢、マスク層が希土類金属優勢であり、前
記温度範囲１が前記温度範囲２に比べ低温側にある請求
項１３に記載の光磁気記録媒体。
【請求項１５】前記記録層とマスク層はいずれも希土類
金属と遷移金属の合金からなり、記録層とマスク層のど
ちらか一方が室温以上でかつ両層のキュリー温度以下に
補償温度Ｔｃｏｍｐを有し、前記温度範囲１と２のいず
れかがＴｃｏｍｐを含んでいる請求項１３又は１４に記
載の光磁気記録媒体。
【請求項１６】記録層とマスク層のうち、再生光の照射
側にある層は３ｎｍ以上２０ｎｍ以下の膜厚である請求
項１３乃至１５のいずれかに記載の光磁気記録媒体。
【請求項１７】記録層とマスク層の間に０．５ｎｍ以
上、３０ｎｍ以下の透明な誘電体層が存在する請求項１
３乃至１６のいずれかに記載の光磁気記録媒体。