JP3092363B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
- Publication number
- JP3092363B2 JP3092363B2 JP04321613A JP32161392A JP3092363B2 JP 3092363 B2 JP3092363 B2 JP 3092363B2 JP 04321613 A JP04321613 A JP 04321613A JP 32161392 A JP32161392 A JP 32161392A JP 3092363 B2 JP3092363 B2 JP 3092363B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic film
- recording
- magnetic
- reproducing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 294
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 76
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 42
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 42
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 42
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 claims description 36
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 303
- 102100027368 Histone H1.3 Human genes 0.000 description 31
- 101001009450 Homo sapiens Histone H1.3 Proteins 0.000 description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 230000008859 change Effects 0.000 description 10
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 102100039855 Histone H1.2 Human genes 0.000 description 6
- 101001035375 Homo sapiens Histone H1.2 Proteins 0.000 description 6
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 229910016629 MnBi Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 101150087557 omcB gene Proteins 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10591—Details for improving write-in properties, e.g. Curie-point temperature
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10523—Initialising
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/11—Magnetic recording head
- Y10T428/1107—Magnetoresistive
- Y10T428/1143—Magnetoresistive with defined structural feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12639—Adjacent, identical composition, components
- Y10T428/12646—Group VIII or IB metal-base
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12771—Transition metal-base component
- Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
- Y10T428/12931—Co-, Fe-, or Ni-base components, alternative to each other
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光による温度上昇
を利用して記録消去を行い、磁気光学効果を利用して再
生を行う光磁気記録媒体及びその作製方法に関するもの
である。
を利用して記録消去を行い、磁気光学効果を利用して再
生を行う光磁気記録媒体及びその作製方法に関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】光磁気記録媒体への記録は、レーザ光照
射により記録膜の温度を局部的にキュリー温度以上に加
熱し、照射部の記録膜を外部磁界の向きに磁化させ、記
録磁区を形成することによって行う(熱磁気記録)。そ
の記録信号の再生は、記録消去時のレーザパワーより低
いパワーのレーザ光照射し、記録膜の記録状態(記録磁
区の磁化の向き)に応じて反射光あるいは透過光の偏光
面が回転する(磁気光学効果)状況を検出することによ
って行う。また、従来の記録方式には、一定強度のレー
ザ光を照射して記録膜の温度を上昇させ、記録信号に応
じて向きの変調された外部磁界で熱磁気記録する方式
(磁界変調記録方式)および一定強度の外部磁界のもと
で記録信号に応じて強度の変調されたレーザ光を照射し
て記録膜の温度を局部的に上昇させて熱磁気記録する方
式(光変調記録方式)がある。
射により記録膜の温度を局部的にキュリー温度以上に加
熱し、照射部の記録膜を外部磁界の向きに磁化させ、記
録磁区を形成することによって行う(熱磁気記録)。そ
の記録信号の再生は、記録消去時のレーザパワーより低
いパワーのレーザ光照射し、記録膜の記録状態(記録磁
区の磁化の向き)に応じて反射光あるいは透過光の偏光
面が回転する(磁気光学効果)状況を検出することによ
って行う。また、従来の記録方式には、一定強度のレー
ザ光を照射して記録膜の温度を上昇させ、記録信号に応
じて向きの変調された外部磁界で熱磁気記録する方式
(磁界変調記録方式)および一定強度の外部磁界のもと
で記録信号に応じて強度の変調されたレーザ光を照射し
て記録膜の温度を局部的に上昇させて熱磁気記録する方
式(光変調記録方式)がある。
【0003】さらに、光変調方式でオーバーライト動作
を行う方法として従来提案されているものを以下に説明
する。図8において、互いに交換結合している高保磁力
Hc1,低キュリー温度Tc1の垂直磁化膜である再生磁性
膜81と低保磁力Hc2,高キュリー温度Tc2の垂直磁化
膜である補助磁性膜82とから記録層が構成され、互い
に逆向きの磁界を発生する初期化磁界83及び記録用磁
界84、記録信号に応じて強度変調されたレーザ光85
を用いて熱磁気記録される(例えば第34回応用物理学
関係連合講演会予稿集28p−2L−3,1987)。
を行う方法として従来提案されているものを以下に説明
する。図8において、互いに交換結合している高保磁力
Hc1,低キュリー温度Tc1の垂直磁化膜である再生磁性
膜81と低保磁力Hc2,高キュリー温度Tc2の垂直磁化
膜である補助磁性膜82とから記録層が構成され、互い
に逆向きの磁界を発生する初期化磁界83及び記録用磁
界84、記録信号に応じて強度変調されたレーザ光85
を用いて熱磁気記録される(例えば第34回応用物理学
関係連合講演会予稿集28p−2L−3,1987)。
【0004】再生磁性膜は、情報が記録され、かつ再生
が行われるためのもので、補助磁性膜は、再生磁性膜へ
の記録を制御するためのものであって、交換結合力H1-
2で磁気結合している。室温においてHc2>H1-2、かつ
Hc2+H1-2<Hi<Hc1であって、補助磁性膜82の磁
化は初期化磁界83(Hi)の向きに揃えられている。
記録時、レーザ光照射領域の記録層の到達温度が再生磁
性膜のキュリー温度Tc1付近となる低レベルの時、Tc1
付近での補助磁性膜における磁化の向きを交換結合力に
よって再生磁性膜に転写する動作を行い、一方、レーザ
光照射領域の記録層の到達温度が補助磁性膜のキュリー
温度Tc2付近となる高レベルの時、補助磁性膜82の磁
化を記録用磁界84の向きに記録後に冷却過程において
補助磁性膜における記録磁化の向きを交換結合力によっ
て再生磁性膜に転写する動作を行うことによって、オー
バーライトを実現できるものである。
が行われるためのもので、補助磁性膜は、再生磁性膜へ
の記録を制御するためのものであって、交換結合力H1-
2で磁気結合している。室温においてHc2>H1-2、かつ
Hc2+H1-2<Hi<Hc1であって、補助磁性膜82の磁
化は初期化磁界83(Hi)の向きに揃えられている。
記録時、レーザ光照射領域の記録層の到達温度が再生磁
性膜のキュリー温度Tc1付近となる低レベルの時、Tc1
付近での補助磁性膜における磁化の向きを交換結合力に
よって再生磁性膜に転写する動作を行い、一方、レーザ
光照射領域の記録層の到達温度が補助磁性膜のキュリー
温度Tc2付近となる高レベルの時、補助磁性膜82の磁
化を記録用磁界84の向きに記録後に冷却過程において
補助磁性膜における記録磁化の向きを交換結合力によっ
て再生磁性膜に転写する動作を行うことによって、オー
バーライトを実現できるものである。
【0005】また、記録磁区が再生光スポット径以下に
小さくなると、再生しようとする記録磁区の前後の記録
磁区も再生光の検出範囲に含まれ、それらからの干渉に
より再生信号が小さくなるためにS/Nが低下するとい
う課題解決のために、従来提案されている図7に示すよ
うな構成の光磁気記録媒体について説明する。図7にお
いて、71は初期化磁界Hi、72は記録用磁界Hr、7
3は再生光、74は再生光スポット、75は記録磁区、
76は温度Td以上の領域、77は低保磁力Hc1の垂直
磁化膜からなる再生磁性膜、78は高保磁力Hc2の垂直
磁化膜からなる記録磁性膜であって、再生磁性膜77及
び記録磁性膜78は交換結合していて2層で記録層を構
成している。
小さくなると、再生しようとする記録磁区の前後の記録
磁区も再生光の検出範囲に含まれ、それらからの干渉に
より再生信号が小さくなるためにS/Nが低下するとい
う課題解決のために、従来提案されている図7に示すよ
うな構成の光磁気記録媒体について説明する。図7にお
いて、71は初期化磁界Hi、72は記録用磁界Hr、7
3は再生光、74は再生光スポット、75は記録磁区、
76は温度Td以上の領域、77は低保磁力Hc1の垂直
磁化膜からなる再生磁性膜、78は高保磁力Hc2の垂直
磁化膜からなる記録磁性膜であって、再生磁性膜77及
び記録磁性膜78は交換結合していて2層で記録層を構
成している。
【0006】ここで、室温において再生磁性膜77の保
磁力は前記交換結合力H1-2より大きく設定され、かつ
Hc1+H1-2<Hi<Hc2となるように設定されている。
情報は記録磁性膜78に記録磁区75として記録用磁界
72の下で熱磁気記録されているが、室温においてHc1
>H1-2、かつHc1+H1-2<Hi<Hc2であるので、再
生磁性膜77の磁化は初期化磁界71の向きに揃えられ
ていて、記録磁区75は再生磁性膜77には存在しな
い。
磁力は前記交換結合力H1-2より大きく設定され、かつ
Hc1+H1-2<Hi<Hc2となるように設定されている。
情報は記録磁性膜78に記録磁区75として記録用磁界
72の下で熱磁気記録されているが、室温においてHc1
>H1-2、かつHc1+H1-2<Hi<Hc2であるので、再
生磁性膜77の磁化は初期化磁界71の向きに揃えられ
ていて、記録磁区75は再生磁性膜77には存在しな
い。
【0007】再生時に、再生光照射によって再生磁性膜
77の一部分76の温度がある一定温度Td以上に上昇
して、保磁力Hc1が交換結合力より小さくなれば、その
部分に対応する再生磁性膜77の磁化は記録磁性膜78
の磁化の向きに揃えられるので、記録磁性膜78の記録
磁区75は再生磁性膜76に転写される。従って、再生
光スポットのうちで温度Td以上の部分からのみ記憶情
報を再生信号として読み出すことができる。これで再生
光スポットの大きさよりも小さな記録磁区を前の記録磁
区からの波形干渉なしで再生できることになる。
77の一部分76の温度がある一定温度Td以上に上昇
して、保磁力Hc1が交換結合力より小さくなれば、その
部分に対応する再生磁性膜77の磁化は記録磁性膜78
の磁化の向きに揃えられるので、記録磁性膜78の記録
磁区75は再生磁性膜76に転写される。従って、再生
光スポットのうちで温度Td以上の部分からのみ記憶情
報を再生信号として読み出すことができる。これで再生
光スポットの大きさよりも小さな記録磁区を前の記録磁
区からの波形干渉なしで再生できることになる。
【0008】以上の従来提案されている2つの方法で共
通している構成は、室温で一方の磁性膜の磁化の向きを
1方向に揃え(初期化動作)、温度上昇時に交換結合力
によって一方の磁性膜の磁化の向きを他方の磁性膜の磁
化に転写する(転写動作)という構成である。
通している構成は、室温で一方の磁性膜の磁化の向きを
1方向に揃え(初期化動作)、温度上昇時に交換結合力
によって一方の磁性膜の磁化の向きを他方の磁性膜の磁
化に転写する(転写動作)という構成である。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法では、初期化動作のための初期化磁界に3KOe以
上の強磁界を必要とするため装置の大型化を招くという
欠点があり、また、初期化動作及び転写動作が良好に行
える各磁性膜の保磁力及び磁壁エネルギーの温度依存性
の選択,組合せ、即ち各磁性膜の組成の選択,組合せを
実現することが難しいという課題を有していた。
方法では、初期化動作のための初期化磁界に3KOe以
上の強磁界を必要とするため装置の大型化を招くという
欠点があり、また、初期化動作及び転写動作が良好に行
える各磁性膜の保磁力及び磁壁エネルギーの温度依存性
の選択,組合せ、即ち各磁性膜の組成の選択,組合せを
実現することが難しいという課題を有していた。
【0010】本発明は上記課題に鑑み、初期化動作のた
めの初期化磁界を低減あるいは不要とし、かつ初期化動
作及び転写動作を良好に行うための各磁性膜の組成の選
択の自由度が大きい高性能の光磁気記録媒体を提供する
ものである。
めの初期化磁界を低減あるいは不要とし、かつ初期化動
作及び転写動作を良好に行うための各磁性膜の組成の選
択の自由度が大きい高性能の光磁気記録媒体を提供する
ものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の光磁気記録媒体は、基板上に、再生磁性
膜、制御磁性膜及び記録磁性膜とを備え、前記記録磁性
膜には記録信号が磁区として記録され、前記制御磁性膜
は前記記録磁性膜と前記再生磁性膜との間の交換結合力
を制御し、前記記録信号の再生時には光の照射による温
度上昇によって前記制御磁性膜による前記交換結合力を
高めることにより、前記記録磁性膜から前記再生磁性膜
に磁化の向きを転写して信号を再生する方式の光磁気記
録媒体であって、前記制御磁性膜は室温では面内磁化膜
であり、かつ補償温度が前記転写の起こる温度付近に設
定されているフェリ磁性膜であるという構成を備えてい
る。
に、本発明の光磁気記録媒体は、基板上に、再生磁性
膜、制御磁性膜及び記録磁性膜とを備え、前記記録磁性
膜には記録信号が磁区として記録され、前記制御磁性膜
は前記記録磁性膜と前記再生磁性膜との間の交換結合力
を制御し、前記記録信号の再生時には光の照射による温
度上昇によって前記制御磁性膜による前記交換結合力を
高めることにより、前記記録磁性膜から前記再生磁性膜
に磁化の向きを転写して信号を再生する方式の光磁気記
録媒体であって、前記制御磁性膜は室温では面内磁化膜
であり、かつ補償温度が前記転写の起こる温度付近に設
定されているフェリ磁性膜であるという構成を備えてい
る。
【0012】前記制御磁性膜は、GdFe膜、GdCo
膜、GdFeCo膜の何れかであることが好ましい。
膜、GdFeCo膜の何れかであることが好ましい。
【0013】
【作用】図6を用いて本発明の光磁気記録媒体の作用に
ついて説明する。図6は本発明の光磁気記録媒体の模式
図であるが、これは図7に示す従来の光磁気記録媒体に
おいて、再生磁性膜と記録磁性膜の間に、それらの磁性
膜間の交換結合力を制御するために、室温では面内磁化
膜でかつ補償温度が前記転写の起こる温度Td付近に設
定されているフェリ磁性膜を設けた構成となっている。
図6において、61は初期化磁界Hi、62は記録用磁
界、63は再生光、64は再生光スポット、65は記録
磁区、66は温度Td以上の領域、67は低保磁力Hc1
を有する垂直磁化膜からなる再生磁性膜、68は室温で
は面内磁化膜でかつ温度Td付近に補償温度を有するフ
ェリ磁性である制御磁性膜、69は高保磁力Hc3を有す
る垂直磁化膜である記録磁性膜である。
ついて説明する。図6は本発明の光磁気記録媒体の模式
図であるが、これは図7に示す従来の光磁気記録媒体に
おいて、再生磁性膜と記録磁性膜の間に、それらの磁性
膜間の交換結合力を制御するために、室温では面内磁化
膜でかつ補償温度が前記転写の起こる温度Td付近に設
定されているフェリ磁性膜を設けた構成となっている。
図6において、61は初期化磁界Hi、62は記録用磁
界、63は再生光、64は再生光スポット、65は記録
磁区、66は温度Td以上の領域、67は低保磁力Hc1
を有する垂直磁化膜からなる再生磁性膜、68は室温で
は面内磁化膜でかつ温度Td付近に補償温度を有するフ
ェリ磁性である制御磁性膜、69は高保磁力Hc3を有す
る垂直磁化膜である記録磁性膜である。
【0014】ここで、制御磁性膜は室温では面内磁化膜
であり、垂直磁化膜である再生磁性膜及び記録磁性膜と
磁化容易軸方向が異なるので、室温における再生磁性膜
への記録磁性膜からの交換結合力H1-3を弱める作用を
する。また、飽和磁化Msの磁性薄膜においては反磁界
4πMsが面内磁気異方性の原因となるので、飽和磁化
Msが零に近づけば、面内磁気異方性も零に近づく。一
方、交換結合は各磁性膜中の磁化が互いに平行あるいは
反平行に配列し易い性質に基づいて発生するものである
から、磁化が零の時は交換結合力は働かない。
であり、垂直磁化膜である再生磁性膜及び記録磁性膜と
磁化容易軸方向が異なるので、室温における再生磁性膜
への記録磁性膜からの交換結合力H1-3を弱める作用を
する。また、飽和磁化Msの磁性薄膜においては反磁界
4πMsが面内磁気異方性の原因となるので、飽和磁化
Msが零に近づけば、面内磁気異方性も零に近づく。一
方、交換結合は各磁性膜中の磁化が互いに平行あるいは
反平行に配列し易い性質に基づいて発生するものである
から、磁化が零の時は交換結合力は働かない。
【0015】しかし、フェリ磁性膜は補償温度において
飽和磁化が零であっても副格子磁化が零でないので、交
換結合力を伝達できる。従って、記録層の温度が制御磁
性膜の補償温度付近になった時、制御磁性膜が面内磁化
膜として交換結合力H1-3を弱める作用は飽和磁化Ms2
が零に近づくことによって反磁界の減少とともに微弱化
する一方、副格子磁化は依然存在するので交換結合力1-
3を媒介する作用は依然として大きい。つまり、制御磁
性膜は大きな飽和磁化を有する室温において交換結合力
H1-3を抑制し、飽和磁化が殆ど零になる補償温度即ち
前記転写の起こる温度Td付近において交換結合力H1-3
を助力する作用を果たす。
飽和磁化が零であっても副格子磁化が零でないので、交
換結合力を伝達できる。従って、記録層の温度が制御磁
性膜の補償温度付近になった時、制御磁性膜が面内磁化
膜として交換結合力H1-3を弱める作用は飽和磁化Ms2
が零に近づくことによって反磁界の減少とともに微弱化
する一方、副格子磁化は依然存在するので交換結合力1-
3を媒介する作用は依然として大きい。つまり、制御磁
性膜は大きな飽和磁化を有する室温において交換結合力
H1-3を抑制し、飽和磁化が殆ど零になる補償温度即ち
前記転写の起こる温度Td付近において交換結合力H1-3
を助力する作用を果たす。
【0016】情報は記録磁性膜69に記録磁区65とし
て記録用磁界62の下で熱磁気記録されている。室温に
おいて、制御磁性膜の交換結合抑制作用により交換結合
力H1-3が弱められているため、初期化磁界を3kOe以
下に低減してもHc1>H1-3、かつHc1+H1-3<Hi<
Hc3の関係を容易に設定できる。従って、再生磁性膜6
7の磁化は初期化磁界61の向きに揃えられていて、記
録磁区65は再生磁性膜67には存在しない。再生時
に、再生光照射によって再生磁性膜67の一部分66の
温度がある一定温度Td以上に上昇した場合、制御磁性
膜の補償温度付近となり、その交換結合抑制作用が小さ
くなって交換結合力H1-3が大きくなるため、Hc1<H1
-3,H3-1<Hc3の関係が容易に成立できる。従って、
再生磁性膜67の一部分66の磁化は記録磁性膜69の
磁化の向きに揃えられるので、記録磁性膜69の記録磁
区65は再生磁性膜67に転写される。
て記録用磁界62の下で熱磁気記録されている。室温に
おいて、制御磁性膜の交換結合抑制作用により交換結合
力H1-3が弱められているため、初期化磁界を3kOe以
下に低減してもHc1>H1-3、かつHc1+H1-3<Hi<
Hc3の関係を容易に設定できる。従って、再生磁性膜6
7の磁化は初期化磁界61の向きに揃えられていて、記
録磁区65は再生磁性膜67には存在しない。再生時
に、再生光照射によって再生磁性膜67の一部分66の
温度がある一定温度Td以上に上昇した場合、制御磁性
膜の補償温度付近となり、その交換結合抑制作用が小さ
くなって交換結合力H1-3が大きくなるため、Hc1<H1
-3,H3-1<Hc3の関係が容易に成立できる。従って、
再生磁性膜67の一部分66の磁化は記録磁性膜69の
磁化の向きに揃えられるので、記録磁性膜69の記録磁
区65は再生磁性膜67に転写される。
【0017】すなわち、初期化動作のための初期化磁界
が低減され、かつ初期化動作及び転写動作を良好に行う
ための各磁性膜の組成の選択の自由度が大きい高性能の
光磁気記録媒体が実現できることになる。
が低減され、かつ初期化動作及び転写動作を良好に行う
ための各磁性膜の組成の選択の自由度が大きい高性能の
光磁気記録媒体が実現できることになる。
【0018】本発明による上記作用効果は、室温で初期
化動作を行い、温度上昇時に交換結合力によって転写動
作を行うという共通の構成を有する前述の光変調方式オ
ーバーライト用光磁気記録媒体においても、記録磁性膜
を補助磁性膜と置き換えることによって発揮される。
化動作を行い、温度上昇時に交換結合力によって転写動
作を行うという共通の構成を有する前述の光変調方式オ
ーバーライト用光磁気記録媒体においても、記録磁性膜
を補助磁性膜と置き換えることによって発揮される。
【0019】また、図6において、再生磁性膜67とし
て室温では面内磁化膜でかつ補償温度Tcomp1付近にお
いて垂直磁化膜となる磁性膜を用い、制御磁性膜68を
省略した構成を考えると、室温で面内磁化膜である再生
磁性膜67の膜厚方向の磁化状態は、交換結合力H1-3
によって記録磁性膜69に近い側ほど垂直成分を有する
が、この時再生磁性膜67の室温における面内磁気異方
性が充分大きければ、再生光入射側の磁化はほとんどH
1-3の影響を受けずに面内磁化の状態のままである。一
方、カー効果は磁性膜表面付近の磁化によって発生する
ものである。従って、再生光からみれば室温付近におい
て、再生磁性膜67の表面磁化はほとんど面内方向を向
いており、極カー回転角はほとんど零であるため、記録
磁区65を再生磁性膜67には検出できない。再生時
に、再生光照射によって再生磁性膜67の一部分66の
温度がTcomp1付近に上昇した場合、再生磁性膜67は
保磁力Hc1(100Oe前後)の垂直磁化膜になる。この
時、再生磁性膜67の一部分66の膜厚方向の磁化は全
て垂直となり、Hc1<H1-3,H3-1<Hc3の関係が容易
に成立できる。従って、再生磁性膜67の一部分66の
磁化は記録磁性膜69の磁化の向きに揃えられるので、
記録磁性膜69の記録磁区65は再生磁性膜67に転写
される。この時は初期化磁界が不要となる。
て室温では面内磁化膜でかつ補償温度Tcomp1付近にお
いて垂直磁化膜となる磁性膜を用い、制御磁性膜68を
省略した構成を考えると、室温で面内磁化膜である再生
磁性膜67の膜厚方向の磁化状態は、交換結合力H1-3
によって記録磁性膜69に近い側ほど垂直成分を有する
が、この時再生磁性膜67の室温における面内磁気異方
性が充分大きければ、再生光入射側の磁化はほとんどH
1-3の影響を受けずに面内磁化の状態のままである。一
方、カー効果は磁性膜表面付近の磁化によって発生する
ものである。従って、再生光からみれば室温付近におい
て、再生磁性膜67の表面磁化はほとんど面内方向を向
いており、極カー回転角はほとんど零であるため、記録
磁区65を再生磁性膜67には検出できない。再生時
に、再生光照射によって再生磁性膜67の一部分66の
温度がTcomp1付近に上昇した場合、再生磁性膜67は
保磁力Hc1(100Oe前後)の垂直磁化膜になる。この
時、再生磁性膜67の一部分66の膜厚方向の磁化は全
て垂直となり、Hc1<H1-3,H3-1<Hc3の関係が容易
に成立できる。従って、再生磁性膜67の一部分66の
磁化は記録磁性膜69の磁化の向きに揃えられるので、
記録磁性膜69の記録磁区65は再生磁性膜67に転写
される。この時は初期化磁界が不要となる。
【0020】すなわち、初期化動作のための初期化磁界
が不要となり、かつ初期化動作及び転写動作を良好に行
うための各磁性膜の組成の選択の自由度が大きい高性能
の光磁気記録媒体が実現できることになる。
が不要となり、かつ初期化動作及び転写動作を良好に行
うための各磁性膜の組成の選択の自由度が大きい高性能
の光磁気記録媒体が実現できることになる。
【0021】
【実施例】以下、本発明の第1の実施例の光磁気記録媒
体について、図面を参照しながら説明する。図1は、本
実施例における光磁気記録媒体の構成を示すものであ
る。図1において、10は初期化磁界Hi、11は記録
用磁界、12は再生光、13はポリカーボネイトからな
る基板、14及び18はSiN膜からなる保護層、15
はキュリー温度Tc1,保磁力Hc1の垂直磁化膜であるG
dTbFeCo膜からなる再生磁性膜、16はキュリー
温度Tc2,室温では面内磁化膜でかつ150℃付近に補
償温度Tcomp2を有するフェリ磁性であるGdFeCo
膜からなる制御磁性膜、17はキュリー温度Tc3,保磁
力Hc3の垂直磁化膜であるTbFeCo膜からなる記録
磁性膜、19は記録磁区であり、再生磁性膜15と記録
磁性膜17は制御磁性膜16を介して交換結合してお
り、これらの磁性膜から記録層20が構成されている。
ここで基板13上の各膜はスパッタリング法または真空
蒸着法により形成し、各膜厚は保護層14及び18を8
0nm、再生磁性膜15を40nm、制御磁性膜16を
5〜15nm、記録磁性膜17を50nmと設定した。
また、キュリー温度はTc1を300℃程度、Tc2を30
0℃以上、Tc3を230℃程度、保磁力は室温において
Hc1を1.5〜2kOe、Hc3を10kOe〜20kOeに設
定した。
体について、図面を参照しながら説明する。図1は、本
実施例における光磁気記録媒体の構成を示すものであ
る。図1において、10は初期化磁界Hi、11は記録
用磁界、12は再生光、13はポリカーボネイトからな
る基板、14及び18はSiN膜からなる保護層、15
はキュリー温度Tc1,保磁力Hc1の垂直磁化膜であるG
dTbFeCo膜からなる再生磁性膜、16はキュリー
温度Tc2,室温では面内磁化膜でかつ150℃付近に補
償温度Tcomp2を有するフェリ磁性であるGdFeCo
膜からなる制御磁性膜、17はキュリー温度Tc3,保磁
力Hc3の垂直磁化膜であるTbFeCo膜からなる記録
磁性膜、19は記録磁区であり、再生磁性膜15と記録
磁性膜17は制御磁性膜16を介して交換結合してお
り、これらの磁性膜から記録層20が構成されている。
ここで基板13上の各膜はスパッタリング法または真空
蒸着法により形成し、各膜厚は保護層14及び18を8
0nm、再生磁性膜15を40nm、制御磁性膜16を
5〜15nm、記録磁性膜17を50nmと設定した。
また、キュリー温度はTc1を300℃程度、Tc2を30
0℃以上、Tc3を230℃程度、保磁力は室温において
Hc1を1.5〜2kOe、Hc3を10kOe〜20kOeに設
定した。
【0022】なお、補償温度を有する希土類−遷移金属
系磁性膜の磁化は、補償温度以下では希土類金属元素の
副格子磁化が支配的であり、補償温度以上では遷移金属
元素の副格子磁化が支配的になることから、記録が行わ
れる温度である記録磁性膜17のキュリー温度Tc3付近
では、記録用磁界11の下での記録磁性膜17への記録
磁区19の形成を再生磁性膜15及び制御磁性膜16か
らの交換結合力によって邪魔しないように、再生磁性膜
15及び制御磁性膜16は記録磁性膜17と同様に遷移
金属元素の副格子磁化が支配的である状態が望ましい。
系磁性膜の磁化は、補償温度以下では希土類金属元素の
副格子磁化が支配的であり、補償温度以上では遷移金属
元素の副格子磁化が支配的になることから、記録が行わ
れる温度である記録磁性膜17のキュリー温度Tc3付近
では、記録用磁界11の下での記録磁性膜17への記録
磁区19の形成を再生磁性膜15及び制御磁性膜16か
らの交換結合力によって邪魔しないように、再生磁性膜
15及び制御磁性膜16は記録磁性膜17と同様に遷移
金属元素の副格子磁化が支配的である状態が望ましい。
【0023】情報は記録磁性膜17に記録磁区19とし
て記録用磁界11(300Oe前後)の下で熱磁気記録さ
れている。室温において、制御磁性膜16の交換結合抑
制作用により再生磁性膜15への制御磁性膜17からの
交換結合力H1-3は弱められている。図2に制御磁性膜
厚をパラメータとして交換結合力H1-3の温度変化を示
す。制御磁性膜厚が10nmの時、室温においてH1-3
は800Oe程度であり、Hc1を1.5kOe程度とすれば
初期化磁界Hiを3kOe以下に低減してもHc1>H1-3、
かつHc1+H1-3<Hi<Hc3の関係を容易に設定でき
る。従って、再生磁性膜15の磁化は初期化磁界10の
向きに揃えられていて、記録磁区19は再生第1磁性膜
15には存在しない。再生時に、再生光照射によって再
生磁性膜15の一部分15′の温度が130℃程度以上
に上昇した場合、制御磁性膜16の補償温度(150
℃)付近となり、その交換結合抑制作用が小さくなって
交換結合力H1-3が1.8kOe程度に大きくなるため、H
c1<H1-3,H3-1<Hc3の関係が容易に成立できる。従
って、再生磁性膜15の一部分15aの磁化は記録磁性
膜17の磁化の向きに揃えられるので、記録磁性膜17
の記録磁区19は再生磁性膜15に転写される。
て記録用磁界11(300Oe前後)の下で熱磁気記録さ
れている。室温において、制御磁性膜16の交換結合抑
制作用により再生磁性膜15への制御磁性膜17からの
交換結合力H1-3は弱められている。図2に制御磁性膜
厚をパラメータとして交換結合力H1-3の温度変化を示
す。制御磁性膜厚が10nmの時、室温においてH1-3
は800Oe程度であり、Hc1を1.5kOe程度とすれば
初期化磁界Hiを3kOe以下に低減してもHc1>H1-3、
かつHc1+H1-3<Hi<Hc3の関係を容易に設定でき
る。従って、再生磁性膜15の磁化は初期化磁界10の
向きに揃えられていて、記録磁区19は再生第1磁性膜
15には存在しない。再生時に、再生光照射によって再
生磁性膜15の一部分15′の温度が130℃程度以上
に上昇した場合、制御磁性膜16の補償温度(150
℃)付近となり、その交換結合抑制作用が小さくなって
交換結合力H1-3が1.8kOe程度に大きくなるため、H
c1<H1-3,H3-1<Hc3の関係が容易に成立できる。従
って、再生磁性膜15の一部分15aの磁化は記録磁性
膜17の磁化の向きに揃えられるので、記録磁性膜17
の記録磁区19は再生磁性膜15に転写される。
【0024】この光磁気記録媒体を再生した場合、再生
光の照射により記録層20の温度が上昇する。集束され
た再生光の強度はガウシアン分布を有し、光磁気記録媒
体が再生光に対して移動するので、再生光スポット内の
温度分布は図1に示すように再生光スポット21の中心
付近より後方にずれて130℃程度以上の高温部分22
ができる。すなわち、再生光スポット21のうち130
℃程度以上になった一部分において交換結合力H1-3が
1.8kOe程度に大きくなるため、Hc1<H1-3,H3-1
<Hc3の関係が成立して、再生磁性膜15の一部分15
aの磁化は記録磁性膜17の磁化の向きに揃えられるの
で、記録磁性膜17の記録磁区19は再生磁性膜15に
転写される。
光の照射により記録層20の温度が上昇する。集束され
た再生光の強度はガウシアン分布を有し、光磁気記録媒
体が再生光に対して移動するので、再生光スポット内の
温度分布は図1に示すように再生光スポット21の中心
付近より後方にずれて130℃程度以上の高温部分22
ができる。すなわち、再生光スポット21のうち130
℃程度以上になった一部分において交換結合力H1-3が
1.8kOe程度に大きくなるため、Hc1<H1-3,H3-1
<Hc3の関係が成立して、再生磁性膜15の一部分15
aの磁化は記録磁性膜17の磁化の向きに揃えられるの
で、記録磁性膜17の記録磁区19は再生磁性膜15に
転写される。
【0025】ここで記録層20を構成する各磁性膜のキ
ュリー温度及び保磁力は、組成の選択及び垂直磁気異方
性の大きさを変化させる各種元素の添加によって比較的
簡単に変えることができるので、光磁気記録媒体に要求
される記録再生条件が変化しても最適な光磁気記録媒体
を作製することができる。
ュリー温度及び保磁力は、組成の選択及び垂直磁気異方
性の大きさを変化させる各種元素の添加によって比較的
簡単に変えることができるので、光磁気記録媒体に要求
される記録再生条件が変化しても最適な光磁気記録媒体
を作製することができる。
【0026】すなわち、初期化動作のための初期化磁界
が低減され、かつ初期化動作及び転写動作を良好に行う
ための各磁性膜の組成の選択の自由度が大きい高性能の
光磁気記録媒体が実現できることになる。
が低減され、かつ初期化動作及び転写動作を良好に行う
ための各磁性膜の組成の選択の自由度が大きい高性能の
光磁気記録媒体が実現できることになる。
【0027】なお、本実施例では、基板13としてポリ
カ−ボネイト、保護層14及び18としてSiN膜、再
生磁性膜15としてGdTbFeCo膜、制御磁性膜1
6としてGdFeCo膜、記録磁性膜17としてTbF
eCo膜を用いたが、基板13は他のプラスチックある
いはガラス、保護層14及び18はAlN等の他の窒化
物の膜あるいはTaO2等の酸化物の膜あるいはZnS
等のカルコゲン化物の膜あるいはそれらの混合物の膜、
再生磁性膜15及び記録磁性膜17については、Tc1>
Tcomp2,Tc3>Tcomp2でかつ室温においてHc1>H1-
3,Hc1+H1-3<Hi<Hc3でかつTcomp2付近でHc1<
H1-3,H3-1<Hc3であるという条件を満たす限り他の
希土類−遷移金属系垂直磁化膜あるいはMnBiAl等
のMn系垂直磁化膜あるいは他の磁性材料の垂直磁化
膜、制御磁性膜16については、室温では面内磁化膜で
かつ前記転写の起こる温度付近に補償温度Tcomp2を有
するGdFeやGdCo膜等の他のフェリ磁性膜を用い
てもよい。
カ−ボネイト、保護層14及び18としてSiN膜、再
生磁性膜15としてGdTbFeCo膜、制御磁性膜1
6としてGdFeCo膜、記録磁性膜17としてTbF
eCo膜を用いたが、基板13は他のプラスチックある
いはガラス、保護層14及び18はAlN等の他の窒化
物の膜あるいはTaO2等の酸化物の膜あるいはZnS
等のカルコゲン化物の膜あるいはそれらの混合物の膜、
再生磁性膜15及び記録磁性膜17については、Tc1>
Tcomp2,Tc3>Tcomp2でかつ室温においてHc1>H1-
3,Hc1+H1-3<Hi<Hc3でかつTcomp2付近でHc1<
H1-3,H3-1<Hc3であるという条件を満たす限り他の
希土類−遷移金属系垂直磁化膜あるいはMnBiAl等
のMn系垂直磁化膜あるいは他の磁性材料の垂直磁化
膜、制御磁性膜16については、室温では面内磁化膜で
かつ前記転写の起こる温度付近に補償温度Tcomp2を有
するGdFeやGdCo膜等の他のフェリ磁性膜を用い
てもよい。
【0028】ところで、本実施例は、再生光スポットの
大きさよりも小さな記録磁区を前の記録磁区からの波形
干渉なしで再生できる光磁気記録媒体についてのもので
あるが、本実施例における上記作用効果は、室温で初期
化動作を行い、温度上昇時に交換結合力によって転写動
作を行うという共通の構成を有する前述の光変調方式オ
ーバーライト用光磁気記録媒体においても、記録磁性膜
を補助磁性膜と置き換えれば、図8における説明及び本
実施例の説明で述べたと同様な流れで同様な作用効果が
発揮される。
大きさよりも小さな記録磁区を前の記録磁区からの波形
干渉なしで再生できる光磁気記録媒体についてのもので
あるが、本実施例における上記作用効果は、室温で初期
化動作を行い、温度上昇時に交換結合力によって転写動
作を行うという共通の構成を有する前述の光変調方式オ
ーバーライト用光磁気記録媒体においても、記録磁性膜
を補助磁性膜と置き換えれば、図8における説明及び本
実施例の説明で述べたと同様な流れで同様な作用効果が
発揮される。
【0029】次に、本発明の第2の実施例の光磁気記録
媒体について、図面を参照しながら説明する。図3は、
本実施例における光磁気記録媒体の構成を示すものであ
る。図3において、31は記録用磁界、32は再生光、
33はポリカーボネイトからなる基板、34及び38は
SiN膜からなる保護層、35はキュリー温度Tc1,室
温では面内磁化膜でかつ補償温度Tcomp1〜160℃付
近の130℃前後で垂直磁化膜となるフェリ磁性である
GdFeCo膜からなる再生磁性膜、36はキュリー温
度Tc2,室温では面内磁化膜でかつ150℃付近に補償
温度Tcomp2を有するフェリ磁性であるGdFeCo膜
からなる制御磁性膜、37はキュリー温度Tc3,保磁力
Hc3の垂直磁化膜であるTbFeCo膜からなる記録磁
性膜、39は記録磁区であり、再生磁性膜35と記録磁
性膜37は制御磁性膜36を介して交換結合しており、
これらの磁性膜から記録層40が構成されている。ここ
で基板33上の各膜はスパッタリング法または真空蒸着
法により形成し、各膜厚は保護層34及び38を80n
m、再生磁性膜35を40nm、制御磁性膜36を5〜
10nm、記録磁性膜17を50nmと設定した。ま
た、キュリー温度はTc1を300℃以上、Tc2を300
℃以上、Tc3を230℃程度、保磁力は室温においてH
c3を10kOe〜20kOeに設定した。
媒体について、図面を参照しながら説明する。図3は、
本実施例における光磁気記録媒体の構成を示すものであ
る。図3において、31は記録用磁界、32は再生光、
33はポリカーボネイトからなる基板、34及び38は
SiN膜からなる保護層、35はキュリー温度Tc1,室
温では面内磁化膜でかつ補償温度Tcomp1〜160℃付
近の130℃前後で垂直磁化膜となるフェリ磁性である
GdFeCo膜からなる再生磁性膜、36はキュリー温
度Tc2,室温では面内磁化膜でかつ150℃付近に補償
温度Tcomp2を有するフェリ磁性であるGdFeCo膜
からなる制御磁性膜、37はキュリー温度Tc3,保磁力
Hc3の垂直磁化膜であるTbFeCo膜からなる記録磁
性膜、39は記録磁区であり、再生磁性膜35と記録磁
性膜37は制御磁性膜36を介して交換結合しており、
これらの磁性膜から記録層40が構成されている。ここ
で基板33上の各膜はスパッタリング法または真空蒸着
法により形成し、各膜厚は保護層34及び38を80n
m、再生磁性膜35を40nm、制御磁性膜36を5〜
10nm、記録磁性膜17を50nmと設定した。ま
た、キュリー温度はTc1を300℃以上、Tc2を300
℃以上、Tc3を230℃程度、保磁力は室温においてH
c3を10kOe〜20kOeに設定した。
【0030】なお、補償温度を有する希土類−遷移金属
系磁性膜の磁化は、補償温度以下では希土類金属元素の
副格子磁化が支配的であり、補償温度以上では遷移金属
元素の副格子磁化が支配的になることから、記録が行わ
れる温度である記録磁性膜37のキュリー温度Tc3付近
では、記録用磁界31の下での記録磁性膜37への記録
磁区39の形成を再生磁性膜35及び制御磁性膜36か
らの交換結合力によって邪魔しないように、再生磁性膜
35及び制御磁性膜36は記録磁性膜37と同様に遷移
金属元素の副格子磁化が支配的である状態が望ましい。
系磁性膜の磁化は、補償温度以下では希土類金属元素の
副格子磁化が支配的であり、補償温度以上では遷移金属
元素の副格子磁化が支配的になることから、記録が行わ
れる温度である記録磁性膜37のキュリー温度Tc3付近
では、記録用磁界31の下での記録磁性膜37への記録
磁区39の形成を再生磁性膜35及び制御磁性膜36か
らの交換結合力によって邪魔しないように、再生磁性膜
35及び制御磁性膜36は記録磁性膜37と同様に遷移
金属元素の副格子磁化が支配的である状態が望ましい。
【0031】ところで、室温では面内磁化膜でかつ補償
温度Tcomp1付近で垂直磁化膜となるフェリ磁性である
GdFeCo膜の作製は、以下のようにできる。Tcomp
1の値はGd組成比でほぼ決まり、Gd組成23〜28a
t%でTcomp1=80〜260℃となる。室温では面内磁
化膜でかつ補償温度付近で垂直磁化膜とするためには、
Fe対Coの組成比率がおよそ1以上の組成を選べば実
現でき、Feの組成比が大きくなるほど補償温度以下の
低い温度で垂直磁化膜となる。図4に再生磁性膜35の
組成をGd0.25Fe0.39Co0.36とした時の磁化の垂直
成分の温度変化について残留磁化Mr/飽和磁化Msの値
として示す。この時、補償温度Tcomp1は約160℃で
あり、室温において磁化を垂直に向けるために必要な外
部磁界は約2kOeであった。
温度Tcomp1付近で垂直磁化膜となるフェリ磁性である
GdFeCo膜の作製は、以下のようにできる。Tcomp
1の値はGd組成比でほぼ決まり、Gd組成23〜28a
t%でTcomp1=80〜260℃となる。室温では面内磁
化膜でかつ補償温度付近で垂直磁化膜とするためには、
Fe対Coの組成比率がおよそ1以上の組成を選べば実
現でき、Feの組成比が大きくなるほど補償温度以下の
低い温度で垂直磁化膜となる。図4に再生磁性膜35の
組成をGd0.25Fe0.39Co0.36とした時の磁化の垂直
成分の温度変化について残留磁化Mr/飽和磁化Msの値
として示す。この時、補償温度Tcomp1は約160℃で
あり、室温において磁化を垂直に向けるために必要な外
部磁界は約2kOeであった。
【0032】情報は記録磁性膜37の記録磁区39とし
て記録用磁界31(300Oe前後)の下で熱磁気記録さ
れている。室温において、再生磁性膜35は面内磁化膜
であり、制御磁性膜36の交換結合抑制作用により再生
磁性膜35への記録磁性膜37からの交換結合力H1-3
は弱められている。図5に制御磁性膜厚を7.5nmと
した時の交換結合力H1-3の温度変化を示す。ここで、
再生磁性膜35は面内磁化膜であるので交換結合力は再
生磁性膜35全体に作用する平均としての値で示してい
る。室温においてH1-3は700Oe程度であり、面内磁
化膜である再生磁性膜35の膜厚方向の磁化状態は、こ
のH1-3によって制御磁性膜36に近い側ほど垂直成分
を有するが、再生光入射側の磁化はほとんどH1-3の影
響を受けずに面内磁化の状態のままである。一方、カー
効果は磁性膜表面付近の磁化によって発生するものであ
る。従って、再生光からみれば室温付近において、再生
磁性膜35の表面磁化はほとんど面内方向を向いてお
り、極カー回転角はほとんど零であるため、記録磁区3
9を再生磁性膜35には検出できない。
て記録用磁界31(300Oe前後)の下で熱磁気記録さ
れている。室温において、再生磁性膜35は面内磁化膜
であり、制御磁性膜36の交換結合抑制作用により再生
磁性膜35への記録磁性膜37からの交換結合力H1-3
は弱められている。図5に制御磁性膜厚を7.5nmと
した時の交換結合力H1-3の温度変化を示す。ここで、
再生磁性膜35は面内磁化膜であるので交換結合力は再
生磁性膜35全体に作用する平均としての値で示してい
る。室温においてH1-3は700Oe程度であり、面内磁
化膜である再生磁性膜35の膜厚方向の磁化状態は、こ
のH1-3によって制御磁性膜36に近い側ほど垂直成分
を有するが、再生光入射側の磁化はほとんどH1-3の影
響を受けずに面内磁化の状態のままである。一方、カー
効果は磁性膜表面付近の磁化によって発生するものであ
る。従って、再生光からみれば室温付近において、再生
磁性膜35の表面磁化はほとんど面内方向を向いてお
り、極カー回転角はほとんど零であるため、記録磁区3
9を再生磁性膜35には検出できない。
【0033】再生時に、再生光照射によって再生磁性膜
35の一部分35aの温度が130℃程度以上に上昇し
た場合、再生磁性膜35及び制御磁性膜36の補償温度
付近となり、再生磁性膜35は保磁力Hc1(150Oe前
後)の垂直磁化膜になる一方、制御磁性膜36の交換結
合抑制作用が小さくなる。この結果、交換結合力H1-3
が1.8kOe程度に大きくなる一方、再生磁性膜35の
膜厚方向の磁化は全て垂直となり、Hc1<H1-3,H3-1
<Hc3の関係が容易に成立できる。従って、再生磁性膜
35の一部分35aの磁化は記録磁性膜37の磁化の向
きに揃えられるので、記録磁性膜37の記録磁区39は
再生磁性膜35に転写される。すなわち、再生光スポッ
ト41のうちで130℃程度以上の部分からのみ記憶情
報を再生信号として読み出すことができる。これで初期
化磁界なしでも再生光スポットの大きさよりも小さな記
録磁区を前の記録磁区からの波形干渉なしで再生できる
ことになる。
35の一部分35aの温度が130℃程度以上に上昇し
た場合、再生磁性膜35及び制御磁性膜36の補償温度
付近となり、再生磁性膜35は保磁力Hc1(150Oe前
後)の垂直磁化膜になる一方、制御磁性膜36の交換結
合抑制作用が小さくなる。この結果、交換結合力H1-3
が1.8kOe程度に大きくなる一方、再生磁性膜35の
膜厚方向の磁化は全て垂直となり、Hc1<H1-3,H3-1
<Hc3の関係が容易に成立できる。従って、再生磁性膜
35の一部分35aの磁化は記録磁性膜37の磁化の向
きに揃えられるので、記録磁性膜37の記録磁区39は
再生磁性膜35に転写される。すなわち、再生光スポッ
ト41のうちで130℃程度以上の部分からのみ記憶情
報を再生信号として読み出すことができる。これで初期
化磁界なしでも再生光スポットの大きさよりも小さな記
録磁区を前の記録磁区からの波形干渉なしで再生できる
ことになる。
【0034】また、図3における再生磁性膜35とし
て、室温における面内磁気異方性が充分大きく、制御磁
性膜36を省略しても室温において再生光入射側の磁化
がほとんどH1-3の影響を受けずに面内磁化の状態のま
まであるような磁性膜(例えば、Gd0.25Fe0.375C
o0.375等)を用いると、制御磁性膜68を省略した構
成であっても上記動作が実現できる。
て、室温における面内磁気異方性が充分大きく、制御磁
性膜36を省略しても室温において再生光入射側の磁化
がほとんどH1-3の影響を受けずに面内磁化の状態のま
まであるような磁性膜(例えば、Gd0.25Fe0.375C
o0.375等)を用いると、制御磁性膜68を省略した構
成であっても上記動作が実現できる。
【0035】さらに、ここで記録層40を構成する各磁
性膜のキュリー温度及び保磁力は、組成の選択及び垂直
磁気異方性の大きさを変化させる各種元素の添加によっ
て比較的簡単に変えることができるので、光磁気記録媒
体に要求される記録再生条件が変化しても最適な光磁気
記録媒体を作製することができる。
性膜のキュリー温度及び保磁力は、組成の選択及び垂直
磁気異方性の大きさを変化させる各種元素の添加によっ
て比較的簡単に変えることができるので、光磁気記録媒
体に要求される記録再生条件が変化しても最適な光磁気
記録媒体を作製することができる。
【0036】すなわち、初期化動作が不要で、かつ転写
動作を良好に行うための各磁性膜の組成の選択の自由度
が大きい高性能の光磁気記録媒体が実現できることにな
る。
動作を良好に行うための各磁性膜の組成の選択の自由度
が大きい高性能の光磁気記録媒体が実現できることにな
る。
【0037】なお、本実施例では、基板33としてポリ
カ−ボネイト、保護層34及び38としてSiN膜、再
生磁性膜35としてGdFeCo膜、制御磁性膜36と
してGdFeCo膜、記録磁性膜37としてTbFeC
o膜を用いたが、基板33は他のプラスチックあるいは
ガラス、保護層34及び38はAlN等の他の窒化物の
膜あるいはTaO2等の酸化物の膜あるいはZnS等の
カルコゲン化物の膜あるいはそれらの混合物の膜、再生
磁性膜35ついては、Tc1>Tcomp2,Tcomp1がTcomp
2付近,室温では面内磁化膜でかつTcomp1付近ではHc1
<H1-3であって垂直磁化膜となる他のフェリ磁性膜あ
るいはスピン再配列温度がTcomp2付近である希土類オ
ルソフェライト系磁性膜等のスピン再配列磁性膜、制御
磁性膜については、室温では面内磁化膜でかつ前記転写
の起こる温度付近に補償温度Tcomp2を有するGdCo
膜等の他のフェリ磁性膜、記録磁性膜については、Tc3
>Tcomp2でかつ室温においてHc3が十分大きくかつTc
omp2付近ではH3-1<Hc3であるという条件を満たす限
り他の希土類−遷移金属系垂直磁化膜あるいはMnBi
Al等のMn系垂直磁化膜あるいは他の磁性材料の垂直
磁化膜を用いてもよい。
カ−ボネイト、保護層34及び38としてSiN膜、再
生磁性膜35としてGdFeCo膜、制御磁性膜36と
してGdFeCo膜、記録磁性膜37としてTbFeC
o膜を用いたが、基板33は他のプラスチックあるいは
ガラス、保護層34及び38はAlN等の他の窒化物の
膜あるいはTaO2等の酸化物の膜あるいはZnS等の
カルコゲン化物の膜あるいはそれらの混合物の膜、再生
磁性膜35ついては、Tc1>Tcomp2,Tcomp1がTcomp
2付近,室温では面内磁化膜でかつTcomp1付近ではHc1
<H1-3であって垂直磁化膜となる他のフェリ磁性膜あ
るいはスピン再配列温度がTcomp2付近である希土類オ
ルソフェライト系磁性膜等のスピン再配列磁性膜、制御
磁性膜については、室温では面内磁化膜でかつ前記転写
の起こる温度付近に補償温度Tcomp2を有するGdCo
膜等の他のフェリ磁性膜、記録磁性膜については、Tc3
>Tcomp2でかつ室温においてHc3が十分大きくかつTc
omp2付近ではH3-1<Hc3であるという条件を満たす限
り他の希土類−遷移金属系垂直磁化膜あるいはMnBi
Al等のMn系垂直磁化膜あるいは他の磁性材料の垂直
磁化膜を用いてもよい。
【0038】
【発明の効果】以上のように本発明の光磁気記録媒体
は、複数の磁性膜で記録層を構成し、室温で一方の磁性
膜の磁化の向きを1方向に揃え(初期化動作)、あるい
は温度上昇時に交換結合力によって一方の磁性膜の磁化
の向きを他方の磁性膜の磁化に転写する(転写動作)と
いう過程を用いて、光変調オーバーライトや光スポット
以下の微小記録磁区の再生等を行う場合に、初期化動作
のための初期化磁界が低減あるいは不要となり、かつ初
期化動作及び転写動作を良好に行うための各磁性膜の組
成の選択の自由度を広げるものである。
は、複数の磁性膜で記録層を構成し、室温で一方の磁性
膜の磁化の向きを1方向に揃え(初期化動作)、あるい
は温度上昇時に交換結合力によって一方の磁性膜の磁化
の向きを他方の磁性膜の磁化に転写する(転写動作)と
いう過程を用いて、光変調オーバーライトや光スポット
以下の微小記録磁区の再生等を行う場合に、初期化動作
のための初期化磁界が低減あるいは不要となり、かつ初
期化動作及び転写動作を良好に行うための各磁性膜の組
成の選択の自由度を広げるものである。
【図1】本発明の第1の実施例における光磁気記録媒体
の構成図
の構成図
【図2】本発明の第1の実施例における制御磁性膜厚を
パラメータとして交換結合力H1-3の温度変化を示す特
性図
パラメータとして交換結合力H1-3の温度変化を示す特
性図
【図3】本発明の第2の実施例における光磁気記録媒体
の構成図
の構成図
【図4】再生磁性膜としてのGd25Fe39Co36膜の磁
化の垂直成分の温度変化を示す特性図
化の垂直成分の温度変化を示す特性図
【図5】本発明の第2の実施例における制御磁性膜厚を
7.5nmとした時の交換結合力H1-3の温度変化を示す
特性図
7.5nmとした時の交換結合力H1-3の温度変化を示す
特性図
【図6】本発明の光磁気記録媒体の作用を説明するため
の構成図
の構成図
【図7】従来の光磁気記録媒体の構成図
【図8】従来の光磁気記録媒体の構成図
10 初期化磁界 11 記録用磁界 12 再生光 13 基板(ポリカーボネイト樹脂) 14 保護層(SiN膜) 15 再生磁性膜(GdTbFeCo膜) 16 制御磁性膜(GdFeCo膜) 17 記録磁性膜(TbFeCo膜) 18 保護層(SiN膜) 19 記録磁区 20 記録層 21 再生光スポット 22 温度130℃以上の部分 31 記録用磁界 32 再生光 33 基板(ポリカーボネイト樹脂) 34 保護層(SiN膜) 35 再生磁性膜(GdFeCo膜) 36 制御磁性膜(GdFeCo膜) 37 記録磁性膜(TbFeCo膜) 38 保護層(SiN膜) 39 記録磁区 40 記録層 41 再生光スポット 42 温度130℃以上の部分 61 初期化磁界 62 記録用磁界 63 再生光 64 再生光スポット 65 記録磁区 66 温度Td以上の領域 67 再生磁性膜 68 制御磁性膜 69 記録磁性膜 71 初期化磁界 72 記録用磁界 73 再生光 74 再生光スポット 75 記録磁区 76 温度Td以上の領域 77 再生磁性膜 78 記録磁性膜 81 再生磁性膜 82 記録磁性膜 83 初期化磁界 84 記録用磁界 85 レーザ光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−316343(JP,A) 特開 平4−188449(JP,A) 特開 平5−182269(JP,A) 特開 平5−81717(JP,A) 特開 平6−124500(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 11/105
Claims (2)
- 【請求項1】 基板上に再生磁性膜と制御磁性膜と記録
磁性膜とを備え、 前記記録磁性膜には記録信号が磁区として記録され、 前記制御磁性膜は、前記記録磁性膜と前記再生磁性膜と
の間の交換結合力を制御し、 前記記録信号の再生時には、光の照射による温度上昇に
よって前記制御磁性膜による前記交換結合力を高めるこ
とにより、前記記録磁性膜から前記再生磁性膜に磁化の
向きを転写して信号を再生する方式の光磁気記録媒体で
あって、 前記制御磁性膜は、 室温では面内磁化膜であり、かつ補
償温度が前記転写の起こる温度付近に設定されているフ
ェリ磁性膜であることを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項2】 前記制御磁性膜が、GdFe膜、GdC
o膜、GdFeCo膜の何れかであることを特徴とする
請求項1に記載の光磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04321613A JP3092363B2 (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | 光磁気記録媒体 |
US08/160,976 US6399227B1 (en) | 1992-12-01 | 1993-11-30 | Magneto-optical recording medium |
US09/612,896 US6521357B1 (en) | 1992-12-01 | 2000-07-10 | Magneto-optical recording medium |
US10/121,780 US6811889B2 (en) | 1992-12-01 | 2002-04-12 | Magneto-optical recording medium having a GDFECO readout magnetic film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04321613A JP3092363B2 (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | 光磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06176412A JPH06176412A (ja) | 1994-06-24 |
JP3092363B2 true JP3092363B2 (ja) | 2000-09-25 |
Family
ID=18134483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04321613A Expired - Fee Related JP3092363B2 (ja) | 1992-12-01 | 1992-12-01 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6399227B1 (ja) |
JP (1) | JP3092363B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001331985A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体及びその製造方法 |
WO2004044909A1 (en) * | 2002-11-14 | 2004-05-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Domain expansion rom media with adapted domain shape for improved readout |
US8374060B2 (en) * | 2011-03-11 | 2013-02-12 | Tdk Corporation | Thermally-assisted magnetic recording method for writing data on a hard disk medium |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1190321A (en) * | 1981-10-29 | 1985-07-09 | Toshihisa Deguchi | Magneto-optical head assembly |
JPH061564B2 (ja) * | 1984-02-22 | 1994-01-05 | 株式会社ニコン | 光磁気記録媒体 |
ATE216528T1 (de) * | 1986-07-08 | 2002-05-15 | Canon Kk | Gerät und system zur aufzeichnung auf einem magnetooptischen aufzeichnungsmedium |
JPH01256051A (ja) | 1988-04-06 | 1989-10-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光磁気記録媒体 |
US5187694A (en) | 1987-08-21 | 1993-02-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magneto-optical recording medium comprising recording layer and thermal bias layer, and method for recording, erasing and overwriting on the medium |
JPH01118239A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Mitsubishi Kasei Corp | 光磁気記録媒体 |
JPH01128245A (ja) | 1987-11-13 | 1989-05-19 | Nec Corp | 光磁気記録の記録方式 |
DE3889203T2 (de) * | 1987-11-30 | 1994-11-03 | Sony Corp | Methode zum optischen Abtasten eines Signals aus einem magneto-optischen Speichermedium. |
CA1326547C (en) * | 1988-07-13 | 1994-01-25 | Masahiko Kaneko | Thermomagnetic recording method |
US5175714A (en) | 1988-09-30 | 1992-12-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of magneto-optically recording/erasing information and magneto-optical information storage medium including recording and bias layers satisfying certain conditions |
US5142513A (en) | 1989-04-20 | 1992-08-25 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magneto-optical storage medium and magneto-optical overwrite system with magnetic characteristic change by variation of thermal condition for recording information |
JPH0334139A (ja) | 1989-06-29 | 1991-02-14 | Nippon Columbia Co Ltd | 光磁気記録媒体及び記録方法 |
US5087532A (en) | 1989-08-01 | 1992-02-11 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Direct-overwrite magneto-optic media |
US5168482A (en) * | 1989-08-31 | 1992-12-01 | Sony Corporation | Magnetooptical recording and playback method employing multi-layer recording medium with record holding layer and playback layer |
JP2910084B2 (ja) | 1989-09-06 | 1999-06-23 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体における信号再生方法 |
JP2707769B2 (ja) | 1989-11-14 | 1998-02-04 | 三菱電機株式会社 | 光磁気記録媒体及びそれを用いた光磁気記録再生装置 |
DE69122197T2 (de) | 1990-03-24 | 1997-03-06 | Seiko Epson Corp | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium, und Verfahren zur magnetooptischen Aufzeichnung und Wiedergabe |
JPH04134741A (ja) | 1990-09-27 | 1992-05-08 | Nikon Corp | 4層膜構造のオーバーライト可能な光磁気記録媒体 |
JP2567996B2 (ja) | 1991-01-23 | 1996-12-25 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 光磁気記録方法及び装置 |
JP3111479B2 (ja) * | 1991-02-08 | 2000-11-20 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体 |
JP3114205B2 (ja) * | 1991-02-15 | 2000-12-04 | ソニー株式会社 | 光記録媒体の記録再生方法 |
JP2839783B2 (ja) * | 1991-04-17 | 1998-12-16 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体、再生装置及び再生方法 |
JP2812817B2 (ja) * | 1991-07-08 | 1998-10-22 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体 |
JP2690634B2 (ja) * | 1991-07-08 | 1997-12-10 | シャープ株式会社 | 光ヘッド |
JP3093340B2 (ja) * | 1991-07-23 | 2000-10-03 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録媒体 |
JP3159742B2 (ja) * | 1991-10-07 | 2001-04-23 | キヤノン株式会社 | 光磁気記録再生方法 |
ES2176194T3 (es) * | 1992-08-28 | 2002-12-01 | Canon Kk | Soporte de grabacion magnetooptico y metodos de grabacion y reproduccion de informacion que utilizan en soporte de grabacion. |
JP2938284B2 (ja) * | 1992-10-06 | 1999-08-23 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及びこれを用いた記録再生方法 |
JPH06162589A (ja) * | 1992-11-18 | 1994-06-10 | Ricoh Co Ltd | 光磁気記録媒体及び光磁気記録方法 |
JP2857002B2 (ja) * | 1993-01-07 | 1999-02-10 | シャープ株式会社 | 光磁気記憶装置 |
-
1992
- 1992-12-01 JP JP04321613A patent/JP3092363B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-11-30 US US08/160,976 patent/US6399227B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-07-10 US US09/612,896 patent/US6521357B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-04-12 US US10/121,780 patent/US6811889B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06176412A (ja) | 1994-06-24 |
US20020119348A1 (en) | 2002-08-29 |
US6811889B2 (en) | 2004-11-02 |
US6399227B1 (en) | 2002-06-04 |
US6521357B1 (en) | 2003-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0496556B1 (en) | Magneto-optical recording | |
JPH0535499B2 (ja) | ||
JP2503708B2 (ja) | 光磁気記録媒体及び装置 | |
JPH0522303B2 (ja) | ||
US5343449A (en) | Over-write capable magnetooptical recording medium having reading layer | |
US6018511A (en) | Magneto-optical recording medium and readout method of the same | |
JPH07272332A (ja) | 交換結合直接オーバーライト光磁気記録媒体 | |
US5502692A (en) | Method and apparatus for recording, reproducing and overwriting information on or from a magnetooptic disk having three magnetic layers | |
JP3092363B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
US5503924A (en) | Exchange-coupled magnetooptical recording medium with first layer having smaller vertical orientation saturation magnetization than in-plane orientation saturation magnetization of second layer | |
JP3354726B2 (ja) | 光磁気記録媒体及び再生方法 | |
JPH0714230A (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
JP3786507B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
JP2674815B2 (ja) | 光磁気記録方法 | |
KR930010474B1 (ko) | 광자기 기록매체 및 광자기 기록매체의 제조방법 | |
JP3089659B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその記録方法 | |
JP3075048B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
JP3789194B2 (ja) | 光磁気記録媒体及びその再生方法 | |
JP2531327B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH1125533A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH07192330A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH06267125A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH09282726A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH11162029A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
JPH10334527A (ja) | 光磁気記録媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |