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JP3476698B2 - 光磁気記録媒体 - Google Patents

光磁気記録媒体

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JP3476698B2
JP3476698B2 JP02288799A JP2288799A JP3476698B2 JP 3476698 B2 JP3476698 B2 JP 3476698B2 JP 02288799 A JP02288799 A JP 02288799A JP 2288799 A JP2288799 A JP 2288799A JP 3476698 B2 JP3476698 B2 JP 3476698B2
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reproducing
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順司 広兼
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    • G11B11/10515—Reproducing

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録再生装
置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気
カード等の光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、書き換え可能な光記録媒体と
して、光磁気記録媒体を用いた光磁気ディスクが実用化
されている。このような光磁気ディスクでは、半導体レ
ーザから出射される光ビームを光磁気記録媒体上に集光
照射して、該光磁気記録媒体の局部温度を上昇させるこ
とにより記録消去が行われる。従って、記録消去が起こ
らない強度の光ビームを光磁気記録媒体に集光照射し、
その反射光の偏光状態を判別することにより、記録情報
の再生が行われる。
【０００３】しかし、上記のような光磁気記録媒体で
は、光ビームのビームスポット径に対して、記録された
磁区の記録ビット径及び記録ビット間隔が小さくなって
くると、再生特性が劣化してくるという問題がある。こ
れは、目的とする記録ビット上に集光された光ビームの
ビームスポット内に、隣接する記録ビットが入るため
に、個々の記録ビットを分離して再生することができな
くなるためである。
【０００４】上記のような問題を解決する光磁気記録媒
体として、室温において面内磁化状態であり、臨界温度
以上の温度で垂直磁化状態となる再生層と、前記臨界温
度近傍にキュリー温度を有する面内磁化層と、非磁性中
間層と、垂直磁化膜からなり情報を記録する記録層とか
らなる光磁気記録媒体が提案されている（特開平９−３
２０１３４号公報）。
【０００５】上記光磁気記録媒体の再生層は、臨界温度
以下の温度範囲において面内磁化状態である。従って、
この再生層の面内磁化マスクにより、記録層へ記録され
た記録磁区情報が再生層へと転写されないので、記録磁
区情報は再生されない。これに対して、臨界温度以上の
温度範囲においては、再生層が垂直磁化状態となる。従
って、記録層へ記録された記録磁区情報が再生層へと転
写されるので、記録磁区情報が再生される。
【０００６】このため、再生層上に集光された光ビーム
のビームスポット内に、隣接する記録ビットが入る場合
においても、光ビームの再生パワーと、再生層が垂直磁
化状態となる臨界温度とを適切に設定しておけば、個々
の記録ビットを分離して再生することができ、高密度に
記録された情報を再生する、すなわち超解像再生を行う
ことが可能となる。
【０００７】以下に、図１３に基づいて、上記のような
高密度に記録された情報の再生が可能な光磁気記録媒体
である、超解像光磁気記録媒体について具体的に説明す
る。図１３は、従来の超解像光磁気記録媒体の超解像再
生動作原理を示す説明図である。
【０００８】従来の超解像光磁気記録媒体は、室温にお
いて面内磁化状態であり臨界温度以上の温度で垂直磁化
状態となる再生層１０１と、前記臨界温度近傍にキュリ
ー温度を有する面内磁化層１０２と、非磁性中間層１０
３と、室温に補償温度を有する垂直磁化膜からなる記録
層１０４とで構成されている。
【０００９】再生は、光ビーム１０５を、再生層１０１
側から上記超解像光磁気記録媒体に集光照射することに
より行われる。光ビーム１０５が上記超解像光磁気記録
媒体に集光照射されると、該超解像光磁気記録媒体には
光ビーム１０５の強度分布に対応したガウシアン分布状
の温度分布が形成される。上記再生層１０１は、その温
度分布に伴い面内磁化状態から垂直磁化状態へと遷移
し、臨界温度以上の温度で、垂直磁化状態である領域１
０６を形成する。再生層１０１が面内磁化状態である領
域には、面内磁化マスクが形成されているので、再生信
号は発生しない。
【００１０】一方、上記再生層１０１の垂直磁化状態と
なった領域１０６においては、トータル磁化の向きが、
記録層１０４から発生する漏洩磁束の向きを向くことに
なる。従って、上記記録層１０４の磁化方向が上記再生
層１０１へと転写されて、超解像再生が実現する。
【００１１】ここで、面内磁化層１０２は、そのキュリ
ー温度を前記臨界温度近傍に設定し、さらに再生層１０
１と交換結合して、温度上昇していない領域の再生層１
０１の面内磁化マスクを強化することを目的として形成
されているものである。
【００１２】以上のように、超解像光磁気記録媒体の再
生においては、再生層１０１が垂直磁化状態となる臨界
温度以上の領域１０６のみの情報が再生されることが望
ましい。
【００１３】ここで、再生層１０１が、室温で面内磁化
状態であり、温度上昇とともに垂直磁化状態となる特性
を得るために、再生が行われる温度範囲では、希土類金
属（Rare Earth：ＲＥ）副格子モーメントと遷移金属
（Transition Metal：ＴＭ）副格子モーメントとが同じ
大きさとなる補償組成に対して、希土類金属副格子モー
メントを多く含有しているＲＥ−ｒｉｃｈ組成であるこ
とが必要であり、再生層１０１の遷移金属副格子モーメ
ントの方向とトータル磁化の方向とは平行であってその
向きは互いに反対、すなわち反平行となる。
【００１４】一方、記録層１０４には、室温に補償温度
を有する希土類遷移金属合金が用いられており、再生が
行われる温度範囲において、遷移金属副格子モーメント
の大きさが希土類金属副格子モーメントの大きさより大
きくなる。従って、記録層１０４の遷移金属副格子モー
メントの向きと、トータル磁化の向きとは平行となる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の超
解像光磁気記録媒体において、キュリー温度が臨界温度
近傍に設定されている面内磁化層１０２の温度上昇に伴
い、トータル磁化が徐々に小さくなるので、領域１０６
の近傍において、再生層１０１の面内磁化マスクを強化
することが困難となる。そのため、臨界温度以下の範囲
であっても、領域１０６の近傍では、再生層１０１の磁
化が記録層１０４から発生する漏洩磁束の影響を受け
て、膜面に対して傾いた磁化状態となる。従って、領域
１０６に記録された情報を再生する場合に、該領域１０
６近傍の、臨界温度以下の範囲の情報も同時に再生して
しまい、再生分解能の劣化が発生してしまう。
【００１６】近年、光ディスクに対して、さらに大きな
記録容量が求められるようになっていることから、上述
の特開平９−３２０１３４号公報に記載されているよう
な光磁気記録媒体では、面内磁化によるマスク効果が不
十分であり、再生分解能が不足するという問題があっ
た。
【００１７】本発明は上記の問題点に鑑みてなされたも
ので、高密度に記録された情報であっても、高い信号品
質で個々の記録ビットを再生することができるように、
光磁気記録媒体の再生分解能を向上させることを課題と
する。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気記録媒体
は、上記の課題を解決するために、室温では面内磁化状
態であり、臨界温度以上の温度で垂直磁化状態に移行す
る再生層と、面内磁化膜からなる面内磁化層と、垂直磁
化膜からなる記録層とが、この順に積層されている光磁
気記録媒体において、上記面内磁化層は、上記臨界温度
近傍にキュリー温度を有し、室温からキュリー温度まで
面内磁化膜である第１の面内磁化層と、該第１の面内磁
化層のキュリー温度よりも高いキュリー温度を有し、室
温からキュリー温度まで面内磁化膜である第２の面内磁
化層とを備え、上記第１の面内磁化層は上記再生層側
に、上記第２の面内磁化層は上記記録層側に配置されて
いることを特徴としている。
【００１９】上記の構成によれば、再生層と記録層との
間に設けられている面内磁化層が、第１の面内磁化層と
第２の面内磁化層とを備えている。該第１の面内磁化層
は上記再生層側に配置され、かつ該再生層の臨界温度近
傍にキュリー温度を有しており、一方、第２の面内磁化
層は上記記録層側に配置され、かつ上記第１の面内磁化
層のキュリー温度よりも高いキュリー温度を有してい
る。
【００２０】上記第１の面内磁化層のキュリー温度以下
の温度範囲では、該第１の面内磁化層と上記第２の面内
磁化層とは交換結合しているので、上記再生層は、上記
第１の面内磁化層を介して上記第２の面内磁化層と交換
結合することになる。
【００２１】ここで、上記第１の面内磁化層において、
そのキュリー温度である再生層の臨界温度付近まで温度
が上昇すると、それに伴って磁化が小さくなり、上記再
生層を面内磁化状態に固定する力は弱くなる。しかし、
この時、上記臨界温度よりも高いキュリー温度を有する
第２の面内磁化層は十分大きな磁化を有している。従っ
て、上記再生層は、上記第１の面内磁化層を介して、十
分大きな磁化を有する上記第２の面内磁化層と交換結合
することで、臨界温度近傍の領域であっても、その磁化
を面内磁化状態に強く固定することができる。
【００２２】一方、上記第１の面内磁化層の温度がキュ
リー温度以上になると、上記再生層と上記第２の面内磁
化層との交換結合は存在しないので、上記再生層は垂直
磁化状態となり、上記記録層の磁化方向が上記再生層に
転写されて再生される。
【００２３】以上のように、再生層が垂直磁化状態とな
っている領域近傍の臨界温度付近の領域であっても、よ
り強化された面内磁化によるマスクが再生層に形成され
て、記録層からの漏洩磁束を完全に遮断することができ
る。
【００２４】これにより、小さい記録ビット径および小
さい記録ビット間隔であっても十分な再生信号を得るこ
と、すなわち磁気的超解像再生において再生分解能を高
めることができる。
【００２５】本発明の光磁気記録媒体は、上記の課題を
解決するために、上記の発明において、上記面内磁化層
と上記記録層との間に、非磁性膜からなる非磁性中間層
がさらに設けられていることを特徴としている。
【００２６】上記の構成によれば、面内磁化層と記録層
との間に非磁性中間層が設けられていることにより、上
記面内磁化層と上記記録層との交換結合が遮断されるこ
とになる。
【００２７】仮に、上記非磁性中間層が設けられていな
ければ、上記面内磁化層と上記記録層との間に働く交換
結合力により、上記面内磁化層の面内磁化状態が影響を
受けてしまい、その分、面内磁化層を厚くしなければな
らない。そこで、本発明のように、非磁性材料からなる
上記非磁性中間層を設けて上記面内磁化層と上記記録層
との交換結合を遮断することにより、面内磁化層の層厚
を薄くすることができる。
【００２８】これにより、面内磁化層の膜厚低減による
記録感度の改善を行うことが可能となる。
【００２９】本発明の光磁気記録媒体は、上記の課題を
解決するために、上記の発明において、上記非磁性中間
層と上記記録層との間に、反射層がさらに設けられてお
り、かつ、上記非磁性中間層は透明であることを特徴と
している。
【００３０】上記の構成によれば、非磁性中間層と記録
層との間に反射層を設けることで、多層膜構造において
発生する干渉効果により、カー回転角が増大する。さら
に、再生層、面内磁化層、および透明の非磁性中間層を
透過した再生用の光ビームが、上記反射層において反射
される。従って、上記記録層からの不要な信号再生をよ
り完全に遮断することができる。
【００３１】尚、カー回転角とは、光が磁性体の表面を
反射、または磁性体を通過するときに、その磁性体の磁
化の方向によって光の偏光面が回転する角度のことであ
る。
【００３２】これにより、再生層に転写された情報のみ
を再生することができ、超解像再生特性を改善して再生
信号品質を向上させることが可能となる。
【００３３】
【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕 本発明の第１の実施の形態について、図１に基づいて説
明すれば、以下のとおりである。
【００３４】まず、本実施の形態に係る光磁気記録媒体
の超解像再生動作原理を説明する。図１は、本実施の形
態に係る光磁気記録媒体の磁化状態を示す説明図であ
る。
【００３５】上記光磁気記録媒体は、室温において面内
磁化状態であり臨界温度以上の温度で垂直磁化状態とな
る再生層１と、前記臨界温度近傍にキュリー温度Ｔ１を
有する第１の面内磁化層２と、該キュリー温度Ｔ１より
も高いキュリー温度Ｔ２を有する第２の面内磁化層３
と、室温近傍に補償温度を有する垂直磁化膜からなる記
録層４とで構成されている。ここで、上記第２の面内磁
化層３は、上記記録層４と交換結合しているため、記録
層４と同じように垂直磁化状態になろうとする力を該記
録層４から受けている。しかし、少なくとも上記第１の
面内磁化層２と上記第２の面内磁化層３との界面におい
ては、第２の面内磁化層３が完全な面内磁化状態となる
べく、第２の面内磁化層３の膜厚が設定されている。
【００３６】再生においては、再生層１が面内磁化状態
である領域に面内磁化マスクが形成され、再生層１が垂
直磁化状態となっている垂直磁化領域６に相当する部分
の記録層４の記録情報が、再生層１へと転写される。
【００３７】ここで、再生に伴い、第１の面内磁化層２
が、キュリー温度Ｔ１近傍まで温度上昇することによ
り、該第１の面内磁化層２の磁化は徐々に小さくなる。
しかし、該第１の面内磁化層２が、よりキュリー温度の
高い第２の面内磁化層３と交換結合しているため、該第
１の面内磁化層２のキュリー温度Ｔ１より低い温度範囲
においては、再生層１が、第１の面内磁化層２を介し
て、第２の面内磁化層３と交換結合することになる。
【００３８】上記第２の面内磁化層３は、第１の面内磁
化層２よりも高いキュリー温度Ｔ２を有しているため、
再生層１が面内磁化状態から垂直磁化状態へと変化する
臨界温度近傍においても、十分大きな磁化を有してい
る。再生層１が、第１の面内磁化層２を介して、十分大
きな磁化を有する第２の面内磁化層３と交換結合するこ
とにより、垂直磁化領域６近傍の、臨界温度近傍の温度
を有する領域においても、再生層１を面内磁化状態に強
く固定することが可能となる。
【００３９】次に、第１の面内磁化層２において、キュ
リー温度Ｔ１以上の領域、すなわち垂直磁化領域６にお
いては、もはや再生層１と第２の面内磁化層３との交換
結合は存在しない。よって、再生層１は容易に垂直磁化
状態となり、垂直磁化領域６の記録層４の記録情報が再
生層１へと転写されて、超解像再生が実現することにな
る。
【００４０】以上のように、本実施の形態に係る光磁気
記録媒体は、第１の面内磁化層２のキュリー温度Ｔ１よ
りも高いキュリー温度Ｔ２を有する第２の面内磁化層３
を設けることにより、第１の面内磁化層２がキュリー温
度Ｔ１以下であり、再生層１が第１の面内磁化層２を介
して第２の面内磁化層３と交換結合している領域におい
て、再生層１の面内磁化マスクを強化することができ
る。
【００４１】一方、第１の面内磁化層２がキュリー温度
Ｔ１以上であり、再生層１と第２の面内磁化層３との交
換結合が存在しない領域においては、再生層１が垂直磁
化状態となって、再生可能な垂直磁化領域６を形成する
ことにより、記録情報が再生される。
【００４２】これにより、垂直磁化領域６の近傍におい
ても、再生層１の面内磁化マスクを十分に強化すること
ができ、記録層４から発生する漏洩磁束の影響を排除し
て、高い再生分解能を実現することが可能となる。
【００４３】〔参考形態１〕前記した実施の形態１の参考となる第１の参考形態 につ
いて、図２に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。尚、説明の便宜上、前記した実施の形態１で示した
同一の部材には同一の番号を付し、その説明を省略す
る。
【００４４】まず、本参考形態に係る光磁気記録媒体の
超解像再生動作原理を説明する。図２は、上記光磁気記
録媒体の磁化状態を示す説明図である。
【００４５】超解像再生を行う上記光磁気記録媒体は、
室温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温度で
垂直磁化状態となる再生層１と、再生層１との界面にお
いて、上記臨界温度付近にキュリー温度Ｔ３を有し、該
キュリー温度Ｔ３より記録層４との界面のキュリー温度
Ｔ４が高くなるように、キュリー温度が膜厚方向に連続
的に変化している第３の面内磁化層１１と、室温近傍に
補償温度を有する垂直磁化膜からなる記録層４とで構成
されている。
【００４６】再生においては、再生層１が面内磁化状態
である領域において、該再生層１が第３の面内磁化層１
１と交換結合することにより、面内磁化マスクが形成さ
れ、再生層１が垂直磁化状態となった垂直磁化領域６に
相当する記録層４の記録情報が、再生層１へと転写され
て超解像再生が実現する。
【００４７】ここで、再生に伴い、第３の面内磁化層１
１において、上記再生層１との界面側の部分は、キュリ
ー温度Ｔ３まで温度上昇して磁化が小さくなるので、上
記再生層１を面内磁化状態に固定する力が弱くなる。し
かし、該第３の面内磁化層１１には膜厚方向にキュリー
温度分布が存在するため、再生層１から離れて記録層４
に近づくにつれて、該第３の面内磁化層１１のキュリー
温度が高くなり、それに伴って同時に磁化も大きくな
る。ゆえに、上記再生層１を面内磁化状態に固定するこ
とができる。
【００４８】上記再生層１が臨界温度以下のときは、上
記再生層１と上記第３の面内磁化層１１とは交換結合し
ている。第３の面内磁化層１１は、膜厚方向に温度分布
を有しているので、第３の面内磁化層１１の再生層１に
近接した部分のキュリー温度Ｔ３近傍まで温度上昇して
磁化が小さくなった温度範囲においても、第３の面内磁
化層１１の再生層１から離れた部分（記録層４との界面
側の部分）の十分大きな磁化と交換結合することができ
る。ゆえに、垂直磁化領域６の近傍の、臨界温度以下の
領域においても、再生層１を強く面内磁化状態に固定す
ることが可能となる。
【００４９】一方、第３の面内磁化層１１の再生層１に
近接した部分がキュリー温度Ｔ３以上に温度上昇した領
域においては、上記再生層１との交換結合は存在せず、
再生層１は容易に垂直磁化状態となる。従って、垂直磁
化領域６に相当する記録層４の記録情報が再生層１へと
転写されて、超解像再生が実現することになる。
【００５０】以上のように、再生層１との界面におい
て、上記臨界温度付近にキュリー温度Ｔ３を有し、該キ
ュリー温度Ｔ３より記録層４との界面のキュリー温度Ｔ
４が高くなるように、キュリー温度が膜厚方向に連続的
に変化している第３の面内磁化層１１を設けることによ
り、垂直磁化領域６近傍の、臨界温度付近まで温度上昇
した領域において、再生層１の面内磁化マスクが十分に
強化され、高い再生分解能を実現することが可能とな
る。
【００５１】参考形態１の光磁気記録媒体は、室温では
面内磁化状態であり、臨界温度以上の温度で垂直磁化状
態に移行する再生層と、面内磁化膜からなる面内磁化層
と、垂直磁化膜からなる記録層とが、この順に積層され
ている光磁気記録媒体において、上記面内磁化層のキュ
リー温度は、上記記録層との界面側の方が、上記再生層
との界面側よりも高くなるように、層厚方向に連続的に
変化していることを特徴としている。
【００５２】上記の構成によれば、再生層と記録層との
間に設けられている面内磁化層は、記録層との界面側の
キュリー温度の方が、再生層との界面側のキュリー温度
よりも高くなるように、層厚方向にキュリー温度が連続
的に変化しており、キュリー温度以下の温度領域では、
上記再生層と交換結合している。
【００５３】従って、再生時、面内磁化層において再生
層に近接した部分が、そのキュリー温度付近まで温度上
昇すると磁化が小さくなり、上記再生層を面内磁化状態
に固定する力は弱くなる。しかし、上記面内磁化層に
は、層厚方向にキュリー温度分 布が存在するので、再生
層から離れて記録層に近づくにつれてキュリー温度が高
くなり、それに伴い磁化も大きくなる。よって、上記再
生層は、該再生層から離れた部分（記録層側）の面内磁
化層と交換結合することになる。
【００５４】一方、再生層に近接した部分の面内磁化層
が、そのキュリー温度付近まで温度上昇した領域におい
ては、上記再生層と上記面内磁化層との交換結合は存在
しないので、上記再生層は垂直磁化状態となり、上記記
録層の磁化方向が上記再生層に転写されて再生される。
【００５５】以上のように、再生層が垂直磁化状態とな
っている領域近傍の臨界温度付近の領域であっても、再
生層により強化された面内磁化によるマスクが形成され
て、記録層からの漏洩磁束を完全に遮断することができ
る。
【００５６】これにより、小さい記録ビット径および小
さい記録ビット間隔であっても十分な再生信号を得るこ
と、すなわち磁気的超解像再生において再生分解能を高
めることができる。
【００５７】〔実施の形態２〕 本発明の第２の実施の形態に係る光磁気記録媒体につい
て、図３に基づいて説明すれば、以下のとおりである。
尚、説明の便宜上、前記した実施の形態１または参考形
態１で示した同一の部材には同一の番号を付し、その説
明を省略する。
【００５８】まず、本実施の形態に係る光磁気記録媒体
の超解像再生動作原理を説明する。図３は、超解像再生
動作を行う上記光磁気記録媒体の磁化状態を示す説明図
である。
【００５９】本実施の形態に係る光磁気記録媒体は、室
温において面内磁化状態であり臨界温度以上の温度で垂
直磁化状態となる再生層１と、前記臨界温度近傍にキュ
リー温度Ｔ１を有する第１の面内磁化層２と、前記第１
の面内磁化層のキュリー温度Ｔ１よりも高いキュリー温
度Ｔ２を有する第２の面内磁化層３と、非磁性膜からな
る非磁性中間層１２と、室温近傍に補償温度を有する垂
直磁化膜からなる記録層４とで構成されている。すなわ
ち、前記した実施の形態１において、第２の面内磁化層
３と記録層４との間に非磁性中間層１２が形成された構
成となっている。
【００６０】実施の形態１においては、第２の面内磁化
層３と記録層４との間にも交換結合が働く。よって、第
２の面内磁化層３を完全な面内磁化状態とするために
は、該第２の面内磁化層３の膜厚を厚くする必要があ
る。しかし、本実施の形態においては、第２の面内磁化
層３と記録層４との間に非磁性中間層１２が設けられて
いるので、第２の面内磁化層３と記録層４との間には交
換結合が働かない。従って、第２の面内磁化層３の膜厚
を薄くすることが可能となり、膜厚低減による記録感度
の改善を行うことが可能となる。
【００６１】以上のように、本実施の形態に係る光磁気
記録媒体は、実施の形態１の場合と同様に、第１の面内
磁化層２のキュリー温度Ｔ１よりも高いキュリー温度Ｔ
２を有する第２の面内磁化層３を設けることにより、上
記第１の面内磁化層２がキュリー温度Ｔ１以下であり、
再生層１が該第１の面内磁化層２を介して第２の面内磁
化層３と交換結合している領域においては、上記再生層
１の面内磁化マスクが強化される。また、第１の面内磁
化層２がキュリー温度Ｔ１以上であり、再生層１と第２
の面内磁化層３との交換結合が存在しない領域において
は、再生層１は垂直磁化状態となって、再生可能な垂直
磁化領域６を形成することにより、記録情報が再生され
る。
【００６２】これにより、該垂直磁化領域６近傍の、臨
界温度付近まで温度上昇した領域においても上記再生層
１の面内磁化マスクを十分に強化でき、高い再生分解能
を実現することが可能となる。
【００６３】さらに、第２の面内磁化層３と記録層４と
の間に非磁性中間層１２を設けることにより、上記第２
の面内磁化層３と上記記録層４との間の交換結合を遮断
することができるので、第２の面内磁化層３の膜厚を低
減して、記録感度を改善することができる。
【００６４】〔参考形態２〕前記した実施の形態２の参考となる第２の参考形態 につ
いて、図４に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。尚、説明の便宜上、前記した実施の形態１、２、参
考形態１のいずれかで示した同一の部材には同一の番号
を付し、その説明を省略する。
【００６５】まず、本参考形態に係る光磁気記録媒体の
超解像再生動作原理を説明する。図４は、本参考形態に
係る光磁気記録媒体の磁化状態を示す説明図である。
【００６６】上記光磁気記録媒体は、室温において面内
磁化状態であり臨界温度以上の温度で垂直磁化状態とな
る再生層１と、該再生層１との界面において、上記臨界
温度付近にキュリー温度Ｔ３を有し、該キュリー温度Ｔ
３より非磁性中間層１２との界面のキュリー温度Ｔ４が
高くなるように、キュリー温度が膜厚方向に連続的に変
化している第３の面内磁化層１１と、非磁性膜からなる
非磁性中間層１２と、室温近傍に補償温度を有する垂直
磁化膜からなる記録層４とで構成されている。すなわ
ち、本参考形態に係る光磁気記録媒体は、前記した参考
形態１に係る光磁気記録媒体における第３の面内磁化層
１１と記録層４との間に、非磁性中間層１２が設けられ
た構成となっている。
【００６７】参考形態１においては、第３の面内磁化層
１１と記録層４との間に交換結合が働くため、第３の面
内磁化層１１を完全な面内磁化状態とするために、第３
の面内磁化層１１の膜厚を厚くする必要がある。しか
し、本参考形態においては、第３の面内磁化層１１と記
録層４との間に非磁性中間層１２が設けられているの
で、第３の面内磁化層１１と記録層４との間に交換結合
が働かない。これにより、第３の面内磁化層１１の膜厚
を薄くすることが可能となり、膜厚低減による記録感度
の改善を行うことができる。
【００６８】以上のように、本参考形態に係る光磁気記
録媒体は、参考形態１と同様に、再生層１との界面にお
いて、再生層１の臨界温度付近にキュリー温度Ｔ３を有
し、該キュリー温度Ｔ３より非磁性中間層１２との界面
のキュリー温度Ｔ４が高くなるように、キュリー温度が
膜厚方向に連続的に変化している第３の面内磁化層１１
を設けている。
【００６９】これにより、垂直磁化領域６近傍の臨界温
度以下の領域において、再生層１の面内磁化マスクを十
分に強化することができるので、高い再生分解能を実現
することが可能となる。
【００７０】さらに、第３の面内磁化層１１と記録層４
との間に非磁性中間層１２を設けることにより、上記第
３の面内磁化層１１と上記記録層４との間の交換結合を
遮断することができるので、第３の面内磁化層１１の膜
厚を低減して、記録感度を改善することができる。
【００７１】〔実施の形態３〕 本発明の第３の実施の形態について、図５に基づいて説
明すれば、以下のとおりである。尚、説明の便宜上、前
記した実施の形態１、２、参考形態１、２のいずれかで
示した同一の部材には同一の番号を付し、その説明を省
略する。
【００７２】まず、本実施の形態に係る光磁気記録媒体
の超解像再生動作原理を説明する。図５は、本実施の形
態に係る光磁気記録媒体の磁化状態を示す説明図であ
る。
【００７３】上記光磁気記録媒体は、室温において面内
磁化状態であり臨界温度以上の温度で垂直磁化状態とな
る再生層１と、前記臨界温度近傍にキュリー温度Ｔ１を
有する第１の面内磁化層２と、該キュリー温度Ｔ１より
も高いキュリー温度Ｔ２を有する第２の面内磁化層３
と、透明誘電体の非磁性膜からなる非磁性中間層１３
と、反射層１４と、室温近傍に補償温度を有する垂直磁
化膜からなる記録層４とで構成されている。
【００７４】前記した実施の形態２においては、第２の
面内磁化層３と記録層４との間に非磁性中間層１２を設
けて、第２の面内磁化層３と記録層４との交換結合を遮
断することにより、第２の面内磁化層３の薄膜化を実現
するものであった。しかし、本実施の形態においては、
非磁性中間層１２を透明誘電体からなる非磁性中間層１
３とし、更に反射層１４を設けることにより、多層膜構
造において発生する干渉効果を利用したカー回転角の増
大を図るとともに、反射層１４において光ビーム５が反
射されることにより、記録層４からの信号再生をより完
全に遮断し、再生層１に転写された情報のみを再生する
ことができるので、超解像再生特性を改善することが可
能となる。
【００７５】以上のように、本実施の形態に係る光磁気
記録媒体は、非磁性中間層１３と記録層４との間にさら
に反射層１４を設けることにより、実施の形態２の構成
による効果に加えて、垂直磁化領域６近傍における記録
層４からの漏洩磁束を完全に遮断して、さらに再生分解
能を改善することができる。
【００７６】〔参考形態３〕前記した実施の形態３の参考となる第３の参考形態 につ
いて、図６に基づいて説明すれば、以下のとおりであ
る。尚、説明の便宜上、前記した実施の形態１、２、
３、参考形態１、２のいずれかで示した同一の部材には
同一の番号を付し、その説明を省略する。
【００７７】まず、本参考形態に係る光磁気記録媒体の
超解像再生動作原理を説明する。図６は、本参考形態に
係る光磁気記録媒体の磁化状態を示す説明図である。
【００７８】本参考形態に係る光磁気記録媒体は、室温
において面内磁化状態であり臨界温度以上の温度で垂直
磁化状態となる再生層１と、再生層１との界面におい
て、上記臨界温度付近にキュリー温度Ｔ３を有し、該キ
ュリー温度Ｔ３よりも、後述する透明誘電体からなる非
磁性中間層１３との界面のキュリー温度Ｔ４が高くなる
ように、キュリー温度が膜厚方向に連続的に変化してい
る第３の面内磁化層１１と、透明誘電体の非磁性膜から
なる非磁性中間層１３と、反射層１４と、室温近傍に補
償温度を有する垂直磁化膜からなる記録層４とで構成さ
れている。
【００７９】前記した参考形態２においては、第３の面
内磁化層１１と記録層４との間に非磁性中間層１２を設
け、第３の面内磁化層１１と記録層４との交換結合を遮
断することにより、第３の面内磁化層１１の薄膜化を実
現するものであった。しかし、本参考形態においては、
非磁性中間層１２を透明誘電体からなる非磁性中間層１
３とし、更に反射層１４を設けることにより、多層膜構
造において発生する干渉効果を利用したカー回転角の増
大を図る。さらに、反射層１４において光ビーム５が反
射されることにより、記録層４からの信号再生をより完
全に遮断し、再生層１に転写された情報のみを再生する
ことができ、超解像再生特性を改善することが可能とな
る。
【００８０】以上のように、本参考形態に係る光磁気記
録媒体は、非磁性中間層１３と記録層４との間にさらに
反射層１４を設けることにより、参考形態３の構成によ
る効果に加えて、垂直磁化領域６近傍における記録層４
からの漏洩磁束を完全に遮断して、さらに再生分解能を
改善することができる。
【００８１】
【実施例】次に、本発明に係る光磁気記録媒体について
具体的に説明する。
【００８２】（実施例１） 本発明の第１の実施例について、図７に基づいて説明す
る。尚、本実施例は、前述の実施の形態１で説明した光
磁気記録媒体について具体的に説明するものであり、該
光磁気記録媒体を光磁気ディスクに適用した場合につい
て説明する。
【００８３】上記光磁気記録媒体を適用した光磁気ディ
スクは、図７に示すように、光磁気ディスク基板７上に
透明誘電体層８、再生層１、第１の面内磁化層２、第２
の面内磁化層３、記録層４、保護層９、オーバーコート
層１０が順次形成された構成を有している。
【００８４】このような光磁気ディスクでは、その記録
方式としてキュリー温度記録方式が用いられている。す
なわち、半導体レーザから出射される光ビーム５が再生
層１へと絞りこまれ、記録層４をキュリー温度以上に温
度上昇させると共に、該記録層４に外部磁界を加え、該
記録層４の磁化方向を制御することにより記録が行われ
る。
【００８５】また、再生は、同一光ビーム５を記録時よ
りも弱いパワーに設定し、極カー効果として知られる光
磁気効果によって、情報の再生が行われるようになって
いる。上記極カー効果とは、光入射表面に垂直な磁化の
向きにより、反射光の偏光面の回転の向きが逆方向にな
る現象である。
【００８６】光磁気ディスク基板７は、例えばポリカー
ボネート等の透明な基材からなり、ディスク状に形成さ
れ、さらに膜形成表面に案内溝等を有している。
【００８７】透明誘電体層８には、ＡｌＮ，ＳｉＮ，Ａ
ｌＳｉＮ，Ｔａ2 Ｏ 2等の透明誘電体を用いることが望
ましい。その膜厚は、入射する光ビーム５に対して、良
好な干渉効果が実現し、光磁気記録媒体の極カー回転角
が増大すべく設定される必要がある。従って、光ビーム
５の波長をλ、透明誘電体層８の屈折率をｎとした場
合、透明誘電体層８の膜厚はλ／４ｎ程度に設定され
る。例えば光ビーム５の波長を６８０ｎｍとした場合、
透明誘電体層８の膜厚を４０ｎｍ以上１００ｎｍ以下程
度に設定すれば良い。
【００８８】再生層１は、室温において面内磁化状態で
あり臨界温度以上の温度で垂直磁化状態となる特性を有
する、希土類遷移金属合金を主成分とした合金薄膜であ
り、室温において、希土類金属（Rare Earth：ＲＥ）を
多く含有しているＲＥ−ｒｉｃｈ組成のＧｄＦｅＣｏ，
ＧｄＦｅ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅ等の材料を
用いることが可能である。
【００８９】また、上記再生層１の膜厚は、１５ｎｍ以
上６０ｎｍ以下の範囲に設定されていることが望まし
い。再生層１の膜厚が１５ｎｍより薄くなると、良好な
面内磁化マスク効果が得られなくなり、再生層１の膜厚
が６０ｎｍより厚くなると、膜厚増加による記録感度劣
化が顕著となってくる。
【００９０】第１の面内磁化層２は、上記再生層１の前
記臨界温度近傍にキュリー温度Ｔ１を有する面内磁化膜
であり、希土類遷移金属合金を主成分とした合金薄膜、
例えば、ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＦｅ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，
ＧｄＤｙＦｅからなる面内磁化膜が用いられる。また、
これらの面内磁化膜のキュリー温度を調整するために、
Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の非磁性金属を含有した面内磁化
膜、またはＮｄ等の軽希土類金属を含有した面内磁化膜
を用いることも可能である。
【００９１】また、第１の面内磁化層２の膜厚は、１ｎ
ｍ以上２０ｎｍ以下の範囲に設定されていることが望ま
しい。第１の面内磁化層２の膜厚が１ｎｍより薄くなる
と、第１の面内磁化層２のキュリー温度Ｔ１より高い温
度範囲においても、再生層１と第２の面内磁化層３とが
交換結合してしまうことになり、再生層１が垂直磁化状
態となる垂直磁化領域６を形成することが困難となる。
また、第１の面内磁化層２の膜厚が２０ｎｍより厚くな
ると、第１の面内磁化層２のキュリー温度より低い温度
範囲において、第１の面内磁化層２を介して働く再生層
１と第２の面内磁化層３との交換結合が弱くなり、再生
層１の面内磁化マスクを強化することが困難となる。
【００９２】第２の面内磁化層３は、前記第１の面内磁
化層２のキュリー温度Ｔ１よりも高いキュリー温度Ｔ２
を有する面内磁化膜であり、希土類遷移金属合金を主成
分とした合金薄膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＦｅ，
ＧｄＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅからなる面内磁化膜が
用いられる。
【００９３】また、これら第１および第２の面内磁化膜
２，３のキュリー温度を調整するために、Ａｌ，Ｔｉ，
Ｔａ等の非磁性金属を含有した面内磁化膜、または、Ｎ
ｄ等の軽希土類金属を含有した面内磁化膜を用いること
も可能である。
【００９４】また、上記第２の面内磁化層３の膜厚は、
略３０ｎｍ以上の範囲に設定されていることが望まし
い。第２の面内磁化層３の膜厚が３０ｎｍより薄くなる
と、記録層４からの交換結合力により、第２の面内磁化
層３を完全な面内磁化状態とすることが困難となり、再
生層１の面内磁化マスクが弱くなる。
【００９５】さらに、第１の面内磁化層２と第２の面内
磁化層３とのトータル膜厚は、略６０ｎｍ以下の範囲に
設定されることが望ましい。第１の面内磁化層２と第２
の面内磁化層３とのトータル膜厚が６０ｎｍより大きく
なると、再生層１と記録層４との距離が大きくなること
により、再生層１と記録層４との間に働く静磁結合力が
弱くなり、安定した再生を行うことが困難となるからで
ある。
【００９６】記録層４は、希土類遷移金属合金からなる
垂直磁化膜であり、ＴｂＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，Ｔｂ
ＤｙＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ，
ＧｄＴｂＤｙＦｅＣｏ等の材料を用いることが可能であ
る。
【００９７】また、上記記録層４の膜厚は、３０ｎｍ以
上８０ｎｍ以下の範囲に設定されていることが望まし
い。本実施例においては、記録層４から発生する漏洩磁
束と再生層１の垂直磁化領域６の垂直磁化とが静磁結合
することにより再生が行われる。従って、記録層４から
十分に大きな漏洩磁束を発生させる必要があるが、記録
層４の膜厚が３０ｎｍより薄くなると記録層４から発生
する漏洩磁束が小さくなり、安定した再生を行うことが
困難になる。反対に、記録層４の膜厚が８０ｎｍより厚
くなると、膜厚増加による記録感度劣化が顕著となって
くる。
【００９８】保護層９は、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉ
Ｎ，Ｔａ2 Ｏ3 等の透明誘電体、またはＡｌ，Ｔｉ，Ｔ
ａ，Ｎｉ等の金属からなる非磁性金属合金からなり、再
生層１及び第１の面内磁化層２及び第２の面内磁化層３
及び記録層４に用いる希土類遷移金属合金の酸化を防止
する目的で形成される。その膜厚は、５ｎｍ〜６０ｎｍ
の範囲に設定されていることが望ましい。上記保護層９
の膜厚が５ｎｍより薄くなると酸化防止効果が低下して
しまう。また、保護層９の膜厚が６０ｎｍより厚くなる
と膜厚増加による記録感度劣化が顕著となってくる。
【００９９】オーバーコート層１０は、紫外線硬化樹
脂、熱硬化樹脂または潤滑層であり、光磁気記録媒体を
物理的な摩耗から守るために設けられるものである。
【０１００】また、低磁界記録を目的として、記録層４
に接して、該記録層４よりキュリー温度が高く、保磁力
の小さい垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂ
ＦｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記
録補助層を積層して形成してもよい。
【０１０１】また、上記保護層９の上に、Ａｌ，ＡｌＴ
ｉ，ＡｌＮｉ，ＡｌＴａ等の放熱層を形成した後、オー
バーコート層１０を形成することにより、光磁気記録媒
体の熱的特性を改善することが可能となる。具体的に
は、レーザビーム照射により光磁気記録媒体に蓄積され
た熱を、すみやかに放熱層へと拡散させることにより、
光磁気記録媒体の過度温度上昇による特性劣化を抑制す
ることが可能となる。
【０１０２】次に、以上のような光磁気ディスクの形成
方法及び記録再生の具体例を説明する。
【０１０３】（１）光磁気ディスクの形成方法 上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明す
る。
【０１０４】まず、ＡｌターゲットとＧｄターゲットと
ＴｂターゲットとＦｅターゲットとＣｏターゲットとを
それぞれ備えたスパッタ装置内に、ランド幅０．５０μ
ｍ、グルーブ幅０．５０μｍ、溝深さ７０ｎｍのランド
及びグルーブからなる案内溝を有し、ディスク状に形成
されたポリカーボネート製の光磁気ディスク基板７を配
置する。
【０１０５】そして、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏ
ｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒素の混合ガスを
導入し、Ａ１ターゲットに電力を供給して、ガス圧４×
１０-3Ｔｏｒｒの条件で、光磁気ディスク基板７にＡｌ
Ｎからなる透明誘電体層８を膜厚８０ｎｍで形成する。
【０１０６】次に、再度、スパッタ装置内を１×１０-6
Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し
て、ＧｄとＦｅとＣｏのターゲットにそれぞれ電力を供
給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、上記透明
誘電体層８上に、Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.69か
らなる再生層１を膜厚３０ｎｍで形成する。該再生層１
は、室温において面内磁化状態であり、１５０℃の臨界
温度で垂直磁化状態となる特性を有しており、そのキュ
リー温度３２０℃まで垂直磁化状態を保持し、補償点は
存在しない。
【０１０７】続いて、ＧｄとＦｅのターゲットにそれぞ
れ電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件
で、上記再生層１上に、Ｇｄ0.12Ｆｅ0.88からなる第１
の面内磁化層２を膜厚５ｎｍで形成する。該第１の面内
磁化層２は、室温からそのキュリー温度Ｔ１１４０℃ま
で、遷移金属（Transition Metal：ＴＭ）を多く含有し
ているＴＭ−ｒｉｃｈ組成の面内磁化膜である。
【０１０８】続いて、ＧｄとＦｅとＣｏのターゲットに
それぞれ電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの
条件で、上記第１の面内磁化層２上に、Ｇｄ0.12（Ｆｅ
0.88Ｇｏ0.12）0.88からなる第２の面内磁化層３を膜厚
３５ｎｍで形成する。該第２の面内磁化層３は、室温か
らそのキュリー温度Ｔ２２２０℃まで、ＴＭ−ｒｉｃｈ
組成の面内磁化膜である。
【０１０９】続いて、ＴｂとＦｅとＣｏのターゲットに
それぞれ電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの
条件で、上記第２の面内磁化層３上に、Ｔｂ0.22（Ｆｅ
0.82Ｃｏ0.18）0.78からなる記録層４を膜厚４０ｎｍで
形成する。該記録層４は、補償温度が２５℃であり、キ
ュリー温度が２６０℃である。
【０１１０】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、上記記録層４上にＡｌＮからなる
保護層９を膜厚２０ｎｍで形成する。
【０１１１】最後に、紫外線硬化樹脂を保護層９上にス
ピンコートし、紫外線を照射することによりオーバーコ
ート層１０を形成した。
【０１１２】（２）記録再生特性 波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップ
を用いて、上記光磁気ディスクのランド上でのＣＮＲ
（信号対雑音比）を測定する。この測定では、記録は磁
界変調記録方式により行われている。すなわち、上記光
磁気ディスクを回転させて線速を２．５ｍ／ｓとし、該
光磁気ディスクに対してレーザパワーを６ｍＷで連続照
射し、４ＭＨｚの周波数で変調された±２５０Ｏｅの記
録磁界を印加することにより記録が行われる。
【０１１３】また、再生は、最も大きなＣＮＲが得られ
るようにレーザパワーを調整して行われる。本実施例の
超解像の光磁気ディスクにおける再生レーザパワーは
２．２ｍＷである。比較のため、本実施例に係る光磁気
ディスクにおいて、第２の面内磁化層３を設けず、第１
の面内磁化層２の膜厚を４０ｎｍとした超解像の光磁気
ディスクを比較例１として用意し、同様の測定を行う。
【０１１４】上記測定において、比較例１のＣＮＲが３
７．５ｄＢであるのに対して、本実施例のＣＮＲは３
９．５ｄＢとなり、２．０ｄＢのＣＮＲの増大が確認さ
れた。
【０１１５】また、本実施例および比較例１の超解像の
光磁気ディスクに対し、同様にしてランド上に記録を行
った後、隣接するグルーブ上にレーザ光を移動し、ラン
ド上に記録された情報からのクロストーク量（ＣＴ）を
測定する。この測定の結果、比較例１のＣＴが１５．０
ｄＢ存在したのに対して、本実施例のＣＴは１１．５ｄ
Ｂとなり、３．５ｄＢほどクロストークが小さくなって
いることが確認された。
【０１１６】本実施例においては、再生層１として、Ｇ
ｄ0.31（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.69を用い、第１の面内磁
化層２として、ＴＭ−ｒｉｃｈ組成のＧｄ0.12Ｆｅ0.88
を用い、第２の面内磁化層３として、ＴＭ−ｒｉｃｈ組
成のＧｄ0.12（Ｆｅ0.88Ｇｏ0.12）0.88を用い、記録層
４として、Ｔｂ0.22（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.78を用いた
が、この組成に限られるものではない。
【０１１７】上記再生層１は、１００℃〜２００℃の範
囲のある温度において、面内磁化状態から垂直磁化状態
へと転移する磁気持牲を有していれば良い。上記第１の
面内磁化層２及び第２の面内磁化層３としては、ＲＥ−
ｒｉｃｈ組成の面内磁化膜を用いることが可能である。
また、上記記録層４は、室温からの温度上昇とともに、
磁化が大きくなり、上記再生層１が垂直磁化状態となる
温度近傍において、磁化の大きさが最大となるように、
補償温度が室温付近に設定されていることが望ましい。
【０１１８】（参考例１） 本発明の第１の参考例について、図８に基づいて説明す
る。尚、本参考例は、前述の参考形態１で説明した光磁
気記録媒体について、具体的に説明するものであり、該
光磁気記録媒体を光磁気ディスクに適用した場合につい
て説明する。
【０１１９】上記光磁気ディスクは、図８に示すよう
に、光磁気ディスク基板７上に透明誘電体層８、再生層
１、第３の面内磁化層１１、記録層４、保護層９、オー
バーコート層１０が順次形成された構成を有している。
【０１２０】本参考例の光磁気ディスクの記録再生は、
前記した実施例１と同様にして行われる。また、光磁気
ディスク基板７、透明誘電体層８、再生層１、記録層
４、保護層９、オーバーコート層１０は、実施例１と同
様な材料を用いて形成されることが可能である。
【０１２１】第３の面内磁化層１１は、再生層１との界
面において、上記臨界温度付近にキュリー温度Ｔ３を有
し、該キュリー温度Ｔ３より記録層４との界面のキュリ
ー温度Ｔ４が高くなるように、キュリー温度が膜厚方向
に連続的に変化するように形成されている。該第３の面
内磁化層１１は、希土類遷移金属合金を主成分とした合
金薄膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＦｅ，ＧｄＤｙＦ
ｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅからなる面内磁化膜、または、こ
れらの面内磁化膜のキュリー温度を調整するために、Ａ
ｌ，Ｔｉ，Ｔａ等の非磁性金属を含有した面内磁化膜、
または、Ｎｄ等の軽希土類金属を含有した面内磁化膜に
おいて、膜厚方向に組成傾斜を存在させることにより実
現可能である。
【０１２２】また、上記第３の面内磁化層１１の膜厚
は、３０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の範囲に設定されている
ことが望ましい。該第３の面内磁化層１１の膜厚が３０
ｎｍより薄くなると、記録層４からの交換結合力によ
り、第３の面内磁化層１１を完全な面内磁化状態とする
ことが困難となり、再生層１の面内磁化マスクが弱くな
る。一方、該第３の面内磁化層１１が６０ｎｍより厚く
なると、再生層１と記録層４との距離が離れることによ
り、再生層１と記録層４との静磁結合が弱くなり、安定
した超解像再生を行うことが困難となる。
【０１２３】また、低磁界記録を目的として、記録層４
に接し、記録層４よりキュリー温度が高く、保磁力の小
さい垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ等からなる記録補助層を積層し
て形成してもよい。
【０１２４】また、保護層９の上に、Ａｌ，ＡｌＴｉ，
ＡｌＮｉ，ＡｌＴａ等の放熱層を形成した後、オーバー
コート層１０を形成することにより、光磁気記録媒体の
熱的特性を改善することが可能となる。具体的には、レ
ーザビーム照射により光磁気記録媒体に蓄積された熱
を、すみやかに放熱層へと拡散させることにより、光磁
気記録媒体の過度温度上昇による特性劣化を抑制するこ
とが可能となる。
【０１２５】次に、以上のような光磁気ディスクの形成
方法及び記録再生の具体例を説明する。
【０１２６】（１）光磁気ディスクの形成方法 上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明す
る。
【０１２７】まず、ＡｌターゲットとＧｄターゲットと
ＴｂターゲットとＦｅターゲットとＣｏターゲットとを
それぞれ備えたスパッタ装置内に、ランド幅０．５０μ
ｍ、グルーブ幅０．５０μｍ、溝深さ７０ｎｍのランド
及びグルーブからなる案内溝を有し、ディスク状に形成
されたポリカーボネート製の光磁気ディスク基板７を配
置する。そして、実施例１と同様にして、膜厚８０ｎｍ
のＡｌＮからなる透明誘電体層８、膜厚３０ｎｍのＧｄ
0.31（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.69からなる再生層１を形成
する。
【０１２８】続いて、ＧｄとＦｅとＣｏとＡｌのターゲ
ットにそれぞれ電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏ
ｒｒの条件で、上記再生層１上に、第３の面内磁化層１
１を膜厚４０ｎｍで形成する。該第３の面内磁化層１１
は、成膜開始時に各ターゲットに投入する電力比を（Ｇ
ｄ：Ｆｅ：Ｃｏ：Ａｌ＝１０：８０：５：５）として、
成膜開始と同時にＦｅとＣｏとに投入する電力を連続的
に変化させ、成膜終了時に各ターゲットに投入される電
力比が（Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ：Ａｌ＝１０：７０：１５：
５）となるようにして形成する。該第３の面内磁化層１
１は、再生層１側のキュリー温度Ｔ３が１４０℃であ
り、記録層４側のキュリー温度Ｔ４が２３０℃であり、
室温以上の温度でＴＭ−ｒｉｃｈ組成の面内磁化膜であ
る。
【０１２９】続いて、実施例１と同様にして、膜厚４０
ｎｍのＴｂ0.22（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.78からなる記録
層４、膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層９、オーバ
ーコート層１０を形成する。
【０１３０】（２）記録再生特性 波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップ
を用いて、上記光磁気ディスクのランド上でのＣＮＲ
（信号対雑音比）を測定する。この測定では、記録は磁
界変調記録方式により行われている。光磁気ディスクを
回転させて線速を２．５ｍ／ｓとし、該光磁気ディスク
に対してレーザパワーを６ｍＷで連続照射し、４ＭＨｚ
の周波数で変調された±２５０Ｏｅの記録磁界を印加す
ることにより記録が行われる。
【０１３１】また、再生は、最も大きなＣＮＲが得られ
るようにレーザパワーを調整して行われる。本参考例に
係る超解像の光磁気ディスクにおける再生レーザパワー
は２．２ｍＷである。
【０１３２】比較のため、本参考例において、第３の面
内磁化層１１形成時、各ターゲットに投入する電力比を
（Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ：Ａｌ＝１０：８０：５：５）とし
て常に一定に保ち、膜厚方向にキュリー温度分布の存在
しない膜厚４０ｎｍの第３の面内磁化層１１を形成した
超解像光磁気ディスクを比較例２として用意し、同様の
測定を行う。この測定において、比較例２のＣＮＲが３
７．０ｄＢであったのに対して、本参考例のＣＮＲが３
９．０ｄＢとなり、２．０ｄＢのＣＮＲの増大が確認さ
れた。
【０１３３】また、本参考例と比較例２の光磁気ディス
クに対して、同様にランド上に記録を行った後、隣接す
るグルーブ上にレーザ光を移動し、ランド上に記録され
た情報からのクロストーク量（ＣＴ）を測定した結果、
比較例２のＣＴが１５．５ｄＢ存在したのに対して、本
参考例のＣＴが１１．５ｄＢとなり、４．０ｄＢほどク
ロストークが小さくなっていることが確認された。
【０１３４】本参考例においては、再生層１として、Ｇ
ｄ0.31（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.69が用いられ、第３の面
内磁化層１１として、ＴＭ−ｒｉｃｈ組成のＧｄＦｅＣ
ｏＡｌからなる組成変調膜が用いられ、記録層４とし
て、Ｔｂ0.22（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.78が用いられてい
るが、この組成に限られるものではない。
【０１３５】再生層１は、１００℃〜２００℃の範囲の
ある温度において、面内磁化状態から垂直磁化状態へと
転移する磁気特性を有していれば良い。第３の面内磁化
層１１としては、ＲＥ−ｒｉｃｈ組成の組成変調膜を用
いることが可能である。また、記録層４は室温からの温
度上昇とともに磁化が大きくなり、再生層１が垂直磁化
状態となる温度近傍において磁化の大きさが最大となる
ように、補償温度が室温付近に設定されていることが望
ましい。
【０１３６】（実施例２） 本発明の第２の実施例について、図９に基づいて説明す
る。尚、本実施例は、前述の実施の形態２で説明した光
磁気記録媒体について、具体的に説明するものであり、
該光磁気記録媒体を光磁気ディスクに適用した場合につ
いて説明する。
【０１３７】上記光磁気ディスクは、図９に示すよう
に、光磁気ディスク基板７上に透明誘電体層８、再生層
１、第１の面内磁化層２、第２の面内磁化層３、非磁性
中間層１２、記録層４、保護層９、オーバーコート層１
０が順次形成された構成を有している。
【０１３８】本実施例に係る光磁気ディスクの記録再生
は、前記した実施例１の場合と同様にして行われる。
【０１３９】また、光磁気ディスク基板７、透明誘電体
層８、再生層１、第１の面内磁化層２、第２の面内磁化
層３、記録層４、保護層９、オーバーコート層１０は、
実施例１と同様の材料を用いて形成されることが可能で
ある。
【０１４０】実施例１においては、第２の面内磁化層３
と記録層４とが直接積層されているため、第２の面内磁
化層の膜厚を３０ｎｍ以上とする必要があった。しか
し、本実施例においては、第２の面内磁化層３と記録層
４との間に非磁性中間層１２が設けられているので、第
２の面内磁化層３と記録層４とが交換結合しない。よっ
て、第２の面内磁化層３の膜厚を５ｎｍ程度まで薄くし
ても、第２の面内磁化層３を完全な面内磁化状態に保つ
ことができ、特性改善効果が得られる。
【０１４１】非磁性中間層１２は、第２の面内磁化層３
と記録層４との交換結合を遮断することを目的として形
成されるものであり、ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ，Ｔ
ａ2Ｏ3 等の非磁性誘電体、または、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｔａ等の非磁性金属、または、それらの合金を用い
ることが可能である。
【０１４２】また、非磁性中間層１２の膜厚は、０．５
ｎｍ以上であることが望ましい。該非磁性中間層１２の
膜厚を０．５ｎｍ以上とすることにより、第２の面内磁
化層３と記録層４との交換結合を完全に遮断することが
できる。これにより、第２の面内磁化層３をさらに薄く
することができる。
【０１４３】また、本実施例においては、第１の面内磁
化層２と第２の面内磁化層３と非磁性中間層１２とのト
ータル膜厚が、６０ｎｍ以下の範囲に設定されることが
望ましい。第１の面内磁化層１と第２の面内磁化層３と
非磁性中間層１２とのトータル膜厚が６０ｎｍより大き
くなると、再生層１と記録層４との距離が大きくなるの
で、再生層１と記録層４との間に働く静磁結合力が弱く
なり、安定した再生を行うことが困難となる。
【０１４４】また、低磁界記録を目的として、記録層４
に接し、記録層４よりキュリー温度が高く、保磁力の小
さい垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ等からなる記録補助層を積層し
て形成してもよい。
【０１４５】また、保護層９の上に、Ａｌ，ＡｌＴｉ，
ＡｌＮｉ，ＡｌＴａ等の放熱層を形成した後、オーバー
コート層１０を形成することにより、光磁気記録媒体の
熱的特性を改善することが可能となる。具体的には、レ
ーザビーム照射により光磁気記録媒体に蓄積された熱
を、すみやかに放熱層へと拡散させることにより、光磁
気記録媒体の過度温度上昇による特性劣化を抑制するこ
とが可能となる。
【０１４６】次に、以上のような構成の光磁気ディスク
の形成方法及び記録再生の具体例を説明する。
【０１４７】（１）光磁気ディスクの形成方法 上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明す
る。
【０１４８】まず、ＡｌターゲットとＧｄターゲットと
ＴｂターゲットとＦｅターゲットとＣｏターゲットとを
それぞれ備えたスパッタ装置内に、ランド幅０．５０μ
ｍ、グルーブ幅０．５０μｍ、溝深さ７０ｎｍのランド
及びグルーブからなる案内溝を有し、ディスク状に形成
されたポリカーボネート製の光磁気ディスク基板７を配
置する。
【０１４９】そして、実施例１と同様にして、膜厚８０
ｎｍのＡｌｎからなる透明誘電体層８、膜厚３０ｎｍの
Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.69からなる再生層１、
膜厚５ｎｍのＧｄ0.12Ｆｅ0.88からなる第１の面内磁化
層２、膜厚１５ｎｍのＧｄ0.12（Ｆｅ0.88Ｇｏ0.12）
0.88からなる第２の面内磁化層３を形成する。
【０１５０】続いて、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、上記第２の面内磁化層３上にＡｌ
ｎからなる非磁性中間層１２を膜厚２ｎｍで形成する。
【０１５１】続いて、実施例１と同様にして、膜厚４０
ｎｍのＴｂ0.22（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.78からなる記録
層４、膜厚２０ｎｍのＡｌｎからなる保護層９、オーバ
ーコート層１０を形成する。
【０１５２】（２）記録再生特性 波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップ
を用いて、上記光磁気ディスクのランド上でのＣＮＲ
（信号対雑音比）を測定する。この測定では、記録は磁
界変調記録方式により行われている。光磁気ディスクを
回転させて線速を２．５ｍ／ｓとし、該光磁気ディスク
に対して、レーザパワーを５．６ｍＷで連続照射し、４
ＭＨｚの周波数で変調された±２５０Ｏｅの記録磁界を
印加することにより、記録が行われる。
【０１５３】また、再生は、最も大きなＣＮＲが得られ
るようにレーザパワーを調整して行う。本実施例の超解
像光磁気ディスクにおける再生レーザパワーは１．９ｍ
Ｗである。比較のため、本実施例において、第２の面内
磁化層３を設けず、第１の面内磁化層２の膜厚を２０ｎ
ｍとした超解像光磁気ディスクを比較例３として用意
し、同様にＣＮＲの測定を行う。
【０１５４】上記測定において、比較例３のＣＮＲが３
８．０ｄＢであったのに対して、本実施例のＣＮＲが４
０．０ｄＢとなり、２．０ｄＢのＣＮＲの増大が確認さ
れた。
【０１５５】また、本実施例および比較例３の超解像光
磁気ディスクに対して、同様にランド上に記録を行った
後、隣接するグルーブ上にレーザ光を移動し、ランド上
に記録された情報からのクロストーク量（ＣＴ）を測定
した結果、比較例３のＣＴが１４．０ｄＢ存在したのに
対して、本実施例のＣＴが１０．５ｄＢとなり、３．５
ｄＢほどクロストークが小さくなっていることが確認さ
れた。
【０１５６】本実施例においては、再生層１として、Ｇ
ｄ0.31（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.69が用いられ、第１の面
内磁化層２として、ＴＭ−ｒｉｃｈ組成のＧｄ0.12Ｆｅ
0.88が用いられ、第２の面内磁化層３として、ＴＭ−ｒ
ｉｃｈ組成のＧｄ0.12（Ｆｅ0.88Ｇｏ0.12）0.88が用い
られ、記録層４として、Ｔｂ0.22（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）
0.78が用いられたが、この組成に限られるものではな
い。
【０１５７】再生層１は、１００℃〜２００℃の範囲内
のある温度において、面内磁化状態から垂直磁化状態へ
と転移する磁気特性を有していれば良い。第１の面内磁
化層２及び第２の面内磁化層３としては、ＲＥ−ｒｉｃ
ｈ組成の面内磁化膜を用いることが可能である。また、
記録層４は室温からの温度上昇とともに、磁化が大きく
なり、再生層１が垂直磁化状態となる温度近傍におい
て、磁化の大きさが最大となるように、補償温度が室温
付近に設定されていることが望ましい。
【０１５８】（参考例２） 本発明の第２の参考例について、図１０に基づいて説明
する。尚、本参考例は、前述の参考形態２で説明した光
磁気記録媒体について、具体的に説明するものである。
【０１５９】本参考例では、参考形態２に係る光磁気記
録媒体を光磁気ディスクに適用した場合について説明す
る。上記光磁気ディスクは、図１０に示すように、光磁
気ディスク基板７上に透明誘電体層８、再生層１、第３
の面内磁化層１１、非磁性中間層１２、記録層４、保護
層９、オーバーコート層１０が順次形成された構成を有
している。
【０１６０】本参考例の光磁気ディスクの記録再生は、
実施例１の場合と同様にして行われる。また、光磁気デ
ィスク基板７、透明誘電体層８、再生層１、第３の面内
磁化層１１、記録層４、保護層９、オーバーコート層１
０は、参考例１と同様の材料を用いて形成されることが
可能である。
【０１６１】参考例１においては、第３の面内磁化層１
１と記録層４とが直接積層されているため、第３の面内
磁化層１１の膜厚を３０ｎｍ以上とする必要があった。
しかし、本参考例においては、第３の面内磁化層１１と
記録層４との間に非磁性中間層１２が設けられているの
で、第３の面内磁化層１１と記録層４とが交換結合しな
い。従って、第３の面内磁化層１１の膜厚を１０ｎｍ程
度まで薄くしても、第３の面内磁化層１１の面内磁化状
態を完全とすることができ、特性改善効果が得られる。
【０１６２】また、非磁性中間層１２は、第３の面内磁
化層１１と記録層４との交換結合を遮断することを目的
として設けられているものであり、ＡｌＮ，ＳｉＮ，Ａ
ｌＳｉＮ等の非磁性誘電体、またはＡｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，
Ｔａ等の非磁性金属、またはそれらの合金を用いること
が可能である。
【０１６３】また、非磁性中間層１２の膜厚は、０．５
ｎｍ以上であることが望ましい。非磁性中間層１２の膜
厚を０．５ｎｍより厚くすることで、第３の面内磁化層
１１と記録層４との交換結合を完全に遮断することがで
きる。これにより、第３の面内磁化層１１を薄くするこ
とができる。
【０１６４】また、本参考例においては、第３の面内磁
化層１１と非磁性中間層１２とのトータル膜厚が６０ｎ
ｍ以下の範囲に設定されることが望ましい。第３の面内
磁化層１１と非磁性中間層１２とのトータル膜厚が６０
ｎｍより大きいと、再生層１と記録層４との距離が大き
くなり、再生層１と記録層４との間に働く静磁結合力が
弱くなるので、安定した再生を行うことが困難となる。
【０１６５】また、低磁界記録を目的として、記録層４
に接して、記録層４よりキュリー温度が高く、保磁力の
小さい垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦ
ｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記録
補助層を積層して形成してもよい。
【０１６６】また、保護層９の上に、Ａｌ，ＡｌＴｉ，
ＡｌＮｉ，ＡｌＴａ等の放熱層を形成した後、オーバー
コート層１０を形成することにより、光磁気記録媒体の
熱的特性を改善することが可能となる。具体的には、レ
ーザビーム照射により光磁気記録媒体に蓄積された熱
を、すみやかに放熱層へと拡散させることにより、光磁
気記録媒体の過度温度上昇による特性劣化を抑制するこ
とが可能となる。
【０１６７】次に、以上の構成の光磁気ディスクの形成
方法及び記録再生の具体例を説明する。
【０１６８】（１）光磁気ディスクの形成方法 上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明す
る。
【０１６９】まず、ＡｌターゲットとＧｄターゲットと
ＴｂターゲットとＦｅターゲットとＣｏターゲットとを
それぞれ備えたスパッタ装置内に、ランド幅０．５０μ
ｍ、グルーブ幅０．５０μｍ、溝深さ７０ｎｍのランド
及びグルーブからなる案内溝を有し、ディスク状に形成
されたポリカーボネート製の光磁気ディスク基板７を配
置する。
【０１７０】そして、参考例１と同様にして、膜厚８０
ｎｍのＡｌＮからなる透明誘電体層８、膜厚３０ｎｍの
Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.69からなる再生層１を
形成する。
【０１７１】続いて、ＧｄとＦｅとＣｏとＡｌのターゲ
ットにそれぞれ電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏ
ｒｒの条件で、上記再生層１上に、第３の面内磁化層１
１を膜厚２０ｎｍで形成する。その第３の面内磁化層１
１は、成膜開始時に各ターゲットに投入する電力比を
（Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ：Ａｌ＝１０：８０：５：５）とし
て、成膜開始と同時にＦｅとＣｏに投入する電力を連続
的に変化させて、成膜終了時に各ターゲットに投入され
る電力比が（Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ：Ａｌ＝１０：７０：１
５：５）となるようにして形成する。該第３の面内磁化
層１１は、再生層１側のキュリー温度が１４０℃であ
り、非磁性中間層１２側のキュリー温度が２３０℃であ
り、室温以上の温度でＴＭ−ｒｉｃｈ組成の面内磁化膜
である。
【０１７２】続いて、実施例２と同様にして、膜厚２ｎ
ｍのＡｌＮからなる非磁性中間層１２、膜厚４０ｎｍの
Ｔｂ0.22（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.78からなる記録層４、
膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層９、オーバーコー
ト層１０を形成する。
【０１７３】（２）記録再生特性 上記光磁気ディスクを、波長６８０ｎｍの半導体レーザ
を用いた光ピックアップで、ランド上でのＣＮＲ（信号
対雑音比）を測定する。この測定では、記録は磁界変調
記録方式により行われている。光磁気ディスクを回転さ
せて線速を２．５ｍ／ｓとし、該光磁気ディスクに対し
て、レーザパワーを５．６ｍＷで連続照射し、４ＭＨｚ
の周波数で変調された±２５０Ｏｅの記録磁界を印加す
ることにより記録が行われる。
【０１７４】また、再生は、最も大きなＣＮＲが得られ
るようにレーザパワーを調整して行う。本参考例の超解
像光磁気ディスクにおける再生レーザパワーは１．９ｎ
Ｗである。比較のため、本参考例に係る光磁気ディスク
において、第３の面内磁化層１１形成時、各ターゲット
に投入する電力比を（Ｇｄ：Ｆｅ：Ｃｏ：Ａｌ＝１０：
８０：５：５）として常に一定に保ち、膜厚方向にキュ
リー温度分布の存在しない膜厚２０ｎｍの第３の面内磁
化層１１を形成した超解像光磁気ディスクを比較例４と
して用意し、同様の測定を行う。
【０１７５】上記測定において、比較例４のＣＮＲが３
７．５ｄＢであったのに対して、本参考例のＣＮＲが３
９．５ｄＢとなり、２．０ｄＢのＣＮＲの増大が確認さ
れた。
【０１７６】また、本参考例と比較例４の光磁気ディス
クに対して、同様にランド上に記録を行った後、隣接す
るグルーブ上にレーザ光を移動し、ランド上に記録され
た情報からのクロストーク量（ＣＴ）を測定した結果、
比較例４のＣＴが１４．０ｄＢ存在したのに対して、本
参考例のＣＴが１１．０ｄＢとなり、３．０ｄＢほどク
ロストークが小さくなっていることが確認された。
【０１７７】本参考例においては、再生層１として、Ｇ
ｄ0.31（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.69を用い、第３の面内磁
化層１１として、ＴＭ−ｒｉｃｈ組成のＧｄＦｅＣｏＡ
ｌからなる組成変調膜を用い、記録層４として、Ｔｂ
0.22（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.78を用いたが、この組成に
限られるものではない。
【０１７８】再生層１は、１００℃〜２００℃の範囲の
ある温度において、面内磁化状態から垂直磁化状態へと
転移する磁気特性を有していれば良い。第３の面内磁化
層１１としては、ＲＥ−ｒｉｃｈ組成の組成変調膜を用
いることが可能である。また、記録層４は室温からの温
度上昇とともに、磁化が大きくなり、再生層１が垂直磁
化状態となる温度近傍において、磁化の大きさが最大と
なるように、補償温度が室温付近に設定されていること
が望ましい。
【０１７９】（実施例３） 本発明の第３の実施例について、図１１に基づいて説明
する。尚、本実施例は、前述の実施の形態３で説明した
光磁気記録媒体について、具体的に説明するものであ
り、該光磁気記録媒体を光磁気ディスクに適用した場合
について説明する。
【０１８０】上記光磁気ディスクは、図１１に示すよう
に、光磁気ディスク基板７上に透明誘電体層８、再生層
１、第１の面内磁化層２、第２の面内磁化層３、透明誘
電体からなる非磁性中間層１３、反射層１４、記録層
４、保護層９、オーバーコート層１０が順次形成された
構成を有している。
【０１８１】本実施例の超解像光磁気ディスクの記録再
生は、実施例１と同様にして行われる。
【０１８２】また、光磁気ディスク基板７、透明誘電体
層８、再生層１、第１の面内磁化層２、第２の面内磁化
層３、記録層４、保護層９、オーバーコート層１０は、
実施例２と同様の材料を用いて形成することが可能であ
る。
【０１８３】透明誘電体からなる非磁性中間層１３は、
ＡｌＮ，ＳｉＮ，ＡｌＳｉＮ，Ｔａ2 Ｏ3 等の非磁性誘
電体を用いることが可能である。
【０１８４】反射層１４は、Ａｌ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｐｔ，
Ａｕ，Ｃｕ等の非磁性金属、または、それらの非磁性金
属からなる合金を用いることが可能である。
【０１８５】また、良好な干渉効果を得るためには、透
明誘電体層８の膜厚を実施例１と同じく、４０ｎｍ以上
１００ｎｍ以下程度に設定し、再生層１と第１の面内磁
化層２と第２の面内磁化層３とのトータル膜厚を５０ｎ
ｍ以下とすることが望ましい。該トータル膜厚が５０ｎ
ｍより厚くなると、再生層１及び第１の面内磁化層２及
び第２の面内磁化層３を透過する光量が少なくなり、干
渉効果によりカー回転角を増大させることが困難とな
る。
【０１８６】また、カー回転角を効果的に増大させるた
めには、透明誘電体からなる非磁性中間層１３の膜厚を
５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが望ましい。
【０１８７】また、反射層１４により、記録層４からの
信号再生をより完全に遮断し、再生層１に転写された情
報のみを再生するためには、該反射層１４の膜厚を少な
くとも５ｎｍ以上とする必要がある。
【０１８８】また、第１の面内磁化層２と第２の面内磁
化層３と透明誘電体からなる非磁性中間層１３と反射層
１４とのトータル膜厚は、６０ｎｍ以下であることが望
ましい。該トータル膜厚が、６０ｎｍより厚くなると、
再生層１と記録層４との距離が大きくなり、再生層１と
記録層４との間に働く静磁結合力が弱くなるので、安定
した再生を行うことが困難となる。
【０１８９】また、低磁界記録を目的として、記録層４
に接し、記録層４よりキュリー温度が高く、保磁力の小
さい垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ
Ｃｏ、ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記録補
助層を積層して形成してもよい。
【０１９０】また、保護層９の上に、Ａｌ，ＡｌＴｉ，
ＡｌＮｉ，ＡｌＴａ等の放熱層を形成した後、オーバー
コート層１０を形成することにより、光磁気記録媒体の
熱的特性を改善することが可能となる。具体的には、レ
ーザビーム照射により光磁気記録媒体に蓄積された熱
を、すみやかに放熱層へと拡散させることにより、光磁
気記録媒体の過度温度上昇による特性劣化を抑制するこ
とが可能となる。
【０１９１】次に、上記の構成の光磁気ディスクの形成
方法及び記録再生の具体例を説明する。
【０１９２】（１）光磁気ディスクの形成方法 上記構成の光磁気ディスクの形成方法について説明す
る。
【０１９３】まず、ＡｌターゲットとＧｄターゲットと
ＴｂターゲットとＦｅターゲットとＣｏターゲットとＡ
ｌＴｉターゲットとをそれぞれ備えたスパッタ装置内
に、ランド幅０．５μｍ、グルーブ幅０．５μｍ、溝深
さ７０ｎｍのランド及びグルーブからなる案内溝を有
し、ディスク状に形成されたポリカーボネート製の光磁
気ディスク基板７を配置する。
【０１９４】そして、実施例１と同様にして、膜厚８０
ｎｍのＡｌＮからなる透明誘電体層８、膜厚１８ｎｍの
Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.69からなる再生層１、
膜厚２ｎｍのＧｄ0.12Ｆｅ0.88からなる第１の面内磁化
層２、膜厚５ｎｍのＧｄ0.12（Ｆｅ0.88Ｇｏ0.12）0.88
からなる第２の面内磁化層３を形成する。
【０１９５】続いて、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、上記第２の面内磁化層３上にＡｌ
Ｎからなる非磁性中間層１３を膜厚２０ｎｍで形成す
る。
【０１９６】続いて、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏ
ｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入して、Ａ
ｌＴｉのターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、上記透明誘電体からなる非磁性中
間層１３上に、Ａｌ0.90Ｔｉ0.10からなる反射層１４を
膜厚１５ｎｍで形成する。
【０１９７】続いて、実施例１と同様にして、膜厚４０
ｎｍのＴｂ0.22（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.78からなる記録
層４、膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層９、オーバ
ーコート層１０を形成する。
【０１９８】（２）記録再生特性 波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップ
を用いて、上記光磁気ディスクのランド上でのＣＮＲ
（信号対雑音比）を測定する。この測定では、記録は磁
界変調記録方式により行われている。光磁気ディスクを
回転させて線速を２．５ｍ／ｓとし、該光磁気ディスク
に対して、レーザパワーを６．２ｍＷで連続照射し、４
ＭＨｚの周波数で変調された±２５０Ｏｅの記録磁界を
印加することにより記録が行われる。
【０１９９】また、再生は、最も大きなＣＮＲが得られ
るようにレーザパワーを調整して行われる。本実施例の
超解像光磁気ディスクにおける再生レーザパワーは２．
１ｍＷである。比較のため、本実施例に係る光ディスク
において、反射層１４を設けていない超解像光磁気ディ
スクを比較例５として用意し、同様の測定を行う。
【０２００】上記測定において、比較例５のＣＮＲが３
９．５ｄＢであったのに対して、本実施例のＣＮＲが４
０．５ｄＢとなり、１．０ｄＢのＣＮＲの増大が確認さ
れた。
【０２０１】また、本実施例と比較例５の超解像光磁気
ディスクに対して、同様にしてランド上に記録を行った
後、隣接するグルーブ上にレーザ光を移動し、ランド上
に記録された情報からのクロストーク量（ＣＴ）を測定
した。この結果、比較例５のＣＴが１８．０ｄＢ存在し
たのに対して、本実施例のＣＴが８．５ｄＢとなり、
９．５ｄＢほどクロストークが小さくなっていることが
確認された。
【０２０２】本実施例においては、再生層１として、Ｇ
ｄ0.31（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.69が用いられ、第１の面
内磁化層２として、ＴＭ−ｒｉｃｈ組成のＧｄ0.12Ｆｅ
0.88が用いられ、第２の面内磁化層３として、ＴＭ−ｒ
ｉｃｈ組成のＧｄ0.12（Ｆｅ0.88Ｇｏ0.12）0.88が用い
られ、記録層４として、Ｔｂ0.22（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）
0.78が用いられているが、この組成に限られるものでは
ない。
【０２０３】再生層１は、１００℃〜２００℃の範囲の
ある温度において、面内磁化状態から垂直磁化状態へと
転移する磁気特性を有していれば良い。第１の面内磁化
層２及び第２の面内磁化層３としては、ＲＥ−ｒｉｃｈ
組成の面内磁化膜を用いることが可能である。
【０２０４】また、記録層４は室温からの温度上昇とと
もに磁化が大きくなり、再生層１が垂直磁化状態となる
温度近傍において、磁化の大きさが最大となるように、
補償温度が室温付近に設定されていることが望ましい。
【０２０５】（参考例３） 本発明の第３の参考例について、図１２に基づいて説明
する。尚、本参考例は、前述の参考形態３で説明した光
磁気記録媒体について、具体的に説明するものであり、
該光磁気記録媒体を光磁気ディスクに適用した場合につ
いて説明する。
【０２０６】上記光磁気ディスクは、図１２に示すよう
に、光磁気ディスク基板７上に透明誘電体層８、再生層
１、第３の面内磁化層１１、透明誘電体からなる非磁性
中間層１３、反射層１４、記録層４、保護層９、オーバ
ーコート層１０が順次形成された構成を有している。
【０２０７】また、参考例３の超解像光磁気ディスクの
記録再生は、実施例１と同様に行われる。
【０２０８】また、光磁気ディスク基板７、透明誘電体
層８、再生層１、透明誘電体からなる非磁性中間層１
３、反射層１４、記録層４、保護層９、オーバーコート
層１０は、実施例３と同様な材料を用いて形成すること
が可能である。また、第３の面内磁化層１１は、参考例
２と同様の材料を用いて形成することが可能である。
【０２０９】また、良好な干渉効果を得るために、透明
誘電体層８の膜厚を実施例１と同じく４０ｎｍ以上１０
０ｎｍ以下程度に設定し、再生層１と第３の面内磁化層
１１とのトータル膜厚を５０ｎｍ以下とすることが望ま
しい。該トータル膜厚が５０ｎｍより厚くなると、再生
層１及び第３の面内磁化層１１を透過する光量が少なく
なり、干渉効果によりカー回転角を増大させることが困
難となる。
【０２１０】また、カー回転角を効果的に増大させるた
めには、透明誘電体からなる非磁性中間層１３の膜厚を
５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが望ましい。
【０２１１】また、反射層１４により、記録層４からの
信号再生をより完全に遮断し、再生層１に転写された情
報のみを再生するためには、反射層１４の膜厚を少なく
とも５ｎｍ以上とする必要がある。
【０２１２】また、第３の面内磁化層１１と透明誘電体
からなる非磁性中間層１３と反射層１４とのトータル膜
厚は、６０ｎｍ以下であることが望ましい。該トータル
膜厚が、６０ｎｍより厚くなると、再生層１と記録層４
との距離が大きくなることになるので、再生層１と記録
層４との間に働く静磁結合力が弱くなり、安定した再生
を行うことが困難となる。
【０２１３】また、低磁界記録を目的として、記録層４
に接して、記録層４よりキュリー温度が高く、保磁力の
小さい垂直磁化膜、例えば、ＧｄＦｅＣｏ，ＧｄＴｂＦ
ｅＣｏ，ＧｄＤｙＦｅＣｏ等の垂直磁化膜からなる記録
補助層を積層して形成してもよい。
【０２１４】また、保護層９の上に、Ａｌ，ＡｌＴｉ，
ＡｌＮｉ，ＡｌＴａ等の放熱層を形成した後、オーバー
コート層を形成することにより、光磁気記録媒体の熱的
特性を改善することが可能となる。具体的には、レーザ
ビーム照射により光磁気記録媒体に蓄積された熱を、す
みやかに放熱層へと拡散させることにより、光磁気記録
媒体の過度温度上昇による特性劣化を抑制することが可
能となる。
【０２１５】次に、以上のような上記の構成の光磁気デ
ィスクの形成方法及び記録再生の具体例を説明する。
【０２１６】（１）光磁気ディスクの形成方法 上記構成の磁気ディスクの形成方法について説明する。
【０２１７】まず、ＡｌターゲットとＧｄターゲットと
ＴｂターゲットとＦｅターゲットとＣｏターゲットとＡ
ｌＴｉターゲットとをそれぞれ備えたスパッタ装置内
に、ランド幅０．５μｍ、グルーブ幅０．５μｍ、溝深
さ７０ｎｍのランド及びグルーブからなる案内溝を有
し、ディスク状に形成されたポリカーボネート製の光磁
気ディスク基板７を配置する。
【０２１８】そして、参考例２と同様にして、膜厚８０
ｎｍのＡｌＮからなる透明誘電体層８、膜厚１８ｎｍの
Ｇｄ0.31（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.69からなる再生層１、
膜厚方向に組成変調された膜厚２０ｎｍのＧｄＦｅＣｏ
Ａｌからなる第３の面内磁化層１１を形成する。
【０２１９】続いて、実施例３と同様にして、膜厚２０
ｎｍのＡｌＮからなる非磁性中間層１３、膜厚１５ｎｍ
のＡｌ0.90Ｔｉ0.10からなる反射層１４、膜厚４０ｎｍ
のＴｂ0.22（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.78からなる記録層
４、膜厚２０ｎｍのＡｌＮからなる保護層９、オーバー
コート層１０を形成する。
【０２２０】（２）記録再生特性 波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップ
を用いて、上記光磁気ディスクのランド上でのＣＮＲ
（信号対雑音比）を測定する。この測定では、記録は磁
界変調記録方式により行う。光磁気ディスクを回転させ
て線速を２．５ｍ／ｓとし、該光磁気ディスクに対し
て、レーザパワーを６．２ｍＷで連続照射し、４ＭＨｚ
の周波数で変調された±２５０Ｏｅの記録磁界を印加す
ることにより記録が行われる。
【０２２１】また、再生は、最も大きなＣＮＲが得られ
るようにレーザパワーを調整して行う。本参考例の光磁
気ディスクにおける再生レーザパワーは２．１ｍＷであ
る。比較のため、本参考例において、反射層１４を設け
ていない超解像光磁気ディスクを比較例６として用意
し、同様の測定を行う。
【０２２２】上記測定において、比較例６のＣＮＲが３
９．０ｄＢであったのに対して、本参考例のＣＮＲが４
０．５ｄＢとなり、１．５ｄＢのＣＮＲの増大が確認さ
れた。
【０２２３】また、本参考例と比較例６の超解像光磁気
ディスクに対して、同様にしてランド上に記録を行った
後、隣接するグルーブ上にレーザ光を移動し、ランド上
に記録された情報からのクロストーク量（ＣＴ）を測定
した。その結果、比較例６のＣＴが１６．０ｄＢ存在し
たのに対して、本参考例のＣＴが９．５ｄＢとなり、
６．５ｄＢほどクロストークが小さくなっていることが
確認された。
【０２２４】本参考例においては、再生層１として、Ｇ
ｄ0.31（Ｆｅ0.80Ｃｏ0.20）0.69が用いられ、第３の面
内磁化層１１として、ＴＭ−ｒｉｃｈ組成のＧｄＦｅＣ
ｏＡｌからなる組成変調膜が用いられ、記録層４とし
て、Ｔｂ0.22（Ｆｅ0.82Ｃｏ0.18）0.78が用いられた
が、この組成に限られるものではない。
【０２２５】再生層１は、１００℃〜２００℃の範囲の
ある温度において、面内磁化状態から垂直磁化状態へと
転移する磁気特性を有していれば良く、第３の面内磁化
層１１としては、ＲＥ−ｒｉｃｈ組成の組成変調膜を用
いることが可能である。また、記録層４は室温からの温
度上昇とともに磁化が大きくなり、再生層１が垂直磁化
状態となる温度近傍において磁化の大きさが最大となる
ように、補償温度が室温付近に設定されていることが望
ましい。
【０２２６】
【発明の効果】以上のように、本発明の光磁気記録媒体
は、面内磁化層は、上記臨界温度近傍にキュリー温度を
有し、室温からキュリー温度まで面内磁化膜である第１
の面内磁化層と、該第１の面内磁化層のキュリー温度よ
りも高いキュリー温度を有し、室温からキュリー温度ま
で面内磁化膜である第２の面内磁化層とを備え、上記第
１の面内磁化層は上記再生層側に、上記第２の面内磁化
層は上記記録層側に配置されている構成である。
【０２２７】これにより、小さい記録ビット径および小
さい記録ビット間隔であっても十分な再生信号を得るこ
と、すなわち磁気的超解像再生において再生分解能を高
めることができるという効果を奏する。
【０２２８】本発明の光磁気記録媒体は、上記面内磁化
層と上記記録層との間に、非磁性膜からなる非磁性中間
層がさらに設けられている構成である。
【０２２９】これにより、上記の発明による効果に加え
て、面内磁化層の膜厚低減による記録感度の改善を行う
ことが可能となるという効果を奏する。
【０２３０】本発明の光磁気記録媒体は、上記非磁性中
間層と上記記録層との間に、反射層がさらに設けられて
おり、かつ、上記非磁性中間層は透明である構成であ
る。
【０２３１】これにより、上記の発明による効果に加え
て、再生層に転写された情報のみを再生することがで
き、超解像再生特性を改善して再生信号品質を向上させ
ることが可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光磁気記録媒
体の再生原理を示す説明図である。
【図２】本発明の第１の参考形態に係る光磁気記録媒体
の再生原理を示す説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る光磁気記録媒
体の再生原理を示す説明図である。
【図４】本発明の第２の参考形態に係る光磁気記録媒体
の再生原理を示す説明図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る光磁気記録媒
体の再生原理を示す説明図である。
【図６】本発明の第３の参考形態に係る光磁気記録媒体
の再生原理を示す説明図である。
【図７】本発明の第１の実施例における光磁気ディスク
の構成を示す断面図である。
【図８】本発明の第１の参考例における光磁気ディスク
の構成を示す断面図である。
【図９】本発明の第２の実施例における光磁気ディスク
の構成を示す断面図である。
【図１０】本発明の第２の参考例における光磁気ディス
クの構成を示す断面図である。
【図１１】本発明の第３の実施例における光磁気ディス
クの構成を示す断面図である。
【図１２】本発明の第３の参考例における光磁気ディス
クの構成を示す断面図である。
【図１３】従来の光磁気記録媒体の再生原理を示す説明
図である。
【符号の説明】
１ 再生層 ２ 第１の面内磁化層 ３ 第２の面内磁化層 ４ 記録層 １１ 第３の面内磁化層（面内磁化層） １２ 非磁性中間層 １３ 非磁性中間層 １４ 反射層

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】室温では面内磁化状態であり、臨界温度以
    上の温度で垂直磁化状態に移行する再生層と、面内磁化
    膜からなる面内磁化層と、垂直磁化膜からなる記録層と
    が、この順に積層されている光磁気記録媒体において、 上記面内磁化層は、上記臨界温度近傍にキュリー温度を
    有し、室温からキュリー温度まで面内磁化膜である第１
    の面内磁化層と、該第１の面内磁化層のキュリー温度よ
    りも高いキュリー温度を有し、室温からキュリー温度ま
    で面内磁化膜である第２の面内磁化層とを備え、 上記第１の面内磁化層は上記再生層側に、上記第２の面
    内磁化層は上記記録層側に配置されていることを特徴と
    する光磁気記録媒体。
  2. 【請求項２】上記面内磁化層と上記記録層との間に、非
    磁性膜からなる非磁性中間層がさらに設けられているこ
    とを特徴とする請求項１に記載の光磁気記録媒体。
  3. 【請求項３】上記非磁性中間層と上記記録層との間に、
    反射層がさらに設けられており、 かつ、上記非磁性中間層は透明であることを特徴とする
    請求項２に記載の光磁気記録媒体。
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