JP2500435B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
- Publication number
- JP2500435B2 JP2500435B2 JP5105994A JP10599493A JP2500435B2 JP 2500435 B2 JP2500435 B2 JP 2500435B2 JP 5105994 A JP5105994 A JP 5105994A JP 10599493 A JP10599493 A JP 10599493A JP 2500435 B2 JP2500435 B2 JP 2500435B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- etching
- transition metal
- metal
- dry etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子デバイス等の半導
体製造プロセスに用いられるドライエッチング方法に関
するものである。
体製造プロセスに用いられるドライエッチング方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近のＬＳＩ技術においては、微細化で
ドライエッチングが進む一方、微細な配線では電流密度
の増大が不可避となり、エレクトロマイグレーション問
題が顕在化してきた。この問題に対処して、配線の信頼
性を向上するために、アルミニウムにＳｉやＣｕを添加
することが試みられている。更に微細化を進めるうえ
で、従来のＡｌ合金膜よりマイグレーション耐性が高
く、配線抵抗が低いＣｕ配線についての検討もなされて
いる。Ｃｕ膜を加工する場合には、一般に塩素系のガス
を用いてドライエッチングを施すが、ＣｕＣｌXの蒸気
圧が低いため、基板温度を２５０℃以上に昇温してドラ
イエッチングを行っている。一方、微細化に伴い、ＤＲ
ＡＭやＦＲＡＭの容量部に、［Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ 3］
膜、［ＢａＳｒＴｉＯ3］膜、［ＳｒＴｉＯ3］膜等の高
誘電体膜、容量電極膜にＰｔを利用することが検討され
ている。これらの膜を加工するために、ミリング等によ
るスパッタエッチングが施されているが、サブミクロン
以下の微細加工を施すための手段はない。更に、ＹＢａ
ＣｕＯX等の酸化物超電導膜に対しても同様に微細加工
の要求があるが、この有効な手段は見つかっていない。
ドライエッチングが進む一方、微細な配線では電流密度
の増大が不可避となり、エレクトロマイグレーション問
題が顕在化してきた。この問題に対処して、配線の信頼
性を向上するために、アルミニウムにＳｉやＣｕを添加
することが試みられている。更に微細化を進めるうえ
で、従来のＡｌ合金膜よりマイグレーション耐性が高
く、配線抵抗が低いＣｕ配線についての検討もなされて
いる。Ｃｕ膜を加工する場合には、一般に塩素系のガス
を用いてドライエッチングを施すが、ＣｕＣｌXの蒸気
圧が低いため、基板温度を２５０℃以上に昇温してドラ
イエッチングを行っている。一方、微細化に伴い、ＤＲ
ＡＭやＦＲＡＭの容量部に、［Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ 3］
膜、［ＢａＳｒＴｉＯ3］膜、［ＳｒＴｉＯ3］膜等の高
誘電体膜、容量電極膜にＰｔを利用することが検討され
ている。これらの膜を加工するために、ミリング等によ
るスパッタエッチングが施されているが、サブミクロン
以下の微細加工を施すための手段はない。更に、ＹＢａ
ＣｕＯX等の酸化物超電導膜に対しても同様に微細加工
の要求があるが、この有効な手段は見つかっていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Ｃｕ膜のエッチング
は、塩素系のガスを用い、基板温度を２５０℃以上に昇
温して、エッチングを行っている。この場合、通常のフ
ォトレジストマスクでは、耐熱性がないため、窒化膜等
の耐熱性の高いマスク材料を使用しなければならない。
また、高温でエッチングすることによりサイドエッチン
グの抑制が困難になるうえ、アフターコロージョン（エ
ッチング処理後の腐食）が発生しやすく、配線の断線が
発生したり、信頼性の低下を引き起こす。次に、Ｐｔ
膜、高誘電体膜や酸化物超電導膜は、ミリング等による
スパッタエッチングを用いて加工することはできるが、
サブミクロン以下の微細加工は困難である。また、ミリ
ングでは、マスクの側面に側壁膜が付着し、エッチング
後、これを除去することは極めて困難である。本発明
は、このような従来の問題点を解決しうるドライエッチ
ング方法を提供することを目的とする。
は、塩素系のガスを用い、基板温度を２５０℃以上に昇
温して、エッチングを行っている。この場合、通常のフ
ォトレジストマスクでは、耐熱性がないため、窒化膜等
の耐熱性の高いマスク材料を使用しなければならない。
また、高温でエッチングすることによりサイドエッチン
グの抑制が困難になるうえ、アフターコロージョン（エ
ッチング処理後の腐食）が発生しやすく、配線の断線が
発生したり、信頼性の低下を引き起こす。次に、Ｐｔ
膜、高誘電体膜や酸化物超電導膜は、ミリング等による
スパッタエッチングを用いて加工することはできるが、
サブミクロン以下の微細加工は困難である。また、ミリ
ングでは、マスクの側面に側壁膜が付着し、エッチング
後、これを除去することは極めて困難である。本発明
は、このような従来の問題点を解決しうるドライエッチ
ング方法を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の第１は、遷移金
属膜、アルカリ土類金属膜、または遷移金属あるいはア
ルカリ土類金属を含む膜のドライエッチング方法におい
て、III族金属のハロゲン化合物をエッチングガスとし
て用いることを特徴とするドライエッチング方法であ
る。本発明の第２は、遷移金属膜のドライエッチング方
法において、遷移金属膜としてハロゲン化合物の融点が
低い遷移金属またはIII族金属を添加した遷移金属膜を
用いることを特徴とするドライエッチング方法である。
さらに本発明の第３は、ハロゲン化合物の融点が低い遷
移金属またはIII族金属を添加した遷移金属膜よりなる
ことを特徴とする配線材料である。
属膜、アルカリ土類金属膜、または遷移金属あるいはア
ルカリ土類金属を含む膜のドライエッチング方法におい
て、III族金属のハロゲン化合物をエッチングガスとし
て用いることを特徴とするドライエッチング方法であ
る。本発明の第２は、遷移金属膜のドライエッチング方
法において、遷移金属膜としてハロゲン化合物の融点が
低い遷移金属またはIII族金属を添加した遷移金属膜を
用いることを特徴とするドライエッチング方法である。
さらに本発明の第３は、ハロゲン化合物の融点が低い遷
移金属またはIII族金属を添加した遷移金属膜よりなる
ことを特徴とする配線材料である。
【０００５】本発明において、遷移金属あるいはアルカ
リ土類金属を含む膜としては、［Ｐｂ（ＺｒＴｉ）
Ｏ3］膜、［ＢａＳｒＴｉＯ3］膜、［ＳｒＴｉＯ3］膜
等の高誘電体膜やＹＢａＣｕＯX等の酸化物超電導膜等
の遷移金属、アルカリ土類金属を含む膜が挙げられる。
また、エッチングガスであるIII族金属のハロゲン化合
物としては、例えば塩化アルミニウムや塩化ガリウムが
挙げられる。また、ハロゲン化合物の融点が高いＣｕ等
の遷移金属膜は、膜中にハロゲン化合物の融点が低いＺ
ｎや他の遷移金属またはＡｌ等のIII族金属を添加した
金属膜としてドライエッチングを行う。これらのエッチ
ング方法によれば、いずれもエッチング時に金属錯体が
形成され、その結果、比較的低温でエッチング種を揮発
できる。
リ土類金属を含む膜としては、［Ｐｂ（ＺｒＴｉ）
Ｏ3］膜、［ＢａＳｒＴｉＯ3］膜、［ＳｒＴｉＯ3］膜
等の高誘電体膜やＹＢａＣｕＯX等の酸化物超電導膜等
の遷移金属、アルカリ土類金属を含む膜が挙げられる。
また、エッチングガスであるIII族金属のハロゲン化合
物としては、例えば塩化アルミニウムや塩化ガリウムが
挙げられる。また、ハロゲン化合物の融点が高いＣｕ等
の遷移金属膜は、膜中にハロゲン化合物の融点が低いＺ
ｎや他の遷移金属またはＡｌ等のIII族金属を添加した
金属膜としてドライエッチングを行う。これらのエッチ
ング方法によれば、いずれもエッチング時に金属錯体が
形成され、その結果、比較的低温でエッチング種を揮発
できる。
【０００６】
【作用】遷移金属膜であるＣｕ膜をドライエッチングす
る場合、従来は塩素ガスを用いていたが、本発明では、
塩化ガリウムや塩化アルミニウム等のIII族金属を含む
塩素ガスを用いてエッチングを行うことにより、金属錯
体の一種であるＣａＣｌ4 2-・Ｃｕ2+またはＡｌＣｌ4 2-
・Ｃｕ2+を形成するため、比較的低温でＣｕ膜をエッチ
ングすることができる。従って、従来必要とされていた
２５０℃前後のエッチング温度を１００℃程度まで低下
させることができる。
る場合、従来は塩素ガスを用いていたが、本発明では、
塩化ガリウムや塩化アルミニウム等のIII族金属を含む
塩素ガスを用いてエッチングを行うことにより、金属錯
体の一種であるＣａＣｌ4 2-・Ｃｕ2+またはＡｌＣｌ4 2-
・Ｃｕ2+を形成するため、比較的低温でＣｕ膜をエッチ
ングすることができる。従って、従来必要とされていた
２５０℃前後のエッチング温度を１００℃程度まで低下
させることができる。
【０００７】また、Ｃｕの塩化物であるＣｕＣｌ2の融
点は６２０℃であるが、この膜に融点の低いＡｌ（Ａｌ
Ｃｌの融点：１９０℃）、Ｚｎ（ＺｎＣｌ2の融点：２
８３℃）等を添加することにより、塩素系ガスにてドラ
イエッチングを行った場合、ＺｎまたはＡｌの添加によ
りＣｕＣｌxの脱離が促進され、比較的低温で揮発させ
ることができる。例えば、Ｃｕ膜にＺｎを添加した膜
は、１００℃〜５００℃の範囲ではＣｕ中にα状態で３
５％程度固溶し、Ｃｌ系のガスでエッチングした場合、
比較的融点が低いＺｎＣｌ4 2-・Ｃｕ2+を形成するた
め、Ｃｕの脱離を支援することができる。この場合、Ｃ
ｕ膜中へＺｎを添加しても、ＺｎはＣｕと質量数がほぼ
同じであることからＣｕ膜に比べエレクトロマイグレー
ションやストレスマイグレーション耐性は劣化せず、抵
抗値もさほど低下しない。このように、Ｃｕ膜へＺｎを
添加することは、低温でＣｕ膜の微細加工を可能にする
ため、フォトレジストマスクでエッチングが可能になる
うえ、サイドエッチングの抑制やアフターコロージョン
の抑制をすることができる。また、ＥＣＲ（Electron C
yclotron Resonance）エッチングやマグネトロンエッチ
ング等の低圧（１０-4Ｔｏｒｒ程度）でしかも高密度プ
ラズマを発生できる方式を利用することにより、更に脱
離温度を低下させ、低温（１００℃以下）でエッチング
を実現することができる。
点は６２０℃であるが、この膜に融点の低いＡｌ（Ａｌ
Ｃｌの融点：１９０℃）、Ｚｎ（ＺｎＣｌ2の融点：２
８３℃）等を添加することにより、塩素系ガスにてドラ
イエッチングを行った場合、ＺｎまたはＡｌの添加によ
りＣｕＣｌxの脱離が促進され、比較的低温で揮発させ
ることができる。例えば、Ｃｕ膜にＺｎを添加した膜
は、１００℃〜５００℃の範囲ではＣｕ中にα状態で３
５％程度固溶し、Ｃｌ系のガスでエッチングした場合、
比較的融点が低いＺｎＣｌ4 2-・Ｃｕ2+を形成するた
め、Ｃｕの脱離を支援することができる。この場合、Ｃ
ｕ膜中へＺｎを添加しても、ＺｎはＣｕと質量数がほぼ
同じであることからＣｕ膜に比べエレクトロマイグレー
ションやストレスマイグレーション耐性は劣化せず、抵
抗値もさほど低下しない。このように、Ｃｕ膜へＺｎを
添加することは、低温でＣｕ膜の微細加工を可能にする
ため、フォトレジストマスクでエッチングが可能になる
うえ、サイドエッチングの抑制やアフターコロージョン
の抑制をすることができる。また、ＥＣＲ（Electron C
yclotron Resonance）エッチングやマグネトロンエッチ
ング等の低圧（１０-4Ｔｏｒｒ程度）でしかも高密度プ
ラズマを発生できる方式を利用することにより、更に脱
離温度を低下させ、低温（１００℃以下）でエッチング
を実現することができる。
【０００８】さらに、本発明によるハロゲン化合物の融
点が低い遷移金属またはIII族金属を添加した遷移金属
膜よりなる配線材料は、低温でのエッチングが可能とな
るほかに、例えば、Ｚｎ，Ｓｎ，Ｇｅ等を添加したＣｕ
膜は、純Ｃｕに比べてリフロー性が高く、ホールの埋め
込みが容易になる。また、ＡｌにＣｕを添加した配線材
料よりもエレクトロマイグレーションやストレスマイグ
レーション耐性が高いため、配線の長期安定性が向上す
る。
点が低い遷移金属またはIII族金属を添加した遷移金属
膜よりなる配線材料は、低温でのエッチングが可能とな
るほかに、例えば、Ｚｎ，Ｓｎ，Ｇｅ等を添加したＣｕ
膜は、純Ｃｕに比べてリフロー性が高く、ホールの埋め
込みが容易になる。また、ＡｌにＣｕを添加した配線材
料よりもエレクトロマイグレーションやストレスマイグ
レーション耐性が高いため、配線の長期安定性が向上す
る。
【０００９】［Ｐｂ（ＺｒＴｉ）Ｏ3］膜、［ＢａＳｒ
ＴｉＯ3］膜、［ＳｒＴｉＯ3］膜等の高誘電体膜やＹＢ
ａＣｕＯX等の酸化物超電導膜の遷移金属、アルカリ土
類金属を含む膜をドライエッチングする場合も、塩化ア
ルミニウムや塩化ガリウム等のIII族金属のハロゲン化
合物ガスを利用することにより、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｓｒ、Ｂ
ａ、Ｙを含む金属錯体を形成するため、エッチング反応
が促進される。従って、化学反応を用いたエッチングが
進行するため、サブミクロン以下の微細加工を施すこと
が可能となる。
ＴｉＯ3］膜、［ＳｒＴｉＯ3］膜等の高誘電体膜やＹＢ
ａＣｕＯX等の酸化物超電導膜の遷移金属、アルカリ土
類金属を含む膜をドライエッチングする場合も、塩化ア
ルミニウムや塩化ガリウム等のIII族金属のハロゲン化
合物ガスを利用することにより、Ｐｂ、Ｚｒ、Ｓｒ、Ｂ
ａ、Ｙを含む金属錯体を形成するため、エッチング反応
が促進される。従って、化学反応を用いたエッチングが
進行するため、サブミクロン以下の微細加工を施すこと
が可能となる。
【００１０】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。 実施例１ 図１は本発明の方法によるＣｕ膜エッチングの実施例を
説明するための半導体チップの断面図である。図１
（ａ）に示すＳｉ基板１上に、下地酸化膜２を熱酸化法
またはＣＶＤ法にて形成し、この酸化膜２上にスパッタ
法、ＣＶＤ法または蒸着法にてＺｎを２０％程度添加し
たＣｕ膜３（５００ｎｍ）を形成する。次いで、Ｃｕ膜
３の上に通常のフォトレジスト４を塗布し、通常のフォ
トレジスト工程にて、レジスト４をパターニングする。
次いで、図１（ｂ）に示すように、レジスト４をマスク
として、Ｚｎ添加のＣｕ膜３を塩素ガスにてエッチング
する。エッチング後、図１（ｃ）に示すように、レジス
ト４を酸素ガスプラズマにて除去する。この場合のエッ
チングガスは、塩化ガリウムガス、塩化アルミニウムガ
スまたは有機金属を含む塩素ガスを用いてもよい。ま
た、この場合のマスクは、二層レジストマスク（エキシ
マレーザー用レジスト／有機膜）、三層レジストマスク
（ＥＢ(Electron Beam)用レジスト／塗布型酸化膜／有
機膜）を用いてもよい。上記のＣｕ膜３をエッチングす
る場合は、低圧力（１０-4〜１０-3Ｔｏｒｒ）で高密度
プラズマが得られるＥＣＲエッチング装置またはマグネ
トロンエッチング装置にて行う。
説明するための半導体チップの断面図である。図１
（ａ）に示すＳｉ基板１上に、下地酸化膜２を熱酸化法
またはＣＶＤ法にて形成し、この酸化膜２上にスパッタ
法、ＣＶＤ法または蒸着法にてＺｎを２０％程度添加し
たＣｕ膜３（５００ｎｍ）を形成する。次いで、Ｃｕ膜
３の上に通常のフォトレジスト４を塗布し、通常のフォ
トレジスト工程にて、レジスト４をパターニングする。
次いで、図１（ｂ）に示すように、レジスト４をマスク
として、Ｚｎ添加のＣｕ膜３を塩素ガスにてエッチング
する。エッチング後、図１（ｃ）に示すように、レジス
ト４を酸素ガスプラズマにて除去する。この場合のエッ
チングガスは、塩化ガリウムガス、塩化アルミニウムガ
スまたは有機金属を含む塩素ガスを用いてもよい。ま
た、この場合のマスクは、二層レジストマスク（エキシ
マレーザー用レジスト／有機膜）、三層レジストマスク
（ＥＢ(Electron Beam)用レジスト／塗布型酸化膜／有
機膜）を用いてもよい。上記のＣｕ膜３をエッチングす
る場合は、低圧力（１０-4〜１０-3Ｔｏｒｒ）で高密度
プラズマが得られるＥＣＲエッチング装置またはマグネ
トロンエッチング装置にて行う。
【００１１】実施例２ 図２は本発明の方法による高誘電体膜のエッチングの実
施例を説明するための半導体チップの断面図である。図
２（ａ）に示すように、基板２０上に下地層間絶縁膜２
１をＣＶＤ法にて形成し、この絶縁膜上にスパッタ法ま
たは蒸着法によりＴａ膜２２（５０ｎｍ）とＰｔ膜２３
（５０ｎｍ）を形成し、更にスパッタ法、ＣＶＤ法また
は蒸着法にて高誘電体膜ＢａＳｒＴｉＯ3膜２４（１５
０ｎｍ）を形成する。次いで、該膜の上にＡｌ電極膜２
５（１００ｎｍ）を形成し、酸化膜２６（３００ｎｍ）
を形成し、通常のフォトレジスト膜２７を塗布し、通常
のフォトレジスト工程にて、レジストのパターニングを
行う。次いで、図２（ｂ）に示すように、Ａｌ膜上の酸
化膜２６は、ＣＦ4とＣＨＦ3ガスによるドライエッチン
グでパターニングを行い、Ｔａ膜２２〜Ａｌ膜２５の多
層膜をエッチングするためのマスクとして用いる。酸化
膜マスクパターニング後、レジスト２７を酸素プラズマ
アッシングによって剥離する。その後、エッチングガス
として塩化ガリウムガス、塩化アルミニウムガスまたは
有機金属を含む塩素ガスを用いて、図２（ｃ）に示すよ
うにＴａ膜２２〜Ａｌ膜２５の多層膜を加工する。この
酸化膜マスクを形成する場合は、二層レジストマスク
（エキシマレーザー用レジスト／有機膜）、三層レジス
トマスク（（ＥＢ(Electron Beam)用レジスト／塗布型
酸化膜／有機膜）を用いてもよい。上記の多層膜２２〜
２５をエッチングする場合は、低圧力（１０-4〜１０-3
Ｔｏｒｒ）で高密度プラズマが得られるＥＣＲエッチン
グ装置またはマグネトロンエッチング装置にて行う。
施例を説明するための半導体チップの断面図である。図
２（ａ）に示すように、基板２０上に下地層間絶縁膜２
１をＣＶＤ法にて形成し、この絶縁膜上にスパッタ法ま
たは蒸着法によりＴａ膜２２（５０ｎｍ）とＰｔ膜２３
（５０ｎｍ）を形成し、更にスパッタ法、ＣＶＤ法また
は蒸着法にて高誘電体膜ＢａＳｒＴｉＯ3膜２４（１５
０ｎｍ）を形成する。次いで、該膜の上にＡｌ電極膜２
５（１００ｎｍ）を形成し、酸化膜２６（３００ｎｍ）
を形成し、通常のフォトレジスト膜２７を塗布し、通常
のフォトレジスト工程にて、レジストのパターニングを
行う。次いで、図２（ｂ）に示すように、Ａｌ膜上の酸
化膜２６は、ＣＦ4とＣＨＦ3ガスによるドライエッチン
グでパターニングを行い、Ｔａ膜２２〜Ａｌ膜２５の多
層膜をエッチングするためのマスクとして用いる。酸化
膜マスクパターニング後、レジスト２７を酸素プラズマ
アッシングによって剥離する。その後、エッチングガス
として塩化ガリウムガス、塩化アルミニウムガスまたは
有機金属を含む塩素ガスを用いて、図２（ｃ）に示すよ
うにＴａ膜２２〜Ａｌ膜２５の多層膜を加工する。この
酸化膜マスクを形成する場合は、二層レジストマスク
（エキシマレーザー用レジスト／有機膜）、三層レジス
トマスク（（ＥＢ(Electron Beam)用レジスト／塗布型
酸化膜／有機膜）を用いてもよい。上記の多層膜２２〜
２５をエッチングする場合は、低圧力（１０-4〜１０-3
Ｔｏｒｒ）で高密度プラズマが得られるＥＣＲエッチン
グ装置またはマグネトロンエッチング装置にて行う。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のエッチン
グガスにIII族金属のハロゲン化合物ガスを利用する方
法、および膜中にハロゲン化合物の融点の低い遷移金属
またはIII族金属を添加した膜としてエッチングを行う
方法は、例えば通常２５０℃以上の高温でエッチングし
なければならないとされていたＣｕ膜を１００℃前後で
エッチングすることが可能になるなど、エッチング温度
を従来よりも低くすることが可能となる。従って、フォ
トレジストをマスクに利用することができるうえ、サイ
ドエッチングの抑制やアフターコロージョンの抑制もで
きるため、配線の断線が発生したり、信頼性の低下を引
き起こすことがない。また、Ｐｔ膜、高誘電体膜、酸化
物超電導膜等の遷移金属膜、アルカリ土類金属膜、また
は遷移金属あるいはアルカリ土類金属を含む膜の微細加
工は困難とされていたが、本発明によるドライエッチン
グ方法にて微細加工が可能となる。
グガスにIII族金属のハロゲン化合物ガスを利用する方
法、および膜中にハロゲン化合物の融点の低い遷移金属
またはIII族金属を添加した膜としてエッチングを行う
方法は、例えば通常２５０℃以上の高温でエッチングし
なければならないとされていたＣｕ膜を１００℃前後で
エッチングすることが可能になるなど、エッチング温度
を従来よりも低くすることが可能となる。従って、フォ
トレジストをマスクに利用することができるうえ、サイ
ドエッチングの抑制やアフターコロージョンの抑制もで
きるため、配線の断線が発生したり、信頼性の低下を引
き起こすことがない。また、Ｐｔ膜、高誘電体膜、酸化
物超電導膜等の遷移金属膜、アルカリ土類金属膜、また
は遷移金属あるいはアルカリ土類金属を含む膜の微細加
工は困難とされていたが、本発明によるドライエッチン
グ方法にて微細加工が可能となる。
【図１】本発明の一実施例を説明するための半導体チッ
プの断面図である。
プの断面図である。
【図２】本発明の別の一実施例を説明するための半導体
チップの断面図である。
チップの断面図である。
１ Ｓｉ基板 ２ 下地酸化膜 ３ Ｚｎ添加Ｃｕ膜 ４ フォトレジスト膜 ２０ 基板 ２１ 下地層間絶縁膜 ２２ Ｔａ膜 ２３ Ｐｔ膜 ２４ ＢａＳｒＴｉＯ3膜 ２５ Ａｌ電極膜 ２６ 酸化膜 ２７ フォトレジスト膜
Claims (3)
- 【請求項１】 遷移金属膜、アルカリ土類金属膜、また
は遷移金属あるいはアルカリ土類金属を含む膜のドライ
エッチング方法において、III族金属のハロゲン化合物
をエッチングガスとして用いることを特徴とするドライ
エッチング方法。 - 【請求項２】 遷移金属膜のドライエッチング方法にお
いて、遷移金属膜としてハロゲン化合物の融点が低い遷
移金属またはIII族金属を添加した遷移金属膜を用いる
ことを特徴とするドライエッチング方法。 - 【請求項３】 ハロゲン化合物の融点が低い遷移金属ま
たはIII族金属を添加した遷移金属膜よりなることを特
徴とする配線材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5105994A JP2500435B2 (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5105994A JP2500435B2 (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06295885A JPH06295885A (ja) | 1994-10-21 |
| JP2500435B2 true JP2500435B2 (ja) | 1996-05-29 |
Family
ID=14422280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5105994A Expired - Lifetime JP2500435B2 (ja) | 1993-04-09 | 1993-04-09 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2500435B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62163408A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-20 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPH04173988A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-22 | Nissin Electric Co Ltd | ドライエッチング方法 |
| JPH0541364A (ja) * | 1991-08-02 | 1993-02-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 金属薄膜のドライエツチング方法及びドライエツチング装置 |
-
1993
- 1993-04-09 JP JP5105994A patent/JP2500435B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62163408A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-20 | Hitachi Ltd | 弾性表面波装置 |
| JPH04173988A (ja) * | 1990-11-02 | 1992-06-22 | Nissin Electric Co Ltd | ドライエッチング方法 |
| JPH0541364A (ja) * | 1991-08-02 | 1993-02-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 金属薄膜のドライエツチング方法及びドライエツチング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06295885A (ja) | 1994-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3257533B2 (ja) | 無機反射防止膜を使った配線形成方法 | |
| US6162738A (en) | Cleaning compositions for high dielectric structures and methods of using same | |
| JP3191407B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| JPH05275541A (ja) | 多層配線形成法 | |
| JPH10209375A (ja) | 半導体素子の薄膜キャパシタ製造方法 | |
| US5767015A (en) | Metal plug with adhesion layer | |
| KR100363591B1 (ko) | 드라이 에칭 방법 | |
| US7354853B2 (en) | Selective dry etching of tantalum and tantalum nitride | |
| JPH10173169A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2891952B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2500435B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH11354505A (ja) | 誘電体薄膜素子の製造方法 | |
| KR20040057893A (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| JP2830540B2 (ja) | 多層配線の製造方法 | |
| JP2500435C (ja) | ||
| JP3191344B2 (ja) | 銅膜のエッチング方法 | |
| JP2954369B2 (ja) | 金属配線の形成方法 | |
| JP3696655B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| JPH08186120A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000183287A (ja) | 誘電体薄膜のエッチング方法及び半導体装置 | |
| JPH0445534A (ja) | 銅薄膜の選択的エッチング方法 | |
| JP2953866B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH05182937A (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JP3249196B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000232107A (ja) | 半導体装置のパターン形成方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080313 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090313 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090313 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100313 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100313 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110313 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110313 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120313 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120313 Year of fee payment: 16 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130313 Year of fee payment: 17 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130313 Year of fee payment: 17 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140313 Year of fee payment: 18 |