JP2021009994A - 積層型電子部品および積層型電子部品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高い抗折強度を有する積層型電子部品を提供する。【解決手段】積層された複数の誘電体層と複数の内部電極層とを含む積層体を備え、複数の誘電体層は第１の相を含む複数の結晶粒を有し、内部電極層は第１の内部電極層および第２の内部電極層を有し、積層体は複数の内部電極層がそれぞれ誘電体層を介して相対している電極相対部と、電極相対部を囲む外周部とを有し、外周部は複数の結晶粒の粒界の少なくとも一部にＳｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｖ、ＡｌおよびＰのうち少なくとも１つを含み、第１の相と異なる第２の相をさらに有する積層型電子部品が提供される。【選択図】図７

Description

この開示は、積層型電子部品および積層型電子部品の製造方法に関する。

車載機器に適用される積層セラミックコンデンサなどの積層型電子部品は、高い機械的強度が要求される。この明細書で言う機械的強度とは、後述する抗折強度試験における破壊に至るまでの荷重（以後、単に抗折強度と呼称することがある）を指すものとする。

積層型電子部品の一例として、特開２０１８−１８１９４０号公報（特許文献１）に記載された積層セラミックコンデンサが挙げられる。特許文献１には、内部電極層の強度を向上させることにより、積層セラミックコンデンサの抗折強度を向上させる技術が開示されている。

特開２０１８−１８１９４０号公報

積層セラミックコンデンサは、積層された複数の誘電体層と複数の内部電極層とを含む積層体を備える。積層体は、複数の内部電極層がそれぞれ誘電体層を介して相対している電極相対部と、電極相対部を囲む外周部とを有している。抗折強度には、外周部の強度が大きな影響を与えると考えられるが、特許文献１には、外周部の強度の向上については、何ら言及されていない。

この開示の目的は、高い抗折強度を有する積層型電子部品およびその製造方法を提供することである。

この開示に従う積層型電子部品は、積層された複数の誘電体層と複数の内部電極層とを含む積層体を備える。複数の誘電体層は、第１の相を含む複数の結晶粒を有する。内部電極層は、第１の内部電極層および第２の内部電極層を有する。積層体は、複数の内部電極層がそれぞれ誘電体層を介して相対している電極相対部と、電極相対部を囲む外周部とを有する。そして、外周部は、複数の結晶粒の粒界の少なくとも一部に、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｖ、ＡｌおよびＰのうち少なくとも１つを含み、第１の相と異なる第２の相をさらに有する。

この開示に従う積層型電子部品の製造方法は、以下の工程を備える。１つの工程は、複数の焼結前誘電体層を得る工程である。別の工程は、焼結前誘電体層に、内部電極層用ペーストを用いて、焼結前内部電極層を形成する工程である。さらに別の工程は、焼結前内部電極層が形成された焼結前誘電体層を含む複数の焼結前誘電体層を積層し、焼結前積層体を得る工程である。そして、さらに別の工程は、焼結前積層体を焼結させ、積層された複数の誘電体層と、複数の内部電極層とを含む積層体を得る工程である。

積層体を得る工程は、焼結途中の焼結前積層体を、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｖ、ＡｌおよびＰのうち少なくとも１つを含む化合物のゾルに浸漬する工程と、ゾルに浸漬後の焼結途中の焼結前積層体を焼結させる工程とを含む。

この開示に従う積層型電子部品によれば、抗折強度を向上させることができる。また、この開示に従う積層型電子部品の製造方法によれば、抗折強度を向上させた積層型電子部品を製造することができる。

この開示に従う積層型電子部品の第１の実施形態である積層セラミックコンデンサ１００の、長さ方向中央部の断面図である。 積層セラミックコンデンサ１００の、幅方向中央部の断面図である。 積層セラミックコンデンサ１００の積層体１０における外周部１３ｂの微細構造の調査方法について説明するための、積層体１０の長さ方向中央部の断面図である。 積層体１０の幅方向中央部の断面図である。 積層体１０の長さ方向中央部の領域Ｒ１における、走査型電子顕微鏡（以後、ＳＥＭと略称することがある）観察像の模式図である。 積層体１０の長さ方向中央部の領域Ｒ４における、ＳＥＭ観察像の模式図である。 積層体１０の長さ方向中央部の領域Ｒ７における、ＳＥＭ観察像の模式図である。 積層体１０の長さ方向中央部の領域Ｒ４における、ＳＥＭ観察像の拡大模式図である。 この開示に従う積層型電子部品の第２の実施形態である積層セラミックコンデンサ１００Ａの積層体１０Ａの長さ方向中央部の領域Ｒ４における、ＳＥＭ観察像の模式図である。 この開示に従う積層型電子部品の第３の実施形態である積層セラミックコンデンサ１００Ｂの積層体１０Ｂの長さ方向中央部の領域Ｒ４における、ＳＥＭ観察像の模式図である。 グリーン積層体１０ｇを得る工程を示した断面図である。 グリーン積層体１０ｇを加熱して、焼結前積層体１０ｐ_１とした後、Ｓｎ化合物ゾルに浸漬して、Ｓｎ化合物Ｓ_１を外周部１３ｂｐ_１および電極相対部１３ａｐ_１の一部に含浸させた状態を示した断面図である。 焼結前積層体１０ｐ_１をさらに加熱して、第１の内部電極層１２ａおよび第２の内部電極層１２ｂが焼結した半焼結積層体１０ｐ_２とする工程を示した断面図である。 半焼結積層体１０ｐ_２をさらに加熱して、焼結した積層体１０を得る工程が示された断面図である。

この開示の特徴とするところを、図面を参照しながら説明する。なお、以下に示す積層型電子部品の実施形態では、同一のまたは共通する部分について図中同一の符号を付し、その説明は繰り返さないことがある。

−積層型電子部品の第１の実施形態−
この開示に従う積層型電子部品の第１の実施形態である積層セラミックコンデンサ１００について、図１から図６を用いて説明する。

＜積層セラミックコンデンサの構造＞
図１および図２は、積層セラミックコンデンサ１００の断面図である。すなわち、図１は、積層セラミックコンデンサ１００の長さ方向中央部の断面図である。図２は、積層セラミックコンデンサ１００の、幅方向中央部の断面図である。

積層セラミックコンデンサ１００は、積層体１０を備えている。積層体１０は、積層された複数の誘電体層１１と複数の内部電極層１２とを含む。積層体１０は、第１の主面１４ａおよび第２の主面１４ｂと、第１の側面１５ａおよび第２の側面１５ｂと、第１の端面１６ａおよび第２の端面１６ｂとを有する。第１の主面１４ａおよび第２の主面１４ｂは、積層方向において相対している。第１の側面１５ａおよび第２の側面１５ｂは、積層方向と直交する幅方向において相対している。第１の端面１６ａおよび第２の端面１６ｂは、積層方向および幅方向と直交する長さ方向において相対している。

複数の誘電体層１１は誘電体で構成される層である。複数の誘電体層１１は、それぞれ、例えばＢａを含んで構成されるペロブスカイト型化合物を含む第１の相Ｐ１（図８参照、後述）を成分とする複数の結晶粒を有する。上記のペロブスカイト型化合物としては、例えばＢａＴｉＯ_３を基本的な構造とするペロブスカイト型化合物が挙げられる。

内部電極層１２は、導電性材料を含む。内部電極層１２を構成する導電性材料としては、Ｎｉ、Ｎｉ合金、ＣｕおよびＣｕ合金のうち１つから選ばれる少なくとも一種の金属または当該金属を含む合金が挙げられる。内部電極層１２は、後述するように共材と呼ばれる誘電体粒子をさらに含んでいてもよい。共材は、積層体１０の焼成時において、内部電極層１２の焼結収縮特性を誘電体層１１の焼結収縮特性に近づけるために添加されるものであり、その効果が発現されるものである限り、その材質は特に制限されない。

複数の誘電体層１１は、外層部と内層部とを備える。外層部は、積層体１０の第１の主面１４ａと第１の主面１４ａに最も近い内部電極層１２との間に設けられた第１の外層部Ｄ１と、第２の主面１４ｂと第２の主面１４ｂに最も近い内部電極層１２との間に設けられた第２の外層部Ｄ２とを含む。内層部は、第１の外層部Ｄ１と第２の外層部Ｄ２とに挟まれた領域に配置されている。

複数の内部電極層１２は、第１の内部電極層１２ａと第２の内部電極層１２ｂとを有する。第１の内部電極層１２ａは、誘電体層１１を介して第２の内部電極層１２ｂと相対する領域と、積層体１０の第１の端面１６ａに至る引き出し領域とを有している。第２の内部電極層１２ｂは、誘電体層１１を介して第１の内部電極層１２ａと相対する領域と、積層体１０の第２の端面１６ｂに至る引き出し領域とを有している。

積層体１０において、第１の内部電極層１２ａと第２の内部電極層１２ｂとが誘電体層１１を介して相対している部分を、電極相対部１３ａとする（図１、図２において破線で囲まれた部分）。

１つの第１の内部電極層１２ａと１つの第２の内部電極層１２ｂとが誘電体層１１を介して相対することにより、１つのコンデンサが形成される。積層セラミックコンデンサ１００は、電極相対部１３ａを含む複数個のコンデンサが、後述する第１の外部電極１７ａおよび第２の外部電極１７ｂを介して並列接続されているものと言える。

積層体１０は、電極相対部１３ａと第１の側面１５ａとの間に設けられた第１のマージン部Ｍ１と、電極相対部１３ａと第２の側面１５ｂとの間に設けられた第２のマージン部Ｍ２とを備える。また、積層体１０は、電極相対部１３ａと第１の端面１６ａとの間に設けられた第３のマージン部Ｍ３と、電極相対部１３ａと第２の端面１６ｂとの間に設けられた第４のマージン部Ｍ４とを備える。第３のマージン部Ｍ３には、第１の内部電極層１２ａの引き出し領域が配置されている。また、第４のマージン部Ｍ４には、第２の内部電極層１２ｂの引き出し領域が配置されている。

積層体１０において、電極相対部１３ａを囲むように配置されている第１の外層部Ｄ１、第２の外層部Ｄ２、第１のマージン部Ｍ１、第２のマージン部Ｍ２、第３のマージン部Ｍ３および第４のマージン部を、外周部１３ｂとする。

積層セラミックコンデンサ１００は、第１の外部電極１７ａと第２の外部電極１７ｂとをさらに備えている。第１の外部電極１７ａは、第１の内部電極層１２ａと電気的に接続されるように第１の端面１６ａに形成されている。第１の外部電極１７ａは、第１の端面１６ａから第１の主面１４ａ、第２の主面１４ｂ、第１の側面１５ａおよび第２の側面１５ｂに延びている。第２の外部電極１７ｂは、第２の内部電極層１２ｂと電気的に接続されるように第２の端面１６ｂに形成されている。第２の外部電極１７ｂは、第２の端面１６ｂから第１の主面１４ａ、第２の主面１４ｂ、第１の側面１５ａおよび第２の側面１５ｂに延びている。

第１の外部電極１７ａおよび第２の外部電極１７ｂは、例えば、下地電極層と下地電極層上に配置されためっき層とを有する。下地電極層は、例えば、焼結体層、導電性樹脂層および金属薄膜層から選ばれる少なくとも１つを含む。

焼結体層は、ガラス粉末および金属粉末を含むペーストが焼き付けられたものであり、ガラス部と金属部とを含む。ガラス部を構成するガラスとしては、Ｂ_２Ｏ_３−ＳｉＯ_２−ＢａＯ系のガラスなどが挙げられる。金属部を構成する金属としては、Ｎｉ、ＣｕおよびＡｇなどから選ばれる少なくとも一種または当該金属を含む合金が挙げられる。焼結体層は、異なる成分で複数層形成されていてもよい。また、焼結体層は、後述する製造方法において、積層体１０と同時焼成されてもよく、積層体１０が焼成された後に焼き付けられてもよい。

導電性樹脂層は、例えば金属微粒子のような導電性粒子と樹脂部とを含む。金属微粒子を構成する金属としては、Ｎｉ、ＣｕおよびＡｇなどから選ばれる少なくとも一種または当該金属を含む合金が挙げられる。樹脂部を構成する樹脂としては、エポキシ系の熱硬化性樹脂などが挙げられる。導電性樹脂層は、異なる成分で複数層形成されていてもよい。

金属薄膜層は、例えば、スパッタリングまたは蒸着などの薄膜形成法により形成され、金属微粒子が堆積された厚さ１μｍ以下の層である。金属薄膜層を構成する金属としては、Ｎｉ、Ｃｕ、ＡｇおよびＡｕなどから選ばれる少なくとも一種または当該金属を含む合金が挙げられる。金属薄膜層は、異なる成分で複数層形成されていてもよい。

めっき層を構成する金属としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、ＡｕおよびＳｎなどから選ばれる少なくとも一種または当該金属を含む合金が挙げられる。めっき層は、異なる成分で複数層形成されていてもよい。めっき層は、好ましくは、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層の２層からなる。Ｎｉめっき層は、積層型電子部品を実装する際に、下地電極層がはんだによって侵食されることを防止することができる。Ｓｎめっき層は、Ｓｎを含むはんだとの濡れ性がよく、積層型電子部品を実装する際に、実装性を向上させることができる。

なお、第１の外部電極１７ａおよび第２の外部電極１７ｂは、それぞれ、積層体１０上に直接設けられ、前述の対応する内部電極層と直接接続されるめっき層であってもよい。めっき層は、第１めっき層と、第１めっき層上に設けられた第２めっき層とを含むことが好ましい。

第１めっき層および第２めっき層を構成する金属としては、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｕ、Ａｇ、ＰｄおよびＺｎなどから選ばれる少なくとも一種または当該金属を含む合金が挙げられる。例えば、内部電極層１２を構成する金属としてＮｉを用いた場合、第１めっき層としては、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いることが好ましい。内部電極層１２を構成する金属としてＳｎやＡｕを用いた場合、第１めっき層を構成する金属としてはんだバリア性能を有する金属を用いることが好ましい。また、第２めっき層を構成する金属としてはんだ濡れ性のよいを有するＮｉを用いることが好ましい。

＜外周部の微細構造＞
積層セラミックコンデンサ１００の外周部１３ｂは、Ｂａを含んで構成されるペロブスカイト型化合物を含む第１の相Ｐ１（図８参照、後述）を成分とする複数の結晶粒を基本的な構造として有する。また、外周部１３ｂは、複数の結晶粒Ｇの粒界ＧＢの少なくとも一部に、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｖ、ＡｌおよびＰのうち少なくとも１つを含み、第１の相Ｐ１と異なる第２の相Ｐ２（図８参照、後述）をさらに有する。

外周部１３ｂの微細構造を調べるため、ＳＥＭ観察および波長分散型Ｘ線分析（以後、ＷＤＸ分析と略称することがある）を行なった。この調査において、誘電体層１１には、ＢａＴｉＯ_３をペロブスカイト型化合物の基本的な構造とし、種々の添加物が加えられた誘電体材料を用いた。

積層セラミックコンデンサ１００の積層体１０における外周部１３ｂの微細構造の調査方法について、図３および図４を用いて説明する。図３は、ＳＥＭ観察およびＷＤＸ分析のための試料について説明するための、積層体１０の長さ方向中央部の断面図である。図４は、同じく積層体１０の幅方向中央部の断面図である。

後述する製造方法により、積層セラミックコンデンサ１００の積層体１０を得た。図３に示されるように、積層体１０を第２の端面１６ｂ側から研磨して、積層体１０の長さ方向の中央部を露出させた。また、図４に示されるように、積層体１０を第２の側面１５ｂ側から研磨して、積層体１０の幅方向の中央部を露出させた。

積層体１０の長さ方向の中央部の断面において、第１の外層部Ｄ１の幅方向の中央部の領域Ｒ１および第２の外層部Ｄ２の幅方向の中央部の領域Ｒ２を、観察領域として設定した。また、積層体１０の長さ方向の中央部の断面において、第２のマージン部Ｍ２と電極相対部１３ａとを含む領域を想定し、その領域を積層方向に３等分し、図上で上部の領域Ｒ３、中央の領域Ｒ４および下部の領域Ｒ５を、観察領域として設定した。

そして、積層体１０の長さ方向中央部の断面において、第４のマージン部Ｍ４と電極相対部１３ａとを含む領域を想定し、その領域を積層方向に３等分し、図上で上部の領域Ｒ６、中央の領域Ｒ７および下部の領域Ｒ８を、観察領域として設定した。以上のように設定した積層体１０の各観察領域について、ＳＥＭ観察およびＳＥＭに付属しているＷＤＸによる元素分析を行なった。

図５は、図３および図４に示した積層体１０の長さ方向中央部の領域Ｒ１における、ＳＥＭ観察像の模式図である。図６は、同じく領域Ｒ４における、ＳＥＭ観察像の模式図である。図７は、同じく領域Ｒ７における、ＳＥＭ観察像の模式図である。領域Ｒ１から領域Ｒ８の外周部１３ｂにおけるＳＥＭ観察像およびＷＤＸ分析結果は、有意な差が見られなかった。したがって、以下で説明する領域Ｒ４から得られた結果（図６）を、この開示に係る積層セラミックコンデンサ１００の積層体１０における外周部１３ｂの微細構造と見なす。

領域Ｒ４における外周部１３ｂには、第２の側面１５ｂから電極相対部１３ａに向かって、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｖ、ＡｌおよびＰのうち少なくとも１つを含む化合物が存在する層ＤＬが存在している。積層セラミックコンデンサ１００においては、上記の化合物が存在する層ＤＬは、電極相対部１３ａまで到達していない。なお、第１の内部電極層１２ａおよび第２の内部電極層１２ｂの先端には、焼結収縮時に生成した空間Ｖが存在する場合がある。

この化合物が存在する層ＤＬについて、図８を用いて説明する。図８は、積層体１０の長さ方向中央部の領域Ｒ４における、ＳＥＭ観察像の拡大模式図である。外周部１３ｂに存在する複数の結晶粒Ｇの粒界ＧＢの少なくとも一部には、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｖ、ＡｌおよびＰのうち少なくとも１つを含む化合物で構成され、第１の相Ｐ１と異なる第２の相Ｐ２が存在している。ここで第２の相とは、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｖ、ＡｌおよびＰのうち少なくとも１つを含む化合物が偏析している状態を指している。特に、Ｓｎが焼結助剤としての役割を示し、効果が高い。

以後の説明では、第２の相Ｐ２として、Ｓｎ酸化物が存在する場合について説明する。ただし、化合物の形態は、酸化物に限られない。Ｓｎ酸化物中には、誘電体層１１を構成する成分の少なくとも一部が固溶していてもよい。なお、粒界ＧＢには、三重点も含まれる。第２の相Ｐ２は、誘電体層１１内の空孔Ｐを充填するように存在していてもよい。

この第２の相Ｐ２は、低融点の化合物であり、積層体１０の焼成時において、焼結助剤の役割を果たす。すなわち、第２の相Ｐ２が複数の結晶粒Ｇの粒界ＧＢの少なくとも一部に存在することは、外周部１３ｂの焼結が進んでいることを示している。その結果、外周部１３ｂの強度を向上させることができ、積層セラミックコンデンサ１００の抗折強度を向上させることができる。

−積層型電子部品の第２の実施形態−
この開示に従う積層型電子部品の第２の実施形態である積層セラミックコンデンサ１００Ａについて、図９を用いて説明する。

図９は、積層セラミックコンデンサ１００Ａの積層体１０Ａの長さ方向中央部の領域Ｒ４における、ＳＥＭ観察像の模式図である。積層セラミックコンデンサ１００Ａは、Ｓｎ酸化物が存在する層ＤＬの状態、ならびに内部電極層１２の縁部の状態が、積層セラミックコンデンサ１００と異なっている。それ以外の構成は、積層セラミックコンデンサ１００と同様であるため、詳細な説明は省略される。

積層セラミックコンデンサ１００Ａでは、Ｓｎ酸化物である第２の相Ｐ２が存在する層ＤＬが、外周部１３ｂおよび電極相対部１３ａの一部を含むように生成している。第２の相Ｐ２の形成過程において、Ｓｎ酸化物は、Ｎｉ、Ｎｉ合金、ＣｕおよびＣｕ合金のうち１つを含む内部電極層１２の焼結収縮時に、その縁部に生成した空間Ｖに入り込む。そして、空間Ｖに入り込んだＳｎ酸化物は、空間Ｖの少なくとも一部を充填するＳｎ充填物Ｆとなる。

すなわち、積層セラミックコンデンサ１００Ａでは、内部電極層１２の縁部の少なくとも一部に、Ｓｎが偏在している。内部電極層１２の縁部に偏在する元素は、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｖ、ＡｌおよびＰのうち少なくとも１つであればよい。

積層セラミックコンデンサ１００Ａにおいても、第２の相Ｐ２が積層体１０の焼成時において焼結助剤の役割を果たしている。その結果、積層セラミックコンデンサ１００と同様に、外周部１３ｂの強度を向上させることができ、積層セラミックコンデンサ１００Ａの抗折強度を向上させることができる。

また、積層セラミックコンデンサ１００Ａでは、内部電極層１２の縁部の、焼結収縮時に生成した空間Ｖの少なくとも一部が、充填物Ｆにより充填されている。すなわち、空間Ｖの体積が減少する。したがって、例えば焼成後のバレル研磨時および前述の外部電極に含まれるめっき層形成時の水分の浸入を抑制することができる。その結果、各内部電極層に含まれる金属のマイグレーションを抑制することができ、これにより、積層セラミックコンデンサ１００Ａの信頼性を向上させることができる。

なお、充填物Ｆは、内部電極層１２を構成する金属（例えばＮｉ）と上記の元素が合金化するなどして、導電性を有するようになったものでもよい。また、上記の元素の少なくとも一部が、還元雰囲気における焼成中に還元されることにより、導電性を有するようになったものでもよい。これらの場合、充填物Ｆは、内部電極層１２の一部として機能することができる。その結果、各内部電極層の実効面積を向上させることができ、静電容量を向上させることができる。

−積層型電子部品の第３の実施形態−
この開示に従う積層型電子部品の第３の実施形態である積層セラミックコンデンサ１００Ｂについて、図１０を用いて説明する。

図１０は、積層セラミックコンデンサ１００Ｂの積層体１０Ｂの長さ方向中央部の領域Ｒ４における、ＳＥＭ観察像の模式図である。積層セラミックコンデンサ１００Ｂは、Ｓｎ酸化物が存在する層ＤＬの状態、ならびに内部電極層１２の縁部の状態が、積層セラミックコンデンサ１００と異なっている。それ以外の構成は、積層セラミックコンデンサ１００と同様であるため、詳細な説明は省略される。

積層セラミックコンデンサ１００Ｂでも、Ｓｎ酸化物である第２の相Ｐ２が存在する層ＤＬが、外周部１３ｂおよび電極相対部１３ａの一部を含むように生成している。第２の相Ｐ２の形成過程において、Ｓｎ酸化物が、Ｎｉ、Ｎｉ合金、ＣｕおよびＣｕ合金のうち１つを含む内部電極層１２の焼結収縮時に、その縁部に生成した空間Ｖに入り込む。そして、空間Ｖに入り込んだＳｎ酸化物は、空間Ｖの少なくとも一部を充填するＳｎ充填物Ｆとなる。さらに、Ｓｎ酸化物は、被覆物Ｃとして誘電体層１１と内部電極層１２との界面の少なくとも一部を被覆する。

すなわち、積層セラミックコンデンサ１００Ｂでは、内部電極層１２の縁部および内部電極層１２の縁部と誘電体層１１との界面の少なくとも一部に、Ｓｎが偏在している。内部電極層１２の縁部に偏在する元素は、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｖ、ＡｌおよびＰのうち少なくとも１つであればよい。

積層セラミックコンデンサ１００Ｂにおいても、第２の相Ｐ２が積層体１０の焼成時において焼結助剤の役割を果たしている。その結果、積層セラミックコンデンサ１００と同様に、外周部１３ｂの強度を向上させることができ、積層セラミックコンデンサ１００Ｂの抗折強度を向上させることができる。

また、積層セラミックコンデンサ１００Ｂでは、内部電極層１２の縁部の、焼結収縮時に生成した空間Ｖの少なくとも一部が、充填物Ｆにより充填されている。さらに、内部電極層１２の縁部と誘電体層１１との界面の少なくとも一部が、被覆物Ｃにより被覆されている。積層セラミックコンデンサ１００Ａと同様に、空間Ｖの体積は、充填物Ｆにより減少している。さらに、被覆物Ｃは、内部電極層１２の縁部と誘電体層１１との界面の少なくとも一部を強固に密着させることができる。

したがって、例えば焼成後のバレル研磨時および前述の外部電極に含まれるめっき層形成時の水分の浸入をさらに抑制することができる。その結果、各内部電極層に含まれる金属のマイグレーションをさらに抑制することができ、これにより、積層セラミックコンデンサ１００Ｂの信頼性をさらに向上させることができる。

なお、充填物Ｆおよび被覆物Ｃは、内部電極層１２を構成する金属（例えばＮｉ）と上記の元素が合金化するなどして、導電性を有するようになったものでもよい。また、上記の元素の少なくとも一部が、還元雰囲気における焼成中に還元されることにより、導電性を有するようになったものでもよい。これらの場合、充填物Ｆおよび被覆物Ｃは、内部電極層１２の一部として機能することができる。

特に、内部電極層１２の縁部の、薄くなったり、または空孔が多く存在して内部電極層として十分に機能していない部分が被覆物Ｃによって被覆されている場合、その効果が顕著となる。その結果、各内部電極層の実効面積をさらに向上させることができ、もって、静電容量をさらに向上させることができる。

−積層型電子部品の製造方法−
この開示に従う積層型電子部品の第３の実施形態である積層セラミックコンデンサ１００Ｂの製造方法について、製造工程順に説明する。なお、第１の実施形態である積層セラミックコンデンサ１００および第２の実施形態である積層セラミックコンデンサ１００Ａは、後述するＳｎ化合物の含浸度合いが異なるだけであり、同様の方法で製造することができる。そのため、詳細な説明は省略される。積層セラミックコンデンサ１００Ｂの製造方法は、以下の各工程を備える。

この積層セラミックコンデンサ１００Ｂの製造方法は、誘電体原料粉末を用いて、複数のセラミックグリーンシートを得る工程を備える。なお、「グリーン」という文言は、「焼結前」を表す表現であり、以後もその意味で用いられる。誘電体原料粉末は、例えば、ＢａＴｉＯ_３粉末の表面に種々の添加物が付与された粉末である。セラミックグリーンシート中には、誘電体原料粉末以外に、バインダー成分が含まれている。バインダー成分については、特に限定されない。

上記の誘電体原料粉末は、例えばＢａＴｉＯ_３粉末の表面に添加物の有機化合物を付与し、仮焼して有機成分を燃焼させることにより、添加物が酸化物の状態でＢａＴｉＯ_３粉末の表面に付与された状態となるようにして作製することができる。ただし、これに限らず、誘電体原料粉末は、有機化合物を含む状態でもよいし、または酸化物と有機化合物とを含む状態でもよい。また、誘電体原料粉末において上記ＢａＴｉＯ_３粉末は、ＢａＴｉＯ_３固溶体粉末であってもよい。

ＢａＴｉＯ_３粉末は、例えば、ＢａＣＯ_３粉末とＴｉＯ_２粉末との混合物を仮焼することによって得ることができる。あるいは、既に蓚酸法または水熱合成法など既知の方法により作成されているＢａＴｉＯ_３粉末が用いられてもよい。

この積層セラミックコンデンサ１００Ｂの製造方法は、セラミックグリーンシートに、内部電極層パターンを印刷する工程を備える。内部電極層用ペーストは、例えば、Ｎｉ、Ｎｉ合金、ＣｕおよびＣｕ合金のうち１つを含む金属粉末と、ＢａＴｉＯ_３粉末の表面に種々の添加物が付与された粉末（共材）と、バインダー成分とを含む。なお、内部電極層において、共材は、必須ではない。バインダー成分については、特に限定されない。ここで、セラミックグリーンシートに、内部電極層パターンを印刷する工程は、焼結前誘電体層に、内部電極層用ペーストを用いて、焼結前内部電極層を形成する工程に相当する。

上記の共材は、例えばＢａＴｉＯ_３粉末の表面に添加物の有機化合物を付与し、仮焼して有機成分を燃焼させることにより、添加物が酸化物の状態でＢａＴｉＯ_３粉末の表面に付与された状態となるようにして作製することができる。ただし、これに限らず、共材は、有機化合物を含む状態でもよいし、または酸化物と有機化合物とを含む状態でもよい。また、共材において上記ＢａＴｉＯ_３粉末は、ＢａＴｉＯ_３固溶体粉末であってもよい。共材は、誘電体原料粉末と同じものであっても、異なるものであってもよい。

この積層セラミックコンデンサ１００Ｂの製造方法は、内部電極パターンが形成されたセラミックグリーンシートを含む複数のセラミックグリーンシートを積層し、グリーン積層体を得る工程を備える。この工程は、焼結前内部電極層が形成された焼結前誘電体層を含む複数の焼結前誘電体層を積層し、焼結前積層体を得る工程に相当する。

この積層セラミックコンデンサ１００Ｂの製造方法は、グリーン積層体を焼結させ、積層された複数の誘電体層と、複数の内部電極層とを含む積層体を得る工程とを備える。

この積層体を得る工程は、ゾル浸漬工程と、焼結工程とを含む。ゾル浸漬工程は、焼結途中で多孔質状態である上記焼結前積層体を一旦焼成炉から取り出し、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｖ、ＡｌおよびＰのうち少なくとも１つを含む化合物のゾルに浸漬する工程である。焼結工程は、上記のゾルに浸漬後の、焼結途中の上記焼結前積層体を焼結させる工程である。

ゾル浸漬工程では、焼結途中で多孔質状態である上記焼結前積層体を、焼成炉中で例えば８００℃まで昇温し、適宜保持した後、５０℃以下まで冷却して焼成炉から取り出す。なお、温度条件は一例であって、これらに限定されるものではない。そして、取り出した上記焼結前積層体を上記の化合物のゾルに浸漬する。上記の化合物のゾルとしては、各元素の酸化物または水酸化物を水中に分散させたものを用いることができる。

焼結工程では、上記のゾル浸漬工程により外表面から上記の化合物が入り込んだ焼結前積層体を再び焼成炉に入れて、誘電体原料粉末が十分焼結する温度まで昇温し、適宜保持して積層体１０を得る。この焼結工程により、外周部１３ｂにおける第１の相Ｐ１を含む複数の結晶粒Ｇの粒界ＧＢの少なくとも一部に、第１の相Ｐ１と異なる第２の相Ｐ２を形成することができる。

上記のグリーン積層体を得る工程から焼結した積層体を得る工程までを、図１１から図１４を用いて詳細に説明する。

図１１から図１４は、この開示に従う積層型電子部品の第３の実施形態である積層セラミックコンデンサ１００Ｂが備える積層体１０Ｂを製造する工程の要部を示す断面図である。

図１１は、グリーン積層体１０ｇを得る工程を示した断面図である。グリーン積層体１０ｇは、セラミックグリーンシート１１ｇと第１の内部電極層パターン１２ａｇと第２の内部電極層パターン１２ｂｇとを積層することにより得られる。セラミックグリーンシート１１ｇは、誘電体原料粉末１と不図示のバインダーとを含む。第１の内部電極層パターン１２ａｇおよび第２の内部電極層パターン１２ｂｇは、例えばＮｉを含む金属粉末２と不図示のバインダーとを含む。

図１２は、グリーン積層体１０ｇを加熱して、焼結前積層体１０ｐ_１とした後、例えばＳｎ化合物ゾルに浸漬して、Ｓｎ化合物Ｓ_１を外周部１３ｂｐ_１および電極相対部１３ａｐ_１の一部に含浸させた状態を示した断面図である。グリーン積層体１０ｇを加熱することにより、セラミックグリーンシート１１ｇ、第１の内部電極層パターン１２ａｇおよび第２の内部電極層パターン１２ｂｇのそれぞれに含まれるバインダーが除去される。

すなわち、焼結前積層体１０ｐ_１は、それぞれ多孔質状態の焼結前誘電体層１１ｐ_１と第１の焼結前内部電極層パターン１２ａｐと第２の焼結前内部電極層パターン１２ｂｐとを含む。焼結前積層体１０ｐ_１は、冷却された後、一旦焼成炉から取り出される。焼成炉から取り出された焼結前積層体１０ｐ_１は、Ｓｎ化合物ゾルに浸漬される。それにより、Ｓｎ化合物Ｓ_１が、外周部１３ｂｐ_１および電極相対部１３ａｐ_１の一部に入り込む。

図１３は、焼結前積層体１０ｐ_１をさらに加熱して、第１の内部電極層１２ａおよび第２の内部電極層１２ｂが焼結した半焼結積層体１０ｐ_２とする工程を示した断面図である。焼結前積層体１０ｐ_１を、バインダーが除去された温度からさらに加熱することにより、第１の内部電極層１２ａおよび第２の内部電極層１２ｂは焼結収縮し、縁部に空孔が生成する。また、焼結前誘電体層１１ｐ_１の焼結が進み、半焼結誘電体層１１ｐ_２となる。

すなわち、半焼結積層体１０ｐ_２は、電極相対部１３ａｐ_２と、電極相対部１３ａｐ_２を囲むように配置されている外周部１３ｂｐ_２とを備える。電極相対部１３ａｐ_２は、第１の内部電極層１２ａと第２の内部電極層１２ｂとが半焼結誘電体層１１ｐ_２を介して相対している部分である。また、Ｓｎ化合物Ｓ_１は、焼結前積層体１１ｐ_１の焼結が進むことにより、残留している空孔などに偏在したＳｎ化合物Ｓ_２となる。

図１４は、半焼結積層体１０ｐ_２をさらに加熱して、焼結した積層体１０Ｂを得る工程が示された断面図である。半焼結積層体１０ｐ_２をさらに加熱することにより、半焼結誘電体層１１ｐ_２は十分に焼結し、誘電体層１１となる。その際、Ｓｎ化合物Ｓ_２は、積層体１０Ｂの焼成時において焼結助剤の役割を果たし、最終的には外周部１３ｂに存在する複数の結晶粒Ｇの粒界ＧＢの少なくとも一部に第２の相Ｐ２として存在するようになる（図８参照）。また、Ｓｎ化合物Ｓ_２の一部は、内部電極層１２の縁部に、充填物Ｆおよび被覆物Ｃとして偏在するようになる（図１０参照）。

以上の製造方法により得られた積層セラミックコンデンサ１００Ｂによれば、前述したように、外周部１３ｂの強度を向上させることができ、延いては抗折強度を向上させることができる。また、各内部電極層に含まれる金属のマイグレーションを抑制することができ、もって積層セラミックコンデンサ１００Ｂの信頼性を向上させることができる。さらに、充填物Ｆおよび被覆物Ｃが導電性を有する場合、内部電極層１２の実効面積を向上させることができ、もって積層セラミックコンデンサ１００Ｂの静電容量を向上させることができる。

なお、焼結途中で多孔質状態である焼結前積層体１０ｐ_１をＳｎ化合物ゾルに浸漬する工程は、焼結前積層体１０ｐ_１をＳｎ化合物ゾルに浸漬した後、Ｓｎ化合物ゾルの周囲雰囲気を減圧する工程をさらに含むことが好ましい。Ｓｎ化合物ゾルの周囲雰囲気を減圧することで、焼結助剤として機能するＳｎ化合物を焼結前積層体１０ｐ_１の内部に効率良く入り込ませることができる。減圧は、例えば０．１ＭＰａまでの真空度とすることができる。ただし、真空度はこれに限られない。

その結果、外周部１３ｂの焼結性を高めて強度を向上させることができる。その結果、積層セラミックコンデンサ１００Ｂの抗折強度を向上させることができる。また、内部電極層１２の縁部に、充填物Ｆおよび被覆物Ｃを効率良く形成できる。その結果、充填物Ｆおよび被覆物Ｃが導電性を有する場合、内部電極層１２の実効面積をさらに向上させることができ、もって積層セラミックコンデンサ１００Ｂの静電容量をさらに向上させることができる。

なお、焼結前積層体１０ｐ_１を浸漬するゾルは、Ｓｎ化合物ゾルに限らず、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｖ、ＡｌおよびＰのうち少なくとも１つを含む化合物のゾルであればよい。

−積層型電子部品の実験例−
この開示に従う積層型電子部品の第３の実施形態である積層セラミックコンデンサ１００Ｂについて、製造過程においてＳｎ添加しなかったものと比較した実験例を表１ないし表３に示す。

表１は、Ｓｎ添加の有無、すなわちＳｎ化合物ゾルの含浸の有無による、積層体の焼結時の寸法の変化を示している。表１において「減圧あり」とは、焼結前積層体をＳｎ化合物ゾルに浸漬した後、Ｓｎ化合物ゾルの周囲雰囲気を０．１ＭＰａまで減圧したことを意味する。なお、積層体は、内部電極層の厚みが０．５μｍ、内部電極層の積層枚数が１００枚、誘電体層の厚みが１．０μｍであり、焼結後に厚みが０．３ｍｍとなるように設計されている。Ｓｎ添加は、８００℃まで昇温され、５０℃まで冷却後に焼成炉から取り出された焼結前積層体を、Ｓｎ化合物濃度が所定の濃度であるＳｎ化合物ゾルへの浸漬することにより行なった。Ｓｎ化合物ゾルとしては、Ｓｎの酸化物を水中に分散させたものを用いた。焼結温度は、１２００℃とした。

表１から分かるように、Ｓｎ添加により焼結収縮の度合いが大きくなっている。また、Ｓｎ化合物ゾルの周囲雰囲気を０．１ＭＰａまで減圧することにより、焼結収縮の度合いはさらに大きくなっている。すなわち、Ｓｎ化合物を効率的に焼結前積層体中に入り込ませることにより、焼結性を高めることができる。

表２は、Ｓｎ添加の有無による抗折強度の変化を示している。積層体の端面に外部電極を付与し（図１および図２参照）、抗折強度測定試料として２０個の積層セラミックコンデンサを準備した。抗折強度の測定は、準備した積層セラミックコンデンサを剛体板の上に置いた状態で、積層体の上面の中央部を治具で押圧して破壊に至った最大応力を測定し、２０個の測定値の平均値を算出することにより行なった。試験に用いた積層体は、表１に示したものと同じである。ただし、Ｓｎ化合物ゾルへの浸漬時の減圧の効果の有無は評価していない。

表２から分かるように、１１７５℃から１２１０℃までの焼結温度において、Ｓｎ添加により抗折強度が向上している。すなわち、表１に示した焼結性の向上に対応して、Ｓｎ化合物を効率的に焼結前積層体中に入り込ませることにより、抗折強度を向上させることができる。

表３は、Ｓｎ添加の有無による静電容量の変化を示している。表３において「減圧あり」とは、焼結前積層体をＳｎ化合物ゾルに浸漬した後、Ｓｎ化合物ゾルの周囲雰囲気を０．１ＭＰａまで減圧したことを意味する。前述のように積層体の端面に外部電極を付与し、静電容量測定試料として２０個の積層セラミックコンデンサを準備した。静電容量の測定は、インピーダンスアナライザ（アジレント・テクノロジー社製：ＨＰ４１９４Ａ）を用い、温度２５±２℃で、電圧が１Ｖ_ｒｍｓ、周波数が１ｋＨｚの交流電圧を印加して測定し、２０個の測定値の平均値を算出することにより行なった。

表３から分かるように、Ｓｎ添加により静電容量が向上している。また、Ｓｎ化合物ゾルの周囲雰囲気を０．１ＭＰａまで減圧することにより、静電容量の向上の度合いはさらに大きくなっている。すなわち、Ｓｎ化合物を効率的に焼結前積層体中に入り込ませることにより、内部電極層の実効面積を向上させることができ、これにより積層セラミックコンデンサの静電容量を向上させることができる。

＜実験例１＞
以下の手順で積層セラミックコンデンサを作製した。まず、誘電体シートおよび内部電極用の導電性ペーストを準備した。誘電体シートおよび内部電極用の導電性ペーストは、有機バインダーおよび溶剤を含む。誘電体シートは、誘電体原料粉末を用いて作製した。誘電体原料粉末は、ＢａＴｉＯ_３粉末を含む。

誘電体シート上に、所定のパターンで内部電極用の導電性ペーストを印刷することによって内部電極パターンを形成した。内部電極パターンが印刷されていない外層用の誘電体シートを所定枚数積層し、その上に内部電極パターンが印刷された誘電体シートを順次積層し、その上に外層用の誘電体シートを所定枚数積層し、積層シートを作製した。積層シートを静水圧プレスにより積層方向にプレスして積層ブロックを作製した。積層ブロックを所定のサイズにカットし、積層チップを切り出した。このとき、バレル研磨により積層チップの角部および稜線部に丸みをつけた。積層チップを焼結して積層体を作製した。焼結温度は、誘電体や内部電極の材料にもよるが、９００〜１３００℃であることが好ましい。本実験例でも焼結温度はこの範囲内とした。積層チップの両端面に外部電極用の導電性ペーストを塗布し、焼き付けることによって外部電極の焼き付け層を形成した。焼き付け温度は、７００〜９００℃であることが好ましい。本実験例でも焼き付け温度はこの範囲内とした。焼き付け層の表面にめっきを施した。

＜実験例２＞
焼結する工程の前に、８００℃まで昇温され、５０℃まで冷却後に焼成炉から取り出された焼結前積層体を、Ｓｎ化合物ゾルへ浸漬する工程を実施したこと以外は実験例１と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。Ｓｎ化合物ゾルとしては、Ｓｎの酸化物を水中に分散させたものを用いた。Ｓｎの酸化物の濃度は７重量％とした。

＜実験例３〜５＞
焼結前積層体をＳｎ化合物ゾルに浸漬した後、Ｓｎ化合物ゾルの周囲雰囲気を０．１ＭＰａまで減圧したこと以外は実験例２と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。減圧時間は、表４に示されるとおりとした。

［測定・評価］
（１）外周部の微細構造の測定
上述の手順で積層セラミックコンデンサから試料を作製し、領域Ｒ４について、ＳＥＭ観察およびＳＥＭに付属しているＷＤＸによる元素分析を行なった。この結果に基づき、Ｓｎを含む化合物の含浸深さ（Ｓｎを含む化合物が存在する層の厚み）を求めた。試料の側面もしくは端面から上記化合物が存在しなくなる領域までの距離を積層方向で４等分した分割線で測定し、その平均値を含浸深さとした。含浸深さは、Ｓｎ化合物ゾルへの浸漬時間の調整により制御した。表４に示される平均濃度は、含浸深さの領域におけるＴｉ １００モルに対する上記化合物のモル比を平均化したものである。表４に「含浸深さ／ＧＡＰ量」の値を併せて示す。ＧＡＰ量は、第２のマージン部Ｍ２の幅方向寸法であり、１００μｍである。

（２）抗折強度
抗折強度の測定は、準備した積層セラミックコンデンサを剛体板の上に置いた状態で、積層体の上面の中央部を治具で押圧して破壊に至った最大応力を測定し、２０個の積層セラミックコンデンサについての測定値の平均値を算出することにより行なった。結果を表４に示す。

（３）信頼性の評価
１５０℃で積層セラミックコンデンサに６Ｖを印加する高温負荷加速試験（ＨＡＬＴ）での平均故障時間（ＭＴＴＦ）を測定した。結果を表４に示す。ＩＲが１０^４以下となったときを故障と判定した。

含浸深さ／ＧＡＰ量が１である実験例５においては、抗折強度は良好であるが、ＭＴＴＦが低下した。これは、焼結助剤として働くＳｎが多く含浸していることにより、電極相対部１３ａとマージン部Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４、外層部Ｄ１、Ｄ２との間で焼結時における収縮挙動に差が大きく、その結果、積層体にひびや割れなどが生じ、水分が積層体内に侵入するためであると考えられる。

＜実験例６〜９＞
Ｓｎ化合物ゾルにおけるＳｎの酸化物の濃度を表５に示されるとおりとしたこと以外は実験例３と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。なお、実験例８と実験例３とは同一である。得られた積層セラミックコンデンサについて、実験例１〜５と同様にして測定・評価を行なった。結果を表５に示す。

表５に示されるとおり、Ｓｎの酸化物の濃度が高いほどＳｎの含浸が進んで抗折強度およびＭＴＴＦが改善する傾向にある。ただし、Ｓｎの酸化物の濃度があまりに高いと抗折強度およびＭＴＴＦが低下する傾向にある。したがって、Ｓｎの酸化物の濃度は、１５重量％未満であることが好ましく、１０重量％以下であることがより好ましい。

この明細書に開示された実施形態は、例示的なものであって、この開示に係る発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。すなわち、この開示に係る発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、上記の範囲内において、種々の応用、変形を加えることができる。

例えば、積層体を構成する誘電体層および内部電極層の層数、誘電体層および内部電極層の材質などに関し、この発明の範囲内において種々の応用、変形を加えることができる。また、積層型電子部品として積層セラミックコンデンサを例示したが、この開示に係る発明はそれに限らず、多層基板の内部に形成されたコンデンサ要素などにも適用することができる。

１００ 積層セラミックコンデンサ、１００Ａ 積層セラミックコンデンサ、１００Ｂ 積層セラミックコンデンサ、１０ 積層体、１０Ａ 積層体、１０Ｂ 積層体、１０ｇ グリーン積層体、１０ｐ_１ 焼結前積層体、１０ｐ_２ 半焼結積層体、１１ 誘電体層、１１ｇ セラミックグリーンシート、１１ｐ_１ 焼結前誘電体層、１１ｐ_２ 半焼結誘電体層、１ 誘電体原料粉末、２ 金属粉末、１２ 内部電極層、１２ａ 第１の内部電極層、１２ａｇ 第１の内部電極層パターン、１２ａｐ 第１の焼結前内部電極層パターン、１２ｂ 第２の内部電極層、１２ｂｇ 第２の内部電極層パターン、１２ｂｐ 第２の焼結前内部電極層パターン、１３ａ 電極相対部、１３ｂ 外周部、１３ａｐ_１ 電極相対部、１３ａｐ_２ 電極相対部、１３ｂｐ_１ 外周部、１３ｂｐ_２ 外周部、１４ａ 第１の主面、１４ｂ 第２の主面、１５ａ 第１の側面、１５ｂ 第２の側面、１６ａ 第１の端面、１６ｂ 第２の端面、１７ａ 第１の外部電極、１７ｂ 第２の外部電極、Ｇ 結晶粒、ＧＢ 粒界、Ｐ 空孔、Ｐ１ 第１の相、Ｐ２ 第２の相、Ｄ１ 第１の外層部、Ｄ２ 第２の外層部、Ｍ１ 第１のマージン部、Ｍ２ 第２のマージン部、Ｍ３ 第３のマージン部、Ｍ４ 第４のマージン部。

Claims (5)

1. 積層された複数の誘電体層と複数の内部電極層とを含む積層体を備え、
   前記複数の誘電体層は、第１の相を含む複数の結晶粒を有し、
   前記内部電極層は、第１の内部電極層および第２の内部電極層を有し、
   前記積層体は、前記複数の内部電極層がそれぞれ前記誘電体層を介して相対している電極相対部と、前記電極相対部を囲む外周部とを有し、
   前記外周部は、前記複数の結晶粒の粒界の少なくとも一部に、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｖ、ＡｌおよびＰのうち少なくとも１つを含み、前記第１の相と異なる第２の相をさらに有する、積層型電子部品。
2. 前記内部電極層は、Ｎｉ、Ｎｉ合金、ＣｕおよびＣｕ合金のうち１つを含み、
   前記内部電極層の縁部の少なくとも一部に、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｖ、ＡｌおよびＰのうち少なくとも１つが偏在している、請求項１に記載の積層型電子部品。
3. 前記内部電極層の縁部と前記誘電体層との界面の少なくとも一部に、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｖ、ＡｌおよびＰのうち少なくとも１つが偏在している、請求項２に記載の積層型電子部品。
4. 複数の焼結前誘電体層を得る工程と、
   前記焼結前誘電体層に、内部電極層用ペーストを用いて、焼結前内部電極層を形成する工程と、
   前記焼結前内部電極層が形成された焼結前誘電体層を含む前記複数の焼結前誘電体層を積層し、焼結前積層体を得る工程と、
   前記焼結前積層体を焼結させ、積層された複数の誘電体層と、複数の内部電極層とを含む積層体を得る工程とを備え、
   前記積層体を得る工程は、焼結途中の前記焼結前積層体を、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｖ、ＡｌおよびＰのうち少なくとも１つを含む化合物のゾルに浸漬する工程と、前記ゾルに浸漬後の前記焼結途中の前記焼結前積層体を焼結させる工程とを含む、積層型電子部品の製造方法。
5. 前記焼結途中の前記焼結前積層体をＳｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｖ、ＡｌおよびＰのうち少なくとも１つを含む化合物のゾルに浸漬する工程は、前記焼結途中の前記焼結前積層体を前記ゾルに浸漬した後、前記ゾルの周囲雰囲気を減圧する工程をさらに含む、請求項４に記載の積層型電子部品の製造方法。

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