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JP2015079976A5 - 半導体装置 - Google Patents

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  1. 酸化物層と、
    前記酸化物層上の、素子を含む層と、を有し、
    前記酸化物層の前記素子を含む層とは反対側の面に、金属元素、又は前記金属元素を含む化合物が付着しており、
    前記金属元素は、タングステンであり、
    前記素子は、発光素子であることを特徴とする半導体装置。
  2. 酸化物層と、
    前記酸化物層上の、素子を含む層と、を有し、
    前記酸化物層の前記素子を含む層とは反対側の面に、金属元素、又は前記金属元素を含む化合物が付着しており、
    前記金属元素は、タングステンであり、
    前記素子は、液晶素子であることを特徴とする半導体装置。
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