JP2002217391A

JP2002217391A - 積層体の製造方法及び半導体装置

Info

Publication number: JP2002217391A
Application number: JP2001014352A
Authority: JP
Inventors: Sumio Utsunomiya; 純夫宇都宮
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2001-01-23
Filing date: 2001-01-23
Publication date: 2002-08-02

Abstract

(57)【要約】【課題】基板上に順次、層や領域を形成する、従来の半
導体装置などの積層体の製造方法は、高温処理などの過
激な条件下で行う工程を含むため、例えば、積層体が配
置される基板や積層体に含まれる部材は制限されること
がある。そこで、様々な基板や部材を含む積層体の製造
に適用できる積層体の製造方法を提供する。【解決手段】第１の基板上に順次、第１の分離層、中間
層及び被転写体を形成し、前記被転写体と第２の基板上
に形成された第２の分離層とを第１の接着層を介して接
着する。次に前記第１の分離層に対して光照射を行うこ
とにうより、前記第１の分離層における剥離を誘起し
て、前記第１の基板を脱離させる。次に第３の基板と前
記中間層とを第２の接着層を介して接着する。次に加熱
することにより、前記第２の分離層における剥離を誘起
し、前記第２の基板を脱離させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層体の製造方法
及び半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板上に順次、層や領域を形成する、従
来の半導体装置などの積層体の製造方法は、高温処理な
どの過激な条件下で行う工程を含む。例えば、代表的な
半導体装置の一つであるMOS素子は、一つの基板上に順
次、半導体層、ゲート絶縁層、さらにゲート電極を形成
することにより製造されるが、ゲート絶縁層や半導体層
の形成工程は、通常、高温処理を必要とする。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
積層体の製造方法では、積層体が配置される基板や積層
体に含まれる部材は制限されることがある。例えば、従
来の半導体装置などの積層体の製造方法は、軟化点や融
点の低い材料を基板あるいは部材とする半導体装置の製
造に適用することは困難であった。そこで、本発明の第
１の目的は、様々な基板や部材を含む積層体の製造に適
用できる積層体の製造方法を提供する。本発明の第２の
目的は様々な用途に対応することのできる半導体装置を
得ることである。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の積層体の
製造方法は、第１の基板上に第１の分離層を形成し、さ
らに前記第１の分離層の上に薄膜デバイスを含む被転写
体を形成する工程と、第２の基板の上に第２の分離層を
形成する工程と、前記被転写体と前記第２の分離層とを
第１の接着層を介して接着する工程と、光照射により前
記第１の分離層の層内及び前記第１の分離層と接する他
の層との境界面のうち少なくともいずれかで剥離を生ぜ
しめ、前記被転写体を前記第１の基板の側から前記第２
の基板の側に転写する工程と、前記第２基板の側に転写
された前記被転写体と第３の基板とを第２の接着層を介
して接着する工程と、加熱により、前記第２の分離層の
層内及び前記第２の分離層と接する他の層との境界面の
うち少なくともいずれかで剥離を生ぜしめ、前記被転写
体を、前記第２の基板の側から前記第３の基板の側に転
写する工程と、を含む。係る積層体の製造方法において
前記第３の基板として所望の基板を用いることにより、
製造される積層体は所望の基板を含むものとり、所望の
性質や機能を付与することができる。例えば、従来の半
導体装置などの積層体の製造方法では、高温処理を伴う
ため用いることが困難なプラスティック材料を前記第３
の基板として利用することができ、これにより係る積層
体に可撓性あるいは柔軟性を付与することができる。ま
た、前記第３の基板として種々のデバイスを含むものを
用いれば、係る積層体には種々の機能を付与することが
できる。

【０００５】係る積層体の製造方法では２回の転写を行
っているが、例えば、被転写体がMOS素子のような上下
が区別される構造物を含んでいる場合、当初の前記第1
の基板に対する該構造物の上下の位置関係と、前記第３
の基板に対する該構造物の上下の位置関係とを一致させ
ることができる。

【０００６】なお、被転写体は複数の層あるいは領域か
ら構成されていても良く、例えば、後述の中間層３０も
被転写体に含まれる場合もある。

【０００７】本発明の第２の積層体の製造方法は、請求
項３に記載の積層体の製造方法において、前記第１の接
着層を取り除く工程をさらに含むこと、を特徴とする。
請求項１に記載の積層体の製造方法において、最終的に
前記被転写体上に第１の接着層が残存することになる
が、この第１の接着層を除去することにより、前記被転
写体の上に電極や配線層などの種々の基材をさらに配置
することもできる。

【０００８】本発明の第３の積層体の製造方法は、請求
項２に記載の積層体の製造方法において、前記第１の接
着層が溶剤に可溶であること、を特徴とする。係る積層
体の製造方法では、溶剤を塗布する方法あるいは溶剤に
浸漬する方法により前記第１の接着層を除去することが
できるため、研磨などの機械的除去法やプラズマエッチ
ングによる除去法に比べて前記被転写体の損傷を低減で
きる。

【０００９】本発明の第４の積層体の製造方法は、請求
項３に記載の積層体の製造方法において、前記第１の接
着層が水溶性であること、を特徴とする。係る積層体の
製造方法では、前記第１の接着層の除去に水を用いるこ
とができるので、係る積層体の製造方法は有機溶剤を用
いる場合に比べて環境への負荷やコストを低減すること
ができるという利点を有する。

【００１０】本発明の第５の積層体の製造方法は、請求
項１乃至４のいずれかに記載の積層体の製造方法におい
て、前記第２の分離層が加熱により接合力が減少または
消失する性質を有すること、を特徴とする。係る積層体
の製造方法により、加熱により選択的に前記第２の分離
層における剥離を生起させることができる。

【００１１】本発明の第６の積層体の製造方法は、請求
項１乃至５のいずれかに記載の積層体の製造方法におい
て、前記第２の分離層には気泡が内在すること、を特徴
とする。加熱により前記第２の分離層内の気泡を膨張さ
せることで、前記第２の分離層の層内または前記第２の
分離層と他の層との境界面における結合力または接着力
を減少させることができる。

【００１２】本発明の第７の積層体の製造方法は、請求
項１乃至６のいずれかに記載の製造方法において、前記
被転写体が薄膜トランジスタを含むこと、を特徴とす
る。請求項１乃至６のいずれかに記載の製造方法は、様
々な部材や基板を含む積層体に対しても適用できるが、
この特徴を生かすことにより、例えば、プラスティック
材料やガラス材料から構成される基板や部材を含む薄膜
トランジスタを製造することができ、様々な用途に薄膜
トランジスタを用いることができる。

【００１３】本発明の半導体装置は、請求項１乃至７の
いずれかに記載の積層体の製造方法を用いて製造された
半導体装置である。上述のような特徴を有する積層体の
製造方法により製造された、この半導体装置は、例え
ば、液晶表示装置、電気泳動表示装置、電界発光表示装
置などの表示装置やICカード及びメモリカードに好適な
半導体装置である。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態につ
いて説明する。まず、実施の形態の概略を図１〜図１０
に沿って説明する。

【００１５】第１工程として、第１の基板１０の上に第
１の分離層２０を形成し（図１）、さらに第１の分離層
２０の上に中間層３０及び被転写層４０を形成する（図
２）。第２工程として、第２の基板５０の上に、第２の
分離層６０を形成する（図３）。第３工程として、第２
の分離層６０と前記被転写層４０とを第１の接着層７０
を介して接着する（図４）。第４工程として第１の基板
１０を通して第１の分離層２０に対して照射光２００を
用いて（図５）、第１の分離層２０に剥離を生ぜしめ、
被転写層４０を第１の基板１０の側から第２の基板５０
の側に転写する（図６）。第５工程として、中間層３０
と第３の基板８０とを接着層９０を介して接着する（図
７）。第６工程として、加熱を行うことにより（図
８）、第２の分離層６０に剥離を生ぜしめ、被転写層４
０を第２基板５０の側から第３の基板８０の側に移動さ
せる（図９）。なお、図１０に示したように、以上の工
程が終了後、前記被転写層４０の表面上に残存する第１
の接着層７０を除去しても良い。

【００１６】次に具体的な実験条件について詳述する。

【００１７】[第１の基板１０]第４工程において、第１
の基板１０の側から第１の分離層２０に対して光２００
を照射するので、第１の基板１０は光２００を十分に透
過するものであることが望ましい。具体的には、第１の
基板１０は光２００を１０％以上透過するものが好まし
く、５０％以上透過するものがより好ましい。後述する
第１の分離層２０がアモルファスシリコンから構成され
ている場合は、エキシマーレーザーなどを光源とする紫
外光を光２００として用いることができるが、そのよう
な場合は、第１の基板１０を構成する材料として、紫外
光を十分に透過する材料、例えば、ガラスあるいは石英
ガラスを用いることが好ましい。第１の基板１０の厚さ
は特に限定されないが、基板の機械的強度と光の透過量
との兼ね合いから、０．１〜５．０ｍｍ程度であるこ
とが好ましく、０．５〜１．５ｍｍであることがより
好ましい場合がある。なお、第１の基板１０の光の透
過率が十分高い場合には、その厚さは、前記上限値を超
えるものであっても良い。また、光を均一に第１の分離
層２０に照射するためには、第１の基板１０の厚さは、
均一であることが好ましい。第１の基板１０の上に形成
される第１の分離層２０、中間層３０、及び被転写層４
０のうちいずれかを形成する際に、高温処理を必要とす
る場合は、第１の基板１０が十分な耐熱性を有すること
が好ましい。

【００１８】[第１の分離層２０]第1の分離層２０に用
いる材料としては、例えば、以下のA〜Fに記載された材
料を用いることができる。

【００１９】A．アモルフアスシリコン（a−Si）このアモルフアスシリコン中には、水素が含有されてい
て良い。この場合、水素の含有量は、１at％以上程度で
あるのが好ましく、2〜20 at％程度であるのがより好ま
しい。このように、水素が所定量含有されていると、光
の照射によって水素が放出され、第1の分離層20に内圧
が発生し、それが剥離を促す力となる。アモルフアスシ
リコン中の水素の含有量は、成膜条件、例えばCVDにお
けるガス圧、ガス雰囲気、ガス流量、温度、基板温度、
あるいはプラズマ生成の際の投入パワー等の条件を適宜
設定することにより調整することができる。

【００２０】B・酸化ケイ素又はケイ酸化合物、酸化チ
タンまたはチタン酸化合物、酸化ランタンまたははラン
タン酸化合物等の各種酸化物セラミックス、誘電体、強
誘電体あるいは半導体酸化ケイ素としては、SiO、SiO₂、Si₃0₂が挙げられ、ケ
イ酸化合物としては、例えばK₂SiO₃、Li₂SiO₃、CaSi
O₃、ZrSiO₄、Na₂SiO₃が挙げられる。酸化チタンとして
は、TiO、Ti₂0₃、TiO₂が挙げられ、チタン酸化合物とし
ては、例えば、BaTiO₄、BaTiO₃、Ba₂Ti₉0₂₀、BaTi
₅0₁₁、CaTiO₃、SrTiO3、PbTiO₃、MgTiO₃、ZrTiO₂、SnTi
O₄、A1₂TiO₅、FeTiO₃が挙げられる。酸化ジルコニウム
としては、ZrO₂が挙げられ、ジルコン酸化合物として
は、例えばBaZrO₃、ZrSiO₄、PbZrO₃、MgZrO₃、K₂ZrO₃が
挙げられる。

【００２１】C・PZT [Pb（Zr,Ti）O₃]]、PLZT[(Pb,La)
（Zr,Ti）O₃]]、PLLZT、PBT等のセラミックスあるいは
誘電体（強誘電体） D．窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化チタン等の窒化
物セラミックス E．有機高分子材料有機高分子材料としては、高分子の主鎖上に、一CH−、
−CO−（ケトン）、−CONH−（アミド）、−NH−（アミ
ノ）、−COO−（エステル）、−N＝N−（アゾ）、−CH
＝N−（イミド）を有するものが挙げられる。また、光
吸収量を向上させるためにベンゼンやナフタレンなどの
芳香族炭化水素が組み込まれた有機高分子も利用するこ
とができる。

【００２２】このような有機高分子材料の具体例として
は、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレンのようなポ
リオレフイン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステ
ル、ポリメチルメタクリレート（PMMA）、ポリフェニレ
ンサルフアイド（PPS）、ポリエーテルサルフォン（PE
S）、ポリエステルテレフタレート（PET）、エポキシ樹
脂がある。

【００２３】F.金属金属としては、例えば、Al、Li、Ti、Mn、In、Sn、Y、L
a、Ce、Nd、Pr、Gd、Smまたはこれらのうち少なくとも1
種を含む合金が挙げられる。

【００２４】第1分離層２０の厚さは、第1の分離層の組
成や材質、積層構造、形成方法等の諸条件により異なる
が、通常は、１ｎｍ〜２０μｍ程度であることが好まし
く、１０ｎｍ〜２μｍ程度であるのがより好ましく、４
０ｎｍ〜１μｍ程度であることがさらに好ましい。

【００２５】第１分離層２０の形成方法は、膜組成や膜
厚等の諸条件に応じて適宜選択することができる。例え
ば、ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ、減圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶ
Ｄ、プラズマＣＶＤを含む）、蒸着、分子線蒸着（Ｍ
Ｂ）、スパッタリング、イオンプレーティング、ＰＶＤ
等の各種気相成長法、電気メッキ、浸漬メッキ、ディッ
ピング、無電解メッキ等の各種メッキ法、ラングミュア
・ブロジェット（ＬＢ）法、スピンコート、スプレーコ
ート、ロールコート等の塗布法、各種印刷法、転写法、
インクジェット法、粉末ジェット法、及び、上記の方法
うちから選択された２つ以上の方法を組み合わせて形成
することもできる。

【００２６】例えば、第１分離層２０の組成がアモルフ
アスシリコン（a−Si）の場合には、ＣＶＤ法、特に減
圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法により成膜するのが好ま
しい。また、第１の分離層２０をゾルーゲル法によるセ
ラミックスで構成する場合や、有機高分子材料で構成す
る場合には、塗布法、特にスピンコート法により成膜す
ることが好ましい。

【００２７】図6に示すように、第１の分離層２０に対
する光照射を行った後、第1分離層２０の一部または全
部が中間層３０に付着することがある。この場合、例え
ば、洗浄、エッチング、アッシング、研磨等の方法また
はこれらを組み合わせた処理を施すことにより中間層３
０上の付着物を除去することができる。

【００２８】また、第1分離層２０の一部または全部が
第１の基板１０に付着する場合もある。この場合も同様
な処理を行うことにより、第１基板１０から付着物を除
去することができるが、これにより、第１の基板１０と
して、石英ガラスのような高価な材料、希少な材料が用
いられている場合は、第１の基板１０を再利用すること
ができ、コスト面でも有利である。

【００２９】[中間層３０]第１の分離層２０に接して配
置される中間層３０は、、種々の目的で形成され、例え
ば、被転写層４０を物理的または化学的に保護する保護
層、絶縁層、導電層、レーザー光の遮光層、不純物のマ
イグレーションを防止するバリヤ層、反射層としての機
能するものが挙げられる。中間層３０が絶縁膜である場
合、例えば、SiO₂、SiO、及びSiNを使用することができ
る。中間層３０の厚さは、所望の機能に応じて適宜選択
することができるが、通常は、１０ｎｍ〜５μｍである
のが好ましく、４０ｎｍ〜１μｍ程度であるのがより好
ましい。なお、場合によっては、中間層３０を形成せ
ず、第１の分離層２０の上に直接、被転写層４０を形成
しても良い。

【００３０】[被転写層４０]被転写層４０は、図２に示
されているように、例えば、薄膜トランジスタ（TFT）
を含んでいても良い（被転写層４０のK部分）。このTFT
は、例えば、ポリシリコン層にn型不純物を導入して形
成されたソース領域１０２、ドレイン領域１０４、チャ
ネル領域１００、ゲート絶縁膜１０６、ゲート電極１０
８、層間絶縁膜１１０、ソース電極１１２、及びドレイ
ン電極１１４を具備することができる。TFT以外の、被
転写層４０に含まれるデバイスとしては、例えば、薄膜
ダイオード、シリコンのPIN接合から成る光電変換素子
（光センサ、太陽電池）、シリコン抵抗素子、その他の
薄膜半導体デバイス、電極（例えば、ITO、メサ膜のよ
うな透明電極）、スイッチング素子、メモリー、圧電素
子等のアクチュエータ、マイクロミラー（ピエゾ薄膜セ
ラミックス）、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダク
ター、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイ
クロ磁気デバイス、フィルター、反射膜、及びダイクロ
イックミラーが挙げられる。もちろん、被転写層４０は
上記の例以外の種々のデバイスを含んでいても、本発明
の積層体の製造方法の適用は可能である。

【００３１】[第２の基板５０]本実施形態では、第２の
基板５０は、被転写層４０を一時的に固定するに足る強
度、及び、第２の分離層６０において剥離させる際の加
熱に耐えうる材料であれば良い。後で詳述するように、
第２の分離層の材質を適宜選択することにより、最低限
の加熱により剥離させることができるので、第２の基板
５０に対してはそれ程の耐熱性は要求されない場合があ
る。光硬化材料を光硬化させて、後で詳述する第１接着
層７０を形成する場合は、基板５０は、光硬化材料を硬
化させる光を十分に透過することが好ましい。従って、
第２の基板５０としては、例えば、ガラス材料や、樹脂
材料等の安価な材料を用いることができる。

【００３２】ガラス材としては、例えば、ケイ酸ガラス
（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガ
ラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウ
ムガラス、ホウケイ酸ガラスが挙げられる。このうち、
ケイ酸ガラス以外のものは、ケイ酸ガラスに比べて、成
型や加工も比較的容易であり、なおかつ安価であるた
め、好ましい。

【００３３】樹脂材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂のいずれでもよく、例えば、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、エチレンープロピレン共重合体、エチレン
ー酢酸ビニル共重合体（EVA）等のポリオレフイン、環
状ポリオレフイン、変性ポリオレフイン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、
ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポ
リー（4−メチルペンテンー1）、アイオノマー、アクリ
ル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリルースチ
レン共重合体（AS樹脂）、ブタジエンースチレン共重合
体、ポリオ共重合体（EVOH）、ポリエチレンテレフタレ
ート（PET）、ポリブチレンテレフタレート（PBT）、ポ
リシクロへキサンテレフタレート（PCT）等のポリエス
テル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（PEEK）、ポ
リエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオ
キシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリアリレー
ト、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラ
フルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ
素系樹脂、スチレン系、ポリオレフイン系、ポリ塩化ビ
ニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエ
チレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不蝕
和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、ま
たはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマー
アロイ等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上
を組み合わせて（例えば2層以上の積層体として）用い
ることができる。

【００３４】[第２の分離層６０]第２分離層６０として
は、多孔質セラミックス、ポーラスシリコンなどの無機
材料、および気泡が内在する樹脂材料を用いることがで
きる。特に、気泡が内在する樹脂材料は、８０〜１５０
℃程度の比較的低温で気泡が膨張し、顕著な接着力の低
下が起こるので好ましい。具体的には、例えば、日東電
工製リバアルファ（商品名）を用いることができる。な
お、第２の分離層は後で詳述する第１の接着層７０と併
用することもできる。

【００３５】[第１の接着層７０]第1接着層７０として
用いられる材料としては、例えば、反応硬化型接着剤、
熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着
剤、嫌気硬化型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いるこ
とができる。特に、工程のタクトタイム低減の観点から
は光硬化性接着剤を用いることが好ましい。上記の光硬
化性材料としては、例えば、エポキシ系、アクリレート
系、シリコーン系の光硬化性材料を用いることができ
る。第１の接着層７０を最終的の除去する必要がある場
合は、第１の接着層７０は溶媒に可溶であることが好ま
しく、特に水溶性であることが好ましい。以上のような
条件を満たす材料として、例えば、スリーボンド３０４
６（商品名）を用いることができる。

【００３６】[照射光２００]第１の分離層２０における
剥離を誘起する照射光200としては、第１の分離層２０
の性質に応じて、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱
線）、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α波、β
波、γ波）など、種々の波長の光あるいは電磁波を用い
ることができる。照射面積あるいは照射領域を制御する
必要がある場合は、指向性に優れた、これらの波長の光
あるいは電磁波を発振するレーザーを用いることが好ま
しい。レーザーとしては、例えば、各種気体レーザー、
ガラスレーザー、半導体レーザーが挙げられるが、より
具体的には、例えば、エキシマレーザー、Nd−YAGレー
ザー、Arレーザー、Krレーザー、CO₂レーザー、COレー
ザー、及びHe−Neレーザーが挙げられる。

【００３７】エキシマレーザーを光源とする高出力の紫
外光を第１の分離層２０に対する照射に用いた場合、極
めて短時間で第1の分離層２０における剥離現象を誘起
することができるので、被転写層４０などの隣接する層
の温度上昇、劣化あるいは損傷などの第１の分離層２０
に対する光照射により誘起される副次的な効果を低減す
ることができる。なお、照射光のエネルギー密度は、10
〜5000mJ／cm²程度とするのが好ましく、100〜500mJ／c
m²程度とするのがより好ましい。また、照射時間は、1
〜1000ナノ秒程度とするのが好ましく、10〜100ナノ秒
程度とするのがより好ましい。

【００３８】照射光２００は、第1の分離層２０に対し
て垂直な方向から照射する必要は必ずしもなく、第1の
分離層２０に対して所定の角度をなす方向から行うこと
もできる。また、第1の分離層２０の面積が照射光200の
1回の照射面積より大きい場合には、第1の分離層２０の
全領域に対し、複数回に分けて照射光２００を照射する
こともできる。また、同一箇所に2回以上照射しても良
い。また、異なる種類、異なる波長域の照射光を同一領
域または異なる領域に2回以上照射しても良い。

【００３９】[第２の接着層９０]第２の接着層９０とし
ては、基本的に第１の接着層７０と同様な材料を用いる
ことができる。

【００４０】[第３の基板８０]第３の基板８０として、
用いることのできる材料は、第２の基板５０の説明で述
べた種々の材料と同様のものを使用することができる。
特に、軽量性、可撓性、弾性などに優れた樹脂材料を用
いることにより、製造される積層体にこれらの機械的性
質を付与することができ、材料コスト、製造コストも低
減できるという利点を有する。なお、第3の基板８０
は、例えば、液晶セルのように、それ自体独立したデバ
イスを構成するものや、例えば、カラーフィルター、電
極層、誘電体層、絶縁層、半導体素子のように、デバイ
スの一部を構成するものであっても良い。また、第3の
基板８０は、例えば、金属、セラミックス、石材、木
材、紙材等の物質であっても良いし、さらには、時計の
文字盤、自動車のフロントガラス、エアコンの表面、プ
リント基板、柱、天井、窓ガラス等の構造物の表面であ
っても良い。

【００４１】

【発明の効果】以上述べたように、本発明に係る転写技
術を用いれば、基板に形成した積層順序を維持したま
ま、薄膜デバイスを、その使用時に適した他の基板上へ
転写することが可能となる。例えば、薄膜を直接形成す
ることができないか、または形成するのに適さない材
料、成型が容易な材料、安価な材料等で横成されたもの
や、移動しにくい大型の物体等に対しても、転写により
それを形成することができる。

【００４２】特に、転写先基板（例えば、第３の基板８
０）は、各種合成樹脂や融点の低いガラス材のような、
製造元基板（第1基板）材料に比べて耐熱性、耐食性等
の特性が劣るものを用いることができる。そのため、例
えば、透明基板上に薄膜トランジスタをすくむ薄膜デバ
イスを製造するに際しては、製造元基板として耐熱性に
優れる石英ガラス基板を用い、転写先基板として、各種
合成樹脂や融点の低いガラス材のような、安価で且つ加
工のし易い材料を用いることにより、安価な薄膜デバイ
スを安定して製造することが容易となる。また、軽量で
柔軟性に富む、新規な薄膜デバイスの製造も可能であ
る。

【００４３】また、本発明の実施形態によれば、上述し
たように、第２基板の離脱を速やかに行うことができ
る。これにより、大面積の薄膜デバイスを短時間で効率
よく転写することが可能となり、製造コストの低減に効
果的である。

【図面の簡単な説明】

【図1】本発明の積層体の積層体の製造方法に係る実施
の形態を示す図である。

【図2】本発明の積層体の積層体の製造方法に係る実施
の形態を示す図である。

【図3】本発明の積層体の積層体の製造方法に係る実施
の形態を示す図である。

【図4】本発明の積層体の積層体の製造方法に係る実施
の形態を示す図である。

【図5】本発明の積層体の積層体の製造方法に係る実施
の形態を示す図である。

【図6】本発明の積層体の積層体の製造方法に係る実施
の形態を示す図である。

【図7】本発明の積層体の積層体の製造方法に係る実施
の形態を示す図である。

【図8】本発明の積層体の積層体の製造方法に係る実施
の形態を示す図である。

【図9】本発明の積層体の積層体の製造方法に係る実施
の形態を示す図である。

【図10】本発明の積層体の積層体の製造方法に係る実施
の形態を示す図である。

【符号の説明】

10、50、80 基板 20 第1の分離層 30 中間層 40 被転写層 60 第2分離層 70、90 接着層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の基板上に第１の分離層を形成し、さ
らに前記第１の分離層の上に薄膜デバイスを含む被転写
体を形成する工程と、第２の基板の上に第２の分離層を形成する工程と、前記被転写体と前記第２の分離層とを第１の接着層を介
して接着する工程と、光照射により前記第１の分離層の層内及び前記第１の分
離層と接する他の層との境界面のうち少なくともいずれ
かで剥離を生ぜしめ、前記被転写体を前記第１の基板の
側から前記第２の基板の側に転写する工程と、前記第２基板の側に転写された前記被転写体と第３の基
板とを第２の接着層を介して接着する工程と、加熱により前記第２の分離層の層内及び前記第２の分離
層と接する他の層との境界面のうち少なくともいずれか
で剥離を生ぜしめ、前記被転写体を、前記第２の基板の
側から前記第３の基板の側に転写する工程と、を含む積層体の製造方法。
【請求項２】請求項１に記載の積層体の製造方法におい
て、前記第1の接着層を取り除く工程をさらに含むこと、を特徴とする積層体の製造方法。
【請求項３】請求項２に記載の積層体の製造方法におい
て、前記第1の接着層が溶媒に可溶であることを特徴とする
積層体の製造方法。
【請求項４】請求項３に記載の積層体の製造方法おい
て、前記第1の接着層が水溶性であること、を特徴とする積層体の製造方法。
【請求項５】請求項１乃至４のいずれかに記載の積層体
の製造方法において、前記第２の分離層が加熱により接合力が減少または消失
する性質を有すること、を特徴とする積層体の製造方法。
【請求項６】請求項１乃至５のいずれかに記載の積層体
の製造方法において、前記第２分離層には気泡が内在すること、を特徴とする積層体の製造方法。
【請求項７】請求項１乃至６のいずれかに記載の積層体
の製造方法において、前記被転写体が薄膜トランジスタを含むこと、を特徴とする積層体の製造方法。
【請求項８】請求項１乃至７のいずれかに記載の積層体
の製造方法を用いて製造された半導体装置。