JP2014075588A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
タの電気特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。従って、逆スタ
ガ型の薄膜トランジスタにIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を用い、電気特性
のバラツキを低減する。
【解決手段】課題を解決するため、大気に触れることなくゲート絶縁膜と、酸化物半導体
層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法により連続成膜を行う。また、酸化物半導体
層においてチャネル保護膜と重なる領域の膜厚が導電膜と接する領域の膜厚よりも厚くな
る特徴的な構造とする。
【選択図】図1
Description
という)で構成された回路を有する半導体装置およびその作製方法に関する。例えば、液
晶表示パネルに代表される電気光学装置や有機発光素子を有する発光表示装置を部品とし
て搭載した電子機器に関する。
置全般を指し、電気光学装置、半導体回路および電子機器は全て半導体装置である。
たアクティブマトリクス型の表示装置(液晶表示装置や発光表示装置や電気泳動式表示装
置)が盛んに開発されている。アクティブマトリクス型の表示装置は、画素(又は1ドッ
ト)毎にスイッチング素子が設けられており、単純マトリクス方式に比べて画素密度が増
えた場合に低電圧駆動できるので有利である。
作製し、電子デバイスや光デバイスに応用する技術が注目されている。例えば、酸化物半
導体膜としてZnOを用いるTFTや、InGaO3(ZnO)mを用いるTFTが挙げ
られる。これらの酸化物半導体膜を用いたTFTを透光性を有する基板上に形成し、画像
表示装置のスイッチング素子などに用いる技術が特許文献1または特許文献2で開示され
ている。
特性が重要であり、この電気特性が表示装置の性能を左右する。特に、薄膜トランジスタ
の電気特性のうち、しきい値電圧(Vth)が重要である。電界効果移動度が高くともし
きい値電圧値が高い、或いはしきい値電圧値がマイナスであると、回路として制御するこ
とが困難である。しきい値電圧値が高く、しきい値電圧の絶対値が大きい薄膜トランジス
タの場合には、駆動電圧が低い状態ではTFTとしてのスイッチング機能を果たすことが
できず、負荷となる恐れがある。また、しきい値電圧値がマイナスであると、ゲート電圧
が0Vでもソース電極とドレイン電極の間に電流が流れる、所謂ノーマリーオンとなりや
すい。
ネルが形成されて、ドレイン電流が流れ出すトランジスタが望ましい。駆動電圧を高くし
ないとチャネルが形成されないトランジスタや、負の電圧状態でもチャネルが形成されて
ドレイン電流が流れるトランジスタは、回路に用いる薄膜トランジスタとしては不向きで
ある。
Vにできるだけ近い正のしきい値電圧でチャネルが形成される構造を提供することを課題
の一つとする。
のバラツキを低減することも課題の一つとする。特に、液晶表示装置においては、個々の
素子間でのバラツキが大きい場合、そのTFT特性のバラツキに起因する表示むらが発生
する恐れがある。
置されたTFT(駆動回路のTFTまたは画素に配置される発光素子に電流を供給するT
FT)のオン電流(Ion)のバラツキが大きい場合、表示画面において輝度のバラツキ
が生じる恐れがある。
ート絶縁膜の界面、または酸化物半導体層と電極との界面に大きく影響されると考えられ
る。
性を向上させるとともに、製造工程の複雑化を防ぐことができ、量産性と高性能の両方を
備えた薄膜トランジスタを実現する。
物半導体層と、チャネル保護膜との三層をスパッタ法またはPCVD法により連続成膜を
行う。好ましくは、減圧下でこれら三層を連続成膜することで良好な界面を有する酸化物
半導体層を実現でき、TFTのオフ時のリーク電流が低く、且つ、電流駆動能力の高い薄
膜トランジスタを実現することができる。
ート電極上に第1の絶縁膜と、第1の絶縁膜上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上に
第2の絶縁膜とをスパッタ法により大気に触れることなく積層し、第2の絶縁膜を選択的
にエッチングしてゲート電極と重なる位置に保護膜を形成し、保護膜をマスクとして酸化
物半導体層の上層をエッチングし、酸化物半導体層及び保護膜上に導電膜を形成し、保護
膜をエッチングストッパーとして前記導電膜を選択的にエッチングする半導体装置の作製
方法である。
こともできる。第1の絶縁膜と酸化物半導体層との界面はチャネルが形成する領域に近い
ため、同一チャンバー内で成膜することは、得られるTFTの電気特性、例えば電界効果
移動度を向上させる上で有用である。また、第1の絶縁膜と酸化物半導体層との界面が清
浄となるため、しきい値電圧値のバラツキや、オン電流(Ion)のバラツキも低減でき
る。同一チャンバー内で積層する利点としては、使用するチャンバーの数を減らせる点と
、異なるチャンバー間を基板搬送する間にパーティクルや水分等が基板に付着することを
防止できる点である。
チャンバー内で成膜することもできる。酸化物半導体層と第2の絶縁膜の界面は、オフ時
にリーク電流が流れる経路に近いため、同一チャンバー内で成膜することは、得られるT
FTの電気特性、例えばオフ時のリーク電流を低下させる上で有用である。また、第1の
絶縁膜と酸化物半導体層との界面に加え、酸化物半導体層と第2の絶縁膜の界面も清浄と
なるため、個々の素子間でのバラツキも低減できる。
10%未満含み、且つ、酸素を90%以上含む雰囲気でスパッタ法により形成することも
特徴の一つである。ターゲットとしては絶縁材料または金属材料または半導体材料を用い
る。このスパッタ法により酸素過剰の第1の絶縁膜を得ることができる。さらに酸素過剰
の第1の絶縁膜上に酸素過剰の酸化物半導体層を形成すれば、酸素過剰の膜同士のため界
面状態を安定させ、TFTの信頼性を向上させることができる。
半導体層を、酸素のみの雰囲気、または不活性気体を10%未満含み、且つ、酸素を90
%以上含む雰囲気でスパッタ法により形成することも特徴の一つである。酸化物半導体層
は、パルスレーザー蒸着法(PLD法)及び電子ビーム蒸着法などの気相法を用いること
ができるが、量産性の点からは、スパッタ法が適している。
、酸素を90%以上含む雰囲気でスパッタ法により形成することも特徴の一つである。大
気に触れることなく、酸素過剰のSiOx膜と酸素過剰のIGZO半導体層と酸素過剰の
チャネル保護膜とを連続成膜することにより、3層が全て酸素過剰の膜のため界面状態が
より安定し、TFTの信頼性を向上させることができる。3層を連続成膜することにより
、しきい値のバラツキの低減や、電気特性の劣化の防止や、TFTがノーマリーオン側に
シフトすることを低減、望ましくはシフトをなくすことができる。
ッタ法或いはPCVD法で行う第2の成膜工程までの一連のプロセス中、被処理基板の置
かれている雰囲気が大気等の汚染雰囲気に触れることなく、常に真空中または不活性ガス
雰囲気(窒素雰囲気または希ガス雰囲気)で制御されていることを言う。連続成膜を行う
ことにより、清浄化された被処理基板の水分等の再付着を回避して成膜を行うことができ
る。
は本明細書における連続成膜の範囲にあるとする。
う場合、第1の成膜工程を終えた後、大気にふれることなくチャンバー間を基板搬送して
第2の成膜を施すことも本明細書における連続成膜の範囲にあるとする。
工程、または第2の工程に必要な温度とするため基板を加熱または冷却する工程等を有し
ても、本明細書における連続成膜の範囲にあるとする。
の成膜工程と第2の成膜工程の間にある場合、本明細書でいう連続成膜の範囲には当ては
まらないとする。
その後、意図的に酸化物半導体層の一部をエッチングして膜厚の薄い領域を形成する。従
って、本発明の一態様の作製方法を行うことにより、酸化物半導体層においてチャネル保
護膜と重なる領域の膜厚が導電膜と接する領域の膜厚よりも厚くなる特徴的な構造とする
ことができる。
つであり、その構造は、絶縁表面を有する基板上にゲート電極と、ゲート電極上に第1の
絶縁膜と、第1の絶縁膜上に酸化物半導体層と、酸化物半導体層上に第2の絶縁膜及び導
電膜とを有し、酸化物半導体層と第2の絶縁膜とが接する第1の領域は、ゲート電極と少
なくとも一部重なり、酸化物半導体層と導電膜とが接する第2の領域における酸化物半導
体層の膜厚は、第1の領域における酸化物半導体層の膜厚より薄い半導体装置である。
導体膜である。In、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜(IGZO膜)はキャリア濃
度が高くなるにつれ、ホール移動度も高くなる特性を有している。また、少なくともIn
、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜は、ゲート電圧、及びソースドレイン間電圧を印
加していない状態での室温下の電子キャリア濃度を1×1011cm−3以上1×101
7cm−3以下とする。薄膜トランジスタの酸化物半導体層がこの電子キャリア濃度範囲
を超えた場合、しきい値電圧がマイナスとなりやすく、ゲート電圧が0Vでもソース電極
とドレイン電極の間に電流が流れる、所謂ノーマリーオンとなりやすい。
のゲート電圧が0Vにできるだけ近い正のしきい値電圧でチャネルが形成される構造を実
現できる。
体層との界面特性が優れた材料を使用することが好ましい。例えばスパッタ法で形成され
る酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、窒化アルミニウム膜、または
酸化イットリウム膜等が挙げられる。また、これら複数の種類の絶縁膜を多層に重ねた構
造としてもよい。この第1の絶縁膜の厚さは、ゲート絶縁膜として使用することを考慮し
て決定される。ゲート絶縁膜の膜厚は典型的には、50nm以上500nmである。
導体層との界面特性が優れた材料を使用することが好ましい。例えばスパッタ法で形成さ
れる酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、窒化アルミニウム膜、また
は酸化イットリウム膜等が挙げられる。第2の絶縁膜をチャネル保護膜として機能させる
ことにより、IGZO半導体層のゲート絶縁膜と接する面とは反対側の領域、所謂バック
チャネルに対する工程時におけるダメージ(エッチング時のプラズマやエッチング剤によ
る膜減りや、酸化など)を防ぐことができ、半導体装置の信頼性を向上させることができ
る。
に少量添加し、ナトリウム等の可動イオンの固定化をさせてもよい。第1の絶縁膜または
第2の絶縁膜に含ませるハロゲン元素の濃度は、SIMS(二次イオン質量分析計)を用
いた分析により得られる濃度ピークが1×1015cm−3以上1×1020cm−3以
下の範囲内とすることが好ましい。第1の絶縁膜または第2の絶縁膜に含ませるハロゲン
元素は、ナトリウム等のアルカリ金属を含むガラス基板からナトリウム等の可動イオンが
半導体領域中に侵入して、TFTの電気特性を変化させることを抑制する作用を有する。
ム、若しくは銅、シリコン、チタン、ネオジム、スカンジウム、モリブデンなどの耐熱性
向上元素若しくはヒロック防止元素が添加されたアルミニウム合金の単層または積層で形
成する。中でも酸化物半導体層との界面特性が優れた材料としてチタンが挙げられる。特
に、導電膜としてチタン膜、アルミニウム膜、チタン膜の積層を用いると低抵抗であり、
かつチタン膜で上下を挟まれているため、アルミニウム膜が起因するヒロックが発生しに
くく、ソース電極またはドレイン電極として適している。
は窒化酸化珪素膜を有する構造としてもよい。即ちゲート絶縁膜が2層またはそれ以上の
積層としてもよく、酸化物半導体層と接する最上層の膜である第1の絶縁膜としてはスパ
ッタ法で形成する酸化珪素膜が好ましいが、その下層に設ける絶縁膜は、プラズマCVD
法などで形成する窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜が好ましい。プラズマCVD法など
で形成する窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜を設けることによってTFTの作製工程に
おいて基板表面がエッチングされることを防ぐエッチングストッパーとして作用する。窒
化珪素膜、または窒化酸化珪素膜もナトリウム等のアルカリ金属を含むガラス基板からナ
トリウム等の可動イオンが半導体領域中に侵入して、TFTの電気特性を変化させること
を抑制することができる。
いものであって、ラザフォード後方散乱法(RBS:Rutherford Backs
cattering Spectrometry)及び水素前方散乱法(HFS:Hyd
rogen Forward Scattering)を用いて測定した場合に、濃度範
囲として酸素が50〜70原子%、窒素が0.5〜15原子%、Siが25〜35原子%
、水素が0.1〜10原子%の範囲で含まれるものをいう。また、窒化酸化珪素膜とは、
その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いものであって、RBS及びHFSを用い
て測定した場合に、濃度範囲として酸素が5〜30原子%、窒素が20〜55原子%、S
iが25〜35原子%、水素が10〜30原子%の範囲で含まれるものをいう。但し、酸
化窒化珪素膜または窒化酸化珪素膜を構成する原子の合計を100原子%としたとき、窒
素、酸素、Si及び水素の含有比率が上記の範囲内に含まれるものとする。
にデバイスを配置した場合の基板面を基準とする方向を指す。
膜トランジスタのゲート電圧が0Vにできるだけ近い正のしきい値電圧でチャネルが形成
される構造を実現することができる。また、3層を連続成膜することにより、しきい値の
バラツキの低減や、電気特性の劣化の防止や、TFTがノーマリーオン側にシフトするこ
とを低減、望ましくはシフトをなくすことができる。
本実施の形態では、薄膜トランジスタ及びその作製工程について、図1及び図2を用いて
説明する。
102を形成する(図1(A)参照。)。
ノシリケートガラスなど、フュージョン法やフロート法で作製される無アルカリガラス基
板、セラミック基板の他、本作製工程の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック
基板等を用いることができる。また、ステンレス合金などの金属基板の表面に絶縁膜を設
けた基板を適用しても良い。基板50の大きさは、320mm×400mm、370mm
×470mm、550mm×650mm、600mm×720mm、680mm×880
mm、730mm×920mm、1000mm×1200mm、1100mm×1250
mm、1150mm×1300mm、1500mm×1800mm、1900mm×22
00mm、2160mm×2460mm、2400mm×2800mm、又は2850m
m×3050mm等を用いることができる。
地絶縁膜としては、CVD法やスパッタリング法等を用いて、酸化珪素膜、窒化珪素膜、
酸化窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜の単層、又は積層で形成すればよい。
銅、アルミニウムなどの金属材料またはその合金材料を用いて形成する。例えば、ゲート
電極101は、CuO、Cu−Mg−O、Cu−Ca−O、Cu−Mn−O、Al−Ni
合金、Al−Ni−La合金、Al−Nd合金などを用いることができる。ゲート電極1
01は、スパッタリング法や真空蒸着法で基板100上に導電膜を形成し、当該導電膜上
にフォトリソグラフィ技術またはインクジェット法によりマスクを形成し、当該マスクを
用いて導電膜をエッチングすることで、形成することができる。また、銀、金、銅などの
導電性ナノペーストを用いてインクジェット法により吐出し焼成して、ゲート電極101
を形成することもできる。なお、ゲート電極101の密着性向上と基板や下地膜への拡散
を防ぐバリアメタルとして、上記金属材料の窒化物膜を、基板100及びゲート電極10
1の間に設けてもよい。また、ゲート電極101は単層構造としても積層構造としてもよ
く、例えば基板100側からモリブデン膜とアルミニウム膜との積層、モリブデン膜とア
ルミニウムとネオジムとの合金膜との積層、チタン膜とアルミニウム膜との積層、チタン
膜、アルミニウム膜及びチタン膜との積層などを用いることができる。
リソグラフィ技術を用いて選択的にエッチングを行う。ここで1枚目のフォトマスクを用
いる。なお、ゲート電極101上には半導体膜や配線を形成するので、段切れ防止のため
端部がテーパー状になるように加工することが望ましい。
、酸化窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜で形成することができる。この第1の絶縁膜1
02はゲート絶縁膜の一層目である。ここでは、第1の絶縁膜102は、プラズマCVD
法により窒化珪素膜を形成する。この窒化珪素膜は、ゲート電極101の材料にヒロック
が発生する可能性のある材料を用いた場合、ヒロック発生を防止する効果を有する。
絶縁膜104とをスパッタリング法を用いて大気に触れることなく連続して成膜する(図
1(B)参照。)。大気に触れることなく連続して成膜すると、生産性が高く、薄膜界面
の信頼性が安定する。また、大気成分や大気中に浮遊する汚染不純物元素に汚染されるこ
となく各積層界面を形成することができる。
の製造装置を用いることが好ましい。
1)を備えた搬送室80が設けられ、搬送室80には、搬送室内へ搬入および搬出する基
板を複数枚収納するカセットケースをセットするカセット室82がゲートバルブ83を介
して連結されている。
。ここでは、上面形状が六角形の搬送室80に5つの処理室を連結する例を示す。なお、
搬送室の上面形状を変更することで、連結できる処理室の数を変えることができ、例えば
、四角形とすれば3つの処理室が連結でき、八角形とすれば7つの処理室が連結できる。
ーとする。スパッタチャンバーは、少なくともチャンバー内部に、スパッタターゲット、
ターゲットをスパッタするための電力印加機構やガス導入手段、所定位置に基板を保持す
る基板ホルダー等が設けられている。また、スパッタチャンバー内を減圧状態とするため
、チャンバー内の圧力を制御する圧力制御手段がスパッタチャンバーに設けられている。
があり、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスDCスパッタ法もある。RFスパッタ
法は主に絶縁膜を成膜する場合に用いられ、DCスパッタ法は主に金属膜を成膜する場合
に用いられる。
装置は、同一チャンバーで異なる材料膜を積層成膜することも、同一チャンバーで複数種
類の材料を同時に放電させて成膜することもできる。
や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるECRスパッタ
法を用いるスパッタ装置がある。
それらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタ法や、成膜中に基板にも電圧をかけ
るバイアススパッタ法もある。
どを行う加熱チャンバー、スパッタリング後に基板を冷却する冷却チャンバー、或いはプ
ラズマ処理を行うチャンバーとする。
、カセット室82に設けられた真空排気手段によりカセット室を減圧状態とする。なお、
予め、各処理室および搬送室80内部をそれぞれに設けられた真空排気手段により減圧し
ておく。こうしておくことで、各処理室間を基板が搬送されている間、大気に触れること
なく清浄な状態を維持することができる。
。例えば、基板とゲート電極の間にプラズマCVD法で得られる窒化珪素膜、窒化酸化珪
素膜などの下地絶縁膜を設けてもよい。基板94としてアルカリ金属を含むガラス基板を
用いる場合、下地絶縁膜は、基板からナトリウム等の可動イオンがその上の半導体領域中
に侵入して、TFTの電気特性が変化することを抑制する作用を有する。
縁膜を形成した基板を用いており、図1(A)に示す基板に相当する。また、1層目のゲ
ート絶縁膜は図1(A)に示す第1の絶縁膜102に相当する。プラズマCVD法で成膜
された窒化珪素膜は緻密であり、1層目のゲート絶縁膜とすることでピンホールなどの発
生を抑えることができる。なお、ここではゲート絶縁膜を積層とする例を示すが特に限定
されず、単層または3層以上の積層を用いてもよい。
から抜き取り、ゲートバルブ84を開いて第1の処理室89内に搬送し、ゲートバルブ8
4を閉める。第1の処理室89では、加熱ヒータやランプ加熱で基板を加熱して基板94
に付着している水分などを除去する。特に、ゲート絶縁膜に水分が含まれるとTFTの電
気特性が変化する恐れがあるため、スパッタ成膜前の加熱は有効である。なお、カセット
室82に基板をセットした段階で十分に水分が除去されている場合には、この加熱処理は
不要である。
ズマ処理を行ってもよい。また、カセット室82に加熱手段を設けてカセット室82で水
分を除去する加熱を行ってもよい。
ゲートバルブ85を開いて第2の処理室90内に搬送し、ゲートバルブ85を閉める。
ーとする。第2の処理室90では、2層目のゲート絶縁膜として酸化珪素膜(SiOx膜
)の成膜を行う。2層目のゲート絶縁膜として、酸化珪素膜の他に、酸化アルミニウム膜
(Al2O3膜)、酸化マグネシウム膜(MgOx膜)、窒化アルミニウム膜(AlNx
膜)、酸化イットリウム膜(YOx膜)などを用いることができる。2層目のゲート絶縁
膜は図1(B)に示す第2の絶縁膜103に相当する。
し、ナトリウム等の可動イオンの固定化をさせてもよい。その方法としては、チャンバー
内にハロゲン元素を含むガスを導入してスパッタリングを行う。ただし、ハロゲン元素を
含むガスを導入する場合にはチャンバーの排気手段に排気ガスを無害化する除害設備を設
ける必要がある。ゲート絶縁膜に含ませるハロゲン元素の濃度は、SIMS(二次イオン
質量分析計)を用いた分析により得られる濃度ピークが1×1015cm−3以上1×1
020cm−3以下の範囲内とすることが好ましい。
を用いるスパッタ方法や、ターゲットとして単結晶シリコンを用い、酸素ガスと化学反応
させてSiOx膜を得るリアクティブスパッタ法を用いることができる。ここでは酸素を
限りなく多くSiOx膜中に含ませるために、ターゲットとして人工石英を用い、酸素の
みの雰囲気下、または酸素が90%以上、且つ、Arが10%以下の雰囲気下でスパッタ
リングを行い、酸素過剰のSiOx膜を形成する。
1により基板を搬送室80に搬送し、ゲートバルブ86を開いて第3の処理室91内に搬
送し、ゲートバルブ86を閉める。
ーとする。第3の処理室91では、半導体膜111として酸化金属層(IGZO半導体層
)の成膜を行う。本明細書において、In、Ga、及びZnを含む酸化物半導体膜を用い
て形成された半導体膜を「IGZO半導体層」とも記す。IGZO半導体層の場合、金属
元素の組成比の自由度は高く、広い範囲の混合比で半導体層として機能する。例えば10
重量%の酸化亜鉛を含む酸化インジウムや、酸化インジウムと酸化ガリウムと酸化亜鉛を
それぞれ等モルで混合した材料や、膜中の金属元素の存在比がIn:Ga:Zn=2.2
:2.2:1.0の比で存在する酸化物を一例として挙げることができる。薄膜トランジ
スタの電気特性のバラツキを低減するためには、IGZO半導体層はアモルファス状態で
あることが好ましい。In、Ga、及びZnを含む酸化物半導体ターゲットを用いて、希
ガス雰囲気下、または酸素雰囲気下で成膜することができる。IGZO半導体層の成膜条
件例としては、直径8インチのIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体ターゲット(酸
化インジウム(In2O3)と酸化ガリウム(Ga2O3)と酸化亜鉛(ZnO)をそれ
ぞれ等モルで混合し、焼結したターゲット)を用いて、基板とターゲットの間との距離を
170mm、圧力0.4Pa、直流電源0.5kW、アルゴン及び酸素雰囲気下で成膜す
ることができる。ここでは酸素を限りなく多くIGZO半導体層中に含ませるために、タ
ーゲットとしてIn、Ga、及びZnを含む酸化物半導体を用い、酸素のみの雰囲気下、
または酸素が90%以上、且つ、Arが10%以下の雰囲気下でパルスDCスパッタ法の
スパッタリングを行い、酸素過剰のIGZO半導体層を形成する。IGZO半導体層の成
膜にパルスDCスパッタ法のスパッタリングを用いると、ごみが軽減でき、膜厚分布も均
一となるために好ましい。
層とを連続成膜することにより、酸素過剰の膜同士のため界面状態を安定させ、TFTの
信頼性を向上させることができる。IGZO半導体層の成膜前に基板が大気に触れた場合
、水分などが付着し、界面状態に悪影響を与え、しきい値のバラツキや、電気特性の劣化
、ノーマリーオンのTFTになってしまう症状などを引き起こす恐れがある。水分は水素
化合物であり、大気に触れることなく、連続成膜することによって、水素化合物が界面に
存在することを排除することができる。従って、連続成膜することにより、しきい値のバ
ラツキの低減や、電気特性の劣化の防止や、TFTがノーマリーオン側にシフトすること
を低減、望ましくはシフトをなくすことができる。
及びZnを含む酸化物半導体ターゲットとの両方を設置し、シャッターを用いて順次積層
して連続成膜することによって同一チャンバー内で積層を行うこともできる。シャッター
は、ターゲットと基板の間に設け、成膜を行うターゲットはシャッターを開け、成膜を行
わないターゲットはシャッターにより閉じる。同一チャンバー内で積層する利点としては
、使用するチャンバーの数を減らせる点と、異なるチャンバー間を基板搬送する間にパー
ティクル等が基板に付着することを防止できる点である。
を搬送室80に搬送し、ゲートバルブ87を開いて第4の処理室92内に搬送し、ゲート
バルブ87を閉める。
ーとする。第4の処理室92では、チャネル保護膜となる第3の絶縁膜104として酸化
珪素膜(SiOx膜)の成膜を行う。また、チャネル保護膜として、酸化珪素膜の他に、
酸化アルミニウム膜(Al2O3膜)、酸化マグネシウム膜(MgOx膜)、窒化アルミ
ニウム膜(AlNx膜)、酸化イットリウム膜(YOx膜)などを用いることができる。
トリウム等の可動イオンの固定化をさせてもよい。その方法としては、チャンバー内にハ
ロゲン元素を含むガスを導入してスパッタリングを行う。ただし、ハロゲン元素を含むガ
スを導入する場合にはチャンバーの排気手段に排気ガスを無害化する除害設備を設ける必
要がある。チャネル保護膜に含ませるハロゲン元素の濃度は、SIMS(二次イオン質量
分析計)を用いた分析により得られる濃度ピークが1×1015cm−3以上1×102
0cm−3以下の範囲内とすることが好ましい。
、代表的にはアルゴンを用いるスパッタ方法や、ターゲットとして単結晶シリコンを用い
、酸素ガスと化学反応させてSiOx膜を得るリアクティブスパッタ法を用いることがで
きる。ここでは酸素を限りなく多くSiOx膜中に含ませるために、ターゲットとして人
工石英を用い、酸素のみの雰囲気下、または酸素が90%以上、且つ、Arが10%以下
の雰囲気下でスパッタリングを行い、酸素過剰のSiOx膜を形成する。
層と酸素過剰のチャネル保護膜とを連続成膜することにより、3層が全て酸素過剰の膜の
ため界面状態がより安定し、TFTの信頼性を向上させることができる。IGZO半導体
層の成膜前後に基板が大気に触れた場合、水分などが付着し、界面状態に悪影響を与え、
しきい値のバラツキや、電気特性の劣化、ノーマリーオンのTFTになってしまう症状な
どを引き起こす恐れがある。水分は水素化合物であり、大気に触れることなく、連続成膜
することによって、水素化合物がIGZO半導体層の界面に存在することを排除すること
ができる。従って、3層を連続成膜することにより、しきい値のバラツキの低減や、電気
特性の劣化の防止や、TFTがノーマリーオン側にシフトすることを低減、望ましくはシ
フトをなくすことができる。
及びZnを含む酸化物半導体ターゲットとの両方を設置し、シャッターを用いて順次積層
して3層を連続成膜することによって同一チャンバー内で積層を行うこともできる。同一
チャンバー内で積層する利点としては、使用するチャンバーの数を減らせる点と、異なる
チャンバー間を基板搬送する間にパーティクル等が基板に付着することを防止できる点で
ある。
護膜の3層を連続成膜した後、第1の処理室89に搬送し、IGZO半導体層のアニール
(300℃〜400℃)を行ってもよい。
終えた後、カセット室の真空を大気に開放して、基板およびカセットを取り出す。この段
階での基板の断面構造が図1(B)に示す基板の断面図に相当する。
ングして絶縁物106を形成し、さらに半導体膜111を選択的にエッチングしてIGZ
O半導体層105を形成する。ドライエッチングやウェットエッチングを用いて形成して
もよいし、2回のエッチングに分けてそれぞれ選択的にエッチングしてもよい。半導体膜
111のエッチングには、クエン酸やシュウ酸などの有機酸をエッチャントに用いること
ができる。例えば、50nmの半導体膜111はITO07N(関東化学社製)を使い1
50秒でエッチング加工できる。この段階で、半導体膜111が除去された領域は、ゲー
ト絶縁膜の表面が露呈する。ここで2枚目のフォトマスクを用いる。この段階での基板の
断面構造が図1(C)に示す基板の断面図に相当する。
チャネル形成領域となる位置と重なる部分のみを残してエッチングを行う。選択的にエッ
チングを行って絶縁物106を形成するため、フォトリソグラフィ技術を用いる。ここで
3枚目のフォトマスクを用いる。ここでのチャネル保護膜107の形成のためのエッチン
グは、IGZO半導体層と十分にエッチングレートが異なる条件を用いる。なお、第3の
絶縁膜104がゲート絶縁膜と同じ材料である場合、このエッチングによってゲート絶縁
膜もエッチングされてしまう。従って、ゲート絶縁膜をエッチングされないようにするた
めには、チャネル保護膜は、ゲート絶縁膜と異なる材料を用いることが好ましい。本実施
の形態ではゲート絶縁膜は2層であり、上層の第2の絶縁膜103はSiOx膜であるた
め除去される恐れがあるが、下層の第1の絶縁膜102は窒化珪素膜でありエッチングス
トッパーとして機能する。
ンでゲート電極と重なる位置にレジストマスクを選択的に形成することもできる。特に半
導体膜111は酸化物半導体膜であり、高い透光性を有しており、裏面露光に適している
。ただし、裏面露光を行う場合には、第1の絶縁膜102、第2の絶縁膜103、及び第
3の絶縁膜104が全て十分な透光性を有する材料であることが必要である。
m程度エッチングする。チャネル保護膜107(第3絶縁膜104)のスパッタ成膜の際
にIGZO半導体層(半導体膜111)においてチャネル保護膜(第3絶縁膜104)と
の界面付近には表層に薄い混合層が形成される恐れがあるため、この混合層をエッチング
により除去する。混合層を除去することにより良好な接触抵抗を実現でき、TFTの特性
バラツキも低減できる。この2回のエッチングにより、IGZO半導体層は、表面が部分
的にエッチングされ、チャネル保護膜107と重なる領域と比べ膜厚の薄い領域108が
形成される。IGZO半導体層において、薄い領域108の膜厚は、2nm以上200n
m以下、好ましくは20nm以上150nm以下とする。なお、2回のエッチングに分け
ずに1回のエッチングで、チャネル保護膜の形成と、IGZO半導体層の表面の部分的に
エッチングを行ってもよい。この段階での基板の断面構造が図1(D)に示す基板の断面
図に相当する。
る。
を開いて第5の処理室93に搬送する。
ーとする。第5の処理室93では、ソース電極またはドレイン電極となる金属多層膜の成
膜を行う。第5の処理室93のスパッタチャンバーにチタンのターゲットと、アルミニウ
ムのターゲットとの両方を設置し、シャッターを用いて順次積層して連続成膜することに
よって同一チャンバー内で積層を行う。ここでは、チタン膜上にアルミニウム膜を積層し
、さらにアルミニウム膜上にチタン膜を積層する。
うに、チャネル保護膜107をマスクとして露呈しているIGZO半導体層を約10nm
程度エッチングする工程を第5の処理室93で逆スパッタを行うことによって行ってもよ
い。逆スパッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、アルゴン雰囲気下または酸素雰
囲気下または窒素雰囲気下で基板側に電圧を印加して基板側にプラズマを形成して表面を
エッチングする方法である。この場合、チャネル保護膜107を形成した段階で図2に示
す製造装置のカセット室にセットする。金属多層膜と接触する薄い領域108のIGZO
半導体層を大気に露呈させないようにすることでIGZO半導体層と金属多層膜との間で
良好な界面状態を実現でき、接触抵抗を低減できる。
を行ってもよいし、第1の処理室で逆スパッタを行ってもよく、第1の処理室での処理後
に大気に触れることなく第5の処理室に搬送して金属多層膜を成膜する。
は300℃〜400℃の加熱処理、好ましくは350℃以上の加熱処理を行うことができ
る。この加熱処理を行うことにより逆スタガ型の薄膜トランジスタの電気特性を向上させ
ることができる。この加熱処理は、酸素過剰のIGZO半導体層の成膜後であれば特に限
定されず、例えば、酸素過剰のIGZO半導体層の成膜直後や、金属多層膜成膜直後に行
うことができる。ここでは、金属多層膜を成膜後に350℃、1時間の加熱処理を行う。
終えた後、カセット室の真空を大気に開放して、基板およびカセットを取り出す。
110を形成する。ここでのエッチングでは、チャネル保護膜107がエッチングストッ
パーとして機能する。ここで4枚目のフォトマスクを用いる。なお、チタン膜とアルミニ
ウム膜とチタン膜とを順に積み重ねた三層構造の導電膜は過酸化水素水または加熱塩酸を
エッチャントとしてエッチングできる。この段階での基板の断面構造が図1(E)に示す
基板の断面図に相当する。
直列に連結するインライン方式の製造装置を用いて大気に触れることなく連続成膜を行っ
てもよい。また、インライン方式の製造装置である場合、基板を縦置きで搬送し、スパッ
タチャンバー内の基板のセットを縦置きとすることもできる。
の処理室としたが、基板を垂直に立て、縦置き方式の処理室としてもよい。縦置き方式の
処理室は、フェイスダウン方式の処理室よりもフットプリントが小さいメリットがあり、
さらに基板の自重により撓む恐れのある大面積の基板を用いる場合に有効である。
本実施の形態は、表示装置のスイッチング素子として実施の形態1で得られた薄膜トラン
ジスタを用いる一例を示す。
構造は既に述べてあるので、ここでは詳細な説明は省略する。
電極401を覆う第1の絶縁膜402及び第2の絶縁膜403を有する。また、チャネル
保護膜407はIGZO半導体層405と一部接し、ゲート電極401上方に重なるよう
に配置する。また、チャネル保護膜407とゲート電極401の間にはIGZO半導体層
405を有する。
、410a上にアルミニウム膜409b、410bを積層し、さらにアルミニウム膜40
9b、410b上に第2のチタン膜409c、410cを積層する。これらの金属多層膜
はソース電極またはドレイン電極として機能する。
き、低い接触抵抗が得られる。また、アルミニウム膜は低抵抗な配線を実現できる。
を向上させるため、実施の形態1で得られた薄膜トランジスタを保護膜または平坦化絶縁
膜で覆う。なお、保護膜は、大気中に浮遊する有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物
の侵入を防ぐためのものであり、緻密な膜が好ましい。保護膜は、CVD法等を用いて、
酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜の単層、又は積層で形
成すればよい。また、保護膜として、プロセスガスに有機シランガスと酸素を用いて、プ
ラズマCVD法で酸化珪素膜を形成してもよい。
ルシラン(TMS:化学式Si(CH3)4)、テトラメチルシクロテトラシロキサン(
TMCTS)、オクタメチルシクロテトラシロキサン(OMCTS)、ヘキサメチルジシ
ラザン(HMDS)、トリエトキシシラン(SiH(OC2H5)3)、またはトリスジ
メチルアミノシラン(SiH(N(CH3)2)3)などの化合物である。
ウム膜のヒロック防止に効果がある。ここでは、第4の絶縁膜412として、プラズマC
VD法を用いて酸化珪素膜を形成する。酸化珪素膜の成膜用プロセスガスには、TEOS
、およびO2を用い、その流量比は、TEOS\O2=15\750である。成膜工程の
基板温度は300℃である。
13として、プラズマCVD法を用いて窒化珪素膜を形成する。窒化珪素膜の成膜用プロ
セスガスには、SiH4、N2、NH3およびH2を用いる。保護膜の一層として窒化珪
素膜を用いると、ナトリウム等の可動イオンが半導体領域中に侵入して、TFTの電気特
性を変化させることを抑制することができる。
ってもよい。
、アクリル、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有
する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料(low−
k材料)、シロキサン系樹脂、PSG(リンガラス)、BPSG(リンボロンガラス)等
を用いることができる。シロキサン系樹脂は、置換基に水素の他、フッ素、アルキル基、
またはアリール基のうち少なくとも1種を有していてもよい。なお、これらの材料で形成
される絶縁膜を複数積層させることで、第6の絶縁膜414を形成してもよい。
Si結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は、置換基に水素の他、フッ素、アル
キル基、または芳香族炭化水素のうち、少なくとも1種を有していてもよい。
スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法(インクジェット法、スクリーン印
刷、オフセット印刷等)、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター、ナイフ
コーター等を用いることができる。第6の絶縁膜414を材料液を用いて形成する場合、
ベークする工程で同時に、IGZO半導体層のアニール(300℃〜400℃)を行って
もよい。第6の絶縁膜414の焼成工程とIGZO半導体層のアニールを兼ねることで効
率よく表示装置を作製することが可能となる。
ールを形成するためのレジストマスクを形成する。ここで5枚目のフォトマスクを用いる
。レジストマスクをマスクとして選択的にエッチングをして第2のチタン膜410cに達
するコンタクトホールを形成する。なお、ゲート電極401に達するコンタクトホールも
同じフォトマスクを用いて形成する。
リソグラフィ技術を用いて導電膜を選択的にエッチングして導電層415を形成する。こ
こで6枚目のフォトマスクを用いる。導電層415は、画素電極または接続電極として用
いる。画素電極は、第2のチタン膜410cと電気的に接続する。また、接続電極は、ゲ
ート電極401と電気的に接続する。
ングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸
化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫
酸化物(以下、ITOと示す。)、インジウム亜鉛酸化物、酸化珪素を添加したインジウ
ム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いる。
、410cと良好な界面を形成することができ、低い接触抵抗が得られる。
用いて形成することができる。導電性組成物を用いて形成した画素電極は、シート抵抗が
10000Ω/□以下、波長550nmにおける透光率が70%以上であることが好まし
い。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率が0.1Ω・cm以下であるこ
とが好ましい。
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、若しくはこれらの2種以上の共重合体などがあげられる。
位置する積層は十分な透光性を有することが求められるため、表示領域に位置する第1の
絶縁膜や第2の絶縁膜を部分的に除去してもよい。
えば、チタン、タングステン、ニッケル、金、白金、銀、銅、タンタル、モリブデン、ア
ルミニウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、およびそれらの合金からなる導電膜
などを用いる。
要がある。本実施の形態においては、薄膜トランジスタはnチャネル型であるので、導電
層415を陰極として機能させることが好ましく、仕事関数の小さい材料(具体的には3
.5eV以下の材料)が好ましい。しかしながら、導電層415上に形成するEL層、具
体的には正孔注入、正孔輸送特性が優れている有機化合物層や、電子注入性、電子輸送特
性が優れている有機化合物層を用いれば、導電層415は、ほとんど仕事関数の制限を受
けることなく、種々の材料を用いることができる。
に限定されない。
また、表示装置のスイッチング素子として薄膜トランジスタを用いる場合、オフ状態での
リーク電流の低減が重要視される。ここでは、オフ状態でのリーク電流値を低減する薄膜
トランジスタの構造の一例を示す。
ーク電流値を低減するためマルチゲート型薄膜トランジスタの例を示す。
にダブルゲート型薄膜トランジスタを図示する。
こでは省略することとする。
薄膜トランジスタの例であり、第1のチャネル保護膜608と接して重なる第1のチャネ
ル形成領域605と、第2のチャネル保護膜607と接して重なる第2のチャネル形成領
域606とを有している。
ている。また、第2のチャネル形成領域606はゲート絶縁膜602を介してゲート電極
601と重なっている。
する領域は、第1のチャネル形成領域605及び第2のチャネル形成領域606の膜厚よ
りも薄くする。
11がIGZO半導体層上に形成される。接続電極611はソース電極またはドレイン電
極609、610と同一工程で形成される。接続電極611はフローティング電極である
。なお、2つのゲート電極601の間に2つのIGZO半導体層の端部があり、接続電極
611はゲート絶縁膜602と接する領域がある。
成領域605及び第2のチャネル形成領域606の膜厚よりも薄い。
きる。オフ状態でのリーク電流の低減を実現することにより、表示装置の低消費電力化を
実現することができる。
に示す。図4(B)は基板600上に形成された1つのIGZO半導体層を用いるダブル
ゲート型薄膜トランジスタの例である。なお、図4(B)は、2つのゲート電極601の
間にIGZO半導体層の端部がない点以外は、図4(A)と同一であるため、同一の部分
には同一の符号を用いる。なお、図4(A)の薄膜トランジスタと図4(B)の薄膜トラ
ンジスタの電気特性はほぼ同じである。
本実施の形態では、同一基板上に少なくとも駆動回路の一部と、画素部に配置する薄膜ト
ランジスタを作製する例について以下に説明する。
る。また、実施の形態1乃至3のいずれか一に示す薄膜トランジスタはnチャネル型TF
Tであるため、駆動回路のうち、nチャネル型TFTで構成することができる駆動回路の
一部を画素部の薄膜トランジスタと同一基板上に形成する。
)に示す表示装置は、基板5300上に表示素子を備えた画素を複数有する画素部530
1と、各画素を選択する走査線駆動回路5302と、選択された画素へのビデオ信号の入
力を制御する信号線駆動回路5303とを有する。
線S1〜Sm(図示せず。)により信号線駆動回路5303と接続され、走査線駆動回路
5302から行方向に伸張して配置された複数の走査線G1〜Gn(図示せず。)により
走査線駆動回路5302と接続され、信号線S1〜Sm並びに走査線G1〜Gnに対応し
てマトリクス状に配置された複数の画素(図示せず。)を有する。そして、各画素は、信
号線Sj(信号線S1〜Smのうちいずれか一)、走査線Gi(走査線G1〜Gnのうち
いずれか一)と接続される。
であり、nチャネル型TFTで構成する信号線駆動回路について図6を用いて説明する。
2_M、第1の配線5611、第2の配線5612、第3の配線5613及び配線562
1_1〜5621_Mを有する。スイッチ群5602_1〜5602_Mそれぞれは、第
1の薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3の薄膜ト
ランジスタ5603cを有する。
及び配線5621_1〜5621_Mに接続される。そして、スイッチ群5602_1〜
5602_Mそれぞれは、第1の配線5611、第2の配線5612、第3の配線561
3及びスイッチ群5602_1〜5602_Mそれぞれに対応した配線5621_1〜5
621_Mに接続される。そして、配線5621_1〜5621_Mそれぞれは、第1の
薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3の薄膜トラン
ジスタ5603cを介して、3つの信号線に接続される。例えば、J列目の配線5621
_J(配線5621_1〜配線5621_Mのうちいずれか一)は、スイッチ群5602
_Jが有する第1の薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜トランジスタ5603b及
び第3の薄膜トランジスタ5603cを介して、信号線Sj−1、信号線Sj、信号線S
j+1に接続される。
号が入力される。
、スイッチ群5602_1〜5602_Mは、実施の形態1乃至3のいずれか一に示した
画素部の薄膜トランジスタと同一基板上に形成されていることが望ましい。したがって、
ドライバIC5601とスイッチ群5602_1〜5602_MとはFPCなどを介して
接続するとよい。
て説明する。なお、図7のタイミングチャートは、i行目の走査線Giが選択されている
場合のタイミングチャートを示している。さらに、i行目の走査線Giの選択期間は、第
1のサブ選択期間T1、第2のサブ選択期間T2及び第3のサブ選択期間T3に分割され
ている。さらに、図6の信号線駆動回路は、他の行の走査線が選択されている場合でも図
7と同様の動作をする。
タ5603a、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3の薄膜トランジスタ5603
cを介して、信号線Sj−1、信号線Sj、信号線Sj+1に接続される場合について示
している。
の薄膜トランジスタ5603aのオン・オフのタイミング5703a、第2の薄膜トラン
ジスタ5603bのオン・オフのタイミング5703b、第3の薄膜トランジスタ560
3cのオン・オフのタイミング5703c及びJ列目の配線5621_Jに入力される信
号5721_Jを示している。
択期間T2及び第3のサブ選択期間T3において、それぞれ別のビデオ信号が入力される
。例えば、第1のサブ選択期間T1において配線5621_Jに入力されるビデオ信号は
信号線Sj−1に入力され、第2のサブ選択期間T2において配線5621_Jに入力さ
れるビデオ信号は信号線Sjに入力され、第3のサブ選択期間T3において配線5621
_Jに入力されるビデオ信号は信号線Sj+1に入力される。さらに、第1のサブ選択期
間T1、第2のサブ選択期間T2及び第3のサブ選択期間T3において、配線5621_
Jに入力されるビデオ信号をそれぞれData_j−1、Data_j、Data_j+
1とする。
がオンし、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3の薄膜トランジスタ5603cが
オフする。このとき、配線5621_Jに入力されるData_j−1が、第1の薄膜ト
ランジスタ5603aを介して信号線Sj−1に入力される。第2のサブ選択期間T2で
は、第2の薄膜トランジスタ5603bがオンし、第1の薄膜トランジスタ5603a及
び第3の薄膜トランジスタ5603cがオフする。このとき、配線5621_Jに入力さ
れるData_jが、第2の薄膜トランジスタ5603bを介して信号線Sjに入力され
る。第3のサブ選択期間T3では、第3の薄膜トランジスタ5603cがオンし、第1の
薄膜トランジスタ5603a及び第2の薄膜トランジスタ5603bがオフする。このと
き、配線5621_Jに入力されるData_j+1が、第3の薄膜トランジスタ560
3cを介して信号線Sj+1に入力される。
1ゲート選択期間中に1つの配線5621から3つの信号線にビデオ信号を入力すること
ができる。したがって、図6の信号線駆動回路は、ドライバIC5601が形成される基
板と、画素部が形成されている基板との接続数を信号線の数に比べて約1/3にすること
ができる。接続数が約1/3になることによって、図6の信号線駆動回路は、信頼性、歩
留まりなどを向上できる。
期間それぞれにおいて、ある1つの配線から複数の信号線それぞれにビデオ信号を入力す
ることができれば、薄膜トランジスタの配置や数、駆動方法などは限定されない。
ぞれにビデオ信号を入力する場合は、薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタを制御する
ための配線を追加すればよい。ただし、1ゲート選択期間を4つ以上のサブ選択期間に分
割すると、1つのサブ選択期間が短くなる。したがって、1ゲート選択期間は、2つ又は
3つのサブ選択期間に分割されることが望ましい。
期間Tp、第1のサブ選択期間T1、第2のサブ選択期間T2、第3の選択期間T3に分
割してもよい。さらに、図8のタイミングチャートは、i行目の走査線Giが選択される
タイミング、第1の薄膜トランジスタ5603aのオン・オフのタイミング5803a、
第2の薄膜トランジスタ5603bのオン・オフのタイミング5803b、第3の薄膜ト
ランジスタ5603cのオン・オフのタイミング5803c及びJ列目の配線5621_
Jに入力される信号5821_Jを示している。図8に示すように、プリチャージ期間T
pにおいて第1の薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜トランジスタ5603b及び
第3の薄膜トランジスタ5603cがオンする。このとき、配線5621_Jに入力され
るプリチャージ電圧Vpが第1の薄膜トランジスタ5603a、第2の薄膜トランジスタ
5603b及び第3の薄膜トランジスタ5603cを介してそれぞれ信号線Sj−1、信
号線Sj、信号線Sj+1に入力される。第1のサブ選択期間T1において第1の薄膜ト
ランジスタ5603aがオンし、第2の薄膜トランジスタ5603b及び第3の薄膜トラ
ンジスタ5603cがオフする。このとき、配線5621_Jに入力されるData_j
−1が、第1の薄膜トランジスタ5603aを介して信号線Sj−1に入力される。第2
のサブ選択期間T2では、第2の薄膜トランジスタ5603bがオンし、第1の薄膜トラ
ンジスタ5603a及び第3の薄膜トランジスタ5603cがオフする。このとき、配線
5621_Jに入力されるData_jが、第2の薄膜トランジスタ5603bを介して
信号線Sjに入力される。第3のサブ選択期間T3では、第3の薄膜トランジスタ560
3cがオンし、第1の薄膜トランジスタ5603a及び第2の薄膜トランジスタ5603
bがオフする。このとき、配線5621_Jに入力されるData_j+1が、第3の薄
膜トランジスタ5603cを介して信号線Sj+1に入力される。
択期間の前にプリチャージ選択期間を設けることによって、信号線をプリチャージできる
ため、画素へのビデオ信号の書き込みを高速に行うことができる。なお、図8において、
図7と同様なものに関しては共通の符号を用いて示し、同一部分又は同様な機能を有する
部分の詳細な説明は省略する。
ッファを有している。また場合によってはレベルシフタを有していても良い。走査線駆動
回路において、シフトレジスタにクロック信号(CLK)及びスタートパルス信号(SP
)が入力されることによって、選択信号が生成される。生成された選択信号はバッファに
おいて緩衝増幅され、対応する走査線に供給される。走査線には、1ライン分の画素のト
ランジスタのゲート電極が接続されている。そして、1ライン分の画素のトランジスタを
一斉にONにしなくてはならないので、バッファは大きな電流を流すことが可能なものが
用いられる。
説明する。
フロップ(フリップフロップ5701_1〜5701_n)で構成される。また、第1の
クロック信号、第2のクロック信号、スタートパルス信号、リセット信号が入力されて動
作する。
フリップフロップ5701_i(フリップフロップ5701_1〜5701_nのうちい
ずれか一)は、図10に示した第1の配線5501が第7の配線5717_i−1に接続
され、図10に示した第2の配線5502が第7の配線5717_i+1に接続され、図
10に示した第3の配線5503が第7の配線5717_iに接続され、図10に示した
第6の配線5506が第5の配線5715に接続される。
5712に接続され、偶数段目のフリップフロップでは第3の配線5713に接続され、
図10に示した第5の配線5505が第4の配線5714に接続される。
1の配線5711に接続され、n段目のフリップフロップ5701_nの図10に示す第
2の配線5502は第6の配線5716に接続される。
16を、それぞれ第1の信号線、第2の信号線、第3の信号線、第4の信号線と呼んでも
よい。さらに、第4の配線5714、第5の配線5715を、それぞれ第1の電源線、第
2の電源線と呼んでもよい。
プフロップは、第1の薄膜トランジスタ5571、第2の薄膜トランジスタ5572、第
3の薄膜トランジスタ5573、第4の薄膜トランジスタ5574、第5の薄膜トランジ
スタ5575、第6の薄膜トランジスタ5576、第7の薄膜トランジスタ5577及び
第8の薄膜トランジスタ5578を有する。なお、第1の薄膜トランジスタ5571、第
2の薄膜トランジスタ5572、第3の薄膜トランジスタ5573、第4の薄膜トランジ
スタ5574、第5の薄膜トランジスタ5575、第6の薄膜トランジスタ5576、第
7の薄膜トランジスタ5577及び第8の薄膜トランジスタ5578は、nチャネル型ト
ランジスタであり、ゲート・ソース間電圧(Vgs)がしきい値電圧(Vth)を上回っ
たとき導通状態になるものとする。
が第4の配線5504に接続され、第1の薄膜トランジスタ5571の第2の電極(ソー
ス電極またはドレイン電極の他方)が第3の配線5503に接続される。
薄膜トランジスタ5572第2の電極が第3の配線5503に接続される。
薄膜トランジスタ5573の第2の電極が第2の薄膜トランジスタ5572のゲート電極
に接続され、第3の薄膜トランジスタ5573のゲート電極が第5の配線5505に接続
される。
薄膜トランジスタ5574の第2の電極が第2の薄膜トランジスタ5572のゲート電極
に接続され、第4の薄膜トランジスタ5574のゲート電極が第1の薄膜トランジスタ5
571のゲート電極に接続される。
薄膜トランジスタ5575の第2の電極が第1の薄膜トランジスタ5571のゲート電極
に接続され、第5の薄膜トランジスタ5575のゲート電極が第1の配線5501に接続
される。
薄膜トランジスタ5576の第2の電極が第1の薄膜トランジスタ5571のゲート電極
に接続され、第6の薄膜トランジスタ5576のゲート電極が第2の薄膜トランジスタ5
572のゲート電極に接続される。
薄膜トランジスタ5577の第2の電極が第1の薄膜トランジスタ5571のゲート電極
に接続され、第7の薄膜トランジスタ5577のゲート電極が第2の配線5502に接続
される。第8の薄膜トランジスタ5578の第1の電極が第6の配線5506に接続され
、第8の薄膜トランジスタ5578の第2の電極が第2の薄膜トランジスタ5572のゲ
ート電極に接続され、第8の薄膜トランジスタ5578のゲート電極が第1の配線550
1に接続される。
のゲート電極、第5の薄膜トランジスタ5575の第2の電極、第6の薄膜トランジスタ
5576の第2の電極及び第7の薄膜トランジスタ5577の第2の電極の接続箇所をノ
ード5543とする。さらに、第2の薄膜トランジスタ5572のゲート電極、第3の薄
膜トランジスタ5573の第2の電極、第4の薄膜トランジスタ5574の第2の電極、
第6の薄膜トランジスタ5576のゲート電極及び第8の薄膜トランジスタ5578の第
2の電極の接続箇所をノード5544とする。
504を、それぞれ第1の信号線、第2の信号、第3の信号線、第4の信号線と呼んでも
よい。さらに、第5の配線5505を第1の電源線、第6の配線5506を第2の電源線
と呼んでもよい。
ャネル型TFTのみで作製することも可能である。実施の形態1乃至3のいずれか一に示
すnチャネル型TFTはトランジスタの移動度が大きいため、駆動回路の駆動周波数を高
くすることが可能となる。例えば、実施の形態1乃至3のいずれか一に示すnチャネル型
TFTを用いた走査線駆動回路は、高速に動作させることが出来るため、フレーム周波数
を高くすること、または、黒画面挿入を実現することなども実現することが出来る。
駆動回路を配置することなどによって、さらに高いフレーム周波数を実現することが出来
る。複数の走査線駆動回路を配置する場合は、偶数行の走査線を駆動する為の走査線駆動
回路を片側に配置し、奇数行の走査線を駆動するための走査線駆動回路をその反対側に配
置することにより、フレーム周波数を高くすることを実現することが出来る。
数の薄膜トランジスタを配置するため、走査線駆動回路を複数配置することが好ましい。
アクティブマトリクス型発光表示装置のブロック図の一例を図5(B)に示す。
部5401と、各画素を選択する第1の走査線駆動回路5402及び第2の走査線駆動回
路5404と、選択された画素へのビデオ信号の入力を制御する信号線駆動回路5403
とを有する。
素はトランジスタのオンとオフの切り替えによって、発光もしくは非発光の状態となる。
よって、面積階調法または時間階調法を用いて階調の表示を行うことができる。面積階調
法は、1画素を複数の副画素に分割し、各副画素を独立にビデオ信号に基づいて駆動させ
ることによって、階調表示を行う駆動法である。また時間階調法は、画素が発光する期間
を制御することによって、階調表示を行う駆動法である。
している。具体的に時間階調法で表示を行なう場合、1フレーム期間を複数のサブフレー
ム期間に分割する。そしてビデオ信号に従い、各サブフレーム期間において画素の発光素
子を発光または非発光の状態にする。複数のサブフレーム期間に分割することによって、
1フレーム期間中に画素が実際に発光する期間のトータルの長さを、ビデオ信号により制
御することができ、階調を表示することができる。
用TFTとの2つを配置する場合、スイッチング用TFTのゲート配線である第1の走査
線に入力される信号を第1走査線駆動回路5402で生成し、電流制御用TFTのゲート
配線である第2の走査線に入力される信号を第2の走査線駆動回路5404で生成してい
る例を示しているが、第1の走査線に入力される信号と、第2の走査線に入力される信号
とを、共に1つの走査線駆動回路で生成するようにしても良い。また、例えば、スイッチ
ング素子が有する各トランジスタの数によって、スイッチング素子の動作を制御するのに
用いられる第1の走査線が、各画素に複数設けられることもあり得る。この場合、複数の
第1の走査線に入力される信号を、全て1つの走査線駆動回路で生成しても良いし、複数
の各走査線駆動回路で生成しても良い。
る駆動回路の一部を画素部の薄膜トランジスタと同一基板上に形成することができる。ま
た、信号線駆動回路及び走査線駆動回路を実施の形態1または実施の形態2に示すnチャ
ネル型TFTのみで作製することも可能である。
的に接続する素子を利用して電子インクを駆動させる電子ペーパーに用いてもよい。電子
ペーパーは、電気泳動表示装置(電気泳動ディスプレイ)も呼ばれており、紙と同じ読み
やすさ、他の表示装置に比べ低消費電力、薄くて軽い形状とすることが可能という利点を
有している。
粒子と、マイナスの電荷を有する第2の粒子とを含むマイクロカプセルが溶媒または溶質
に複数分散されたものであり、マイクロカプセルに電界を印加することによって、マイク
ロカプセル中の粒子を互いに反対方向に移動させて一方側に集合した粒子の色のみを表示
するものである。なお、第1の粒子または第2の粒子は染料を含み、電界がない場合にお
いて移動しないものである。また、第1の粒子の色と第2の粒子の色は異なるもの(無色
を含む)とする。
、いわゆる誘電泳動的効果を利用したディスプレイである。電気泳動ディスプレイは、液
晶表示装置には必要な偏光板、対向基板も電気泳動表示装置には必要なく、厚さや重さが
液晶表示装置より半減する。
この電子インクはガラス、プラスチック、布、紙などの表面に印刷することができる。ま
た、カラーフィルタや色素を有する粒子を用いることによってカラー表示も可能である。
クロカプセルを複数配置すればアクティブマトリクス型の表示装置が完成し、マイクロカ
プセルに電界を印加すれば表示を行うことができる。例えば、実施の形態2で得られる基
板を用いることができる。
、半導体材料、磁性材料、液晶材料、強誘電性材料、エレクトロルミネセント材料、エレ
クトロクロミック材料、磁気泳動材料から選ばれた一種の材料、またはこれらの複合材料
を用いればよい。
本発明の一態様の薄膜トランジスタを作製し、該薄膜トランジスタを画素部、さらには駆
動回路に用いて表示機能を有する表示装置を作製することができる。また、本発明の一態
様の薄膜トランジスタを駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し
、システムオンパネルを実現することができる。
素子(発光表示素子ともいう)を用いることができる。発光素子は、電流または電圧によ
って輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機EL(Electr
o Luminescence)、有機EL等が含まれる。また、電子インクなど、電気
的作用によりコントラストが変化する表示媒体も適用することができる。
を含むIC等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに本発明の一態様は、該表
示装置を作製する過程における、表示素子が完成する前の一形態に相当する素子基板に関
し、該素子基板は、電流を表示素子に供給するための手段を複数の各画素に備える。素子
基板は、具体的には、表示素子の画素電極のみが形成された状態であっても良いし、画素
電極となる導電膜を成膜した後であって、エッチングして画素電極を形成する前の状態で
あっても良いし、あらゆる形態があてはまる。
源(照明装置含む)を指す。また、コネクター、例えばFPC(Flexible pr
inted circuit)もしくはTAB(Tape Automated Bon
ding)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)が取り
付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュ
ール、または表示素子にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回
路)が直接実装されたモジュールも全て表示装置に含むものとする。
。図11(A)は液晶表示装置の平面図であり、図11(B)は図11(A)における線
V−Xの断面図である。半導体装置に用いられる薄膜トランジスタ201としては、実施
の形態1で示す薄膜トランジスタと同様に作製でき、スパッタ法の連続成膜により生産コ
ストが低減され、信頼性の高い薄膜トランジスタである。また、実施の形態2、又は実施
の形態3で示す薄膜トランジスタも本実施の薄膜トランジスタ201として適用すること
もできる。
の薄膜トランジスタ201、ゲート配線層203、容量配線層204を含む。
ンジスタ201、絶縁層211、絶縁層212、絶縁層213、及び表示素子に用いる電
極層255、配向膜として機能する絶縁層261、偏光板268が設けられた基板200
と、配向膜として機能する絶縁層263、表示素子に用いる電極層265、カラーフィル
タとして機能する着色層264、偏光板267が設けられた基板266とが液晶層262
を挟持して対向しており、液晶表示素子260を有している。
ー相は液晶相の一つであり、コレステリック液晶を昇温していくと、コレステリック相か
ら等方相へ転移する直前に発現する相である。ブルー相は狭い温度範囲でしか発現しない
ため、温度範囲を改善するために5重量%以上のカイラル剤を混合させた液晶組成物を用
いて液晶層262に用いる。ブルー相を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応
答時間が10μs〜100μsと短く、光学的等方性であるため配向処理が不要であり、
視野角依存性が小さい。
内側に着色層264、表示素子に用いる電極層265という順に設ける例を示すが、偏光
板267は基板266の内側に設けてもよい。また、偏光板と着色層の積層構造も図11
に限定されず、偏光板及び着色層の材料や作製工程条件によって適宜設定すればよい。ま
た、ブラックマトリクスとして機能する遮光膜を設けてもよい。
酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸
化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物(以下、ITOと示す
。)、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を
有する導電性材料を用いることができる。
。
である。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置として電子ペーパーの例を示す。
ーを示す。半導体装置に用いられる薄膜トランジスタ581としては、実施の形態1で示
す薄膜トランジスタと同様に作製でき、スパッタ法の連続成膜により生産コストが低減さ
れ、信頼性の高い薄膜トランジスタである。また、実施の形態2、又は実施の形態3で示
す薄膜トランジスタも本実施の薄膜トランジスタ201として適用することもできる。
トボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を表示素子に用いる電極層であ
る第1の電極層及び第2の電極層の間に配置し、第1の電極層及び第2の電極層に電位差
を生じさせての球形粒子の向きを制御することにより、表示を行う方法である。
ース電極層又はドレイン電極層によって第1の電極層587と、絶縁層585に形成する
開口で接しており電気的に接続している。第1の電極層587と第2の電極層588との
間には黒色領域590a及び白色領域590bを有し、周りに液体で満たされているキャ
ビティ594を含む球形粒子589が設けられており、球形粒子589の周囲は樹脂等の
充填材595で充填されている(図12参照。)。
と、正に帯電した白い微粒子と負に帯電した黒い微粒子とを封入した直径10μm〜20
0μm程度のマイクロカプセルを用いる。第1の電極層と第2の電極層との間に設けられ
るマイクロカプセルは、第1の電極層と第2の電極層によって、電場が与えられると、白
い微粒子と、黒い微粒子が逆の方向に移動し、白または黒を表示することができる。この
原理を応用した表示素子が電気泳動表示素子であり、一般的に電子ペーパーとよばれてい
る。電気泳動表示素子は、液晶表示素子に比べて反射率が高いため、補助ライトは不要で
あり、また消費電力が小さく、薄暗い場所でも表示部を認識することが可能である。また
、表示部に電源が供給されない場合であっても、一度表示した像を保持することが可能で
あるため、電波発信源から表示機能付き半導体装置(単に表示装置、又は表示装置を具備
する半導体装置ともいう)を遠ざけた場合であっても、表示された像を保存しておくこと
が可能となる。
。
である。
本実施の形態では、本発明の一態様の半導体装置として発光表示装置の例を示す。表示装
置の有する表示素子としては、ここではエレクトロルミネッセンスを利用する発光素子を
用いて示す。エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物で
あるか、無機化合物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機EL素子、後者は
無機EL素子と呼ばれている。
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア(電子および正孔)が再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成
し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。このようなメカニズムから、このよう
な発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
類される。分散型無機EL素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機EL素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機EL素子を用いて説明す
る。
の発光表示装置を示す。図13(A)は発光表示装置の平面図であり、図13(B)は図
13(A)における線Y−Zの断面図である。なお、図14に、図13に示す発光表示装
置の等価回路を示す。
薄膜トランジスタと同様に作製でき、スパッタ法の連続成膜により生産コストが低減され
、信頼性の高い薄膜トランジスタである。また、実施の形態2、又は実施の形態3で示す
薄膜トランジスタも本実施の薄膜トランジスタ301、302として適用することもでき
る。
トランジスタ301、薄膜トランジスタ302、発光素子303、容量素子304、ソー
ス配線層305、ゲート配線層306、電源線307を含む。薄膜トランジスタ301、
302はnチャネル型薄膜トランジスタである。
、絶縁層311、絶縁層312、絶縁層313、隔壁321、及び発光素子303に用い
る第1の電極層320、電界発光層322、第2の電極層323を有している。
を用いて形成することが好ましい。
1の電極層320として、陰極として用いるのが望ましい。具体的には、陰極としては、
仕事関数が小さい材料、例えば、Ca、Al、CaF、MgAg、AlLi等を用いるこ
とができる。
に感光性の材料を用い、第1の電極層320上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連
続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
れていてもどちらでも良い。
極層323は、実施の形態5に画素電極層として列挙した透光性を有する導電性材料を用
いた透光性導電膜で形成することができる。上記透光性導電膜の他に、窒化チタン膜また
はチタン膜を用いても良い。第1の電極層320と電界発光層322と第2の電極層32
3とが重なり合うことで、発光素子303が形成されている。この後、発光素子307に
酸素、水素、水分、二酸化炭素等が侵入しないように、第2の電極層323及び隔壁32
1上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、DLC
膜等を形成することができる。
が高く、脱ガスの少ない保護フィルム(貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等
)やカバー材でパッケージング(封入)することが好ましい。
型の場合を例に挙げて、画素の断面構造について説明する。図15(A)(B)(C)の
半導体装置に用いられる駆動用TFT7001、7011、7021は、実施の形態1で
示す薄膜トランジスタと同様に作製でき、スパッタ法の連続成膜により生産コストが低減
され、信頼性の高い薄膜トランジスタである。また、実施の形態2、又は実施の形態3で
示す薄膜トランジスタをTFT7001、7011、7021として適用することもでき
る。
して、基板上に薄膜トランジスタ及び発光素子を形成し、基板とは逆側の面から発光を取
り出す上面射出や、基板側の面から発光を取り出す下面射出や、基板側及び基板とは反対
側の面から発光を取り出す両面射出構造の発光素子があり、画素構成はどの射出構造の発
光素子にも適用することができる。
陽極7005側に抜ける場合の、画素の断面図を示す。図15(A)では、発光素子70
02の陰極7003と駆動用TFT7001が電気的に接続されており、陰極7003上
に発光層7004、陽極7005が順に積層されている。陰極7003は仕事関数が小さ
く、なおかつ光を反射する導電膜であれば様々の材料を用いることができる。そして発光
層7004は、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されてい
てもどちらでも良い。複数の層で構成されている場合、陰極7003上に電子注入層、電
子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層の順に積層する。なおこれらの層を全て
設ける必要はない。陽極7005は光を透過する透光性を有する導電性材料を用いて形成
する。
相当する。図15(A)に示した画素の場合、発光素子7002から発せられる光は、矢
印で示すように陽極7005側に射出する。
011がn型で、発光素子7012から発せられる光が陰極7013側に射出する場合の
、画素の断面図を示す。図15(B)では、駆動用TFT7011と電気的に接続された
透光性を有する導電膜7017上に、発光素子7012の陰極7013が成膜されており
、陰極7013上に発光層7014、陽極7015が順に積層されている。なお、陽極7
015が透光性を有する場合、陽極上を覆うように、光を反射または遮蔽するための遮蔽
膜7016が成膜されていてもよい。陰極7013は、図15(A)の場合と同様に、仕
事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしその膜厚は
、光を透過する程度(好ましくは、5nm〜30nm程度)とする。例えば20nmの膜
厚を有するアルミニウム膜を、陰極7013として用いることができる。そして発光層7
014は、図15(A)と同様に、単数の層で構成されていても、複数の層が積層される
ように構成されていてもどちらでも良い。陽極7015は光を透過する必要はないが、図
15(A)と同様に、透光性を有する導電性材料を用いて形成することができる。そして
遮蔽膜7016は、例えば光を反射する金属等を用いることができるが、金属膜に限定さ
れない。例えば黒の顔料添加した樹脂等を用いることもできる。
に相当する。図15(B)に示した画素の場合、発光素子7012から発せられる光は、
矢印で示すように陰極7013側に射出する。
では、駆動用TFT7021と電気的に接続された透光性を有する導電膜7027上に、
発光素子7022の陰極7023が成膜されており、陰極7023上に発光層7024、
陽極7025が順に積層されている。陰極7023は、図15(A)の場合と同様に、仕
事関数が小さい導電性材料であれば様々な材料を用いることができる。ただしその膜厚は
、光を透過する程度とする。例えば20nmの膜厚を有するAlを、陰極7023として
用いることができる。そして発光層7024は、図15(A)と同様に、単数の層で構成
されていても、複数の層が積層されるように構成されていてもどちらでも良い。陽極70
25は、図15(A)と同様に、光を透過する透光性を有する導電性材料を用いて形成す
ることができる。
22に相当する。図15(C)に示した画素の場合、発光素子7022から発せられる光
は、矢印で示すように陽極7025側と陰極7023側の両方に射出する。
L素子を設けることも可能である。
発光素子が電気的に接続されている例を示したが、駆動用TFTと発光素子との間に電流
制御用TFTが接続されている構成であってもよい。
本発明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
。
である。
本発明の半導体装置の一形態である表示パネルの構成について、以下に示す。本実施の形
態では、表示素子として液晶素子を有する液晶表示装置の一形態である液晶表示パネル(
液晶パネルともいう)、表示素子として発光素子を有する半導体装置の一形態である発光
表示パネル(発光パネルともいう)について説明する。
図16を用いて説明する。図16は、スパッタ法の連続成膜により生産コストが低減され
、信頼性の高い薄膜トランジスタ及び発光素子を、第1の基板と第2の基板との間にシー
ル材によって封止した、パネルの上面図であり、図16(B)は、図16(A)のH−I
における断面図に相当する。
3b、及び走査線駆動回路4504a、4504bを囲むようにして、シール材4505
が設けられている。また画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503b、及び
走査線駆動回路4504a、4504bの上に第2の基板4506が設けられている。よ
って画素部4502、信号線駆動回路4503a、4503b、及び走査線駆動回路45
04a、4504bは、第1の基板4501とシール材4505と第2の基板4506と
によって、充填材4507と共に密封されている。
503b、及び走査線駆動回路4504a、4504bは、薄膜トランジスタを複数有し
ており、図16(B)では、画素部4502に含まれる薄膜トランジスタ4510と、信
号線駆動回路4503aに含まれる薄膜トランジスタ4509とを例示している。
され、信頼性の高い薄膜トランジスタに相当し、実施の形態2、又は実施の形態3に示す
薄膜トランジスタを適用することができる。本実施の形態において、薄膜トランジスタ4
509、4510はnチャネル型薄膜トランジスタである。
層4517は、薄膜トランジスタ4510のソース電極層またはドレイン電極層と電気的
に接続されている。なお発光素子4511の構成は、本実施の形態に示した構成に限定さ
れない。発光素子4511から取り出す光の方向などに合わせて、発光素子4511の構
成は適宜変えることができる。
、または画素部4502に与えられる各種信号及び電位は、FPC4518a、4518
bから供給されている。
れ、配線4516は、発光素子4511が有する第1の電極層4517と同じ導電膜から
形成されている。
電気的に接続されている。
ればならない。その場合には、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたは
アクリルフィルムのような透光性を有する材料を用いる。
脂または熱硬化樹脂を用いることができ、PVC(ポリビニルクロライド)、アクリル、
ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEV
A(エチレンビニルアセテート)を用いることができる。本実施の形態は充填材として窒
素を用いた。
位相差板(λ/4板、λ/2板)、カラーフィルタなどの光学フィルムを適宜設けてもよ
い。また、偏光板又は円偏光板に反射防止膜を設けてもよい。例えば、表面の凹凸により
反射光を拡散し、映り込みを低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜によって形成された駆動回路
で実装されていてもよい。また、信号線駆動回路のみ、或いは一部、又は走査線駆動回路
のみ、或いは一部のみを別途形成して実装しても良く、本実施の形態は図16の構成に限
定されない。
図17を用いて説明する。図17は、第1の基板4001上に形成されたIGZO半導体
層及びn型の導電型を有するIGZO半導体層を含む信頼性の高い薄膜トランジスタ40
10、4011、及び液晶素子4013を、第2の基板4006との間にシール材400
5によって封止した、パネルの上面図であり、図17(B)は、図17(A1)(A2)
のM−Nにおける断面図に相当する。
ようにして、シール材4005が設けられている。また画素部4002と、走査線駆動回
路4004の上に第2の基板4006が設けられている。よって画素部4002と、走査
線駆動回路4004とは、第1の基板4001とシール材4005と第2の基板4006
とによって、液晶層4008と共に封止されている。また第1の基板4001上のシール
材4005によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶
半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路4003が実装されている。
ワイヤボンディング方法、或いはTAB方法などを用いることができる。図17(A1)
は、COG方法により信号線駆動回路4003を実装する例であり、図17(A2)は、
TAB方法により信号線駆動回路4003を実装する例である。
薄膜トランジスタを複数有しており、図17(B)では、画素部4002に含まれる薄膜
トランジスタ4010と、走査線駆動回路4004に含まれる薄膜トランジスタ4011
とを例示している。
され、信頼性の高い薄膜トランジスタに相当し、実施の形態2、又は実施の形態3に示す
薄膜トランジスタを適用することができる。本実施の形態において、薄膜トランジスタ4
010、4011はnチャネル型薄膜トランジスタである。
気的に接続されている。そして液晶素子4013の対向電極層4031は第2の基板40
06上に形成されている。画素電極層4030と対向電極層4031と液晶層4008と
が重なっている部分が、液晶素子4013に相当する。なお、画素電極層4030、対向
電極層4031はそれぞれ配向膜として機能する絶縁層4032、4033が設けられ、
絶縁層4032、4033を介して液晶層4008を挟持している。
テンレス)、セラミックス、プラスチックを用いることができる。プラスチックとしては
、FRP(Fiberglass−Reinforced Plastics)板、PV
F(ポリビニルフルオライド)フィルム、ポリエステルフィルム、またはアクリル樹脂フ
ィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをPVFフィルムやポリエステ
ルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
画素電極層4030と対向電極層4031との間の距離(セルギャップ)を制御するため
に設けられている。なお球状のスペーサを用いていても良い。
002に与えられる各種信号及び電位は、FPC4018から供給されている。
と同じ導電膜から形成され、配線4016は、薄膜トランジスタ4010、4011のゲ
ート電極層と同じ導電膜で形成されている。
気的に接続されている。
装している例を示しているが、本実施の形態はこの構成に限定されない。走査線駆動回路
を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部の
みを別途形成して実装しても良い。
晶表示モジュールを構成する一例を示している。
ール材2602により固着され、その間にTFT等を含む画素部2603、液晶層を含む
表示素子2604、着色層2605が設けられ表示領域を形成している。着色層2605
はカラー表示を行う場合に必要であり、RGB方式の場合は、赤、緑、青の各色に対応し
た着色層が各画素に対応して設けられている。TFT基板2600と対向基板2601の
外側には偏光板2606、偏光板2607、拡散板2613が配設されている。光源は冷
陰極管2610と反射板2611により構成され、回路基板2612は、フレキシブル配
線基板2609によりTFT基板2600の配線回路部2608と接続され、コントロー
ル回路や電源回路などの外部回路が組みこまれている。また偏光板と、液晶層との間に位
相差板を有した状態で積層してもよい。
n−Plane−Switching)モード、FFS(Fringe Field S
witching)モード、MVA(Multi−domain Vertical A
lignment)モード、PVA(Patterned Vertical Alig
nment)モード、ASM(Axially Symmetric aligned
Micro−cell)モード、OCB(Optical Compensated B
irefringence)モード、FLC(Ferroelectric Liqui
d Crystal)モード、AFLC(AntiFerroelectric Liq
uid Crystal)などを用いることができる。
である。
本発明の一形態に係る半導体装置は、さまざまな電子機器(遊技機も含む)に適用する
ことができる。電子機器としては、例えば、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジ
ョン受信機ともいう)、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオ
カメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携
帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げ
られる。
200は、コンピュータを内蔵しており、様々なデータ処理を行うことが可能である。こ
のような携帯情報端末機器9200としては、PDA(Personal Digita
l Assistance)が挙げられる。
れている。筐体9201と筐体9203は、連結部9207で折りたたみ可能に連結され
ている。筐体9201には表示部9202が組み込まれており、筐体9203はキーボー
ド9205を備えている。もちろん、携帯情報端末機器9200の構成は上述のものに限
定されず、少なくとも本発明の一形態に係るチャネル保護層を有する薄膜トランジスタを
備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。本
発明により製造コストが低減され、高い信頼性を有する携帯情報端末機器を実現できる。
カメラ9500は、筐体9501に表示部9503が組み込まれ、その他に各種操作部が
設けられている。なお、デジタルビデオカメラ9500の構成は特に限定されず、少なく
とも本発明の一形態に係るチャネル保護層を有する薄膜トランジスタを備えた構成であれ
ばよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。本発明により製造コ
ストが低減され、高い信頼性を有するデジタルビデオカメラを実現できる。
体9102および筐体9101の2つの筐体で構成されており、連結部9103により折
りたたみ可能に連結されている。筐体9102には表示部9104が組み込まれており、
筐体9101には操作キー9106が設けられている。なお、携帯電話機9100の構成
は特に限定されず、少なくとも本発明の一形態に係るチャネル保護層を有する薄膜トラン
ジスタを備えた構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることがで
きる。本発明により製造コストが低減され、高い信頼性を有する携帯電話機を実現できる
。
9400は、開閉可能に連結された筐体9401と筐体9404を備えている。筐体94
01には表示部9402が組み込まれ、筐体9404はキーボード9403などを備えて
いる。なお、コンピュータ9400の構成は特に限定されず、少なくとも本発明の一形態
に係るチャネル保護層を有する薄膜トランジスタを備えた構成であればよく、その他付属
設備が適宜設けられた構成とすることができる。本発明により製造コストが低減され、高
い信頼性を有するコンピュータを実現できる。
いる。携帯電話機1000は、筐体1001に組み込まれた表示部1002の他、操作ボ
タン1003、外部接続ポート1004、スピーカ1005、マイク1006などを備え
ている。
入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを打つ操作は、表示部100
2を指などで触れることにより行うことができる。
表示モードであり、第2は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第3は表
示モードと入力モードの2つのモードが混合した表示+入力モードである。
を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場
合、表示部1002の画面のほとんどにキーボードまたは番号ボタンを表示させることが
好ましい。
を有する検出装置を設けることで、携帯電話機1000の向き(縦か横か)を判断して、
表示部1002の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
作ボタン1003の操作により行われる。また、表示部1002に表示される画像の種類
によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画
のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
示部1002のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モー
ドから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
600は、筐体9601に表示部9603が組み込まれている。表示部9603により、
映像を表示することが可能である。また、ここでは、スタンド9605により筐体960
1を支持した構成を示している。なお、テレビジョン装置9600の構成は特に限定され
ず、少なくとも本発明の一形態に係るチャネル保護層を有する薄膜トランジスタを備えた
構成であればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。本発明に
より製造コストが低減され、高い信頼性を有するテレビジョン装置を実現できる。
モコン操作機9610により行うことができる。リモコン操作機9610が備える操作キ
ー9609により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部9603に表示さ
れる映像を操作することができる。また、リモコン操作機9610に、当該リモコン操作
機9610から出力する情報を表示する表示部9607を設ける構成としてもよい。
により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線または無線
による通信ネットワークに接続することにより、一方向(送信者から受信者)または双方
向(送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など)の情報通信を行うことも可能である
。
タルフォトフレーム9700は、筐体9701に表示部9703が組み込まれている。表
示部9703は、各種画像を表示することが可能であり、例えばデジタルカメラなどで撮
影した画像データを表示させることで、通常の写真立てと同様に機能させることができる
。なお、デジタルフォトフレーム9700の構成は特に限定されず、少なくとも本発明の
一形態に係るチャネル保護層を有する薄膜トランジスタを備えた構成であればよく、その
他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。本発明により製造コストが低減さ
れ、高い信頼性を有するデジタルフォトフレームを実現できる。
SBケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える
構成とする。これらの構成は、表示部と同一面に組み込まれていてもよいが、側面や裏面
に備えるとデザイン性が向上するため好ましい。例えば、デジタルフォトフレームの記録
媒体挿入部に、デジタルカメラで撮影した画像データを記憶したメモリを挿入して画像デ
ータを取り込み、取り込んだ画像データを表示部9703に表示させることができる。
い。無線により、所望の画像データを取り込み、表示させる構成とすることもできる。
適用することができる。電子ペーパーは、情報を表示するものであればあらゆる分野の電
子機器に用いることが可能である。例えば、電子ペーパーを用いて、電子書籍(電子ブッ
ク)、ポスター、電車などの乗り物の車内広告、クレジットカード等の各種カードにおけ
る表示等に適用することができる。電子ペーパーを用いる電子機器の一例を図22、図2
3に示す。
701および筐体2703の2つの筐体で構成されている。筐体2701および筐体27
03は、軸部2711により接続されており、該軸部2711を軸として開閉動作を行う
ことができる。このような構成により、紙の書籍のような動作を行うことが可能となる。
み込まれている。表示部2705および表示部2707は、続き画面を表示する構成とし
てもよいし、異なる画面を表示する構成としてもよい。異なる画面を表示する構成とする
ことで、例えば右側の表示部(図22では表示部2705)に文章を表示し、左側の表示
部(図22では表示部2707)に画像を表示することができる。
2701において、電源2721、操作キー2723、スピーカ2725などを備えてい
る。操作キー2723により、頁を送ることができる。なお、筐体の表示部と同一面にキ
ーボードやポインティングディバイスなどを備える構成としてもよい。また、筐体の裏面
や側面に、外部接続用端子(イヤホン端子、USB端子、またはACアダプタおよびUS
Bケーブルなどの各種ケーブルと接続可能な端子など)、記録媒体挿入部などを備える構
成としてもよい。さらに、電子書籍2700は、電子辞書としての機能を持たせた構成と
してもよい。
、電子書籍サーバから、所望の書籍データなどを購入し、ダウンロードする構成とするこ
とも可能である。なお、電子書籍2700の構成は特に限定されず、少なくとも本発明の
一形態に係るチャネル保護層を有する薄膜トランジスタを備えた構成であればよく、その
他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。本発明により製造コストが低減さ
れ、高い信頼性を有する電子書籍を実現できる。
が紙の印刷物である場合には、広告の交換は人手によって行われるが、電子ペーパーを用
いれば人手を多くかけることなく短時間で広告の表示を変えることができる。また表示も
崩れることなく安定した画像が得られる。なお、ポスターは無線で情報を送受信できる構
成としてもよい。なお、ポスターの構成は特に限定されず、少なくとも本発明の一形態に
係るチャネル保護層を有する薄膜トランジスタを備えた構成であればよく、その他付属設
備が適宜設けられた構成とすることができる。本発明により製造コストが低減され、高い
信頼性を有するポスターを実現できる。
101:ゲート電極
102:第1の絶縁層
103:第2の絶縁膜
104:第3の絶縁膜
105:IGZO半導体層
106:絶縁物
107:チャネル保護膜
108:薄い領域
109:ソース電極
110:ドレイン電極
111:半導体膜
Claims (4)
- ゲート電極と、
前記ゲート電極上の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜上の第4の絶縁膜と、を有し
前記第2の絶縁膜と前記第3の絶縁膜とは、酸素と珪素とを含み、
前記第1の絶縁膜と前記第4の絶縁膜とは、窒素と珪素とを含み、
前記酸化物半導体層は、トランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記酸化物半導体層の下面全面は、前記第2の絶縁膜に接しており、
前記第2の絶縁膜は、酸素を放出する機能を有することを特徴とする半導体装置。 - ゲート電極と、
前記ゲート電極上の第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上の第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜上の酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上の第3の絶縁膜と、
前記酸化物半導体層上面及び前記第3の絶縁膜上面に接するソース電極と、
前記酸化物半導体層上面及び前記第3の絶縁膜上面に接するドレイン電極と、
前記第3の絶縁膜上、前記ソース電極上、及び前記ドレイン電極上の第4の絶縁膜と、を有し、
前記第2の絶縁膜と前記第3の絶縁膜とは、酸素と珪素とを含み、
前記第1の絶縁膜と前記第4の絶縁膜とは、窒素と珪素とを含み、
前記酸化物半導体層は、トランジスタのチャネル形成領域を有し、
前記酸化物半導体層の下面全面は、前記第2の絶縁膜に接しており、
前記第2の絶縁膜は、酸素を放出する機能を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項2において、
前記酸化物半導体層は、前記ソース電極と接する第1の領域と、前記ドレイン電極と接する第2の領域と、前記第3の絶縁膜と接する第3の領域とを有し、
前記第1の領域の膜厚及び前記第2の領域の膜厚のそれぞれは、前記第3の領域の膜厚よりも薄いことを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至は請求項3のいずれか一において、
前記ゲート電極は銅を含むことを特徴とする半導体装置。
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