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JP2010206190A5 - 半導体装置 - Google Patents

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  1. ゲート電極と、
    ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体層と、
    前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極層と、
    前記酸化物半導体層と電気的に接続されたドレイン電極層と、
    前記酸化物半導体層と前記ソース電極層との間の第１の金属酸化物層と、
    前記酸化物半導体層と前記ドレイン電極層との間の第２の金属酸化物層と、を有し、
    前記酸化物半導体層は、前記第１の金属酸化物層と接する第１の領域と、前記第２の金属酸化物層と接する第２の領域とを有し、
    前記第１の領域及び前記第２の領域は、結晶構造を有することを特徴とする半導体装置。
  2. ゲート電極と、
    ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なる領域を有する酸化物半導体層と、
    前記酸化物半導体層と電気的に接続されたソース電極層と、
    前記酸化物半導体層と電気的に接続されたドレイン電極層と、
    前記酸化物半導体層と前記ソース電極層との間の第１の金属酸化物層と、
    前記酸化物半導体層と前記ドレイン電極層との間の第２の金属酸化物層と、を有し、
    前記酸化物半導体層は、第１の領域と、前記第１の領域と結晶性が異なる第２の領域とを有し、
    前記第２の領域は、前記第１の金属酸化物層と接する第３の領域と、前記第２の金属酸化物層と接する第４の領域とを有し、
    前記第３の領域及び前記第４の領域は、結晶構造を有することを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項１又は２において、
    前記第１の金属酸化物層及び前記第２の金属酸化物層は、結晶構造を有することを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
    前記酸化物半導体層は、インジウムと、ガリウムと、亜鉛とを有することを特徴とする半導体装置。
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