[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2008034188A - 照明装置 - Google Patents

照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008034188A
JP2008034188A JP2006204738A JP2006204738A JP2008034188A JP 2008034188 A JP2008034188 A JP 2008034188A JP 2006204738 A JP2006204738 A JP 2006204738A JP 2006204738 A JP2006204738 A JP 2006204738A JP 2008034188 A JP2008034188 A JP 2008034188A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
blue led
emission peak
peak wavelength
phosphor
led chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006204738A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4989936B2 (ja
Inventor
Mitsuharu Utsuki
光春 宇津木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asahi Rubber Inc
Original Assignee
Asahi Rubber Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Rubber Inc filed Critical Asahi Rubber Inc
Priority to JP2006204738A priority Critical patent/JP4989936B2/ja
Publication of JP2008034188A publication Critical patent/JP2008034188A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4989936B2 publication Critical patent/JP4989936B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/32257Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

【課題】明るく長期間安定した光を発光し、色むらの無い高演色性の照明装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかる照明装置は、350nm〜500nmの範囲に発光ピーク波長(λp)を有する複数の青色LEDチップ30、32と、青色LEDチップ30の光を吸収して発光する蛍光体Y(黄色)を含む蛍光部40と、青色LEDチップ32の光を吸収して発光する蛍光体G(緑色),R(赤色)を含む蛍光部42と、を有する。複数の青色LEDチップ30、32は、第1の発光ピーク波長(λp)を有する第1の青色LEDチップ30と、第2の発光ピーク波長(λp)を有する第2の青色LEDチップ32と、を含む。第1の発光ピーク波長(λp)は、第2の発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有する。照明色の平均演色評価数Raが85以上である。
【選択図】図1

Description

本発明は、LEDの光により蛍光体を励起して発光する照明装置に関する。
近年、蛍光灯代替技術としてLED(発光ダイオード:Light Emitting Diode)が注目され、LEDを用いた照明装置の研究が進められている。従来のLEDは、照明装置として用いるには演色性が低かった。そこで、赤色と緑色と青色との三色(RGB)のLEDを組み合わせることで演色性を改善する技術が提案されていた(例えば、特許文献1参照)。以下、赤色をR、緑色をG、青色をBと表現する場合がある。
しかしながら、このような照明装置に用いられる赤色と緑色と青色との三色(RGB)のLEDは、三色のLEDのそれぞれの経時変化が異なるため、長期間使用することで当初の白色発光の色調が経時的に変化してしまった。
また、白色LEDと、緑色LEDと、赤色LEDと、を有し、各LEDから放射された光を混光させる拡散部を有する発光装置も提案されていた(例えば、特許文献2参照)。しかしながら、このような発光装置では、各LEDから放射された3種類の色を混色させるため、得られた昼光色は色むらがあった。
特開2005−203326号公報 特開2002−270899号公報
そこで、本発明の目的は、明るく長期間安定した光を発光し、色むらの無い高演色性の照明装置を提供することにある。
そこで、本発明にかかる照明装置は、
350nm〜500nmの範囲に発光ピーク波長(λp)を有する複数の青色LEDチップと、
前記青色LEDチップの光を吸収して発光する蛍光体を含む蛍光部と、
を有し、
前記複数の青色LEDチップは、
第1の発光ピーク波長(λp)を有する第1の青色LEDチップと、
第2の発光ピーク波長(λp)を有する第2の青色LEDチップと、
を含み、
前記第1の発光ピーク波長(λp)は、前記第2の発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有し、
照明色の平均演色評価数Raが85以上である。
本発明にかかる照明装置によれば、350nm〜500nmの範囲に発光ピーク波長(λp)を有する複数の青色LEDチップを有することで、紫外線を発生するLEDよりも高出力で明るい発光を得ることができる。また、本発明にかかる照明装置によれば、少なくとも2種類以上の異なる発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップを含むことで、高い演色性を得ることができる。さらに、本発明にかかる照明装置によれば、従来の三色(RGB)のLEDに比べて経時変化による演色性の影響がほとんどない。また、本発明にかかる照明装置によれば、発光ピーク波長(λp)の異なる複数の青色LEDチップによって複数の白色を混ぜることになり、色むらの少ない照明色を得ることができる。
本発明にかかる照明装置において、
照明色の平均演色評価数Raが90以上であることができる。
本発明にかかる照明装置において、
前記蛍光部は、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を含むことができる。
本発明にかかる照明装置において、
前記蛍光部は、黄色蛍光体、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を含むことができる。
本発明にかかる照明装置は、
350nm〜500nmの範囲に発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップと、
前記青色LEDチップの光を吸収して発光する蛍光体を含む蛍光部と、
を有する白色LEDを複数有し、
前記複数の白色LEDは、
前記第1の発光ピーク波長(λp)の第1の青色LEDチップを有する第1の白色LEDと、
前記第2の発光ピーク波長(λp)の第2の青色LEDチップを有する第2の白色LEDと、
を含み、
前記第1の発光ピーク波長(λp)は、前記第2の発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有し、
照明色の平均演色評価数Raが85以上である。
本発明にかかる照明装置によれば、350nm〜500nmの範囲に発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップを有することで、紫外線を発生するLEDよりも高出力で明るい発光を得ることができる。また、本発明にかかる照明装置によれば、異なる発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップを用いた少なくとも2種類以上の白色LEDによって、高い演色性を得ることができ、異なる複数種類の白色LEDの組合せで適宜所望の色調に調整できる。さらに、本発明にかかる照明装置によれば、従来の三色(RGB)のLEDに比べて経時変化による演色性の影響がほとんどない。また、本発明にかかる照明装置によれば、発光ピーク波長(λp)の異なる複数の青色LEDチップによって複数の白色を混ぜることになり、色むらの少ない照明色を得ることができる。
本発明にかかる照明装置において、
照明色の平均演色評価数Raが90以上であることができる。
本発明にかかる照明装置において、
前記第1の白色LEDは、黄色蛍光体を含む第1の蛍光部を有し、
前記第2の白色LEDは、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第2の蛍光部を有する、照明装置。
本発明にかかる照明装置において、
前記第1の発光ピーク波長(λp)は、前記第2の発光ピーク波長(λp)よりも長波長である、照明装置。
本発明にかかる照明装置において、
前記第1の白色LEDは、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第1の蛍光部を有し、
前記第2の白色LEDは、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第2の蛍光部を有する、照明装置。
本発明にかかる照明装置において、
前記第1の白色LEDは、黄色蛍光体と、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第1の蛍光部を有し、
前記第2の白色LEDは、黄色蛍光体と、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第2の蛍光部を有する、照明装置。
本発明にかかる照明装置において、
前記第1の青色LEDチップは、第1の樹脂成形体内に封入され、
前記第2の青色LEDチップは、第2の樹脂成形体内に封入され、
前記第1の蛍光部及び前記第2の蛍光部は、前記第1の樹脂成形体及び前記第2の樹脂成形体の外側に被せられたキャップ状の成形体であることができる。
本発明にかかる照明装置において、
前記第1の蛍光部は、前記第1の青色LEDチップを覆うシート状の成形体であり、
前記第2の蛍光部は、前記第2の青色LEDチップを覆うシート状の成形体であることができる。
本発明にかかる照明装置において、
前記第1の青色LEDチップは、前記第1の蛍光部を含む第1の樹脂成形体内に封入され、
前記第2の青色LEDチップは、前記第2の蛍光部を含む第2の樹脂成形体内に封入されることができる。
本発明にかかる照明装置において、
前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.3274,0.3673)、(0.3282,0.3297)、(0.2998,0.3396)、(0.3064,0.3091)の4点を結ぶ四辺形内の昼光色の色調であることができる。
本発明にかかる照明装置において、
前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.3616,0.3875)、(0.3552,0.3476)、(0.3353,0.3659)、(0.3345,0.3314)の4点を結ぶ四辺形内の昼白色の色調であることができる。
本発明にかかる照明装置において、
前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.3938,0.4097)、(0.3805,0.3642)、(0.3656,0.3905)、(0.3584,0.3499)の4点を結ぶ四辺形内の白色の色調であることができる。
本発明にかかる照明装置において、
前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.4341,0.4233)、(0.4171,0.3846)、(0.4021,0.4076)、(0.3903,0.3719)の4点を結ぶ四辺形内の温白色の色調であることができる。
本発明にかかる照明装置において、
前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.4775,0.4283)、(0.4594,0.3971)、(0.4348,0.4185)、(0.4214,0.3887)の4点を結ぶ四辺形内の電球色の色調であることができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は、第1の実施形態である照明装置1を模式的に示す部分縦断面図である。図2は、第2の実施形態である照明装置2を模式的に示す部分縦断面図である。図3は、第3の実施形態である照明装置3を模式的に示す部分縦断面図である。図4は、第4の実施形態である照明装置4を模式的に示す部分縦断面図である。図5は、第5の実施形態である照明装置5を模式的に示す部分縦断面図である。図6は、第6の実施形態である照明装置6を模式的に示す部分縦断面図である。図7は、第7の実施形態である照明装置7を模式的に示す部分縦断面図である。
本発明の実施形態にかかる照明装置は、350nm〜500nmの範囲に発光ピーク波長(λp)を有する複数の青色LEDチップと、前記青色LEDチップの光を吸収して発光する蛍光体を含む蛍光部と、を有し、前記複数の青色LEDチップは、第1の発光ピーク波長(λp)を有する第1の青色LEDチップと、第2の発光ピーク波長(λp)を有する第2の青色LEDチップと、を含み、前記第1の発光ピーク波長(λp)は、前記第2の発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有し、照明色の平均演色評価数Raが85以上である。
また、本発明の実施形態にかかる照明装置は、350nm〜500nmの範囲に発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップと、前記青色LEDチップの光を吸収して発光する蛍光体を含む蛍光部と、を有する白色LEDを複数有し、前記複数の白色LEDは、前記第1の発光ピーク波長(λp)の第1の青色LEDチップを有する第1の白色LEDと、前記第2の発光ピーク波長(λp)の第2の青色LEDチップを有する第2の白色LEDと、を含み、前記第1の発光ピーク波長(λp)は、前記第2の発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有し、照明色の平均演色評価数Raが85以上である。
1.第1の実施形態
図1に示すように、第1の実施形態にかかる照明装置1は、白色LED10,12を複数例えば2個有する。第1の白色LED10と第2の白色LED12は、350nm〜500nmの範囲に発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップ30、32と、青色LEDチップ30の光を吸収して発光する蛍光体Y(黄色)を含む蛍光部40と、青色LEDチップ32の光を吸収して発光する蛍光体G(緑色),R(赤色)を含む蛍光部42と、を有する。青色LEDチップ30,32は、2種類以上の異なる発光ピーク波長(λp)を有する。第1の白色LED10及び第2の白色LED12は、基台100上に固定配置されている。第1の白色LED10及び第2の白色LED12は、基本的に同じ構成を有しており、ベース部材20のほぼ中央に設けられたステム22上に載置された発光する第1の青色LEDチップ30及び第2の青色LEDチップ32が例えば樹脂成形体24中に封入されている。樹脂成形体24の外側には、樹脂成形体24を覆うようにキャップ状の第1の蛍光部40及び第2の蛍光部42が被せられている。樹脂成形体24の材質としては、シリコーン樹脂が好ましいが、透光性の樹脂例えばアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂などを用いることができる。なお、各実施形態の説明図において、樹脂成形体及び蛍光部の一部は、断面図であるが、わかりやすくするためにハッチングを省略した。
第1の白色LED10は、第1の発光ピーク波長(λp)の第1の青色LEDチップ30を有する。第2の白色LED12は、第1の発光ピーク波長(λp)とは異なる第2の発光ピーク波長(λp)の第2の青色LEDチップ32を有する。第1の発光ピーク波長(λp)及び第2の発光ピーク波長(λp)は、350nm〜500nmの範囲から適宜選択された異なる発光ピーク波長(λp)である。特に、第1の発光ピーク波長(λp)及び第2の発光ピーク波長(λp)は、400nm〜500nmの範囲が好ましく、420nm〜480nmがさらに好ましい。このような青色LEDチップとすることで、高出力で明るい発光を得ることができる。第1の発光ピーク波長(λp)は、第2の発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有する。第1の発光ピーク波長(λp)は、第2の発光ピーク波長(λp)よりも長波長であることが好ましい。このように発光ピーク波長(λp)が大きくずれた2種類の青色LEDチップを用いることで、高い演色性を得ることができる。なお、波長の規格にはピーク波長であるλpと主波長もしくはドミナント波長であるλdとの2種類があるが、本発明における発光ピーク波長はλpである。第1、第2の青色LEDチップ30、32としては市販されている公知のLEDを使用することができる。例えば、GaN系LED、SiC系LED、ZnSe系LED、InGaN系LED等を用いることができる。
第1の白色LED10は、全体に分散された黄色蛍光体Yを含む第1の蛍光部40を有し、第2の白色LED12は、全体に分散された緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rを含む第2の蛍光部42を有する。第1、第2の蛍光部40、42は、それぞれ樹脂成形体24の外側に被せられた高分子物質からなるキャップ状の成形体である。第1、第2の蛍光部40、42の材料としても、シリコーン系樹脂を用いることが好ましいが、例えば透光性の高分子物質であるアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレン樹脂、シリコーン樹脂、環状オレフィン樹脂、シリコーン系エラストマー、ポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリウレタン系熱可塑性エラストマーなどを用いることもできる。
第1の青色LEDチップ30の第1の発光ピーク波長(λp)は、第2の青色LEDチップ32の第2の発光ピーク波長(λp)よりも長波長であることが蛍光体との組合せとして好ましい。例えば、第1の青色LEDチップ30の第1の発光ピーク波長(λp)を470nmとして、第2の青色LEDチップ32の第2の発光ピーク波長(λp)を430nmとすることができる。第2の青色LEDチップ32の発光ピーク波長(λp)を短波長側例えば430nmとすることで、緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rの発光特性が向上し、より明るい照明装置を得ることができる。また、第2の青色LEDチップ30の発光ピーク波長(λp)を長波長側例えば470nmとすることで、黄色蛍光体Yの発光特性を損わず、演色性を飛躍的に向上することができる。
第1の青色LEDチップ30から出射された光は、キャップ状の第1の蛍光部40内の黄色蛍光体Yにより一部吸収され、黄色蛍光体Yが励起される。黄色蛍光体Yが励起されると、その性質に応じて所定の分光スペクトル分布を有する蛍光を発光し、第1の白色光が出力される。また、第2の青色LEDチップ32から出射された光は、キャップ状の第2の蛍光部42内の緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rにより一部吸収され、各蛍光体が励起される。緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rが励起されると、その性質に応じて所定の分光スペクトル分布を有する蛍光を発光し、第2の白色光が出力される。このように、発光ピーク波長(λp)が350nm〜500nmの青色発光と黄色蛍光体Yを利用した第1の白色光と、発光ピーク波長(λp)が350nm〜500nmの青色発光と緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rを利用した第2の白色光とを組み合わせることにより、従来のLEDでは得られなかった演色性の高い白色光を得ることが可能となる。しかも、このように2種類以上の白色光を組み合わせることによって、色むらの無い白色光を得ることができる。蛍光体としては、蛍光を発する無機蛍光体、顔料、有機蛍光染料、擬似顔料などが挙げられ、例えば、発光色が黄色の(Ca,Sr,Ba)SiO:Eu、YAG、Sr(Ba)SiO、SrAl:Eu2+などの黄色蛍光体Y、発光色が緑色のBaMgAl1627:Eu2+,Mn2+、ZnS:Cu,Al,Au、SrAl:Eu2+、ZnSi(Ge)O:Eu2+などの緑色蛍光体G、発光色が赤色のYS:Eu3+、3.5MgO・0.5MgF・GeO:Mn、LiEuW、BaO・Gd2O・Ta:Mn、KEu2.5(WO6.25などの赤色蛍光体Rを好適に用いることができる。これらの蛍光体の種類及び量は、より演色性が高く、所望する白色に近い発色が得られるように調整することができる。
このようにして得られた照明装置1の照明色の色調は、JIS Z 9112「蛍光ランプの光源色及び演色性による区分」に規定された昼光色、昼白色、白色、温白色または電球色の色度範囲である。照明装置1の照明色の色調は、xy色度図上における(x、y)が(0.3274,0.3673)、(0.3282,0.3297)、(0.2998,0.3396)、(0.3064,0.3091)の4点を結ぶ四辺形内の昼光色であることが好ましい。照明装置1の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.3616,0.3875)、(0.3552,0.3476)、(0.3353,0.3659)、(0.3345,0.3314)の4点を結ぶ四辺形内の昼白色の色調であることが好ましい。照明装置1の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.3938,0.4097)、(0.3805,0.3642)、(0.3656,0.3905)、(0.3584,0.3499)の4点を結ぶ四辺形内の白色の色調であることが好ましい。照明装置1の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.4341,0.4233)、(0.4171,0.3846)、(0.4021,0.4076)、(0.3903,0.3719)の4点を結ぶ四辺形内の温白色の色調であることが好ましい。照明装置1の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.4775,0.4283)、(0.4594,0.3971)、(0.4348,0.4185)、(0.4214,0.3887)の4点を結ぶ四辺形内の電球色の色調であることが好ましい。また、照明装置1の照明色は、演色性のなかでも特に一般照明において重要な平均演色評価数Raがよく、平均演色評価数Raが85以上である。また、照明装置1の照明色は、発光ピーク波長(λp)の異なる複数の青色LEDチップによって複数の白色を混ぜることにより、色むらが少ない。さらに、照明装置1の照明色がJIS Z 9112に規定された昼光色、昼白色、白色または温白色であるとき、平均演色評価数Raが90以上であることが好ましい。
また、第1の実施形態においては、第1の発光ピーク波長(λp)の第1の青色LEDチップ30を有する第1の白色LED10と、第2の発光ピーク波長(λp)の第2の青色LEDチップ32を有する第2の白色LED12と、を含み、第1の発光ピーク波長(λp)は、第2の発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有しているが、照明装置などの要求によって用いるLEDチップの数及び組合せを適宜設定することによって、演色性が要求される用途に適した平均演色評価数Raが85以上の白色光を得ることができる。例えば、樹脂成形体中に複数個の青色LEDチップが含まれてもよいし、基板100上に3個の第1の白色LED10と7個の第2の白色LED12とを配置してもよい。また、3個以上の青色LEDチップを用いる場合には、3種類以上の発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップを用いてもよい。その場合、例えば、発光ピーク波長(λp)が470nmの第1の青色LEDチップ30と、発光ピーク波長(λp)が430nmの第2の青色LEDチップ32と、発光ピーク波長(λp)が450nmの第3の青色LEDチップと、を用いることができる。
2.第2の実施形態
図2に示すように、第2の実施形態にかかる照明装置2は、基台100上に固定配置された第1の白色LED10aと、第2の白色LED12aと、を有する。第1の実施形態の白色LEDがいわゆる砲弾型のLEDであるのに対して、第2の実施形態の白色LEDは、LEDチップを実装するパッケージが小型化、薄型化されたSMD型(Surface Mount Device:表面実装型)LEDを用いた点で異なるが、基本的に第1の実施形態と同じ構成であり、同じ部品には同じ符号を用いて示す。SMD型の第1の白色LED10a及び第2の白色LED12aは、セラミック製の基台100上にタングステン(W)等によってパターン形成された配線導体(アノードリード)108及び配線導体(カソードリード)109と、基台100と一体的に成形された例えば無機材料の焼結体からなる本体104と、を有する。本体104は、略円筒状であり、横断面円形の内壁は第1の青色LEDチップ30及び第2の青色LEDチップ32の光が放射する方向に拡径された形状を有する側壁部106に形成されている。第1の青色LEDチップ30及び第2の青色LEDチップ32は、本体104の底部に露出した配線導体108、109にボンディングワイヤによって電気的に接続され、本体104の側壁部106内に充填された透光性樹脂の樹脂成形体24によって封止されている。第1の青色LEDチップ30及び第2の青色LEDチップ32を覆うシート状例えば薄い円板状の第1の蛍光部40s及び第2の蛍光部42sが各樹脂成形体24の上面に密着して配置されている。
第1の蛍光部40sは、第1の青色LEDチップ30の光により励起されて発光する黄色蛍光体Yを全体に分散されて含み、第2の蛍光部42sは、第2の青色LEDチップ32の光により励起されて発光する緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rを全体に分散されて含む。樹脂成形体24、蛍光体Y,G,R、青色LEDチップ30,32、第1の蛍光部40s及び第2の蛍光部42sのマトリックス材料の材質は、第1の実施形態で例示したものを適宜用いることができる。従ってこの場合、第1の白色LED10aと第2の白色LED12aとは異なる発光ピーク波長(λp)の第1、第2の青色LEDチップ30、32を用いることで2種類の白色光を組み合わせることができ、演色性の高い照明装置2となる。また、第2の実施形態においても、2つの青色LEDチップを用いたが、照明装置などの要求によって用いる青色LEDチップの数及び組合せを適宜設定することができる。さらに、3個以上の青色LEDチップを用いる場合には、2種類に限らず3種類以上の発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップを組み合わせてもよい。
3.第3の実施形態
図3に示すように、第3の実施形態にかかる照明装置3は、基台100上に固定配置された第1の白色LED10bと、第2の白色LED12と、を有する。第1の白色LED10bは、緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rを含む第1の蛍光部42を有し、第2の白色LED12は、緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rを含む第2の蛍光部42aを有する。第1の蛍光部の蛍光体が緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rになったことを除けば、基本的に第1の実施形態と同じ構成であり、同じ部品には同じ符号を用いて示す。第1の蛍光体42と第2の蛍光体42aの緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rは、同じ蛍光体を用いてもよいし、違う組成の蛍光体を用いてもよい。従ってこの場合、第1の白色LED10bと第2の白色LED12とは異なる発光ピーク波長(λp)の青色LEDチップ30、32を用いることで2種類の白色光を組み合わせることができ、演色性の高い照明装置3となる。また、第3の実施形態においても、2つの青色LEDチップを用いたが、照明装置などの要求によって用いる青色LEDチップの数及び組合せを適宜設定することができる。さらに、3個以上の青色LEDチップを用いる場合には、2種類に限らず3種類以上の発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDを組み合わせてもよい。
4.第4の実施形態
図4に示すように、第4の実施形態にかかる照明装置4は、基台100上に固定配置された第1の白色LED10cと、第2の白色LED12cと、を有する。第1の白色LED10cは、黄色蛍光体Yと、緑色蛍光体Gと、赤色蛍光体Rと、を含む第1の蛍光部43aを有し、第2のLED12cは、黄色蛍光体Yと、緑色蛍光体Gと、赤色蛍光体Rと、を含む第2の蛍光部43を有する。第1、第2の蛍光部の蛍光体が黄色蛍光体Y、緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rの全てを含むになったことを除けば、基本的に第1の実施形態と同じ構成であり、同じ部品には同じ符号を用いて示す。第1の蛍光体43aと第2の蛍光体43の黄色蛍光体Y、緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rは、同じ蛍光体を用いてもよいし、違う組成の蛍光体を用いてもよい。従ってこの場合、第1の白色LED10cと第2の白色LED12cとは異なる発光ピーク波長(λp)の第1、第2の青色LED30、32を用いることで2種類の白色光を組み合わせることができ、演色性の高い照明装置4となる。また、第4の実施形態においても、2つの青色LEDチップを用いたが、照明装置などの要求によって用いる青色LEDチップの数及び組合せを適宜設定することができる。さらに、3個以上の青色LEDチップを用いる場合には、2種類に限らず3種類以上の発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDを組み合わせてもよい。
また、第1〜第4の実施形態のように蛍光部をキャップ状の成形体とするだけでなく、例えば樹脂成形体24に蛍光部が含まれてもよい。その場合、例えば、樹脂成形体24全体に蛍光体Yなどが分散されていてもよいし、樹脂成形体24の一部のみを蛍光部としてもよい。具体的には、後述する図7に示す照明装置7の蛍光部のようにしてもよい。
5.第5の実施形態
図5に示すように、第5の実施形態にかかる照明装置5は、筐体110の底部に配置された基板102上にモノシリックに直列接続された複数の第1、第2の青色LEDチップ30、32と、これら複数の第1、第2の青色LEDチップ30,32を覆うシート状の成形体からなる蛍光部44と、を含む。蛍光部44は、第1の実施形態の蛍光部と同様の透光性高分子材料を用いることができ、例えばシリコーン樹脂中に緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rを含み、複数の第1、第2の青色LED30,32の発光により白色に発光する。第1、第2の青色LEDチップ30、32は、350nm〜500nmの範囲に発光ピーク波長(λp)を有し、第1の青色LEDチップ30の発光ピーク波長(λp)は、第2の青色LEDチップ32の発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有する。第1の青色LED30と第2の青色LED32は、基本的に同じ構造のGaN系LEDチップであり、基板102上に例えばn型GaN層301、p型GaN層302、p電極303、n電極304を有している。隣り合う第1、第2の青色LEDチップ30,32は、p電極303とn電極304とをエアブリッジ配線Lで接続されている。このように複数の青色LEDチップをモノリシックに形成して互いに直列接続することで、各青色LEDチップに流れる電流は同一となり、バンドギャップエネルギーに高低が生じてもフラットな発光スペクトルが得られる。筐体110の内部は、樹脂成形体24によって封止され、第1の青色LED30と第2の青色LED32は樹脂成形体24中にある。したがって、照明装置5は、筐体110の底部に基板102及び複数の第1、第2の青色LEDチップ30、32が配置された後、筐体110内に樹脂が筐体110の開口部112まで充填されて樹脂成形体24を形成し、さらに開口部112にシート状の蛍光部44が設置されてなる。
第5の実施形態においては、2種類の発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップを用いたが、照明装置などの要求によって用いる青色LEDチップの数、発光ピーク波長(λp)及びそれらの組合せを適宜設定することができる。例えば、発光ピーク波長(λp)が430nm、450nm、470nmの3種類の青色LEDチップをそれぞれ複数個配置してもよい。また、蛍光部44をシート状の成形体としたが、青色LEDチップの発光を漏れなく覆う形態であればよく、例えば開口部112を覆う蓋状の成形体であってもよく、あるいは樹脂成形体24中に蛍光体を分散させて樹脂成形体24そのものを蛍光部44としてもよい。蛍光部44には緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rが含まれたが、緑色蛍光体G及び赤色蛍光体Rに加えて黄色蛍光体Yを含んでもよい。いずれにしても、異なる発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップを複数用いることで、複数の白色光を組み合わせて演色性がよく、かつ、色むらの無い白色光が得られる。
6.第6の実施形態
図6に示すように、第6の実施形態にかかる照明装置6は、筐体110内の基台100上に固定配置された3個の第1〜第3の青色LED18a〜18cを有する。3個の第1〜第3の青色LED18a〜18cは、それぞれ発光ピーク波長(λp)の異なる第1〜第3の青色LEDチップ30、32、34を有し、それぞれの発光ピーク波長(λp)は350nm〜500nmの範囲から適宜選択された異なるピーク波長である。第1〜第3の青色LEDチップ30、32、34の発光ピーク波長(λp)は、400nm〜500nmがさらに好ましく、特に420nm〜480nmが好適である。また、いずれか1つの青色LEDチップの発光ピーク波長(λp)は、他の1つの青色LEDチップの発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有する。各青色LEDチップ30、32、34がそれぞれ異なる発光ピーク波長(λp)を有していてもよいし、第1の青色LEDチップ30が他の第2、第3の青色LEDチップ32,43に対して10nm以上80nm以下の差を有する発光ピーク波長(λp)を有していてもよい。基台100に対向する筐体110の開口部112には、薄いシート状に形成された蛍光部48が開口部112を覆うように固定されている。蛍光部48には、黄色蛍光体Yと、緑色蛍光体Gと、赤色蛍光体Rと、が含まれる。蛍光部48は、第1の実施形態で説明されたキャップ状の蛍光部と同じ材質を採用することができる。また、第6の実施形態においては、3つのLEDを用いたが、照明装置などの要求によって用いるLEDの数及び組合せを適宜設定することができる。
7.第7の実施形態
図7に示すように、第7の実施形態にかかる照明装置7は、基台100上に固定配置された複数例えば2個の第1、第2の白色LED10d、12dを有する。照明装置7の第1の白色LED10dは、第1の青色LEDチップ30が第1の蛍光部40iを含む第1樹脂成形体24a内に封入されている。また、照明装置7の第2の白色LED12dは、第2の青色LEDチップ32が第2の蛍光部42iを含む第2樹脂成形体24b内に封入されている。より具体的には、ステム22に形成された第1及び第2の青色LEDチップ30、32を設置する凹部220だけを覆うように第1及び第2の蛍光部40i、42iが形成される。したがって、第7の実施形態は、蛍光体Y(黄色)を含む第1の蛍光部40i及び蛍光体G(緑色)、R(赤色)を含む第2の蛍光部42iを除けば第1の実施形態の照明装置1と同じである。
第1及び第2の蛍光部40i,42iは、第1及び第2の青色LEDチップ30、32からの光の放射を受ける領域に形成されていればよく、第1の実施形態のようなキャップ状の成形体や第2の実施形態のようなシート状の成形体などでもよく、本実施形態のような樹脂成形体中に配置されてもよい。
第1の実施形態〜第7の実施形態の照明装置の照明色は、平均演色評価数Raが85以上であるが、照明装置の用途などによって用いるLEDチップの数や発光ピーク波長(λp)、蛍光体の種類や配合量、白色LEDの数やその組合せなどを適宜設定することによって、演色性が要求される用途に適した白色光を得ることができる。例えば、平均演色評価数Raが90以上の白色光を得ることもできるし、照明色がJIS Z 9112に規定された昼光色、昼白色、白色、温白色または電球色とすることもできる。また、平均演色評価数Raだけでなく、特殊演色評価数の内、例えばR9を85以上とするように照明色を調整することもできる。
図8に示すような照明装置1aを実施例1として試作し、平均演色評価数Ra、色度座標、輝度分光スペクトル分布を分光放射輝度計60で測定した。実施例1で試作した照明装置1aの構成は、以下の通りであった。
第1の白色LED10:第1の青色LEDチップ30は、InGaN系であって、発光ピーク波長(λp)がおよそ470nmの日亜化学工業社製の青色LED「NSPB310A(商品名)」を用いた。第1の蛍光部40は、シリコーンゴム100質量部に、黄色蛍光体Yとして無機蛍光体である(Ca,Sr,Ba)SiO:Euを25質量部分散させ、加熱プレスして得られた厚さ0.5mmの第1のキャップ状の成形体を用いた。
第2の白色LED12:第2の青色LEDチップ32は、AlInGaN系であって、発光ピーク波長(λp)がおよそ430nmのJ REP Corporation社製の青色LED「SSL-LX5093XSBC/B(商品名)」を用いた。第2の蛍光部42は、キャップ状の成形体に換えて、シリコーンゴム100質量部に、緑色蛍光体Gとして無機蛍光体であるBaMgAl1627:Eu,Mn(根本特殊化学社製)を15質量部と、赤色蛍光体Rとして無機蛍光体である3.5MgO・0.5MgF・GeO:Mn(根本特殊化学社製)を35質量部と、を分散させ、加熱プレスして得られた厚さ0.5mmの第2のキャップ状の成形体を用いた。
実施例1の照明装置1aの分光放射輝度計60による測定結果を表1に示した。
Figure 2008034188
第1の白色LED10単体の測定結果は、平均演色評価数Raが73.2で色度座標がx=0.332、y=0.320であった。この時の発光の分光スペクトル分布を図10に波形Aとして示した。第2の白色LED12単体の測定結果は、平均演色評価数Raが13.3で色度座標がx=0.330、y=0.336であった。この時の発光の分光スペクトル分布を図11に波形Bとして示した。第1の白色LED10を3個と、第2の白色LED12を7個と、を組合せた照明装置1aの分光スペクトル分布を図12に波形Cで示した。また、この照明装置の平均演色評価数Raは93.3で色度座標がx=0.331、y=0.323であった。第1の白色LED10及び第2の白色LED12はいずれも平均演色評価数Raが高くないが、これらを最適に組み合わせることにより、平均演色評価数Raは93.3という極めて高い演色性を有する白色の照明装置1aを得ることができた。
次に、図9に示すような照明装置6aを実施例2〜6として試作し、平均演色評価数Ra、色度座標、輝度分光スペクトル分布を分光放射輝度計60で測定した。
実施例2で試作した照明装置6aの構成は、以下の通りであった。
第1の青色LEDチップ30は、発光ピーク波長(λp)がおよそ470nmの日亜化学工業社製青色LED「NSPB310A(商品名)」を用いた。第2の青色LEDチップ32は、発光ピーク波長(λp)がおよそ430nmのJ REP Corporation製青色LED「SSL−LX5093XSBC/B(商品名)」を用いた。蛍光部48は、シリコーンゴム100質量部に緑色蛍光体Gとして無機蛍光体であるBaMgAl1627:Eu,Mn(根本特殊化学社製)を9質量部と、黄色蛍光体Yとして無機蛍光体である(Ca,Sr,Ba)SiO:Euを11質量部と、赤色蛍光体Rとして無機蛍光体である3.5MgO・0.5MgF・GeO:Mn(根本特殊化学社製)を30質量部と、を分散させ、加熱プレスして厚さ0.5mmのシート状の成形体を得た。
実施例2の照明装置6aの分光放射輝度計60による測定結果を表2に示した。
Figure 2008034188
実施例2の照明装置6aは、平均演色評価数Raが94.3で色度座標がx=0.324、y=0.331のJIS Z 9112に規定された昼光色であった。
実施例3で試作した照明装置6aの構成は、以下の通りであった。
第1の青色LEDチップ30は、発光ピーク波長(λp)がおよそ470nmの日亜化学工業社製青色LED「NSPB310A(商品名)」を用いた。第2の青色LEDチップ32は、発光ピーク波長(λp)がおよそ430nmのJ REP Corporation製青色LED「SSL−LX5093XSBC/B(商品名)」を用いた。蛍光部48は、シリコーンゴム100質量部に、緑色蛍光体Gとして無機蛍光体であるBaMgAl1627:Eu,Mn(根本特殊化学社製)を9質量部と、黄色蛍光体Yとして無機蛍光体である(Ca,Sr,Ba)SiO:Euを12質量部と、赤色蛍光体Rとして無機蛍光体である3.5MgO・0.5MgF・GeO:Mn(根本特殊化学社製)を35質量部と、を分散させ、加熱プレスして厚さ0.5mmのシート状の成形体を得た。
実施例3の照明装置6aの分光放射輝度計60による測定結果を表2に示した。
実施例3の照明装置6aは、平均演色評価数Raが95.8で色度座標がx=0.354、y=0.358のJIS Z 9112に規定された昼白色であった。また、実施例3の照明装置6aは、特殊演色評価数R9が87.5であった。
実施例4で試作した照明装置6aの構成は、以下の通りであった。
第1の青色LEDチップ30は、発光ピーク波長(λp)がおよそ470nmの日亜化学工業社製青色LED「NSPB310A(商品名)」を用いた。第2の青色LEDチップ32は、発光ピーク波長(λp)がおよそ430nmのJ REP Corporation製青色LED「SSL−LX5093XSBC/B(商品名)」を用いた。蛍光部48は、シリコーンゴム100質量部に、緑色蛍光体Gとして無機蛍光体であるBaMgAl1627:Eu,Mn(根本特殊化学社製)を10質量部と、黄色蛍光体Yとして無機蛍光体である(Ca,Sr,Ba)SiO:Euを12質量部と、赤色蛍光体Rとして無機蛍光体である3.5MgO・0.5MgF・GeO:Mn(根本特殊化学社製)を40質量部と、を分散させ、加熱プレスして厚さ0.5mmのシート状の成形体を得た。
実施例4の照明装置6aの分光放射輝度計60による測定結果を表2に示した。
実施例4の照明装置6aは、平均演色評価数Raが95.0で色度座標がx=0.372、y=0.378のJIS Z 9112に規定された白色であった。また、実施例4の照明装置6aは、特殊演色評価数R9が85.1であった。
実施例5で試作した照明装置6aの構成は、以下の通りであった。
第1の青色LEDチップ30は、発光ピーク波長(λp)がおよそ470nmの日亜化学工業社製青色LED「NSPB310A(商品名)」を用いた。第2の青色LEDチップ32は、発光ピーク波長(λp)がおよそ430nmのJ REP Corporation製青色LED「SSL−LX5093XSBC/B(商品名)」を用いた。蛍光部48は、シリコーンゴム100質量部に、緑色蛍光体Gとして無機蛍光体であるBaMgAl1627:Eu,Mn(根本特殊化学社製)を10質量部と、黄色蛍光体Yとして無機蛍光体である(Ca,Sr,Ba)SiO:Euを15質量部と、赤色蛍光体Rとして無機蛍光体である3.5MgO・0.5MgF・GeO:Mn(根本特殊化学社製)を50質量部と、を分散させ、加熱プレスして厚さ0.5mmのシート状の成形体を得た。
実施例5の照明装置6aの分光放射輝度計60による測定結果を表2に示した。
実施例5の照明装置6aは、平均演色評価数Raが92.0で色度座標がx=0.404、y=0.404のJIS Z 9112に規定された温白色であった。また、実施例5の照明装置6aは、特殊演色評価数R9が85.5であった。
実施例6で試作した照明装置6aの構成は、以下の通りであった。
第1の青色LEDチップ30は、発光ピーク波長(λp)がおよそ470nmの日亜化学工業社製青色LED「NSPB310A(商品名)」を用いた。第2の青色LEDチップ32は、発光ピーク波長(λp)がおよそ430nmのJ REP Corporation製青色LED「SSL−LX5093XSBC/B(商品名)」を用いた。蛍光部48は、シリコーンゴム100質量部に、緑色蛍光体Gとして無機蛍光体であるBaMgAl1627:Eu,Mn(根本特殊化学社製)を12質量部と、黄色蛍光体Yとして無機蛍光体である(Ca,Sr,Ba)SiO:Euを17質量部と、赤色蛍光体Rとして無機蛍光体である3.5MgO・0.5MgF・GeO:Mn(根本特殊化学社製)を70質量部と、を分散させ、加熱プレスして厚さ0.5mmのシート状の成形体を得た。
実施例6の照明装置6aの分光放射輝度計60による測定結果を表2に示した。
実施例6の照明装置6aは、平均演色評価数Raが90.0であり、色度座標がx=0.415、y=0.408のJIS Z 9112に規定された電球色であった。
実施例2〜6の照明装置6aによれば、JIS Z 9112に規定された一般照明の蛍光ランプの光源色に色調が調整されるとともに、それぞれの色調において平均演色評価数Raが90以上の高い演色性を実現した。また、実施例1においては平均演色評価数Raが最大になるように複数の白色LEDを組み合わせたが、実施例3〜5のように各蛍光体の配合量を調整することで特殊演色評価数R9を85以上とすることができた。
第1の実施形態である照明装置を模式的に示す部分縦断面図である。 第2の実施形態である照明装置を模式的に示す部分縦断面図である。 第3の実施形態である照明装置を模式的に示す部分縦断面図である。 第4の実施形態である照明装置を模式的に示す部分縦断面図である。 第5の実施形態である照明装置を模式的に示す部分縦断面図である。 第6の実施形態である照明装置を模式的に示す部分縦断面図である。 第6の実施形態である照明装置を模式的に示す部分縦断面図である。 実施例1で試作した照明装置の測定方法を示す図である。 実施例2〜6で試作した照明装置の測定方法を示す図である。 実施例1の第1の白色LEDによる発光の分光スペクトル分布を示す図である。 実施例1の第2の白色LEDによる発光の分光スペクトル分布を示す図である。 実施例1の照明装置による発光の分光スペクトル分布を示す図である。
符号の説明
1、1a、2、3、4、5、6、6a、7 照明装置
10、10a〜10d 第1の白色LED
12、12a〜12d 第2の白色LED
18a,18b,18c 青色LED
20 ベース部材
22 ステム
24 樹脂成形体
30、32、34 青色LEDチップ
40、42、43、44、46、48 蛍光部
40a、42a、43a 蛍光部
40b 蛍光部
40s、42s、40i、42i 蛍光部
100 基台
102 基板
110 筐体
112 開口部
220 凹部
301 n型GaN層
302 p型GaN層
303 p電極
304 n電極
Y 黄色蛍光体
G 緑色蛍光体
R 赤色蛍光体
L エアブリッジ配線

Claims (18)

  1. 350nm〜500nmの範囲に発光ピーク波長(λp)を有する複数の青色LEDチップと、
    前記青色LEDチップの光を吸収して発光する蛍光体を含む蛍光部と、
    を有し、
    前記複数の青色LEDチップは、
    第1の発光ピーク波長(λp)を有する第1の青色LEDチップと、
    第2の発光ピーク波長(λp)を有する第2の青色LEDチップと、
    を含み、
    前記第1の発光ピーク波長(λp)は、前記第2の発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有し、
    照明色の平均演色評価数Raが85以上である照明装置。
  2. 請求項1において、
    前記照明色の平均演色評価数Raが90以上である照明装置。
  3. 請求項1または2において、
    前記蛍光部は、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を含む照明装置。
  4. 請求項1または2において、
    前記蛍光部は、黄色蛍光体、緑色蛍光体及び赤色蛍光体を含む照明装置。
  5. 350nm〜500nmの範囲に発光ピーク波長(λp)を有する青色LEDチップと、
    前記青色LEDチップの光を吸収して発光する蛍光体を含む蛍光部と、
    を有する白色LEDを複数有し、
    前記複数の白色LEDは、
    前記第1の発光ピーク波長(λp)の第1の青色LEDチップを有する第1の白色LEDと、
    前記第2の発光ピーク波長(λp)の第2の青色LEDチップを有する第2の白色LEDと、
    を含み、
    前記第1の発光ピーク波長(λp)は、前記第2の発光ピーク波長(λp)に対し10nm以上80nm以下の差を有し、
    照明色の平均演色評価数Raが85以上である照明装置。
  6. 請求項5において、
    前記照明色の平均演色評価数Raが90以上である照明装置。
  7. 請求項5または6において、
    前記第1の白色LEDは、黄色蛍光体を含む第1の蛍光部を有し、
    前記第2の白色LEDは、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第2の蛍光部を有する照明装置。
  8. 請求項5または6において、
    前記第1の発光ピーク波長(λp)は、前記第2の発光ピーク波長(λp)よりも長波長である照明装置。
  9. 請求項5または6において、
    前記第1の白色LEDは、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第1の蛍光部を有し、
    前記第2の白色LEDは、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第2の蛍光部を有する照明装置。
  10. 請求項5または6において、
    前記第1の白色LEDは、黄色蛍光体と、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第1の蛍光部を有し、
    前記第2の白色LEDは、黄色蛍光体と、緑色蛍光体と、赤色蛍光体と、を含む第2の蛍光部を有する照明装置。
  11. 請求項6〜10のいずれかにおいて、
    前記第1の青色LEDチップは、第1の樹脂成形体内に封入され、
    前記第2の青色LEDチップは、第2の樹脂成形体内に封入され、
    前記第1の蛍光部及び前記第2の蛍光部は、前記第1の樹脂成形体及び前記第2の樹脂成形体の外側に被せられたキャップ状の成形体である照明装置。
  12. 請求項6〜10のいずれかにおいて、
    前記第1の蛍光部は、前記第1の青色LEDチップを覆うシート状の成形体であり、
    前記第2の蛍光部は、前記第2の青色LEDチップを覆うシート状の成形体である照明装置。
  13. 請求項6〜10のいずれかにおいて、
    前記第1の青色LEDチップは、前記第1の蛍光部を含む第1の樹脂成形体内に封入され、
    前記第2の青色LEDチップは、前記第2の蛍光部を含む第2の樹脂成形体内に封入される照明装置。
  14. 請求項1〜13のいずれかにおいて、
    前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.3274,0.3673)、(0.3282,0.3297)、(0.2998,0.3396)、(0.3064,0.3091)の4点を結ぶ四辺形内の昼光色の色調である照明装置。
  15. 請求項1〜13のいずれかにおいて、
    前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.3616,0.3875)、(0.3552,0.3476)、(0.3353,0.3659)、(0.3345,0.3314)の4点を結ぶ四辺形内の昼白色の色調である照明装置。
  16. 請求項1〜13のいずれかにおいて、
    前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.3938,0.4097)、(0.3805,0.3642)、(0.3656,0.3905)、(0.3584,0.3499)の4点を結ぶ四辺形内の白色の色調である照明装置。
  17. 請求項1〜13のいずれかにおいて、
    前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.4341,0.4233)、(0.4171,0.3846)、(0.4021,0.4076)、(0.3903,0.3719)の4点を結ぶ四辺形内の温白色の色調である照明装置。
  18. 請求項1〜13のいずれかにおいて、
    前記照明装置の照明色は、xy色度図上における(x、y)が(0.4775,0.4283)、(0.4594,0.3971)、(0.4348,0.4185)、(0.4214,0.3887)の4点を結ぶ四辺形内の電球色の色調である照明装置。
JP2006204738A 2006-07-27 2006-07-27 照明装置 Expired - Fee Related JP4989936B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006204738A JP4989936B2 (ja) 2006-07-27 2006-07-27 照明装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006204738A JP4989936B2 (ja) 2006-07-27 2006-07-27 照明装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008034188A true JP2008034188A (ja) 2008-02-14
JP4989936B2 JP4989936B2 (ja) 2012-08-01

Family

ID=39123394

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006204738A Expired - Fee Related JP4989936B2 (ja) 2006-07-27 2006-07-27 照明装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4989936B2 (ja)

Cited By (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009266974A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Mitsubishi Electric Corp 発光装置並びに発光器具
WO2010102576A1 (zh) * 2009-03-11 2010-09-16 旭明光电股份有限公司 具有萤光体层的发光二极管的发光装置
WO2010103767A1 (ja) * 2009-03-10 2010-09-16 株式会社 東芝 白色ledおよびそれを用いたバックライト並びにebu規格対応液晶表示装置
WO2011024818A1 (ja) * 2009-08-26 2011-03-03 三菱化学株式会社 白色半導体発光装置
JP2011181921A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Samsung Led Co Ltd マルチセルアレイを有する半導体発光装置及びその製造方法
CN102201504A (zh) * 2010-03-26 2011-09-28 Lg伊诺特有限公司 发光器件和具有发光器件的照明单元
JP2011526066A (ja) * 2008-06-25 2011-09-29 クリー インコーポレイテッド 混合光を含むソリッドステート照明デバイス
JP2012502122A (ja) * 2008-09-04 2012-01-26 バイエル・マテリアルサイエンス・アクチェンゲゼルシャフト 発光素子およびその製造方法
JP2012503331A (ja) * 2008-09-16 2012-02-02 オスラム・シルバニア・インコーポレイテッド 照明モジュール
JP2012505527A (ja) * 2008-10-07 2012-03-01 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ランプ
JP2012509590A (ja) * 2008-11-21 2012-04-19 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光装置及びこれを備えた表示装置
EP2455969A2 (en) 2010-11-17 2012-05-23 Panasonic Corporation Light emitting device
CN102777838A (zh) * 2012-07-23 2012-11-14 贵州光浦森光电有限公司 一种通用型led灯泡构成方法及液态荧光的led灯泡
CN102818149A (zh) * 2012-07-23 2012-12-12 贵州光浦森光电有限公司 通用型led灯泡构成方法及荧光内罩的挂耳固定式led灯泡
CN102818147A (zh) * 2012-07-23 2012-12-12 贵州光浦森光电有限公司 一种通用型led灯泡构成方法及荧光内罩的led灯泡
CN102829408A (zh) * 2012-07-23 2012-12-19 贵州光浦森光电有限公司 通用型led灯泡构成方法及液态荧光法兰固定式led灯泡
DE102011106478A1 (de) * 2011-07-04 2013-01-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Modul mit einer Mehrzahl von derartigen Bauelementen
CN102903706A (zh) * 2011-07-29 2013-01-30 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装件及使用其的照明系统
KR101282162B1 (ko) 2009-12-30 2013-07-26 일진엘이디(주) 발광 다이오드 패키지
CN103225756A (zh) * 2013-04-22 2013-07-31 贵州光浦森光电有限公司 一种液态散热方式的中型led灯泡
JP2013161909A (ja) * 2012-02-03 2013-08-19 Idec Corp Led照明ユニットおよびled照明装置
JP2014007355A (ja) * 2012-06-27 2014-01-16 Rohm Co Ltd 半導体発光装置および照明装置
KR101420220B1 (ko) * 2011-12-15 2014-07-17 심현섭 엘이디 전구용 연질 실리콘 벌브 및 그 엘이디 전구
JP2014209617A (ja) * 2013-03-29 2014-11-06 株式会社朝日ラバー Led照明装置、その製造方法及びled照明方法
JP2015506080A (ja) * 2011-12-16 2015-02-26 マーベル ワールド トレード リミテッド 発光ダイオードを利用する照明システムのための電流平衡回路
US8998444B2 (en) 2006-04-18 2015-04-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
JP2015515133A (ja) * 2012-04-06 2015-05-21 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 白色発光モジュール
JP2015149480A (ja) * 2009-06-30 2015-08-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 調節可能な色温度を備えた白色光エレクトロルミネセンスデバイス
JP2016522986A (ja) * 2013-04-20 2016-08-04 アッポトロニック チャイナ コーポレイション 発光装置及び関連する光源システム
JP2016187035A (ja) * 2016-06-01 2016-10-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 光源装置
JP2016219519A (ja) * 2015-05-18 2016-12-22 サンケン電気株式会社 発光装置
JPWO2014203839A1 (ja) * 2013-06-18 2017-02-23 シャープ株式会社 光源装置および発光装置
EP3159947A1 (en) * 2008-07-29 2017-04-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Warm white light emitting apparatus and back light module comprising the same
KR101736926B1 (ko) * 2010-12-28 2017-05-18 엘지디스플레이 주식회사 백라이트유닛 및 이를 구비한 액정표시장치
CN107013882A (zh) * 2017-03-06 2017-08-04 华南农业大学 一种转光复合透光罩及其应用的植物灯
JP2017168795A (ja) * 2016-03-04 2017-09-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP3249703A1 (en) 2016-05-26 2017-11-29 Nichia Corporation Light emitting device
KR20170134241A (ko) 2016-05-26 2017-12-06 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
JP2018041969A (ja) * 2017-10-10 2018-03-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 光源装置
CN109155326A (zh) * 2016-05-18 2019-01-04 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造光电子组件的方法和光电子组件
KR20190028252A (ko) * 2017-09-08 2019-03-18 오충봉 고효율, 고시인성을 갖는 led 면조명 교통신호등
US10256374B2 (en) 2016-03-04 2019-04-09 Nichia Corporation Light emitting device
WO2019087232A1 (ja) 2017-10-30 2019-05-09 サンケン電気株式会社 発光装置及び照明装置
US10493175B2 (en) 2017-09-28 2019-12-03 Nichia Corporation Method for manufacturing light-emitting device
EP3576168A2 (en) 2018-05-31 2019-12-04 Nichia Corporation Light emitting device
US10505081B2 (en) 2017-07-04 2019-12-10 Nichia Corporation Light emitting device
JP2020532874A (ja) * 2017-09-06 2020-11-12 ジーエルビーテック カンパニー リミテッド D50/d65高演色性標準led発光モジュールおよび照明装置
US10910526B2 (en) 2017-12-26 2021-02-02 Nichia Corporation Light emitting device
TWI796057B (zh) * 2021-06-21 2023-03-11 財團法人工業技術研究院 光源裝置與顯示裝置
US11948531B2 (en) 2021-06-21 2024-04-02 Industrial Technology Research Institute Light source device and display device alternately emitting light beams

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103791318B (zh) * 2012-11-05 2017-04-19 群康科技(深圳)有限公司 背光模块
US9716212B2 (en) 2014-12-19 2017-07-25 Nichia Corporation Light emitting device
CN109155347B (zh) 2016-05-20 2021-05-07 株式会社东芝 白色光源

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002270899A (ja) * 2001-03-14 2002-09-20 Mitsubishi Electric Lighting Corp 色温度可変led光源モジュール
JP2004119634A (ja) * 2002-09-25 2004-04-15 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
JP2005038798A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置及びランプモジュール
JP2005117028A (ja) * 2003-09-16 2005-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Led照明光源
JP2006128456A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
WO2006068765A2 (en) * 2004-12-21 2006-06-29 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
JP2006196777A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Toshiba Corp 照明装置、撮像装置及び携帯端末

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002270899A (ja) * 2001-03-14 2002-09-20 Mitsubishi Electric Lighting Corp 色温度可変led光源モジュール
JP2004119634A (ja) * 2002-09-25 2004-04-15 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
JP2005038798A (ja) * 2003-07-18 2005-02-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置及びランプモジュール
JP2005117028A (ja) * 2003-09-16 2005-04-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Led照明光源
JP2006128456A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
WO2006068765A2 (en) * 2004-12-21 2006-06-29 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same
JP2006196777A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Toshiba Corp 照明装置、撮像装置及び携帯端末

Cited By (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8998444B2 (en) 2006-04-18 2015-04-07 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
JP2009266974A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Mitsubishi Electric Corp 発光装置並びに発光器具
JP2011526066A (ja) * 2008-06-25 2011-09-29 クリー インコーポレイテッド 混合光を含むソリッドステート照明デバイス
EP3890036A1 (en) * 2008-07-29 2021-10-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Warm white light emitting apparatus and back light module comprising the same.
EP3159947A1 (en) * 2008-07-29 2017-04-26 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Warm white light emitting apparatus and back light module comprising the same
EP3890035A1 (en) * 2008-07-29 2021-10-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Warm white light emitting apparatus
JP2012502122A (ja) * 2008-09-04 2012-01-26 バイエル・マテリアルサイエンス・アクチェンゲゼルシャフト 発光素子およびその製造方法
JP2012503331A (ja) * 2008-09-16 2012-02-02 オスラム・シルバニア・インコーポレイテッド 照明モジュール
JP2012505527A (ja) * 2008-10-07 2012-03-01 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ランプ
DE102008050643B4 (de) 2008-10-07 2022-11-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtmittel
KR101612576B1 (ko) * 2008-10-07 2016-04-14 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 램프
JP2012509590A (ja) * 2008-11-21 2012-04-19 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光装置及びこれを備えた表示装置
US8913213B2 (en) 2008-11-21 2014-12-16 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting apparatus and display apparatus using the same
WO2010103767A1 (ja) * 2009-03-10 2010-09-16 株式会社 東芝 白色ledおよびそれを用いたバックライト並びにebu規格対応液晶表示装置
US8632202B2 (en) 2009-03-10 2014-01-21 Kabushiki Kaisha Toshiba White LED, backlight using same, and liquid crystal display device conforming to EBU standard
JP5468600B2 (ja) * 2009-03-10 2014-04-09 株式会社東芝 白色ledおよびそれを用いたバックライト並びにebu規格対応液晶表示装置
JP2012519972A (ja) * 2009-03-11 2012-08-30 セミエルイーディーズ オプトエレクトロニクス カンパニー リミテッド 蛍光体層を有するledを備える発光装置
WO2010102576A1 (zh) * 2009-03-11 2010-09-16 旭明光电股份有限公司 具有萤光体层的发光二极管的发光装置
US8835953B2 (en) 2009-03-11 2014-09-16 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Lighting device comprising LEDs with phosphor layers
JP2015149480A (ja) * 2009-06-30 2015-08-20 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 調節可能な色温度を備えた白色光エレクトロルミネセンスデバイス
EP2432037A1 (en) * 2009-08-26 2012-03-21 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor white light-emitting device
JP2012056970A (ja) * 2009-08-26 2012-03-22 Mitsubishi Chemicals Corp 白色半導体発光装置
WO2011024818A1 (ja) * 2009-08-26 2011-03-03 三菱化学株式会社 白色半導体発光装置
US8581488B2 (en) 2009-08-26 2013-11-12 Mitsubishi Chemical Corporation White light-emitting semiconductor devices
EP2432037A4 (en) * 2009-08-26 2014-04-09 Mitsubishi Chem Corp DEVICE EMITTING WHITE SEMICONDUCTOR LIGHT
US8829778B2 (en) 2009-08-26 2014-09-09 Mitsubishi Chemical Corporation White light-emitting semiconductor devices
KR101282162B1 (ko) 2009-12-30 2013-07-26 일진엘이디(주) 발광 다이오드 패키지
JP2011181921A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Samsung Led Co Ltd マルチセルアレイを有する半導体発光装置及びその製造方法
JP2011211196A (ja) * 2010-03-26 2011-10-20 Lg Innotek Co Ltd 発光素子及びこれを備えたライトユニット
CN102201504A (zh) * 2010-03-26 2011-09-28 Lg伊诺特有限公司 发光器件和具有发光器件的照明单元
EP2455969A2 (en) 2010-11-17 2012-05-23 Panasonic Corporation Light emitting device
KR101736926B1 (ko) * 2010-12-28 2017-05-18 엘지디스플레이 주식회사 백라이트유닛 및 이를 구비한 액정표시장치
DE102011106478A1 (de) * 2011-07-04 2013-01-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Modul mit einer Mehrzahl von derartigen Bauelementen
CN102903706B (zh) * 2011-07-29 2017-05-17 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装件及使用其的照明系统
CN102903706A (zh) * 2011-07-29 2013-01-30 Lg伊诺特有限公司 发光器件封装件及使用其的照明系统
JP2013033903A (ja) * 2011-07-29 2013-02-14 Lg Innotek Co Ltd 発光素子パッケージ及びこれを利用した照明システム
KR101420220B1 (ko) * 2011-12-15 2014-07-17 심현섭 엘이디 전구용 연질 실리콘 벌브 및 그 엘이디 전구
JP2015506080A (ja) * 2011-12-16 2015-02-26 マーベル ワールド トレード リミテッド 発光ダイオードを利用する照明システムのための電流平衡回路
JP2013161909A (ja) * 2012-02-03 2013-08-19 Idec Corp Led照明ユニットおよびled照明装置
US10090442B2 (en) 2012-04-06 2018-10-02 Philips Lighting Holding B.V. White light emitting module
JP2015515133A (ja) * 2012-04-06 2015-05-21 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 白色発光モジュール
JP2014007355A (ja) * 2012-06-27 2014-01-16 Rohm Co Ltd 半導体発光装置および照明装置
CN102777838A (zh) * 2012-07-23 2012-11-14 贵州光浦森光电有限公司 一种通用型led灯泡构成方法及液态荧光的led灯泡
CN102818149A (zh) * 2012-07-23 2012-12-12 贵州光浦森光电有限公司 通用型led灯泡构成方法及荧光内罩的挂耳固定式led灯泡
CN102818147A (zh) * 2012-07-23 2012-12-12 贵州光浦森光电有限公司 一种通用型led灯泡构成方法及荧光内罩的led灯泡
CN102829408A (zh) * 2012-07-23 2012-12-19 贵州光浦森光电有限公司 通用型led灯泡构成方法及液态荧光法兰固定式led灯泡
US9500326B2 (en) 2013-03-29 2016-11-22 Asahi Rubber Inc. Reduced-blue-light LED lighting device, method of its manufacture, and LED lighting method
JP2014209617A (ja) * 2013-03-29 2014-11-06 株式会社朝日ラバー Led照明装置、その製造方法及びled照明方法
JP2016522986A (ja) * 2013-04-20 2016-08-04 アッポトロニック チャイナ コーポレイション 発光装置及び関連する光源システム
CN103225756A (zh) * 2013-04-22 2013-07-31 贵州光浦森光电有限公司 一种液态散热方式的中型led灯泡
JPWO2014203839A1 (ja) * 2013-06-18 2017-02-23 シャープ株式会社 光源装置および発光装置
US10026875B2 (en) 2013-06-18 2018-07-17 Sharp Kabushiki Kaisha Light-source device and light-emitting device
JP2017118130A (ja) * 2013-06-18 2017-06-29 シャープ株式会社 光源装置および発光装置
JP2016219519A (ja) * 2015-05-18 2016-12-22 サンケン電気株式会社 発光装置
US10256374B2 (en) 2016-03-04 2019-04-09 Nichia Corporation Light emitting device
US11063188B2 (en) 2016-03-04 2021-07-13 Nichia Corporation Light emitting device
JP2017168795A (ja) * 2016-03-04 2017-09-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2019518331A (ja) * 2016-05-18 2019-06-27 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH オプトエレクトロニクスデバイスを製造する方法およびオプトエレクトロニクスデバイス
CN109155326B (zh) * 2016-05-18 2023-09-01 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造光电子组件的方法和光电子组件
CN109155326A (zh) * 2016-05-18 2019-01-04 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造光电子组件的方法和光电子组件
US10840417B2 (en) 2016-05-18 2020-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for manufacturing an optoelectronic component and optoelectronic component
US10141484B2 (en) 2016-05-26 2018-11-27 Nichia Corporation Light emitting device
EP3893286A1 (en) 2016-05-26 2021-10-13 Nichia Corporation Light emitting device
EP3249703A1 (en) 2016-05-26 2017-11-29 Nichia Corporation Light emitting device
KR20170134241A (ko) 2016-05-26 2017-12-06 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치
US11011684B2 (en) 2016-05-26 2021-05-18 Nichia Corporation Light emitting device
US10559725B2 (en) 2016-05-26 2020-02-11 Nichia Corporation Light emitting device
JP2016187035A (ja) * 2016-06-01 2016-10-27 パナソニックIpマネジメント株式会社 光源装置
CN107013882A (zh) * 2017-03-06 2017-08-04 华南农业大学 一种转光复合透光罩及其应用的植物灯
US10505081B2 (en) 2017-07-04 2019-12-10 Nichia Corporation Light emitting device
JP2020532874A (ja) * 2017-09-06 2020-11-12 ジーエルビーテック カンパニー リミテッド D50/d65高演色性標準led発光モジュールおよび照明装置
KR20190028252A (ko) * 2017-09-08 2019-03-18 오충봉 고효율, 고시인성을 갖는 led 면조명 교통신호등
KR102130164B1 (ko) * 2017-09-08 2020-07-06 심만식 고효율, 고시인성을 갖는 led 면조명 교통신호등
US10493175B2 (en) 2017-09-28 2019-12-03 Nichia Corporation Method for manufacturing light-emitting device
US10806809B2 (en) 2017-09-28 2020-10-20 Nichia Corporation Light-emitting device
JP2018041969A (ja) * 2017-10-10 2018-03-15 パナソニックIpマネジメント株式会社 光源装置
KR20190062326A (ko) 2017-10-30 2019-06-05 산켄덴키 가부시키가이샤 발광장치 및 조명장치
JPWO2019087232A1 (ja) * 2017-10-30 2019-11-14 サンケン電気株式会社 発光装置及び照明装置
WO2019087232A1 (ja) 2017-10-30 2019-05-09 サンケン電気株式会社 発光装置及び照明装置
US11244929B2 (en) 2017-10-30 2022-02-08 Sanken Electric Co., Ltd. Light emitting device and lighting device
KR102146430B1 (ko) * 2017-10-30 2020-08-20 산켄덴키 가부시키가이샤 발광장치 및 조명장치
US10910526B2 (en) 2017-12-26 2021-02-02 Nichia Corporation Light emitting device
US11757070B2 (en) 2017-12-26 2023-09-12 Nichia Corporation Light emitting device with Ce-activated aluminate fluorescent material
US10770628B2 (en) 2018-05-31 2020-09-08 Nichia Corporation Light emitting device
US11502226B2 (en) 2018-05-31 2022-11-15 Nichia Corporation Light emitting device
EP3576168A2 (en) 2018-05-31 2019-12-04 Nichia Corporation Light emitting device
US11990571B2 (en) 2018-05-31 2024-05-21 Nichia Corporation Light emitting device
US11948531B2 (en) 2021-06-21 2024-04-02 Industrial Technology Research Institute Light source device and display device alternately emitting light beams
TWI796057B (zh) * 2021-06-21 2023-03-11 財團法人工業技術研究院 光源裝置與顯示裝置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4989936B2 (ja) 2012-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4989936B2 (ja) 照明装置
EP2834842B1 (en) White light emitting module
JP5105132B1 (ja) 半導体発光装置、半導体発光システムおよび照明器具
JP5181505B2 (ja) 発光装置
JP6275829B2 (ja) 発光装置
JP2009524247A5 (ja)
JP2008218485A (ja) 発光装置
EP2334147B1 (en) Illumination device
JP2008218486A (ja) 発光装置
JP2005020010A (ja) 白色発光デバイス
JP6501803B2 (ja) 光源装置および発光装置
JP2010129583A (ja) 照明装置
JP2010267571A (ja) 照明装置
WO2016159141A1 (ja) 発光装置
JP2008218998A (ja) 発光装置
US8039849B2 (en) LED module
JP2009260319A (ja) 照明装置
JP2018129492A (ja) 発光装置、及び、照明装置
JP2013012778A (ja) 照明器具
JP2008244468A (ja) 発光装置
JP2008235552A (ja) 発光装置の製造方法および発光装置
JP6712768B2 (ja) 発光装置及び照明装置
JP6354607B2 (ja) 発光装置
JP2008244469A (ja) 発光装置
JP2013207241A (ja) 半導体発光装置、半導体発光システムおよび照明器具

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090602

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100412

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20101118

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110216

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110414

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110824

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111122

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20111130

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120404

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120501

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4989936

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150511

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees