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JP2007507083A - 発光半導体素子 - Google Patents

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Abstract

n型ドーピングされる閉じ込め層(14)と、p型ドーピングされる閉じ込め層(22)と、これらのn型ドーピングされる閉じ込め層(14)とp型ドーピングされる閉じ込め層(22)との間に配置され光子を放出する活性層(18)とを含む層構造を備えた発光半導体素子において、本発明によれば、高い活性ドーピングとシャープなドーピングプロファイルを形成するため、n型ドーピングされる閉じ込め層(14)は第1のn型ドーパント(または互いに異なる2つのn型ドーパント)によりドーピングされ、活性層(18)の層品質を改善させるため活性層(18)は第1のドーパントとは異なる第2のドーパントによりドーピングされる。

Description

本発明は、n型ドーピングされる閉じ込め層と、p型ドーピングされる閉じ込め層と、これらn型ドーピングされる閉じ込め層とp型ドーピングされる閉じ込め層との間に配置され光子を放出する活性層とを含む層構造体を備えた半導体素子に関する。
上述の閉じ込め層はここでは、光子を生成する層構造の活性領域に電荷キャリアを局限することのできる材料層または材料層列として設けられている。
ここで用語「閉じ込め層」とは本明細書では、閉じ込め層の機能を含む単独の材料層のことも材料層列のことも指す。同様に用語「光子を放出する層」とは、動作中に光子を放出することのできる単独の材料層のことも材料層列のことも指す。
本出願は、ドイツ連邦共和国特許出願第103 29 079.6号(優先日2003年6月27日)の優先権を主張するものであり、その開示内容は本出願に含まれるものとする。
AlInGapあるいは他の材料系をベースとするレーザダイオードおよび発光ダイオードの場合、リーク電流に起因する電荷キャリア損失を最低限に抑える目的で、閉じ込め層においてn型ドーピングができるかぎり高い濃度となるよう目指している。これと同時に、レーザモードの吸収が大きくなるのを避ける目的で、レーザダイオードの導波体周縁部におけるドーピングをシャープにないしは急峻に降下させるのが望ましい。ただしこれらの条件を満たそうとすると、(場合によってはn型ドーパントでドーピングされる)活性層の電気的、光学的および/または電気光学的な品質が不十分であることが多い。これに対し、活性層の電気的もしくは光学的な品質を向上させる他のドーパントを使用すると、たとえば製造される構成素子の効率が劣化するといったような他の欠点が引き起こされる。
本発明の課題は、冒頭で述べた形式の発光半導体素子において、活性層の電気的および/または光学的な品質を向上させること、および/または高い効率が得られるようにすることにある。
この課題は、請求項1記載の特徴を備えた発光半導体素子により解決される。
従属請求項2〜13には本発明の有利な実施形態が示されている。
本発明による発光半導体素子によれば、n型ドーピングされる閉じ込め層は、たとえば高い活性のドーピングおよびシャープないしは急峻な明確なドーピングプロファイルを形成するために第1のn型ドーパントによってドーピングされており、活性層はたとえばその層品質を改善させるために第1のドーパントとは異なる第2のn型ドーパントによってドーピングされている。
したがって本発明の基礎とする着想によれば、2つの異なるn型ドーパントが用いられ、これらは層構造のそれぞれ異なる個所に組み込まれるため、両方のドーパントのそれぞれ異なる特性を所期のように局所的に利用できるようになる。
その際、第1のn型ドーパントは、閉じ込め層においてできるかぎり高い活性のドーピングが得られるように、また、シャープなドーピングプロファイルないしははっきりとしたドーピングプロファイルを実現できるように選定される。これに対し活性層は第2のn型ドーパントによりドーピングされ、これは活性層の電気的および/または光学的な品質を改善するのに適している。ここで改善としてたとえば秩序作用の抑圧を考慮することができ、これについてはたとえば K. L. Chang 等による J. Appl. Phys. 92, 6582 (2002) によって知られている。
本発明の1つの有利な実施形態によれば、n型ドーピングされる閉じ込め層は、第1のn型ドーパントによってもドーピングされているし、別のドーパントたとえば第2のn型ドーパントによってもドーピングされている。これにより、2つの活性ドーパント濃度双方の合計まで活性ドーピングを高めることができる。これと同時に、達成可能な高いドーピングないしは高濃度のドーピングとシャープなドーピングプロファイルないしははっきりとしたドーピングプロファイルという利点はそのまま維持される。
本発明の1つの有利な実施形態によれば、半導体素子は発光ダイオードを成している。 この場合、発光ダイオードの活性層を均質な層として形成することもできるし、量子井戸構造または多重量子井戸構造により形成することもできる。
本発明の別の有利な実施形態によれば、半導体素子はエッジ発光形のレーザダイオードを成しており、この場合、活性層とn型ドーピングされる閉じ込め層との間に第1の導波体層が配置されており、活性層とp型ドーピングされる閉じ込め層との間に第2の導波体層が配置されている。
レーザダイオードの第1の導波体層をドーピングしない状態にしておくこともできるし、あるいは活性層のように第2のn型ドーパントによりドーピングしておくこともできる。ただし導波体層を2つのn型ドーパントによってドーピングすることもできるし、あるいは第1のn型ドーパントによってのみドーピングすることもできる。有利には、第2の導波体層はドーピングされていない。
第1のn型ドーパントとしてシリコンを用いると有利である。その理由は、シリコンを用いることによって高いn型ドーピングないしは高濃度のn型ドーピングも得られるし、シャープにないしは急峻に降下するドーパントプロファイルも得られるからである。第2のドーパントとしてテルルを用いるのが有利である。驚くべきことにテルルは、活性層における望ましくない秩序作用を抑圧する特性を有しており、ないしは全般的にいえば活性層の光学的および電気的な品質を向上させる特性を有していることが判明した。別の側面において、テルルはエピタキシャル成長中に非常に強く拡散するので、閉じ込め層に対するただ1つのドーパントとしても活性層に対するただ1つのドーパントとしてもテルルを利用すると、比較的効率の低い素子が形成されることになる。
レーザダイオードまたは発光ダイオードにおけるp型ドーピングされる閉じ込め層は、有利にはマグネシウムまたは亜鉛によってドーピングされる。あるいはこの層はマグネシウムまたは炭素あるいは亜鉛によってドーピングされる。
AlInGaPをベースに層構造が形成されている発光半導体素子において、格別な利点を伴いながら本発明を適用することができる。
また、秩序作用が発生する可能性があったり、ドーパントが活性層の電気的および/または光学的な品質に影響を及ぼす可能性があったりする他の材料系たとえばAlGaAs、InGaAlAsまたはInGaAsPのような材料系にも、本発明を利用すると有利である。
AlInGaPをベースとするこの種の層構造の群として第1に挙げられるのは、冒頭で述べた形式の発光半導体素子に適したIII/IV族化合物半導体であり、これはそれぞれ異なる個別層から成る層列を有しており、これにはAlInGa1−x−yPただし0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1である材料系から成るIII/V族化合物半導体材料を有する少なくとも1つの個別層が含まれている。
この種のIII/V族の化合物半導体構造がたとえば慣用のpn接合、ダブルヘテロ構造、単一量子井戸構造(SQW構造)あるいは多重量子井戸構造(MQW構造)をもつように構成できる。この種の構造は当業者に周知であり、したがってここではこれ以上詳しくは説明しない。
同様のことは、AlGaAs、InGaAlAsまたはInGaAsPをベースとする層構造についてもあてはまる。
ドーパントの注入にあたり場合によっては、成長温度に依存するドーパントの種々の組み込み特性を利用することができる。たとえば成長温度の上昇につれてシリコンの組み込みが高まるのに対し、テルルの組み込みは低下する。したがって素子構造における種々のドーパントの濃度を、まえもって設定された温度プロファイルによって調整することができる。
本発明のその他の有利な実施形態、特徴ならびに詳細な点は、図面を参照した以下の実施例の説明に示されている。
図1には、本発明の1つの実施例によるレーザダイオードの断面図が略示されており、図2には、本発明の別の実施例による発光ダイオードの断面図が略示されている。なお、層構造および層厚の関係は図面では縮尺どおりには描かれていない。
第1実施例:
図1に略示されている本発明の第1実施例の断面図は、AlInGapベースのエッジ発光形レーザダイオードの層構造である。
図1の概略図には、本発明を理解するのに重要な層のみが描かれている。したがって緩衝層、中間層、接触層、ランプなどさらに別の層を設けることができるのは自明である。
レーザダイオード層構造10の場合、シリコンドーピングされたGaAs基板12上にAlInGaPベースの層列が成長させられている。
AlInGaPベースのこの層列には以下の層が含まれている:
−GaAs基板12上に設けられn型ドーピングされたIn0.5(AlGa1−x0.5Pの閉じ込め層14、この層は有利にはシリコンでn型ドーピングされている。
−GaAs基板12から見てn型ドーピングされた閉じ込め層14のあとに配置されたIn0.5(AlGa1−x0.5Pの第1の導波体層16、この層はドーピングされていない。
−GaAs基板12から見てドーピングされていないIn0.5(AlGa1−x0.5Pの導波体層16のあとに配置されテルルでドーピングされたInGa1−zPの活性層18。
−GaAs基板12から見てテルルでドーピングされたInGa1−zP層18のあとに配置されたIn0.5(AlGa1−y0.5Pの第2の導波体層20、この層はドーピングされていない。
−GaAs基板12から見て第2のIn0.5(AlGa1−y0.5Pの導波体層20のあとに配置されp型にドーピングされているIn0.5(AlGa1−x0.5Pの第2の閉じ込め層22、この層は有利にはマグネシウムおよび/または亜鉛でp型ドーピングされている。
ここで添え字の変数x,y,zについて、0≦x≦1,0≦y≦1および0≦z≦1が適用される。
n型ドーピングされているIn0.5(AlGa1−x0.5Pの第1の閉じ込め層14として、この第1実施例ではシリコンが用いられる。これによりn型ドーピングされたIn0.5(AlGa1−x0.5Pの閉じ込め層14において、有利には高濃度のn型ドーピングが実現され、しかも鋭くシャープに急峻な降下を伴うドーピングプロファイルが達成される。
InGa1−zPの活性層18のための第2のドーパントとしてテルルが用いられ、これは有利には高い電気的および光学的な品質をもつ活性層を形成する役割を果たす。殊にテルルのドーピングによって、活性層の結晶構造における望ましくない秩序作用が抑圧される。
第2実施例:
やはりAlInGapをベースとするエッジ発光形レーザダイオード層構造である本発明の第2実施例(図1も参照)によれば、上述の第1実施例とは異なり、In0.5(AlxGa1−x0.5Pの第1の導波体層16もテルルでドーピングされている。これによって層列は以下の通りとなる。すなわちシリコンドーピングされたGaAs基板12の上に、シリコンでn型ドーピングされたIn0.5(AlGa1−x)Pの閉じ込め層14、テルルでn型ドーピングされた第1のIn0.5(AlGa1−x0.5Pの第1の導波体層16、テルルでn型ドーピングされたInGa1−zPの活性層18、ドーピングされていないIn0.5(AlGa1−y0.5Pの第2の導波体層20、マグネシウムまたは亜鉛でp型ドーピングされたIn0.5(AlGa1−x0.5Pの閉じ込め層22が成長させられている。オプションとして、第1のIn0.5(AlGa1−x0.5Pの第1の導波体層16を付加的にシリコンでドーピングしておくこともできる。
導波体層のドーピングによって、有利には電荷キャリア損失がいっそう低減され、もしくは素子の効率がいっそう高められる。
第3実施例:
やはりAlInGaPをベースとするエッジ発光形レーザダイオード層構造である本発明の第3実施例(図1も参照)によれば、n型ドーピングされたIn0.5(AlGa1−x0.5P閉じ込め層14は第1実施例と異なり、1つのn型ドーパントだけではなく2つのn型ドーパントでドーピングされており、つまり適用されている第1のn型ドーパントによっても第2のn型ドーパントによってもドーピングされている。その目的は、活性のドーパント濃度全体を理想的には両方のドーパント濃度の合計まで高めるのが有利だからである。
第1のIn0.5(AlGa1−x0.5Pの導波体層16をドーピングしないでおくこともできるし、またはテルルでドーピングすることもできるし、あるいはシリコンとテルルでドーピングすることもできる。
したがって全体としてこの実施例の場合、シリコンドーピングされたGaAs基板12の上に、以下の層を有する層列が成長させられる:
−シリコンとテルルでn型ドーピングされたIn0.5(AlGa1−x0.5Pの閉じ込め層14
−ドーピングされていないかまたはテルルでn型ドーピングされたIn0.5(AlGa1−x0.5Pの第1の導波体層16
−テルルでn型ドーピングされたInGa1−zPの活性層18
−ドーピングされていないIn0.5(AlGa1−y0.5Pの第2の導波体層20
−マグネシウムまたは亜鉛でp型ドーピングされたIn0.5(AlGa1−x0.5Pの閉じ込め層22
つまり第3実施例では、第1のn型ドーパントとしてシリコンが用いられ、第2のn型ドーパントとしてテルルが用いられる。その結果、やはり上述の利点が得られる。
第4実施例:
図2に示した断面図に描かれている本発明の第4実施例は、AlInGaPベースの発光ダイオード層構造30であり、この層構造はシリコンでドーピングされたGaAs基板32上に成長されている。
AlInGaPベースのこの層列30には以下の層が含まれている:
−GaAs基板12上に設けられn型ドーピングされたIn0.5(AlGa1−x0.5Pの閉じ込め層34、この層は有利にはシリコンでn型ドーピングされている。
−GaAs基板12から見てn型ドーピングされたIn0.5(AlGa1−x0.5Pの閉じこめ層34のあとに配置されn型ドーピングされているIn0.5(AlGa1−y0.5Pの活性層36、この層は有利にはテルルでn型ドーピングされている。
−GaAs基板12から見てn型ドーピングされたIn0.5(AlGa1−y0.5Pの導波体層36のあとに配置されp型ドーピングされているIn0.5(AlGa1−x0.5Pの第2の閉じ込め層38、この層は有利にはマグネシウムおよび/または亜鉛でp型ドーピングされている。
この場合、活性層を均質な層として形成することもできるし、量子井戸構造または多重量子井戸構造として形成することもできる。
つまりこれまで述べてきた実施例によれば相応の有利な作用を伴いながら、発光ダイオードの場合にはn型の閉じ込め層34に対する第1のn型ドーパントとしてシリコンが用いられ、活性層36に対する第2のドーパントとしてテルルが用いられる。
なお、自明のとおり、これまで述べてきた説明、図面ならびに特許請求の範囲に開示されている本発明の特徴は、本発明の実現にあたり個別であっても任意の組み合わせであっても、本発明の本質を成すことができる。
また、本発明を実施例に基づき例示的に説明してきたけれども、そのことによって本発明が実施例に限定されるものではない。むしろ本発明は個々の新規の特徴ならびにそれらの特徴のいかなる組み合わせも含むものであって、該当する特徴または該当する組み合わせそのものが特許請求の範囲あるいは実施例に明示的に記載されていないにしても、種々の請求項あるいは種々の実施例の個々の特徴相互間のどのような組み合わせであっても本発明に含まれる。
本発明の1つの実施例によるレーザダイオードの断面図 本発明の別の実施例による発光ダイオードの断面図

Claims (15)

  1. n型ドーピングされる閉じ込め層(14;34)と、p型ドーピングされる閉じ込め層(22;38)と、前記n型ドーピングされる閉じ込め層(14;34)と前記p型ドーピングされる閉じ込め層(22;38)との間に配置され光子を放出する活性層(18;36)を含む層構造を備えた発光半導体素子において、
    前記n型ドーピングされる閉じ込め層(14;34)は第1のn型ドーパントによりドーピングされ、高い活性ドーピングおよび/またはシャープなドーピングプロファイルが形成され、
    前記活性層(18;36)は、前記第1のn型ドーパントとは異なる第2のn型ドーパントによりドーピングされ、該活性層の層品質が改善されることを特徴とする、
    発光半導体素子。
  2. 請求項1記載の発光半導体素子において、
    前記第1のn型ドーパントは、高い活性ドーピングおよび/またはシャープなドーピングプロファイルを形成するために用いられることを特徴とする発光半導体素子。
  3. 請求項1または2記載の発光半導体素子において、
    前記第2のn型ドーパントは、前記活性層(18;36)の層品質を改善するために用いられることを特徴とする発光半導体素子。
  4. 請求項1から3のいずれか1項記載の発光半導体素子において、
    n型ドーピングされる前記閉じ込め層(14;34)は、前記第1のn型ドーパントによってもドーピングされているし、別のドーパントたとえば第2のn型ドーパントによってもドーピングされていることを特徴とする発光半導体素子。
  5. 請求項1から4のいずれか1項記載の発光半導体素子において、
    発光ダイオード(30)を成していることを特徴とする発光半導体素子。
  6. 請求項5記載の発光半導体素子において、
    発光ダイオードの活性層(36)は均質な層により形成されていることを特徴とする発光半導体素子。
  7. 請求項5記載の発光半導体素子において、
    発光ダイオードの活性層(36)は量子井戸または多重量子井戸により形成されていることを特徴とする発光半導体素子。
  8. 請求項1から4のいずれか1項記載の発光半導体素子において、
    レーザダイオード(10)を成しており、
    前記活性層(18)とn型ドーピングされる前記閉じ込め層(14)との間に第1の導波体層(16)が配置されており、
    前記活性層(18)とp型ドーピングされる前記閉じ込め層(22)との間に第2の導波体層(20)が配置されていることを特徴とする発光半導体素子。
  9. 請求項8記載の発光半導体素子において、
    前記第1の導波体層(16)はドーピングされていないことを特徴とする発光半導体素子。
  10. 請求項8記載の発光半導体素子において、
    前記第1の導波体層(16)は前記第2のn型ドーパントによりドーピングされていることを特徴とする発光半導体素子。
  11. 請求項8から10のいずれか1項記載の発光半導体素子において、
    前記第2の導波体層(20)はドーピングされていないことを特徴とする発光半導体素子。
  12. 請求項1から11のいずれか1項記載の発光半導体素子において、
    前記第1のn型ドーパントとしてシリコンが用いられることを特徴とする発光半導体素子。
  13. 請求項1から12のいずれか1項記載の発光半導体素子において、
    前記第2のn型ドーパントとしてテルルが用いられることを特徴とする発光半導体素子。
  14. 請求項1から13のいずれか1項記載の発光半導体素子において、
    p型ドーピングされる前記閉じ込め層(22;38)はマグネシウム、炭素または亜鉛によってドーピングされていることを特徴とする発光半導体素子。
  15. 請求項1から14のいずれか1項記載の発光半導体素子において、
    前記層構造(14〜22;34〜38)はAlInGap,AlGaAs,InGaAlAsまたはInGaAsPをベースとして形成されていることを特徴とする発光半導体素子。
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