JP2002333639A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 断線による接続不良を招来することなく、狭
額縁化および実装形態のコンパクト化を図ることができ
る液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 液晶表示装置は、ガラス基板１と対向基
板２との間に液晶層４を有し、ガラス基板１上にはＴＦ
Ｔ１１およびＴＦＴ１１を制御する走査線５が配されて
いる。対向基板２上には、液晶層４に電圧を印加する対
向電極１７に接続された階調信号線１５が走査線５と対
向して配されている。上記両基板１・２間における表示
領域２９の外側領域には液晶層４を構成する液晶を封入
するためのシール部３が設けられている。シール部３は
導電性粒子２０を有し、導電性粒子２０を介して階調信
号線１５に接続された上層コンタクトパッド１６とガラ
ス基板１上の下層コンタクトパッド１２とは導通接続さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＭＩＭ(metal ins
ulator metal) やＴＦＴ(thin film transistor)等のス
イッチング素子を用いたアクティブマトリクス型の液晶
表示装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話用ディスプレイとして、
携帯性に優れ、消費電力の小さい液晶ディスプレイがよ
く用いられている。このような液晶ディスプレイとして
は、特に、パッシブ駆動であり、構造が単純で安価であ
るＳＴＮ−ＬＣＤ(super twisted nematic-liquid crys
tal display)が広く用いられている。

【０００３】ＳＴＮ−ＬＣＤは、図１７に示すように、
図示しない液晶層を介して、ガラス等からなるガラス基
板１０１と対向基板１０２とが対向するように配されて
いる。また、ガラス基板１０１と対向基板１０２との間
における表示領域の外側領域には、シール材からなり、
液晶層を構成する液晶を封入するためのシール部が配さ
れている。

【０００４】ガラス基板１０１は、液晶層に電圧を印加
するための画素電極を兼ねた複数のコモン線１０３…を
備えている。コモン線１０３は、ＣＯＭ電極により、基
準信号ドライバとガラス基板１０１上において接続され
ている。対向基板１０２は、画素電極を兼ねたセグメン
ト線１０４…を備えている。セグメント線１０４は、Ｓ
ＥＧ電極により、階調信号ドライバと対向基板１０２上
において接続されている。また、コモン線１０３とセグ
メント線１０４とは互いに直交しており、共にＩＴＯ等
の透明導電性膜により形成されている。

【０００５】また、カラーＳＴＮ−ＬＣＤでは、上記コ
モン線１０３は、カラーフィルターおよびカラーフィル
ターを保護するオーバーコート上に形成される。このオ
ーバーコートは傷が付きやすく、また、コモン線１０３
とセグメント線１０４とが別の基板上に形成されている
ため、オーバーコート上に形成されコモン線１０３とな
る透明導電性膜は、製造工程上でオーバーコートについ
たかすかな傷によっても断線する虞れがある。さらに、
オーバーコートとＩＴＯ等の透明導電性膜との密着性
は、例えば、ガラスと透明導電性膜との密着性と比較す
ると極端に悪く、基準信号ドライバや階調信号ドライバ
等の実装工程においてリワークはほとんどできない。

【０００６】一方、携帯電話用ディスプレイとして用い
られる中小型パネルでは、一般に、コモン線１０３の入
力端子は対向基板１０２上に形成されている。その入力
端子とコモン線１０３とは、シール部内に分散して配さ
れている導電性粒子を介した転移技術により電気的に接
続されている。以下、この接続部分を転移部と称する。
これにより、コモン線１０３とセグメント線１０４とが
同一基板（対向基板１０２）上に存在することとなる。

【０００７】このように、シール部内に配されている導
電性粒子を介して、コモン線１０３が、対向基板１０２
上に形成されたＩＴＯ等からなる透明導電膜に電気的に
転移していることにより、コモン線１０３の断線を防止
することができ、また、基準信号ドライバや階調信号ド
ライバ等の実装工程におけるリワークができる。さら
に、コモン線１０３の入力端子が対向基板１０２上に形
成されていることにより、コモン線１０３とセグメント
線１０４とが同一基板（対向基板１０２）上に存在する
こととなる。これにより、セグメント・コモン一体形成
のドライバを用いることができ、ドライバの実装形態を
よりコンパクトにすることができる。

【０００８】しかしながら、上記ＳＴＮ−ＬＣＤでは、
隣接転移部間の接続抵抗のばらつきが、表示むらとなっ
て視認される。このため、導電性粒子の分散量の平均値
（平均分散量）をＤ、分散をσとしたとき、導電性粒子
の分散密度がＤ−５σ程度に少ない場合でも、転移部の
面積をできるだけ大きくとり、かつ、転移部における導
電性粒子の個数を増やすことにより、接続抵抗のばらつ
きが表示むらとして視認されないようにしなければなら
ない。

【０００９】ここで、以下に導電性粒子の分散量のばら
つきについて説明する。

【００１０】導電性粒子を分散すると、図１８に示すよ
うに、その分散量は、平均分散量Ｄを中心とした正規分
布で近似できる分布となる。導電性粒子の分散量が平均
分散量Ｄより多い場合は、転移部における接続を安定し
て確保することができるが、導電性粒子の分散量が平均
分散量Ｄより少ない場合は、導電性粒子の分散量のばら
つきにより転移部の接続、即ち、転移部の抵抗にばらつ
きが生じる。分散された導電性粒子の分散量の平均分散
量Ｄからの乖離と存在確率を表１に示す。

【００１１】

【表１】

【００１２】転移部の抵抗のばらつきによる表示むらが
視認されない最低粒子密度をＤ₀ とする。Ｄ₀ ＝Ｄ−３
σの場合、表１によると、０．１５％の割合でコンタク
ト不良が生じることがわかる。即ち、転移部が１パネル
あたり１６０箇所あるとすると、４．２パネルに１パネ
ルはコンタクト不良が生じることとなる。同様に、Ｄ ₀
＝Ｄ−５σの場合は、表１によると、５．７３ｅ^-5％の
割合でコンタクト不良が生じることがわかる。このと
き、転移部が１パネルあたり１６０箇所あるとすると、
１０９０８パネルに１パネルはコンタクト不良が生じ
る。分散σはシール材を撹拌する際に自動攪拌装置を用
いることにより、ある程度制御することができるが、平
均分散量Ｄが決まれば自動的に分散σが決定することに
より、導電性粒子の分散においては、平均分散量Ｄの決
定が重要となる。

【００１３】ＳＴＮ−ＬＣＤは、高精細化（２５６→４
０９６色）、他階調表示化（６５０００色）に伴って、
隣接転移部間の接続抵抗のばらつきの許容範囲は小さく
なる。また、高精細化と狭額縁化（非表示領域面積の縮
小化）に伴う狭シール部線幅化に伴って、転移部面積は
どんどん小さくなる。従って、次世代携帯電話に求めら
れる高精細化、他階調表示化、狭額縁化に対してＳＴＮ
−ＬＣＤにおける、シール部内に分散された導電性粒子
を介しての電気的転移という技術の適用は非常に困難と
なる。

【００１４】一方、上記ＳＴＮ−ＬＣＤと同様に構造が
単純な液晶表示装置（ＬＣＤ）としては、ＭＩＭや対向
ソース構造のＴＦＴ等のスイッチング素子を用いたアク
ティブ駆動の液晶表示装置が提案されている。これらの
液晶表示装置は、上記ＳＴＮ−ＬＣＤと比較すると、次
世代携帯電話に求められる高精細化、他階調表示化、狭
額縁化により適している。

【００１５】図１９に、従来のアクティブマトリクス型
液晶表示装置における一構成例の等価回路図を示す。該
液晶表示装置では、アクティブマトリクス基板となる透
明基板上に、画素電極１１１がマトリクス状に形成され
ている。また、該透明基板上には、各画素電極１１１毎
にスイッチング素子であるＴＦＴ１１２が設けられてい
る。各ＴＦＴ１１２において、そのドレイン電極に画素
電極１１１が接続され、ゲート電極は、表示画面におけ
る水平方向（行方向）に並ぶＴＦＴ１１２間で同じ走査
線１１３に接続され、垂直方向（列方向）に並ぶＴＦＴ
１１２間で同じデータ線１１４に接続されている。即
ち、各行毎に設けられた走査線１１３と、各列毎に設け
られたデータ線１１４とは、画素電極１１１の周囲にお
いて互いに直交するように配置されている。

【００１６】該構成においては、走査線１１３を介して
ゲート信号が入力されることにより、走査線１１３に接
続された各ＴＦＴ１１２のＯＮ／ＯＦＦが制御され、Ｔ
ＦＴ１１２のＯＮ時、データ線１１４を介してデータ信
号（表示信号）が画素電極１１１へと入力される。

【００１７】また、各ＴＦＴ１１２のドレイン電極に
は、画素電極１１１と共に蓄積容量１１５を構成する一
方側の電極が個々に接続されている。各蓄積容量１１５
の絶縁層を介して対向する側の電極は、基準信号線１１
６に接続されており、蓄積容量１１５は液晶層に印加さ
れる電圧を保持する役割を有している。

【００１８】このようなアクティブマトリクス型液晶表
示装置では、アクティブマトリクス基板とアクティブマ
トリクス基板と対向するように配されている対向基板と
の間に、液晶層が挟持される。

【００１９】ところが、図１９に示す構造のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置では、同一基板上に走査線１
１３とデータ線１１４とが交差して配設されているた
め、その交差部において断線による接続不良が生じ易
く、その結果、歩留まりが低下し、コスト高となるとい
った問題点がある。

【００２０】そこで、このような問題を解決するものと
して、データ線を対向基板側に配設した構造（以下、対
向マトリクス構造と称する）が従来より提案されてい
る。図２０、図２１に、対向マトリクス構造のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置の一構成例を示す。

【００２１】該液晶表示装置では、ガラス基板１２０上
に、画素電極１２４がマトリクス状に設けられると共
に、各画素電極１２４毎にＴＦＴ１２１が形成されてい
る。各ＴＦＴ１２１のドレイン電極（或いはソース電
極）は画素電極１２４に接続され、ゲート電極は表示画
面の水平方向（行方向）に並ぶＴＦＴ１２１間で同じ走
査線１２２に接続されている。ここまでは図１９の液晶
表示装置と同様である。

【００２２】これに対し、各ＴＦＴ１２１におけるソー
ス電極（或いはドレイン電極）は、図１９の液晶表示装
置のようにデータ信号が供給されるデータ線１１４に接
続されているのではなく、表示画面の水平方向（行方
向）に並ぶＴＦＴ１２１間で同じ基準信号線１２３に接
続されている。そして、ガラス基板１２０と液晶層を介
して対向配置される対向基板１２５上に、階調信号線１
２６がガラス基板１２０側の走査線１２２と直交するよ
うに配設されている。なお、この構造では、各階調信号
線１２６が各画素電極１２４と対向する部分で対向電極
を兼ねている。

【００２３】上記のような対向マトリクス構造のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置では、走査線１２２と階
調信号線１２６との交差部が同一基板上に存在しないた
め、上述したような断線による接続不良による歩留まり
や信頼性の低下の問題を解消できる。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２
０、図２１に示した構成によれば、走査線１２２と階調
信号線１２６とが別の基板上に形成されているため、Ｓ
ＴＮ−ＬＣＤと同様、カラーフィルター１３２を保護す
るオーバーコート１３１上（図２１（ｄ）参照）に形成
されるＩＴＯ等の透明導電性膜である階調信号線１２６
は、製造工程上でオーバーコート１３１についたかすか
な傷によっても断線する虞れがある。また、オーバーコ
ート１３１と階調信号線１２６との密着性は、例えば、
ガラス基板１２０と透明導電性膜からなる階調信号線１
２６との密着性と比較すると極端に悪く、液晶表示素子
の実装工程においてリワークはほとんどできない。

【００２５】そこで、オーバーコート１３１に感光性を
持たせて実装部分のオーバーコート１３１を選択的に取
り去ることにより、実装部分のＩＴＯ等の透明導電性膜
（階調信号線１２６）をガラス（ガラス基板１２０）上
に形成する。これにより、上記問題点は解決するが、オ
ーバーコート１３１に感光性を持たせることにより、オ
ーバーコート１３１の透過率が低下し、液晶パネルの透
過率あるいは反射率が低下する。また、オーバーコート
１３１を選択的に除去する工程が増える。さらに、オー
バーコート１３１が形成されている部分と形成されてい
ない部分とでは段差があり、この段差によりＩＴＯ等の
透明導電性膜が断線する虞れがある。

【００２６】図２１（ｂ）に示すように、対向基板１２
５上の階調信号線１２６は、対向電極１２８および入力
端子１２７が接続されている。また、ガラス基板１２０
上には、図２０に示した構成の他に、図２１（ｄ）に示
すように、ゲート絶縁膜１３５、図２１（ａ）に示すよ
うに、基準信号線１２３に接続された入力端子１３０お
よび走査線１２２に接続された入力端子１２９が形成さ
れている。また、液晶を封入するシール部１３４は、ス
ペーサ１３６を有する。スペーサ１３６の径により、セ
ル厚を保持している。

【００２７】また、走査線１２２と階調信号線１２６と
が別の基板上に形成されていることにより、入力端子１
２７と入力端子１２９とは別の基板上に形成されてい
る。従って、図２１（ｃ）に示すように、ＴＡＢ１３３
を実装すると液晶表示素子は大きくなり、また、ＣＯＧ
等のコンパクトな実装形態は不可能である。

【００２８】本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的は、断線による接続不良を招
来することなく、狭額縁化および実装形態のコンパクト
化を図ることができる液晶表示装置を提供することにあ
る。

【００２９】

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、上記の課題を解決するために、スイッチング素子が
配されているスイッチング素子側基板とこれに対向する
対向基板との間に液晶層を有し、上記両基板のうちの一
方の基板上には上記スイッチング素子を制御する第１信
号配線が配され、他方の基板上には上記液晶層に電圧を
印加する第２信号配線が上記第１信号配線と対向して配
されており、上記液晶層を構成する液晶を封入するため
のシール部が、上記両基板間における表示領域の外側領
域に設けられている液晶表示装置において、上記シール
部は導電性粒子を有し、上記両基板間には、導電性粒子
を介して上記第１信号配線または第２信号配線と、該第
１信号配線または第２信号配線に対向する基板とを導通
接続するための転移部が配されていることを特徴として
いる。

【００３０】上記の構成によれば、アクティブ駆動の液
晶表示装置において、転移部により、導電性粒子を介し
て第１信号配線または第２信号配線と、該第１信号配線
または第２信号配線に対向する基板とが導通接続する。
即ち、第１信号配線と該第１信号配線に対向する基板と
が導通接続、または、第２信号配線と該第２信号配線に
対向する基板とが導通接続する。一般に、アクティブ駆
動はパッシブ駆動と比較すると、隣り合う転移部の接続
抵抗のばらつきに対する許容範囲が広い。従って、必要
な導電性粒子の数が少なくてすむため、より安価な液晶
表示装置を提供することができる。

【００３１】上記の液晶表示装置は、上記両基板（スイ
ッチング素子側基板と対向基板）のうちの一方の基板上
に、第１信号配線の入力端子および第２信号配線の入力
端子が設けられていることが好ましい。

【００３２】上記の構成によれば、例えば、第１信号配
線の入力端子に接続する駆動用ＩＣと、第２信号配線の
入力端子に接続する駆動用ＩＣとを同一基板上に実装す
ることができる。従って、例えばＴＡＢの液晶パネルへ
の実装工程において液晶表示素子の反転作業を必要とし
ない。これにより、実装作業の効率が上がり、製造コス
トの削減を図ることができる。また、駆動用ＩＣをワン
チップ化することができる。これにより、実装形態のコ
ンパクト化を図ることができ、駆動用ＩＣにかかる部材
コストの削減および製造コストの削減を図ることができ
る。

【００３３】上記の液晶表示装置は、転移部が、上記両
基板のうちいずれか一方の基板であって、第１信号配線
の入力端子および第２信号配線の入力端子が設けられて
いる第１基板上に設けられ、該第１基板上に配されてい
る第１信号配線または第２信号配線と接続されている第
１コンタクトパッドと、上記両基板のうち他方の基板で
ある第２基板上に設けられ、該第２基板上に配されてい
る第１信号配線または第２信号配線と接続されている第
２コンタクトパッドと、第１コンタクトパッドおよび第
２コンタクトパッドに接続される導電性粒子とからなる
ことが好ましい。

【００３４】上記の構成によれば、導電性粒子、第１コ
ンタクトパッドおよび第２コンタクトパッドにより、第
１信号配線と該第１信号配線に対向する基板、または、
第２信号配線と該第２信号配線に対向する基板とを導通
接続することができる。これにより、同一基板上に、第
１信号配線の入力端子および第２信号配線の入力端子を
配することができ、例えばＴＡＢの液晶パネルへの実装
工程において液晶表示素子の反転作業を必要としない。
これにより、実装作業の効率が上がり、製造コストの削
減を図ることができる。

【００３５】上記の液晶表示装置は、第１コンタクトパ
ッドと第２コンタクトパッドとは、抵抗がほぼ同じであ
ることが好ましい。

【００３６】上記の構成によれば、シール部内に分散さ
れている導電性粒子の位置のばらつきによる第１コンタ
クトパッドと上記第２コンタクトパッドとの接続抵抗の
ばらつきを抑制することができる。従って、表示むらの
発生を抑制することができ、表示品位の良好な液晶表示
装置を提供することができる。

【００３７】上記の液晶表示装置は、第１信号配線と該
第１信号配線に信号を供給する第１信号発生回路との
間、または、第２信号配線と該第２信号配線に信号を供
給する第２信号発生回路との間に、転移部が配されてい
ることが好ましい。

【００３８】上記の構成によれば、第１信号配線や第２
信号配線の引き回し配線部を小さくすることができ、液
晶表示装置における額縁面積（非表示領域）を狭くする
ことができる。これにより、液晶表示装置の狭額縁化を
図ることができる。

【００３９】上記の液晶表示装置は、導電性粒子の平均
分散量をＤ個／ｍｍ² とし、上記両基板と平行方向にお
ける転移部の面積をＳｍｍ² とすると、１０００≧Ｄ＞
５／Ｓを満足することが好ましい。また、上記導電性粒
子の平均分散量は、６００≧Ｄ＞５／Ｓを満足すること
がより好ましく、また、４００≧Ｄ＞５／Ｓを満足する
ことがさらに好ましい。

【００４０】上記の構成によれば、シール部の密着力不
足、セル厚の均一性の低下および導電性粒子の凝集によ
る配線間リーク発生率の増加を防止することができ、高
温高湿条件下でも液晶表示装置の信頼性の低下を防止す
ることができる。従って、高歩留りで高精細、狭ピッチ
の液晶パネルを形成することができる。これにより、信
頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。

【００４１】上記の液晶表示装置は、第１基板が、スイ
ッチング素子が配されているスイッチング素子側基板で
あることが好ましい。

【００４２】上記の構成によれば、スイッチング素子側
基板に、第１信号配線の入力端子および第２信号配線の
入力端子が設けられている。これにより、製造工程の増
加を伴うことなく、例えば、スイッチング素子側基板の
材料であるガラスやスイッチング素子側基板上に形成さ
れた無機膜上に、第１信号配線の入力端子および第２信
号配線の入力端子を形成することができる。従って、第
１信号配線の入力端子および第２信号配線の入力端子の
密着性が良好であり、強度の向上を図ることができる。

【００４３】また、スイッチング素子を形成するスイッ
チング素子側基板は、低抵抗な金属配線を必ず有する。
一方、対向基板上には、例えば画素電極を兼ねたＩＴＯ
等からなる単層の透明導電膜のみにて配線を形成する。
一般に、ＩＴＯ等の透明導電膜は、透過率を重視するた
め、ＴａやＡｌ等からなる金属配線と比較すると、抵抗
が高く、配線の引き回しを行う際にも配線ピッチを広く
とらざるをえない。

【００４４】しかしながら、スイッチング素子側基板
に、第１信号配線の入力端子および第２信号配線の入力
端子が設けられていることにより、低抵抗な配線での引
き回しが可能となる。これにより、狭額縁化、実装形態
のコンパクト化を図ることができる。

【００４５】上記の液晶表示装置は、第１信号配線の入
力端子および第２信号配線の入力端子は、第２基板上に
配されている第１信号配線または第２信号配線よりも抵
抗が小さい導電性材料からなることが好ましい。

【００４６】上記の構成によれば、第１信号配線の入力
端子および第２信号配線の入力端子の線幅、即ち、配線
ピッチを狭くすることができ、狭ピッチのＣＯＧ構造と
することができる。また、液晶表示素子の額縁面積（非
表示領域）を狭くすることができ、狭額縁化、実装形態
のコンパクト化および実装領域の縮小化を図ることがで
きる。

【００４７】上記の液晶表示装置は、上記両基板のうち
少なくとも一方の基板上には、開口部を有する絶縁膜が
設けられ、該開口部内には、第１コンタクトパッドまた
は第２コンタクトパッドが配されていることが好まし
い。

【００４８】絶縁膜が形成されていない場合、導電性粒
子を用いて電気的に接続する必要のない領域において
は、配線間リークを避けるべく、導電性粒子の径より大
きな配線間ギャップ、即ち、隣り合う転移部間の距離を
確保する必要がある。

【００４９】しかしながら、上記の構成によれば、開口
部内に配された導電性粒子のみによって、第１コンタク
トパッドと第２コンタクトパッドとを接続することがで
きる。このように、導電性粒子を用いて電気的に接続す
る必要のない領域に絶縁膜を形成することにより、配線
間ギャップを導電性粒子の径以下とすることができる。
これにより、入力端子における引き回し配線部に要する
領域の面積を小さくすることができる。従って、導電性
粒子を介した配線間リークを発生させることなく、液晶
表示装置の狭額縁化を図ることができる。また、分散さ
れた導電性粒子が凝集しても、隣り合う転移部間におけ
る配線間リークの発生を抑制することができる。

【００５０】上記の液晶表示装置は、導電性粒子が弾性
を有することが好ましい。

【００５１】上記の構成によれば、対向する２枚の基板
を圧着・固定する際、弾性を有する導電性粒子は、両基
板の間である程度変形した状態となる。これにより、第
１コンタクトパッドと第２コンタクトパッドとの接続面
積を十分に確保することができ、良好な電気的導通を図
ることができる。従って、第１コンタクトパッドと第２
コンタクトパッドとの接続抵抗を低くすることができ、
第２信号配線への信号のなまりを抑制することができ
る。

【００５２】上記の液晶表示装置は、導電性粒子の形状
が球であり、その径は、上記シール部におけるセル厚よ
り大きいことが好ましい。

【００５３】上記の構成によれば、導電性粒子は、少し
変形した状態で第１コンタクトパッドと第２コンタクト
パッドとの電気的接続を可能にする。従って、対向する
２枚の基板間のセル厚にばらつきや変化があったとして
も、導電性粒子が変形することにより、電気的接続を保
持することができる。これにより、安定した電気的接続
が可能となり、セル厚のばらつきや変化に対してより安
定した状態を可能にすることができる。

【００５４】上記の液晶表示装置は、導電性粒子が、液
晶層とシール部との界面から５０μｍ以上離れた領域に
のみ配されていることが好ましい。

【００５５】一般に、ＳＴＮ−ＬＣＤと比較すると、ア
クティブマトリクス型の液晶表示装置に用いられる電圧
保持型の液晶表示素子は、液晶の電圧保持能力の経時劣
化が及ぼす画質劣化が大きい。このような液晶の電圧保
持能力の経時劣化は、シール部を構成するシール材から
の不純物の溶出やイオンの電離等が原因である。

【００５６】しかしながら、上記の構成によれば、導電
性粒子からの溶出成分、あるいは、イオンの電離の影響
による、液晶の電圧保持率低下およびシール部近傍での
表示むらを防止することができる。これにより、液晶表
示装置の画質の経時劣化を防止することができ、安定し
た信頼性を有する液晶表示装置を提供することができ
る。

【００５７】

【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕本発明の実施の
一形態について図１ないし図１２、図１７に基づいて説
明すれば、以下の通りである。

【００５８】液晶表示装置は、図１（ｅ）に示すよう
に、ガラスからなるガラス基板１（スイッチング素子側
基板、第１基板）と対向基板２（第２基板）とが、シー
ル部３を介して対向され、両基板１・２の間には液晶が
封入され、媒体層である液晶層４が形成されている。

【００５９】また、アクティブマトリクス基板であるガ
ラス基板１上には、走査線５（第１信号配線）とドレイ
ン電極６と基準電極７と窒化シリコン膜８とを備えた薄
膜トランジスタ（以下、ＴＦＴ：Thin Film Transistor
と称する）１１、画素電極９、基準信号線１０および下
層コンタクトパッド１２（第１コンタクトパッド）が配
されている。

【００６０】画素電極９はマトリクス状に配されてお
り、各画素電極９毎に、３端子のスイッチング素子であ
るＴＦＴ１１が配設されている。ＴＦＴ１１も画素電極
９に対応してマトリクス状に配置されている。

【００６１】各ＴＦＴ１１において、ゲート電極は表示
画面の水平方向（行方向）に並ぶＴＦＴ１１間で同じ走
査線５に接続されている。また、そのドレイン電極６に
画素電極９が接続され、ソース電極である基準電極７
に、表示画面の水平方向（行方向）に並ぶＴＦＴ１１間
で同じ基準信号線１０に接続されている。

【００６２】また、ゲート電極上には、図示しない真性
半導体層と活性半導体層とが形成されている。真性半導
体層はＴＦＴ１１のチャネル部であり、その上に形成さ
れているドレイン電極６と基準電極７とを結ぶ電流の通
路である。活性半導体層はドレイン電極６と基準電極７
とのコンタクトを図る。

【００６３】走査線５を覆うようにガラス基板１の略全
面に形成されている窒化シリコン膜８は、ゲート絶縁膜
である。窒化シリコン膜８は開口部８ａを有する。開口
部８ａ内には基準信号線１０の一部が露出しており、こ
れにより、基準信号線１０と基準電極７とは接続され
る。

【００６４】基準電極７、ドレイン電極６および画素電
極９は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜に
より形成されている。

【００６５】走査線５と基準信号線１０とは平行に配さ
れており、図１（ｃ）に示すように、走査線５の入力端
子５ａと基準信号線１０の入力端子１０ａとは駆動用Ｉ
Ｃ２２（第１信号発生回路）に接続されている。

【００６６】また、図１（ａ）に示すように、表示領域
２９の外側領域には、走査線５と平行方向に下層コンタ
クトパッド１２が配されている。下層コンタクトパッド
１２は、後述する上層コンタクトパッド１６と共に転移
部２４を構成し、駆動用ＩＣ２３（第２信号発生回路）
と接続する後述の階調信号線１５の入力端子１５ａに接
続されている（図１（ｃ）参照）。ここで、階調信号線
１５の入力端子１５ａは階調信号線１５の引き回し配線
も兼ねている。

【００６７】走査線５、入力端子５ａ、基準信号線１
０、入力端子１０ａ、下層コンタクトパッド１２および
入力端子１５ａはＴａからなり、同一の工程で形成され
る。

【００６８】なお、走査線５、入力端子５ａ、基準信号
線１０、入力端子１０ａ、下層コンタクトパッド１２お
よび入力端子１５ａの材料は、金属であればよく、Ａ
ｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｕ等であってもかまわない。

【００６９】一方、図１（ｅ）に示すように、対向基板
２上には、赤、青、緑の各色のカラーフィルターおよび
ブラックマトリクスを有するカラーフィルター層１８が
配されており、このカラーフィルター層１８を覆うよう
にオーバーコート膜１９が配されている。オーバーコー
ト膜１９上には、階調信号線１５（第２信号配線）、上
層コンタクトパッド１６（第２コンタクトパッド）およ
び対向電極１７が配されている。

【００７０】階調信号線１５はデータ信号が供給される
データ線であり、ガラス基板１上の走査線５と直交する
ように配設されている。該構造では、図１（ｂ）に示す
ように、各階調信号線１５が、各画素電極９と対向する
部分で対向電極１７を、下層コンタクトパッド１２と対
向する部分で上層コンタクトパッド１６を兼ねている。

【００７１】階調信号線１５は、ＩＴＯ等の透明導電膜
により形成されている。即ち、対向電極１７はＩＴＯ等
からなる透明電極である。対向電極１７は、画素電極９
と液晶層４を挟んで対向して配されており、画素電極９
と共に液晶を駆動する。また、上層コンタクトパッド１
６もＩＴＯ等の透明導電膜により形成されている。

【００７２】また、図１（ａ）に示すように、液晶層４
を構成する液晶を封入するためのシール部３が、ガラス
基板１と対向基板２との間における表示領域２９の外側
領域に設けられている。シール部３は、紫外線硬化樹脂
であるシール材からなり、図１（ｄ）に示すように、ス
ペーサ２１および導電性粒子２０を有する。例えば、こ
のシール材は、熱硬化型のエポキシ樹脂とするのが好ま
しい。

【００７３】転移部２４は、シール部３の導電性粒子２
０、下層コンタクトパッド１２および上層コンタクトパ
ッド１６により構成されている。

【００７４】以下、転移部２４について詳細に説明す
る。

【００７５】シール部３におけるスペーサ２１は、その
径によりセル厚を制御するためのものである。スペーサ
２１は、ガラス等からなり弾性を有さない。例えば、シ
ール材におけるスペーサ２１には、直径６μｍのガラス
ファイバーを用い、その割合は、１ｗｔ％とするのが好
ましい。セル厚は、シール部３内で最も総膜厚の厚い領
域上に存在するスペーサ２１の径によって決定される。

【００７６】また、導電性粒子２０は、スペーサ２１の
径よりも大きい径を有し、弾性を有する樹脂等からなる
球状の粒子の表面を、ＮｉやＡｕ等の導電性材料により
被覆して形成されている。例えば、シール材は、樹脂の
表面に０．１μｍ程度の金メッキを施した粒子であり弾
性を有する導電性粒子２０を１ｗｔ％均一に混ぜ、か
つ、脱泡したものが好ましい。

【００７７】導電性粒子２０を介して上層コンタクトパ
ッド１６と下層コンタクトパッド１２とは電気的に接続
される。即ち、転移部２４を介して、階調信号線１５は
ガラス基板１上に転移する。

【００７８】以下、ガラス基板１と対向基板２とを貼り
合わせる際におけるシール材中の導電性粒子２０の挙動
を図６に基づいて説明する。

【００７９】シール部３となるシール材中には、スペー
サ２１と導電性粒子２０とを熱硬化性を有するシール材
中に混入し、均一な分散となるよう攪拌する。その後、
例えばガラス基板１上にシール材を、例えば印刷法によ
り塗布する（図６（ａ））。このとき導電性粒子２０
は、シール材中に積み重なるように分散されている。

【００８０】次に、ガラス基板１と対向基板２とを貼り
合わせた後、導電性粒子２０が変形する程度のプレス圧
にて圧力を加える（図６（ｂ））。このとき、導電性粒
子２０の球径とセル厚とが同一となることろまでシール
材が広がりながら、導電性粒子２０は同一平面上にラン
ダムに分散される。

【００８１】さらに、圧力を加えると導電性粒子２０は
変形しはじめる（図６（ｃ））。そして、導電性粒子２
０が、スペーサ２１が保持するセル厚、即ちスペーサ２
１の径と同等の厚さになるまで変形することにより、導
電性粒子２０の位置は固定される。

【００８２】ここで、シール部３も導電性粒子２０が変
形していく過程において広がっていき、導電性粒子２０
が、スペーサ２１が保持するセル厚と同等の厚さになっ
た時点でシール部３の広がりは止まる。その状態にて加
熱することにより、ガラス基板１と対向基板２とは圧着
・固定される。なお、図６（ｄ）は、シール部３をガラ
ス基板１側から見た平面図である。また、導電性粒子２
０の大きさとしては、上層コンタクトパッド１６と下層
コンタクトパッド１２とを電気的に接続する部分で僅か
に変形する大きさ、即ち、上層コンタクトパッド１６と
下層コンタクトパッド１２との間のセル厚より大きい球
径が必要である。

【００８３】これにより、シール部３の端部には、導電
性粒子２０の存在しない領域Ｗ１（図６（ｄ）参照）を
形成することができる。なお、その領域Ｗ１はシール材
の塗布量、導電性粒子２０の径およびスペーサ２１の径
により変化する。ここで、導電性粒子２０の径とスペー
サ２１の径とが同一の場合、導電性粒子２０が変形せ
ず、シール部３が広がらないため、領域Ｗ１を形成する
ことができない。このため、導電性粒子２０の径はスペ
ーサ２１の径より、必ず大きいものでなければならな
い。

【００８４】なお、入力端子５ａ・１０ａ・１５ａは、
対向基板２上に設けられていてもよく、その場合は、転
移部２４を介して、走査線５および基準信号線１０が対
向基板２上に転移することとなる。

【００８５】以上のように、ガラス基板１と対向基板２
とは圧着・固定されるため、弾性を有する導電性粒子２
０は、図１（ｅ）に示すように、ガラス基板１と対向基
板２との間である程度変形した状態となる。これによ
り、上層コンタクトパッド１６と下層コンタクトパッド
１２との接続面積を十分に確保することができ、良好な
電気的導通を図ることができる。従って、上層コンタク
トパッド１６と下層コンタクトパッド１２との接続抵抗
を低くすることができ、階調信号線１５への信号のなま
りを抑制することができる。

【００８６】また、一般に、ＳＴＮ−ＬＣＤと比較する
と、アクティブマトリクス型の液晶表示装置に用いられ
る電圧保持型の液晶表示素子は、液晶の電圧保持能力の
経時劣化が及ぼす画質劣化が大きい。このような液晶の
電圧保持能力の経時劣化は、シール材からの不純物の溶
出やイオンの電離等が原因である。

【００８７】しかしながら、上記のように、シール部３
の端部に、導電性粒子２０の存在しない領域Ｗ１が形成
されており、また、その領域Ｗ１の幅が５０μｍ以上の
場合、即ち、液晶層４とシール部３との界面から５０μ
ｍ以上離れた領域にのみ導電性粒子２０が配されている
場合は、シール材からの溶出成分、あるいは、イオンの
電離の影響による、液晶の電圧保持率低下およびシール
部３近傍での表示むらを防止することができる。これに
より、液晶表示装置の画質の経時劣化を防止することが
でき、安定した信頼性を有する液晶表示装置を提供する
ことができる。また、シール部３から導電性粒子２０が
はみ出すこともなく、製造工程において、コンタミネー
ションの発生もない。

【００８８】なお、転移部２４は、図１（ｃ）・図２
（ａ）に示すように、走査線５と平行方向に配される構
造としてもよいが、転移部２４のピッチが狭く、狭い領
域での転移が必要な場合は、転移部２４を図２（ｄ）に
示すような千鳥状の構造としてもよい。

【００８９】また、転移部２４は、階調信号線１５や走
査線５と、駆動用ＩＣ２３との間に配されている。これ
により、階調信号線１５の引き回し配線部を小さくする
ことができ、液晶表示装置における額縁面積（非表示領
域）を狭くすることができる。これにより、液晶表示装
置の狭額縁化を図ることができる。

【００９０】以上のように、ガラス基板１上には、階調
信号線１５の入力端子１５ａ、走査線５の入力端子５ａ
および基準信号線１０の入力端子１０ａが配されてい
る。これにより、駆動用ＩＣ２２および駆動用ＩＣ２３
を、ガラス基板１上、即ち、同一基板上に実装すること
ができる。

【００９１】従って、駆動用ＩＣ２２・２３のベース基
板であるＴＡＢ（tape automated bonding）の液晶パネ
ルへの実装工程において、液晶表示素子の反転作業を必
要とせず、連続して、入力端子１５ａ・５ａ・１０ａに
おける駆動用ＩＣ２２・２３への接続部に対し、走査線
５、基準信号線１０、階調信号線１５に対する信号電圧
入力用の駆動用ＩＣ２２・２３を実装することができ
る。あるいは、ＴＡＢの接続部に対し、走査線５、基準
信号線１０、階調信号線１５への信号電圧入力用のＴＡ
Ｂを実装することができる。この結果、実装作業の効率
が上がり、製造コストの削減を図ることができる。

【００９２】また、駆動用ＩＣ２２・２３、ＴＡＢ等の
実装部分を備えた配線の入力端子（入力端子１５ａ・５
ａ・１０ａ）が同一基板上に形成されているので、配線
の引き回しによって、図１２（ａ）（ｂ）に示すよう
に、駆動用ＩＣ２６をワンチップ化することができる。
これにより、実装形態のコンパクト化を図ることがで
き、駆動用ＩＣ２６にかかる部材コストの削減および製
造コストの削減を図ることができる。

【００９３】さらに、入力端子１５ａを、対向基板２上
に配されており樹脂からなるオーバーコート膜１９上で
はなく、ガラスからなるガラス基板１上（ガラス表面
上、もしくはガラス基板１上に成膜される無機膜上）に
形成することができる。このため、入力端子１５ａとガ
ラス基板１の機械的強度および密着力を上げることがで
き、取り扱い時の端子部の破損がなくなると共に、ＴＡ
Ｂ等の実装不良の際の実装のリワーク処理が容易にな
り、歩留りを向上させることができる。

【００９４】また、ＴＦＴ１１が配されているガラス基
板１上に、入力端子１５ａは、入力端子５ａおよび入力
端子１０ａと同様、Ｔａ等の金属膜により形成されてい
る。金属膜は一般に、ＩＴＯ等の透明導電膜と比較する
と抵抗が小さいため、対向基板２上に対向電極１７およ
び階調信号線１５の形成材料と同じＩＴＯ等の透明導電
膜で形成する場合と比べ、入力端子１５ａの線幅、即
ち、配線ピッチを狭くすることができ、狭ピッチのＣＯ
Ｇ（Chip on Glass ）構造とすることができる。また、
液晶表示素子の額縁面積（非表示領域）を狭くすること
ができる（狭額縁化を図ることができる）。これによ
り、液晶表示装置の狭額縁化、実装形態のコンパクト化
および実装領域の縮小化を図ることができる。

【００９５】また、走査線５と階調信号線１５とが同一
基板上で交差することがないため、走査線５や階調信号
線１５の断線による接続不良を招来することがなく、歩
留まりの向上を図ることができ、これにより、信頼性の
高い液晶表示装置を提供することができる。

【００９６】以下、液晶の駆動原理について説明する。

【００９７】液晶表示装置は、画面を表示するために、
時分割された表示データを、走査線５…に沿って順次走
査する。

【００９８】例えば、ある走査線５を水平走査する場
合、その走査線５にＴＦＴ１１をＯＮ状態にするゲート
電圧が印加される。このとき、その他の走査線５…はＴ
ＦＴ１１をＯＦＦ状態にするゲート電圧が印加されてい
る。こうして、走査線５の水平走査のときには、その走
査線５のみのＴＦＴ１１がＯＮ状態となり、基準信号線
１０に印加されている画素電圧がソース電極である基準
電極からドレイン電極６を経て、走査線５の画素電極９
に加わる。このとき、画素電極９に与えられた電荷が電
荷蓄積容量に蓄積される。また、階調信号線１５に印加
されている信号電圧（データ信号）が対向電極１７によ
り液晶層４に印加される。こうして画素電極９に印加さ
れた画素電圧と、対向電極１７に印加された信号電圧と
の電位差によって、各々の画素電極９上の液晶は駆動さ
れる。

【００９９】以下に、液晶表示装置の製造工程の一例に
ついて説明する。

【０１００】まず、ガラス基板１上に、Ｔａ等の金属膜
をスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラ
フィー法を用いて所望の形状にパターニングすることに
より、走査線５、走査線５の入力端子５ａ、基準信号線
１０、基準信号線１０の入力端子１０ａ、下層コンタク
トパッド１２および階調信号線１５の入力端子１５ａを
形成する。ここで、入力端子１５ａと下層コンタクトパ
ッド１２とは電気的導通が図れるように連続的なパター
ンとする。

【０１０１】そして、走査線５を覆うようにしてガラス
基板１の略全面に窒化シリコン膜８をプラズマＣＶＤ
（Chemical Vapor Deposition ）法により成膜する。そ
の後、フォトリソグラフィー法を用いて入力端子５ａ・
１０ａ・１５ａ、および、基準信号線１０上のうち後に
基準電極７が形成される領域上の窒化シリコン膜８を除
去するようにパターニングする。これにより、基準信号
線１０上のうち後に基準電極７が形成される領域上に
は、開口部８ａを形成することができる。

【０１０２】次に、走査線５上、または、走査線５と電
気的に接続される図示しないゲート電極上に、ノンドー
プのアモルファスシリコンからなる図示しない真性半導
体層と、Ｐ（リン）をドープしたアモルファスシリコン
からなる図示しない活性半導体層とを、プラズマＣＶＤ
法により連続して成膜する。そして、フォトリソグラフ
ィー法を用いて、真性半導体層および活性半導体層を島
状にパターニングする。

【０１０３】続いて、透明導電膜であるＩＴＯ膜をスパ
ッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィー
法を用いて所望の形状にパターニングすることにより、
基準電極７、ドレイン電極６および画素電極９を形成す
る。このとき、先に形成した島状の活性半導体層のう
ち、基準電極７とドレイン電極６との間（チャネル部）
の活性半導体層も除去する。ここで、ドレイン電極６と
画素電極９とは、電気的導通が図れるように連続的に繋
がったパターンとする。また、基準信号線１０上のうち
基準電極７が形成される領域上の窒化シリコン膜８は除
去され、開口部８ａが設けられているため、基準電極７
は基準信号線１０と電気的に接続されることとなる。

【０１０４】このようにして、走査線５とドレイン電極
６と基準電極７とにより構成されるＴＦＴ１１、基準信
号線１０、画素電極９、入力端子５ａ・１０ａ・１５ａ
および下層コンタクトパッド１２を形成する。

【０１０５】さらに、印刷法により図示しない配向膜を
形成した後、配向膜にラビング法により配向処理を施
し、配向膜上に、表示領域２９におけるセル厚を均一に
保つためのセル内スペーサである図示しないプラスティ
ックビーズを分散する。

【０１０６】一方、対向基板２上には、透明導電膜であ
るＩＴＯ膜をスパッタリング法により成膜した後、フォ
トリソグラフィー法を用いて所望の形状にパターニング
することにより、対向電極１７、階調信号線１５および
上層コンタクトパッド１６を形成する。ここで、対向電
極１７、階調信号線１５および上層コンタクトパッド１
６は互いに電気的導通を図れるように連続的なパターン
とする。なお、このとき対向基板２には、あらかじめ黒
色樹脂層と赤、青、緑の色層とを有するカラーフィルタ
ー層１８および平坦性、耐薬品性を有し、樹脂からなる
オーバーコート膜１９が形成されたものを用いる。

【０１０７】さらに、印刷法により図示しない配向膜を
形成した後、配向膜にラビング法により配向処理を施
す。

【０１０８】次に、印刷法により、対向基板２上にシー
ル材を塗布し、１１０℃で１０分仮焼きを行った後、ガ
ラス基板１と対向基板２を貼り合わせる。その後、例え
ば、２kg/cm²の圧力を加えた状態にて１８０℃で約９０
分焼成する。さらに、液晶を両基板１・２間に注入して
シール材にて封止する。こうしてガラス基板１と対向基
板２とは圧着・固定され、液晶パネルが完成する。な
お、シール材の塗布は、ディスペンサーを用いてもかま
わない。

【０１０９】次に、液晶パネルの点灯検査を経た後、駆
動用ＩＣ２２を入力端子５ａ・１０ａに実装し、また、
駆動用ＩＣ２３を入力端子１５ａに実装することによ
り、液晶表示素子を形成する。

【０１１０】さらに、上記液晶表示素子の両面に図示し
ない偏光板を配置し、冷陰極管からなる光源、拡散板、
導光板、反射板、コントロール基板等を装着することに
より、液晶表示装置を形成する。

【０１１１】このように、入力端子１５ａは、走査線５
および基準信号線１０と同一工程で形成することが可能
であるため、工程数を増やすことなく形成することがで
きる。

【０１１２】以下、シール部３における導電性粒子２０
の分散量について説明する。シール部３への導電性粒子
２０の分散量は、転移部２４における抵抗ばらつきの許
容範囲と、シール部３の密着性の低下、セル厚の面内均
一性の低下、導電性粒子２０の凝集による配線間リーク
発生率の増加等に寄与する導電性粒子２０の数とにより
決定する。

【０１１３】まず、導電性粒子２０の平均分散量を決定
するにあたり、図１７に示すＳＴＮ−ＬＣＤのようにパ
ッシブ駆動を行う場合と、本実施の形態の図１に示す液
晶表示装置のようにアクティブ駆動を行う場合とにおけ
る、隣接配線間の転移部の抵抗ばらつきに伴う信号遅延
の許容範囲の違いについて説明する。

【０１１４】アクティブ駆動の場合、図３（ａ）に示す
ように走査線５の信号がオンになっているときには、階
調信号線１５や基準信号線１０の電位と同電位になるよ
うに、対向電極１７および画素電極９に電位が充電され
る。従って、走査線５の信号がオンからオフになるとき
の階調信号線１５や基準信号線１０の最終到達電位によ
り液晶表示素子の階調が決まる。従って、図３（ｂ）に
示すような遅延１であっても遅延２であっても遅延３で
あっても、最終到達電位が同じであれば表示される液晶
表示素子の階調も同じである。ただし、遅延４のように
最終到達電位が異なる場合は、液晶表示素子の階調は異
なる。しかしながら、隣接配線間（隣り合う転移部２４
…）の接続抵抗に少々のばらつきがあっても、最終到達
電位が同じであれば表示される液晶表示素子の階調も同
じであり、信号遅延の違いによって表示の均一性が損な
われることはない。

【０１１５】一方、図３（ｃ）（ｄ）に示すように、パ
ッシブ駆動の場合、コモン線１０３（図１７参照）がオ
ンとなっているときの、コモン線１０３の電位とセグメ
ント線１０４の電位との差で階調を表現している。その
結果、ダイナミックレンジである白表示と黒表示との実
効値の差は０．２Ｖ程度となり、アクティブ駆動の４Ｖ
と比較するとその値は１／２０程度と小さい。また、図
３（ｅ）に示すように、パッシブ駆動の場合は、コモン
線１０３のコモン信号の振幅が大きいため、遅延１と遅
延２との差が液晶の実効値に与える影響は大きい。

【０１１６】このように、パッシブ駆動の場合は、隣接
配線間（隣接するセグメント線１０４…）の接続抵抗の
わずかなばらつきによる信号遅延の違いによって、表示
の均一性が損なわれ、表示むらが発生する。なお、コモ
ン線１０３はアクティブ駆動の走査線５に相当するもの
であり、セグメント線１０４はアクティブ駆動の階調信
号線１５に相当するものである。

【０１１７】以上のように、アクティブ駆動はパッシブ
駆動と比較すると、隣接配線間の信号遅延のばらつき許
容範囲、即ち、接続抵抗のばらつきに対する許容範囲が
広い。

【０１１８】次に、上述したばらつき許容範囲がアクテ
ィブ駆動とパッシブ駆動とでどれくらいの違いがあり、
導電性粒子２０の平均分散量は、どれくらい必要なのか
を確認した結果を図４に示す。

【０１１９】ここで、図４は、転移部２４におけるガラ
ス基板１と平行方向の形状を、例えば長方形とし、その
一辺を１ｍｍで一定として、転移部２４の幅、即ち、上
記長方形の面積を変化させたときに必要な導電性粒子２
０の平均分散量を示している。

【０１２０】同図に示すように、例えば、転移部２４の
幅が１００μｍの液晶パネルを作成するとき、パッシブ
駆動の場合は３００個／ｍｍ² 以上の導電性粒子２０が
必要なのに対し、アクティブ駆動の場合は６０個／ｍｍ
² 以上あれば十分である。同様に、転移部２４の幅が６
０μｍのとき、パッシブ駆動の場合は５００個／ｍｍ ²
以上の導電性粒子２０が必要なのに対し、アクティブ駆
動の場合は１００個／ｍｍ² 以上あれば十分である。ま
た、転移部２４の幅が３０μｍのときは、パッシブ駆動
の場合は１０００個／ｍｍ² 以上の導電性粒子２０が必
要なのに対し、アクティブ駆動の場合は２００個／ｍｍ
² 以上あれば十分である。

【０１２１】更に、分散量を変更することによる転移部
２４に存在する導電性粒子２０の平均個数に対する、不
良パネルの発生状況を確認した結果を、表２および図２
２に示す。

【０１２２】

【表２】

【０１２３】この時、転移パッド面積Ｓを０．０２５ｍ
ｍ² とし、分散量を変化させた時の平均導電性粒子数を
確認すると共に、それぞれの場合でパネルを作成した場
合の転移不良に伴う点灯不良の発生状況の確認を行なっ
た。この時の転移不良とは、シール内に分散された導電
性粒子２０が転移部２４に１個も無く、電気的導通が図
れなかった場合、かつ、導電性粒子２０が存在はしてい
るが、抵抗ばらつきの影響で表示ムラ等の不具合が見ら
れた場合とし、点灯状態にて前記確認を行なった。な
お、この時、確認に使用したパネルは、配線数が６６０
本のものを使用した。

【０１２４】転移部２４に存在する導電性粒子２０の平
均個数が３個程度の場合、確認した全てのパネルにおい
て、導電性粒子２０が存在しない転移場所があり、転移
不良が見られた。また、導電性粒子２０の平均個数が４
個程度の場合、３５パネル確認して、３パネルに転移不
良が見られ、約１割の確率で不良が発生した。この時も
不良原因は導電性粒子２０が存在しないことによる転移
不良であった。

【０１２５】これに対し、導電性粒子２０の平均個数が
５個程度の場合、３５５パネル確認したが、いずれのパ
ネルも、導電性粒子２０が存在しないことによる転移不
良、かつ、導電性粒子２０は存在するが表示ムラが見ら
れる転移不良共に見受けられなかった。また同様に、導
電性粒子２０の平均個数が１０個程度の場合、３２９パ
ネル確認したが、いずれのパネルも転移不良は見られな
かった。

【０１２６】さらに、導電性粒子２０の平均個数が５個
程度の場合、転移部２４に導電性粒子２０が１個しか存
在しない箇所も身受けられたが、表示ムラ等の導電性粒
子による転移が原因である不良は確認されなかった。つ
まり、導電性粒子２０が少なくとも１個、転移部２４に
存在すれば、抵抗的にも十分であることが、この結果か
らも容認できる。

【０１２７】これらの結果から、１つの転移部２４につ
いて考えると、その１つの転移部２４に平均５個以上の
導電性粒子２０が存在するのに必要な分散量を決定して
分散させることにより、不良発生率も限りなく０に近く
なり、十分に生産可能なレベルとなることが分かる。

【０１２８】つまり、導電性粒子２０の平均分散量をＤ
個／ｍｍ² 、転移部２４の面積をＳｍｍ² とすると、導
電性粒子の分散量Ｄは、５／Ｓ以上であれば、不良発生
率は限りなく０に近いものとなることが分かる。

【０１２９】ここで、平均分散量が多過ぎる場合は、シ
ール部３の密着性の低下、セル厚の面内均一性の低下、
導電性粒子２０の凝集による配線間リーク発生率の増加
等の問題が発生する。その平均分散量と不良との関係を
表３に示す。なお、表３においては、配線間ギャップ
（隣り合う転移部２４・２４間の距離）は１５μｍとし
ている。

【０１３０】

【表３】

【０１３１】表３に示すように、導電性粒子２０の平均
分散量が１２００個／ｍｍ² の場合、１％程度の確率に
て配線間リークが発生する。それに対し、平均分散量が
１０００個／ｍｍ² の場合、配線間リークが発生する確
率は１％以下と、液晶表示装置の生産を行うにあたり、
問題のないレベルであった。また、導電性粒子２０の平
均分散量がさらに少ない場合は、配線間リークが発生す
る確率がさらに軽減されることはいうまでもない。

【０１３２】また、導電性粒子２０の平均分散量と密着
力との関係においては、密着力がガラス強度を上回る、
即ち、図５に示すように、ガラス基板１と対向基板２と
を固定し、矢印の部分に圧力を加えて、ガラス基板１と
対向基板２とが剥がれる圧力、または、ガラス基板１が
割れる圧力を確認する押し圧試験を行う際、シール部３
で剥がれるのではなく、ガラス基板１が割れる程度の十
分な密着力強度であることが好ましい。

【０１３３】ガラス強度＞密着力であり、液晶パネル形
成時に必要な分断、面取り等で剥がれの発生する程度の
密着力では、歩留りよく液晶パネルを形成することが困
難であるため、この程度の密着力を×として評価を行っ
た。一方、液晶パネル形成時に剥がれが発生しなけれ
ば、歩留りを低下させることなく液晶パネルを形成する
ことができる。しかしながら、液晶パネルを形成した後
の衝撃試験等の基準に満たない場合、シリコン樹脂によ
り液晶パネルの密着強度の補強等を行う必要が出てく
る。このことは、コストアップの要因となり、好ましく
は密着強度の補強を行わないですむ方がよい。従って、
密着力がガラス強度を上回ることが好ましい。そのた
め、ガラス強度＜密着力の場合を○、液晶パネル化は可
能であるが、ガラス強度＞密着力のときを△として評価
を行った。

【０１３４】表３に示すように、導電性粒子２０の平均
分散量が６００個／ｍｍ² 以下の場合は、シール部３の
密着力はガラス強度より強かった。一方、導電性粒子２
０の平均分散量が１４００個／ｍｍ² 以上の場合は、ガ
ラス基板１および対向基板２を貼り合わせた後に必要な
分断、面取り等の作業を行う際にかかる程度の力により
剥がれが発生する程弱い密着力であった。そして、導電
性粒子２０の平均分散量が８００個／ｍｍ² 〜１２００
個／ｍｍ² の場合は、シール部３の密着力はガラス強度
より劣るが、分断、面取り等の作業では、シール部３が
剥がれない程度の密着力であった。

【０１３５】また、セル厚の均一性について、仕上がり
のセル厚を例えば４．５μｍとした場合を検討した。セ
ル厚に±０．３μｍ以上のばらつきがある場合、液晶容
量の不均一性により、ガラス基板１と対向基板２とを対
向配置する際に精度よく両基板１・２を合わせて配する
ことができないため、フリッカーが発生しやすい。さら
に、セル厚のばらつきが±０．５μｍ以上になると、セ
ル厚の差が透過率の差として目に見えるようになり、表
示むらとして確認される。

【０１３６】このため、セル厚のばらつきの絶対値が
０．５μｍ以上となる場合を×とし、セル厚のばらつき
の絶対値が０．３より大きく０．５μｍより小さい場合
を△とし、セル厚のばらつきの絶対値が０．３以下の場
合を○として評価を行った。

【０１３７】表３に示すように、導電性粒子２０の平均
分散量が４００個／ｍｍ² 以下の場合は、セル厚の均一
性を図ることができる。また、導電性粒子２０の平均分
散量が１２００個／ｍｍ² 以上の場合は、セル厚の均一
性を図ることができず、表示むらとして確認されること
となった。

【０１３８】以上のように、配線間リーク、密着力およ
びセル厚の３つの要因を考慮すると、導電性粒子２０の
平均分散量は１０００個／ｍｍ² 以下にするのがよい。
また、好ましくは導電性粒子２０の平均分散量は６００
個／ｍｍ² 以下とする方がよい。さらに、好ましくは、
導電性粒子２０の平均分散量は４００個／ｍｍ² 以下に
するのがよい。

【０１３９】また、導電性粒子２０の平均分散量をＤ個
／ｍｍ² 、転移部２４の面積をＳｍｍ² とすると、平均
分散量Ｄが次式（１） Ｄ＞５／Ｓ …（１） の関係式を満たす範囲において転移部２４は安定した転
移を可能にする、即ち、高温高湿条件下においても、シ
ール部３近傍での液晶保持率が低下することがなく、液
晶表示装置の信頼性の低下を防止することができること
がわかった。即ち、上記表３の結果と合わせると、平均
分散量Ｄは、次式（２） １０００≧Ｄ＞５／Ｓ を満たすとき、シール部３の密着力不足、セル厚の均一
性の低下および導電性粒子２０の凝集による配線間リー
ク発生率の増加を防止することができ、高温高湿条件下
でも液晶表示装置の信頼性の低下を防止することができ
る。従って、高歩留りで高精細、狭ピッチの液晶パネル
を形成することができる。また、アクティブ駆動はパッ
シブ駆動と比較すると、必要な導電性粒子２０の数も少
なくてすむため、より安価な液晶表示装置を提供するこ
とができる。

【０１４０】なお、下層コンタクトパッド１２は、上層
コンタクトパッド１６と同様にＩＴＯにより形成されて
いてもかまわない。また、下層コンタクトパッド１２は
上層コンタクトパッド１６とほぼ同じ抵抗を持つもので
あればよく、下層コンタクトパッド１２と上層コンタク
トパッド１６とが共にＴａにより形成されていても、下
層コンタクトパッド１２と上層コンタクトパッド１６と
で酸化の程度が異なるＩＴＯにより形成されていてもか
まわない。例えば、下層コンタクトパッド１２、上層コ
ンタクトパッド１６が共にＩＴＯにより形成されている
構成を図７に示す。また、その転移部２４の構成につい
ては図８（ａ）に示す。

【０１４１】図７に示すようにＴａからなる入力端子１
５ａと、ＩＴＯからなる下層コンタクトパッド１２と
は、その一部が接するように重なることにより電気的に
接続されている。上層コンタクトパッド１６と階調信号
線１５とは、共にＩＴＯにより形成され、電気的に接続
されている。下層コンタクトパッド１２と上層コンタク
トパッド１６とは、導電性粒子２０を介して電気的に接
続されている。

【０１４２】図７に示す構成の液晶表示装置を製造する
には、上述した図１に示す液晶表示装置の製造工程で、
下層コンタクトパッド１２のパターニングを、走査線５
等のパターニングと共に行うのではなく、窒化シリコン
膜８の成膜後、ドレイン電極６や画素電極９等のパター
ニングと共に行えばよい。これにより、下層コンタクト
パッド１２を形成することができる。

【０１４３】シール部３内に分散される導電性粒子２０
はランダムに分散されている。これにより、ガラス基板
１の端部近傍で導電性粒子２０により上層コンタクトパ
ッド１６と下層コンタクトパッド１２とが接続される場
合と、ガラス基板１の端部から離れた部分で導電性粒子
２０により接続される場合とがある。転移部２４が図２
（ａ）に示す構成の場合、前者の場合を図２（ｂ）に示
し、後者の場合を図２（ｃ）に示す。

【０１４４】図２（ａ）に示す構成では、階調信号線１
５および上層コンタクトパッド１６はＩＴＯにより形成
され、一方、階調信号線１５の入力端子１５ａおよび下
層コンタクトパッド１２はＩＴＯより抵抗の小さいＴａ
により形成されている。これにより、Ｃ−Ｃ’間の抵抗
Ｒ_C-C'（図２（ｂ）参照）と、Ｄ−Ｄ’間の抵抗Ｒ_{D- D'}
（図２（ｃ）参照）とは、Ｔａからなる部分の多いＲ
_D-D'の方がその抵抗が小さくなる。即ち、Ｒ_C-C'＞Ｒ
_D-D'である。従って、隣り合う転移部２４…の間で、導
電性粒子２０の分散位置にばらつきがあると、階調信号
線１５の信号電圧の遅延に伴う信号電圧の実効値の違い
が発生し、階調信号線１５毎に表示むらが発生する。

【０１４５】これに対し、図８（ａ）に示す構成、即
ち、下層コンタクトパッド１２も上層コンタクトパッド
１６と同様にＩＴＯにより形成されている場合、Ｇ−
Ｇ’間の抵抗Ｒ_G-G'（図８（ｂ）参照）とＨ−Ｈ’間の
抵抗Ｒ_H-H'（図８（ｃ）参照）とは、ほぼ等しくなる。

【０１４６】これにより、シール部３内に分散されてい
る導電性粒子２０の位置のばらつきによる下層コンタク
トパッド１２と上層コンタクトパッド１６との接続抵抗
のばらつきを抑制することができる。従って、表示むら
の発生を抑制することができ、表示品位の良好な液晶表
示装置を提供することができる。

【０１４７】なお、図２（ｄ）に示すように、千鳥状に
配された転移部２４においても、図２（ａ）示す場合と
同様、Ｅ−Ｅ’間の抵抗Ｒ_E-E'（図２（ｅ）参照）と、
Ｆ−Ｆ’間の抵抗Ｒ_F-F'（図２（ｆ）参照）とは、Ｔａ
からなる部分の多いＲ_F-F'の方がその抵抗が小さくな
る。即ち、Ｒ_E-E'＞Ｒ_F-F'である。従って、隣り合う転
移部２４…の間で、導電性粒子２０の分散位置にばらつ
きがあり、階調信号線１５毎に表示むらが発生する。

【０１４８】これに対し、図８（ｄ）に示す場合におい
て、Ｉ−Ｉ’間の抵抗Ｒ_I-I'（図８（ｅ）参照）とＪ−
Ｊ’間の抵抗Ｒ_J-J'（図８（ｆ）参照）とは、下層コン
タクトパッド１２も上層コンタクトパッド１６と同様に
ＩＴＯにより形成することにより、導電性粒子２０の分
散位置のばらつきにかかわらず、ほぼ等しくなる。従っ
て、隣り合う転移部２４…間における下層コンタクトパ
ッド１２と上層コンタクトパッド１６との接続抵抗のば
らつきを抑制することができる。

【０１４９】また、図９（ａ）（ｃ）に示すように、シ
ール部３におけるガラス基板１上に、開口部２５ａ（開
口部）を有する絶縁膜２５を形成し、開口部２５ａ内に
下層コンタクトパッド１２が配されていてもかまわな
い。図９（ａ）に示す構成は、図１（ａ）に示す構成に
絶縁膜２５を追加した構成である。図９（ａ）に示すガ
ラス基板１と図１（ｂ）に示す対向基板２とを貼り合わ
せることにより、図９（ｂ）に示す構成となる。

【０１５０】シール部３下の入力端子５ａ・１０ａ・１
５ａを覆うように窒化シリコン膜を形成した後、下層コ
ンタクトパッド１２上の窒化シリコン膜のみを除去して
開口部２５ａを形成することにより、絶縁膜２５を形成
する。

【０１５１】開口部２５ａにより下層コンタクトパッド
１２が露出していることにより、開口部２５ａに配され
ている導電性粒子２０を介して上層コンタクトパッド１
６と下層コンタクトパッド１２とは電気的に接続され
る。

【０１５２】これにより、図９（ｃ）（ｄ）に示すよう
に、開口部２５ａ内に配された導電性粒子２０のみによ
って上層コンタクトパッド１６と下層コンタクトパッド
１２とを接続することができる。従って、導電性粒子２
０が凝集しても、隣り合う転移部２４…間における配線
間リークの発生を抑制することができる。

【０１５３】絶縁膜２５が形成されていない場合、導電
性粒子２０を用いて電気的に接続する必要のない領域に
おいては、階調信号線１５の引き回し配線部である入力
端子１５ａ等の配線間リークを避けるべく、導電性粒子
２０の径、例えば、７μｍより大きな配線間ギャップを
確保する必要がある。

【０１５４】しかしながら、導電性粒子２０を用いて電
気的に接続する必要のない領域に絶縁膜２５を形成する
ことにより、配線間ギャップを導電性粒子２０の径以下
とすることができる。これにより、入力端子１５ａにお
ける引き回し配線部に要する領域の面積を小さくするこ
とができる。従って、導電性粒子２０を介した配線間リ
ークを発生させることなく、液晶表示装置の狭額縁化を
図ることができる。

【０１５５】また、絶縁膜２５が形成されている場合、
図９（ｃ）に示すように、ガラス基板１と対向基板２と
の間のギャップは、絶縁膜２５の厚さｄ3 とスペーサ２
１の径ｄ2 とにより決定される。また、導電性粒子２０
は、絶縁膜２５における開口部２５ａ内において導電性
粒子２０が少し変形した状態で、上層コンタクトパッド
１６と下層コンタクトパッド１２との電気的接続を可能
にする。

【０１５６】ここで、導電性粒子２０の径ｄ1 は、両基
板１・２間のギャップ（セル厚）、即ち、絶縁膜２５の
厚さ（シール部３内で最も総膜厚の厚い領域の膜厚）ｄ
3 とスペーサ２１の径ｄ2 との和より大きい（ｄ1 ＞ｄ
2 ＋ｄ3 ）ことが好ましい。これによると、導電性粒子
２０が少し変形した状態で圧力を加えたままシール材を
硬化させて、両基板１・２を貼り合わせることとなる。
従って、ガラス基板１と対向基板２との間のセル厚にば
らつきや変化があったとしても、導電性粒子２０が変形
することにより、電気的接続を保持することができる。
これにより、安定した電気的接続が可能となり、セル厚
のばらつきや変化に対してより安定した状態を可能にす
ることができる。

【０１５７】なお、絶縁膜２５を有する構成の場合も、
図１１に示すように、図７に示した構成と同様、下層コ
ンタクトパッド１２、上層コンタクトパッド１６ともに
ＩＴＯにより形成してもかまわない。図１１に示すよう
に、Ｔａからなる階調信号線１５の入力端子１５ａと、
ＩＴＯからなる下層コンタクトパッド１２とは、その一
部が接するように重なることにより電気的に接続されて
いる。このときの転移部２４の構成を図１０（ａ）に示
す。

【０１５８】図１０（ａ）に示す構成は、図８（ａ）に
示す構成と同様、Ｍ−Ｍ’間の抵抗Ｒ_M-M'（図１０
（ｂ）参照）とＮ−Ｎ’間の抵抗Ｒ_N-N'（図１０（ｃ）
参照）とは、ほぼ等しくなる。

【０１５９】これにより、シール部３内に分散されてい
る導電性粒子２０の位置のばらつきによる下層コンタク
トパッド１２と上層コンタクトパッド１６との接続抵抗
のばらつきを抑制することができる。

【０１６０】また、図１０（ｄ）に示すように、転移部
２４が千鳥状に配されている場合は、図８（ｂ）に示す
構成と同様、Ｏ−Ｏ’間の抵抗Ｒ_o-o'（図１０（ｅ）参
照）とＰ−Ｐ’間の抵抗Ｒ_p-p'（図１０（ｆ）参照）と
は、ほぼ等しくなり、隣り合う転移部２４…間のリーク
を回避すると共に、転移部２４の面積を大きくとること
ができ、転移部２４の接続抵抗を低くすることができ
る。これにより、上層コンタクトパッド１６あるいは下
層コンタクトパッド１２の形成面積を小さくすることが
でき、信号電圧のなまりによる表示不良を防止すること
ができる。従って、高精細の液晶表示装置を提供するこ
とができる。

【０１６１】なお、入力端子５ａ・１０ａ・１５ａは、
１枚の基板上に配されていれば、ＴＦＴ１１が形成され
ているガラス基板１上に限定されるものではなく、対向
基板２上に入力端子５ａ・１０ａ・１５ａが配されてい
てもかまわない。

【０１６２】また、その開口部２５ａを有する絶縁膜
は、その開口部２５ａによって上層コンタクトパッド１
６と下層コンタクトパッド１２とが接続されるものであ
れば、ガラス基板１上に限定されるものではなく、対向
基板２上、あるいは、ガラス基板１上および対向基板２
上に形成されていてもかまわない。

【０１６３】〔実施の形態２〕本発明の実施の他の形態
について図１３および図１４に基づいて説明すれば、以
下の通りである。なお、実施の形態１における構成要素
と同等の機能を有する構成要素については、同一の符号
を付記してその説明を省略する。

【０１６４】本実施の形態に係る液晶表示装置は、図１
３（ｅ）に示すように、実施の形態１と同様、ガラスか
らなるガラス基板１と対向基板２とが、シール部３を介
して対向され、両基板１・２の間には液晶が封入され、
媒体層である液晶層４が形成されている。

【０１６５】また、アクティブマトリクス基板であるガ
ラス基板１上には、走査線５（第１信号配線）とドレイ
ン電極６とソース電極３３と窒化シリコン膜８とを備え
たＴＦＴ３４、画素電極９、階調信号線３５、基準信号
線３０の入力端子３０ａおよび下層コンタクトパッド１
２が配されている。

【０１６６】マトリクス状に配されている各画素電極９
毎に、３端子のスイッチング素子であるＴＦＴ３４が配
設されている。

【０１６７】各ＴＦＴ３４において、そのドレイン電極
６には画素電極９が接続され、ソース電極３３には、表
示画面の水平方向（行方向）に並ぶＴＦＴ３４間で同じ
階調信号線３５に接続されている。

【０１６８】走査線５を覆うようにガラス基板１の略全
面に形成されている窒化シリコン膜８は、ゲート絶縁膜
である。

【０１６９】下層コンタクトパッド１２および画素電極
９は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜によ
り形成されている。

【０１７０】図１３（ｃ）に示すように、走査線５と後
述する基準信号線３０（第２信号配線）とは平行に配さ
れており、走査線５の入力端子５ａと基準信号線３０の
入力端子３０ａとは駆動用ＩＣ３１に接続されている。

【０１７１】階調信号線３５はデータ信号が供給される
データ線であり、図１３（ａ）に示すように、ガラス基
板１上において、走査線５と直交するように配設されて
いる。階調信号線３５の入力端子３５ａは駆動用ＩＣ３
２に接続されている。

【０１７２】また、下層コンタクトパッド１２は、駆動
用ＩＣ３１と接続する後述の基準信号線３０の入力端子
３０ａに接続されている。ここで、基準信号線３０の入
力端子３０ａは、基準信号線３０の引き回し配線も兼ね
ている。

【０１７３】走査線５、入力端子５ａ、、ソース電極３
３、ドレイン電極６、入力端子３０ａ、階調信号線３５
および入力端子３５ａはＴａ等の金属により形成されて
いる。

【０１７４】一方、図１３（ｅ）に示すように、対向基
板２上には、カラーフィルター層１８を覆うようにオー
バーコート膜１９が配されている。オーバーコート膜１
９上には、基準信号線３０、上層コンタクトパッド１６
および対向電極１７が配されている。

【０１７５】基準信号線３０は液晶層４に電圧を印加す
る信号配線であり、ガラス基板１上の走査線５と平行に
配設されている。該構造では、図１３（ｂ）（ｅ）に示
すように、各基準信号線３０が、各画素電極９と対向す
る部分で対向電極１７を、下層コンタクトパッド１２と
対向する部分で上層コンタクトパッド１６を兼ねてい
る。即ち、対向電極１７および上層コンタクトパッド１
６は、基準信号線３０に接続されている。また、基準信
号線３０は、ＩＴＯ等の透明導電膜により形成されてい
る。

【０１７６】図１３（ｄ）に示すように、導電性粒子２
０を介して上層コンタクトパッド１６と下層コンタクト
パッド１２とは電気的に接続されている。即ち、転移部
２４を介して、基準信号線３０はガラス基板１上に転移
する。

【０１７７】以下、液晶の駆動原理について説明する。

【０１７８】液晶表示装置は、画面を表示するために、
時分割された表示データを、走査線５…に沿って順次走
査する。

【０１７９】例えば、ある走査線５を水平走査する場
合、その走査線５にＴＦＴ３４をＯＮ状態にするゲート
電圧が印加される。このとき、その他の走査線５…はＴ
ＦＴ３４をＯＦＦ状態にするゲート電圧が印加されてい
る。こうして、走査線５の水平走査のときには、その走
査線５のみのＴＦＴ３４がＯＮ状態となり、階調信号線
３５に印加されている信号電圧がソース電極３３からド
レイン電極６を経て、走査線５の画素電極９に加わる。
こうして画素電極９に印加された画素電圧と、対向電極
１７に印加された対向電圧との電位差によって、各々の
画素電極９上の液晶は駆動される。

【０１８０】このようにして、走査線５…を順次走査
し、このときすべての階調信号線３５にそれぞれの画素
の駆動状態に合わせた信号電圧を印加していけば、必要
な画素をすべて表示することができる。

【０１８１】以下に、図１３に示す本実施の形態に係る
液晶表示装置におけるガラス基板１の製造工程の一例に
ついて説明する。なお、対向基板２の製造工程、実装工
程等については、実施の形態１と同様とする。

【０１８２】まず、ガラス基板１上に、Ｔａ等の金属膜
をスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラ
フィー法を用いて所望の形状にパターニングすることに
より、走査線５、走査線５の入力端子５ａ、基準信号線
の入力端子３０ａおよび階調信号線３５の入力端子３５
ａを形成する。このとき、入力端子５ａ・３０ａ・３５
ａは、引き回し配線となる引き回し配線部と、駆動用Ｉ
Ｃ３１・３２等の駆動回路の接続部とを備え、駆動回路
の接続部は、さらに外部から信号電圧を入力するための
図示しない電極を備えている。ここで、本実施の形態に
おいては、ＣＯＧ構造の液晶表示素子とするための入力
端子構造としているが、ＴＡＢ等を実装する液晶表示素
子とすべく、ＴＡＢ接続用の電極を入力端子５ａ・３０
ａ・３５ａに備えた構造としてもよい。

【０１８３】そして、走査線５を覆うようにしてガラス
基板１の略全面に窒化シリコン膜８をプラズマＣＶＤ法
により成膜する。その後、フォトリソグラフィー法を用
いて入力端子５ａ・３０ａ・３５ａが形成される領域上
の窒化シリコン膜８を除去するようにパターニングす
る。その後、真性半導体層と活性半導体層とを、プラズ
マＣＶＤ法により連続して成膜する。そして、フォトリ
ソグラフィー法を用いて、真性半導体層および活性半導
体層を島状にパターニングする。このとき、島状の活性
半導体層のうち、ソース電極３３とドレイン電極６との
間（チャネル部）の活性半導体層も除去する。

【０１８４】続いて、Ｔａからなる金属膜をスパッタリ
ング法により成膜した後、フォトリソグラフィー法を用
いて所望の形状にパターニングすることにより、ソース
電極３３、ドレイン電極６および階調信号線３５を形成
する。そして、透明導電膜であるＩＴＯ膜をスパッタリ
ング法により成膜した後、フォトリソグラフィー法を用
いて所望の形状にパターニングすることにより、画素電
極９および下層コンタクトパッド１２を形成する。ここ
で、ドレイン電極６と画素電極９とは、電気的に接続さ
れている。

【０１８５】次に、ガラス基板１の略全面に窒化シリコ
ンからなる膜をプラズマＣＶＤ法により成膜し、フォト
リソグラフィー法を用いて入力端子５ａ・３０ａ・３５
ａが形成される領域上の膜を除去するようにパターニン
グして図示しない保護膜を形成する。

【０１８６】さらに、印刷法により図示しない配向膜を
形成した後、配向膜にラビング法により配向処理を施
す。

【０１８７】一方、対向基板２上には、透明導電膜であ
るＩＴＯ膜をスパッタリング法により成膜した後、フォ
トリソグラフィー法を用いて所望の形状にパターニング
することにより、対向電極１７、基準信号線３０および
上層コンタクトパッド１６を形成する。ここで、対向電
極１７、階調信号線３５および上層コンタクトパッド１
６は互いに電気的導通を図れるように連続的なパターン
とする。なお、このとき対向基板２には、カラーフィル
ター層１８およびオーバーコート膜１９が形成されたも
のを用いる。

【０１８８】さらに、印刷法により図示しない配向膜を
形成した後、配向膜にラビング法により配向処理を施
す。

【０１８９】この後のガラス基板１と対向基板２とを貼
り合わせる工程からは実施の形態１と同様である。

【０１９０】なお、図１４（ａ）〜（ｄ）に示すよう
に、下層コンタクトパッド１２を露出させるように、窒
化シリコン膜８上に絶縁膜４０を形成してもかまわな
い。絶縁膜４０は開口部４０ａを有し、この開口部４０
ａにより、下層コンタクトパッド１２が露出している。
絶縁膜４０は、例えば、窒化シリコンからなる。

【０１９１】従って、図９に示す液晶表示装置と同様、
開口部４０ａ内に配された導電性粒子２０のみによっ
て、下層コンタクトパッド１２と上層コンタクトパッド
１６とを接続することができる。このように、導電性粒
子２０を用いて電気的に接続する必要のない領域に絶縁
膜４０を形成することにより、配線間ギャップを導電性
粒子２０の径以下とすることができる。これにより、入
力端子３０ａにおける引き回し配線部に要する領域の面
積を小さくすることができる。従って、導電性粒子２０
を介した配線間リークを発生させることなく、液晶表示
装置の狭額縁化を図ることができる。また、分散された
導電性粒子２０が凝集しても、隣り合う転移部２４…間
における配線間リークの発生を抑制することができる。

【０１９２】〔実施の形態３〕本発明の第３の実施の形
態について図１５および図１６に基づいて説明すれば、
以下の通りである。なお、実施の形態１における構成要
素と同等の機能を有する構成要素については、同一の符
号を付記してその説明を省略する。

【０１９３】図１５に示す液晶表示装置は、スイッチン
グ素子として、２端子素子であるＭＩＭ(metal insulat
or metal) ５５を用いた構成である。本実施の形態に係
る液晶表示装置は、図１５（ｅ）に示すように、ガラス
基板１上に、セグメント線５２（第１信号配線）と対極
金属５６とを備えたＭＩＭ（スイッチング素子）５５、
画素電極９、コモン線５１および下層コンタクトパッド
１２（第１コンタクトパッド）が配されている。

【０１９４】ＭＩＭ５５は、走査線としてのセグメント
線５２と、信号線としてのコモン線５１との電位差によ
り、オン／オフの制御が行われる。オン時には、閾値以
上の電位がＭＩＭ５５に印加されており、ＭＩＭ５５の
抵抗を下げて液晶層４に電荷が注入され、液晶層４は駆
動される。

【０１９５】図１５（ａ）に示すように、下層コンタク
トパッド１２は、駆動用ＩＣ５３（図１５（ｃ）参照）
と接続する後述のコモン線５１の入力端子５１ａに接続
されている。

【０１９６】また、セグメント線５２、セグメント線５
２の入力端子５２ａ、コモン線５１の入力端子５１ａお
よび下層コンタクトパッド１２はＴａからなり、画素電
極９はＩＴＯからなる。

【０１９７】一方、図１５（ｅ）に示すように、対向基
板２上には、カラーフィルター層１８を覆うようにオー
バーコート膜１９が配されている。オーバーコート膜１
９上には、コモン線５１（第２信号配線）、上層コンタ
クトパッド１６（第２コンタクトパッド）および対向電
極１７が配されている。

【０１９８】コモン線５１はガラス基板１上のセグメン
ト線５２と直交するように配設されている。該構造で
は、図１５（ｂ）に示すように、各コモン線５１が、各
画素電極９と対向する部分で対向電極１７を、下層コン
タクトパッド１２と対向する部分で上層コンタクトパッ
ド１６を兼ねている。

【０１９９】コモン線５１および上層コンタクトパッド
１６は、ＩＴＯ等の透明導電膜からなる。ここで、入力
端子５１ａはコモン線５１の引き回し配線も兼ねてい
る。

【０２００】また、図１５（ａ）に示すように、液晶層
４を構成する液晶を封入するためのシール部３が、ガラ
ス基板１と対向基板２との間における表示領域２９の外
側領域に設けられている。シール部３は、実施の形態１
と同様、紫外線硬化樹脂であるシール材からなり、スペ
ーサ２１および導電性粒子２０を有する。また、図１５
（ｄ）に示すように、導電性粒子２０、下層コンタクト
パッド１２および上層コンタクトパッド１６の重畳領域
により、転移部２４が構成されている。

【０２０１】以上のように、入力端子５１ａ・５２ａは
共にガラス基板１上に配されてるため、ＴＡＢ等の液晶
パネルへの実装工程において、液晶表示素子の反転作業
を必要とせず、実装作業の効率が上がり、製造コストの
削減を図ることができる。

【０２０２】また、コモン線５１の引き回し配線を兼ね
た入力端子５１ａが、コモン線５１の材料（例えば、Ｉ
ＴＯ）よりも抵抗値が低い材料（例えば、Ｔａ）よりな
るため、入力端子５１ａの線幅、即ち、配線ピッチを狭
くすることができ、狭ピッチのＣＯＧ構造とすることが
できる。また、液晶表示素子の額縁面積（非表示領域）
を狭くすることができる（狭額縁化を図ることができ
る）。

【０２０３】さらに、入力端子５１ａを、対向基板２に
配されており、樹脂からなるオーバーコート膜１９上で
はなく、ガラスからなるガラス基板１上（ガラス表面
上、もしくはガラス基板１上に成膜される無機膜上）に
形成することができる。このため、入力端子５１ａとガ
ラス基板１の機械的強度および密着力を上げることがで
き、取り扱い時の端子部の破損がなくなると共に、ＴＡ
Ｂ等の実装不良の際の実装のリワーク処理が容易にな
り、歩留りを向上させることができる。

【０２０４】以下に、本実施の形態に係る液晶表示装置
におけるガラス基板１の製造工程の一例について説明す
る。なお、対向基板２の製造工程、実装工程等について
は、実施の形態１と同様とする。

【０２０５】まず、ガラス基板１上に、Ｔａ等の金属膜
をスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラ
フィー法を用いて所望の形状にパターニングすることに
より、セグメント線５２、セグメント線５２の入力端子
５２ａ、コモン線５１の入力端子５１ａおよび下層コン
タクトパッド１２をパターニングにより形成する。この
とき、入力端子５１ａおよび入力端子５２ａは、各々、
引き回し配線部と駆動回路の接続部とを備えた構造と
し、駆動回路の接続部は、さらに外部から信号電圧を入
力するための図示しない電極を備えた構造とする。ここ
で、本実施の形態においては、ＣＯＧ構造の液晶表示素
子とするための入力端子構造としているが、ＴＡＢ等を
実装する液晶表示素子とすべく、ＴＡＢ接続用の電極を
入力端子５１ａおよび入力端子５２ａに備えた構造とし
てもよい。

【０２０６】次に陽極酸化法を用いて、活性層となるＴ
ａ₂ Ｏ₅ 酸化膜を形成する。そして、入力端子５１ａ・
５２ａ上のＴａ₂ Ｏ₅ 酸化膜をフォトリソグラフィー
法、エッチング法によって除去する。

【０２０７】そして、スパッタリング法によりＣｒ膜を
成膜し、フォトリソグラフィー法を用いて島状にＭＩＭ
５５の対極金属５６を形成する。

【０２０８】その後、スパッタリング法によりＩＴＯ膜
を形成し、フォトリソグラフィー法を用いて画素電極９
を形成する。このとき、画素電極９は対極金属５６と電
気的に接続されている。

【０２０９】続いて、印刷法により図示しない配向膜を
形成し、ラビング法によるラビング処理を施す。

【０２１０】なお、図１６に示すように、下層コンタク
トパッド１２と上層コンタクトパッド１６とが共にＩＴ
Ｏにより形成されていてもかまわない。このとき、Ｔａ
からなる入力端子５１ａと、ＩＴＯからなる下層コンタ
クトパッド１２とは、その一部が接するように重なるこ
とにより電気的に接続されている。

【０２１１】これにより、シール部３内に分散されてい
る導電性粒子２０の位置のばらつきによる下層コンタク
トパッド１２と上層コンタクトパッド１６との接続抵抗
のばらつきを抑制することができる。従って、表示むら
の発生を抑制することができ、表示品位の良好な液晶表
示装置を提供することができる。

【０２１２】

【発明の効果】以上のように、本発明の液晶表示装置
は、シール部が導電性粒子を有し、スイッチング素子が
配されているスイッチング素子側基板とこれに対向する
対向基板との間には、導電性粒子を介して第１信号配線
または第２信号配線と、該第１信号配線または第２信号
配線に対向する基板とを導通接続するための転移部が配
されている構成である。

【０２１３】これにより、アクティブ駆動の液晶表示装
置において、転移部により、上記導電性粒子を介して上
記第１信号配線または第２信号配線と、該第１信号配線
または第２信号配線に対向する基板とが導通接続する。
一般に、アクティブ駆動は隣り合う転移部の接続抵抗の
ばらつきに対する許容範囲が広い。従って、必要な導電
性粒子の数が少なくてすむといった効果を奏する。

【０２１４】本発明の液晶表示装置は、上記両基板のう
ちの一方の基板上に、第１信号配線の入力端子および第
２信号配線の入力端子が設けられている構成である。

【０２１５】これにより、例えば、第１信号配線の入力
端子に接続する駆動用ＩＣと、第２信号配線の入力端子
に接続する駆動用ＩＣとを同一基板上に実装することが
できる。従って、実装作業の効率が上がり、製造コスト
の削減を図ることができる。また、駆動用ＩＣをワンチ
ップ化することができ、実装形態をコンパクト化するこ
とができるといった効果を奏する。

【０２１６】本発明の液晶表示装置は、転移部が、上記
両基板のうちいずれか一方の基板であって第１信号配線
の入力端子および第２信号配線の入力端子が設けられて
いる第１基板上に設けられ、該第１基板上に配されてい
る第１信号配線または第２信号配線と接続されている第
１コンタクトパッドと、上記両基板のうち他方の基板で
ある第２基板上に設けられ、該第２基板上に配されてい
る第１信号配線または第２信号配線と接続されている第
２コンタクトパッドと、第１コンタクトパッドおよび第
２コンタクトパッドに接続される導電性粒子とからなる
構成である。

【０２１７】これにより、同一基板上に、第１信号配線
の入力端子および第２信号配線の入力端子を配すること
ができ、例えばＴＡＢの液晶パネルへの実装工程におい
て液晶表示素子の反転作業を必要としない。従って、実
装作業の効率が上がり、製造コストの削減を図ることが
できるといった効果を奏する。

【０２１８】本発明の液晶表示装置は、第１コンタクト
パッドと第２コンタクトパッドとは、抵抗がほぼ同じで
ある構成である。

【０２１９】これにより、シール部内に分散されている
導電性粒子の位置のばらつきによる第１コンタクトパッ
ドと第２コンタクトパッドとの接続抵抗のばらつきを抑
制することができる。従って、表示むらの発生を抑制す
ることができ、表示品位の良好な液晶表示装置を提供す
ることができるといった効果を奏する。

【０２２０】本発明の液晶表示装置は、第１信号配線と
該第１信号配線に信号を供給する第１信号発生回路との
間、または、第２信号配線と該第２信号配線に信号を供
給する第２信号発生回路との間に、転移部が配されてい
る構成である。

【０２２１】これにより、第１信号配線や第２信号配線
の引き回し配線部を小さくすることができ、従って、液
晶表示装置における額縁面積（非表示領域）を狭くする
ことができる。この結果、液晶表示装置の狭額縁化を図
ることができるといった効果を奏する。

【０２２２】本発明の液晶表示装置は、導電性粒子の平
均分散量をＤ個／ｍｍ² とし、上記両基板と平行方向に
おける転移部の面積をＳｍｍ² とすると、１０００≧Ｄ
＞５／Ｓ、好ましくは、６００≧Ｄ＞５／Ｓ、さらに好
ましくは、４００≧Ｄ＞５／Ｓを満足する構成である。

【０２２３】これにより、シール部の密着力不足、セル
厚の均一性の低下および導電性粒子の凝集による配線間
リーク発生率の増加を防止することができ、高温高湿条
件下でも液晶表示装置の信頼性の低下を防止することが
できる。従って、高歩留りで高精細、狭ピッチの液晶パ
ネルを形成することができ、信頼性の高い液晶表示装置
を提供することができるといった効果を奏する。

【０２２４】本発明の液晶表示装置は、第１基板が、ス
イッチング素子が配されているスイッチング素子側基板
である構成である。

【０２２５】これにより、製造工程の増加を伴うことな
く、第１信号配線の入力端子および第２信号配線の入力
端子の強度の向上を図ることができ、また、低抵抗な配
線での引き回しが可能となることにより、狭額縁化、実
装形態のコンパクト化を図ることができるといった効果
を奏する。

【０２２６】本発明の液晶表示装置は、第１信号配線の
入力端子および第２信号配線の入力端子が、第２基板上
に配されている第１信号配線または第２信号配線よりも
抵抗が小さい導電性材料からなる構成である。

【０２２７】これにより、第１信号配線の入力端子およ
び第２信号配線の入力端子の線幅、即ち、配線ピッチを
狭くすることができ、狭ピッチのＣＯＧ構造とすること
ができる。また、液晶表示素子の額縁面積（非表示領
域）を狭くすることができ、狭額縁化、実装形態のコン
パクト化および実装領域の縮小化を図ることができると
いった効果を奏する。

【０２２８】本発明の液晶表示装置は、上記両基板のう
ち少なくとも一方の基板上に、開口部を有する絶縁膜が
設けられ、該開口部内には、第１コンタクトパッドまた
は第２コンタクトパッドが配されている構成である。

【０２２９】これにより、開口部内に配された導電性粒
子のみによって、第１コンタクトパッドと第２コンタク
トパッドとを接続することができる。このように、導電
性粒子を用いて電気的に接続する必要のない領域に絶縁
膜を形成することにより、配線間ギャップを導電性粒子
の径以下とすることができる。これにより、入力端子に
おける引き回し配線部に要する領域の面積を小さくする
ことができる。従って、導電性粒子を介した配線間リー
クを発生させることなく、液晶表示装置の狭額縁化を図
ることができる。また、分散された導電性粒子が凝集し
ても、隣り合う転移部間における配線間リークの発生を
抑制することができるといった効果を奏する。

【０２３０】本発明の液晶表示装置は、導電性粒子が弾
性を有する構成である。

【０２３１】これにより、対向する２枚の基板を圧着・
固定する際、弾性を有する導電性粒子は、両基板の間で
ある程度変形した状態となる。従って、第１コンタクト
パッドと第２コンタクトパッドとの接続面積を十分に確
保することができ、良好な電気的導通を図ることができ
る。この結果、第１コンタクトパッドと第２コンタクト
パッドとの接続抵抗を低くすることができ、第２信号配
線への信号のなまりを抑制することができるといった効
果を奏する。

【０２３２】本発明の液晶表示装置は、導電性粒子の形
状が球であり、その径は、上記シール部におけるセル厚
より大きい構成である。

【０２３３】これにより、導電性粒子は、少し変形した
状態で第１コンタクトパッドと第２コンタクトパッドと
の電気的接続を可能にする。従って、対向する２枚の基
板間のセル厚にばらつきや変化があったとしても、導電
性粒子が変形することにより、電気的接続を保持するこ
とができる。この結果、安定した電気的接続が可能とな
り、セル厚のばらつきや変化に対してより安定した状態
を可能にすることができるといった効果を奏する。

【０２３４】本発明の液晶表示装置は、導電性粒子が、
液晶層とシール部との界面から５０μｍ以上離れた領域
にのみ配されている構成である。

【０２３５】これにより、シール部を構成するシール材
からの溶出成分、あるいは、イオンの電離の影響によ
る、液晶の電圧保持率低下およびシール部近傍での表示
むらを防止することができる。これにより、液晶表示装
置の画質の経時劣化を防止することができ、安定した信
頼性を有する液晶表示装置を提供することができるとい
った効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の実施の一形態に係る液晶表示
装置のガラス基板の要部の構成を示す平面図であり、
（ｂ）は上記液晶表示装置の対向基板の要部の構成を示
す平面図であり、（ｃ）は上記液晶表示装置の要部の構
成を示す平面図であり、（ｄ）は（ｃ）のＡ−Ａ’線矢
視断面図であり、（ｅ）は（ｃ）のＢ−Ｂ’線矢視断面
図である。

【図２】（ａ）は図１に示す液晶表示装置における転移
部の詳細図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ’線矢視断
面図であり、（ｃ）は（ａ）のＤ−Ｄ’線矢視断面図で
あり、（ｄ）は図１に示す液晶表示装置における転移部
が千鳥状に配されている場合の転移部の詳細図であり、
（ｅ）は（ｄ）のＥ−Ｅ’線矢視断面図であり、（ｆ）
は（ｄ）のＦ−Ｆ’線矢視断面図である。

【図３】（ａ）はアクティブ駆動における走査信号と階
調信号または基準信号との電位を示す説明図であり、
（ｂ）はアクティブ駆動における階調信号線の入力波形
を示す説明図であり、（ｃ）はパッシブ駆動における黒
表示の場合のコモン線およびセグメント線の電位を示す
説明図であり、（ｄ）はパッシブ駆動における白表示の
場合のコモン線およびセグメント線の電位を示す説明図
であり、（ｅ）はパッシブ駆動におけるコモン線への入
力波形とセグメント線への入力波形を示す説明図であ
る。

【図４】転移部の幅と導電性粒子の平均分散量との関係
を示すグラフである。

【図５】押し圧試験の説明図である。

【図６】（ａ）〜（ｃ）は基板を貼り合わせる過程に沿
ったシール材中の導電性粒子の挙動を示す説明図であ
り、（ｄ）は基板を貼り合わせた後のシール部の構成を
示す詳細図である。

【図７】図１に示す液晶表示装置において、下層コンタ
クトパッドと上層コンタクトパッドとが共にＩＴＯによ
り形成されている場合の転移部付近の概略の構成を示す
断面図である。

【図８】（ａ）は下層コンタクトパッドと上層コンタク
トパッドとが共にＩＴＯにより形成されている場合の転
移部の詳細図であり、（ｂ）は（ａ）のＧ−Ｇ’線矢視
断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線矢視断面図
であり、（ｄ）は（ａ）の転移部が千鳥状に配されてい
る場合の転移部の詳細図であり、（ｅ）は（ｄ）のＩ−
Ｉ’線矢視断面図であり、（ｆ）は（ｄ）のＪ−Ｊ’線
矢視断面図である。

【図９】（ａ）は図１に示す液晶表示装置において、さ
らにシール部内に絶縁膜が配されている場合におけるガ
ラス基板の要部の構成を示す平面図であり、（ｂ）は上
記絶縁膜が配されている場合の液晶表示装置の要部の構
成を示す平面図であり、（ｃ）は（ｂ）のＫ−Ｋ’線矢
視断面図であり、（ｄ）は（ｂ）のＬ−Ｌ’線矢視断面
図である。

【図１０】（ａ）は図９に示す液晶表示装置における転
移部の詳細図であり、（ｂ）は（ａ）のＭ−Ｍ’線矢視
断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＮ−Ｎ’線矢視断面図
であり、（ｄ）は図９に示す液晶表示装置における転移
部が千鳥状に配されている場合の転移部の詳細図であ
り、（ｅ）は（ｄ）のＯ−Ｏ’線矢視断面図であり、
（ｆ）は（ｄ）のＰ−Ｐ’線矢視断面図である。

【図１１】ガラス基板上のシール部内に絶縁膜が形成さ
れ、下層コンタクトパッドと上層コンタクトパッドとが
共にＩＴＯにより形成されている場合の転移部付近の概
略の構成を示す断面図である。

【図１２】（ａ）は、駆動ＩＣを１チップとした場合の
ガラス基板の構成を示す平面図であり、（ｂ）は駆動Ｉ
Ｃを１チップとした場合の液晶表示装置の構成を示す平
面図である。

【図１３】（ａ）は本発明の実施の他の形態に係る液晶
表示装置のガラス基板の要部の構成を示す平面図であ
り、（ｂ）は上記液晶表示装置の対向基板の要部の構成
を示す平面図であり、（ｃ）は上記液晶表示装置の要部
の構成を示す平面図であり、（ｄ）は（ｃ）のＱ−Ｑ’
線矢視断面図であり、（ｅ）は（ｃ）のＲ−Ｒ’線矢視
断面図である。

【図１４】（ａ）は図１３に示す液晶表示装置のシール
部内にさらに絶縁膜が配されている場合におけるガラス
基板の要部の構成を示す平面図であり、（ｂ）は上記絶
縁膜が配されている場合の液晶表示装置の要部の構成を
示す平面図であり、（ｃ）は（ｂ）のＳ−Ｓ’線矢視断
面図であり、（ｄ）は（ｂ）のＴ−Ｔ’線矢視断面図で
ある。

【図１５】（ａ）は本発明の実施のさらに他の形態に係
る液晶表示装置のガラス基板の要部の構成を示す平面図
であり、（ｂ）は上記液晶表示装置の対向基板の要部の
構成を示す平面図であり、（ｃ）は上記液晶表示装置の
要部の構成を示す平面図であり、（ｄ）は（ｃ）のＵ−
Ｕ’線矢視断面図であり、（ｅ）は（ｃ）のＶ−Ｖ’線
矢視断面図である。

【図１６】図１５に示す液晶表示装置において、下層コ
ンタクトパッドと上層コンタクトパッドとが共にＩＴＯ
により形成されている場合の転移部付近の概略の構成を
示す断面図である。

【図１７】従来のＳＴＮ−ＬＣＤの構成を示す分解斜視
図である。

【図１８】導電性粒子の分散量の頻度を表す分布図であ
る。

【図１９】従来の、対向基板に共通電極を持つ構造のア
クティブマトリクス型液晶表示装置の等価回路図であ
る。

【図２０】従来の、対向基板にデータ線を有する対向マ
トリクス構造のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
構成を示す分解斜視図である。

【図２１】（ａ）は図２０に示すアクティブマトリクス
型液晶表示装置におけるガラス基板の概略の構成を示す
平面図であり、（ｂ）は図２０に示すアクティブマトリ
クス型液晶表示装置における対向基板の概略の構成を示
す平面図であり、（ｃ）は図２０に示すアクティブマト
リクス型液晶表示装置にＴＡＢを実装した場合の構成を
示す平面図であり、（ｄ）は（ｃ）のＷ−Ｗ’矢視断面
図である。

【図２２】転移部の平均導電性粒子数と不良発生率との
関係を示すグラフである。

【符号の説明】

１ ガラス基板（スイッチング素子側基板、第１基
板） ２ 対向基板（第２基板） ３ シール部 ４ 液晶層 ５ 走査線（第１信号配線） ５ａ 入力端子 ７ 基準電極 ９ 画素電極 １０ 基準信号線 １０ａ 入力端子 １１ ＴＦＴ（スイッチング素子） １２ 下層コンタクトパッド（第１コンタクトパッ
ド） １５ 階調信号線（第２信号配線） １５ａ 入力端子 １６ 上層コンタクトパッド（第２コンタクトパッ
ド） １７ 対向電極 ２０ 導電性粒子 ２１ スペーサ ２２ 駆動用ＩＣ（第１信号発生回路） ２３ 駆動用ＩＣ（第２信号発生回路） ２４ 転移部 ２５ 絶縁膜 ２５ａ 開口部 ２９ 表示領域 ３０ 基準信号線（第２信号配線） ３４ ＴＦＴ（スイッチング素子） ４０ 絶縁膜 ４０ａ 開口部 ５１ コモン線（第２信号配線） ５２ セグメント線（第１信号配線） ５５ ＭＩＭ（スイッチング素子）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 智彦 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 井上 尚人 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 藤原 晃史 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H089 LA07 LA41 QA11 RA10 TA01 TA09 TA12 TA13 2H092 GA40 GA49 GA51 JA03 JA24 JA37 JA41 JB12 MA08 MA15 NA15 NA25 PA01 PA02 PA03 PA08 PA09 QA10

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】スイッチング素子が配されているスイッチ
   ング素子側基板とこれに対向する対向基板との間に液晶
   層を有し、上記両基板のうちの一方の基板上には上記ス
   イッチング素子を制御する第１信号配線が配され、他方
   の基板上には上記液晶層に電圧を印加する第２信号配線
   が上記第１信号配線と対向して配されており、上記液晶
   層を構成する液晶を封入するためのシール部が、上記両
   基板間における表示領域の外側領域に設けられている液
   晶表示装置において、 上記シール部は導電性粒子を有し、上記両基板間には、
   導電性粒子を介して上記第１信号配線または第２信号配
   線と、該第１信号配線または第２信号配線に対向する基
   板とを導通接続するための転移部が配されていることを
   特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】上記両基板のうちの一方の基板上には、上
   記第１信号配線の入力端子および上記第２信号配線の入
   力端子が設けられていることを特徴とする請求項１に記
   載の液晶表示装置。
3. 【請求項３】上記転移部は、上記両基板のうちいずれか
   一方の基板であって、上記第１信号配線の入力端子およ
   び上記第２信号配線の入力端子が設けられている第１基
   板上に設けられ、該第１基板上に配されている上記第１
   信号配線または上記第２信号配線と接続されている第１
   コンタクトパッドと、 上記両基板のうち他方の基板である第２基板上に設けら
   れ、該第２基板上に配されている上記第１信号配線また
   は上記第２信号配線と接続されている第２コンタクトパ
   ッドと、 上記第１コンタクトパッドおよび第２コンタクトパッド
   に接続される上記導電性粒子とからなることを特徴とす
   る請求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. 【請求項４】上記第１コンタクトパッドと上記第２コン
   タクトパッドとは、抵抗がほぼ同じであることを特徴と
   する請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 【請求項５】上記第１信号配線と該第１信号配線に信号
   を供給する第１信号発生回路との間、または、上記第２
   信号配線と該第２信号配線に信号を供給する第２信号発
   生回路との間に、上記転移部が配されていることを特徴
   とする請求項３または４に記載の液晶表示装置。
6. 【請求項６】上記導電性粒子の平均分散量をＤ個／ｍｍ
   ² とし、上記両基板と平行方向における上記転移部の面
   積をＳｍｍ² とすると、 １０００≧Ｄ＞５／Ｓ を満足することを特徴とする請求項１ないし５のいずれ
   か１項に記載の液晶表示装置。
7. 【請求項７】上記導電性粒子の平均分散量をＤ個／ｍｍ
   ² とし、上記両基板と平行方向における上記転移部の面
   積をＳｍｍ² とすると、 ６００≧Ｄ＞５／Ｓ を満足することを特徴とする請求項１ないし６のいずれ
   か１項に記載の液晶表示装置。
8. 【請求項８】上記導電性粒子の平均分散量をＤ個／ｍｍ
   ² とし、上記両基板と平行方向における上記転移部の面
   積をＳｍｍ² とすると、 ４００≧Ｄ＞５／Ｓ を満足することを特徴とする請求項１ないし７のいずれ
   か１項に記載の液晶表示装置。
9. 【請求項９】上記第１基板は、スイッチング素子が配さ
   れている上記スイッチング素子側基板であることを特徴
   とする請求項３に記載の液晶表示装置。
10. 【請求項１０】上記第１信号配線の入力端子および第２
    信号配線の入力端子は、上記第２基板上に配されている
    上記第１信号配線または第２信号配線よりも抵抗が小さ
    い導電性材料からなることを特徴とする請求項３ないし
    ９のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
11. 【請求項１１】上記両基板のうち少なくとも一方の基板
    上には、開口部を有する絶縁膜が設けられ、該開口部内
    には、上記第１コンタクトパッドまたは上記第２コンタ
    クトパッドが配されていることを特徴とする請求項３な
    いし１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
12. 【請求項１２】上記導電性粒子は弾性を有することを特
    徴とする請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の液
    晶表示装置。
13. 【請求項１３】上記導電性粒子の形状は球であり、その
    径は、上記シール部におけるセル厚より大きいことを特
    徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
14. 【請求項１４】上記導電性粒子は、上記液晶層と上記シ
    ール部との界面から５０μｍ以上離れた領域にのみ配さ
    れていることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれ
    か１項に記載の液晶表示装置。