[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

JP2002185039A - 素子の転写方法、素子保持基板の形成方法、及び素子保持基板 - Google Patents

素子の転写方法、素子保持基板の形成方法、及び素子保持基板

Info

Publication number
JP2002185039A
JP2002185039A JP2000380944A JP2000380944A JP2002185039A JP 2002185039 A JP2002185039 A JP 2002185039A JP 2000380944 A JP2000380944 A JP 2000380944A JP 2000380944 A JP2000380944 A JP 2000380944A JP 2002185039 A JP2002185039 A JP 2002185039A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
layer
element holding
light emitting
emitting diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000380944A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4461616B2 (ja
Inventor
Toshiaki Iwabuchi
寿章 岩渕
Yoshiyuki Yanagisawa
喜行 柳澤
Toyoji Ohata
豊治 大畑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2000380944A priority Critical patent/JP4461616B2/ja
Priority to US10/024,690 priority patent/US6939729B2/en
Publication of JP2002185039A publication Critical patent/JP2002185039A/ja
Priority to US11/059,865 priority patent/US6969624B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4461616B2 publication Critical patent/JP4461616B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68368—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving at least two transfer steps, i.e. including an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T225/00—Severing by tearing or breaking
    • Y10T225/10—Methods

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】工程の増加を招かずに短時間での転写を可能と
し、転写の歩留まりも低下しないような素子の転写方
法、素子保持基板の製造方法、及び素子保持基板を提供
する。 【解決手段】 第一基板１０と該第一基板１０上に形成
した発光ダイオード１２の界面にエネルギービームを第
一基板１０を透過しながら選択的に照射して発光ダイオ
ード１２を選択的に剥離し、さらに発光ダイオード１２
を素子保持基板上に形成された素子保持層１３に転写し
た後で、さらに第二基板１８に転写する。界面へのエネ
ルギービームの照射によって、素子を簡便に剥離するこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は微細加工された素子
を選択的に剥離して他の基板上に転写する素子の転写方
法、素子保持基板の形成方法及び素子保持基板に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、発光素子をマトリクス状に配列し
て画像表示装置に組み上げる場合には、液晶表示装置
（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）やプラズマディス
プレイパネル（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）のよう
に基板上に素子を形成するか、或いは発光ダイオードデ
ィスプレイ（ＬＥＤディスプレイ）のように単体のＬＥ
Ｄパッケージを配列することが行われている。従来のＬ
ＣＤ、ＰＤＰの如き画像表示装置においては、素子や画
素のピッチとその製造プロセスに関し、素子分離ができ
ないために製造プロセスの当初から各素子はその画像表
示装置の画素ピッチだけ間隔を空けて形成することが通
常行われている。
【０００３】また、発光素子に限らず、半導体薄膜素子
や半導体素子を密に一旦基板上に形成し、他の基板に転
写する技術があり、例えば特開平１１−２６７３３号公
報に記載される薄膜デバイスの転写方法においては、液
晶制御素子としての薄膜デバイスの製造時に使用した基
板と製品の実装時に使用する基板とを異ならせ、実装時
に使用する基板に対して薄膜デバイスを転写することが
行われている。また、他の転写技術としては、例えば特
開平７−２５４６９０号公報に記載される転写方法があ
り、基板上の素子部分（半導体板）との境界部分に微小
気泡を生ずる膜が形成され、レーザービームの照射によ
って微小気泡を発生させて素子部分（半導体板）が支持
体側に転写される例も知られている。さらに、特開平１
１-１４２８７８号に記載される技術では、第１の基板
上の液晶表示部を構成する薄膜トランジスタが第２の基
板上に全体転写され、次にその第２の基板から選択的に
画素ピッチに対応する第３の基板に転写する技術が開示
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが前述のような
転写技術では、次のような問題が生ずる。先ず、特開平
１１−２６７３３号公報に記載される薄膜デバイスの転
写方法においては、第二分離層の熱溶融性接着剤層には
レーザー光の照射によってアブレーションが生じ、その
際にガスなどが発生することになり、その処理がプロセ
ス上問題となる。また、その熱溶融性接着剤層は素子を
二次転写体に転写したときに接着剤層自体が残存するこ
とになり、キシレンなどを使用しながらの除去が必要と
なる。接着剤層であるエポキシ樹脂を硬化させて次転写
体に接着させるには、エポキシ樹脂の硬化のための長い
硬化時間が必要になる。更に、薄膜トランジスタなどの
薄膜デバイスを基板全体から剥離するために、基板全面
のアモルファスシリコンを予め形成しておく必要があ
り、且つ基板全面にレーザー照射をしなければならな
い。
【０００５】特開平７−２５４６９０号公報に記載され
る転写方法においては、レーザー照射が支持体を透過す
るため、支持体がレーザーを透過するものに限定され
る。また、当公報には、半導体板と支持体との間で十分
な結合エネルギーが提供され、支持体へ付着すると記載
されているが、半導体板と支持体との間でレーザーの吸
収が行われていることになり、アブレーションによって
気泡が生じ半導体素子が破壊されることになりかねず、
歩留まりが低下してしまうことになる。
【０００６】また、特開平１１-１４２８７８号に記載
される技術では、転写対象の薄膜トランジスタ素子の部
分に選択的に紫外線が選択的に照射され、薄膜トランジ
スタ素子と転写元基板の間に形成されたＵＶ剥離樹脂の
接着力を低下させることが行われている。ところが、紫
外線の照射によってＵＶ剥離樹脂の接着力が低下するに
は時間がかかり、プロセス上のスループットの低下を招
き、また、十分は接着力の低下が得られないときでは、
転写の歩留まりも低下してしまうことになる。
【０００７】そこで、本発明は微細加工された素子を転
写する際に、工程の増加を招かずに短時間での転写を可
能とし、転写の歩留まりも低下しないような素子の転写
方法、素子保持基板の製造方法、及び素子保持基板を提
供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上述の技術的な課題を解
決するため、本発明の素子の転写方法は、第一基板と該
第一基板上に形成した素子の界面にエネルギービームを
該第一基板を透過しながら選択的に照射して該素子を選
択的に剥離する工程と、前記選択的に剥離された素子を
素子保持基板上に形成された素子保持層に転写する工程
と、前記素子保持層に転写された前記素子を第二基板に
転写する工程とを有することを特徴とする。
【０００９】上述の素子の転写方法においては、素子の
剥離用のエネルギービームは素子と第一基板の界面に選
択的に照射されるため、不要な部分へエネルギーがな
く、素子と基板の界面での剥離が短時間で行われ、素子
と基板の界面はわざわざ形成したものではなく、素子を
形成する過程で自然に形成される面であるために、剥離
を目的とする工程数の増加は最小限に抑えることができ
る。
【００１０】本発明において、特に素子としてはエネル
ギービームの照射によってアブレーションを生じさせる
材料で構成された素子を使用することができ、例えば、
窒化物半導体材料からなる半導体発光素子などを用いる
ことができる。この窒化物半導体材料からなる半導体発
光素子は、サファイヤ基板上に結晶成長させて作成する
ことが可能であり、サファイヤ基板は所要のエネルギー
ビームを透過するために、剥離を生じさせるエネルギー
ビームを当該サファイヤ基板と半導体発光素子の界面に
導くことができる。
【００１１】また、本発明の素子保持基板の形成方法
は、尖頭部を有する素子を形成した基板を用意し、素子
保持基板上に未硬化のシリコーン樹脂層を形成した後、
前記尖頭部を有する素子を形成した基板を前記素子保持
基板に貼り合わせ、前記シリコーン樹脂層を前記尖頭部
と嵌合する形状の凹部を表面に形成することを特徴とす
る。
【００１２】シリコーン樹脂層の表面に素子の尖頭部と
嵌合する形状の凹部が形成されるため、保持の際に位置
ずれなどの生じないように確実に尖頭部を有する素子を
保持することができる。更にシリコーン樹脂層は表面自
体に粘着性があり、尖頭部と凹部による嵌合から素子を
確実に保持できる。
【００１３】
【発明の実施の態様】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、第１実
施形態は平板状の発光ダイオードを選択的に転写する方
法の例であり、第２実施形態は尖頭部を有する発光ダイ
オードを選択的に転写する方法の例であり、また、第３
実施形態はシリコーン樹脂層を用いた素子保持基板の製
造方法の例である。
【００１４】[第１実施形態]本実施形態の素子の転写方
法について、図１乃至図５を参照しながら説明する。先
ず、図１に示すように、光透過性の第一基板であるサフ
ァイヤ基板１０上に、発光ダイオード１２がマトリクス
状に配列されるように複数形成される。この発光ダイオ
ード１２は、窒化ガリウムなどの窒化物半導体系の材料
によって構成される素子であり、一例として、活性層を
クラッド層が挟んで構成されたダブルヘテロ構造を有す
る。発光ダイオード１２は、サファイヤ基板１０上で選
択成長などによって窒化ガリウム結晶層などを積層させ
ることで構成され、この図１の段階では所要の発光領域
は形成されているが、最終的な配線は施されていない。
マトリクス状に配列される発光ダイオード１２は、個々
の素子ごとに分離されてサファイヤ基板１０上に配置さ
れている。個々の素子ごとには、例えば、ＲＩＥ（反応
性イオンエッチング）などによって分離可能である。発
光ダイオード１２は略平板状であり、当該発光ダイオー
ド１２の活性層、クラッド層はサファイヤ基板１０の主
面と平行な面で延在される。
【００１５】これらの発光ダイオード１２を一時保持す
るための素子保持基板１４が用意され、その素子保持基
板１４のサファイヤ基板１０に対向する面には素子保持
層１３が形成されている。素子保持基板１４は所要の剛
性を有した基板であり、半導体基板、石英ガラス基板、
ガラス基板、プラスチック基板、金属基板などの種々の
基板を用いることができる。この素子保持基板１４は特
にレーザー光などの光を透過させる必要がないので、光
透過性の材料でなくとも良い。素子保持層１３は一時的
に発光ダイオード１２の表面に接着して発光ダイオード
１２を保持する接着層である。素子保持層１３は熱可塑
性樹脂や熱硬化性樹脂などによって構成することができ
るが、特にシリコーン樹脂を用いることが好適である。
シリコーン樹脂はエキシマレーザーやＹＡＧレーザーの
光を照射した場合でもアブレーションが発生せず、素子
のみを剥離することができるので歩留まりを良くするこ
とができる。
【００１６】素子保持層１３が表面に形成された素子保
持基板１４がサファイヤ基板１０の主面に対峙され、所
要の圧力で複数の発光ダイオード１２が素子保持層１３
の表面に圧着される。次に、図１に示すように、エキシ
マレーザーやＹＡＧレーザーなどのレーザー光１５を選
択的に照射して、選択対象となる発光ダイオード１２と
サファイヤ基板１０の界面にレーザーアブレーションを
生じさせる。レーザーアブレーションとは、照射光を吸
収した固定材料が光化学的または熱的に励起され、その
表面や内部の原子または分子の結合が切断されて放出す
ることをいい、主に固定材料の全部または一部が溶融、
蒸発、気化などの相変化を生じる現象として現れる。こ
のレーザーアブレーションによって、選択対象となる発
光ダイオード１２とサファイヤ基板１０の間ではＧａＮ
系材料が金属のＧａと窒素に分解してガスが発生する。
このため発光ダイオード１２は比較的簡単に剥離でき
る。照射されるレーザー光１５としては、特に短波長域
で高出力であることから、エキシマレーザーを用いるこ
とが好ましく、瞬時での処理が可能である。レーザー光
１５は選択対象となる発光ダイオード１２に選択的に照
射される。選択的な照射を行うために、所要の開口部を
有するマスクを使用したり、照射、非照射を制御しなが
ら走査するようにすることも可能である。
【００１７】図２はレーザーアブレーションにより、発
光ダイオード１２が選択的に剥離されたところを示す図
であり、素子保持層１３の表面１３ａに選択対象とされ
た発光ダイオード１２が貼り付いて素子保持基板１４側
に保持される。
【００１８】次に、図３に示すように、発光ダイオード
１２が保持された素子保持基板１４を基板ごと洗浄槽１
６内の洗浄液１６ｆに浸漬し、発光ダイオード１２のレ
ーザーアブレーションによって剥がれた面に残存する金
属等を洗浄によって除去する。この金属等は、主にレー
ザーアブレーションによって蒸発した窒素により生成さ
れた金属Ｇａを主体とするものである。洗浄液１６ｆと
しては、アルカリ系、酸系のどちらのエッチング液を用
いても良く、この工程においても素子保持層１３として
特にシリコーン樹脂を用いた場合では、発光ダイオード
１２が素子保持層１３の表面１３ａに貼りつけたまま洗
浄を進めることができ、且つシリコーン樹脂は耐アルカ
リ、耐酸性であるため、侵食されることがなく、そのま
ま発光ダイオード１２を保持できる。
【００１９】発光ダイオード１２の洗浄の後、図４に示
すように、主面上に接着剤層１９が形成された第二基板
１８を用意する。この第二基板１８は例えば石英ガラス
などの光透過性材料で構成され、また、接着剤層１９と
してはＵＶ硬化型接着剤や、熱硬化型接着剤、熱可塑型
接着剤などを用いることができる。この主面上に接着剤
層１９が形成された第二基板１８を発光ダイオード１２
が保持された素子保持基板１４上に合わせ、エネルギー
光１７の照射を行って、素子保持基板１４上の発光ダイ
オード１２を第二基板１８に転写する。接着剤層１９が
ＵＶ硬化型接着剤の場合には、エネルギー光１７として
紫外線を照射することで接着剤層１９を硬化することが
でき、接着剤層１９の未硬化領域１９ｙを発光ダイオー
ド１２に当接させた後に、紫外線を照射することで発光
ダイオード１２を着実に固着できる。接着剤層１９が熱
硬化型接着剤或いは熱可塑型接着剤の場合には、赤外線
レーザー光を照射して硬化もしくは再溶融して接着でき
ることになる。発光ダイオード１２に対応する領域だけ
を硬化や再溶融して発光ダイオード１２を接着するよう
にすることもでき、接着剤層１９の全面を一括して硬化
させたり再溶融させて発光ダイオード１２を接着するよ
うにしても良い。素子保持層１３として特にシリコーン
樹脂を用いた場合では、接着剤層１９と素子保持層１３
が接触した場合でも、剥離性が優れており、容易に素子
保持基板１４を剥がすことができる。
【００２０】最後に、図５に示すように、素子保持層１
３ごと素子保持基板１４が取り去られ、選択的な発光ダ
イオード１２の転写が行われた第二基板１８が得られる
ことになる。
【００２１】上述の素子の転写方法においては、素子の
剥離用のエネルギービームは素子と第一基板の界面に選
択的に照射されるため、レーザーアブレーションによっ
て素子と基板の界面での剥離が短時間で行われ、素子な
どへの損傷は生じない。素子と基板の界面はわざわざ形
成したものではなく、素子を形成する過程で自然に形成
される面であるために、剥離を目的とする剥離用の薄膜
の形成は不要であって、工程数の増加は最小限に抑える
ことができる。また、発光ダイオード１２は平板型であ
り、例えばシリコーン樹脂などより構成される素子保持
層１３に確実に貼りついて、位置ずれもなく転写され
る。従って、製造の歩留まりの低下を抑えて画像表示装
置などを製造できることになる。
【００２２】[第２実施形態]本実施形態の素子の転写方
法について、先ず、図６に本実施形態で使用される素子
の一例としての発光素子の構造を示す。この発光素子は
尖頭部を有した素子構造を有する。図６の（ａ）が素子
断面図であり、図６の（ｂ）が平面図である。この発光
素子はＧａＮ系の発光ダイオードであり、たとえばサフ
ァイヤ基板上に結晶成長される素子である。このような
ＧａＮ系の発光ダイオードでは、基板を透過するレーザ
ー照射によってレーザーアブレーションが生じ、ＧａＮ
の窒素が気化する現象にともなってサファイヤ基板とＧ
ａＮ系の成長層の間の界面で膜剥がれが生じ、素子分離
を容易なものにできる特徴を有している。
【００２３】まず、その構造については、ＧａＮ系半導
体層からなる下地成長層３１上に選択成長された六角錐
形状のＧａＮ層３２が形成されている。なお、下地成長
層３１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状の
ＧａＮ層３２はその絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ
法などによって形成される。このＧａＮ層３２は、成長
時に使用されるサファイヤ基板の主面をＣ面とした場合
にＳ面（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の成長
層であり、シリコンをドープさせた領域である。このＧ
ａＮ層３２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構造の
クラッドとして機能する。ＧａＮ層３２の傾斜したＳ面
を覆うように活性層であるＩｎＧａＮ層３３が形成され
ており、その外側にマグネシュームドープのＧａＮ層３
４が形成される。このマグネシュームドープのＧａＮ層
３４もクラッドとして機能する。
【００２４】このような発光ダイオードには、ｐ電極３
５とｎ電極３６が形成されている。ｐ電極３５はマグネ
シュームドープのＧａＮ層３４上に形成されるＮｉ／Ｐ
ｔ／ＡｕまたはＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材
料を蒸着して形成される。ｎ電極３６は前述の図示しな
い絶縁膜を開口した部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなど
の金属材料を蒸着して形成される。なお、下地成長層３
１の裏面側からｎ電極取り出しを行う場合は、ｎ電極３
６の形成は下地成長層３１の表面側には不要となる。
【００２５】このような構造のＧａＮ系の発光ダイオー
ドは、六角錐形状からなる尖頭部を備えた青色発光も可
能な素子であって、特にレーザーアブレーションよって
比較的簡単にサファイヤ基板から剥離することができ、
レーザービームを選択的に照射することで選択的な剥離
が実現される。なお、ＧａＮ系の発光ダイオードとして
は、平板上や帯状に活性層が形成される構造であっても
良く、上端部にＣ面が形成された角錐構造のものであっ
ても良い。また、他の窒化物系発光素子や化合物半導体
素子などであっても良い。
【００２６】図７乃至図１１を参照しながら説明する。
図７に示すように、光透過性の第一基板であるサファイ
ヤ基板４０上に、六角錐形状の尖頭部４２ａを備えた発
光ダイオード４２がマトリクス状に配列されるように複
数形成される。この発光ダイオード４２は、窒化ガリウ
ムなどの窒化物半導体系の材料によって構成される素子
であり、一例として、活性層をクラッド層が挟んで構成
されたダブルヘテロ構造を有する。発光ダイオード４２
は、主面をＣ面とするサファイヤ基板４０上で選択成長
などによって窒化ガリウム結晶層などを積層させること
で構成され、この図４の段階では所要の発光領域は形成
されているが、最終的な配線は施されていない。マトリ
クス状に配列される発光ダイオード４２は、個々の素子
ごとに分離されてサファイヤ基板４０上に配置されてい
る。個々の素子ごとには、例えば、ＲＩＥ（反応性イオ
ンエッチング）などによって分離可能である。発光ダイ
オード４２の活性層、クラッド層は尖頭部４２ａの斜面
と平行な面に延在される。
【００２７】これらの発光ダイオード４２を一時保持す
るための素子保持基板４４が用意され、その素子保持基
板４４のサファイヤ基板４０に対向する面にはシリコー
ン樹脂層４３が形成されている。素子保持基板４４は所
要の剛性を有した基板であり、半導体基板、石英ガラス
基板、ガラス基板、プラスチック基板、金属基板などの
種々の基板を用いることができる。この素子保持基板４
４は特にレーザー光などの光を透過させる必要がないの
で、光透過性の材料でなくとも良い。シリコーン樹脂層
４３は一時的に発光ダイオード４２の表面に接着して発
光ダイオード４２を保持する接着層である。このシリコ
ーン樹脂層４３の表面には複数の凹部４３ｂが発光ダイ
オード４２の位置に形成されており、その各凹部４３ｂ
の形状は発光ダイオード４２の尖頭部４２ａを雄型とし
た場合の雌型の関係にあり、丁度尖頭部４２ａが嵌合す
る形状となっている。特に素子保持層としてシリコーン
樹脂を用いることがで、エキシマレーザーやＹＡＧレー
ザーの光を照射した場合でもアブレーションが発生せ
ず、素子のみを剥離することができ、歩留まりを良くす
ることができる。
【００２８】シリコーン樹脂層４３が表面に形成された
素子保持基板４４がサファイヤ基板４０の主面に対峙さ
れ、所要の圧力で複数の発光ダイオード４２がシリコー
ン樹脂層４３の表面に圧着される。次に、図７に示すよ
うに、エキシマレーザーやＹＡＧレーザーなどのレーザ
ー光４５を選択的に照射して、選択対象となる発光ダイ
オード４２とサファイヤ基板４０の界面にレーザーアブ
レーションを生じさせる。レーザーアブレーションによ
って、選択対象となる発光ダイオード４２とサファイヤ
基板４０の間ではＧａＮ系材料が金属のＧａと窒素に分
解してガスが発生して、発光ダイオード４２は比較的簡
単に剥離できる。照射されるレーザー光４５としては、
特に短波長域で高出力であることから、エキシマレーザ
ーを用いることが好ましく、瞬時での処理が可能であ
る。レーザー光４５は選択対象となる発光ダイオード４
２に選択的に照射される。選択的な照射を行うために、
所要の開口部を有するマスクを使用したり、照射、非照
射を制御しながら走査するようにすることも可能であ
る。
【００２９】図８はレーザーアブレーションにより、発
光ダイオード４２が選択的に剥離されたところを示す図
であり、シリコーン樹脂層４３の表面に形成された凹部
４３ｂに選択対象とされた発光ダイオード４２の尖頭部
４２ａが嵌合して素子保持基板４４側に着実に保持され
る。仮に、凹部４３ｂを設けずに、平坦な表面で尖頭部
４２ａを有する発光ダイオード４２を保持しようとした
場合では、尖頭部４２ａが倒れてしまって正確な位置決
めができないなども問題が生ずるが、本実施形態のよう
に、凹部４３ｂを設けることで発光ダイオード４２が確
実に保持されることになる。
【００３０】次に図９に示すように、発光ダイオード４
２が保持された素子保持基板４４を基板ごと洗浄槽４６
内の洗浄液４６ｆに浸漬し、発光ダイオード４２のレー
ザーアブレーションによって剥がれた面に残存する金属
等を洗浄によって除去する。この金属等は、主にレーザ
ーアブレーションによって蒸発した窒素により生成され
た金属Ｇａを主体とするものである。洗浄液４６ｆとし
ては、アルカリ系、酸系のどちらのエッチング液を用い
ても良く、この工程においてもシリコーン樹脂層４３と
して特にシリコーン樹脂を用いた場合では、発光ダイオ
ード４２がシリコーン樹脂層４３の表面４３ａに貼りつ
けたまま洗浄を進めることができ、且つシリコーン樹脂
は耐アルカリ、耐酸性であるため、侵食されることがな
く、そのまま発光ダイオード４２を保持できる。
【００３１】発光ダイオード４２の洗浄の後、図１０に
示すように、主面上に接着剤層４９が形成された第二基
板４８を用意する。この第二基板４８は例えば石英ガラ
スなどの光透過性材料で構成され、また、接着剤層４９
としてはＵＶ硬化型接着剤や、熱硬化型接着剤、熱可塑
型接着剤などを用いることができる。この主面上に接着
剤層４９が形成された第二基板４８を発光ダイオード４
２が保持された素子保持基板４４上に合わせ、エネルギ
ー光４７の照射を行って、素子保持基板４４上の発光ダ
イオード４２を第二基板４８に転写する。接着剤層４９
がＵＶ硬化型接着剤の場合には、エネルギー光４７とし
て紫外線を照射することで接着剤層４９を硬化すること
ができ、接着剤層４９の未硬化領域４９ｙを発光ダイオ
ード４２に当接させた後に、紫外線を照射することで発
光ダイオード４２を着実に固着できる。接着剤層４９が
熱硬化型接着剤或いは熱可塑型接着剤の場合には、赤外
線レーザー光を照射して硬化もしくは再溶融して接着で
きることになる。発光ダイオード４２に対応する領域だ
けを硬化や再溶融して発光ダイオード４２を接着するよ
うにすることもでき、接着剤層４９の全面を一括して硬
化させたり再溶融させて発光ダイオード４２を接着する
ようにしても良い。素子保持層としてシリコーン樹脂層
４３を形成していることから、接着剤層４９とシリコー
ン樹脂層４３が接触した場合でも、剥離性が優れてお
り、容易に素子保持基板４４を剥がすことができる。
【００３２】最後に、図５に示すように、凹部４３ｂが
形成されたシリコーン樹脂層４３ごと素子保持基板４４
が取り去られ、選択的な発光ダイオード４２の転写が行
われた第二基板４８が得られることになる。
【００３３】上述の素子の転写方法においては、素子の
剥離用のエネルギービームは素子と第一基板の界面に選
択的に照射されるため、レーザーアブレーションによっ
て素子と基板の界面での剥離が短時間で行われ、素子な
どへの損傷は生じない。素子と基板の界面はわざわざ形
成したものではなく、素子を形成する過程で自然に形成
される面であるために、剥離を目的とする剥離用の薄膜
の形成は不要であって、工程数の増加は最小限に抑える
ことができる。また、発光ダイオード４２は尖頭部４２
ａを有した構造とされているが、素子保持層であるシリ
コーン樹脂層４３には該尖頭部４２ａと嵌合する凹部４
３ｂが形成されていることから、発光ダイオード４２は
シリコーン樹脂層４３に確実に貼りついて、位置ずれも
なく転写される。従って、製造の歩留まりの低下を抑え
て画像表示装置などを製造できることになる。
【００３４】[第３の実施形態]本実施形態は凹部を有す
るシリコーン樹脂層を形成した素子保持基板と、その形
成方法についての実施形態である。図１２乃至図１４を
参照しながらその形成方法について説明する。
【００３５】はじめに図１２に示すように、サファイヤ
基板５０上に六角錐形状の尖頭部５２ａを備えた発光ダ
イオード５２がマトリクス状に配列されるように複数形
成される。この発光ダイオード５２は、図６に示した発
光ダイオードと同じ構成であり、窒化ガリウムなどの窒
化物半導体系の材料によって構成される素子である。こ
のマトリクス状に配列される発光ダイオード５２は、個
々の素子ごとに分離されてサファイヤ基板５０上に配置
されている。これら発光ダイオード５２上には剥離層５
３が形成される。ここで剥離層５３としてはテフロンや
シリコーンなどの材料層が使用され、あるいは他の離型
剤などを使用しても良い。このとき素子の形状を損なう
ことのないように、剥離層５３の材料の粘度を低くす
る。このような低粘度への制御はキシレンなどの溶剤を
使用することで可能である。
【００３６】発光ダイオード５２上を覆う剥離層５３を
硬化させた後、図１３に示すように、素子保持基板５５
をサファイヤ基板５０に対峙させ、これら素子保持基板
５５とサファイヤ基板５０の間にボイドが入らないよう
にシリコーン樹脂を注入する。するとシリコーン樹脂は
剥離層５３が形成された発光ダイオード５２の各尖頭部
５２ａの間に回りこみ、発光ダイオード５２の各尖頭部
５２ａの形状を反映して硬化する。このシリコーン樹脂
の硬化によって尖頭部５２ａと嵌合する形状の凹部５４
ｂを表面に形成するシリコーン樹脂層５４が素子保持基
板５５上に形成される。
【００３７】続いて、型として使用した各発光ダイオー
ド５２をサファイヤ基板５０ごと抜き取り、図１４に示
すように、尖頭部５２ａと嵌合する形状の凹部５４ｂを
表面に有するシリコーン樹脂層５４を備えた素子保持基
板５５を完成する。サファイヤ基板５０は、各発光ダイ
オード５２上には剥離層５３が形成されているために、
容易に剥離することができる。
【００３８】このような尖頭部５２ａと嵌合する凹部５
４ｂを有するシリコーン樹脂層５４を備えた素子保持基
板５５を用いることで、発光ダイオード５２は尖頭部５
２ａ側が保持されて転写されるにもかかわらず、尖頭部
５２ａと凹部５４ｂが確実に嵌合するため、その位置ズ
レのない転写が実現される。また、シリコーン樹脂層
は、レーザーアブレーションを生じないなどの利点があ
り、また、洗浄液に対しても耐アルカリ、耐酸性など点
で取り扱いが容易である。
【００３９】[第４実施形態]本実施形態の素子の転写方
法について、図１５乃至図１９を参照しながら説明す
る。本実施形態は液晶表示素子に用いられる薄膜トラン
ジスタ素子の転写の例である。先ず、図１５に示すよう
に、光透過性の第一基板であるガラスなどの透明基板６
１上に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）素子６２がマトリ
クス状に配列されるように複数形成される。この時、薄
膜トランジスタ素子６２は液晶としての画素のピッチよ
りも大幅に狭いピッチで形成される。換言すると、転写
時にピッチを広げられることから、薄膜トランジスタ素
子６２自体は高密度に形成することができる。
【００４０】この薄膜トランジスタ素子６２の構造につ
いては、図１５の右側の拡大図に示すように、再結晶化
されたシリコンなどの半導体薄膜６２ａ上にゲート絶縁
膜を介してゲート電極層６２ｇが形成されており、半導
体薄膜６２ａは例えばシリコン酸化膜などからなる絶縁
領域６０の上に形成されている。半導体薄膜６２ａとゲ
ート電極層６２ｇは層間絶縁膜６２ｉに被覆されてお
り、半導体薄膜６２ａに形成されたソースドレイン領域
６２ｓｄ、６２ｓｄ上の層間絶縁膜６２ｉが開口され、
配線電極６２ｅが形成されている。絶縁領域６０の下部
には、レーザー照射によってレーザーアブレーションを
生じさせる剥離膜５９が形成される。
【００４１】この薄膜トランジスタ素子６２は、後述す
るようにアクティブマトリクス型の液晶表示装置の各画
素ごとに配列される素子であり、ガラスやプラスチック
などの透明材料からなる第二基板上に第一基板上から位
置を離間するように形成される。この図１の段階では所
要のトランジスタ領域は形成されているが、最終的な配
線は施されていない。マトリクス状に配列される薄膜ト
ランジスタ素子６２は、個々の素子ごとに分離されて透
明基板６１上に配置されている。個々の薄膜トランジス
タ素子６２ごとには、例えば、ＲＩＥ（反応性イオンエ
ッチング）などによって分離可能である。
【００４２】これら薄膜トランジスタ素子６２のを一時
保持するための素子保持基板６４が用意され、その素子
保持基板６４の透明基板６１に対向する面には素子保持
層６３が形成されている。素子保持基板６４は所要の剛
性を有した基板であり、半導体基板、石英ガラス基板、
ガラス基板、プラスチック基板、金属基板などの種々の
基板を用いることができる。この素子保持基板６４は特
にレーザー光などの光を透過させる必要がないので、光
透過性の材料でなくとも良い。素子保持層６３は一時的
に薄膜トランジスタ素子６２の表面に接着して薄膜トラ
ンジスタ素子６２を保持する接着層である。素子保持層
６３は熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂などによって構成す
ることができるが、特にシリコーン樹脂を用いることが
好適である。シリコーン樹脂はエキシマレーザーやＹＡ
Ｇレーザーの光を照射した場合でもアブレーションが発
生せず、素子のみを剥離することができるので歩留まり
を良くすることができる。
【００４３】素子保持層６３が表面に形成された素子保
持基板６４が透明基板６１の主面に対峙され、所要の圧
力で複数の薄膜トランジスタ素子６２が素子保持層６３
の表面に圧着される。図１５に示すように、エキシマレ
ーザーやＹＡＧレーザーなどのレーザー光を選択的に照
射して、選択対象となる薄膜トランジスタ素子６２と透
明基板６１の界面にレーザーアブレーションを生じさせ
る。このレーザーアブレーションによって、選択対象と
なる薄膜トランジスタ素子６２と透明基板６１の間で
は、薄膜トランジスタ素子６２の底部に形成された剥離
膜５９にガスが発生する。このため薄膜トランジスタ素
子６２は比較的簡単に剥離できる。照射されるレーザー
光としては、特に短波長域で高出力であることから、エ
キシマレーザーを用いることが好ましく、瞬時での処理
が可能である。レーザー光は選択対象となる薄膜トラン
ジスタ素子６２に選択的に照射される。選択的な照射を
行うために、所要の開口部を有するマスクを使用した
り、照射、非照射を制御しながら走査するようにするこ
とも可能である。剥離膜５９としては、選択的に照射さ
れるレーザーの特性に合わせた膜を選ぶことができ、た
とえば非晶質シリコン薄膜や窒化膜などを用いることが
できる。
【００４４】図１６はレーザーアブレーションにより、
薄膜トランジスタ素子６２が選択的に剥離されたところ
を示す図であり、素子保持層６３の表面６３ａに選択対
象とされた薄膜トランジスタ素子６２が貼り付いて素子
保持基板６４側に保持される。このような選択的な剥離
によって、第一基板上での素子ピッチを広げることがで
きる。ここで選択対象とされる薄膜トランジスタ素子６
２の間隔は液晶表示装置の間隔と同じものとすることが
でき、高密度に形成した薄膜トランジスタ素子６２を実
装用の基板上で離間するようにできることになる。
【００４５】所要の洗浄等を行った後、図１７に示すよ
うに、主面上に接着剤層６９が形成された第二基板６８
を用意する。この第二基板６８は例えば石英ガラスなど
の光透過性材料で構成され、また、接着剤層６９として
はＵＶ硬化型接着剤や、熱硬化型接着剤、熱可塑型接着
剤などを用いることができる。この主面上に接着剤層１
９が形成された第二基板６８を薄膜トランジスタ素子６
２が保持された素子保持基板６４上に合わせ、エネルギ
ー光の照射を行って、素子保持基板６４上の薄膜トラン
ジスタ素子６２を第二基板６８に転写する。接着剤層６
９がＵＶ硬化型接着剤の場合には、エネルギー光として
紫外線を照射することで接着剤層６９を硬化することが
でき、接着剤層６９の未硬化領域６９ｙを薄膜トランジ
スタ素子６２に当接させた後に、紫外線を照射すること
で薄膜トランジスタ素子６２を着実に固着できる。接着
剤層６９が熱硬化型接着剤或いは熱可塑型接着剤の場合
には、赤外線レーザー光を照射して硬化もしくは再溶融
して接着できることになる。薄膜トランジスタ素子６２
に対応する領域だけを硬化や再溶融して薄膜トランジス
タ素子６２を接着するようにすることもでき、接着剤層
６９の全面を一括して硬化させたり再溶融させて薄膜ト
ランジスタ素子６２を接着するようにしても良い。素子
保持層６３として特にシリコーン樹脂を用いた場合で
は、接着剤層６９と素子保持層６３が接触した場合で
も、剥離性が優れており、容易に素子保持基板６４を剥
がすことができる。
【００４６】次に図１８に示すように、素子保持層６３
ごと素子保持基板６４が取り去られ、選択的な薄膜トラ
ンジスタ素子６２の転写が行われた第二基板６８が得ら
れることになる。この段階で、液晶表示装置の画素ピッ
チに合わせた位置に各薄膜トランジスタ素子６２が配列
されていることになる。
【００４７】各薄膜トランジスタ素子６２を画素ピッチ
に合わせて第二基板６８上に転写した後、図１９に示す
ように、層間絶縁膜７０が各薄膜トランジスタ素子６２
上に形成され、その層間絶縁膜７０に所要の窓部や配線
部を形成した後、透明なＩＴＯなどによって構成される
画素電極７１が各画素ごとに形成され、その上に配向膜
７２が形成される。これと平行して、透明対向基板７６
上にＩＴＯ膜などによる共通電極７５が形成され、その
上に配向膜７４が形成される。最後に、所要の空隙を持
って第二基板６８上と透明対向基板７６上を対向させ、
第二基板６８上と透明対向基板７６の間に液晶７３を注
入して液晶表示装置を完成する。
【００４８】上述の素子の転写方法においては、素子の
剥離用のエネルギービームは薄膜トランジスタ素子６２
と第一基板の界面に選択的に照射されるため、レーザー
アブレーションによって素子と基板の界面での剥離が短
時間で行われ、素子などへの損傷は生じない。また、各
薄膜トランジスタ素子６２は略平板型であり、例えばシ
リコーン樹脂などより構成される素子保持層６３に確実
に貼りついて、位置ずれもなく転写される。従って、製
造の歩留まりの低下を抑えて液晶表示装置を製造でき
る。各薄膜トランジスタ素子６２は第一基板上で高密度
に形成されるため、大量生産による低コスト化が可能で
ある。また、各薄膜トランジスタ素子６２は画素ピッチ
に合わせて選択的に転写され、液晶表示装置の大画面化
を容易に進めることができる。
【００４９】
【発明の効果】上述のように、本発明の素子の転写方法
においては、素子の剥離用のエネルギービームは素子と
第一基板の界面に選択的に照射されるため、レーザーア
ブレーションによって素子と基板の界面での剥離が短時
間で行われ、素子などへの損傷は生じない。素子と基板
の界面はわざわざ形成したものではなく、素子を形成す
る過程で自然に形成される面であるために、剥離を目的
とする剥離用の薄膜の形成は不要であって、工程数の増
加は最小限に抑えることができる。
【００５０】また、素子としての発光ダイオードが尖頭
部を有した構造とされる場合では、素子保持層には該尖
頭部と嵌合する凹部が形成されていることから、発光ダ
イオードは素子保持層に確実に貼りついて、位置ずれも
なく転写される。従って、製造の歩留まりの低下を抑え
て画像表示装置などを製造できることになる。また、素
子としての発光ダイオードや液晶表示装置の薄膜トラン
ジスタ素子が平板型である場合でも、同様に素子保持層
に確実に貼りついて、位置ずれもなく転写される。
【００５１】また、本発明の素子保持基板と、その形成
方法においては、素子の尖頭部に嵌合する凹部を形成し
た素子保持層を確実に形成することができ、前述の素子
の転写方法に適用して、工程の増加を招かずに短時間で
の転写を可能とする。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態の素子の転写方法におけ
るレーザー光の照射工程を示す工程断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態の素子の転写方法におけ
る発光ダイオードの転写工程を示す工程断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態の素子の転写方法におけ
る発光ダイオードの洗浄工程を示す工程断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態の素子の転写方法におけ
る発光ダイオードの第二基板への転写工程を示す工程断
面図である。
【図５】本発明の第１実施形態の素子の転写方法におけ
る発光ダイオードの第二基板への転写後の状態を示す工
程断面図である。
【図６】本発明の実施形態の素子の転写方法に用いられ
る発光素子の例を示す図であって、（ａ）断面図と
（ｂ）平面図である。
【図７】本発明の第２実施形態の素子の転写方法におけ
るレーザー光の照射工程を示す工程断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態の素子の転写方法におけ
る発光ダイオードの転写工程を示す工程断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態の素子の転写方法におけ
る発光ダイオードの洗浄工程を示す工程断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態の素子の転写方法にお
ける発光ダイオードの第二基板への転写工程を示す工程
断面図である。
【図１１】本発明の第２実施形態の素子の転写方法にお
ける発光ダイオードの第二基板への転写後の状態を示す
工程断面図である。
【図１２】本発明の第３実施形態の素子保持基板の製造
方法における剥離層の形成工程を示す工程断面図であ
る。
【図１３】本発明の第３実施形態の素子保持基板の製造
方法におけるシリコーン樹脂層の形成工程を示す工程断
面図である。
【図１４】本発明の第３実施形態の素子保持基板の製造
方法における素子保持基板の剥離工程を示す工程断面図
である。
【図１５】本発明の第４実施形態の素子の転写方法にお
けるレーザー光の照射工程を示す工程断面図である。
【図１６】本発明の第４実施形態の素子の転写方法にお
ける薄膜トランジスタ素子の剥離工程を示す工程断面図
である。
【図１７】本発明の第４実施形態の素子の転写方法にお
ける薄膜トランジスタ素子の接着工程を示す工程断面図
である。
【図１８】本発明の第４実施形態の素子の転写方法にお
ける薄膜トランジスタ素子の第二基板への転写工程を示
す工程断面図である。
【図１９】本発明の第４実施形態の素子の転写方法にお
ける液晶表示装置の組み立て工程を示す工程断面図であ
る。
【符号の説明】
１０、４０ サファイヤ基板 １２, ４２ 発光ダイオード １３ 素子保持層 １４、４４ 素子保持基板 １５、４５ レーザー光 １６ｆ、４６ｆ 洗浄液 １８、４８ 第二基板 １９、４９ 接着剤層 ４３ シリコーン樹脂層 ４２ａ 尖頭部 ４３ｂ 凹部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大畑 豊治 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 CA40 CA77 DA20 DB08 FF06

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第一基板と該第一基板上に形成した素子
    の界面にエネルギービームを該第一基板を透過しながら
    選択的に照射して該素子を選択的に剥離する工程と、 前記選択的に剥離された素子を素子保持基板上に形成さ
    れた素子保持層に転写する工程と、 前記素子保持層に転写された前記素子を第二基板に転写
    する工程とを有することを特徴とする素子の転写方法。
  2. 【請求項２】 前記素子を前記素子保持層上に転写した
    状態で、前記素子保持層上の前記素子を洗浄する工程を
    有することを特徴とする請求項１記載の素子の転写方
    法。
  3. 【請求項３】 前記第二基板上には予め接着剤層が形成
    され、前記素子保持層に転写された前記素子を第二基板
    に転写する際に、エネルギービームが前記接着剤層に照
    射されることを特徴とする請求項１記載の素子の転写方
    法。
  4. 【請求項４】 前記素子は前記エネルギービームの照射
    によってアブレーションを生じさせる材料によって形成
    されており、前記エネルギービームの選択的な照射によ
    ってアブレーションが生じて前記素子と前記第一基板と
    の間の界面で剥離が生ずることを特徴とする請求項１記
    載の素子の転写方法。
  5. 【請求項５】 前記素子は窒化物半導体材料により構成
    されることを特徴とする請求項４記載の素子の転写方
    法。
  6. 【請求項６】 前記窒化物半導体材料はＧａＮ系材料で
    あることを特徴とする請求項５記載の素子の転写方法。
  7. 【請求項７】 前記第一基板はサファイヤ基板であるこ
    とを特徴とする請求項１記載の素子の転写方法。
  8. 【請求項８】 前記素子は尖頭部を有する構造若しくは
    平板状の構造を有することを特徴とする請求項１記載の
    素子の転写方法。
  9. 【請求項９】 前記素子は発光素子であることを特徴と
    する請求項１記載の素子の転写方法。
  10. 【請求項１０】 前記素子は尖頭部を有する構造とさ
    れ、前記素子保持層は該尖頭部と嵌合する形状の凹部を
    表面に形成してなることを特徴とする請求項１記載の素
    子の転写方法。
  11. 【請求項１１】 前記素子保持層はシリコーン樹脂層か
    らなることを特徴とする請求項１１記載の素子の転写方
    法。
  12. 【請求項１２】 尖頭部を有する素子を形成した基板を
    用意し、素子保持基板上に未硬化のシリコーン樹脂層を
    形成した後、前記尖頭部を有する素子を形成した基板を
    前記素子保持基板に貼り合わせ、前記シリコーン樹脂層
    を前記尖頭部と嵌合する形状の凹部を表面に形成するこ
    とを特徴とする素子保持基板の形成方法。
  13. 【請求項１３】 前記尖頭部を有する素子を形成した基
    板を前記素子保持基板に貼り合わせる前に、前記素子上
    には剥離剤が塗布されてなることを特徴とする請求項１
    ２記載の素子保持基板の形成方法。
  14. 【請求項１４】 基板と、該基板上に形成されたシリコ
    ーン樹脂層を有し、前記シリコーン樹脂層の表面には保
    持される素子の尖頭部と嵌合する形状の凹部が形成され
    ていることを特徴とする素子保持基板。
JP2000380944A 2000-12-14 2000-12-14 素子の転写方法、素子保持基板の形成方法、及び素子保持基板 Expired - Lifetime JP4461616B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000380944A JP4461616B2 (ja) 2000-12-14 2000-12-14 素子の転写方法、素子保持基板の形成方法、及び素子保持基板
US10/024,690 US6939729B2 (en) 2000-12-14 2001-12-14 Method of transferring a device, a method of producing a device holding substrate, and a device holding substrate
US11/059,865 US6969624B2 (en) 2000-12-14 2005-02-17 Method of transferring a device, a method of producing a device holding substrate, and a device holding substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000380944A JP4461616B2 (ja) 2000-12-14 2000-12-14 素子の転写方法、素子保持基板の形成方法、及び素子保持基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002185039A true JP2002185039A (ja) 2002-06-28
JP4461616B2 JP4461616B2 (ja) 2010-05-12

Family

ID=18849046

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000380944A Expired - Lifetime JP4461616B2 (ja) 2000-12-14 2000-12-14 素子の転写方法、素子保持基板の形成方法、及び素子保持基板

Country Status (2)

Country Link
US (2) US6939729B2 (ja)
JP (1) JP4461616B2 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231877A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Sony Corp 素子配列型装置、素子配列型装置の製造方法、及び画像表示装置
WO2005091390A1 (en) * 2004-03-18 2005-09-29 Showa Denko K.K. Group iii nitride semiconductor light-emitting device and producing method thereof
US7112456B2 (en) 2002-12-27 2006-09-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Vertical GaN light emitting diode and method for manufacturing the same
WO2008062783A1 (fr) * 2006-11-20 2008-05-29 Nikon Corporation Dispositif del et procédé de fabrication correspondant
JP2009503878A (ja) * 2005-08-05 2009-01-29 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 半導体構成素子を製作するための方法及び薄膜半導体構成素子
KR101077789B1 (ko) * 2009-08-07 2011-10-28 한국과학기술원 Ｌｅｄ 디스플레이 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 ｌｅｄ 디스플레이
US8872330B2 (en) 2006-08-04 2014-10-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Thin-film semiconductor component and component assembly
US9142720B2 (en) 2007-01-29 2015-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Thin-film light emitting diode chip and method for producing a thin-film light emitting diode chip
JP2017526189A (ja) * 2014-09-05 2017-09-07 スコーピオズ テクノロジーズ インコーポレイテッド 転送ウエハ除去のための水素注入を利用する対応する樹脂との半導体接合
JP2021034610A (ja) * 2019-08-27 2021-03-01 信越化学工業株式会社 微小構造体の移載方法および微小構造体の実装方法
JP2021170596A (ja) * 2020-04-15 2021-10-28 国立大学法人東海国立大学機構 窒化ガリウム半導体装置の製造方法
WO2022091670A1 (ja) * 2020-10-30 2022-05-05 信越化学工業株式会社 発光ダイオード供給基板の製造方法、発光ダイオードディスプレイの製造方法、発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法、及び素子供給基板の製造方法
WO2024085025A1 (ja) * 2022-10-21 2024-04-25 信越化学工業株式会社 受け取り基板、受け取り基板の製造方法、リフト方法、保持方法、及び微小構造体の洗浄方法

Families Citing this family (98)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4649745B2 (ja) * 2001-02-01 2011-03-16 ソニー株式会社 発光素子の転写方法
US6562701B2 (en) * 2001-03-23 2003-05-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing nitride semiconductor substrate
WO2002084631A1 (fr) * 2001-04-11 2002-10-24 Sony Corporation Procede de transfert d'element, procede de disposition d'element mettant en oeuvre ce procede et procede de production d'un appareil d'affichage d'image
JP2003045901A (ja) * 2001-08-01 2003-02-14 Sony Corp 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2003077940A (ja) * 2001-09-06 2003-03-14 Sony Corp 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP4055405B2 (ja) * 2001-12-03 2008-03-05 ソニー株式会社 電子部品及びその製造方法
JP2003282478A (ja) * 2002-01-17 2003-10-03 Sony Corp 合金化方法及び配線形成方法、表示素子の形成方法、画像表示装置の製造方法
US20040140474A1 (en) * 2002-06-25 2004-07-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device, method for fabricating the same and method for bonding the same
TWI300589B (ja) * 2002-07-17 2008-09-01 Univ Nat Chiao Tung
WO2004047057A1 (ja) * 2002-11-19 2004-06-03 Ishikawa Seisakusho,Ltd. 画素制御素子の選択転写方法、画素制御素子の選択転写方法に使用される画素制御素子の実装装置、画素制御素子転写後の配線形成方法、及び、平面ディスプレイ基板
US20040259279A1 (en) 2003-04-15 2004-12-23 Erchak Alexei A. Light emitting device methods
US7341880B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7344903B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-18 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7932611B2 (en) * 2003-12-03 2011-04-26 PAC Tech—Packaging Technologies GmbH Device for alternately contacting two wafers
DE10361521A1 (de) * 2003-12-03 2005-07-07 Pac Tech - Packaging Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur wechselseitigen Kontaktierung von zwei Wafern
US7442644B2 (en) * 2004-07-21 2008-10-28 Nichia Corporation Method for manufacturing nitride semiconductor wafer or nitride semiconductor device; nitride semiconductor wafer or nitride semiconductor device made by the same; and laser irradiating apparatus used for the same
US20090023239A1 (en) * 2004-07-22 2009-01-22 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
JP2006196712A (ja) * 2005-01-13 2006-07-27 Toshiba Corp 薄膜素子の製造方法
US7946331B2 (en) * 2005-06-14 2011-05-24 Cufer Asset Ltd. L.L.C. Pin-type chip tooling
US7622245B2 (en) * 2005-10-11 2009-11-24 Home Box Office, Inc. Manufacturing data-storage media using light-curable material
KR101230310B1 (ko) * 2006-02-02 2013-02-06 삼성디스플레이 주식회사 접착 부재 및 이를 사용하는 표시 장치의 제조 방법
KR101430587B1 (ko) * 2006-09-20 2014-08-14 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈 전사가능한 반도체 구조들, 디바이스들 및 디바이스 컴포넌트들을 만들기 위한 릴리스 방안들
US8110425B2 (en) * 2007-03-20 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Laser liftoff structure and related methods
DE102007043877A1 (de) * 2007-06-29 2009-01-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen und optoelektronisches Bauelement
US8201325B2 (en) * 2007-11-22 2012-06-19 International Business Machines Corporation Method for producing an integrated device
JP4640498B2 (ja) * 2008-12-11 2011-03-02 ソニー株式会社 素子の転写方法、素子配置基板、並びにデバイス及びその製造方法
JP2010177390A (ja) * 2009-01-29 2010-08-12 Sony Corp 素子の移載方法および表示装置の製造方法
KR101221871B1 (ko) * 2009-12-07 2013-01-15 한국전자통신연구원 반도체 소자의 제조방법
US9161448B2 (en) 2010-03-29 2015-10-13 Semprius, Inc. Laser assisted transfer welding process
WO2011123285A1 (en) 2010-03-29 2011-10-06 Semprius, Inc. Selective transfer of active components
WO2011126726A1 (en) 2010-03-29 2011-10-13 Semprius, Inc. Electrically bonded arrays of transfer printed active components
JP2012064710A (ja) * 2010-09-15 2012-03-29 Asahi Glass Co Ltd 半導体素子の製造方法
US9899329B2 (en) 2010-11-23 2018-02-20 X-Celeprint Limited Interconnection structures and methods for transfer-printed integrated circuit elements with improved interconnection alignment tolerance
US9765934B2 (en) 2011-05-16 2017-09-19 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Thermally managed LED arrays assembled by printing
DE102011103589B4 (de) * 2011-05-30 2024-08-08 Hegla Boraident Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Entfernen einer Schicht auf einem Trägersubstrat
US8934259B2 (en) 2011-06-08 2015-01-13 Semprius, Inc. Substrates with transferable chiplets
US9412727B2 (en) 2011-09-20 2016-08-09 Semprius, Inc. Printing transferable components using microstructured elastomeric surfaces with pressure modulated reversible adhesion
CN104584214B (zh) * 2012-09-05 2018-08-03 亮锐控股有限公司 载体晶片从器件晶片的激光去键合
JP2015157348A (ja) * 2014-01-21 2015-09-03 ソニー株式会社 保持ヘッド、搬送装置、搬送方法、実装装置、実装方法、及び電子機器
US9929053B2 (en) 2014-06-18 2018-03-27 X-Celeprint Limited Systems and methods for controlling release of transferable semiconductor structures
US9437782B2 (en) 2014-06-18 2016-09-06 X-Celeprint Limited Micro assembled LED displays and lighting elements
US9358775B2 (en) 2014-07-20 2016-06-07 X-Celeprint Limited Apparatus and methods for micro-transfer-printing
US9991163B2 (en) 2014-09-25 2018-06-05 X-Celeprint Limited Small-aperture-ratio display with electrical component
US9799719B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Active-matrix touchscreen
US9871345B2 (en) 2015-06-09 2018-01-16 X-Celeprint Limited Crystalline color-conversion device
US11061276B2 (en) 2015-06-18 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Laser array display
US10133426B2 (en) 2015-06-18 2018-11-20 X-Celeprint Limited Display with micro-LED front light
US9704821B2 (en) 2015-08-11 2017-07-11 X-Celeprint Limited Stamp with structured posts
US10468363B2 (en) * 2015-08-10 2019-11-05 X-Celeprint Limited Chiplets with connection posts
US11495560B2 (en) * 2015-08-10 2022-11-08 X Display Company Technology Limited Chiplets with connection posts
US10380930B2 (en) 2015-08-24 2019-08-13 X-Celeprint Limited Heterogeneous light emitter display system
US10230048B2 (en) 2015-09-29 2019-03-12 X-Celeprint Limited OLEDs for micro transfer printing
US10163869B2 (en) * 2015-10-20 2018-12-25 Goertek, Inc. Transferring method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-LED
US10066819B2 (en) 2015-12-09 2018-09-04 X-Celeprint Limited Micro-light-emitting diode backlight system
US9786646B2 (en) 2015-12-23 2017-10-10 X-Celeprint Limited Matrix addressed device repair
TWI681508B (zh) 2016-02-25 2020-01-01 愛爾蘭商艾克斯瑟樂普林特有限公司 有效率地微轉印微型裝置於大尺寸基板上
US10193025B2 (en) 2016-02-29 2019-01-29 X-Celeprint Limited Inorganic LED pixel structure
US10153256B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-transfer printable electronic component
US10153257B2 (en) 2016-03-03 2018-12-11 X-Celeprint Limited Micro-printed display
US10103069B2 (en) 2016-04-01 2018-10-16 X-Celeprint Limited Pressure-activated electrical interconnection by micro-transfer printing
US10008483B2 (en) 2016-04-05 2018-06-26 X-Celeprint Limited Micro-transfer printed LED and color filter structure
US10199546B2 (en) 2016-04-05 2019-02-05 X-Celeprint Limited Color-filter device
US9997501B2 (en) 2016-06-01 2018-06-12 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printed light-emitting diode device
US11137641B2 (en) 2016-06-10 2021-10-05 X Display Company Technology Limited LED structure with polarized light emission
CN106099641A (zh) * 2016-07-08 2016-11-09 燕山大学 一种半导体激光器的制备方法
US10222698B2 (en) 2016-07-28 2019-03-05 X-Celeprint Limited Chiplets with wicking posts
US11064609B2 (en) 2016-08-04 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Printable 3D electronic structure
US9980341B2 (en) 2016-09-22 2018-05-22 X-Celeprint Limited Multi-LED components
US10782002B2 (en) 2016-10-28 2020-09-22 X Display Company Technology Limited LED optical components
US10347168B2 (en) 2016-11-10 2019-07-09 X-Celeprint Limited Spatially dithered high-resolution
WO2018091459A1 (en) 2016-11-15 2018-05-24 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10600671B2 (en) 2016-11-15 2020-03-24 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10395966B2 (en) 2016-11-15 2019-08-27 X-Celeprint Limited Micro-transfer-printable flip-chip structures and methods
US10297502B2 (en) 2016-12-19 2019-05-21 X-Celeprint Limited Isolation structure for micro-transfer-printable devices
US10438859B2 (en) 2016-12-19 2019-10-08 X-Celeprint Limited Transfer printed device repair
US10396137B2 (en) 2017-03-10 2019-08-27 X-Celeprint Limited Testing transfer-print micro-devices on wafer
US11024608B2 (en) 2017-03-28 2021-06-01 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrical connection of micro-devices and substrates
US10353243B2 (en) * 2017-08-01 2019-07-16 Innolux Corporation Display device
US10297585B1 (en) 2017-12-21 2019-05-21 X-Celeprint Limited Multi-resolution compound micro-devices
US10446729B1 (en) * 2018-03-22 2019-10-15 Innolux Corporation Display device having an electronic device disposed on a first pad and a second pad
US10984708B1 (en) * 2018-03-30 2021-04-20 Facebook Technologies, Llc Manufacture LED displays using temporary carriers
US10431519B1 (en) * 2018-05-03 2019-10-01 Micron Technology, Inc. Carrier removal by use of multilayer foil
US10505079B2 (en) 2018-05-09 2019-12-10 X-Celeprint Limited Flexible devices and methods using laser lift-off
US10796971B2 (en) 2018-08-13 2020-10-06 X Display Company Technology Limited Pressure-activated electrical interconnection with additive repair
KR102590229B1 (ko) 2018-10-15 2023-10-17 삼성전자주식회사 Led 소자 및 led 소자의 제조 방법
US10796938B2 (en) 2018-10-17 2020-10-06 X Display Company Technology Limited Micro-transfer printing with selective component removal
US10573544B1 (en) 2018-10-17 2020-02-25 X-Celeprint Limited Micro-transfer printing with selective component removal
US11483937B2 (en) 2018-12-28 2022-10-25 X Display Company Technology Limited Methods of making printed structures
US10748793B1 (en) 2019-02-13 2020-08-18 X Display Company Technology Limited Printing component arrays with different orientations
US11101417B2 (en) 2019-08-06 2021-08-24 X Display Company Technology Limited Structures and methods for electrically connecting printed components
CN110808227A (zh) * 2019-10-18 2020-02-18 南京中电熊猫平板显示科技有限公司 微型器件转移头、微型器件的制造方法及其转移方法
US11062936B1 (en) 2019-12-19 2021-07-13 X Display Company Technology Limited Transfer stamps with multiple separate pedestals
CN115039213A (zh) 2020-02-18 2022-09-09 Ev 集团 E·索尔纳有限责任公司 用于传递构件的方法和装置
US11387178B2 (en) 2020-03-06 2022-07-12 X-Celeprint Limited Printable 3D electronic components and structures
WO2022000204A1 (zh) * 2020-06-29 2022-01-06 重庆康佳光电技术研究院有限公司 转移头及其制作方法、芯片转移系统及芯片转移方法
CN111987036A (zh) * 2020-07-29 2020-11-24 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 微型器件转移头及其制造方法、微型发光二极管的转移方法
CN112967983B (zh) * 2020-09-21 2022-05-20 重庆康佳光电技术研究院有限公司 转移系统和转移方法
FR3123500B1 (fr) * 2021-05-31 2023-04-28 Aledia Procédé et organe de manipulation d’un dispositif électronique

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3783297A (en) * 1972-05-17 1974-01-01 Gen Electric X-ray image intensifier input phosphor screen and method of manufacture thereof
JPS5617385A (en) 1979-07-20 1981-02-19 Tokyo Shibaura Electric Co Production of display device
US4383967A (en) * 1980-12-04 1983-05-17 Roto-Finish Company, Inc. Automatic finishing chip process
US4451634A (en) * 1983-01-12 1984-05-29 General Electric Company Silicone elastomer compositions suitable for ultraviolet ray curing
GB8402654D0 (en) 1984-02-01 1984-03-07 Secr Defence Flatpanel display
JP2895566B2 (ja) 1990-04-27 1999-05-24 豊田合成株式会社 発光ダイオード
US5206749A (en) 1990-12-31 1993-04-27 Kopin Corporation Liquid crystal display having essentially single crystal transistors pixels and driving circuits
US5258320A (en) 1990-12-31 1993-11-02 Kopin Corporation Single crystal silicon arrayed devices for display panels
JPH04247486A (ja) 1991-02-01 1992-09-03 Dainippon Printing Co Ltd 反射型レリーフホログラムの転写箔及びそれを用いた反射型レリーフホログラムの選択的転写方法
JPH05290669A (ja) 1992-01-22 1993-11-05 Fujikura Ltd 照光スイッチ
JPH05315643A (ja) 1992-05-08 1993-11-26 Nkk Corp 発光ダイオードアレー及びその製造方法
JPH09501620A (ja) 1993-08-13 1997-02-18 レクスハム・グラフィクス・インコーポレーテッド 中間レセプターへのアブレーション転写
JP3268910B2 (ja) 1993-10-14 2002-03-25 三洋電機株式会社 発光ダイオード表示器
FR2715501B1 (fr) 1994-01-26 1996-04-05 Commissariat Energie Atomique Procédé de dépôt de lames semiconductrices sur un support.
JP3267045B2 (ja) 1994-03-24 2002-03-18 日亜化学工業株式会社 Ｌｅｄ素子
JP3141236B2 (ja) 1994-10-03 2001-03-05 ソニー株式会社 部品供給方法及びその装置
JP3535602B2 (ja) 1995-03-23 2004-06-07 松下電器産業株式会社 面実装型ｌｅｄ
US5739800A (en) 1996-03-04 1998-04-14 Motorola Integrated electro-optical package with LED display chip and substrate with drivers and central opening
US5747217A (en) * 1996-04-03 1998-05-05 Minnesota Mining And Manufacturing Company Laser-induced mass transfer imaging materials and methods utilizing colorless sublimable compounds
JPH09293904A (ja) 1996-04-26 1997-11-11 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄパッケージ
JPH1070151A (ja) 1996-08-26 1998-03-10 Ricoh Co Ltd 導電粒子の配列方法及びその装置
EP1351308B1 (en) * 1996-08-27 2009-04-22 Seiko Epson Corporation Exfoliating method and transferring method of thin film device
JP3342322B2 (ja) 1996-11-27 2002-11-05 シャープ株式会社 Ｌｅｄ素子表示装置の製造方法
JPH10173305A (ja) 1996-12-06 1998-06-26 Fujikura Ltd 自動車用部品実装プリント配線板
JP3572924B2 (ja) 1997-03-06 2004-10-06 松下電器産業株式会社 発光装置及びそれを用いた記録装置
JP3894613B2 (ja) 1997-03-14 2007-03-22 株式会社フジクラ フレキシブルプリント配線板
JPH118338A (ja) 1997-06-17 1999-01-12 Nichia Chem Ind Ltd 表面実装型ｌｅｄの取り外し方法、取り外し装置及び発光装置のリペア方法
JP4473349B2 (ja) * 1997-06-30 2010-06-02 マクス−プランク−ゲゼルシャフト ツル フォルデルング デル ヴァイセンシャフト エー ファウ 層状構造体製造方法、及び半導体基板
JPH1126733A (ja) 1997-07-03 1999-01-29 Seiko Epson Corp 薄膜デバイスの転写方法、薄膜デバイス、薄膜集積回路装置，アクティブマトリクス基板、液晶表示装置および電子機器
US6229508B1 (en) 1997-09-29 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
JPH11126037A (ja) 1997-10-23 1999-05-11 Futaba Corp 半導体表示装置及びその製造方法
JP3406207B2 (ja) 1997-11-12 2003-05-12 シャープ株式会社 表示用トランジスタアレイパネルの形成方法
US6071795A (en) * 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
US5929962A (en) * 1998-02-03 1999-07-27 International Business Machines Corporation Method and apparatus for integrating microlens array into a liquid crystal display device using a sacrificial substrate
FR2781925B1 (fr) 1998-07-30 2001-11-23 Commissariat Energie Atomique Transfert selectif d'elements d'un support vers un autre support
JP2959566B1 (ja) 1998-09-08 1999-10-06 日本電気株式会社 フラットパネルディスプレイ
US6744800B1 (en) * 1998-12-30 2004-06-01 Xerox Corporation Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate
US6036809A (en) * 1999-02-16 2000-03-14 International Business Machines Corporation Process for releasing a thin-film structure from a substrate
US6283693B1 (en) 1999-11-12 2001-09-04 General Semiconductor, Inc. Method and apparatus for semiconductor chip handling
US6521324B1 (en) * 1999-11-30 2003-02-18 3M Innovative Properties Company Thermal transfer of microstructured layers
JP3456462B2 (ja) 2000-02-28 2003-10-14 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
CA2404296A1 (en) * 2000-03-22 2001-09-27 University Of Massachusetts Nanocylinder arrays
US9302903B2 (en) * 2000-12-14 2016-04-05 Georgia Tech Research Corporation Microneedle devices and production thereof
US6698077B2 (en) * 2000-12-27 2004-03-02 International Business Machines Corporation Display fabrication using modular active devices
US6277711B1 (en) 2001-01-08 2001-08-21 Jiahn-Chang Wu Semiconductor matrix formation

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231877A (ja) * 2001-02-06 2002-08-16 Sony Corp 素子配列型装置、素子配列型装置の製造方法、及び画像表示装置
JP4691793B2 (ja) * 2001-02-06 2011-06-01 ソニー株式会社 素子配列型装置の製造方法
US7112456B2 (en) 2002-12-27 2006-09-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Vertical GaN light emitting diode and method for manufacturing the same
WO2005091390A1 (en) * 2004-03-18 2005-09-29 Showa Denko K.K. Group iii nitride semiconductor light-emitting device and producing method thereof
JP2009503878A (ja) * 2005-08-05 2009-01-29 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 半導体構成素子を製作するための方法及び薄膜半導体構成素子
KR101330455B1 (ko) * 2005-08-05 2013-11-15 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 반도체 소자들을 제조하는 방법 및 박막 반도체 소자
US8872330B2 (en) 2006-08-04 2014-10-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Thin-film semiconductor component and component assembly
WO2008062783A1 (fr) * 2006-11-20 2008-05-29 Nikon Corporation Dispositif del et procédé de fabrication correspondant
JP5309996B2 (ja) * 2006-11-20 2013-10-09 株式会社ニコン Ｌｅｄ装置の製造方法
US9142720B2 (en) 2007-01-29 2015-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Thin-film light emitting diode chip and method for producing a thin-film light emitting diode chip
KR101077789B1 (ko) * 2009-08-07 2011-10-28 한국과학기술원 Ｌｅｄ 디스플레이 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 ｌｅｄ 디스플레이
JP2017526189A (ja) * 2014-09-05 2017-09-07 スコーピオズ テクノロジーズ インコーポレイテッド 転送ウエハ除去のための水素注入を利用する対応する樹脂との半導体接合
JP2021034610A (ja) * 2019-08-27 2021-03-01 信越化学工業株式会社 微小構造体の移載方法および微小構造体の実装方法
WO2021039128A1 (ja) * 2019-08-27 2021-03-04 信越化学工業株式会社 微小構造体の移載方法および微小構造体の実装方法
JP2023002528A (ja) * 2019-08-27 2023-01-10 信越化学工業株式会社 微小構造体が実装された回路基板の製造方法
JP7200884B2 (ja) 2019-08-27 2023-01-10 信越化学工業株式会社 微小構造体の実装方法
JP7359272B2 (ja) 2019-08-27 2023-10-11 信越化学工業株式会社 微小構造体が実装された回路基板の製造方法
TWI845722B (zh) * 2019-08-27 2024-06-21 日商信越化學工業股份有限公司 微小構造體之安裝方法
JP2021170596A (ja) * 2020-04-15 2021-10-28 国立大学法人東海国立大学機構 窒化ガリウム半導体装置の製造方法
JP7553915B2 (ja) 2020-04-15 2024-09-19 国立大学法人東海国立大学機構 窒化ガリウム半導体装置の製造方法
WO2022091670A1 (ja) * 2020-10-30 2022-05-05 信越化学工業株式会社 発光ダイオード供給基板の製造方法、発光ダイオードディスプレイの製造方法、発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法、及び素子供給基板の製造方法
JP2022073007A (ja) * 2020-10-30 2022-05-17 信越化学工業株式会社 発光ダイオード供給基板の製造方法、発光ダイオードディスプレイの製造方法、発光ダイオードディスプレイの分割ユニットの製造方法、及び素子供給基板の製造方法
WO2024085025A1 (ja) * 2022-10-21 2024-04-25 信越化学工業株式会社 受け取り基板、受け取り基板の製造方法、リフト方法、保持方法、及び微小構造体の洗浄方法
JP7482339B1 (ja) 2022-10-21 2024-05-13 信越化学工業株式会社 受け取り基板、レーザリフトオフ方法、リフト方法、保持方法、及び微小構造体の洗浄方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4461616B2 (ja) 2010-05-12
US6939729B2 (en) 2005-09-06
US6969624B2 (en) 2005-11-29
US20020115265A1 (en) 2002-08-22
US20050148106A1 (en) 2005-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002185039A (ja) 素子の転写方法、素子保持基板の形成方法、及び素子保持基板
JP4055405B2 (ja) 電子部品及びその製造方法
US6972204B2 (en) Method of transferring devices, method of arranging devices using the same, and method of manufacturing an image display system
US20030170971A1 (en) Alloying method, and wiring forming method, display device forming method, and image display unit fabricating method
JP3994681B2 (ja) 素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
WO2002086964A1 (fr) Procede de cablage et procede d'agencement d'elements faisant appel a ce dernier et procede de production de dispositifs d'affichage d'images
JP4078825B2 (ja) 回路基板の製造方法、並びに表示装置の製造方法
US6892450B2 (en) Method of mounting light emitting device and method of fabricating image display unit
JP2003098977A (ja) 素子の転写方法、素子の配列方法、及び画像表示装置の製造方法
JP3890921B2 (ja) 素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
JP2003347524A (ja) 素子の転写方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
JP2002343944A (ja) 電子部品の転写方法及び素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2003162231A (ja) 素子の製造方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
JP2002314123A (ja) 素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP4000856B2 (ja) 素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
JP2003218392A (ja) 画像表示装置及びその製造方法
JP5176260B2 (ja) 画像表示装置の製造方法
JP2003060242A (ja) 素子の実装方法、素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法
JP4839533B2 (ja) 画像表示装置及びその製造方法
JP2002158237A (ja) 素子の転写方法及び素子の実装方法
JP2003059555A (ja) 回路素子のボンディング方法及び電気回路装置の製造方法
JP2002313981A (ja) チップ部品の作製方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20050510

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20050527

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070323

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090911

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090915

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091106

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100126

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100208

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130226

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4461616

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140226

Year of fee payment: 4

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term