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JP2002050749A - 複合部材の分離方法及び装置 - Google Patents

複合部材の分離方法及び装置

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Publication number
JP2002050749A
JP2002050749A JP2000231781A JP2000231781A JP2002050749A JP 2002050749 A JP2002050749 A JP 2002050749A JP 2000231781 A JP2000231781 A JP 2000231781A JP 2000231781 A JP2000231781 A JP 2000231781A JP 2002050749 A JP2002050749 A JP 2002050749A
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JP
Japan
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substrate
separation
outer peripheral
detected
composite member
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2000231781A
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English (en)
Inventor
Kazutaka Yanagida
一隆 柳田
Kazuaki Omi
和明 近江
Kiyobumi Sakaguchi
清文 坂口
Hirokazu Kurisu
裕和 栗栖
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Priority to US09/910,017 priority patent/US6653206B2/en
Priority to TW090117951A priority patent/TW517304B/zh
Priority to EP01306515A priority patent/EP1178521A3/en
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Publication of JP2002050749A publication Critical patent/JP2002050749A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【課題】第１の基板と第２の基板とを貼り合わせてなる
貼り合わせ基板を多孔質層で適切に分離する。 【解決手段】第１の基板と第２の基板とを中心位置をず
らして密着させて、第１の基板の外周端が第２の基板の
外周端より突出した突出部を有する貼り合わせ基板３０
の該突出部を位置決め装置１０００により基準位置に位
置決めし、その後、該貼り合わせ基板３０を分離装置に
引き渡し、該突出部を起点として分離を開始する。位置
決めは、センサ１０２０を利用して第１の基板の外周端
と第２の基板の外周端とのずれ量を貼り合わせ基板３０
の全周について検出し、該ずれ量に基づいて該突出部の
位置を決定し、該突出部が基準位置に一致するように基
板回転テーブル１０１０を回転させることによりなされ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、貼り合わせ基板等
の複合部材の分離方法及び装置、移設層の移設方法、基
板の製造方法、複合部材の特徴部の検出方法及び装置、
位置決め方法及び装置、並びに複合部材の処理システム
に関する。
【０００２】
【従来の技術】絶縁層上に単結晶Ｓｉ層を有する基板と
して、ＳＯＩ（silicon on insulator)構造を有する基
板（ＳＯＩ基板）が知られている。このＳＯＩ基板を採
用したデバイスは、通常のＳｉ基板では到達し得ない数
々の優位点を有する。この優位点としては、例えば、以
下のものが挙げられる。 （１）誘電体分離が容易で高集積化に適している。 （２）放射線耐性に優れている。 （３）浮遊容量が小さく、素子の動作速度の高速化が可
能である。 （４）ウェル工程が不要である。 （５）ラッチアップを防止できる。 （６）薄膜化による完全な空乏型電界効果トランジスタ
の形成が可能である。
【０００３】ＳＯＩ構造は、上記のような様々な優位点
を有するため、ここ数十年、その形成方法に関する研究
が進められている。
【０００４】単結晶Ｓｉ基板を、熱酸化した別の単結晶
Ｓｉ基板に、熱処理又は接着剤により貼り合わせて、Ｓ
ＯＩ構造を形成する方法がある。この方法では、デバイ
スを形成するための活性層を均一に薄膜化する必要があ
る。すなわち、数百ミクロンもの厚さを有する単結晶Ｓ
ｉ基板をミクロンオーダー或いはそれ以下に薄膜化する
必要がある。
【０００５】薄膜化の方法としては、研磨による方法
と、選択エッチングによる方法とがある。
【０００６】研磨による方法では、単結晶Ｓｉを均一に
薄膜化することが困難である。特にサブミクロンオーダ
ーへの薄膜化では、ばらつきが数十％になる。ウェハの
大口径化が進めば、その困難性は増す一方である。
【０００７】選択エッチングによる方法は、均一な薄膜
化という点では有効であるが、選択比が１０2程度しか
得られない点、エッチング後の表面性が悪い点、ＳＯＩ
層の結晶性が悪い点で問題がある。
【０００８】本出願人は、特開平５−２１３３８号にお
いて、新たなＳＯＩ技術を開示した。この技術は、単結
晶Ｓｉ基板に多孔質層を形成し、その上に非多孔質層単
結晶層を形成した第１の基板を、絶縁層を介して第２の
基板に貼り合わせ、その後、貼り合わせ基板を多孔質層
で２枚に分離することにより、第２の基板に非多孔質単
結晶層を移し取るものである。この技術は、ＳＯＩ層の
膜厚均一性が優れていること、ＳＯＩ層の結晶欠陥密度
を低減し得ること、ＳＯＩ層の表面平坦性が良好である
こと、高価な特殊仕様の製造装置が不要であること、数
１００Å〜１０μｍ程度の範囲のＳＯＩ膜を有するＳＯ
Ｉ基板を同一の製造装置で製造可能なこと等の点で優れ
ている。
【０００９】更に、本出願人は、特開平７−３０２８８
９号において、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせ
た後に、第１の基板を破壊することなく第２の基板から
分離し、その後、分離した第１の基板の表面を平滑化し
て再度多孔質層を形成し、これを再利用する技術を開示
した。この技術は、第１の基板を無駄なく使用できるた
め、製造コストを大幅に低減することができ、製造工程
も単純であるという優れた利点を有する。
【００１０】貼り合わせた基板を第１及び第２の基板の
双方を破壊することなく２枚に分離する方法としては、
例えば、貼り合わせ面に対して垂直な方向に力が加わる
ようにして両基板を互いに反対方向に引っ張る方法、貼
り合わせ面に対して平行に剪断応力を加える方法（例え
ば、貼り合わせ面に平行な面内で両基板を互いに反対方
向に移動させる方法や、円周方向に力が加わるようにし
て両基板を反対方向に回転させる方法など）、貼り合わ
せ面に対して垂直な方向に加圧する方法、分離領域に超
音波などの波動エネルギーを印加する方法、分離領域に
対して貼り合わせ基板の側面側から貼り合わせ面に平行
に剥離用部材（例えばナイフのような鋭利なブレード）
を挿入する方法、分離領域として機能する多孔質層に染
み込ませた物質の膨張エネルギーを利用する方法、分離
領域として機能する多孔質層を貼り合わせ基板の側面か
ら熱酸化させることにより、該多孔質層を体積膨張させ
て分離する方法、分離領域として機能する多孔質層を貼
り合わせ基板の側面から選択的にエッチングして分離す
る方法などがある。
【００１１】多孔質Siは、Uhlir等によって1956年に半
導体の電解研磨の研究過程において発見された（A.Uhli
r, Bell Syst.Tech.J., vol.35, 333(1956)）。多孔質S
iは、Si基板をHF溶液中で陽極化成（Anodization）する
ことにより形成することができる。
【００１２】ウナガミ等は、陽極化成におけるSiの溶解
反応を研究し、HF溶液中のSiの陽極反応には正孔が必要
であり、その反応は、次の通りであると報告している
（T.ウナカ゛ミ、J.Electrochem.Soc., vol.127, 476(198
0)）。 Si+2HF+(2-n)e+ → SiF2+2H++ne- SiF2+2HF → SiF4+H2 SiF4+2HF → H2SiF6 または、 Si+4HF+(4-λ)e+ → SiF4+4H++λe- SiF4+2HF → H2SiF6 ここで、e+およびe-は、それぞれ正孔と電子を表してい
る。また、nおよびλは、それぞれSiの1原子が溶解する
ために必要な正孔の数であり、n>2又はλ>4なる条件が
満たされた場合に多孔質Siが形成されるとしている。
【００１３】以上のことから、正孔の存在するP型Siは
多孔質化されるが、N型Siは多孔質化されないと考える
ことができる。この多孔質化における選択性は長野等及
び今井によって報告されている(長野、中島、安野、大
中、梶原、電子通信学会技術研究報告、vol.79, SSD79-
9549(1979))、(K. Imai, Solid-State Electronics, vo
l.24,159(1981))。
【００１４】しかしながら、高濃度のN型Ｓｉであれば
多孔質化されるとの報告もある（R.P. Holmstrom and
J. Y. Chi, Appl. Phys. Lett., vol. 42, 386(198
3)）。したがって、P型、N型の別にこだわらず、多孔質
化が可能な基板を選択することが重要である。
【００１５】多孔質層を形成する方法としては、上記の
陽極化成法の他に、例えば、シリコン基板中にイオンを
打ち込む方法がある。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】例えば、特開平５−２
１３３８号に記載された方法、即ち、多孔質層の上に単
結晶Ｓｉ層等の非多孔質層を有する第１の基板を絶縁層
を介して第２の基板に貼り合わせてなる基板（以下、貼
り合わせ基板）を該多孔質層の部分で分離し、これによ
り、第１の基板側に形成された非多孔質層を第２の基板
に移設する方法においては、貼り合わせ基板を分離する
技術が極めて重要である。
【００１７】例えば、貼り合わせ基板の分離の際に、分
離用の層である多孔質層以外の部分で貼り合わせ基板が
分離されると、例えば、活性層とすべき非多孔質層（例
えば、単結晶Ｓｉ層）等が破壊され、所望のＳＯＩ基板
が得られない。
【００１８】本発明は、上記の背景に鑑みてなされたも
のであり、例えば、貼り合わせ基板等の複合部材を多孔
質層等の分離層で適切に分離することをを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面に係
る分離方法は、内部に分離層を有する第１の部材と、第
２の部材とを密着させた構造を有する複合部材の分離方
法に関する。複合部材は、前記第１の部材の外周端が前
記第２の部材の外周端より外側に突出した突出部を有す
る。この分離方法は、前記複合部材の前記突出部を検出
する検出工程と、前記検出工程で検出された前記突出部
を起点として前記複合部材の分離を開始し、その後、前
記分離層の部分で前記複合部材を２つの部材に分離する
分離工程とを有することを特徴とする。
【００２０】ここで、前記複合部材は、前記第１の部材
と前記第２の部材とを互いの中心位置をずらして密着さ
せた構造を有することが好ましい。
【００２１】前記分離工程は、例えば、前記突出部を処
理して分離開始部を形成する予備分離工程と、前記分離
開始部を起点として前記複合部材の分離を開始し、その
後、実質的に前記分離層のみを破壊して前記複合部材を
前記分離層の部分で２つの部材に分離する本分離工程と
を含むことが好ましい。
【００２２】前記検出工程では、例えは、非接触式又は
接触式のセンサを利用して前記突出部を検出することが
できる。
【００２３】また、前記検出工程では、例えば、前記複
合部材の外周端の側方に配置されたセンサを利用して前
記突出部を検出することができる。
【００２４】また、前記検出工程では、例えば、前記第
１の部材と前記第２の部材との密着面に対向する位置に
配置されたセンサを利用して前記突出部を検出すること
ができる。
【００２５】また、前記検出工程では、例えば、前記第
１の部材の外周端と前記第２の部材の外周端とのずれ量
を前記複合部材の外周に沿って検出することにより前記
突出部を検出することができる。
【００２６】また、前記検出工程では、例えば、前記複
合部材を撮像装置で撮像し、撮像画像を処理することに
より前記突出部を検出することができる。
【００２７】また、前記検出工程では、例えば、前記突
出部に影ができるように前記複合部材を照明しながら前
記複合部材を撮像装置で撮像し、撮像画像を処理するこ
とにより前記突出部を検出することができる。
【００２８】また、前記検出工程では、例えば、前記複
合部材の外周端をその接線方向に配置された撮像装置で
撮像し、撮像画像を処理することにより前記突出部を検
出することができる。
【００２９】この分離方法は、前記分離工程の実施に先
立って、前記検出工程で検出された前記突出部が前記分
離工程における作業位置に一致するように前記複合部材
を配置する配置工程を更に有することが好ましい。
【００３０】前記検出工程では、前記突出部として前記
第１の部材の外周端が最も突出した部分を検出すること
が好ましい。
【００３１】本発明の第２の側面に係る移設方法は、第
１の部材の表面の移設層を第２の部材に移設する移設方
法であって、内部に分離層を有し、その上に移設層を有
する第１の部材と、第２の部材とを密着させて、前記第
１の部材の外周端が前記第２の部材の外周端より外側に
突出した突出部を有する複合部材を作成する作成工程
と、前記複合部材の前記突出部を検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された前記突出部を起点として前記
複合部材の分離を開始し、その後、前記分離層の部分で
前記複合部材を２つの部材に分離し、これにより、前記
第１の部材の移設層を前記第２の部材に移設する分離工
程とを有することを特徴とする。
【００３２】本発明の第３の側面に係る分離方法は、内
部に分離層を有し、その上に移設層を有する第１の基板
の前記移設層と、第２の基板とを密着させた構造を有す
る貼り合わせ基板を２枚の基板に分離する分離方法に関
する。貼り合わせ基板は、前記第１の基板の外周端が前
記第２の基板の外周端より外側に突出した突出部を有す
る。この分離方法は、前記貼り合わせ基板の前記突出部
を検出する検出工程と、前記検出工程で検出された前記
突出部を起点として前記貼り合わせ基板の分離を開始
し、その後、前記分離層の部分で前記貼り合わせ基板を
２枚の基板に分離する分離工程とを有することを特徴と
する。
【００３３】ここで、前記第１の基板及び前記第２の基
板は、同一の大きさを有し、前記貼り合わせ基板は、前
記第１の基板と前記第２の基板とを互いの中心位置をず
らして密着させた構造を有することが好ましい。
【００３４】前記分離工程は、前記突出部を処理して分
離開始部を形成する予備分離工程と、前記分離開始部を
起点として前記複合部材の分離を開始し、その後、実質
的に前記分離層のみを破壊して前記複合部材を前記分離
層の部分で２つの部材に分離する本分離工程とを含むこ
とが好ましい。
【００３５】前記検出工程では、例えば、非接触式又は
接触式のセンサを利用して前記突出部を検出することが
できる。
【００３６】また、前記検出工程では、例えば、前記複
合部材の外周端の側方に配置されたセンサを利用して前
記突出部を検出することができる。
【００３７】また、前記検出工程では、例えば、前記第
１の部材と前記第２の部材との密着面に対向する位置に
配置されたセンサを利用して前記突出部を検出すること
ができる。
【００３８】また、前記検出工程では、例えば、前記第
１の部材の外周端と前記第２の部材の外周端とのずれ量
を前記複合部材の外周に沿って検出することにより前記
突出部を検出することができる。
【００３９】また、前記検出工程では、例えば、前記複
合部材を撮像装置で撮像し、撮像画像を処理することに
より前記突出部を検出することができる。
【００４０】また、前記検出工程では、例えば、前記突
出部に影ができるように前記複合部材を照明しながら前
記複合部材を撮像装置で撮像し、撮像画像を処理するこ
とにより前記突出部を検出することができる。
【００４１】また、前記検出工程では、例えば、前記複
合部材の外周端をその接線方向に配置された撮像装置で
撮像し、撮像画像を処理することにより前記突出部を検
出することができる。
【００４２】この分離方法は、前記分離工程の実施に先
立って、前記検出工程で検出された前記突出部が前記分
離工程における作業位置に一致するように前記複合部材
を配置する配置工程を更に有することが好ましい。
【００４３】前記検出工程では、前記突出部として前記
第１の部材の外周端が最も突出した部分を検出すること
が好ましい。
【００４４】本発明の第４の側面に係る移設方法は、第
１の基板の表面の移設層を第２の基板に移設する移設方
法であって、内部に分離層を有し、その上に移設層を有
する第１の基板の前記移設層と、第２の基板とを貼り合
わせて、前記第１の基板の外周端が前記第２の基板の外
周端より外側に突出した突出部を有する貼り合わせ基板
を作成する作成工程と、前記貼り合わせ基板の前記突出
部を検出する検出工程と、前記検出工程で検出された前
記突出部を起点として前記貼り合わせ基板の分離を開始
し、その後、前記分離層の部分で前記貼り合わせ基板を
分離し、これにより、前記第１の基板の移設層を前記第
２の基板に移設する分離工程とを有することを特徴とす
る。
【００４５】本発明の第５の側面に係る基板の製造方法
は、内部に分離層を有し、その上に移設層を有する第１
の基板の表面と、第２の基板とを貼り合わせて、前記第
１の基板の外周端が前記第２の基板の外周端より外側に
突出した突出部を有する貼り合わせ基板を作成する作成
工程と、前記貼り合わせ基板の前記突出部を検出する検
出工程と、前記検出工程で検出された前記突出部を起点
として前記貼り合わせ基板の分離を開始し、その後、前
記分離層の部分で前記貼り合わせ基板を分離して、前記
第１の基板の移設層を前記第２の基板に移設する分離工
程とを有することを特徴とする。
【００４６】ここで、前記移設層は、例えば単結晶Ｓｉ
層を含む。更に、前記移設層は、前記単結晶Ｓｉ層の他
に、該単結晶Ｓｉ層の上に絶縁層を有してもよい。
【００４７】前記作成工程では、例えば、同一の大きさ
を有する第１の基板と第２の基板とを互いの中心位置を
ずらして密着させて前記貼り合わせ基板を作成すること
が好ましい。
【００４８】前記分離工程は、前記突出部を処理して分
離開始部を形成する予備分離工程と、前記分離開始部を
起点として前記貼り合わせ基板の分離を開始し、その
後、実質的に前記分離層のみを破壊して前記貼り合わせ
基板を前記分離層の部分で２枚の基板に分離する本分離
工程とを含むことが好ましい。
【００４９】前記予備分離工程では、例えば、前記突出
部に向けて流体を噴射することにより、該流体により前
記分離開始部を形成することができる。
【００５０】また、前記予備分離工程では、例えば、前
記突出部における前記第１の基板と前記第２の基板との
隙間に楔状の部材を挿入することにより前記分離開始部
を形成することができる。
【００５１】前記分離工程では、例えば、前記突出部に
向けて流体を噴射することにより前記貼り合わせ基板に
分離開始部を形成し、その後、流体を打ち込む位置を変
更しながら前記貼り合わせ基板の分離を進めることがで
きる。
【００５２】また、前記分離工程では、例えば、前記突
出部における前記第１の基板と前記第２の基板との隙間
に楔状の部材を挿入することにより、前記貼り合わせ基
板を分離することができる。
【００５３】前記分離開始部は、例えば、当該部分にお
ける前記分離層が最も脆弱な構造を有する部分である。
【００５４】前記分離開始部は、例えば、当該部分にお
ける前記移設層が除去され、該移設層の下層の分離層が
露出した部分である。
【００５５】前記分離開始部は、例えば、当該部分にお
ける分離層が露出すると共に、該分離層の外周端が前記
貼り合わせ基板の内側に向かって窪んでいる。
【００５６】前記検出工程では、例えば、非接触式又は
接触式のセンサを利用して前記突出部を検出する。
【００５７】前記検出工程では、例えば、前記貼り合わ
せ基板の外周端の側方に配置されたセンサを利用して前
記突出部を検出することができる。
【００５８】前記検出工程では、例えば、前記第１の基
板と前記第２の基板との密着面に対向する位置に配置さ
れたセンサを利用して前記突出部を検出することができ
る。
【００５９】前記検出工程では、例えば、前記第１の基
板の外周端と前記第２の基板の外周端とのずれ量を前記
貼り合わせ基板の外周に沿って検出することにより前記
突出部を検出することができる。
【００６０】前記検出工程では、例えば、前記貼り合わ
せ基板を撮像装置で撮像し、撮像画像を処理することに
より前記突出部を検出することができる。
【００６１】前記検出工程では、例えば、前記突出部に
影ができるように前記貼り合わせ基板を照明しながら前
記貼り合わせ基板を撮像装置で撮像し、撮像画像を処理
することにより前記突出部を検出することができる。
【００６２】前記検出工程では、例えば、前記貼り合わ
せ基板の外周端をその接線方向に配置された撮像装置で
撮像し、撮像画像を処理することにより前記突出部を検
出することができる。
【００６３】この基板の製造方法は、前記分離工程の実
施に先立って、前記検出工程で検出された前記突出部が
前記分離工程における作業位置に一致するように前記貼
り合わせ基板を配置する配置工程を更に有することが好
ましい。
【００６４】前記検出工程では、前記突出部として前記
第１の基板の外周端が最も突出した部分を検出すること
が好ましい。
【００６５】本発明の第６の側面に係る検出方法は、内
部に分離層を有する第１の部材と、第２の部材とを密着
させた構造を有する複合部材の特徴部を検出する検出方
法に関する。複合部材は、前記特徴部として、前記第１
の部材の外周端が前記第２の外周端より外側に突出した
部分を有する。この検出方法は、前記第１の部材の外周
端と前記第２の部材の外周端とのずれを前記複合部材の
外周に沿って検出するずれ検出工程と、前記ずれ検出工
程による検出結果に基づいて前記特徴部を決定する決定
工程とを有することを特徴とする。
【００６６】ここで、前記ずれ検出工程では、例えば、
前記第１の部材の外周端と前記第２の部材の外周端との
ずれを前記複合部材の全周に沿って検出することが好ま
しい。
【００６７】前記ずれ検出工程では、例えば、非接触式
又は接触式のセンサを利用して前記ずれを検出する。
【００６８】また、前記ずれ検出工程では、例えば、前
記複合部材の外周端の側方に配置されたセンサを利用し
て前記ずれを検出することができる。
【００６９】また、前記ずれ検出工程では、例えば、前
記第１の部材と前記第２の部材との密着面に対向する位
置に配置されたセンサを利用して前記ずれを検出するこ
とができる。
【００７０】また、前記ずれ検出工程では、例えば、前
記複合部材を撮像装置で撮像し、撮像画像を処理するこ
とにより前記ずれを検出することができる。
【００７１】また、前記ずれ検出工程では、例えば、前
記突出部に影ができるように前記複合部材を照明しなが
ら前記複合部材を撮像装置で撮像し、撮像画像を処理す
ることにより前記ずれを検出することができる。
【００７２】また、前記ずれ検出工程では、前記複合部
材の外周端をその接線方向に配置された撮像装置で撮像
し、撮像画像を処理することにより前記ずれを検出する
ことができる。
【００７３】前記決定工程では、前記特徴部として、前
記第１の部材の外周端が最も突出した部分を決定するこ
とが好ましい。
【００７４】本発明の第７の側面に係る位置決め方法
は、内部に分離層を有する第１の部材と、第２の部材と
を密着させた構造を有する複合部材の特徴部を所定位置
に位置決めする位置決め方法に関する。複合部材は、前
記特徴部として、前記第１の部材の外周端が前記第２の
外周端より外側に突出した部分を有する。この位置決め
方法は、前記第１の部材の外周端と前記第２の部材の外
周端とのずれを前記複合部材の外周に沿って検出するず
れ検出工程と、前記ずれ検出工程による検出結果に基づ
いて前記特徴部を決定する決定工程と、前記決定工程で
決定された前記特徴部が前記所定位置に一致するように
前記複合部材を配置する配置工程とを有することを特徴
とする。
【００７５】本発明の第８の側面に係る検出装置は、内
部に分離層を有する第１の部材と、第２の部材とを密着
させた構造を有する複合部材の特徴部を検出する検出装
置に関する。複合部材は、前記特徴部として、前記第１
の部材の外周端が前記第２の外周端より外側に突出した
部分を有する。この検出装置は、前記第１の部材の外周
端と前記第２の部材の外周端とのずれを前記複合部材の
外周に沿って検出するずれ検出手段と、前記ずれ検出手
段による検出結果に基づいて前記特徴部を決定する決定
手段と、を備えることを特徴とする。
【００７６】ここで、前記ずれ検出手段は、前記第１の
部材の外周端と前記第２の部材の外周端とのずれを前記
複合部材の全周に沿って検出することが好ましい。
【００７７】前記ずれ検出手段は、例えば、非接触式又
は接触式のセンサを利用して前記ずれを検出する。
【００７８】また、前記ずれ検出手段は、例えば、前記
複合部材の外周端の側方に配置されたセンサを有し、前
記センサを利用して前記ずれを検出することができる。
【００７９】また、前記ずれ検出手段は、例えば、前記
第１の部材と前記第２の部材との密着面に対向する位置
に配置されたセンサを有し、前記センサを利用して前記
ずれを検出することができる。
【００８０】また、前記ずれ検出手段は、例えば、撮像
装置を有し、前記複合部材を前記撮像装置で撮像し、撮
像画像を処理することにより前記ずれを検出することが
できる。
【００８１】また、前記ずれ検出手段は、例えば、照明
装置及び撮像装置を有し、前記突出部に影ができるよう
に前記複合部材を前記照明装置で照明しながら前記複合
部材を前記撮像装置で撮像し、撮像画像を処理すること
により前記ずれを検出することができる。
【００８２】また、前記ずれ検出手段は、例えば、前記
複合部材の外周端の接線方向に配置された撮像装置を有
し、前記複合部材の外周端を前記撮像装置で撮像し、撮
像画像を処理することにより前記ずれを検出することが
できる。
【００８３】前記決定手段は、前記特徴部として、前記
第１の部材の外周端が最も突出した部分を決定すること
が好ましい。
【００８４】本発明の第九の側面に係る位置決め装置
は、内部に分離層を有する第１の部材と、第２の部材と
を密着させた構造を有する複合部材の特徴部を所定位置
に位置決めする位置決め装置に関する。複合部材は、前
記特徴部として、前記第１の部材の外周端が前記第２の
外周端より外側に突出した部分を有する。この位置決め
装置は、前記第１の部材の外周端と前記第２の部材の外
周端とのずれを前記複合部材の外周に沿って検出するず
れ検出手段と、前記ずれ検出手段による検出結果に基づ
いて前記特徴部を決定する決定手段と、前記決定手段で
決定された前記特徴部が前記所定位置に一致するように
前記複合部材を配置する配置手段とを備えることを特徴
とする。
【００８５】本発明の第１０の側面に係る処理システム
は、内部に分離層を有する第１の部材と、第２の部材と
を密着させた構造を有する複合部材の特徴部を位置決め
する位置決め装置と、作業位置において前記複合部材を
処理する処理装置とを備える。この処理システムにおい
て、前記複合部材は、前記特徴部として、前記第１の部
材の外周端が前記第２の外周端より外側に突出した部分
を有し、前記位置決め装置は、前記複合部材の特徴部を
前記処理装置の作業位置に位置決めすることを特徴とす
る。
【００８６】ここで、前記処理装置は、前記特徴部を起
点として前記複合部材の分離を開始し、その後、前記分
離層の部分で前記複合部材を２つの部材に分離する分離
装置を含むことが好ましい。
【００８７】本発明の第１１の側面に係る半導体装置の
製造方法は、上記の本発明の第５の側面に係る基板の製
造方法を適用してＳＯＩ基板を準備する工程と、前記Ｓ
ＯＩ基板のＳＯＩ層を素子分離して、素子分離されたＳ
ＯＩ層にトランジスタを作り込む工程とを含むことを特
徴とする。
【００８８】ここで、前記トランジスタは、例えば、部
分空乏型のＦＥＴ、又は、完全空乏型のＦＥＴである。
【００８９】本発明の第１２の側面に係る半導体装置
は、上記の本発明の第１１の側面に係る半導体装置の製
造方法により製造され得ることを特徴とする。
【００９０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の好適な実施の形態を説明する。
【００９１】図１Ａ〜図１Ｇは、本発明の好適な実施の
形態に係るＳＯＩ構造等を有する基板の製造方法を説明
する図である。
【００９２】まず、図１Ａに示す工程では、第１の基板
（prime wafer）１０を形成するための単結晶Ｓｉ基板
１１を用意して、その主表面上に多孔質Ｓｉ層１２を形
成する。多孔質Ｓｉ層１２は、例えば、電解質溶液（化
成液）中で単結晶Ｓｉ基板１１に陽極化成処理を施すこ
とによって形成することができる。
【００９３】ここで、電解質溶液としては、例えば、弗
化水素を含む溶液、弗化水素及びエタノールを含む溶
液、弗化水素及びイソプロピルアルコールを含む溶液等
が好適である。より具体的な例を挙げると、電解質溶液
としては、例えば、ＨＦ水溶液（ＨＦ濃度＝４９ｗｔ
％）とエタノールを体積比２：１で混合した混合液が好
適である。
【００９４】また、多孔質Ｓｉ層１２を互いに多孔度の
異なる２層以上の層からなる多層構造としてもよい。こ
こで、多層構造の多孔質Ｓｉ層１２は、表面側に第１の
多孔度を有する第１の多孔質Ｓｉ層、その下に、第１の
多孔度より大きい第２の多孔度を有する第２の多孔質Ｓ
ｉ層を含むことが好ましい。このような多層構造を採用
することにより、後の非多孔質層１３の形成工程におい
て、第１の多孔質Ｓｉ層上に、欠陥等の少ない非多孔質
層１３を形成することができると共に、後の分離工程に
おいて、所望の位置で貼り合わせ基板を分離することが
できる。ここで、第１の多孔度としては、１０％〜３０
％が好ましく、１５％〜２５％が更に好ましい。また、
第２の多孔度としては、３５％〜７０％が好ましく、４
０％〜６０％が更に好ましい。
【００９５】電解質溶液として上記の混合液（ＨＦ濃度
が４９ｗｔ％の弗化水素酸：エタノール＝２：１）を利
用する場合は、例えば、電流密度８ｍＡ／ｃｍ２、処理
時間５〜１１ｍｉｎの条件で第１層（表面側）を生成
し、次いで、電流密度２３〜３３ｍＡ／ｃｍ２、処理時
間８０ｓｅｃ〜２ｍｉｎの条件で第２層（内部側）を生
成することが好ましい。
【００９６】次いで、次の（１）〜（４）の少なくとも
１つの工程を実施することが好ましい。ここで、
（１）、（２）を順に実施することが好ましく、
（１）、（２）、（３）を順に実施すること、或いは、
（１）、（２）、（４）を順に実施することが更に好ま
しく、（１）、（２）、（３）、（４）を順に実施する
ことが最も好ましい。
【００９７】（１）多孔質Ｓｉ層の孔壁に保護膜を形成
する工程（プリ酸化工程） この工程では、多孔質Ｓｉ層１２の孔壁に酸化膜や窒化
膜等の保護膜を形成し、これにより、後の熱処理による
孔の粗大化を防止する。保護膜は、例えば、酸素雰囲気
中で熱処理（例えば、２００℃〜７００℃が好ましく、
３００℃〜５００℃が更に好ましい）を実施することに
より形成され得る。その後、多孔質Ｓｉ層１２の表面に
形成された酸化膜等を除去することが好ましい。これ
は、例えば、弗化水素を含む溶液に多孔質Ｓｉ層１２の
表面を晒すことによって実施され得る。
【００９８】（２）水素ベ−キング工程（プリベ−キン
グ工程） この工程では、水素を含む還元性雰囲気中において８０
０℃〜１２００℃で、多孔質Ｓｉ層１２が形成された第
１の基板１に熱処理を実施する。この熱処理により、多
孔質Ｓｉ層１２の表面の孔をある程度封止することがで
きると共に、多孔質Ｓｉ層１２の表面に自然酸化膜が存
在する場合には、それを除去することができる。
【００９９】（３）微量原料供給工程（プリインジェク
ション工程） 多孔質Ｓｉ層１２上に非多孔質層１３を成長させる場合
は、成長の初期段階で非多孔質層１３の原料物質の供給
を微少量として、低速度で非多孔質膜１３を成長させる
ことが好ましい。このような成長方法により、多孔質Ｓ
ｉ層１２の表面の原子のマイグレーションが促進され、
多孔質Ｓｉ層１２の表面の孔を封止することができる。
具体的には、成長速度が２０ｎｍ／ｍｉｎ以下、好まし
くは１０ｎｍ／ｍｉｎ以下、より好ましくは２ｎｍ／ｍ
ｉｎ以下になるように原料の供給を制御する。
【０１００】（４）高温ベーキング工程（中間ベーキン
グ工程） 上記の水素ベーキング工程及び／又は微量原料供給工程
における処理温度よりも高い温度で、水素を含む還元性
雰囲気中で熱処理を実施することにより、多孔質Ｓｉ層
１２の更なる封止及び平坦化が実現することができる。
【０１０１】次いで、図１Ｂに示す工程の第１段階で
は、多孔質Ｓｉ層１２上に第１の非多孔質層１３を形成
する。第１の非多孔質層１３としては、単結晶Ｓｉ層、
多結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層等のＳｉ層、Ｇｅ層、Ｓｉ
Ｇｅ層、ＳｉＣ層、Ｃ層、ＧａＡｓ層、ＧａＮ層、Ａｌ
ＧａＡｓ層、ＩｎＧａＡｓ層、ＩｎＰ層、ＩｎＡｓ層等
が好適である。
【０１０２】次いで、図１Ｂに示す工程の第２段階で
は、第１の非多孔質層１３の上に第２の非多孔質層とし
てＳｉＯ２層（絶縁層）１４を形成する。これにより第
１の基板１０が得られる。ＳｉＯ２層１４は、例えば、
Ｏ２／Ｈ２雰囲気、１１００℃、１０〜３３ｍｉｎの条
件で生成され得る。
【０１０３】次いで、図１Ｃに示す工程では、第２の基
板（handle wafer）２０を準備し、第１の基板１０と第
２の基板２０とを、第２の基板２０と絶縁層１４とが面
するように室温で密着させて貼り合わせ基板３０を作成
する。
【０１０４】ここで、本発明の好適な実施の形態では、
分離用の層（分離層）としての多孔質層１２を有する基
板（即ち、第１の基板１０）の外周端の一部が第１の基
板２０の外周端よりも外側に存在する部分（以下、突出
部という）を有する貼り合わせ基板３０を作成する。こ
のような貼り合わせ基板３０を作成する方法としては、
例えば、同一サイズの第１の基板１０と第２の基板２０
とを互いの中心位置をずらして密着させる方法が好適で
ある。
【０１０５】図１Ｃは、同一サイズの第１の基板１０と
第２の基板２０とを互いの中心位置をずらして密着させ
る方法を適用した例を模式的に示している。第１の基板
１０の一部の突出量Ｄは、例えば０．１ｍｍ〜０．５ｍ
ｍ程度で十分であるが、それより大きくてもよい。図２
は、図１Ｃに示す貼り合わせ基板３０の一例を模式的に
示す斜視図である。
【０１０６】なお、絶縁層１４は、上記のように単結晶
Ｓｉ層１３側に形成しても良いし、第２の基板２０上に
形成しても良く、両者に形成しても良く、結果として、
第１の基板と第２の基板を密着させた際に、図１Ｃに示
す状態になれば良い。しかしながら、上記のように、絶
縁層１４を活性層となる第１の非多孔質層（例えば、単
結晶Ｓｉ層）１３側に形成することにより、第１の基板
１０と第２の基板２０との貼り合せの界面を活性層から
遠ざけることができるため、より高品位のＳＯＩ基板等
の半導体基板を得ることができる。
【０１０７】基板１０、２０が完全に密着した後、両者
の結合を強固にする処理を実施することが好ましい。こ
の処理の一例としては、例えば、１）Ｎ２雰囲気、１１
００℃、１０ｍｉｎの条件で熱処理を実施し、２）Ｏ２
／Ｈ２雰囲気、１１００℃、５０〜１００ｍｉｎの条件
で熱処理（酸化処理）を実施する処理が好適である。こ
の処理に加えて、或いは、この処理に代えて、陽極接合
処理及び／又は加圧処理を実施してもよい。
【０１０８】第２の基板２０としては、Ｓｉ基板、Ｓｉ
基板上にＳｉＯ２層を形成した基板、石英等の光透過性
の基板、サファイヤ等が好適である。しかし、第２の基
板２０は、貼り合わせに供される面が十分に平坦であれ
ば十分であり、他の種類の基板であってもよい。
【０１０９】次いで、図１Ｄに示す工程では、後述の方
法により突出部４１の位置を検出し、その突出部４１
に、分離処理を開始すべき部分である分離開始部４０を
形成する。具体的には、第１の基板１０の突出部４１の
少なくとも一部の領域における移設層（第１及び第２の
非多孔質層１３及び１４）を除去し、必要に応じて該移
設層の下の多孔質層を除去することにより分離開始部４
０を形成する。分離開始部４０の形成方法としては、例
えば、次の方法が好適である。
【０１１０】（１）突出部に向けて流体を噴射し、当該
部分の移設層及びその下の多孔質層１２を破壊して除去
する。
【０１１１】（２）突出部における貼り合わせ面（第１
の基板１０と第２の基板２０との貼り合わせ面）付近に
楔を挿入し、これにより、当該部分の移設層及びその下
の多孔質層１２を破壊して除去する。
【０１１２】なお、図１Ｄにおいて、１２ａは、分離開
始部４０が形成された後の多孔質層、１３ａは、分離開
始部４０が形成された後の第１の非多孔質層（例えば、
単結晶Ｓｉ層）、１４ａは、分離開始部４０が形成され
た後の第２の非多孔質層としての絶縁層である。
【０１１３】分離開始部４０は、続く分離工程におい
て、実質的に多孔質層１２のみが破壊されて貼り合わせ
基板が２枚の基板に分離されることが可能な構造を有す
ることが好ましい。或いは、分離開始部４０は、第１の
非多孔質層（例えば、単結晶Ｓｉ層）１３ａ、第２の非
多孔質層（絶縁層）１４ａ、第２の基板２０、単結晶Ｓ
ｉ基板１１、及び、それらの層又は基板の界面に比して
多孔質層１２が機械的に脆弱な構造を有する部分である
ことが好ましい。
【０１１４】より具体的には、分離開始部４０は、例え
ば、多孔質層１２ａが貼り合わせ基板の側面に露出した
構造を有することが好ましく、図１Ｄに示すように、多
孔質層１２ａの外周端が移設層（第１及び第２の非多孔
質層１３ａ及び１４ａ）の外周端よりも内側に窪んでい
ることが更に好ましい。
【０１１５】以上のように、突出部を有する貼り合わせ
基板３０を形成することにより、当該部分の移設層や、
その下の多孔質層を容易に除去することができる。これ
は、突出部の移設層は、他の部分の移設層よりも露出の
度合が大きいからである。従って、突出部を有する貼り
合わせ基板を形成することにより、分離開始部を容易に
形成することができる。
【０１１６】また、分離開始部４０を形成することによ
り、続く分離工程において、多孔質層１２を選択的に破
壊して貼り合わせ基板を分離することができるため、分
離工程における欠陥の発生を効果的に防止することがで
きる。
【０１１７】次いで、図１Ｅに示す工程では、分離開始
部４０が形成された貼り合わせ基板を、その分離開始部
４０の多孔質層１２ａの部分で分離を開始し、最終的に
多孔質層１２ａの部分で２枚の基板に完全に分離する。
分離の方法としては、例えば、次のような方法が好適で
ある。
【０１１８】（１）流体による分離 貼り合わせ基板の外周部の隙間に向けて束状の流体を噴
射し、該流体により該貼り合わせ基板を多孔質層１２の
部分で２枚の基板に分離する。流体としては、例えば、
水、アルコ−ル等の有機溶媒、弗化水素酸等の酸、水酸
化カリウム等のアルカリ、多孔質層を選択的にエッチン
グ可能なエッチング作用を奏する液体等が好適である。
また、流体として、低温冷却媒体、超冷却媒体を採用す
ることもできる。更に、流体として、空気、窒素ガス、
炭酸ガス、希ガス等の気体を採用することもできる。
【０１１９】（２）楔による分離 貼り合わせ基板の外周部の隙間に、例えば樹脂製の薄い
楔を緩やかに挿入することにより、該貼り合わせ基板を
多孔質層１２ａの部分で２枚の基板に分離する。
【０１２０】（３）引き剥がしによる分離 貼り合わせ基板の一方の面を固定し、フレキシブルテー
プ等を利用して他方の面を該貼り合わせ基板の軸方向に
引っ張ることにより、該貼り合わせ基板を多孔質層で分
離する。
【０１２１】（４）せん断応力による分離 貼り合わせ基板の一方の面を固定し、他方の面を該貼り
合わせ基板の面方向に移動させるように該他方の面に力
を印加することにより、せん断応力によって該貼り合わ
せ基板を多孔質層で分離する。
【０１２２】ここで、図１Ｄに示す分離開始部の形成工
程（予備分離工程）と、図１Ｅに示す分離工程（本分離
工程）とを同一の処理装置により連続的に実施してもよ
い。例えば、ウォータージェット装置（流体による分離
装置）を利用し、水等の液体により、分離開始部の形成
工程（予備分離工程）と分離工程（本分離工程）とを連
続的に実施することが好適である。この場合、突出部に
おいて分離処理を開始し、貼り合わせ基板が完全に分離
されるまで該分離処理を続行することになる。
【０１２３】以上のように、分離開始部を形成した後
に、該分離開始部から分離処理を開始することにより、
貼り合わせ基板を実質的に多孔質層の部分のみで分離す
ることができ、第１の非多孔質層（例えば、単結晶Ｓｉ
層）１３ａ、第２の非多孔質層（絶縁層）１４ａ、第２
の基板２０、単結晶Ｓｉ基板１１、及び、それらの層又
は基板の界面の破壊（欠陥の発生）を防止することがで
きる。
【０１２４】また、突出部を有する貼り合わせ基板を用
いて、最初に該突出部に分離開始部を形成し、該分離開
始部から全体的な分離を開始することにより、貼り合わ
せ基板を実質的に多孔質層の部分のみで分離することが
でき、単結晶Ｓｉ層１３、絶縁層１４、第２の基板２
０、単結晶Ｓｉ基板１１、及び、それらの層又は基板の
界面が破壊されることを防止することができる。
【０１２５】ところで、例えば、同一サイズの第１の基
板１０と第２の基板とをそれらの中心が一致するように
密着させてなる貼り合わせ基板（通常の貼り合わせ基
板）をそのまま分離する場合には、単結晶Ｓｉ層１３、
絶縁層１４、第２の基板２０、単結晶Ｓｉ基板１１、及
び、それらの層又は基板の界面が破壊されて欠陥が発生
する場合がある。このメカニズムは、次のように考えら
れる。
【０１２６】貼り合わせ基板においては、多孔質層１２
が最も脆弱であることが理想的である。しかしながら、
実際には、例えば、多孔質層１２、第１の非多孔質層
（例えば、単結晶Ｓｉ層）１３、第２の非多孔質層（絶
縁層）１４、第２の基板２０の間に作用する応力の他、
貼り合せの不良等により、局所的に多孔質層１２と同程
度に脆弱な部分、或いは、多孔質層１２よりも脆弱な部
分（以下、欠陥誘引部）が発生し得る。
【０１２７】このような欠陥誘引部は、分離処理におい
て優先的に破壊されて欠陥を齎すことになる。このよう
な欠陥は、分離処理を開始する部分、即ち、分離のため
の力を最初に印加する部分において発生し易い。これ
は、分離処理を開始する部分、即ち、貼り合わせ基板の
外周部は、多孔質層１２、第１の非多孔質層（例えば、
単結晶Ｓｉ層）１３、第２の非多孔質層（絶縁層）１４
及び第２の基板２０に対して同程度の力が作用するた
め、欠陥誘引部が存在すると、該欠陥誘引部が多孔質層
１２に先立って破壊される可能性が高いからであると考
えられる。一方、分離処理が進行すると、平均的な強度
が最も脆弱な層である多孔質層１２に対して集中的に分
離のための力（分離力）が作用し、他の部分には該分離
力が作用しにくいため、欠陥誘引部の有無に拘らず、多
孔質層１２が選択的に分離されると考えられる。
【０１２８】従って、本実施の形態のように、突出部を
有する貼り合わせ基板３０を形成し、該突出部に分離開
始部を形成し、以降の分離処理を該分離開始部４０から
開始することが好ましい。
【０１２９】図１Ｅに示す分離工程により、分離後の第
１の基板１０’は、単結晶Ｓｉ基板１１上に多孔質１２
ｂを有する構造となる。一方、分離後の第２の基板２
０’は、多孔質Ｓｉ層１２ｃ／第１の非多孔質層（例え
ば、単結晶Ｓｉ層）１３ｂ／第２の非多孔質層（絶縁
層）１４ｂ／単結晶Ｓｉ基板２０の積層構造となる。
【０１３０】即ち、以上の工程により、第１の基板の多
孔質層１２上の第１の非多孔質層（例えば、単結晶Ｓｉ
層）１３及び第２の非多孔質層（絶縁層）１４を第２の
基板に移設することができる。
【０１３１】図１Ｆに示す工程では、分離後の第２の基
板２０’の表面の多孔質層１２ｃを選択的に除去する。
これにより、図１Ｆに示すように、第１の非多孔質層
（例えば、単結晶Ｓｉ層）１３ｂ／第２の非多孔質層
（絶縁層）１４ｂ／単結晶Ｓｉ基板２０の積層構造を有
する基板５０が得られる。第１の非多孔質層としてＳｉ
層、第２の非多孔質層として絶縁層を有する基板は、Ｓ
ＯＩ基板である。多孔質層の除去の方法としては、例え
ば、エッチング法、より具体的には、例えば、ＨＦ濃度
が０．１３〜０．２ｗｔ％、Ｈ２Ｏ２濃度が５〜６ｗｔ
％、及びエタノール濃度が１〜３ｗｔ％となるような弗
化水素酸、過酸化水素水、エタノール、及び水の混合液
をエッチング液として利用し、このエッチング液に、表
面に多孔質層を有する第２の基板を浸す方法が好適であ
る。なお、他の除去方法としては、例えば、多孔質層を
研磨等により除去する方法がある。また、残留多孔質層
が極めて薄い場合には、水素を含む還元性雰囲気中で熱
処理することによって多孔質層を非多孔質化することも
できる。
【０１３２】図１Ｇに示す工程では、分離後の第１の基
板１０’の単結晶Ｓｉ基板１１上の多孔質層１２ｂをエ
ッチング等により選択的に除去する。このようにして得
られる単結晶Ｓｉ基板１１は、再び第１の基板１０を形
成するための基板、又は第２の基板２０として利用され
得る。
【０１３３】以上のように、本発明の好適な実施の形態
によれば、突出部を有する貼り合わせ基板を形成し、分
離処理の開始時に該突出部に分離開始部を形成すること
により、以降の分離処理において該分離開始部が優先的
に破壊されるため、欠陥の発生を防止することができ
る。
【０１３４】貼り合わせ基板としては、次のような方法
により作成されたものを採用してもよい。まず、ミラー
ウェハやエピタキシャルウェハ等の単結晶Ｓｉ基板に代
表される半導体を準備する。ここで、必要に応じて、該
基板の表面に熱酸化シリコン等の絶縁膜を形成する。次
いで、ラインビームによるイオン打ち込み法、プラズマ
イマージョン法等により、水素イオン、希ガスイオン等
のイオンを該基板に注入し、表面から所定の深さに、分
離層として、比較的高濃度のイオン注入層を形成する。
このようにして第１の基板を得る。
【０１３５】次いで、上記と同様の方法により作成され
た第２の基板を前述の貼り合わせ方法に従って第１の基
板と貼り合せる。これにより、移設すべき層（移設層）
を内部に有する貼り合わせ基板が得られる。
【０１３６】次いで、前述のように貼り合わせ基板の突
出部を検出し、その突出部を起点として、分離層として
のイオン注入層に沿って貼り合わせ基板を分離する。
【０１３７】このイオン注入層は、歪みが生じたり、欠
陥が生じたり、或いは、注入イオンによる微小気泡が生
じて多孔質体となっていたりする。このようなイオン注
入層は、機械的強度が相対的に弱いため、分離層として
機能する。
【０１３８】次に、図１Ｄ及び図１Ｅに示す分離開始部
の形成工程（予備分離工程）及び分離工程（本分離工
程）の実施に好適な処理装置を説明する。
【０１３９】［処理装置の第１の構成例］図３及び図４
は、本発明の好適な実施の形態に係る貼り合わせ基板の
処理装置の構成を概略的に示す図である。
【０１４０】図３及び図４に示す処理装置１００は、一
対の基板保持部１０３及び１０４を有し、該基板保持部
１０３及び１０４により貼り合わせ基板３０を両側から
押圧して保持する。基板保持部１０３、１０４は、夫々
回転可能に軸支された回転軸１０１、１０２に連結され
ている。
【０１４１】回転軸１０１、１０２の少なくとも一方
は、貼り合わせ基板３０に押圧力を印加する他、基板保
持部１０３と基板保持部１０４との間隔を縮めたり広げ
たりするためのアクチュエータ（例えば、エアシリン
ダ）に連結されている。また、回転軸１０１、１０２の
少なくとも一方は、回転源（例えば、モータ）の回転軸
に連結されており、該回転源が発生する駆動力により貼
り合わせ基板３０を回転させることができる。
【０１４２】また、この処理装置１００は、水等の液体
又は空気や窒素等の気体、即ち流体を噴射するための噴
射ノズル１０５を有する。噴射ノズル１０５の径は、例
えば０．１ｍｍ程度が好適である。この流体として、水
を用いる装置は、特に、ウォータージェット装置とも呼
ばれる。
【０１４３】この処理装置１００を図１Ｄに示す分離開
始部の形成工程（予備分離工程）において使用する場合
は、図３に示すように、貼り合わせ基板３０の突出部を
噴射ノズル１０５に対向させた状態で貼り合わせ基板３
０を固定し、その状態で、該貼り合わせ基板３０の突出
部に向けて噴射ノズル１０５より流体を噴射する。
【０１４４】また、この処理装置１００を図１Ｅに示す
分離工程（本分離工程）において使用する場合は、図４
に示すように、分離開始部４０を有する貼り合わせ基板
３０を該分離開始部４０が噴射ノズル１０５に対向する
状態で、該分離開始部４０に向けて噴射ノズル１０５か
ら流体を噴射し、その後、貼り合わせ基板３０を回転さ
せながら分離を進める。
【０１４５】この処理装置１００を分離開始部の形成工
程（予備分離工程）及び分離工程（本分離工程）におい
て連続的に使用する場合は、まず、図３に示すように、
貼り合わせ基板を固定した状態で、該貼り合わせ基板の
突出部に向けて噴射ノズル１０５より流体を噴射する
（予備分離工程）。そして、分離開始部４０が形成され
たら、図４に示すように、貼り合わせ基板３０を回転さ
せることにより、分離工程（本分離工程）に移行し、そ
の後は、貼り合わせ基板３０を回転させた状態で該貼り
合わせ基板３０を多孔質層の部分で完全に分離する。
【０１４６】貼り合わせ基板３０の突出部に分離開始部
を形成ためには、該突出部を正確に作業位置（即ち、噴
射ノズル１０５に対向する位置）に配置する必要があ
る。この実施の形態では、後述の位置決め装置により、
貼り合わせ基板３０の突出部の位置を検出し、その検出
結果に基づいて該突出部を基準位置（例えば、位置決め
装置の基準位置）に合わせ、その後、搬送ロボットによ
り、突出部が作業位置に一致するように貼り合わせ基板
３０を処理装置１００に搬送する。
【０１４７】［処理装置の第２の構成例］図５は、本発
明の好適な実施の形態に係る貼り合わせ基板の処理装置
の構成を概略的に示す図である。図５に示す処理装置２
００は、貼り合わせ基板３０を支持する支持部２０３を
有する支持台２０１と、貼り合わせ基板３０を支持部２
０３に押圧するための弾性体２０２と、楔２１０とを有
する。
【０１４８】この処理装置２００を図１Ｄに示す分離開
始部の形成工程（予備分離工程）において使用する場合
は、貼り合わせ基板３０の突出部の反対側を支持部２０
３により支持し、その状態で、突出部における貼り合わ
せ基板の貼り合わせ面付近に楔２１０を所定量だけ緩や
かに挿入する。これにより、突出部の多孔質層及びその
上の移設層が破壊され、貼り合わせ基板３０に分離開始
部が形成される。
【０１４９】また、この処理装置２００を図１Ｅに示す
分離工程（本分離工程）において使用する場合は、分離
開始部を有する貼り合わせ基板３０を支持部２０３によ
り該分離開始部の反対側の部分で支持し、その状態で、
分離開始部に楔２１０を緩やかに挿入し、その後、楔２
１０を押し込むことにより分離を進める。
【０１５０】この処理装置２００を分離開始部の形成工
程（予備分離工程）及び分離工程（本分離工程）におい
て連続的に使用する場合は、分離開始部を形成した後
に、更に、楔２１０を貼り合わせ基板３０内に押し込め
ばよい。
【０１５１】貼り合わせ基板３０の突出部に分離開始部
を形成するためには、該突出部を正確に作業位置（即
ち、楔２１０の移動経路上）に配置する必要がある。こ
の実施の形態では、後述の位置決め装置により、貼り合
わせ基板３０の突出部の位置を検出し、その検出結果に
基づいて該突出部を基準位置（例えば、位置決め装置の
基準位置）に合わせ、その後、搬送ロボットにより、突
出部が作業位置に一致するように、貼り合わせ基板３０
を処理装置２００に搬送する。
【０１５２】なお、上記の方法は、内部に分離層を有す
る第１の部材と、第２の部材とを密着させてなる複合部
材の製造方法や該複合部材の分離方法等にも適用するこ
とができる。ここで、第１の部材は、第１の基板１０に
対応し、第２の部材は、第２の基板２０に対応し、分離
層は多孔質層に対応し、複合部材は、貼り合わせ基板３
０に対応する。
【０１５３】次に、貼り合わせ基板３０の突出部を処理
装置１００又は２００の作業位置に位置決めするための
位置決め装置について説明する。この実施の形態では、
位置決め装置は、貼り合わせ基板３０の突出部の位置を
検出し、その検出結果に基づいて該突出部を基準位置
（例えば、位置決め装置の基準位置）に合わせる。その
後、その貼り合わせ基板３０は、搬送ロボットにより、
処理装置に搬送され該処理装置に引き渡される。この
際、搬送ロボットは、基準位置に位置合わせされた貼り
合わせ基板３０の突出部が処理装置１００又は２００の
作業位置に一致するように、該貼り合わせ基板３０を搬
送する。
【０１５４】以下、本発明の好適な実施の形態に係る位
置決め装置について説明する。なお、以下では、貼り合
わせ基板３０の２つの突出部のうち、第１の基板１０の
外周が突出した突出部を第１の突出部、第２の基板２０
の外周が突出した突出部を第２の突出部という。また、
以下では、第１の突出部の位置を検知して、これを基準
位置に合わせ、結果として、第１の突出部を処理装置１
００又は２００の作業位置に位置合わせするものとす
る。これにより、分離開始部４０は、第１の突出部に形
成されることになる。ここで、分離開始部４０を第１の
突出部に形成した方が、第２の突出部に形成した場合よ
りも、分離処理による欠陥の発生を抑えることができ
る。
【０１５５】［位置決め装置の第１の構成例］図６及び
図７は、第１の構成例に係る位置決め装置を示す図であ
る。この位置決め装置１０００は、まず、貼り合わせ基
板３０の芯出しを行い、次いで、第１の基板１０のエッ
ジ（外周端）と第２の基板２０のエッジ（外周端）との
ずれ量を該貼り合わせ基板３０の全周について検出し、
このずれ量に基づいて第１の突出部の位置を検出し、次
いで、第１の突出部が基準位置に一致するように、貼り
合わせ基板３０を回転させる。
【０１５６】この位置決め装置１０００は、貼り合わせ
基板３０をｘｙ平面内で回転させるための基板回転ステ
ージ１０１０を有する。基板回転ステージ１０１０は、
回転シャフト１０１３及びカップリング１０１４を介し
てモータ１０１５の回転シャフトに連結されている。モ
ータ１０１５は、コンピュータ１０３０によって制御さ
れるコントローラ１０１６からの指示に従って動作す
る。
【０１５７】また、この位置決め装置１０００は、基板
回転ステージ１０１０上に不図示の搬送ロボット等によ
り載置される貼り合わせ基板１０１０の芯出しのための
機構として、貼り合わせ基板３０のエッジ（外周端）を
両側から挟む一対の芯出し部材１００１及び１００２を
有する。芯出し部材１００１は、エアシリンダ１００７
によって、ガイドレール１００５に沿って駆動される。
また、同様に、芯出し部材１００２は、エアシリンダ１
００８によって、ガイドレール１００６に沿って駆動さ
れる。貼り合わせ基板３０の芯出しは、エアシリンダ１
００７、１００８によって芯出し部材１００１、１００
２を押し出して、芯出し部材１００１及び１００２によ
って貼り合わせ基板３０を両側から挟むことによってな
される。
【０１５８】また、この位置決め装置１０００は、貼り
合わせ基板３０のエッジ（第１の基板のエッジ及び第２
の基板のエッジ）の位置（ｙ方向の位置）を検出する位
置検出装置としてレーザ式位置検出センサ１０２０を有
する。レーザ式位置検出センサ１０２０は、モータ１０
２６によって回転駆動されるボールネジ１０２１によっ
て上下方向（ｚ方向）に駆動される。モータ１０２６
は、コンピュータ１０３０によって制御されるコントロ
ーラ１０２８からの指示に従って動作する。レーザ式位
置検出装置１０２０の出力は、アンプユニット１０２７
によって増幅されコンピュータ１０３０に提供される。
この構成において、基板回転テーブル１０１を停止させ
た状態で、レーザ式位置検出センサ１０２０を上昇又は
下降させながら貼り合わせ基板３０のエッジの位置（ｙ
方向の位置）がｚ軸方向（貼り合わせ基板の軸方向）に
沿って検出される。
【０１５９】図８は、レーザ式位置検出センサ１０２０
によって検出される貼り合わせ基板３０のエッジの一例
を示す図である。なお、図８において、横軸は、レーザ
式位置検出センサ１０２０（或いは、貼り合わせ基板３
０）のｚ方向の位置、縦軸は、レーザ式位置検出センサ
１０２０の出力をアンプユニット１０２７によって増幅
した信号（検出信号）を示している。ここで、貼り合わ
せ基板３０を第１の基板が下側になるように、基板回転
テーブル１０１０上に載置すると、図８のグラフの左側
が第１の基板１０のエッジ、右側が第２の基板のエッジ
の位置を示す。この検出信号に基づいて、図８に示すグ
ラフの左側の山の頂上と右側の山の頂上との差分を演算
することにより、コンピュータ１０３０は、第１の基板
１０のエッジと第２の基板２０のエッジとのずれ量（突
出量）を検出することができる。
【０１６０】このようなずれ量の検出は、基板回転ステ
ージ１０１０を所定角度ずつ回動させ及び停止させ、そ
の都度、実行される。これにより、貼り合わせ基板３０
の全周について、第１の基板１０のエッジと第２の基板
のエッジとのずれ量（突出量）を検出することができ
る。図９は、貼り合わせ基板３０の全周について実行さ
れたずれ量の検出結果を示す図である。なお、図９にお
いて、横軸は、基板回転ステージ１０１０の回転角度、
縦軸は、第１の基板１０のエッジと第２の基板２０のエ
ッジとのずれ量を示している。即ち、図９は、貼り合わ
せ基板３０のエッジに沿って検出された第１の基板１０
のエッジと第２の基板２０のエッジとのずれ量を示して
いる。ここで、第１の基板１０のエッジが第２の基板２
０のエッジよりも突出している場合のずれ量を正、第２
の基板２０のエッジが第１の基板１０のエッジよりも突
出している場合のずれ量を負の値とすると、図９に示す
ように、第１の突出部は、ずれ量が正の値を有する部分
である。第１の突出部の位置は、例えば代表位置で表現
される。代表位置は、好適には、ずれ量が正の極大値を
有する位置である。また、第１の突出部の位置（代表位
置）は、例えば、基板回転ステージ１０１０の回転角度
によって特定される（図９の場合、第１の突出部は、−
９０度の位置である）。
【０１６１】第１の突出部の位置が検出された後、貼り
合わせ基板３０は、該第１の突出部が所定の基準位置
（例えば、レーザ式位置検出センサ１０２０に対向する
位置）に一致するように、基板回転ステージ１０１０に
よって位置決めされる。
【０１６２】図１０は、位置決め装置における位置決め
と分離装置における位置決めとの関係を示す図である。
前述のようにして位置決め装置１０００において第１の
突出部３１が基準位置１５００に位置決めされた貼り合
わせ基板３０は、搬送ロボット１１００により、第１の
突出部３１が分離装置１００（２００）の作業位置１６
００に一致するように、任意の経路１１００ａを辿って
搬送される。この位置決め方法は、他の第２〜第６の構
成例に係る位置決め装置にも適用され得る。
【０１６３】ここで、他の方式によれば、貼り合わせ基
板３０は、第１の突出部３１の位置が位置決め装置（こ
の場合、位置検出装置）１０００で検出された後に該位
置決め装置１０００で基準位置に位置決めされることな
く、不図示の搬送ロボットに引き渡される。そして、該
搬送ロボットは、その検出結果に基づいて、第１の突出
部３１が分離装置１００（２００）の作業位置１６００
に一致するように、貼り合わせ基板３０を操作（回転、
並進）して、分離装置１００（２００）に引き渡す。こ
のような方式は、他の第２〜第６の構成例に係る位置決
め装置にも適用され得る。
【０１６４】次に、図１１に示すフローチャートを参照
しながら位置決め装置１０００における位置決めの手順
を説明する。なお、このフローチャートに示す処理は、
コンピュータ１０３０によって制御される。
【０１６５】まず、ステップＳ１０１では、搬送ロボッ
ト（例えば、図１０に示す搬送ロボット１１００）によ
り、貼り合わせ基板３０が基板回転ステージ１０１０上
に載置される。この際、貼り合わせ基板３０の中心は、
基板回転ステージ１０１０の回転中心に大雑把に位置合
わせされる。なお、貼り合わせ基板３０が基板回転ステ
ージ１０１０に載置される際の該貼り合わせ基板３０の
天地（２枚の基板１０及び２０のうちいずれの基板が上
側であるか）は、予め決定され、又は、貼り合わせ基板
３０が基板回転ステージ１０１０に載置される際に他の
装置又はオペレータからコンピュータ１０３０に提供さ
れ、若しくは、コンピュータ１０３０が取得（例えば、
検知）するものとする。
【０１６６】ステップＳ１０２では、芯出し部材１００
１及び１００２によって貼り合わせ基板３０を両側方か
ら挟み込むことにより、貼り合わせ基板３０の中心が基
板回転ステージ１０１０の回転中心に位置合わせされ
る。
【０１６７】ステップＳ１０３〜Ｓ１０６では、貼り合
わせ基板３０の全周について、所定角度毎に、該貼り合
わせ基板の軸方向（ｚ軸方向）に沿って、該貼り合わせ
基板３０のエッジの位置がレーザ式位置検出センサ１０
２０によって計測されると共に、該貼り合わせ基板３０
を構成する両基板１０、２０のずれ量が演算される。
【０１６８】具体的には、ステップＳ１０３では、基板
回転ステージ１０１０が停止した状態で、レーザ式位置
検出センサ１０２０を利用して、該貼り合わせ基板の軸
方向（ｚ軸方向）に沿って、該貼り合わせ基板３０のエ
ッジの位置をレーザ式位置検出センサ１０２０によって
計測する。この計測の結果の一例は、図８に模式的に示
されている。
【０１６９】ステップＳ１０４では、ステップＳ１０３
における計測の結果に基づいて、貼り合わせ基板３０を
構成する両基板１０、２０のエッジのずれ量を演算し、
その演算結果を記憶する。ここで、ずれ量は、例えば、
第１の基板１０が突出している部分のずれ量が正の値に
なるように演算される。
【０１７０】ステップＳ１０５では、貼り合わせ基板３
０の全周について、ステップＳ１０３及びＳ１０４の実
行が完了したか否かを判断し、未完了の場合には、ステ
ップＳ１０６において、基板回転ステージ１０１０を所
定角度（例えば、１０度）だけ回動させ、その後、ステ
ップＳ１０３及びＳ１０４を実行する。
【０１７１】一方、以上の処理が貼り合わせ基板３０の
全周について完了したら、ステップＳ１０７において、
貼り合わせ基板３０の全周についての両基板のずれ量
（図９参照）に基づいて第１の突出部の位置（代表位
置）を決定する。具体的には、所定角度毎に得られたず
れ量のデータを曲線近似し、例えばずれ量が正の最大値
となる、基板回転ステージ１０１０の回転角度を決定す
る。
【０１７２】ステップＳ１０８では、図１０に示すよう
に、第１の突出部の位置が基準位置に一致するように基
板回転テーブル１０１０を回動させる。
【０１７３】この実施の形態によれば、貼り合わせ基板
３０を構成する第１の基板１０及び第２の基板のいずれ
が上側（又は下側）であるかに拘らず、第１の突出部
（或いは、分離開始部を形成すべき部分）の位置を検出
し、これを基準位置に一致させることができる。ただ
し、貼り合わせ基板３０の天地が、予め決定され、又
は、貼り合わせ基板３０が基板回転ステージ１０１０に
載置される際にコンピュータ１０３０に提供され、若し
くは、コンピュータ１０３０が取得することが条件であ
る。典型的には、位置決め装置１０００には、天地を統
一して複数枚の貼り合わせ基板３０が収容されたウェハ
キャリアから一枚ずつ貼り合わせ基板３０が取り出され
て提供され、その天地は予め決定される。
【０１７４】［位置決め装置の第２の構成例］図１２及
び図１３は、第２の構成例に係る位置決め装置を示す図
である。この位置決め装置２０００は、まず、貼り合わ
せ基板３０の芯出しを行い、次いで、第１の基板１０の
エッジと第２の基板２０のエッジとのずれ量を貼り合わ
せ基板３０の１つの面に対向する位置に配置された位置
検出装置で検出し、このずれ量に基づいて第１の突出部
の位置を検出し、次いで、第１の突出部が基準位置に一
致するように、貼り合わせ基板３０を回転させる。
【０１７５】この位置決め装置２０００は、貼り合わせ
基板３０をｘｙ平面内で回転させるための基板回転ステ
ージ１０１０を有する。基板回転ステージ１０１０は、
回転シャフト１０１３及びカップリング１０１４を介し
てモータ１０１５の回転シャフトに連結されている。モ
ータ１０１５は、コンピュータ１０３０によって制御さ
れるコントローラ１０１６からの指示に従って動作す
る。
【０１７６】また、この位置決め装置２０００は、基板
回転ステージ１０１０上に不図示の搬送ロボット等によ
り載置される貼り合わせ基板１０１０の芯出しのための
機構として、貼り合わせ基板３０のエッジを両側から挟
む一対の芯出し部材１００１及び１００２を有する。芯
出し部材１００１は、エアシリンダ１００７によって、
ガイドレール１００５に沿って駆動される。また、同様
に、芯出し部材１００２は、エアシリンダ１００８によ
って、ガイドレール１００６に沿って駆動される。貼り
合わせ基板３０の芯出しは、エアシリンダ１００７、１
００８によって芯出し部材１００１、１００２を押し出
して、芯出し部材１００１及び１００２によって貼り合
わせ基板３０を両側から挟むことによってなされる。
【０１７７】また、この位置決め装置２０００は、貼り
合わせ基板３０の１つの面に対向して配置されたレーザ
式位置検出センサ１０２０を有する。図１２及び図１３
に示す例では、レーザ式位置検出センサ１０２０は、基
板回転ステージ１０１０の反対側に配置されている。貼
り合わせ基板３０は、第１の基板１０が下側、第２の基
板２０が上側になるように、基板回転ステージ１０１０
上に載置される。これは、第１の基板１０が突出してい
る第１の突出部における突出量をレーザ式位置検出セン
サ１０２０で観察するためである。
【０１７８】レーザ式位置検出センサ１０２０は、モー
タ１０２６によって回転駆動されるボールネジ１０２１
によって、貼り合わせ基板３０に対向する面内でｙ方向
に駆動される。モータ１０２６は、コンピュータ１０３
０によって制御されるコントローラ１０２８からの指示
に従って動作する。レーザ式位置検出装置１０２０の出
力は、アンプユニット１０２７によって増幅されコンピ
ュータ１０３０に提供される。この構成において、基板
回転テーブル１０１を停止させた状態で、レーザ式位置
検出センサ１０２０をｙ軸の正方向又は負方向に移動さ
せながら、貼り合わせ基板３０とｚ軸方向の位置が該貼
り合わせ基板３０の面に沿って検出される。
【０１７９】図１４は、レーザ式位置検出センサ１０２
０によって検出される貼り合わせ基板３０のエッジにお
ける第１の基板１０と第２の基板２０との段差の一例を
示す図である。なお、図１４において、横軸は、レーザ
式位置検出センサ１０２０（或いは、貼り合わせ基板３
０）のｙ方向の位置、縦軸は、レーザ式位置検出センサ
１０２０の出力（貼り合わせ基板のエッジ付近のｚ軸方
向の位置）をアンプユニット１０２７によって増幅した
信号（検出信号）を示している。即ち、図１４に示すグ
ラフは、貼り合わせ基板３０のエッジの断面形状（段差
形状）に相当する。この検出信号に基づいて、第１の基
板１０のエッジ及び第２の基板のエッジを検出し、両者
の距離を演算することにより、コンピュータ１０３０
は、第１の基板１０のエッジと第２の基板２０のエッジ
とのずれ量（突出量）を検出することができる。
【０１８０】このようなずれ量の検出は、基板回転ステ
ージ１０１０を所定角度ずつ回動させ及び停止させ、そ
の都度、実行される。これにより、貼り合わせ基板３０
の全周のうち第１の基板１０が突出した部分について、
第１の基板１０のエッジと第２の基板のエッジとのずれ
量（突出量）を検出することができる。図１５は、貼り
合わせ基板３０の全周について実行されたずれ量の検出
結果を示す図である。なお、図１０において、横軸は、
基板回転ステージ１０１０の回転角度、縦軸は、第１の
基板１０のエッジと第２の基板２０のエッジとのずれ量
（第１の基板１０が突出した部分のみ）を示している。
ここで、第１の突出部は、ずれ量が０よりも大きな値を
有する部分であり、その代表位置は、好適には、ずれ量
が極大値を有する部分である。第１の突出部の位置（代
表位置）は、例えば、基板回転ステージ１０１０の回転
角度によって特定される（図１５の場合、第１の突出部
は、−９０度の位置である）。
【０１８１】第１の突出部の位置が検出された後、貼り
合わせ基板３０は、該第１の突出部が所定の基準位置
（例えば、レーザ式位置検出センサ１０２０に対向する
位置）に一致するように、基板回転ステージ１０１０に
よって位置決めされる。
【０１８２】この構成例では、レーザ式位置検出センサ
１０２０の配置位置によって、貼り合わせ基板３０の配
置方向が制限（第１の基板１０を下側にする必要があ
る）されるが、例えば、他のレーザ式位置検出センサを
レーザ式位置検出センサ１０２０に対向させて配置する
ことにより、この制限をなくすことができる。
【０１８３】次に、図１６に示すフローチャートを参照
しながら位置決め装置２０００における位置決めの手順
を説明する。なお、このフローチャートに示す処理は、
コンピュータ１０３０によって制御される。
【０１８４】まず、ステップＳ２０１では、搬送ロボッ
ト（例えば、図１０に示す搬送ロボット１１００）によ
り、貼り合わせ基板３０が第１の基板１０を下側にして
基板回転ステージ１０１０上に載置される。この際、貼
り合わせ基板３０の中心は、基板回転ステージ１０１０
の回転中心に大雑把に位置合わせされる。
【０１８５】ステップＳ２０２では、芯出し部材１００
１及び１００２によって貼り合わせ基板３０を両側方か
ら挟み込むことにより、貼り合わせ基板３０の中心が基
板回転ステージ１０１０の回転中心に位置合わせされ
る。
【０１８６】ステップＳ２０３〜Ｓ２０６では、貼り合
わせ基板３０の全周について、所定角度毎に、該貼り合
わせ基板の面（ｙ方向）に沿って、該貼り合わせ基板３
０のエッジの断面形状がレーザ式位置検出センサ１０２
０によって計測され、その断面形状に基づいて該貼り合
わせ基板３０を構成する両基板１０、２０のずれ量（第
１の突出部のみ）が演算される。
【０１８７】具体的には、ステップＳ２０３では、基板
回転ステージ１０１０が停止した状態で、レーザ式位置
検出センサ１０２０を利用して、該貼り合わせ基板の面
（ｙ方向）に沿って、該貼り合わせ基板３０のエッジの
ｙ方向の位置（断面形状）をレーザ式位置検出センサ１
０２０によって計測する。この計測の結果の一例は、図
１４に模式的に示されている。
【０１８８】ステップＳ２０４では、ステップＳ２０３
における計測の結果に基づいて、貼り合わせ基板３０を
構成する両基板１０、２０のエッジのずれ量を演算し、
その演算結果を記憶する。
【０１８９】ステップＳ２０５では、貼り合わせ基板３
０の全周について、ステップＳ２０３及びＳ２０４の実
行が完了したか否かを判断し、未完了の場合には、ステ
ップＳ２０６において、基板回転ステージ１０１０を所
定角度（例えば、１０度）だけ回動させ、その後、ステ
ップＳ２０３及びＳ２０４を実行する。
【０１９０】一方、以上の処理が貼り合わせ基板３０の
全周について完了したら、ステップＳ２０７において、
貼り合わせ基板３０の全周のうち第１の基板１０が突出
した部分における両基板のずれ量（図１５参照）に基づ
いて第１の突出部の位置（代表位置）を決定する。具体
的には、所定角度毎に得られたずれ量のデータを曲線近
似し、例えばずれ量が最大値となる、基板回転ステージ
１０１０の回転角度を決定する。
【０１９１】ステップＳ２０８では、図１０に示すよう
に、第１の突出部の位置が基準位置に一致するように基
板回転テーブル１０１０を回動させる。
【０１９２】［位置決め装置の第３の構成例］図１７及
び図１８は、第３の構成例に係る位置決め装置を示す図
である。この位置決め装置３０００は、まず、貼り合わ
せ基板３０の芯出しを行い、次いで、第１の基板１０の
エッジと第２の基板２０のエッジとのずれ量を該貼り合
わせ基板３０の全周について接触式の位置検出装置で検
出し、このずれ量に基づいて第１の突出部の位置を検出
し、次いで、第１の突出部が基準位置に一致するよう
に、貼り合わせ基板３０を回転させる。
【０１９３】この位置決め装置３０００は、貼り合わせ
基板３０をｘｙ平面内で回転させるための基板回転ステ
ージ１０１０を有する。基板回転ステージ１０１０は、
回転シャフト１０１３及びカップリング１０１４を介し
てモータ１０１５の回転シャフトに連結されている。モ
ータ１０１５は、コンピュータ１０３０によって制御さ
れるコントローラ１０１６からの指示に従って動作す
る。
【０１９４】また、この位置決め装置３０００は、基板
回転ステージ１０１０上に不図示の搬送ロボット等によ
り載置される貼り合わせ基板１０１０の芯出しのための
機構として、貼り合わせ基板３０のエッジを両側から挟
む一対の芯出し部材１００１及び１００２を有する。芯
出し部材１００１は、エアシリンダ１００７によって、
ガイドレール１００５に沿って駆動される。また、同様
に、芯出し部材１００２は、エアシリンダ１００８によ
って、ガイドレール１００６に沿って駆動される。貼り
合わせ基板３０の芯出しは、エアシリンダ１００７、１
００８によって芯出し部材１００１、１００２を押し出
して、芯出し部材１００１及び１００２によって貼り合
わせ基板３０を両側から挟むことによってなされる。
【０１９５】また、この位置決め装置３０００は、貼り
合わせ基板３０を構成する第１の基板１０及び第２の基
板２０の両エッジの位置（ｙ方向の位置）を検出する位
置検出装置として、２つの接触式位置検出センサ１０２
０ａ及び１０２０ｂを有する。接触式位置検出センサ１
０２０ａ、１０２０ｂは、位置検出の対象物である第１
の基板１０のエッジ、第２の基板２０のエッジに当接さ
れる接触子を有する。接触式位置検出センサ１０２０
ａ、１０２０ｂは、該接触子が第１の基板１０、第２の
基板２０のエッジに当接するように、モータ１０２６に
よって回転駆動されるボールネジ１０２１によって水平
方向（ｙ方向）に位置が調整される。モータ１０２６
は、コンピュータ１０３０によって制御されるコントロ
ーラ１０２８からの指示に従って動作する。接触式位置
検出装置１０２０ａ、１０２０ｂの出力は、アンプユニ
ット１０２７ａ、１０２７ｂによって増幅されコンピュ
ータ１０３０に提供される。この構成において、基板回
転テーブル１０１を回転させながら、接触式位置検出装
置１０２０ａ、１０２０ｂにより、貼り合わせ基板３０
の全周について、該貼り合わせ基板３０を構成する第１
の基板１０及び第２の基板の両エッジが検出される。
【０１９６】図１９は、接触式位置検出センサ１０２０
ａ、１０２０ｂによって検出される、貼り合わせ基板３
０を構成する第１の基板１０及び第２の基板２０の両エ
ッジの一例を示す図である。なお、図１９において、横
軸は、基板回転ステージ１０１０の回転角度、縦軸は、
接触式位置検出センサ１０２０ａ、１０２０ｂの出力を
アンプユニット１０２７によって増幅した信号（検出信
号）を示している。これらの２つの検出信号の差分に基
づいて、コンピュータ１０３０は、第１の基板１０のエ
ッジと第２の基板２０のエッジとのずれ量（突出量）を
検出することができる。
【０１９７】図２０は、貼り合わせ基板３０の全周につ
いて実行されたずれ量の検出結果を示す図である。な
お、図２０において、横軸は、基板回転ステージ１０１
０の回転角度、縦軸は、第１の基板１０のエッジと第２
の基板２０のエッジとのずれ量を示している。ここで、
第１の基板１０のエッジが第２の基板２０のエッジより
も突出している場合のずれ量を正、第２の基板２０のエ
ッジが第１の基板１０のエッジよりも突出している場合
のずれ量を負の値とすると、図２０に示すように、第１
の突出部は、ずれ量が正の値を有する部分であり、その
代表位置は、好適には、ずれ量が正の極大値を有する部
分である。第１の突出部の位置（代表位置）は、例え
ば、基板回転ステージ１０１０の回転角度によって特定
される（図２０の場合、第１の突出部は、−９０度の位
置である）。
【０１９８】第１の突出部の位置が検出された後、貼り
合わせ基板３０は、該第１の突出部が所定の基準位置
（例えば、接触式位置検出センサ１０２０ａ、１０２０
ｂに対向する位置）に一致するように、基板回転ステー
ジ１０１０によって位置決めされる。
【０１９９】この構成例では、貼り合わせ基板３０を構
成する第１の基板１０と第２の基板２０とのずれ量を該
貼り合わせ基板３０を回転させながら連続的に検出する
ことができる。
【０２００】次に、図２１に示すフローチャートを参照
しながら位置決め装置３０００における位置決めの手順
を説明する。なお、このフローチャートに示す処理は、
コンピュータ１０３０によって制御される。
【０２０１】まず、ステップＳ３０１では、搬送ロボッ
ト（例えば、図１０に示す搬送ロボット１１００）によ
り、貼り合わせ基板３０が基板回転ステージ１０１０上
に載置される。この際、貼り合わせ基板３０の中心は、
基板回転ステージ１０１０の回転中心に大雑把に位置合
わせされる。また、貼り合わせ基板３０の天地は、予め
決定され、又は、貼り合わせ基板３０が基板回転ステー
ジ１０１０に載置される際に他の装置又はオペレータか
らコンピュータ１０３０に提供され、若しくは、コンピ
ュータ１０３０が取得するものとする。
【０２０２】ステップＳ３０２では、芯出し部材１００
１及び１００２によって貼り合わせ基板３０を両側方か
ら挟み込むことにより、貼り合わせ基板３０の中心が基
板回転ステージ１０１０の回転中心に位置合わせされ
る。
【０２０３】ステップＳ３０３では、モータ１０２６を
動作させて、接触式位置検出センサ１０２０ａ及び１０
２０ｂの接触子が貼り合わせ基板３０のエッジに当接さ
せる。
【０２０４】ステップＳ３０４では、モータ１０１５を
動作させて基板回転テーブル１０１０（貼り合わせ基板
３０）を回転させながら、接触式位置検出センサ１０２
０ａ及び１０２０ｂにより、貼り合わせ基板３０を構成
する第１の基板１０及び第２の基板２０の両エッジの位
置を検出し、更に、２つの検出結果の差分に基づいて両
基板１０、２０のずれ量を検出する。この検出は、貼り
合わせ基板３０の全周について実行される。
【０２０５】ステップＳ３０５では、貼り合わせ基板３
０の全周のうち第１の基板１０が突出した部分における
両基板のずれ量（図２０参照）に基づいて第１の突出部
の位置（代表位置）を決定する。具体的には、例えばず
れ量が最大値となる、基板回転ステージ１０１０の回転
角度を決定する。
【０２０６】ステップＳ３０６では、図１０に示すよう
に、第１の突出部の位置が基準位置に一致するように基
板回転テーブル１０１０を回動させる。
【０２０７】この実施の形態によれば、貼り合わせ基板
３０を構成する第１の基板１０及び第２の基板のいずれ
が上側（又は下側）であるかに拘らず、第１の突出部
（或いは、分離開始部を形成すべき部分）の位置を検出
し、これを基準位置に一致させることができる。ただ
し、貼り合わせ基板３０の天地が、予め決定され、又
は、貼り合わせ基板３０が基板回転ステージ１０１０に
載置される際にコンピュータ１０３０に提供され、若し
くは、コンピュータ１０３０が取得することが条件であ
る。典型的には、位置決め装置３０００には、天地を統
一して複数枚の貼り合わせ基板３０が収容されたウェハ
キャリアから一枚ずつ貼り合わせ基板３０が取り出され
て提供され、その天地は予め決定される。
【０２０８】また、この実施の形態によれば、貼り合わ
せ基板３０を構成する第１の基板と第２の基板とのずれ
量を該貼り合わせ基板３０の全周について連続的に検出
することができるため、高速に第１の突出部を検出する
ことができる。
【０２０９】［位置決め装置の第４の構成例］図２２及
び図２３は、第４の構成例に係る位置決め装置を示す図
である。この位置決め装置４０００は、まず、貼り合わ
せ基板３０の芯出しを行い、次いで、第１の基板１０の
エッジと第２の基板のエッジとのずれ量を画像処理技術
を利用して検出し、このずれ量に基づいて第１の突出部
の位置を検出し、次いで、第１の突出部が基準位置に一
致するように、貼り合わせ基板３０を回転させる。
【０２１０】この位置決め装置４０００は、貼り合わせ
基板３０をｘｙ平面内で回転させるための基板回転ステ
ージ１０１０を有する。貼り合わせ基板３０は、第１の
基板１０が下側になるように基板回転ステージ１０１０
上に載置される。基板回転ステージ１０１０は、回転シ
ャフト１０１３及びカップリング１０１４を介してモー
タ１０１５の回転シャフトに連結されている。モータ１
０１５は、コンピュータ１０３０によって制御されるコ
ントローラ１０１６からの指示に従って動作する。
【０２１１】また、この位置決め装置４０００は、基板
回転ステージ１０１０上に不図示の搬送ロボット等によ
り載置される貼り合わせ基板１０１０の芯出しのための
機構として、貼り合わせ基板３０のエッジを両側から挟
む一対の芯出し部材１００１及び１００２を有する。芯
出し部材１００１は、エアシリンダ１００７によって、
ガイドレール１００５に沿って駆動される。また、同様
に、芯出し部材１００２は、エアシリンダ１００８によ
って、ガイドレール１００６に沿って駆動される。貼り
合わせ基板３０の芯出しは、エアシリンダ１００７、１
００８によって芯出し部材１００１、１００２を押し出
して、芯出し部材１００１及び１００２によって貼り合
わせ基板３０を両側から挟むことによってなされる。
【０２１２】また、この位置決め装置４０００は、貼り
合わせ基板３０を構成する第１の基板１０と第２の基板
２０とのずれ量を検出するために、投光器（光源）４０
０１及びカメラ（撮像装置）４００２を有する。カメラ
４００２は、インターフェースユニット（例えば、ビデ
オキャプチャ）４０１０を介してこのユータ１０３０に
接続されている。投光器４００１は、第２の基板２０が
照明される一方で貼り合わせ基板３０の第１の突出部に
おいて第１の基板１０が第２の基板２０の影になるよう
に、貼り合わせ基板３０を照明する。カメラ４００２
は、貼り合わせ基板３０のエッジを含む領域を撮像し
て、インターフェースユニット４０１０を介してコンピ
ュータ１０３０に提供する。この撮像は、貼り合わせ基
板３０を回転させながら、該貼り合わせ基板３０の全周
について実行される。この際、貼り合わせ基板３０を連
続的に回転させながら撮像を実行してもよいし、回動及
び停止動作を繰り返しながら、停止の都度、撮像を実行
してもよい。
【０２１３】図２４は、カメラ４００２からインターフ
ェースユニット４０１０を介してコンピュータ１０３０
に提供される画像の一例を示す図である。第２の基板２
０によって形成される影４００４の長さは、第１の基板
１０と第２の基板２０とのずれ量に相当する。コンピュ
ータ１０３０は、例えば、カメラ４００２から提供され
る画像を２値化することにより、影４００４を抽出し、
この影４００４に基づいて、第１の基板１０と第２の基
板２０とのずれ量を検出する。なお、下側の基板である
第１の基板１０のエッジ位置を鮮明にするために、他の
投光器を設けることが好ましい。他の投光器は、例え
ば、貼り合わせ基板３０の背景（貼り合わせ基板の外
側）を照明するように配置され得る。
【０２１４】図２５は、貼り合わせ基板３０の全周につ
いて実行されたずれ量の検出結果を示す図である。な
お、図２５において、横軸は、基板回転ステージ１０１
０の回転角度、縦軸は、第１の基板１０のエッジと第２
の基板２０のエッジとのずれ量（影の長さに相当）を示
している。ここで、第１の突出部は、ずれ量が０よりも
大きな値を有する部分であり、その代表位置は、好適に
は、ずれ量が極大値を有する部分である。第１の突出部
の位置（代表位置）は、例えば、基板回転ステージ１０
１０の回転角度によって特定される（図２５の場合、第
１の突出部は、−９０度の位置である）。
【０２１５】第１の突出部の位置が検出された後、貼り
合わせ基板３０は、該第１の突出部が所定の基準位置
（例えば、レーザ式位置検出センサ１０２０に対向する
位置）に一致するように、基板回転ステージ１０１０に
よって位置決めされる。
【０２１６】この構成例では、投光器４００１及びカメ
ラ４００２の配置によって、貼り合わせ基板３０の配置
方向が制限（第１の基板１０を下側にする必要がある）
されるが、他の投光器及びカメラを適切な位置（例え
ば、貼り合わせ基板の面を基準として、投光器４００１
及びカメラ４００２に対して対称な位置）に配置するこ
とにより、この制限をなくすことができる。
【０２１７】次に、図２６に示すフローチャートを参照
しながら位置決め装置４０００における位置決めの手順
を説明する。なお、このフローチャートに示す処理は、
コンピュータ１０３０によって制御される。
【０２１８】まず、ステップＳ４０１では、搬送ロボッ
ト（例えば、図１０に示す搬送ロボット１１００）によ
り、貼り合わせ基板３０が第１の基板１０を下側にして
基板回転ステージ１０１０上に載置される。この際、貼
り合わせ基板３０の中心は、基板回転ステージ１０１０
の回転中心に大雑把に位置合わせされる。
【０２１９】ステップＳ４０２では、芯出し部材１００
１及び１００２によって貼り合わせ基板３０を両側方か
ら挟み込むことにより、貼り合わせ基板３０の中心が基
板回転ステージ１０１０の回転中心に位置合わせされ
る。
【０２２０】ステップＳ４０３では、モータ１０１５を
動作させて基板回転テーブル１０１０（貼り合わせ基板
３０）を回転させながら、投光器４００１及びカメラ４
００２を利用して、第１の基板１０と第２の基板２０と
のずれによって生じる影の長さを検出し、この影の長さ
に基づいて両基板１０、２０のずれ量を検出する。この
検出は、貼り合わせ基板３０の全周について実行され
る。
【０２２１】ステップＳ４０４では、貼り合わせ基板３
０の全周のうち第１の基板１０が突出した部分における
両基板のずれ量（図２５参照）に基づいて第１の突出部
の位置（代表位置）を決定する。
【０２２２】ステップＳ４０５では、図１０に示すよう
に、第１の突出部の位置が基準位置に一致するように基
板回転テーブル１０１０を回動させる。
【０２２３】［位置決め装置の第５の構成例］図２７及
び図２８は、第５の構成例に係る位置決め装置を示す図
である。この位置決め装置５０００は、まず、貼り合わ
せ基板３０の芯出しを行い、次いで、第１の基板１０の
エッジと第２の基板のエッジとのずれ量を画像処理技術
を利用して検出し、このずれ量に基づいて第１の突出部
の位置を検出し、次いで、第１の突出部が基準位置に一
致するように、貼り合わせ基板３０を回転させる。
【０２２４】この位置決め装置５０００は、貼り合わせ
基板３０をｘｙ平面内で回転させるための基板回転ステ
ージ１０１０を有する。基板回転ステージ１０１０は、
回転シャフト１０１３及びカップリング１０１４を介し
てモータ１０１５の回転シャフトに連結されている。モ
ータ１０１５は、コンピュータ１０３０によって制御さ
れるコントローラ１０１６からの指示に従って動作す
る。
【０２２５】また、この位置決め装置５０００は、基板
回転ステージ１０１０上に不図示の搬送ロボット等によ
り載置される貼り合わせ基板１０１０の芯出しのための
機構として、貼り合わせ基板３０のエッジを両側から挟
む一対の芯出し部材１００１及び１００２を有する。芯
出し部材１００１は、エアシリンダ１００７によって、
ガイドレール１００５に沿って駆動される。また、同様
に、芯出し部材１００２は、エアシリンダ１００８によ
って、ガイドレール１００６に沿って駆動される。貼り
合わせ基板３０の芯出しは、エアシリンダ１００７、１
００８によって芯出し部材１００１、１００２を押し出
して、芯出し部材１００１及び１００２によって貼り合
わせ基板３０を両側から挟むことによってなされる。
【０２２６】また、この位置決め装置５０００は、貼り
合わせ基板３０を構成する第１の基板１０と第２の基板
２０とのずれ量を検出するために、投光器（光源）４０
０１及びカメラ（撮像装置）４００２を有する。カメラ
４００２は、インターフェースユニット（例えば、ビデ
オキャプチャ）４０１０を介してこのユータ１０３０に
接続されている。投光器４００１は、貼り合わせ基板３
０のエッジを含む領域を照明する。カメラ４００２は、
貼り合わせ基板３０のエッジをその接線方向から撮像し
て、インターフェースユニット４０１０を介してコンピ
ュータ１０３０に提供する。この撮像は、貼り合わせ基
板３０を回転させながら、該貼り合わせ基板３０の全周
について実行される。この際、貼り合わせ基板３０を連
続的に回転させながら撮像を実行してもよいし、回動及
び停止動作を繰り返しながら、停止の都度、撮像を実行
してもよい。
【０２２７】図２９は、カメラ４００２からインターフ
ェースユニット４０１０を介してコンピュータ１０３０
に提供される画像の一例を示す図である。コンピュータ
１０３０は、例えば、カメラ４００２から提供される画
像を２値化することにより貼り合わせ基板３０を構成す
る第１の基板１０及び第２の基板のエッジの輪郭を抽出
し、この輪郭に基づいて、第１の基板１０と第２の基板
２０とのずれ量を検出する。
【０２２８】図３０は、貼り合わせ基板３０の全周につ
いて実行されたずれ量の検出結果を示す図である。な
お、図３０において、横軸は、基板回転ステージ１０１
０の回転角度、縦軸は、第１の基板１０のエッジと第２
の基板２０のエッジとのずれ量を示している。ここで、
第１の基板１０のエッジが第２の基板２０のエッジより
も突出している場合のずれ量を正、第２の基板２０のエ
ッジが第１の基板１０のエッジよりも突出している場合
のずれ量を負の値とすると、図３０に示すように、第１
の突出部は、ずれ量が正の値を有する部分であり、その
代表位置は、好適には、ずれ量が正の極大値を有する部
分である。第１の突出部の位置（代表位置）は、例え
ば、基板回転ステージ１０１０の回転角度によって特定
される（図３０の場合、第１の突出部は、−９０度の位
置である）。
【０２２９】第１の突出部の位置が検出された後、貼り
合わせ基板３０は、該第１の突出部が所定の基準位置
（例えば、レーザ式位置検出センサ１０２０に対向する
位置）に一致するように、基板回転ステージ１０１０に
よって位置決めされる。
【０２３０】次に、図３１に示すフローチャートを参照
しながら位置決め装置５０００における位置決めの手順
を説明する。なお、このフローチャートに示す処理は、
コンピュータ１０３０によって制御される。
【０２３１】まず、ステップＳ４０１では、搬送ロボッ
ト（例えば、図１０に示す搬送ロボット１１００）によ
り、貼り合わせ基板３０が第１の基板１０を下側にして
基板回転ステージ１０１０上に載置される。この際、貼
り合わせ基板３０の中心は、基板回転ステージ１０１０
の回転中心に大雑把に位置合わせされる。また、貼り合
わせ基板３０の天地は、予め決定され、又は、貼り合わ
せ基板３０が基板回転ステージ１０１０に載置される際
に他の装置又はオペレータからコンピュータ１０３０に
提供され、若しくは、コンピュータ１０３０が取得する
ものとする。
【０２３２】ステップＳ５０２では、芯出し部材１００
１及び１００２によって貼り合わせ基板３０を両側方か
ら挟み込むことにより、貼り合わせ基板３０の中心が基
板回転ステージ１０１０の回転中心に位置合わせされ
る。
【０２３３】ステップＳ５０３では、モータ１０１５を
動作させて基板回転テーブル１０１０（貼り合わせ基板
３０）を回転させながら、投光器４００１及びカメラ４
００２を利用して、貼り合わせ基板３０を構成する第１
の基板１０及び第２の基板２０の輪郭を検出し、この輪
郭に基づいて両基板１０、２０のずれ量を検出する。こ
の検出は、貼り合わせ基板３０の全周について実行され
る。
【０２３４】ステップＳ５０４では、貼り合わせ基板３
０の全周のうち第１の基板１０が突出した部分における
両基板のずれ量（図３０参照）に基づいて第１の突出部
の位置（代表位置）を決定する。
【０２３５】ステップＳ５０５では、図１０に示すよう
に、第１の突出部の位置が基準位置に一致するように基
板回転テーブル１０１０を回動させる。
【０２３６】［位置決め装置の第６の構成例］図３２及
び図３３は、第６の構成例に係る位置決め装置を示す図
である。この位置決め装置６０００は、まず、貼り合わ
せ基板３０の芯出しを行い、次いで、第１の基板１０の
エッジと第２の基板のエッジとのずれ量を画像処理技術
を利用して検出し、このずれ量に基づいて第１の突出部
の位置を検出し、次いで、第１の突出部が基準位置に一
致するように、貼り合わせ基板３０を回転させる。
【０２３７】この位置決め装置６０００は、貼り合わせ
基板３０をｘｙ平面内で回転させるための基板回転ステ
ージ１０１０を有する。貼り合わせ基板３０は、第１の
基板１０が下側になるように基板回転ステージ１０１０
上に載置される。基板回転ステージ１０１０は、回転シ
ャフト１０１３及びカップリング１０１４を介してモー
タ１０１５の回転シャフトに連結されている。モータ１
０１５は、コンピュータ１０３０によって制御されるコ
ントローラ１０１６からの指示に従って動作する。
【０２３８】また、この位置決め装置６０００は、基板
回転ステージ１０１０上に不図示の搬送ロボット等によ
り載置される貼り合わせ基板１０１０の芯出しのための
機構として、貼り合わせ基板３０のエッジを両側から挟
む一対の芯出し部材１００１及び１００２を有する。芯
出し部材１００１は、エアシリンダ１００７によって、
ガイドレール１００５に沿って駆動される。また、同様
に、芯出し部材１００２は、エアシリンダ１００８によ
って、ガイドレール１００６に沿って駆動される。貼り
合わせ基板３０の芯出しは、エアシリンダ１００７、１
００８によって芯出し部材１００１、１００２を押し出
して、芯出し部材１００１及び１００２によって貼り合
わせ基板３０を両側から挟むことによってなされる。
【０２３９】また、この位置決め装置６０００は、貼り
合わせ基板３０を構成する第１の基板１０と第２の基板
２０とのずれ量を検出するために、投光器（光源）６０
０１及びカメラ（撮像装置）６００２を有する。カメラ
６００２は、インターフェースユニット（例えば、ビデ
オキャプチャ）４０１０を介してこのユータ１０３０に
接続されている。投光器６００１は、第２の基板２０が
照明される一方で貼り合わせ基板３０の第１の突出部に
おいて第１の基板１０が第２の基板２０の影になるよう
に、貼り合わせ基板３０を構成する第２の基板２０の全
面を照明する。カメラ６００２は、貼り合わせ基板３０
のエッジの全周を撮像することができる位置に配置され
ており、貼り合わせ基板３０のエッジの全域を撮像し
て、インターフェースユニット４０１０を介してコンピ
ュータ１０３０に提供する。投光器６００１は、支持部
材６００１ａによって支持される。支持部材６００１ａ
は、カメラ６００２によって撮像される貼り合わせ基板
３０の画像に影響を与えないように、十分に小さい寸法
を有すると共に焦点が合わない位置に配置されることが
好ましい。
【０２４０】この構成によれば、貼り合わせ基板３０を
回転させることなく、その第１の突出部の位置を検出す
ることができる。したがって、第１の突出部を高速に検
出することができる。
【０２４１】図３４は、カメラ６００２からインターフ
ェースユニット４０１０を介してコンピュータ１０３０
に提供される画像の一例を示す図である。第２の基板２
０によって形成される影４００４の長さは、第１の基板
１０と第２の基板２０とのずれ量に相当する。コンピュ
ータ１０３０は、例えば、カメラ６００２から提供され
る画像を２値化することにより、影４００４を抽出し、
この影４００４に基づいて、第１の基板１０と第２の基
板２０とのずれ量を貼り合わせ基板３０の全周について
検出し、その結果に基づいて第１の突出部の位置を決定
する。なお、下側の基板である第１の基板１０のエッジ
位置を鮮明にするために、他の投光器を設けることが好
ましい。他の投光器は、例えば、貼り合わせ基板３０の
背景（貼り合わせ基板の外側）を照明するように配置さ
れ得る。
【０２４２】第１の突出部の位置が検出された後、貼り
合わせ基板３０は、該第１の突出部が所定の基準位置
（例えば、レーザ式位置検出センサ１０２０に対向する
位置）に一致するように、基板回転ステージ１０１０に
よって位置決めされる。
【０２４３】［位置決め装置における他の処理例］上記
の第１〜第６の位置決め装置においては、貼り合わせ基
板３０の全周について（即ち、全周に沿って）、第１の
基板１０のエッジと第２の基板のエッジとのずれ量を検
出し、その結果に基づいて第１の突出部を決定する。し
かしながら、第１の突出部の大凡の位置が予め分かって
いる場合においては、貼り合わせ基板３０の全周のうち
該第１の突出部が存在する範囲内のみについて、第１の
基板１０のエッジと第２の基板のエッジとのずれ量を検
出すれば十分である。例えば、貼り合わせ基板がノッチ
を有し、該ノッチと第１の突出部との大凡の位置関係が
定まっている場合には、該ノッチの位置に基づいて該第
１の突出部の大凡の位置を予め認識することができる。
【０２４４】以下、上記の第１〜第６の位置決め装置に
代表される位置決め装置の適用した処理システムについ
て説明する。
【０２４５】［処理システムの第１の構成例］図３５
は、第１の構成例に係る処理システムを示す図である。
この処理システム７０００は、複数枚の貼り合わせ基板
３０を収容したウェハカセット７３０１から貼り合わせ
基板３０を取り出して、これを位置決め装置７１００に
搬送し、位置決め装置７１００において貼り合わせ基板
３０の第１の突出部を基準位置に一致させ、ウェハカセ
ット７３０１に戻す。位置決め装置７１００は、例え
ば、上記の第１〜第６の構成例に代表される位置決め装
置である。
【０２４６】ウェハ搬送ロボット７２００は、例えば、
ロボットハンド７２０１を平行移動させる機構及び回転
させる機構を有し、ウェハカセットステージ７３００上
のウェハカセット７３０１と位置決め装置７１００との
間で貼り合わせ基板３０を搬送する。ここで、ウェハ搬
送ロボット７２００は、位置決め装置７１００において
第１の突出部が第１の基準位置（例えば、位置決め装置
７１００における基準位置）に位置合わせされた貼り合
わせ基板３０の該第１の突出部を、第２の基準位置（例
えば、ウェハカセット７３０１における基準位置）に位
置合わせすることができる。
【０２４７】ウェハカセットステージ７３０１に収容さ
れた全ての貼り合わせ基板３０の位置決めが終了した
ら、ウェハカセットステージ７３１０は、不図示の搬送
ロボット等により、分離装置の所定位置に搬送される。
この搬送は、貼り合わせ基板３０が第２の基準位置から
ずれないように、静かになされる。
【０２４８】［処理システムの第２の構成例］図３６
は、第２の構成例に係る処理システムを示す図である。
この処理システム８０００は、処理すべき複数枚の貼り
合わせ基板３０を収容したカセット８１０１が載置され
るローダステージ８１００、貼り合わせ基板３０及び分
離後の基板１０及び２０を搬送するウェハ搬送ロボット
８２００、上記の第１〜第６の位置決め装置１０００〜
６０００に代表される位置決めステージ８３００、分離
された基板を洗浄し乾燥させる洗浄／乾燥ステージ８４
００、基板の天地を逆にする反転ステージ８５００、分
離された第２の基板２０を収容するカセット８６０１が
載置されるアンローダステージ８６００、分離された第
１の基板１０を収容するカセット８７０１が載置される
アンローダ８７００、分離処理等において不良が発生し
た基板を収容するカセット８８０１が載置されるＮＧウ
ェハステージ８８００、第１の分離装置１００に代表さ
れる分離装置８９００を有する。この処理システムで
は、ウェハ搬送ロボット８２００としてスカラーロボッ
トが採用され、各ステージが、ウェハ搬送ロボット８２
００から略等距離の位置、即ち、スカラーロボットの回
転軸から略等距離の位置に配置されている。
【０２４９】この処理システム８０００では、まず、搬
送ロボット８２００により、ローダーステージ８１００
上に載置されたカセット８１０１から貼り合わせ基板３
０が取り出されて、位置決めステージ８３００に引き渡
される。
【０２５０】位置決めステージ８３００は、貼り合わせ
基板３０の芯出しを行うと共に該貼り合わせ基板３０の
第１の突出部を第１の基準位置（例えば、位置決めステ
ージにおける基準位置）に一致させる。これにより、貼
り合わせ基板３０の位置決めが完了する。
【０２５１】位置決めの後、貼り合わせ基板３０は、搬
送ロボット８２００により、分離ステージ８９００に搬
送される。この際、貼り合わせ基板３０は、第１の突出
部が第２の基準位置（例えば、分離ステージ８９００に
おける基準位置）に位置決めされる。分離ステージ８９
００では、流体を利用して貼り合わせ基板３０が多孔質
層の部分で分離される。分離処理は、他の装置への流体
の飛散を防止するために、チャンバ８９０１内で実行さ
れる。チャンバ８９０１には、基板を出し入れする際に
開放されるシャッタ８４０４が備えられている。分離ス
テージ８９００は、流体を噴射するノズル８９０２、該
ノズル８９０２を移動させるノズル直動ロボット８９０
３を有する。分離ステージ８９００では、第２の基準位
置に位置決めされた第１の突出部に向けてノズル８９０
２から流体が噴射され、これにより、第１の突出部に分
離開始部が形成される。次いで、この分離開始部を起点
として、分離処理が実行される。この分離処理は、貼り
合わせ基板３０を回転させながら該貼り合わせ基板３０
の多孔質層に流体を打ち込むことにより実行される。
【０２５２】分離後の第１の基板１０、第２の基板２０
は、搬送ロボット８２００により、洗浄／乾燥装置８４
００に搬送され、ここで洗浄し乾燥され、各々アンロー
ダーステージ８７００、８６００上のカセット８７０
１、８６０１に搬送される。ここで、分離後の基板１
０、２０のうち分離された面が下方を向いている基板
は、反転ステージ８５００により、その面が上方を向く
ように反転された後に搬送ロボット８２００により該当
するカセットに搬送され収容される。
【０２５３】分離処理の際に不良が発生した基板（例え
ば、割れた基板）は、ＮＧウェハステージ８５００上の
カセットに搬送ロボット８２００により搬送され収容さ
れる。
【０２５４】［処理システムの第３の構成例］図３７
は、第３の構成例に係る処理システムを示す図である。
この処理システム９０００は、処理すべき複数枚の貼り
合わせ基板３０を収容したカセット８１０１が載置され
るローダステージ８１００、貼り合わせ基板３０及び分
離後の基板１０及び２０を搬送するウェハ搬送ロボット
８２００、上記の第１〜第６の位置決め装置１０００〜
６０００に代表される位置決めステージ８３００、分離
された基板を洗浄し乾燥させる洗浄／乾燥ステージ８４
００、基板の天地を逆にする反転ステージ８５００、分
離された第２の基板２０を収容するカセット８６０１が
載置されるアンローダステージ８６００、分離された第
１の基板１０を収容するカセット８７０１が載置される
アンローダ８７００、分離処理等において不良が発生し
た基板を収容するカセット８８０１が載置されるＮＧウ
ェハステージ８８００、第１の分離装置１００に代表さ
れる分離装置８９００を有する。この処理システム９０
００では、ウェハ搬送ロボット９１００として、スカラ
ーロボットと、水平駆動軸に沿って直線的に移動する直
動ロボットとを組み合わせたロボットが採用されてお
り、各ステージが、ウェハ搬送ロボット９１００の水平
駆動軸から略等距離の位置に配置されている。
【０２５５】この処理システム８０００では、まず、搬
送ロボット９１００により、ローダーステージ８１００
上に載置されたカセット８１０１から貼り合わせ基板３
０が取り出されて、位置決めステージ８３００に引き渡
される。
【０２５６】位置決めステージ８３００は、貼り合わせ
基板３０の芯出しを行うと共に該貼り合わせ基板３０の
第１の突出部を第１の基準位置（例えば、位置決めステ
ージにおける基準位置）に一致させる。これにより、貼
り合わせ基板３０の位置決めが完了する。
【０２５７】位置決めの後、貼り合わせ基板３０は、搬
送ロボット９１００により、分離ステージ８９００に搬
送される。この際、貼り合わせ基板３０は、第１の突出
部が第２の基準位置（例えば、分離ステージ８９００に
おける基準位置）に位置決めされる。分離ステージ８９
００では、流体を利用して貼り合わせ基板３０が多孔質
層の部分で分離される。分離処理は、他の装置への流体
の飛散を防止するために、チャンバ８９０１内で実行さ
れる。チャンバ８９０１には、基板を出し入れする際に
開放されるシャッタ８４０４が備えられている。分離ス
テージ８９００は、流体を噴射するノズル８９０２、該
ノズル８９０２を移動させるノズル直動ロボット８９０
３を有する。分離ステージ８９００では、第２の基準位
置に位置決めされた第１の突出部に向けてノズル８９０
２から流体が噴射され、これにより、第１の突出部に分
離開始部が形成される。次いで、この分離開始部を起点
として、分離処理が実行される。この分離処理は、貼り
合わせ基板３０を回転させながら該貼り合わせ基板３０
の多孔質層に流体を打ち込むことにより実行される。
【０２５８】分離後の第１の基板１０、第２の基板２０
は、搬送ロボット９１００により、洗浄／乾燥装置８４
００に搬送され、ここで洗浄し乾燥され、各々アンロー
ダーステージ８７００、８６００上のカセット８７０
１、８６０１に搬送される。ここで、分離後の基板１
０、２０のうち分離された面が下方を向いている基板
は、反転ステージ８５００により、その面が上方を向く
ように反転された後に搬送ロボット９１００により該当
するカセットに搬送され収容される。
【０２５９】分離処理の際に不良が発生した基板（例え
ば、割れた基板）は、ＮＧウェハステージ８５００上の
カセットに搬送ロボット９１００により搬送され収容さ
れる。
【０２６０】［半導体装置の例］次いで、上記の基板の
製造方法（図１Ａ〜図１Ｇ参照）により製造され得る半
導体基板を利用した半導体装置及びその製造方法につい
て図３８を参照しながら説明する。
【０２６１】図３８は、本発明の好適な実施の形態に係
る基板の製造方法を適用して製造され得る半導体基板を
利用した半導体装置の製造方法を示す図である。
【０２６２】まず、非多孔質層１３として半導体層、非
多孔質層１４として絶縁層を有するＳＯＩ基板を上記の
基板の製造方法を適用して製造する。そして、埋め込み
絶縁膜１４上の非多孔質半導体層（ＳＯＩ層）１０３を
島状にパタニングする方法、又は、ＬＯＣＯＳと呼ばれ
る酸化法等により、トランジスタを形成すべき活性領域
１３’及び素子分離領域５４を形成する（図３８（ａ）
参照）。
【０２６３】次いで、ＳＯＩ層の表面にゲート絶縁膜５
６を形成する（図３８（ａ）参照）。ゲート絶縁膜５６
の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコ
ン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタ
ル、酸化ハフニウム、酸化チタン、酸化スカンジウム、
酸化イットリウム、酸化ガドリニウム、酸化ランタン、
酸化ジルコニウム、及びこれらの混合物ガラス等が好適
である。ゲート酸化膜５６は、例えば、ＳＯＩ層の表面
を酸化させたり、ＣＶＤ法又はＰＶＤ法によりＳＯＩ層
の表面に該当する物質を堆積させたりすることにより形
成され得る。
【０２６４】次いで、ゲート絶縁膜５６上にゲート電極
５５を形成する（図３８（ａ）参照）。ゲート電極５５
は、例えば、Ｐ型又はＮ型不純物がドープされた多結晶
シリコンや、タングステン、モリブデン、チタン、タン
タル、アルミニウム、銅などの金属又はこれらの少なく
とも１種を含む合金や、モリブデンシリサイド、タング
ステンシリサイド、コバルトシリサイドなどの金属珪化
物や、チタンナイトライド、タングステンナイトライ
ド、タンタルナイトライドなどの金属窒化物などで構成
され得る。ゲート絶縁膜５６は、例えばポリサイドゲー
トのように、互いに異なる材料からなる複数の層を積層
して形成されてもよい。ゲート電極５５は、例えば、サ
リサイド（セルフアラインシリサイド）と呼ばれる方法
で形成されてもよいし、ダマシンゲートプロセスと呼ば
れる方法で形成してもよいし、他の方法で形成してもよ
い。以上の工程により図３８（ａ）に示す構造体が得ら
れる。
【０２６５】次いで、燐、砒素、アンチモンなどのＮ型
不純物又はボロンなどのＰ型不純物を活性領域１０３’
に導入することにより、比較的低濃度のソース、ドレイ
ン領域５８を形成する（図３８（ｂ）参照）。不純物
は、例えば、イオン打ち込み及び熱処理などにより導入
することができる。
【０２６６】次いで、ゲート電極５５を覆うようにして
絶縁膜を形成した後に、これをエッチバックすることに
より、ゲート電極５９の側部にサイドウォール５９を形
成する。
【０２６７】次いで、再び上記と同一の導電型の不純物
を活性領域１０３’に導入し、比較的高濃度のソース、
ドレイン領域５７を形成する。以上の工程により図３８
（ｂ）に示す構造体が得られる。
【０２６８】次いで、ゲート電極５５の上面並びにソー
ス及びドレイン領域５７の上面に金属珪化物層６０を形
成する。金属珪化物層６０の材料としては、例えば、ニ
ッケルシリサイド、チタンシリサイド、コバルトシリサ
イド、モリブデンシリサイド、タングステンシリサイド
などが好適である。これらの珪化物は、ゲート電極５５
の上面並びにソース及びドレイン領域５７の上面を覆う
ように金属を堆積させて、その後、熱処理を施すことに
よって、該金属とその下部のシリコンとを反応させた後
に、該金属のうち未反応部分を硫酸などのエッチャント
で除去することによって形成することができる。ここ
で、必要に応じて、珪化物層の表面を窒化させてもよ
い。以上の工程により図３８（ｃ）に示す構造体が得ら
れる。
【０２６９】次いで、シリサイド化したゲート電極の上
面並びにソース及びドレイン領域の上面を覆うように絶
縁膜６１を形成する（図３８（ｄ）参照）。絶縁膜６１
の材料としては、燐及び／又はボロンを含む酸化シリコ
ンなどが好適である。
【０２７０】次いで、必要に応じて、ＣＭＰ法により絶
縁膜６１にコンタクトホールを形成する。ＫｒＦエキシ
マレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、Ｆ２エキシマレー
ザ、電子ビーム、Ｘ線等を利用したフォトリソグラフィ
ー技術を適用すると、一辺が０．２５ミクロン未満の矩
形のコンタクトホール、又は、直径が０．２５ミクロン
未満の円形のコンタクトホールを形成することができ
る。
【０２７１】次いで、コンタクトホール内に導電体を充
填する。導電体の充填方法としては、バリアメタル６２
となる高融点金属やその窒化物の膜をコンタクトホール
の内壁に形成した後に、タングステン合金、アルミニウ
ム、アルミニウム合金、銅、銅合金などの導電体６３
を、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法、めっき法などを利用して堆積
させる方法が好適である。ここで、絶縁膜６１の上面よ
りも高く堆積した導電体をエッチバック法やＣＭＰ法に
より除去してもよい。また、導電体の充填に先立って、
コンタクトホールの底部に露出したソース及びドレイン
領域の珪化物層の表面を窒化させてもよい。以上の工程
によりＳＯＩ層にＦＥＴ等のトランジスタを作り込むこ
とができ、図３８（ｄ）に示す構造のトランジスタを有
する半導体装置が得られる。
【０２７２】ここで、ゲート電極に電圧を印加してゲー
ト絶縁膜下に広がる空乏層が埋め込み絶縁膜１４の上面
に届くように活性層（ＳＯＩ層）１３’の厚さ及び不純
物濃度を定めると、形成されたトランジスタは、完全空
乏型トランジスタとして動作する。また、空乏層が埋め
込み酸化膜１４の上面に届かないように活性層（ＳＯＩ
層）１３’の厚さ及び不純物濃度を定めると、形成され
たトランジスタは、部分空乏型トランジスタとして動作
する。
【０２７３】
【発明の効果】本発明によれば、例えば、貼り合わせ基
板等の複合部材を多孔質層等の分離層で適切に分離する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１Ａ】本発明の好適な実施の形態に係る基板の製造
方法における多孔質層の形成工程を説明するための模式
図である。
【図１Ｂ】本発明の好適な実施の形態に係る基板の製造
方法における非多孔質層（例えば、単結晶Ｓｉ層及び絶
縁層）の形成工程を説明するための模式図である。
【図１Ｃ】本発明の好適な実施の形態に係る基板の製造
方法における貼り合わせ工程を説明するための模式図で
ある。
【図１Ｄ】本発明の好適な実施の形態に係る基板の製造
方法における分離開始領域の形成工程（予備分離工程）
を説明するための模式図である。
【図１Ｅ】本発明の好適な実施の形態に係る基板の製造
方法における分離工程（本分離工程）を説明するための
模式図である。
【図１Ｆ】本発明の好適な実施の形態に係る基板の製造
方法における第２の基板側の多孔質層の除去工程及び製
造される基板を説明するための模式図である。
【図１Ｇ】本発明の好適な実施の形態に係る基板の製造
方法における第１の基板側の多孔質層の除去工程を説明
するための模式図である。
【図２】第１の基板と第２の基板とを中心位置をずらし
て密着させて形成される突出部を有する貼り合わせ基板
の一例を示す斜視図である。
【図３】本発明の好適な実施の形態に係る貼り合わせ基
板の処理装置の構成を概略的に示す図である。
【図４】本発明の好適な実施の形態に係る貼り合わせ基
板の処理装置の構成を概略的に示す図である。
【図５】本発明の好適な実施の形態に係る処理装置の概
略構成を示す図である。
【図６】第１の構成例に係る位置決め装置を示す図であ
る。
【図７】第１の構成例に係る位置決め装置を示す図であ
る。
【図８】第１の構成例に係る位置決め装置においてレー
ザ式位置検出センサによって検出される貼り合わせ基板
のエッジの一例を示す図である。
【図９】第１の構成例に係る位置決め装置において貼り
合わせ基板の全周について実行されたずれ量の検出結果
を示す図である。
【図１０】位置決め装置における位置決めと分離装置に
おける位置決めとの関係を示す図である。
【図１１】第１の構成例に係る位置決め装置における位
置決めの手順を説明する。
【図１２】第２の構成例に係る位置決め装置を示す図で
ある。
【図１３】第２の構成例に係る位置決め装置を示す図で
ある。
【図１４】第２の構成例に係る位置決め装置においてレ
ーザ式位置検出センサによって検出される貼り合わせ基
板のエッジにおける第１の基板と第２の基板との段差の
一例を示す図である。
【図１５】第２の構成例に係る位置決め装置において貼
り合わせ基板の全周について実行されたずれ量の検出結
果を示す図である。
【図１６】第２の構成例に係る位置決め装置における位
置決めの手順を説明する。
【図１７】第３の構成例に係る位置決め装置を示す図で
ある。
【図１８】第３の構成例に係る位置決め装置を示す図で
ある。
【図１９】第３の構成例に係る位置決め装置において接
触式位置検出センサによって検出される、貼り合わせ基
板を構成する第１の基板及び第２の基板の両エッジの一
例を示す図である。
【図２０】第３の構成例に係る位置決め装置において貼
り合わせ基板の全周について実行されたずれ量の検出結
果を示す図である。
【図２１】第３の構成例に係る位置決め装置における位
置決めの手順を説明する。
【図２２】第４の構成例に係る位置決め装置を示す図で
ある。
【図２３】第４の構成例に係る位置決め装置を示す図で
ある。
【図２４】第４の構成例に係る位置決め装置においてカ
メラからインターフェースユニットを介してコンピュー
タに提供される画像の一例を示す図である。
【図２５】第４の構成例に係る位置決め装置において貼
り合わせ基板の全周について実行されたずれ量の検出結
果を示す図である。
【図２６】第４の構成例に係る位置決め装置における位
置決めの手順を説明する。
【図２７】第５の構成例に係る位置決め装置を示す図で
ある。
【図２８】第５の構成例に係る位置決め装置を示す図で
ある。
【図２９】第５の構成例に係る位置決め装置においてカ
メラからインターフェースユニットを介してコンピュー
タに提供される画像の一例を示す図である。
【図３０】第５の構成例に係る位置決め装置において貼
り合わせ基板の全周について実行されたずれ量の検出結
果を示す図である。
【図３１】第５の構成例に係る位置決め装置における位
置決めの手順を説明する。
【図３２】第６の構成例に係る位置決め装置を示す図で
ある。
【図３３】第６の構成例に係る位置決め装置を示す図で
ある。
【図３４】第５の構成例に係る位置決め装置においてカ
メラからインターフェースユニットを介してコンピュー
タに提供される画像の一例を示す図である。
【図３５】第１の構成例に係る処理システムを示す図で
ある。
【図３６】第２の構成例に係る処理システムを示す図で
ある。
【図３７】第３の構成例に係る処理システムを示す図で
ある。
【図３８】本発明の好適な実施の形態に係る基板の製造
方法を適用して製造され得る半導体基板を利用した半導
体装置の製造方法を示す図である。
フロントページの続き (72)発明者 坂口 清文 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 栗栖 裕和 神奈川県厚木市愛名1009−３ パティオ厚 木219号室 Ｆターム(参考） 5F043 AA09 DD06 DD14 DD30 EE07 GG10 5F110 BB20 CC02 DD05 DD13 EE01 EE02 EE03 EE04 EE05 EE06 EE09 EE14 EE32 EE42 FF01 FF02 FF03 FF04 FF09 FF22 FF27 FF28 FF29 GG02 GG12 HJ01 HJ13 HJ15 HK05 HK40 HL02 HL03 HL06 HL11 HL22 HL23 HL24 HM15 NN25 NN26 NN62 NN66 QQ11 QQ17 QQ19

Claims (78)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 内部に分離層を有する第１の部材と、第
    ２の部材とを密着させた構造を有する複合部材の分離方
    法であって、 前記複合部材は、前記第１の部材の外周端が前記第２の
    部材の外周端より外側に突出した突出部を有し、 前記分離方法は、 前記複合部材の前記突出部を検出する検出工程と、 前記検出工程で検出された前記突出部を起点として前記
    複合部材の分離を開始し、その後、前記分離層の部分で
    前記複合部材を２つの部材に分離する分離工程と、 を有することを特徴とする分離方法。
  2. 【請求項２】 前記複合部材は、前記第１の部材と前記
    第２の部材とを互いの中心位置をずらして密着させた構
    造を有することを特徴とする請求項１に記載の分離方
    法。
  3. 【請求項３】 前記分離工程は、 前記突出部を処理して分離開始部を形成する予備分離工
    程と、 前記分離開始部を起点として前記複合部材の分離を開始
    し、その後、実質的に前記分離層のみを破壊して前記複
    合部材を前記分離層の部分で２つの部材に分離する本分
    離工程と、 を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の
    分離方法。
  4. 【請求項４】 前記検出工程では、非接触式のセンサを
    利用して前記突出部を検出することを特徴とする請求項
    １乃至請求項３のいずれか１項に記載の分離方法。
  5. 【請求項５】 前記検出工程では、接触式のセンサを利
    用して前記突出部を検出することを特徴とする請求項１
    乃至請求項３のいずれか１項に記載の分離方法。
  6. 【請求項６】 前記検出工程では、前記複合部材の外周
    端の側方に配置されたセンサを利用して前記突出部を検
    出することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれ
    か１項に記載の分離方法。
  7. 【請求項７】 前記検出工程では、前記第１の部材と前
    記第２の部材との密着面に対向する位置に配置されたセ
    ンサを利用して前記突出部を検出することを特徴とする
    請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の分離方
    法。
  8. 【請求項８】 前記検出工程では、前記第１の部材の外
    周端と前記第２の部材の外周端とのずれ量を前記複合部
    材の外周に沿って検出することにより前記突出部を検出
    することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか
    １項に記載の分離方法。
  9. 【請求項９】 前記検出工程では、前記複合部材を撮像
    装置で撮像し、撮像画像を処理することにより前記突出
    部を検出することを特徴とする請求項１乃至請求項３の
    いずれか１項に記載の分離方法。
  10. 【請求項１０】 前記検出工程では、前記突出部に影が
    できるように前記複合部材を照明しながら前記複合部材
    を撮像装置で撮像し、撮像画像を処理することにより前
    記突出部を検出することを特徴とする請求項１乃至請求
    項３のいずれか１項に記載の分離方法。
  11. 【請求項１１】 前記検出工程では、前記複合部材の外
    周端をその接線方向に配置された撮像装置で撮像し、撮
    像画像を処理することにより前記突出部を検出すること
    を特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記
    載の分離方法。
  12. 【請求項１２】 前記分離工程の実施に先立って、前記
    検出工程で検出された前記突出部が前記分離工程におけ
    る作業位置に一致するように前記複合部材を配置する配
    置工程を更に有することを特徴とする請求項１乃至請求
    項１１のいずれか１項に記載の分離方法。
  13. 【請求項１３】 前記検出工程では、前記突出部として
    前記第１の部材の外周端が最も突出した部分を検出する
    ことを特徴とする請求項１乃至請求項１２のいずれか１
    項に記載の分離方法。
  14. 【請求項１４】 第１の部材の表面の移設層を第２の部
    材に移設する移設方法であって、 内部に分離層を有し、その上に移設層を有する第１の部
    材と、第２の部材とを密着させて、前記第１の部材の外
    周端が前記第２の部材の外周端より外側に突出した突出
    部を有する複合部材を作成する作成工程と、 前記複合部材の前記突出部を検出する検出工程と、 前記検出工程で検出された前記突出部を起点として前記
    複合部材の分離を開始し、その後、前記分離層の部分で
    前記複合部材を２つの部材に分離し、これにより、前記
    第１の部材の移設層を前記第２の部材に移設する分離工
    程と、 を有することを特徴とする移設方法。
  15. 【請求項１５】 内部に分離層を有し、その上に移設層
    を有する第１の基板の前記移設層と、第２の基板とを密
    着させた構造を有する貼り合わせ基板を２枚の基板に分
    離する分離方法であって、 前記貼り合わせ基板は、前記第１の基板の外周端が前記
    第２の基板の外周端より外側に突出した突出部を有し、 前記分離方法は、 前記貼り合わせ基板の前記突出部を検出する検出工程
    と、 前記検出工程で検出された前記突出部を起点として前記
    貼り合わせ基板の分離を開始し、その後、前記分離層の
    部分で前記貼り合わせ基板を２枚の基板に分離する分離
    工程と、 を有することを特徴とする分離方法。
  16. 【請求項１６】 前記第１の基板及び前記第２の基板
    は、同一の大きさを有し、前記貼り合わせ基板は、前記
    第１の基板と前記第２の基板とを互いの中心位置をずら
    して密着させた構造を有することを特徴とする請求項１
    ５に記載の分離方法。
  17. 【請求項１７】 前記分離工程は、 前記突出部を処理して分離開始部を形成する予備分離工
    程と、 前記分離開始部を起点として前記複合部材の分離を開始
    し、その後、実質的に前記分離層のみを破壊して前記複
    合部材を前記分離層の部分で２つの部材に分離する本分
    離工程と、 を含むことを特徴とする請求項１５又は請求項１６に記
    載の分離方法。
  18. 【請求項１８】 前記検出工程では、非接触式のセンサ
    を利用して前記突出部を検出することを特徴とする請求
    項１５乃至請求項１７のいずれか１項に記載の分離方
    法。
  19. 【請求項１９】 前記検出工程では、接触式のセンサを
    利用して前記突出部を検出することを特徴とする請求項
    １５乃至請求項１７のいずれか１項に記載の分離方法。
  20. 【請求項２０】 前記検出工程では、前記複合部材の外
    周端の側方に配置されたセンサを利用して前記突出部を
    検出することを特徴とする請求項１５乃至請求項１７の
    いずれか１項に記載の分離方法。
  21. 【請求項２１】 前記検出工程では、前記第１の部材と
    前記第２の部材との密着面に対向する位置に配置された
    センサを利用して前記突出部を検出することを特徴とす
    る請求項１５乃至請求項１７のいずれか１項に記載の分
    離方法。
  22. 【請求項２２】 前記検出工程では、前記第１の部材の
    外周端と前記第２の部材の外周端とのずれ量を前記複合
    部材の外周に沿って検出することにより前記突出部を検
    出することを特徴とする請求項１５乃至請求項１７のい
    ずれか１項に記載の分離方法。
  23. 【請求項２３】 前記検出工程では、前記複合部材を撮
    像装置で撮像し、撮像画像を処理することにより前記突
    出部を検出することを特徴とする請求項１５乃至請求項
    １７のいずれか１項に記載の分離方法。
  24. 【請求項２４】 前記検出工程では、前記突出部に影が
    できるように前記複合部材を照明しながら前記複合部材
    を撮像装置で撮像し、撮像画像を処理することにより前
    記突出部を検出することを特徴とする請求項１５乃至請
    求項１７のいずれか１項に記載の分離方法。
  25. 【請求項２５】 前記検出工程では、前記複合部材の外
    周端をその接線方向に配置された撮像装置で撮像し、撮
    像画像を処理することにより前記突出部を検出すること
    を特徴とする請求項１５乃至請求項１７のいずれか１項
    に記載の分離方法。
  26. 【請求項２６】 前記分離工程の実施に先立って、前記
    検出工程で検出された前記突出部が前記分離工程におけ
    る作業位置に一致するように前記複合部材を配置する配
    置工程を更に有することを特徴とする請求項１５乃至請
    求項２５のいずれか１項に記載の分離方法。
  27. 【請求項２７】 前記検出工程では、前記突出部として
    前記第１の部材の外周端が最も突出した部分を検出する
    ことを特徴とする請求項１５乃至請求項２６のいずれか
    １項に記載の分離方法。
  28. 【請求項２８】 第１の基板の表面の移設層を第２の基
    板に移設する移設方法であって、 内部に分離層を有し、その上に移設層を有する第１の基
    板の前記移設層と、第２の基板とを貼り合わせて、前記
    第１の基板の外周端が前記第２の基板の外周端より外側
    に突出した突出部を有する貼り合わせ基板を作成する作
    成工程と、 前記貼り合わせ基板の前記突出部を検出する検出工程
    と、 前記検出工程で検出された前記突出部を起点として前記
    貼り合わせ基板の分離を開始し、その後、前記分離層の
    部分で前記貼り合わせ基板を分離し、これにより、前記
    第１の基板の移設層を前記第２の基板に移設する分離工
    程と、 を有することを特徴とする移設方法。
  29. 【請求項２９】 基板の製造方法であって、 内部に分離層を有し、その上に移設層を有する第１の基
    板の表面と、第２の基板とを貼り合わせて、前記第１の
    基板の外周端が前記第２の基板の外周端より外側に突出
    した突出部を有する貼り合わせ基板を作成する作成工程
    と、 前記貼り合わせ基板の前記突出部を検出する検出工程
    と、 前記検出工程で検出された前記突出部を起点として前記
    貼り合わせ基板の分離を開始し、その後、前記分離層の
    部分で前記貼り合わせ基板を分離して、前記第１の基板
    の移設層を前記第２の基板に移設する分離工程と、 を有することを特徴とする基板の製造方法。
  30. 【請求項３０】 前記移設層は、単結晶Ｓｉ層を含むこ
    とを特徴とする請求項２９に記載の基板の製造方法。
  31. 【請求項３１】 前記移設層は、前記単結晶Ｓｉ層の他
    に、該単結晶Ｓｉ層の上に絶縁層を有することを特徴と
    する請求項３０に記載の基板の製造方法。
  32. 【請求項３２】 前記作成工程では、同一の大きさを有
    する第１の基板と第２の基板とを互いの中心位置をずら
    して密着させて前記貼り合わせ基板を作成することを特
    徴とする請求項２９乃至請求項３１のいずれか１項に記
    載の基板の製造方法。
  33. 【請求項３３】 前記分離工程は、 前記突出部を処理して分離開始部を形成する予備分離工
    程と、 前記分離開始部を起点として前記貼り合わせ基板の分離
    を開始し、その後、実質的に前記分離層のみを破壊して
    前記貼り合わせ基板を前記分離層の部分で２枚の基板に
    分離する本分離工程と、 を有することを特徴とする請求項２９乃至請求項３２の
    いずれか１項に記載の基板の製造方法。
  34. 【請求項３４】 前記予備分離工程では、前記突出部に
    向けて流体を噴射することにより、該流体により前記分
    離開始部を形成することを特徴とする請求項３３に記載
    の基板の製造方法。
  35. 【請求項３５】 前記予備分離工程では、前記突出部に
    おける前記第１の基板と前記第２の基板との隙間に楔状
    の部材を挿入することにより前記分離開始部を形成する
    ことを特徴とする請求項３３に記載の基板の製造方法。
  36. 【請求項３６】 前記分離工程では、前記突出部に向け
    て流体を噴射することにより前記貼り合わせ基板に分離
    開始部を形成し、その後、流体を打ち込む位置を変更し
    ながら前記貼り合わせ基板の分離を進めることを特徴と
    する請求項２９乃至請求項３２のいずれか１項に記載の
    基板の製造方法。
  37. 【請求項３７】 前記分離工程では、前記突出部におけ
    る前記第１の基板と前記第２の基板との隙間に楔状の部
    材を挿入することにより、前記貼り合わせ基板を分離す
    ることを特徴とする請求項２９乃至請求項３２のいずれ
    か１項に記載の基板の製造方法。
  38. 【請求項３８】 前記分離開始部は、当該部分における
    前記分離層が最も脆弱な構造を有する部分であることを
    特徴とする請求項３３乃至請求項３５のいずれか１項に
    記載の基板の製造方法。
  39. 【請求項３９】 前記分離開始部は、当該部分における
    前記移設層が除去され、該移設層の下層の分離層が露出
    した部分であることを特徴とする請求項３３乃至請求項
    ３５のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
  40. 【請求項４０】 前記分離開始部は、当該部分における
    分離層が露出すると共に、該分離層の外周端が前記貼り
    合わせ基板の内側に向かって窪んでいることを特徴とす
    る請求項３３乃至請求項３５のいずれか１項に記載の基
    板の製造方法。
  41. 【請求項４１】 前記検出工程では、非接触式のセンサ
    を利用して前記突出部を検出することを特徴とする請求
    項２９乃至請求項４０のいずれか１項に記載の基板の製
    造方法。
  42. 【請求項４２】 前記検出工程では、接触式のセンサを
    利用して前記突出部を検出することを特徴とする請求項
    ２９乃至請求項４０のいずれか１項に記載の基板の製造
    方法。
  43. 【請求項４３】 前記検出工程では、前記貼り合わせ基
    板の外周端の側方に配置されたセンサを利用して前記突
    出部を検出することを特徴とする請求項２９乃至請求項
    ４０のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
  44. 【請求項４４】 前記検出工程では、前記第１の基板と
    前記第２の基板との密着面に対向する位置に配置された
    センサを利用して前記突出部を検出することを特徴とす
    る請求項２９乃至請求項４０のいずれか１項に記載の基
    板の製造方法。
  45. 【請求項４５】 前記検出工程では、前記第１の基板の
    外周端と前記第２の基板の外周端とのずれ量を前記貼り
    合わせ基板の外周に沿って検出することにより前記突出
    部を検出することを特徴とする請求項２９乃至請求項４
    ０のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
  46. 【請求項４６】 前記検出工程では、前記貼り合わせ基
    板を撮像装置で撮像し、撮像画像を処理することにより
    前記突出部を検出することを特徴とする請求項２９乃至
    請求項４０のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
  47. 【請求項４７】 前記検出工程では、前記突出部に影が
    できるように前記貼り合わせ基板を照明しながら前記貼
    り合わせ基板を撮像装置で撮像し、撮像画像を処理する
    ことにより前記突出部を検出することを特徴とする請求
    項２９乃至請求項４０のいずれか１項に記載の基板の製
    造方法。
  48. 【請求項４８】 前記検出工程では、前記貼り合わせ基
    板の外周端をその接線方向に配置された撮像装置で撮像
    し、撮像画像を処理することにより前記突出部を検出す
    ることを特徴とする請求項２９乃至請求項４０のいずれ
    か１項に記載の基板の製造方法。
  49. 【請求項４９】 前記分離工程の実施に先立って、前記
    検出工程で検出された前記突出部が前記分離工程におけ
    る作業位置に一致するように前記貼り合わせ基板を配置
    する配置工程を更に有することを特徴とする請求項２９
    乃至請求項４８のいずれか１項に記載の基板の製造方
    法。
  50. 【請求項５０】 前記検出工程では、前記突出部として
    前記第１の基板の外周端が最も突出した部分を検出する
    ことを特徴とする請求項２９乃至請求項４９のいずれか
    １項に記載の基板の製造方法。
  51. 【請求項５１】 内部に分離層を有する第１の部材と、
    第２の部材とを密着させた構造を有する複合部材の特徴
    部を検出する検出方法であって、 前記複合部材は、前記特徴部として、前記第１の部材の
    外周端が前記第２の外周端より外側に突出した部分を有
    し、 前記検出方法は、 前記第１の部材の外周端と前記第２の部材の外周端との
    ずれを前記複合部材の外周に沿って検出するずれ検出工
    程と、 前記ずれ検出工程による検出結果に基づいて前記特徴部
    を決定する決定工程と、 を有することを特徴とする検出方法。
  52. 【請求項５２】 前記ずれ検出工程では、前記第１の部
    材の外周端と前記第２の部材の外周端とのずれを前記複
    合部材の全周に沿って検出することを特徴とする請求項
    ５１に記載の検出方法。
  53. 【請求項５３】 前記ずれ検出工程では、非接触式のセ
    ンサを利用して前記ずれを検出することを特徴とする請
    求項５１又は請求項５２に記載の検出方法。
  54. 【請求項５４】 前記ずれ検出工程では、接触式のセン
    サを利用して前記ずれを検出することを特徴とする請求
    項５１又は請求項５２に記載の検出方法。
  55. 【請求項５５】 前記ずれ検出工程では、前記複合部材
    の外周端の側方に配置されたセンサを利用して前記ずれ
    を検出することを特徴とする請求項５１又は請求項５２
    に記載の検出方法。
  56. 【請求項５６】 前記ずれ検出工程では、前記第１の部
    材と前記第２の部材との密着面に対向する位置に配置さ
    れたセンサを利用して前記ずれを検出することを特徴と
    する請求項５１又は請求項５２に記載の検出方法。
  57. 【請求項５７】 前記ずれ検出工程では、前記複合部材
    を撮像装置で撮像し、撮像画像を処理することにより前
    記ずれを検出することを特徴とする請求項５１又は請求
    項５２に記載の検出方法。
  58. 【請求項５８】 前記ずれ検出工程では、前記突出部に
    影ができるように前記複合部材を照明しながら前記複合
    部材を撮像装置で撮像し、撮像画像を処理することによ
    り前記ずれを検出することを特徴とする請求項５１又は
    請求項５２に記載の検出方法。
  59. 【請求項５９】 前記ずれ検出工程では、前記複合部材
    の外周端をその接線方向に配置された撮像装置で撮像
    し、撮像画像を処理することにより前記ずれを検出する
    ことを特徴とする請求項５１又は請求項５２に記載の検
    出方法。
  60. 【請求項６０】 前記決定工程では、前記特徴部とし
    て、前記第１の部材の外周端が最も突出した部分を決定
    することを特徴とする請求項５１乃至請求項５９のいず
    れか１項に記載の検出方法。
  61. 【請求項６１】 内部に分離層を有する第１の部材と、
    第２の部材とを密着させた構造を有する複合部材の特徴
    部を所定位置に位置決めする位置決め方法であって、 前記複合部材は、前記特徴部として、前記第１の部材の
    外周端が前記第２の外周端より外側に突出した部分を有
    し、 前記位置決め方法は、 前記第１の部材の外周端と前記第２の部材の外周端との
    ずれを前記複合部材の外周に沿って検出するずれ検出工
    程と、 前記ずれ検出工程による検出結果に基づいて前記特徴部
    を決定する決定工程と、 前記決定工程で決定された前記特徴部が前記所定位置に
    一致するように前記複合部材を配置する配置工程と、 を有することを特徴とする位置決め方法。
  62. 【請求項６２】 内部に分離層を有する第１の部材と、
    第２の部材とを密着させた構造を有する複合部材の特徴
    部を検出する検出装置であって、 前記複合部材は、前記特徴部として、前記第１の部材の
    外周端が前記第２の外周端より外側に突出した部分を有
    し、 前記検出装置は、 前記第１の部材の外周端と前記第２の部材の外周端との
    ずれを前記複合部材の外周に沿って検出するずれ検出手
    段と、 前記ずれ検出手段による検出結果に基づいて前記特徴部
    を決定する決定手段と、 を備えることを特徴とする検出装置。
  63. 【請求項６３】 前記ずれ検出手段は、前記第１の部材
    の外周端と前記第２の部材の外周端とのずれを前記複合
    部材の全周に沿って検出することを特徴とする請求項６
    ２に記載の検出装置。
  64. 【請求項６４】 前記ずれ検出手段は、非接触式のセン
    サを利用して前記ずれを検出することを特徴とする請求
    項６２又は請求項６３に記載の検出装置。
  65. 【請求項６５】 前記ずれ検出手段は、接触式のセンサ
    を利用して前記ずれを検出することを特徴とする請求項
    ６２又は請求項６３に記載の検出装置。
  66. 【請求項６６】 前記ずれ検出手段は、前記複合部材の
    外周端の側方に配置されたセンサを有し、前記センサを
    利用して前記ずれを検出することを特徴とする請求項６
    ２又は請求項６３に記載の検出装置。
  67. 【請求項６７】 前記ずれ検出手段は、前記第１の部材
    と前記第２の部材との密着面に対向する位置に配置され
    たセンサを有し、前記センサを利用して前記ずれを検出
    することを特徴とする請求項６２又は請求項６３に記載
    の検出装置。
  68. 【請求項６８】 前記ずれ検出手段は、撮像装置を有
    し、前記複合部材を前記撮像装置で撮像し、撮像画像を
    処理することにより前記ずれを検出することを特徴とす
    る請求項６２又は請求項６３に記載の検出装置。
  69. 【請求項６９】 前記ずれ検出手段は、照明装置及び撮
    像装置を有し、前記突出部に影ができるように前記複合
    部材を前記照明装置で照明しながら前記複合部材を前記
    撮像装置で撮像し、撮像画像を処理することにより前記
    ずれを検出することを特徴とする請求項６２又は請求項
    ６３に記載の検出装置。
  70. 【請求項７０】 前記ずれ検出手段は、前記複合部材の
    外周端の接線方向に配置された撮像装置を有し、前記複
    合部材の外周端を前記撮像装置で撮像し、撮像画像を処
    理することにより前記ずれを検出することを特徴とする
    請求項６２又は請求項６３に記載の検出装置。
  71. 【請求項７１】 前記決定手段は、前記特徴部として、
    前記第１の部材の外周端が最も突出した部分を決定する
    ことを特徴とする請求項６２乃至請求項７０のいずれか
    １項に記載の検出装置。
  72. 【請求項７２】 内部に分離層を有する第１の部材と、
    第２の部材とを密着させた構造を有する複合部材の特徴
    部を所定位置に位置決めする位置決め装置であって、 前記複合部材は、前記特徴部として、前記第１の部材の
    外周端が前記第２の外周端より外側に突出した部分を有
    し、 前記位置決め装置は、 前記第１の部材の外周端と前記第２の部材の外周端との
    ずれを前記複合部材の外周に沿って検出するずれ検出手
    段と、 前記ずれ検出手段による検出結果に基づいて前記特徴部
    を決定する決定手段と、 前記決定手段で決定された前記特徴部が前記所定位置に
    一致するように前記複合部材を配置する配置手段と、 を備えることを特徴とする位置決め装置。
  73. 【請求項７３】 処理システムであって、 内部に分離層を有する第１の部材と、第２の部材とを密
    着させた構造を有する複合部材の特徴部を位置決めする
    位置決め装置と、 作業位置において前記複合部材を処理する処理装置と、 を備え、 前記複合部材は、前記特徴部として、前記第１の部材の
    外周端が前記第２の外周端より外側に突出した部分を有
    し、 前記位置決め装置は、前記複合部材の特徴部を前記処理
    装置の作業位置に位置決めする、 ことを特徴とする処理システム。
  74. 【請求項７４】 前記処理装置は、前記特徴部を起点と
    して前記複合部材の分離を開始し、その後、前記分離層
    の部分で前記複合部材を２つの部材に分離する分離装置
    を含むことを特徴とする請求項７３に記載の処理システ
    ム。
  75. 【請求項７５】 半導体装置の製造方法であって、 請求項２９に記載の基板の製造方法を適用してＳＯＩ基
    板を準備する工程と、 前記ＳＯＩ基板のＳＯＩ層を素子分離して、素子分離さ
    れたＳＯＩ層にトランジスタを作り込む工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  76. 【請求項７６】 前記トランジスタは、部分空乏型のＦ
    ＥＴであることを特徴とする請求項７５に記載の半導体
    装置の製造方法。
  77. 【請求項７７】 前記トランジスタは、完全空乏型のＦ
    ＥＴであることを特徴とする請求項７５に記載の半導体
    装置の製造方法。
  78. 【請求項７８】 トランジスタを有する半導体装置であ
    って、 請求項７５乃至請求項７７のいずれか１項に記載の半導
    体装置の製造方法により得られた半導体装置。
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