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TWI559430B - A stripping device, a peeling system, and a peeling method - Google Patents

A stripping device, a peeling system, and a peeling method Download PDF

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TWI559430B
TWI559430B TW102133653A TW102133653A TWI559430B TW I559430 B TWI559430 B TW I559430B TW 102133653 A TW102133653 A TW 102133653A TW 102133653 A TW102133653 A TW 102133653A TW I559430 B TWI559430 B TW I559430B
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TW
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peeling
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TW102133653A
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Inventor
Masaru Honda
Masanori Itou
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Description

剝離裝置、剝離系統及剝離方法
所揭示之實施形態係關於剝離裝置、剝離系統及剝離方法。
近年來，例如在半導體裝置之製造工程中，矽晶圓或化合物半導體晶圓等之大直徑及薄型化的半導體基板正在發展中。大直徑且薄的半導體基板在搬送時或進行研磨處理時，恐怕會導致彎曲或破裂。因此，在半導體基板貼合支撐基板進行補強後，進行搬送或研磨處理，然後，進行使支撐基板由半導體基板剝離的處理。
例如，在專利文獻1中，揭示有以下之技術，亦即使用第1保持部且保持半導體基板的同時，使用第2保持部且保持支撐基板，藉由使第2保持部的外周部在垂直方向移動，使支撐基板由半導體基板剝離。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2012-69914號公報
但是，在上述之以往技術中，在提升剝離處理之效率該點，仍有改善的空間。另外，該一課題係即使在伴隨基板進行剝離之SOI(Silicon On Insulator)等的製造工程中亦可能發生的課題。
實施形態之一態樣，係以提供能夠提升剝離處理之效率的剝離裝置、剝離系統及剝離方法為目的。
關於實施形態之一態樣的剝離裝置，係具備第1保持部、切入部、測量部及位置調整部。第1保持部係保持接合有第1基板與第2基板之重合基板中的第1基板。切入部係對第1基板與第2基板之接合部份進行切入。測量部係測量從預定之測定基準位置至第1保持部之保持面的距離或介於測定基準位置與保持面之間之物體的距離。位置調整部，係根據測量部之測量結果與關於事先所取得之重合基板之厚度的資訊，來調整切入部的切入位置。
根據實施形態之一態樣，能夠提升剝離處理的效率。
1‧‧‧剝離系統
5‧‧‧剝離裝置
10‧‧‧第1處理區塊
15‧‧‧剝離站
20‧‧‧第2處理區塊
60‧‧‧控制裝置
110‧‧‧第1保持部
120‧‧‧第2保持部
130‧‧‧局部移動部
140‧‧‧移動機構
210‧‧‧測量部
220‧‧‧切入部
230‧‧‧位置調整部
S‧‧‧支撐基板
T‧‧‧重合基板
W‧‧‧被處理基板
[圖1]圖1係表示第1實施形態之剝離系統之構成的模式平面圖。
[圖2]圖2係重合基板的模式側視圖。
[圖3]圖3係表示藉由剝離系統所執行之基板處理之處理步驟的流程圖。
[圖4]圖4係表示第1實施形態之剝離裝置之構成的模式側視圖。
[圖5]圖5係表示切入部之構成的模式立體圖。
[圖6]圖6係表示切入部之位置調整處理之處理步驟的流程圖。
[圖7A]圖7A係剝離裝置的動作說明圖。
[圖7B]圖7B係剝離裝置的動作說明圖。
[圖7C]圖7C係剝離裝置的動作說明圖。
[圖8A]圖8A係基於剝離裝置之剝離動作的說明圖。
[圖8B]圖8B係基於剝離裝置之剝離動作的說明圖。
[圖8C]圖8C係基於剝離裝置之剝離動作的說明圖。
[圖9]圖9係表示第2實施形態之剝離裝置之構成的模式側視圖。
[圖10]圖10係第2保持部之傾斜檢測方法的說明圖。
[圖11A]圖11A係表示SOI基板之製造工程的模式圖。
[圖11B]圖11B係表示SOI基板之製造工程的模式圖。
〔實施形態〕
以下，參閱添附圖面，對本申請案所揭示之剝離系統的實施形態進行詳細說明。另外，並不藉由以下所示之實施形態限定該發明。
(第1實施形態) <1．剝離系統>
首先，參閱圖1及圖2，說明第1實施形態之剝離系統的構成。圖1係表示第1實施形態之剝離系統之構成的模式平面圖，圖2係重合基板的模式側視圖。另外，在下述中為了明確位置關係，進而規定彼此正交之X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，並將Z軸正方向設為垂直向上方向。
圖1所示之第1實施形態之剝離系統1，係將以黏著劑G接合有被處理基板W與支撐基板S之重合基板T(參閱圖2)剝離為被處理基板W與支撐基板S。
在下述中，如圖2所示，將被處理基板W之板面中經由黏著劑G，與支撐基板S接合之側邊的板面稱作「接合面Wj」，將與接合面Wj相反側的板面稱作「非接合面Wn」。又，將支撐基板S之板面中經由黏著劑 G，與被處理基板W接合之側邊的板面稱作「接合面Sj」，將與接合面Sj相反側的板面稱作「非接合面Sn」。
被處理基板W係例如在矽晶圓或化合物半導體晶圓等之半導體基板上形成複數個電子回路的基板，將形成有電子回路之側邊的板面設為接合面Wj。又，被處理基板W係例如藉由研磨處理非接合面Wn來予以薄型化。具體而言，被處理基板W之厚度約為20~100μm。
另一方面，支撐基板S係與被處理基板W大致相同直徑的基板，並支撐被處理基板W。支撐基板S之厚度約為650~750μm。能夠使用除了矽晶圓之外例如化合物半導體晶圓或玻璃基板等來作為支撐基板S。又，接合該些被處理基板W及支撐基板S的黏著劑G的厚度約為40~150μm。
第1實施形態之剝離系統1係如圖1所示，具備第1處理區塊10與第2處理區塊20。第1處理區塊10與第2處理區塊20係依第2處理區塊20及第1處理區塊10的順序，並排配置在X軸方向。
第1處理區塊10，係對重合基板T或剝離後之被處理基板W進行處理的區塊。第1處理區塊10係具備：搬入搬出站11、第1搬送區域12、待機站13、切割邊緣站14、剝離站15及第1洗淨站16。
另一方面，第2處理區塊20，係對剝離後之支撐基板S進行處理的區塊。第2處理區塊20係具備： 收授站21、第2洗淨站22、第2搬送區域23、搬出站24。
第1處理區塊10之第1搬送區域12與第2處理區塊20之第2搬送區域23係並排配置在X軸方向。又，在第1搬送區域12之Y軸負方向側，搬入搬出站11及待機站13係依搬入搬出站11及待機站13的順序，並排配置在X軸方向，在第2搬送區域23之Y軸負方向側配置有搬出站24。
又，在挾住第1搬送區域12且搬入搬出站11及待機站13的相反側中，剝離站15及第1洗淨站16係依剝離站15及第1洗淨站16的順序，並排配置在X軸方向。又，在挾住第2搬送區域23且搬出站24的相反側中，收授站21及第2洗淨站22係依第2洗淨站22及收授站21的順序，並排配置在X軸方向。且，在第1搬送區域12之X軸正方向側，配置有切割邊緣站14。
首先，說明第1處理區塊10的構成。在搬入搬出站11中，收容有重合基板T的匣盒Ct及收容有剝離後之被處理基板W的匣盒Cw係在與外部之間被搬入搬出。在搬入搬出站11中設置有匣盒載置台，而在匣盒載置台中，設有各別載置匣盒Ct,Cw之複數個匣盒載置板110a,110b。
在第1搬送區域12中，搬送重合基板T或剝離後之被處理基板W。在第1搬送區域12中，設置有搬送重合基板T或剝離後之被處理基板W之第1搬送裝置 30。
第1搬送裝置30係具備搬送臂部與基板保持部之基板搬送裝置，其中，該搬送臂部係可朝水平方向移動、朝垂直方向升降及將垂直方向設為中心旋轉，該基板保持部係被安裝於該搬送臂部的前端。第1搬送裝置30係利用基板保持部來保持基板，並藉由搬送臂部將由基板保持部所保持之基板搬送至所期望的位置。
在待機站13中，配置有讀取重合基板T之ID(Identification)的ID讀取裝置，藉由ID讀取裝置，能夠識別處理中的重合基板T。
在該待機站13中，不僅進行上述之ID讀取處理，並因應所需進行使等待處理之重合基板T暫時待機之待機處理。在待機站13中設有載置台，該載置台係載置有藉由第1搬送裝置30所搬送之重合基板T，在載置台上載置有ID讀取裝置與暫時待機部。
在切割邊緣站14中進行切割邊緣處理，該切割邊緣處理係藉由溶劑使黏著劑G(參閱圖2)之周緣部溶解並去除。藉由切割邊緣處理去除黏著劑G之周緣部，且能夠在後述的剝離處理中，輕易地剝離被處理基板W與支撐基板S。在切割邊緣站14中，設置切割邊緣裝置，該切割邊緣裝置係藉由使重合基板T浸漬在黏著劑G的溶劑，而藉由溶劑使黏著劑G之周緣部溶解。
在剝離裝置15中進行剝離處理，該剝離處理係將藉由第1搬送裝置30所搬送之重合基板T剝離為被 處理基板W與支撐基板S。在剝離站15中設置有進行剝離處理之剝離裝置。後述係說明關於剝離裝置之具體的構成及動作。
在第1洗淨站16中進行剝離後之被處理基板W的洗淨處理。在第1洗淨站16中，設置有洗淨剝離後之被處理基板W的第1洗淨裝置。
在第1處理區塊10中，在待機站14進行重合基板T的切割邊緣處理後，在剝離站15進行重合基板T的剝離處理。又，在第1處理區塊10中，在第1洗淨站16洗淨剝離後之被處理基板W後，將洗淨後之被處理基板W搬送至搬入搬出站11。然後，洗淨後的被處理基板W係從搬入搬出站11被搬出至外部。
接下來，說明第2處理區塊20的構成。在收授站21中，進行從剝離站15接收剝離後之支撐基板S並傳遞至第2洗淨站22的收授處理。在收授站21中，設置有以非接觸保持並搬送剝離後之支撐基板S的第3搬送裝置50，藉由第3搬送裝置50進行上述之收授處理。
在第2洗淨站22中進行洗淨剝離後之支撐基板S的第2洗淨處理。在第2洗淨站22中，設置有洗淨剝離後之支撐基板S的第2洗淨裝置。
在第2搬送裝置23中，搬送藉由第2洗淨裝置所洗淨之支撐基板S。在第2搬送區域23中，設置有搬送支撐基板S之第2搬送裝置40。
第2搬送裝置40係具備搬送臂部與基板保持 部之基板搬送裝置，其中，該搬送臂部係可朝水平方向移動、朝垂直方向升降及將垂直方向設為中心旋轉，該基板保持部係被安裝於該搬送臂部的前端。第2搬送裝置40係利用基板保持部來保持基板，並藉由搬送臂部將由基板保持部所保持之基板搬送至搬出站24。另外，具備有第2搬送裝置40之基板保持部係例如藉由從下方支撐支撐基板S，使支撐基板S保持為大致水平的夾盤等。
在搬出站24中，收容有支撐基板S之匣盒Cs係在與外部之間被搬入搬出。在搬出站24中設有匣盒載置台，而在該匣盒載置台中，設有載置有匣盒Cs之複數個匣盒載置板240a,240b。
在第2處理區塊20中，剝離後之支撐基板S係由剝離站15經由收授站21被搬送至第2洗淨站22，並在第2洗淨站22被洗淨。然後，在第2處理區塊20中，將洗淨後之支撐基板S搬送至搬出站24，洗淨後之支撐基板S係由搬出站24被搬出至外部。
又，剝離系統1係具備控制裝置60。控制裝置60係控制剝離系統1之動作的裝置。控制裝置60係例如為電腦，具備未圖示之控制部與記憶部。在記憶部中，儲存有控制剝離處理等之各種處理的程式。控制部係藉由讀出並執行記憶於記憶部的程式，來控制剝離系統1之動作。
另外，程式係藉由電腦記錄於可讀取之記錄媒體者，亦可為由其記錄媒體安裝於控制裝置60之記憶 部者。作為藉由電腦進行可讀取之記錄媒體，例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
接下來，參閱圖3，說明上述之剝離系統1的動作。圖3係表示藉由剝離系統1所執行之基板處理之處理步驟的流程圖。另外，剝離系統1係根據控制裝置60的控制，來執行圖4所示之各處理步驟。
首先，配置於第1處理區塊10之第1搬送區域12的第1搬送裝置30(參閱圖1)，係根據控制裝置60的控制來進行將重合基板T搬入至待機站13的處理(步驟S101)。
具體而言，第1搬送裝置30係使基板保持部進入搬入搬出站11，且保持收容於匣盒Ct之重合基板T並由匣盒Ct取出。此時，重合基板T係被處理基板W位於下面，而支撐基板S位於上面的狀態下，從上方被保持於第1搬送裝置30之基板保持部。且，第1搬送裝置30係將由匣盒Ct所取出之重合基板T搬入至待機站13。
接下來，在待機站13中，ID讀取裝置係根據控制裝置60的控制，來進行讀取重合基板T之ID的ID讀取處理(步驟S102)。藉由ID讀取裝置所讀取之ID被發送至控制裝置60。
接下來，第1搬送裝置30係根據控制裝置60的控制，由待機站13搬出附有DF重合基板T並搬送至切割邊緣站14。且，在切割邊緣站14中，切割邊緣裝置 係根據控制裝置60的控制來進行切割邊緣處理(步驟S103)。藉由切割邊緣處理去除黏著劑G之周緣部，且在後段的剝離處理中，被處理基板W與支撐基板S會變得容易剝離。藉此，能夠縮短剝離處理所需的時間。
在第1實施形態之剝離系統1中，切割邊緣站14被組入至第1處理區塊10，因此，能夠利用第1搬送裝置30將被搬入至第1處理區塊10之重合基板T直接搬入至切割邊緣站14。因此，根據剝離系統1，能夠提高一連串基板處理的生產率。又，能夠輕易地管理從切割邊緣處理開始至剝離處理的時間，並能夠使剝離性能穩定化。
又，藉由例如裝置間的處理時間差等而產生等待處理之重合基板T的情況下，能夠利用設於待機站13之暫時待機部使重合基板T暫時待機，且能夠縮短一連串工程間的損失時間。
接下來，第1搬送裝置30係根據控制裝置60的控制，由切割邊緣站14搬出切割邊緣處理後之重合基板T，並搬送至剝離站15。且，在剝離站15中，剝離裝置係根據控制裝置60的控制來進行剝離處理(步驟S104)。
然後，在剝離系統1中，關於剝離後之被處理基板W的處理係在第1處理區塊10進行，關於剝離後之支撐基板S的處理係在第2處理區塊20進行。
首先，在第1處理區塊10中，第1搬送裝置 30係根據控制裝置60的控制，由剝離裝置搬出剝離後之被處理基板W，並搬送至第1洗淨站16。且，第1洗淨裝置係根據控制裝置60的控制，進行洗淨剝離後之被處理基板W之接合面Wj之被處理基板洗淨處理(步驟S105)。藉由被處理基板洗淨處理去除殘留於被處理基板W之接合面Wj的黏著劑G。
接下來，第1搬送裝置30係根據控制裝置60的控制，來進行被處理基板搬出處理，該被處理基板搬出處理係由第1洗淨裝置搬出洗淨後的被處理基板W且搬送至搬入搬出站11(步驟S106)。然後，被處理基板W係從搬入搬出站11被搬出至外部並回收。藉此，結束對被處理基板W的處理。
另一方面，在第2處理區塊20中，同時進行步驟S105及步驟S106的處理，並進行步驟S107~S109的處理。
首先，在第2處理區塊20中，設置於收授站21之第3搬送裝置50係根據控制裝置60的控制，來進行剝離後之支撐基板S的收授處理(步驟S107)。
在該步驟S107中，第3搬送裝置50係由剝離裝置接收剝離後之支撐基板S，並將所接收之支撐基板S載置至第2洗淨站22的第2洗淨裝置。且，第2洗淨裝置係根據控制裝置60的控制，來進行洗淨支撐基板S之接合面Sj之支撐基板洗淨處理(步驟S108)。藉由支撐基板洗淨處理去除殘留於支撐基板S之接合面Sj的黏 著劑G。
接下來，第2搬送裝置40係根據控制裝置60的控制，來進行支撐基板搬出處理(步驟S109)，該支撐基板搬出處理係由第2洗淨裝置搬出洗淨後的支撐基板S且搬送至搬出站24。然後，支撐基板S係從搬出站24被搬出至外部並回收。如此，結束對支撐基板S的處理。
因此，第1實施形態之剝離系統1係具備重合基板T及被處理基板W用的前端(搬入搬出站11及第1搬送裝置30)、支撐基板S用的前端(搬出站24及第2搬送裝置40)之構成。藉此，可並列進行將洗淨後之被處理基板W搬送至搬入搬出站11的處理與將洗淨後之支撐基板S搬送至搬出站24的處理，因此能夠有效率地進行一連串的基板處理。
又，第1實施形態之剝離系統1係藉由收授站21連接有第1處理區塊10與第2處理區塊20。藉此，能夠由剝離站15直接取出剝離後之支撐基板S並搬入至第2處理區塊20，因此能夠平順地將剝離後之支撐基板S搬送至第2洗淨裝置。
因此，根據第1實施形態之剝離系統1，能夠提高一連串之基板處理的生產率。
<2．剝離裝置>
首先，說明利用設置於剝離站15之剝離裝置的構成及剝離裝置而進行之重合基板T的剝離動作。圖4係表示 第1實施形態之剝離裝置之構成的模式側視圖。
如圖4所示，剝離裝置5係具備可密閉內部的處理部100。在處理部100之側面形成有搬入搬出口(未圖示)，經由該搬入出口，重合基板T被搬入至處理部100或剝離後之被處理基板W及支撐基板S從處理部100被搬出。在搬入出口中設有例如開關閘門，藉由該開關閘門被分隔為處理部100與其他區域，且防止顆粒的進入。另外，各自在鄰接於第1搬送區域12之側面與鄰接於收授站21之側面設有搬入搬出口。
剝離裝置5係具備第1保持部110、第2保持部120、局部移動部130、移動機構140，而該些被配置於處理部100的內部。第1保持部110係設於第2保持部120及局部移動部130的上方，配置於與第2保持部120及局部移動部130對向的位置。又，第2保持部120及局部移動部130，係藉由移動機構140予以支撐，並藉由移動機構140朝垂直方向移動。
第1保持部110係吸附保持構成重合基板T之被處理基板W的保持部，能夠利用例如多孔性吸盤。第1保持部110係具備大致為圓盤狀的本體部111與設於本體部111之下面的吸附面112。吸附面112係與重合基板T大致相同直徑，與重合基板T之上面亦即被處理基板W之非接合面Wn抵接。該吸附面112係以例如碳化矽等之多孔介質或多孔陶瓷而形成。
在本體部111之內部形成有經由吸附面112 與外部連通之吸引空間113。吸引空間113係經由吸氣管114與真空泵等之吸氣裝置115連接。第1保持部110係利用由吸氣裝置115之吸氣所產生的負壓，使被處理基板W之非接合面Wn吸附於吸附面112，藉此來保持被處理基板W。另外，雖表示使用多孔性吸盤作為第1保持部110的例子，但並不限定於此。例如，亦可使用靜電夾盤作為第1保持部110。
在第1保持部110的上方，配置有支撐於處理部100之天井面的支撐部105，藉由支撐部105支撐第1保持部110的上面。另外，不設置支撐部105，而亦可將處理部100作為支撐部。例如，亦可使第1保持部110之上面直接抵接且支撐於處理部100的天花板。
第2保持部120係吸附保持構成重合基板T之支撐基板S的保持部。第2保持部120係具備圓盤狀之本體部121與在移動機構140連接本體部121的支柱構件122。
本體部121係以例如鋁等之金屬構件構成。本體部121係直徑小於重合基板T，例如，重合基板T的直徑係300mm，而本體部121的直徑係240mm。又，在本體部121的內部形成有吸附空間123與由上面連通至吸附空間123之複數個貫穿孔124，在吸附空間123中，係經由吸氣管125連接有真空泵等的吸氣裝置126。
第2保持部120係利用由吸氣裝置126之吸氣所產生的負壓，吸附與本體部121之上面對向之支撐基 板S的區域，藉此來保持支撐基板S。此外，作為第2保持部120之本體部121，亦可利用例如多孔性吸盤或靜電夾盤等。
局部移動部130係吸附支撐基板S之非接合面Sn中外周部的一部份且保持支撐基板S，並垂直朝下地拉引所保持之區域。該局部移動部130係具備：本體部131，藉由橡膠等之彈性構件予以形成；圓柱體132，基端被固定於移動機構140，並可移動地支撐本體部131。又，在本體部131中，係經由吸氣管133，連接有真空泵等之吸氣裝置134。
局部移動部130係利用由吸氣裝置134之吸氣所產生的負壓，吸附與本體部131之上面對向之支撐基板S的區域，藉此來保持支撐基板S。又，局部移動部130係在吸附支撐基板S的狀態下，藉由圓柱體132使本體部131垂直朝下移動，藉此，使支撐基板S局部地垂直朝下移動。
在局部移動部130中設有荷重元(未圖示)，局部移動部130係藉由荷重元能夠檢測施加於圓柱體132的負荷。局部移動部130係根據荷重元的檢測結果，能夠控制支撐基板S之垂直朝下的力量，並同時拉引支撐基板S。
移動機構140係具備：支撐構件141，支撐第2保持部120及局部移動部130；驅動部142，支撐支撐構件141的中央部下面；複數個支柱構件143，支撐支撐 構件141的外周部下面；基座144，支撐驅動部142及支柱構件143。驅動部142係具備具有例如滾珠螺桿(未圖示)與驅動該滾珠螺桿之馬達(未圖示)的驅動機構，藉由驅動機構使第2保持部120及局部移動部130在垂直方向升降。支柱構件143係在垂直方向自由伸縮地予以構成。
另外，在第2保持部120的上面，設有複數個貫穿孔(未圖示)，由該些貫穿孔複數個升降銷(未圖示)會在垂直方向升降，藉此，能夠由下方支撐且升降重合基板T或支撐基板S。藉此，在第1搬送裝置30之夾盤等之間，能夠輕易地收授基板。
又，移動機構140係亦可構成為使第2保持部120在水平方向移動。例如在基座144上設置具有滾珠螺桿(未圖示)與驅動該滾珠螺桿之馬達(未圖示)的驅動機構，亦可藉由使驅動部142及支柱構件143在水平方向移動，而使第2保持部120在水平方向移動。
又，剝離裝置5係更具備測量部210、切入部220、位置調整部230。測量部210及位置調整部230係被設於支撐構件141，切入部220係在重合基板T之側邊，藉由位置調整部230予以支撐。
測量部210例如為雷射位移計，測量從預定之測定基準位置至第1保持部110之保持面的距離或介於測定基準位置與第1保持部110之保持面之間之物體的距離。基於測量部210之測量結果被發送至控制裝置60 (參閱圖1)。
切入部220係對被處理基板W與支撐基板S之接合部份亦即黏著劑G的部份進行切入。在此，參閱圖5說明切入部220之構成。圖5係表示切入部220之構成的模式立體圖。
如圖5所示，切入部220係具備本體部221、銳利構件222、及氣體噴出部223。
本體部221係配合重合基板T之側面而形成為弓形。在本體部221之右側部221R中，經由固定部224安裝有銳利構件222，在中央部221C安裝有氣體噴出部223。
銳利構件222例如為刀具，以前端朝向重合基板T而突出的方式，支撐於位置調整部230。使銳利構件222進入被處理基板W與支撐基板S之接合部份亦即黏著劑G，藉由切入至黏著劑G，能夠使促進重合基板T的剝離。
在第1實施形態中，銳利構件222為單刃之刀具，形成夾角之傾斜面設於下面側亦即支撐基板S側。如此，使銳利構件222之傾斜面朝向支撐基板S側，換言之，藉由使銳利構件222之平坦面朝向被處理基板W側，使銳利構件222進入黏著劑G時，能夠抑制對產品基板亦即被處理基板W的損傷。
另外，作為刀具，例如能夠利用剃刀刀片或輥刀或超音波切刀等。又，藉由利用陶瓷樹脂系之刀具或 塗覆有氟之刀具，能夠抑制對重合基板T切入時所產生的顆粒。固定部224係對右側部221R自由裝卸，切入部220係藉由更換固定部224，能夠輕易地交換銳利構件222。
另外，在此係表示僅在本體部221之右側部221R安裝銳利構件222時的例子，切入部220係亦可在本體部221之左側部221L具備銳利構件222。切入部220係亦可在右側部221R與左側部221L，具備不同種類的銳利構件222。
氣體噴出部223係朝向藉由銳利構件222所切入之接合部份的切入處，噴出空氣或惰性氣體等氣體。亦即，氣體噴出部223係從基於銳利構件222之切入處向重合基板T的內部注入氣體，藉此，進一步促進重合基板T的剝離。
回到圖4，說明位置調整部230。位置調整部230係具備未圖示之驅動裝置與荷重元。未圖示之驅動裝置係使切入部220沿垂直方向或水平方向移動。位置調整部230係利用驅動裝置使切入部220朝向垂直方向移動，藉此，調整朝向切入部220之黏著劑G的切入位置。又，位置調整部230係利用驅動裝置使切入部220朝向水平方向移動，藉此，使銳利構件222之前端進入黏著劑G。又，未圖示之荷重元係檢測施加於切入部220之負荷。
又，控制裝置60(參閱圖1)，係在未圖示之記憶部記憶關於藉由外部裝置所事先取得之重合基板T 之厚度的資訊(以下，記載為「事前厚度資訊」)。在事前厚度資訊中，包含有重合基板T之厚度、被處理基板W之厚度、支撐基板S之厚度及黏著劑G之厚度。
控制裝置60係根據從測量部210所取得之測量結果與記憶於記憶部之事前厚度資訊，來決定切入部220之切入位置，以使其落在黏著劑G的厚度範圍內。且，控制裝置60係控制位置調整部230並使切入部220移動，以使銳利構件222之前端位於所決定的切入位置。
接下來，參閱圖6及圖7A~7C，說明剝離裝置5所執行之切入部220的位置調整處理。圖6係表示切入部220之位置調整處理之處理步驟的流程圖。又，圖7A~7C係剝離裝置5的動作說明圖。另外，剝離裝置5係根據控制裝置60的控制，來執行圖6所示之各處理步驟。
如圖6所示，剝離裝置5係首先利用移動機構140，使測量部210朝測量位置移動後(步驟S201)，進行切入部診斷處理(步驟S202)。在切入部診斷處理中，利用測量部210來診斷銳利構件222是否有損傷(例如刻痕等)。
具體而言，如圖7A所示，剝離裝置5係利用位置調整部230使切入部220朝水平方向移動，並同時利用測量部210測量至銳利構件222之上面的距離D1，且將測量結果發送至控制裝置60。且，控制裝置60係例如距離D1之變化率超過預定範圍時或利用新品之銳利構件 222來事先測量之基準距離與距離D1的誤差超過預定範圍時，判定銳利構件222為損傷狀態。
在步驟S202之切入部診斷處理中，銳利構件222被判定為損傷狀態時(步驟203，Yes)，剝離裝置5會中止接下來的處理(步驟S204)。如此，剝離裝置5係根據使切入部220水平移動時從測定基準位置至切入部220之距離D1的變化，來檢測銳利構件222的損傷。藉此，利用已損傷之銳利構件222朝重合基板T切入，藉此，能夠事先防止對被處理基板W造成損害。
另一方面，在步驟S202之切入部診斷處理中，未檢測出銳利構件222之損傷時(步驟S203，No)，剝離裝置5係利用測量部210來測量至第1保持部110之保持面的距離D2(參閱圖7B)(步驟S205)。此時，在剝離裝置5中係未搬入重合基板T的狀態。
另外，圖7B所示之重合基板T之厚度D4、被處理基板W之厚度D4w、黏著劑G之厚度D4g、支撐基板S之厚度D4s，係以記憶於控制裝置60之記憶部的資訊作為事前厚度資訊。
接下來，剝離裝置5係利用第1保持部110，吸附保持藉由第1搬送裝置30搬入至剝離站15之重合基板T(步驟S206)。具體而言，剝離裝置5係利用第2保持部120保持藉由第1搬送裝置30所搬入之重合基板T後，利用移動機構140使第2保持部120上升，使保持於第2保持部120之重合基板T抵接於第1保持部110的吸 附面112。且，第1保持部110係藉由吸氣裝置115的吸氣動作來吸附保持重合基板T。接下來，剝離裝置5係利用移動機構140，使第2保持部120下降並返回至測定位置。
然後，剝離裝置5係測量藉由第1保持部110所吸附保持之重合基板T的下面亦即至支撐基板S之非接合面Sn的距離D3(步驟S207)。測量結果被發送至控制裝置60。控制裝置60係對由測量部210之測量結果所計算出之重合基板T之厚度(D2-D3)與包含於事前厚度資訊之重合基板T之厚度(D4)的差是否落在預定範圍內進行判定。
在此，由測量部210之測量結果所計算出之重合基板T之厚度(D2-D3)與事前厚度資訊(D4)的誤差超過預定範圍時，例如會有本來應該被搬入之重合基板T卻錯誤搬入不同之重合基板T的可能性。在這樣的情況，根據測量部210之測量結果或事前厚度資訊所計算出之黏著劑G之厚度範圍會從實際的厚度範圍產生偏差，銳利構件222之前端與被處理基板W或支撐基板S接觸，恐怕會造成被處理基板W或支撐基板S損傷。因此，利用測量部210之測量結果所計算出之重合基板T之厚度與包含於事前厚度資訊之重合基板T之厚度的誤差超過預定範圍內時(步驟S208，No)，剝離裝置5會中止接下來的處理(步驟S204)。
另一方面，與事前厚度資訊之誤差落在預定 範圍內時(步驟208，Yes)，控制裝置60係根據測量部210之測量結果及事前厚度資訊來計算作為被處理基板W與支撐基板S之接合部份之黏著劑G的厚度範圍。
例如，如圖7C所示，黏著劑G的厚度範圍係利用從測量部210之測定基準位置至第1保持部110之保持面的距離D2與包含於事先事前厚度資訊之被處理基板W的厚度D4w及黏著劑G的厚度D4g，以D2-(D4w+D4g)~D2-D4w予以表示。且，控制裝置60係將切入部220的切入位置決定於厚度範圍內。例如，控制裝置60係將上述厚度範圍之中央亦即D2-(D4w+D4g/2)決定為切入位置。
藉由控制裝置60決定切入部220之切入位置時，剝離裝置5係根據控制裝置60的控制，利用位置調整部230使切入部220移動，藉此，將切入部220之切入位置調整在黏著劑G之厚度範圍內(步驟S209)。亦即，剝離裝置5係利用位置調整部230，使切入部220在垂直方向移動，以使銳利構件222之前端位於藉由控制裝置60所決定之切入位置。
如此，位置調整部230係調整切入部220之切入位置，以使其落在利用從測定基準位置至第1保持部110之保持面的距離與事先所取得之被處理基板W及黏著劑G的厚度所計算出之黏著劑G的厚度範圍內。
然後，剝離裝置5係進行重合基板T的剝離動作。在此，參閱圖8A~8C，說明剝離裝置5的剝離動 作。
首先，剝離裝置5係如圖8A所示，藉由移動機構140使第2保持部120及局部移動部130上升，並使重合基板T之下面抵接於第2保持部120及局部移動部130。第2保持部120及局部移動部130係藉由吸氣裝置126及吸氣裝置134的吸氣動作來吸附保持重合基板T。
藉此，造成藉由第1保持部110及第2保持部120各別吸附重合基板T之上下面的狀態。亦即，造成藉由第1保持部110吸附保持被處理基板W，藉由第2保持部120及局部移動部130吸附保持支撐基板S的狀態。
接下來，剝離裝置5係根據控制裝置60的控制，進行將保持於第2保持部120之支撐基板S拉引至遠離被處理基板W方向的處理。
在該處理中，移動機構140係如圖8A所示，使第2保持部120垂直朝下地移動。在移動機構140中，設有荷重元(未圖示)，移動機構140係在藉由荷重元檢測施加預定值以上之負荷於第2保持部120時，第2保持部120停止往垂直朝下移動。藉此，在支撐基板S的下面，會造成藉由第2保持部120而增大預定拉力的狀態。
另外，不一定要利用荷重元，例如藉由移動機構140在第2保持部120垂直朝下地移動預定距離時，亦可使第2保持部120停止往垂直朝下移動。
接下來，剝離裝置5係在藉由第2保持部120拉引支撐基板S的狀態下，根據控制裝置60的控制，利 用局部移動部130使支撐基板S之外周部的一部份垂直朝下地移動(參閱圖8B)。具體而言，局部移動部130係藉由圓柱體132的動作，使本體部131垂直朝下地移動。藉此，局部移動部130之上面係移動至比第2保持部120之上面更下方的位置，支撐基板S之外周部的一部份係與支撐基板S之中央部相比，以更強的力量垂直朝下地被拉伸。
在該狀態下，剝離裝置5係利用位置調整部230使切入部220水平方向移動，藉此，使銳利構件222進入黏著劑G。
在此，銳利構件222進入黏著劑G，係利用具備有位置調整部230之未圖示的驅動裝置及荷重元來加以控制。具體而言，銳利構件222係藉由驅動裝置以預定的速度進入黏著劑G。又，切入開始位置(銳利構件222之前端與黏著劑G接觸的位置)係藉由荷重元來檢測，從切入開始位置利用所事先編程的量、驅動裝置使銳利構件222進入。
藉此，切入至作為被處理基板W與支撐基板S之接合部份的黏著劑G，且支撐基板S之外周部的一部份從被處理基板W剝離。又，在支撐基板S中，藉由第2保持部120而垂直朝下拉伸的力將產生作用，因此支撐基板S之外周部的一部份由被處理基板W剝離，藉此，如圖8C所示，支撐基板S之接合面Sj全體係從被處理基板W的接合面Wj剝離。
如此，剝離裝置5係能夠藉由利用切入部220切入黏著劑G，促進重合基板T的剝離。
又，剝離裝置5係根據測量部210之測量結果與事前厚度資訊來調整切入部220之位置，因此能夠使銳利構件222之前端更確實進入黏著劑G。
亦即，由於被處理基板W、支撐基板S及黏著劑G非常薄，因此難以由肉眼來進行切入部220的對位。對此，若利用測量部210，則能夠輕易且正確地檢測黏著劑G之位置，並對切入部220之切入位置進行對位。又，亦考慮藉由以攝相機等的畫像辨識來確認切入位置，但重合基板T等之基板的側面部為曲面而難以聚焦且有來自基板的反射，而黏著劑G亦為透明，因此難以藉由畫像辨識來確認黏著劑G的位置。對此，若使用測量部210，則不會產生如上述的問題點，而能夠輕易確認黏著劑G的位置。
又，切入部220係在利用從測定基準位置至第1保持部110之保持面的距離D2和從測定基準位置至保持於第1保持部110之重合基板T的距離D3所計算出的重合基板T之厚度與事先取得之重合基板T之厚度的差為預定範圍時，對黏著劑G進行切入。藉此，能夠事先防止因銳利構件222所造成之被處理基板W或支撐基板S的損傷。
另外，銳利構件222進入黏著劑G的距離係例如為2mm左右。又，使銳利構件222進入黏著劑G之 時序係亦可為第2保持部120或局部移動部130拉引支撐基板S之前，亦可為與第2保持部120或局部移動部130拉引支撐基板S的同時。
另外，支撐基板S之非接合面Sn的外周部，係未支撐除了藉由局部移動部130所支撐之區域之外的區域。因此，藉由局部移動部130而支撐基板S垂直朝下移動時，鄰接於藉由支撐基板S之外周部中的局部移動部130所保持之區域的區域，亦伴隨著藉由局部移動部130所保持之區域垂直朝下移動，而垂直朝下移動。其結果，即使對鄰接於藉由局部移動部130所保持之區域的區域，亦能夠促進從被處理基板W進行剝離。
又，在被處理基板W之接合面Wj中形成電子回路，因此，若試著同時剝離被處理基板W及支撐基板S，則會對接合面Wj、Sj造成大的負荷，且恐怕會造成接合面Wj上的電子回路損傷。對此，剝離裝置5係在全體性地拉引重合基板T的狀態下，進一步拉引支撐基板S的外周部，藉此，支撐基板S的外周部會剝離，然後，支撐基板S會從該剝離部份連續的被剝離。藉此，不會對接合面Wj、Sj造成大的負荷，且能夠抑制剝離動作中電子回路的損傷。
又，在剝離裝置5中，局部移動部130之本體部131係以橡膠等的彈性構件予以構成，因此，在支撐基板S之外周部由被處理基板W剝離時，能夠抑制驟然施加至支撐基板S之外周部的力量。因此，藉此，亦能夠 抑制施加於接合面Wj、Sj的負荷，並能夠抑制剝離動作中電子回路的損傷。
如上述，第1實施形態之剝離裝置5係具備第1保持部110、切入部220、測量部210、位置調整部230。第1保持部110，係保持接合有被處理基板W與支撐基板S之重合基板T中的被處理基板W。切入部220，係對被處理基板W與支撐基板S之接合部份進行切入。測量部210，係測量從預定之測定基準位置至第1保持部110之保持面的距離或介於測定基準位置與第1保持部110之保持面之間之物體的距離。位置調整部230，係根據測量部210之測量結果與關於事先所取得之重合基板T之厚度的資訊，來調整切入部220的切入位置。因此，根據第1實施形態之剝離裝置5，能夠提升剝離處理的效率。
其中，在第1實施形態中係表示下述情況的例子，該情況係位置調整部230調整切入部220之切入位置，以使其落在利用從測定基準位置至第1保持部110之保持面的距離與事先所取得之被處理基板W及黏著劑G的厚度所計算出之黏著劑G的厚度範圍內。但是，切入位置之調整方法並不限定為該例子。
例如，控制裝置60係利用從測定基準位置至保持於第1保持部110之重合基板T的距離D3(參閱圖7B)與包含於事前厚度資訊之支撐基板S的厚度D4s及黏著劑G的厚度D4g，來計算黏著劑G的厚度範圍。該 情況下，黏著劑G之厚度範圍係以D3+D4s~D3+D4s+D4g來表示。
控制裝置60係例如將上述厚度範圍之中央亦即D3+D4s+D4g/2決定為切入位置。且，剝離裝置5係使切入部220移動至藉由控制裝置60所決定之切入位置。藉此，位置調整部230係能夠調整切入部220之切入位置，以使其落在黏著劑G之厚度範圍內。
在第1實施形態中，雖說明了銳利構件222為單刃之刀具時的例子，但銳利構件亦可為雙刃之刀具。又，不必非要是刀具，亦可為皮下針等之管狀的針體或鋼絲等。
(第2實施形態)
在上述之剝離裝置中，為了更有效的進行剝離處理，亦可追加使第1保持部110旋轉的旋轉機構。在下述中係說明剝離裝置具備使第1保持部110旋轉之旋轉機構時的例子。
圖9係表示第2實施形態之剝離裝置之構成的模式側視圖。另外，在下述之說明中，對與已進行說明之部份其相同處，標示與已進行說明之部份相同的符號，並省略重複的說明。
如圖9所示，第2實施形態之剝離裝置5A，係具備旋轉機構180來取代具備有第1實施形態之剝離裝置5的支撐部105。旋轉機構180係具備：本體部181， 設於處理部100的外部；支撐構件182，基端部係經由處理部100被支撐於本體部181，並在前端部支撐第1保持部110的本體部111。旋轉機構180係本體部181使支撐構件182沿垂直軸旋轉，藉此，使支撐於支撐構件182之第1保持部110沿垂直軸旋轉。
第2實施形態之剝離裝置5A，係利用局部移動部130使支撐基板S之外周部的一部份垂直朝下地移動(參閱圖8B)，支撐基板S由被處理基板W開始剝離後，利用移動機構140使第2保持部120下降，並同時利用旋轉機構180使第2保持部120及局部移動部130旋轉。藉此，剝離裝置5A係能夠藉由基於旋轉機構180的旋轉，來扭斷黏貼於支撐基板S及被處理基板W的黏著劑G，因此，能夠使支撐基板S及被處理基板W完全剝離。
又，第2實施形態之剝離裝置5A係亦能夠利用測量部210檢測第2保持部120之傾斜。利用圖10來說明該觀點。圖10係第2保持部120之傾斜檢測方法的說明圖。
如圖10所示，剝離裝置5A係藉由旋轉機構180使第1保持部110旋轉，並同時測量從測定基準位置至第2保持部120之保持面的距離D2(參閱圖7B)。且，剝離裝置5A係距離D2之變化量為預定量以上時，例如如圖10所示之距離D2a與距離D2b的差為20μm以上時，判定第2保持部120之保持面為傾斜狀態，並中止 剝離處理。
如此，剝離裝置5A係亦能夠根據從使第2保持部120旋轉時的測定基準位置至第2保持部120之保持面之距離D2的變化，來檢測第2保持部120之保持面的傾斜。
第2保持部120之保持面為傾斜的情況下，在利用事前厚度資訊所計算出之黏著劑G的厚度範圍與實際的黏著劑G的厚度範圍會產生誤差，而會有無法使銳利構件222適切進入黏著劑G的可能性。在此，第2保持部120之保持面為傾斜的情況下，能夠藉由中止接下來的處理，來事先防止因銳利構件222所造成被處理基板W或支撐基板S的損傷。另外，上述之處理係在重合基板T被搬入至剝離裝置5A之前進行即可。
其中，在重合基板T中，藉由結晶方向、彎曲方向、圖案等具有最合適的切入方向。在此，在第2實施形態中，亦可因應重合基板T的種類改變銳利構件222之圓周方向的位置。在該情況下，例如以第1保持部110保持重合基板T後，使旋轉機構180旋轉至預定位置，藉此，來調整銳利構件222之圓周方向中的切入位置，然後，使銳利構件222進入即可。藉此，能夠將銳利構件222設定於圓周方向之任何位置，因此，無論是什麼種類的重合基板T，亦能夠在因應其重合基板T之最合適的位置進行切入。另外，在重合基板T剝離後，再次使旋轉機構180旋轉並返回至原來的旋轉位置。
又，在第1旋轉位置中無法進行剝離時，亦可使旋轉機構180旋轉至第2旋轉位置並嘗試進行剝離。是否無法進行剝離，係例如在因第1保持部110及第2保持部120導致無法進行吸附保持時或將馬達用於旋轉機構180的驅動部時，能夠以馬達之過負荷等來進行判定。藉由設置該重試功能，即使黏著劑G的一部份變質或因第1保持部110．第2保持部120而導致無法剝離的狀態下，亦能夠不中斷剝離處理而使其完成。
(其他的實施形態)
又，在上述之各實施形態中，係說明下述情況的例子，該情況係成為剝離對象的重合基板是藉由黏著劑G連接有被處理基板W與支撐基板S的重合基板T。但，成為剝離裝置之剝離對象的重合基板，並不限定為該重合基板T。例如，在上述之各實施形態的剝離裝置中，為了產生SOI基板，因此，亦可將貼合有形成絕緣膜之施體基板與被處理基板的重合基板設為剝離對象。
在此，參閱圖11A及圖11B說明SOI基板之製造方法。圖11A及圖11B係表示SOI基板之製造工程的模式圖。如圖11A所示，用於形成SOI基板之重合基板Ta，係藉由接合施體基板K與手柄基板H予以形成。
施體基板K係在表面形成絕緣膜6，並在與手柄基板H接合之表面附近的預定深度形成有氫離子植入層7之基板。又，能夠利用例如矽晶圓、玻璃基板、藍寶 石基板等來作為手柄基板H。
在上述之各實施形態之剝離裝置中，例如以第1保持部保持施體基板K，且以第2保持部保持手柄基板H的狀態下，藉由拉引重合基板Ta的外周部，對形成於施體基板K之氫離子植入層7給予機械式的衝擊。藉此，如圖11B所示，切斷氫離子植入層7內的矽-矽結合，矽層8從施體基板K剝離。其結果，在手柄基板H之上面轉印絕緣膜6與矽層8，並形成SOI基板Wa。另外，雖然以第1保持部保持施體基板K且以第2保持部保持手柄基板H為最佳，但亦可以第1保持部保持手柄基板H且以第2保持部保持施體基板K。
又，在上述之實施形態中，雖說明了利用黏著劑G接合被處理基板W與支撐基板S時的例子，但亦可將接合面Wj，Sj分割為複數個區域並在每區域塗佈不同黏著力之黏著劑。
更進一步之效果或變形例係具有該發明技術領域之通常知識者能夠輕易進行導出。因此，本發明之更廣泛的態樣係不限定於如上述所表示且記述之特定及代表性的實施形態者。因此，在不脫離藉由附加之申請專利範圍及其均等物所定義之所有發明的概念精神或範圍下，可進行各種變更。
5‧‧‧剝離裝置
100‧‧‧處理部
105‧‧‧支撐部
110‧‧‧第1保持部
111‧‧‧本體部
112‧‧‧吸附面
113‧‧‧吸引空間
114‧‧‧吸氣管
115‧‧‧吸氣裝置
120‧‧‧第2保持部
121‧‧‧本體部
122‧‧‧支柱構件
123‧‧‧吸附空間
124‧‧‧貫穿孔
125‧‧‧吸氣管
126‧‧‧吸氣裝置
130‧‧‧局部移動部
131‧‧‧本體部
132‧‧‧圓柱體
133‧‧‧吸氣管
134‧‧‧吸氣裝置
140‧‧‧移動機構
141‧‧‧支撐構件
142‧‧‧驅動部
143‧‧‧支柱構件
144‧‧‧基座
210‧‧‧測量部
220‧‧‧切入部
230‧‧‧位置調整部
G‧‧‧黏著劑
W‧‧‧被處理基板
S‧‧‧支撐基板
T‧‧‧重合基板

Claims (8)

  1. 一種剝離裝置，其特徵係具備：第1保持部，保持接合有第1基板與第2基板之重合基板中的前述第1基板；切入部，對前述第1基板與前述第2基板之接合部份進行切入；測量部，測量從預定之測定基準位置至前述第1保持部之保持面的距離或介於前述測定基準位置與前述保持面之間之物體的距離；位置調整部，根據前述測量部之測量結果與關於事先所取得之前述重合基板之厚度的資訊，來調整前述切入部的切入位置，前述切入部，係利用從前述測定基準位置至前述保持面的距離與從前述測定基準位置至保持於前述第1保持部之重合基板的距離所計算出的前述重合基板之厚度與事先所取得之前述重合基板之厚度的差為預定範圍內時，對前述接合部份進行切入。
  2. 如申請專利範圍第1項之剝離裝置，其中，根據從使前述切入部水平移動時的前述測定基準位置至前述切入部之距離的變化，來檢測前述切入部的損傷。
  3. 如申請專利範圍第1項之剝離裝置，其中，前述切入部係具備：銳利構件；氣體噴出部，朝向藉由前述銳利構件所切入之前述接 合部份的切入處，噴出氣體。
  4. 如申請專利範圍第1項之剝離裝置，其中，更具備使前述第1保持部旋轉的旋轉機構，根據從藉由前述旋轉機構使前述第1保持部旋轉時的前述測定基準位置至前述保持面之距離的變化，來檢測前述保持面的傾斜。
  5. 一種剝離裝置，其特徵係具備：第1保持部，保持接合有第1基板與第2基板之重合基板中的前述第1基板；切入部，對前述第1基板與前述第2基板之接合部份進行切入；測量部，測量從預定之測定基準位置至前述第1保持部之保持面的距離或介於前述測定基準位置與前述保持面之間之物體的距離；位置調整部，根據前述測量部之測量結果與關於事先所取得之前述重合基板之厚度的資訊，來調整前述切入部的切入位置，前述位置調整部，係調整前述切入位置，以使其落在利用從前述測定基準位置至前述保持面的距離與事先所取得之前述第1基板及前述接合部份的厚度所計算出之前述接合部份的厚度範圍內。
  6. 一種剝離裝置，其特徵係具備：第1保持部，保持接合有第1基板與第2基板之重合基板中的前述第1基板； 切入部，對前述第1基板與前述第2基板之接合部份進行切入；測量部，測量從預定之測定基準位置至前述第1保持部之保持面的距離或介於前述測定基準位置與前述保持面之間之物體的距離；位置調整部，根據前述測量部之測量結果與關於事先所取得之前述重合基板之厚度的資訊，來調整前述切入部的切入位置，前述位置調整部，係調整前述切入位置，以使其落在利用從前述測定基準位置至保持於前述第1保持部之重合基板的距離與事先所取得之前述第2基板及前述接合部份的厚度所計算出之前述接合部份的厚度範圍內。
  7. 如申請專利範圍第1項之剝離裝置，其中，前述測量部係雷射位移計。
  8. 如申請專利範圍第1項之剝離裝置，係具備：第2保持部，保持前述第2基板；移動機構，使第2保持部朝遠離前述第1保持部的方向移動；局部移動部，使由前述第2保持部所保持之前述第2基板之外周部中的一部份朝遠離前述第1基板之接合面的方向移動。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5491525B2 (ja) * 2009-10-16 2014-05-14 デクセリアルズ株式会社 表示装置及びその製造方法、並びに透明樹脂充填剤
JP6223795B2 (ja) * 2013-11-28 2017-11-01 日東電工株式会社 板の剥離方法
US9136243B2 (en) * 2013-12-03 2015-09-15 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Systems and methods for determining and adjusting a level of parallelism related to bonding of semiconductor elements
JP6283573B2 (ja) * 2014-06-03 2018-02-21 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6354945B2 (ja) 2014-07-11 2018-07-11 旭硝子株式会社 積層体の剥離装置及び剥離方法並びに電子デバイスの製造方法
US9508586B2 (en) 2014-10-17 2016-11-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Debonding schemes
KR102443220B1 (ko) * 2015-05-22 2022-09-15 삼성전자주식회사 기판 처리 장치
CN105047589B (zh) * 2015-07-08 2018-05-29 浙江中纳晶微电子科技有限公司 晶圆解键合装置
JP6427131B2 (ja) 2016-03-18 2018-11-21 株式会社荏原製作所 研磨装置および研磨方法
JP6875161B2 (ja) * 2017-03-22 2021-05-19 株式会社ディスコ テープ剥離装置
JP6975056B2 (ja) * 2018-01-29 2021-12-01 株式会社ディスコ 搬送機構
KR102288929B1 (ko) * 2019-11-01 2021-08-12 세메스 주식회사 웨이퍼 분리 방법 및 웨이퍼 분리 장치
CN113036030B (zh) * 2021-02-26 2022-04-12 合肥本源量子计算科技有限责任公司 一种超导电路制备方法及一种超导量子芯片

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002050749A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Canon Inc 複合部材の分離方法及び装置
US20020029849A1 (en) * 1997-03-27 2002-03-14 Kazuaki Ohmi Method and apparatus for separating composite member using fluid
JP2005033018A (ja) * 2003-07-04 2005-02-03 Apic Yamada Corp 半導体製造装置
US20070119893A1 (en) * 2002-01-03 2007-05-31 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Substrate cutting device and method
JP2012004522A (ja) * 2010-06-21 2012-01-05 Brewer Science Inc 逆に装着されたデバイスウェーハーをキャリヤー基板から分離する方法および装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US29849A (en) * 1860-08-28 Improvement in cultivators
JPH11111824A (ja) * 1997-09-30 1999-04-23 Enya System:Kk ウエ−ハ剥離装置
JP2000091304A (ja) * 1998-09-09 2000-03-31 Canon Inc 試料の分離装置及び分離方法及び分離の監視装置並びに基板の製造方法
US6569259B1 (en) * 1999-03-30 2003-05-27 Taiyo Yuden Co., Ltd. Method of disposing of a waste optical disc
JP2002075915A (ja) * 2000-08-25 2002-03-15 Canon Inc 試料の分離装置及び分離方法
US6415843B1 (en) * 2001-01-10 2002-07-09 Anadigics, Inc. Spatula for separation of thinned wafer from mounting carrier
FR2823373B1 (fr) * 2001-04-10 2005-02-04 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de coupe de couche d'un substrat, et procede associe
JP2006059861A (ja) * 2004-08-17 2006-03-02 Lintec Corp 脆質部材の転着装置
JP4964070B2 (ja) * 2007-09-10 2012-06-27 日東電工株式会社 保護テープ剥離方法および保護テープ剥離装置
JP2010010207A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 剥離装置および剥離方法
EP2230683B1 (de) * 2009-03-18 2016-03-16 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Wafers von einem Träger
US8950459B2 (en) * 2009-04-16 2015-02-10 Suss Microtec Lithography Gmbh Debonding temporarily bonded semiconductor wafers
US8366873B2 (en) * 2010-04-15 2013-02-05 Suss Microtec Lithography, Gmbh Debonding equipment and methods for debonding temporary bonded wafers
JP5010652B2 (ja) * 2009-08-19 2012-08-29 株式会社東芝 シート剥離装置および表示装置の製造方法
JP5455987B2 (ja) 2010-08-23 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5913053B2 (ja) * 2011-12-08 2016-04-27 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020029849A1 (en) * 1997-03-27 2002-03-14 Kazuaki Ohmi Method and apparatus for separating composite member using fluid
JP2002050749A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Canon Inc 複合部材の分離方法及び装置
US20070119893A1 (en) * 2002-01-03 2007-05-31 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. Substrate cutting device and method
JP2005033018A (ja) * 2003-07-04 2005-02-03 Apic Yamada Corp 半導体製造装置
JP2012004522A (ja) * 2010-06-21 2012-01-05 Brewer Science Inc 逆に装着されたデバイスウェーハーをキャリヤー基板から分離する方法および装置

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Publication number Publication date
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