DE68925117T2 - Insbesondere für temperaturmessung gedachter thermistor und verfahren zur herstellung - Google Patents
Insbesondere für temperaturmessung gedachter thermistor und verfahren zur herstellungInfo
- Publication number
- DE68925117T2 DE68925117T2 DE68925117T DE68925117T DE68925117T2 DE 68925117 T2 DE68925117 T2 DE 68925117T2 DE 68925117 T DE68925117 T DE 68925117T DE 68925117 T DE68925117 T DE 68925117T DE 68925117 T2 DE68925117 T2 DE 68925117T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- thermistor
- plates
- carrier
- electrode surfaces
- upper electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 title claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 27
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/22—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Circuits Of Receivers In General (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Thermistor, welcher hauptsächlich zur Temperaturmessung bestimmt ist. Der Termister hat eine einfache Ausbildung und Konstruktion und ist billig in der Herstellung. Die Ausbildung des Thermistors ermöglicht ein effektives Trimmen, um Meßwerte mit großer Präzision anzugeben. Diese Charakteristika machen den erfindungsgemäßen Thermistor für die Verwendung in Einwegprodukten, wie medizinischen Einwegthermometern, besonders geeignet.
- Die Erfindung betifft auch ein Verfahren zur Herstellung eines Thermistors.
- Ein Thermistor ist ein Halbleiter, dessen Widerstandseigenschaften mit der Temperatur variieren. Um die Verwendung der Widerstandseigenschaften des Thermistors zu ermöglichen, ist er mit Kontakten versehen, die an eine elektrische Schaltung angeschlossen werden können. Der Widerstand und die Temperaturempfindlichkeit des Thermistors werden durch die Zusammensetzung des Materials des Halbleiters, die physischen Abmessungen der aktiven Substanz des Thermistors und die Temperatur bestimmt.
- Die Tatsache, daß der Widerstand von den physischen Abmessungen des Materials des Thermistors abhängig ist, ermöglicht die Regulierung des Ohmwerts des Thermistors durch das Entfernen oder Abtrimmen eines Teils des Materials. Der Widerstand des Thermistors wird auch durch den Bereich der Kontaktflächen des Thermistormaterials bestimmt, was bedeutet, daß der Ohmwert des Thermistors durch das Entfernen oder Abtrimmen eines Teils der Kontaktfläche auf dem Material des Thermistors eingestellt werden kann.
- Es sind verschiedene Thermistor-Typen bekannt. In der GB-A-1 470 630 ist ein durch ein Dickfilmverfahren hergestellter Thermistor beschrieben. Eine erste Kontaktmaterial-Schicht wird auf einer Substratplatte durch Siebdruck aufgebracht, um eine Reihe von Elektrodenpaaren zu bilden. Nach dem Brennen wird eine zweite Thermistormaterial-Schicht auf die erste gedruckt, um eine Thermistorplatte über dem Elektrodenpaar zu bilden. Nach dem erneuten Brennen wird der Thermistor getrimmt, indem ein Teil des Materials mit Hilfe eines Lasers entfernt wird. Die Substratplatte wird in einzelne Thermistorelemente geteilt und in einer Schutzschicht aus einem geeigneten Material eingekapselt.
- Die GB-A-1 287 930 beschreibt einen Thermistor, der aus einer ersten Schicht aus Kontaktmaterial, einer zweiten Schicht aus Thermistormaterial, welche die erste Schicht vollständig einkapselt, und zwei Elektrodenflächen besteht, die auf der Thermistorschicht parallel angeordnet sind.
- Die GB-A-1 226 789 zeigt einen ähnlichen, auf einer Substratplatte angeordneten Thermistor, der aus einer Thermistorplatte zwischen einer unteren und einer oberen Elektrodenfläche besteht. Die Elektrodenflächen sind in entgegengesetzten Richtungen auf der Substratplatte verlängert, um Kontaktflächen zur Verbindung mit einer elektrischen Schaltung zu bilden.
- Keiner der bisher bekannten Thermistoren ist ausgebildet, um einfach und sehr flexibel an verschiedene Verwendungsgebiete angepaßt zu werden, wobei die Möglichkeit einer hohen Präzision mit Hilfe einer exakten Trimmung beibehalten wird. Dies ist für die Produktion und Trimmung der Thermistoren bei ausreichend niedrigen Kosten wesentlich, um als Einwegprodukte, wie Einwegthermometer, verwendbar zu sein.
- Daher ist es das Ziel der vorliegenden Erfindung, einen Thermistor herzustellen, welcher spezifisch für eine Temperaturmessung ausgebildet und für eine Einwegverwendung geeignet ist, während er eine hohe Genauigkeit und Anwendungsflexibilität aufweist.
- Daher muß der Thermistor, trotz der strengen Anforderungen hinsichtlich der Genauigkeit, sehr effizient mit einem hohen Automatisierungsgrad und einer hohen Produktionsrate herstellbar sein. Der absolute Widerstand des Thermistors muß sehr flexibel modifiziert werden können, um zu ermöglichen, daß die Thermistoren in verschiedenen Temperaturbereichen funktionieren, wobei dasselbe rationelle Herstellungsverfahren und Trimmverfahren beibehalten wird.
- Die vorliegende Erfindung erfüllt diese Zwecke durch die Ausbildung eines Thermistors, der durch die im Kennzeichenteil des beigeschlossenen Anspruchs 1 angegebenen Merkmale gekennzeichnet ist.
- Das Verfahren, durch welches der Thermistor hergestellt wird, ist gemäß der Erfindung durch die im Kennzeichenteil von Anspruch 13 angegebenen Schritte gekennzeichnet.
- Weitere vorteilhafte Merkmale der Erfindung gehen aus der folgenden Beschreibung von Aus führungs formen der Erfindung und aus den rückbezogenen Ansprüchen hervor.
- Die Ausbildung des Thermistors mit zwei oder mehreren Thermistorplatten, die durch einen Spalt getrennt und innerhalb eines begrenzten Bereichs auf dem Träger in Serie verbunden sind, impliziert den Vorteil, daß der gesamte Widerstand des Thermistors von einem sehr hohen Maximalwert zu einem niedrigen Minimalwert geändert werden kann, indem einfach die Position des Spalts bzw. der Spalte am Träger geändert wird. Der Teilwiderstand jeder Thermistorplatte ist umgekehrt proportional zum Bereich, und der gesamte Widerstand des Thermistors ist die Summe der Teilwiderstände der in Serie verbundenen Thermistorplatten. Je höher die Größendifferenz zwischen den Thermistorplatten ist, d.h. je weiter auswärts zu den Rändern des begrenzten Bereichs hin der Spalt angeordnet ist, desto höher ist der gesamte Ohmwert des Thermistors. Der niedrigste Ohmwert wird erhalten, wenn die Thermistorplatten dieselbe Größe haben. Eine weitere Erhöhung des gesamten Widerstands kann dadurch erzielt werden, daß der Thermistor mit mehr als zwei Thermistorplatten versehen wird.
- Die Größe der oberen Elektrodenflächen wird an die Größe der Thermistorplatten angepaßt, was bedeutet, daß, ungeachtet der Position des Spalts oder der Spalte auf dem Träger, die gesamte obere Elektrodenfläche konstant ist. Diese Tatsache bedeutet, daß der für das Trimmen verfügbare Gesamtbereich trotz Variationen bei der Anordnung des Spalts unverändert bleibt, wodurch die Verwendung desselben effektiven Trimmverfahrens für Thermistoren mit unterschiedlicher Widerstandsleistung ermöglicht wird.
- Der Thermistor, wie in den Ansprüchen definiert, kann zur Temperaturmessung in verschiedenen Temperaturbereichen verwendet werden. Diese Charakteristika verleihen dem Thermistor Flexibilität und ermöglichen eine Erweiterung seines Anwendungsgebiets durch eine einfache Änderung im Herstellungsverfahren, beispielsweise durch die Änderung des Siebs in einem Siebdruckverfahren, wobei dasselbe effektive Herstellungsverfahren und eine hohe Genauigkeit beibehalten werden.
- Noch ein weiterer Vorteil des Thermistors gemäß der vorliegenden Erfindung ist die Möglichkeit der Auswahl der oberen Elektrodenfläche(n), auf welcher (welchen) der Thermistor zu trimmen ist, in Abhängigkeit von der erforderlichen Genauigkeit des Thermistors. Beispielsweise ist bei einem Thermistor mit zwei Thermistorplatten mit oberen Elektrodenflächen, von denen eine größer ist als die andere, der Effekt der Trimmung der einen Fläche vom Effekt der Trimmung der anderen Fläche verschieden, d.h. die perzentuelle Änderung des Widerstands variiert in Abhängigkeit davon, auf welcher Fläche getrimmt wird. Wenn die größere Fläche getrimmt wird, wird die Präzision größer. Wenn eine hohe Präzision erforderlich ist, kann die kleinere Fläche vorzugsweise grobgetrimmt werden, und die größere Fläche kann feingetrimmt werden. Wenn die kleinere Fläche getrimmt wird, wird stattdessen die Trimmgeschwindigkeit erhöht, was bedeutet, daß eine Grobtrimmung der größeren Fläche und Feintrimmung der kleineren zu einer rascheren, jedoch weniger genauen Trimmung führt. Auch andere Kombinationen der Trimmung sind im Umfang der Erfindung möglich, wie nur eine Trimmung in einer der Flächen oder mehrere Trimmungen in nur einer Fläche.
- Die Verbindung des Thermistors mit einer elektrischen Schaltung wird durch das direkte Verbinden elektrischer Leiter mit den Elektrodenflächen oder mit speziellen Kontaktflächen erzielt, die mit den Elektrodenflächen verbunden sind. Die Leiter können auf verschiedene Weise mit der Elektrodenfläche/den Kontaktflächen verbunden werden, wie durch Kleben, Löten, Bonden oder durch einen Federkontakt. Die speziellen Kontaktflächen sind derart verlängert, daß sie mit den Thermistorplatten in keinem direkten Kontakt stehen, was den Vorteil hat, daß das Risiko des Erhitzens des Thermistormaterials und daher des Anderns der Eigenschaften des Materials, wenn die Leiter beispielsweise durch Löten verbunden werden, reduziert wird.
- Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und Modifikationen hievon werden nachstehend mit Bezugnahme auf die beigeschlossenen Zeichungen detaillierter beschrieben, in denen:
- - Fig.1 eine perspektivische Ansicht einer ersten Ausführungsform eines Thermistors vor der Trimmung zeigt,
- - Fig.2a bis e verschiedene Schichten des Thermistors in der Ausführungsform gemäß Fig.1 zeigen;
- - Fig.3 eine Reihe von Thermistoren gemäß Fig.1 auf einer Substratplatte 1 zeigt,
- - Fig.4a eine zweite Ausführungsform des Thermistors zeigt, und
- - Fig.4b einen Schnitt des Thermistors gemäß Fig.4a zeigt,
- - Fig.5a und b auf die gleiche Weise wie in Fig.4a und b eine dritte Ausführungsform des Thermistors zeigen, bevor er mit Trimmschnitten und einer Polymer-Schutzschicht versehen wurde,
- - Fig.6a und b auf die gleiche Weise wie in Fig.4a und b eine vierte Ausführungsform des Thermistors zeigen, und
- - Fig.7a und b auf die gleiche Weise wie in Fig.4a und b eine fünfte Ausführungsform des Thermistors ohne Trimmschnitte und Polymerschicht zeigen.
- Fig.1 zeigt einen erfindungsgemäßen Thermistor, der vorzugsweise durch ein Dickfilmverfahren hergestellt wird. Auf einer nicht-leitenden Substratplatte (8), siehe Fig.3, vorzugsweise aus Aluminiumoxid, mit Kerben für ungefähr 200 Träger (10) wird eine erste Schicht aus einem leitfähigen Kontaktmaterial durch ein Siebdruckverfahren aufgebracht, die eine erste Elektrodenfläche (12) oder einen unteren Leiter auf jedem Träger (10) bildet, der in Fig.2a deutlicher gezeigt ist. Die Substratplatte wird getrocknet, um das Lösungsmittel im Druck zu entfernen, wonach ein Brennen in einem Bandofen stattfindet.
- Fig.2b zeigt den Träger (10) mit einer zweiten durch Siebdruck aufgedruckten Schicht aus Thermistorpaste, die zwei getrennte Thermistorplatten (14, 16) bildet, zwischen denen ein offener Spalt (18) gebildet ist. Der Flächenbereich der Thermistorplatten (14, 16) ist derart definiert, daß die äußeren Ränder der Platten (20) außerhalb der äußeren Ränder (22) der ersten Elektrodenfläche liegen, mit Ausnahme des Spalts (18) zwischen den Platten. Die Substratplatte mit zwei Schichten aus Kontakt- und Thermistormaterial wird dann erneut getrocknet.
- Fig.2c (siehe auch Fig.1) zeigt, wie eine zusätzliche Schicht aus leitfähigem Kontaktmaterial auf die Substratplatte durch Siebdruck aufgedruckt wurde, so daß eine zweite Elektrodenplatte (24, 26) auf jeder Thermistorplatte (14, 16) gebildet wird, wobei diese Elektrodenflächen den oberen Leiter bilden. Diese Elektrodenflächen (24, 26) sind derart ausgebildet, daß ihre äußeren Konturen (28) innerhalb der äußeren Ränder (20) der Thermistorplatten liegen, mit Ausnahme eines Teils jeder Elektrode, der über die Thermistorplatte (14, 16) hinaus verlängert ist und dort eine Kontaktfläche (30, 32) bildet, die mit dem Träger (10) in direktem Kontakt steht.
- Um einen Kurzschluß zwischen den Elektrodenflächen zu verhindern, d.h. zwischen dem unteren und oberen Leiter, ist es wesentlich, daß der obere Leiter (24, 26) eine kleinere Fläche aufweist als die Thermistorplatten (14, 16), und daß die Thermistorplatten (14, 16) größer sind als der untere Leiter (12).
- Nun wird die Substratplatte erneut getrocknet und in einem Bandofen gebrannt.
- Die Einstellung der Widerstände der Thermistoren wird durch Trimmung der oberen Elektrodenfläche (24, 26) des Thermistors erzielt, siehe Fig.2d. Die Trimmung wird vorzugsweise in zwei Stufen durchgeführt, einer Grobtrimmung und einer Feintrimmung. In der in Fig.1 und 2 gezeigten Ausführungsform des Thermistors wurde eine Grobtrimmung (34) in einer (24) der beiden oberen Elektrodenflächen, vorzugsweise in der kleineren, durchgeführt, und eine Feintrimmung (36) wurde in der anderen Elektrodenfläche (26), d.h. der größeren, vorgenommen.
- Fig.2d zeigt, wie Teile der beiden oberen Elektrodenflächen durch eine Grobtrimmung (34) in Form einer Reihe von Schnitten und eine Feintrimmung (36) in Form einer Reihe von Trimmlöchern entfernt wurden.
- Nach der Vollendung der Trimmung wird der Thermistor, mit Ausnahme der Kontaktflächen (30, 32), mit einer Polymerschicht (38) durch ein Siebdruckverfahren beschichtet, was zum Schutz des Thermistors beiträgt, und insbesondere seiner Alterung entgegenwirkt. Die Polymer-Schutzschicht ist in Fig.2e gezeigt.
- Fig.4a und 4b zeigen einen Thermistor mit einer alternativen Ausführungsform der Anordnung der Kontaktflächen (30, 32). Auf den oberen Elektrodenflächen (24, 26) befindet sich eine Isolierschicht (40), in der sich eine Öffnung (42, 44) zu jeder der beiden Elektrodenflächen (24, 26) befindet. Auf der lsolierschicht sind zwei Kontaktflächen (30, 32) angeordnet, jeweils auf einer Thermistorplatte (14, 16), mit Verbindungen (46, 48) durch die Öffnungen (42, 44) zu den Elektrodenflächen (24, 26). Hier wird die Trimmung durch eine Grobtrimmung (34) der größeren Elektrodenfläche und feine Trimmlöcher (36) in der kleineren Elektrodenfläche erzielt.
- Fig.5a und b zeigen eine Ausführungsform des Thermistors mit mehr als zwei, nämlich vier, Thermistorplatten. Der Träger (10) ist mit zwei unteren Elektrodenflächen (12, 13) versehen, auf denen vier Thermistorplatten (14, 15, 16, 17) in Paaren angeordnet sind. Drei obere Elektrodenflächen (24, 25, 26) sind auf den Thermistorplatten angeordnet, wobei die beiden äußersten (24, 26) mit den beiden Kontaktflächen (30, 32) verbunden sind. Die mittlere obere Elektrodenfläche (25) verbindet die beiden mittleren Thermistorplatten miteinander in Serie.
- Fig.6a und b zeigen einen Thermistor mit zwei unteren Elektrodenflächen (12, 13), die von den beiden Thermistorplatten (14, 16) vollständig bedeckt sind. Der Thermistor enthält nur eine obere Elektrodenfläche (24), in der eine Grob- und Feintrimmung durchgeführt werden. Dann wird die gesamte Oberseite des Trägers mit einer Isolierschicht (40) bedeckt. Die beiden Kontaktflächen (30, 32) sind an der Unterseite des Trägers (10) angeordnet und mit den beiden unteren Elektrodenflächen (12, 13) durch Verbindungsöffnungen (42, 44) im Träger (10) verbunden.
- Fig.7a und b zeigen eine weitere Ausführungsform des Thermistors, der aus drei Thermistorplatten (14, 15, 16) besteht, die auf drei unteren Elektrodenflächen (11, 12, 13) angeordnet sind. Eine (11) der beiden äußersten dieser drei unteren Elektrodenflächen ist über die Thermistorplatte (14) hinaus verlängert, um eine der beiden Kontaktflächen (30) zu bilden. Die anderen beiden unteren Elektrodenflächen (12, 13) sind verlängert, um mit der Oberseite der entsprechenden benachbarten Thermistorplatte (14, 15) in Kontakt zu gelangen, und bilden dort obere Elektrodenflächen (24, 25), während gleichzeitig die beiden verlängerten Elektrodenflächen dadurch die drei Thermistorplatten (14, 15, 16) in Serie verbinden. Auf der dritten und äußersten Thermistorplatte (16) befindet sich eine dritte obere Elektrodenfläche (26), die außerhalb der Thermistorplatte (16) verlängert ist, um die andere Kontaktfläche (32) zu bilden, die am Träger (10) anliegt.
- Die Erfindung ist keineswegs auf die oben angegebenen Ausführungsformen beschränkt, und mehrere Modifikationen sind im Umfang der Ansprüche möglich. Beispielsweise kann die Trimmung in irgendeiner oder mehreren der oberen Elektrodenflächen durchgeführt werden, und der bzw. den Trimmflächen können verschiedene äußere Formen verliehen werden. Die Anzahl von Thermistorplatten kann von zwei aufwärts variieren. Ähnlich kann die Gesamtanzahl von oberen und unteren Elektrodenflächen drei oder mehr sein, um zu ermöglichen, daß die Thermistorplatten in Serie verbunden werden, wobei eine oder mehrere hievon untere Elektrodenflächen sind, und eine oder mehrere obere sind.
- Die Elektrodenflächen und die Thermistorplatten können auf dem Träger in anderen Formen als quadratisch und rechteckig verkörpert sein. Beispielsweise können sie eine Kreisform aufweisen, so daß die Thermistorplatten und die Elektrodenflächen aus konzentrischen Kreisen mit einem oder mehreren kreisförmigen Spalten dazwischen bestehen.
Claims (15)
1. Thermistor, welcher vorzugsweise zur Temperaturmessung
bestimmt ist, dadurch gekennzeichnet, daß er zumindest zwei
Thermistorplatten (14-17) auf einem Träger (10) aufweist, die
einander benachbart angeordnet und in Serie miteinander verbunden
sind, wobei die Platten durch einen vorzugsweise länglichen
Spalt (18) voneinander getrennt sind, welcher Thermistor weiters
drei oder mehr Elektrodenflächen (12-13, 24-26) aufweist, von
denen eine oder mehrere untere Elektrodenflächen (12, 13)
zwischen dem Träger (10) und den Thermistorplatten (14-17)
angeordnet sind, und eine oder mehrere obere Elektrodenflächen (24-26)
auf den Thermistorplatten (14-17) angeordnet sind, wobei die
Thermistorplatten durch eine oder mehrere der Elektrodenflächen
in Serie miteinander verbunden sind, und wobei die
Thermistorplatten (14-17) innerhalb eines begrenzten Bereichs auf dem
Träger (10) derart angeordnet sind, daß für einen
vorherbestimmten maximalen Gesamtbereich der Thermistorplatten (14-17) der
gesamte Widerstand des Thermistors durch die Größe jeder
einzelnen Thermistorfläche bestimmt ist, die durch die Position des
bzw. der Spalte (18) auf dem Träger innerhalb des begrenzten
Bereichs des Trägers (10) bestimmt ist, wobei die oberen
Elektrodenflächen (24-26) für eine Einstellung des Ohmwerts des
Thermistors getrimmt sind.
2. Thermistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
zwei der Elektrodenflächen (12-13, 24-26) jeweils mit einer
entsprechenden Kontaktfläche (30, 32) verbunden sind, die nicht in
direktem Kontakt mit den Thermistorplatten (14-17) stehen, wobei
diese Kontaktflächen zur Verbindung mit einer elektrischen
Schaltung bestimmt sind.
3. Thermistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß er
eine untere Elektrodenfläche (12), die auf dem Träger (10)
angeordnet ist, zwei Thermistorplatten (14, 16), die auf der unteren
Elektrodenfläche (12) angeordnet sind, und zwei obere
Elektrodenflächen (24, 26) aufweist, die jeweils auf einer
entsprechenden Thermistorplatte (14, 16) angeordnet sind, wobei die oberen
Elektrodenflächen (24, 26) derart ausgebildet sind, daß ihre
Außenkonturen innerhalb der Außenränder (20) der
Thermistorplatten liegen, mit Ausnahme eines Teils der oberen Elektroden (24,
26), der sich über die Thermistorplatte hinaus erstreckt, um die
Kontaktflächen (30, 32) zu bilden.
4. Thermistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Kontaktflächen (30, 32) eingerichtet sind, um mit dem Träger
(10) in direktem Kontakt zu stehen.
5. Thermistor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die
Außenränder (22) der unteren Elektrodenfläche innerhalb der und
benachbart den Außenrändern (20) der Thermistorplatten
angeordnet sind, mit Ausnahme des Spalts (18) zwischen den Platten, und
auch, daß die Außenränder (28) der oberen Elektrodenflächen
hauptsächlich benachbart den und innerhalb der Außenränder (20)
der Thermistorplatten angeordnet sind.
6. Thermistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß er
durch ein Dickfilm-Siebdruckverfahren hergestellt wurde.
7. Thermistor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der
Träger (10) aus einer nicht-leitfähigen Substratplatte aus
Aluminiumoxid besteht.
8. Thermistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Isolierschicht (40) auf den oberen Elektrodenflächen (24,
26) angeordnet ist, in welcher Schicht zwei Öffnungen (42, 44)
für eine Verbindung (46, 48) mit den oberen Elektrodenflächen
(24, 26) der beiden Kontaktflächen (30, 32) ausgeführt sind, die
auf der Isolierschicht (40) angeordnet sind.
9. Thermistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
eine (16) der Thermistorplatten größer ist als die andere (14),
und daß die entsprechende obere Elektrodenfläche (26) auch
größer ist als die andere (24).
10. Thermistor nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Grobtrimmung (34) auf der einen oberen Elektrodenfläche,
vorzugsweise der kleineren (24), durchgeführt wurde, und eine
Feintrimmung (36) auf der anderen oberen Elektrodenfläche (26)
durchgeführt wurde.
11. Thermistor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
beiden Thermistorplatten (14, 16) gleich groß sind, und daß auch
die beiden oberen Elektrodenflächen (24, 26) gleich groß sind.
12. Thermistor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß er
zwei untere Elektrodenflächen (12, 13), die auf dem Träger (10)
angeordnet sind, zwei Thermistorplatten (14, 16), die auf den
unteren Elektrodenflächen (12, 13) angeordnet sind und diese
bedecken, eine obere Elektrodenfläche (24), die auf den
Thermistorplatten (14, 16) angeordnet ist, und zwei Kontaktflächen
(30, 32) aufweist, die auf der Unterseite des Trägers (10) in
bezug auf die unteren Elektrodenflächen angeordnet sind, wobei
jede der Kontaktflächen (30, 32) durch Öffnungen (42, 44) im
Träger (10) mit einer entsprechenden unteren Elektrodenfläche
(12, 13) verbunden ist.
13. Verfahren zur Herstellung eines Thermistors, dadurch
gekennzeichnet, daß der Thermistor durch ein Dickfilm-Verfahren
hergestellt wird, wobei im Siebdruck auf einem begrenzten
Bereich auf einem Träger (10) eine erste Kontaktmaterial-Schicht,
um eine oder mehrere untere Elektrodenflächen (12, 13) zu
bilden, eine zweite Thermistormaterial-Schicht, um zumindest zwei
Thermistorplatten (14-17) zu bilden, die auf den unteren
Elektrodenflächen (12, 13) angeordnet und durch einen vorzugsweise
länglichen Spalt (18) voneinander getrennt sind, und eine dritte
Kontaktmaterial-Schicht aufgedruckt werden, um eine oder mehrere
obere Elektrodenflächen (24-26) zu bilden, wobei die
Thermistorplatten durch eine oder mehrere der Elektrodenflächen in Serie
miteinander verbunden sind, und wobei die Thermistorplatten
(14-17) innerhalb des begrenzten Bereichs auf dem Träger (10)
derart angeordnet sind, daß für einen vorherbestimmten maximalen
Gesamtbereich der Thermistorplatten (14-17) die Größe jeder
einzelnen Thermistorfläche variabel ist, indem die Position des
bzw. der Spalte (18) auf dem Träger innerhalb des begrenzten
Bereichs des Trägers (10) für eine Einstellung des gesamten
Widerstands des Thermistors auf verschiedene Werte geändert
wird, und die oberen Elektrodenflächen (24-26) für eine
Einstellung des Ohmwerts des Thermistors getrimmt werden.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die
verschiedenen Schichten auf eine Substratplatte (8), die aus
einer Anzahl von Trägern (10), vorzugsweise 200, besteht, im
Siebdruck aufgedruckt werden.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß
eine zusätzliche Polymer-Schutzschicht auf die getrimmten oberen
Elektrodenflächen (24-26) im Siebdruck aufgedruckt wird.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE8802134A SE460810B (sv) | 1988-06-08 | 1988-06-08 | Termistor avsedd foer temperaturmaetning samt foerfarande foer tillverkning av densamma |
PCT/SE1989/000306 WO1989012309A1 (en) | 1988-06-08 | 1989-06-01 | Thermistor intended primarily for temperature measurement and procedure for manufacture of a thermistor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE68925117D1 DE68925117D1 (de) | 1996-01-25 |
DE68925117T2 true DE68925117T2 (de) | 1996-05-15 |
Family
ID=20372551
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE68925117T Expired - Fee Related DE68925117T2 (de) | 1988-06-08 | 1989-06-01 | Insbesondere für temperaturmessung gedachter thermistor und verfahren zur herstellung |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5432375A (de) |
EP (1) | EP0418302B1 (de) |
JP (1) | JP2810467B2 (de) |
KR (1) | KR970009770B1 (de) |
AT (1) | ATE131655T1 (de) |
AU (1) | AU622192B2 (de) |
DE (1) | DE68925117T2 (de) |
DK (1) | DK173364B1 (de) |
FI (1) | FI102328B (de) |
SE (1) | SE460810B (de) |
WO (1) | WO1989012309A1 (de) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5600296A (en) * | 1993-10-14 | 1997-02-04 | Nippondenso Co., Ltd. | Thermistor having temperature detecting sections of substantially the same composition and dimensions for detecting subtantially identical temperature ranges |
EP0692798A4 (de) * | 1994-01-31 | 1997-05-14 | Nippon Tungsten | Flaches ptc-heizelement und widerstandsregelungsverfahren für dieses element |
JPH08292108A (ja) * | 1995-02-23 | 1996-11-05 | Nippondenso Co Ltd | サーミスタ式温度センサ |
JPH08241802A (ja) * | 1995-03-03 | 1996-09-17 | Murata Mfg Co Ltd | サーミスタ装置及びその製造方法 |
JP2002048655A (ja) * | 2000-05-24 | 2002-02-15 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 温度センサ及びその製造管理方法 |
KR102237784B1 (ko) * | 2013-06-10 | 2021-04-08 | 주식회사 포벨 | 파장 안정화 장치가 구비된 레이저 장치 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB552660A (en) * | 1942-03-27 | 1943-04-19 | George Harry Gascoigne | An improved telescopic post |
NL83232C (de) * | 1950-06-20 | |||
US3379063A (en) * | 1965-02-03 | 1968-04-23 | Inm Ind Corp | Temperature measuring apparatus |
US3507154A (en) * | 1965-02-03 | 1970-04-21 | Inm Ind Corp | Temperature measuring apparatus |
US3402448A (en) * | 1966-05-04 | 1968-09-24 | Bunker Ramo | Thin film capacitor and method of adjusting the capacitance thereof |
US3422386A (en) * | 1966-10-06 | 1969-01-14 | Sprague Electric Co | Resistor circuit network and method of making |
US3548492A (en) * | 1967-09-29 | 1970-12-22 | Texas Instruments Inc | Method of adjusting inductive devices |
US3477055A (en) * | 1967-12-22 | 1969-11-04 | Gen Motors Corp | Thermistor construction |
FR1602247A (de) * | 1968-12-31 | 1970-10-26 | ||
US3657692A (en) * | 1971-03-12 | 1972-04-18 | Markite Corp | Trimmer resistor |
US3787965A (en) * | 1971-07-21 | 1974-01-29 | Spacetac Inc | Method of making resistor |
US3827142A (en) * | 1972-12-11 | 1974-08-06 | Gti Corp | Tuning of encapsulated precision resistor |
US3936789A (en) * | 1974-06-03 | 1976-02-03 | Texas Instruments Incorporated | Spreading resistance thermistor |
GB1474731A (en) * | 1975-05-15 | 1977-05-25 | Rosemount Eng Co Ltd | Resistance thermometers |
GB1470630A (en) * | 1975-11-11 | 1977-04-14 | Standard Telephones Cables Ltd | Manufacture of thermistor devices |
DE2645783C2 (de) * | 1976-10-09 | 1983-06-23 | Draloric Electronic GmbH, 8500 Nürnberg | Verfahren zur Herstellung von Chipwiderständen |
NO148233C (no) * | 1977-03-18 | 1983-09-07 | Milton Schonberger | Termometer til maaling av kroppstemperatur |
US4200970A (en) * | 1977-04-14 | 1980-05-06 | Milton Schonberger | Method of adjusting resistance of a thermistor |
US4332081A (en) * | 1978-06-22 | 1982-06-01 | North American Philips Corporation | Temperature sensor |
US4236298A (en) * | 1979-01-25 | 1980-12-02 | Milton Schonberger | Method of trimming thermistor or other electrical components and the contacts thereof |
DE2965028D1 (en) * | 1979-05-21 | 1983-04-21 | Bbc Brown Boveri & Cie | Method and device for trimming at least one temperature-dependent resistor |
DE3127727A1 (de) * | 1981-07-14 | 1983-02-03 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | "vorrichtung zur messung der temperatur eines mediums" |
US4531842A (en) * | 1983-10-31 | 1985-07-30 | Milton Schonberger | Disposable thermometer probe and rating technique therefor |
EP0213239A1 (de) * | 1985-07-29 | 1987-03-11 | Milton Schonberger | Wegwerfthermometerfühler und Kalibrierungstechnik für denselben |
ATE44317T1 (de) * | 1984-02-01 | 1989-07-15 | Koch Elektronik Ag | Verfahren zum abgleich eines temperaturfuehlers. |
-
1988
- 1988-06-08 SE SE8802134A patent/SE460810B/sv not_active IP Right Cessation
-
1989
- 1989-06-01 WO PCT/SE1989/000306 patent/WO1989012309A1/en active IP Right Grant
- 1989-06-01 JP JP1506218A patent/JP2810467B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-01 DE DE68925117T patent/DE68925117T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-01 AU AU37629/89A patent/AU622192B2/en not_active Ceased
- 1989-06-01 KR KR1019900700245A patent/KR970009770B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-06-01 EP EP89906847A patent/EP0418302B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-01 AT AT89906847T patent/ATE131655T1/de not_active IP Right Cessation
-
1990
- 1990-11-13 DK DK199002712A patent/DK173364B1/da not_active IP Right Cessation
- 1990-12-07 FI FI906050A patent/FI102328B/fi not_active IP Right Cessation
-
1991
- 1991-07-01 US US07/725,404 patent/US5432375A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DK173364B1 (da) | 2000-08-14 |
JP2810467B2 (ja) | 1998-10-15 |
WO1989012309A1 (en) | 1989-12-14 |
SE460810B (sv) | 1989-11-20 |
ATE131655T1 (de) | 1995-12-15 |
DK271290A (da) | 1990-11-13 |
EP0418302A1 (de) | 1991-03-27 |
FI102328B1 (fi) | 1998-11-13 |
AU622192B2 (en) | 1992-04-02 |
FI102328B (fi) | 1998-11-13 |
US5432375A (en) | 1995-07-11 |
KR900702545A (ko) | 1990-12-07 |
EP0418302B1 (de) | 1995-12-13 |
SE8802134D0 (sv) | 1988-06-08 |
FI906050A0 (fi) | 1990-12-07 |
AU3762989A (en) | 1990-01-05 |
KR970009770B1 (ko) | 1997-06-18 |
JPH03505025A (ja) | 1991-10-31 |
DE68925117D1 (de) | 1996-01-25 |
DK271290D0 (da) | 1990-11-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4310288B4 (de) | Oberflächenmontierbarer Widerstand | |
DE69409614T2 (de) | Elektrischer Widerstand | |
DE4207915C2 (de) | Thermistorelement mit inneren Elektroden | |
DE69431757T2 (de) | Elektrische baueinheit mit einem ptc-widerstandselement | |
DE2815003A1 (de) | Verfahren zum einstellen des widerstandes eines thermistors | |
DE19904727B4 (de) | Widerstandselemente und Verfahren zum Herstellen derselben | |
DE3705279A1 (de) | Widerstand in chip-form sowie verfahren zu dessen herstellung | |
DE2516620C3 (de) | Verfahren zum Herstellen von PIN-Dioden | |
DE69617772T2 (de) | Thermistor-Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung | |
DE102010044856A1 (de) | Widerstandsbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Widerstandsbauelements | |
DE19835443C2 (de) | Chip-Thermistor und Verfahren zum Einstellen eines Chip-Thermistors | |
DE68925117T2 (de) | Insbesondere für temperaturmessung gedachter thermistor und verfahren zur herstellung | |
EP0006442B1 (de) | Abgleichbarer Dünnschicht-Widerstand | |
DE112019004609T5 (de) | Stromerfassungsvorrichtung | |
DE2840278A1 (de) | Einstellbare daempfungsvorrichtung | |
DE2337466A1 (de) | Verfahren zum abgleichen von schichtwiderstaenden | |
DE69028039T2 (de) | Dickschicht-Element mit abgeflachter Widerstandsschicht | |
DE102019105116A1 (de) | Bauelement | |
DE19623857C2 (de) | Elektrischer Widerstand | |
DE10045195B4 (de) | Thermistor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2054721C3 (de) | Schichtwiderstand und Verfahren zu seinem Abgleich | |
DE2018116B2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer magnetischen Speicherstreifenanordnung | |
DE3611595A1 (de) | Elektrischer widerstand fuer wechselstrom und verfahren zu seiner herstellung | |
DE9409318U1 (de) | Strömungssensor | |
EP0058835B1 (de) | Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |