DE2442892C3 - Infrarot-Strahlungsquelle - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft eine Infrarot-Strahlungsquelle gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Eine derartige Strahlungsquelle ist z.B. aus der
US-PS 36 94 624 bekannt Sie ist als Strahlungsquelle für die optische Analyse von bestimmten Stoffen verwendbar.
Die bekannte Strahlungsquelle hat jedoch den Nachteil, daß sie geometrisch nicht exakt abgegrenzt ist
Vielmehr ist am Rand des strahlenden Bereichs ein allmählicher Übergang zum umgebenden Dunkelbereich
vorhanden.
Es sind zwar quasi-punktförmige Strahlungsquellen
für sichtbares Licht bekannt (z. B. US-PS 28 79 431). Der
Aufbau solcher Lichtquellen läßt sich jedoch nicht ohne weiteres auf den Infrarotbereich übertragen, da
infrarote Strahlung auch von Konstruktionselementen außerhalb des eigentlichen Strahlers ausgesandt wird.
Außerdem läßt sich in diesen Fällen nicht die Dünnfilm-Technik anwenden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine kleine, in ihrem Strahlungsbereich geometrisch genau
abgegrenzte Infrarot-Strahlungsquelle zu schaffen, die leicht und wirksam durch ein optisches System
abgebildet werden kann. Diese Aufgabe wird bei einer Infrarot-Strahlungsquelle gemäß dem Oberbegriff des
Patentanspruchs 1 erfindungsgemäß durch die im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 genannten
Merkmale gelöst
Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.
Das verwendete Cr3Si ist für Infrarot-Strahlungsquellen
an sich bekannt (US-PS 6 42 414).
Bei der erfindungsgemäßen Strahlungsquelle bilden die Metallstreifen eine exakte Abgrenzung des Strahlungsbereichs,
so daß dieser optisch gut abbildbar ist
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit der Zeichnung
erläutert In der Zeichnung zeigt
F i g. 1 eine Strahlungsquelle gemäß euier ersten
Ausführungsform und
F i g. 2 einen Teil einer Strahlungsquelle gemäß einer
anderen Ausführungsform mit einer reflexionsmindernden Beschichtung.
In Fig. 1 ist ein Substrat 11 mit niedrigem Wärmeleitvermögen dargestellt, welches z. B. im Bereich
von 0,02 bis 0,08 W/cmK liegen kann. Geeignete Materialien sind z. B. dünner Saphir, Y2O3 und Quarz.
Die Abmessungen des Substrates 11 können entsprechend der gewünschten Größe der Strahlungsquelle
gewählt werden. Praktische Ausführungsformen sind z. B. mit einem Substrat 11 von 3.75 χ 03 x 0.05 mm
Größe hergestellt worden. In der Mitte des Längenbereiches des Substrats 11 befindet sich ein als
Dünnfilm-Widerstand ausgebildeter Strahlungsbereich 13 aus einem Material mit hohem Widerstand und einem
hohem Emissionsvermögen von mehr als 0,5. Vorzugsweise
besteht der Strahlungsbereich 13 aus Cr3Si,
welches in einer Dicke von ungefähr 1 —2 μίτι auf das
Substrat U aufgedampft ist In der dargestellten Ausführungsform ist der Strahlungsbereich 13 ein
Quadrat mit 0,5 mm Seitenlänge und hat einen
Widerstand von ungefähr 100 £1 Im interessierenden Bereich der infraroten Strahlung (Wellenlänge ungefähr
4 μ) beträgt das Emissionsvermögen von Cr3Si ungefähr
0,5.
Unmittelbar anschließend an beide Seiten des Strahlungsbereichs befindet sich ein Paar von Metallstreifen
15, die vorzugsweise aus einem Material bestehen, welches eine hohe Leitfähigkeit und im
Infrarot-Bereich verglichen mit Cr3Si ein relativ
geringes Emissionsvermögen hat Geeignet ist z. B. Platin mit einem Emissionsvermögen von ungefähr 0,1
im Infrarot-Bereich, aber auch andere Metalle wie z. B. Gold können benutzt werden. Jeder Metallstreifen 15
weist einen Teil 17 auf, der einen kleinen Bereich des Strahlungsbereichs 13 überlappt Diese Konfiguration
ist hilfreich für die Herstellung eines genau definierten Strahlungsbereichs 13. Ein Paar von Zuleitungen 19, die
z. B. aus Gold bestehen können, sind mit den Metallstreifen 15 verbunden und dienen als Zuleitungen
für elektrische Energie zum Strahlungsbereich 13. Wie weiter unten beschrieben wird, ist es wünschenswert,
daß keine falsche Strahlung von der Strahlungsquelle emittiert wird, z. B. vom Boden des Substrats 11. Um die
Emission solcher Strahlung zu verhindern, ist auf dem Boden des Substrats 11 eine zusätzliche Metallschicht 21
aufgebracht
Im Betrieb werden die Zuleitungen 19 mit einer ausreichenden Stromquelle zur Aufheizung des Strahlungsbereichs
13 auf eine Temperatur von ungefähr 7000C verbunden. Es hat sich herausgestellt, daß für das
oben beschriebene 100 Ω-Quadrat aus Cr3Si ein Strom
von ungefähr 50 bis 70 mA für eine angemessene Aufheizung ausreicht Fehlstrahlung von den Metallstreifen
15 wird dadurch auf ein Minimum gebracht, daß
ein Substrat mit sehr geringer Wärmeleitfähigkeit benutzt wird, wodurch sichergestellt wird, daß nur sehr
kleine Wärmemengen vom Strahlungsbereich 13 über
das Substrat 11 zu den Metallstreifen 15 geleitet werden.
Zusätzlich wird durch die Benutzung von Metallen mit niedrigem Emissionsvermögen, z. B, Platin für die
Metallstreifen 15 die Emission von diesen weiter reduziert, so daß die Strahlung emittierende Region
räumlich genau definiert ist.
In F i g. 2 sind wiederum ein Teil eines Substrats 11
und Teile der Metallstreifen 15 dargestellt, die erhöhte Abschnitte 17 aufweisen. Auch ist wieder ein als
Dünnfilm-Widerstand ausgebildeter Strahlungsbereich 13 dargestellt, der im Anschluß an die Metallstreifen 15
angeordnet ist In Kontakt mit dem Strahlungsbereich
13 befindet sich eine reflexionsmindernde Schicht 23, die ζ. B, aus TiOj mit einer Dicke von ungefähr 0,44 μη»
besteher· kann. Die reflexionsmindernde Schicht 23 dient zur wirksamen Erhöhung des Emissionsvermögens
der Infrarot-Strahlungsquelle. Vorzugsweise wird das Material der reflexionsmindernden Schicht 23 so
ausgewählt, daß sein Brechungsindex ungefähr gleich der Quadratwurzel aus dem Brechungsindex des
Materials des Strahlungsbereiches 13 ist Mit derartigen Strahlungsquellen lassen sich ein Nutzungsgrad von
0,2% mit einer Bandbreite von 5% im Infrarot-Bereich erreichen.
Claims (6)
- Patentansprüche;U Infrarot-StraWungsquelle mit einem als Strahlungsbereich dienenden Dünnfilm-Widerstand, der auf der Vorderseite einer Substratplatte von niedrigem Wärmeleitvermögen aufgebracht und mit zwei elektrischen Zuleitungen verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, daß der als Strahlungsbereich (13) dienende Dünnfilm-Widerstand ein Emissionsvermögen von mehr als 0,5 im Infrarot-Bereich hat und auf dem Substrat (11) zwischen einem die Zuleitung bildenden Paar von Metallstreifen (15) angeordnet ist, welche ein im Infrarot-Bereich relativ geringes Emissionsvermögen haben.
- 2. Strahlungsquelle nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Dünnfilm-Widerstand aus einer auf das Substrat (11) aufgebrachten Schicht aus Cr3Si besteht
- 3. Strahlungsquelle nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (U) aus Saphir, Y2O3 oder Quarz besteht
- 4. Strahlungsquelle nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie auf der Cr3Si-ScMcIn eine reflexionsmindernde Schicht (23) zur Erhöhung des wirksamen Emissionsvermögens des Strahlungsbereichs (13) aufweist
- 5. Strahlungsquelle nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die reflexionsmindernde Schicht (23) aus TiO2 besteht
- 6. Strahlungsquelle nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß sie auf der Rückseite des Substrats (11) einen weit/en Metallstreifen (21) aufweist, der unerwünschte Strahlung von der Rückseite verhindert
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