CN102574773A - 用于电子应用的三芳基胺化合物 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及用于电子应用中的三芳基胺化合物。本发明还涉及其中活性层包含此类化合物的电子器件。
Description
相关专利申请资料
本专利申请根据35U.S.C.119(e)要求提交于2009年10月19日的美国临时申请61/252812和提交于2010年7月8日的美国临时申请61/362413的优先权。
发明背景
公开领域
本发明涉及三芳基胺化合物。它还涉及其中至少一个活性层包含此类化合物的电子器件。
相关领域说明
发光的有机电子器件诸如组成显示器的发光二极管存在于许多不同种类的电子设备中。在所有的此类器件中,有机活性层均被夹置在两个电接触层之间。所述电接触层中的至少一个是透光的以便光能够穿过该电接触层。当在整个电接触层上施加电流时,有机活性层发射穿过该透光的电接触层的光。
已知在发光二极管中将有机电致发光化合物用作活性组分。已知例如蒽、噻二唑衍生物和香豆素衍生物等简单有机分子显示具有电致发光性。已知有机金属化合物如Ir和Pt的环状金属络合物显示具有电致发光性。半导电的共轭聚合物还已被用作电致发光组分。在许多情况下,电致发光化合物以掺杂剂形式存在于基质材料中。
持续需要用于电子器件的新型材料。
发明概述
本发明提供了包含活性层的电子器件,所述活性层包含具有式I的化合物:
其中:
R1至R12相同或不同并且选自H、D、烷基和芳基,其中相邻的R基可被接合在一起以形成环状基团,前提条件是(i)R1至R6中的至少一个为烷基或芳基,和(ii)R7至R12中的至少一个为烷基或芳基;并且
R13和R14相同或不同并且选自烷基和芳基,其中R13和R14可被接合在一起以形成环状基团。
本发明还提供了电活性组合物,所述组合物包含(a)具有式I的三芳基胺,和(b)能够电致发光的有机金属掺杂剂,所述掺杂剂具有介于380nm和750nm之间的最大发射。
还提供了包括第一电接触层、第二电接触层、以及至少一个介于第一电接触层和第二电接触层之间的活性层的有机电子器件,其中所述活性层包含具有式I的三芳基胺化合物。
附图简述
附图中示出了实施方案以增进对本文所述概念的理解。
图1包括了有机电子器件的一个实例的示例。
图2包括了有机电子器件的另一个实例的示意图。
技术人员理解,附图中的物体是以简洁明了的方式示出的并不一定按比例绘制。例如,图中一些物体的尺寸相对于其它物体可能有所放大,以便于更好地理解实施方案。
发明详述
本文示例性而非限制性地公开了许多方面和实施方案。在阅读完本说明书后,技术人员应认识到,在不脱离本发明范围的情况下,其它方面和实施方案也是可能的。
通过阅读以下的发明详述和权利要求,任何一个或多个实施方案的其它特征和有益效果将变得显而易见。发明详述首先定义和阐明术语,接着描述三芳基胺化合物、电子器件,最后描述实施例。
1.术语的定义和说明
在提出下述实施方案详情之前,先定义或阐明一些术语。
如本文所用,术语“脂环”旨在表示无离域π电子的环状基团。在一些实施方案中,所述脂族环非不饱和。在一些实施方案中,该环具有一个双键或三键。
术语“烷基”旨在表示衍生自脂族烃的具有一个连接点的基团,并且包括直链、支链、或环状基团。该术语旨在包括杂烷基。术语“烃烷基”是指不具有杂原子的烷基。术语“氘代烷基”为具有至少一个可用H被D取代的烷基。在一些实施方案中,烷基具有1-20个碳原子。
术语“支链烷基”是指具有至少一个仲碳或叔碳的烷基。术语“仲烷基”是指具有仲碳原子的支链烷基。术语“叔烷基”是指具有叔碳原子的支链烷基。在一些实施方案中,支链烷基通过仲碳或叔碳连接。
术语“芳基”旨在表示具有一个连接点的、衍生自芳族烃的基团。术语“芳族化合物”旨在表示包含至少一个具有离域π电子的不饱和环状基团的有机化合物。该术语旨在包括杂芳基。术语“烃芳基”旨在表示环中不具有杂原子的芳族化合物。术语芳基包括具有单环的基团,以及具有由单键连接或稠合在一起的多环的那些。术语“氘代芳基”是指具有至少一个直接连接芳基的可用H被D取代的芳基。术语“亚芳基”旨在表示衍生自具有两个连接点的芳族烃的基团。在一些实施方案中,芳基具有3-60个碳原子。
当涉及层、材料、构件、或结构时,术语“电荷传输”旨在表示此类层、材料、构件、或结构促进所述电荷以相对高的效率和小的电荷损失穿过所述层、材料、构件、或结构的厚度进行迁移。空穴传输层、材料、构件和结构有利于正电荷。电子传输层、材料、构件和结构有利于负电荷。尽管发光材料也可具有一些电荷传输特性,但是术语“电荷、空穴或电子传输层、材料、构件或结构”不旨在包括其主要功能为发光的层、材料、构件或结构。
术语“化合物”旨在表示由分子组成的不带电物质,所述分子又由原子组成,其中原子不能通过物理方法分开。当用来指器件中的层时,短语“邻近”并非一定表示一层紧接另一层。在另一方面,短语“相邻的R基”用来指化学式中彼此紧接的R基团(即,通过键结合的原子上的R基团)。
术语“氘代”旨在表示至少一个H被D取代。氘以天然丰度的至少100倍存在。化合物X的“氘代衍生物”具有与化合物X相同的结构,但具有至少一个取代H的D。
术语“掺杂剂”旨在表示包含基质材料的层内的材料,与缺乏此类材料时所述层辐射发射、接收或过滤的一种或多种电特性或一个或多个波长相比,所述掺杂剂改变了所述层辐射发射、接收或过滤的一种或多种电特性或一个或多个指标波长。
当涉及层或材料时,术语“电活性”旨在表示表现出电子或电辐射特性的层或材料。在电子器件中,电活性材料电子性地有利于器件的操作。电活性材料的实例包括但不限于传导、注入、传输或阻断电荷的材料,其中电荷可为电子或空穴,并且包括但不限于接受辐射时发射辐射或表现出电子-空穴对浓度变化的材料。非活性材料的实例包括但不限于平面化材料、绝缘材料、以及环境防护材料。
前缀“杂”表示一个或多个碳原子已被不同的原子置换。在一些实施方案中,所述不同的原子为N、O、或S。
术语“基质材料”旨在表示向其加入掺杂剂的材料。基质材料可具有或可不具有发射、接收或过滤辐射的电子特性或能力。在一些实施方案中,所述基质材料以较高的浓度存在。
术语“层”与术语“膜”可互换使用,并且是指覆盖所期望区域的涂层。该术语不受尺寸的限制。所述区域可大如整个器件,或也可小如特定的功能区(如实际可视显示器),或小如单个子像素。层和膜可通过任何常规的沉积技术形成,包括气相沉积、液相沉积(连续和不连续技术)、以及热转移。连续沉积技术包括但不限于旋涂、凹版涂布、帘式涂布、浸涂、槽模涂布、喷涂、以及连续喷涂。非连续沉积技术包括但不限于喷墨印刷、凹版印刷、以及丝网印刷。
术语“有机电子器件”或有时仅称为“电子器件”,旨在表示包含一个或多个有机半导体层或材料的器件。
除非另外指明,所有基团可为取代或未取代的。在一些实施方案中,取代基选自D、卤素、烷基、烷氧基、芳基、芳氧基、氰基和NR2,其中R为烷基或芳基。
除非另有定义,本文所用的所有技术和科学术语的含义均与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的一样。尽管与本文所述的方法和材料类似或等同的方法和材料也可用于本发明的实施或测试中,但是下文描述了合适的方法和材料。所有的出版物、专利申请、专利、以及本文提及的其它参考资料全文均以引用方式并入本文。如发生矛盾,则以本说明书及其包括的定义为准。此外,材料、方法和实施例仅是示例性的,并不旨在进行限制。
IUPAC编号系统用于全文,其中元素周期表的族按1-18从左至右编号(CRC Handbook of Chemistry and Physics,第81版,2000)。
2.三芳基胺化合物
所述三芳基胺化合物具有式I:
其中:
R1至R12相同或不同并且选自H、D、烷基和芳基,其中相邻的R基可被接合在一起以形成环状基团,前提条件是(i)R1至R6中的至少一个为烷基或芳基,并且(ii)R7至R12中的至少一个为烷基或芳基;并且
R13和R14相同或不同并且选自烷基和芳基,其中R13和R14可被接合在一起以形成环状基团。
在一些实施方案中,R1至R3中的至少一个和R4至R6中的至少一个和R7至R9中的至少一个和R10至R12中的至少一个为烷基或芳基。在一些实施方案中,R1至R3中的至少一个和R4至R6中的至少一个和R7至R9中的至少一个和R10至R12中的至少一个为芳基。
在一些实施方案中,烷基具有1-3个碳原子。在一些实施方案中,烷基为甲基。在一些实施方案中,烷基为氘代的。
在一些实施方案中,所述芳基选自苯基、联苯、萘基、它们的氘代衍生物、以及具有式II的基团:
其中:
R15在每次出现时相同或不同并且选自H、D和烷基,或相邻的R15基可被接合在一起以形成芳族环;并且
m在每次出现时相同或不同并且为0至5的整数。
在一些实施方案中,R1、R4、R7和R10为芳基,并且所有其它R基选自H、D和烷基。在一些实施方案中,R7和R8为苯基。在一些实施方案中,R7和R8被接合以形成6元脂族环。
在一些实施方案中,所述三芳基胺化合物为至少10%氘代的。这是指在所述化合物中至少10%的氢已被氘置换。在一些实施方案中,所述三芳基胺化合物为至少20%氘代的;在一些实施方案中,为至少30%氘代的;在一些实施方案中,为至少40%氘代的;在一些实施方案中,为至少50%氘代的;在一些实施方案中,为至少60%氘代的;在一些实施方案中,为至少70%氘代;在一些实施方案中,为至少80%氘代的;在一些实施方案中,为至少90%氘代的;在一些实施方案中,为100%氘代的;
具有上式的三芳基胺化合物的一些实例包括但不限于下文所示的化合物。
所述新型三芳基胺化合物可通过已知的偶合反应和取代反应来制备。然后通过使用氘代前体材料以类似的方式,或更一般地通过在路易斯酸H/D交换催化剂如三氯化铝或氯化乙基铝,或酸如CF3COOD、DCl等的存在下,用氘代溶剂如d6-苯处理未氘代化合物来制得氘代的类似化合物。示例性制备示于实施例中。
3.电子器件
通过具有包含本文所述三芳基胺化合物的一个或多个层而可获益的有机电子器件包括但不限于(1)将电能转换为辐射的器件(例如发光二极管、发光二极管显示器、或二极管激光器),(2)通过电子方法探测信号的器件(例如光电探测器、光电导管、光敏电阻器、光控开关、光电晶体管、光电管、IR探测器或生物传感器),(3)将辐射转换为电能的器件(例如光伏器件或太阳能电池),和(4)包括具有一个或多个个电子元件的器件,所述电子元件包括一个或多个有机半导体层(例如晶体管或二极管)。
有机电子器件结构的一个示例示于图1中。器件100具有第一电接触层即阳极层110和第二电接触层即阴极层160、以及介于所述第一电接触层和所述第二电接触层之间的电活性层140。邻近阳极的可为空穴注入层120。邻近空穴注入层的可为包含空穴传输材料的空穴传输层130。邻近阴极的可为包含电子传输材料的电子传输层150。器件可使用一个或多个紧邻阳极110的附加空穴注入层或空穴传输层(未示出),和/或紧邻阴极160的一个或多个附加电子注入层或电子传输层(未示出)。在一些实施方案中,器件具有附加层以有助于加工或改善功能。
层120至层150单独或统称为活性层。
在一些实施方案中,电活性层140为滤镜化的,如图2所示。层140被分成在所述层上重复的像素或子像素单元141、142和143。每一个像素或子像素单元代表不同的颜色。在一些实施方案中,所述子像素单元为红色、绿色和蓝色。尽管三个子像素单元在图中示出,但可使用两个或多于三个。
在一个实施方案中,不同的层具有下列厚度范围:阳极110,500-5000在一个实施方案中为1000-2000空穴注入层120,50-2000在一个实施方案中为200-1000空穴传输层130,50-2000在一个实施方案中为200-1000电活性层140,10-2000在一个实施方案中100-1000层150,50-2000在一个实施方案中为100-1000阴极160,200-10000在一个实施方案中为300-5000器件内电子-空穴重组区域的位置可能受到每层相对厚度的影响,从而影响器件的发射光谱。各层厚度的期望比率将取决于所用材料的确切性质。
根据器件100的应用,电活性层140可为由施加的电压激活的发光层(如在发光二极管或发光电化学电池中),或是响应辐射能并且在有或无施加的偏压下产生信号的材料层(如在光电探测器中)。光电探测器的实例包括光电导管、光敏电阻器、光控开关、光电晶体管和光电管、以及光伏电池,这些术语描述于Markus,John,“Electronics and NucleonicsDictionary”,第470和476页(McGraw-Hill,Inc.1966)中。
本文所述的三芳基胺化合物在有机发光二极管(“OLEDs”)中具有特殊的效用。在OLEDs中,所述发光材料在很多情况下为包含重原子如Ir、Pt、Os、Rh等的有机金属化合物。这些有机金属化合物最低的激发态通常具有混合的单重态和三重态特征(Yersin,Hartmut;Finkenzeller,Walter J.,Triplet emitters for organic light-emitting diodes:basic properties。Highly Efficient OLEDs with Phosphorescent Materials(2008))。由于所述三重态特征,激发态可将其能量传送至附近分子的三重态,导致发光猝灭。为了防止在OLED器件中的此类发光猝灭,用于OLED器件各种层材料的三重态能量不得不与有机金属发射体的最低激发态能量相当或高于有机金属发射体的最低激发态能量。例如,已证明对于绿色发射体Ir(ppy)3,使用NPB作为空穴传输层,由于NPB低的三重态能量,导致发光猝灭(Y.Wang,Appl.Phys.Lett.,85,4848(2004))。应当指出的是,有机金属发射体的激发态能量可由在发光光谱中的0-0过渡测定,这通常比所述发光峰在更高的能量处。
如果在所述OLED器件发射层中的复合区域位于空穴传输一侧,那么所述电子空穴对发光比所用的空穴传输层的三重态能量更敏感。相反,如果复合区域位于电子传输侧,那么所述电子空穴对发光比所用的电子传输层的三重态能量更敏感。所述电子空穴对发光趋于对基质材料的三重态能量最敏感。
具有高三重态能量的一类通常使用的空穴传输材料为1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(“TAPC”)。然而,对于TAPC的玻璃化转变温度(“Tg”)仅为约84℃。该低的Tg限制了对于所述材料的加工选择。所述低的Tg还妨碍在较高的温度环境,如户外应用中使用TAPC。持续需要具有高三重态能量的TAPC,但也具有较高Tg的材料。具有式I的新型三芳基胺化合物保持高的三重态能量,具有增加的Tg。因此,所述新型三芳基胺化合物可用于具有许多有机金属发射体的器件。所述三芳基胺化合物可作为层130中的空穴传输材料,作为层140中的基质材料,或作为两者存在。
所述有机电子器件包括第一电接触层、第二电接触层、以及至少一个介于第一电接触层和第二电接触层之间的活性层,其中所述活性层包含具有式I的三芳基胺化合物。在一些实施方案中,活性层为空穴传输层130。在一些实施方案中,活性层为电活性层140。
在一些实施方案中,有机电子器件包含阳极、第一电活性层、第二电活性层和阴极,其中所述第一电活性层包含具有式I的化合物,并且所述第二电活性层包含能够电致发光的有机金属化合物,所述化合物具有介于380nm和750nm之间的最大发射。在一些实施方案中,所述第一电活性层为空穴传输层,并且所述第二电活性层为电致发光层。在一些实施方案中,所述第二电活性层包含具有式I的化合物。
a.空穴传输层
在一些实施方案中,所述空穴传输层包含具有式I的新型三芳基胺化合物。在一些实施方案中,所述空穴传输层基本上由新型三芳基胺化合物组成。所述三芳基胺化合物层可通过任何沉积方法形成,包括气相沉积、液相沉积和热转移。
在一些实施方案中,所述空穴传输层包含不同的空穴传输材料。层130的其它空穴传输材料实例已概述于例如1996年Y.Wang的“KirkOthmer Encyclopedia of Chemical Technology”的第四版,第18卷,第837-860页中。空穴传输分子和空穴传输聚合物均可被使用。常用的空穴传输分子为:TAPC、N,N′-二苯基-N,N′-双(3-甲基苯基)-[1,1′-联苯]-4,4′-二胺(TPD)、N,N′-双(4-甲基苯基)-N,N′-双(4-乙基苯基)-[1,1′-(3,3′-二甲基)联苯]-4,4′-二胺(ETPD)、四(3-甲基苯基)-N,N,N′,N′-2,5-苯二胺(PDA)、a-苯基-4-N,N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)、对(二乙氨基)苯甲醛二苯腙(DEH)、三苯胺(TPA)、双[4-(N,N-二乙氨基)-2-甲基苯基](4-甲基苯基)甲烷(MPMP)、1-苯基-3-[对(二乙氨基)苯乙烯基]-5-[对(二乙氨基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)、1,2-反式双(9H-咔唑-9-基)环丁烷(DCZB)、N,N,N′,N′-四(4-甲基苯基)-(1,1′-联苯)-4,4′-二胺(TTB)、N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双(苯基)对二氨基联苯(L-NPB)、以及卟啉化合物如铜酞菁。常用的空穴传输聚合物是聚乙烯咔唑、(苯基甲基)聚硅烷、以及聚苯胺。还可通过将空穴传输分子诸如上述那些掺入到聚合物诸如聚苯乙烯和聚碳酸酯中来获得空穴传输聚合物。在一些情况下,使用三芳基胺聚合物,尤其是三芳基胺-芴共聚物。在一些情况下,所述聚合物和共聚物是可交联的。可交联空穴传输聚合物的实例可见于例如公布的美国专利申请2005-0184287和公布的PCT专利申请WO 2005/052027中。在一些实施方案中,空穴传输层掺入有p型掺杂剂,如四氟四氰基喹啉并二甲烷和苝-3,4,9,10-四羧基-3,4,9,10-二酸酐。
b.电活性层
在一些实施方案中,具有式I的新型三芳基胺化合物为在电活性层140中的电致发光材料的基质。在一些实施方案中,所述电活性组合物包含(a)具有式I的三芳基胺化合物基质,和(b)能够电致发光的有机金属掺杂剂,所述掺杂剂具有介于380nm和750nm之间的最大发射。在一些实施方案中,所述电活性组合物还包含(c)第二基质材料。在一些实施方案中,所述电活性组合物基本上由(a)具有式I的三芳基胺化合物,和(b)能够电致发光的有机金属掺杂剂组成,所述掺杂剂具有介于380nm和750nm之间的最大发射。在一些实施方案中,所述电活性组合物基本上由(a)具有式I的三芳基胺化合物,和(b)能够电致发光的有机金属掺杂剂,所述掺杂剂具有介于380nm和750nm之间的最大发射,和(c)第二基质材料组成。
新型三芳基胺化合物可用作发射任何颜色的掺杂剂的基质。在一些实施方案中,所述新型三芳基胺化合物用作具有发射颜色在绿色至蓝色范围内的电致发光材料。
存在于所述电活性组合物中掺杂剂的量基于所述组合物的总重量一般在按重量计3-20%的范围内;在一些实施方案中在按重量计5-15%的范围内。当存在第二基质时,具有式I的三芳基胺基质与第二基质的比率一般在1∶20至20∶1的范围内;在一些实施方案中在5∶15至15∶5的范围内。在一些实施方案中,所述三芳基胺基质材料按所述总基质材料重量计为至少50%;在一些实施方案中,按重量计至少70%。
在一些实施方案中,第二基质材料具有式III:
其中:
Ar1在每次出现时相同或不同并且为芳基;
Q选自多价芳基;并且
T选自(CR’)a、SiR2、S、SO2、PR、PO、PO2、BR和R;
R在每次出现时相同或不同并且选自烷基和芳基;
R’在每次出现时相同或不同并且选自H和烷基;
a为1-6的整数;并且
n为0-6的整数。
虽然n可具有0-6的值,但是应当理解,就一些Q基团而言,n的值受基团的化学性质的限制。在一些实施方案中,n为0或1。
在式III的一些实施方案中,相邻的Ar基团被接合在一起以形成环如咔唑。在式III中,“相邻的”是指Ar基团键合到相同的N。
在一些实施方案中,Ar1独立地选自苯基、联苯基、三联苯基、四联苯基、萘基、菲基、萘基苯基和菲基苯基。也可使用具有5-10个苯环的高于四联苯的类似物。
在一些实施方案中,Ar1中的至少一个具有至少一个取代基。可存在取代基以改变基质材料的物理或电特性。在一些实施方案中,所述取代基改善了基质材料的可加工性。在一些实施方案中,所述取代基提高了基质材料的溶解度和/或提高了基质材料的Tg。在一些实施方案中,所述取代基选自D、烷基、烷氧基、甲硅烷基、硅氧烷、以及它们的组合。
在一些实施方案中,Q为具有至少两个稠合环的芳基。在一些实施方案中,Q具有3-5个稠合的芳环。在一些实施方案中,Q选自菲、苯并菲、菲咯啉、萘、蒽、喹啉和异喹啉。
电致发光掺杂剂是能够电致发光的电活性材料,所述掺杂剂具有介于380和750nm之间的最大发射。在一些实施方案中,掺杂剂发射红色、绿色或蓝色。
发红光的材料的实例包括但不限于具有苯基喹啉或苯基异喹啉配体的环金属铱络合物、二茚并芘、荧蒽和苝类。发红光的材料已公开于例如美国专利公开6,875,524和公布的美国专利申请2005-0158577中。
发绿光的材料的实例包括但不限于具有苯基吡啶配体的环金属铱配合物、二氨基蒽、和聚苯乙炔聚合物。发绿光的材料已公开于例如公布的PCT专利申请WO 2007/021117中。
发蓝光的材料的实例包括但不限于二芳基蒽、二氨基二氨基芘、具有苯基吡啶配体的环金属铱配合物和聚芴聚合物。发蓝光的材料已公开于例如美国专利公开6,875,524和公布的美国专利申请2007-0292713和2007-0063638中。
在一些实施方案中,掺杂剂为有机金属络合物。在一些实施方案中,掺杂剂为铱或铂的环金属化络合物。此类材料已公开于例如美国专利公开6,670,645和公布的PCT专利申请WO 03/063555、WO 2004/016710和WO03/040257中。
在一些实施方案中,所述掺杂剂为具有式Ir(L1)x(L2)y(L3)z的络合物;其中
L1为通过碳和氮配位的单阴离子二齿环金属配体;
L2为不通过碳配位的单阴离子二齿配体;
L3为单齿配体;
x为1-3;
y和z独立地为0-2;
并且选择x、y和z使得铱为六配位,并且所述配合物是电中性的。
式的一些实例包括但不限于Ir(L1)3;Ir(L1)2(L2);和Ir(L1)2(L3)(L3’),其中L3为阴离子,并且L3’为非离子。
在一些实施方案中,L1具有其中N-杂环键合到第二芳族环的结构,如下图所示。
N-杂环的实例包括但不限于吡啶、喹啉、异喹啉、二嗪、吡唑和三嗪。第二芳族环的实例包括但不限于苯基、吡咯、噻吩和吡啶。所述N-杂环和第二芳族环可具有一个或多个选自D、卤化物(尤其是F)、烷基、烷氧基、芳基芳氧基、甲硅烷基、芳氨基和氰基的取代基。
L1配体的实例包括但不限于苯基吡啶、苯基喹啉、苯基嘧啶、苯基吡唑、噻吩吡啶、噻吩喹啉、噻吩嘧啶和1,7-菲咯啉。如本文所用,除非另外指明,术语“喹啉”包括“异喹啉”。这些配体可具有如上所述的取代基。
单阴离子二齿配体L2是金属配位化学领域所熟知的。一般来讲,这些配体具有N、O、P或S作为配位原子,并且当与铱配位时形成5元或6元环。适宜的配位基团包括氨基、亚氨基、酰氨基、醇盐、羧酸酯、膦基、硫醇盐等。适用于这些配体的母体化合物的实例包括β-二羧基(β-烯醇配体)、以及它们的N和S类似物;氨基羧酸(氨基羧酸盐配体);吡啶羧酸(亚氨基羧酸盐配体);水杨酸衍生物(水杨酸盐配体);羟喹啉(羟基喹啉配体)以及它们的S类似物;和膦基烷醇(膦基烷氧化物配体)。
在一些实施方案中,L2选自
其中:
R16在每次出现时相同或不同并且选自烷基和氟代烷基;
R17为H、D或F;
R18在每次出现时相同或不同并且选自烷基和氟代烷基;并且
*代表与铱的配位点。
单齿配体L3可为阴离子或非离子。阴离子配体包括但不限于H-(“氢化物”)以及具有C、O或S作为配位原子的配体。配位基团包括但不限于醇盐、羧酸酯、硫代羧酸酯、二硫代羧酸酯、磺酸酯、硫醇酯、氨基甲酸酯、二硫代氨基甲酸酯、硫卡巴腙阴离子、磺酰胺阴离子等。在一些情况下,上文列为L2的配体如β-烯醇化物和膦烷氧化物可用作单齿配体。单齿配体也可为配位阴离子,如卤离子、氰化物、异氰化物、硝酸根、硫酸根、六卤锑酸根等。这些配体一般是可商购获得的。
单齿L3配体还可为非离子配体如CO或单齿膦配体。
在一些实施方案中,一种或多种配体具有至少一个取代基,所述取代基选自F和氟化烷基。
可采用例如美国专利6,670,645中所述的标准合成技术来制备铱络合物掺杂剂。
具有红色或桔红色发射的铱络合物掺杂剂的一些非限制性实例提供如下。
具有绿色发射的铱络合物掺杂剂的一些非限制性实例提供如下。
具有蓝色-绿色至蓝色发射的铱络合物掺杂剂的一些非限制性实例提供如下。
c.其它器件层
器件中的其它层可由已知的用于此类层的任何材料制成。
阳极110是用于注入正电荷载体的尤其有效的电极。它可由例如包含金属、混合金属、合金、金属氧化物或混合金属氧化物的材料制成,或者它可为导电聚合物、或它们的混合物。适宜的金属包括第11族金属、第4-6族中的金属和第8-10族过渡金属。如果使阳极具有透光性,则一般使用第12、13和14族金属的混合金属氧化物,例如氧化铟锡。阳极110还可包含有机材料如聚苯胺,所述聚苯胺描述于“Flexible light-emittingdiodes made from soluble conducting polymer”(Nature,第357卷,第477-479页(1992年6月11日))中。期望阳极和阴极中的至少一个是至少部分透明的,以使产生的光线能够被观察到。
空穴注入层120包含空穴注入材料,并且可具有有机电子器件中的一个或多个功能,包括但不限于下层平坦化、电荷传输和/或电荷注入特性、清除杂质如氧气或金属离子、以及其它有利于或改善有机电子器件性能的方面。空穴注入材料可为聚合物、低聚物、或小分子。它们可蒸汽沉积或由液体沉积,所述液体可为溶液、分散体、悬浮液、乳液、胶态混合物、或其它组合物形式。
空穴注入层可由聚合物材料形成,如聚苯胺(PANI)或聚乙烯二氧噻吩(PEDOT),所述聚合材料通常掺入有质子酸。质子酸可为例如聚(苯乙烯磺酸)、聚(2-丙烯酰胺-2-甲基-1-丙磺酸)等。
空穴注入层可包含电荷转移化合物等,如铜酞菁和四硫富瓦烯-四氰基苯醌二甲烷体系(TTF-TCNQ)。
在一些实施方案中,空穴注入层包含至少一种导电聚合物和至少一种氟化的酸性聚合物。此类物质描述于例如公布的美国专利申请US2004/0102577、US 2004/0127637和US 2005/0205860和公布的PCT专利申请WO 2009/018009中。
可用于电子传输层150中的电子传输材料实例包括但不限于:金属螯合的8-羟基喹啉酮化合物,包括金属喹啉衍生物如三(8-羟基喹啉)铝(AlQ)、二(2-甲基-8-羟基喹啉)(对苯基酚氧基)铝(III)(BAlq)、四(8-羟基喹啉)铪(HfQ)和四-(8-羟基喹啉)锆(ZrQ);以及唑化合物,如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑(PBD)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)、和1,3,5-三(苯基-2-苯并咪唑)苯(TPBI);喹喔啉衍生物,如2,3-二(4-氟苯基)喹喔啉;菲咯啉,如4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DPA)和2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(DDPA);以及它们的混合物。在一些实施方案中,所述电子传输材料选自金属喹啉和菲咯啉衍生物。在一些实施方案中,所述电子传输层还包含n型掺杂剂。N型掺杂剂材料为人们所熟知。n型掺杂剂包括但不限于第1族和第2族金属;第1族和第2族金属盐,如LiF、CsF和Cs2CO3;第1族和第2族金属有机化合物如锂喹啉;以及分子n型掺杂剂,如无色染料、金属配合物,如W2(hpp)4(其中hpp=1,3,4,6,7,8-六氢-2H-嘧啶并-[1,2-a]-嘧啶)和二茂钴、四硫杂萘并萘、双(亚乙基二硫基)四硫富瓦烯、杂环基团或二价基团、以及杂环基团或二价基团的二聚体、低聚物、聚合物、二螺化合物和多环化物。层150不仅可用于促进电子传输,还可用作缓冲层或限制层,以防止层界面处的电子空穴对的淬灭。优选地,该层促进电子移动性并且减少电子空穴对的淬灭。
阴极160是用于注入电子或负电荷载体尤其有效的电极。阴极可为具有功函比阳极低的任何金属或非金属。用于阴极的材料可选自第1族的碱金属(例如锂、铯)、第2族(碱土)金属、第12族金属,包括稀土元素和镧系元素、以及锕系元素。可使用如铝、铟、钙、钡、钐和镁、以及它们的组合的材料。含Li或Cs的有机金属化合物、LiF、CsF和Li2O也可沉积在有机层和阴极层之间以降低操作电压。
已知在有机电子器件中存在其它层。例如,在阳极110和空穴注入层120之间存在层(未示出),以控制注入的正电荷量和/或提供层的带隙匹配,或用作保护层。可使用本领域已知的层,例如铜酞菁、氮氧化硅、碳氟化合物、硅烷或超薄金属层例如Pt。作为另外一种选择,阳极层110、活性层120、130、140和150、或阴极层160中的一些或所有能够被表面处理以增加电荷负载传输效率。优选地通过平衡发射极层中的正电荷和负电荷来确定每个组件层的材料的选择,以提供具有高电致发光效率的器件。
应当理解,每个功能层可由多于一层构成。
所述器件可通过多种技术,包括在适宜的基板上依次气相沉积各层来制备。可使用基板例如玻璃、塑料和金属。可使用常规的气相沉积技术例如热蒸发、化学气相沉积等。作为另外一种选择,可使用常规的涂布或印刷技术,包括但不限于旋涂、浸涂、卷对卷技术、喷墨印刷、丝网印刷、照相凹版印刷等,由适宜溶剂中的溶液或分散体来施加有机层。
本发明还涉及电子器件,所述电子器件包含至少一个位于两个电接触层之间的活性层,其中所述器件内的至少一个活性层包含具有式I、II或III的三芳基胺化合物。很多情况下器件具有附加的空穴传输层和电子传输层。
为了获得高效率LED,期望空穴传输材料的HOMO(最高占有分子轨道)与阳极的功函相匹配,并且期望电子传输材料的LUMO(最低未占分子轨道)与阴极的功函相匹配。在选择电子和空穴传输材料时,材料的化学相容性和升华温度也是重要的考虑因素。
应当理解,通过优化器件中的其它层,可进一步改善用本文所述蒽化合物制得的器件的效率。例如,可使用更有效的阴极例如Ca、Ba或LiF。也可使用导致操作电压降低或量子效率增加的成型基板和新型空穴传输材料。还可添加附加层,从而定制各种层的能级并促进电致发光。
实施例
以下实施例示出了本发明的某些特征和优点。它们旨在举例说明本发明,但并不是限制性的。所有百分比均按重量计,除非另外指明。
实施例1
该实施例示出了对于本文所述的三芳基胺化合物在三重态能量上的增加。TAPC的三重态能量已被报道为2.87eV。
所有的计算用在Gaussian 03程序组内的所述密度泛函理论(DFT)方法进行。(Gaussian 03,版本D.01;Gaussian,Inc.,Wallingford,CT,2004)。所述分子结构首先在所述BP86/6-31G+IrMWB60水平最优化,然后在该计算相同的水平下用于随后的分析振动频率计算以确保这些结构的确平衡一次。对于所述的激发态计算,以前的经验已显示在所述B3LYP/6-31G+IrMWB60水平的时间依赖性DFT(TDDFT)满足计算第一个七个单重态和三重态能量转变。为了获得关于这些分子的HOMO和LUMO值,使用所述B3LYP/6-31+G(d)+IrMWB60水平。
计算结果示于下表1中。
表1:计算结果
实施例2
该实施例示出了三芳基胺化合物的制备,所述三芳基胺化合物具有式I,4,4′-(二苯基亚甲基)双(N,N-双(3-(亚联苯基-1-基)苯基)苯胺),下文化合物1。
在干箱操作手套箱中,将4,4′-(二苯基亚甲基)二苯胺(1.15g,3.26mmol)、3-溴-3′-苯基联苯(4.41g,13.67mmol)、三(叔丁基)膦(0.066g,0.33mmol)和Pd2(DBA)3(0.15g,0.16mmol)混合到圆底烧瓶中并溶解于30mL的无水甲苯中。将所述溶液搅拌一分钟,并随后加入叔丁醇钠(1.38g,14.34mmol)和5mL的无水甲苯。加上加热套并且在18小时内将反应加热至60℃。然后将所述反应混合物冷却至室温并过滤,用甲苯和氯仿洗涤。通过旋转蒸发去除所述溶剂,并且使用梯度的己烷中的氯仿(0-50%)通过硅胶柱层析进一步纯化所述残余物。收集并混合包含小部分的产物。通过旋转蒸发去除所述溶剂。将所述残余物在氯仿(15mL)中再溶解,并将所述产物沉淀于甲醇(200mL)中以获得2.33g(43%)的白色粉末。1H NMR(CDCl3)与化合物1的结构一致。
实施例3
该实施例示出了三芳基胺化合物的制备,所述三芳基胺化合物具有式I,4,4’-(1-苯基乙烷-1,1-二基)双(N,N-双(3-(亚联苯基-1-基)苯基)苯胺),下文化合物2。
在干箱操作手套箱中,将4,4′-(1-苯基乙烷-1,1-二基)二苯胺(1.33g,4.45mmol)、3-溴-3′-苯基联苯(5.40g,16.94mmol)、三(叔丁基)膦(0.054g,0.268mmol)和Pd2(DBA)3(0.117g,0.128mmol)混合到200mL的圆底烧瓶中,并溶解于75mL的无水甲苯中。将所述溶液搅拌一分钟,并随后加入叔丁醇钠(1.85g,19.25mmol)和15mL的无水甲苯。加上加热套并且在3天内将反应加热至80℃。然后将所述反应混合物冷却至室温并过滤并用氯仿洗涤。通过旋转蒸发去除所述溶剂,并且使用梯度的己烷中的氯仿(8至45%)通过硅胶柱层析进一步纯化所述残余物。收集并混合包含小部分的产物。通过旋转蒸发去除所述溶剂。将所述残余物在5mL的DCM中再溶解,并将所述溶液在搅拌下加入到甲醇(300mL)中。通过过滤收集沉淀以获得2.20g(44%)的白色粉末产物。1H NMR(CDCl3)与结构一致。
实施例4
该实施例示出了化合物的制备,所述化合物具有式I,4′,4″-(二苯基亚甲基)N,N-双(3-(亚联苯基-1-基-4-甲基)苯基)苯胺),下文化合物3。
a.5-氯-3′-苯基-2-甲基联苯
向配备有回流冷凝器、搅拌棒、氮导管和油浴的2L圆底烧瓶中加入2-溴-4-氯甲苯(20.67g,98.59mmol)、3-联苯硼酸(20.50g,103.52mmol)、碳酸钠(158mL,315mmol)、季铵氯化物336(4.00g)和甲苯(600mL)。在加入四(三苯基膦)钯(0)(1.14g,0.98mmol)之前,溶液用氮气吹扫20分钟,并再吹扫10分钟。然后在氮气下将反应加热18小时。冷却至环境温度后,分离所述有机相,用10%HCl(200mL)、水(200mL)和饱和盐水(200mL)洗涤。该溶液用硫酸镁(50g)干燥3小时,并用旋转蒸发去除所述溶剂。过滤所述粗产物,用己烷洗涤。用UPLC检测并收集包含小部分的产物。通过Kruger-Rohr蒸馏去除低沸点杂质和溶剂以获得呈无色油的产物(20.2g,77%)。
b.4′,4″-(二苯基亚甲基)N,N-双(3-(亚联苯基-1-基-4-甲基)苯基)苯胺)
在氮气下,将水(0.008g,0.44mmol)、S-Phos(0.022g,0.55mmol)和Pd(OAc)2(0.050g,0.022mmol)加入到50mL圆底烧瓶中,随后加入二氧六环(10mL)。搅拌所述混合物并在110℃下加热1分钟之前,用氮气吹扫5分钟。所述催化剂溶液开始为浅橙色,因此在颜色上加深至暗红色。
在氮气下,向一个分开的250mL圆底烧瓶中混合4′,4″-(二苯基亚甲基)二联苯-3-胺(1.00g,2.77mmol)、5-氯-3′-苯基-2-甲基联苯(3.35g,11.62mmol)和叔丁醇钠(1.17g,12.18mmol)和1,4-二氧六环(40mL)。加入催化剂溶液之前,将所述体系用氮气吹扫5分钟。加上加热套,并且在1小时内将反应加热至110℃。然后将所述反应混合物冷却至室温并过滤,用氯仿洗涤。通过旋转蒸发去除所述溶剂,并且使用梯度的己烷中的氯仿(0-55%)通过硅胶柱层析进一步纯化所述残余物。收集并混合包含小部分的产物。通过旋转蒸发去除所述溶剂。将所述残余物再溶解于二氯甲烷(15mL)中并从甲醇(600mL)中沉淀出来,由二氯甲烷和乙醇结晶以获得2.19g(60%)的白色粉末产物。1H NMR(CDCl3)与结构一致。
实施例5和比较实施例A
在该实施例中,材料的Tg通过热重量分析来测定。结果列于表2中。
表2:TGA结果
实施例 | 化合物 | Tg |
比较实施例A | TAPC | 84℃ |
实施例5-1 | 化合物1 | 111.5℃ |
实施例5-2 | 化合物2 | 105℃ |
实施例5-3 | 化合物3 | 118.8℃ |
从表2中可发现,相对于TAPC,所述Tg已显著地增加。
实施例6与比较实施例B和C
该实施例示出了新型三芳基胺化合物在器件中的性能。
(a)材料
HIJ-1是导电聚合物和聚合氟化磺酸的含水分散体。此类材料描述于例如公布的美国专利申请US2004/0102577、US 2004/0127637和US 2005/0205860和公布的PCT专利申请WO 2009/018009中。
TAPC为1,1-双[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷,如下所示。
NPB为N,N’-双(萘-1-基)-N,N’-双-(苯基)对二氨基联苯,如下所示
Green-1为具有如下所示结构的有机金属铱发射体。
基质-1为如下所示的吲哚并咔唑衍生物。此类材料已描述于公布的欧洲专利申请EP 2080762中。
ET-1为苯并菲衍生物。
ET-2为羟基喹啉金属衍生物。
(b)器件
在这些实例中,器件通过溶液方法和气相沉积技术的组合来制得。带有80nm氧化铟锡(“ITO”)的基板被用作阳极。HIJ-1通过旋涂由含水分散体涂覆。其它材料通过蒸汽沉积来施用。所述器件结构为:
阳极:ITO(80nm)
空穴注入层:HIJ-1(60nm)
空穴传输层:示于表2中的材料(20nm)
电活性层:基质-1中的10%Green-1(66nm)
第一电子传输层:ET-1(5nm)
第二电子传输层:ET-2(15nm)
电子注入层:LiF(1nm沉积的)
阴极:Al(100nm)
在实施例6中,所述空穴传输材料为化合物3。
在比较实施例B中,所述空穴传输材料为TAPC。
在比较实施例C中,所述空穴传输材料为NPB。
通过测量它们的(1)电流-电压(I-V)曲线,(2)相对于电压的电致发光辐射,和(3)相对于电压的电致发光光谱,来表征OLED样本。所有三个测试均同时进行并由计算机控制。通过将LED的电致发光辐射除以运行器件所需的电流密度来确定某一电压下器件的电流效率。单位是cd/A。然后由电流效率(cd/A)和电致发光光谱计算外部量子效率(EQE),假设发光为Lambertian分布。结果示于表2中。
表2:器件结果
HTL=空穴传输层;x和y为根据C.I.E.色度标度(CommissionInternationale de L′Eclairage,1931)的颜色坐标。
所述外部量子效率和电流效率对本发明所述的三芳基胺化合物为更大。
应注意到,上文一般性描述或实施例中所描述的行为不是所有都是必需的,一部分具体行为不是必需的,并且除了所描述的那些以外,还可实施一个或多个其它行为。此外,所列行为的顺序不必是实施它们的顺序。
在上述说明书中,已参考具体的实施方案描述了不同概念。然而,本领域的普通技术人员认识到,在不脱离如下文权利要求中所述的本发明范围的情况下,可进行各种修改和变化。因此,说明书和附图应被认为是示例性而非限制性的,并且所有此类修改形式均旨在包括于本发明的范围内。
上文已结合具体的实施方案描述了有益效果、其它优点以及问题的解决方案。然而,有益效果、优点、问题的解决方案、以及可致使任何有益效果、优点或解决方案产生或变得更显著的任何特征不可解释为是任何或所有权利要求的关键、必需或基本特征。
应当认识到,为清楚起见,本文不同实施方案的上下文中所描述的某些特征也可在单个实施方案中以组合方式提供。反之,为简化起见,在单个实施方案上下文中所描述的多个特征也可分别提供,或以任何子组合的方式提供。此外,在范围内描述的相关数值包括所述范围内的每个值。
Claims (19)
2.权利要求1的化合物,所述化合物为至少10%氘代的。
3.权利要求1的化合物,所述化合物为至少50%氘代的。
4.权利要求1的化合物,所述化合物为100%氘代的。
5.权利要求1的化合物,其中R1至R3中的至少一个和R4至R6中的至少一个和R7至R9中的至少一个和R10至R12中的至少一个为烷基或芳基。
6.权利要求5的化合物,其中R1至R3中的至少一个和R4至R6中的至少一个和R7至R9中的至少一个和R10至R12中的至少一个为芳基。
7.权利要求1的化合物,其中所述烷基具有1-3个碳原子。
9.权利要求1的组合物,其中R1、R4、R7和R10为芳基,并且所有其它R基选自H、D和烷基。
10.权利要求1的化合物,其中R7和R8为苯基。
11.权利要求1的化合物,其中R7和R8被接合在一起以形成6元脂族环。
12.电活性组合物,包含:
(a)具有式I的三芳基胺化合物基质:
其中:
R1至R12相同或不同并且选自H、D、烷基和芳基,其中相邻的R基可被接合在一起以形成环状基团,前提条件是(i)R1至R6中的至少一个为烷基或芳基,和(ii)R7至R12中的至少一个为烷基或芳基;并且
R13和R14相同或不同并且选自烷基和芳基,其中R13和R14可被接合在一起以形成环状基团;和
(b)能够电致发光的有机金属掺杂剂,所述掺杂剂具有介于380nm和750nm之间的最大发射。
13.权利要求12的电活性组合物,还包含:(c)第二基质材料。
14.权利要求13的电活性组合物,其中所述第二基质材料选自菲、苯并菲、菲咯啉、萘、蒽、喹啉、异喹啉、喹喔啉、苯基吡啶、苯并二呋喃和羟基喹啉金属络合物。
16.权利要求15的器件,其中所述活性层为电活性层,所述电活性层还包含能够电致发光的有机金属掺杂剂,所述掺杂剂具有介于380nm和750nm之间的最大发射。
16.权利要求15的器件,其中所述活性层基本上由具有式I的化合物和所述有机金属掺杂剂组成。
17.权利要求15的器件,其中所述活性层为空穴传输层。
18.权利要求17的器件,其中所述活性层基本上由具有式I的化合物组成。
19.权利要求15的器件,还包含介于所述第一电接触层和所述活性层之间的空穴注入层,其中所述空穴注入层包含至少一种导电聚合物和至少一种氟化的酸性聚合物。
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